Laboratorio N 03: EL TRANSISTOR BIPOLAR

POLARIZACION, CORTE Y SATURACION

Primo Flores Alexander Luis 2012024A

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per

INTRODUCCION
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus
respectivos contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de
corriente: electrones y lagunas o agujeros

I.
OBJETIVO
Conocer las caractersticas tcnicas y los requerimientos de uso del transistor.
Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtencin de las curvas
caractersticas del transistor Bipolar.
Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtencin de los data sheet de los
dispositivos a usar de Internet y los equipos de medicin.
Determinar las operaciones de corte y saturacin de los transistores.
Identificar las rectas de carga y punto de operacin.
Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el ensamble de los circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.

II.

TEORIA

CLASIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:

1.- Por la disposicin de sus capas: Transistores PNP y NPN
2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de Silicio y de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia: Transistores de baja potencia, de mediana potencia y de
alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja frecuencia y Transistores de alta
frecuencia
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al
emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base.
En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
CODIFICACIN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES:
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la
funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses
y Americanos.
CODIFICACIN EUROPEA:
Primera letra:
A: Germanio
B: Silicio
Segunda Letra:
A: Diodo (excepto los diodos tnel)
B: Transistor de baja potencia
D: Transistor de baja frecuencia y de potencia
E: Diodo tnel de potencia
F: Transistor de alta frecuencia

L: Transistor de alta frecuencia y potencia

P: Foto semiconductor
S: Transistor para conmutacin
U: Transistor para conmutacin y de potencia
Y: Diodos de potencia
Z: Diodo Zner.
Nmero de serie:
100 999: Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z: Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja
frecuencia.
CODIFICACIN JAPONESA:
Primero:
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
1: Diodos
2: Transistor
Segundo:
S: Semiconductor
Tercero:
A: Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B: Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C: Transistor NPN de RF
D: Transistor NPN de AF
F: Tiristor tipo PNPN
G: Tiristor tipo NPNP
Cuarto:
Nmero de serie: comienza a partir del nmero 11
Quinto:
Indica un transistor mejor que el anterior

Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

CODIFICACIN AMERICANA:
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a
continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924
(manuales del laboratorio).
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo: TI1411,
ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y
SYLVANIA.
III.
COMPETENCIAS
Maneja correctamente el multmetro, generador, fuente de alimentacin y
osciloscopio, configurando y conectndolos apropiadamente.
Selecciona correctamente los componentes a utilizar para el anlisis de corte y
saturacin del transistor bipolar.
Elabora informes tcnicos claros mediante un formato digital establecido,
detallando el proceso de laboratorio desarrollado, entregando puntualmente.
Usa software de simulacin y compara con los resultados experimentales.
Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma
efectiva en equipos multidisciplinarios de trabajo.

IV.

PREGUNTAS

a. Realice los clculos para hallar IB , IC empleando el simulador ORCAD / Pspice o

similar.
El clculo terico de IB para el circuito es:
V CC =R B I B +V BE
I B=
I B=

V CCV BE
RB

12V 0.767 V
10 K

I B=1.1233 mA
I C = I B
=
=

IC
IB

0.098 A
1.123mA

=87

b. Simule los pasos de la gua de laboratorio y anote las tensiones y corrientes que se
piden en el experimento.

Determinar la curva IC vs VCE ,Ajuste y mantenga IB en 40 A

y llene la

siguiente tabla:
VCE(V)

0.2

0.5

10

IC(mA)

3.37

3.64

3.93

4.52

5.15

5.67

6.27

6.79

7.3
6

7.9
4

8.5
1

9.07

c. Con los valores obtenidos con el simulador, haga las grficas de las curvas: IC vs
VCE ; IC vs IB ; vs IC ; IB vs VBE ; y obtenga el grfico de respuesta en
frecuencia indicando la ganancia de tensin vs. Frecuencia usando la escala
logartmica.
Grfica IC vs VCE
10
9
8
7
6
CORRIENTE DE COLECTOR (Ic)

5
4
3
2
1
0
0

10

12

VOLTAJE COLECTOR EMISOR (Vce)

d. Obtenga el Data Sheet del transistor y determine las caractersticas de corte y saturacin
as como el punto de operacin del 2N 2222 y el 2N 3904.
2N2222

2N3904

e. Que voltaje AC de entrada puede soportar el transistor 2N 2222 y el 2N 3904

2N3904

2N2222

V.

VI.

EQUIPOS MATERIALES
01 transistor NPN 2N2222 2N3904 01 Protoboard
01 Resistencia de 100; 2de 1K de 1W 02 Fuente DC; puntas de prueba
01 Protoboard y cables conectores
01 multmetro
Resistencias:10K;15K;56K;22K;180K;
3.3K;6.2K;10K;510K;2K de 1W
01 Potencimetro lineal de 50K y 500 K 0.5W 01 Generador de funciones
02 transistores BJT iguales BC548A
02 Diodos LED
01 Osciloscopio, puntas de prueba
01 ampermetro analgico

DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

PROCEDIMIENTO.

VII.

BIBLIOGRAFIA

http://search.datasheetcatalog.net/key/2N3904
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/N/2/2/2N2222.shtml
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4teoria.pdf