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INTRODUCCIN
El UJT tiene tres terminales: B1, B2 y E, donde las
bases B1 y B2 estn compuestos por material NType, mientras que el emisor E esta dopado con
material P-Type. La representacin fsica del UJT
se muestra en la Fig. 1
bb
b1
b2
(1)
A Rbb se le conoce como static inter-base
resistance,o resistencia inter-base.
En trminos generales Rbb es variable
normalmente entre 5k-10k.
El diodo D es el equivalente a una unin emisorbase, presenta un voltaje umbral desde 0.4 volts
hasta 0.7 volts. Cuando un voltaje Vbb es aplicado
entre B1 y B2 con el emisor abierto el voltaje en el
nodo A es igual a:
R b1
V a Vbb Rb1 R
b2
(2)
R b1
R b1 R b2
(3)
A la ecuacin 3 se le conoce como Intrinsic
standoff ratio h (eta). produce una variacin que
comprende desde 0.5 hasta 0.8, lo cual significa
que Rb1 es igual o hasta cuatro veces el valor de
Rb2. La tensin Va se conoce como voltaje
intrnseco y es la que polariza inversamente al
diodo emisor, al no existir una seal en la entrada.
Al aplicarse la tensin Ve en el emisor, el
transistor permanece bloqueado hasta tanto no se
alcance el voltaje pico Vp, el cual est dado por
la siguiente expresin:
Vp Vd Va
(4)
Donde Vd es el voltaje del diodo emisor de
V a V bb
R2
Rbb
(6)
Si la temperatura baja, Rbb baja, el factor R2/Rbb
sube y por consiguiente Va baja. Si la temperatura
sube, Rbb sube, el factor R2/Rbb baja y por
consiguiente Va sube. Se observa que las
variaciones de Vd se compensan con las
variaciones de Va, porque ocurren en sentido
opuesto, de esta forma se mantiene el valor de
Vp. Con un rango de trabajo para la fuente de
polarizacin Vbb comprende entre 10 y 35 volts,
se obtiene que R2 vara entre 50 k y 1 k.
El oscilador de relajacin
OBJETIVO GENERAL
Disear un circuito oscilador de relajacin con un
UJT,
haciendo
las
debidas
operaciones
matemticas para su diseo
OBJETIVOS ESPECFICOS
DESARROLLO
Dado el circuito de la Fig.4 se escoge el UJT con
la matrcula 2n2646 ya que dar los parmetros
con los que se debern de trabajar a travs del
diseo:
Resistencia intrnseca
Rbb=7k-ohms
Nota: observar el datasheet para ver la curva que
muestra la variacin de Rbb con respecto a la
temperatura. (Se escoge 7k-ohm ya que es el
valor tpico)
Corriente Pico
Ip=1uA
Corriente valle
Iv=6mA
Nota: Los valores Ip e Iv definen la regin de
resistencia negativa
Intrinsic stand-off
h=.674
Nota: es el valor ms importante del diseo con l
se desarrolla el diseo del oscilador
Power supply
Vbb30V
El circuito de la Fig. 4 nos da el diagrama de
1
R e C e ln
1
1
(7)
Dado que no conocemos los valores de Re y Ce
se elige un capacitor Ce=1e-6 F para tener solo
una variable que nos permita variar la frecuencia
en trminos de la resistencia Re. Ahora bien se
desean ciertas frecuencias por lo que es necesario
calcular la resistencia Re, esto puede ser posible
despejando la ecuacin 7 en trminos de Re,
dando como resultado:
Re
1
1
1
fC e ln
(8)
O en el tiempo
Re
T
C e ln
1
1
(9)
Con las ecuaciones 8 y 9 dada una frecuencia es
posible saber a qu resistencia Re se le debe de
colocar al circuito de la Fig. 4.
El valor de Re no debe de sobrepasar ciertos
valores, es decir, Re tiene lmites, un lmite
mximo (RMax) y un lmite menor (RMin), para
hayarlos se hace uso de las ecuaciones
siguientes:
R Min
R Max
V bb V v
Iv
V bb V p
Ip
(10)
(11)
El voltaje valle Vv es normalmente el 10% del
voltaje de alimentacin Vbb.
Para la realizacin de las operaciones se hace uso
de Matlab 2015 cuyo cdigo es:
%Script UJT
clear all;close all;clc;
vbb=10;%power supply
%////////////From the data sheet the
specifications for the 2N2646 are:
eta=0.674; %intrinsic stand off ratio
Rbb=7e3;%Resistencia interbase
Iv=6e-3;%valley current "Min"
Ip=1e-6;%Peak current
"Max"
%/////////////////////////////////////////
/////////////////////////////////
Vp=vbb*eta+0.7;%volage peak
Vv=vbb*.1;%voltage valley
%The limits values for R is given by:
RMax=(vbb-Vp)/Ip;%Max
RESULTADOS
Con ayuda de un osciloscopio se
comprueba
el
funcionamiento
del
oscilador en el nodo Ve (entre la
resistencia R3 y el capacitor Ce) de la
Fig.5
//*****************F=70 hz
REFERENCIAS
Recuperado en:
http://www.profesormolina.com.ar/
tutoriales/enica_pot.htm
El 19 / 10 / 2015.
Pareja J., Muoz A., Angulo C.,
Prcticas
de
Electrnica,
McGraw-Hill, Espaa, 1990,
Cap.1
Semiconductores
avanzados, 239 paginas.
Muhammad
H.
Rashid,
Electrnica de potencia circuitos,
dispositivos
y
aplicaciones.
(2004), ed. Pearson Prentice
Hall, 3 edicin, 904 pginas,
Mxico.