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El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, pueden ser
de germanio o silicio. Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del
flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo
de transistor.
El transistor es
un dispositivo
de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.
dependen
del
la realidad si lo
cuando se cambia
COLECTOR COMUN
EMISOR COMUN
BASE COMUN
Transistor UJT
Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a
sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de material N.
Terminales de un UJT
En el lugar de unin el aluminio crea una
formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y
la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula:
Donde:
- n = intrinsic stand off radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.
FET
El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain),
Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se
conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el
camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente
circula de Drenaje (D) Fuente (S).
Donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando
Vgs = 0
Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal),
se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje
VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el
grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar la
resistencia RDS con la siguiente frmula:
RDS = VDS / ID
SCR
Smbolo y estructura
Funcionamiento bsico
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2
de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la
base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo
IB1 en la base de Q1, y......
y colector
corriente
de colector
Q2 (IB2) ,
mismos que
Aplicaciones
Curva caracterstica
La siguiente figura muestra la
tensin de conmutacin y la corriente
dependencia entre la
de compuerta.
inversa se comporta
de
fuga
TRIAC
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as,
controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin (recordar que un tiristor slo
conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay
un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede
controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que
consume.
Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas
incandescentes (circuito de control de fase).
Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lmpara
- P: potencimetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
DIAC
El
el
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La
conduccin aparece cuando la tensin de
disparo
se
alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la
DIAC se reduce y entra en conduccin
la corriente necesaria para el disparo del
Se utiliza principalmente en aplicaciones de
potencia mediante control de fase.
La curva muestra que para voltajes aplicados en sentido
inverso, la operacin es prcticamente idntica.
tensin en el
dejando pasar
SCR o TRIAC.
control
de
directo e
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grfico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5
a 1 watt.)
Verificar las caractersticas y funcionamiento esttico de los semiconductores
resistencia es muy alta, puede ser sntoma de que el diodo est "abierto" y tenga que ser
reemplazado.
Se coloca el cable de color rojo en el ctodo y el cable negro en el nodo. En este caso
como en anterior el propsito es hacer circular corriente a travs del diodo, pero ahora en
sentido opuesto a la flecha de este. Si la resistencia leda es muy alta, esto nos indica que
el diodo se comporta como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no
conduce corriente. Si esta resistencia es muy baja podra significar que el diodo esta en
"corto" y tenga que ser reemplazado.
Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de ste, en el
que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos.
Los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por
diodos y se sigue la misma tcnica que probar diodos comunes. La prueba se realiza
entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor
NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del
equivalentes del transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor.
Nota: Aunque este mtodo es muy confiable (99 % de los casos), hay casos en que, por
las caractersticas del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para efectos prcticos se
sugiere tomarlo como confiable en un 100.
Probador de usos mltiples
Recomendaciones:
Este dispositivo debe usarse con un multmetro digital de alta resistencia interna (10
Mohm como mnimo), ya que la misma influye directamente en la lectura de voltaje.
Cuanto ms baja es la resistencia interna del instrumento, ms caer el voltaje por la
carga que el propio instrumento representa. Sera ideal su uso con un VTVM o un
multmetro
FET,
si
se
dispone
de
uno.
Tambin puede usarse un multmetro analgico del tipo de 20.000 ohm/vol. (o superior),
en la escala de 500, 600 o ms VDC
Precauciones Importantes:
o
o
o
o
Usar conectores del tipo caimn (cocodrilo) con cubierta aislante para
conectar el componente en prueba y el multmetro (tester).
No tocar el componente o sus conexiones mientras se est oprimiendo los
pulsadores (SW1,SW2).
Descargar el dispositivo, una vez culminada cada prueba, cortocircuitando
sus terminales por algunos segundos.
De ser posible, utilizar el probador conectado a la red elctrica a travs de
un transformador aislador de lnea (relacin 1:1).
muntmetro
presionando
instrumento.
Prueba de Diac:
El mismo procedimiento utilizado para la prueba de VDRs o Varistores
conduccin
de voltaje
del diodo.
como
Ohmetro
voltaje
Otras Aplicaciones:
Este dispositivo, tambin puede ser til para detectar fugas entre diferentes
bobinados de transformadores y Flyback. Tambin para comprobar la
continuidad de bobinados secundarios de flyback de TV y monitores, que
incorporan internamente diodos de alto voltaje.
Sin duda, un tcnico ingenioso, encontrar muchas otras aplicaciones a este singular
dispositivo.
Probador de tiristores
De
fcil
y
econmica fabricacin, consta de un
transformador (Tr) que convierte el voltaje de 110 a 5 V (puede entregar de 3 a 6 V), y la
corriente de 100 a 300 mA.
Tambin lo componen: cuatro rectificadores (D1, D2, D3 y D4), un condensador de 1000
f a 10 V para disminuir los picos elctricos, un diodo zener (Z) de 3 a 5 V, dos
resistencias (R1 y R2) de 10 ohms (0,25 W), dos diodos led (50 a 100 mA
con 1,5 V)) que indican el paso de la corriente, y un interruptor I1.
Por ltimo, abra I1, y entonces los leds deben continuar encendidos hasta que se le corte
la energa al circuito. Si ocurre lo contrario (leds apagados), el tiristor a prueba est
defectuoso. Solo cumpliendo las orientaciones anteriores, sabremos si el tiristor est en
buen estado tcnico.