Captulo I

DIODO DE POTENCIA

Un diodo (rectificador) de potencia es un componente de dos regiones, similar

en principio al diodo de seal, que consta de una capa P y una capa N formadas
en el mismo material semiconductor (substrato).
La figura 1.1 muestra una disposicin simplificada de las dos regiones. La
regin P tiene abundancia de huecos (los huecos son los portadores
mayoritarios), y la regin N tiene electrones como portadores mayoritarios. Los
electrones y los huecos forman los portadores minoritarios en las regiones P y
N respectivamente.
Al acercarnos a la unin entre las dos regiones, la concentracin P y N decrece
para acoplarse a la de la otra regin. Por lo tanto en el material hay un
gradiente que da por resultado la difusin de huecos y electrones a travs de la
unin. Esto hace que haya una recombinacin en la regin opuesta, por lo que
se forma una barrera de carga negativa en la regin P y una barrera positiva en
la regin N. Debido a la barrera slo unos cuantos electrones y huecos con alta
energa cintica, pueden cruzar o permanecer en la regin de unin.
Esta regin slo tiene unos cuantos portadores mayoritarios y se conoce como
regin de EMPOBRECIMIENTO o de CARGA ESPACIAL.
Fig. 1- 1

Ya que la regin de empobrecimiento slo tiene unos cuantos portadores de

carga, se comporta como un aislante. Por lo tanto el dispositivo se parece a un
condensador al tener dos regiones conductoras separadas por un aislante. El
ancho de la regin y por lo tanto su capacidad depender de la tensin inversa
aplicada a la unin P-N. Este efecto capacitivo influye en el comportamiento
en conmutacin.
CONSTRUCCIN Y ENCAPSULADO
Las caractersticas elctricas deseables de un diodo de potencia principalmente
son las siguientes:
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Capacidad de soportar gran intensidad de corriente con una pequea cada

de tensin en estado de conduccin o polarizacin directa.
Capacidad de soportar gran tensin inversa con pequeas corrientes de fuga
en estado de bloqueo o polarizacin inversa.

De los semiconductores empleados normalmente, Ge y Si, el primero tiene la

ventaja de una baja cada de tensin, 0,5V frente a 1-2V del Si, pero ste
soporta hasta unos 200 C en la unin y elevadas tensiones inversas frente a
unos 120 C del Ge. Por lo tanto en aplicaciones de potencia se usa casi con
exclusividad al Si, reservndose el Ge a aquellas que requieran bajas tensiones
y sea deseable una cada mnima.
Las tcnicas de construccin de los semiconductores de potencia de Ge y Si
han llegado a un grado de perfeccin extrema, consiguindose componentes de
una larga vida si trabajan dentro de las especificaciones.
La tcnica ms usada es la de difusin.
Se parte de un cilindro semiconductor de Si de tipo N que ha sido fabricado por
crecimiento de un cristal semilla en un bao de semiconductor fundido. El
cilindro, de varios cm. de largo y uno o ms de dimetro se corta en discos de
aproximadamente 1 mm de espesor (depende de la tensin inversa requerida).
El disco de material N se introduce en un horno de atmsfera inerte en la que
se inyecta una determinada cantidad de impurezas aceptadoras, tales como el
Indio. stas se difunden por una de las caras hasta alcanzar la profundidad y
concentracin deseadas. Luego se realiza otro dopado P muy intenso y de poca
penetracin, en la misma cara, para reducir la resistencia elctrica en la
soldadura al terminal de nodo.
(Perfil de las concentraciones en sentido axial)
Fig. 1- 2

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Otra tcnica, de menor precisin, es la de unin crecida. Consiste en dopar

alternativamente con impurezas P y N el bao del semiconductor fundido
durante el proceso de crecimiento del cristal semilla.
Finalmente la barra de cristal as obtenida se sierra en discos y se encapsulan.
Fig. 1- 3

La tcnica de crecimiento epitaxial es la ms exacta para controlar el espesor y

el grado de dopado del cristal. Sobre una lmina o substrato de semiconductor
puro se depositan nuevos tomos procedentes de una fase gaseosa. Este gas
puede impurificarse con tomos donadores o aceptadores que substituyen
algunos tomos de la red cristalina.
Estructuras modificadas
La superficie del semiconductor, aunque sea completamente puro, forma una
ruptura en la red cristalina (ver. Fig. 1.4). En la retcula total, cada tomo de
silicio est unido a su vecino por dos enlaces de electrones, de forma tal que
cada tomo se conecta a otros cuatro. En la superficie, el tomo est unido a
slo tres, por lo que dos huecos no estn llenos, quedando la superficie cargada
positivamente. Estas cargas atraen impurezas de la atmsfera dando problemas
en la misma. Por lo tanto es importante limpiar a fondo el semiconductor en su
superficie y protegerlo mediante estabilizadores como xidos y nitruros.

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Fig. 1- 4

Para reducir las corrientes superficiales y mejorar las caractersticas de ruptura

de los rectificadores, pueden utilizarse varias tcnicas. La fig. 1-5 muestra el
mtodo de biselado en las uniones P-N. En el biselado positivo, la parte que se
reduce es la de menor impureza. Por el contrario en el biselado negativo la
parte que se reduce es la de mayor concentracin de impurezas.
Ya que el biselado reduce el rea para los contactos, a veces se usa un doble
biselado, con ngulos diferentes, que proporciona una reduccin menor, lo cual
redunda en una mayor superficie de contacto.
El efecto del biselado es aumentar la distancia o espesor aparente de la capa en
la superficie con relacin al interior, dando un menor campo superficial y por
lo tanto menores fugas y una mayor tensin de ruptura.

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Fig. 1- 5

El encapsulado del diodo debe cumplir tres requisitos:

Aislar la pastilla respecto de la atmsfera para evitar su deterioro qumico.
Proporcionar una conexin elctrica slida.
Permitir la extraccin del calor generado por las prdidas elctricas.
Para intensidades medias del orden de 50 A. se usa un encapsulado similar al
que aparece en el siguiente corte:
Fig. 1- 6

Para intensidades mayores (por ej. 700 A.) se usan encapsulados tipo Disco de
hockey, refrigerados por ambas caras. Este encapsulado mejora hasta un 35%
la capacidad de corriente de una misma pastilla, refrigerada por una sola cara,
pero no cambia las caractersticas para sobrecargas transitorias, que dependen
exclusivamente de la pastilla.
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Fig. 1- 7

CARACTERSTICAS ESTTICAS
Diodo en estado de Bloqueo
Aplicando una tensin inversa EB a los terminales de un diodo de manera que
el ctodo K sea ms positivo que el nodo A, los portadores mayoritarios de
cada capa son atrados hacia los extremos, ensanchando la zona de carga
espacial que se vaca de portadores. Aparece una barrera de potencial en la
unin, del mismo valor aproximado que la tensin inversa U0. La corriente de
mayoritarios If cesa prcticamente y la de minoritarios Ig aumenta respecto a la
que tena con la unin en equilibrio, hasta el valor que le permite su
concentracin, independiente de la tensin aplicada pero que crece con la
temperatura. Esta corriente inversa de fugas es muy pequea, por lo que puede
decirse que el diodo no conduce o est bloqueado.
La fig. 1-8 representa la distribucin de cargas en sentido axial, donde la lnea
de puntos representa la distribucin con los extremos en cortocircuito. Por
claridad U0 se represent no mucho menor que UB.
En la regin prxima a la zona de avalancha se definen cuatro tensiones
proporcionadas por el fabricante:
Ui Tensin inversa de trabajo: Puede ser soportada en forma continuada sin
peligro de calentamiento por avalancha
Up (Upr) Tensin inversa de pico repetitivo: Puede ser soportada en picos de
1ms. cada 10ms.
Un (Upnr) Tensin inversa de pico no repetitivo: Puede ser soportada una sola
vez, en pico de 10ms. cada 10minutos.
Ur Tensin de ruptura: Si se alcanza el diodo puede destruirse o degradar sus
caractersticas

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Fig. 1- 8

.
Diodo en estado de conduccin
Al aplicar una tensin directa EB (nodo positivo respecto al ctodo), los
portadores mayoritarios son empujados a la unin, pasando a la capa opuesta.
La corriente de mayoritarios If aumenta enormemente respecto al valor en
equilibrio. La de minoritarios Ig en sentido contrario se torna insignificante.
Cuando circula una corriente entre las zonas P y N se produce una cada de
potencial UAK debido a resistencias internas y al potencial de unin, de sentido
contrario. Este potencial de unin disminuye con la temperatura.

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Fig. 1- 9

El fabricante define intensidades caractersticas en conduccin:

Im Intensidad media nominal: Mx. intensidad media para impulsos senoidales
de 180 (a una temperatura de cpsula generalmente de 110 C).
Ip (Ipr) Intensidad de pico repetitivo: corriente que puede ser soportada con una
duracin de 1ms cada 20ms.
Ipu (Ipnr) Corriente de pico nico o no repetitivo: Es el pico mx. de corriente
aplicable cada 10 min. Con una duracin de 10ms.
Las prdidas en conduccin directa se expresan por
P

1 T
u AK iA dt
T 0

Reemplazando uAK por la del circuito equivalente

P

1 T
(U 0 riA )iA dt U 0 I Am rI A2

0
T

Donde IAm es el valor medio de iA e IA el valor eficaz.

El fabricante provee para un mejor clculo curvas como la fig. 1-10, ya que
tomando como variable la corriente media IAm, la corriente eficaz IA aumenta
para ngulos de conduccin pequeos.
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Fig. 1- 10

CARACTERSTICAS DINMICAS
Recuperacin Inversa
El paso del estado de conduccin al de bloqueo no se efecta instantneamente.
El diodo al conducir una corriente directa I, est saturado de portadores
mayoritarios (con mayor densidad a mayor I). Si el circuito externo fuerza la
anulacin de la corriente con diA/dt para llevar al diodo al estado de bloqueo,
resulta que despus del paso por cero, existen an portadores en la unin
permitiendo el paso de corriente en sentido inverso.
La tensin entre nodo y ctodo no se establece hasta despus de un tiempo t a
en que reaparece en la unin la zona de carga espacial. La corriente todava
tarda un tiempo tc en descender a un valor despreciable mientras van
desapareciendo los portadores en exceso.
La fig. 1-11 muestra este proceso y la forma ms exacta de calcular ta y tc.
ta tiempo de almacenamiento
tc tiempo de cada
tr = ta + tc tiempo de recuperacin inversa
qr carga de recuperacin
Ir intensidad de recuperacin

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Fig. 1- 11

Nota: Algunos autores toman tc como el tiempo entre el pico de corriente Ir y

hasta que sta se reduce al 20%.
Observando la fig. 1-11 se puede decir que:
2q
1
1
1
qr I r ta I r tc I r tr I r r
2
2
2
tr
di
Tambin se puede expresar I r ta A
dt
diA 2qr
2qr
ta

ta tr
diA
dt
tr
dt
Si tc es despreciable frente a ta resulta que tr ta , luego

tr

2qr
diA
dt

Ir

2qr

diA
dt

La recuperacin inversa es un fenmeno no deseado, porque implica

calentamiento del diodo, sometido a una punta de potencia en ese instante y a
que el mismo disminuye la eficiencia del circuito en general.

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Los tr son del orden de los 10 S para los diodos rectificadores normales, de 2
a 0.5 S para los fast y prcticamente nulo para los Schottky.
La fig. 1-12 muestra el efecto de la frecuencia en un diodo rectificador.
Fig. 1- 12

Recuperacin directa
Otro fenmeno de retardo, pero de menor importancia es el que ocurre cuando el diodo pasa de
bloqueo a conduccin. Los portadores mayoritarios tardan un tiempo finito en inundar la zona
de carga espacial, estableciendo el potencial U0. Mientras tanto aparece entre nodo y ctodo
un potencial que tiende a poner en conduccin al diodo.
Fig. 1- 13

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trd tiempo de recuperacin directa

Ur tensin de recuperacin directa
trd << tr
Sobrecargas transitorias
El diodo puede funcionar en forma transitoria por encima de la intensidad
fijada por el fabricante para trabajo continuo, a condicin de:
Producirse un nmero limitado de veces en su vida til.
La sucesin debe ser espaciada, de modo de permitir el enfriamiento de la
pastilla semiconductora al menos hasta la temperatura mxima de uso
continuo.
El grado y duracin de la sobrecarga debe estar por debajo de lo indicado
en catlogo.
Fig. 1- 14

Rgimen I2t
Este dato suministrado por el fabricante proporciona informacin de la
sobrecorriente transitoria subcclica que puede soportar el diodo y es
fundamental para el clculo o seleccin del fusible adecuado para protegerlo.

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