INSTITUTO TECNOLOGICO

DE MORELIA
INGENIERIA EN ELECTRONICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES

Grupo B
5to semestre
Erick Gonzlez Lpez
Matricula: 13121115
Javier Alcauter Flores
Matricula: 13121071
Fecha 27/11/2015
Practica No. 5
Instituto Tecnolgico de Morelia
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Fsica de semiconductores

Departamento de Ingeniera Electrnica

Fsica de Semiconductores
Practica No. 5
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Objetivo: Conocer el comportamiento elctrico del transistor bipolar.
Procedimiento:
Seleccionar un transistor bipolar de pequea seal y propsito general, usando las
hojas del fabricante polarizarlo en emisor comn usando una corriente de colector de
la mitad de la corriente mxima del transistor, mediante la fuente Vbb ajustar la
corriente de base y cambiando el voltaje Vcc desde cero hasta 24 volts medir la
corriente de colector y el voltaje colector emisor, repetir lo anterior para al menos dos
valores de corriente de base menores que la necesaria para tener la mitad de la
corriente de colector mxima del transistor (ver figura 1).

Rc

Medir los voltajes de ruptura para el transistor.

Rb
T1 !NPN

Vcc

Vbb

Figura 1.
En caso de usar un transistor pnp las polaridades de las fuentes deben de invertirse.

Para encontrar las caractersticas de entrada se usa la unin base-emisor manteniendo

constante el voltaje colector base se sugieren valores de voltaje colector base de 0, 5 y
10V, la corriente de base debe de tomarse al menos tres rdenes de magnitud menor
que la corriente necesaria para tener la mitad de la corriente de colector mxima.
Medir voltaje de ruptura de base colector, base emisor, colector emisor con la base
abierta.
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Fsica de semiconductores

Reportar:
-Marco terico
-Clculos Hechos.
-Mediciones.
-Observaciones.
-Explicacin de las diferencias teora-practica.
-Conclusiones.

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Fsica de semiconductores

Transistor Bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o
sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Figura 2.-Transistor Bipolar

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se

usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o
BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en
un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
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Fsica de semiconductores

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En

su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de
carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa
al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de
corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Figura 3.-Regiones de un transistor.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones

semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base
y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN.
Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho
ms amplia que base-emisor.

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Fsica de semiconductores

Figura 4.-Regiones de un transistor.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y
est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y
de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo
casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de
se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
una
gran
.
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en
directa y la unin base-colector en inversa.1 Debido a la agitacin
trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por
el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la
regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin
base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en
la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base,
desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la
regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones
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Fsica de semiconductores

en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la

base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta
en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de
la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Figura 5.-Caracteristica idealizada de un transistor bipolar.

Desarrollo practico
Transistor usado PN2222A
Seleccionaremos un transistor de pequea seal y de propsito
general en este caso un transistor PN2222A en cual determinamos
los pines Emisor, Base, Colector y que en este caso usamos el
multmetro para determinarlas y obtuvimos que el multmetro
marcaba solo cuando estaba la punta positiva en la pata del centro
deduciendo que esa era la base y la unin era NPN y despus solo
comparamos las marcaciones para detectar emisor y colector (EB=727 y B-C=725) despus con las hojas de datos comprobamos si
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Fsica de semiconductores

es correcta la configuracin de los pines del transistor que

obtuvimos la cual fue correcta.

Figura 5.6.-Configuracion de los pines del transistor proporcionado por el fabricante.

Voltajes de ruptura:
Los voltajes de ruptura se obtuvieron creando un circuito con el variac un diodo
rectificador al circuito tambin se le aumento un resistencia limitadora de corriente de
10K y lo nico que se realiz despus fue acomodar el circuito en la parte de la unin
donde se deseaba obtener el voltaje de ruptura.
Voltajes de ruptura para el transistor NPN 2N2222 bajo la supervisin del profesor:
C-B => 140V
C-E => 60V
E-B => 8V

Figura 5.7.-Hoja de datos del transistor PN2222A.

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Fsica de semiconductores

Clculos
Clculos para obtener el valor de Rb y Ib
Ic
Ib

=
Rb
Ib=

VbbVbe 12 v0.7 v
=
=
Ib
6 mA

1883.333

Ic 300 mA
=
=6 mA

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CURVAS DE SALIDA
Para las siguiente parte polarizamos el transistor en emisor comn
utilizando una corriente de colector de la mitad de la corriente
mxima del transistor y mediante la fuente Vbb ajustare la corriente
de base y cambiando el voltaje de 0v hasta 24v medir la corriente
de colector y el voltaje colector emisor, y se repetir estos
procedimientos para al menos dos valores debajo de la corriente de
base menores que la necesaria para tener la mitad de la corriente
de colector mxima del transistor

a)

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Fsica de semiconductores

b)
Figura.5.8. a) circuito necesario para obtener las curvas de salida
b) Tabla de valores para valores diferentes de corriente de base (para graficar curvas
de salida).

Figura.5.9. Curvas de salida para los valores prcticos de las tablas Figura.6.8.

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Figura.5.10.Diagrama particular utilizado en la simulacin de orCad

Figura.5.11.Grafica particular del diagrama de la figura utilizado en la simulacin de orCad

CURVAS DE ENTRADA
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Fsica de semiconductores

Para obtener las curvas de entrada se dise un nuevo circuito el cual no calentara el
dispositivo para esto se sustituyeron los valores de resistencia los cuales nos ayudaban
a obtener las corrientes deseadas tambin se utiliz el generador de seales el cual
suministrara al circuito los valores deseados pero pulsada mente con lo cual se logra
evitar que el dispositivo se caliente.

Figura.5.12.Tabla de valores prcticos para las curvas de entrada del transistor 2N2222A

Figura.5.13.Graficas de las curvas de entrada para el transistor 2N2222A.

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Fsica de semiconductores

Figura.5.14.Graficas proporcionas por el fabricante.

CONCLUSION
ERICK GONZALEZ LOPEZ
En esta prctica entend como identificar los pines de un
transistor, y que las condiciones normales de un transistor
NPN se dan cuando el diodo B-E esta polarizado en forma
directa y el diodo B-C est en polarizacin inversa, en esta
condicin gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar esta debido a la baja
contaminacin y grosor
y logran llegar as al colector,
adems de las funciones que tiene como por ejemplo un
amplificador de seales, oscilador, rectificador etc. Y que
deja pasar o cortar seales a partir de una seal de mando,
y de las etapas de corte, activa y saturacin con respecto a
la corriente de base podra funcionar como un interruptor y
las grficas que obtuvimos llegan a un punto de Vds. en el
que ID ya no crece y se mantiene constante para la regin
de saturacin. Adems de que la corriente colector-emisor
puede como ser controlada por la corriente de base-emisor
como un control de corriente o de voltaje, debido a la
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Fsica de semiconductores

relacin entre voltaje y corriente de base-emisor y la

corriente de colector es Beta veces aproximadamente la
corriente de base.

CONCLUSION
Javier Alcauter Flores
Para poder identificar las terminales y el tipo de la unin del
transistor se realizaron varias combinaciones con las putas
del multimetro hasta que se encontr la terminal comn
donde siempre marcaba algo el multimetro de ah se supo
que esa era la base solo haba que checar que punta estaba
en la base para ver el tipo de la unin que en nuestro caso
fue npn despus se midi entre las terminales para ver que
marcaba el multimetro y se observ que daba dos valores
diferentes con los que se supo que el emisor estaba en la
parte donde marcaba ms debido a que existen ms
impurezas en el emisor que en el colector.
Para obtener las curvas de entrada y de salida se tuvieron
que armar sus circuitos respectivamente para no daar
nuestros componentes para las curvas de entrada se tuvo
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Fsica de semiconductores

que usar un generador pues el dispositivo alcanzaba a

calentarse con lo que las mediciones eran incorrectas
entonces al momento de conectar el generador se lograban
dar pulsos los cuales solo activaban por un pequeo
instante el componente evitando su calentamiento
Finalmente para obtener el voltaje de ruptura se arm un
circuito de tal manera que pudiramos elevar el voltaje y al
mismo tiempo evitar que nuestro dispositivo se daase
para lo cual se us el variac, un diodo rectificador y una
resistencia limitadora de corriente de 10k al momento de
estar usando dicho circuito se present un problema pues
el diodo que se us al principio rectificaba bien pero tena
demasiada fuga por lo cual fue necesario cambiarlo por
otro que fuera ms preciso y as no daar el dispositivo
despus lo nico que se realizo fue conectar de tal manera
que solo una parte de la unin trabajara como diodo para
as poder medir los voltajes de ruptura.

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Fsica de semiconductores