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Curvas caractersticas del MOSFET de vaciamiento canal n
Objetivos especficos: El alumno aprender a:
Obtener las curvas caractersticas de drenaje del MOSFET de vaciamiento
Obtener la grfica de la funcin de transferencia del MOSFET de vaciamiento.
INTRODUCCION TEORICA.
Anlisis de la operacin del transistor MOSFET de vaciamiento canal-n.
Los MOSFET son dispositivos de cuatro terminales llamados Source o fuente (S), Drain o denaje(D), Gate
o compuerta (G) y Sustrate o substrato (SS). Sin embargo, el substrato generalmente est conectado
internamente al terminal del fuente, y por este motivo se pueden disponer de dispositivos MOSFET de
tres terminales. La palabra MOSFET es acrnimo de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
(significa en castellano transistor de efecto de campo).
Los MOSFETs se dividen en dos tipos: el de vaciamiento (o decrecimiento, agotamiento, etc.) y
crecimiento (o incremental). Los trminos vaciamiento o crecimiento se definen como consecuencia de
los modos de operacin, como ser explicado ms adelante.
La construccin bsica de un MOSFET del tipo vaciamiento canal n se esquematiza en las figuras 8.1 y 8.2.
Se forma a partir de una base de material de silicio monocristalino tipo p al se le denomina sustrato. El
sustrato es el cimiento sobre el que se construir el dispositivo resultando un dispositivo de cuatro
terminales, como el que aparece en la figura 8.1. Las terminales de fuente y drenaje estn unidas entre s
a travs de una regin de semiconductor tipo n mediante una zona denominada canal n como se muestra
en la misma figura. La compuerta se conecta a una superficie de contacto metlico, pero permanece
aislada del canal n por una capa muy delgada de
pero permanece aislada del canal n por una capa muy delgada de dixido de silicio. El SiO2 es un tipo
particular de aislante que no permite una conexin elctrica directa entre la terminal de compuerta y el
canal para el MOSFET; por esta razn, a estos dispositivos se les conoce tambin como IGFETs (insulatedgate field-effect-transistor, transistor de efecto de campo con compuerta aislada).
Consiste en una serie de pasos ordenados rigurosamente para la trasferencia del diseo grfico de un
chip a una oblea de silicio monoltico.
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Es un proceso por medio del cual se hace crecer una capa de material que mantiene una relacin definida con
respecto al substrato cristalino inferior. Por ejemplo, partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o
sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este.
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Depositar.
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Descripcin de la etapa
Resina fotosensible es una material sensible a la luz utilizado en varios procesos industriales, tales como la
fotolitografa y fotograbado, para formar un recubrimiento modelado sobre una superficie.
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Mscara. Placa con aberturas que se disea para producir un patrn de grabacin en la capa fotosensible.
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Remover la capa PR
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La diferencia de potencial entre compuerta y fuente de la figura 8.3 es cero volts (VGS = 0 ) al estar
conectadas en comn con la terminal del sustrato y la conexin de tierra. Por el lado del circuito de
drenaje se le est aplicando al transistor un voltaje VDD a travs de las terminales drenaje-fuente (VDS). El
resultado es que los electrones libres del canal n son arrastrados por esta diferencia de potencial VDS y
formaran la corriente ID similar a la establecida a travs del canal del JFET. En la figura 8.4 se muestra en la
curva caracterstica del funcionamiento del MOSFET de vaciamiento, es decir, la variacin de la corriente
resultante ID con respecto a la variacin de VDS. Se puede apreciar que la corriente ID aumenta conforme
el voltaje VDS aumenta (aumentando VDD). Ver Figura 8.3 (b).
Este comportamiento proporcional se mantendr a cierto valor donde VDS = VP (este valor de voltaje
provoca el estrangulamiento del canal). A partir de este valor, los incrementos del voltaje VDS no producen
mayor incremento de la corriente ID . El comportamiento constante del valor de ID se le llama corriente
de saturacin IDSS .
b) Medir el voltaje VDS y la corriente ID, mientras se incrementa el valor de la fuente VDD desde 0 hasta 20
volts, manteniendo el voltaje VGS = 0 V. Anotar sus resultados en la siguiente tabla
d) Analice y comente con los integrantes del equipo, los resultados. Escriba sus conclusiones.
Al igual que en el caso del JFET, bajo las condiciones experimentales W. Shockley dedujo la ecuacin que
define la relacin entre ID y VGS en un MOSFET de vaciamiento, la cual en honor a l se llama Ec. De
Shockley:
V
ID IDSS 1 GS
VP
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b) Medir el voltaje VDS y la corriente ID, mientras se incrementa el valor de la fuente VDD
desde 0 hasta 20 volts, manteniendo el voltaje VGS = - 3 V. Anotar sus resultados en la siguiente
tabla:
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d) Analice y comente con los integrantes del equipo, los resultados. Escriba sus conclusiones.
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