UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRNICA

CURSO CIRCUITOS ELECTRONICOS II-P (EE432-M)
SYLLABUS
Escuela Acadmico Profesional : Ingeniera Elctrica.
Nombre del Curso :
Circuitos Electrnicos II-P.
Cdigo :
EE432
Nmero de Crditos :
04
Ciclo :
Octavo
Carcter del Curso :
Obligatorio
Horas de Clase semanales:
04 (T)
Duracin:
17 Semanas
Pre-Requisito :
EE-211, EE-615
RESUMEN:

OBJETIVO:

Dispositivos semiconductores de potencia, convertidores CA/CC

no controlados y controlados, controladores de voltaje AC,
Convertidores CC/CC, convertidores CC/CA (inversores PWM).
Estudio y anlisis de los circuitos que usen dispositivos de estado slido
para el control de los sistemas de potencia.

CONTENIDO TEMATICO:
Primera Semana: Definicin, aplicaciones, historia de la electrnica de potencia,
semiconductores de potencia, diodos, estructura, caractersticas
estticas y dinmicas, tipos de diodos especificaciones y
conexiones.
Segunda Semana : Rectificacin con diodos, diodos con carga RC,RL,LC y RLC,
diodos de marcha libre, rectificadores de media onda, parmetros
de rendimiento, rectificadores monofsicos de media onda y de
onda completa, con carga R y RL.
Terecera Semana: Rectificadores estrella multifase, rectificadores trifsicos en
puente, voltaje de salida con filtro LC; diseo de circuitos
rectificadores, aplicaciones.
Cuarta Semana:

Tiristores, estructura, caractersticas, activacin y desactivacin,

operacin en serie y en paralelo, tipos, circuitos de disparo.

1ra P.C.

Quinta Semana :

Rectificadores controlados, principio de operacin del rectificador

controlado por fase, semiconvertidores monofsicos, convertidores
monofsicos completos.

Sexta Semana:

Convertidores trifsicos de media onda, semiconvertidores

trifsicos. Convertidores trifsicos completos,

Sptima Semana: Mejoramiento del factor de potencia y diseo de circuitos

convertidores. Aplicaciones.

2da P.C.
Octava Semana:

Exmenes Parciales.

Novena Semana:

Controladores de voltaje AC, principios de control abrir y cerrar,

principio de control de fase, controladores monofsicos de onda
completa.

Dcima Semana:

Controladores trifsicos de media onda, y de onda completa.

Controladores trifsicos conectados en delta. Aplicaciones.

Dcima Primera Semana: Cicloconvertidores monofsicos y cicloconvertidores

trifsicos, controladores de voltaje AC con PWM, diseo
de circuitos controladores de voltaje AC. Aplicaciones
Dcima Segunda Semana: Convertidores DC/DC, convertidor reductor (Buck),
convertidor elevador (Boost).

3ra P.C
Dcima Tercera Semana: Convertidor reductor/elevador (Buck-Boost), aplicaciones.
Inversores PWM, principios de operacin, parmetros de
rendimiento.
Dcima Cuarta Semana:

Inversores tipo fuente de tensin, monofsicos en puente,

inversores trifsicos. Mtodos de control de tensin y
frecuencia (PWM).

Dcima Quinta Semana:

Tcnicas modernas de modulacin, inversores de fuente

de corriente, inversores de enlace DC variable.
Aplicaciones.

4ta P.C.
Dcima Sexta Semana:

Exmenes Finales.

Dcima Sptima Semana: Exmenes Sustitutorios.

EVALUACIN :
N .F .

P.C1 P.C 2 P.C 3

3

P.C. = Practica Calificada.

N.F.= Nota Final
De las 4 practicas Calificadas se elimina una, la de mas baja Nota.

BIBLIOGRAFA:
[1]

Electrnica de Potencia, circuitos dispositivos y

aplicaciones. Autor : Muhamad H. Rashid. Editora: Printice
Hall, Ultima Edicin.

[2]

Electrnica de Potencia principios fundamentales y

Estructuras bsicas Autores : Eduard Ballester y Robert
Piqu. Editoras: AlfaOmega y Marcombo, 2012.

[3]

Electrnica de Potencia Convertidores Aplicaciones y

Diseo Autores: Mohan, Undeland y Robins Editora : Jonh
Wiley and Sons.Inc. Edicin en Espaol 2010

[4]

Electrnica de Potencia
Componentes, topologas y
equipos. Autor : Salvador Martnez Garca y Juan A. Gualda
Gil. Editora: Thompson

[5]

Power Electronics Circuits Autor: Issa Batarseh. Editora:

Editora : Jonh Wiley and Sons.Inc.

[6]

Electronica de Potencia . Autor : Ivo Barbi. Universidad

Federal de Santa Catarina Florianpolis- Brasil.

Marzo 2014

Dra. Teresa Nez Ziga

1).- ELECTRNICA DE POTENCIA

1.1) Definicin.- La Electrnica de potencia es la disciplina que

involucra el estudio de los circuitos electrnicos usados para el
control del flujo de la energa elctrica.
Estos circuitos manejan flujos de potencia en niveles bastante altos.
1.2) Aplicaciones.- Durante muchos aos ha existido la necesidad de
controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de
controles industriales impulsados por motores elctricos.
La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para
la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina:
la electrnica,
el control y
la energa.
El control: Se encarga del rgimen permanente y de las
caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energa: Tiene que ver con el equipo de potencia esttica y
rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de
energa elctrica.
La electrnica: Se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con
los objetivos de control deseados.

En la figura 1-1 se muestra la interrelacin de la electrnica de

potencia con la energa, la electrnica y el control.

Fig.1.1 Relacin de la Electrnica de Potencia con la energa, la

electrnica y el control
La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la
conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia.
Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de
potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de
conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado
tremendamente.
El

desarrollo

de

la

tecnologa

de

los

microprocesadores

microcomputadoras (DSPs), tiene un gran impacto sobre el control

y la sntesis de las estrategias de control para los dispositivos
semiconductores de potencia.
El

equipo

de

electrnica

de

potencia

moderno

utiliza

semiconductores de potencia (1), que pueden compararse con el

msculo y microelectrnica(2), que tiene el poder y la inteligencia
del cerebro.

La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la

tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de
productos de alta potencia, que incluyen:
Controles de motores, de calor, de iluminacin.
Fuentes de alimentacin.
Sistemas de propulsin de vehculos.
Sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC).
Algunas de las aplicaciones de la electrnica de potencia son:
Abre puertas elctricos.
Acondicionamiento del aire.
Alarmas.
Amplificadores de Audio.
Amplificadores de R.F.
Arrancadores para turbinas de gas.
Arrancadores de maquinas sincronas.
Atenuadores.
Calderas.
Calefaccin por induccin.
Cargadores de bateras.
Centelladores luminosos.

 Charolas p ara calentar alimentos.

Cobijas elctricas.
Computadoras.
Conductores.
Controles de motores, de calor, de hornos.
Controles lineales de motores de induccin.
Corriente directa de alto voltaje (HVDC).
Crisoles.
Deflectores de T.V.
Electrodomsticos.
Electroimanes.
Elevadores.
Estibadores.
Fotocopiadoras.
Fuentes de alimentacin para aeronaves, para lser.
Fuentes de tensin no interrumpibles (UPS).
Fuentes de tensin para aplicaciones espaciales.
Grabaciones Magnticas.
Gras marinas.
Herramientas elctricas y manuales de potencia.
Hornos de cemento.
Ignicin electrnica.

 Juegos y juguetes.
Licuadoras.
Locomotoras.
Mezcladores de alimentos.
Mineria.
Molinos.
Precipitadotes electrostticos.
Procesos qumicos.
Proyectores de cinema.
Publicidad.
Puertas de cocheras automticas.
Pulsadores.
Refrigeradores.
Reguladores de voltaje.
Reveladores de enganche.
Secadoras elctricas.
Secadoras de ropa.
Sistemas de seguridad.
Sopladores.
Temporizadores.
Transito masivo.
Transmisores de muy baja frecuencia.

 Trenes elctricos (Metro).

Vehculos elctricos.
Ventiladores. Etc.
1.3) Historia de la Electrnica de Potencia.La historia de la electrnica de potencia empez en el ao 1900, con
la introduccin del rectificador de arco de mercurio.
Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico,
el rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn,
el fanotrn y el tiratrn.
Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la
dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica se inicia en 1948 con la invencin
del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratorios por los
seores Bardeen, Brattain y Schockley.
La mayor parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales
tienen su origen en esta invencin.
A travs de los aos, la microelectrnica moderna ha evolucionado a
partir de los semiconductores de silicio.
En 1956, tambin proveniente de los Bell Telephone Laboratorios:
se dio la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini
como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).

La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo

del tiristor comercial por General Electric Company.
Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia.
Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de
dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin
de la energa elctrica.
La revolucin de la microelectrnica nos dio la capacidad de
procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble.
La revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la
capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa
con una eficiencia cada vez mayor.
Debido a la fusin de la electrnica de potencia, que es el msculo,
con la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto
muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y an
se descubrirn ms.
Dentro de estos ltimos 3 aos, la electrnica de potencia ya empez
a formar y condicionar la electricidad, por ejemplo en las lneas de
transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios con
las

Impedancias Negativas,

para la compensacin de estas

lineas de transmisin, para la regulacin de la tensin y para la

correccin del factor de potencia entre otras aplicaciones.

La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde

el fin de los aos 80 y principios de los 90.

Fig.1.2 Historia de la electrnica de Potencia.

Historia cronolgica de la electrnica de potencia.
La era de los tubos de vaco:
1900 Descubrimiento de la energa elctrica y la bombilla.
1910 Rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada.
1930 Tiratron, el ignitrn, el fanotrn, el cicloconvertidor, la
radio, HVDC.
1950 T.V., el transistor de germanio y de silicio, el tiristor.
La era de la electrnica de potencia:
1960 GTO, el triac, el transistor bipolar integrado.

1970 Transistor bipolar 500 V/20 A, el Mosfet de potencia,

microprocesador de 8 bits, Mosfet integrado, el
computador.
1980 El computador personal (PC), el microprocesador de 16
bits, tiristoes controlados por Mosfet (MCT),
La revolucin de la electrnica de potencia:
1990 Control de la velocidad de los motores.
2000 T.V. a color con pantalla plana, reles de estado slido,
circuitos brakers, fuentes ininterrumpidas de potencia.
2010 Vehculos elctricos , plantas de energa solar, alta
performance en la velocidad de los motores, en los
sistemas condicionadores de linea de potencia activa.
2020 Robots domsticos, amplio uso de los superconductores,
etc.
1.4) DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:
Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador
controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes
adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en
forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones
industriales.

A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos

semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial.
Estos se pueden clasificar con base en:
(1)

Cerrado y apertura no controlado (Diodos de

potencia).

(2)

Cerrado controlado y abertura no controlado

(SCR o Tiristores).

(3)

Caracteristicas controladas de cerrado y abertura

(BJT, MOSFET,GTO,SITH,IGBT,SIT,MCT).

(4)

Necesidada de seal continua en compuerta

(BJT,MOSFET,IGBT,SIT).

(5)

Necesidada

de

impulso

en

compuerta

(SCR,GTO,MCT).
(6)

Capacidad

de

resistencia

voltaje

bipolar

de

resistencia

voltaje

bipolar

(SCR,GTO).
(7)

Capacidad

(BJT,MOSFET,GTO,IGBT,MCT).
(8)

Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC,

RCT).

(9)

Capacidad

de

corriente

unidireccional

(SCR,GTO,BJT,MOSFET,MCT,IGBT,SITH,SIT,d
iodo).

Los tiristores se pueden subdividir en :

1) Tiristor conmutado por lnea o por fase (SCR).
2) Tiristor de conmutacin rpida (SCR).
3) Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT)
4) Rectificador

controlado

de

silicio

fotoactivado

(LASCR)
5) Tiristor o trodo bidireccional (TRIAC).
6) Tiristor de conduccin inversa (RCT).
7) Tiristor desactivado por compuerta (GTO).
8) Tiristores controlados por FET (FET-CHT)
9) Tiristores apagados por MOS (MTO).
10)

Tiristores de apagado (Control) por emisor

(ETO).
11)

Tiristores conmutados por compuerta integrada

(IGCT).
12)

Tiristores controlados por MOS (MCT).

13)

Tiristor de induccin esttico (SITH).

Los diodos de potencia son de tres tipos:

(a) De uso general,
(b) De alta velocidad (o de recuperacin rpida) y
(c) Schottky.

Fig.1.3 Diodos de potencia tipo laser.

Fig1.4 Varias configuraciones de SCRs.

Fig1.5. IGBT e igbt compactos.

FIG.1.6 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de

Potencia(V,I,F)

Fig.1.7 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de Potencia(P,F)

Fig.1.8 Evolucin practica de las aplicaciones de la E.P.

Tabla 1.1 Caractersticas y Smbolos De Algunos Dispositivos De

Potencia.

2).- DIODOS
2.1) INTRODUCCIN :

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel

significativo en los circuitos electrnicos de potencia.
Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias
funciones, como la de:
Interruptores en los rectificadores.
De marcha libre en los reguladores conmutados.
Inversin de carga de condensadores y
Transferencia de energa entre componentes.
Aislamiento de voltajes.
Retroalimentacin de la energa de la carga, a la fuente de
energa .
Se puede suponer para efecto de anlisis, que los diodos de potencia
son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren
de las caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin
pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en
el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos de
seal ordinarios.
La respuesta a la frecuencia (o velocidad de comunicacin) es baja
en comparacin de los diodos de seal.
2.2) CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS :

Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn. de dos

terminales.
En la Figura 2.1 aparece un corte transversal de una unin pn. y
un smbolo de diodo.

Fig. 2.1 Smbolo del diodo y unin pn

Cuando el potencial de nodo es positivo con respecto al ctodo,
se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva y el
diodo conduce.
Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa
relativamente pequea a travs de si mismo; y su magnitud
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la
unin.
Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo,
se dice que le diodo tiene polarizacin inversa.
Y bajo estas condiciones (polarizacin inversa), fluye una
pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente de
fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya

magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta

llegar al .

Fig.2.2 Caractersticas v-i de un diodo de Potencia en rgimen

permanente.
Para fines prcticos, un diodo se puede considerar como un
interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la fig2.2b.
Las caractersticas v-i mostradas en la fig.2-2a se pueden
expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacin
Schockley de diodo , y esta dada por:
I D I S (e

VD
nVT

1)

................................. (2-1)
donde:
ID = corriente a travs del diodo (A).

VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al

ctodo (V).
IS = corriente de fuga (o corriente de saturacin Inversa),
tpicamente en el rango entre 10-6 y 10-5 A.

(A una temperatura

especifica Is es una constante para c/diodo)

n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o

factor de idealidad, cuyo valor vara de 1 a 2. (dependedle material y la
construccin fsica del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre 1.1 y 1.8)

VT = constante llamada voltaje trmico y esta dada por:

VT

KT
q

................................ (2.2)

Donde:
q = carga del electrn: 1.6022*10-19 culombios (C)
T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273+C)
k = constante de Boltzmann: 1.3806*10-23 J/K
A una temperatura de unin de 25C, la ecuacin (2-2) da:
VT ( 250 C )

KT 1.3806 *10 23 * (273 25)

25.8mV
q
1.6022 *10 19

El diodo real tiene una caracterstica como la de la fig.2.2a y se

puede dividir en tres regiones:
(1) Regin de polarizacin directa, donde VD>0
(2) Regin de polarizacin inversa, donde VD<0
(3) Regin de ruptura, donde VD< -VZK.

(2.2.1) Regin de polarizacin directa :

En la regin de polarizacin directa, VD>0.
La corriente del diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo
VD es menor que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V).
El diodo conduce totalmente si: VD > VDT, que se conoce como
voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de activacin.
Por lo tanto, el voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo
conduce totalmente.
Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 Volt., n =1 y
VT=25.8 mV.
De (2-1) encontramos que la corriente correspondiente al diodo
ID es:
I D I S (e

VD

nVT

1) I S e

0.1
1*0.0258

1 I S (48.23 1)

= 48.23*IS , con 2.1% de error

Luego:
para VD>0.1V, que es por lo general el caso, ID>>IS, (2-1) se
puede aproximar, dentro de un error de 2.1%, a
I D I S (e

nVT

1) I S e

VD

nVT

......................... (2-3)

(2.2.2) Regin de polarizacin inversa.

En la regin de polarizacin inversa, VD<0.

Si VD<0y VD>>VT, cosa que ocurre para VD<-0.1, el termino

de

la

exponencial

de

la

ecuacin

(2-1)

se

vuelve

despreciablemente pequeo en comparacin con la unidad, y la

corriente del diodo ID se vuelve
V

I D I S (e

nVT

1) I S

Lo que indica que la corriente del diodo I D en la direccin

inversa es constante y es igual a IS.
(2.2.3) Regin de ruptura.
En la regin de ruptura, el voltaje es alto, por lo general mayor
que 1000 V.
La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura, VBR.
La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo
cambio en el voltaje inverso ms all de VBR.
La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva,
siempre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del
nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de ruptura, para
mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

Ejemplo 2-1 :

La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD=1.2 V

a ID=300 A. Suponiendo que n=2 y VT=25.8 mV, encuentre la
corriente de saturacin IS.
Solucin :
Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de
fuga (o corriente de saturacin) IS, a partir de
300 I S (e

1.2

2*25.8*10 3

1)

lo que nos da IS=2.38371*10-8 A.

2.3) CARACTERSTICAS DE LA RECUPERACIN INVERSA :
Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su
corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural
del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el
diodo

contina

conduciendo,

debido

los

portadores

minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en

el material del cuerpo del semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.

Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del

diodo.

Fig.2.3 Caractersticas de recuperacin Inversa.

En la figura 2-3 se muestran dos caractersticas de recuperacin
inversa de diodos de unin.
El ms comn es el tipo de recuperacin suave.
El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a
partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el
25% de la corriente inversa mxima (o de pico), IRR.
trr est formado por dos componentes, ta y tb.
ta est generado por el almacenamiento de carga en la
regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo
entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR.

 tb es debido al almacenamiento de carga en el material del

cuerpo del semiconductor.
La relacin tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF.
Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el tiempo total
de recuperacin trr y por el valor pico de la corriente inversa IRR.
t rr t a t b

....................................... (2-5)

La corriente inversa pico se puede expresar como :

I RR t a

di
dt

......................................... (2-6)

El tiempo de recuperacin inversa

trr,

se define como el

intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a

travs de cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente

inversa se ha reducido al 25% de su valor inverso pico iRR.

trr depende de:
la temperatura de la unin,
de la velocidad de abatimiento de la corriente directa antes
de la conmutacin.
La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de
portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin
inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso.

Su valor queda determinado por el rea encerrada por la

trayectoria de la corriente de recuperacin inversa.
La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la
trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente
Q RR

I RR t a I RR t b
I t

RR RR
2
2
2

.............................. (2-7)

O bien
I RR

2Q RR
t rr

............................... (2-8)

(2-6) = (2-8) , nos da:

t rr t a

2QRR
di
dt

............................... (2-9)

Si tb es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es

el caso, trr ta, y la ecuacin (2-9) se convierte en :
trr
I RR

2QRR
di
dt
2QRR

................................................ (2-10)
di
dt

................................................ (2-11)

De (2-10) y (2-11) notamos que el tiempo de recuperacin

inversa trr y la corriente de recuperacin inversa pico IRR
dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso.
La carga de almacenamiento depende de:

 La corriente directa del diodo IF.

La corriente de recuperacin inversa pico IRR.
La carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters
para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en
forma comn en las hojas de especificaciones de diodos.
Si un diodo est en condiciones de polarizacin inversa, fluye
una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios.
En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo
a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se
requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de
recuperacin directa (o de activacin), antes de que los
portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al
flujo de corriente.
Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la
corriente directa est concentrada en una pequea superficie de
la unin, el diodo puede fallar.
Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la
velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de
conmutacin.
Ejemplo 2-2
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es t rr=3s y la
velocidad del decremento o de la reduccin de la corriente del
diodo es di/dt=30A/s. Determine:

(a)

la carga de almacenamiento QRR y

(b)

la corriente inversa pico IRR.

Solucin :

trr=3s y di/dt = 30 A/s.

De la ecuacin (2-10) :
Q RR

1 di 2
t rr 0.5 * 30 A / s * (3 * 10 6 ) 2 135C
2 dt

De la ecuacin (2-11) :
I RR

2Q RR

di
2 * 135 * 10 6 * 30 * 10 6 90 A
dt

*******************************************************

2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA :

Idealmente, un diodo no debera de tener tiempo de
recuperacin inversa.
Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante
aumentara.
En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del
tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos
pocos costosos.
Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las
tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden
clasificar en tres categoras.
Las caractersticas y las limitaciones practicas de cada uno de estos tipos restringen
sus aplicaciones.

Los diodos de potencia son de tres tipos:

a) De uso general,
b) De alta velocidad (o de recuperacin rpida) y
c) Schottky.
2.4.1) Diodos de uso general :
Los diodos rectificadores de uso general.
Tienen un trr relativamente alto, tpicamente de 25s.
Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad (hasta 1kHz).
Trabajan con corrientes desde 1 A hasta varios miles de
Amp. Con voltajes desde 50 V hasta 5 kV.
Estos diodos generalmente se fabrican por difusin.
Existen los rectificadores de tipo de aleacin usados en las
fuentes de alimentacin para mquinas de soldadura son
muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones
pueden llegar hasta 300 A y 1000 V.

2.4.2)

Diodos de recuperacin rpida :

Se usan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, donde la

velocidad de recuperacin es a menudo de importancia
crtica.
Tienen trr bajo, menor que 5 S.
Trabajan desde 1Amp hasta varios cientos de Amp.
Con tensiones desde 50 V hasta 3 kV.
Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los
diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican
por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por
difusin de oro o platino.
Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los
diodos
epitaxiales
proporcionan
velocidades
de
conmutacin mayores que las de los diodos de difusin.
(Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo que
permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como
50 nS).
En la fig.2.4 se muestran diodos de recuperacin rpida de
varios tamaos.

Fig. 2.4 Diodos de recuperacin rpida.

2.4.3)

Diodos Schottky : (Portadores de alta energia)

El efecto de recuperacin se debe nicamente a la

autocapacitancia de la unin semiconductora.
Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
La corriente de fuga es mayor que la de un diodo de unin
pn.
Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin
relativamente bajo tiene una corriente de fuga
relativamente alta, y viceversa.
Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo
general limitado a 100V.
Trabajan con corrientes desde 1 A a 300A.
Son ideales para las fuentes de alimentacin de alta
corriente y de bajo voltaje en corriente directa.
Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de
alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor.

Fig.2.5 Rectificadores Shottky de 20 y de 30 Amperios, duales.

Especificaciones

Fig.2.6 Especificaciones de un diodo de Potencia.

Fig.2.7 Especificaciones de un diodo de potencia.

2.5) DIODOS CONECTADOS EN SERIE :

En muchas aplicaciones de alto voltaje (Ejemplo en lneas de
transmisin HVDC), un diodo comercialmente disponible no
puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los
diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de
bloqueo inverso.
Consideramos dos diodos conectados en serie, como se muestra
en la fig.2.8a. En la prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo
difieren debido a la tolerancia en su proceso de produccin . En la fig.2.8-b se
muestran dos caractersticas v-i para tales diodos.

Fig. 2.8 Diodos conectados en serie con polarizacin inversa

En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la
misma cantidad de corriente, y la cada de voltaje directa de
cada diodo debera ser prcticamente la misma.
Sin embargo, en la condicin de bloqueo inverso, cada diodo
tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los
voltajes de bloqueo variarn en forma significativa.
Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en
la fig.2.9-a, es obligar a que se comparta el mismo voltaje
conectando una resistencia a travs de cada diodo.
Debido a esta distribucin de voltajes iguales, la corriente de
fuga de cada diodo sera diferente, lo cual se muestra en la
fig.2.9b.

Fig.2.9 Diodos conectados en serie, con caractersticas de

distribucin de voltaje en rgimen permanente-

En vista que la corriente de fuga debe ser compartida por un

diodo y su resistencia.

I s I s1 I R1 I s 2 I R 2

........................... (2-12)

Pero: IR1 =VD1 /R1 e IR2 = VD2/R2.

La ecuacin (2-12) proporciona la relacin entre R1 y R2 para
una distribucin de voltaje igual, en la forma.

I s1

VD1
V
I s 2 D1
R1
R2

................................. (2-13)

Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del

diodo seran ligeramente distintos, dependiendo de las
similitudes entre las dos caractersticas v-i.
Los valores VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (214) y (2-15):
V
V
I s1 D1 I s 2 D1
........................... (2-14)
R
R

VD1 VD2 Vs

........................... (2-15)

La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (o sea,

debido a cargas en conmutacin, aplicaciones iniciales de un voltaje de
entrada) se lleva a cabo conectando condensadores a travs de

cada diodo, lo que se muestra en la fig.2.10. R1 limita la

velocidad de elevacin del voltaje de bloqueo.

Fig.2.10 Diodos en serie con redes de distribucin de voltaje bajo

condiciones de rgimen permanente y transitorio.
2.6) DIODOS CONECTADOS EN PARALELO :
En aplicaciones de alta potencia, los diodo se conectan en
paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de
corriente, a fin de alcanzar las especificaciones de corriente
deseadas.
La distribucin de corriente de los diodos estara de acuerdo con
sus respectivas cadas de voltaje directas.
Se puede obtener una distribucin uniforme de corriente
proporcionando inductancias iguales (por ejemplo en los
terminales),
O conectando resistencias de distribucin de corriente
(cosa que puede no ser prctica debido a perdidas de
energa); lo anterior se muestra en la fig.2.11.

Fig.2.11Diodos conectados en Paralelo.

Es posible minimizar este problema seleccionado diodos con
cadas de voltaje directas iguales o diodos del mismo tipo.
Las resistencias de la fig.2.11-a, ayudarn a la reparticin
de corriente en condiciones de rgimen permanente.
La reparticin de corriente en condiciones dinmicas se
puede llevar a cabo mediante la conexin de inductores
acoplados, ver fig.2.11-b.
Los inductores generaran picos de voltaje y podran resultar
costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.