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5.

Circuito regulador de tenso:


5.1 introduo
O circuito regulador de tenso, que responsvel por receber a tenso de
alimentao fornecida pela fonte de alimentao (+12 V) e convert-la nas tenses
requeridas pelo processador, memria, chipset e outros componentes
A qualidade do circuito regulador de tenso est intimamente relacionada com a
qualidade geral da placa-me e com sua vida til por vrias razes. Um circuito
regulador de tenso bem projetado no apresentar flutuaes ou rudos em suas
sadas, fornecendo ao processador e aos outros componentes tenses limpas e
estveis, fazendo com que eles funcionem perfeitamente. Um circuito regulador de
tenso ruim pode produzir flutuaes e rudos em suas sadas o que resultar em
um mau funcionamento do equipamento.
Se este circuito usar capacitores eletrolticos de baixa qualidade eles podero vazar,
estufar ou at mesmo explodir. Em muitos casos quando uma placa-me morre
o culpado este circuito. Por essa razo ter um circuito regulador de tenso de boa
qualidade assegura que voc tenha um micro funcionando de maneira estvel
durante muitos anos.
Reconhecer este circuito muito fcil. Como ele o nico circuito na placa-me que
usa bobinas, basta localiz-las e voc ter encontrado o circuito regulador de
tenso. Normalmente este circuito est localizado prximo ao soquete do
processador, mas voc poder encontrar algumas bobinas espalhadas pela placame, geralmente prximas aos soquetes de memrias ou ao chip ponte sul, j que
elas fornecero tenses apropriadas para esses componentes.

Figura 5.1: Circuito regulador de tenso.

5.2 Conhecendo os componentes


Os principais componentes de um circuito regulador de tenso, como j
mencionamos, so as bobinas (que podem ser fabricadas usando dois materiais,
ferro ou ferrite), transistores e capacitores eletrolticos (placas-mes de melhor
qualidade usam capacitores slidos de alumnio, que so melhores). Os transistores
usados no circuito regulador de tenso so fabricados com uma tecnologia chamada
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de

Campo usando Semicondutor xido-Metlico) e muitas pessoas os chamam


simplesmente de MOSFET (algumas placas-mes, em particular as da MSI
baseadas na tecnologia DrMOS, utilizam circuitos integrados em vez de
transistores). Algumas placas-mes vm com um dissipador de calor instalado
sobre esses transistores para refriger-lo, o que recomendado. Existem outros
componentes
importantes
presentes
neste circuito,
especialmente circuitos integrados. Voc encontrar um circuito integrado chamado
controlador PWM e bons projetos usam um pequeno circuito chamado driver
(acionador) MOSFET. Ns falaremos mais sobre esses circuitos depois.

Figura 5.2: Detalhe do circuito regulador de tenso principal.

Figura 5.3: Placa-me com dissipador de calor passivo instalado sobre os


transistores.
Voc pode encontrar dois tipos de bobinas no circuito regulador de tenso: ferro ou
ferrite. Bobinas de ferrite so melhores pois oferecem uma menor perda de energia
se comparadas s bobinas de ferro (perda de energia 25% menor, segundo a
Gigabyte), produzem menos interferncia eletromagntica e possuem melhor
resistncia ferrugem. muito fcil diferenci-las: as bobinas de ferro
normalmente so abertas e voc pode ver um fio de cobre grosso dentro dela,
enquanto que as bobinas de ferrite so fechadas e normalmente tm uma
marcao comeando com a letra R estampada em sua parte superior. Nas
Figuras 4 e 5 voc pode ver a diferena entre elas. H, porm, uma exceo.
Existem bobinas de ferrite que so grandes, redondas e abertas, mostradas na
Figura 6. muito fcil identificar essas bobinas, j que elas so redondas em vez de
quadradas.

O circuito regulador de tenso usa uma bobina por fase ou canal. No se


preocupe que explicaremos o que esses termos significam em detalhes depois.

Figura 5.4: Bobina de ferro.

Figura 5.5: Bobina de ferrite.

Figura 5.6: Bobinas de ferrite.

Embora a maioria das placas-mes use transistores MOSFET na seo reguladora


de tenso, alguns transistores so melhores do que outros. Os melhores
transistores so aqueles que tm baixa resistncia de chaveamento um
parmetro chamado RDS (on). Esses transistores produzem menos calor (16% a
menos se comparados aos tradicionais transistores MOSFET, de acordo com a
Gigabyte) e consomem menos energia para sua prpria operao, o que significa
maior eficincia (ou seja, a placa-me e o processador consumiro menos
energia). Eles so fisicamente menores do que os transistores tradicionais. Uma
maneira fcil de diferenci-los contando o nmero de terminais existentes. Os
transistores tradicionais tm trs terminais, com o terminal central normalmente
cortado, enquanto que os transistores com baixa resistncia de chaveamento tm
quatro ou mais terminais e todos eles so soldados na placa-me. Voc pode ver a
diferena entre os dois comparando as Figuras 5.7 e 5.8.
O circuito regulador de tenso tem dois transistores por fase ou canal, um
chamado high side ou lado de cima e outro chamado low side ou lado de
baixo. Placas-me baratas em vez de usarem um circuito integrado driver
(acionador) MOSFET por canal usam um transistor extra por canal para executar
esta funo, por essa razo tais placas-mes tm trs transistores por canal (fase)
em vez de dois. Por causa disso a melhor maneira de se contar e identificar as fases
contar a quantidade de bobinas, no a quantidade de transistores.
Algumas placas-mes, especialmente as da MSI baseadas na tecnologia DrMOS,
utilizam um circuito integrado substituindo os transistores MOSFET lado de cima e
lado de baixo e o acionador (driver) MOSFET, e portanto, em tais placas-mes
voc encontrar um circuito integrado por fase e nenhum transistor.

Figura 5.7: Transistor MOSFET tradicional.

Figura 5.8: Transistor MOSFET com baixa resistncia de chaveamento.


Os capacitores usados no circuito regulador de tenso podem ser do tipo eletroltico
tradicional ou slido de alumnio e ns j mostramos a diferena fsica entre eles na
Figura 5.2. Os capacitores slidos de alumnio so melhores do que os capacitores
eletrolticos convencionais j que eles no estufam ou vazam
Cada sada de tenso controlada por um circuito integrado chamado controlador
PWM (Pulse Width Modulation, Modulao por Largura de Pulso). A placa-me tem
um desses para cada nvel de tenso, ou seja, um para o processador, um para as
memrias, um para o chipset, etc (a maioria dos controladores PWM capaz de
controlar dois nveis de tenso independentes). Se voc olhar perto do soquete do
processador voc ver um controlador PWM para as tenses do processador, veja
nas Figuras 2 e 9. Algumas placas-mes tm o circuito PWM trabalhando numa
frequncia maior, o que reduz a perda de energia (em outras palavras, aumenta a
eficincia, ou seja, menor a quantidade de energia consumida pela placame/processador). O fabricante anuncia com destaque este recurso caso a placame o possua.

Figura 5.9: Controlador PWM.


Finalmente ns temos um circuito integrado menor chamado driver (acionador)
MOSFET. O circuito regulador de tenso usar um driver MOSFET por fase (canal),
portanto cada circuito integrado acionar dois MOSFETs. Placas-me mais baratas
usam outro MOSFET no lugar deste circuito integrado, portanto em placas-mes
que usam este projeto voc no encontrar este circuito integrado e cada fase ter
trs transistores, no dois como de costume.

Figura 5.10: Driver (acionador) MOSFET.

5.3 Canais
O circuito regulador de tenso pode ter circuitos de potncia trabalhando em
paralelo para oferecer a mesma tenso de sada a tenso do ncleo
do processador, por exemplo. Eles, no entanto, no funcionam ao mesmo tempo:
eles trabalham fora de fase e da o nome fase para descrever cada circuito.
Como exemplo vamos analisar o circuito regulador de tenso do processador. Se
este circuito tem duas fases (ou canais), cada fase estar operando 50% do tempo
de modo a gerar a tenso do processador. Se este mesmo circuito for construdo
com trs fases, cada fase trabalhar 33,3% do tempo. Com quatro fases, cada fase
trabalhar 25% do tempo. Com seis fases cada uma delas trabalhar 16,6% do
tempo, e assim por diante.
Existem vrias vantagens em ter um circuito regulador de tenso com mais fases. A
mais bvia que os transistores ficaro menos carregados, o que aumenta a vida
til desses componentes e reduz a temperatura de funcionamento deles. Outra
vantagem que com mais fases a tenso de sada normalmente mais estvel,
alm do nvel de rudo ser menor.
A adio de mais fases requer a incluso de mais componentes, o que aumenta o
custo da placa-me: placas-mes baratas tm menos fases, enquanto que placasmes mais caras tm mais fases.
Alm disso, muito importante esclarecer que quando um fabricante diz que uma
placa-me tem um regulador de tenso de seis fases ele est se referindo apenas a
tenso de alimentao principal do processador (Vcore).
Cada fase de tenso ou canal usa uma bobina, dois ou trs transistores (ou um
nico circuito integrado substituindo esses transistores), um ou mais capacitores
eletrolticos e um circuito integrado driver MOSFET este ltimo componente
pode ser substitudo por um transistor, como acontece em placas-mes mais
simples. Como voc pode ver, a quantidade exata de componentes varia. O nico
componente que est presente sempre na mesma quantidade a bobina, e por isso
a melhor maneira para voc saber quantas fases um determinado circuito regulador
de tenso tem contando a quantidade de bobinas (preste ateno porque existem
excees; ns falaremos sobre elas a seguir). Por exemplo, a placa-me mostrada

na Figura 5.11 (a mesma placa mostrada antes nas Figuras 5.1 e 5.2) tem trs
fases.

Figura 5.11: Fases.


Mas h um porm. Em algumas placas-mes a fase que fornece a tenso da
memria ou do chipset est localizada prxima s demais fases, induzindo voc a
um erro na hora de contar caso voc simplesmente conte a quantidade de bobinas
localizadas prximo ao soquete do processador. Ns mostramos este caso na Figura
5.12: apesar de a placa-me da foto ter quatro bobinas ela uma placa-me de
trs fases, j que apenas trs das fases so usadas para gerar a tenso principal do
processador (Vcore); nesta placa-me a quarta fase usada para gerar a tenso da
memria.

Figura 5.12: Placa-me com trs fases, no quatro, como voc poderia supor.
errado assumir que apenas as bobinas localizadas prximas parte traseira da
placa-me devem ser contadas, ignorando as bobinas localizadas na lateral da
placa: na Figura 5.11 voc pode ver uma placa-me com uma bobina localizada na
lateral da placa e que pertence ao circuito regulador de tenso do processador.
Como todas as bobinas que esto produzindo a mesma tenso de sada tm suas
sadas conectadas juntas, apenas as bobinas que tm suas sadas conectadas
devem ser contadas. Isto pode ser feito seguindo a sada de cada bobina no lado de
solda da placa-me. Na Figura 5.13 ns mostramos o lado de solda da placa-me
da Figura 5.12. Como voc pode ver apenas trs bobinas so conectadas ao mesmo
local; a sada da quarta bobina est indo para os soquetes de memria (ns

sabemos disto porque esta uma placa-me soquete 775, onde o processador
requer apenas uma tenso.

Figura 5.13: Modo correto de se contar as bobinas.

Atividade prtica do captulo:


Reconhecer as estruturas do circuito regulador de tenso de placas-me fornecidas
pelo professor.
Atividade prtica:
Em grupo de no mximo 3 elementos.
Sobre as bancadas o professor ir dispor gabinetes montados.
Desmontar e remontar o conjunto placa-me, processador, memrias e fonte de
alimentao em cada gabinete.
Ao terminar um gabinete o grupo dever troca-lo por outro gabinete de outro
grupo.

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