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II - DIODO DE JUNO PN

um dispositivo semicondutor unidirecional, constitudo de duas regies dopadas interligadas, originando uma
juno PN .
Os diodos de juno so aplicados em
conversores retificadores C.A./C.C. ,
conversores
inversores
C.C.
/C.A.,
reguladores,
controle automtico de
freqncia, controle de temperatura,
acoplamento e bloqueio de sinais,
emissores de luz (LED), receptores de luz
(fotos sensores), chave de comutao ,
oscilador em alta freqncia (micro-ondas),
supressor de transientes, etc.

2.1

CURVA DE UM DIODO DE JUNO

A) Tenso de joelho
a tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente; esta tenso equivale ao potencial da barreira. Tem
como caracterstica:
Regio no-linear < 0,7V
Regio linear
0,7V
B) Tenso de ruptura:
a tenso mxima com polarizao inversa, em que o diodo seguido
BREAKOVER Voltage).

de um aumento de corrente (VBR

C) Diodo ideal

Age como um condutor perfeito (VD= 0V),


quando polarizado diretamente e como um
excelente isolante (IOR = 0A), quando
polarizado inversamente.

D) Diodo real com segunda aproximao:


Com uma polarizao direta inicial, no flui
nenhuma corrente at que a tenso sobre os
terminais do diodo atinja 0,7V, independente
da corrente que circula. Com polarizao
inversa funciona como chave aberta.

DIODO DE JUNO PN

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E) Diodo real com terceira aproximao:


includo uma resistncia de corpo (rB), em srie com
Uma fonte V de 0,7V. Como o valor de rB linear,
Quanto maior a corrente , maior ser a tenso nos
terminais do diodo.
2.2 POLARIZAO DE UM DIODO DE JUNO
A) Juno PN no Polarizada
Em uma juno PN, sem um nvel de tenso externa aplicada, no pode haver circulao de corrente, porm pequenas
correntes circulam na juno.
Uma das correntes constituda pelo movimento de alguns eltrons livres do material N para o material P e algumas
lacunas da regio P para a regio N, que conseguiram absorver energia suficiente para ultrapassar a barreira de
depleo. Uma outra parcela de corrente, resulta da ruptura de ligaes covalentes por AGITAO TRMICA. A corrente
resultante destas circulaes denomina-se:
CORRENTE DE FUGA (Io)

Io = IMAJ + ICB

Io = Corrente de fuga interna ao semicondutor, passando pela juno.


IMAJ = Parcela de corrente interna ao semicondutor, gerado pelos portadores majoritrios.
ICB = Parcela de corrente interna ao semicondutor, gerado por agitao trmica na quebra de ligaes covalentes.
( Covalente-Band - aglutinante covalente).

B) Juno PN Com Polarizao Inversa:


Os eltrons do material N so atrados pelo terminal (+) e as lacunas pelo terminal (-). Uma corrente estabelece, porm, o
fornecimento no contnuo, devido aos poucos eltrons livres e lacunas no interior do material. Os eltrons que saem da
regio N, deixam mais ons positivos prximo juno; e as lacunas que se afastam da regio P, deixam mais ons
negativos. Com o aumento de ons negativos e positivos ocorre tambm um aumento na Barreira de Potencial. Esta
barreira torna-se maior at que sua diferena de potencial se iguale tenso da fonte.

Corrente de Fuga Em Estado de Saturao (IoS1): uma parcela da corrente de fuga reversa, que circula pelo
interior do semicondutor, produzida pelos portadores minoritrios que so criados pela energia trmica. Esta corrente de
fuga saturada s pode ser aumentada com o aumento de temperatura. A corrente IoS1, tem o seu valor
aproximadamente dobrado para cada aumento de 10oC na temperatura ambiente.
o
o
Exemplo: Um diodo de silcio tem uma IoS1 de 10 nA a 25 C, caso sua temperatura de trabalho atinja 45 , a sua
corrente IoS1 atinge 40 nA.

DIODO DE JUNO PN

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Corrente De Fuga Superficial (IoS2): uma parcela da corrente de fuga reversa, que circula pela superfcie do
semicondutor, produzida pelos portadores de corrente criados por impureza da superfcie, que criam trajetos hmicos
para circulao desta corrente. A IoS2, tem o seu valor extremamente pequeno.
Corrente De Fuga Reversa (IoR): a corrente que circula pelo semicondutor, quando polarizado reversamente, a
soma das correntes IoS1 e IoS2. Esta intensidade de corrente pode ser alterada, variando a temperatura do corpo do
diodo ou da tenso reversa aplicada sobre seus terminais.
Exemplo: O diodo trivial 1N914, tem uma corrente reversa de 25nA para uma tenso reversa de 20V e uma
o
temperatura ambiente de 25 C.

IoR = IoS1 + IoS2


C) Juno PN Com Polarizao Direta:

Os eltrons livres na regio N, so repelidos pelo terminal negativo (-) e so forados para a juno, onde eles iro
neutralizar os tomos doadores (ons positivos) na camada de depleo. A medida que os eltrons encontram as lacunas,
eles se tornam eltrons de valncia e atravs das lacunas caminham para a extremidade da regio P. Atingindo a
extremidade, os eltrons de valncia abandonam o cristal e escoam para o terminal positivo.
No grfico das bandas de energia, podemos observar que os eltrons livres ao atravessar a juno e entrar na regio P
da banda de valncia descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo. medida que descem irradiam
energia na forma de calor e luz. Os diodos comuns so feitos de silcio ou germnio e revestidos de um material opaco que
bloqueia a passagem da luz; toda energia irradiada dissipada em forma de calor.
Para que um diodo conduza a corrente eltrica, necessrio que haja uma QUEBRA NA BARREIRA DE POTENCIAL.
(Eltrons da banda de conduo da regio N atingem as lacunas da banda de valncia da regio P).
Si 0,6V a 0,7V
Ge 0,3V a 0,4V
2.3 ANLISE DO DIODO DE JUNO EM CIRCUITOS ELTRICOS
A) ANLISE EM CIRCUITO DE C.C.

Aplicando KIRCHHOFF na malha dada:


V= VD + VRL
Substituio VRL = IDRL, temos:
V = VD + IDRL
e
VD = V - IDRL

A equao apresenta duas variveis dependentes (VD e ID) e dois valores constantes (V e RL).
Como so necessrias no mnimo, duas equaes para determinar duas variveis dependentes desconhecidas; a segunda
equao fornecida pela caracterstica do elemento diodo, isto :

ID = f(VD)
ID

Rescrevendo a equao: VD = V IDRL


1
RL

VD

V.
RL

DIODO DE JUNO PN

Equao de uma reta

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Podemos observar na equao e no grfico da linha de carga, que a inclinao da reta de carga negativa, (o valor de ID
diminui com o aumento de VD).

1)

Clculo do ponto superior da reta de carga, adota-se VD = 0, logo:

ID
2)

Clculo do ponto inferior da reta de carga, adota-se ID = 0, logo:

0
3)

1
V
20V
VD
0
10mA
RL
RL
2K

1
V
VD
RL
RL

1
V
V

VD VD
RL
RL RL
RL

VD = V = 20V

Clculo do ponto quiescente de trabalho (Q):

IQ

1
V
VD
RL
RL

IQ =

1
1V 10mA 9,5mA
2K

Quando no se dispe da curva do diodo, adota-se para clculo aproximado da corrente direta de trabalho:
IDQ = V - 0,7
RL

0,7 V para diodos de silcio


0,3 V para diodos de germnio

RESISTNCIA ESTTICA
a resistncia hmica apresentada pelo corpo do diodo no ponto quiescente quando o mesmo opera em C.C.; tambm
conhecido como resistncia DC.
RDC = VD
ID

RDC =

1V
= 105,3
-3
9,5 X 10 A

Para a regio de polarizao inversa de um diodo semicondutor com VD = -20V, apresenta uma corrente inversa (IOR) de
1A, logo:
RDC = 20 = 20 M >> 105,3
1A
Uma vez determinada a resistncia esttica, o diodo pode ser substitudo por um resistor com este valor. Qualquer
mudana na tenso aplicada ou na resistncia de carga, entretanto, resultar em um ponto quiescente diferente e,
portanto, uma resistncia DC diferente.
B) ANLISE EM CIRCUITO DE CA

DIODO DE JUNO PN

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Considerando que o circuito, tem como fonte de entrada, um sinal senoidal com um nvel C.C. Como o nvel C.C. muito
maior do que o sinal senoidal em qualquer instante, o diodo estar sempre diretamente polarizado e existir
continuamente uma corrente no circuito.
Conforme grfico da reta de carga, mostrado a resultante da entrada C.C. de 20V e tambm o efeito do sinal C.A..

Note que foram traadas duas linhas de cargas adicionais nos picos positivo e negativo do sinal de entrada. No instante
em que o sinal senoidal est no valor de pico positivo a entrada poderia ser substituda por uma bateria C.C. de 22V e a
linha de carga resultante traada conforme mostrado no grfico.
Para o pico negativo, VCC = 18V.
RESISTNCIA DINMICA:
a resistncia hmica resultante, apresentada pelo corpo do diodo quando circula por ele uma componente alternada.
Para clculo da resistncia dinmica ou resistncia CA de um diodo, necessrio conhecer a variao de tenso e
corrente no diodo.
Usando o grfico de linha de carga, determinamos ID e VD, traando uma linha reta tangente curva no ponto
quiescente. A linha tangente deve aproximar o mais possvel as caractersticas na regio de interesse, conforme
mostrado.
rd Vd
Id

rd
linha tangente

0,01V __ = 5
-3
2 x 10 A

Note que ID depende exponencialmente de V, o que resulta em um aumento bastante rpido quando V cresce.

As caractersticas de um diodo de silcio (Si) de uso comercial


so levemente diferentes das caractersticas mostrada no
grfico abaixo.
Isto se deve resistncia da massa, ou volume, do material
semicondutor e resistncia de contato entre o material
semicondutor e o condutor metlico externo.
Elas provocaro um pequeno desvio da curva na regio de
polarizao direta, conforme indica a linha tracejada do grfico.
Atravs da fsica do estado slido pode-se demonstrar que a
corrente do diodo est matematicamente relacionada
temperatura absoluta (T) e polarizao aplicada (V) da
seguinte maneira:

DIODO DE JUNO PN

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Nem sempre nos dispomos da curva do diodo, para que possamos determinar sua resistncia dinmica. Um
outro processo utilizando o Clculo Diferencial que estabelece que a derivada de uma
funo igual

inclinao da linha tangente traada naquele ponto.

Is = corrente de saturao inversa


T TC + 273

T temperatura absoluta da juno( Kelvin)

q = 11.600
k

q carga do eltron (1,6 x 10 C)

TC graus Celsius

-19

-23

k constante de Boltzmann (1,38 x 10 )

constante emprica, 1 para Ge e 2 para Si


q (Si) = 11.600 = 5.800 C
k
2

T = TC + 273 = 25 + 273 = 298 K

q V
0,5V
5800C
9,732 Para V = VD = 0,5V e TC 250 C
k T
2980 K

I = Is (e9,732 - 1) = ( 1 x 10-6) (16848 - 1 ) = (16,85 x 10-3A)


Is = 1,0A (corrente inversa no diodo de silcio 100C)

Is = 0,1mA (corrente inversa no diodo de germnio 100C)


Tomando a derivada da equao de SCHOCKLEY:

qV

I Is e kT 1

q
I Is
dI
k
dV
T

Sendo I 16,85mA >> que Is = 1,0 A, adota-se n = 1 para Ge e Si, na regio mais vertical da curva caracterstica .
Portanto, com a temperatura ambiente: T = 298 Kelvin
q = 11.600 = 11.600 = 11.600C
dI = 11.600 x I 38,93 x I
k

1
dV
298
Efetuando o arredondamento e fazendo I = ID, temos:
dV =
1
0,0257
r'd = 0,0257V

r'd = 26mV
dI
38,93 x I
I
ID
IDmA
A equao acima implica que a resistncia dinmica pode ser determinada simplesmente substituindo o valor quiescente da
corrente do diodo na equao. No h necessidade de se ter as caractersticas ou se preocupar em traar linhas tangentes,
conforme foi definido.
J foi observado no grfico de caractersticas do diodo semicondutor, que as caractersticas de uma unidade comercial so
levemente diferentes daquelas determinadas pelas equaes, por causa da massa e da resistncia de contato do
dispositivo semicondutor. Este nvel de resistncia adicional deve ser includo na equao, acrescentando-se um fator
denominado rB. O fator rB (medido em ohms) para diodos de uso geral pode variar tipicamente de 0,1 para dispositivos
de alta potncia at 2 para alguns dispositivos de baixa potncia. Adota-se para clculos:
rB = 2
ID 1000mA
r'd = 26mV + rB
ID(mA)

DIODO DE JUNO PN

ID > 1000mA

rB = 0,1

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Para o exemplo dado anteriormente, onde o valor determinado graficamente rd = 5, se escolhermos rB = 2, ento:
r'd = 26mV + 2 = 4,65
9,8mA

rd resistncia dinmica calculada pela tangente curva do diodo.


r'd resistncia dinmica calculada pela frmula da derivada da
equao de SHOCLEY.

Com a evoluo das tcnicas de construo, este fator adicional tem assumido importncia cada vez menor, podendo ser
eliminado. A equao padronizada pela maioria dos livros tcnicos, para clculo da resistncia dinmica, e que ser
utilizado em nossos estudos :

r' d =

2.4

25mV
ID

CIRCUITOS COM DIODOS DE JUNO

2.4.1
Multiplicadores De Tenso
Diodos e capacitores podem ser associados s linhas de alimentao de modo a aumentar a tenso de sada C.C. para um
valor maior que aquele obtido por retificao. A montagem dos multiplicadores feito por dois ou mais retificadores de pico
que produzem uma tenso contnua igual a um mltiplo de tenso de pico de entrada (2VP, 3VP, 4VP, etc...)
Os multiplicadores de tenso so aplicados nos dispositivos de ALTA TENSO e BAIXA CORRENTE, como exemplo
citamos os tubos de raios catdicos (TV, Osciloscpios e telas de computadores).
A) Dobrador de tenso em Meia-Onda
No semiciclo negativo (-), o diodo D1 est polarizado diretamente e
D2 reversamente, esta condio carrega C1 at a tenso pico
(VP). No semiciclo positivo (+),
diodo D1 fica polarizado
reversamente e D2 diretamente, nesta condio, o diodo D2
transfere a carga C1 (VP) acrescido de VP da fonte, para os
terminais do capacitor C2. A freqncia de oscilao do sinal
armazenados no capacitor C2 tem o mesmo valor da freqncia do
sinal de entrada (Fo = Fent).
Cada diodo ficar submetido a uma tenso inversa de pico (PIV) de
2VP.
O capacitor C1 ficar submetido a uma tenso de 1VP , enquanto
que C2 ficar submetido a uma tenso de 2 VP .
B) Dobrador de tenso em Onda Completa
No semiciclo positivo D1 conduz carregando o capacitor C1 com
VP e D2 permanece em corte.
No semiciclo negativo D2 conduz carregando o capacitor C2 com
VP e D1 permanece em corte.
Nesta condio tem-se, nas extremidades dos capacitores seriais,
o potencial de 2VP, com uma freqncia de oscilao (Fo) de
2Fent.
Cada diodo ficar submetido a uma tenso inversa de pico (PIV) de
2VP.
C) Triplicador de tenso
um dobrador de tenso acrescido de mais um retificador de pico.
No primeiro semiciclo negativo, D1 entra em estado de conduo carregando C1 com VP.
No segundo semiciclo, positivo, o diodo D1 entra em estado de corte e D2 em estado de conduo, transferindo a carga
de C1(VP) acrescido de VP da fonte, para os terminais do capacitor C2. Estando C2 carregado com 2VP, no segundo
semiciclo negativo os diodos D1 e D3 entra em estado de conduo transferindo a carga C2 para o capacitor C3.
Nesta condio temos nas extremidades dos capacitores seriais (C1 em srie com C3) um potencial de 3VP com uma
freqncia de oscilao (Fo) de Fent. Cada diodo ficar submetido a uma tenso inversa de pico (PIV) de 2VP.
Podemos observar na configurao do triplicador de tenso que para cada acrscimo de um retificador de pico,
aumentamos um VP na tenso de sada.

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2.4.2

Limitadores (CLIPPERS) Ou Ceifadores

Os circuitos limitadores, tem como funo retirar parte do sinal aplicado entrada, acima ou abaixo de um dado nvel, como
exemplo podemos citar o Amplificador Limitador, que tem como caracterstica limitar o valor instantneo de sua sada
dentro de um mximo pr-determinado. Podem, tambm, serem utilizados para alterar a forma do sinal de entrada ou
proteger os circuitos que recebem um dado sinal.
So classificados em limitadores positivos, negativos ou positivos e negativos.
A)

No limitador positivo, o diodo D1


ceifa o semiciclo positivo e deixa
para os terminais da carga apenas
os semiciclos negativos. O corte do
semiciclo positivo no feito
exatamente em zero volts, devido
a barreira de potencial do diodo de
juno, para o exemplo 0,7V.
Para manter o limitador como uma
fonte de tenso estabilizada, adotase o resistor srie RS, cem vezes
menor que a carga (RL) conectada.

Limitador positivo

RS = RL
100
B) Limitador negativo:
No limitador negativo, o diodo D1
ceifa o semiciclo negativo e deixa para
os terminais da carga apenas os
semiciclos positivos.
RS = RL
100

C) Limitador negativo polarizado:

Para o limitador polarizado, podemos deslocar o ponto de corte para (V + 0,7V), como o limitador corta no semiciclo
negativo, a tenso de corte dado por -(V + 0,7V). Quando a tenso sobre os terminais da carga atingir -(V + 0,7V), o
diodo conduzir e a sada ser mantida em -(V + 0,7V). Para tenses inferiores a -(V + 0,7V), o diodo deixar de
conduzir e o circuito se transforma em um divisor de tenso.
D) Limitador positivo e negativo polarizado por fonte ativa e passiva:

A associao de limitadores nos permite criar formas de ondas na sada, que se assemelhar a uma onda quadrada,
podendo ser simtrica ou assimtrica. O princpio de funcionamento o mesmo definido nos subitens B e C.
As fontes V1 e V2 podem ser substitudas, acrescentando mais diodos de
acrescentado produzir uma compensao de 0,7V.

DIODO DE JUNO PN

silcio, sendo que cada

diodo

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E) Limitador positivo e negativo polarizado por fonte ativa :


A associao de limitadores nos permite criar formas de ondas na sada, que se assemelhar a uma onda quadrada,
podendo ser simtrica ou assimtrica. O princpio de funcionamento o mesmo definido nos subitens B e C.
As fontes V1 e V2 podem ser substitudas, acrescentando mais diodos de silcio, sendo que cada diodo acrescentado

VC= ndiodos x 0,7V


VC= 4 x 0,7V = 2,8V

produzir uma compensao de 0,7V. Para o limitador polarizado com diodos, o nvel de supresso (ponto de corte) :
2.4.3

Grampeador C.C. (CLAMPERS)

O grampeador C.C., tambm conhecido como estabilizador de linha de fase ou restaurador C.C., tem como funo
somar uma tenso C.C. ao sinal de entrada.
Este tipo de circuito utilizado em TV para somar uma tenso contnua ao sinal de vdeo (restaurador de vdeo).
Como exemplo, citamos um sinal senoidal variando de +5V a -5V, para o grampeador positivo sua sada idealmente oscila
de 0 a +10V e para o grampeador negativo sua sada idealmente oscila de 0 a -10V.
A) Grampeador positivo:
No primeiro semiciclo negativo, o diodo D1 entra em estado de conduo e carrega o capacitor C1 com a tenso de pico
da entrada (VP).
No semiciclo positivo o diodo D1 polarizado reversamente (corte) e a tenso que aparece sobre os terminais da carga
ser a soma da tenso de pico armazenada em C1 com a tenso de pico positivo da fonte geradora de C.A.
Na primeira aproximao, considerando a resistncia dinmica do diodo de juno (RFD = 0), temos na carga:
Numa segunda aproximao, considerando a resistncia dinmica que aparecer sobre os terminais do diodo (RFD
0), a queda de tenso de 0,7V (silcio) sobre o mesmo, temos nos terminais da carga:

VRL = 2VP

VRL = 2VP - 0,7V

B) Grampeador negativo
O grampeador negativo
tem o mesmo princpio
do grampeador positivo,
o que o diferencia a
polaridade da tenso
sobre os terminais da
carga

VRL = - (2VP - 0,7V)


2.4.4 Detector De Pico
Formado por grampeadores C.C., ligados em cascata.
A senoide de entrada grampeada positivamente, portanto, na sada do detector tem um valor de pico de 2VP.
Como regra de projetos, para que o detector obtenha um bom desempenho, a constante de tempo RLC deve ser muito
maior que o perodo do sinal de entrada:

RLC >> 1 .
Fent

DIODO DE JUNO PN

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Sua maior aplicao nos voltmetros de corrente contnua, quando


se deseja medir tenses senoidais assimtricas.
No exemplo ao lado, se utilizarmos um voltmetro C.A. teremos uma
leitura incoerente, uma vez que, os instrumentos de medio C.A.
medem valores eficazes (RMS) de ondas senoidais simtricas.
Utilizando um voltmetro C.C., acrescentado de um detector de pico,
teremos uma leitura do valor real do sinal medido de pico a pico.

2.5

DIODOS EMISSORES DE LUZ

Quando um diodo percorrido por uma corrente no sentido direto, a recombinao dos portadores de carga na
juno acompanhada de um fenmeno: parte da energia envolvida no processo emitida na forma de ondas
eletromagnticas. Estas ondas eletromagnticas tm freqncia e comprimento que dependem do material empregado na
construo do dispositivo.

Para os diodos comuns de silcio, a emisso ocorre em pequena escala na regio dos raios infravermelhos. Os diodos
emissores de luz tem a capacidade de emitir luz no espectro visvel; isto ocorre quando o mesmo polarizado diretamente,
fazendo com que seus eltrons livres atravessem a juno e combinem com as lacunas.
Os primeiros diodos emissores de luz foram feitos utilizando Fosfeto-Arseneto de Glio e emitiam luz vermelha,
recebendo o nome de Light Emitting Diodo- diodo emissor de luz - que abreviando, em ingls, resultou na sigla LED. O
diodo LED fabricado para emisso de luz com comprimento de onda que varia de 5500 (Angstrons) a 9100 .
O comprimento da onda da luz emitida depende dos elementos semicondutores aplicados, sendo que a cor da luz irradiada
pelo Led depende do comprimento da onda, que depende da quantidade de fsforo (GaAsP).

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A tenso de alimentao dos diodos emissores, est relacionado com a queda de tenso em seus terminais, quando circula
um corrente atravs de sua juno. A queda de tenso dos diodos emissores a tenso capaz de vencer a barreira de
potencial existente na juno quando polarizado diretamente.
Os diodos Leds tem uma queda de tenso tpica que varia de 1,4V a 3,0V, e esta variao depende da cor e da corrente
que circula por ele (ver tabela).

MATERIAL
GaP
GaAsP
GaAsP
GaAsP
GaAs

COR
Verde
Amarelo
Laranja
Vermelho
Infravermelho

MAX
5600
5900
6100
6600
9100

VD (V)
3,0
3,0
2,0
1,6
1,4

ID (mA)
20
20
20
20
20

Os diodos emissores suportam correntes diretas de no mximo 100mA e uma mnima corrente direta com uma emisso de
luz estvel de 10mA.
Sua tenso direta (VD) de trabalho, especificada em funo de uma corrente direta (ID) de trabalho.
GaP Fosfato de Glio
GaAs Arseneto de Glio
GaAsP Fosfeto de Arseneto de Glio
2.5.1 Aplicaes :
Os diodos emissores de luz substituem as lmpadas incandescentes e tem vrias aplicaes, devido baixa tenso de
alimentao, longa vida, baixo consumo e rpido chaveamento.
Vida til da lmpada incandescente 500 horas
Vida til da lmpada non

1000 horas

Vida til do diodo emissor de luz , sua vida til reduzida quando se trabalha com uma corrente superior corrente
nominal (20mA).
6

Tem um tempo de resposta 10 vezes mais rpido que a lmpada incandescente.


Sua maior aplicao como lmpadas indicadoras, displays alfanumricos e componentes optoacopladores.

DIODO DE JUNO PN

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2.5.2 - Clculo De Circuitos Com LED


1) Resistor limitador (RS):

VF - Tenso da fonte em volts


VD - Queda de tenso no diodo (depende da cor do Led a ser
aplicado).
IF - Corrente direta que se deseja circular pelo Led ( o valor da
corrente deve estar entre a mnima de 10mA e a mxima de
100mA).Idealmente que a corrente direta assuma o valor da
corrente nominal 20mA.
Para o exemplo, utilizando os valores tpicos da corrente e de VD,
calcular o resistor RS para um Led vermelho :

RS = 12V - 1,6V = 520


20mA

VPM = 510

Usando o mesmo exemplo, calcular o resistor limitador para que a corrente do diodo seja de 40mA.
RS = 12V - 1,6V = 260
40mA

VPM = 270

Para os dois casos, os resistores calculados so indisponveis


comercialmente; por isso, adotam-se os resistores padronizados mais
prximos do calculado (510 e 270).
Para o caso de ligarmos Leds em srie, conforme figura, podemos usar a
seguinte frmula:
RS = 12V - (3,0V + 2,0V + 1,4V) = 280
20mA

VPM = 270

VPM - Valor Padro de Mercado


2) Potncia de dissipao (PD)
Sabemos que a potncia dissipada pelo componente, no totalmente
convertida em luz, j que o rendimento do dispositivo no 100%,
entretanto, para efeito de clculo adota-se:
IF = 12V - 1,6V = 20,4mA
510
Para o exemplo anterior, substituindo o resistor calculado pelo resistor
padro.
PD = VD x IF
PD = 1,6V x 20,4mA = 32,64Mw

2.6

APLICAO DE DIODOS DE JUNO

Para que possamos exemplificar, circuitos utilizando os diodos de juno, faremos um breve estudo de um dispositivo
eletromagntico, que tem uma grande aplicao em circuitos eletrnicos.
2.6.1 REL ELETROMAGNTICO
Dispositivo eletromagntico com acionamento mecnico de contatos, constitudo de uma armadura fixa , uma armadura
mvel e um ncleo de ao - doce .
O rel eletromagntico, pode ser definido como uma "Chave operada eletricamente", tem em sua armadura fixa, uma
bobina enrolada sobre um ncleo de ao-doce magntico. Quando a corrente flui na bobina, o ncleo torna-se imantado
(apresentando caractersticas de um im) e atrai a armadura mvel de ao. Com o deslocamento da armadura mvel,
temos o fechamento de contatos eltricos ( NA normalmente aberto ) e a abertura dos contatos eltricos ( NF
normalmente fechados ).Quando a corrente no flui pelas espiras da bobina, uma mola responsvel pela fora antagnica
da armadura mvel, faz com que a mesma retorne a posio de repouso (dezenergizada).
Aplicao de sistemas com rels eletromagnticos apresentam como vantagens :

Amplificador de comando de corrente com uma pequena corrente de comando da


podem comandar uma grande corrente de carga;

Isolador de circuitos Pode isolar um circuito de comando em baixa tenso (exemplo 6VCC) de um circuito de carga
em alta tenso (exemplo 127 VCA);

Receptor de controle - remoto O rel pode estar comandando uma carga, que tem o seu comando a uma longa
distancia , este sinal de comando pode vir por pares de fio, uma vs que a corrente de comando muito pequena ou pode
vir por um sinal radio freqncia "RF", para este comando devemos instalar uma placa de recepo de sinais de "RF",
com o circuito de comando

DIODO DE JUNO PN

bobina, os seus contatos

30

Os rels eletromagnticos podem ser classificados como : ( ver figuras )

Rel tipo batente; telefone; com travamento mecnico; com chave mltipla seqencial; diferencial.

DIODO DE JUNO PN

31

Os rels eletromagnticos podem ser simbolicamente representados : ( ver tabela )

2.6.2
SEQUNCIAL DE TRS DIGITOS COM MEMORIZAO ELETROMECNICA
O circuito eletrnico "Seqencial de trs dgitos com memorizao eletromecnica", tem sua aplicao indicada para operar
cargas, que tem sua operao restrita determinados operadores. Exemplo :
Fechadura eltrica de portas;
Motor de porto eltrico;
Circuito de partida de motores automotivos;
O circuito foi projetado para operar com trs algarismos, e aceita alterao da senha "684" ou um acrscimo de algarismos.
A tenso de alimentao do circuito de controle, esta ligado diretamente tenso nominal das bobinas dos rels aplicados,
o mercado disponibiliza rels com bobinas de tenses nominais de 6V, 9V, 12V, 16V, 24V e 48V em corrente contnua.
Para que possamos ligar a carga, devemos montar uma seqncia operativa:
A) Usando o teclado de acionamento, acionamos a tecla de n 6, que levar um potencial positivo ao terminal superior
da bobina do rel "RL1" e estando o terminal inferior com um potencial negativo via resistor "R1", aparece nos terminais do
rel uma diferena de potencial, que, gera uma corrente eltrica que circula pelas espiras da bobina. Com a circulao da
corrente pelas espiras da bobina, origina um campo eletromagntico, que, magnetiza o ncleo de ao-doce, criando um
eletrom. A fora eletromagntica do ncleo atrai a armadura mvel do rel, fazendo com que seu contato "NA" torne-se
"fechado". Com o fechamento do contato, acontece uma realimentao do terminal superior da bobina com " + VCC",
memorizando o comando de operao do mesmo (selamento da bobina). Estando o terminal superior da bobina "RL1" com
"+VCC", isto permite que o operador possa dar seqncia na operao.
B) Usando o teclado de acionamento, acionamos a tecla n 8, que levar um potencial positivo ao terminal superior da
bobina do rel "RL2" e estando o terminal inferior com um potencial negativo, aparece nos terminais do rel uma diferena
de potencial, que, gera uma corrente eltrica que circula pelas espiras da bobina. Com a circulao da corrente pelas
espiras da bobina, origina um campo eletromagntico, que, magnetiza o ncleo de ao-doce, criando um eletrom. A fora
eletromagntica do ncleo atrai a armadura mvel do rel, fazendo com que seu contato "NA" torne-se "fechado". Com o
fechamento do contato, acontece uma realimentao do terminal superior da bobina com " + VCC", memorizando o
comando de operao do mesmo (selamento da bobina).
Estando o terminal superior da bobina "RL2" com "+VCC", isto permite que o operador possa dar seqncia na operao.
C) Usando o teclado de acionamento, acionamos a tecla n 4, que levar um potencial positivo ao terminal superior da
bobina do rel "RL3" e estando o terminal inferior com um potencial negativo, aparece nos terminais do rel uma
diferena de potencial, que, gera uma corrente eltrica que circula pelas espiras da bobina. Com a circulao da corrente
pelas espiras da bobina, origina um campo eletromagntico, que, magnetiza o ncleo de ao-doce, criando um eletrom.
A fora eletromagntica do ncleo atrai a armadura mvel do rel, fazendo com que seu contato "NA" torne-se "fechado".
Com o fechamento do contato, acontece uma realimentao do terminal superior da bobina com " + VCC", memorizando o
comando de operao do mesmo (selamento da bobina).
O rel RL3 tem disponvel dois contatos normalmente abertos "NA", um opera em C.C., efetuando o selamento do rel e
o outro contato utilizado em C.A. para energizar a carga.

DIODO DE JUNO PN

32

D) Em caso de operao errada, teclas diferente de X6, X8 e X4, temos operao do rel "RL4", com memorizao do
"Erro". Neste caso dos os rels de comando so desligados e bloqueados sua operao, com sinalizao do led vermelho e
sinalizao sonora (energizao da sirene).
E)

Para resetar o circuito, acionamos simultaneamente as teclas " X e X " .

X1 A X9 Contatos normalmente abertos do tipo Push-boton do teclado de acesso


X e X Contatos normalmente fechados do tipo Push-boton do teclado de acesso
RL1, RL2, RL3 e RL4 Chaves operadas eletricamente;
D1 Diodo trivial de silcio, que opera como proteo contra inverso de polaridade da fonte de alimentao do circuito;
D2 Diodo trivial de silcio, que opera como acoplador de sinais "positivos", provenientes das teclas de "ERRO", que, tem
a funo de energizar o rel "RL4" e desacoplar sinal "positivo", provenientes da energizao do rel RL1.
D3 Diodo trivial de silcio, que opera como acoplador de sinais "positivos", provenientes do fechamento do contato do
rel "RL4", que, tem a funo de manter energizado o rel "RL4" (memorizao selamento operativo do rel "RL4" e
desacoplar sinal "positivo", provenientes do fechamento dos contatos de "Erro".
D4 e D5 Diodo LED que sinaliza operao correta (energizao da carga) e operao incorreta e bloqueio do circuito de
controle .
R1 Resistor divisor de tenso do rel "RL1", que, tem a funo de criar uma d.d.p. no instante de acoplamento de sinal
positivo proveniente do diodo D2, evitando um curto-circuito da fonte de alimentao.
R2 e R3 Resistor limitador de corrente nos diodos LEDs, aproximadamente 20 mA.
SIRENE Sinalizao sonora de operao incorreta e bloqueio do circuito de controle.
2.7 DIODO ZENER
um diodo que trabalha melhor na regio de ruptura e um dos componentes de maior importncia dos reguladores de
tenso; circuitos que mantm a tenso na carga praticamente constante, apesar das grandes variaes na tenso de linha
e de carga.

DIODO DE JUNO PN

33

Podem funcionar em trs regies:


A)

Regio direta
Na regio direta ele comea a conduzir 0,7V,
como um diodo de silcio comum e estabelece
uma corrente direta (IF) pelo diodo.

B) Regio de fuga
Polarizado inversamente, entre zero e a ruptura,
ele apresenta apenas uma pequena corrente de
fuga ( IOR - corrente de fuga reversa).

C) Regio de ruptura
Polarizado inversamente, ao atingir a tenso de
ruptura (VZ), seguido de um aumento de
corrente praticamente na vertical com o eixo x;
(ver reta de carga).

D) Reta de carga

VZ tenso zener o ponto que o diodo sai da regio de fuga e entra na regio de ruptura.
A tenso zener especificada em funo de uma corrente de teste (IZt) e uma corrente mxima permitida (IZMAX).
Para levantamento da reta de carga, definir os valores mnimos e mximos de tenso de fonte e a tenso zener na reta
horizontal do grfico. Adota-se VE < VZ, a corrente zener igual a zero e calcula-se a interseo vertical, considerando
VZ = 0.

DIODO DE JUNO PN

34

Para VE = 20V:
IZ = VE - VZ
RS

IZ = 20V - 0 = 20mA
1K

IZ = VE - VZ
RS

IZ = 30V - 0 = 30mA
1K

Para VE = 30V:

Obtemos a linha de carga superior com um ponto de interseo dada por Q1. A tenso atravs do diodo zener ser
ligeiramente maior que a tenso do joelho na ruptura, porque a curva I(V) inclina-se suavemente.
Ponto quiescente Q1:
IZQ = VEQ -VZQ
IZQ = 20V- 12V = 8mA
RS
1K
Ponto quiescente Q2:
IZQ = VEQ - VZQ
IZQ = 30V 12V = 18mA
RS
IK
Comparando os pontos quiescente Q1 e Q2, veremos que h mais corrente atravs do diodo zener no ponto Q2, mas
aproximadamente a mesma tenso zener.
E) Potncia mxima zener (PZMAX ):
a mxima potncia de dissipao, especificado pelo fabricante.
PZMX = VZ x IZMX
PZMX = Potncia especificada (mxima)
VZ
= Tenso zener
IZMX = Mxima corrente zener especificada
F) Corrente mnima do zener (IZMIN):
a mnima corrente que deve circular pela juno do diodo para que o mesmo opere como regulador de tenso. Como
regra de projetos, este valor dever estar entre 5% a 10% da corrente mxima permitida pelo zener.
G) Resistncia zener (Rzt):
a resistncia ou impedncia zener de especificao, para uma corrente de teste (IZT) e uma tenso zener de teste
(VZT) Como exemplo, especificaremos o diodo zener 1N3020
VZT = 10V
IZT = 25mA
RZT = 7
Neste exemplo, o diodo zener tem uma tenso de 10V e uma resistncia de 7 quando a corrente zener for 25mA.
2.7.1

Diodo Zener Como Regulador De Tenso

chamado de regulador de tenso porque mantm uma tenso de sada constante, mesmo que a corrente que passe por
ele varie.
Para operar como regulador zener o mesmo deve operar com polarizao inversa e a tenso da fonte deve ser maior do
que a tenso zener de ruptura (VZ). Para limitar a corrente zener abaixo de sua especificao, instala-se um resistor em
srie (RS) com o diodo zener
VE Tenso de sada da fonte a ser regulada.
VRS Queda de tenso no resistor srie.
VZ Tenso zener ou tenso de sada regulada.

VRS = VE -VZ
Regra de clculo para o regulador zener:
A) Tenso Thevenin (VTH)
a tenso que aparece sobre os terminais do diodo zener,
imaginando que o diodo zener est aberto, neste instante temse
um divisor de tenso, formado por RS e RL.

VTH = RL
x VE
RL + RS
A relao que satisfaz o funcionamento do diodo zener na regio de ruptura :
VTH > VZ
B) Corrente quiescente no resistor srie ( IRSQ)
IRSQ = VE - VZ
RS

DIODO DE JUNO PN

ou

IRSQ = IRL + IZ

35

D)

Corrente quiescente na carga RL (IRLQ)


IRLQ = VZ
RL

E)

VRL = VZ

Corrente quiescente no diodo zener (IZQ)


IZQ = IRSQ - IRLQ

F)

Clculo do resistor srie RS


Para o dimensionamento do resistor RS, necessitamos conhecer as caractersticas da fonte de alimentao a ser
regulada e das condies operativas que o regulador dever atuar.
Exemplificaremos quatro formas de operao:
1) Fonte fixa e carga fixa (FFCF);
2)

Fonte fixa e carga varivel (FFCV);

3)

Fonte varivel e carga fixa (FVCF);

4)

Fonte varivel e carga varivel (FVCV).

2.7.1.1 Regulador De Tenso Zener Com Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF)
IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA
IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA
VZ 12V
IRL = VZ = 12V = 24mA
RL 500

A) Dimensionamento do resistor RS :

Menor valor hmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN)


RSMIN =
VE - VZ
=
16V - 12V
= 65
IRL + (IZMAX x 0,9)
24mA + (41,66mA x 0,9)

Maior valor hmico que o resistor RS pode assumir (RSMAX)


RSMAX = VE - VZ
=
16V - 12V
= 142
IRL + IZMIN
24mA + 4,166mA

Valor hmico ideal que o resistor RS pode assumir (RSIDE)


RSIDE = VE - VZ =
16V - 12V
= 89,22
IRL + IZMAX
24mA + 20,83mA
2
B) Clculo dos parmetros eltricos quiescente por componente:

Resistor srie RS

IRSQ = VE - VZ = 16V - 12V = 43,96mA


RS
91

Carga RL
IRLQ = VZ = 12V = 24mA
RL 500

VPM = 91

PRSQ = RS x (IRSQ) = 91 x (43,96mA) = 175,85mW


2

PRLQ = RL x (IRLQ) = 500 x (24mA) = 288mW

Diodo zener
IZQ = IRSQ - IRLQ = 43,96mA - 24mA = 19,96mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 19,96mA = 239mW

Podemos observar no projeto que suas caractersticas atendem plenamente a carga e no sobrecarrega o diodo zener,
pois sua potncia mxima de 500mW e no circuito opera prximo a 50% da mesma.
Clculo da tenso thevenin: VTH =
RL
x VE =
500
x 16V = l3,54V
RL + RS
500 + 91
VTH > VZ, satisfaz a regra de clculo para o regulador de tenso zener.

DIODO DE JUNO PN

36

2.7.1.2

Regulador De Tenso Zener Com Fonte Fixa e Carga Varivel (FFCV)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V
IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166ma
IRL = VZ = 12V = 24mA
RL
500

A) Dimensionamento do Resistor RS
Menor valor hmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN):
RSMIN = VE - VZ = 16V - 12V
= 106,68
IZMAX x 0,9 41,66mA x 0,9
Maior valor hmico que o resistor RS pode assumir (RSMAX):
RSMAX = VE - VZ = 16V - 12V
= 142
IRL + IZMIN
24mA + 4,166mA
Valor hmico ideal para o resistor RS (RSIDE):
RSIDE =
VE - VZ
= 16V - 12V = 121
IZMAX + IRL
32,83mA
2
B) Clculo dos parmetros eltricos quiescente por componente:

VPM = 120

Resistor srie RS
IRSQ = VE - VZ = 16V - 12V = 33,33mA
RS
120
2
2
PRSQ = RS x (IRSQ) = 120 x (33,33mA) = 133mW
Carga RL:
IRLQ = VZ = 12V = 24mA
RL 500
2
2
PRLQ = RL x (IRLQ) = 500 x (24mA) = 288mW
Diodo zener
Com a carga RL conectada:
IZQ = IRSQ - IRL = 33,33mA - 24mA = 9,33mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 9,33mA = 111mW
Com a carga RL desconectada:
IZQ = IRSQ = 33,33mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 33,33mA = 399mW
Podemos observar no projeto que suas caractersticas atendem plenamente a carga e no sobrecarrega o diodo zener
independente da carga RL estar ou no conectada.
Clculo da tenso thevenin (VTH):
VTH =
RL x VE =
500
x 16V = 12,9V
RL + RS
500 + 120
VTH > VZ, satisfaz a regra de clculo para o regulador de tenso zener

2.7.1.3

Regulador De Tenso Zener Com Fonte Varivel e Carga Fixa (FVCF)


IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA
VZ
12V
IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA
IRL = VZ = 12V = 24mA
RL
500

DIODO DE JUNO PN

37

A) Dimensionamento do resistor RS
Menor valor hmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN)

RS MIN

VE MAX VZ
20V 12V

130
I RL IZ MAX 0,9 24mA 41,66mA 0,9

Maior valor hmico que o resistor Rs pode assumir (RSMAX):

RS MAX

VE MIN VZ
16V 12V

142
I RL IZ MIN 24mA 4,166mA

Valor hmico ideal para o resistor RS (RSIDE):

VE MIN
20V 16V 12V
VZ
2
2

133,84
4,166mA
IZ MAX
24mA
I RL
2
2

VE MAX
RS IDE

VPM = 130

Podemos observar nos clculos que a faixa entre os resistores mximo e mnimo muito estreita e em alguns projetos
onde a fonte de entrada assume uma grande faixa de variao, os valores calculados dos resistores mximo e mnimo
tornam-se incoerentes (RSMX<RSMIN); desta forma, temos duas opes para prosseguir com o clculo do projeto:
1) aumentar a potncia do zener utilizado e recalcular os resistores, fazendo RSMX > RSMIN.
2) manter a potncia inicial do zener e fazer RSIDE = RSMIN.
B) Clculo dos parmetros eltricos quiescentes por componente:
1) Com a tenso mxima de entrada (VEQ=20V)
Resistor srie RS
IRSQ = VEQ - VZ =
20V - 12V
RS
130
Carga RL
IRLQ = VZ = 12V = 24 mA
RL
500
Diodo zener

PRSQ = RS x (IRSQ)2 = 130 x (61,54mA)2 = 492mW

= 61,54mA

PRLQ = RL x (IRLQ) = 500 x (24mA) = 288mW

IZQ = IRSQ - IRLQ = 61,54mA - 24mA = 37,54mA


3) Com a tenso mnima de entrada (VEQ=16V)
Resistor srie RS
IRSQ = 16V - 12V = 30,77mA
130
Carga RL
Mantm os mesmos valores calculados em B.

PZQ = VZ x IZQ = 12V x 37,54mA = 450mW


PRSQ = 130 x (30,77mA)2 = 123mW

Diodo zener
IZQ = 30,77mA - 24mA = 6,77mA

PZQ = 12V x 6,77mA = 81mW

Podemos observar nos clculos dos parmetros eltricos que, utilizando VEMAX e VEMIN, ambos atendem plenamente
carga e s caractersticas do diodo zener.
Clculo da tenso thevenin :
VTH =
RL
x VEQ
RL + RS
VTH1 =

500
x 20V =15,87V
500 + 130

VTH2 =

500
x16V = 12,69V
500 + 130

VTH > VZ satisfaz a regra de clculo para o regulador de tenso zener. Para o regulador FVCF, quando
RSMAX < RSMIN e optarmos pela opo RSIDE = RSMIN, torna-se necessrio o clculo da tenso crtica de entrada (VC),
que eqivale menor tenso de entrada no regulador sem que o mesmo perca suas caractersticas de regulao.
VC = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ = (24mA + 4,166mA) x 130 + 12V = 15,66V
Para que o regulador opere em toda faixa de variao da tenso de entrada, temos que fazer:
VEMIN VC

DIODO DE JUNO PN

38

2.7.1.4

Regulador De Tenso Zener Com Fonte Varivel e Carga Varivel (FVCV)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V
IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA
IRL = VZ = 12V = 24mA
RL 500

A) Dimensionamento do resistor RS
Menor valor hmico que o resistor RS pode assumir :

RS MIN

Maior valor hmico que o resistor RS pode assumir :

VE MAX VZ
20V 12V

213
IZ MAX 0,9 41,66mA 0,9

RS MAX

VE MIN VZ
16V 12V

142
I RL IZ MIN 24mA 4,166mA

Valor hmico ideal para o resistor RS:


Para os reguladores FVCV, a potncia exigida pelo diodo zener, normalmente, maior que a potncia dos zeners
utilizados nos outros tipos de reguladores. Sendo assim, os clculos do menor e maior valor hmico do resistor RS
podem mostrar valores incoerentes. RSMAX < RSMIN
Para os clculos em que RSMAX < RSMIN, adota-se as opes:
1) Aumentar a potncia zener utilizada e recalcular os resistores, para fazer RSMAX > RSMIN .
Para o exemplo, substituindo o diodo zener de 0,5W para um de 1W, o resistor RSMAX torna-se maior que RSMIN.
Calcular o resistor ideal como:

VE MIN
20V 16V 12V
VZ
2
2

111,8
24mA 83,33mA
I RL IZ MAX
2
2

VE MAX
RS IDE
3)

VPM = 110

Manter a potncia zener inicial de projeto e fazer:


RSIDE RSMIN = 213

VPM = 200

B) Clculo dos parmetros eltricos quiescentes por componentes: Para o clculo dos parmetros eltricos,
consultar a tabela abaixo, utilizando as mesmas frmulas aplicadas no subitem 2.7.1.4.

PARMETROS

PZ = 1,0 W
OPO 1 RSIDE = 110

PZ = 0,5W
OPO 2 RSIDE = 200

VEMAX = 20V

VEMIN = 16V

VEMAX = 20V

VEMIN = 16V

IRSQ

72,73mA

36,36mA

40mA

22,8mA

PRSQ

582mW

145mW

320mW

104mW

IRLQ

24mA

24mA

24mA

22,8mA

PRLQ

288mW

288mW

288mW

259mW

IZQ

48,73mA

12,36mA

16mA

-X-

PZQ

585mW

148mW

192mW

-X-

VEC

15,56V

17,53V

Na opo - 1, com um aumento da potncia zener de 0,5W para 1W, o regulador permite operar em toda faixa de variaes
da tenso no regulada.
Para a menor tenso de entrada a carga recebe a corrente necessria para o seu funcionamento e o diodo zener
uma corrente de trabalho > IZMIN, garantindo o seu funcionamento.

DIODO DE JUNO PN

39

Para a maior tenso de entrada a carga continua com sua tenso e corrente estveis e o diodo zener recebendo uma
corrente de trabalho < (IZMAX x 0.9), garantindo um funcionamento estvel.
Calculando a tenso crtica de entrada podemos observar, que um aumento de potncia zener permite maior faixa de
oscilao na tenso de entrada.
VEC = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ

VEC = (24mA + 8,33mA) x 110 + 12V = 15,56V

Na opo - 2, o valor calculado da corrente no resistor srie RS , com VEMIN = 16V , demonstra que regulador perde
suas caractersticas de regulador estabilizado, pois a tenso sobre os terminais da carga ser inferior a VZ e a
corrente disponvel para a carga, aproximadamente 20mA.

IRSQ = VEQ - VZ 16V - 12V = 20mA


RS
200
Em uma segunda aproximao, considerando que o diodo zener encontra-se fora de servio, a corrente sobre o resistor RS
Com maior preciso :
IRSQ =

VEQ =
16V
= 22,8mA
RS + RL
200 + 500

Como o clculo do regulador foi feito atravs da segunda opo do subitem A, torna-se necessrio calcular a tenso
crtica de entrada, para garantir o funcionamento do zener.

Tenso de entrada crtica mnima (VECMIN)


VECMIN = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ = (24mA + 4,166mA) x 200 + 12V = 17,63V

Tenso de entrada crtica mxima (VECMAX)


VECMAX = ( IZMAX x RS ) + VZ = ( 83,33mA x 110 ) + 12V = 21,116V

A tenso VECMIN = 17,63V a menor tenso que a fonte no regulada pode fornecer, sem que o regulador zener perca
suas caractersticas de regulador estabilizado.
A tenso VECMAX = 21,116V a maior tenso que a fonte no regulada pode fornecer, sem que o regulador zener
danifique e perca suas caractersticas de regulador estabilizado.
A perda da regulao de tenso em uma fonte de alimentao de circuitos eletrnicos ocasiona irregularidades em seu
funcionamento, tornando necessrio um aumento da potncia zener, para que as variaes da carga e da tenso de
entrada, no limite o funcionamento do regulador. Um regulador estabilizado deve operar com o diodo zener na regio de
ruptura (VTH > VZ). Outra maneira de se projetar um regulador zener estabilizado, conhecendo a impedncia zener (RZ),
aplicando-se a relao:
RZ 0,01RS

RZ 0,01RL

Sendo impossvel, em certos casos, satisfazer a regra de 100 : 1 usando um regulador zener, optamos por um regulador
menos estabilizado ou um regulador transistorizado.
Os reguladores de tenso transistorizados, tambm conhecidos como circuito amplificador de tenso zener , tem como
funo bsica aumentar a potncia caracterstica do diodo zener, isto , com um diodo zener de 500mW podemos regular
uma tenso para uma carga de 2000mW ou mais; este grau de amplificao ser definido pelo transistor utilizado no
circuito regulador.

Os reguladores de tenso transistorizados, sero concatenados com os estudos dos


transistorizados na configurao Coletor-Comum ou Seguidor de Base.

DIODO DE JUNO PN

amplificadores

40

2.8

EXERCCIOS TERICOS CAP. II

1)

D a definio de um diodo de juno .

2)

Represente simbolicamente seis tipos de diodo de juno, que tem maior aplicao em circuitos eletrnicos?

3)

Em que quadrante opera um diodo trivial, que tem sua barreira de depleo reduzida e como se chama essa regio?

4)

O que tenso de ruptura num diodo de juno trivial?

5)

Em que quadrante opera um diodo trivial, que tem sua barreira de depleo aumentada , como se chama essa regio
e como ela se divide?

6)

Represente simbolicamente e graficamente um diodo de juno real com Segunda e terceira aproximao?

7)

O que corrente covalente-band, em um diodo de juno?

8)

D a definio de corrente de fuga em estado de saturao e superficial, em um diodo de juno?

9)

Em um diodo de juno, quem so os portadores minoritrios e majoritrios de cada regio e em que banda de
energia esto localizados?

10) Na juno de um diodo existem os portadores fixos, qual o nome desses portadores e em que banda de energia
esto localizados?
11) Para um diodo polarizado diretamente, descrever o movimento de eltrons circulando pelas regies e bandas de
energias respectivamente?
12) Quanto vale a faixa de potencial de joelho com Segunda aproximao, da curva caracterstica dos diodos de juno
de germnio e silcio?
13) D a representao matemtica da equao de uma reta de um diodo de juno, utilizando os parmetros eltricos?
14) O que resistncia esttica de um diodo de juno?
15) Como se explica os diferentes valores de resistncia esttica de um diodo de juno de silcio e de germnio,
polarizado reversamente?
16) O que resistncia dinmica de um diodo de juno, d os dois smbolos indicativos e a forma em que os mesmos
so determinados?
17) Como se explica o pequeno desvio da curva caracterstica de um diodo de juno, operando na regio direta?
18) O que um circuito multiplicador de tenso esttico e onde se aplica esse tipo de circuito?
19) O que um circuito Clippers (ceifadores) e onde se aplica?
20) O que um circuito Clampers (grampeadores) e onde se aplica?
21) Qual o nome do circuito eletrnico, que acrescentado nos voltmetros de corrente contnua, destinados a medir
ondas senoidais assimtricas?
22) D o significado da palavra LED ?
23) Em que faixa de luz com comprimento em Angstrons ( ), so fabricados os diodos emissores de luz?
24) Qual a faixa do comprimento de onda em nano-metros, da luz visvel aos olhos humanos ?
25) D o significado da formula qumica GaAsP, utilizado na dopagem de diodo LED ?
26) D o tempo de vida til em horas, de uma lmpada incandescente, non e de um diodo LED, quando os mesmos
forem energizados corretamente ?
27) Cite as trs regies de operao de um diodo zener e explique em qual delas o mesmo usado em circuitos de fonte
de alimentao?
28) Para que um diodo zener opere como regulador de tenso, o que torna-se necessrio relacionando a fonte de
entrada e a carga a ser alimentada ?
29) O que um regulador de tenso estabilizado?
30) Para um regulador de tenso zener , que no satisfaz a regra de 100:1, relacionando carga e impedncia zener, qual
ser a opo na reviso de projeto?

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2.9 EXERCCIOS DE CLCULOS CAP. II


1)

Um diodo de juno de silcio, apresenta uma corrente de fuga reversa em estado de saturao de 32nA 26 C. Qual
a intensidade dessa corrente 46C ?

2)

Um diodo de juno apresenta uma corrente de fuga 50 C de 60 nA. Determinar a intensidade da corrente de fuga
25 C ?

3)

Levantar a reta de carga e determinar a resistncia esttica do diodo, no circuito abaixo.

4)

Levantar a reta de carga e determinar a resistncia dinmica do diodo, no circuito abaixo.

5)

Um diodo de juno de silcio apresenta uma corrente mdia direta de 40,05 mA, com uma tenso nos terminais de
0,63V. Determinar:
A) A tenso na juno do diodo?
B) A que temperatura ambiente foram feita as medies?
C) Qual o valor da resistncia dinmica apresentado pelo material ativo do diodo?
D) Qual o valor da resistncia dinmica apresentado nos terminais do diodo?

6)

Sabendo que a tenso de juno de um diodo de 0,59V a uma temperatura ambiente de 31C. Determinar:
A) A corrente mdia direta que circula pelo diodo?
B) A temperatura absoluta da juno?
C) A resistncia dinmica apresentada nos terminais do diodo?
D) A queda de tenso nos terminais do diodo?

7)

Um diodo de juno apresenta uma corrente mdia direta de 1400mA, com uma tenso nos terminais do diodo de
0,38V. Determinar:
A) A tenso na juno do diodo?
B) A que temperatura ambiente foram feita as medies?
C) Qual o valor da resistncia dinmica apresentado pelo material ativo do diodo?
D) Qual o valor da resistncia dinmica apresentado nos terminais do diodo?
E) Qual a temperatura absoluta da juno?

8)

Em um diodo de juno circula uma corrente mdia de 1,1A com uma temperatura ambiente de 299,15K e uma queda
de tenso nos terminais do diodo de 0,35V. Determinar:
A) A corrente de saturao inversa de fuga?
B) A tenso de juno do diodo?
C) A queda de tenso passiva, gerada pelo diodo?
D) A quantidade de carga eltrica em Coulomb existente no interior do diodo?
E) A resistncia dinmica apresentada nos terminais do diodo?

9)

Calcular a tenso mdia de sada sobre os terminais do capacitor C2.

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10) Calcular os nveis de supresso, para o circuito limitador com diodos de silcio.

11) Para o circuito multiplicador abaixo determinar:


A) A tenso no capacitor C1?
B) A tenso no capacitor C2?
C) A tenso na carga RL?
D) O PIV necessrio para os diodos aplicados?
E) A freqncia de oscilao nos terminai da carga RL?

12) Um circuito dobrador de tenso apresenta nos terminais da carga 141,421V, determinar:
A) A tenso existente nos terminais do capacitor da primeira clula retificadora de pico?
B) A tenso eficaz no gerador senoidal?
C) O PIV no diodo D1?
D) A freqncia de entrada sabendo que o tempo em /2 igual 6,25 ms?
E) A freqncia de oscilao nos terminais da carga?
13) Esquematizar e dimensionar um quadruplicador de tenso utilizando os dados: VE = 127V, FE = 60Hz e RL = 10K.
A) PIV dos diodos?
B) Tenso nominal dos capacitores?
C) Corrente de pico que circula pela carga?
D) Corrente mdia que circula pela carga?
14) Esquematizar e dimensionar um dobrador de tenso em onda completa com: VRL = 120V e FO = 120Hz
A) Tenso eficaz de entrada?
B) A freqncia de entrada?
C) O PIV dos diodos?
D) A tenso nominal dos capacitores?
15) Projetar um limitador polarizado simtrico com uma tenso de sada de pico de 4,5V, utilizando diodos triviais. A
tenso C.A de entrada de 6,36V em RMS e a carga a ser conectada de 2K7.
16) Para o circuito limitador abaixo, desenhar a forma de onda na carga, indicando o nvel de tenso.

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17) Para o circuito grampeador abaixo, desenhar a forma de onda na carga e determinar a corrente de pico-a-pico na
carga?

18) Para o circuito abaixo, dimensionar o resistor RS e calcular as potncias dissipadas em cada diodo Led ?

19) Para o circuito abaixo, dimensionar o resistor RS e calcular as potncias dissipadas em cada diodo Led ?

20) Para o circuito regulador de tenso zener, calcular a mnima e mxima corrente que circula pelo diodo zener.

21) Projetar um regulador zener FFCF, com uma carga de 220 em 13V, sabendo que a tenso de entrada de 22V ?
22) Projetar um regulador zener FFCV, com uma carga de 220 em 13V, sabendo que a tenso de entrada de 22V ?
23) Projetar um regulador zener FVCF, com uma carga de 220 em 13V, sabendo que a tenso de entrada varia de 18V
a 22V ?
24) Projetar um regulador zener FVCV, com uma carga de 220 em 13V, sabendo que a tenso de entrada varia de 18V
a 22V ?
25) Para o regulador zener FVCF abaixo, determinar a tenso crtica de alimentao VEC superior e inferior do circuito.

26) Para o regulador zener FVCV abaixo, determinar a tenso crtica de alimentao VEC superior e inferior do circuito.

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