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electronicos
TOMO
..
d ispositivos
electronicos
1
TOMO II
4a. edicin
INSTITUTO 'S
Mexico, 1985
O NACIONAL
A NUESTROS PADRES:
Maria de la Luz Burciaga R. Maria de los Angeles Salinas
Edmundo Cepeda de la G.
E. Gabriel Garcia G.
For los valores, sacrificios y omor con que no: form aron.
A NUESTROS HIJOS:
Martha Lucia,
Csar Arzuro y
A NUESTROS MA ES TR OS:
Ing. Mario Vzquez Reyna,
Ing. Rodolfo Romero Carrera,
Dr. Hector Nava Jaimes,
Dr. Harold S. Dutton,
Frofr. J. Guadalupe Godoy Gonzalez, y
Profr. Federico Nava Garcia.
Quienes ihiminaron con su saber nuestro entendimiento y
no: mostraron con sus ensefianzas que solo es posible apren.
der lo que estd semidormido en el intelecto, mediante el
esfuerso y voluntad propias.
A NUESTROS COMFA1EROS:
Con u n cordial y profundo respeto.
A NUESTRA ESCUELA.
For su tradicin y escuela.
Matgarira y Arturo.
Mexico D. F., 1985.
EROLOGO
Cada dia se tiene notici de nuevos dispositivos eiectrnicos, que aumen tan las
posibilidades de aplicacin, y as( la incursion de a eiectrOnica en todas las dreas
de la ingenierla. Los dispositivos electrOnicos se dividen en tres grandes dreas,
que son la de los dispositivos semiconductores o de estado slido; la de los
dispositivos al vaci'o y la de los dispositivos gaseosos. En el presente trabajo se
pretende dar los fundamentos fz'sicos y elctricos que permiten comprender el
comportamiento de los dispositivos electrOnicos, de manera que los que sur/an
en cualquiera de estas tres grandes areas enunciadas puedan ser fcilmente
asimilados y10 aplicados. Se presen tan los dispositivos electrnicos mds cominmente empleados, poniendo dnfasis en ci estudio de su comportamiento fisico
y elctrico, y en las aplicaciones tIpicas y los modelos lineales de los mismos.
En la presente ediciOn se ha uniformizado ci tratamiento de los distintos
dispositivos, y se han resuelto ejemplos e incluido una reiaciOn de preguntas y
pro blemas en cada uno de los cap i'tulos.
En la escuela y en la vida, el estImulo mds importante del trabajo es el
placer en ci mismo; placer en su desarrollo, en su resultado y en el conocirniento del valor de este resultado para la comunidad. Si la ciencia es ci esfuerzo
secular por presentar con/untamente, POT medio de la reflexin sistemdtica, los
fenomenos perceptibles de este mundo dentro de una asociacin lo mds cornpieta posible, * recomendamos al lector que los conceptos aqui' vertidos sean
cuidadosa y cri'ticamente reflexionados, pues a travs de a reflexiOn sistemtica
se logran los conocimienros duraderos y fructiferos.
La explosiva participacin de la electrOnica en las actividades del ser humano modifica su comportamiento social en la actualidad; esto es debido al bajo
costo de los dispositivos semiconductores (que en los zfltimos 30 aos se ha
*
Atentamente:
Margarita Garcia Burciaga de Cepeda y Arturo Cepeda Salinas.
Mexico D.F., 1985.
CONTENIDO
Pgina
CAPITULO VI
6.1
6.1 .1
6. 1 .2
6.1.3.
6.1.4
6.1.5
6.1.6
6.1.7
6.1.8
6.2
6.2.1
6.2.2
15
15
16
16
17
28
36
36
37
38
38
40
41
41
43
43
45
46
46
47
48
56
57
57
6.2.3
6.2.4
6.2.5
6.2.6
6.2.7
6.2.8
CAPITULO VII
7.1
7.2
7.3
7.4
57
58
60
61
62
64
67
69
71
106
110
117
119
119
119
121
Problemas
BibliografIa
CAPITULO VIII
8.1
8.2
8.2.1
8.2.2
8.2.3
8.2.4
133
133
134
134
137
155
157
161
163
163
163
167
169
171
172
175
176
180
8.3
8.3.1
8.3.2
8.3.3
8.4
8.4.1
8.4.2
8.4.3
8.5
8.5.1
8.5.2
8.5.3
8.6
8.6.1
8.6.2
8.6.3
8.7
CAPITULO IX
9.1
9.1.1
9.1.2
9.1.3
9.1.4
9.2
9.2.1
9.2.2
9.2.3
9.2.4
9.2.5
9.3
TRIAC
Los cuatro cuadrantes de operacin de un TRIAC
Curvas caracterfsticas estticas
SImbolo
Circuito equivalente
DIAC
Construccin y simbolo
Principio de operacin y curvas caracterfsticas
CaracterIsticas y especificaciones
DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB)
ConstrucciOn y sImbolos
Principio de operacin y curvas caracterfsticas
Caracteristicas y especificaciones
INTERRUPTOR DE SILICIO UNILATERALES Y
BILATERALES (SUS, SBS)
Construccin y simbolo
Principio de operacin y caracterfsticas de los
interruptores de silicio
CaracterIsticas
INTERRUPTOR CONTROLADO POR
COMPUERTA,GTO
Ejemplos
Preguntas
Pro blemas
BibliografIa
DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS
DE ESTADO SOLIDO
Introduccin
Celdas fotoconductoras (fo tore sistivas)
Fotoconductividad
Comportamiento elctrico
SImbolo
Parmetros
FOTO-DIODO
Funcionamiento
Caracterlsticas
Simbolos
Parmetros
Circuito equivalente
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)
182
183
184
184
185
185
185
186
187
187
188
189
189
189
190
191
193
192
194
230
232
237
239
239
241
242
243
246
246
247
247
248
251
252
253
253
9.3.1
9.3.2
9.3.3
9.3.4
9.4
9.5
CAPITULO X
10.1
10.1 .1
10.1.2
10.1 .3
10.1,4
10.2
10.2.1
10.3.
10.3.1
10.4
10.4.1
10.4.2
CAPITULO XI
11.1
11. 1.1
11. 1.2
11.1 .3
11.1.4
11.1.5
253
254
258
258
259
285
285
288
293
295
295
298
303
305
306
DISPOSITIVOS AL VACIO
Introduccin
DIODOALVACIO
Introduccin
Relacin de voltaje y corriente
SImbolo
Caracterfsticas y limitaciones
Circuito equivalente
VariaciOn de parmetros
339
339
341
341
342
351
35 1
353
355
260
262
277
279
289
307
310
310
313
317
334
337
338
11.2
11.2.1
11.2.2
11.2.3
11.2.4
11.2.5
11.2.6
11.2.7
11.2.8
11.2.9
11.3
11.3.1
11.3.2
11.3.3
11.4
11.4.1
11.4.2
11.4.3
11 .4.4
11.5
11.5.1
11.5.2
11.5.3
APENDICES
A
B
C
D
E
F
TRIODO AL VACIO
Introduccin
SImbolo
Triodo piano paralelo frfo
Triodo termoiOnico
Curvas de corriente de Rejilla para un triodo
termoinico
Caracteristicas y limitaciones
Circuito equivalente
Variacindeparrnetros
Aplicaciones tIpicas del triodo
Potencia de disipacin maxima
TETRODO
Introduccin
SImbolo
CaracterIsticas y limitaciones
Circuito equivalente
PENTODO
Introduccin
Sfmbolo y funcionamiento
CaracterIsticas y liniitaciones
Circuito equivalente
Aplicaciones tipicas
FOTO-TUBOS
Introduccin
CaracterIsticas de la fotoemisin
Celdas fotoemisivas
Fotomultiplicad ores
Ejemplos
Preguntas
Pro blemas
Bib liografia
355
355
356
357
359
362
364
367
371
371
375
376
376
380
380
381
384
384
384
388
389
392
396
396
396
399
402
412
445
447
451
453
455
457
458
475
476
478
G
H
I
J
K
INDICE TEMATICO
479
480
498
499
509
518
519
CapItulo 6
TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO.
INTRODUCCION
Los transistores que se usan en electrnica se dividen en dos grandes clases:
transistores bipolares y transistores unipolares. En el caso de los bipolares se
tiene conduccin elctrica dentro del dispositivo POT electrones y por huecos
a la vez (dos tipos de portadores), de ahi el trmino bi, mientras que en los
transistores unipolares se tiene conduccin elctrica dentro del dispositivo ya
sea por electrones o pot huecos (un solo tipo de portador), y en este caso se
dice que la conduccin dentro del dispositivo se debe inicamente a los portadores mayoritarios.
i
campo de union es un dispositivo unpolarenel
El transistor de efecto
cual la corriente clcjrica es controlada por un campo ectricoglicado an
lasuperficie o en la fro ntera de la uniOn del dispositivo. Este es de los primeros
dispositivos semiconductores que se concibieron para poder controlar un flujo
de corriente elctrica grande mediante sefiales pequeflas. Su concepcin se
remonta a 1930 en los EUA por J. E. Lilienfeld y a 1935 en Inglaterra por
0. Heil, quienes en tales aflos presentaron sendas patentes en sus respectivos
palses. Sin embargo, no fue sino hasta 1952 en que Schockley* propuso un transistor de efecto de campo con un electrodo de control, el cual consistla de un
diodo polarizado inversamente. Este dispositivo demostr tener caracterIsticas
inte:esantes y reproducibles, por lo que rpidamente ocup un importante
lugar dentro de las aplicaciones de la ingenierla electrnica. En fechas ms
recientes (los afios 60) se desarrollaron nuevos tipos de transistores de efecto
de campo, con nuevas geometrIas y nuevas tecnologIas de fabricacin, y actualmente existen transistores de efecto de campo metal-xido-semiconductor
(MOS-FET) y otros tipos ms.
*
Shockley, W.A Unipolar Field Effect Transistor. Proc. IRE, vol. 40 (nov 1952), p. 1365.
(6.1.2)
(6.1.3)
iiv
14
r.
;
]( vI
Las relaciones (6.1.2) y (6.1.3) nos dan la conductancia de una barra semiconductora cuando la concentracin de impurezas es uniforme a lo largo de
toda la barra.
Sin embargo, si la concentracin no es uniforme, por ejemplo si es uniforme
en el eje z y en el x pero varIa en el eje y (ver Fig. 6.1), se puede establecer que:
H
Gep
p(y)dy.
(6.1.4)
-I
+1
itr .I
Figura 6.2. Barra semiconductora con uniones P.N para formar un FET de unidn.
.04
LH
1ID
- '
(b)
lk'D =0
H'
IG
Figura 6.3. Canal de conduccidn del FET de union: (a) sin considerar las uniones; (b) consi-
(/O
V) (
NA +ND
'VD
1/2
X,
[ (ii -
H =II
H*
cuando VA =0,
19
(6.1.6)
ep(y)
(6.1.7)
Ds
D
VDS
VGSO
(b)
Em
Zona de vaciamiento
en equilibrio.
Zona de vaciamiento
:VDS
VGS 0
VDS *0
'DS 0
(c)
Figura 6.4. Variacidn del canal de conduccidn al polarizar el dispositivo FET de union: (a) sin
polarizacin; (b) con corriente de drenaje I
0, pero V = 0; (c) con corriente de drenaje
JDS'fOY V0 O.
20
Hs = H5 (x)
ral
D 'S' =L
L
;---* x
z
Figura 6.5. Mitad del FET de union en la region del canal de conduccin para el anlisis del
comportamiento elctrico.
Integrando por primera vez la ecuacin (6.1.7), se tiene:
VV= -
La integral
--
p(y)dy + cte.
(6.1.8)
p(y) dy.
(6.1.9)
Q(h)=eJ p(y-) dy
(6.1.10)
TRANSISTORES DE EFECTO DE
entonces: cte
fo
+ cte,
=__J h
p(y) dy,
en donde:
1h]
vv=
d
fpy)d_
e
= j- [Q(v) Q(h)]
(6.1.12)
V(h=-- [/zQ(h)
j Q(y) dy
V(h) = -f
-_f
Q()dY] .
(6.1.13)
(6.1.14)
1J=hp(h)f.
(6.1.15)
ecuacin que nos dice que el voltaje necesario para mover la frontera entre la
zona de vaciamiento y el canal de conduccin aumenta con la distancia h y
depende de La densidad de carga en La frontera de la misma. De la ecuacin
(6.1.14) y de la ecuacin (6.1.15) es posible obtener la capacidad de la union
por unidad de area, la cual es dada por:
HdV
(6.1.16)
dhdV h
H
H
Vp =V(h=--)=V(-2-)=--
yp(y)dy,
fo
expresin que se puede aproxiniar, segn Shockley, si se considera que elpotencial de contacto se desprecia.
e
V=7
t1C12
yp(y)dy;
(6.1.17)
VP
- 8
ep0H
8
(6.1.18)
IDS =
p(y)dy
(6.1.20)
HC/2
dV
dx
'Dsdx=2e-dhwJ
h p(y)dv,
(6.1.21)
'DS L
= o
1DS dx
= 2 eWi (
jhp(h)dh
fHC12
py)dy, (6.1.2 2)
h
Hc /2
Si
ypara
fp ( y)dy=[Q(H/2)Q(h)] ;
x=0 ,
(6.1.23)
h.H,
x=L , h=HD
entonces:
js
= 2:Wii
HD
[Q (H12) - Q(h)]hp (h)dh.
(6.1.24)
HS
Se puede considerar que si la caida de voltaje VDS est prcticamente en la
region donde estn las compuertas, entonces:
H=H, +H1 (V03),
(6.1.25)
"D' +H2 (VDs VGS),
24
'DSS =
2eW
Hcf2
f
eL H,
[Q(Hc/2)Q(h)]hp(h)dh.
(6.1.26)
ND = 1024 atm/rn3 ,
(1 j.tm = 10-6 m)
Figura E.6.1. Brra de siicio tipo P usada en la construccin de un FET de uniOn (JFET)
mostrando la regiOn de la compuerta.
Calcule;
a) el voltaje de oclusin; y
b) La corriente de drenaje-fuente de saturacin.
25
Solucin:
a) Como primer paso es importante determinar el valor del potencial de contacto de La union P-N, para lo cual se utiliza la expresiOn ya conocida de li,:
KT ND NA
en donde K es la constante de Boltzman y n, es La concentracin intrInseca
del silicio a la temperatura ambiente.
= 0.026 V y
1018 x 1016
2.6569 x 10 20
= 0.0-,6
llIo = 0.81 V.
VP = 6.847 V.
b) Para calcular La corriente 'DSS primero es necesario calcular Q(H/2) y Q(h),
considerando que p(y) = NA:
y
Q(y)= e
HC/2
1022 dy,
p)dy =
Cf
Q(Hc/2) = eNA(HC/2).
Q(h) = eNA h.
26
'DS
'DS =
2eW
eL
ND
h)hNdh
eN(&
HS
2Wpe2N j (!_hdh_h2dh),
2
eL
HS
2We2N
eL
'DS
HC
Pf--
h2 h3 ]
HD
JH
2Wp.e2N HCHJ 1
4
eL
HH?
4
(E.6.1.1)
VDS)
I/
Si:
HD= lx 1cr 6 m
=4
(E.6.1.2)
2We2 ,z N H + H,
HCH,
(---48
Th- - 4
eL
(E.6.1.3)
27
10-4
2x 50x 10 6 x (1.6x l0_ 19 )2 X 1044X 600 X
X 0.0156X 8X 10 18
11.Sx 8.854x 10' 2 X5.0X 10 6
'DSS = 3.682 mA.
- eNAHC
(6.1.27)
Q(h)=eNAh.
(6.1.28)
(6. 1 .29)
1/2
(6.1.30)
(6.1.3 1)
2 We2
2 N H JI, H
HH
eL
( 4
+------- 4 ).
'DS
(6.1.32)
Sustituyendo los valores de las ecuaciones (6.1.29). (6.1.30) y (6.1.3 1) se encuentra que:
IDS
VDS_
/ ---.
3/2
[(+ VGS + 11bo) _(o +v
Gs)312 ]!
do nde:
6. 1.33)
g
WPeNJlHc
L
entonces:
2We2Hcp
'DS (sat)
48eL
[1
+V
ip.+ v
_11'+
+ vVGS
3/2
(6.1.34)
VDS
DS
GS
de donde laL
scon uctancia ser
tran=
2 Wz
HL (2eeNA )1' 2 E(VDS + V08 + 11')' ( hJ1
WE
e, = 11.8,
A = 1016 atm/cm3 = 1022 atm/rn3 ,
Solucin:
IDS =g{VDs_B[(VDs+VGs+lI1O)
312
-(,D0+
GS)312
2
= 311
eNA
)1/2 = 0.2409,
y
g =
W1.LeNAHC
- 1.92X 10
L
(cz)-1
VDS
y de VGS, usando la
Tabla E.6,2.1
s= 0 '"
VGs
1V
VGS
=2 V
VGS =3'"
'ris(')
IDS (A)
IDS ( A )
IDS ( A )
IDS (A)
o
0.5
1.0
1.5
2.0
0.000
0.604
1.131
0.000
0.462
0.868
1.221
1.527
1.788
2.007
2.187
2.329
0.000
0.353
0.659
0.920
1.139
1.319
1.461
1.567
1.639
1.677
1.684
1.659
1.604
1.520
0.000
0.261
0.480
0.660
0.802
0.908
0.980
1.018
1.025
1.000
0.945
0.861
0.748
0.608
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
30
1.593
1.998
2.352
2.657
2.919
.138
3.318
3.460
3.566
2.435
2.507
2.545
3.637
3.676
2.551
2.526
VGS = 5 V
IDS ( A)
0.000
0.106
0.177
0.216
0.222
0.197
0.142
0.058
-0.054
-0.194
-0361
-0,555
-0.774
-1.019
VGS 7 V
IDS (A)
0.000
-0.025
-0.080
-0.164
-0.276
-0.416
-0.583
-0.777
-0.996
-1.241
T'is(')
IDS (A)
7.0
7.5
8.0
9,0
10.0
12.0
14.0
3.682
3.657
3.602
3.406
3.098
2.171
0.856
VGS''
V0s= 2 V
VGS =3V
VGs =5V
i=7V
IDS (A)
IDS (A)
IDS (A)
IDS (A)
IDS (A)
2.471
2.387
2.275
1.967
1.554
0.429
-1.070
1.407
1.267
1.100
0.687
0.173
-1.143
0.441
0.247
0.028
-0.486
-1.097
2W,te2 pHc
48Le
4.9 X 10 A.
(6.1.37)
3.682
3.078
2.551
1.684
1.025
0.5449
0.2233
0.0458
1.46X 10'
-0.0813
-0.278
-0.585
-1,513
-2.829
1GS
(V)
0
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
12.0
14.0
31
Contacto
de las zonas de
vacjamjento
de las zonas
de vacianiiento
I'iE1Frotera
-
Vs=OV
-4.
IV
- P
1
/:
'5V
4\6
Regin,
activa:
\,GS =ov
SV
-2V41V_
3V
'
8\. 10\12\14
16
18
20
VDS(V)
Dejando nicamente las regiones vlidas, se obtienen las curvas caracterfsticas del transistor FET de union, las cuales dan una aproximacin lo suficientemente precisa para que se considere (comparando los resultados tericos con
los experimentales) como vlida La teorla desarrollada hasta este punto. Las
regiones gue se considerari cp reales de las c ashtenidas en esteLcaso son
donde existe contacto entre las zonas de vaciamiento, dentrQd.1 canal de conduccion,esto es, eiifOn denom inada reijo n delrioda.y enJaiegion4enomirida region activa, mientras en la region de impa i I ngthann tien
sentiicBasndose en los clculos de 1D (ut) en trminos de T', es posible determinar que latransconductancia de este dispositivo es no-lineal.
32
ii I
activa
I
I
I
I I I
I
I
6 8 10 12 14 16 18 20 22
Figura 6.6. Grfica que arroja la teoria para el transistor FET de union propuesto.
$ 'is (mA)
8L
DSS
7
6t
Nocontactode
laszonasde
vaciainieflto.
Contacto de las
zonas de
vacianiiento.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V/2
VP
u- Vs ci")
del dispositivo. A esta aproximacin se le conoce como la aproximacibn cuadrdtica o parablica y se ilustra en la Fig. 6.8.
b'DS"DSS
1.0k
::_i
0,4
G5
_2
I I LutmL_ I I
0.4
0.2
0.6
1.0
0.8
1.2
10
VGS/Vp
(6.1.38
as + iJo
= 'DSS(1 - VP
V
(6.1.39)
nIDss
VP
(1
Vcs+Po n-i
)
(6.1.40)
y en el caso de n = 2,
21DS8
g,7
VG + o
6.1.4 1)
VGS =0
21DSS
(6.1.42)
en donde:
IDS--
gm
+--VGS + '
n
n
n
(6.1.43)
y Si
T--
Capacidad de la compuerta
Un clato importante que resulta de este tratamiento es la capacidad de la compuerta CO3 entendindose con este valor la surna de capacidades interelectrdicas (CDG + CGS), y debido a que h = h(x) valor en x de la zona de vaciamiento en la uniOn, C'0 est dada por:
CC, - 2 e
L_h(x)
dx
(6. 1.44)
donde i es la movilidad de los portadores mayoritarios en el canal de conduecin. Este valor de C0 determina la frecuencia de trabajo maxima (frecuencia
de corte del dispositivo) para el FET.
El tratamiento realizado para el transistor de efecto de campo FET de canal
P esvlido para el transistor de canal N.
Es claro que al aumentar el voltaje entre drenaje y fuente, la zona de vaciamiento en la region cercana al drenaje aumenta pudiendo ocurrir el fenOmeno de
ruptura (ver capftulo de uniones slidas) por lo que siempre se considera que
la ruptura ocurre en La regiOn cercana al drenaje. En este caso, y debido a la
construcciOn y mecanismo de operacin del dispositivo, se puede establecer
que si VR es el voltaje de ruptura del diodo formado entre compuerta y canal de
conducciOn, en general se tiene:
VB = VR + VG S
(6.1.45)
donde l' ser el voltaje de ruptura con polarizaciOn y, como se ye, este dispositivo puede variar su voltaje de ruptura con la polarizacin de compuertan La
Fig. 6.10 se ilustra la variacin.
36
-1DS
-2.0 v
2.4 T
=0V
GS
._VC
1.6
0.2Y
canal
0.4V
1 2
0.6 V
0.8
0.8V
1.0V
i.2V
1)4
01
I
15
10
20
25
30
35
- VDS(V)
Figura 6.10. Caracteristica de un PET de union donde se observa la variaciOn del voltaje de
ruptura con la polarizaciOn de la compuerta (FET canal P).
'GsmT_
1),
dl =1 eS/mKT _e
dVGS
mKT
I0,, 4-,eV0/mKT
(6.1.46)
(6 1 47)
-j + . 0
en donde:
dVCsR
dl -
mKT
e(I+J0 )
(6148)
D S
S
canal
(a)
canal
(b)
Figura 6.11: (a) detalle de construccin del FET par difusin; (b) sfmbolos empleados para
los transistores FET de union.
6.1.5. Modelos empleados
RT
'DS
I
DS
gm
GS
1_os
Para este modelo esttjco del transistor FET se calculan los valores de la siguiente manera:
a) de la curva caracterIstica del transistor, cuando VGs = 0, se toma el valor
donde se tiene la corriente de saturacin IDSS y se traza una ilnea recta al
origen, obtenindose:
RT=
,
1DSS
vP
I
ADSS I VGS
'
( 6.1.49)
(6.1.50)
"DS
Figura 6,14. ObtenciOn de la resistencia entre drenaje y fuente para el FET de union.
mej
gm
V s +(VDs VP Po)/Rs,
(6.1.51)
de manera que la variaciOn de 'DS respecto a VGS, que serla la variable de entrada, es negativa y de valor g:
dIDS I
dVGS I
= g,
(transconductancia),
(6.1.52)
I VJs = cte
1]
11
Figura 6.15. Modelo dinrnico del FET a bajas frecuencias (sefiales pequeflas).
CDG
Fil
Figura 6.16. Modelo equivalente dinmico del FET de union a frecuencias altas (seales
pequeflas).
En la nomenclatura usada internaciorialmente para estos dispositivos se
simboliza asf a las capacidades:
Gas = Ciss
(6.1.53)
CDG =
CDS = COSS.
Valor
Definicin
Voltaje de ruptura
compuerta-fuente
BVGSS
Corriente de saturaciOn
compuerta-fuente
1GSS
Voltaje de oclusin
Voltaje de compuerta-fuente
[,Gs
= V0
Valor
Definicin
Corriente de saturacin
para VGS = 0
'DSS
Capacidad de entrada
Ciss
Capacidad de
transferencia inversa
CrSS
Capacidad de salida
Voltaje entre compuertafuente directo
VGSF
Transco nductancia
directa
Resistencia
drenaje-fuente
Corriente de drenaje
Temperatura de la union
FS
RT
'DS
= 'D
Tj
dIDS
dVGS
Temperatura de operaciOn
Voltaje entre
drenaje-fuente
VDS = VD
Voltaje entre
drenaje-compuerta
VD r,
Potencia de disipaciOn
PD
Figura de ruido
NF
Corriente de fuga
compuerta-drenaje
IDr,.
Corriente de fuga
compuerta-fuente
42
6-1os
2 W/.Le2 N H
48
( 6.1.54)
/2 =
p0
T03 ' 2 T
_ IDSS(Ta)TTaT
(6.1.56)
(6.1.57)
12
IflURRI!fl
,a_
AJ
LLL
16
<
C
20
16
VGS9
- - 1
090.51V
12
-v 1.oV
B
-3.0
-1.5V
V
-2.0V
2.5Vj
12
TA =1000 C
L14I
Ji
__
0.5v'
YA
VDS ()
44
VGS (V )
Figura 6.18. Efecto de la temperatura sobre (a) la corriente de drenaje ID; (b) la
resistencia de drenaje a fiiente (o de canal)
Rr, y (c) la transconductancia directam de
un MET de silicio de canal n tipo 2N5 163
(cortesfa de Fairchild Semiconductor).
VDD
VGG
1 DL)
VG(
Canal
Fuente comin.
Canal P
Fuentc comn.
Canal N
Drenaje comn.
Canal P
Drenaje comn.
DD
DL)
G6
Canal N
Compuerta comn.
Canal P
Compueita com(ln.
45
Adems existe un mtodo adicional bsico que se denomina autopolarizadon y que se ha pensado para usar una sola fuente para operar el dispositivo, en
lugar de dos como en todos los casos de la Fig. 6.19. En la Fig. 6.20 se muestra
cOmo quedan los circuitos anteriores con autopolarizacin para el caso del
canal N, y anlogamente se pueden obtener para el FET canal P.
VDD
Fuente cOmn
Drenaje comn
r
DD
Compuerta comOn
desde 1964, a raIz del desarrollo de circuitos integrados cada vez ms complejos. El transistor MOS-FET tiene cada vez mayor importancia debido a que
ofrece caracterz'sticas de simplicidad en los circuitos, conflabilidad y facilidad
en la con cepcin y diseflo de los mismos, razn POT la cual es de suma importancia estudiar cuidadosamente este dispositivo en sus variantes ms comunes.
6.2.1. Estructura fundamental
La estructura fundamental del MOS-FET es La que se muestra en la Fig. 6.21,
estructura que surgi posteriormente al desarrollo de la tecnologfa planar.
Observe que el dispositivo consiste de dos regiones semiconductoras de tipo P,
las cuales constituyen La fuente y el drenaje, regiones que estn separadas por
una region semiconductora tipo N, la cual es parte del subestrato.
En la parte superior de la region N que separa la fuente del drenaje, se crece
una capa de dixido de silicio delgada ( de aproximadamente 1000 A de espesor), La cual separa La compuerta del semiconductor, compuerta que normalmente es de aluminio.
compuerta
metal
semiconductor
fULfltc
P
Drenaje
Subestrato
Cuando en la compuerta se aplica un voltaje negativo respecto del subestrato, debido a que se tiene un condensador entre compuerta y subestrato, se
inducen cargas positives entre el drenaje y la fuente, propiciando un canal de
conduccin entre estos dos electrod7Se puede ver que por la construccin del
dispositivo el funcionamiento es iiiitrico respecto a la forma en que se conectan la fuente y el drenaje, es decir que se pueden intercambiar, y el transistor
funciona de igual manera. La teorfa del funcionamiento de este dispositivo se
desarrolla en base a la teorfa de la union PN y a La conducciOn de partfculas
cargadas en semiconductores.
47
k
.-
Drenaje
Compuerta
I xs I
EFM
Ec
._!'
8eV - _.__.._E,
Ev
Subestrato
Sr02
x Silicio
Mcta
(a)
(b)
Figura 6.22: (a) configuracin del MOS-FET canal P, considerando todos sus electrodos
aterrizados; (b) consideracion sobre las bandas de energIa del metal-xico-semiconductor.
Se define como:
MS
(6.2.1)
6.2.2)
k')(
'
6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DL CAMPO METAL OXIDO SFMICONDUCTOR (MOS-FIT)
Tambin se define:
Qss como la carga en La frontera del silicio con el dixido de silicio, del ]ado
del xido. (Depende de la pureza del xido, de su tcnica de crecimiento y
de la orientacin cristalina del semiconductor.)
Qox como la carga en la frontera del metal de la compuerta y el diOxido de
silicio, del lado del xido.
Analizaremos primero el caso de bandas planas, lo cual se logra invariablemente cortocircuitando todos los electrodos como lo muestra la Fig. 6.22, pues
al tener todos aterrizados, no existe movimiento o acumulacin de cargas en
algunos de elLos, logrndose que los diagramas de bandas de energia no se deformen. A esta condicin se le llama condiciOn de bandp.pkflas
Si se observa el diagrama de bandas presentado en la Fig. 6.22-b, se puede
ver que ste es un diagrama bidireccional pues se considera la direccin de x en
ci sentido perpendicular al xido de silicio y hacia el semiconductor, considerando el origen precisamente en la frontera del xido-semiconductor.
Si se aplica un voltaje entre la compuerta y la tierra. y se dejan aterrizados
los electrodos de la fuente, drenaje y subestrato, este voltaje produce un campo
elctrico sobre el semiconductor, que empieza a doblar las bandas de energIa en
La proximidad de la frontera Si02 -5i. obtenindose segn La polaridad y magnitud de este voltaje distintas condiciones, ]as cuales se ilustran en la Fig. 6.23.
'GB =
(e)
Ev
Figura 6.23: (a) acumulacin; (b) vaciamiento; (c) intrInseco; (d) inversion (V1 es el voltaje
mtrmnseco).
Para lograr deformar las bandas hasta que se tenga en la frontera SiO2-Si un
semiconductor aparentemente intrinseco. se requiere aplicar un voltaje V1 al
que se le denomina voltaje intrinseco, a partir del cual si se sigue disminudo
el voltaje aplicado en la cDffi-pueffa,se tiene una inversion; es decir, si el semi10 tipo P y viceversa. Sin
conductor originalmente es tipo N. se comporta
embargo, se considera efectivamente presente cuando en la frontera la posicin
del nivel de Fermi respecto del nivel intrInseco est a la misma distancia que en
la condicin de bandas planas pero invertido. Esto se logra cuando la deformaciOn de las bandas total
est dada por:
4=24 F .
(6.2.3)
= Vox +
(6.2.4)
donde:
VOx es La cafda de voltaje en ci xido de silicio; y
es el voltaje a travs de Ia superficie de silicio (equivalente al
potencial de contacto).
Si se considera que ci efecto de doblamiento de las bandas en la superficie
del silicio induce una cantidad de cargas Q9 (coul/cm2 ), el campo elctrico en la
superficie del silicio ser:
-*
Es
50
Qs
s EO
(6.21. 5)
El signo menos indica que va en sentido negativo del eje x para este transistor (canal P).
Si se considera que el vector de desplazamiento elctrico sat isface las condiciones de continuidad, se debe cumplir que:
(6.2.6)
donde Eox es el campo elctrico en el xido, el cual se considera constante y
de valor:
vox
E0 =
aox
(6.2.7)
(6.2.8)
Semiconductor
Oxido
Ill
Metal
+ 41+1
Subestrato
CompueTta
+1
P14
d0
01
Lv
x0
d0 .
x0
Si se considera que la capacidad por unidad de area en la region de la compuerta est dada por:
Co =
0X 0
aox
(6.2.9)
51
y Si
Q
Co
(6.2.10)
(6.2.11)
Qs = Qj + Qp
Considerando que ci espesor de la zona de vaciamiento (superficie del silldo) depende del voltaje VGB aplicado, se puede encontrar el valor de este espe-
Q=0,
en donde:
QB
= Qs = eND x0 = ( 2ESeoPvI245F1)"2
(6.2.14)
+ 2/ .
(6.2.15)
Caso 2
Se considera que Q
0 y que IMS 0 0.
En este caso es irnportante aclarar que se encuentra que Qss siempre es p0sitiva (no importa si el dispositivo es canal p o canal N) y depende bsicamente
de la orientacin cristalina del semiconductor en el plano de Ia frontera. En la
tabla 6.2 se presentan los valores promedios observados de Qss en funciOn de
la orientacin cristalina.
Tabla 6.2.
Orientacin cristalina en
la frontera SiO2-Si
Q88
QSS
110
8 X 10_8 coul/cm2
3.2 X 10_8 coul/ cm2
2 X 1011 (1/cm2 )
100
9 X 10' (1/cm2)
111
5 X 10I (1/em')
El origen de la carga Qss aUn no se conoce con exactitud, por lo que resta
mucha investigacin por hacer en este rengln.
Debido a la presencia de la carga Qss en Ia frontera SiO2-Si y que sta siempre es positiva, para contrarrestar su efecto y Ilevar el anlisis al caso 1, se requiere de un cierto voltaje negativo enla compuerta, voltaje al cual se Ic denomina voltafe de bandas pl.anas y se puede establecer corno:
= (Qss/Co)
Si MS =
- s' enonces se debe aplicar en la compuerta un voltaje
igual a I,S/C para que el anlisis se realice en iguales condiciones al caso I.
Considerando ambos casos, el voltaje de bandas planas queda:
Vw' = (Q23 /c0 ) + (4Ms/e) .
(6.2.16)
- -
(6.2.17)
53
Para desarrollar las ecuaciones de comportamiento del MOS-FET aquf propuesto, se deben hacer algunas consideraciones adicionales que permiten que ci
tratamiento matemtico Sc simplifique: a saber:
a) el dispositivo est sin conducir entre drenaje y Juente, hasta que se aplica
suficiente volta/c enfre conipuerta v subestrato para inducir una zona de
in version en la super/lcie del siiicio prOxfma al xido;
b) el subestrato se cortocircuita a la fuente, es decir V = 0; y VGS = VGS;
c) para el tratamiento se considera queya Sc tiene la zona de inversiOn inducida;
d) QE se considera constante a lo largo del canal de conduccin; v
e) la caida de voltaic en ci canal de conduccin es lineal, es decir:
V(y) = (VD/L)y.
SO
MMAMAMMAMMAN
I
V
P'Qp(r)
y = L
0
Subestrato
(6.2.18)
= eP(v)
ep(y)x=Qp
si:
(6.2.21)
IDS AY
'DS Al .
ep(y).LWx
QpW
(6.2.22)
(y) =
00
(6.2.24)
r=
CO VG S - v
- IDS W
Cc
integrando la ecuacin (6.2.25) desde cero hasta L, se tendr:
I.
(6.2.26)
dY_zWCoJ [VGs+y)IdV(y),
Jo
].
(6.2.28)
IDS
d0 L
[(V -
)V - 2
(6.2.29)
55
(VGS - VU
VDS)
6.2.30)
= VG
V .
(6.2.3 1)
At, ox 0 W
d0 L
(VGS
l.L E.e0 w
d0 L
Si al trmino
(6.2.32)
(6.2.33)
le liamamos t, entonces:
= E( VGS
- T) V
VDS
---] (regiOn de triodo o regiOn Ohmica), (6.2.34)
e
'DS (sat)
= --(VGS -
(regiOn activa).
(6.2.35)
=g., =IVDs L
(6.2.36)
VDsCte
FV-
=g 5
VDS
=IV0 FI,
= cte
(6.2.37)
aIDS
aVDS
=gDS
=ls -
- V,s I.
(6.2.38)
Se puede demostrar que la respuesta en frecuencia de un dispositivo MOSFET est dada por:*
gms
(6.2.39)
= 2ITCG
= 27r CG
27r[(e0e0/d0)WL]
(6.2.40)
de donde se obtiene:
1.LP IVGS _ V.
2irL2
(6.2.41)
Normalmente a la relacin g. ICG se le conoce como figura de mrito del transistor, y a medida que sta sea mayor el dispositivo puede trabajar en mds altas
frecuencias.
Si se considera que entre subestrato y fuente existe un voltaje diferente de
0), se ye modificada la diferencia entre el nivel de Fermi y el nivel
cero (V
intrInseco E1 (ver Fig. 6.23), equivaliendo esto a la modificacin de las cargas
acumuladas o vaciadas en la superficie de silicio del lado del semiconductor, de
manera que la expresin (6.2.14) se modifica a:
QB
= [ 2ESEOeND
donde:
V50
VBS
I2
(6.2.42)
e +
- VGS
1/2
(6.2.43)
57
cion, el cual se va acrecentando a medida que se polariza la compuerta del dispositivo. Sin embargo, es posible construir un dispositivo que ya tenga un canal
sin voltaje de compuerta y que ste se pueda modular con la polarizaciOn de la
compuerta, como se ilustra en la Fig. 6.26.
A este dispositivo se le conoce como MOS-FET de vaciamiento y sus leyes
de comportamiento son similares a las ya deducidas pah el MOS-FET de acrecentamiento, cambiando nicamente el voltaje de umbral V.
Se pueden concebir cuatro tipos distintos de MOS-FET, tal como se muestra en la Fig. 6.27.
G
MOS-FET de acrecentamiento
canal P.
Figura
MOS-FET de acrecentamierito
canal N.
MOS-FET de vaciamiento
canal P.
MOS-FET de vaciamiento
canal N.
lograr.
59
IDS (mA)
90 RegiOn
de
triodo
70
VGS=_8V
90
70
i
o
50
30
10
-3V
8 10 12 14
9V
VG-8V
_____
a :i7
activa
-6V
lafl
Region
de
tnodo
_VDS (V)
MOS-FET de acrecentanijento
canal P.
5V
4V
__________3 V
4 6
8 10 12 14
VDS(V)
MOS-FET de acrecentainjento
canal N.
Ds (MA)
90 RegiO n
de
odo
70
2V
90RegiOn
-2V
tn do,'_L_g'O
70 j
VGS = 0 V
50
-lv
1V
30
10
0i
_
2 4 6 8 10 12 14
MOS-FET de vaciainiento
canal P.
30
2V
3V
4V
-2V
10
-VDS(V)
-3V
I
2 4 6
8 10 12 14
s)
MOS-FET de vaciamiento
canal N.
Tabla 6.3,
Parmetro
Tipo de subestrato
Polaridad de ]as terminaTes
VGS. VDS
Voltaje de umbral
QB
Canal P
Canal N
+
+
-
+
+
+
-
6.2.4. SImbolos
A continuacin, en la Fig. 6.29, se ilustran los simbolos ms empleados para los
cuatro MOS-FET bsicos.
j
JD
B
G ..-
G
acrecentainiento
S
canal
canal
B
vac jam jento
S
Voltaje de ruptura
entre drenaje y fuente
Valor
V,, @ IDs
Es ci voltaje que se necesita aplicar entre compuerta y subestrato para ilevar el dispositivo al caso de
bandas planas y formar in region de inversion.
BVDSn
Factor do conducciOn
Transconductancia
inicial en la regiOn
activa
Definicin
Es una constante quo depende de las concentracions de impurezas en ci subestrato y de Ins dimensiones fisicas del dispositivo.
9M
Temperatura de
operacin
T.
Temperatura de
ahnacenamiento
Ts
Potencia de disipacin
PD
Es In potencia maxima que puede disipar ci dispositivo en forma continua sin que este so dafle.
Frecuencia maxima
de operacin
f0
CO
Resistencia de
conduccidn
62
RON
Valor
Defmicin
Corriente de fuga
'DSS
Capacidad entre
compuerta y fuente
CGS
Capacidad entre
compuerta y drenaje
CG
Capacidad entre
drenaje y fuente
CDs
R0x
Tiempo de subida o
o encendido
t.,.
Tiempo de bajada o
apagado
tf
Voltaje de compuerta
a fuente
VGS = V
Voltaje de drenaje a
fuente
VDS
Voltaje entre
subestrato y fuente
Corriente de drenaje
Voltaje de ruptura del
diodo SB o DB
VD
VBS
63
- VG
6.08
L.WDS
250
(110) orientacin/
(110) diieccin
isotropica
150
(110) orientaci6n
10)01
(100)
direcci6n
IOU
50
(100 orientaci6n
isotropica
1
T=297 K
10
15
20
25
I
30
35
40
-("GS
V) V
Figura 6.31 Variacin de la movilidad de los portadores segin la orientacin del piano del
siicio a temperatura ambiente.
1.6
1.4
C
'C
1.2
11.0
0.8
0.6
0.4
-55 -25
25 50 75
175 TC)
TRANSISTORES DE EFECTO DE
-0.5
-50
50
100
150
200
T(C)
-0.5
-50
T( 00
OD
I _
I VG
DS
so
(a) acrecentamiento
(b) vaciamiento
Figura 6.34. Circuitos equivalentes para el transistor MOS-FET con I = 0 en la region activa.
En este caso:
,
gm = aVG IVDIIVGVUI
RDS=
(6.2.47)
(reginactiva)
.
.0
= cte
(6.2.48)
(region activa)
- V) - (VD/2)} VD
- V) V, .
(6.2.49)
67
VG
'c
S0
IVD
IVDI
Para este modelo se cumple que 1a resistencia que se presenta entre el drenaje y la fuente es:
(6.2.48)
Rivv1
V V2
68
V1 y V2 .
(C)
Figura 6.37. Circuitos de protecciOn: (a) vista superior; (b) corte transversal por lmnea XX de
(a); (c) equivalente.
En el caso de la Fig. 6.37 se tiene en realidad entre la entrada y tierra un
dispositivo que tiene un voltaje de ruptura del orden de 60 V (en este caso
negativos), lo que protege en caso de tener un voltaje negativo de 60 V de magnitud, y para el caso de voltajes psitivos se presenta la caIda de un simple
diodo (union P-N, entrada-subestrato).
70
EJ EM PLO S
EJEMPLOS
Ejemplo 6.3.
a) Demuestre que la transconductancia g de un FET de union est dada por
la expresin:
g
= j?p (1DssIDs)"2 .
= dV08 I
21DSS
VDS = cte
VP
(1
fJ
I1
);
(E.6.3.1)
VGS
O)
( IDS )1/2
(E.6.3.2)
'DS = 625g.
(E.6.3.3)
(E.6.3.4
(E.6.3.6)
71
'DS
(mA)
gm
(m
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
2.8
2.5
2.19
1.79
1.26
01
b) 'DS =
-'DSS
GS +
VP (V
Wi2eN.Hc
[1
L
Si
Gs + i,1i
VP
Vos < VP
1/2
I VDS
Solucin:
a) Dc la ecuaciOn (6.1.38) tenemos:
Si
VGs+o 2
( E.6.4,1)
) ,
IDS
'DSS (1 -
'DS
'DSS [I - 2
VGs/o + VGS+/O 2
)
I.
(E.6.4.2)
CS + l,11f
VP
VG
(E.6.4,3)
VP
luego:
IDS IDSS( 11
72
V -)
(E.6.4.4)
EJEMPLOS
'DS = 'DSS + 9 0
E.6.4.5)
donde:
g,, 0
=g,
VGS = 0
eNA
GS 00)1112.
(1'+
(E.6.4.6)
(E.6.4.7)
h
Hc
8
= h- (
e
+ 'o),
(E.6.4.8)
(E.6.4.9)
GSO )112]
(E.6.4.9)
VP
RDS = hWepl'IA
(E,6.4.1O)
(E.6.4.1 1)
73
WeP.NAHC [1 (VGS+10 )
1/2 1 VDS
L
VP
Ejemplo 6.5.
a) Obtenga los modelos equivalentes esttico y dinmico del transistor de efecto de campo 2N5263 de las Figs. 6.17 y 6.18, si ste opera en T= 25C y
-9
en VGS --2.OV, VDS = 8V e
= lox 10 A.
b) ZC6mo se modifican los modelos en las mismas condiciones de voltajes pero
a T= 100C?
SoluciOn:
a) Para obtener g1,, en T= 25C, se observan las curvas de (J's. IDs) en el punto de operacin que marcan los voltajes y se obtiene:
AIDS
g =
V8
- (
VDS = cte
6-2)mA =4.0rn(Z1.
(l.52.5)V
8V
(E.6.5.1)
'
(E.6.5.2)
R1 = 5.2 x 10 6
De la Fig. 6.18 se puede obtener que RT = 500 92.
El valor de RDS que se tiene de las figuras con que se cuentan en este caso
es prcticamente mfmito.
'DSS = 14.0 mA.
b) Para T=100C;
gm =
74
2.0 mA 1
l.OV
'DS
GS
VDS = cte
=2.0m(1Y1 .
8V
( E.6.5.3)
EJEMPLOS
Jo = C1 T6 ee'G0 /mKT
VGOImKT
(E.6.5.5)
716
(E.6.5.6)
= 1.33 x 10A
0.0647
&=z486K7.
1.333 x 10'
GOi4ii.t
4X io- v0s
D1
2M
R
So
( J DSS
I
IgmVGS
Figura E.6.5.a. Modelos dinrnicos y estticos del transistor FET 2N5163 en lascondiciones
establecidas.
75
800 c
________
GO
D
X 10
D1
kn
486 j
so-
8 mA
gm VGS
oS
GO-
512Mn
4X 10 -3 VGS
So
C)
Go
01)
486k 92
2X10
So
VGS
pS
Ejemplo 6.6. Sea el amplificador con FET de union mostrado en la Fig. E.6.6.1,
que se pretende emplear en frecuencia,s altas obtenga:
b) la capacidad de entrada y;
a) la relacin del voltaje de salida al de entrada (ganancia en voltaje); y
c) ,cOmo varIa la ganancia en funciOn de la frecuencia?
76
EJEMPLOS
Solucin:
a) Se hace el anlisis din.mico del amplificador, para lo cual se sustituye el
transistor por su equivalente en altas frecuencias, obtenidndose:
Ve
CGDD
cs
I
I
TC
GS
RD1 vs
m VGS
7DS
RDS
Figura E.6.6.2. Diagrama equivalente del amplificador de fuente comin en altas frecuencias
( E.6.6. l )
donde:
DS = jWCDS
GD =/WCGD
(E.6.6.2)
Si se cortocircuita Ia salida entre drenaje y fuente, se obtiene que la corriente que circula por el cortocircu.ito es:
77
(E.6.6.3)
A =-- =
(E.6.6.4)
A=
(E.6.6.5)
ye
(E.6.6.6.)
1e = YOS V. + (vDS + 'GS ) GD
(E.6.6.7)
61
V
VDS =AV
SVe
entonces:
+ (1 - A) 'cDe
(E.6.6.8)
dedonde:
=
GS
(E.6.6.9)
+ (1 A) YGD =--Ve
RD RDS
RD+RDS
(E.6.6.1 1)
1 jw(C/g)
1 +jw(CDs+CGD) (RD //RDS )
(E.6.6.12)
EJEMPLOS
expresin de la cual se puede concluir que cuando w tiende a infinito, entonces:
COD
A = CGD+ CDS ;
(E.6.6.13)
(1 .A)CGD
A
(E.6.6.14)
CDS =
Debido a que CDS < CGD , de la ecuacin (E.6.6.13) vemos que la ganancia
en voltaje tiende a ser unitaria cuando la frecuencia tiende a infinito. Y, por lo
tanto, la admitancia a la salida es aproximadarnente 1wCDS /wC0s .
Ejemplo 6.7. Se tienen dos transistores de efecto de campo FET de union canal
N con idnticas caracterfsticas, es decir gm y RDS iguales (ver Fig. E.6.7.1).
Obtenga el voltaje en funciOn de v1 y v2 en la resistencia RL.
SoluciOn.
Sustituyendo los transistores de efecto de campo por sus equivalentes dinmicos, y considerando R1 grande, se obtiene la Fig. E.6.7.2.
VDD
+ DD
RL
RL
JD2_',
G2
lida
,u
Qi D1
Lr)vi
siSi
salida
2
I
+f
Rj
Equivalente thevenin del FET
RDS2
D1
RL
RDSI
12
I
gR DS1 I. GS1
"GS1
S1
V1
(E.6.7.1)
RDSI
(E.6.7.2)
1;
adems se tiene:
gR 1 =u
g,RDS 2
( E.6.7.3)
=U2. y
=0.
(E.6.7.4)
r, + 9 1 (1 + p )r 1
E.6.7.5)
EJEMPLOS
(E.6.7.6)
iRL
RL
(E667)
MV2
--T
+ A (1 + 9) V1
+(2+jA)RDS
(E.6.7.8)
RI
D2
+
D,
V2
-r fR
'DD
GG1
+9)
Figura E.6.7.4. Equivalente final del amplificador de transistores JFET's en seric, en forma
de equivalente de Thevenin.
IVRL
Figura E.6,7.5. Circuito equivalente de la Fig. E.6.7.1 cuando 1osJFET's son idnticos.
Ejemplo 6.8. Se tiene el circuito de la Fig. E.6.8. 1, el cual se quiere que tenga
una ganancia de voltaje de 20 y que se polarice en 'DS = 5.0 mA, VDS = 4.0 V. El
transistor empleado tiene: 'DSS = 10 mA, RDS =30Kg y g = 3.0 m()'.
9 + DD
I
canal IN
+
)ve
iIS
Rs
VS
.JCsj_
(E.6.8.1)
(E.6.8.2)
EJEMPLOS
( E.6.8.3)
VGS/RDS ,
R5 = 1.71/5 X lO 2
RS =3402.
Al hacer el anlisis en corriente alterna C5 se comporta como corto-circuito,
por lo tanto, es posible tener el equivalente mostrado en la Fig. E.68.2.
De la Fig. E.6.8.2 obtenemos:
= g (RDS //RD ) VGS,
(E.6.8.4)
en donde:
VS
A=---- = gm (RDs//RD ),
GS
A=g
(E. 6.8.5)
RDS RD
(E6.8.6)
RDS + RD
in_
(E.6.8.7)
20=3 x lO
.)UA1J
n
1
F
R DS
VGS
RD
en donde:
RD = 8571.5 E2.
(E.6.8.8)
(E.6.8.9)
VDD =
VRS +
VDS + VRD
(E.8.i0)
42.86) V,
VDD =48.57 V.
Ejemplo 6.9. Para ci circuito que se muestra en la Fig. E.6.9.1, obtenga:
a) el punto de operacin:
b) la ganancia si se introduce una variacin ye entre compuerta y tierra: y
c) la ganancia Si se aplica la seflal en serie con
Caracteristicas del FET:
'DSS = 5.0 mA, g,
00,
R T = 0.
R =4OKc7
1GG = -5 V
M
.
EMPLOS
Solucin:
a) Para obtener el punto de operacin se sustituye el modelo esttico y se
consideran las fuentes de seflal en cero, obtenindose:
100 K
DD
RD
R//Rs
G
47\__
VQ0 'DSS
:R5 VDD
R DS +R
VGS
VDDT
S
Is
Luego:
R 1 '7GG
R 2 VDS
= - R1 + R2 + R 1 + R2
( E.6.9.1 I)
'
(E.6.9.2)
''DSS +gJ'
en donde:
RDS VDD
- ( RD//RDs)I.
VDS RDS + RD
(E.6.9.3)
Entonces:
-
DS -
RDSVDD
RDS + RD
(E6.9.4)
(E.6.9.5)
50
06
103
is x
5X103 2x10r3x105x5)
140 X 103
i + 50x 10 6
(2X 10
15X103
V,
40x iO
140X 10 3
VDS =4.76 V.
Luego:
VDD - VDS
ID
RD
ID 20-4.76 A
lOx i0
ID = i.52mA.
(E.6.9.6)
EJEMPLOS
G
0
~R 2
RDs
91'e
~RD
RiAjS
Figura E.6.9.1: Equivalente dinmico para el caso del inciso (a)en don de VGS
b) En este caso:
v
A1
g,
Ve
5 (E.6.9.7)
(l/RDS) + (1/RD) + (1 A 1 )/A 1 R 1
Despejando A I se obtiene:
gm
(l/R1 )
(E.6.9.8)
2 x 10
A1
A1
[1/5 + 1/10
=
10 /100
1/100] X lO
6.93
87
c) Para este inciso se debe considerar el voltaje de entrada en serie con R 2 , por
lo que basta encontrar el voltaje VGS, usar la formula de la ganancia (E.6.9.7)
y hacer una relaciOn en cadena:
VG S
A2
V3
= ______
______ =
Ve
VG s
Ve
E.6.9.9)
R1 /(1 - A 1 )
A2
(E.6.9.10)
A1
R2
R1 /(l A 1 )
lO /(1+ 6.93)
A 2 =[
]6.93
0-4 + 10 + 10/(1 + 6.93)
A2 =
1.66
Ejemplo 6.10. Para el circuito de la Fig. E.6.1 0.1 obtenga las expresiones de
ganancia en corriente alterna en los puntos 1 y 2, considerando que hfe > 1,
gRn3 > l,YhieRD
RD
RD
'
it
(a)
Il j(>
h, !
V2
(h)
Figura 6.10. (a) amplificador de muy alta impedancia de entrada y ganancia indepen.
diente de los elernentos activos: (b) su equivalente dinmico.
88
Solucin:
Para resolver este problema, lo primero que debe hacerse es sustituir cada uno
de los elementos por su equivalente dinmico, lo cual nos da el circuito mostrado en la Fig. E.6.l0-b, donde:
VGS =Ve
- iRs .
(E.6.10.1)
i= it - h16j, .
(E.6.10.2)
Si hie << RD, esto implica que la corriente de base de Q2 es igual a la corriente de drenaje de Q1, es decir:
it
(E.6.10.3)
.1=(l+h fe )1l
(E.6.10.4)
luego:
y
VGS
= V6 (1 + h f6 ) i1 R8 .
( E.6.10.5)
(1 + h 6 )i1 R5 ,
(E,6.10.6)
( E.6.10.7)
(E.6.10.8)
Considerando que;
RDS y g,,, =
hQ
RDS
se reduce a:
grfl 'Ile
11
=
+gm
hfr R
(E.6.10.9)
89
luego
V,
Rs i
R8 ht, 1i .
(E.6.10.10)
gheRs
l+gh1.R3
ye
Si
gh e Rs 1,
entonces
A 1 25 1.0,
V2
V1 + RCi2,
12
= hf
(E.6. 10.11)
( E.6i0.1
i1 ,
gh (Rs +Rc)
= 1 + g, h, R8
Luego, si
2)
(E.6.10.13)
g hf e Rs > I
A2
A2
(E.6.10.14)
Rs
R
R'
(E.6.1015)
0.29
eV,
W 0.1 mm,
e = 25 .
d0 , = 1200 A.
MS = 0.35 eV.
pp =190cm2 /V-seg.
L = 0.025 mm
e0 =8.85X10 2 fIm.
EJEMPLOS
Solucin:
La movilidad se obtiene de las curvas de la Fig. 6.32 como un promeclio, y la
cantidad de cargas superficiales del lado del Oxido en la frontera del Si02 ;
Qss le se obtiene de la tabla 6.4.
Clculo de C0 de la expresin (6.2.9):
C0=
do
25 X 8.85 X 10_ 14
2 ,
= 1200x108 f/cm
(E.6.1l.l)
C,, =0.184j.f/cm2
Clculo de QB:
De la expresin (6.2.14) se obtiene el valor de QB:
QB =(265 60 ND '2F
(E.6.11.2)
1)12 ,
Clculo de :
Para el clculo del voltaje de umbral se emplea la expresion (6.2.17), sustituyendo QB = Q; de manera que:
V
cIMS
Qss
C'0
QB+ 2F
C.
(E.6.11.3)
I =-1.44V.
91
Clculo de
Para calcular se emplea la expresin (6.2.33), obtenindose:
/.L
= 1.4 X
10-4
cou1/(V -seg),
'D
[(Vo + 1.44) VD -
(E.6.11.5)
)2,
(E.6.11.6)
=2
()hl2(/J/)1'2
IDs = -3.OmA;
10' (n)-'
EJEMPLOS
Tabla E.6.1 1.1. Valores para la ecuacin (E.6.11.5)
VD (V)
J'= -2V
VG =-4.0V
'D (A)
'D (A)
'D (A)
-0.5
-2.17 X 10
-1.60 X 10
4.41 X 10
-1.0
-8.40 X 10-6
-2.88 X 10
-8.48 X i0
-1.5
+3.99 X 10
-3.80 X 10
-1.22 X
-2.0
+1.23 X 10-4
-4.36 X 10
-1.55 X i0
-2.5
+2,40 X IT
-4.58 X 10
-1.85 X IT
-4.45 X 10
-2.12 X 10
-3.13 X 10
-2.55 X i0
+3.69 X 10
-2.99 X 10
-3.0
-4i3
+8.06 X 10
-6.0
-9.0
-2.60 X IT
-12.0
-9.40X10 4
Ij (A)
2.19 X 10
VG= -4V
4.58 X 10
VG= -8V
-3.0 X 10
93
'D (mA)
I
Region activa
--
VG 2v
+1
Figura E.6.1l.1. Grfica del comportamiento del transistor MOS-FET propuesto en el ejemplo E.6.11.
V, =-25V.
IDJ VD
021
MPLOS
SolucjOn:
En este caso se cumple que VO y VD = VG.
Para decidir qu ecuaciOn emplear, es necesario saber si bajo ]as condiciones
establecidas el dispositivo estd trabajando en la regiOn de triodo o en la region
activa. Para poder decidir esto es importante sacar la expresin de la curva frontera entre ambas regiones, para lo cual deber recordarse la condiciOn (6.2.31):
.
VD=VG
(6.2.3 1)
=-4--(v - V)2
(6.2.35)
(E.6.12.l)
Tabla E.6.12.2
V,(V)
ID (A)
-2.5
0.0
2.75
5.60 X 10
3.00
2,50X10 5
3.25
5.06 X10 5
3.50
9.00 )< 10
3.75
1.40 X 10
4,00
2.03 X 10
VD (V)
ID(A)
4.50
3,60X10 4
5.00
5.62X10 4
6.00
1.10X10 3
7.00
1.82 X 10
8.00
2.72 X10 3
10.00
5.10x10_3
12.00
8.10 X 10-3
95
1D (mA)
-6
-5
1-.t--
-r
-by
,
/0
Ij
-9V
--8V
--7V
-6V
4
-_
I
-10 -15 -20 -25 -'D'
EJEMPLOS
VD )
Figura E.6.13.1. Curvas caracterIsticas de los MOS-FET empleados para el anlisis del circulto inversor con carga activa.
VDD =12V
L
G D
TD
vs
B
V
il
S
97
La carga activa del transistor Q2 se puede representar por un comportamiento como el que se ilustra en la grfica de Ia Fig. E.6.13.1 para VG = VD, el
cual se puede considerar en serie con la fuerite, y considerar una ilnea de carga
corno la mostrada en la misma figura; de aquf se puede obtener el comportamiento en forma grafica. Asi:
Tabla E.6.13.2
l'e (V)
(V)
Vcarga ('1)
0.0
8.5
3.5
1.0
2.0
8.5
3.5
8.5
3.5
3.0
8.5
3.5
Vs(V)
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
7.0
5.0
6.0
6.0
7.0
5.0
7.0
8.0
4.0
8.0
2.8
9.2
2.2
9.8
V=VJJ-
9.0
10.0
11.0
12.0
EJEMPLOS
Para poder obtener la curva de transferencia de este circuito inversor es necesario ver que la corriente que circula es la misma por ambos canales y que Ve =
para Q1. mientras que v - VDD = VG para Q2. I.uego, con estas consideraciones,
se puede realizar la tabulacin y obtener la curia de transferencia.
Tabla E.6.14.2
VG
I'S(V)
1L
Vs
0.0
2.0
3.0
3.5
5.0
6.0
0.0
2.0
3.0
3.5
5.0
6.0
-12.0
-10.0
-9.0
-8.5
-7.0
-6.0
12.0
12.0
12.0
12.0
11.6
6.0
- 7.0
8.0
9.0
12.0
7.0
-5.0
0.4
8.0
9.0
12.0
-4.0
-3.0
0.0
0.1
0.0
0.0
1412
1 E
4tH
t-2 4 6 8 10 12 14
12
5Or
0
_750
40
40
30
30
20
20
10
10
-8
12
Figura E.6.14.3. Construccin para obtener la curva de transferencia del inversor COS/MOS.
DD
JD
GB
S
ID
,S
p.T-
(r
13
Q1
wo
EJ EMPLOS
Solucin.
Recordando la expresin de la corriente de saturacin (6.3.32) y temendo en
cuenta que para este caso 'DSQ =
considerando que ambos transistores
trabajan en la region activa se tendr:
Si
VG2 = VDD - v,
(E.6.15.1)
entonces:
IDSQ1
V)2 ,
!APEOXWI (e
(E.6.15.2)
ox1 1
0 e0 h2
'DSQ2 = /1c
(D
j/ )2
(E.6.15.3)
ox2 2
L1
)112
(V
- v3
V.
)1J2
(E6.15.4)
(E.6.15.6)
(E.6.15.7)
lo cual iinplica que Ia relacin de ancho a longitud del transistor excitador debe
ser mayor que la misma relacin para el transistor carga.
Ejemplo 6.16. Para tin transistor MOS-FET de acrecentamiento. obtenga:
a) La distorsin en la segunda armnica: y
b) la modulaciOn cruzada en tin amplificador de banda estrecha.
101
Solucin:
a) Si la expresin que gobierna la corriente de drenaje en un MOS-FET de
acrecentamiento en la region de saturaciOn est dada por:
'D
=4-(VG - V)2
(E.6.16.1)
(E.6.16.2)
-[(l'oQ - V)2 +
cos 2 wt
2
(E.6.16.4)
D3 =20 log
D2 =2O lo,g
v /2
2Ve VGQ2Ve l'
ve
4 'GQ - 4 V
(E.6.16.5)
(E.6 16.6)
EJEMPLOS
in2
donde:
J'
(E.6.16.8)
se obtiene:
=
- V) 14 COS WI t +
14
[COS (WI +
w2 )t +
COS (WI -
w2 ) t] +
w2) t].
(E.6.16.9)
y no existe modulacin cruzada o intermodulacin si se emplea un amplificador de banda estrecha y un elemento activo de respuesta cuadrtica como
el MOS-FET.
Ejemplo 6.17. Suponga que se tiene un dispositivo MOS-FET como el que se
ilustra en la Fig. E.6.17.1, en el cual se ha sumergido una compuerta flotante
por donde se inyectan cargas por un proceso de avalancha.
Para una cantidad de cargas Q (coul/cm2 ) inducidas, obtenga el tiempo que
Se tardarla en bajar a la mitad de las cargas.
Solucin:
Para este caso se tendr el espesor del xido, d la distancia entre la capa de
silicio que constituye la compuerta flotante, y la frontera SiO2 -Si. Por lo que la
103
.j
S
E.
-
B
Figura 617.1. Construccin de tin MOS-FET de compuerta flotante.
C1;
cc
=
E.6.17.1
T CO
Ro
en la compuerta flotante.
Qi
0
104
(E.6.17.2)
EJEMPLOS
'
(E.6.17.3)
t=0.69R0 .
Si para un caso tipico se tiene:
= 25, e, = 8.85 X 10' f/rn, d0
entonces
1200 x I
10 m.
p0
= 1.8 x I O1
por lo tanto:
t = 069 x 21.6 x 1010 X 1.84 X 10' seg,
t = 27.4 X 107 seg,
tieinpo que corresponde a:
t = 8.7 aos,
por Jo que puede considerarse que el canal de conduccin estar durante todo
este tiempo. Esto hace a este dispositivo ideal para que Se utilice en sistemas
lgicos en memorias programables EPROM (Electrically Programmable Read
Only Memory), pues existe la manera de descargar la compuerta fiotante mediante una fotocorriente que se produce entre la compuerta y el silicio del
subestrato o fuente o drenaje, al radiar ci dispositivo con luz ultravioleta o con
rayos X, Jo cual permite que se pueda borrar la inforrnacin (Q1 , carga inducida)
almacenada.
105
PREGUNTAS
6.1
6.7
6.10 Grafique la ecuacin (6.1.43) y explique cmo es posible encontrar grficamente el voltaje de oclusin Vp y la constante fl.
106
PREGUNTAS
es equivalente a:
IDGO?
6.29 ,Que pasa si la compuerta de un transistor FET de union canal N se polariza positivamente? Explique.
6.30 La frecuencia de operaciOn del transistor FET de uniOn es liniitada fundamentalmente Lpor las capacidades interelectrdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?
6.31 En la Fig. 6.17, cuI debe ser el punto de operaciOn del transistor FET
de union para que ste permanezca inmvil al variar la temperatura?
6.32
CS
del
transistor MOS-FET?
PREGUNTAS
109
6.29 Qu pasa si Ia compuerta de un transistor FET de uniOn canal N se polariza positivamente? Explique.
6.30 La frecuencia de operacin del transistor FET de union es limitada fundamentalmente Lpor las capacidades interelectrdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?
6.31 En la Fig. 6.17, ZcuM debe ser el pun to de operaciOn del transistor FET
de uniOn para que ste permanezca inmvil al variar la temperatura?
6.32 Qu significan las siglas MOS-FET?
6.33 Cmo se define la funcin de trabajo IMS?
6.34 COmo se definen las cargas en la frontera QsS y Q?
6.35
PROBLEMAS
2,4
I-
raiiii
2.0
1.6
DC
Ara
all
1.2
0.8
0.4
10 15 20 25 30
35
VD (V)
/Ve
en form a grfica.
6.6 Obtenga la diferencia maxima entre la ecuacin (6.1.34) y la aproximacion (6.1.38), en trminos de (V 8/Vp).
6.7 Si para un transistor de union I,
mA para VGS = 3.0 V:
obtenga:
a) el valor del exponente n, ecuaciOn (6.1.39); y
b) elvoltaje de oclusiOn Vp.
6.8 Para el transistor del problema 6. 1, obtenga la capacidad de la compuerta
Co .
111
PROBLEMAS
5.1
Cr=
11.8,
H= 8Mm,
W= lOUi'm, Q=20Mm,
ND = 1018 at/cm3,
1io =0.82 V.
PROBLEMAS
VS
6.13 Para el circuito de la Fig. P.6.121. obtenga la ganancia del circuito i/ve
(considerando pequea seflal y baja frecuencia).
6.14 Para el circuito de la Fig. P.6.14, los transistores que se emplean tienen
las siguientes caracteristicas:
RDS = 10Kg, g 8 =2m(1)-'
Empleando los circuitos equivalentes dinmicos, calcule:
a) la ganancia v0 /v1 , si v2 = 0 : y
b) la ganancia v0 /v3 , si v1 = 0.
6.1 5 En un material de silicio orientado en el piano 110 se construye un transistor MOS-FET canal P de acrecentamiento, bajo las siguientes condiciones:
Figura 6.14. Circuito con dos transistores FET de union para el problema 6.14.
113
DD
igura P.6.9.
S.9
. 10
fl
RD
VDD
1-
ura P.6.10. Amplificador de conipuerta comc.tn uti]izando un FET de union canal I'.
PROBLEMAS
30 V
vs
30 V
5 Kz
BR = 10V
10
ii: i
12SOC
E
VG
16 V
or
',
r--i--i----
25C'
12
18
24
30
BIBLIOGRAI:IA
BIBLIOGRAFIA
CARR and MIZE. MOS-LSI Design and Application. Texas Instruments Electronics Series, McGraw-Hill.
MILLMAN, JACOB y HALKIAS, CHRISTOS C. Dispositivos v circuiros electrnicos. Pirmide.
SEVIN, LEONCE J. Jr. Field Effect Transistors. Texas Instruments Electronics Series, McGraw-Hill Book Co.
SZE, S.M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley International Edition.
J. TORKEL WALLMARK HARWICK JOHNSON. Field Effect Transistors.
Physics, Technology and Applications. Prentice Hall.
VAN NOSTRAND REINHOLD COMPANY. MOS Integrated Circuits. Theory,
Fabrication, Design and Systems Applications of MOS-LSI.
117
0+
JD
._Jt 4-'
LL
:-
I1:
VDD/2
VS
0
ve
4!
CapItulo 7
TRANSISTOR MONOUNION (UJT)
INTRODUCCION
El transistor inonouni6n es un dispositivo de tres terminales que presenta caracterIsticas de impedancia negativa entre sus terininales de emisor y base uno,
cuando una polarizacin positiva se aplica entre base uno y base dos. En algunas de sus caracterIsticas elctricas este transistor se parece al thyratrn, pero
en general sus caracterIsticas elctricas son nicas y no tiene comparacin entre
los dispositivos de estado sOlido. En la mayorIa de Jas aplicaciones del transistor
se hace uso de una o ms de sus cuatro particulares caracterIsticas:
1. Uii voltaic pico estable (el cual es una fracciOn del voltaje aplicado entre
bases):
2. toia corriente pico pequeiia:
3. una caracteristica de impedancia negativa (la cual Cs IIIUY uniforme de unidad a unidad y estahie con la temperatura y el tiempo): y
4. capacidad de manejar alta corrielite en forma pulsante.
Bas
Depslto de oro
UninPN
formada
por el eontacto rectiricante M-SC
Emisor
Aluminjo
SC
Base
uno
I'eerinjca
j:
V%
(a)
- - -. '
nivel de vacio
nivel de vaclo
%77/7?7/
P;/,7,/BM
a
cm
Nivel de Fermi
Nivel do Fermi
9EMEMM
Antes de la
union
semiconductor N
Metal aluminio -
EF
Despus de Ia union
BV
(7.2.1)
Para el caso de una barra de semiconductor tipo N se polariza B2 positivamente respecto de B1 , y sta se conecta a tierra; la corriente que circula entre
B1 y B2 hace que en la terminal de emisor aparezca un voltaje positivo con respecto a B1 pero menor que ci voltaje en B 2 , voltaje al que normalmente se le
llama:
77<1.
Este voltaje VEB1 hace que la union P-N de emisor-base uno est polarizada
inversamente para voltajes de emisor menores que 77 1'2B1 y la contribucin de
la corriente inversa del diodo formado entre emisor-base uno ('Eo) es casi
despreciable, comparada con La corriente entre bases. A la 77 se le llama razOn
de apagado intrInseca o interna.
Si ci voltaje aplicado en ci emisor excede al valor de 77 VB.,B, por una canti-
(7.2.2)
Conductividad general
Si
a = e (/l p p + jin)
a= eJJ fl hZ
1EB1
p=
<1 1R2
Si T EB >flin2B1 + T D
1
a = e (IlpP + in)
L/1 1 1?
P-e(
) p + in)
'B1 (V)
Punto pico
1IP
RegiOn de
apagado
o de
corte
Regionivde
iinpedai
tiegativa
Pinto valle
= 15V
VBl B2 = 0
aw
'E(TIiA)
Figura 7.3. Caracteristica esttica de emisor de un UJT.
Figura 7.4. Caracteristicas estticas entre bases para el transistor monounidn UJT.
La corriente de las curvas para una
dinmica entre bases:
'E
avBI
REB=---
(7.2.3)
1E=etc
1 -~;
0-
B1
En este circuito no se han considerado ni la resistencia negativa ni las limitaciones en frecuencia, por lo que solo resulta vlido en La region de corte o apagado.
Analizando el circuito equivalente propuesto (Fig. 7.5) se puede concluir
lo siguiente:
123
RB1 B2 = RB1 + RB 2 ,
R 1
= RB1 +
V=VEB 1
(7.2.4)
R81
(7.2.5)
=fr+ VD
RB1
RB1 -- RB2
(7.2.6)
= 7 7 VB2 +
en donde
17 =
R8
RBI
RB2 = RB2B1
(7.2.7)
E IO.8VRB2
VE
_R
T RB1
II
I
oB1
JE
VF
+R +
Figura 7.7. Circuito equivalente para una resistencia negativa; R2 1 > IRI.
124
Ii = ( 1 )IE
)IE
VE
R =---= RB I (I -
B2
VD
RB2
IE
RS
VIE
B1
o oFigura 7.8. Circuito equivalente del UJT para la region de corte y de resistencia negativa.
7VBB
125
donde:
R1R 2
RB1+RB2 (l
)IE
Yaque J? = Vla
V1
1"ib
R81 RB,
=
+
D
1
B1 +IB,
(1 -
(7.2.9)
+ Rs IF .
(7.2.10)
donde l' es ci voltaje de umbra] del diodo de ernisor base uno. y Rs es la resistencia que presenta el diodo en esta region, la cual corresponde aproximadamente a la pendiente que se presenta en la regiOn de saturaciOn de las curvas IF
(ver Fig. 7.3).
Sustituyendo las ecuaciones (7.2.9) y (7.2.10) en la (7.2.8), obtenernos:
R B1 RB2
VE=??VB
+ RBI+RB2 ('
) JE
V+RS IE
( 7.2.11)
126
(7.2.1 2)
V=
VU+nVB1B2
[(VE
VU RSJE)6O
RB I,.RB,IE
R +Ra2 +RsJE,
RB1 R 2
Si:
RT=
RB1 +RB2
(7.2.13)
VE=
BB +(RT+ Rs ) JE+Rs6oRT4 ,
l+6O RTIE
( 7.2.14)
dV
RT
dIE -
( l+6ORTIE)2
(7.2.15)
Se puede ver que esta expresiOn cumple razonablemente con las caracterIsticas
reales de un transistor monounin, de manera que:
dIE I
00 1/6 6 0 R - R - R).
=-
la cual debe ser negativa, es decir, que siempre se dcbe cumplir quc:
77 VBB
(R1 +R).
(7.2.16)
127
RRs4
tim
= urn
'E4' WE
1E(l + OR7IE)2 =
(7.2.17)
nJ B 5o RT =
0.
IE
= Iv
25o RT Rs
P6ORT) I
(7.21. 18)
Jv=
ORT
(7.2.19)
En este caso sOlo se ha considerado la raIz positiva, pues es la que tiene sentido ffsico. Si adems se considera que:
[(Rr IRS) (nVBBO - 1)}12 ,
entonces:
1
ORRT - &RTRS J1/2 ,
'l?VBB
(7.2.20)
vvvu+
128
l+ORTIv
(7.2.2 11
14,
Si,
R22
entonces:
VBB Vl
'B2 = (1 n)RBB
(7.2.22)
Si
14 = frj. -
RSIE
(l n)RBB
dc clonde
IB - EB
RBB
RTIE
(l)
RBB
(7.2.23)
(7.2.24)
(7.2.25)
Solucin:
a)
RBB
=P4_,
2 mm
cm) mm x I mm
RBB = 200(
2 mm
0.8 mi
RBB = 4000 2.
Lmisor
Ll
Base uno
se establece una regla de tres simple para obtetier RB2 y RBI . AsI:
4000 cl
2 mm
0.8 mm.
x
entonces:
RB2 = 1600 92;
Y:
RB 1
77
RBB - R R , = 2400
RB1
- 2400_s
R
1
- 4000 - .6,
RB1 +
RT = RB1 //RB,,
RT= 960&2.
130
Vu.
(7.2.21)
1 +80 RTIV
14.4+ 0.01 Rs
6`) 11.51 + 0.096 R s
(E.7.1.1)
11.525 14.4
Rs 0.01 + 0.096 So '
(E.7.1.2)
Rs = 32.83 S2 .
..
(E.7.1.3)
y en la expresiOn (7.2.24
1;3B
pin3
-
4000 +
- 1
1 + 1.689 X 10' /E
(E.7.1.4)
131
TRANSISTOR MONOUNION
TABLA 7.1
1`;313
0.0000
VBB
VBB
VBB
VBB
litB
2.5000
5,0000
10.0000
15.0000
20.0000
0A
0.8000
2.3000
3.8000
6.8000
9.8000
12.8000
10 AA
0.8098
2.2848
3.7599
6.7101
9.6600
12.6100
100 /.1A
0.8854
2.1686
3.4518
6.0180
8.5850
11.1500
1.0 mA
1.1898
1.7475
2.3000
3.4200
4.5360
5,6514
5.0 mA
1.4723
1.6310
1.7900
2.1000
2.4250
2.7424
10.0 mA
1.6650
1.7487
1.8300
2.0000
2.1600
2.3354
15.0 mA
1.8400
1.8900
1.9530
2.0600
2.1800
2.2379
20.0 mA
2.0000
2.0500
2.0950
2.1800
2.2670
2.3537
30.0 mA
2.3400
2.3700
2.4000
2.4590
2.5170
2.5748
40.0 mA
2.6740
2.6960
2.7180
2.7610
2.8000
2.8488
50.0 mA
3.0000
3.0210
3.0400
3.0750
3.1100
3.1440
100.0 mA
4.6500
4.6580
4.6670
4.6850
4.7030
4.7200
VBB
VBB
I/BB
'
VBB
BB
0.0000
'BB
2.5000
5.0000
7.5000
10.0000
15.0000
OA
0.0000
0.0006
0.0012
0.0018
0.0025
0.0037
5.0 mA
0.0009
0.0029
0.0048
0.0068
0.0087
0.0126
10.0 mA
0.0052
0.0072
0.0093
0.0113
0.0133
0.0173
15.0 mA
0.0124
0.0145
0.0165
0.0186
0.0206
0.0247
20.0 mA
0.0225
0.0246
0.0267
0.0287
0.0308
0.0349
NN
VE
1E
TABLA 7.2
N.N.,....NI:B.N.N
2
'EIE
IE (m
Figura E7.1.2. Grafica de las caracteristicas de emisor, segan la teoria desarrollada para
el UJT.
(N)
Figura E.7.1.3. Grifica de las caraeteristicas entre bases para el UJT propuesto.
133
7.3. SIMBOLO
En este caso se hizo el an6lisis de un transistor monounion construido a partir
de una barra semiconductora tipo N. pero se puede hacer exactamente lo mismo al construir el dispositivo a partir de una barra setniconductora tipo P. En
la Fig. 7.9 se muestran los simbolos empleadus para el transistor monounion.
1:
FH 8
Barra tipo N
Barra tipo P
C0110-
TABLA 7.3
Parametro
Nomenclatura
Definicien
Voltaje en el
punto pico
VP
Voltaje en el
punto valle
Vv
Voltaje entre
bases
VBB
Voltaje inverso
de emisor
VER
Corriente en el
punto pico
/P
Corriente de
valle
iv
Corriente de
base dos
/ Bi
Corriente de
base uno
/B1
Razon intrinseca
de apagado
17
Resistencia de
base uno
RI31
Resistencia de
base dos
R.2
135
Nomenclatura
Resistencia
entre bases
RRB
Resistencia
paralelo
R'T
Resistencia de
satura eion
Rs
Corriente de
emisor maxima
'EM
Es la maxima corriente que puede soportar el dispositivo entre emisor y base uno, sin que se dafie,
por un pequefio instante.
Potencia de
disipaciOn
maxima
PD
Es is potencia maxima que puede disipar continuamente el transistor sin que se dafie.
Corriente
promedio de
emisor
IE
Temperatura de
la union
T1
Frecuencia
maxima de
trabajo
fju
Corriente de fuga
de emisor
IEo
136
Defuncion
UI EM PLO S
EJEMPLOS
Ejemplo 7.2. Para el circuito mostrado obtenga sus ecuaciones de funcionamiento.
1 .ti.
I p - - - --p-
R1
13' !
I:
L'
__L ,.
- -* - -
l '
I1 R
it
k2
ip
II.
i
Figura E.7.2.1, Circuito oscilador de relajaciOn simple y ciclo de relajacion para un UJT.
Solucion:
Funcionarrziento. El condensador de emisor se carga hasta un valor tal que hace
que el voltaje entre emisor y la base uno sea igual o mayor que el voltaje
logrando con esto que el transistor pase a operar en la region de impedancia
negativa o en la region de saturacion, haciendo que el condensador se descargue
bruscamente, hasta que se Ilegue a un valor en que no pueda suministrar la
corriente que el emisor demande y se pase nuevamente a la regi6n de corte,
repitiendose el ciclo y obteniendose una oscilacion, la cual se denomina en este
caso oscilacion de relajacion.
A ndlisis.
Del circuit de la Fig. E.7.2.1, cuando
= R2 VB /(R2 +
RBB.)
= 0, es decir VE = 0, tenemos:
(E.7.2.1)
137
For to tanto, para asegurar que el condensador se cargue y logre Ilevar al dispositivo a la region de impedancia negativa, se debe cumplir que:
VB
condicion de disparo:
R,
- - R2
R,
(E.7.2.4)
+ VD+ RBB R2
es deeir:
R 2 VB
r VBI3 + VD +
R+
BB_ R 2 L _
de donde:
R2Iv) (1
4- + R2/17;
(E.7.2.5)
RB2 VB
RBB + "2
R, Cfln
Vv
R2/V
n
./.82 vB n.BB -I- R2)
VD
(E.7.2..6)
138
R2
t/(12B+ ROC ;
(E.7.2.7)
EJEMPLOS
luego, el condensador se descarga hasta que el voltaje alcanza el valor del voltaje
de valle. Asi:
R2 VI?
+ R24 = (V, +
Vc =
RBB + R2
(E.7.2.8)
+ R2 VB (Rga
2v
Vv+ RI
+ R2
(E.7.2.9)
(E.7.2.10)
-21
IV
/7
IV
I
Altura de la espiga
R,I i
s
r i r
1
R2 (R, + n RBB) vB
1
i
I
IT 1 , ,
r.:-...4.------.1
1
1
vB,
+ R 2 VD/(RBB + R 2 )
I
I
1
1
.4..11.2,1
/2 -1
6.0 KS2
/p = 4.0 p A ,
= 2.7 V.
f = O. MHz,
Rs
= 50 ci .
D
= 0.56.
= 19 mA.
PD
FE R
0.5 W.
60 V.
= 0 8 V
139
Soluckin:
Debido a que lo mas importante es la altura de la espiga, se debe satisfacer que:
R2 VB ( R 2 nRBB
(Rs + R2 ) (R2 + RBB)
(E.7.3.1)
Se tiene esta ecuacion con dos incognitas, VB y R2 ; por lo tanto.se puede proponer R2 y calcular cual debe ser VB para la polarizacion del circuito oscilador.
Normalmente R2/v < 5 V, por lo que proponiendo R2 := 82 y sustituyendo datos en la ecuacion (E.7.3.1), obtenemos:
5 (Rs + R2 ) (R2 + Rim) ,
R2 (R2 + nRBB)
);
1/
(E.7.3.2)
'
11B = 14.22 V,
R BB VB
R 2 + R BB
l';n3 = 14.03 V.
Vp
n Vas
Vp 7.86 V.
Utilizando las condiciones de oscilacion y apagado se puede establecer que
RI esta acotada entre:
<
R1 >
n=
524.2
: entonces:
EJEMPLOS
C = 0.6 pf .
Utilizando la ecuaci6n (E.7.2.5), y considerando que el period() de oseilacion es T = I inseg, es posible calcular el valor de R1 ; esto es:
t1 = (1000 50) mseg,
t, = 950 ttseg ;
R=
950 X 10-6
0.6 x 10-6 Qn [(14.68 2.7 1.56)46.37 + 0-8 )]
,
= 2530 f.1
Finalmente, el oscilador queda como se muestra en la Fig. E.7.3.1, con la
demostracion de sus respectivas formas de onda:
Vc (V)
14.68V
8.85
r -
4.26
1 in sci
2 iii scg
(V)
ii
1.56
0.19
1
5011seg
50pscg
Por la forma en que opera, en este tipo de oscilador se requiere que el tiempo de descarga sea mucho ms pequerio que el de carga, por lo que si queremos
tener tiempos equiparables es necesario pensar en otro circuito.
Ademas se ve que R2 es mucho ms pequeria que RBB , por lo que la ecuacion (E.7.2.6) puede reducirse a:
=
R i an
VBB VV R2 IV
(1 17) Kr3 VD )
t2 = ( Rs + R2 ) C2n
Vp + R2 VB/RBB
Iry + R2 Iv
(E.7.3.4)
Solucion:
El condensador C se carga a traves de R I hasta que adquiere suficiente carga
para que el transistor monounion se dispare; en este momento el voltaje entre
emisor y base uno tiende a disminuir, obteniendose en consecuencia que el
diodo D se polariza inversamente y C empieza a descargarse a traves de R2 anicamente, hasta que se alcanza el voltaje de valle del emisor y entonces se apaga
este y se repite el
142
EJEMPLOS
Operacion:
Condicion de disparo: Si el voltaje de conduccion del diodo externo se considera igual al del diodo de emisor base uno, se tiene:
R2 VB
R t + R2
> Vp
7? RBB
pp,
.s.BB R 3
condicion de disparo.
(E.7.4.1)
Ademas la condicion de apagado es que, cuando el emisor este conduciendo, la corriente que circule sea mas pequefia que la de valle, es decir, que el dispositivo trabaje en la region de impedancia negativa. Asf:
Va
, se considera VB > V,, condicion de apagado.
R, < I
Si se denomina con VI el voltaje inicial del condensador, entonces este se
carga desde i hasta Vp, de manera que:
R2 V8
+ R2
(E.7.4.2)
luego, la carga dura hasta que el voltaje del condensador alcanza el voltaje pico,
es decir:
R, VB
77 RBBVB
tORI/ai2)c)+ FF .
=(
V,) (1
VC = VI)
R, +R2
RBB + R,
(E.7.4.3)
Finalmente, "ti " queda:
t, = (RI IIR2 )C12n
R2 VLAR + R2
irp
4%2
,
'ABB .
(E.7.4.4)
3/
=V
e(r/R2C)
021z
(E.7.4.5)
18
16 m
>
7.
9
--:
7.0
c.)
-a
'B = j.
02 4 6 8 1Q12 14 16
Corricnte de emision (mA)
20 ! . .
25C /E. = 50 mA
1
g LT
_A=H
-,Z
,di
I I
5 16,
111 40
w 14
3o
jAp
eit10-- - Recta de carga
2 12
10 . r,ve 20 para la polarinciOn
a. _ Aim.......p...---ie, bases
=
1.-- 10 5
'' 8 a
''al link; PI I
II
Pb. 1.
i 4 .a..
0
fl,,LTAXIII..
cd "!.
ow"
00
5 10 15 20 25 30 35 40
Voltaje entre bases (V)
(h)
(a)
Solucion:
Sc usarti el circuit propuesto en el ejemplo 7.4. Sc propone 17B 40 V. y
4 Kn.
Luego, observanclo la curva de la Fig. E.7.5.1-b, se puede obtener:
R3 =
R80
k= 0 -
25V
2 mA
De la Fig. E.7.5.1-b yea el punto P3 , el cual permite determinar EBB, esto es:
RBB
D
D
rk. 3 -r n BB
2.6
40 --IV=
16.5
Y observando la curva de la Fig. E.7.5.1 se puede ver que para un VBB de aproximadamente 30 V el voltaje pico corresponde a 15.5 V; y considerando VD = 1 V,
tenemos:
VBB
7?
17
144
13B
= 0.48.
MMPLOS
R,>
'
entonces:
40
16 x 10-3
"
entonces:
(E.7.5.1
.. 1.75 R2 > R, .
Si se propone R, = 5 K. de la grafica de la Fig. E.7.5.1-b se ye que la corriente de emisor esta alrededor de 7.5 mA luego, interpolando en la Fig. E.7.5.1-b
se encuentra que
16.5 V, (ver punto P, ). Llevando nue.vamente el dato
/.7 V (ver
de Vi3r) on sobre Ia curva de la Fig. E.7.5.1-a, se cncuentra que
);
y
tambi6n
de
la
Fig.
E.7.5.1-b
se
observa
clue:
Punto P2
= 30V. (ver punto P3 )
4= 0
-
Para calcular los valores de las resistancias, se hacen varios tanteos, pues a pesar
de que r y t2 pueden vaiiar en forma relativamente independiente, cuando se
.
pide que eumplan con una_rela.cian no es' facit conseguirlo.
entonces:
R2 (= 59.49 X 10-6,.
Primer tanteo:
Si,
R2 = 1.5 Kf2 .
entonces.:
3.97 X 10-9
r:
-
145
Segundo tanteo:
Si,
R2 = 5 Ks7 ,
entonces:
C= 11.9 nf ;
t, = 34.09 llseg.
Finalmente:
133.3 Asee,
t, + t, = 134.09 pseg
de
ti > 3.
t,
a)
15.5V
t
1
I
-_2.7V1
-..--...i
40V
1
I
4K SZ
5K a
SKS-2
1 2nr
/12
/rE
V8 2
_i _ .....,
1
t
1
1
it
1
i
VB, ,--1- - - - 1
2N494
Bi
It
- ,
rr(pseg)
I
- - - ii30V
- - -
i1
-- -
168
268 302
16.5V
402
tiscg)
I
I
I 1.7V
(2
34
l(
20V
I. ( ltisegi
ElEMPLOS
Ejemplo 7.6. Analice el circuito que se muestra y de sus ecuaciones de comportamiento, asi como sus formas de onda (generador de diente de sierra). Los
transistores Q1 y Q2 estan apareados, es decir, sus caracteristicas son identicas.
n2
Q3
13 1
Solucidn:
Analisis: La parte del circuito formado por el condensador y el transistor monouniOn se comporta como el oscilador de relajacion mostrado en el ejemplo
7.2, por lo que unicamente interesa analizar la parte compuesta por Q, Q.2 y
RI . En este caso se tiene que al considerar:
VB VB.
1131 + ICI + IB2
=1,81 + 13 1 1
Si los transistores son iguales y la terminales de base-emisor estdn en paralelo,
entonces VEB I = VEB2 e /Bi = .432 por lo tanto:
It = (0 + 2)/B.,
12 = 131B2
.,
entonces:
12 = 11
VB 1121 .
(E.7.6.1)
147
TRANSiSTOR MONOUNION WT
Vv)C
(E7.6.2)
12
/2
(E.7.6.3)
= (v Vv) C
V8 /R 1
(V77 Vv ) C
C (71 VvIVB )
V1)
(E.7.6.4)
Y si
,
entonces:
(E.7.6.5
f = nRI C
La condicion para que este circuito oscile es que:
< R7 <
(E.7.6.6)
EIEMPLOS
Rt C
Hz
Si,
IT= 5 mA,
entonces,
5x 103
Ri
= 5 Krz
C = 80 nf.
1
5 x 103 X 80 X 10-9 [0.6 (2.5/30)]
Hz
1= 4838.71 Hz.
A continuaciOn se muestra el circuito disenado y las formas de onda que se
obtienen.
+25V
2N3638
5K1
il 1
2N492
I 1
1.5V .- - - - 8Onf
It
It
I1
1
1-
1
2001iscg
(a)
i 1
...
400psq:1
(h)
Figura E.7.6.2: (a) circuito oscilador diente de sierra de 5 Hz; (b) formas de onda en el conde nsador.
149
Tisanda
VBE
cte
(E.7.7.1)
EJ EMP
Vv = 3.0 V, VD = 0.8 V,
Rs = 20 SI,
RBB
6 K2, /p = 3.014A.
= 15.0 mA;
/z min = 1 mA,
IzT = 5 mA.
R2)]A + R2 /01
RBB R2 =
11.91 V.
TRANSISTOR MONOUNION
l
;
n RBE)
(Rs + R2 ) (R2 + Raa)
V, = 8.46V:
Cuando ta eSpiga estd par terminar se tiene un voltaje de .11/ R2 siendo en este
easo del siguiente valor:
R2 /v = 0.71 V.
Luego, para asegurar que aun asi se tiene el transistor Q3 en saturacian, se necesita que:
R
VB
Z.
VCEQ 3
V,
R, = 15
-- X 103,
5
R, = 3 KO..
= 100.
Y
18Q3mn = 1R4/13
entonces:
113(23 min = 50
R2 Iv
VBE
.18Q3
R3
entonces:
in
= 50 I.LA,
2200 11
R3=
1500c2 .
se propone:
152
'
-ZT
Ya que
)1' 'B424 ;
EJEMPLOS
Si
C2 = 0.1 X 10-6 f,
R6 =
Ka ,
BB VB
= R-
16V.
RBB
luego, el emisor se disparara cuando el condensador
VC 2 = VP427 +VD
-=TIVBBQ
+VD
C2
10.40 V,
En esta forma erVoltaje del condensador deberair desde el voltaje valle }last a
VC2 = 10.40 V, es decir, que la excursion total sera de:
V.= 10.40 Vv = 10.40 3.0 = 7.40 V.
Finalmente, el voltaje incremental por escalan sera:
A V,- 2
7.40 V
0.74 V.
10
7,40 V
# pasos
SO X 10-6 /
0.1 x 10-6
de donde:
-Le s
Vz
VBE
5.6 0.6
=
33782;
1.48X 10'
entonces:
Rs = 3300 2.
con lo que el circuito queda disenado totalmente.
A continuacion se presenta el diagrama general y las formas de onda que se
obtendrian:
153
7 TRANSISTOR MONOUNION UT
+ 20v
= 3.9K17
Kalida
0.64 p
(a)
3.0
1-
2111 seg
10
20 m seg
154
PREGUNT
PREGUNTAS
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
Dip (mill es la ecuacion que riize el comportamiento del transistor monounion desde el moment() en que el emisor empieza a conducir. y para
cualquier corriente.
7.8
Diga cOmo es posible eneontrar el valor del voltaic valle y la corriente Valle para el transistor Ulf a partir de la ecuacion (7.2.15).
7.9
156
rROBLI-MAS
I 'I? 0 131.I.:N1.1S
7.1
7.2
7.3
Si el voltaje de valle para VEE = 5.0 V es de 2.5 V e tif = 5.0 inA, con
, considerando que d/v /dliia = 0. obtenga el
1000 a 6 = 1.8
voltaje de valle para VBB = 15 V.
RT =
la expresi6n (7.2.15), que nos da la impedancia dinamica del transistor monounion, obtenga la pendiente negativa maxima y diga como
depende de /E .
7.4 De
7.5
157
7.7 Para el circuito que se muestra en la Fig. P.7.7, obtenga las ecuaciones de
funcionamiento y las formas de onda en los puntos (1) y (2).
VB
Figura P.7.7. Oscilador de relajacion simple con resistencia en serie con el capacitor.
7.8
7.9
158
PROBLEMAS
7.10 Explique como funciona el circuito de la Fig P.7.10 y obtenga las ecuaciones de funcionamiento y las formas de onda en los pun tos (1) y (2).
Dz
VB
p1
R2
VB RA
0 _
Vs
R3 +R4
R4
IC
159
7.12 El circuit que se muestra en la Fig. P3.12 constituye una sirena electronica. El transistor LUTI oscila en baja frecuencia mientras que el transistor UTT2 barre de frecuencias bajas a frecuencias altas:
a) analice el comportamiento del circuito:
b) establezca las condiciones de oscilacion:
c) obtenga las ecuacionts de funcionamientOfy
d) obtenga las formas de onda en los puntos (1), (2) y (3).
16(.2
Figura P.7.12. Sirena electrOnica con ajustes de baja frecuencia (PI ) y de alta frecuencia (P2 ).
UJ T1 = CJIT2 = 2N494: 01 =132 =133 = 150.
160
B1BLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA
SOWA, WALTER A. & TOOK, JAMES M., Special Semiconductor Devices, Holt Rivehort, Winston.
161
Capitulo 8
DISPOSITIVOS DE CUATRO
0 MAS CAPAS
INTRODUCCION
Los dispositivos de cuatro o mas capas se construyen alternando regiones P y
regiones N y en total tienen cuatro o mas regiones distintas. En este capitulo
se pondra especial enfasis en el diodo controlado de silicio (SCR) y en el intorruptor triodo para corriente alterna (Tr-AC switch o TRIAC), aunque se describen en forma somera otros dispositivos de esta misma familia tales como:
DIAC, SUS, SCS, GTO, PUT, SBS.
Los dispositivos de cuatro o mas capas son elementos que trabajan con ambos tipos de portadores (por lo tanto son bipolares) y su comportamiento se
puede comprender entendiendo los dispositivos bipolares de tres capas (transistores bipolares). Existen analisis complejos para los dispositivos de cuatro o
mas capas; sin embargo, Ebers* desarroll una analogia con dos transistores
bipolares para explicar el comportamiento electrico de estos dispositivos, la
cual da resultados suficientemente cercanos a la realidad y la cual se puede
expander para el caso de dispositivos de cinco o mas capas.
8.1. ANALOGIA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISPOSITIVO DE
CUATRO CAPAS
Para un dispositivo de cuatro capas existen tres uniones y cuatro posibles metodos de presentarlo como elemento de circuito, tal como se ilustra en la Fig. 8.1.
El comportamiento electric de un diodo de cuatro capas o diodo Schockley
(sin alimentacion en alguna compuerta) es, como se menciono anteriormente,
*
I 63
dificil de obtener en forma teorica; sin embargo, es posible justificar los resultados que se obtienen experimentalmente con analoglas relativamente sencillas.
En la Fig. 8.2 se muestran las caracteristicas y las analogias mencionadas.
a2
ce,
dnodo
cd todo
A
M
o
11b.4141114M
!ISM
CI
SI
n
il N K
1
G2
UL
Compuertas
(b)
N 1 P2N
U1
U2 U3
G2
(a)
A
0
N2
Sha N
U2 U3
G1
N2
--0
's
IV3
P1 s
P2
N2
U2
43
.
U3
U1
ti2
L13
G
(c)
(d)
Figura 8.1. Las cuatro posibles presentaciones de un dispositivo de cuatro capas PNI'N como
elemento de circuit electric.
.A
'.4
as
I/
El
N
K
(a)
P2
min
no
IB1
Q1
G2
IC2
N2
N2
C1
.-11, 110
IB2
1G
(b)
Q2
I
.i K
K
Figura 8.2. a) Curva caracterfstica de un diodo de cuatro capas. b) Analogia con dos transistores bipolares de un diodo de cuatro capas.
164
(8.1.1)
(8.1.2)
= cdE
1c 2 = a2
(8.1.3)
/col
(I
(8.1.4)
ICO2
7"" IC2 ,
+1C01
(8.1.5)
(a 1 + a2
donde Ic; es la corriente en la compuerta del dispositivo; a l y a 2 son las relaciones entre la corriente de colector a emisor para los transistores Q1 y Q2 respectivamente; /col e ico2 son las corrientes de fuga de colector-emisor con la
base abierta para los transistores Q1 y Q2 respectivamente.
Si se observa la ecuaciOn (8.1.5), se puede ver que todo el nurnerador es pequefio, pero que sin embargo /A crece en forma desmesurada cuando (a, + a2 )
tienden a la unidad; entonces se dice que el dispositivo ha alcanzado el voltaje
de conmutacion (I') y cambia de no conduccion a conduccion, es decir, pasa de
la region 01 a la region 23 (ver Fig. 8.2-a), pasando obviamente de forma brusca
por la regiOn de impedancia negativa 12.
Para tener una idea mas precisa del comportamiento interno de un dispositivo de cuatro capas es util observar y meditar un momento acerca del diagrama
de bandas de energia de los mismos, el cual se ilustra en la Fig. 8.3.
En el estado de equilibrio cada una de las uniones tiene su propia zona de
vaciamiento (Fig. 8.3-a). Cuando se aplica un voltaje de polarizacion positivo
entre anodo y catodo del dispositivo, la union U2 estar polarizada inversamente hasta quc la inyeccion de portadores debido a la ruptura de la uniOn permita
que las tres uniones queden polarizadas directamente y sobrevenga la conmutaciOn (Fig. 8.3-b), momento en que la caida de potencial entre anodo y catodo
165
estard dada por la suma algebraica de Las caidas de potencial en cada una de las
uniones; es decir:
VA K = V1 + V2 +
0A
P1
(1
N1
V3
E
P2 N2 ____K
p
U2
U3
-77-N._ d--7.\___
i
Ec
l
f 1
...
&.r v
flm
+ v,
ill
(a)
Condicion de equilibria
+ v2 _ + v3 (14
A N
4.1Mil N2
EC
--\-----i p N.--
NI
c,4H
+ VIPI M
-...-\
+ v,_ + v3 _
N1
N1
M P2 M N2 I
de--\21.E F
OK
_
(c)
Condicion de encendido en sentido
directo (polarizaciOn directa entre
anodo y catodo)
Err
Figura 8.3. Diagramas de bandas de energia para un dispositivo de 4 capas.
166
aA
AK
mKT
2n ( + 1); I
Io
0, (8.1.6)
donde el primer t6rmino corresponde a la zona TO (Fig. 8.4) y el segundo termino corresponde al comportamiento de un diodo rectificador polarizado en
sentido directo.
La constante m generalmente es mayor de 2 y depende fundamentalmente de la fabricaciOn del dispositivo. Las constantes Ao, a y n dependen de las
caracterfsticas de las regiones con que se fabrique el dispositivo, es decir, de
la concentracion de impurezas; de si las regiones son abruptas o de otro tipo;
de la seccion transversal del dispositivo y de otras. Estas se pueden obtener
teniendo tres puntos de la curva caracterfstica del dispositivo.
La aproximacion aqui propuesta vale para corrientes de anodo mayores a
cero, pues en caso contrario el primer termino de la expresion 8.1.6 pierde sentido ffsico.
167
Ejemplo 8.1. Sea un diodo de cuatro capas de silicio del cual se quiere obtener
sus curvas caracteristicas; el diodo se trabajara a temperatura ambiente y las
constantes valen:
KTIe = 0.026V, m = 2.5, 1 = 5X 10-6 A, A0 = 3X 105 ;
a = 4.64 X 10" A, n = 0.9.
Solucion:
Sustituyendo estos valores en la expresion (8.1.6) se obtiene:
TABLA E.8.1 1.1
168
.1A
VAX
IA
VAX
mA
mA
0.0
0.0
1.2
34.65
0.1
23.53
1.6
23.20
0.2
37.8
2.0
14.88
0.3
46.08
4.0
1.59
0.4
50.32
6.0
0.64199
0.5
51.8
8.0
0.4851
0.6
51.37
10.0
0.495
0.7
49.71
15.0
0.52
0.8
47.25
/0
0.54
0.9
44.31
30
0.5654
1.0
41.14
50
0.60
100
0.643
Is
AK
Figura 8.5. Grafica del diodo de cuatro capas propuesto en el ejemplo 8.1 cuando se trabaja
en sentido direct.
_ (f A la )
mKT
12n ( + 1),
(8.2.1)
10
Ejemplo 8.2. Trazar las curvas caracteristicas estaticas de un SCR que tiene las
siguientes constantes:
m = 3, /0 = 10" A.
a = 1.53 X 10-3 A,
A, = 5 x iO 2, B = 107 12/A.
Solucian:
Sustituyendo estos valores en la expresion (8.2.1), para distintos valores de IG,
se encuentra que:
TABLA E.8.2
1G (mA)
10
20
40
50
VA K
VAK
VAK
VAK
(V)
VA K
(V)
(V)
(V)
(V)
(V)
0
VAK
IA
(mA)
0.1
49.53
44.616
39.69
29.86
10.2
0.359
0.2
95.80
86.27
76.72
57.65
19.49
0.413
0.4
175.50
158.00
140.49
105.5
35.47
0.467
0.6
235.32
211.84
188.35
141.4
47.46
0.499
0.8
274.85
247.42
219.98
165.12
55.38
0.521
1.0
295.71
266.19
236.67
177.6
59.57
0.538
1.9
292.93
263.69
234.46
175.98
59.03
2.0
225.80
203.28
180.76
135.7
45.63
0.592
4.0
30.15
27.20
24.25
6.54
0.646
18.34
0.565
8.0
0.727
0.724
0.721
0.716
0.706
0.7010
12.0
0.732
0332
0.732
0.732
0.732
0.732
30.0
0.804
0.804
0.804
0.804
0.804
0.804
60.0
0.858
0.858
0.858
0.858
0.858
0.858
100.0
0.898
0.898
0.898
0.898
0.898
0.898
170
.0 mA
100
50
200
150
250
VAX (V)
300
Figura 8.6. Curva caracteristica estatica del SCR del ejemplo 8.2
IA
i 1
J,Rc
ieL Ra
/
III 7 1
I-S't
K
(b)
0 VIfV1
-
---- ---Ra
Vs
(a)
VAK
(c)
R0 =
R
(8.2.2)
Is
R
(8.2.3)
1,
Ra
295
S2 = 295 K
1 X 10-3
Rc
0.804
S2 = 26.80 St ;
/A = 30 mA.
30x 10-3
172
Literal
Definicion
Voltaje inverso
vi
Voltaje pico
inverso
repetitivo
V.rp
Voltaje pico
inverso
VPP
Voltaje directo
vd
Voltaje directo
pico
VP
Voltaje de
conmutacion
Vs
Voltaje
promedio directo
VD
Corriente directa
de la compuerta
ic
Voltaje directo
de la compuerta
"G
Corriente de disparo
de la compuerta
'CT
Voltaje de disparo
de la compuerta
riGT
Corriente
promedio directa
ID
Corriente
transitoria (surge)
IPP
173
Literal
Definic ion
Funcion Fusible
/2 t
VGi
P
Disipacion de la
compuerta
PG
'
t-Coniente de
sustentacion
'H
Es el valor minim() de corriente para el cual se considera que el SCR permanece conduciendo.
Tiempo de retardo
tr
Tiempo de elevaciOn
ts
Tiempo de encendido
te
Tiempo de apagado
ta
Resistencia termica
Rth
Temperatura de
la union
T./
RazOn de subida
del voltaje directo
dV
Raz on de subida de
la corricnte directa
174
dt
I
di
dt
_
I
Min
900
I
(T./ =
I
125C) 1
800
700
giMWMINE
600
VAAUU
E 500
rAMINE111111
AMINE mix (Ti= 15C)
400
300
200
100
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VAX
(V)
41
.5
cl ii3-
1 Temperatura de la
!-:- 1; j I f - I! '
union (C).
LA I i l .1 I
0:
.1 I 1 1 I li I
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180-
Figura 8.9. RazOn de voltaje de subida dVIdt , que no dispara al SCR al variar la temperatura.
175
(V)
1.250 C
VG
corriente de
compuerta
minima
requerida
para disparar
todas las
unidades.
25C
7
/
i 65C
N.., ,%.4.
".1%.
voltaje de compuerta
minimo requerido para
pduairnsiopda
sa rdaer st ojgli
cl aost ala 3
s v.
Region
trec.c _
.-- posibles dis
+
--.\. . ,
F:
-
-v-
10
Mgx.imo voltaje de
compuerta que no
dispara ninguna
unidad.
Curvas de
maxima disipacion
\ \e"-17::;-"en compuerta
'
-
6.
1.7%,11111111.11.1)
gOr'
(del periodo de la
serial en compuerta)
'"
25%
2.
01
rG (A)
0.15
0.05 \
0.10
Region de No disparo.
121
tf
. r7
\,
----
maxima
corriente de /
compuerta
que no dispara
ninguna
unidad.
t, VG (V)
125C
0.4
1.2
0.8
50%
/G (A)
1.6
2.0
Corriente de compuerta
7
,r5a) 121
Z.
V:1
20 40
60 80 100 120
Corriente pico directa (A)
Figura 8.11. Variacion del tiempo de apagado ta con la corriente pico, para un SCR.
176
12
MI
-'
frdi l.
OO
M
el
(0.
8 1.---
'
-
II
0
o...- 4. !.___. !
= to
-EZ, S
-i
1.
'
'----- - i - ' - ',- - - -01
L _1_
_L__;
40
80
120
o
! (Ti (C)
Temperatura de la union
Figura 8.12. Variacion del tiempo de apagado ta con la temperatura de la union Ti.
1000
-- _
.,_
L-.._
1-1. 4... .1
1
1- -1
2001
1001-
'
t-j..i!),- ;
20 !
10!
2
0.2
0.1 0.2
1 2
10 20
100
Figura 8.13. Tiempo de encendido te en funcion de la corriente maxima permitida en el dispositivo y del voltaje previo de disparo.
177
_ i 1 .
I -I .
1
\_ . _ - . I I '
; 180"
120"'
1'
- -- - - 90"
40 inguto de
conduccion
I I I I ; I
_r _r__... . 60"
1
1
1 1 r,. _LI'
3030
i 1
*angulo de
/' 7 .1
conduccipn
20 ---
'
60 1-.
___ ....,
50r
--i'
e
...0
5
.m-0-c)4)
.=
.=: .)
-7
Cr
10 r
L ,_.. .
.... . ,- - - 4
140
FT I I
120 ,
...
13
.0
.-,I
E0
...
e
CI un
Ch CL,
TI
j
, 1, - .ir - 1
, -I
1001
.
N
80 _____
.
1
- !"
., .
'
60.-- -
I.--....
. :__ _ _ _
.
,
_.1
1"
1 I
1'___.__
is ,
*Ingulo de 1
conducciOn ,
_.
i ,
---,
f - i.
1
300* 600*
1
1 : ' 1 , - 907.
180** _...,., 1
1--- 1 120*-111
dp.,
---I
40 1 --L--!-
_i_. _ L
. DC ...1
201
f- .
.- .. - i
07
[1
0
I]
i
.._-
8
12 16 20
24 28
Corricnte promedio directa (A)
32 36 *(ingulo de
conducciOn)
Figura 8.15. Corriente promedio directa en funcion del angulo de conduccion y de la temp.
del encapsulado.
178
1001
_._-.
@
I: --ht
-. - -.4 7-t-
t- - I-
_._
-I
4'max (-40C)
-- , --
70
0
x
70
0
,g.
.a
0
_
'A
,
10 .
=h..
1
. ._ ._... _ -7
. ...
i
', - ._
;
i._
. L. ,
..
I
7-...7 _... min (-40C) , t
.
__
I._... .
r
min (25C)
1
8
----t--,--1
c..)
i... i-1--- I
N.LJ
0.11min (110Ce
_
10000
1000
Resistencia que se conecta entre compuerta-catodo (n)
100 200
160
.2
o
._
`A'
1201 - .
I--
I -i
1
. . . ..
I
0
.,,-.: g,,,, 40 1--- Temp. de la uni6n --de -65C - +125C
1
d <,
Op
IIIIIi
10
t
60
Cielos de 60 Hz
Figura 8.17. Corriente transitoria surge, considerando uno o varios medios ciclos de 60 Hz.
179
RL
(a)
RG
(b)
VAA
VG
2
'
Figura 8.18. a) Estructura basica y polarizaciem tipica de un SCR, b) Equivalente con dos
transistores bipolares cornplementarios.
P.
KG
(a)
N2
(b)
180
AA
(b)
(a)
Figura 8.20. a) Estructura de un SCR de union en la compuerta (SCR auxiliar) y polarizacion basica (compuerta negativa respect al catodo), b) Equivalente.
RG
N3
A
N1
"2
VAA
2
(a)
(b)
G
iI
:Wet NV WM,
r
j .1 I
ai
ser
aor
li o'
mazoll0"
aemeslo
;;;;,
'4
food()
(a)
(b)
8.3. TRIAC
Cuando sg.s.mpez
...emplear_el SCR cada vez mas en el control de potencia
electrica, y debido a que la transmision de la energia electrica es senoidal (corriente alterna, dos polaridades), se requirieron dos SCR para poder tener control sobre todo el ciclo de la seftal. Debido a esto es que los fabricantes se preocuparon por encontrar una configuracion que perrnitiera crear un dispositivo
con las caracterksticas del SCR, pero capaz de met& eficier
_itementalL_
I forma
bidireccional y tenet,- que emplear Imicamente un dispositivo para el control de
Los 360' del _ciclo de corriente alterna. Este dispositivo se logra mezclando las
cuatro configur_aciones FEE
CR's (Figs. 8.18, 8.19, 8.20 y
La Fig. 8.23 se muestra 11-c(
-34
basica del TRIAC.*
182
8.3. TR IAC
21
1G (corriente de
compuerta) positiva,
implica entrando;
negativa irnplica
saliendo en el
sentido convencional
de positivo
a negativo.
V21 (voltaje entre
las terminales dos
y uno).
Cuadrante IV. Para este caso se tiene V21 positivo e /G negativo, lo cual Ileva al
dispositivo a funcionar como en el caso del SCR de estructura de uni6n en la cornpuerta, o SCR auxiliar, de manera que el SCR auxiliar se forma entre P, -N3 -P,
-N4 , mientras que el SCR de potencia se forma entre PI -N3 -P2 -N5 . Fig. 8.20.
8.3.1. Curvas caracteristicas estaticas
En la realidad un dispositivo TRIAC prcsenta caracteristicas electricas equivalentes a colocar dos SCR encontrados, (Fig. 8.25), es decir:
'21
bidireccionalidad.
En las demas caracteristicas que se tienen, las difcrencias basicas con respecto a un SCR son: que erts4. TRIAC se especificitn las corrientes de disparo
is ositi
far en los cuatro cuadrantes en que estec1ysLtuagagjaa.,
"
asi como el volu ra
7tEredYnstu
l s en sentido positivo y 1,1 en sentido ngativo. En cuanto a
VairaZiOn de paramirros se tienerdridamentalmente lo mismo que en el SCR.
8.3.2. Simbolo
El simbolo mas empleado para este dispositivo cuya construed& externa es
igual a la de los diodos controlados de silicio se muestra en la Fig. 8.26.
184
Terminal dos
1T2
+1,r
1121
G
eompuerta
T1
-/G
Terminal uno
8.4. DIAC
El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de conmutacion bidireccional. Este dispositivo se construye basicamente de tres capas
semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un transistor bipolar, aunque se disefia de manera que al suceder la segunda ruptura del transistor el dispositivo no se dee y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.
8.4.1. Construccion y simbolo
En la Fig. 8.27 se muestra la construccian fundamental y el simbolo quo se emplea para el DIAC.
An
' P
T,
1-0 <
pi
n
TT
(a)
T2
(b)
Figura 8.27, Construccion tipica del DIAC, (a) Estructura imam' (b) Simbolos.
185
Hiperbola
de maxima
disipaeion
is
jI
Is
Hip6rbola
de maxima
disipacion
Como se ilustra en la Fig. 8.28, en este dispositivo se tiene siempre una pendicnte negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentacion.
186
1A/ln
DIAC
12(
Figura 8.29. Circuito de prueba para establecer el voltaje pico de disparo (ep ) del DIAC.
I T:
T2
(a)
(b)
Fig. 8.30 a) Construecion interna del diodo interruptor bilateral D1B, Osimbolo.
S'CR
'If)
SCR 2
CO)
Pn /nu/ dm
SBS
Fig. 8.32 Construccidn, sinibolos y equivalentes con SCR y Zeners de los interruptores de
silicio unilateral y bilateral.
190
.....
11, parelde
11,:t
Fig. 8.33 Caracteristicas estaticas para los interruptores de silicio SUS y SBS.
El voltaje de ruptura VR fundamentalmente esta dada por el voltaje de ruptura de la union Pi N t , pues al polarizar inversamente el SUS la union P2111
queda polarizada directa y la union PI N, gobierna el voltaje de ruptura; se aprecia una caracteristica Zener en el momento de la ruptura y antes de la regenera191
4 1c2
compuerta
1111.Q2
G
1G
K
cdrodo
IA =
1 (a' oz,)
192
01
1+
02
4_ 0 2
1 0102
( 8.7.1)
Suponga que en este caso se tiene que (3, = 132. Esto implica que jci = /c2
y que la corriente lc proveniente del transistor Q i (PNP) se puede extraer por
algim medio fuera del dispositivo a traves de la terminal de la compuerta, lo que
hace que el transistor Q2 se corte al no tener corriente de base, obteniendose
asi que se apague el dispositivo. En este caso la corriente que se tiene que
extraer por la compuerta en el momento de apagar el dispositivo, y para garantizar .el apagado, es /A /2 (debido a que 13 = 02 ). Entonces, a la razon de la
corriente de anodo circulando a la corriente necesaria para apagar el dispositivo
se le llama ganancia de apagado:
Si,
entonces:
G rIA
A 'GA
(8.7.2)
01 = 02 ,
IA
GA = 1,411 2.
(8.7.3)
EJEMPLOS
Ejemplo 8.3. Dado un SCR como el que se grafico en el ejemplo 8.2, y que ademas- tiene las siguientes caracteristicas: Vpp = 400 V, ID = 10 A, IGT = 50 mA,
PG = 1 W, VGT = 3 V, R thj-a= 20 C/W, Rthi _c = 5 C/W,
se requiere construir un circuito que proporcione energla variable a una qu-ga
resistiva, proponiendose el siguiente circuito:
carga
RL = 5052
SCR
Fig. E.8.3.1 Circuito propuesto para gobemar la potencia suministrada a una resistencia
me diante un SCR.
Solucion:
Si de la tabla del ejemplo 8.2 se obtiene la variacion que se tuvo en el voltaje de
conmutacion Vs con la corriente de compuerta IG , es posible obtener la siguiente
ecuacian:
vs '= vs (1
) ,
E.8.3.1)
IGT
donde Vs' es el voltaje de conmutaciOn medido cuando la corriente en la cornpuerta es diferente a cero, para los datos de la tabla del ejemplo 8.2, Vs =
300 V e IG = 50 mA, por lo tanto:
Vs' = 300(1 20 /G).
(E.8.3.2)
194
EJEMPLOS
RL , se puede pensar que antes
Si la suma de las resistencias es R, + P1
que conduzca el SCR, toda la caida esta en las resistencias y circula corriente a
traves de la compuerta.
En este caso el voltaje de anodo esta en fase con el de la compuerta y la
corriente de compuerta tambien esta en fase con el voltaje, de manera que
cuando elyorfaje alcanza su maxim() la corriente tambien lo alcanza; luego,
para cuando se quiere que el SCR se dispare en el maxim voltaje y que se tenga la mas grande resistencia en la compuerta, se debe cumplir que:
150 = 300(1 20/G ),
de donde:
/G = 0.5/20 A,
= 25 mA.
Pero ademas:
150 V
6KS-2
25mA
Si el potenciametro esta al minimo, al conectar el circuito se debe proteger la
compuerta mediante la resistencia R 1. Por lo tanto:
RI + Pi max.
150 PG
R,
VG T
1
3
de donde:
R, > 450 2.
Se puede proponer que R 1 = 680 S2 y P1 = 6.0
metro este en 0 n, se cumplird que:
17e
=
'
RI
CL'
entonc.es;
= 300
6000 V,
680
p
K-
= 30.54V.
r-
(P,
LA
(E.83.3)
vo t
r
re, r
690)60vp,A) 4- 3 = 3 7.
( L./0"AD/
;
`i
:195
tib r
Esto quiere decir que en el presente circuito habra conducciOn desde V, = 30.54V
cuando el potencibmetro esta en OCZ esto es desde un angulo de:
30.54
0 = sen'
= 11.750 cuando F1 = 0 c,
150
hasta I = 150 V cuando Pi max = 5320 2 esto es para un angulo de:
150 90 cuando
Pl ma, = 5320
0 = serf' 150
/
01 On 14
EL
(E.8.3.4)
EJEMPLOS
sen 20
/ 4
(15O) 10
27rRL
7r-0
2
71.62 (
sen 20 n );
4
pLM =
Pnw =
112.3W,
0 = 11.75
= 90 ,
= 56.25 W.
La potencia que el SCR disipa en este caso es pequeila y no excede las
caracteristicas del dispositivo, pues la maxima corriente que circula por el SCR
es de 3 A cuando se tienen 150 V. Por lo tanto, la corriente promedio sera:
3.0 A - 0.954 A.
7r
ID
0.57 W.
R1
1000
R
0.1iif
C1
-I- 20V
400V I
VEE
R4=3001.2
12012
100KS2
A
SCR
3K2
13=200
P1
Ro
1.2K fl
Fig. E.8.4.1 Oscilador de relajacion con excitaci6n de fuente de corriente para obtener la frecuencia y amplitud variables.
197
'GT = 50 mA,
te 6 pseg,
IDSA.
'H = 6 mA,
Solucin:
Andlisis. Si se considera nula la corriente de compuerta (I(,, = 0), se ye que el
condensador C1 tiende a cargarse a travs de R1 y R2 hasta 400 V. y cuando
pasa par V = 350 V, el SCR se dispara, descargndose el condensador a trayes de R2 . La corriente que circula par R1 en el momento en que el condensador C1 se descarga completamente, es:
iT
rAAK
R1
Yr
7
'Rl
'Rl
- (400-1)V 4
= mA,
la cual es menor que la corriente de sustentacin 'H = 6 mA, par lo cual el SCR
se apagar. Al estar apagado el condensador empezar nuevamente a cargarse en
forma exponencial, obtenindose entonces una oscilacin. Si ahora se considera
que la fuente de corriente suministra una corriente constante en la compuerta,
la cual depende de la posiciOn del potencimetro, se podr tener un voltaje de
conmutacin V5' que variara de acuerdo a la siguiente expresin:
V5 '
(1
IG T
'G ),
(E.8.4.1 )
20'G)
(E.8.4.2)
R2, sepuede considerar
(E.8.4.3)
198
= V Set/R2C.
(E.8.4.4)
EJEMPLOS
Asf, el tiempo que dura la carga mientras el voltaje del condensador alcanza el
voltaje de conmutacion es:
VA (1 CtilRIC) = Vs '
(E.8.4.5)
entonces:
VA
= R,
(E.8.4.6)
VA Vs '
y el tiempo que dura la descarga es hasta que el voltaje del condensador alcance
el voltaje de sustentaci6n, es decir, VH = 1 V:
vll = vs,e-t2/R2c
entonces:
Vs '
t2 = R2 an
VII
de manera que la frecuencia sera:
=1
(E.8.4.7)
(E.8.4.8)
(E.8.4.9)
(Vs'/V11)
entonces:
Vam
VDE
(E.8.4.10)
R4
Ram
RaM+ R
VEE
(E.8.4.11)
Vam
(3120) (20)
V 14.44 V ,
3120+ 1200
'Gm =
14.44 0.6
A = 46.1 mA para Ram = 3120n .
300
km= 0
V'sm = 350 V,
para Ra = 12O2,
V'sm = 27.30 V,
= 46.1 mA para Ra = 3120 n.
hasta
' m , determinamos la fm la fm respectivamente:
Con Los valores de V'sm y Vs
fm
1
RlCn[VA/(VAA V'sm )] + R 2 C Qn (Fsm IVH )
(E.8.4.12)
Hz;
fm -
(E.8.4.13)
fm = 1351 Hz.
Para la frecuenciafm = 47.95 Hz la amplitud de la sena' en el condensador sera:
Am = Vs 'm VII ,
(E.8.4.14)
A m = (350 1) V,
AM =
349V.
(E.8.4.15)
EJEMPLOS
t = 46 i.tseg,
f= 342.13 Hz,
A = 99 V.
IC
46pseg
gop seg
por lo que el SCR podra trabajar en este circuito sin ningiin problema.
201
Vpcos wt
w = 2/rf
f = 60F12
P1
377 I'm
Fig. E.8.5.1 Circuit RC diodo simple para controlar 1800 de la serial senoidal.
So/ucion:
Para que el SCR pueda conmutar, debe cumplirse, que el voltaje compuerta-cdtodo sea igual a VG T, la corriente que circula por (R 1 + P1 ) sea suficiente para
dispararlo y el voltaje anodo-catodo sea mayor que el voltaje de sustentaciOn.
Del circuito obtenemos que el voltaje compuerta-catodo esta dado por:
= Vc VD
(E.8.5.1)
t =0
R = R i +Pt +RI_
0
....-.
V
C
Vp COS WI
Fig. E.8.5.2 Circuito equivalente de la situaciOn que prevalece al empe7ar a aumen tar el
voltaje de alimentacion de - VP a + VP.
Si se aplica la ecuaciOn en el tiempo que rige este circuito (para t = 0 se cierra el interruptor Si ). se tendria:
1
Ri(t) + i (t) dt =
1:0
(E.8.5.2)
coswt
derivando se obtiene:
di(t) i(t)
+ = w sen wt ,
dt RC R
Si el factor de integracion es en/RC', entonces:
[e r/Rc
)] _
R
VP
W fetIR C
sen wt dt ,
(E.8.5.3)
f wer/R c se n wt dt
e h /RC cos WI
1 + (11wRC)2
er/R c sen wt
wRC [1 + (11wRC)2
+ B,
(E.8.5.4)
DISP. DECUATRO 0
(Vp/R) cos wt
I + (1/wRC)2
Vp/R) sen wt
wRC [1 + ( 1 1wR0 2 ]
Be-tiRc
(E.8.5.5)
11.1,1R
1 + (11wRC)2
(E.8.5.6)
Ri(t),
entonces;
Vc =
13-COS WI' +
Vp cos wt
+ (11wRC)2
V sen 141
wRC [1 + (1IwRC)2 I
V e-(tIRC)
1 + (1/wRC)2
(E.8.5.7)
Haciendo reducciones y aplicando identidades trigonometricas se puede obtener:
Vpe
llRC
cos (wt tg-1wRC)
[1 + (wRC)2
1 + (1/wRC)2
V
(E.8.5.8)
EJEMPLOS
= 7/ 2
donde
On = ir ec
0,
t =3 r _ _
2w w
Ademas del circuito dada sabemos que:
VGT
VGT
(E.8.5.9)
(E.8.5.10)
VD1
[1
4- (WRO2 j 112
W RC]
(E.8.5.1 1)
wRC
Fig. E,8.5 .4 Grfica normalizada de la expresin E.8.5 .11 para distintas relaciones de V'-/ "
Como se ye de las grficas de la Fig. E.8.5.4, la variacin del ngulo de conduccin es abrupta; entre 0 - 0.2 para wRC lo mismo que para el trmino de la
curva, mientras que en la parte intermedia es bastante lineal. Sin embargo, se
aprecia que teniendo una variacin de wRC de 0 - 4 es factible controlar la p0tencia sobre RL independientemente del voltaje picode la sefial de excitacin. Esto se cumple para la mayorfa de los casos prcticos.
Eem lo8.6 Dado el circuito de la Fig. E.8.5.1 del ejeniplo anterior, y conside
rando un CR con las siguientes caracterIsticas:
F's = 300 V.
VGT = 2.4 V
'GT = 5 mA,
'D = 5 A,
PD = 4W, RC = (resistencia entre nodo ctodo del SCR en conduccin) = 0.32
considerando que se excita con una seflal de 120 V rrns a 60 Hz,
a) disene el circuito para que se tenga control sobre la carga de RL = 50 D,
durante los 1800 del serniciclo;y
b) obtenga la potencia que se suministra a la carga en funcin del ngulo de
conducciOn O..
206
EJEMPLOS
Solucion:
Si DI es de silicio, se eonsidera que VD en conducci6n es de 0.6 V: de manera
que:
VD = (2.4 + 0.6) V = 3 V,
VT
'
= VGT
V,= 1200.7V = 169.71 V.
entonces:
Vp < Vs ,
luego:
VbT _
Vp
3
=00177
169.71
170
V'G T
"-P9 47 3.0
5x 10-3
R<
5294
R IGT
= 5294 ,
207
n,
10.6 X 10-3
5.2X 103
2X 10 f,
2,ufLa capacidad debe ser sin polaridad y capaz de soportar entre sus terminales un
voltaje mayor que el voltaje pico,
C= 2 pf @200 V.
Se quiere que la resistencia R1 , la cual sirve como resistencia limitadora,
haga su funci6n y no afecte en mas de 100 el angulo de conducciOn al inicio
del control. Observando la grafica de la Fig. E.8.5.4 vemos que se requiere que:
wR I C= 0.2,
pork) tanto:
R1=
R1 =
.2
0
wC
27rfC
= 265.26 S/,
R, = 265.26 E2.
Se puede entonces colocar una resistencia de
R, = 270 &2 .
y en esta forma tenemos:
R = 270 Et 10 W;
P, =
5 KE2
@ 5 W;
R = 50E2.
C = pf
200 V.
D1 , D2 son diodos de silicio capaces de conducir 0.5 A y un voltaje de ruptura mayor de 300 V.
208
LIEMPLOS
.2 sen2 0 de
Pp
RL
71.
On
o n = 7r
if 2
vp
10
27RL 2
IT;
-
0
[
sen 20
Tr
4 1
sen 2(7 Oa)
4
(E.8.6.1)
En este caSo;
c
sen 2 0,
pL = 91.68(T
+
4
).
(E.8.6.2)
< 143.85 W.
(E.8.7.1)
120 Vrms
60112
Funcionamiento del circuit. En el punto A se tiene una serial senoidal rectificada de onda cornpleta la cual alimenta al SCR,. Si se considera que el SCR2
esta apagado, entonces el SCR, se disparard por la red R4D 3 , similar a lo tratado en el ejemplo 8.3, y de esta forma se introduce corriente al acumulador y este
va cargandose. hasta Ilegar al voltaje de carga (13.6 V) en el cual se tiene
en el acumulador un voltaje que es igual al voltaje de ruptura del interruptor de
silicio unilateral (SUS) mas el voltaje del Zener, circulando corriente a la cornpuerta del SCR, mandando este a conducciOn. Al conducir el SCR,, la lampara
L, eneiende ind lea ndo clue Li bateria esta caraada:pero ademas se presenta entre
R4 y Rs un divisor de voltaje que aplica en la compuerta del SCR, un voltaje que
210
Iii MPLOS
2 1'
< 15 A .
RI
Supongamos que se establecc que la corriente maxima sea de 10 A.
Entonces:
2 Vp
(E.8.7.1)
Ri
Para satisfacer el requisito a) debemos establecer que si la carga fuesc de corriente constante (no es el caso) se necesitaria una corriente promedio de:
/=
136 A-li
24h
capacidad
= 5.67 A.
horas de carga
\I
Corriente promcdio si
carp fuera de corriente constante.
If
2
5.67
I II.
(it)
24
entonces;
/I = 1.33 A.
rip -
wt
carga.
212
EJEMP
El voltaje del Area achurada se puede aproximar por:
( V p - Videos wt - VB = VB1 ,
O t <wt<
0, ,
(E.8.7.2)
donde:
01 = - ang cos
02 =
ang cos
VB
Vp - VH
VB
Vp - VH
(E.8.7.3)
,
[(Vi - VH ) COS W t - V8 ] dw t
1 ,,
-1 V
__B vii )
iscR 3 --= R or r 12- V H ) 2 seri (Cos Y_P
K.,
Ri-Ir (2cos-1
V,
-
VP - 1 11
).
(E.8.7.4)
Sustituyendo el valor de R1 de la ecuacion (E.8.7.1), el valor de
VB = 13.6 V para la carga total, y proponiendo terminar con una corriente de
if = 2.0 A, se tiene:
136
1
136
.
cos..1 13.6
2.0 = 10 sen (cos)1'
Vp
0 .8
VP
P - 0 8
Resolviendo por tanteos para frp", se obtiene:
(E.8.7.5)
Vp = 21.77 V.
y sustituyendo este valor en la expresion (E.8.7.1), queda:
R1 =
2(21.77)
31.416
E2,
R I = 1.386 12,
R 1 = 1.38 SZ @100W.
213
P
(2)1 / 2
21.77
(2)1 / 2 V (rms),
= 15.4 V (rms).
En esta forma el voltaje en el secundario sera de 15.4 V rms a 15 A y los diodos
y D2 deberdn ser capaces de conducir 15 A en corriente directa como, por
ejemplo, diodos de alternador de automovil.
Si queremos que al dispararse el SCR2 no se vuelva a disparar el SCR,, se
debe tener que:
R5
V < 13.6 V.
(E.8.7.6)
R, + Rs
Ademds se debe pedir que R4 sea tal que permita pasar la corriente suflciente a la compuerta del SCR1 con una pequeria diferencia de voltaje entre
dnodo y catodo.
Si se usan los siguientes dispositivos:
SCR,
IGT - 10 mA,
r GT = 2.0 V.
Vs = 100 V;
SCR2 ,
IGT = 3.0 mA,
= 1.0 V,
= 1.0 A.
100V;
SLIS,
= 4 V,
= 2 mA,
= 0.6 V.
ZENER,
= 8 V.
214
izT 5 mA,
= 1052.
FR = 30V;
EJEMPLOS
I VGT,
VD3 ,
en donde:
ra4
10 x 10-3 A,
R,
R4 =
148.5 SI
150 S2.
2(21.77 9.67) 12
77
1
150
Vir -
0.395 W.
150 2 @1 W,
R5 =
120 12 (6 I W.
R6
21.77 X 2
12) 200x110-3
3.1416
10 Si 6, 1W_
215
La serie del SUS y el Zener nos dan una curva compuesta que es necesario
graficar para saber cOmo se usa.
2m
(a)
(b)
Fig. E.8.7.4 (a) Curvas superpuestas del SUS y del Zeiler; (b) curva compuesta de los dispositivos en serie.
Debe cumplirse que cuando la baterfa llegue a 13.6 V el punt de operaclan pase de Q, a Q2 para asegurar que SCR2 se dispare.
Si el voltaje en VG7'2 = 1.0 V, /GT2 = 3 mA, y proponemos que por R3 circule I mA, entonces:
R3 = 1000f2,
luego,
(17/3 rsus vz 17R 3 )
R2 =
4;r2 +
13.6 4 8 1.0
1R3
4X 10'
2 = 75
EJEMPLOS
75 st
--I.
+100 S2
...._
Fig. E.8.7.5 Equivalente del circuit de disparo del SCR2
1001/1000 X 1.6
85+ 100//1000
1000//85x 0.7
100+ 1000//85
1.14
0.7
100
A,
117V
0 rms
60117
I 15.4 V rms
10 A
15.4 V rrns
1.38
D. ! u0
l(J
SCR I
W
s2/ I W
D2
12012 /1W
--
Acurnulador
Fig.
seR2
217
pemplo_83.
(carga)
TRIAC
Fig. E.8.8.1 Circuito cuadrac con TR1AC y DIAC para tenet control sobre los 3600 del ciclo
de CA.
Solucion:
a) Angulo de conduccion
El voltaje en el condensador esta dado por:
VP
=
sen (wt - tg-' vvRC),
- [1 4. (w Ro2 ] i/ 2
(E.8.8.1)
R = R, +P1
donde
En el momento en que el DIAC se dispara se genera un pulso de corriente
que dispara al TR1AC. Para conocer el momento en que el DIAC se dispara es
necesario que el voltaje en el condensador alcance el voltaje Vs de disparo del
DIAC, de manera que, si On = ir -O entonces;
VP
218
Vs V 1 + (wRC)2
+ tj 1 %vRC].
Vp
(E.8.8.2)
(E.8.8.3)
I 11.MPLOS
Graficando esta expresion en terminos de wRC y teniendo como parametros 1.1i/Vp, se obtiene la curva de la Fig. E.8.8.2.
1 80
- 1"8
150e
.
N
100
...
_
V
_
-
. .
0 OS
-1
:,.1:1
0.01
0.1
1.0
' 1'.
10
100
wRC
Fig. E.8.2 Grtifica normalizada del comportamiento en fase del circuit cuadrac de la Fig.
E.8.8.1.
b) Criterios de diseno:
Normalmente el fabricante del D1AC establece un voltaje de conmutacion
minimo ep,
El fabricante del TRIAC establece una corriente IGT de disparo, un tiempo de
encendido y un VGT de disparo.
aiterios:
Para una diferencia de voltaje C'p entre compuerta y terminal uno (T1 ), se tiene
una cierta corriente la eual descarga a C, de manera que:
/Gt
y se pide que si
VG
(ep - Vr."-)C
> t(
E.8.8.4)
I GT
DISP DL
1D= 10 A,
UJT,
= 0.6.
R BB = 5 K2.
1 = 3 - 0 V.
Diodo ZENER,
= 15 V.
r_ = 10 5-2
Pi) =
Termistor,
RT =, 1000 e(T
acoplados
termicamente
.
----
1..fi
1
IR
Mg
II
120 V 1111N
60 Hz
1);
D., ,
HORNO
1
'carp
I
fiz
12-1
T2
Hi
rI -
(11)TRU('
111
Ti
I
1
I.
Fig. E.8.9.I
220
transformador
de pulsos
El EMPLO S
Funcionamiento. La seflal de 120 V, 60 Hz, se rectifica en el puente rectificador formado por D1 , D2 , D3 y D4, y el circuito regulador R1 , Dz1, la recorta
tal como se muestra en la Fig. E.8.9.2.
if
(E.8.9.1)
221
Luego,
t1 =R 2
an
(E.8.9.2)
1171 '
donde:
+ P1 ,
R2 =
to
= 8.07 X 10
- t1.
(E.8.9.3)
T= 25C, entonces
1000 E2,
irR
sen 2(7r
- 6)
1 -
222
sen2(ir 6)
4
'
(E.8.9.4)
EJEMPLOS
Si, T/2 = 8.33 mseg y equivale a 1800, 11.25 corresponden a t, = 0.5208 mseg,
por lo tanto el tiempo t1 es:
t j = (8.07 - 0.5208) mseg = 7.549 mseg.
Sustituyendo estos datos en la expresin (E.8.9.2), para T = 25C se obtiene:
R, C=
7.549X 10
seg,
Qn (1/0.4)
R 2 C= 8.21 X 10 seg.
(E.8.9.5)
PD = 280W.
Sustituyendo estos datos en la ecuacin (E.8.9.4), y calculando ci ngulo de
conduccin, se tendr:
____
0.9163= 2
sen2(r
-0)
(E.8.9.6)
en donde,
= 1.8094rad= 103.67.
En esta forma tenemos que:
(8.07
103.67 x 8.33
)mseg,
180
= 3.27 mseg.
Luego para este caso,
T= 300 C,
R 2 C= 3.56 mseg.
223
Determinacin del valor del potencf?nerro. Si se considera que cuando el potencimetro est en 1000 S2, se tiene la maxima temperatura, entonces:
R 2 =RT +PI = 16642Z,
en donde:
3.56X 10-s
16642
C
0.22 j2f.
8.21 X 10
0.22X j6
R 2 = 37320l.
Pero para este caso Rr = 1000 n, por lo que se requiere P1 > 36320 92.
Para cubrir todo el rango, utilizaremos un potencimetro de 40 KS2 en serie
con una resistencia de 1000 S2.
P1 =4OKca,
C=0.22Mf.
El voltaje de disparo del emisor es aproximadamente:
VpIco=nVBO.6 X I5V=9.0V,
de manera que la energIa que libera el condensador hacia ci transformador es:
E=4-c(v,10_ Vv),
E = 0.5 x 0.22 x 106 x 72,
E = 0.79 X 10-' joules,
EJEMPLOS
0.79X 10
'1iberada
50X
10-6
W = 0.158W,
A=O.O79A=79mA>IGT
VGT
= 140W,
de donde:
50.25 X 8.33
) mseg = 5.74 mseg,
180
5.74X 10-s
= 28359.7Z,
= (8.07 R2
an 2.5
P 1 = 28359.7 Rr,
entonces, P1 25641.7 cz.
b) Para T= 2000 C,
RT
en donde:
t1
cl= 23148.4c2.
225
eritonces;
c) Para T= 250C,
RT
= 1000 -25
a = 9487.7 92,
PD = 240W.
ti = ( 8.07
entonces;
P1
88.29 X 8.33
180
= ( 3.98X 10
9487.7) 2 = 10 176.33 ci.
an 2.5
P1 (KZ)
30
25641,7cz
20
17394.4 n
10-
---
10176,33 a
0 250
- -.-+
1000
2000
3000
4000
Fig. E.8.9.2 GrfIca del valor del potcncimetro P 1 contra la temperatura del horno a controlar.
226
FJEMPLOS
= l2Kc.
(169.7 -15)2
PR
12x 10
El transformador Tr puede ser I I de pulsos, como por ejemplo SPRAGUE11Z12. Los diodos D, D2 , D3, D4, D5 deben ser capaces de rectificarsefiales
senoidales de 60 Hz, lo que implica un voltaje de ruptura de por lo menos 200 V.
y adems ser capaces de manejar en sentido directo una corriente de 100 mA.
A continuacin se ilustra un caso ficticio de temperatura T = 250C, partiendo
de temeratura del horno igual a 25' C.
ye
It'
81
k k k !
4
2.7
2.8
I I
2.9
h
3.0
3.1
4.1
4.24
4.25
Sc estabiliza
Fig. E.&9.3 Comportarnicnto del control de temperatura en el tiempo. Se observa la variadon del Angulo de conducciOn desde el inicio hasta que la temperatura del home se estabiliza
(esto est exagerado en el ticrnpo).
227
'GT= 20mA.
Is=1001AA,
e=3.5V.
SoluciOn:
Usando la teorIa desarrollada en el ejemplo 8.8, tenemos:
si i'=e,
IG
- 3.5 1.0 A
50
= SOmA>IG T.
30
= 120(2)"
Vs
wCR
VP
= 0.1768.
t= 10useg;
EJEMPLOS
entonces
60
R= 0.47x
x 2y
R = 33.4 KTZ.
Luego el circuito queda:
120 V
60
229
PRE(; u NTAS
8.1
8.2
8.3
ZPor qu es posible explicar el furicionaniiento de un dispositivo de cuatro capas en trminos de un anlogo con dos transistores bipolares cornpie me ntarios?
8.4
8.5
PRLG1INTAS
231
DISII.DLCUATROOMASCAPAS
i R ( ) RI. 1i\1 AS
8.1
8.2
Para ci SCR del prohlema 8. 1, que aderns tiene las siguientes caracteristicas:
1;r = 3 V,
P = I W. 'D = 10 A.
I = 3 mA.
pf, = 400 V,
Se construye un circuito como ci que se ilustra en la Fig. P.8.2 y se
pide disear los valores de R1 y P 1 , pan que se tenga un control de
cori.
O < 180' sobre ci JI1gUk) dc coniluci
1:, =2O
232
PROBLEMAS
8.3 Se tiene un SCR con V = 100 V. Pam 'G = 0 e 'H = 4.0 mA, obtenga las
formas de onda del oscilador de relajacin que se muestra en la Fig. P.8.3,
en los puntos 1 y 2.
+ 150 V
50K cz
t-k------
too n
SCR
0.22 pf/200 V
Fig. P.8.3 Oscilador de relajaciOn usando el SCR como diodo de cuatro capas.
8.4 Se quiere ejercer un control de potencia sobre una carga de 25 2, con las
siguientes caracteristicas:
semiciclo positivo 0 < O < 180' (variable),
semiciclo negativo
180 (constante),
para Ia que se propone un circuito como el que se muestra en la Fig.
P.M.
121
60
Fig. P.8.4 Circuito RC con diodos para control bajo las condiciones establecidas.
Si
VS =3OOV@IG =O:
'D
"D' SW
8.5
1 mseg
VGT3 V
V3 =200 V
Vc,TT11_fl
I-
t2
IL
-.
r=10mseg
Ve
'H4 mA.
+
-
cR28K
8.6
Se tiene un circuito como el que se muestra en La Fig. P.8.6, el cual constituye un circuito de apagado de un SCR empleando otro.
V.,
PROBLEMAS
SCR
Fig. P.8.7 Red RC serie para suprimir los disparos por dV/dt.
L
A
I,
r. ID1
B2
E
SCR
Vp sen wt
Fig. P.8.8 Circuito de control de potencia por fase donde 00 <0 < 1800.
I = l00j.tA,
e = 4.0 V.
Disene un control de potencia por fase (cuadrac) para una carga excitada
por 120 V rms a 60 Hz, y carga foco de 700W.
235
'UAC
Fig. P. 89 Circuito de control de potencia por fase en ci que las resistencias (R1 + P ) con.
sumen menos potencia.
RL
VP Sen wt
T,
TRIAC
Ve
SCR
T2
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA
ANKRUN, PAUL D., Electrnica de los se,niconductores, Prentice Hall
International, 1974.
SCR Manual. General Electric, 4th edition, 1967.
237
CapItulo 9
DISPOSITIVOS OPTO ELECTRONICOS
DE ESTADO SOLIDO.
INTR ODUCCION
Muy poca gente en el ramo electrnico conoce que, dentro de los dispositivos
electrmcos que se usan en la actualidad, de los primeros que se tuvo noticia
son algunos de los ilamados optoelectrnicos. En 1603 el aiquimista italiano
Cascariolo obtuvo Sulfato de Bario al que llam lapis solaris (piedra solar) por
las caracterfsticas fosforescentes que present, constituyendo ste el primer
material luminiscente de que se tiene noticia. A mitad del siglo xix se observO
que en las barras de Selenio se producfan cambios en la resistencia, al hacer mcidir luz sobre ellas, obtenindose asi una fotoresistencia.
A partir de 1957 se ha venido desarrollando toda una serie de dispositivos
optoelectronicos de estado slido, los cuales presentan caracterIsticas muy diversas y para muy distintas aplicaciones. En el presente cap Itulo se estudian
algunos de los dispositivos electrnicos ms simples, poniendo especial nfasis
en su funcionamiento en base a las teorIas ya desarrolladas en los capitulos
anteriores.
Para entender cmo funciona un dispositivo optoelectrOnico, es necesario
considerar tanto la naturaleza de la radiacin incidente (intensidad, frecuencia,
etc.) sobre el dispositivo, asi como las propiedades del material de que est
fabricado el mismo (funcin de trabajo, afinidad electrnica, nivel de Fermi,
etc.).
La Luz visible y otras formas de radiacin se comportan como ondas electromagnticas que viajan a la velocidad de la luz (3 X 1010 cm/seg). En La Fig. 9.1
se muestran el espectro visible y algunas zonas cercanas en funcin de La longitud de onda y Ia frecuencia de las ondas radiadas (f A = c = 3 X 10l cm/seg).
239
10
ondas de mdio
5 X 1012
.L.
infrarrojo
1015
Sol
RayosX
Luz visible uliravioleta
4/
ultravioleta
Rayoscsmlcos
fraojo
, / //
940 - i000
3000 4000 5000 6000 7d00
1
sdoo
metal
15gm
fotoconductor
metal
-r
Subestrato aislante
Figura 9.2. Construccidn tipica de una celda fotoconductora. (a) Detalle amplificado:
(b) presentacin fIsica.
El aumento en la conductividad del material por la incidencia de la radiacin se presenta debido a distintos mtodos de excitacin o generacin de portadores adicionales a los que se disponen Cinicamente por efecto de la temperatura, y tambin a distintos mtodos de recombinacin o atrapamiento de los
portadores libres. En la Fig. 9.3 se ilustran estos efectos.
241
Bandideconduccin
Banda
1'rohibida
00
"
6
E6
4
E4
Banch de valencia
semiconductor tipo N.
9. 1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS
mci-
luego cualquiera de estas cantidades n, p,1 , que vane por efecto de luz
dente, ocasionar un cambio en la conductividad del dispositivo y por lo tanto
una variacin en la resistencia entre sus terminales. Para mayores detalles en
este tema se recomienda repasar ci capitulo 2 del tomo 1.
9.1.2. Comportamiento elctrico
(9.1.2)
1000 mW/cm2
CD
CA(rms)
::
100 mW/cm2
Hiprbob de diipacin
constante 500 mW.
20
10 mW/cm2
80
60
I-
. 40
20
0 Loe
4000
6000
8000
(A)
V(V)
100
LS Temperatura
ambiente = 25C
P!PIII
Periodo de excitaein
2m seg.
--
C Se
--
U.
U1111NT1111
___
_iiui
111111 111111
uiuiiui
111I11
10
100 (m seg)
Tiempo de decaimiento
20
C,
100
-
100 9-X
:9
CdS
20
l000Qx
10 9-x
10-
lOOQx
0 20 40 60 80 100 120
Temperature (C)
Figura 9.7. Coeficiente de temperatura para in fotoconductividad de celdas de US y CdSe.
245
9.1.3. SImbolo
En Ia Fig. 9.8 se muestran la construccin tIpica y el sImbolo ms empleado
para estos dispositivos.
Terminal uno
T1
(a)
(h)
Terminal dos
T2
Figura 9.8: (a) construccin tpica, vista superior; (b) simbolo de una celda fotoconductora.
9.1.4. Parmetros
TABLA 9.1
Parimetro
Valor
Definicin
Resistencia en la
oscuridad
RN
Resistencia en la
luz
RL
Razn de
recuperacin
rr
Capacitancia de
la celda
C.
Potencia de
disipacin
PD
Voltaje piCo
Longitud dc onda
pico
246
VP
xP
9.2. 1OTODIODO
9.2. FOTODIODO
Un fotodiodo consiste en esencia de una union P-N polarizada inversamente, en
Ia cual la corriente inversa de saturaciOn se modula por la generaciOn de pares
electrn-hueco en La vecindad de la zona de vaciamiento o dentro de la zona
misma, debido a La excitaciOn mediante fotones incidentes. Normalmente se
debe alirnentar La uniOn de manera que no suceda La ruptura. Dentro de estos
dispositivos se cuenta con una familia cuyo comportamiento es similar, y estos
son: ci fotodiodo PIN, el fotodiodo PN, el fotodiodo metal-semiconductor, ci
fotodiodo de heterounin. Consideremos brevemente el caso de un fotodiodo,
su respuesta en frecuencia, La variacin de la corriente inversa con la iluminacion, la potencia disponibie (o manejable) y La relacin sefial a ruido de estos
dispositivos.
En la actualidad estos dispositivos se fabrican de silicio o germanic.
9.2.1. Funcionamiento
Para explicar el funcionamiento de este dispositivo recurrimos at diagrama de
bandas de energIa de una union PN, considerando que la regiOn P es bastante
pequea que permite que la generaciOn de pares eiectrOn-hueco ayude a aumentar la corriente inversa. En La Fig. 9.9 se muestra este diagrama.
Zona de vaciarniento
Superficie
Figura 9.9.
DISP. OPTOELECTRONICOS DE
(9.2.1)
donde:
I es la corriente de fuga en la oscuridad;
II es la irradiacin dentro de un rango de frecuencias;
k es una constante de proporcionalidad de iluminacin; y
es una constante que da la variacin de I con el voltaje para
una irradiacin constante.
Los valores de k y
dispositivo.
9.2.2. Caracteristicas
En las siguientes grficas se muestran las caracterIsticas de un fotodiodo tIpico
de union difundida, de silicio.
10
11
12X(103
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
100
'
A)
80
60
40
20
0
x (rnicras)
9.2. lOTODIODO
II\bIII_
30C
lrradiacin en un raneo de
0.7 micras a 1.1 micras.
segn filtro CS7-69 de
Corning a T = 25C
MI
4 n,W /cni
50
IIIITT'2
20
10
30
40
50 (V)
voltaje de polarizacin
Figura 9.11. Variacin de la corriente inversa del fotodiodo de union en funcin vertical de
la polarizacin y de la irradiacin L..
(9.2.2)
=
donde W, es la potencia (W/m) radiada en ci pequeflo ancho de banda dX y
normalmente clepende de X, y A es el area sobre la que se est radiando. Por
ejemplo, en el caso de la Fig. 9.11 se tiene una irradiacin entre 7000 A y
11 000 A, lo cual nos da A1 y A2 , y el area es de I cm2 ; por eso las unidades de
Er son mW/cm2 .
249
600
uiiiiiugi
500
400
30(
MEMIN MEMO
MMjAMES
40AM
ME ummommMA
,,
-i
20(
uuriuuia
MEREERWEEN
IN
WWSMMMIMIMMMI
..iuuuuua
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Irradiaejn (mW,'cm 2
Figura 9.12. Variacin de la corriente del fotodiodo con la irradiacidn y con el voltaje de
polarizacin aplicado.
105
102
'
004
o.oiLL I
-100
-50
/
ti
0
50
150
100
Tcmperatura (C)
200
9.2. FOTODLODO
3
4
111111MINHIM11111110
IIIIIIhUIIIIIflhIIIIiG!U
uuInoIuIrnIIIIIuuulIIIIILl
UIIIIIHlIIHIIllhIIllhIIII
IIINIHIIINIII!UUIHhIIi!
kta~ff
9.2.3. SImbolo
En la Fig. 9.15 se muestra en detalle la construccin de un fotodiodo de union
y el sImbolo mds empleado para representarlo.
Ientt
oT1
I':
LI
sdilado de vjdrjo
K
terfl)inales
(a)
(h)
(c)
Figura 9.15: (a) construccin tIpica de un fotodiodo; (b) srnbo10 del fotodiodo de union
(cuidar polaridad); (c) simbolo del fotodiodo doble (no importa polaridad).
251
9.2.4. Parmetros
TABLA 9.2
Parirnetro
Valor
DefInicin
Corriente en La
oscuridad
J,
IL
Capacidad total
CT
Voltaje de ruptura
Vn
Tiempo de subida
tr
Tiempo de bajada
If
Potencia de
disipaciOn
Ganancia de
fotocorricntc
GF
Es La razn de la corriente en voltaje alto a la corriente en voltaje bajo para una misma irradiacin.
Sensibilidad a La
irradiacin
S1
Se define como la variacin de corriente con la irradiacin para un voltaje de polarizaciOn constante.
SI
252
at
=
-)
.4
donde: RFD=
Ercte
--
Figura 9.17. Una uniOn PN polarizada directamente con una alta razn de rccombinacin.
253
(9.3.1)
(9.3.2)
donde:
k
1
11
Ip
H= H0e
t .250)15
(9.3.3)
1.2
-J-
-1------r-- -.
respuesta
os_
TJ
TungSteno
LED O
21__.4
rf---- 9-\----i---
respuesta de
0.4--
TIL2
0.3
0.4
0.5
0.6
07
de Silicio
1.0
0.9
0.8
111
1.2
(micras)
Figura 9.18. Respuesta espectral relativa del ojo humano, LED visible, LED infrarrojo, fotodiodo de Silicio, y filamento de Tungsteno.
1
0.7
0.6
0.5
O.3
0.2
0.2
0.1
6000
6200
(a)
6400
6600
6800
?(ft.)
7000
--
---fL
-L
v-
05k J
0.4 .,t
.I f
._
-- .
0..3
0.4
:_vIJ__ _
5400
5500
5600
5700
5800
5900
(h)
X(A)
Figtira 9.19. Respuesta espectral relativa de: (a) LED visible rojo;(b) LED visible verde.
255
DISP. OPTOELECTRONICOS DL
rz
0.01
Corriente directa IF (mA)
Figura 9. 20. Intensidad luminosa relativa respecto a la corriente en el diodo (T= 25C).
4
1F'00 mA
1.0
75mA
0
0
0
mA
0.1
10
0
0
0.01
5
125
100
10
0.1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Figura 9.22. CaracterIsticas en sentido directo de un diodo emisor de kiz (LED) de arseniuto de galio (GaAs) en sentido directo.
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
=
0.2
0
300 200 100 0 100 20 30
Desplazamiento angular 0
LED
Figura 9.23. Intensidad luminosa relativa respecto de la desviacin del eje ptico del dispoSitivo.
257
9.3,3. SIwbolo
La construccin tipica y ci sfmbolo ms usado para este dispositivo se muestran
en la Fig. 9.24.
\\
dia cin
t /77
ante
nodo ctodo
(a)
ParImetro
Definicin
Es el voltaje rnxirno que se puede aplicar inversamente al diodo sin que se dane.
Voltaje inverso
niiximo
Corriente en sentido
directo promedio
I.
Es la corriente promcdio que se puede aplicar continuamente sin que se dane el dispositivo.
Intcnsidad
luminosa
H,
258
9.4. [OTOTRANSISTOR
Valor
Definicin
Longitud de
onda pico
N J,
Corriente inversa
fill
Voltaje directo
VF
Tiempo do
subida del
impulse luminoso
trL
Tiempo de
caida del
impulso luminoso
tIL
Es el tiempo que tarda el impulse luminoso en decrecer del 90 por ciento al 10 per ciento de La intensidad
a la que estaba funcionando.
CL
Corriente pico
Potencia de
disipacin
PD
9.4. FOTOTRANSISTOR
El fototransistor es bsicamente un fotodiodo que alimenta la base de un transistor bipolar, conjugando asi las caracteristicas del fotodiodo con la ganancia
de corriente que proporciona el transistor bipolar. En La Fig. 9.25 se ilustra el
equivalente del fototransistor, su construccin interna y su sImbolo.
259
hi
Th
(a)
(c)
(I)
radacin
comp
kG
ctodo
9 inodo
hi,
F otodiodo
uer1i
'K
Kt0d0
(a)
(b)
(c)
Figura 9.26: (a) construccin interna del LASCR; (b) equivalente del LASCR con dispositivos discietos y fotodiodo; (c) sfmbolo del LASCR.
pm
DISP.O]vFOELECrRONICOSDEESTADOSOLlDO
Li [;MPLOS
Ejemplo 9.1. Se tienc una celda fotoconductora de US que presenta una resistencia de 100 K2 cuando la irradiacin es de 0.5 mW/cm2 . y una resistencia de
20 KR cuando la irradiacin es de 20 mW/cm2 . Obtenga el valor de la resistencia que presentar el dispositivo para cuando la iluminacin sea de 200 mW/cm2 .
Grafique la variacin de Ia resistencia, si la celda puede disipar 750 mW.
Solucin:
Utilizando el modelo matcmtico dado en la expresin (9.1.2) se pueden obtenerA y:
100 K2 = A(0.5)- 2,
20 K&2 = A(2O)-aa.
Entonces:
14
10
(0.5)
sustituyendo, se obtiene:
( 20 -a
0.5 )
20X io
5
=0.44.
n 40
Qfl
MW
A = 7371346(mW )'.
262
EJEMPLOS
H0A4
H = 200 mW/cm2
R = 7 162 U.
to, que es una fuente puntual de energIa y que la celda est separada 2 cm de la
fuente luminosa.
2 cm
-I-
pi
50 n/800 w
luente puntual
50 K
= 100
(a)
Figura E.9.2.1: (a) diagram a de un regulador luminoso ; (b) esquema ptico siinuLado.
Solucin:
Para obtener La irradiacin sobre la celda se necesita que de la potencia elctrica
que est disipando la lmpara se obtenga la potencia lummnica en W, y de
ahf, en funcin del area de La esfera de 2 cm de radio, se obtenga la irradiacin
en W/cm2 .
Luego:
P= RI2 = 50/ 2
(E.9.2.l)
(E.9.2.2)
(E.9.2.3)
- 12
4irr2 - 47rr2
0.099512 W/cm2 (a r= 2cm,
112
112
264
995/2 mW/cm2 .
( E.9.2.4)
EJEMPLOS
La corriente de base estar dada por:
t;1B4Q
R,h = R//Rx.
/
T Vth
______
R + R Ic
th
de donde:
VRe,,
IB
(E.9.2.5)
RxV/(Rx+ R) V
'B = RR/(R + R)
Vcc
12 = R -
+ -a-) VBE.
(E.9.2.6)
-a
_______
= j3 -p--vcc
IA(99.512 1a + +113T'E = 1,
P= RI
(E.9.2.7)
(E.9.2.8)
0.20
0.39
0.77
1.15
1.53
1.91
2.86
3.82
=
2.0
7.6
29.64
66.12
117.0
182.4
409.0
729.6
1(A)para 1 cm
0,190
0.370
0.730
1.090
1.460
1.820
2.740
3.660
5f 2 = 397.9 12
mW/em2 @ r= 1 cm.
4.2
P(W) para 1 cm
1.80
6.84
26.64
59.40
106.60
165.62
375.38
669.78
(E.9.2.9)
265
DISP.OP'FOELECrRONICOSDEESTADOSOLIDO
&
rn
4
2(
(V)
10
50
100
150
Figura E.9.2.2. Gthfica del eomportamiento del circuito del ejemplo tratado.
Placa con
pintura frcca
Si los operarios dejan la placa durante un tiempo fijo, sucede que en ocasiones no se tiene La misma calidad porque la Ilnea que alimenta La lmpara est
variando mucho. Por tanto, se quiere diseflar un circuito que apague la lmpara
cuando se haya satisfecho la cantidad de irradiacin necesaria para Ia calidad
que se necesita y avise mediante una alarma luminosa. (Los tiempos de secado
varlan de 10 segundos a 60 segundos.)
266
EJEMPLOS
Solucin:
Filosofla del disego. Se sabe que una celda fotoconductora varfa su resistencia
con la irradiacin que Ia excite. La irradiacin cst en funcin cuadrtica de las
variaciones del voltaje de la Ilnea y to que el sistema electrnico deber controtar es el tiempo que dure la irradiacin; es decir, debemos mantener el producto
de irradfacin por tiempo independiente del voltaje de linea. 0 sea:
donde:
I-Ipt = cte,
H es la irradiacin sobre la pintura a secar.
Si la fotocelda se utiliza para cargar el condensador de un oscilador de relajacin UJT, se puede pensar que:
iT
R2
Figura E.9.3.2. Circuito fundamental de un oscilador de relajacin UJT (ver capItulo 7).
(E.9.3. 1)
VB
- 77
- VD -
(E.9.3.2)
(E.9.3.4)
47rr2
R= Af-4 = A
72
V2
RL 41rr2
K.
=
( E.9.3.5)
Pci lo tanto se requiere buscar una celda fotoconductora que tenga un exponente ci unitario, lo cual no es tan difIcil dentro de celdas comerciales de
sulfuro de cadmio en que Ilegan a tener exponentes hasta de valor cuatro, exponente que norrnalmente depende de la qulmica y la geometria del dispositivo.
Diseo.
268
EJEMPLOS
110
Ldmpara
celda
fotoconductora
posidn
movd
VD = 0.8 V;
ci diodo Zener:
VZ =l5V@5OmA.PD =IW.rZ =5Z,
Y la celda fotoconductora:
A=25ocl(W)a.
cm2
= 0.4,
72
= 0.05.
(120)2
[0.05 13 X 47r X 10 2
R x = 5672.0 2.
De la ecuacin (E.9.3.2) calculamos ci valor de C que nos permita tener on
ticmpo tCmInimo de 10 seg:
tCmmnimo
(E.9.3.6)
RQn [VB/(VB - - V2)] '
Ya ue RBB > R2 , podemos considerar que r'
Entonc.es:
0.
10
= 5672 n [151(15 - 0.65 X 15 - 0.8)] f
C 1450 ef
Para que el tiempo sea de 60 seg, necesitamos que R sea 6 veces mayor a la
que se tiene (5672fl); esto se logra modificando la distancia entre la lampara
y la celda fotoconductora, es decir:
1/2
r = 10(6) cm = 24.49 cm;
con lo cual se satisface el problema.
La potencia disipada en la lmpara es:
'L = VI/RL
(E.9.3.7)
FL = (1202/13) W = 1107W.
Dc la ecuacin (E.9.3.3) determinamos la irradiacin H sobre La pintura: esto
es:
- 0.4(1107) W/cm
H
2 = 88 mW/cm2 .
4ir(20)2
La irradiacin ya en La prctica se debe mejorar enormemente con reflectores, con lo cual se lograrla un secado ms rpido y uniforme.
270
EJEMPLOS
V=
V=
V=
V=
11= 9 mW/cm,
11=9mW/cm2 ,
H= 4 mW/cm2 ,
H= 2 mWk.m.
20V,
IOV,
40 V,
40 V,
1= 200 x 106
1= 170X 10
1= 100 X 106
1= 57 X 10-6
A;
A;
A;
A.
(E.9.4.1)
(p.9.4.2)
= 90
de donde:
= 0.33 x 10 6 (A-cm2 /mW-V).
Sustituyendo los puntos c) y ci), tenemos que:
100 x 106 =
57 X 10
(E.9.4.3)
(E.9.4.4)
DISP.OPTOELECTRONICOSDEESTADOSOLIDO
V = 30 V.
I = 229)< I 0 A.
lo cual concuerda serisiblemente con la cm-va mostrada en la Fig. 9.11 y demuestra que el modelo matemtico propuesto en la ecuacin (9.2. 1) es razonablemente aproximado.
Ejemplo 9.5. Se tiene un fotodiodo cuyas caracteristicas se muestran en la Fig.
E.9.5.1 y se quiere emplear este dispositivo como detector de informacin que
viene contenida en un haz luminoso de las siguientes caracterIsticas:
H = (4 + 2 sen wt) mW/cm2 ,
y se quiere obtener un voltaje pica de 10 V. Si w = 100,000 rad/seg. calcule Ia
impdancia de carga y el voltaje al cual se debe polarizar el diodo.
(&A)
450
400
16mWIcm
350
300
V
250
m W/cm 2
4-
200
c 15C 7.t
50
01
.kj-2
10
20
2 mWd
I
30
40
50
Vottaje de polarizacin
60
(V)
EJEMPLOS
Solucin:
Proponindose inicialmente 30 V. el dispositivo debe polarizarse de la siguiente
forma:
VL = 30 V
VD = 10 V, I= 67 IAA,
H = 4 mW/cm2
VD = 20 V.
H = 2 mW/cm2
I = 42 IAA,
-)O 10
12,
(67- 42) 10-6
R=400KTZ.
Si la impedancia R es solo de 400 K2 resistivos, entonces, para una fuente de
30 V, la recta de carga dana:
400)< iO
A.
1=75x 10r6 A.
Esta recta de carga se ye trazada en la Fig. E.9.5.1 y se puede apreciar que
no es convemente, pues dana mucha distorsiOn por la localizaciOn del punto de
operacin. Para resolver el problema se propone situar el punto de operacin en:
VD = 20 V. I = 77 x 10-6 A.
H = 4 mW/cm2
273
entonces:
1, =50 V
11
400 Kc2
p
He
'
-
Lmpara
1+
1,13 = 20 V -
UJT
Ti
TRIAC
T11
Ti
Fob
transistor
274
120 'rms
60 H.,
EJEMPLOS
(mA)
10
de
09
110 mW/cm
(NI
Q1
Voltaje de colector-emisor
V0 =0.8V.
V=3V
yyaque:
Vpr1V B .
entonces:
V, = 0.6 x 20 V= 12 V.
'BB
I
4x103 =s000a
v/flaa
D
275
dedonde:
RJ2n[(V
C= 95 X 10
f.
_Lt
VB =20 V
VB - F/KR
= 0.! f
0.1 pt.
Fig. 9,6.3: (a) equivalente de carga para el condensador del oscilador de relajaciOn:(b) equivalente del circuito de (a) eliminando la fuente HK.
('1?)+
VT ,,
(E.9.6.1)
276
PREGUNTAS
PREGUNTAS
9.1
9.2
LCudles son los fenrnenos que se presentan en los materiales fotoconductores que permiten la existencia de fotoconductividad?
9.7
9.8
9.9
DISP. OPTOELECTRONICOS DE
PROBLEMAS
PROI3LIEMAS
9.1
Se tiene un circuito como el mostrado en La Fig. P;9. 1, cuyas caracteristicas estticas tambin se muestran. Calcule:
a) la intensidad de luz que se necesita para que V = 20 V;
) la potencia que disipa la celda fotoconductora, si 1', = 20 V.
R (n)
io
iO
RI. =4K&2
Vol
( ')
io
102
10
(a)
10
102
103
104 cd-pie
(h)
Figura P.9.1 a) Circuito sirnF.c de excitacin a una celda fotoconductora; (b) curvas caracteristicas de la celda fotoconductora.
9.2
El diodo cuyas curvas caracteristicas se muestran en la Fig. P.9.2-a, se conecta en el circuito que se muestra en la Fig. P.9.2-b. Calcule La curva de
transferencia de:
a) corriente contra intensidad luminosa;
279
F.
0
VU
2000
U0
II
0
40 V
corriente en la
I -obscuridad
40
30
20
10
(V)
voltaje inverso
(h)
(a)
Figura P.9.2. (a) Curva caracterIstica esttica de un fotodiodo; (b) circuito simple con
fotodiodo.
9.3
Un fotodiodo con las caracterIsticas de la Fig. P.9.2-a, se utiliza en el circuito mostrado en la Fig. P.9.3. Calcule:
a) la iluminacin necesaria para que I- = I mA;
b) la corriente J cuando Ia iluminacin sea de 2 X 10' cd/pie2 .
V8 = 30 V
"IC
100
;jlicio
RL =50K
R L = 10 K
WK
PROBLEMAS
9.4 Se tiene un fotodiodo que funciona de acuerdo con ]as caracteristicas
que se muestran y un circuito de comunicaciOn optica
(mA)
10 1
8 __
40 U\41
d
sen wt
2.5Kcz
i+
-2 \
MW;CM.2
10 MW/cM
19
4
8 12 16 20(V)
Figura P.9A.1. Curvas caracterlsticas del fotodiodo detector y del circuito empleado.
Considere que la energIa luminosa es el 20 por ciento de la energIa elctrica que consume la lampara y que la fuente luminosa es puntual.
a) Si se quiere que el punto de operaciOn est en V,, = 10 V, La qu distancia Sc deben colocar la lmpara y el fotodiodo?
Si
el circuito polarizado segn el punto a) se excita con un
b)
Ve sen wt = 2.5 sen 1207rt, ,cmo es V0 ?
c) Si se coloca un reflector tipo calln en la Impara, como se ilustra en
La Fig. P.9.4.2, que tenga una eficiencia de 80 por ciento y un dngulo
de dispersion de 100, hasta qu distancia se debe colocar La Impara
para que tenga el mismo punto de operacin?
d) Para el caso c), si la sefial de excitacin es de 2.5 sen I 20irt, ,cmo
es
V. sen
wt
ION
Reflector
it
call
11
20V
100
281
0.
B
F
-J"
LED
-410
0rL
c :
' L
Ve
Q2
JLED
El
K
B
-------------I
opto acoplador
C
F
) lAmpara
L (75 V. iOO mA)
PROBLEMAS
-------------- 1
IV
Rc
c 1
C
/1J
LED2
R '6
Considere p = 100, ! = 0, V
at
283
RI BLIOGRAFIA
.
284
Capitulo 10
EMISION ELECTRONICA EN METALES.
INTRODUCCION
Por lo general los metales son buenos conductores de la electricidad, y esto se
debe a que existe una gran cantidad de electrones libres dentro de ellos. En
todos los materiales los electrones que ms contribuyen a la conduccin de
electricidad son los de valencia, es decir, los que se encuentran en La Ultima
rbita; por ejemplo los de la plata y el cobre. Desde que se empezaron a realizar
experimentos en el siglo XIX, a los investigadores les preocup encontrar algin
material en el que pudieran, mediante la acciOn de campos elctricos y/o magnticos, controlar el flujo de corriente elctrica. Esta idea de un flujo controlable les fascinaba por el gran potencial de aplicacior, que ya entonces Ic pronosticaban a un dispositivo de tal naturaleza, y precisamente el logro de estos dio
origen at campo de la ingenierIa conocido como elect rnica.
El primer paso importante en ci logro de un dispositivo de flujo electrnico
controlable fue dado por Thomas Alva Edison a fines del siglo XIX, cuando
construy una impara incandescente e introdujo un electrodo, al que llam
placa. Teniendo mcandescente el filamento aplic una diferencia de potencial entre dste y La placa, y pudo observar una corriente elctrica. Edison no
lograba explicarse este fenmeno ya que sabia que la corriente elctrica siempre
circula en un circuito cerrado y no habla ninguna conexin fIsica entre filamento y placa. Este efecto es conocido como efecto Edison (Fig. 10.1).
Algunos aflos ms tarde, H. Thomas desarrolla una teorfa que explica el
efecto Edison y da pie al desarrollo de los dispositivos que emplean este principio. AsI J. H. Fleming desarrolla ci diodo (que consiste de un filamento y una
placa); despus Lee de Forest introduce un tercer electrodo destinado a controlar el flujo electrnico por medio del campo elctrico aplicado.
285
INTRODUCCION
d) For ernisin trmica, es decir, al calentarse un material (metal) a una temperatura elevada, los electrones adquieren dentro de ste suficiente energfa y
pueden eventualmente escapar del metal.
Estos cuatro mtodos de emisin electrOnica se conocen respectivamente
como:
a) emisin secundaria;
b) emfsjn fotoelctrica;
c) emisin pot campo; y
d) emisin trmica o ter7noz6nica.
Los cuatro tipos de emisin se presentan en forma general en la Fig. lO..
etc
Metal
Placa
Metal
I
II II... Ae
ctroncs
primarios
I I
I
I
electrones
secundarios
'
-III+
Emisin
Fotoelctrica
Emlsjn
Secundaria
Metal
Placa
Placa
Metal
Placa
i'I
)1 I
t.1
calor
Emisin
por canipo
Emisin
Tcrmoinica
Figura 10.2. Los cuatro mtodos ms comunes de emitir electrones tie un metal.
287
Carga
imagen
Metal
0
01
electron
emitido
Figura 10.3. Electron al escapar de un metal. (a) Efecto de carga imagen; (b) potencial electrosttico cerca de la superficie.
Para analizar La emisin termoiOnica en metales se recordar el diagrama de
bandas de energfa de un metal (capItulo 2) tomo 1 tal como se muestra en la
Fig. 10.4.
288
WO
Nivel de Fermi
E
Fondo de la banda de
conduccion (BC)
Fondo de La banda
de valencia
Figura 10.4. Diagrama de bandas de energia de un metal, donde se muestran Los mveles de
vacIo y de Fermi, las energIas se miden con respecto al fondo de La banda de conduccidn.
El fondo de la banda de conduccin representa la energfa de un electron en
reposo dentro del metal y el nivel de vaclo representa la energia del electrOn
en reposo fuera del metal.
La diferencia de energIas entre el nivel de vac lo y el fondo de la banda de
conducciOn se conoce como W0 . El nivel de Fermi representa en metales a
T = 0 el ms alto nivel energtico ocupado, y a la energia minima necesaria
para extraer a T = 0 un electron del material en este caso metal se le llama
funciOn de trabajo 4. Por to tanto, puede decirse que:
h0 = 4) + E ,j .
(10.1.1)
Para establecer el tratamiento matemtico de la emisiOn termoinica analizaremos ci caso idealizado simple, seg(tn lo propuesto por Richardson-flushman, el cual establece como puntos importantes los siguientes:
a) no se considera el efecto que produce una intensidad de campo sobre ci
ctodo (efecto de carga imagen);
b) los electrones en ci metal se consideran dentro de un pozo de potencial de
altura finita R', tal como se muestra en la Fig. 10.5:
289
S
e
e
Vx
Nivel de vaclo
WO
IA
Pozo de potencial
sin efecto de caiga
nagen sobre el
metal.
Pozo de
potencial
//f/
considerando
EF
el efecto de carga imagen
_____ sre el me.
- -low x
p0
lfl 1,
= W0
_ 1
- _- rrz0 v
mo v.
(10 1 'I
I
I
-m0 v: = - m0 v
donde:
. :, v
'. i.. v
filo
290
(10.1.3)
dv,'dvdv.
h3
(10.1.4)
Multiplicando la densidad de estados por la probabilidad de que estn ocupados, es posible encontrar el nmero de electrones dN dentro del rango diferencial de velocidades que alcanzan un area A0 de La superficie en un tiempo dt,
con una velocidad v en la direccin x:
dN=
2 A0 m 3 v dt dv dv dv
V [1 + e(E - EF)KT]
Es conveniente considerar que Los electrones dentro del pozo tienen sOlo
energIa cintica, esto es:
(v +v +v).
(10.1.6)
h 3 [1 + e(mo
p)/'(Tj
(10.1.7)
29
f =
dN 2rn
h3 eKT j
A0 dt
V
eo
2KTd vy
Vy
eo 1
''
(10.1.8)
r_dN
2m eMT
A0 dt = h 3
)I2
y finalmente tenemos:
dN
4m0iiK2T2
A 0 dt =
e.
/KT
Ii
(10.1.10)
is
dN
A0dt
is em0T2 C -/KT
=
h3
(10.1.12)
La expresiOn (10. 1. 1 2) da precisamente la densidad de corriente termoinica deducida por Richardson-Dushman, conocida por lo tanto como ecuacin de
Richardson-Dushman.
La ecuacin (1 0. 1. I 2) resulta comn encontrarla expresada de la siguiente
forma:
TT (/XT
= dA
(10.1.13)
Js
-lTJ
292
donde:
4mirK 2 ,
= 1.2X 106 [
(10.1.14
K2 m 2
r T' e
Js = AT ()
MO
1t'T
(10.1.15)
dN =
is
KT
dN = -- em
e
dN =
J3
m0
dN = --e
2KTir
2KTir
- 2 P)/2 KT dvx,
2
MO V,
d(_
(10.1.16)
(10.1.17:)
2KT
e_moj/2 KT
dv
(10.1.18)
KT
dv: .
(10.1.19)
) eoI
Conocidas las distribuciones de velocidades es posible determinar las velocidades promedic de los electrones emitidos. utilizando la definicin del valor
promedio de una funciOn fdentro de una distribucin continua.
fN
fdV
dN
(10.1.20)
293
- =
e_m02KT
d(m0v
2KT
(10.1.21)
pnop
d()
2KT
j
2 KT ) 1l2
11
(10.1.22)
MO
vx,
(10.1.23)
En la ecuacin anterior el resultado se explica considerando que en la direccin de x la distribucin no es maxweliana, ya que en esta direccin los electrones ms rpidos tienen mayor efecto que los lentos. En la direccin y y z las
distribuciones de velocidades si son maxwelianas, entonces:
-
m0i',= rn0 vy ,
(10.1.24)
(10.1.25)
F2 =-
obtenindose asi:
E=KT, E1 =-1KT, E,
294
KT, ET=2KT.
(10.1.26)
(10.127)
potencia total.
(10. 1.28)
KT
Js
9.flAT
I
1/Ti I/T2
KQflAT/
- l/T
'1'= o +eTct.
dojxje:
296
(10.1.29)
10_1. EMISIONTERMOIONICA
JS = AT T 2 e(
4 =AT T 2 eo
donde:
( 10.1.30)
(10.1.31)
r.
A_Ae-ea/K .
(10.1.32)
--
r
/
dependern del
en ci rgo de temperatura
T0 , la dcpendencia de
b con la temperatura
puede aproximarse a
una forma lineal.
I
I
T(C)
Variacion dc la
barrera de potencial
/
E.
..
0
/ Metal
-e
Figura 10.9. Creacin de una carga imagen +e cuando se emite un electron e de una superficie metlica caliente (ctodo).
298
- -
Superficie '
methllca
NV
Plam
- CModo
1111+
.1'
()
VP
flh.i
o(x)
-.
I:h11
-
--
,'__\
[ Catodo
Wa
EF
VP
Figura 10.11. Aumento de la barrera de potencial cuando se aplica un carnpo eIctrico externo on of sentido de atraccin de los electrones por la superficie metlica (citodo).
299
(10.1.33)
e2
IX0
FEdX
4e0
()2
dx=
16e0x0
(10.1.34)
- l6ire0 x0
(10. 1.35)
4)
4)mix
Xmax
300
es la barrera de potencial de los electrones sin campo externo aplicado, pero considerando la carga imagen;
es la barrera de potencial de los electrones cuando se aplica un
campo externo sobre la superficie metlica:
es la barrera de potencial de los electrones cuando no se considera
la carga imagen ni existe campo elctrico aplicado;
es la funcin de trabajo (aparente) mxinia del ctodo cuando es
aplicado un campo electrico; y
es la distancia maxima en que ci electrOn ya no est bajo la atraccion de La superficie metlica, cuando es aplicado un campo elctrico externo.
En esta forma Ia barrera de potencial que encuentran los electrones sin camp0 externo aplicado es:
(x)= 10
e2
(10.1.36)
l6ire0x
e2
16 ir c0 x
=0,
e2
l6ire0 x
parax=, 4 0 (x)=4.
Cuando se aplica un campo externo E. se tiene:
donde:
(10.1.37)
(10.1.38)
Ex) eXEp.
d4 (x)
2
Iulreox max
.4
-~
eEx.
(10.1.40)
Xm(
1/2
-)
I 6ire0 E
(10. 1.41)
301
Ep =O,
4,=4'.
-(----)"2]/KT
Js = AT T2 ehu/KT = AT T 2 e[m
JS = AT T 2 e'mx/KT
(10.1.43)
jSE
ireO:,"2 ,
( 10.1.44)
(e)112
2K ire0
=0.44K/(V/m)
112
( 10.1.45)
(eEp/iro)1'2
(10.1.46)
donde
JSE es la densidad de corriente termoinica con un campo elctrico
aplicado, observndose que la densidad de corriente aumenta at
aurnentar el campo aplicado E.
302
; x=x1 =0
(10.2.1)
303
(10.2.2)
-e
eE
donde:
r = exp[ -2
F(x)dx],
(10.2.3)
J xi '/
I (x) es Ia energfa potencial de la barrera comprendida entre x1 y x2 .
(10.2.4)
11
Figura 10.13. Barrera de potencial 4 (x) donde puede existir transparencia de la barrera para
os electrones.
A.
304
= exp [-j
W0
-+
h2
)3/2
eEp
(10.2.5)
eEp
- 87rh43
r (ps) dp dp dp
exp
4
[--j
2m0
h2
) 1/2
(1 0.2.6)
(LI 1312
-
(10.2.7)
eE
10 EMISION ELECfRONICA EN
META LES
con los electrones que viajan, estos tomos ionizados chocan con la superficie
metlica siendo absorbidos por ella y, dependiendo de su funciOn de trabajo,
reducen o aumentan la funciOn de trabajo de la superficie. Ya que un leve
carnbio en Ia funciOn de trabajo provoca un camblo apreciable en La densidad
de corriente J. se pueden observar en La pantalla puntos de mayor o menor
intensidad.
ip
*
Punta
metlica
III
- - - - - - -
Pantalla
fluorescente
ITl
::(2)
K
fJ:
'KA
+'K
1'3
(I) Placaaceleradora
(2) Electrones primaxios
(3) Electrones
(4) Material
'3
LI i
VR
Figwa 10. IS. Aparato para medir las caracteristicas de emisin secundaria en materiales.
KO
CD
CD
D
electron
emitido
88'8
cc
(a)
electrOn
no emitido
BICD CD
D
(c)
'0
:
2.0
1.5
Tungsteno
.9
C,
1.0
0.5
oore
bZ
n------
Hierro
carga del
electrwi
(eV)
La Fig. 10.18 muestra cmo el ngulo de incidencia del haz primario afecta
a la cantidad de electrones secundarios emitidos.
2.0
900
1.5
700
600
1.0
0.5
ngulo
de
J."incider
480
00
(eV)
Superficie
(10.3.2)
donde:
S0 es la razn de emisiOn secundaria para e = 0,
S en la razn de emisin secundaria, y
P es el coeficiente que aumenta con la energfa de los electrones
primarios y es proporcional a su penetracin.
La Fig. 10.19 muestra la variacin del coeficiente de emisiOn secundaria
con respecto al porcentaje de energfa de los electrones secundarios. En esta
figura la energfa de los electrones secundarios se expresa como un porcentaje de
Ia energIa de los primarios:
PISCS
C====
.1
Rejai
Vg
s ,
ip
t'kr1"f
CItoclo
electrones
emit idos
rfj
Figura 10.21. Modeto propuesto por Einstein para explicar el efecto fotoelctrico.
310
10.4. FOTOEMISION
Luego, la energfa que un electrOn debe absorber del fotOn para podervencer
La barrera de potencial es:
h
2ir
Asi, cuando La radiaciOn es de mayor frecuencia (violenta mayor que rojo)
aumentar La cantidad de electrones fotoemitidos. La energfa con que los
electrones son fotoemitidos ser La que el electrOn mantenga despus de vencer
la barrera de potencial, es decir:
h
K0 =--- w-40
ww0 ).
(10.4.2)
=----(
27r
Jiw0
(10.4.3)
2,r
(CV)
311
(101.4)
p=mov.
El mismo electron al salir del cristal tendr una velocidad distinta
que inicialmente trafa. Luego:
W0
=
P'm0
v 2
~ rn0v$
de la
(10.4.6)
vr
(104.7)
=--(EW0)
i'
(10.4.8)
[2,iz (E W0 )J 1 ' 2 .
(10.4.9)
p= (2m0E)"2
[2m0 (E
W0 )]"2
(10.4.10)
10.4. FOTOEMISION
np = ( 2m0 E)"2 ,
hasta:
Ap - 0,
para E
para E -*
hw
electron
emitido
Metal
EmisiOn superficial
11 IV
electrOn
emitjdo
Metal
EmisiOn volumOtrica
10.4.11)
313
>
W0
case
i_m0v2
cos2 q>
(10.4.12)
WO
(10.4.12)
(10.4.13)
Podemos definir un ngulo lImite 80 tal que:
Cos 90= (..!Q.)1/2
E
(10.4.14)
La condiciOn se reduce a:
cos 0> cos 0,
( 10.4.15)
Por lo tan to escaparn aquellos electrones que Regan a la superficie con una
energfa cintica E y un angulo menor a 00, tal que:
(10.4.16)
Dado que los electrones que ilegan a Ia superficie tienen una distribuciOn
uniforme en cuanto a direccin se refiere, es entonces necesario saber qu porcentaje de la superficie cae dentro de esta condiciOn. Asf considerando el area
del angulo sOlido de la figura 10.24 tenemos:
A8 = longitud del arco en radianes.
area = d 12 = r sen e de d
314
10.4. FOTOEMISION
Area
Figura 10.24. Area del ingulo slido, donde r dO es la longitud del arco en radianes.
Si se escoge
f fO'
e
dS=
senOd8
d4= 2ir (1
cos90 );
(10.4.17)
- cosO4 ,
10.4.18)
Encontrndose que Jos electrones que ilegan a la superficie con una energfa
cintica E> W0 tienen una probabilidad de escapar de:
P(E)= I COS O0 = [ 1 (W0 /E)1' 2 J
(10.4.19)
Ir
['JEMPLOS
EJ EMPLOS
Ejemplo 10.1 ZCuintoseV debe cambiar la Iuncin de trabajo de unasuperficie
para que se produzca una reduccin del 17 por ciento en la emisin termoinica
a una temperatura de 2 000 K?
Soluc iOn
Utilizando la ecuacin de Richardson-Dushman, tenemos:
is 1 = AT 72
(E.10.1.1)
e1T
AT T2
e2T ,
( E.10.1.2)
J2
Despejando
AT T2
e2/T
= 0.83 AT T2
= 0.83 Js, = Ar T2
el/KT
e2T,
(E.10.1.3)
(E.10.1.4)
KT
= Qn 0.83,
(E.1O.1.5)
317
= KT fn 0.83,
- 8.62 X 10
4 4 2
=-
(E.lO.l.6)
X 2 X 10
n 0.83 eV
0.0328eV,
(E.l0.17)
Del resultado de la ecuacin (E. 10. 1.7) se observa que Ia funcin de trabajo
es mayor que la funciOn de trabajo
, lo cual es lOgico ya que 0 2 causa
una reducciOn en la emisin termoinica.
12
4 + 0.0328 eV.
(E.10.1.8)
Ejemplo 10.2. ZQu6 fraccin de Los electrones emitidos de una superficie metlica
tiene velocidades perpendicutares a sta y energias menores que la energfa
promedio KT?
Solucin
Si dN es La fraccin de electrones emitidos por segundo con una componente de velocidad en La direccin x entre v y v + dY,
emo l x t2KT
my2
(E.10.2.1)
d( 2KT
La fraccin de electrones emitidos en la direccin x con energias menores que
KT se obtiene integrando la ecuaciOn (E.I0.2.I). desde v =
= 0 hasta
)1/2.
= (2KT/m0
dN
j5
Nx
(2KT/ m0 )U' 2
00
tflV 2
d(_
2KT
fl (J V
'2
d( 2KT
318
(E. 10.2.2)
-.
EJEMPLOS
1(2KT/m0)1'2
- 16,1"OvX12KT
Jo
(E. 10.2.3)
[emo12KTj 00
e 1 e
e e 1
=1e 1 ,
1
= 1 -- = 0.63
e
NI r
iV
2K?'
),
e
(E.10.3.1)
c41KT1 =
AT T e0T1 eK
(E.l0.4.l)
e1K
(E. 10.4.2)
J 2 = '4r T eX2T2 = AT T
=A Ti &c)o/KTj ,
( E.
10.4.3)
JS2 =A T2 e01!CT2
(E.IO.4.4)
A. =AT e
(E.10.4.5)
donde:
T_ )2 eT2 -
(_
(E. 10.4.6)
De la ecuacin (E. 10.4.6) despejamos la funcin de trabajo 4:
=
KT, T2
T2 T1
Rn
'S2 T1
(E.10.4.7)
J 1 7
21.
4(1.7X 103)2
0.5(2.5X 103)2
eV.
EJEMPLOS
0.6138 eV.
(E.10.4.8)
is I
A. = - e
(E.10.4.9)
fl
Kr1
);
(E.10.4.10)
= 8.62X 10
[Qn
0.5
0.6138
+
103)2
120x (1.7X
8.62x 1 x 1.7x l0
eV,
(E.l0.4.1 1)
(E. 10.4.12)
<F
+a
(E.I0.5.l)
donde:
AT= 1.2X 102
A/(K cm' ),
is
(E.10.6.1)
donde:
322
-0/K
'1T
=A
i2
= 8 x I0
(E.10.6.2)
= A;.
di
./KT2
( E.10.6.3)
EJEMPLOS
= A
fl
-4'/KT2
(E. 10-6.4)
KT, T,
T2 T j
T
2n18X IO (__)2].
(E.10.6.5)
T2
Qn(8X
10
2x 103
3X 10
)2
J eV,
4 = 4.25 eV.
EjempLo 10.7. Si la temperatura de un filamento de tungsteno cambia de
2 0000 K a 2 100' K, ,qu tanto pot ciento cam biar la corriente de emisin?
Solucin;
is I = A j
fl
-4/KT1
(E.I0.7.I)
(E.10.7.2)
is = A. i'
Relacionando las ecuaciones (E.10.7.l) y (E.10.7.2), se tiene:
is 1
is
-4(T1 - T2)fKT1 T2 ,
(T1 1T 2 )2 e
(E.10.7.3)
323
is
2 X 10
2.1X103
JS 2
4s
X 10
X 4.2X 106
i
s = 0.26, siendo Js el 26 por ciento del valor de 1s 2 .
Js2
is2
is'
Ejemplo 10.8. Un diodo tiene un ctodo de recubrimientos de xidos que trabaja a una temperatura de 1000* K, con una tensiOn de placa igual a cern, siendo
la corriente de placa prcticamcnte nula, mdicando esto que el potencial de
contacto es suficientemente elevado como para, impedir que la mayorfa de los
electrones ileguen a la placa. Si se aplica una tensiOn progresiva hasta que aparece
una pequefia corriente, demuestre que la corriente aumenta hacindose 10 veces
mayor por cada 0.2V de incremento en el potencial de placa.
Solucin:
En la emisiOn termoiOnica un potencial de placa aplicado puede tener un efecto
de aumento o reducciOn de la barrera de potencial de los electrones de ctodo;
asf, si aplicamos la ecuaciOn de Richardson y considerando el campo en el
ctodo debido al potencial de placa, podemos escribir:
-(4' . eV)/K7'
Js
= AT T 2 e
(E.10.8.1)
=
324
AT T 2 e
eV/KT,
( E.l0.8.2)
EJEMPLOS
eV/KT
is
JS V
eV/KT
0.2/(862
----=e
is
(E.10.8.2)
(E.10.8.3)
10 -'
10
is
is
= 10.18
10.
Ejemplo 10.9. Un diodo consiste de placas paralelas separadas 0.01m, con una
diferencia de potencial aplicado de 1200 V. Encuentre:
a) el campo en el ctodo;
b) la distancia x,,.,
c) la cantidad que disminuye la funcin de trabajo debida at campo externo
a)
-*
VP
E= d
-e
EP =
1200
10-2
(E. 10.9.1
V/rn,
E= 1.2X 10 V/rn.
325
=(
)112 ,
(E.
10.9.2)
(E.
10.9.3)
16 7r e, Ep
XmjX
1.6X IO
102
16X 8.85X
x 3.14x 1.2X 10
x,,,dx
10-8 m.
e
C)
)I/
mx
mix
eEp
)
I2
1.6X 10 X 1.2X io
eV,
4 X 3.14 x 8.85 X 1012 )h/2
41 - ,O.Ol3eV.
0.44 (Ep) 12/T
1SE
i
s
1S C
=e
-O44(E)13 IT
JSE
is
0.44(1.2X 105)U2/1300
=e
1SE
is
= 0.8894
SE
326
(E.IO.9.4)
EJEMPLOS
Ejemplo 10.10. Encuentre el campo Ep en la superficie de un filamento de
tungsteno a T = 2500 K, que hace decrecer 8 por ciento La funcin de trabajo.
Determine el aumento en por ciento de la comente termoimca y la maxima
distancia que ci electrn puede recorrer sin poder escapar de la influencia del
catodo.
SoIucIn
e
eE
)1/2
ire0
_ 'mx
-+1/2
E.10.10.1)
(E.10.10.2)
=
(A 0)2
'
(e/2)2 (c/ire0
(E.10.I0.3)
1(.12)
V/rn,
1e
1SE =
0.44(9.005
IT
x 107)1/2,2.5
(E.10.i0.4)
X 103
1SE = 5.31 J
327
1.6x 1019
16 x 3.14 x 8.85 x 10
Xmax
Xmdx
1/2
(E.10. 10.5)
16ire0 Ep
)I/2 In,
x 9.005 x 10
= 2 X 10 m.
Xmx
C.
(F.b.I 1.1)
3X108
5.86X 10
E + hu = W0 + EC ,
328
(E.I0.I 1.2)
Hz= 5.1 X 1014 Hz,
(E.. 10. 11.3)
EJEMPLOS
donde:
Ec es la energIa ciri&ica de los electrones fuera del ctodo:
Ec + 4) = h v.
(E.10.11.4)
b)
Sihv=4)
entonces:
Ii C
A
despejando X , tenemos:
Ii C
(EAO.1l.6)
4.14x 10's x 3x 10 A
0.91
X = 13.65 x 10 m = 13650A
X = 13.65>< 10" m = 13650A
Ejemplo 10.12. Una fotocelda tiene electrodos de diferentes metales; luz monocromtica de longitud de onda de 3000A incide en ci electrodo A y requiere de
un potencial de 1.7V para que la corriente que fluya sea cero; si incide sobre B,
el potencial necesario para esto es de 1.25V. Determine Las funciones de trabajo
de ambos metales e ilustre las relaciones de energia en forma grfica.
329
3 x 108
Hz,
v = 10 Hz,
ki = hv EcA ,
(E.10.12.1)
= It u - ECB.
\V
h
NV
NV
Nivelde
Fermi
J Ni
z.
B> 'A
330
EJEMPLOS
Ejemplo 10.13.
Determinar la velocidad maxima con que serail emitidos los fotoelectrones (en
caso de serlo), cuando se hace incidir una radiacion de 5893A sobre:
a) Una superficie de cesio, cuya funciOn de trabajo es de 1.8 eV.
b) Una superficie de plutonio, cuya funcion de trabajo es de 6 eV.
C) Repetir los calculos anteriores cuando la radiaciOn incidente es de 743A.
Solucion:
eV= hu (1) ,
(E.10.13.1)
La ecuacion (E.10.13.1) nos indica cual es la energfa con que los electrones
son fotoemitidos y de esta es posible calcular la velocidad con que escapan;
sustituyendo valores, se tiene:
a) Para el caso del cesio: eVcsi = hf1 'tics
4.14 X 10' s X 3X 108
5.893 X 10-7
(E.I0.13.2)
1.8) eV = 0.31 eV
eVcsi = 0.31 eV
Conociendo la energia de los electrones fuera del catodo podemos determnar la velocidad de estos de la forma siguiente:
2
M o V es
vcs =
2e Vcs,
(E.10.13.3)
(E.10.13.4)
331
vCs, =
9.11 X 10'
)v2 m/seg.
A2 =
Para el cesio:
(E. 1 0.13.5)
e 1 s 2 = 111'2
e 1 C2
743 x 10'
e V, = 14.92 eV
2e Pc's,
cs 2
(E.10.13 .6)
)" m/seg.
LIEMPLOS
Para el caso del platino esta longitud de onda X2 = 743A sf logra emitir
electrones, asf entonces la velocidad de los electrones fotoemitidos sera:
eVpt
Ilf2
(E.10.13.7)
cPpt
eVpi = 10.76 eV
6.0 ) eV = 10.76 eV
e Vpr = 10.76 eV
v(
in
112
)
(E.10.13.8)
pt = 1' 95
x 10 m/seg.
333
PREGUNTAS
10.1 LQue importancia tiene la ecuaciOn de Richardson-Dushman en la emisiOn
termoionica?
10.2 LA que se debe la modificaci6n de la barrera de potencial en el efecto
Schottky?
10.3 LPor que resulta necesario suministrar energfa a un catodo en emisi6n?
10.4 ,De que formas es posible medir experimentalrnente la funciOn de trabajo de un material?
10.5 Mencione las causas por las cuales el valor de la constante AT de la earncion de Richardson varfa.
10.6 LQue consideraciones se toman en cuenta en el efecto Schottky?
10.7 ,Como se afecta la densidad de corriente de un material en emision cuando
se aplica un campo extern Ii?
10.8 LComo afecta la funciOn de trabajo de un material a la densidad de
corriente termoionica?
10.9 Si desea construir un dispositivo con una determinada densidad de corriente maxima. Lque criteria debera, de emplear para escoger el material del
catodo?
10.10 Lamm se ye afectado un catodo en emisi6n Si no se encuentra al vacfo?
10.11 ,En que consiste la emisiOn secundaria?
10.12 Defina el coeficiente de emision secundaria.
10.13 Explique, Lpor que los electronos que mas contribuyen a la emisiOn secundaria son los de la superficie del material en emisiOn?
10.14. LEn que consiste la emisiOn fotoelectrica?
334
PRI,GUNTAS
335
l'ItORL EM AS
10.1 Determine el campo electric aplicado que reduce la funciOn de trabajo
de una superficie metalica en 0.25 eV.
10.2 i,Cual es la fracciOn de electrones que son emitidos de un metal con
velocidades normales a la superficie y energfas- mayores que la energfa
promedio KT?
+ aT, determine el valor
10.3 Si la funciOn de trabajo varfa de la forma 43=
de a que hace que la emisiOn termoiOnica se reduzca en un 27%.
10.4 Un catodo de una fotocelda tiene una funcion de trabajo (I) = 4.5 eV.
Cual es la velocidad maxima de los electrones emitidos cuando la celda
se radfa con luz de frecuencia igual a 4 X 10'5 Hz.
10.5 i,Cual debe ser la intensidad de campo electric aplicado a un catodo de
tungsteno que se encuentra trabajando a 2 300K para que la funciOn
de trabajo se reduzca en un 5%? Sual sera el porcentaje de aumento en
la emision termoionica bajo estas circunstancias? i,Cual es la distancia
maxima perpendicular a la superficie que el electron emitido puede viajar sin que se asegure que este ha sido realmente emitido?
10.6 Pruebe que el enfriamiento de un catodo termionico debido a la emisiOn
de electrones esti dado por (I/e) ((I) + 2 KT).
10.7 i,Cuanta potencia debe suministrarse a un catodo que tenga una funciOn
de trabajo de 2eV, para mantenerlo a 1 200 K, si el area del catodo es de
1.8 cm2 y se considera el caso ideal en que los electrones con energfas
iguales o mayores que E + (I) puede escapar de este?
336
PROBLEMAS
10.8 Encuentre la maxima velocidad con la cual los electrones serdn emitidos
(si es que existe la emisiOn) cuando una radiaciOn de longitud de onda
de 6 000A incide sobre:
a) Una superficie de cesio con una fund& de trabajo de 1.8 eV.
b) Una superficie de platino para la cual la funciOn de trabajo es de (.0
eV.
10.9 Una cierta superficie metalica tiene sensitividad espectral de 6 mAJW
cuando incide radiacion "e 2 000A. LCudntos electrones seran emitidos
fotoelectricamente por un pulso de radiacion de 25 000 fotones de la
longitud de onda mencionada?
10.10 Para remover un electron de un material metalico se requiere que este
tenga una energia cinetica de 10e\'. a) Si un electron tiene el 90% de
estd energfa. LQue tan lejos llegara de la superficie?
10.11 Calcule la densidad de corriente de una superficie frfa de tungsteno,
emitida por el efecto de campo electric aplicado:
a) Si el campo electric aplicado es lOg Vim.
b) Si el campo electrico aplicado es 109 Wm.
e) Si el campo electric() aplicado es 10") Wm.
Considere que la funcion de trabajo del tungsteno es de 501.
BIBLIOGRAFIA
C.L. HEMENWAY, A.W. HENRY, M. CAULTON; MILEY, Physical Electronics.
ALDERT VAN DER ZIEL, Electronica del estado solid. PHI (1972).
JACOB MILLMAN, PH. D., SAMUEL SEELY, PH. D., Electronics, second
edition, International Student Edition, McGraw-Hill.
Capitulo 11
DISPOSITIVOS AL VACIO
INTRODUCCION
Se ha dicho que al igual que los alquimistas de la Had Media buscaban afanosamente la "piedra filosofal" para convertir cualquier metal en oro, los primeros
investigadores en materia elctrica buscaban tener un dispositivo al que le pudieran controlar ci flujo dc corriente elctrica mediante la aplicacin de alguna
excitacin externa (campo elctrico. campo magntico, radiacin, etc). Con el
estudio del fenm'mo de emisin termoinica se desarrollaron los tubos al
vacio (vlvulas al vacIo), pues se consider que si era posible emitir electrones
de un metal al calentarlo y stos tenfan que viajar una distancia para encontrar
el electrodo positivo que los atrala (placa), en el espacio interelectrdico se
podrfa de alguna manera controlar el flujo, lo cual result cierto y se desarrollO
la recnologfa de los dispositii'os a! vacz'o.
Los electrodos que forman tin tubo al vacio se encuentran encerrados en el
interior de un recipienle de vidrio al que se le ha practicado un alto vacio
(aproximad amen te 10 mm, de mercurio).
Uno de los electrodos, Ilamado cdtodo (metal que al calentarse emite electrones), puede ser de calentamiento directo o indirecto. En el primer caso puede ser
wolframio, tungsteno puro, wolframio toriado, niquel o una de sus aleaciones
recubiertas de xido de barb. estroncio o 6a1cio. Las temperaturas de operacin
estn airededor de 15000 K. las cuales se logran haciendo pasar una corriente a
travs del ctodo. En los tubos de calentamiento indirecto el ctodo no es recorrido por la corriente de calefacciOn, sino que sta circula por Ufl filamento
aislado del ctodo, denominado filamento calefactor Fig. 11 .I; este filamento
queda rodeado por un cilindro de nfquel sobre el que se deposita la capa emisiva
(xidos de barb, estroncio, etc.), que constituye el ctodo propiamente dicho.
Los tubos de calefaccin indirecta tienen un mejor rend imiento y una inercia
aIorffica ms pequel"ia, siendo casi instantnea su emisin; desgraciadamente a
1
339
DISPOSITIVOS AL VACIO
veces provocn zumbidos debidos a la red, cuando se alimenta ci filamento emisor con corriente alterna, por 10 cual se utilizan raramente en los aparatos alimentados por corriente alterna (CA). Par el contrario, son frecuenternente usados en
aparatos alimentados por bateria, a pesar de que en este caso es preciso compensar
la desigualdad de potencia en ci ctodo como consecuencia de la caida de tension
en el filamento. Esta Cs una de las razones por las cualesla tension de calefaccin
se mntiene en un valor tan reducido como sea posibie (varIa entre 1.4 y 2 V).
La Fig. 11.2 muestra las representaciones simblicas de estos dos tipos de
citod OS.
L'atOdo
IF F1
()
,t
catodo
[:jl ameflto
caicta etor
(b)
directo.
Fgura 11.3; (a) tension aplicada al fiiamento calefactor; (b) representaci6n normalmente
usada para ci ctodo.
340
La placa de la Fig. 11.4 es una envolvente metlica cuya rnisin es la de recibir todos los eleLtrones que puedan liegar hasta r1la. donde la energia cintica
de stos se transforma en energIa calorifica. La placa no debe sobrecalentarse Iii
mucho menos ponerse al rojo vivo, ya que en este caso se producirfa una emisin
secundaria que siempre es preciso evitar. Debido a esto. las placas se hacen de
metales que radien fcilmcnte el calor, tales como tntalo y molibdeno, que
pueden disipar de 2 a 3.5 W/cm2 . Para los tubos de gran potencia, las placas van
provistas de aletas de refrigeraciOn que aunientan la superficie de disipacidn del
calor puede tambin usarse una circulacin de agua destilada que aumenta la
disipaciOn en vanas decenas de W/cm2 .
:odo
fflanierit
Figura 11 .4. Muestra del ctodo, filarnento calefactor y placa de un tubo al vacfo.
11.1 DI000ALVACLO
introduccin
El dispositivo al vacfo mais simple que se conoce es ci diodo al vacfo, ci cmii
consta de dos electrodos Ilamados diodo y placa. Cuando ci ctodo del diodo
est frio, los elcctrodos constituyen una pequefla capacitancia (de unos cuantos
zf). ('on el cdtodo caliente y la polarizaein debida. la placa conduce con caracterfstica no-lineal, aun para corrientes de placa considerubleniente meriores a su
valor de saturaciOn. Esta no-linealidad es resultado de una nube de electrones
(liamada carga espacial) que se acumula cerca del ctodo y reduce ci potencial
cercano a ste, a un valor igual o menor que ci del ctodo.
El anlisis del diodo es sencillo, cuando se considera que ci cdtodo y la placa son superficics planas, paraletas poco separadas, en donde ci campo elctrico
es perpendicular a todos los puntos de los ekctrodos. Este andlisis resu]ta vlido
para geometrias ms complicadas.
341
11 DISPOSITIVOS AL
1 .1 .1. Rdaciones de voltaje y corriente
La Fig. 11.5 muestra la geornetria de un diodo planar; elpotencialencadapunto
entre el ctodo y la placa dependera de x,hajo diferentes condiciones de operadon.
Si:
d2 V(x)
dx2
=0,
dV(x) dx
V(x)=C'x.
(11.1.3)
x=0
x=d
342
v=o.
V= V,,
(11.1.4)
p(x) O;
(1 1.1.8)
343
11
DISPOSITIVO AL V ACIO
ci) (as condiciones de frontera, las cuales pueden establecerse en cuarro distintos
('lSOS,
1)
d V00
0,
(11.1.9)
x=d,
11)
111)
IV)
x=0 .
-. A
r._.
V
x= 0.
V=0,
xzd.
V=V1.
x=0 4
V=0,
11=0.
VJ.J
7> dV(x)
dx
r
- 'PR
X 0
>0.
dV(x)
dx
dV(x)
dx
x=d,
(11.1.10)
(11.1.11)
TIPK
> d .
x=0
(11.1.12)
- [(2e/m)
V(X)1112
J
[(2dm) V(x)1
d2 V()
dx 2
Si Ilamarnos
344
J
=
- 0 [(2e/m)V(x)}
= c/rn
dV(x)
dv 2
en la (11.1.6).
[2 71
2dV(x)
dx
dx2
2J
1/2 '(x)112
- eo
2J
d r dV(x) ]2 = dx
dx
e0 (2rj)112
dV(x)
dx
d [2V(x'l"2]
4f
- 1/2
1/2 1'(x) +C 4
e0 (2)
dV(x) 2
dx
x=O,
x=0
dV(x)
dx
= 0,
= 1-
dx
4J
I
e0(2)1/2
112
V(x)114
4. V(x
)31
j 1/2 } 1/2
()
X+
(' 2
x = 0,
V(x-
- 1-
4J
1/2
x
1/2 1
e(2ii)
345
11DISPOSITIVOS AL VACTO
De l.a ecuaciOn (11.1.19) despejarnos la densidad de corriente J que existe entre ctodo y placa,
3,2
4
12
V(x)
J=
(21)
Si sustituirnos los valores de las constantes y efectuamos Las operaciones, se tiene:
3/2
(A/rn2 ).
(11.1.21)
PK , x=d;
1 x= d =V
J=-2.33X 10_6
TI 3 12
rpx
(A/rn 2 ).
d2
(11.1.23)
Figura 11.7. Grfica del potencial cuando hay densidad de carga.cspacio entre ctodo y placa
de un diodo planar al vacfo.
346
v K3/2
'1s = ATe1'1(T).
(11.1.24)
En un tubo diodo al vacIo de caracteristicas comerciales se tiene una geometrIa de construccjOn ya establecida y el valor de d2 es constante; por lo
tanto, la ecuaci6n(11.1.24) se puede escribir como:
PK = k
AT 2 etcT).
(11.1.25)
II
I
Ic
-7
P
-0
vFK
Figura 11.8. Caracter(stica de V-I para un diodo tipico a! Vaciu, para diferentes temperaturas.
DISPOSITIVOS AL VACIO
F (x )1 1/2 + a2 } 1/2 ,
(11,1.27)
4J
(11.1.28)
E(217)
(11.1.29)
=dx.
(11.1.30)
3C3
8a3
F .
despejando a C3 , se tiene:
= 16 V(x)3' 2 256 V(x)3
36x2 [48xa3
18X2
48u2 V(x)1
1/2
(11.1.32)
Vx)J2 }
(11.1.33)
348
IIJDIODO ALVACIO
Se debe tomar el signo menos para el radical ya que es el que satisface la condicin de:
3/2
4
ii V(x)
a= 0, j=0()
( ll.L.,4)
;
entonces
J = - 2.33 X 106 1
V(x)312 + /_V(x)3
V(x)312
d2
x2
-T
x4
1/2
-4-6.75d2 [da3
d4
(11.1.36)
El graficar la expresin (11.1.36), ya sea para a> 0 o para a < 0, nos arroja
informaciOn sobre los casos II,, III, IV, pero resulta diff cii pues tiene que hacerse por tanteos o aIgi&n mtodo de clculo numrico.
Se considera que el valor de a depende de la temperatura a la que se tenga
al ctodo, de tal manera quc a temperaturas bajas a> 0, y a temperaturas eleva349
DOSITIVOS AL VACIO
-0.
x= 0
Graficando los distintos casos que se han establecido, se tienen las siguientes figuras:
V(x)
V(x)
V(x)
VPK
VjK
VPK
J
dV =
(b)
(a)
ft.)
Figura 11.9. Variaciones de potencial entre ctodo y placa: (a) condiciOn limitada por la
temperatura; (b) condicin limitada por la carga.espacio (campo e1ctrico nulo sobre ci
ctodo); (c) condicin limitada por In carga-espacia (campo eInctrico positivo para el ctodo;
velocidad inicial finita para los electrones).
En el caso de La Fig. 11.9-a la densidad de carga espacial p entre los electrados del diodo es pequefla y los electrones que salen del ctodo alcanzan la placa
limitados solarnente por la temperatura (ecuacin de Richard son-Dushman).
En el caso de la Fig. 11.9-b, la temperatura es suficientemente clevada, para
350
Placa
Fi lamentos
A
ciodo
(a)
(P4
(c)
Figura 11.10. Simbolo y construccin t(pica de: (a) tubo diodo de ctodo de calentamiento
indirecto;(b) tubo diodo de ctodo de calentamiento directo; y(c) construccin tfpica.
11.1.3. Caracteristicas y lirnitaciones
En la tabla 11 . I se muestran los parmetros, las literales y las definiciones que
se emplean en Los diodos al vacfo.
351
TABLA 11.1
Parmetro
Valor
Definicin
Voltaje de
filamentos
Corriente de
filamentos
I.
Voltaje de pico
inverso de placa
Vip
Corriente directa
promedlo
'PK
Corriente pico
repetitiva
'PKT
Corriente pico
transitoria
'PKR
VPK
@ 'PK
CPFIC
Es la capacidad que se tiene cortocircuitando la placa y ci filamenito con ci cdtodo del diodo a! vacio.
Corriente instantnea
de placa.
i ph
CKFP
C71.
11.I.DIODO ALVAcIO
TABLA11.1 (cont ... )
Parmetro
Valor
Definicin
Potencia de disipaciOn
de placa
VF,,
Tiempo de
calentamiento
T.
Tipo de montaje
y de base
D
7T
IM 1PK
Is
0V0 VQ VD
VM
353
DISPOSITIVOS AL VACIO
L_fJ
Rp
Di
2
VPK
(11.1.38)
En la Fig. 11.13 se muestra el circuito esttico del diodo al vaclo para la regin de Langmuir-Child, considerando al obtener el modelo un punto de coordenadas (VD ,ID) por donde se traza una tangente a la curva que parte del punto
(Vol 0).
'PK
Figura 11.13. Aproximacin segmento lineal y circuito equivalente esttico, para el diodo en
la region de Langmuir-Child.
Cuando VPK > T', el diodo conduce y
VPK =RpIpK + V.
donde:
- V,
u
PK
354
(11.1.39)
i.,312
JPKAYPi
(11.1.40)
dVPK
RI
dIPK
, r
VD, 1D
VD -1
'
(11.1.41)
ID
2 V
RP MD
(11.1.42)
VU
(11.1.43)
VPK
Rp
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
corriente de placa se logra modifjcando a distribucin del potencial entre cdrodo y placa. El voltaje aplicado a a rejilla con relacin al cdtodo pro porciona el
mecanismo para variar esta distribucin de potencial.
Los triodos al vacfo tienen una gran variedad de tamafios y diferentes configuraciones en sus electrodos. Por ejemplo, un tubo subminiatura es de cerca de
3 cms de largo con un dimetro comparable al de un lpiz'ordinario, mientras
que las dimensiones de un tubo de los usados en transmisores son ms fcilmente
expresables en metros. El tamafto est determinado principalmente por los niveles de potencia y voltajes requeridos en una aplicacin dada. Los triodos son clasificados como dispositivos de control y para la gran mayorIa de las aplicaciones
operan con mveles de potencia de unos cuantos h. Los tubos grandes de alta
potencia usados en transmisores de radio pueden manejar KW de potencia.
11.2.1 Simbolo
En la Fig. 11. 15 se muestra la estructura tIpica de los electrodos en el triodo
y en La Fig, 11 .16 se tienen los diferentes sImbolos para el triodo.
0 00 0000000
____Reja(G)
.Ctodo (K)
i1arnentOS
F1
F2
Placa (P)
Reja
(K)
Filamen
F1 F2
(a)
4
K
F1 F2
(b)
(c)
Figuia 11.16. Sfmbolos del triodo: (a) sfmbolo del triodo con ctodo de ca!efaccin directa;
(b) simbolo del triodo con ctodo de calefaccidn indirecta; (c) sfmbolo del triodo normalmente usado.
356
, vpx
o.k
nos
M o-
'I
C
/
C.)
I,
o
4
x
(a)
VG XG
(b)
11 DISPOSITIVOS AL VACTO
Qp
QK QG
4
K CPK
rc
CGK
QG
Vc
- +
QPK = CPK VPK +C .c (VFK_ VG)
+
(a)
(C)
(b)
Figura 11.18. Modelo electrosttico del triodo frno: (a) potenciales; (b) capacitores; (c) ley
de comportamiento.
SupongamoS ahora que QG = O(sin carga de re/lila); esta resulta elctricamenre transparente y la curva de potencial tiene una pendiente VpK/Xd mostrada en la Fig. 11.17-b. Adems, si la variacin de la carga QG con respecto al
voltaje V de la reja se hace cero, se puede obtener:
'
____
Fig. 11.19 modelo del triodo mostrando el caso en que Q = 0 (reja transparente).
GGKVG+C=
CPU VpK ,
.VPK G K +
( 11.2.2)
C,
358
;sustituyendo (11.2.4) en
(11.2.3),tenemos:
11
_ K = GK
VC,
(11.2,4)
(11.2.5)
PK
'
I
II
I-
0.
I
I
I
I
I,,
I
I
tv
--'XG
Xd-
DISPOSITIVOS AL VACJO
ove
P
Diodo equivalente
--VG
IF
VPK
IF
'PKD
(b)
CPK
()
Figura 11.21. Equivalencia del diodo y triodo al vaco en funcionamiento, considerando que
41cD'PKT
Si se satisface la condicin de equivalencia 'PKD = 'PKT' y se conoce la relacin entre (V) y ("K' V) para lo cual recurrimos a las ecuaciones de carga
previainente establecidas, de la ley de comportamiento (Fig. 11.18-c) tenemos:
QPK = CPK VPK
+c
- VG );
( 11.2.6)
es decir:
CPK VIK = CPK VPK + CPG ( VPK - VG).
(11.2.7)
(11.2.8)
(11.2.9)
CGK
V( .
CPK
(11.2.10)
QK/CPK. Entonces:
VpX = Vp+V.
(11.2.11)
(11.2.12)
'PK
- 4rp
1Le Ti'3I2
GI
(11.2.13)
(11.2.14)
P e V+ VPK = () 3/2
(a)
VpK(V)
DISPOSITIVOS AL VACIO
Sin embargo, en la realidad las curvas del dispositivo triodo discrepan de las
tericas como se muestra en la Fig. 11.23.
1PK
2V 0 'A
Or / IVG -_ ov
-lv
prcticas
- tericas
divisorias
-2V
-5v
/
/-4v
0
VpK(V)
Figura 11.23. Discrepancia entre las curvas reales y las tericas para un triodo termoinico al
vacIo, donde g = 1e
Dentro de la region central contenida entre las llneas OA y OB (Fig. 11.23),
Las curvas experimentales siguen muy bien a las curvas tericas. Esta regiOn es la
que normalmenre se utiliza al operar ci dispositivo y se le denomina region activa.
Arriba de la linea OA la corriente de placa real es menor que la obtenida
teOricamente pues la distribucin de potencial entre La placa y el ctodo se ye
modificada por la presencia de carga espacial entre rejilla y placa; a esta region
se le denomina regiOn de saturaciOn, Abajo de la imnea OB la corriente real es
mucho mayor que la corriente terica,.lo que puede atribuirse principalmente a
inevitables fallas en la uniformidad del espaciamiento entre rejilla y placa; a esta
regiOn se le denomina regiOn de corte. Asi es posible construir triodos de carte
remoto en los cuales el espaciamiento entre los alambres es intencionalmente
no uniforme: y triodos de corte rpido eu los cuales el espaciamiento entre los
alambres de la rejilla es uniforme. Los triodos de corte remoto se usan extensamente en aplicaciones en las cuales se desea el control de ganancia par media de
la polarizaciOn (Fig. 11.24).
11.2.4. Curvas de corriente de rejilla para un triodo tipico
La rejilla (ilamada en muchas ocasiones reja) y el ctodo forman un diodo que
conduce corriente para valores positivos de voltaje de reja (Fig. 11.25).
362
11.2. TRIODO AL V.
i'-"
LUU
.V'.
Ivv
J1 V)
VpKr)
V
PK(V)
Figura 11.25. Curvas caracterIsticas estticas del diode de reja-cdtodo con VPK corno para.
metro.
363
DISPOSITIVOS AL VACIO
Figura 11.26. Curvas caracterfsticas estticas del diodo de reja-ctodo con VG como parmetro.
11.2.5. Caracterfsticasyliffdtaciones
En la tabla 11.2 se muestran las principales caracterfsticas y limitaciones del
triodo a! vacIo.
TABLA 11.2
Parmetro
Valor
Defjnicin
Voltaje de
filamentos
Jj.
Es el voltaje nominal rms o promedio que especifica el fabncante para alimentar los fliamentos.
Corriente de
IF
VPK
Vpjw
filamentos
364
Valor
Definicin
vph
Corriente promedio
entre placa-ctodo
'PK
Corriente instantnea
entre placa-ctodo
1k
Voltaje de
reja-ctodo promedio
VG
Voltaje de reja-cdtodo
instantneo
v.
IG
Voltaje maxima de
reja-control
VGM
Es el voitaje maxima permitido que se puede aplicar entre la reja de control y ci ctodo.
Corriente maxima
de reja
'GM
Es La corriente maxima de reja de control permitida sin que se daile el dispositivo; normalmente
cuando VG >0.
Potencia de
disipaciOn
PD
Factor de
ampliflcacin de
voltaje
Transconductancia
dvpk
- dv
g,,
'pk
= cte
VPk=cte
365
11 DISPOSITNOS AL VACIO
TABLA 11.2 (cont...)
Paris metro
Valor
DefInicin
Resistencia de placa
r9
= cte
CGP
CGK
Capacidad entre
placa y ctodo
CPK
Es la capacidad que se tiene entre In placa y el ctodo, con La reja de control desconectada y sin
blindaje.
Tiempo de
calentamiento
T.
Tipo de montaje
y de base
Ejemplo:
T9
ST1 4
T6112
T5'2
MIS
MTI 2
112
Voltaje de
filamento a ctodo
VFK
Tiempo de
vida medio
tM
366
-----
it
I. ____
0
GL_
ctodo comn
p
p
LK
I
L_____..
placa cOmn
Figura 11.27. SImbolo del triodo al vacio y su representaciOn en cuadripolo para las distintas
configuraciones.
Asf, analizaremos primero el caso de ctodo comn. Si anteriormente se
obtuvo el equivalente lineal de un diodo al vacfo y en esta seccin se ha concluido que entre reja y ctodo se tiene un diodo, y que el comportamiento de
placa-catodo es como se muestra en la Fig. 11.22-b, se puede establecer que un
triodo es equivalente al arreglo mostrado en la Fig. 11.28.
MER
U VG
DISPOSITIVOS AL VACIO
VG = OV
Rp
1+
oI
'PK
D2
-2V
-3V
E
MVG
-4v
-5V
K
R
(a)
,Iiv
11t/tL'
w-t
01
El
2 34 4M 5P
(b)
61
VPK
(c)
Figura 11.29. Equivalente esttico de un triodo at vacIo y su aproxiniacin a las curvas reales:
(a) s(mbolo; (b) equivalente lineal; (c) aproximacin segmento lineal de sus caracteristicas.
Para que el equivalente sea rns simple, normalmente se hace E2 = E1 = 0,
lc que hace que el circuito equivalente en ctodo comin quede:
P
R D2
'PK
Lo
VQOV G
4'PK
I'GVPK
lv
-2V }
_______________________
3V
(b)
(a)
___
A
2,
3
0
VPK
(c)
Figuni 1130. Equivalente esttico simple del triodo y su aproximacin a las curvas reales:
(a) sImbolo del triodo; (b) equivalente esttico del triodo simplificado en configuracin de
ctodo comn; (c) aproximacin segmento lineal.
368
Debido a que en la mayorfa de las aplicaciones la reja de control est polarizada inversamente, D1 no conduce y se puede establecer el euivalente siguiente (Fig. 11.3 1), el cual es el ms empleado. En todos los anlisis y equivalentes
que se han trabajado, no se ha considerado el signo de J', de manera que Si
VG <0 la polaridad de la fuente p VG debe cambiar respecto a lo indicado en las
figuras anteriores.
r
Rp
'PKQ
OK
VG
(5L VG
VpKI
Kg
g
(b)
(a)
Figura 11.31. Equivalente lineal ms simple para un dispositivo triodo al vacfo en configuracin de ctodo comCin: (a) simbolo del triodo a! vacfo; (b) equivalente sirnplificado en confiuracin de ctodo comtin.
g
VPK=PVG +RI,
I'PK
'
/A
-= - + FK'
R R
PK
(11.2.16)
'G
lIpK=cte
Rp MPK
V=cte
DISPOSITIVOS AL VACIO
4- 1PK P
-o
VG
Rp1
__- IPK
\mvG
K
-o K
(a)
(b)
Figura 11.32. Equivalente del triodo con fuente de corriente: (a) sImbolo del triodo. (b) equivalente simplificado con fuente de corriente para untriodo en configuracin de ctodo cornn.
Considerando las capacidades interelectrdicas, ci circuito equivalente queda mostrado en la Fig. 11.33.
'PK
CpG
G
4
OP
L
RpV6~i
CGKCPK
VGI
0
En la Fig. 11.34 se muestran los equivalentes del triodo para las con figuraciones de reja y placa comn.
VPK
pm
siI
PVC
KP
\(c
'PK
p VG
(a)
0 p
G
(b)
Figura 11.34: (a) equivalente simplificado de placa comCin: (b) equivalente sisnplificado de
reja conin.
370
50
30
-3
10
7000
6000
5000
10
4000
Br'
3000
F,
2000
4,
1000
Figura 11.35. Variaci6n de los parametros del triodo, considerando la temperatura del catodo constante, en funcion del punto de operacion del mismo.
371
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
RL 1
VpK :
G
VGG V I I
+
I
I
I
1
PI
I
I
G
str 0
r . 1
I
VPP
I
K L___. 1._
".
-0
0
a
14 VPKQ
Wj4
VR L
V PP
Figtua 11.37. Analisis grafico del amplificador trazo de la recta de carga y del punto de operacidn.
372
Cuando se tiene un cierto valor de VGG dado (por ejemplo 2 V) y el voltaje de excitaci6n ve = 0, se obliga al dispositivo a trabajar sobre la curva de VG =
= 2 V, de manera que solo existe un punto posible de operaci6n, el cual se
encuentra en la intersecciOn de la recta de carga con la curva del triodo VG =
= 2 V, al cual se le llama punto de operacion Q (ver Fig. 11.37). En este punto
se tiene una corriente
Q entre placa y catodo y un voltaje VpKc2 entre esos
mismos electrodos.
Si a partir de tener el punto de operaciOn del dispositivo se varia VG de
acuerdo al voltaje de excitacion, tenemos:
VG = VGG
(11.2.18)
Ve
I
s I
=
- 4 sen wt
IPKQ
PP
VPK (V )
Figura 11.38. Movimiento del punto de operacion de acuerdo con el voltaje de excitaciOn
(triodo 8CS7).
373
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
RL
I PK
\ R P
.
4-
%\
rp
4-
A"
Vc = Vcc
(11.2.19)
yr,
(11.2.20)
Rp ) Inc + 14 VGG
1'e )
(11.2.21)
de donde:
VPP
Inc
374
A VGG
Rp
PVe
(11.2.22)
LueL.o:
IPKQ = IPK
=0
we, VPP
R
VPK= VPP
VGG
+R
(11.2.23)
RLIPKQ
RL
.4- R p
Vpp
AVGG
At Pe
(11.2.24)
Rp
Si
VPKQ = VPK
= 0
entonces:
RL
VPKQ = VPP
(vrtp _
Rp
VGG);
(11.2.25)
Av
dVpK
dvc, =
+ Rp .
(11.2.26)
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
(11.2.27)
Zr.
curva maxima
de disipaciOn
50
Fig. 11.40.
100
150
200
Voltaje de placa VpK(V)
250
al vacfo.
11.3.
TETRODO
Introduccien
El desarrollo del tetrodo (diodo con dos re/as adicionales: reja de control y rejapantalla) nacio del deseo de veneer ciertas desventajas inherentes al triodo al vacio. La Fig. 11.41 muestra un amplificador de triodo sencillo con la capacitancia interelectrodica de reja a placa puesta como un element() de circuito. En altas
frecuencias la susceptancia de esta capacidad resulta apreciable. La pdrdida de
anzplificaciOn se agrava por el llamado efecto Miller (ver ejemplo 11.6). La esencia de este efecto es: para 1 V de serial de corriente alterna en la reja de control,
aparece una serial considerablemente mayor en la placa, digamos de A V, y la
polaridad de la serial en la placa es opuesta a la serial en la reja de control, siendo
entonces el voltaje a traves de la capacitancia Cpc mayor que la serial en la reja
de control por un factor de (1 + A v ) y la corriente capacitiva (1 + Av ) veces
376
11.3. TETRODO
mayor que lo que serfa con la misma capacitancia conectada entre la reja de
control y el catodo; la capacitancia CpGi tiene asf un efecto comparable al de
una capacitancia de (1 + Av )Clui . De este modo vemos que la CpG1 limita severamente la operacion del triodo al vacfo como amplificador de voltaje en altas
frecuencias.
RG
121
CPG
t
1Vpx
GI
Pe
II +
vGGi
ei
G2
G2
(11
...
G1
TrGG2
K
(a)
(b)
(c)
Figura 11.41. Transicion del triodo al tetrodo: (a) capacitancia interelectrodica Civ1 que
reduce la ganancia del triodo a altas frecuencias; (b) introduccion de una reja-pantalli para
aislar la placa de la reja de control; (c) adicion de un voltaje de polarizacion en la reja-pantalla
pata mantener el flujo de la corriente de placa.
La CF,Gi puede reducirse grandemente por medio de la insercion de un blindaje electrostatic o pantalla electrostatica entre la reja de control y la placa
(Fig. 11.41-b). Este blindaje, desde luego, no puede ser una hoja solida ya que
no permitirfa el flujo de corriente entre catodo y placa.
De aqui que se use una pantalla perforada que es Ramada reja-pantalla. Si
experimentamos sobre el circuito mostrado en la Fig. 11.41-b, encontramos
que la CpG, es en verdad pequena pero que diffcilmente puede Mir cualquier
corriente de catodo a placa, a menos que el voltaje de placa se eleve a un valor
tremendamente alto. La razon es que la reja-pantalla conectada al catodo no
solamente protege a la placa de la reja de control, sino que ademas la protege
del catodo, eliminando la fuerza motriz para el flujo normal de corriente de
placa en el dispositivo. Asf, para evitar este efecto, la reja-pantalla se mantiene
a cierto potencial positivo fijo con respecto al catodo, el cual produce la misma
cantidad de campo electrico en la region entre la reja-pantalla y el catodo,
como si se tratara de un triodo.
El catodo, la reja de control y la reja-pantalla son de hecho un triodo (un
triodo con agujeros en su placa). La gran mayorfa de los electrones pasan a trayes de las aberturas entre los alambres de la reja-pantalla y son recogidos por la
verdadera placa del tubo. Este tubo (Fig. 11.41-c) tiene cuatro electrodos y por
esa razton es llamado tetrodo.
La Fig. 11.42-a muestra la variacion del potencial electric entre catodo y
la placa de un triodo piano paralelo.
377
DISPOSITIVOS AL VACIO
I (x)
entre los
alambres
de la reja I
-6....1
VGG2
C
-0
'11
gi
A1
/3/C
cc,
31
g0.1
41
.$
T.'
...11
'ili8
.
(a)
= cte
--
corriente de placa
%
,
%..,
..
I PK
V02
G2
rig<
_ _gl- .c.s f
V
,- 1
corriente de
catodo
VGG2 11,K
(b)
Figura 11.42: (a) potencial eldctrico de un tetrodo piano paralelo; (b) curva caracteristica de
voltaje de placa contra corriente de placa, para VG1 = 0 y 1702 = V02G2 = etc.
En la Fig. 11.42-a se muestra la curva caracterfstica del voltaje de placa contra corriente de placa para un potencial cero de reja de control; observando esta
grafica se ve que la corriente de reja-pantalla /02 disminuye cuando el voltaje de
placa aumenta, debido a modificaciones en el modelo de campo electric cerca
de los alambres de la reja- pantalla. Cuando la placa atrae mas fuertemente, los
electrones no son tan facilmente capturados por la reja-pantalla. De aqui que la
corriente de placa aumente ligeramente cuando aumenta el voltaje de placa,
mientras que la corriente catodica permanece esencialmente sin cambio.
La energia cinetica de un electron es proporcional a la altura de la curva de
potencial V;Ic (Fig. 11.42-a); de aqui que los electrones chocan con la placa con
velocidad considerable. Cuando un electron entra en la placa con esta velocidad
puede salpicar algunos electrones fuera de la placa (emision secundaria), ernitindose estos con menos energfa cinetica que los electrones primarios, pero
esta energfa libera a los electrones de la atraccion de la placa.
Si el voltaje de placa se reduce de Vp'K a un valor menor Vp"K (ver Fig.
11.42-b), los electrones secundarios se mueven hacia arriba a lo largo de la
curva de potencial y son recogidos eventualmente por la reja-pantalla, resultando
una reduccion en la corriente de placa. Si el potencial de placa es mayor que el
potencial de reja-pantalla, los electrones secundarios se encuentran dentro de
un campo electric que rapidamente los acelera nuevamente hacia la placa.
Cuando el potencial es aun mas bajo, los electrones son grandemente desacelerados en el espacio entre reja-pantalla y placa, llegando a la placa con energia insuficiente para producir emisi6n secundaria apreciable. Finalmente, conforme el voltaje de placa se reduce a cero, la corriente de placa se corta y los
378
11.3. T
electrones son desacelerados y regresados de la placa hacia la reja-pantalla. Si la
energia cinetica con que son regresados a la reja-pantalla es grande, puede tenerse oscilacion a trav6s de la pantalla muchas veces antes de que los electrones
puedan ser recogidos. La nube electronica produce una carga espacial negativa
relativamente considerable, que reduce la curva de potencial y disminuye la
corriente de placa-catodo. La Fig. 11.43 muestra las curvas caracterfsticas estaticas de un tetrodo, donde se puede observar que la region donde se presenta la
emision secundaria existe una pendiente negativa, caracteristica del tetrodo que
tiene varias aplicaciones importantes, tales como, osciladores, controles automaticos de volumen, etc.
Cuando el voltaje de polarizackm de reja-pantalla disminuye de valor, el voltaje pico disminuye y el voltaje valle aumenta. En la misma forma, si VG2 aumenta el voltaje pico aumenta y el voltaje valle disminuye, de manera que variando VG2 se puede variar la pendiente negativa.
c, NI
Ir--- 16 si 0
vF= 6.3V ,
PI
I 1-1.
i'-'12.' A.:41111 1-1.0v
0
1 r(; 2 = 80 V
_ IIralliRPONI
MAIER , 1
Pill"-c, PAre.
-J,',- -' ,,, i i _2,0vi__
1
k4,
- 4
o 8
?.v I. _ 1. -2.5V1
v
I
valle
I
121C0
Figura 11.43.
pantalla.
Curva caractertstica
100
200 v (v)
PK
11
DISPOSITIVOS AL VACIO
11.3.1. Simbolo
En la Fig. 11.44 se muestra el simbolo normalmente empleado para el tetrodo;
como se puede observar, este sfmbolo es una extension del sfmbolo del triodo.
Asf
G2 0...
G1
K Pi F2
Valor
Capacidad de
placa a reja I.
Definicion
,
Es la capacidad entre la placa y la reja I (control), con
los dernas electrodos desconectados.
Capacidad de
placa a reja 2.
cpG 2
Corriente de reja 2
'G 2
Corriente de reja 2
instantinea
1g2
Voltaje de reja 2
VG2
Voltaje de reja 2
instantaneo
Potencia de
disipacion
de reja 2
380
02
11.3. TETRODO
....
E
k
1V
e'
.
10 = IS 1
VG.' = 0
I
_ _
.
. 1 ....
..
...
. e
I
I
I
I
1
1
I
Vpi
Vv
...
1 V
V pK (V)
VS
R2 _
0I4111 'III 1
VP/ D 1
"AI + 4
41-- PK p
R3
G1 #PI23
D3
iv
OP 0 I D i
R0
VP K
V
g n, VG 1
"K
Figura 11.46. Circuito equivalente estatico propuesto para la aproximaciOn segment lineal
propuesta de la Fig. 11.45 para el tetrodo en configuracion catodo cormin.
381
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
(11.3.1)
g V
m G1
(11.3.2)
IT =
Vp c = VRQ
(11.3.3)
(113.4)
VR 3
(11.3.5
1R3 = VD 3
VRO
Vpi R1 ID
VDI
VR 0 = VD 2
(11.3.6)
( I 1.3.7
V -4- R2 ID2
-4- V
El diodo D3 conduce siempre que Jr < 4,, por lo que los puntos de inflexion
de los diodos D y D2 seran:
P.1,1) I (V 1 :I 1 )
donde:
Ipi =
+ gm
Vpi + g
Ro
RI
(1-a) + g, VGi
Vs = Ro (Jo +g,, VG )
VG
(11.3.8)
(11.3.9)
(11.3.10)
(11.3.11)
gM v
(11.3.12)
< Vv ,
1-a
Ij
Cuando; Vv <
382
VPi
W
(11.3.13)
11.3. TETRODO
1-a
Ci
ITV
R2
VpK ( .-a )
gn Gi
v
(11.3.14)
R2
Cuando: VpK , los diodos D y D2 conducen y el diodo D3 se abre, Y
debido a las pendientes que se observan en la Fig. 11.45, es posible considerar
que Ro , R, y R/ son mucho menores que la R3 por lo que la corriente 4,K es
171,K ris
+ /0 + g 1 I/GI
(11.13.15)
aproximadamente igual a: I pK =
=
PK
Ro t
R
RI
Figura 11.47. Modelo equivalente estatico para aproximar el tetrodo en la region de saturadon, donde Rp = R3.
Si se quisiera emplear el tetrodo en la region de impedancia negativa, es
decir, donde se cumple la ecuacion (11.3.13), se tendni el siguiente circuito
equivalente:
'pis 4--
PK
Figura 11,48. Circuito equivalente dinamico para el tetrodo en la regiOn de impedancia negativa.
383
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
11.4. PENTODO
IntroducciOn
El efecto de la emisien secundaria presente en el tetrodo, que hace que Las
curvas caracterfsticas del mismo presenten una region de tmpedancia negativa,
impide que este dispositivo se pueda emplear como amplificador para voltajes
pequenos de placa-catodo ( Vpic ( 60 V. normalmente), haciendo que los amplificadores que se realicen con tetrodos sean ineficientes e inestables (pues debido a la zona de imp edancia negativa es facil que se ponga a oscilar el amplificador). Se evita este efecto introduciendo una tercera reja entre la rejilla-pantalla
y la placa, a la que se le denomina rejilla supresora (debido a que suprime la
emision secundaria de la placa).
11.4.1. Simbolo y funcionamiento
La rejilla supresora normalmente se polariza a un voltaje bajo, es decir de algunos V respecto del catodo, o bien se polariza a ) V y el fabricante mismo
lo vende con la conexi6n interconstruida. tal como se muestra en la Ficr 11 40
reja supresora -
G3
a
=I
P nlaca
reja
am ow ... pantalla
il AM i
G1
II OW OM. Wm
reja control
citodo
K
,.
(a)
p
G3
II=
AM
May
G 2G2
.
G1
___
...
(b)
K
(c)
Figura. 11.49. Simbolos del pentodo: (a) pentodo general; (b) pentodo con voltaje de rejilla
supresora nub; (c) pentodo con electrodos formadores de haces.cortocircuitados al catodo.
11.4. PENTODO
c.. I
72' I
G2
a
u.
.
.. .. S
.....'
...0
45 I
ed
-r.
Is
a traves de los
electrodos
entre los alambres
de las rejilLds
a1
Z I
73
0
"0
cl
'.....
4
SI.1
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
de carga espacial en la vecindad de la rejilla-pantalla (G2 ), COD 10 cual se disminuye mas la curva dc poten1a1. lo que desaeelera Inas a los electrones, sigui6ndose un proceso acumulativo hasta que el voltaje VG; sea nub. Los electrones
acumuLdos en G, dinulan un cOtodo y se dice que el comportamiento entre
rejilla tres y placa es cotno an diodo al vak:io, el cual pant voltajes pequetios de
placa detnanda menor nattier de electrones de los que estan aeumulados, pero
para vollajes mas grandes se demanda mas de lo que el catodo virtual (g) puede
dar. por lo que en este easo In eurva se semeja a In de un diodo en saturacion.
de nntroI
Nntalla
li;:
placa
(h)
(a)
(11.4.1)
donde iL21 es el factor de ganancia equivalente para el triodo virtual entre altodo y rejilla dos.
386
11.4. PENTODO
En este caso:
din,
d VG
(11.4.2)
(11.4.3)
Luego. el dispositivo sigue la ley del diodo (11.4.3) hasta que alcance la
corriente del triodo (11.4.1). de manera que se puede pensar en las caracteristicas del pentodo como una curia similar al diodo al vacfo, hasta que el diodo
virtual se sat ure en la corriente f , tal como se muestra en la Fig. 11.52.
En dicha figura se puede apreciar que la scparacion entre las corrientes de
saturacion (horizontales) es constante; es decir, d121 3 Id 1,,- = cte, lo cual imp lica
que la separacion ya en la realidad no es equidistante. En la Fig. 1 1.53 se aprcclan las curvas reales de un pentodo.
2/3
G2 GG2
PK 7:::3
GC:
=0 V
5V
()V
10V
V
PK
PK
(a)
(h)
Figura 11.52: (a) curvas idealizadas de un pentodo VpK /43 para una polarizacion de rcjilla
j2
para una polarizaciOn de rejilla dos
dos; (b) curvas idealizadas de un pentodo VPK
menor que en el caso (a).
387
11
D1SPOSITIVOS
11,K (al A)
1 25V
+ 2.5V "'"."
Bair
=
_
I "GI
-
- _
;.
* :10Vi
,
I Z.J
I!
0 47n-n ,11111
100
Valor
Definicion
Transconductancia
gm
Capacidad de
rejilla tres a placa
C'G3 p
Capacidad de
rejilla tres a catodu
Cr:3K
388
11.4. PENTODO
11.4.3. Circuito equivalente
Un model segment lineal que se aproxima al comportamiento del circuit de
placa del pentodo, con la rejilla supresora conectada al catodo, se muestra en la
Fig. 11.54.
_.. . -5
. _
Jo
--. I Rp .....".".... 2
VG2 = cte
V
3 V
4 V
VPK (V)
Figura 11.54. Aproximacion segmento lineal de las curvas caracteristicas estaticas del pentodo.
389
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
Debido a que Rp
reducirse a la forma:
.P
g nt VGJo)
Figura 11.56. Circuit equivalente del pentodo para la region activa (equivalente estitico).
dipk
ch,g
390
(11.4.4)
=
8 I
cte
(11.4.5)
1,Pk =
etc
11.4. PENTODO
El valor de 4, sOlo depende del voltaje de rejilla dos "2 ya que se mide
para I' I = 0. AsI entonces:
6R'G2 =g 22.
( 11.4.6)
Del circuito equivalente del pentodo puede verse que la corriente de placa
es funcin del voltaje de rejilla dos, del voltaje de rejilla uno y del voltaje de
placa, esto es:
IP IPK(VPK,VGJ');
(11.4.7)
%,k dVg1 +
'pk
1pk dVg2.
avg2
(11.4.8)
= cte
y adems se definen:
Al =gmj rp
112 =g 2 rp
1
rp
9,, 1
+ 9 fl,2 v92
( 11.4.9)
391
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
11.4.4. Aplicaciones tipicas
Circuito c,rnpljficador con pentodo
En la Fig. 11.58 se muestra un circuito atuplificador con pentodo, donde los
condensadores C'K y cG2 se supone que presentan una impeclancia despreciable
para todas Ia frecuencias en las cuales va a trabajar ci circuito amplificador.
En un circuito tal, ci pentodo opera como amplificador de voltaje a alta
frecuencia. El pentodo presenta una dcsventaja con respecto al triodo, ya que
en ci primero Ia corriente de ctodo se divide en una fracciOn de corriente de
rejilia-pantalla y ci resto va a la placa. La ligera fluctuaciOn inherente en esta
division produce fluctuacin adicional en la corriente de placa que no esti prescntc en la con iente catclii.a, componente extra de la corriente de place que es
I.larnada ruido de separacin y hace que ci pentodo sea ms ruidoso que el triodo de esta manera eI pentodo es usado fundamentalinente en aitas frecucncias.
G3
RL
PS
RG
R,,
__
VG
RK
vPP
Figura 11.58. Amplificador de pentodo tIpico que opera con una sola fuente de voltaje
(auto poi arizacin).
En algunos pentodos la terminal de rejilla supresora es accesible en forma
externa. 1ogrndose variar las caracterfsticas de placa. Si el voltaje de rejilia
supresora se hace algunos V negativos con respecto al ctodo, empieza a
cortar ci fiujo de corriente de place: asi, existe una regiOn donde la rejilia supresora acta como una rejilia de control. En esta forma una seflal suficientemente
392
11.4. PENTODO
negativa puede interrumpir el flujo de seflal de rejilla de control a la placa en un
amplificador con pentodo.
VG
VG I
1PK
K
2
/)
Region de ontrol de la
reja supresora
Figura 1 1.59. (a) pentodo que tiene la terminal de la rejilla supresora accesible al exterior;
(b) region de control para valores negativos del voltaje de la rejilla supresora.
(11.4.10)
(11.4.11)
VP=RG2IG 2 f V(.+RKJK ,
(11.4.12)
(11.4.13)
-- VG
D
"K - r j i
'P '
393
1
= 27rfORK '
CG2
(11.4.15)
(11.4.16)
27rfQRG
(11.4.17)
(11.4.18)
J)
'P
1VG1I
VGI
1oRp
Op
qj e
'
VGGlt
r:vpp
RK
(11.4.19)
14
Sustituyendo (11.4.17) y ( 11.4.18) en (11.4.19) y considerando que M,=
= gm 1 14, tenemos:
VPP -
Gi (1
R+R
394
14o
'
( 11.4.20)
11.4. PENTODO
= 0 = PP - VG G -
VPP
(11.4.21)
(11.4.22)
(1 +plj+RpIo]RL
Rp+RL
(11.4.23)
En nuestro caso para corriente alterna ci voltaje de salida (vs) es igual al voltaje en la placa (Vt ); por to tanto, la ganancia en voltaje ser;
dv8 ______
=R+R1
dVe
(11.4.24)
AV gR .
pip
, considerando
= ete;
395
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
p varfa entre 0.3 y 0.5 para pentodos pequeos, y este valor depende fundanientalmenie dc la construccin del tubo.
11.5. FOTOTUBOS
Introduccin
La emisiOn de electrones en la materia, debido a la incidencia de radiaciOn electromagntica, se conoce como efecto fotoelctrico (fotoenisin). Este efecto
fue descuhierto por Hertz en 1887 y el soporte terico fue dado en 1905 por
Albert Einstein, pero empez a aplicarse en forma prctica hasta 1928, cuando
se desarrollaron los primerosfototubos para las pelIculashabladas(cinesonoro):
naturalmente, at aumentar la calidad de estos dispositivos, las aplicaciones
aumentaron.
Existcn trcs fenrnenos fotoelctricos que dan lugar a los dispositivos fotoelctricos at vaclo:
a) la ernisin de electrones por radiacin electroniagntica:
b) la generacin de una fuerza electromotriz por reacciones qui micas producidas por radiacin electromagntica: y
c) canibios en la conductividad elctrica de un material con la radiacin dcctroniagntica incidente.
En cstc capItulo solo trataremos a los dispositivos cuyo funcionamiento
est basado en ci primero de los fenmenos fotoelctricos aquf enunciados.
11.5.1. CaracterIsticas de la fotoernisin
A continuacin enurneranios los hechos experimentales que caracterizan el fenmeno de fotoemisin dentro de un arreglo at vacfo con un ctodo y una placa:
1) Los electrones emitidos de un metal por fotoemisin salen dentro de un
rango de velocidades que van desde cero hasta una vmg,, de manera que si se
aplica un potencial negativo a la placa, sta tiende a frenar a los electrones
emitidos, al grado que se puede encontrar un voltaje de rctardo J' que haga
que la corriente sea cero: es dccir:
inv.
' j.
=eV.
2
(11.5.1)
11.5 FOTOTUBOS
VPK
Figura 11.61. Corriente de fotoemisin contra voltaje entre placa y ctodo con la intensidad
H - etc
VPK
Figura 11.62. Corriente de fotoemisin contra voltaje entre placa y ctodo teniendo como
parmetro la frecuencia de la radiacin incidente.
397
DISPOSITIVOS AL VACIO
3) Si la corriente de saturacin se grafica como funciOn de la intensidad luminosa, se encuentra que al aumentar la intensidad luminosa aumenta la corriente de saturaciOn (ver Fig. 11.61).
4) Se observa que las caracteristicas fotoelctricas mencionadas no varIan con
la temperatura (excepto por la variacin de la funciOn de trabajo con la
temperatura).
5) Los electrones son fotoemitidos inmediatamente al entrar la radiacin en
contacto con el fotoctodo (se encuentran retardos experimentales del
orden de 3 X iO segundos).
6) Los fototubos son dispositivos selectivos, es decir, para una intensidad de luz
dada se emitirn distintos nmeros de electrones si la radiacin es de color
rojo o violeta, o sea que la eficiencia fotoelctrica depender de la frecuencia de la radiacin. En la Fig. 11.63 se muestra la respuesta espectral relativa de los metales alcalinos.
espectro
de sensitivic
I.
Figura 11.63.
(11.5.2)
donde v es la velocidad con que salen los electrones del metal: b es la funciOn de trabajo y v es la frecuencia dc la radiaciOn. En la tabla 11.5 se da
398
11.5._FOTOTUBOS
una lista de funciones de trabajo y longitud de onda maxima de radiacin, donde la longitud de onda maxima se obtiene cuando la velocidad con la cual son
fotoemitidos los electrones es igual a cero, porlo tanto, de la ecuacin (11.5.2)
se tiene:
hv0 =d,v=v0 @ v=O
C
G,
X0
entonces X.
he
q) 0
(11.5.3)
(eV)
Ag
Al
Au
Ba
C
Ca
Cs
Cu
Fe
4.70
4.08
430
2.48
434
2.70
1.80
4.30
4.60
4.50
2.24
Ge
2610
3560
2600
5000
2850
4600
6600
2900
2700
2750
5600
Elemento
(eV)
X0(A)
Li
MO
Na
Ni
Pt
Rb
Sb
Sr
Ta
Th
W
Zn
235
4.20
2.28
5.03
6.30
2.10
4.03
2.74
4.13
3.38
4.53
380
5300
2960
5000
2450
1950
5800
3000
4530
3000
3670
2650
3720
En la tabla 11.5 se nota que los materiales alcalinos son los que presentan
funciones de trabajo ms pequenas, y por lo tanto son los que ms se emplean
como fotoctodos.
11.5.2. Celdas fotoemisivas
Los elernentos esenciales de una celda fotoernisiva sun una superficie catddica
grande (de algin material de pequefla funcin de trabajo) y una placa colectora
que no interfiera la incidencia de la radiacin, ambos contenidos en un bulbo
de vidrio at vaclo. El codo y la placa pueden mostrarse de numerosas maneras. En las celdas ms antiguas se plateaban las paredes internas del bulbo de
cristal y sobre esta pelIcula de plata se depositaba qufmicamcnte el material
fotoemisivo, normalmente algQn metal alcalino (generalniente cesio), y la placa
era algCin alambre colocado en el centro del bulbo para que obstruyera un mInimo el camino de la radiaciOn.
399
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
Actualmente las celdas fotoemisivas consisten de una Irnina rnetlica en
forma semicilmndrica, en donde se ha depositado por evaporaciOn o algn otro
mtodo la capa fotoemisiva. La placa es un alambre eue generalmente es concntrico con ci ctodo semicilfndrico. Celdas fotoernisivas de disefio ms moderno se muestran en la Fig. 11.64.
25
20 --
LH
L.
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Figura
VPK(V)
113.FOTOTUBOS
catodo
# IPlaca
(b)
placa
(a)
Figura 11.66: (a) construcciOn de una celda fotoemisiva; (b) simbolo mas connln.
El modelo que se puede establecer para este dispositivo es muy similar al
del pentodo, solo que en lugar del voltaje de control se usara la intensidad luminosa o de radiacion como parametro. En la Fig. 11.67 se muestra este modelo.
4I PK
catodo
77
PK
plaCA
(b)
(a)
Figura 11.67: (a) sfmbolo de la celda fotoemisiva; (b) modelo mas usado oansiderando la
corriente electrica en el sentido convencional.
En este caso:
A IpK
g = I-1 V
pK = cte
Rc
A VpK
(11.5,4)-
(11 .5.5)
= cte
401
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
radiacion
electrones
placa
vidrio
citodo semitransparente depositado sobre el bulbo de vidrio
11.5. FOTOTUBOS
100
::..".
---mankluFziP
0,
'n.16110 "0 .
00000
annisu sou igneirm..0 .. avidmosissumme
massummoisarmpa
eg
1.1amoussulmmumaillmil
1111111111111111EP l
ielli111.1N11111111111111WHIMIHIng
111111NRIKI I Sb-K-Tb- s lemilumimpopm
Iii11;11631 HINUMMUll
fl Cs-Te I
1.0.
Ilumlillinlita uIIIIIIIIIIIIIII
1 1'
0 --L
I'lIIIl ;
k
IIIMPOMIIIIPOINIIIIIIIIII
:::
;-11 - o
lignild ..
K-Cs-Sb
0.1 MIMI I I
7nno
I PROMMAIIIIIIIIIMIMIIIIIIi
IHIMIIIIIII II M110111111111111111
4000
6000
8000
10000 120 w
X (A)
L ___ it ____ _
f----1
5'
..
-.
-."4(.,-
ultra violets
....
. .
0E.
ly'
Figura 11.69 Respuesta espectral de fotoemisiOn para algunos materiales empleados como
fotocatodos semitransparentes.
Los fotomultiplicadores mas sencillos (clasicos) usan un sistema electrooptico que consiste de un electrodo cilindrico, el cual se conecta a tierra, y un
electrodo acelerador que es parte de la primera etapa del multiplicador.
En la Fig. 11.70 se muestra esta construccion con Las limas equipotenciales
y los caminos que siguen los electrones para Ilegar a la primera etapa del multiplicador.
403
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
A las etapas del multiplicador se les llama dinodos y el sistema multiplicador consiste de una serie de dinodos (electrodos de emision secundaria) conectados en cascada y al final una placa colectora. En general el sistema multiplicador debe satisfacer estas caracterfsticas:
produccion de suficientes electrones secundarios; y
los electrones secundarios deben ser dirigidos eficientemente hacia el dinodo siguiente.
Para poder satisfacer estas condiciones, el material del cual esta fabricado el
dinodo debe cumplir los siguientes requisitos:
factor de emision secundaria grande;
efecto de emision secundaria estable (t,T); y
emisiOn termoiOnica muy baja.
Ifneas equipotenciales
e
("Cs / electrodo
rs
acelerador
primer dinodo
electrodo de enfoque
(11.5.6)
404
(G)" .
(11.5.7)
11.5 FOTOTUBOS
Si se quiere obtener el valor de Vs minima , es necesario derivar Vs con respecto a n y encontrar el minim. Asf:
d VB
dn
L-r
dVB
0
dn
Si:
n
K
1
G / n RnG ;
(11.5.8)
(11.5.9)
-2
n = ni2n5 ,
por lo tanto
kn8 = 1
(11.5.10)
y 5 = e.
11.5.11)
Vs = e K ;
entonces:
VB min = (e1K)IinG,
CuBe
Vs(V)
,..........2...; 109
2000:
'
V)
A -M
2000 _ g g
4\,,N,..___,...;. 106
.
''' - - - - ----,- - . - -- 1 0 7
..............2,107
1500 -
t
1500- \....................
10
t
........,............,... 106
. f
- 10 15
G = 1 06
N......,..
I'
n
10
15 20 n
405
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
11,
...
....
A74/44M-ZF//
...MIMI
0
0
.I
0
O
Ir
1
6710Mikkt11111
(a)
Figura 11.72 Configuracion de dinodos ma's empleados: (a) dinodos tipo cierre;(b) dinodos
ciego veneciano: (c) conflguracion circular; (d) configuracion en caja; (e) dinodos con foco
lineal.
Un gran nOmero de los multiplicadores que se encuentran comercialmente
emplean dinodos con foco lineal. En la Fig. 11.73 se muestra cOmo quedarfa un
tubo fotomultiplicador en cone, donde:
n, (X)
es la diferencia cuantica de la longitud de onda de la energia radiante,
hu
es la energfa de los fotones incidentes;
es la carga del electron.
406
11.5. FOTOTUBOS
fotoccitodo
sistema Optic de entradapara los elec
electrodo de anti
multiplicador
primer dinoc
anoC
(11.5.13)
Nonnalmente los manuales dan la sensibilidad maxima, es decir, en la longitud de onda en la cual NK es maxima, la cual se expresa en mA/W.
En la Fig. 11.69 se muestran la sensibilidad contra la longitud de onda para
algunos materiales que se emplean como fotocatodos.
Ganancia y sensibilidad del dnodo:
La ganancia de un fotomultiplicador se define como la relacion entre la corriente de anodo y la corriente de catodo:
G = IplIK ;
(11.5.14)
(11.5.15)
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
a) Sensibilidad catddica
Si una energfa luminosa incide sobre la superficie del fotocatodo de magnitud
"P" W, la corriente catOdica sera:
(11.5.16)
1 e'
= n'q (X) 7tT
inodo o placa
ID 2D 3D 4D SD 6D 7D 8D
11.5. FOTOTUBOS
eondiciOn de compensacion
.-14
17
1 4
= /at)
I I I
alimentacion.=
del fototubo T-
Figura 11.75. Circuito mas simple para compensar la corriente en la oscuridad en un fotomultiplicador.
Figura 11.76. Aplicacion de un fotomultiplicador a un amplificador de banda ancha acoplado mediante un cable coaxial de 100 S2 (cortesfa de Phillips).
409
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
c) Contadores de centelleo
Una de las aplicaciones mas comimmente empleadas para los tubos fotomultiplicadores es la de contadores de centelleo, aplicacion en la cual se coloca adelante del fotocdtodo una sustancia centelleante (material que convierte la ener-
guia de 1117
.1centellador
fuente de
radiaciOn
guia de luz
discriminador de
Ilmite superior
amplificador principal
centellador
circuito de anticoincidencia
fuente de radiacion
r2
escalador
discriminador
de limite inferior
cubierta opaca
fotocado
or,,,,,,.., ,
centella $ .1ii
We"
..--si,--.
centellador
anodo
Ultimo dinodo
dinodos
,... ....
e : de
lli
I
.
, segu idor
salida
multiplicador
410
catodico
' .
11.5. FOTOTUBOS
411
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
EJEMPLOS
Ejemplo 11.1. Un diodo de placas paralelas es operado con un voltaje de placa
de 10 V. Calcule la velocidad de un electron a la rnitad del camino entre ciltodo
y placa,
a) cuando la corriente estci limitada por la carga espacio;
b) cuando la corriente estd limitada por la temperatura; y
c) diga a que distancia del catodo estc1 el potencial de 5 V en cada caso, si la
distancia entre catodo y placa es de 1 cm.
Solucion
a) Para la condiciem limitada por la carga espacio,
X 4/3
V(X) = d413 VP
Para
x=;
2
V=
(E.11.1.1)
(E.11.1.2)
24/3
De la expresion de la velocidad:
v2 (x )= 2n v(x ) ,
412
(E.11.1.3)
EI EMP LOS
Para
n vp
x = ; v=
2
)1,2
(E.11.1.4)
2"3
v (0.5 cm) (
)112 m/seg ,
1.26
v (0.5 cm) = 1.18 X 106 m/seg .
b) Para la condicion limitada por la temperatura,
< Vp
d
dx 0
dV(x)
"
V(x) =-
y ya que
(E.11.1.5)
(E.11.1.6)
1
e V(x) = mv2(x) entonces,
2
V(x)=
(E.11.1.7)
2n
2n <
para
(E.11.1.8)
(EA 1.1.9)
413
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
d,
(E.11.1.10)
x = 0.59 cm,
Para la condicion limitada por la temperatura, usamos la ecuacion (E.11.1.6),
despejando x:
x
V(x)
VP
u
(E.11.1.11)
x = 0.5 cm.
414
) cm'
EJEMPLOS
Ejemplo 11.2. La curva caracterfstica de un diodo al vacfo responde aproximadamente a la ley /p = k Vp" . Se sabe que para /p = 120 mA, Vp = 30 V.
a) Determine k.
b) Trace Vp - /p en el rango de Vp (0 - 30 V).
c) Aproxime el diodo real por un modelo equivalente de la forma.
Calcule el valor de r en la region de interes.
.1 D
A rp
")11
d) i,Cual es la magnitud maxima de error, expresada en porcentaje de la corriente maxima del diodo en la region de interds?
e) Si este diodo se conecta en la siguiente forma:
V1
'PD
VpD
0-500 V
R,
/p = k lip 3/2
k=
lp
(E.11.2.1)
(E.11.2.2)
VP 3/2
415
11
DISPOSITIVOS AL VACIO
Si,
120X
10-3
k
(30)3/2
(A/V31 2 ),
k =--- 7 5 X 10-5
(Air/ 2 ).
(E.11.2.3)
Ip = 75 X 10-5 Vp3r2 -
b)
(V)
/p
(A)
lp (mA)
0.0
0.0
1.0
0.75X 10-3
2.0
3.0
2.1 X 10-3
4.0
10.0
15.0
25.0
30.0
--.' 120
100 .
1.37X 10-3
6X 10-3
24.75 X 10-3
80.
Ip= KVp312
60.
. P,I 1 111
40"" - - - - a
I
1
1
20-'' - - - i r 1I
1
41.25X 10-3
93.75 x 10-3
120X 10-3
M( Vpm - /p,n)
.
01 5 10 15
20
25
30
V(V)
Figura E11.2.1. Curva caracteristica del diodo al vac(o del ejemplo 11.2.
c) Para deterrninar Rp del modelo segment lineal equivalente trazamos una
recta del origen al punto de coordenadasM (Vpm , /pm ) en la curva caracterfstica del diodo (Fig. E.11.2.1).
Vp,
Rpm =
;
'Pm
416
EJEMPLOS
Rpm
30
120X 10
Rpm= 250 2.
por lo tanto el circuito equivalente ser:
'Pm
PO
44
Rpm =25Os:2
n
--
Vpm
VP 312
(E.11.2.4)
e
(E.1l.2.5)
'Pm = __ VPm
R
pm
La ecuacin (E. 11.2.4) es la corriente proporcionada por la ley del potencial a la tres medios, mientras que la ecuacin (E. 11.2.5) es debida al modelo
segmento lineal equivalente. Considerando el punto en que V = Vpm y relacionando las dos ecuaciones anteriores; tenemos:
'Pm
'P
Vpm
75 X l0 5 Rp Vp 312
'Pm = 54
'P
l/2
F]
(E.l 1.2.6)
417
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
I Vp = 4 V
'Pm I
ip
Vp 10V
=
I
IP
/p
= 1.2,
20 porciento de error;
Vp = 20 V
RL= 2 K12
V1=Vp+ V2
V2 = RI, II,
1/1 . (0 500 V)
(a)
(b)
EJEMPLOS
v1
I, 1P
RL '
100
2X 103
A,
ip = 50 mA .
El desplazamiento de RL se debe a que V, cambia de valor.
A ip(mA)
200
150
-5 V. 3/2
X 10
/ P= 75 P
100
50
--T,
A --1..
10. V(V)
RL .
I7 1 = Vp + Ri,
V, = Vp + 1.5
Vp" , V2 =
1.5
Vp 312
(E.11.2.7)
En la figura E.11.2.4 se muestra la gralica V, V, cuando no se usa ninguna aproximaciOn lineal para el diodo, ecuaciones (E.11.2.7)
419
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
V(V)
V (V)
V2 (V)
0.0
0.0
0.0
1.0
10
2.5
57.43
154.16
276.48
1.5
47.43
20
30
.
40
45
50
V2 (V)
500
134.16
246.48
419.47
497.80
580.33
379.47
452.80
111 (V)
530.33
f) Si graficamos V,
V2
44#*
4.2
11IN
1
La ley de
Vpm + V2 =
Vpm
420
'Pm
Iv,
EJEMPLOS
VI = Vprn
Vpm
Rpm
(E.11.2.8)
V, (V)
Vpm (V) V I (V)
. 0.0
0.28
6.38
17.128
. 30.72
46.60
' 55.31
64.48
1
0.0
2.5
57.43
154.16 ,
276.48
419.47 .
497.80 .
580.33
V2 (V)
0.0
2.22
51.048
137.03
245.766
372.86
442.48
515.84
600
500
400
300
200
100
0
V2 (V)
Grafica E.11.2.6. Grafica VI - V2 cuando el diodo se sustituye por el circuito equivalente propuesto.
DISPOSITIVOS AL VACIO
i
/
/
( Vpm , 'pm )
'Pm
RP
Vu
a--pH::+_osir_Hilt___4"
/
/
Rpm
10--- Vpm
1
--04
6..,
1
1
Rp ow Rp = 2 Rpm/3
VP
0
V, = ilpmp
Figura E.11.2.7. Modelo segmento lineal mas aproximado y circuito equivalente para el diodo
del ejemplo 11.2.
= Vo + Rp Ipm +
V2 =
R1
RL 'Pm
IPM
RL
= Vpm + (Vpm Rp
= 'Pm + 12 (Vpm -
).
R p = 166 fl
vt
Vu = 10V
1I
V2
0_ 500V
R2 . 2 Kn
_
Figura E.11.2.8. a) circuito equivalente del diodo con mayor aproximacion; b) ley de cornportamiento.
422
EJEMPLOS
(E.11.2.9)
V, (V)
Vpm (V)
0.0
10.23
13.65
21.09
30.50
41.50
47.52
53.87
VI (V)
V2 (V)
0.0
13
57.43
154.16
276.48
419.47
497.80
580.33
0.0
2.77
43.78
133.07
245.98
377.97
450.28
526.46
500
400
300 _ _ _ _
200
II
i
__
100
I
1
!
171(V)
Esta aproximacion introduce un error menor en los calculos, el cual se cornprueba analizando la Fig. (E.1 1.2.9) y con las siguientes ecuaciones:
V -V
"
Pin = Pni
Rp
I. = 75 X 10
(E.11.2.10)
(E.11.2.11)
VI,'
VPm Vu
= 8
Vpn,
10
"2
(E. 11.2.12)
423
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
= 0.22,
78% de error;
= 0.89,
11% de error:
= 0.96,
4% de error;
V = 11V
IPm
> 1pm
V = 20V
IPm
IP
VP = 15V
IR 2
RI
vp
R2
1I
Solucion:
t I R]
R I R2
R1 'R1 = Vp ,
R2 1R 2 = VP
+ IR 2 = .
(a)
424
(E.11.3.1)
EJEMPLOS
r
rT
RT=R1R2/(Rl +R 2 ),
Vpp
(E.11.3.2)
V/(R1 +R2 ).
(b)
Figura E.1 1.3.2. Transformacin del circuito serie paralelo al circuito general de polarizacin
de un diodo: a) circuito serie paralelo y su ley de comportamiento, b) circuito general de
polarizacion de un diodo para el caso del ejemplo 11.3 y su ley de comportaniiento.
VPP = Vp + R 'PQ
Si;
V=O
I=
V
PP =V
.
Si;
J, =O
V= vpp =
(E.11.3.4)
R2
+ R2
(E.11.3.5)
1PQ
VpQ
VP
Figura E.11.3.3. Recta de carga y punto de operacin del diodo de la figura E.11.3.1.
425
11
DISPOSMVOS AL VACIO
Ejemplo 11.4. Obtenga los parametros Rp, g, y p para el triodo (tubo 6C4).
Las caracterfsticas estaticas de placa del 6C4 se presentan en la siguiente figura.
150
Solucion:
Para determinarRpescogemos la curva de VG1 = 10 V,
6 V = (200 100) V = 100 V,
Alp = (70 45) mA = 25 mA,
Rp
A Vp
'P
= 4K SI,
VG1 = 10 V
= 4 X 10
gm =
6.VG i
(S2)-1 ,
17P
gm = 4m02 )'.
Rpg, = 4 X 103 X 4 X 10-3 = 16.
426
EJEMPLOS
IF
placa, pero el diodo B tiene mayor espaciarniento entre catodo y reja que el
triodo A. z,Cuales son las diferencias cualitativas entre sus curvas caracteristicas
estaticas de placa?
Solucio n:
dA = dB = d, area catodo = area placa, Art = A rB .
Figura 11.5.1. Triodos al vacfo con diferentes espaciamientos entre reja y catodo.
427
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
CG K
Ar
C=
Cpft =
CG K CPG
r_
s-1,;1( s-PG
En esta forma podemos determinar el valor de me para cada uno de los dos
triodos:
CGKA
PeA r,
"PK A
CPGA CGKA
e oArA
GKA = 1 4. 9,1 I +dA
= 1 +CPGA
e ArA
A
(E.11.5.1)
dA
Ahora, para el triodo B tenemos:
dB
Pee = I +
(E.11.5.2)
Ya que dA = dp , entonces:
dA
PeA = -41
0 '
, dA
PeB
(E.1 1.5.3)
(E.11.5.4)
>
PCB
(E.11.5.5)
EJEMPLOS
1p (mA)
Triodo A
cv
/
c,
Triodo B
N I ".
s I
/
; b
!
1 1 I c/b
III]
/ I
1
/
I
I
1I
/
/ II,
J ill
0 Ms M
A
V (V)
Soluciall
Si se considera el equivalente dinamico y las capacidades interelectr6dicas del
triodo, en el circuito basico de amplificador con triodo, podemos obtener la
siguiente figura de la cual es posible calcular la capacidad de Miller:
R
S VG!
---8.
11
13
TeG'K
Rp
R
3
G
- V
Figura E.11.6.1. Circuit equivalente del triodo considerando las capacidades interelectr6dicas del mismo.
/ I + /2 = 13 ,
= SCK VG
(E. 1 .6.1)
, C
- K = CG K
(E.11.6.2)
429
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
12 -= SCp (V s VG 1 ) ; CF = CpG, ,
ve VG i
- A VG , ,
RG
(E.11.6.3)
(E.11.6.4)
de donde:
lie VG ,
RG
VG
VG
(E.11.6.5)
2ir RG CG
ve
+ SCPG RG
E.11.6.6)
(E.11.6.7)
(E.11.6.8)
(Capacidad Miller)
EJEMPLOS
a)
b)
c)
d)
RL
VP?
VPP
P VGG
RL + Rp
Y VP = VPP
RL
RL +14
;Ave
(11.2.22)
RL + RP
R
(VPP
L
RI, + 14
P 'G )
ii i1e
(11.2.24)
a)
esta forma la corriente de placa CA sera:
Ave
/PcA
RL + 14
En
(E.11.7.1)
431
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
A,
VPCA =
RL Rp
AiVe
(E.11.7.2)
V,
A=
a TiPCA
a ye
=_
gRL
RI, +
Rp
entonces:
A
432
20x 15 X 103
300
= 13.
22.5x 103
22.5
(E.11.7.3)
EJEMPL(JS
d)
La potencia CA en ia rrsiftencia de cargo RL
(E. 11.7.4 )
Rt, riPcA 12 ,
LCA
" .
1.7
niA
tircAl=
V2
(L.11.7 5)
(E11.7.6)
W = 21.68 X 10 Vv.
1.C4
-5 V
Para
-10 V <
para
-5 V< VG < OV ; A=
VG <
a vp
a vc
a Vf,
3 VG
= -10.
11 DISPOS1TIVOS AL VACIO
-1- YPP
200V
R1
R
D
_=_
vpp
p
R2
1 VG
+ AS G
R2
IVG
Soluci6n:
La ley de comportamiento de la Fig. E.11.8.1 es:
Vi
R2
R + R2
Vp
RL
VPP
_ pp
+RPTi
RL
R
AVG ,
+ Rp
(11.2.22)
Re).
(E.11.8.1)
EJEMPLOS
rh
R1
Re
P
V
1).13
th
Rp
AtV
VG1
R2
VG
Figura E11.8.2. Equivalente del amplificador de ganancia variable cuando el diodo D conduce y se considera ideal.
donde;
Rd, = R i HR2HRL ,
( E.1 l.2.2)
R 2 (RI, + R I )Vpp
Vrh
(E.11.2.3)
RL R, +RL R 2 + R1R2
(E.11.8.4)
Debido a que
= R 1 I1R 2 IIRL < RE , entonces la ganancia A1 > A2 y si se
establece que el voltaje de control que hace que la ganancia cambie sea de -5 V,
tendremos:
R2
V, -
V=V n + R2 PP
13'
RL
RL p Vc
V +
+ Re RL + Re '
(E.11.8.5)
Usando las ecuaciones (E.11.8.1), (E.11.8.4) y (E.1.1.8.5), podemos determinar los valores de /2,, R2 y RL :
At -
RL
= - 15,
RL + 14
(E.11.8.6)
435
1 1 DiSPOSITIVOS AL VACIO
j/
(E.11.8.7)
- = - 10.
Rp
A2 -=
Rth
40K.U.
Ejempio 11.9. De las caracterfsticas estaticas de placa del tubo 6AU6A (pentodo
de corte neto), determine los parametros g , R y
1.
12
p I
A'a
1
0.5V
1
_
I
1
erilli
mom.
0
mill=
Mr
VG 1
F 6
3V
.
i
= 1V-
p.m...71.5V
-2.0V
2.5V I
I
.3_ i
Figura E.11.9.1.
Solucian:
Para VG i = I V,
Vp = (300 200)V = 100V,
= 15.3 5.0) X. 10-3 A = 0.3 x 10-3 A,
436
V = 00
I
V
G2
EJEMPIOS
AVp
RP =-
E.11,9,1)
kip
V(.71
100
R=
P
3 X 10-4
Rp = 333KS2
AI
gm
(E.11.9.2)
VG1
VP
2.4X 1C0
0.5
grn
= 4.8 X 10-3
= Rp
(nr
gm ,
(E.11.9.3)
Pi = 0.33 X 10' x 4.8 X 10-3 1600.
Mi
437
11
DISPOSITIVOS AL VACIO
rp , tales que el circuito equivalente lineal de la Fig. E.11.10.2 represente estrechamente al tubo real en la vecindad del siguiente punto de operacion:
VG 2 100 V, VG 3 = 0 V, VG 1 = 1.0 V, Vp=
250V.
'P
10
0.5V
8
ca.< 6
, .
-o ,.....
...
'c wa
o
fa
-= 4 4
8
e.
o >,
I Q 1.0V
V
GI
=0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
100 200
(V)
TVG 1
RP
v
mi G1
Solucion:
VP
438
gm
VG 4-
Rp
(E.11.10.1)
EJEMPLOS
donde:
A.&
gm
AV G
A
Rp
VP = cte
Vp
(E.11.10.3)
VGI = cte
gm 2 VG2= lp,cuando VG , = 0 y Vp = Vp(i .
(E.11.10.4)
En esta forma, utilizando las caracteristicas estAticas del pentodo, encontramos los valores de gm 1 , 10 , Y RP.
Para V = 250 V,
Aip = (7.6 3.2) X 10-3 A = 4.4 X 10'3 A,
AVG =(0'5 (-1.5) I V= 1.0 V,
4.4X 10-3
gm
1.0
= 1.0V,
10 = Ip
(VGI = 0, Vpo = 250V)
439
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
PQ
.Rp
250
'PQ 110.2 X 10-3 4- 4.4x 10-3 (-1) + SOO X 103 IA
= 6.3 X l0-3 A.
De la grafica se cbtiene /pQ = 5.2 X 10-3 A.
La diferencia en los valores de 49 se debe principalmente a que las curvas
siguen la ley de potencla a la tres medzos, mientras que el modelo equivalente es
Estos calculos comprueban ademas que la Ip (tebrica) es siempre mayor
que la f p (real) para voltajes de reja de control negativos. Los signos presentados
en el circuit equivalente de la Fig. E.11.10.2 son los adecuados.
vs
440
EJEMPLOS
lucion:
Ley de comportamiento en corriente directa (CD):
VPP = R L 4Q -1-VPQ + R K [IC Q.'
(E.11.11.1)
(E.11.11.2)
(E.11.11.3)
Rp 14,
RL, + R
(E.11.11.4)
/0 gmi
IQ +
(E.11.11.5)
Sustituyendo datos en las ecuaciones anteriores. es posible deterrainar los valores requeridos:
300V= (5 x 10-3 X Rt + 100 7.1 X 10-3 RK )V,
200V = (5 X 10-3 RL + 7.1 X 10-3 RK )V,
300V= (2.1 X 10 -3 Rc 2 +
100 +
(E.11.11.6)
7.11 X 10-3 RK )V
RK )V,
(E.11.11.7)
(E.11.11.8)
1 1 DISPOSITrVOS AL VACIO
(E.11.11.9)
95ICS2
RL = 39 91(.11
45V
Rayo de
luz (0.16 Qin)
45V
Solucion:
Sustituyendo los fototsbes (fotoceleta) por sus equivalentes, el circuito de la
Fig. E.11.12.1 queda:
442
EJEMPLOS
111
45V
V2
45V
b)
SiJi * J2 ,g 1 = gf2 , y RT = = 8 KS2 , entonces:
V2
V1
(E.11.12.1)
Ademas:
(E.11.12.2)
V1 + V2 = 90V.
Por to tanto:
V1
J1)
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
V AB = 3.2 V.
444
PREGUNTAS
PREGUNTAS
11.1 ,De que depende la corriente de saturacion de un diodo al vacfo?
11.2 i,Como se define la resistencia estatica y dinamica de un dispositivo
no-lineal?
11.3 Explique los efectos de la limitacion de corriente por carga-espacio y por
temperatura en un diodo al vacfo.
11.4 Encuentre a1gin otro circuito equivalente valid para el diodo al vacfo.
11.5 Defma los parametros de un triodo al vacfo.
11.6 LPor que un triodo al vaclo no es buen ampLificador de voltajes a altas
frecuencias?
11.7 El triodo se comporta como una fuente de voltaje real, dependiente de.. .
11.8 Si en un triodo la reja de control se hace muy negativa, zque sucede?
11.9 LCOrno se especifica la potencia de disipaci6n de un dispositivo?
11.10 lixplique por que es posible representar a1 triodo con un circuito equivalente de la forma:
41/
P V
4-
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
446
PROB LEMA S
PROBLEMAS
11.1 Grafique las curvas de ( Vp /p)para cada uno de los arreglos de la figura
P.11.1.
I p
IP
K
K
VP
l'i
VP
VP
Figura P.11.1
447
1 1 Disposrrivos AL VACIO
11.2 Dada la caracterfstica de an circuit diodo, determine eI valor de VpQ y
/1' Q (Fig. P.11.2.1)
R,
5 kn
200V
p (A)
50 100 150 200
Figura P.11.2
11.3 Demuestre que cuando existe la limitacion de carga-espacio en un diodo
de electrodos paralelos, el campo electric en la placa es de 4/3 del valor
que existe cuando no fluye corriente.
11.4 Consulte manuales de tubos al vacfo y determine los parametros gm , rp
y g del 12AU7, 6J6 y 6AU6.
11.5 Trace (V1 12) para el circuito de la siguiente figura, en que la caracterfstica del diodo es mostrada en la misma. Cubra el rango de 100V < V I
<10y.
/p(nA)
I2
v 3/2
P P
66.7
100
V )
Figura P.11.5.
11.6 Consulte el manual de tubos al vacio (triodo o pentodo) para que determine los valores adecuados de un amplificador de voltaje con una ganancia de A = 40, usando una fuente de polarizacion de Vpp = 300 V.
448
PROBLEMAS
Figura P.I1.7.
449
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
2) Ip = ?,
3) /p = 13 mA,
V = 300V,
Vp = 240V,
Vp = ?,
V = 8V,
G
VG = OV.
VG
'
450
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA
C.L. HEMENWAY, R.W. HENRY, y M. CAULTON, Physical electronics,
Wiley.
E.J.ANGELO, Electronics circuits, McGraw-Hill.
JACOB MILLMAN y SAMUEL SEELY, Electronics, Secon edition, McGrawHill.
HENRY J. ZIMMERMANN, SAMUEL J. MASON, Teoria de circuitos
electronicos, Compania Editorial Continental, S.A.
451
APENDICES
Apendice A
METODO DE WKB PARA DETERMINAR LA TRANSPARENCIA DE LAS
BARRERAS DE POTENCIAL
Para calcular la transparencia de las barreras de potencial de las particulas atomicas, a menudo se usa un metodo de aproximacion llamado metodo WKB.
Sea una onda de particula descrita por la ecuacion de onda siguiente:
d2
f (x) = 0 ,
(A-1)
dx2
donde f (x) es positiva para x1 < x <x2 (Fig. A.1), rango de x en el cual se
satisface la solucion para:
(A.2)
0(x) =
Sustituyendo (A.2) en (A.1), tenemos:
0("(X) -4- [Ce (x)]2 f (x) = 0.
(A.3)
Suponiendo que (x) es una funcion que varfa lentamente con x, tenemos:
(A.4)
455
El signo negativo se considera ya que interesa una onda que viaja de izquierda a derecha. Por consiguiente, la transparencia de la barrera es:
T= 00*
=e
2 00 0/2 diel
If
ix,
(A.5)
(A.6)
donde
V(x) es una energia potencial; y
es la energia del electron.
Por lo tanto:
2m 1/2
T= expl-2 () f [ V(x) E]"2 dx
h2
( A.7)
F
456
CONSTANTES MICAS B
Apendice B
CONSTANTES FISICAS
Constante
Sfmbolo
Valor
Velocidad de la luz
3 X105 m/seg
Constante de Planck
11127
Constante de Boltzman
Constante de Boltzmann
Carga eldctrica
mau
1.66 X 10-27 Kg
Numero de Avogadro
No
Ntimero de Avogadro
No
moleculas/Kg-peso molecular
mo
9.11 X10-31 Kg
71
ma ,.
en
1
= 8.85 X10-12 "22
36 r X109
rica-m
Po
an
5.29 X10-11 m
_
457
CUADRIPOLOS
Apendice C
CUADRIPOLOS
Sc define como cuadripolo a cualquier circuito que presente cuatro terminales
al exterior. Un ejemplo se muestra en la siguiente figura.
11
12
4,--
1/11
V2
Parametros Y
vi= , 12)
11= RI
V2 =
12 = f(, V2)
458
(II
12)
v2)
CUADRIPO I OS
Parametros h
Pardmetrosg
, V2 )
V2= firl,12)
= f (11 , V2 )
/1 = f(fr , 12 )
=f
Parametros a
Parametros
= f(,12)
v2= R171,10
= f(V2,12)
12= f(ri,h)
(C.1)
+ Z2212
(C.2)
1'2
Z21 11
Z12 I
Z21 Z22
/31
/2
(10 ode
ZI
III
I/;
Z21 = -
ii
12 = 0
, z22=
,
12
li = 0
459
CUADR1POLOS
a VI
ul '
Z21
Z11 =
/2 = cte
a v2
= r
a vi
012
= cte
a r";
012
'ill = cte
= cte
_.
z,
V1
/2
,_
1
,./.2
4) /2 + Vt. .
(C.3 I
(C.4)
z,1 =
Z
460
A2
ZA + 4
IC .5
4.
(C.6)
CCADRIPOLOS
Z,, =
1,12.
V
= Zc +
(C.7)
1, = 0
Z22 -
--op
= Zil ZC
/2
12
=-
III1
(C.8)
Irmo 0 ..-
+
4
1,
7,
(b)
(a)
4= Z12
(C.9)
Z12
(C.10)
(C.1 1)
4= Z22
Z12 .
(C.12)
'
MIMI
NMI
+ I
1 ZI1 -Z12
Z22 -ZI2 (Z21 - Z12) II I
I
I
I
VI
I Z12
I
I
I
I
I
b
41.--t
V2
Y21
(C. I 3)
V1 + Y22 1' .
(C.1 4)
[ /, I
Y12 I [
IY11
vi I
,
Y21 Y22
V2
/2
V2
y
ji = 0
ah
Y1 i = A y
Y21
=
a v,
V2 =
462
ah
-.
Y12 =
3 V2
V2 = cteVI = ct e
ct e
7 Y2 2 =
ah
a
= cte
ADRLPOLOS
.'- - 7B-
- - - - -',JL_
1
1
4-
IA = YA
IB ,
F;,
IB
i,
= (YA + YB)K YB V2 ,
(v, v2)Y13 ,
(C.15)
/2 = /13 + /c 'I ,
/B = (V2 K) YR ,
/c = YC 72
/2 = YB
vi + (
YE + Yc) V2 I f .
(C.I6)
_ it
(C.17)
' E72 = 0
/1
V
Yi 2
2
= YB
(C.18)
VI = 0
463
CUADRIPOLOS
12 ,
V1
v2 = 0
=0
Y22
-IT
(C.I 9)
= YB Yc
(C.20)
(C.21)
Y12
(C.22)
(C.23)
Sustituyendo (C.23) y (C.21), y considerando
Yc =
= 0, en (C.20), se tiene:
(C.24)
Y22 + Y1 2
- Y12
+ Y12
IV2
1'22 + Y12
(Y12 Y21) VI
CUADREPOLOS
Parcimetros a
V; -= a11 P; - a1212
(C.25)
/I = a21 V2 a22 12
(C.26)
.
12
a12
K
,
V2 12 = 0
(C.27)
i;
h
(C.28)
V2 = 0
11
(C.29)
12
a2 2 =
=0
-1
12
(C.30)
V2 = 0
a vi
/2 cte
a VI
a
cte
465
CUADRIPOLOS
ah
a22 a (_/2)
cte
Este tipo de parametros resulta muy fitil en el estudio de cuadripolos conectados en cascada.
Pardmetros b
= bil
b1211 ,
(C.31)
/2 = b21
b22 .
(C.32)
(C.33)
b22
b21
(C.34)
= 0 5
11
b12
1;1
(C.35)
(C.36)
621 = v
12
" 11 = 0
b22 =
12y
'
av
b11 .
'Jr].
466
I1
cte
(C.37)
CUADRIPOLOS
ay,
ach
= cte
a/2
b21 =
avi
= etc
al2
b22 =
vi= cte
Parametros g:
= g11
(C.38)
+ g12
= g" v, + g2212 .
(C.39)
[ g11
g12I
(C.40)
g21 g22 /2
j_Lo
I AIgs I I
VI(
V2
ga Ovr
4 I
Figura C.7. Cuadripolo con parametrosg.
g v
De la ecuacion (C.38) obtenemos Los parametros estaticos .11
/I
g"
:
(C.41)
12
=
467
C CUADR1POLOS
g12 =
11
42
= 0
g21 =
172
-
g2 2 =
12=0 '
V2
.2
= cte
al,
= ah-
= cte
a Pi
gn = VI
g"
r2 =
a J/2ah
cte
= cte
If
gA
CUADRIPOLOS
g12 =
(C.48)
(C.49)
(C.50)
g22 gB
/2
g12 12
De la ecuacion (C.49) obtenemos:
=g21
(C.52)
= g11
----- - - - - - - - - - - - - - - ---
li
0_....
/1I
Vg12/2 I gii
..._,_,
4_ g.,_
V2
g2 1 Fl
0-
CUADRIPOLOS
Parametros h:
= h11 11 + h12 V2 ,
13
(C.55)
(C.56)
1211
/i n I
/,
121
h2
(C.57)
V2
T /2
1 '1140
I
it r
rizzi
43..
+
0Vf VI it
VII
[II hB
:
1
i
iv2
o
(C.58)
h12
171
(C.59)
0'
h21
1 172 = 0
470
(C.60)
CUADRIPOLOS
22
(C.61)
4
V2
It = 0
a vi
ar,
h Li =
h 12
h21
V2 = cte
a V,
a V2
= cte
ar,
" V2 = ct e
312
h22 = a V2
= cte
VT
Vt
(C.64)
(C.65)
(C.66)
47 1
CU AD RIPO L 0 S
h_
If 4_
" V2
(C.67)
hB
(C.69)
If = /121/1
Sustituyendo (C.68) en C.64), para
V2 =
0 tenemos:
hA = 1111
(C.70)
(C.71)
r- - - - - - - - -
11
-----
.--
h11
1'12 V2 0 Vh2111 0722 V2
CUADR IPOLOS
Solucion
Usamos las ecuaciones (C.1) y (C.2). es decir:
= Z [2 + Z1212
V2
y
(C. I
(C.2)
Z,1 11 + Z221,
(C.55)
/2 = h21 11 + h22, V2
(C.56)
ZI2Z21 Z12
,
L.,22 Z22
Z Z22 Zi 2 Z21 Z1 2
i+
.7 13
171 =
Z 22.
L.22
(C.72)
Z22
Z21
, 11/2
Z22
1
1-.22
473
A B
A' B'
C D
C' D'
a ,-- AD-BC
ZI1
ZI2
Y22
I YI
42
-Zi2
IZI
IZ I
-z21
C D
A' B'
C' LI'
474
-Y22
Iv
11
1M
1212
-gn
D'
IY1
h22
h22
$11
811
C'
C'
Y21
-h22
gm
Igl
A'
A'
42
h22
Su
gn
-kz
Igl
A2
-A
A'
-1
hu
gn
gn
B'
B'
Ir I
y2
hi ,
IZI
ZU
IZI
IZI
__
42
Z22
Z22
Yll
1221
Ihi
-gm
-1
-A'
D'
Y."
hli
hil
822
gn
B'
B'
-K2
Yu
h11
h12
gn
Igl
-8.22
B'
151
A'
A'
h22
-g21
gil
-A'
Igl
C'
Igl
A'
A'
y
21
-Z21
Y21
42
42
Yta
JX.L
iii
h21
-Z12
IYI
Yt2
h22
-h12
-A
C'
Z11
Z11
Y22
YT2
lh I
lh I
gn
812
D'
D'
Zu
Z11
IZI
-r
-kin
A'
B'
Y21
I/1 I
gal
g"
122
/211
lid
Z11
D'
D'
g22
Z21
Z2I
Y21
Y21
1121
h21
821
Si
A'
A'
Z22
-WI
-Yil
-1122
A'
Y21
Y2I
h2l
,.
C'
421
A'
A'
IZI
-Yu
-1
Z12
Y12
1'I2
A'
B'
Zil
-IYI
-Yn
Z12
Yll
YI2
C'
D'
A e
42
-B t"
-YI2
Z
41
A ' = AD'
z"
Z21
Z2
n, 2
L12
,
L/2
..,--
81 ,
n2I
521
.21
Igl
-.,
52,
62,
hi]
-Igl
-g22
h12
h12
512
512
hn
Ihl
-gli
/In
$12
-1
512
h12
Apendice D
PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor
(eV)
0K
Morilidad a 300K
cm2/(V-seg)
avatar:les Instead
C (dismal:1z 11)
5.47
531
1800
1600
Ge (gemtanio)
0.66
0.75
3900
1900
Si (silicio)
1.12
1.16
1500
600
Grupo 111-V
GaAs
(araeniuro de galio)
1.43
132
8500
400
Grupo 11-1V
CdS
(sulfur de cadmio)
2.42
2_56
300
Grupo IV-V1
PbS
(sulfur de plomo
0.41
0.34
600
Masa ekctin
(?n/me)
di:drams
homes
0.2
0.25
Constante
Dietrocia
dielectrics I:aerator:nes
a 300K
5.5
3_56679
nit, = 0.04
16
m; =0.97
ner=0.19
m2,,, =0.16
mt =0.5
11.8
0.668
03
10.9
5.6534
50
0.17
0.6
10
5.832
700
0.66
0.5
17
5.935
1.6
5.65748
5.43086
475
T = 300K
Apendice E
PROPLEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300 K
Propiedades
Ge
Si
GaAs
atomoskni3
4.42 X1022
5.0 X 1022
2.21 X1022
Peso atOmico
72,6
28.08
144.63
Campo de ruptura
(V/cm)
105
3 X 105
4X105
diamante
diamante
zinc-blenda
5.3267
2.328
532
Constante dielectrica
16
11.8
10.9
Densidad efectiva
de estados en la
banda de conducciOn
Nc(cm-3)
1.0 X1019
1.02 X 1019
7.0 X1015
Estructura cristalina
Densidad (g/cm3)
476
m=0.97, m= 0.19
rnith =0.16, mh*h =0.5
4.05
0,068
0.12, 0.5
4.07
T= 300'K (cont. . .)
Ge
Si
GaAs
0.66
1.12
1.43
Concentracion
intrinseca de
portadores (cm-3)
2.4X10!3
1.6 X1016
1.1 X 107
Distancia
interatOmica (A)
5.65748
5.43086
5.6534
Coeficiente lineal de
expansion termica
(AL/L AT) (C-1)
5.8 X 10-6
2.6 X10-6
5.9 X10-6
937
1420
1238
Tiempo de vida de
portadores
minuritarios (seg)
10-3
2.5 X10
3900
1900
1300
600
8500
400
0.31
0.7
0.35
Conductividad
termica a 300K
W/(c-m- C)
0.64
1.45
0.46
Difusion terniica
(ariziseg)
0.36
0.9
0.44
4.4
4.8
4.7
Presion de vapor
(Torr)
10-3 a 1270C
10-8 a 800C
-3
10-3 a 1600C
10-s a 930C
^''' 10-8
1 a 1050C
100 a 1220C
477
Apendice F
TABLA DE CONVERSION DE FACTORES
1 radian = 57.3 = 0.159 rev.
1 grado = 0.0175 radian.
1 slug = 32.2 lb (masa) = 14.6 Kg.
1 kilogramo = 2.21 lb (masa).
1 libra (masa) = 0.454 Kg.
1 unidad de masa atomica = 1.66 X 10-27 Kg.
1 metro = 39.4" =3.28 pies.
1 pulgada = 2.54 cm.
1 milla = 5 280 pies = 1.61 Kin.
1 unidad angstron (A) = 10-'0 m = 0.1 mp.
1 milimicra = 10-9 m.
1 dfa = 86,400 seg.
1 afto =3.16 X 10" seg = 365 dfas.
1 milla/hora = 1.47 pies/seg = 0.446 m/seg.
1 libra (lb) = 4.45 newton.
1 newton = 0.225 libras.
1 calorfa = 4.19 joules.
1 joule = 0.239 calorfas = 2.78 X 1 0-7 KW-h.
1 electron-volt= 1.6 X 10-'9 joules.
1 caballo de fuerza = 550 lb-pie/seg = 746 W.
1 BTU= 778 lb-pie = 252 cal = 1060 joules.
1 atmosfera = 29.9 pulg de Hg.
1 atmosfera = 76 cm de Hg.
1 atmosfera = 1.01 X 105 newton/m2 .
478
Apendice G
CURVA NORMAL1ZADA DE LA FUNCION ERROR
COMPLEMENTARIA Y LA DISTRIBUCION GAUSSIANA
10-1
-x
-8
;f 10
0
0.5 1.0 1.5 2.0 z.s 3.0 i .3 4
4.5 5.0
479
Apendice I I
PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS
H.1. Diodo rectificador
LA
Sim bolo
Esquema tipico
de uniones
. 1 ' 4,
Ih
/ = 10 (ce VImKT _ I)
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matemitico
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es presentar baja resistencia al paso de la
corriente cuando se polariza directamente (positivo el anodo y negativo el catodo), y alta resistencia al paso de la misma en polarizacion inversa (negativo el
anodo y positivo el catodo).
Aplicaciones tipicas:
Rectificadores; demoduladores; compuertas logicas; formadores de onda; sujetadores.
Valores mciximos:
Voltaje de ruptura
Corriente promedio en sentido direct
Temperatura de la union
480
VR = 30,000 V.
1/) = 1500 A.
7; = 150C.
,A
MGM Vi
ri
Vu v
=UM
T
Simbolo
Esquetna tipicit
de uniones
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matemiitico
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la region de ruptura Zener, la cual es
abrupta, perrnitiendo que este dispositivo funcione omo referencia de voltaje
confiable. Este fenOmeno de ruptura se presenta itasta voltajes alrededor de
50 V; sin embargo, se disetian diodos cuya ruptura es mayor a los 50 V (ruptura
de avalancha), los cuales pueden trabajar permanentemente en dicha region.
Aplicaciones t !picas:
Reguladores de voltaje; limitadores; circuitos de proteccion: celdas de referenda.
Valores mciximos:
Voltaje de Zener
Pot encia de disipacion maxima
Vz =- 200 V.
PD = SOW.
43
,_,,i,.,,,
TV
1K
Sirnbolo
Esquema tipico
de uniones
1.C, ,(v,_
,,,,
1 Vp Vy
Caracteristica
clectrica
V)2 , jo (eeVIrnKT-- 1)
donde:
C1 es una constante que &pen& de las
imputezas del diodo
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es la presencia de una impedancia negativa
en sentido direct, entre el voltaje pico y el voltaje valle.
Aplicaciones tipicas:
Convertidores; circuitos logicos; circuitos de microondas; detectores de nivel;
formadores de onda.
481
Valores maximos:
Corriente pico
Frecuencia de corte resistiva
/p = 100 mA.
f = 40 GHz.
VR
PN
10
.v
rr Vu
SImbolo
Esquema tipico
de uniones
1=10 (eeVImKT
1)
Comportamiento
matematico
Caracteristica
electrica
Caracteristica funcionak
Su principal caracteristica funcional es que al polarizarse inversamente en la
region de saturacion inversa, varia la capacidad de la union al variar el voltaje
inverso.
Aplicaciones tipicas:
Circuitos de sintonfas de radio y TV; filtros activos; osciladores controlados por
voltaje.
Valores maximos:
Razor' de capacidad
Cm
15.
Factor de calidad
Capacidad de la union maxima
Q = 600.
Cf .
800 pf.
VR
1 = io (eeT/ImKT _ 1)
Vu
(
Simbolo
482
Esquema tipico
de uniones
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es el permitir rectificar sefiales con frecuencias arriba de los 300 MHz. En estos dispositivos los tiempos de conmutacion son menores a los 10 nseg, pero sus voltajes de ruptura son pequeffos
comparados con los rectificadores normales. El diodo Schottky esti construido
mediante un contacto metal-semiconductor; el metal corptinmente es de oro y el
semiconductor esta altamente impurificado y es tipo N, lo cual permite que la
regiOn de vaciamiento sea muy pequefia, presentandose Las caracterfsticas arriba
mencionadas.
Aplicaciones tipicas:
Ciscuitos logicos de alta velocidad; moduladores y demoduladores en microondas; fuentes de alirnentacion conmutadas.
Valores mciximos:
Corriente promedio en sentido directo
Voltaje de ruptura
Temperatura de la uni6n
ID = 75 A.
VR = 45 V.
Ti = 150C.
(1.;
NM=
ME=
ic
Simbolo
Esquerna tipico
de uniones
.- I'
0;
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la semejanza que tiene con un diodo
timel polarizado inverso en el cual los valores de voltaje pico y voltaje valle son
casi iguales. En sentido directo presenta voltaje de umbral muy pequeflo.
Aplicaciones tipicas:
Osciladores de baja potencia; mezcladores en microondas.
Valores maximos:
Corriente promedio en sentido directo
Voltaje de umbral
= 5 mA.
= 40 mV.
483
.. r 1
7.3.
47)
-,
MG= t I I
MUM
,-/
11
,R
1 jf..
r 1
MGM
T2
o; IVI=VR
I/1> 4 ; Ivi> vR
VR
T2
Esquema tipico
de uniones
Simbolo
Caraeteristica
eldetried
Comportamiento
matematieo
Caraeteris.tica fUncional:
La principal caracteristica funcional es que en ambos sentidos la corriente se
incrcmenta bruscamente al exccderse el voltaje de ruptura VR , similar al folio-men de avalancha. Esto resulta semejante al comportamiento de dos diodos
rectificadores conectados en serie catodo con catodo.
Aplicaciones t
Circuitos de proteccion contra transitorios de voltaje: circuitos matachispas.
Valores inciximos:
Pulsos
Corriente entre terminal 1 y 2
Voltaje de ruptura
/vice, = 70 A.
1= 0.5 A.
V.
VR = 300V
Esquema tipico
de uniones
Sirnbolo
(
KK
IDS
VP
1
Vp
d.
I =IDS
=
VDS
V CVDS
- IDS
Caracteristiea
eldctrica
484
Cornportamiento
matemkieo
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es que despu6 de cierto voliaje alcanza
la corriente de saturacion, y aunque el voltaje aumente, la corriente permanecc
constante. Este diodo esta construido de manera semejante a un JFET con
la compuerta cortocircuitada con la fuente.
Aplicaciones tzPicas:
Limitadores de corriente; reguladores de corriente; cargadores lineales de capacitores; generadores de dientes de sierra.
Valores maximos:
Voltaje al cual alcanza la saturacion
(semejante al voltaje de oclusion de un JFET)
Voltaje de ruptura
Vp = 3.5 V.
VR = 100 V.
,L..,
r/
K
lk
Simbolo
HINK:
Esquenta tipico
de uniones
rr_ I)
,=4 (ell/pa
Caracteristica
Comportamicnto
electrica
matematico
Caracteristica funcional
Este dispositivo es fundamentalmente un diodo Zener, disenado para soportur
corrientes transitorias alias en sentido inverso, que permitan proteger circuitos
o dispositivos electronicos en peligro de destruccion por transitotios de voltaje
de alta energia.
Aplkaciones tipicas
Proteccion de lineas telefonicas; protecciOn de equipo automotriz; protecciOn
de sobrevoltaje.
Valores mciximos
Voltwe de ruptura
Disipacion de potencia durante un mseg
VR = 200 V.
PD = 8000W.
485
P I NE
Esquema tipico
de uniones
Simbolo
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matematico
Caractertstica funcional
Debido a la regi6n intrinseca entre las regiones P y N, la zona de vaciamiento se
hace mayor, con lo que la capacidad de union se reduce, permitiendo que se reduzcan considerablemente los tiempos de almacenamiento de subida y bajada,
por lo que este dispositivo puede trabajar en altas frecuencias y aceptar voltajes
de ruptura mayores que los diodos convencionales.
Aplicaciones tipicas
Diodo de conmutaciOn; diodos damper de alto voltaje; rectificadores de alta
frecuencia; aplicaciones en microondas, moduladores y demoduladores.
Valores tntiximos
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de ruptura
'AK = 3 A.
VR = 2500 V.
H.11. Fotodiodo
jr:
H2
/ .,
rAIC
Simbolo
10 es la corriente en la oscuridad,
H es la intensidad de luz,
K es constante de proporcionahdad de
iluminacion,
es constante de corriente de saturaciOn.
Comportamiento
matematico
Caractertstica funcional
Este es un diodo al que se le hace una ventana para que incida luz en la union
P-N, y al suceder esto la corriente de saturacion inversa se modifica, teniendose
una respuesta proporcional a la intensidad luminosa incidente.
Aplicaciones tipicas
Alarmas; contadores de material; control industrial; control remoto ; controles
fotoelectricos; apertura de puertas; comunicacion por fibras Opticas; ignicion
transistorizada.
486
Valores mdximos
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje entre anodo-catodo
PD = 0.4W.
14 = 500 mA.
VAK = 100 V.
'A
If,r
0
' II
1.2
VAK
H=.43+K/A
tc
Simbolo
Caracteristica
electrica
Esquema tipico
de uniones
Comportamiento
matemitico
Caracteratica funcional
Este dispositivo tiene la particularidad de emitir luz ya sea en el rango infrarrojo o en el espectro visible; tiene la ventaja de ser un foco indicador con muy
poca energia de excitacion ya que aprovecha la energia que se libera cuando se
recombina un electron con un hueco. La frecuencia de la radiacion esta en funcion del ancho de la banda prohibida del semiconductor que se emplea.
Aplicaciones tipicas
Foco piloto; emisor infrarrojo; comunicaciones por fibras Opticas; controles
fotoelectricos; igniciones transistorizadas; contadores; controles industriales.
Valores maximos
VR = 5 V.
14 = 2 A.
Voltaje de ruptura
Corriente en el anodo
H.13. Transistor bipolar NPN
c
iice?E
c
vc mzm
BO
- WIG=
B NW=
ki
1.135
434
1B,
1132
431
a=
Vcs
Simbolo
Esquema tipico
de uniones
ic=PlB(01-1) 1co
IE =1c 4- 41
Caracteristica
electrica
41C
AIR '
F-
A113
Comportamiento
matematico
487
= 300 A.
FCE = 1500 V.
PD = 500W.
Jer = 5 GHz.
M=
a
=MI
Esquema tfpico
de uniones
VcE
In
ic =a1B +(a+i)ko
=1.c. IB
433
1B,
Ic
Caracteristica
electrica
Este dispositivo es complementario del transistor bipolar NPN y tiene las mismas ecuaciones, funcionamiento, aplicaciones y valores maximos que este.
H. 15. Fototransistor
B
t
SImbolo
_Lc
P
H4
H3
'Ice
Esquema tipico
de uniones
Caracteristica
electrica
Caracteristica funcional
En este dispositivo la luz incidente actita como la corriente de base, y se puede
decir que se tiene una corriente de colector constante para una intensidad de
luz incidente constante (H).
Aplicaciones tipicas
Detectores de intensidad luminosa, contadores, detectores de proximidad,
detectores de nivel, alarm as, ignicion transistorizada.
488
Valores mdximos
I;?
100 V.
1c, =400 mA.
PD =
Voltaje de ruptura
Corriente de colector
Potencia de disipaciOn
H.16. Optoacoplador
A I-
0--f---i
I u
tic
a
4.=10
1
1
IN I
IF =6
donde:
TR es constante de
proporcionalidad
IF=2
VCE
li
Caracteristica
electrica
Esquerna tipicO
de uniones
Simbolo
= TR X IF
Comportamiento
maternatico
Caracteristica funeional
Este dispositivo involucra internamente un diodo LED y un fototransistor, y
sirve para acoplar dos sistemas independientes ya que se transfiere la informa-
Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo; conmutacion; interfases digitales, y con las lineas telefoni-
Valores mciximos
VA = 20KV.
Voltaje de aislamiento
PD =
Potencia de disipacion
500 mW.
Voltaje colector-emisor
Vex = 60 V.
IF
Corriente en el colector
/c = 500 mA.
H.17. Transistores
de efecto de campo de
union
D (drcoale) (;
3. 11
dgik
liglir
111E
D
ID ... IDSS k 1
VGg =0
VGs = 2
VGS = VPG
VDS
- S (filen tc)
Sim bolo
t1
ilD
IDSS
(compuerta 1
= 200 mA.
Esquema tipico
Caracteristica
de uniones
electrica
VGS ln
---i, -..1
r pp
donde n es
norrnalrnente 2
Comportamiento
matematico
489
Caracteristica funcional
Se tiene un canal semiconductor el cual modula su seccion transversal conductora mediante la aplicacion de un campo electrico al polarizar inversa la union
entre la compuerta y el canal, obteniendose de esta forma una resistencia variable entre drenaje y fuente.
Aplicaciones tipicas
Preamplificadores de audio; amplificadores de alta impedancia de entrada; instrumentacion, medidores de PH; reguladores de corriente.
Valores maximos
/Ds = 1 A.
irDs = 200 V.
PD = 25W.
Corriente
Voltaje de ruptura
Potencia promedio
Ts'ubestrato
Esquema tipico
de uniones
iDss
Vas
=0
VOs = 1
Vc1.8 = Vu
Caracteristica VDs
electrica
_ E t, ,Gs
v
Ti 1
- u.,2
IDS -i-
donde Vu es el
voltaje de umbra!
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional
Se tiene un canal de conduccion el cual se incrementa o decrementa por efecto
capacitivo al aplicar un voltaje entre la compuerta y el subestrato (normalmente
el subestrato se cortocircuita con la fuente); este dispositivo presenta muy alta
impedancia y es muy sensible a danarse debido a la estatica al manipularlos, por
to que debe tenerse precaucion.
Aplicaciones tipicas
Circuitos logicos; amplificadores y preamplificadores de audio; instrumentacion ; amplificadores de potencia.
Valores mciximos
Corriente entre drenaje-fuente
Voltaje entre drenaje-fuente
Potencia de disipacion
490
/Ds = 10 A.
VDs = 800 V.
PD = 100W.
,132
o
E-73
oBi
Yp
I
Vp=qVBB+ V8
i
I
RB
n= -5, --L ; Rim =RBI + RB2
B1
1111.7- .. 1E 1,B8
'ply
VBB = 60 V.
P = 0.5 W.
Vo
ir i.___,..,..
li
RI
Wl
EMI
Ma
RI
re WO
R2
o B2
i 132
V+ VD
Vp =nB8
R1
n = RI + R2
Caracterestica funcional
Este dispositivo es complementario del transistor monounion; sus aplicaciones
y valores maximos son los mismos que los de su complementario.
491
.A
P
IMMO
Simbolo
Esquenla tipico
El
li
iii .7
(-------"--
p--7
5. J:tx
donde
Vs es el voltaje de disparo
.G
IG
IGT
de uniones
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matematico
Caractertstica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo, el diodo controlado de silicio
puede ser disparado al introducir una corriente en la compuerta, permaneciendo en conduccion hasta que la corriente de anodo se hace muy pequena o es
reducida a cero.
A p licacio nes t !picas
Convertidores (AC-DC)/(DC-AC); control de potencia: control de fase; invertidores; fuentes de poder; limitadores de potencia.
Valores mciximos
Corriente anodo-catodo
Voltaje anodo-catodo
/AK = 1700 A.
VAK VG = 0) = 2500 V.
11.22. TRIAC
T
8' Trz
iG
Vs
tjal
Simbolo
i.ail
T2
Esquema tipico
de uniones
11
Caracteristica
electrica
donde
Vs es el voltaje de disparo
para una IC dada.
Comportarniento
matematico
Caracteristica Ancional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio, pero este dispositivo
es simetrico y puede conducir en ambos sentidos y ser disparado tanto con voltajes positivos como con voltajes negativos en la compuerta.
492
Aplicaciones tipicas
Invertidores; cicloconvertidores; controles de fase; controles de velocidad; reguladores de CA; controles de potencia.
Valores mximos
Corriente nodo-ctodo
Voitaje nodo-ctodo
'AK (rms) = 40 A.
VAK (AG =0) = 800 V.
TI
47T 2
Sfmbolo
L1
VR
N/A
T2
Caracteristica
elctrica
Esquenia tIpico
de uniones
Comportamiento
matemtico
Caracteristica funcional
Cuando el voltaje entre terminales en cualquier sentido alcanza el voltaje de disparo (airededor de 35V) la corriente aumenta bruscamente y el voltaje decae
hasta 10-12 V.
Aplicaciones t(picas
Control do disparo para SCR's, TRIAC's; reemplazo de relevadores; control por
fase; detectores de nivel; circuitos de proteccin.
Valoresmdximos
Voltaje entre terminales
Corriente
Vterminaies
40 V.
12A.
{14
GRB
oK
N
NJ
N/A
IK
SImbolo
Esquerna tIpico
de uniones
CaracterIstica
clctrica
Comportamiento
matemtico
493
Caracterz'stica funcional
Este dispositivo es similar al SCS, pero se ha agregado una union Zener en la
compuerta del anodo, por lo que el voltaje de disparo esta fijo; sin embargo,
tambien puede dispararse con un voltaje negativo en la compuerta.
Aplicaciones tz'picas
Circuitos de conmutacion; detectores de nivel; contadores; disparo de SCR's;
osciladores.
Valores mciximos
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de disparo
PD = 0.5 W.
'AK = 0.5 A.
Vsz = 10 V.
A
g IDA
1117
.K
LIMIER R
El
RD LI
UI
6s1
Simbolo
Esquema tipico
de uniones
/
VSZ
L_
VAK
N/A
VS
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional
Este dispositivo es una version simetrica del SUS, ya que rompe en ambos sentidos, de acuerdo a las rupturas Zener de los diodos interconstruidos; se garantiza
buena estabilidad.
Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo para SCR y TRIAC's; controles de fase; controles excitadores de display.
Valores mciximos
Potencia de disipaciOn
Corriente entre anodo-catodo
Voltaje de disparo
494
PD = 0.5 W.
'AK = 0.5 A.
I 1/81= 10 V.
A_.
.A
M.MMI .
Elmo
Simbolo
.TA
MO=
WAN
A
1
.......4::IE
( VAK
RI c R2 G
- Vcdr)
R1 +R2
>0.6
G
punto pico
Esquema tipico
de uniones
se programa el comportamientode
acuerdo con los valores de R1 y R2
Caracteristica
electrica
Comportamiento
matematico
Caracteristica funcional
Mediante la relacion de las resistencias RI y R2 se programan los valores de /p.
Vp,1v y el dispositivo tiene basicamente el comportamiento de un tipico transistor monounion.
Aplicaciones tz'picas
Las mismas del transistor monounion.
Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo
Potencia de disipacion
Corriente entre anodo-catodo
VA K = 60 V.
PD = 0.5 W.
'
AK = 0.25 A.
Simbolo
.A
4
,
MIMI GI
mi
MMII
G2 IMAM
G2
K
Esquema tipico
de uniones
Vs = Vso (1
, -)
AGT
----
VAK
donde Vs es el
voltaje de disparo
para una /6 dada.
Caracterist ica
electrica
Comport amiento
matemitico
Caracteristica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo el interruptor SCS puede ser disparado al introducir una corriente en la compuerta de catodo o bien at sacar
una corriente en la compuerta de anodo, permaneciendo en conduccion hasta
que la corriente de anodo se haga cero.
495
Aplicaciones t (picas
Las mismas que los SCR's y ademas coma contadores, excitadores de displav.
y marquesinas.
Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo
Corriente entre anodo-catodo
VAK = 200 V.
'AK = 500 in A.
Vs
Vso ( 1
)
/A
H ,
1GT
MANI
a\4
MEM ---- vAir donde:
H es la intensidad luminica
Vs es el voltaje de disparo
K tr .G
para una Hot dada.
Comportamiento
Esquema tipico
Caracteristica
Simbolo
de uniones
electrica
matemdtico
Caracteristica funcional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio (SCR) pero tambien
puede ser disparado mediante un haz de luz intenso que incida sabre el dispositivo.
'AK = 3.0 A.
VAK = 400 V (para I = 0, 1J = 0 I
H.29. Fotocelda
radiacion (H)
(I)A
Simbolo
496
11/
11
fotoconductor
IIM=1
subestrato aislante
Esquema tipico
de uniones
114 I/3
1/2
V
Caracteristica
electrica
R =AH-Ci
donde:
A y a son constantes
es la radiacton.
Comportamiento
maternitico
Caracteristica functonal
Est c es un dispositivo cuya caracteristica fundamental es que rnodifica su resistencia electrica, con la intensidad de luz que incide sobre el; al incidir mas luz
la resistencia baja.
Aplicacione. tepicas
Detectores de proximidad; alarmas; contadores; sistemas de -protecciOn industrial; controles fotoelectricos: a ..zura de puertas.
Valores mximos
Potencia de disipacion
PD = 21V.
497
Apendice I
CALCULO DE DISIPADORES EN FUNCION DEL AREA DE LAS PLACAS
DE ALUMINIO
En la grafica se presenta la resistencia termica del disipador al ambiente (Rthd.a),
en funcion del area de placas verticales de aluminio de 1 mm y de 3 mm de
espesor.
Una vez que se ha calculado el valor apropiado de resistencia termica del
disipador al ambiente, se puede cscoger el area necesaria de disipador, eligiendo
el espesor de la placa que se desea usar.
Rthd-a
Grafica de Rthd.a contra area (cm2 ) para placas paralelas de alum inio colocadasverticalrnente.
498
TEOREMAS DE CIRCUITOS
Apendice J
TEOREMAS DE CIRCUITOS
Los metodos de mallas y nodos que se estudian en teoria de los circuitos electricos establecen procedimientos generales de analisis que son aplicables a cualquier red electrica; sin embargo, dada su misma generalidad, el analisis de un
circuito por este camino no siempre da toda la luz que se desea sobre el funcionamiento del mismo, ni es el camino mas sencillo. Existen algunos teoremas
aplicables al analisis de circuitos electricos con elemcntos R, L, C y fuentes de
voltaje o de corriente independientes, los cuales revisaremos en este apendice
considerando ademas que dentro de la red electrica bajo analisis existen fuentes
dep end ient es.
Principio de superposicion
El principio de superposicion en una red electrica con fuentes independientes
establece lo siguiente:
el voltaje en un elemento de un circuito que contenga varias fuentes es igual
a la suma de voltajes que produce cada una de las fuentes en forma independiente sobre el elemento, considerando en cada caso nubo el efecto de las
demas fuentes;
la corriente que circula en un elemento de un circuito que contiene varias
fuentes es igual a la suma de las corrientes que produce cada una de las fuentes en forma independiente sobre el elemento, considerando en cada caso
nubo el efecto de las demas fuentes.
Debido a la generalidad de este principio, resulta aplicable tanto en el caso
de tener fuentes dependientes como en el caso de fuentes independientes.
499
J ITOREMAS DL CIRCUITOS
J.2. Teorema de sustitucion
Suponga una red electrica cualquiera N, que presenta una corriente i (t) en sus
terminales A y B, y que tiene conectada en dichas terminalcs una fuente de
voltaje dependiente de corriente ai (t), donde a puede ser cualquier valor real
o complejo y la corriente fluye en el sentido de la caida de potcncial. Sc dice
que "La fuente dependiente ai (t) puede ser sustituida por una impedancia de
valor a sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red" (Fig. J. l -a).
Figura .1.1: (a) fuente de voltaje dependiente de corriente, en la cual puede aplicarse eI teorema de sustitucion; (b) fuente de corriente dependiente de voltaje en la cual puede apliearse el
teorema de sustitueion.
Si se tiene el dual, es decir, una red N que presenta entre sus terminates un
voltaje (t) arbitrario, y una fuente de corriente dependiente de voltaje gv (t), si
la corriente fluye en el sentido de la caida de potencial (de + a ), se dice que:
"La fuente dependiente gv (t) se puede sustituit por una conductancia de valor
a mhos, sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red".
J.3. Teorenaa de reduccion para fuentes dependientes
El teorema de reduccitin para fuentes dependientes es en si una extension del
teorema de sustitucion y es aplicable a fuentes dependientes que se encuentren
colocadas en medio de dos redes electricas cualesquiera. En la Fig. J.2 se ilustra
este concepto.
500
TEOREMAS DE CIRCUTTOS
ii
I.1 4-a)
I
A
N,
A.
ii
1 4 ac
N2
501
TEOREMAS DE CIRCUITOS
1V
1LIR
I i h
TEOREMAS DE CIRCUITOS J
st
1 i ,
Vi (12
. '
12..1
. 71
__
i3 I
I
l a,
(a)
Figura J.5. Ilustracion del teorema de bisecci(m. (a) PresentaciOn de dos redes iguales simetricas:(b) modo coman:(c) modo diferencial.
J TE3REMADE CIRCUITOS
(a)
(b)
Figura E.J.1.1; (a) circuito amplificador con triodos (caseode); (b) equivalente diimieo
do (a).
Solucin:
Si
V J'+R31,
-
entonces Sc puede sustituir la fuente Pi J' por dos fiientes en serie, una de
valor p. J' y otra de valory, R3 i, lo cual se ilustra en la Fig. E.J.1 .2-a.
504
TEOREMAS DE CIRCUITOS J
1 R3
,vin
(a)
_ _
',
R3
-
Yi
112
rpi
AiR3
4111 -
- 1+
-ti VI
(b)
Ri
lig2
B3
-I
(c)
Figura E.J.1.2.
cascade.
(1+ Ai l) (1+#2)R3
Ejemplo 3.2. Para el caso del circuito que se muestra en la Fig. E.J.2.1, mediante el uso de los teoremas obtenga el equivalente de Thevenin y el equivalente de
Norton.
505
TEOREMAS DE CIRCUITOS
+?VDD
V1
I
R1
R3
Solucin:
(a)
R2//(R + R3 +gRR3)
gmIRVR8/(R2 + R3 + R)
(b)
gm R;VQ/(R2 + R3+ R
(c)
Figura E.J.2.2. Ilustracin de la aplicacin de los teoremas de Norton y Thevenin para el anlisis de un amplificador con FET. (a) Equivalente lineal; (b) equivalente Thevenin; (c) equivalente Norton.
506
TEOREMAS DE CIRCUlTOS J
Soluc
eje de simetria
"--
7'
RD
Rm/2 Rm /2
gnAS
RD
v gn1 VGS2
R 1
2R2 11111 2R 2
(a)
V;
DSI
Ri
(b)
(d)
(c)
-
Figura E.J.3.1. Reduccion de un amplificador diferencial con FET, usando teoremas. (a) Amplificador diferencial; (b) equivalente simetrico dinamico; (c) equivalente en modo coman:
(d) equivalente en modo diferencial.
Luego, la ganancia en modo comUn sera:
gmRDs VDs
P\ AJ<TM
Figura E.J.3.2.
507
TEOREMAS DE C1RCUITOS
Sustitucion:
gmRDSVC
Figura E.J.3.3
gm RDS RD
RDs
gnr
Figura EJ.3.4.
508
Rrn
// RD
Rm / 2
An
DISIPADORES
Apendice K
DISIPADORES
La generacion de calor por efecto Joule en cualquier dispositivo no puede
pasarse por alto al momento de disetiar un circuito electronic y el ingeniero
disefiador debera ser capaz de seleccionar tanto los dispositivos electronicos
como los disipadores mas adecuados para la aplicaciOn que pretenda. Un disefio
termico inadecuado reduce la vida atil de los dispositivos e inclusive puede
Ilevar a todo un sistema a fallas continuas o intermitentes.
Un disipador es un dispositivo, generalmente mecanico, que permite que las
calorias generadas en los dispositivos fluyan hacia el ambiente con facilidad.
La transferencia de calor generado en un dispositivo electronic generalmente se divide en tres partes:
a) la transferencia de calor de la union en que se genera hacia el encapsulado
del dispositivo;
b) la transferencia de calor del encapsulado hacia el disipador; y
c) la transferencia de calor del disipador hacia el ambiente.
En el caso (a) los fabricantes de dispositivos electronicos deberan poner
cuidado en vigilar que dicha transferencia sea lo mayor posible.
Para transferir el calor de un dispositivo existen diversos metodos:
1. radiacion y conveccion natural;
2. ventilacion forzada;
3. circulacion de liquidos; y
4. evaporacion.
En la Fig. K.1 se muestra la cantidad de W/cin` que se obtienen de transferencia por estos cuatro metodos.
509
DISIPADORES
ventilaeicin forzada
circulacion
de liguidos
evaporacion
(W/cm2 )
0.02
0.2
20
200
Figura K.1. Calor transferido en W/cm 2 por los cuatro metodos de transferencia de calor mas
empleados en circuitos electronicos.
K.1. Enfriamiento por radiacien y convecciOn natural
En este metodo la cantidad de calor transferida del disipador al ambiente es la
suma de los calores transferidos por radiacion mas conveccion, es decir:
En general:
donde:
QT = QR + QC
(K.1)
QR = hR AnAT ,
(K.2)
Qc = heilnA T + S ;
(K.3)
Td
TA
+ 273)3 W/(cm2 - C) ,
(K.4)
DISIPADORES
es el coeficiente de emisividad;
es el factor de forma; F= 1 si es una placa individual;
es la temperatura del disipador; y
es la temperatura del ambiente.
To (C)
temperature promedio
donde:
F
Td
TA
emisividad = 0.9
hr
alata
Tsuperficie+ Tambiente
-3 wicni2)
(X 10
2
180
-160
-140
Na0.8
-0 -g
.0.4
0
-12o
.
a -60
-0.2
'4).008
1
.6 .8 1
/
cD
100
100
6 8 10
20
-40
-20
0
e
0.05
0.7 - 0.9
0.27 - 0.67
0.07
0.70
0.66
0.85 - 0.91
0.95
0.85 - 0.93
0.17
511
K DISIPADORES
Experimentalmente tambin se encuentra que:
h = 2.715 X 10
(T)O.2$ W/
(CM 2 - C),
(KS)
donde:
AT es la diferencia de temperatura entre la superficie del disipador y el ambiente; y
L
es la longitud del disipador en sentido vertical en centIrnetros
(cm).
En la Fig. K.3 se muestra la expresin (K.5) en forma de nomograrna para
el clculo de h.
W/(cm2-C)
OC
cm
-2
140120-
ioo
60402-
.001-
-6
-8
.10
0006.0004-
10.
TD - TA
.20
0.
T4flt
OJ
0.1
41
0.
altitud (Km)
DISIPADORES
1/2
(W/cm2-C),
(K.6)
donde:
V
L
= 11
(4_)h/2
(K.7)
L
longitud de las aletas
(paralela al flujo de aire)
velocidad
del aire
(rn/mm)
hF
coeficiente de
conveccin forzada
W/(cm2-C)
100
io-1
.1 _-.
100.1 __
_ -.
WOW
60-1
.001
41
401
io'I
.000
Figura K.5. Nomograma para la obtencin del coeficiente de transferencia por ventilaciOn
forzada.
513
DISIPADORES
= 60 C=30C;
luego:
= 3.875 X 10 W/(cm2 - C).
Debido a que la emisividad para la cual est calculado el nomograma es de
0.9 y la emisividad del disipador que se est empleando es 0.75, se tiene un
coeficiente de transferencia por radiaciOn de:
QR =hjAiT,
DISIPADORES
Luego:
Qc =3.98W,
por lo que en este caso:
QT = QR + Qc =6 W/placa.
b) Si se utiliza una sola placa, se debe utiizar el punto marcado como placa
simple en el nomograma de la Fig. K.2, obtenindose:
hR
de donde:
h=
8.87
X0.75W/(cm2 -C),
h =6.975 X 10
W/(cm2 -C),
de donde:
QR =hAtT,
x 601 W,
QR =4.37W.
L = 7.62 cm,
V= 100 rn/mm, y
entonces:
QF =hFAnLT,
QF = [ 1.736 X iO X (7.62)2 X (2 lados) X 0.9 X 60] W,
QF = 10.89W.
515
DISIPADORES
d) La resistencia trmica de un material est dada por la diferencia de temperatura entre los puntos que se quiere conducir el calor, dividido entre la p0tencia que se transfiere.
- Para el caso (a) se tiene que la resistencia trmica del disipador al ambiente es:
100 - 40
Rthd.O =
nX6
Rthda
(J) C/W,
n
donde:
n
es el nUmero de placas de que se componga el disipador, separadas entre ellas 2.54 cm.
Rthd0
100 - 40
) C/W,
8.35
= 7.19 C/W.
=\
100 - 413
)
10.89 ociw
DIS1PADORES
517
.518
INDICE TEMATICO
A
Alarma, circuito con led 283
Amplificador
con fets en serie 79
de fuente comitn, autopolarizado 82
de muy alta impedancia de entrada 88
de voltaje, analisis lineal del circuito 374
con pentodo, circuito 392
Analogia con dos transistores de un
dispositivo de cuatro capas 163
Angulo
de conduccion de un SCR 196, 205
de no conducciOn de un SCR 196, 205
Anodo 164
Apagado de un SCR, circuito de 234
INDICE TEMATICO
Emisor 119
Espectro de radiaciones electromagnetims 240
Espejo de corriente 141
INDICE TEMATICO
Parabolica, aproximaciOn 34
Pendiente negativa 379
Pentodo 384
simbolo, funcionamiento 384
caracteristicas y limitaciones 388
circuit equivalente 389
aplicaciones tipicas 392
Placa 339
Poisson, ecuaciOn de 343
Punto de operaciOn 373
Pozo de potencial 290
Principales dispositivos semiconductores
discretos 482
Prolog 7
Propiedades del Ge, Si, GaAs a T 300K 478
Propiedades de los semiconductores 476
Raze') de subida
del voltaje directo 114
de la corriente directa 114
RazOn intrinseca de apagado 135
Richardson-Dushman, ecuaciOn
grafica
de 295, 347
RecombinaciOn 242, 254
Rectificante metal-semiconductor 119
RegiOn
impedancia negativa 122, 186
triodo JFET 32, 56, 67
activa JFET 32, 56, 67
Regulador luminoso 264
Recta de carga 372
0
Reja 355
de control 355, 376
Oscilador
pantalla 376
de esealera 150
supresora 384
de relajaciOn de diente de sierra 147 Resistencia de placa 369, 390
de relajaciOn simple 137, 197
Respuesta espectral
ModulaciOn cruzada en un amplificador de
banda est recha 101
Metodo W KB para determinar la
transparencia de las barreras de potencial 455
Microscopio de emisiOn por campo 305
Miller
admitancia 78
efecto 346, 429
MOS-FET 46
de vaciainiento 58
de acrecentamiento 59
Movilidad 43
521
Teoremas
de circuitos 501
de reduccion de fuentes dependientes 502
de Thevenin 504
de Norton 504
biseccion 505
Terminales 182
Tetrodo al vacio 365, 391
simbolo 377, 380
emision secundaria 378
pendiente negativa 379
caracteristicas y limitaciones 380
circuito equivalente 381
Triodo virtual 386
Triodo al vacio 355
simbolo 356
triodo piano paralelo frio 357
capacidades interelectrodicas 358, 370
triodo termoiOnico 359
ecuacion del triodo termoiOnico 361
curvas de corriente de rejilla 362
regiOn activa 362
corte remoto y cone rapid 363
caracteristicas y limitaciones 364
catodo comun, placa comUn, reja comun
367,370
circuito equivalente 367
522
INDICE TEMATICO
de retardo 396
Valvulas al vacio 339
523