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Diodo semiconductor:
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de carga negativa
(electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contenga
portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del
diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado
una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una
corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los
electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta
llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los
tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn
en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de
valencia, versemiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismopotencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de latemperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
Aplicaciones:
Rectificador de media onda
Transistor de unin:
El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin
en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Del ingls "Bipolar Junction Transistor" [BJT]; dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cerca entre s, que permite controlar el paso una corriente en funcin de otra.
Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN. Tecnolgicamente se desarrollaron antes que los de efecto
de campo o FET.
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS.
Los MOSFET tienen en comn con los FET su ausencia de cargas en las placas metlicas as como un solo
flujo de campo. Suelen venir integrados en capas de arrays con polivalencia de 3 a 4Tg. Trabajan,
normalmente, a menor rango que los BICMOS y los PIMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un
metal.
Estructura
Corte transversal simplificado de un transistor bipolar de juntura NPN. Dnde se puede apreciar cmo la
juntura base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor
ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para
los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que
el valor resultante de a se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico.
Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo
activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est
usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los
valores de a y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo;
muchas veces el valor de a en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a
las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector
est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la juntura
colector-base antes de que esta colapse. La juntura colector-base est polarizada en reversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la
juntura base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es
debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin
en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula
entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la
tensin o corriente de entrada. Los TBJ pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por
tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los TBJ modernos estn
compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura)
estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa.
Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por
el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una
operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada
en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin
agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la
base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor
hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a travs de sta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor,
para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El
espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
PNP :
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
REGIN ACTIVA:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una
regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar
el transistor como un amplificador de seal.
REGIN INVERSA:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido
a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.
REGIN DE CORTE:
Un transistor esta en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
(Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)
REGIN DE SATURACIN:
Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces
ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)
Introduccin
Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno
conduce, y en otro est en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conduccin del mismo, ya que
como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus
bornes se hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin
positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo durante los semiciclos
positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que
el ctodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra
mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga
polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al ctodo no circular la
corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar
hasta que no se remueva la tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.
Si una porcin pequea del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa a la carga es
pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, s1o por una
porcin relativamente pequea del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR
este en ON por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio ser mayor. Esto es
porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente
mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del tiempo del ciclo que
el SCR permanece encendido.
Vgt e Igt que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
Vgnt e Ignt que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones
normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
Entre los anteriores destacan:
-
VGT e IGT, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones
normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
Tambin podemos tomar como apuntes muy importantes los 4 casos siguientes:
1. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la regin de conduccin.
El asterisco (*) es una letra que se agregar dependiendo de la condicin de la terminal de compuesta de la
manera siguiente:
O = circuito abierto de G a K S = circuito cerrado de G a K R = resistencia de G a K V = Polarizacin fija
(voltaje) de G a K
2. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de
conduccin a la regin de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la condicin de circuito abierto
para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del nodo al ctodo.
4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la regin de avalancha del diodo
semiconductor de dos capas fundamental.
Caractersticas
Amplificador eficaz
Fcil controlabilidad
Relativa rapidez
CARACTERSTICAS ESTTICAS
Corresponden a la regin nodo- ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en un limite de
sus posibilidades
Vrwm. Vdrm, Vt, Itav, Itrms, Ir,Tj, Ih
CARACTERSTICAS DINMICAS
Tensiones transitorias
Son valores de tensin que van superpuesto a la seal sinusoidal de la fuente de alimentacin. Son de escasa
duracin, pero de amplitud considerable.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y viceversa. Para frecuencias
inferiores a 400hz podemos ignorar estos efectos. En la mayora de las aplicaciones se requiere una
conmutacin mas rpida por lo que este tiempo de tenerse en cuenta.
CARACTERSTICAS POR TEMPERATURA
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, este disipa una cantidad de energa que produce un
aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura produce un
aument de la corriente de fuga, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para
ello se colocan Disipadores de calor.
El Triac
INTRODUCCION
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de
corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser
bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo
del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de
puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una
terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado.
Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de
MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje
externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin
conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.
CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE
FIG. 1 FIG. 2
La estructura contiene seis capas como se indica
en la FIG. 1, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1
conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el
disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un
tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades
de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los triac
son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la FIG. 2 semuestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales
de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2
(MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 , este dispositivo es
equivalente a dos latchs
FIG. 3
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE
FIG. 4
La FIG. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del Triac como
una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el Triac
entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso
de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa
con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en
cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es
igual
a la del III
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los
terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad
de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2
y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo mas comn
(Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en parte a travs de
la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a
la compuerta por la caida de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta
cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son
acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y
la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1
polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin
inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es
positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo
MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar
P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la
estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta
electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es
negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al
nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura
P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1
son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza
ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se
produce la entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo es
mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de
disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en todos los
estados.
Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador,
puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de
onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.
Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior
FIG.7
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de
que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8 se muestran las formas de onda
tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a travs de los terminales principales)
para dos condiciones diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada
semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el
voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn
voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo de retardo de disparo.
Despus de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a
conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo
durante la cual el triac esta encendido se llama ngulo de conduccin.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de disparo mayor.
FIG.8
CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO
FIG.5
En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF es un
resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un
transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para
este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una
combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea
de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6 (a).
Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara
y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al devanado
secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto
del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga
(VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d).
La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de voltaje, entre ellos
se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1,
entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca, con
una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo
tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga
promedio es alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el
caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la
cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le
lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan despus en el semiciclo y
la corriente de carga promedio es menor que antes.
FIG.6
DISEO DEL CIRCUITO PRACTICO
Para el circuito de la FIG. 5, suponga las siguientes condiciones, R1 = 5 kW , Rf = 8 kW ,
R2=2,5kW , C1=0,5 m F, h = 0,58.
, luego
, de la ecuacin
,
El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta dado por,
El tiempo requerido para cargar hasta ese punto puede encontrarse en
, El punto pico del UJT es aun 14.5 V, por lo que para retardar el
disparo durante 5.55 ms, la razn de acumulacin de voltaje debe ser,
, luego
que nos da
FIG.9
PARAMETROS DEL TRIAC
VALORES MAXIMOS (2N6071A,B MOTOROLA)
ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin(ON)) = es la corriente pico mxima que
puede pasar a travs del triac, en estado de conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.
I2t ( Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria para la
destruccin del componente.
IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volver del
estado de conduccin al estado de bloqueo.
Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan uncampo elctrico para crear una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N oNMOS y MOSFET de canal P
o PMOS. A su vez, estostransistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexion
(deplexion); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente
sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento.
La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.
En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro
terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado
a la fuente.
La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando
una estructura similar a las placas de un condensador.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
INTRODUCCION.El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los
computadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas operacionales en
una poca tan temprana como en los aos 40. El nombre de amplificador operacional
deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una
entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin
estaban determinadas por los elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los
tipos y disposicin de los elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes
operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban
determinadas slo por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo
amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los
amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos
de diseo de circuitos.
Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente bsico de su tiempo: la
vlvula de vaco. El uso generalizado de los AOs no comenz realmente hasta los aos
60, cuando empezaron a aplicarse las tcnicas de estado slido al diseo de circuitos
amplificadores operacionales, fabricndose mdulos que realizaban la circuitera interna
del amplificador operacional mediante diseo discreto de estado slido. Entonces, a
mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito
integrado. En unos pocos aos los amplificadores operacionales integrados se
convirtieron en una herramienta estndar de diseo, abarcando aplicaciones mucho ms
all del mbito original de los computadores analgicos.
El amplificador operacional ideal.Los fundamentos bsicos del amplificador operacional ideal son relativamente fciles. Quizs, lo
mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos
convencionales sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u otros
cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en trminos generales y considere el
amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el
amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qu hay dentro de la caja.
Fig. 1
V0 = a Vd
a = infinito
Ri = infinito
Ro = 0
BW (ancho de banda) = infinito
V0 = 0 s Vd = 0
En la figura 1 se muestra un amplificador idealizado. Es un dispositivo de acoplo directo con
entrada diferencial, y un nico terminal de salida. El amplificador slo responde a la diferencia de
tensin entre los dos terminales de entrada, no a su potencial comn. Una seal positiva en la
entrada inversora (-), produce una seal negativa a la salida, mientras que la misma seal en la
entrada no inversora (+) produce una seal positiva en la salida. Con una tensin de entrada
diferencial, Vd, la tensin de salida, Vo, ser a Vd, donde a es la ganancia del amplificador.
Ambos terminales de entrada del amplificador se utilizarn siempre independientemente de la
aplicacin. La seal de salida es de un slo terminal y est referida a masa, por consiguiente, se
utilizan tensiones de alimentacin bipolares ( )
Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos definir ahora las propiedades
del amplificador ideal. Son las siguientes:
1. La ganancia de tensin es infinita:
Luego, en resumen:
A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades
adicionales. Puesto que, la ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se
desarrolle ser el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea. Luego, en
resumen:
La tensin de entrada diferencial es nula.
Tambin, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de
los terminales de entrada
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearn repetidamente en el
anlisis y diseo del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se pude,
lgicamente, deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales.
El amplificador inversor
La figura 2 ilustra la primera configuracin bsica del AO. El amplificador inversor. En este
circuito, la entrada (+) est a masa, y la seal se aplica a la entrada (-) a travs de R1, con
realimentacin desde la salida a travs de R2.
Fig. 2
Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las caractersticas distintivas
de este circuito se pueden analizar como sigue.
Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollar su tensin de salida, V0, con
tensin de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:
por lo que:
Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se
puede variar ajustando bien R1, o bien R2. Si R2 vara desde cero hasta infinito, la ganancia
variar tambin desde cero hasta infinito, puesto que es directamente proporcional a R 2. La
impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1 nicamente determinan la corriente I, por lo que la
corriente que circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2.
La entra del amplificador, o el punto de conexin de la entrada y las seales de realimentacin,
es un nudo de tensin nula, independientemente de la corriente I. Luego, esta conexin es un
punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habr el mismo potencial que en la entrada
(+). Por tanto, este punto en el que se suman las seales de salida y entrada, se conoce
tambin como nudo suma. Esta ltima caracterstica conduce al tercer axioma bsico de los
amplificadores operacionales, el cual se aplica a la operacin en bucle cerrado:
El amplificador no inversor
La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura 3. Este circuito
ilustra claramente la validez del axioma 3.
Transistor IGBT
Transistor IGBT. Componente electrnico diseado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseo est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor
de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta
impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades,
esto dio lugar a la creacin de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los
transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces y
se describirn ms adelante. El mismo se puede identificar en un circuito con la
simbologa mostrada en la figura I.
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una
accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de
manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n
se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del
transistor de unin bipolar de PNP.
Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente,
la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la seal en la
puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado
positivamente con respecto a la terminal E. La seal de encendido es un voltaje positivo
VG que es aplicado a la puerta G.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a
un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene
bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
Caractersticas tcnicas
Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.
VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los
Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin,
Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.