UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

PREVIO DE LABORATORIO N 1:
DISPARO DE UN TIRISTOR CON
COMPONENTES DISCRETOS

Alumno:
VARGAS ARANGO LUIS MIGUEL
20122660J

Profesor:
Ing. AREVALO-MACEDO-ROBINSON DOILING
06/04/16

2016-I

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

Facultad de Ingeniera Mecnica FIM

LABORATORIO N 1: DISPARO DE UN TIRISTOR CON

COMPONENTES DISCRETOS
OBJETIVO

Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con elementos

discretos y tambin conectando a una carga.

Armar circuitos de activacin de un tiristor y observar las ventajas y

desventajas de cada uno de ellos.

EQUIPOS Y MATERIALES

1 Osciloscopio digital

1 Multmetro digital

1 Tiristor 2N3669 o Equivalente.

1 PROTOBOARD

1 Foco con su sokect (carga)

2 Condensadores de 0.22uF, 88nF y 0.02uF

2 Resistencias de 10 K y 2W de potencia

1 Potencimetro de 100K

2 Interruptores SW1 y SW2

y 2W de potencia

PROCEDIMIENTO
1) Armar el circuito de la figura.

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S W 1

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz

Rp

100k

S W 2

2) Seleccionar en RP un valor de 50K y cerrar el interruptor SW1 observando

que sucede con la lmpara.
3) Luego de verificar las conexiones cerrar el interruptor SW2, observando lo
que sucede con la lmpara y medir la tensin entre el nodo y ctodo.
4) Repetir el paso 2 y 3 para valores de RP de 70 y 100K.
5) Armar el circuito que se muestra en la figura y seleccione en R P un valor de
50K.
S W

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz
100k

0 .2 2 u F

Rp

C1

6) Conectar el osciloscopio entre los terminales del condensador y observe la

forma de onda.
7) Luego de verificar que todas las conexiones estn correctas cerrar el
interruptor SW, observando la figura que aparece en el osciloscopio, lo que
sucede con la lmpara , el tiempo que demora en prenderse y medir la
tensin entre nodo y ctodo del tiristor.
8) Repetir los pasos 6 y 7 para valores de R P de 70 y 100K.
9) Anote en su hoja de datos todos los grficos y valores de tensin medidos;
recuerde que la corriente y tensin son alternas, por lo tanto debe tener
mucho cuidado.
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MARCO TERICO
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas
(pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel
reflejo de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o
impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden
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operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en
cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms
significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate
Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.

1 EL DIODO SHOCKLEY
El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est
constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn.
Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada
alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La
conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor
especfico (IH).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una
corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).

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Figura 2: Caracterstica I-V del diodo Shockley

2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la
diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que
el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como
si se tratase de un interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva
es anloga a la del diodo Shockley.

Figura

5:

Caracterstica del SCR

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3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)

Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede
interrumpir el paso de corriente con una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo
se reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS
puede pasar al estado de corte mediante un pulso negativo 10 20 veces
mayor que el pulso positivo aplicado para entrar en conduccin.

Los

GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden

soportar slo unas pocas decenas de amperios.

Figura 10: Smbolo del GCS

4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos
terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS
se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la
ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los
terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que
se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin
se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.
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Figura 11: Smbolo del SCS
5 EL DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo
de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que
conducen en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin
hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener
una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Figura

13:

Caracterstica V-I del diac

6 EL TRIAC
Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate).
Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere
alcanzar el voltaje VBO como el diac.

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Figura 14: Construccin bsica y smbolo del

TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para

diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor
de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la
izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor
corriente
de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de
conducir,
como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la
corriente
por debajo del valor IH.

ciclo.
parte

Al igual que el SCR, se emplean para controlar

la potencia suministrada a una carga. El triac
puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea
suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada
La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la
positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la
corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

Figura 15: Caracterstica V-I del triac

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Figura 16 Control bsico de potencia con un Triac

BIBLIOGRAFA

Muhammad H. Rashid. Electrnica de potencia: Circuitos, Dispositivos y

Aplicaciones. Pearson: Prentice Hall. Tercera edicin. 878 pginas.

Maloney Thimoty. Electrnica Industrial Moderna.

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