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SEMICONDUCTORAS
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
ABSTRACT
From experience we conclude that the resistors made of various materials (semiconductor
resistors) do not meet linear characteristics
parameters such as temperature, light intensity, among others; which could be verified by
making the construction of graphs with the data.
I.
OBJETIVO
II.
CUESTIONARIO
TIPO N:
Es el que est impurificado con
impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes. Como los
electrones superan a los huecos en
un semiconductor tipo n, reciben el
nombre
de
"portadores
mayoritarios", mientras que a los
huecos
se
les
denomina
"portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al
semiconductor de la figura, los
electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. Cuando un hueco
llega al extremo derecho del
cristal, uno de los electrones del
circuito
externo
entra
al
semiconductor y se recombina con
el hueco.
Semiconductor Intrnseco:
Intrnseco indica un material
semiconductor
extremadamente
puro contiene una cantidad
insignificante de tomos de
impurezas. En l se cumple:
n=p=ni
Semiconductor Extrnseco:
En la prctica nos interesa
controlar la concentracin de
portadores en un semiconductor (n
o p). De este modo se pueden
modificar
las
propiedades
elctricas: conductividad. Para ello
se procede al proceso de dopado.
DOPADO:
La conductividad del silicio y el germanio
se incrementa drsticamente mediante la
adicin controlada de impurezas al
).
TIPO P:
Es el que est impurificado con
impurezas "Aceptoras", que son
impurezas trivalentes. Como el
nmero de huecos supera el
nmero de electrones libres, los
huecos
son
los
portadores
mayoritarios y los electrones libres
son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los
electrones libres se mueven hacia
la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. En la figura, los
huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del
circuito externo.
).
en serie con
APLICACIONES:
Las aplicaciones prcticas son los
interruptores y alarmas activados
por la luz o por la oscuridad,
alarmas de barrera luminosa,
alarmas de humo por reflexin,
Rel controlado por luz, donde el
estado de iluminacin de la
fotorresistencia, activa o desactiva
un Relay (rel), que puede tener un
gran nmero de aplicaciones, etc.
APLICACIONES:
Las aplicaciones prcticas son la
proteccin contra sobre corriente,
el arranque del motor, deteccin
del nivel del lquido, calentadores
de autorregulacin, etc.
NTC:
4.- GRFICAS
CIRCUITO FOCO
RESISTENCIA:
APLICACIONES:
EN
SERIE
CON
Fototriac: se compone de un
optoacoplador con una etapa de
salida formada por un triac
FUNCIONAMIENTO.
La seal de entrada es aplicada al
fotoemisor y la salida es tomada
del fotorreceptor.
Los optoacopladores son capaces
de convertir una seal elctrica en
una seal luminosa modulada y
volver a convertirla en una seal
elctrica. La gran ventaja de un
optoacoplador reside en el
aislamiento elctrico que puede
establecerse entre los circuitos de
entrada y salida.
TIPOS DE OPTOACOPLADORES.
Fototransistor: se compone de un
optoacoplador con una etapa de
salida formada por un transistor
BJT.
Fototriac
de
paso
por
cero:Optoacoplador en cuya etapa
de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno
de cruce por cero conmuta al triac
slo en los cruce por cero de la
corriente alterna.
OPTOELECTRONICOS:
La optoelectrnica es el nexo de unin
entre
los
sistemas pticos y
los
sistemas electrnicos. Los componentes
optoelectrnicos son aquellos cuyo
funcionamiento
est
relacionado
directamente con la luz como:
Diodo LED.
Fotodiodo.
Display de 7 segmentos.
Optoacoplador
III.
EQUIPOS Y
MATERIALES
IV.
RESOLUCIN DE
CIRCUITOS
V T +V R=12
1000 I + ( RT ) I =12
Adems la frmula utilizada por los
R ( t ) es:
fabricantes para
B
T
RT ( t )=R25 e
B
T 25
Donde:
01 Termistor NTC
01 Multmetro
01 Protoboard
01 Foco de 120mA - 12V
01 Fuente de alimntacin
programable
01 Fotoresistencia LDR
01 Resistor 100 (2W), 1K,
270K
Cables de conexin
25C
B: Constante
T 25 : Temperatura a 25C
dado en Kelvin
T : Temperatura a la que se
R ( T )=R ( e )
T
1000 I + ( R ( e )) I =12
B
T
R L ( L ) =A ( E )
I=
Donde:
12
B
( )
R 0 e T + 1000
, :
Constantes
que
dependen del material
utilizado
E :
Densidad
superficial
de
energa recibida
la
Es decir:
270000 I + ( A( C ) ) I =12
T =T ( V F , R F ,d )
Donde:
I=
V F : Tensin
12
270000+ A ( E )
aplicada al foco
RF : Resistencia del
V.
SIMULACIN
d : Distancia del
foco al termistor
V L +V R =12
270000 I + ( R L ) I =12
VI.
[1]
[2]
[3]
BIBLIOGRAFA