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en esta edicin

Rito Mijarez Castro

ELECTRNICA

ELECTRNICA
RITO

MIJAREZ

CASTRO

PRIMERA EDICIN EBOOK


MXICO, 2014

GRUPO EDITORIAL PATRIA

info

editorialpatria.com.mx

www.editorialpatria.com.mx

Direccin editorial: Javier Enrique Callejas


Coordinadora editorial: Estela Delfn Ramrez
Supervisor de prepensa: Gerardo Briones Gonzlez
Diseo de portada: Juan Bernardo Rosado Sols
Diseo de interiores: Visin tipografca editores
Ilustraciones: Mosto diseo & Seditograf
Fotografas: Thinkstockphoto
Revisin tcnica:
Alex Polo Velzquez
Universidad Autnoma Metropolitana-Azcapotzalco
Electrnica
Derechos reservados:
2014, Rito Mijarez Castro
2014, GRUPO EDITORIAL PATRIA, S.A. DE C.V.
Renacimiento 180, Colonia San Juan Tlihuaca,
Delegacin Azcapotzalco, Cdigo Postal 02400, Mxico, D.F.
Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial Mexicana
Registro nm. 43
ISBN ebook: 978-607-438-910-4
Queda prohibida la reproduccin o transmisin total o parcial del contenido de la presente
obra en cualesquiera formas, sean electrnicas o mecnicas, sin el consentimiento previo
y por escrito del editor.
Impreso en Mxico
Printed in Mexico
Primera edicin ebook: 2014

Contenido

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Introduccin

Por qu este captulo es el nmero cero . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Qu tiene de atractivo y cool este libro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electricidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1
2
2

Conductores, aislantes y semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Sistemas elctricos y analogas con otros sistemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Visualizacin de componentes elctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5
6

La resistencia es anloga a la friccin . . . . . . . . . .


El inductor es anlogo a la masa . . . . . . . . . . . . .
El capacitor es anlogo al resorte . . . . . . . . . . . . .
Combinacin de elementos, circuitos ms complejos .

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Es la ley: la ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Potencia elctrica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

Divisor de voltaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

12

El capacitor se opone a los cambios de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


El inductor se opone a los cambios de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Circuitos en serie y en paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

12
15
17

Cmo es que la corriente es la misma en todas las partes de un circuito en serie . . . . . . .

18

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO 0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


PROBLEMAS DEL CAPTULO 0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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1
Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

23

Semiconductores intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Semiconductores extrnsecos o dopados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Semiconductores tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Construccin del diodo semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Polarizacin directa del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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CONTENIDO

Polarizacin inversa del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Corriente de fuga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Curva caracterstica voltaje-corriente de los diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

30

Voltaje de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resistencia de CD de un diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Aproximaciones de los diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Circuitos rectificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Rectificador de media onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

36

Rectificacin filtrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40

Reguladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

43

Diodos de propsito especfico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

44

Diodos emisores de luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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PROBLEMAS DEL CAPTULO 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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2
El activo transistor

53

Construccin del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

54

Polarizacin del transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Regiones de operacin de los transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Regin de saturacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Regin de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Regin activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Regin de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Valores mximos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Potencia de disipacin Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Factor de reduccin de Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Voltajes de ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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61

Verificacin del transistor con un hmetro .


Transistor como interruptor . . . . . . . . . .
Transistor Darlington . . . . . . . . . . . . . . .
Transistores FET . . . . . . . . . . . . . . . . . .

VI

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Tipos de FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Construccin del transistor JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operacin y caractersticas principales del transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Transistor FET como interruptor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Transistores como amplificadores lineales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


PROBLEMAS DEL CAPTULO 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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ELECTRNICA MIJAREZ

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CONTENIDO

3
El mgico amplificador operacional

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Concepto de retroalimentacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Teora importante de los OP AMPs . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplificadores diferenciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Anlisis de CD/CA y ganancias del amplificador diferencial .

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El amplificador operacional y sus caractersticas principales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

94

Anlisis de CD . . . . . . . . . . . . . . . . .
Anlisis de CA . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ganancia de voltaje diferencial, A d . . . . . .
Ganancia de voltaje de modo comn, ACM .
Razn de rechazo de modo comn (CMRR)

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Ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL . . . . . . . . . . . . . . .


Corrientes de polarizacin de las entradas . . . . . . . . . . . . . .
Voltajes de entrada de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de salida: oscilacin de salida vs. resistencia de carga .
Respuesta a la frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Slew rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

101

Settling time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Corriente de corto circuito . . . . . . . . . . . . . . . .
Razn de rechazo de modo comn (CMRR) . . . . . .
Razn de rechazo de la fuente de alimentacin (PSRR)
Ruido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
OP AMP reales y su seleccin . . . . . . . . . . . . . .

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Circuitos populares con OP AMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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El amplificador sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplificador de instrumentacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

115
116
118

Filtros activos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

122

Filtro pasa-bajas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Filtro activo pasa-altas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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124

Convertidores de voltaje a corriente y de corriente a voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

125

Convertidores de voltaje a corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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grupo editorial patria

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Circuito bsicos del OP AMP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


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El amplificador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL . . . . . . . .
Impedancia de entrada, ZENT . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de salida, ZSAL . . . . . . . . . . . . . . .
El amplificador no-inversor . . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de entrada, ZENT . . . . . . . . . . . . . .
Impedancia de salida, ZSAL . . . . . . . . . . . . . . .
Seguidor de voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ancho de banda del OP AMP . . . . . . . . . . . . .
Producto ganancia-ancho de banda de lazo cerrado .

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VII

CONTENIDO

Convertidor de corriente a voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Circuitos OP AMP con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Cargas conmutadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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128

Circuito comparador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

129

Corrimiento del voltaje de referencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Circuito comparador Schmitt trigger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

129
130

Circuito Schmitt trigger no simtrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

132

ADC y DAC las interfaces entre el mundo digital y el mundo analgico . . . . . . . . . . . . .

133

Trminos tcnicos de la interface analgica-digital-analgica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Convertidor analgico a digital (ADC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Convertidor digital a analgico (DAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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137
141

Las misteriosas tierras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

146

Tierras digitales y analgicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

149

Consideraciones y recomendaciones generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

151

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


PROBLEMAS DEL CAPTULO 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

153
154

4
La maravillosa electrnica digital

159

Contando con dedos, piedras, semillas y los sistemas numricos . . . . . . . . . . . . . . .


Sistemas numricos de posicin . . . . . . . . . . . . . . . . .
Contar en decimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
El sistema nmerico binario. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Contando en binario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Aprendiendo las tablas de multiplicar . . . . . . . . . . . . . .
El sistema numrico hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . .
Contar en hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Combinacin de dgitos y peso de columnas en hexadecimal
Conversin entre nmeros hexadecimales y binarios . . . . .
Lgica de la electrnica digital . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Compuerta inversor (NOT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
La compuerta AND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
La compuerta OR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Compuerta NAND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Compuerta NOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Compuertas XOR y XNOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

VIII

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172

Simplificacin de circuitos, sumadores y decodificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

173

Minitrminos y maxitrminos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Sumadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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175

Restas usando circuitos sumadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

177

Suma y resta en complemento a 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Multiplicaciones usando sumadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Decodificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

177
181
181

Celdas de memoria, memorias y mquinas de estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

181

ELECTRNICA MIJAREZ

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CONTENIDO

Celdas de memoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Memorias no voltiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Memorias voltiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

181
182
184

Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

185

Memorias SRAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dispositivos de tercer estado y latches . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

189
190

Dispositivos de tercer estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


La magia del tercer estado de los buffers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

190
192

Latches tipo D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Usar alambres para representar nmeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Mquinas de estado y dispositivos lgicos programables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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195
196

Mquinas de estado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dispositivos lgicos programables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

196
197

Principales tecnologas digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

200

Tecnologas TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

202

Niveles de entrada y de salida de las familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Margen de ruido en familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Configuraciones de salida en las familias TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

202
203
203

Tecnologas CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Niveles de voltaje de entrada y salida y margen de ruido en la familia 74 AC CMOS . . . . . . . .
Parmetros relevantes para las familias TTL y CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

206
207
208

Disipacin de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Consumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Retardo de propagacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Abanico de entrada, abanico de salida, cargas e interconexin de familias lgicas .
Otras tecnologas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Recapitulando. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

212

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


PROBLEMAS DEL CAPTULO 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

213
214

5
El popular microcontrolador

215

Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Esbozo histrico de los microprocesadores y microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . .

215
216

Microprocesadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Frenticos por las computadoras digitales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

217
217
219

Seales de reset y de reloj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Dispositivos de memorias y puertos de entrada y salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Buses de datos, direcciones y control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

219
222
223

Desmitificando a la CPU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

226

Ciclo de instruccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

226

Calculadora lgica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

228

grupo editorial patria

IX

CONTENIDO

Lgica para establecer bits individuales en 0 lgico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Lgica para establecer bits individuales en 1 lgico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

229
230

Lgica para complementar bits individuales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

231

Corrimiento de bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Organizacin de memoria y decodificacin de direcciones .
Decodificacin parcial o total . . . . . . . . . . . . . . . . .
Interfaz con dispositivos perifricos . . . . . . . . . . . . . .

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231
233
235
241

Programacin simple de una CPU o P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

257

Programa o software . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lenguajes de mquina y lenguaje ensamblador . . . . . . . .
Desarrollo de programas sencillos en lenguaje ensamblador
Hardware, software y firmware . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Expansin de memoria y dispositivos de E/S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

285

Acceso a la memoria externa de cdigo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Acceso a la memoria externa de datos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Acceso a perifricos (puertos de E/S) mapeados a memoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

287
287
291

Arquitectura de software del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Modos de direccionamiento del MCS-51 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Clasificacin de instrucciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

295
295
302

Directivas, smbolos, etiquetas y comentarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

316

Directivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Smbolos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Etiquetas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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ELECTRNICA MIJAREZ

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Organizacin de memoria de programa externa


Organizacin de memoria de datos interna . .
Descripcin de terminales o pines . . . . . . . .
Puertos del MCS-51 . . . . . . . . . . . . . . . .
ALE y PSEN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Seal para acceso externo, EA . . . . . . . . . .

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Organizacin de memoria del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


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El popular microcontrolador 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


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Mercado en movimiento: microcontroladores de 8 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Criterios para seleccionar un microcontrolador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Microcontroladores de 8, 16 y 32 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Arquitectura Princeton o Von Neumann . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Arquitectura Harvard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Qu es un microcontrolador? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Arquitecturas de procesadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Microcontroladores de 8 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Arquitectura de hardware del microcontrolador 8051 .


CPU del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ciclos de mquina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ALU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Acumulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Registro PSW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Otros registros de la CPU . . . . . . . . . . . . . . . . .
Registros con funciones especiales . . . . . . . . . . .

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CONTENIDO

Comentarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Programacin en lenguaje ensamblador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Formato de un programa en lenguaje ensamblador del 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Ms sobre los archivos LST y HEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Ejecucin de programas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Ejecucin de programas usando el simulador TS Controls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Ejecucin de programas usando un sistema mnimo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Estrategia de construccin y pruebas de un dispositivo electrnico . . . . . . . . . . . . . . .

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Ejemplos sencillos de procesamiento y control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Suma, resta, ajuste a decimal, multiplicacin y divisin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Uso de directivas, smbolos y llamadas a subrutinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Operaciones de control y transferencia de datos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Perifricos internos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Particularidades de las interrupciones del 8051. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Interrupciones externas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Contadores/temporizadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Modos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Fuentes de reloj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Clculo y lectura de los registros TLx/THx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Inicializacin y ABPRA con los temporizadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Puerto serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Registro SBUF y registro SCON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modos de operacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

361
361
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Comunicacin multiproceso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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371
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Modos de ahorro de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

379

Activacin del modo idle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Activacin modo power down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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382

Arquitectura del AT89C2051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

382

ABPRA para hacer uso del comparador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

384

Interfaces sencillas de hardware . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Seleccin de velocidades en bauds del puerto serie.


Temporizador 1 como reloj de velocidad en bauds
Ejemplos de programacin del puerto serie . . . . .
ABPRA para el puerto serie . . . . . . . . . . . . . .

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Interfaces de E/S seriales . . . . . . . . . . . . . . . . .


Interfaz RS232 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Interfaz USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Interfaces de hardware para E/S digitales y analgicas.

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Futuro del 8051 y los microcontroladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


PROBLEMAS DEL CAPTULO 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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grupo editorial patria

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XI

Prefacio

Las intenciones de este libro son proporcionar los fundamentos de electrnica, los cuales se encuentran en los programas de estudio de electrnica bsica en las carreras de ingeniera electrnica, ingeniera mecatrnica y diversas variaciones de carreras de electrnica en diferentes universidades
del pas. La electrnica es un campo que cambia vertiginosamente, con componentes cada vez ms
rpidos, de menor tamao y menor consumo de potencia, lo cual ofrece nuevos retos y oportunidades; sin embargo, sus principios fundamentales persisten. Muchas veces me he encontrado con ingenieros graduados o con estudiantes cursando los ltimos semestres de la carrera con una falta de
entendimiento de los principios bsicos de electrnica o con un olvido casi completo de temas primordiales. Tratando de mantener el paso de una industria globalizada y en cambio constante, los
contenidos de las universidades cada vez son ms ambiciosos e incluyen herramientas computacionales, como programas de simulacin, y una gran cantidad de tpicos que los maestros tratan de
cubrir. Procurando llegar al tema Z, muchas veces se sacrifican los fundamentos de A y B hacindolos ms breves o menos claros. Por otro lado, recordando el tiempo en que fui estudiante, se dan
casos en los que la carga de materias es tan grande que, acompaado de grandes dosis de caf, solo
se estudia para pasar el examen, responder lo que el maestro quiere ver y terminar el tema sin una
pizca de conocimiento til. Como consecuencia, algunos temas permanecen confusos y farragosos.
El objetivo de este libro no es revolucionar el sistema educativo, sino tratar los temas bsicos y provechosos de la electrnica de una manera clara, lo cual permita tener un entendimiento de los circuitos a construir y de las posibles aplicaciones de los mismos. No hay nada como ver la cara de un
estudiante cuando entiende un concepto o construye un circuito del cual tiene cabal control. Cabe
mencionar que si un personaje como yo, con una tendencia a participar en mltiples actividades
deportivas, culturales, sociales, etc., y capaz de distraerse con el paso de una mosca, pudo entender
los bloques de construccin fundamentales de la electrnica, significa que muchos estudiantes pueden hacerlo.
El captulo 0, la introduccin, describe qu tiene de atractivo y cool este libro y proporciona los
conocimientos de circuitos elctricos y principios bsicos de los semiconductores. La teora bsica
de los circuitos elctricos y del anlisis de los circuitos elctricos, aun cuando se asume un escaso, pero
mnimo conocimiento de esos temas, se incluyen porque son pilares del estudio de la electrnica; sin
embargo, debido al espacio asignado a este libro se incluyeron en el CD-ROM que acompaa a este
libro. El captulo 1 versa sobre el dispositivo semiconductor bsico: el diodo. Se aborda la construccin
bsica de este dispositivo y sus caractersticas de conduccin unidireccional y sus principales aplicaciones, incluyendo la descripcin de los diodos LED y diodos Zener. El captulo 2 trata del ingrediente principal de todo circuito electrnico: el activo transistor. En este captulo se analizan las
caractersticas de construccin y de operacin de los transistores bipolares, BJT, de los arreglos de
transistores Darlington y de los transistores tipo FET, principalmente operando como interruptores,
ms que como amplificadores. La razn de lo anterior es que en la actualidad rara vez se utilizan los
transistores como amplificadores. Para realizar funciones de amplificacin, en el captulo 3 se estudian con detalle las caractersticas tericas y prcticas de los CI denominados amplificadores operacionales (OP AMP). El OP AMP es uno de los bloques fundamentales en el diseo electrnico con
el cual se pueden realizar numerosas aplicaciones, debido a que puede configurarse en una gran

XIII

PREFACIO

variedad de formas, para llevar a cabo muchas operaciones tales como amplificacin, filtrado, comparacin de seales y funciones de transferencia. Adems, con el OP AMP se puede sumar, restar,
integrar o diferenciar seales. S, este captulo estudia los conceptos y teora del mgico Amplificador
Operacional, as como algunas de sus aplicaciones cardinales considerndolo como una caja negra o
mejor dicho, como una caja mgica. El captulo 4 esclarece los fundamentos de cmo se lleva a cabo
la maravillosa electrnica digital, principalmente como antesala de los sistemas basados en microprocesadores y microcontroladores. Por ltimo, el captulo 5 desmitifica al popular microcontrolador. En este captulo se presenta un esbozo histrico de los microprocesadores y de los
microcontroladores, y despus se abordan los conceptos fundamentales de los microprocesadores
por medio de un microprocesador modelo, el cual contiene los elementos principales de la mayora
de los microprocesadores. En el captulo 5 se hace uso de una calculadora con operaciones lgicas e
instrucciones de transferencia de datos bsicas, la cual se incluye en el CD que acompaa este libro.
Los conceptos aprendidos sirven como preparacin para entrar al mundo de los microcontroladores.
Por ltimo, en este captulo se describen las caractersticas ms importantes de hardware y software
de los microcontroladores de la familia MCS-51 de Intel. Adems, en este captulo se presenta un
enfoque prctico llamado el ABpra, orientado para aprender basndonos en prcticas de laboratorio,
pero tambin incluiremos prcticas (ver el CD-ROM) usando un simulador comercial. Estas prcticas enfatizan conceptos simples pero importantes del microcontrolador 8051, que una vez comprendidas se pueden aplicar a cualquier microcontrolador consultando su manual de usuario y hojas
tcnicas.
Como mi cerebro trabaja de manera escalonada, por no decir lenta, cada tema va de etapa en
etapa, recomendando no pasar a la siguiente sin entender la previa. Con ms de quince aos dando
clase en las materias de electrnica y de microcontroladores, ninguno de mis estudiantes se ha quejado de esta metodologa. Este texto no tiene la intencin de ser una gua del estado actual de la
electrnica, sera, adems de arrogante, para m, imposible. El propsito es proveer al lector las habilidades claves de la electrnica, en forma similar a los bloques de construccin tipo Lego, que
posteriormente le permitir realizar maravillosos instrumentos. A fin de cuentas la palabra Lego
proviene de la expresin Danesa Leg godt, que significa jugar bien. Espero disfruten el libro y jueguen bien.

XIV

ELECTRNICA MIJAREZ

Acerca del autor

Rito Mijarez Castro recibi el grado de ingeniero en electrnica y comunicaciones de la Universidad


Autnoma de Zacatecas (UAZ), Mxico. La maestra en Instrument Design and applications por el
Instituto de Ciencia y Tecnologa de la Universidad de Manchester (UMIST) y el grado de doctor por
la Escuela de Ingeniera Elctrica y Electrnica de la Universidad de Manchester, ambas en el Reino
Unido. Es investigador de tiempo completo del Instituto de Investigaciones Elctricas (IIE) en Cuernavaca, Mxico, y maestro de ctedra del Instituto Tecnolgico y de Estudios Superiores de Monterrey (ITESM) campus Cuernavaca. Tiene en colaboracin una treintena de artculos en conferencias,
revistas cientficas y captulos de libros; cuenta con cuatro patentes otorgadas: tres en Mxico y una
en el Reino Unido; y dos patentes pendientes: una en Mxico y otra en Estados Unidos. Es miembro
del Sistema Nacional de Investigadores.

XV

Agradecimientos

Mis ms sinceras gracias para la Ing. Estela Delf n, editora de ingeniera de una editorial con mucha
tradicin en Mxico como es la Editorial Patria, ahora empresa del grupo Hachette Livre, por su
entusiasmo y paciencia durante la redaccin del libro, y al Lic. Carlos Lara por la elaboracin del
CD-ROM que acompaa a este libro. Deseo expresar mi gratitud a mis colegas del Instituto de Investigaciones Elctricas: Gilberto Vidrio Lpez, Roberto Castn Luna, Jos Martn Gmez Lpez,
David Pascacio Maldonado, Fernando Ramrez Garduo, Joaqun Rodrguez Rodrguez y Javier Antunez Estrada por compartir su conocimiento a lo largo de todos estos aos. Mencin especial para
Javier Antunez Estrada, que siendo del rea de informtica implement mis ideas de la calculadora
digital y frmulas que se incluyen en el CD-ROM del libro. Gracias a mis colegas del ITESM campus
Cuernavaca, Mnica Larre, Arturo Prez y Ricardo Cojuc, por ayudarme a mejorar como maestro.
Gracias tambin a los revisores por sus comentarios y consejos expertos. Por ltimo, mi ms profundo agradecimiento para Eva, por su motivacin y paciencia durante todos estos meses, y por su tolerancia durante los innumerables momentos que deje de compartir con la familia mientras escriba
acompaado de mis pensamientos y mi caf; sin su apoyo, simplemente este libro no hubiera sido
posible.

XVII

Dedicatoria

Para Eva que envuelve todos mis das y mis noches, que es mi sed y mi agua en esta aventura maravillosa que es la vida. Para Marvel que huele los libros nuevos y sonre, porque a sus once aos sabe
que las historias hechas tinta tienen olor y sabor; y para Marlon, que a sus tres aos, deja alegra y
color por todos los rincones de la casa.

XIX

0 Introduccin
Las materias de electrnica asumen un conocimiento previo de circuitos elctricos; no obstante, algunos conceptos pueden no estar muy claros o estar por completo enterrados en el bal del olvido.
En este captulo vamos a aprender:

X
X
X
X
X
X
X
X

Por qu este captulo es el nmero cero.


Qu tiene de atractivo y cool este libro.
Qu es la electricidad.
Conductores, aislantes y semiconductores.
Sistemas elctricos y analoga con otros sistemas.
Es la ley, la ley de Ohm.
El divisor de voltaje.
Serie y paralelo.

POR

QU ESTE CAPTULO ES EL NMERO CERO

La idea de iniciar este libro con el captulo cero es doble. La primera es mostrar, de manera general,
los principios bsicos de la electricidad, los cuales nutren los sistemas y circuitos electrnicos y
que se asume que la mayora de los estudiantes de electrnica conoce. Si usted es de este grupo,
puede brincarse esta seccin e iniciar en la seccin Anlisis de circuitos elctricos que se encuentra en el CD-ROM, o leer el presente captulo para descubrir si la explicacin de lo que es electricidad se expresa de manera novedosa. La segunda, se debe a que en sistemas electrnicos digitales

0 Introduccin

y arquitectura de computadoras, entre otros, normalmente se inicia contando, indexando y haciendo referencia desde
el nmero cero. Siguiendo en este tenor, decidimos seguir la misma convencin en la numeracin de los captulos.

QU

TIENE DE ATRACTIVO Y COOL ESTE LIBRO

Se puede encontrar una gran cantidad de libros con contenidos particulares de electricidad, electrnica, electrnica
digital, diseo lgico, arquitectura de microcomputadoras, arquitectura de microprocesadores y arquitectura de microcontroladores. Algunos de ellos se han convertido en clsicos en las universidades y otros tienen una profundidad
y rigor en la f sica y las matemticas que parecen haber sido escritos por personas de otro planeta. Todos los temas
son importantes y, en aplicaciones reales, tienen relacin unos con otros; desafortunadamente, los aspectos prcticos
no se cubren en un compendio de una manera integral, sencilla y fcil de seguir.
sta es la razn que motiva a escribir este modesto intento de introducir los aspectos tiles y aplicables de la
electrnica bsica de una manera integral, con un enfoque prctico y con palabras que permitan hacer ms entendibles los conceptos.
Este texto es bastante atractivo porque juntos descubrimos toda clase de interesantes trozos de conocimiento,
jugosos pedacitos de datos y preguntas y respuestas como entremeses o botanas, como les llamamos en Mxico; todo
reunido con una gran cantidad de informacin til relacionada con la forma en que la electrnica efecta su magia.
Los expertos consideran que una de las mejores formas de aprender y de que el conocimiento perdure, es por
medio de la prctica. Una de las tcnicas conocidas es el ABPro, Aprendizaje Basado en Problemas o Proyectos, el cual
he modificado y llamado Aprendizaje Basado en Prcticas (ABPra); estas principalmente de laboratorio, pero tambin
se incluyen prcticas usando simuladores. Estas prcticas enfatizan conceptos simples, pero importantes de la electrnica; constituyen los bloques que equivalen a las piezas de Lego que, posteriormente, permiten construir proyectos
interesantes y retadores. Por tanto, nos abocaremos al ABPra sugiriendo prcticas a realizar y haciendo uso del
CD-ROM que acompaa este libro. Ahora, que empiece la diversin y a leer

ELECTRICIDAD
La definicin de electricidad es una cuestin complicada, basta preguntarle a cualquier estudiante de ingeniera para
obtener frases sueltas y palabras masculladas con significados clave; la corriente producida en ciertos materiales, el
movimiento de cargas, el movimiento de electrones, etc. En realidad, la pregunta es interesante y existen personas
inteligentes alrededor del mundo debatiendo la definicin correcta; como yo todava no pertenezco a este grupo de
personas, no tengo intensiones de unirme a este debate. Por tanto, las descripciones que se harn a este respecto y a
otros temas en este libro, se expresan de acuerdo con el sentido que tienen para m. Espero que las explicaciones faciliten su entendimiento.
Corriente, movimiento de cargas, electrones; todos estos conceptos estn relacionados entre s, como veremos
ms adelante. Hasta ahora, es dif cil ver un electrn, pero existen equipos para ver grupos de ellos, como multmetros,
osciloscopios y otros dispositivos sofisticados que detectan su movimiento y lo que hacen. A travs de la historia se
han encontrado formas para utilizar estos electrones y hacerlos que enciendan lmparas, muevan motores y energicen
computadoras, televisores, telfonos celulares y cientos de dispositivos de los que disfrutamos hoy en da.
Si los electrones son tan importantes, se tiene que estudiar dnde se encuentran, para lo cual llegamos a los tomos. Desde la escuela primaria sabemos que la palabra tomo proviene del griego a, privativo, y temno, cortar o dividir, y significa aquello que no se puede dividir o cortar. Aunque los avances cientficos han demostrado que los tomos
s pueden dividirse, estos siguen siendo considerados como partculas muy pequeas de las cuales se compone la
materia y el universo. La teora aceptada hoy en da es que el tomo es una partcula constituida por un cuerpo simple
compuesto por un ncleo de carga positiva, formado por protones y neutrones, rodeado de electrones de carga negativa en distintas capas. Un tomo normalmente tiene cantidades iguales de carga elctrica positiva y negativa, por
tanto, es elctricamente neutro. Por ejemplo, el papel de este libro tiene electrones y protones dentro de l; sin embargo, no hay evidencia de electricidad debido a que el nmero de electrones y protones es el mismo, cancelndose las
fuerzas elctricas y haciendo al papel elctricamente neutro o exactamente balanceado. Cambiar el balance de estas fuerzas produce evidencia de electricidad, para lo cual se requiere de cierto trabajo o energa para separar los

ELECTRNICA MIJAREZ

0 Introduccin

kfdf[\_`[i^\ef

kfdf[\ZfYi\

(\c\Zkie

)0\c\Zkife\j

(G

)0G
*,E

=`^liX'%( ;`X^iXdX[\le}kfdf[\_`[i^\efple}kfdf[\ZfYi\%

electrones de los protones. Cada combinacin estable de electrones y protones hace posible un tipo particular de tomo. Por ejemplo, la figura 0.1 muestra los diagramas de un tomo de hidrgeno y uno de cobre.
Los crculos mostrados en la figura 0.1 son una representacin simplificada de la trayectoria de los electrones;
aunque en realidad sus movimientos alrededor del ncleo son en tres dimensiones, a los que los f sicos han denominado shells u capas. Hay capas de diferentes tipos y formas, pero la explicacin de sus detalles va ms all del alcance
de este libro. En el caso del tomo de hidrgeno, solo se muestra un electrn alrededor del ncleo; demostrando la
estabilidad elctrica, solo un protn es contenido en el ncleo. Si se aade un neutrn al ncleo, el tomo an es de
hidrgeno, pero tiene un peso atmico diferente y se le llama istopo de hidrgeno.1 Para el caso de los tomos con
mltiples electrones, como el cobre, los electrones que residen en las capas se relacionan con niveles o estados de
energa. El electrn ms sencillo de mover de un tomo es el que se encuentra en el estado superior de energa. Cuando muchos tomos se encuentran juntos, como en el caso de un alambre de cobre, los electrones de la capa exterior
migran fcilmente de un tomo a otro de una manera aleatoria, por lo cual se les denomina electrones libres. Esta
cualidad le permite al cobre conducir electricidad con facilidad. Por tanto, podemos concluir que es el movimiento de
los electrones libres el que proporciona la corriente elctrica en un conductor.
Cabe remarcar que en un alambre, por s solo, el efecto neto de corriente es cero debido al movimiento aleatorio
de los electrones; pero, cuando le aplicamos energa a un tomo, un electrn libre puede desprenderse. La cantidad de
energa o trabajo necesarios para desprender un electrn depende del tipo de tomo. Adicionalmente, podemos decir
que a los tomos no les gusta perder electrones, de modo que tan pronto un electrn se libera otro se desliza en su
capa, como se muestra en la figura 0.2.
Por ejemplo, cuando se aplica un voltaje a un alambre de cobre, este fuerza a los electrones libres a moverse en la
misma direccin para producir un flujo de corriente, lo cual es la corriente elctrica.

<c\Zkife\jj\dl\m\eXcXiY`kXmXZXek\

MfckXa\

:fe[lZkfi

=`^liX'%) Dfm`d`\ekf[\\c\Zkife\jc`Yi\j\eleZfe[lZkfi%

Hay otros elementos que tienen istopos, pero el istopo de hidrgeno es tan importante que ha recibido su propio nombre: deuterio. El deuterio tambin se conoce como hidrgeno pesado, y se encuentra de manera abundante en la naturaleza. Curiosamente, los astrnomos piensan
que la nica fuente importante de deuterio fue el mismsimo Big Bang. Si se desea, se puede dar un vistazo a Google o Wikipedia para obtener
informacin complementaria al respecto.

grupo editorial patria

0 Introduccin

Conductores, aislantes y semiconductores


Cuando los electrones de un material se pueden desplazar con facilidad de un tomo a otro, a ese material se le denomina conductor. En general, los metales son buenos conductores, en especial la plata y el cobre, que son considerados
de los mejores, en ese orden; sin embargo, el cobre es ms usado que la plata debido a que es ms barato. El objetivo
principal al usar un conductor es que permita que el flujo de corriente elctrica tenga la mnima oposicin. Los materiales con electrones que tienden a permanecer en sus capas se denominan aislantes, debido a que no permiten el
movimiento fcil de electrones. La figura 0.3 muestra una representacin visual de un material aislante y de un material conductor.

8`jcXek\

:fe[lZkfi

=`^liX'%* <e\cdXk\i`XcX`jcXek\#cfj\c\Zkife\j\jk}e]l\ik\d\ek\X[_\i`[fjXjljfiY`kXc\j2
\e\cZfe[lZkfi#cfj\c\Zkife\j\jk}ed}jc`Yi\j%

Es importante hacer notar que tanto en los materiales conductores como en los aislantes existe el mismo nmero
de cargas positivas y de cargas negativas. La diferencia no es el nmero de cargas, sino la facilidad con la cual se puedan mover.
Hay materiales que conducen menos que un metal conductor, pero ms que un aislante, estos son los casi conductores o semiconductores. Un ejemplo de estos materiales es el tomo de carbono, el cual tiene 6 protones y 6
neutrones en el ncleo; adems de 6 electrones en dos capas, 2 en la capa ms cercana al ncleo y 4 en la segunda capa,
como lo ilustra la figura 0.4a).

-\c\Zkife\j

(+\c\Zkife\j

-G
-E

(+G
(+E

X

=`^liX'%+ I\gi\j\ekXZ`e[\}kfdfj1X ZXiYfef2Y j`c`Z`f%


La distribucin de electrones en las capas determina la estabilidad elctrica del tomo. Sin embargo, la capa superior de los tomos de carbono puede tener un nmero mximo de 8 electrones, es decir, no est llena, lo cual le da
facilidad para combinarse con otros tomos y formar molculas ms grandes.2
2

Todo el carbono en el universo se produjo dentro de las estrellas. Cuando una estrella cambi todos los tomos de hidrgeno en helio, comenz
a convertir los tomos de helio en tomos de carbono y tomos de oxgeno. Asimismo, debido a sus propiedades, grandes cantidades de carbono
se combinan con oxgeno, por ejemplo monxido de carbono, dixido de carbono, etc. Todos los seres vivos en la Tierra estn constituidos
principalmente por hidro-carbono (molculas de hidrgeno y carbono) y agua (molculas de hidrgeno y oxgeno); s, somos producto de las
estrellas!

ELECTRNICA MIJAREZ

0 Introduccin

Los tomos de carbono pueden tener varias formas estables, como el diamante y el grafito, pero a ltimas fechas
se descubri otra forma llamada fulereno o fullereno, que se ha hecho muy popular en investigaciones qumicas por
su versatilidad para la obtencin de nuevos compuestos con forma de esfera, elipsoide o cilndrica. A los fulerenos
esfricos se les llama buckyesferas y a los cilndricos buckytubos o nanotubos. Sin embargo, nos estamos desviando,
lo importante del carbono es que se encuentra en el mismo grupo que los tomos del germanio y el silicio, los cuales
se utilizan ampliamente para el diseo y la fabricacin de transistores y otros componentes semiconductores; no obstante, la mayora de los dispositivos semiconductores se hacen con base en el silicio. El silicio existe de manera abundante en la corteza terrestre, se presenta como arena, cuarzo y arcilla, entre otros.
El tomo de silicio presenta enlaces covalentes, esto quiere decir que cada tomo de silicio comparte los cuatro
electrones de su capa superior con otros cuatro tomos de silicio, para encontrar su estabilidad o balance. Cuando se
utiliza el silicio como semiconductor intrnseco, esto es, en su estado natural, al aplicarse cierta forma de energa externa, como calor, luz o voltaje, se rompen los enlaces y se libera un electrn por cada enlace roto, dejando un hueco
(el espacio que ocupaba el electrn), como lo ilustra la figura 0.5.

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

?l\Zf
<c\Zkie

=`^liX'%, :fii`\ek\^\e\iX[X\ecfjj\d`Zfe[lZkfi\j`ekiej\Zfj%

De esta manera se genera la corriente elctrica en los semiconductores, por el movimiento de los electrones hacia
los potenciales positivos y por el movimiento de los huecos hacia los potenciales negativos. Cuando se usa el silicio
como semiconductor extrnseco, se colocan ciertas impurezas en los enlaces, con lo cual se facilita ganar o perder un
electrn. Pero nos estamos adelantando, esto lo veremos en las uniones P-N que forman los diodos.

SISTEMAS

ELCTRICOS Y ANALOGAS CON OTROS SISTEMAS

En un circuito elctrico, la fuerza que hace que los electrones se muevan es el voltaje. Entre ms grande es el voltaje,
la fuerza disponible para mover los electrones es mayor. Algunos libros de texto usan el trmino fuerza electromotriz
para referirse al voltaje.
Una analoga bastante ilustrativa es lo que sucede con el agua en una tubera, considerando que no est congelada,
por supuesto. Cuando se abre el grifo, cierta cantidad de presin de agua fuerza al agua de la tubera a salir. El mismo
fenmeno sucede con un circuito elctrico; cuando se enciende la luz de una lmpara, se permite que un voltaje fuerce o empuje los electrones a travs de un alambre conductor y genere la luz que ilumina. Esta representacin se muestra en la figura 0.6.
Cada dispositivo conectado a un circuito elctrico ofrece una oposicin al flujo de electrones, es decir, tiene una
resistencia que se mide en ohms y se considera como un peso o carga elctrica.

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0 Introduccin

Gi\j`e[\X^lX

8^lXXkiXmj[\leklYf

MfckXa\

<c\Zkife\jXkiXmj[\leZXYc\

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Por ejemplo, un circuito simple de fluidos, como una fuente de agua, la cual consiste en una bomba de agua, que
suministra la presin; una tubera, que provee la trayectoria para que el agua fluya, aunque tambin provee cierta resistencia al flujo; y el agua en la fuente, que representa la carga. Por otra parte, un circuito elctrico simple consiste en
un suministro de electrones, la batera; los alambres conductores y una carga como podra ser una lmpara. La figura
0.7 muestra esta relacin de semejanzas.
Como se observa en la figura 0.7, la energa proviene de la bomba y la batera. Esta energa viaja hasta la carga, la
fuente de agua y la lmpara. Ya en la carga, la energa se manifiesta como la fuente de agua y la luz de la lmpara.

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VISUALIZACIN

DE COMPONENTES ELCTRICOS

En ingeniera elctrica y electrnica no es fcil de visualizar el comportamiento de un circuito elctrico, en especial


cuando un circuito no funciona correctamente; por tanto, se tiene que imaginar qu est pasando con el movimiento
de estos inquietos electrones. Para esto vamos a llevar a cabo unas comparaciones usando cosas del mundo f sico o
tangible que son familiares para nosotros, a fin de crear un entendimiento intuitivo de un circuito.3 La razn principal
3

He conocido ingenieros que son buenos para detectar fallas en los circuitos. Inconscientemente, tienen un entendimiento intuitivo que han
desarrollado con el paso del tiempo. Un trmino apropiado sera intuicin educada, y la primera vez que lo escuch no tena mucho de haber
egresado de la universidad, la persona que lo us era mi jefe de proyecto, que a su vez la escuch de un jefe suyo, que a su vez nos estamos
desviando. La intuicin se puede educar si usamos los elementos clave para ello.

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0 Introduccin

para realizar esta perspectiva es porque nosotros interactuamos con el mundo f sico usando nuestros sentidos, mientras que en el mundo elctrico mucho de lo que sucede dentro de los circuitos no puede ser visto, olido o escuchado.
El mundo elctrico tiene todava su grado de magia, aun para ingenieros educados. Sin embargo, si se tiene una sensacin o corazonada de qu es lo que est pasando en un circuito, se pueden resolver problemas de una manera muy
exacta. El cerebro humano es el mejor instrumento para simular, incluso para llegar a conclusiones correctas con informacin incompleta, lo cual no es el caso con los simuladores en las computadoras. Siendo as, con este enfoque
vamos a estimular la mente para visualizar o simular circuitos elctricos.4
La analoga que vamos a realizar es del mundo de los ingenieros elctricos al mundo de los ingenieros mecnicos.
Pero, para iniciar este enfoque intuitivo debemos entender qu es voltaje, corriente y potencia:
tVoltaje es el potencial de cargas en un circuito.
tCorriente es la cantidad de carga fluyendo en un circuito.
Si realizamos la analoga con una pistola de agua, el voltaje es la presin que hacemos a la pistola; la presin la
cuantificamos por lo lejos que llega el chorro de agua. No es lo mismo tener la presin de una pistolita, que la presin
de una llave de agua de media pulgada de dimetro en la tubera. La corriente, en tanto, es el chorro de agua de la
pistola. En trminos elctricos, el voltaje, la corriente y la potencia se relacionan por la siguiente ecuacin:
Potencia  voltaje r corriente

(0.1)

La potencia es la combinacin de voltaje y corriente. Si uno de estos dos elementos es cero, tendramos una potencia
cero. Ahora, vamos a ver la analoga de tres componentes bsicos de circuitos elctricos que se relacionan con el voltaje y la corriente.5

La resistencia es anloga a la friccin


Consideremos que se quiere mover una caja pesada que se encuentra en el piso, como lo ilustra la figura 0.8. Una
fuerza llamada friccin ofrece resistencia al movimiento de la caja. Esta friccin tambin est relacionada con la velocidad con que queremos mover la caja. Entre ms rpido intentemos mover la caja, la magnitud de la friccin se incrementar, ofreciendo una resistencia mayor al movimiento. Esta relacin puede describirse con la siguiente ecuacin:
Friccin 

fuerza
velocidad

(0.2)

=`^liX'%/ CX]i`ZZ`ej\fgfe\Xcdfm`d`\ekf[\cXZXaX%

Un libro que menciona esta visualizacin de componentes de manera clara se llama Ingeniera elctrica de Darren Ashby, el cual es muy recomendable.
Los tres componentes bsicos de los circuitos elctricos son el resistor, el capacitor y el inductor, y sus propiedades caractersticas son la resistencia, la capacitancia y la inductancia; sin embargo, en espaol es muy comn utilizar el trmino resistencia, tanto para el componente como
para sus propiedades elctricas.

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0 Introduccin

La friccin disipa la energa en forma de calor. Esto es, la friccin hace que los elementos involucrados se calienten.
Este efecto sucede, por ejemplo, cuando frotamos nuestras manos, la friccin hace que nuestras manos se calienten. La
funcin de una resistencia en un circuito elctrico es igual a la friccin. La resistencia se opone al flujo de electricidad,
de la misma forma que la friccin se opone a la velocidad de la caja. Por supuesto, la resistencia en el circuito elctrico
tambin se calienta. La ecuacin denominada ley de Ohm describe esta relacin:
Resistencia 

voltaje
corriente

(0.3)

La resistencia en un circuito elctrico representa la cantidad de fuerza que se requiere para mover los electrones. Respecto de los sistemas mecnicos, la nica diferencia entre friccin y resistencia son las unidades.

El inductor es anlogo a la masa


Continuamos con el ejemplo de la caja. Ahora, eliminaremos la friccin para hacer la analoga ms fcil de entender.
La figura 0.9 muestra una caja con llantas, las cuales virtualmente eliminan la friccin con el piso. Se puede observar
que aunque se requiere cierto trabajo para mover la caja, una vez que empieza a moverse, su desplazamiento es sencillo; incluso cuesta trabajo detener la caja. Cunto trabajo se requiere, depende del peso de la caja. Esto se conoce como
ley de la inercia,6 y se aplica muy bien a la inductancia, como se aprecia en las ecuaciones 0.4 y 0.5.

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[\cXZXaX#ZfdfgXiX[\k\e\icf%

Masa 

fuerza r tiempo
velocidad

Inductancia 

voltaje r tiempo
corriente

(0.4)

(0.5)

En estas ecuaciones se observa que la masa se opone a la velocidad, de la misma manera que la inductancia se opone
a la corriente.

El capacitor es anlogo al resorte


Si se estira un resorte, luego se mantiene en esa posicin por un momento y despus se suelta; sucede que el resorte
regresa a su posicin, como se muestra en la figura 0.10. Esto significa que el resorte tiene capacidad de almacenar
6

Newton formul esta ley en 1687, mucho antes que fuera descubierta la electricidad, y estableci las bases de la f sica en el siglo xvii. Aunque
en realidad es un replanteamiento de lo que Galileo postul unos ochenta aos antes, y difiere del punto de vista de Aristteles que consideraba
que todos los objetos tenan un lugar natural, fijo, en el Universo.

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energa; cuando se le aplica una fuerza al estirar el resorte, este mantendr la energa hasta que se suelta. La constante
del resorte es el recproco de la elasticidad y la capacitancia, en un capacitor, es similar a la elasticidad del resorte.
Un capacitor tiene capacidad de almacenar energa si se le aplica un voltaje a sus placas.7 Adicionalmente, como
lo muestran las ecuaciones 0.6 y 0.7, el resorte se opone a la fuerza, de la misma manera que la capacitancia se opone
al voltaje.
Resorte 

velocidad r tiempo
fuerza

Capacitancia 

corriente r tiempo
voltaje

(0.6)

(0.7)

=`^liX'%(' J\Xgc`ZXleX]l\iqXXci\jfik\\jk`i}e[fcf#XcjfckXij\cXZXaXfjZ`cXi}_XjkXhl\cX]i`ZZ`ecX[\k\e^X%

Combinacin de elementos, circuitos ms complejos


La combinacin de elementos puede traer consigo circuitos ms complejos, uno de ellos se denomina circuito tanque
o circuito LC. Qu es o qu hace este tipo de circuitos? La respuesta es oscilar; y su oscilacin podra durar para
siempre en un circuito ideal. La equivalencia a L y C, sera la masa y el resorte en un circuito mecnico, respectivamente. Ahora, si se realiza un experimento mental, como haran los f sicos,8 y se ata la caja del dibujo anterior a un
resorte y se le da una fuerza inicial, el sistema mecnico oscilara permanentemente. Siguiendo la misma analoga, si a
nuestro circuito mecnico se le aade cierta friccin, apretando o frenando las llantas de la caja, al circuito elctrico le
estaramos aadiendo una resistencia, con lo cual tendramos un circuito LCR. En tanto, si le aplicamos un empujn
a la caja con el resorte, esta empezara a oscilar, pero eventualmente la friccin en las llantas hara que se detuviera.
Tanto la friccin como la resistencia amortiguan la oscilacin.
En este sentido, los elementos fundamentales del mundo de la electricidad se pueden mapear al mundo mecnico,
el cual es ms fcil de visualizar y con el que estamos en contacto todos los das. Son los bloques de Lego que forman el
mundo elctrico; si se entienden a la perfeccin, se tendrn las bases bien cimentadas. Por ende, si se tienen buenas
bases de cualquier disciplina se puede sobresalir en ella.

ES

LA LEY: LA LEY DE

OHM

La ley de Ohm es uno de los principios de electricidad bsicos para tcnicos o ingenieros elctricos, electrnicos y
mecatrnicos, y es la base para todos los anlisis de circuitos elctricos y electrnicos. Se puede tener un dominio de
7

En el capacitor, la energa se almacena en forma del campo elctrico que se genera en el mismo capacitor. Sin embargo, tambin en el inductor
se almacena energa, solo que la energa se almacena en forma del campo magntico que se genera en la bobina.
En alemn, la palabra para este tipo de experimentos es gedachtenexperiment; la cual encierra todo el concepto: experimento planeado, proyectado o pensado; por supuesto, un experimento sin gastar recursos materiales.

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ecuaciones cuadrticas, ecuaciones diferenciales, clculo, etc., pero si no se tienen las bases, se corre el riesgo de quedarse estancado buscando la solucin de problemas que pueden ser elementales. Esta ley es parte de los fundamentos
bsicos con que se debe contar, y aunque la mayora de los estudiantes y egresados de las carreras antes mencionadas
saben esta ley de memoria, en ocasiones su aplicacin prctica es ignorada. La ley de Ohm, descubierta en 1827 por
el cientfico Georg Simon Ohm, establece la relacin matemtica entre voltaje, corriente y resistencia, tal como lo
muestra la ecuacin 0.8.
I

V
R

(0.8)

Esta ecuacin hace constar que la corriente, I, es directamente proporcional al voltaje, V, e inversamente proporcional
a la resistencia, R. El circuito de la figura 0.11a demuestra este concepto. Si se aplica un voltaje a una resistencia de
valor fijo, podemos calcular la corriente. Si se vara el voltaje, tendremos un cambio proporcional en la corriente, como
se aprecia en la figura 0.11b.
La lnea recta de la figura 0.11b indica que la curva entre V-I (Volt-Ampere) es lineal, siempre y cuando la resistencia sea lineal; es decir, que tenga un valor constante en ohms.9 El valor de R no cambia al variar el voltaje aplicado;
si se duplica el voltaje de 4 a 8 Volts, la corriente se incrementar de 2 a 4 Amperes.10
Sin embargo, existen componentes que muestran curvas V-I no lineales. Por ejemplo, la resistencia del filamento
de tungsteno que se encuentra en las lmparas incandescentes o focos es no lineal. Al incrementarse la corriente, el
filamento se calienta e incrementa su resistencia. Si se incrementa el voltaje aplicado al filamento, producir ms corriente, pero la corriente no se incrementar en la misma proporcin que el voltaje.11 Otro ejemplo son los termistores, los cuales varan su resistencia en funcin de la temperatura y son usados ampliamente para medir cambios en la
temperatura.
Un aspecto fundamental de esta ley es que la resistencia impide el paso de corriente. Se podra pensar en la resistencia como un elemento que convierte corriente en voltaje. Esto es, la cantidad de trabajo realizado para que la corriente elctrica se mueva desde un punto A hasta un punto B es igual a la cada de energa elctrica entre los puntos
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j`\cmXcfi[\cXi\j`jk\eZ`X\j\cd`jdf%
9

10

11

En la Exposicin Internacional de Electricidad efectuada en Pars, en 1881, se adopt el ohm y su smbolo () (letra griega omega) como
unidad de medida de la resistencia elctrica, en honor a la memoria de Georg Simon Ohm, veintisiete aos despus de su muerte.
Al contrario de los smbolos, los nombres de las unidades de medida elctrica no estn normalizados internacionalmente, sino que dependen del
idioma. En Mxico se usan comnmente en ingls, aunque la mayora de la literatura en espaol tiende a castellanizar los trminos con denominaciones reconocidas por la Real Academia Espaola. Por tanto, en este texto usaremos los trminos en ingls: volt en lugar de voltio, ohm en
vez de ohmio, ampere en lugar amperio, watt en vez de vatio, coulomb en lugar de colombios, farad en vez de faradio y henry en lugar de henrio,
etctera.
De manera espectacular se ha encontrado un efecto opuesto en la mayora de los metales cuando se enfran a un punto crtico, reducen su resistencia a cero! Son los llamados superconductores. Desafortunadamente, las temperaturas de enfriamiento resultan ser muy bajas, lo cual
requiere refrigeraciones extremas que los hace antieconmicos, con excepcin de algunas aplicaciones especializadas como, los aceleradores de
partculas en centros de investigacin de f sica. En fechas recientes, cientficos han descubierto que ciertas cermicas presentan caractersticas
de superconductores con temperaturas menos extremas, el reto es cmo hacer cables con estos frgiles materiales.

10

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0 Introduccin

A y B, o como comnmente se le llama, diferencia de voltaje entre estos puntos. Esta energa elctrica se convierte a
otras formas de energa como luz, o en calor, como en el ejemplo de la figura 0.11. A la proporcin de energa que es
transformada por el flujo de electricidad se le conoce como disipacin de potencia. Esto nos lleva a definir la potencia
elctrica.

Potencia elctrica
La unidad de potencia elctrica, P, es el watt (W), nombrado as en honor a James Watt (1736-1819). Un watt de potencia equivale al trabajo realizado en un segundo por una diferencia de voltaje de un volt para mover una carga de un
coulomb.12 Por esta razn, la potencia elctrica es definida por el producto entre la diferencia de voltaje y la corriente,
como lo indica la ecuacin 0.9.
P  V r I

(0.9)

En el ejemplo de la figura 0.11a, si la fuente de voltaje es de 6 V y produce 3 A, se estar generando una potencia de
18 W de potencia. La frmula de la potencia se puede usar de tres formas como lo muestra de manera grfica la figura 0.12.

G
M

=`^liX'%() =idlcXhl\i\cXZ`feXgfk\eZ`X#mfckXa\pZfii`\ek\%
La frmula depende de qu se quiera calcular P, I o V. A golpe de vista, la figura 0.12 muestra que P  V r I, I 
P/V y V  P/I. Volviendo al ejemplo de la figura 0.11a, la cantidad de energa elctrica convertida en calor por la resistencia se disipa, es decir, una vez que ha sido usada, ya no regresa al circuito elctrico como energa elctrica. Debido
a que esta potencia se disipa en la resistencia de un circuito, es conveniente expresar la potencia en trminos de la
resistencia, como se expresa en las ecuaciones 0.10 y 0.11:
P V r I V r

V
V2
<P 
R
R

P  V r I  IR r I < P  I 2 R

(0.10)

(0.11)

Considerando un voltaje de 6 V, en el ejemplo de la figura 0.11a, y usando como ejemplo la ecuacin 0.11, obtenemos
la disipacin de potencia en la resistencia. Esto es:
P  32 r 2  18 W
Por esta razn, la resistencia de este circuito debe ser mayor a 18 W, si no queremos que el calentamiento excesivo de
la resistencia comience a sacar el humo mgico y se produzca un dao considerable.

12

La unidad del SI de la corriente, el Ampere, se define como un coulomb por segundo (C/S), y la del voltaje se define como un joule por coulomb
(J/C).

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11

0 Introduccin

DIVISOR

DE VOLTAJE

Un divisor de voltaje, en su forma ms simple, se crea conectando dos resistencias en serie, como se muestra en la figura 0.13, o una resistencia variable, como un potencimetro. A este se le aplica un voltaje de entrada a travs de las
dos resistencias y el voltaje de salida se toma entre las resistencias.

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Aplicando la ley de Ohm, se encuentra la relacin entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada, como se muestra en la ecuacin 0.12. A esta relacin tambin se le llama funcin de transferencia.13
VSAL  V ENT r

RT
RT RE

(0.12)

Muchos libros de texto utilizan R1 y R2 para referirse a las resistencias que conforman el divisor de voltaje; sin embargo, para hacer nfasis en su posicin aqu se les denomina resistencia de tierra, RT, y resistencia de entrada, RE, para
evitar el error de intercambiar la posicin de la resistencia y obtener un voltaje de salida diferente del esperado.
Este simple circuito lineal produce un voltaje de salida que es una fraccin o un porcentaje del voltaje de entrada.
Si se piensa en trminos de porcentaje, al hacer las resistencias RT y RE del mismo valor, se obtendra 50% del voltaje
de entrada y 50% de voltaje de salida. Se puede apreciar que si RE es cero, el voltaje de salida es igual al voltaje de entrada. De manera intuitiva, si RT es 2 k y RE es 8 k, tendremos a la salida 20% del voltaje de entrada. Aunque el divisor de voltaje se deriva de la ley de Ohm, vale la pena memorizarlo, ya que se utiliza con frecuencia para realizar
referencias de voltaje y como atenuador de seales cuando se involucran elementos capacitivos e inductivos, como
veremos a continuacin.

El capacitor se opone a los cambios de voltaje


Los valores de RT y RE del divisor de voltaje pueden estar compuestos por una combinacin de elementos, como capacitores, inductores y resistencias. Los inductores y capacitores actan como otra resistencia, la diferencia es que esta
resistencia es funcin de la frecuencia, a lo cual se le llama reactancia. Si en el divisor de voltaje cambiamos RT por un
capacitor, an sigue siendo un divisor de voltaje; pero, por obvias razones, ahora se le denomina circuito RC. La figura 0.14 muestra este circuito.
La reactancia del capacitor se especifica por el smbolo XC y su unidad es el Ohm. El clculo de la reactancia se
realiza usando la ley de Ohm, XC  I/V; sin embargo, tambin puede obtenerse considerando los efectos de la frecuencia, f, y la capacitancia, C, como lo indica la ecuacin 0.13:
XC 

1
2 f C

(0.13)

VSAL
RT
13 A la funcin de transferencia, por lo general, se le denomina H; esta determina la ganancia del circuito H 
; en este ejemplo, H 
.
V
R
ENT
T RE
Esta funcin es muy til en sistemas de control y para analizar por etapas un circuito muy grande.

12

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0 Introduccin

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Las unidades de f y C son los hertz y los farads, respectivamente, y el factor constante 2 es siempre 2 r 3.14  6.28, el
cual indica el movimiento circular derivado de una onda sinusoidal.14
Para analizar este circuito, aplicaremos a la entrada un voltaje tipo escaln,15 posteriormente haremos uso del
conocimiento intuitivo de resistencias y capacitores. La entrada escaln es por definicin un cambio muy rpido en
voltaje. Cmo se comporta el circuito ante esta entrada? Bien, a la resistencia no le importa en absoluto el cambio de voltaje, pero al capacitor s. Se puede considerar que un cambio rpido de voltaje presenta un contenido grande
de seales de altas frecuencias.16 De acuerdo con la ecuacin 0.13, el valor de la reactancia del capacitor disminuye al
incrementarse la frecuencia. Al momento inicial del pulso de entrada, la resistencia a tierra, en este caso XC, es muy
baja comparada con la resistencia RE; por tanto, el voltaje de salida ser un valor bajo. Conforme la frecuencia empieza
a disminuir, la reactancia en el capacitor empieza a aumentar, de tal manera que el voltaje de salida en el divisor de
voltaje se incrementar gradualmente. En qu valor se detendr?
Para recordar lo aprendido acerca del capacitor en la visualizacin de componentes: el capacitor se opone a los
cambios de voltaje, pero no de corriente, como se explic en la ecuacin 0.7. De manera formal, matemticamente esta
ecuacin se expresa de la siguiente manera:
i C

V
i r t
;l C 
t
V

(0.14)

Si se observa el voltaje de entrada tipo escaln, se puede apreciar que inicialmente sucede un cambio o variacin rpida del voltaje, a lo cual se opone el capacitor. Luego, la entrada escaln ya no cambia y permanece en 5V, lo cual indica que el capacitor eventualmente se carg a 5V. A este periodo de transicin se le conoce como rgimen transitorio
de un circuito RC, mientras que al estado final se le conoce como rgimen permanente. La variacin de voltaje, a la
salida del divisor de voltaje, presenta una curva caracterstica descrita por la ecuacin 0.15.
t


VSAL  V ENT 1 e RC

(0.15)

A la multiplicacin de R y C se le conoce como la constante de tiempo o tau, tambin descrita por la letra griega del
mismo nombre (), como lo muestra la ecuacin 0.16.
 RC
14

15

16

(0.16)

En realidad, el trmino 2 es 2 radianes o 360 por un crculo o ciclo completo de una onda sinusoidal; por tanto, la frmula 0.13 se aplica solo
a circuitos con seales con forma de onda sinusoidal. Las seales sinusoidales adquieren importancia no solo porque los voltajes proporcionados
por las compaas de electricidad (generadores) son, aproximadamente, seales sinusoidales, sino tambin porque cualquier forma de onda
peridica se puede sustituir por un trmino constante y una serie de trminos senos y cosenos, algo que un brillante personaje llamado Joseph
Fourier (1768-1830) formul hace ya algunos aos.
La funcin escaln es muy usada en las matemticas de teora de control y en el procesamiento de seales, para representar una seal que se
activa en un tiempo especfico y permanece activada de manera indefinida. Esta funcin se obtiene como la integral de la funcin impulso, la
cual a su vez tiene un valor de cero en cualquier parte, a excepcin de un punto especfico, donde tiene un valor muy grande, infinito.
Entre ms rpido cambie la entrada de la seal escaln, un mayor nmero de frecuencias denominadas armnicas, funciones seno y coseno, se
sumarn para representar esta seal de entrada. Tambin es parte del anlisis de Fourier.

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13

0 Introduccin

La razn por la que tau es igual al tiempo puede ilustrarse de la siguiente manera: de acuerdo con la ecuacin 0.14,
C  (I r t) /V. Multiplicando por R ambos trminos de la igualdad, obtenemos que IR es igual a V, con lo cual se cancela el V del denominador y el tiempo se iguala a RC.
La grfica de la variacin del voltaje de salida se aprecia en la figura 0.15.

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La forma de esta curva de salida es siempre la misma para un circuito RC, como respuesta a una entrada tipo escaln. Lo nico que cambia es el tiempo que toma en llegar a su valor final, rgimen permanente, el cual depende de
la constante de tiempo tau. La figura 0.15 muestra la variacin del voltaje de salida respecto del tiempo, pero tambin
muestra esta curva normalizada17 en funcin de tau y el valor final del voltaje en porcentaje. Considerando la curva
normalizada, se puede observar que a 1 el voltaje de salida alcanzado es 63%; a 2 es 86%; a 3 es 95%; asimismo,
cuando llega a 4, el porcentaje es 98% y cuando alcanza 5 el voltaje de salida es prcticamente 100%. Esta curva de
respuesta describe un principio bsico en electrnica.
En las materias bsicas de ingeniera elctrica y electrnica he visto a los alumnos realizar prcticas de laboratorio
para obtener este tipo de curvas, pero cuando llegan a los ltimos semestres no recuerdan este concepto fundamental;
lo que es peor, no lo entienden. De modo que vale la pena memorizarlo de una vez por todas, ya que si se entiende este
concepto se entender el comportamiento de las bobinas o inductores, que veremos en la siguiente seccin, pero antes
vamos a analizar qu pasa con la corriente en este circuito RC.
Usando la ley de Ohm sabemos que I  V/R. Para obtener el voltaje a travs de la resistencia o, dicho de otro modo,
para obtener la diferencia de voltaje en la resistencia, es necesario conseguir la diferencia entre el voltaje de salida y el
voltaje de entrada como lo muestra la ecuacin 0.17:
VR  VENT VSAL

(0.17)

Analizando la corriente en trminos de tau, observamos que a 0, el voltaje de salida es cero volts, de tal forma que los
5 V se encuentran en la resistencia, y, por ende, en ese instante fluye la corriente mxima. En este momento, el capacitor tiene una resistencia prcticamente de cero ohms haciendo un corto circuito a tierra. En t  , el voltaje de salida
es 63% del voltaje de entrada, lo cual significa que la resistencia tiene 37% del voltaje de entrada. Siguiendo este proceso para todos los valores de tau, obtendremos una curva decreciente a diferencia de la curva creciente de voltaje como
lo muestra la figura 0.16.
Aqu se puede observar que al momento que cambia el voltaje de entrada de la seal escaln, cuando t  0, la
corriente cambia muy rpido; fluye por el circuito la mxima corriente. En contraste, en ese mismo momento el vol-

17

La normalizacin en este contexto se refiere al procesamiento de informacin para que dos conjuntos de datos diferentes sean comparables,
tomando valores entre 0 y 1. Para esto se requiere dividir todos los datos entre el valor final, que en este caso es 5 volts. Muy a menudo ese valor
se multiplica por 100 para obtener el porcentaje.

14

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0 Introduccin

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taje de salida no cambia tan rpido, en ese instante es cero. Lo anterior corrobora la regla de que el capacitor se opone
a los cambios de voltaje y no le afectan los cambios de corriente. La naturaleza nos ha mostrado que tiene sus opuestos,18
y el capacitor no es la excepcin, de modo que vamos a continuar con los inductores o bobinas.

El inductor se opone a los cambios de corriente


Ahora, siguiendo con el divisor de voltaje, vamos a considerar un circuito RL como se muestra en la figura 0.17.
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La reactancia del inductor se representa a travs del smbolo XL y su unidad, al igual que con el capacitor, es el
Ohm. El clculo de la reactancia se realiza usando la ley de Ohm, XL  I/V, pero tambin puede calcularse tomando en
cuenta los efectos de la frecuencia, f, y la inductancia, L, como lo muestra la ecuacin 0.18:
XL  2 f L

(0.18)

La unidad de la inductancia, L, es el henry. En esta ecuacin se puede apreciar que la reactancia inductiva se incrementa para altas frecuencias y altos valores de L, de manera opuesta a la reactancia capacitiva.
Conforme lo aprendido en la visualizacin de componentes, el inductor o bobina se opone a los cambios de corriente, pero no de voltaje, de acuerdo con la ecuacin 0.5. De manera formal, esta misma ecuacin se expresa matemticamente de la siguiente forma:
18

El concepto de dualidad, que tiene su origen en la filosof a oriental del yin y el yang, establece que todo lo existente en el universo es descrito por
dos fuerzas fundamentales, en apariencia opuestas y complementarias, que se encuentran en todas las cosas. Por ejemplo: luz/oscuridad, calor/
fro, masculino/femenino, sonido/silencio y por supuesto capacitor/inductor.

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15

0 Introduccin

vL

$i
v r $t
;l L 
$t
$i

(0.19)

Considerando la misma entrada escaln, al momento inicial, cuando hay un cambio rpido de voltaje, la reactancia XL
es muy alta a causa de los armnicos de frecuencias altas, tratndose como si fuera un circuito abierto, y la corriente
en L es prcticamente cero. Sin embargo, gradualmente empieza a aparecer una cada de voltaje en L, de modo que la
corriente empieza a elevarse como se muestra en la figura 0.18.
()'

:fii`\ek\efidXc`qX[X

(''
/'
-'
+'
)'

 (

)

*
+
4I:

,

-

=`^liX'%(/ MXi`XZ`e[\Zfii`\ek\i\jg\Zkf[\k&\e\cZ`iZl`kfIC%
La respuesta en corriente del circuito RL es exactamente igual que la respuesta en voltaje en el circuito RC, y viceversa. Si se entiende el anlisis para el circuito RC, no se tendr problema para entender el circuito RL. Pero, se
preguntar qu pasa con la variacin de voltaje respecto de t/; bien, analizando por intervalos y hacindonos un par
de preguntas acerca del comportamiento del circuito, podemos deducir cmo ser esta grfica. Cmo ser el valor de
la corriente en el instante cero o en 0? Qu pasar con la corriente un tiempo despus? Con base en la ley de Ohm,
para que la corriente sea muy baja, la resistencia tiene que ser muy alta; entonces, en el instante cero, la inductancia
adquiere un valor muy grande que acta como un circuito abierto; por tanto, el voltaje en el inductor (V SAL) ser igual
al voltaje de entrada. Cuando el tiempo empieza a pasar, la reactancia en el inductor empieza a bajar hasta que se produce un cortocircuito y, por consiguiente, tambin el voltaje comienza a disminuir hasta llegar a cero. La figura 0.19
muestra la respuesta en voltaje para el circuito RL.
()'

MfckXa\efidXc`qX[f

(''
/'
-'
+'
)'
'

 (

)

*
+
4C&I

,

-

=`^liX'%(0 MXi`XZ`e[\mfckXa\Zfei\jg\ZkfXk&\e\cZ`iZl`kfIC%
El inductor es el complemento exacto del capacitor. El comportamiento en corriente del inductor es el mismo
comportamiento para el voltaje en el capacitor, y viceversa.

16

ELECTRNICA MIJAREZ

0 Introduccin

Los circuitos RC, por lo general, son ms comunes que los circuitos RL, debido, entre otras cosas, a que los capacitores son ms econmicos, pequeos y fciles de adquirir. Cabe mencionar que los elementos bsicos R, C y L no
son perfectos y en la realidad cada uno de ellos puede contener partes de los otros. Por ejemplo, el inductor se hace
con un material conductor, el cual, para fines prcticos, tambin presenta una resistencia, aunque en ciertas condiciones su comportamiento predominante es inductivo. Como ya mencionamos, las unidades de los capacitores, los inductores y las resistencias, son los farads, los henrys y los ohms, respectivamente; sin embargo, un farad y un henry
son unidades muy grandes y un ohm puede ser una unidad muy pequea, por lo que se suele emplear submltiplos.19
La tabla 0.1 muestra algunos prefijos y valores de conversin que se utilizan con frecuencia.20
Prefijo

Smbolo

Relacin a la unidad

Ejemplo

Giga

1,000,000,000 o 1 r 109

2 G (Gigaohms)  2 r 109

Mega

1,000,000 o 1 r 106

5 M (Megaohms)  5 r 106

kilo

1,000 o 1 r 103

20 kV (kilovolts)  10 r 103

milli

0.001 o 1 r10-3

25 mA (milihenrys)  25 r 10-3

micro

0.000 001 o 1 r10-6

nano

10 F (microvolts) 10 r 10-6
-9

0.000,000,001 o 1 r10

33 F (nanofarads) 33 r 10-9

KXYcX'%( Gi\]`afjpmXcfi\j[\Zfem\ij`eZfdle\j%

Circuitos en serie y en paralelo


Dos formas de conexin de componentes elctricos en un circuito son de particular importancia: en serie y en paralelo. Un circuito en serie es aquel que provee solo una trayectoria para que la misma corriente fluya por todos los componentes. Mientras que un circuito en paralelo es cualquiera que provea el mismo voltaje a travs de todos los
componentes y en donde cada componente proporciona una trayectoria diferente para que fluya la corriente.21
Vamos a iniciar con las frmulas para los circuitos en serie y a relacionar estos con el arreglo de sus componentes.
Los circuitos en serie son sencillos, ya que no involucran ninguna multiplicacin, basta sumar todos los componentes, como lo muestra la figura 0.20 y la ecuacin 0.20 para las resistencias.
RT  R1 + R2 + R3

 I(

I)

(0.20)

I*

IK

=`^liX'%)' :fe]`^liXZ`e[\i\j`jk\eZ`Xj\ej\i`\%
En el caso de los inductores, estos se suman al igual que las resistencias, como se muestra en la figura 0.21 y la ecuacin 0.21.
19

20

21

Recientemente estos submltiplos han incrementado su valor ya sea ascendente o descendente en aplicaciones como procesamiento de datos y
nanotecnologa, respectivamente. De manera ascendente se pueden emplear prefijos como Tera (1012), Peta (1015) y Hexa(1018), y de manera
descendente como pico (1012), femto (1015) y atto (1018) pertenecientes al Sistema Internacional de medidas, antecesor del sistema mtrico
decimal.
El elemento que genera ms dificultad para determinar su valor es el capacitor, por lo que en el CD-ROM que acompaa este libro se encuentra
un convertidor de cdigo de capacitores y un convertidor de unidades.
En el CD-ROM que acompaa este libro se encuentra una aplicacin para calcular resistencias en serie y en paralelo.

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17

0 Introduccin

C(

C)

C*

CK

=`^liX'%)( :fe]`^liXZ`e[\`e[lZkfi\j\ej\i`\%
LT  L1 + L2 + L3

(0.21)

Para el caso de los capacitores, es preciso recordar que estos son el dual de los inductores. Por tanto, los capacitores
deben conectarse en paralelo si se quieren sumar como los inductores y las resistencias en los circuitos en serie, como
se muestra en la figura 0.22 y la ecuacin 0.22.

:K

:(

:) 

:*

=`^liX'%)) :fe]`^liXZ`e[\ZXgXZ`kfi\j\ej\i`\%
CT  C1 + C2 + C3

(0.22)

Cmo es que la corriente es la misma en todas las partes


de un circuito en serie
Por qu la corriente es la misma en todas las partes de un circuito en serie? La respuesta es ms fcil de visualizar
usando resistencias. Sabemos que la corriente elctrica es el movimiento de cargas entre dos puntos, generado cuando
se aplica un voltaje. Si conectamos una batera entre la terminal de R1 y la terminal de R3, como se ilustra en la figura
0.23, esta proporcionar el voltaje que fuerza a los electrones libres a moverse desde la terminal negativa, a travs de
los alambres de conexin y las resistencias, hasta la terminal positiva.
I(

I)

I*

=`^liX'%)* 8cXdYiX[f^i}]`Zf[\leZ`iZl`kfj\i`\%
La terminal negativa de la batera, es decir, su carga negativa, repele los electrones. Por tanto, los electrones libres
del alambre que conecta el borne negativo son repelidos. Cada electrn libre repelido, a su vez, tambin repele al electrn adyacente, produciendo un movimiento de electrones hasta llegar a la conexin con la resistencia R3.

18

ELECTRNICA MIJAREZ

0 Introduccin

Simultneamente, la carga positiva del borne positivo de la batera atrae los electrones libres del alambre que est
conectado a l. Como resultado, los electrones libres de las resistencias R1, R2 y R3 son forzados a moverse hacia la
terminal positiva. Los electrones libres que se mueven de un punto a otro son reemplazados en forma continua por
electrones libres movindose de puntos adyacentes.
La terminal positiva de la batera atrae electrones tanto como la terminal negativa los repele; por consiguiente, el
movimiento de electrones en el circuito inicia al mismo tiempo y a la misma velocidad en todas las partes del circuito.
Dicho de otra forma, un nmero igual de electrones se mueve a un tiempo y con la misma velocidad, esa es la razn
por la cual la corriente es la misma en todas las partes del circuito.
Los circuitos en paralelo son un poco ms truculentos que los circuitos en serie. Un circuito en paralelo se forma
cuando dos o ms componentes se conectan a travs de una fuente de voltaje, de tal manera que el voltaje es el mismo en cada componente. La figura 0.24 ilustra un circuito en paralelo para el caso de que los componentes sean resistencias.

I(

I)

I*

IK

=`^liX'%)+ :fe]`^liXZ`e[\i\j`jk\eZ`Xj\egXiXc\cf%
En los circuitos en serie, la corriente es la misma para todos los componentes. En tanto que en los circuitos en
paralelo, el voltaje es el mismo para cada componente y cada componente provee una trayectoria independiente para
el flujo de corriente. La corriente de cada trayectoria se calcula con V/R, donde V es el voltaje aplicado y R es la resistencia de esa trayectoria. La corriente total, IT, debe ser igual a la suma de todas las corrientes como se aprecia en la
figura 0.25.
I(

M
I(

I)

M
I)

I*

M
I*

"
M


@K

=`^liX'%), 8cXdYiX[f^i}]`Zf[\leZ`iZl`kfgXiXc\cf%

La resistencia total o resistencia equivalente, REQ , del circuito en paralelo es igual al voltaje aplicado dividido entre
la corriente total, V/IT . Aqu, el trmino equivalente se refiere al valor que tendra una sola resistencia para sacar la
misma cantidad de corriente que todas las resistencias en paralelo. A la frmula para obtener la REQ se le conoce como
la frmula del inverso o recproco y se deriva de que IT es la suma de todas las corrientes.
REQ 

1
1 1 1
!etc.
R1 R2 R3

(0.23)

Para el caso particular en que sean dos componentes, la REQ es determinada por el producto de sus valores dividido
por la suma de sus valores. En caso de tres resistencias o ms, se resuelve cada dos componentes y se repite sucesivamente, como se muestra en la ecuacin 0.24.

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19

0 Introduccin

R1 r R2
R1 | R2 r R3
l REQ 
R1 R2
R1 | R2 R3

R1 | R2 

(0.24)

Los inductores en paralelo se comportan como las resistencias, por lo que su resistencia REQ se puede deducir de la
misma manera como se muestra en la figura 0.26 y la ecuacin 0.25.

C(

C)

C*

CK

=`^liX'%)- :fe]`^liXZ`e[\`e[lZkfi\j\egXiXc\cf%

L1 | L2 

L1 r L2
L1 | L2 r L3
l LEQ 
L1 L2
L1 | L2 L3

(0.25)

Para los capacitores aplican las misma ecuaciones, pero solo si se conectan en serie como se ilustra en la figura 0.27 y
la ecuacin 0.26.
:(

:)

:*

:K

=`^liX'%). :fe]`^liXZ`e[\ZXgXZ`kfi\j\egXiXc\cf%

C1 | C2 

C1 r C2
C1 | C2 r C3
lC 
C1 C2
C1 | C2 C3

(0.26)

Al tratar con circuitos en serie y en paralelo se resume que slo hay dos ecuaciones: la simple suma y el producto sobre
la suma (o suma de recprocos).

DATOS IMPORTANTES
 La electricidad es bsicamente cargas tanto positivas
como negativas.
 Cargas del mismo signo se repelen, cargas de signos
contrarios se atraen.
 Tanto en un conductor como en un aislante existe el
mismo nmero de cargas positivas y negativas.
 En un buen conductor, los electrones libres se mueven con facilidad, como el agua en las tuberas.

20

 En un buen aislante, los electrones libres estn bien


adheridos, como si fuera agua congelada en una tubera.
 Los semiconductores en estado natural, como el silicio, al aplicrseles cierta energa liberan electrones y
forman huecos, con lo cual se produce la corriente
elctrica.

ELECTRNICA MIJAREZ

0 Introduccin

 Se requiere del voltaje y de la corriente para producir


potencia.

puede ser puramente resistiva, capacitiva o inductiva, o una combinacin de estas.)

 En el equivalente mundo mecnico: la resistencia es


como la friccin, el inductor o bobina es como la
masa y el capacitor es como un resorte.

 La regla del divisor de voltaje est dada por:


V R
VSAL  ENT T .
RT RE
 El capacitor se opone a las variaciones de voltaje,
pero no de corriente.
 El inductor se opone a las variaciones de corriente,
pero no de voltaje.
 Las resistencias en serie, los inductores en serie y los
capacitores en paralelo se suman.
 Las resistencias en paralelo, los inductores en paralelo y los capacitores en serie usan la regla de la suma
de los inversos o recprocos.

 El inductor tiene el comportamiento dual del capacitor.


 Los conocimientos bsicos son los ms importantes,
hay que aprenderse algunas frmulas de memoria y
entenderlas!
 La reactancia es similar a la resistencia considerando
una frecuencia especfica.
 La ley de Ohm aplica tanto para resistencia como
para reactancia I  V/Z. (Z es la impedancia, la cual

PROBLEMAS

DEL CAPTULO

0.1 Calcule la disipacin de potencia de la resistencia en


el siguiente circuito de la figura 0.28.

0.3 Usando un paquete comercial de simulacin tipo


PSpice o Multisim, grafique el voltaje de salida para
un divisor de voltaje RC, teniendo como voltaje de
entrada una batera de 2.5 V, una R  1 000 y
C  0.1 F. Verifique la constante de tiempo.
5V

RENT

R=2

9V

0V

VSAL

VENT

Entrada
escaln

=`^liX'%)/
=`^liX'%*'

0.2 En el siguiente circuito divisor de tensin (vase figura 0.29) se requiere un voltaje de salida de 5 V.
Calcule las resistencias necesarias si el voltaje de entrada es de 12 V.
RENT

0.4 Usando un paquete comercial de simulacin tipo


PSpice o Multisim, grafique la corriente de salida
para un divisor de voltaje RL, teniendo como voltaje
de entrada una batera de 2.5 V, una R  1 000 y
L  0.1 H. Verifique la constante de tiempo.
2.5 V

12 V

5V
RTierra
I

RENT
0V
Entrada
escaln

=`^liX'%)0

VSAL

VENT
L
I

=`^liX'%*(

tria
g r u p og reud pi too er di ai tl oprai ta r
lip
aa

21

0 Introduccin

0.5 De acuerdo con la ecuacin 0.16, para un circuito


RC, la constante de tiempo es  RC. Deduzca cmo
se obtiene la constante de tiempo  R/L, para un
circuito RL.
L

0.6 Deduzca cmo se obtiene la frmula de la resistencia


equivalente para dos resistencias conectadas en paralelo.

20 V CA

0.7 En el siguiente circuito (vase figura 0.32) se tiene


una fuente de alimentacin sinusoidal de 20 V de CA
operando a 180 Hz y un capacitor de 0.1 F. Calcule
la reactancia capacitiva y la corriente que pasa por el
circuito.

=`^liX'%**
circuito. Compare el resultado si la fuente de alimentacin trabaja a 540 Hz.

20 V CA

=`^liX'%*)

0.9

Defina cules son los electrones libres en un


slido.

0.10

Describa la diferencia principal entre un material


conductor y un material aislante.

0.11

Describa cmo es la distribucin de electrones en


la capa externa de un material semiconductor y su
relacin con los enlaces covalentes.

0.12

Describa la analoga entre un circuito de fluidos


simple y un circuito elctrico simple.

0.13

Usando la analoga entre sistemas elctricos y mecnicos, describa por qu la resistencia es anloga
a la friccin, el inductor es anlogo a la masa y el
capacitor es anlogo al resorte.

0.14

Explique por qu la ley de Ohm es lineal.

0.8 En el siguiente circuito (vase figura 0.33) se tiene


una fuente de alimentacin sinusoidal de 20 V de CA
operando a 180 Hz y un inductor de 0.1 H. Calcule
la reactancia inductiva y la corriente que pasa por el

22

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo

semiconductor
bsico: el diodo
Existen textos que explican de manera detallada qu son los semiconductores, incluso abordan los
principios de la teora cuntica. Pero, siguiendo el contexto de este libro, aqu solo se provee el entendimiento bsico intuitivo de cmo funcionan los dispositivos semiconductores. En el captulo 0
se estudia la constitucin atmica de los semiconductores en su forma pura o intrnseca; sin embargo,
en esta forma no tienen muchas aplicaciones. Para comprenderlo, cabe mencionar que muchos de
los dispositivos electrnicos que usamos son tiles hasta que las caractersticas intrnsecas de los
semiconductores se alteran mediante un proceso llamado dopaje, en ingls doping,1 que consiste en
mezclar los semiconductores puros con otros materiales. Por esta razn, en este captulo abordamos
la construccin bsica del dispositivo semiconductor ms simple: el diodo.
En este captulo tambin se analizan sus caractersticas de conduccin unidireccional y sus aplicaciones como convertidores de CA a CD, aunque tambin explicamos algunos diodos de propsito
especfico, como los diodos LED y los diodos Zener. Entonces, empecemos. En este captulo aprenderemos acerca de:

El trmino doping o dopaje se utiliza con frecuencia en el mbito deportivo, para indicar que los atletas han usado, de
manera ilegal, medicamentos o sustancias que les permiten aumentar de manera no natural el rendimiento general en una
competencia, posibilitndoles hacer proezas de sper humanos. En los dispositivos semiconductores, por otro lado, el
doping permite realizar los bloques bsicos de la electrnica, lo cual posibilita realizar instrumentos maravillosos, eso s,
de manera legal.

23

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

X
X
X
X
X
X
X
X
X
X

Semiconductores intrnsecos.
Semiconductores extrnsecos o dopados.
Construccin del diodo semiconductor.
Polarizacin directa del diodo.
Polarizacin inversa del diodo.
Curva caracterstica voltaje-corriente de los diodos.
Aproximaciones de los diodos.
Circuitos rectificadores.
Rectificacin filtrada.
Diodos de propsito especfico.

SEMICONDUCTORES

INTRNSECOS

Primero que nada, vamos a definir qu es un semiconductor de electricidad. Su nombre indica que es un elemento que
conduce parcialmente la electricidad. Por tanto, se puede pensar que un semiconductor es un material semibueno
conduciendo la electricidad; conduce menos electricidad que un conductor, pero ms electricidad que un aislador.2
Como las resistencias, los semiconductores conducen electricidad, pero no fcilmente. De hecho, como las resistencias, entre ms corriente hagamos pasar por ellos ms se calentarn. Algunos de los materiales semiconductores intrnsecos ms comunes son el silicio, el germanio y el carbono. Aunque el silicio es el ms utilizado por la industria
electrnica para la construccin de dispositivos electrnicos.
Como vimos en el captulo 0, en un semiconductor, los electrones de valencia, es decir, los electrones de la capa
externa del tomo, no tienen la misma libertad para moverse como sucede con los metales; en su lugar, estos electrones se encuentran unidos a otros iones adyacentes, tomos que han perdido o ganado electrones, por medio de enlaces,
conocidos como enlaces covalentes. Cada tomo de estos materiales contribuye con cuatro electrones de valencia, por
lo que se les denomina tetravalentes, y determina la manera de combinarse con otros tomos, formando una estructura de cristal. La figura 1.1 ilustra simblicamente, en dos dimensiones, la estructura de un cristal de silicio, incluyendo
sus enlaces covalentes y sus electrones de valencia.
<c\Zkife\j
[\mXc\eZ`X

<ecXZ\
ZfmXc\ek\

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

J`

=`^liX(%( <jkilZkliX[\leZi`jkXc[\j`c`Z`fZfejlj\c\Zkife\j[\mXc\eZ`Xp\ecXZ\jZfmXc\ek\j%
2

Como vimos en el captulo 0, el flujo de corriente, y por ende la conductividad, es proporcional a la concentracin de electrones libres en el
material en cuestin. Para un buen conductor, dicha concentracin de electrones es muy grande, aproximadamente 1028 electrones/m3; en cambio, para un aislador, es muy pequea, aproximadamente 107electrones/m3; y para un semiconductor, esta concentracin se encuentra en un
punto intermedio entre estos dos valores.

24

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

A una temperatura muy baja, tal como el cero absoluto ( 273 C), todos los electrones de valencia en un cristal de
silicio permanecen adheridos a sus respectivos enlaces de valencia, aproximndose a la estructura ideal de la figura 1.1.
Esto trae consigo el hecho de que no habr electrones libres disponibles movindose en el semiconductor de silicio y,
por tanto, el cristal se comporta como un aislante. Sin embargo, arriba del cero absoluto algunos electrones de valencia
pueden obtener suficiente energa proveniente del calor, la radiacin u otras fuentes, para romper sus enlaces covalentes y escapar de su tomo, convirtindose en electrones libres que se pueden mover libremente en el material. Estos
electrones libres dejan un vaco o hueco en el enlace covalente. La energa trmica es considerada la causa principal
que produce el denominado par electrn-hueco, como se muestra en la figura 1.2.

J`

J`
<c\Zkie
c`Yi\

?l\Zf
J`

J`

=`^liX(%) GXi\c\Zkie$_l\Zfgif[lZ`[fgfi\e\i^Xkid`ZX%
Conforme se eleva la temperatura, la generacin de pares electrn-hueco se incrementa debido a la energa trmica.3 A temperatura ambiente (25 C), por ejemplo, algunos de los enlaces covalentes se rompen, produciendo pares
electrn-hueco que hacen posible la conduccin de electricidad. El hueco acta como si fuera una carga positiva atrayendo electrones libres, y por consiguiente, generando un flujo de corriente.4
El hueco contribuye como portador de electricidad de la misma manera que un electrn libre, debido a que al
aparecer un enlace covalente incompleto, originando un hueco, es relativamente fcil para un electrn de valencia, en
un tomo vecino, dejar su enlace para llenar dicho hueco. Al moverse, el electrn deja, a su vez, un hueco en su posicin inicial. De esta forma, el hueco se mueve en direccin opuesta a la del electrn. Este mecanismo de conduccin
de electricidad no involucra electrones libres como se ilustra esquemticamente en la figura 1.3.
(

=`^liX(%* D\ZXe`jdfd\[`Xek\\cZlXcle_l\ZfZfeki`Ylp\XcXZfe[lZZ`e[\\c\Zki`Z`[X[%

La energa para romper un enlace covalente, a temperatura ambiente, es de 0.72 eV para el germanio y de 1.1 eV para el silicio. El electronvolt,
eV, es una unidad de energa usada en sistemas atmicos equivalente a la energa cintica adquirida por un electrn al ser acelerado por una diferencia de potencial, en el vaco, de 1 volt; su valor aproximado es de 1.6 r 10 19 Joules.
Cada hueco o electrn posee una carga de 1.6 r 10 19 coulombs, pero de polaridad opuesta.

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25

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En la figura 1.3 los crculos con un punto representan enlaces covalentes completos, mientras que los crculos
vacos simbolizan los huecos. En la figura 1.3 a) se muestra una fila de ocho iones, con un enlace roto o hueco en el in
3. Si un electrn de valencia, por ejemplo el del in 4, se mueve al hueco 3, la configuracin resultante ser la de la figura 1.3 b). De la misma manera, si un electrn del in 5 se mueve al hueco 4, se producir la configuracin de la figura 1.3 c). As, se puede observar que el hueco se mueve hacia la derecha, en sentido inverso al movimiento de los
electrones de valencia. Por esta razn, se considera que los huecos son entidades f sicas cuyo movimiento constituye
un flujo de corriente.
Sin embargo, no debemos perder de vista que un cristal semiconductor de silicio trmicamente genera menos
pares electrn-hueco que uno de germanio a la misma temperatura. Esto implica que el cristal de silicio es ms estable
a altas temperaturas que el material de germanio. Esta estabilidad es la razn principal por la cual el silicio es usado
primordialmente como material semiconductor en la construccin de diodos, transistores y circuitos integrados.
Adems, es importante hacer notar que a temperatura ambiente los semiconductores intrnsecos generan trmicamente muy pocos pares electrn-hueco, por lo que estos relativamente an se comportan como buenos aislantes.
Para incrementar el nmero de pares electrn-hueco, es necesario llevar a cabo el proceso de dopaje o doping que
mencionamos al inicio de este captulo.

SEMICONDUCTORES

EXTRNSECOS O DOPADOS

El proceso de dopaje o doping involucra aadir tomos de impureza, es decir tomos de mayor o menor nmero de
electrones de valencia que los de un semiconductor intrnseco. Los materiales semiconductores de silicio y de germanio, por lo general, son dopados con tomos trivalentes o pentavalentes para incrementar su conductividad. Dicho de
otra forma, un material semiconductor extrnseco es aquel que ha sido mezclado con tomos no tetravalentes.

Semiconductores tipo n
Un tomo pentavalente es aquel que tiene cinco electrones de valencia. Algunos ejemplos de este tipo de tomos son
el antimonio (Sb), el arsnico (As) y el fsforo (P). Un cristal de silicio dopado por un nmero grande de tomos pentavalentes genera muchos electrones libres en el material. Lo anterior ocurre porque en la ubicacin de cada tomo
pentavalente hay un electrn libre que no es usado en los enlaces covalentes de la estructura del material. Recordemos
que solo ocho electrones pueden existir en la capa de valencia de cada tomo de silicio; por tanto, uno de los electrones
en cada tomo pentavalente, funcionando como impureza, no es requerido en los enlaces covalentes de la estructura
y puede flotar por el material como electrn libre. Esto se ilustra en la figura 1.4.

J`

J`

J`

J`

8j

J`

J`

J`

J`

<c\Zkiec`Yi\

=`^liX(%+ :i`jkXc[\j`c`Z`f[fgX[fZfeleX`dgli\qXg\ekXmXc\ek\%

26

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

El electrn libre ilustrado en la figura 1.4 pertenece a un tomo de arsnico, en el que sus enlaces covalentes se
completan con ocho electrones de valencia, quedando un electrn extra que no se necesita. Sin embargo, si se aaden
millones de impurezas pentavalentes a un cristal de silicio intrnseco, habr millones de electrones libres flotando en
el material. Debido a que el electrn es la partcula bsica de carga negativa, a los materiales dopados de esta forma se
les llama semiconductores tipo n. No obstante, la carga neta del semiconductor tipo n an es neutra, puesto que el
nmero total de electrones es igual al nmero de protones. Adems, a causa de la energa trmica, en un semiconductor tipo-n tambin se crean algunos huecos o pares electrn-hueco. Los pocos electrones de valencia que logran absorber suficiente energa para romper sus respectivos enlaces covalentes, incrementan an ms el nmero de
electrones libres en el cristal. Los huecos actan como cargas positivas, ya que si un electrn libre pasa alrededor del
hueco, este ser atrado para llenar ese vaco. Debido a que hay mucho ms electrones libres que huecos en un material
semiconductor tipo n, a los electrones se les llama portadores de corriente mayoritarios y a los huecos portadores de
corriente minoritarios.
En el material semiconductor tipo n existe un gran nmero de iones positivos, puesto que en cada tomo pentavalente el quinto electrn de valencia deja su tomo, creando un desbalance, ya que el nmero de cargas positivas y
negativas no es el mismo en el tomo o in. En este caso, el ncleo del tomo pentavalente tendr un protn ms que
el nmero de electrones orbitando. Estos iones positivos son cargas fijas en el semiconductor incapaces de moverse.

Semiconductores tipo p
Un tomo trivalente es aquel que contiene solo tres tomos de valencia. Algunos ejemplos de esta clase de tomos son
el aluminio (Al), el boro (B) y el galio (Ga). Un cristal de silicio dopado con una gran cantidad de tomos trivalentes
producir muchos huecos en los enlaces covalentes de la estructura del material. Esto sucede porque, para obtener la
mxima estabilidad elctrica con ocho electrones de valencia, se requiere un electrn de valencia en cada localizacin
de un tomo trivalente, como se muestra en la figura 1.5.

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J`

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Cuando millones de impurezas trivalentes se aaden a un material semiconductor intrnseco, se crean millones
de huecos en el cristal. Debido a que los huecos exhiben una carga positiva, a estos se les denomina materiales semiconductores tipo p. La carga neta del material semiconductor tipo p es neutra porque, como sucede con el material
tipo n, el nmero total de electrones es igual al nmero total de protones. El semiconductor tipo p tambin contiene
unos cuantos electrones libres a causa de la energa trmica, la cual produce algunos pares electrn-hueco. En este
caso, los electrones son los portadores minoritarios de corriente, mientras que los huecos son los portadores mayoritarios de corriente.

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27

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En el material semiconductor tipo p existe un gran nmero de iones negativos, debido a que los electrones libres
que pasan cerca, en cada tomo trivalente, pueden llenar los huecos de los enlaces covalentes. De esta manera, la impureza trivalente tendr un electrn ms orbitando que el nmero de protones en su ncleo, dando como resultado el
in negativo. De igual manera que con el material n, los iones negativos en el material p son cargas fijas en el semiconductor incapaces de moverse.

CONSTRUCCIN

DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Un dispositivo semiconductor muy popular, llamado diodo, se obtiene de la unin de dos materiales semiconductores,
uno tipo p y otro tipo n, como se muestra en la figura 1.6 a). La interaccin de las regiones dopadas forma la denominada unin P-N.
El smbolo esquemtico para el diodo semiconductor se ilustra en la figura 1.6 b). El lado p se conoce como nodo,
mientras que el lado n se conoce como ctodo. Los diodos son dispositivos unidireccionales, es decir permiten el flujo de corriente a travs de ellos en una sola direccin, proveyndoles propiedades de rectificacin.5

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La unin p-n tiene electrones libres en el lado n y huecos en el lado p, como se muestra en la figura 1.7 a). En esta
figura, los electrones libres se representan por el smbolo de guin () y los huecos se representan por crculos (O). Al
momento en que se forma la unin p-n, los electrones libres del lado n migran o se difunden a travs de la unin hacia
el lado p. Una vez en el lado p, estos electrones libres, ahora portadores minoritarios, no permanecen como tales por
mucho tiempo, ya que tan pronto como cruzan la unin empiezan a llenar los huecos. Lo anterior trae como resultado
que cuando los electrones libres dejan el lado n y llenan los huecos del lado p, se crean dos tipos de iones: positivos en
el lado n y negativos en el lado p, como se muestra en la figura 1.7 b).

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5

La primera patente para un cristal semiconductor fue otorgada al f sico alemn Karl Ferdinand Braun, en 1899. Sin embargo, otros trabajos con
indicios de este comportamiento de conduccin unidireccional se remontan veinte aos atrs, con Thomas Alva Edison a la cabeza. En sus inicios, estos dispositivos fueron llamados: rectificadores, pero no fue sino hasta 1919 que el f sico britnico William Henry Eccles, pionero en el
desarrollo de las radiocomunicaciones, acu el trmino diodo, proveniente de la palabra griega dia, que significa a travs, y ode que significa
trayectoria.

28

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Conforme contina el proceso de difusin, se crea una barrera de potencial, VB, y la migracin de electrones del
lado n al lado p se detiene. Los electrones movindose del lado n al lado p detectan un potencial negativo en el lado p
que los repele de regreso al lado n. De la misma forma, los huecos que se mueven del lado p al lado n, detectan un
potencial positivo en el lado n que los repele de regreso al lado p. El rea donde se localizan los iones positivos y negativos se conoce como regin o zona de agotamiento; recibe este nombre debido a que est desprovista de todos los
portadores de carga. Los iones positivos y negativos de esta rea estn fijos a la estructura del cristal y, por tanto, no
se pueden mover. En consecuencia, los iones forman una diferencia de potencial denominada barrera de potencial, VB,
como se muestra en la figura 1.7 b). Para el silicio, la barrera de potencial es aproximadamente 0.7 V y para el germanio
0.3 V. Es importante hacer notar que la barrera de potencial no se puede medir externamente con un voltmetro; sin
embargo, existe y es la que detiene el proceso de propagacin de portadores de corriente.

POLARIZACIN

DIRECTA DEL DIODO

La polarizacin especifica el voltaje o corriente que puede ser utilizado como control de un dispositivo. En este caso, la
polarizacin directa de un diodo permite el flujo con facilidad de corriente a travs del diodo. La figura 1.8a) muestra
un diodo con polarizacin directa.
En la figura 1.8 a), podemos observar que el material semiconductor n se conecta a la terminal negativa de la
fuente de voltaje, V. Es importante destacar que la fuente de voltaje tiene que ser lo suficientemente grande para superar la barrera de potencial VB.6 La terminal negativa de la fuente de voltaje repele los electrones libres del material
n, forzndolos a cruzar la zona de agotamiento hasta el material semiconductor p. Una vez en el lado p, los electrones
llenan los huecos de los enlaces covalentes incompletos y se mueven de hueco en hueco, atrados por la terminal positiva de la fuente de voltaje V. Por cada electrn libre que entra en el lado n, un electrn libre sale del lado p.
Por su parte, la figura 1.8 b) muestra el smbolo esquemtico del diodo polarizado directamente por una fuente
de voltaje, V.7 En esta figura, tambin se observa que el flujo real de electrones, ocurre del material n hacia el material
p, en contra del sentido de la flecha del smbolo del diodo. En tanto, la flecha del smbolo del diodo apunta en sentido
del flujo convencional de corriente. Ambos sentidos funcionan correctamente cuando se analizan circuitos con diodos; sin embargo, en este libro se utiliza el flujo real cuando analicemos circuitos con diodos.
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;`f[fgfcXi`qX[f[`i\ZkXd\ek\#[fe[\j\\jg\Z`]`ZX\c]claf[\Zfii`\ek\i\Xcp\cZfem\eZ`feXc%

POLARIZACIN

INVERSA DEL DIODO

La polarizacin inversa de una unin p-n se lleva a cabo conectando la terminal negativa de una fuente de voltaje, V,
al material semiconductor tipo p y la terminal positiva al material semiconductor tipo n, como se muestra en la figura
1.9 a). El efecto es que los portadores de carga, electrones y huecos, en ambas secciones n y p, respectivamente, son
6

Recordemos que si la unin p-n es de silicio, la fuente de voltaje debe ser igual o mayor de 0.7 V para contrarrestar la barrera de potencial VB y
producir el flujo de corriente.
En la prctica, normalmente se utiliza una resistencia en serie con el diodo para limitar su corriente.

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29

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

apartados de la unin. Lo anterior incrementa el ancho de la regin de agotamiento. Los electrones en el lado n son
alejados de la unin y atrados hacia la terminal positiva de la fuente de voltaje V. De la misma manera, los huecos en
el lado p son apartados de la unin y atrados hacia la terminal negativa de la fuente de voltaje, V.
Como se puede observar, la figura 1.9 b) muestra el smbolo esquemtico de un diodo polarizado inversamente
por una fuente de voltaje externa, V. El resultado de esta polarizacin es que el diodo entra en su estado de no conduccin y acta de manera ideal como un circuito abierto con una resistencia infinita.

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Corriente de fuga
La figura 1.9 b) muestra, de manera ideal, que el flujo de corriente en un circuito con un diodo polarizado inversamente
es cero; sin embargo, aun con esta polarizacin, existe una pequea corriente en el diodo, llamada corriente de fuga, IR.
La corriente de fuga se debe a los portadores minoritarios de corriente en ambas partes del diodo semiconductor. Los
huecos son los portadores minoritarios en el lado n, mientras que los electrones libres son los portadores minoritarios en el lado p. Los portadores minoritarios de corriente existen como resultado de la energa trmica, la cual
produce algunos pares electrn-hueco. Debido a que la temperatura determina el nmero de pares electrn-hueco
generado, la corriente de fuga tambin es afectada por la temperatura, por lo que cualquier incremento en la temperatura del diodo tambin incrementar esta corriente. Como la corriente de fuga es determinada por los portadores
de carga minoritarios, su direccin es opuesta a la direccin de corriente efectuada cuando el diodo se polariza de
manera directa.

CURVA

CARACTERSTICA VOLTAJE-CORRIENTE DE LOS DIODOS

La curva caracterstica de los diodos involucra el comportamiento de voltaje y corriente con respecto a su polarizacin,
ya sea directa o inversa. La figura 1.10 muestra la curva caracterstica de un diodo de silicio en cuatro cuadrantes.
El cuadrante superior derecho de la figura 1.10 corresponde a los voltajes y las corrientes cuando el diodo es polarizado directamente. En esta, podemos observar que la corriente que pasa por el diodo es muy pequea cuando el
voltaje de polarizacin es menor de 0.6 V. Sin embargo, al momento de incrementar su polarizacin directa arriba de
0.6 V, la corriente del diodo se incrementa en forma abrupta. Tambin es importante hacer notar que la cada de voltaje, VF , de polarizacin directa permanece relativamente constante aun cuando la corriente, IF, se incrementa.8 Para
un diodo de silicio, un voltaje de 0.7 V es el valor aproximado que se asume en la barrera de potencial, la cual es aproximadamente 0.3 V para un diodo de germanio; por tanto, si la grfica de la figura 1.10 fuera para un diodo de germanio,
la corriente IF se incrementara con rapidez aproximadamente a 0.3 V.

Para cualquier diodo, el voltaje de polarizacin directa disminuye con el aumento de la temperatura, aproximadamente 2 mV por grado centgrado.

30

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

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Voltaje de ruptura
El cuadrante inferior izquierdo de la figura 1.10 representa al diodo de silicio polarizado inversamente. Aqu, podemos
observar que una corriente, IR, de valor muy pequeo fluye por la unin p-n, hasta que se alcanza el voltaje de ruptura
VBR. Antes de llegar al voltaje de ruptura, la corriente que fluye por el diodo es resultado de los portadores minoritarios
de carga producidos debido a la energa trmica, la cual es llamada corriente de fuga IR, como se mencion antes; por
consiguiente, la corriente IR tiene sentido opuesto a la IF , de polarizacin directa, mientras que en la curva caracterstica del diodo se representa como una corriente en el cuadrante inferior izquierdo. La corriente de fuga se incrementa
principalmente con el aumento de la temperatura y es relativamente independiente de los cambios en el voltaje de
polarizacin inverso, VR. El incremento ligero que se aprecia en la corriente de fuga, IR, conforme se incrementa el
voltaje de polarizacin inverso, VR, es resultado de la corriente de fuga superficial. Se dice que la corriente de fuga
superficial existe porque hay muchos huecos en los bordes o superficies del cristal de silicio debido a enlaces covalentes incompletos. Estos huecos proveen la trayectoria para algunos electrones libres en la superficie del cristal.
Cuando el voltaje de polarizacin inverso, VR, se vuelve muy grande, ocurre un proceso denominado avalancha,
el cual sucede porque los electrones libres producidos trmicamente en el lado p son acelerados, a gran velocidad, por
la fuente de voltaje al momento de moverse a travs del diodo. Estos electrones libres chocan con los electrones de
valencia de las otras rbitas, los cuales a su vez son liberados y acelerados a gran velocidad, desprendiendo, en consecuencia, ms electrones de valencia. Este proceso es acumulativo, por lo que se genera este efecto avalancha. Cuando
se alcanza el voltaje de ruptura, VBR, la corriente IR se incrementa abruptamente como se observa en la figura 1.10. Se
recomienda no operar los diodos en la regin de ruptura, ya que si tambin se sobrepasa la corriente IR mxima, es
decir, su potencia, el diodo podra daarse.9
Por ejemplo, si se tiene una aplicacin donde se requiere rectificar, es decir permitir pasar solo los semiciclos
positivos, de una onda sinusoidal de 130 VPP a 0.5 A, y se tienen tres opciones de diodos: a) 1N4001 (PIV  50 V,
IO  1 A), b) 1N4002 (PIV  100 V, IO  1 A) y c) 1N4005 (PIV  600 V, IO  1 A), donde el costo del diodo se incrementa con su voltaje inverso de pico (PIV, por sus siglas en ingls), e IO es la corriente promedio mxima en polarizacin
directa. La pregunta sera: Qu diodo se seleccionara para cumplir el requerimiento especificado? La solucin fcil

Aun cuando el diodo ideal podra bloquear toda la corriente cuando se polariza inversamente, la realidad es que no es as. Y como le sucede a
todos los seres humanos, que tienen su precio, cada diodo tambin tiene su precio; si el voltaje de polarizacin inversa es lo suficientemente
grande, la corriente fluir por el diodo. El punto en que esto sucede es el precio del diodo y es llamado voltaje de ruptura o voltaje inverso de pico
(PIV, por sus siglas en ingls).

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31

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

sera seleccionar la opcin c), ya que el PIV es 600 V y el IO es 1 A; sin embargo, la opcin b) podra realizar el trabajo
muy bien, a menor costo, ya que el voltaje de pico es o 65 VP que es menor al PIV de 100 V.10

Resistencia de CD de un diodo
Al examinar la regin de polarizacin directa de la figura 1.10, podemos observar que la curva VF vs. IF tiene un comportamiento no lineal, por lo que el diodo se denomina dispositivo semiconductor no lineal.11 Lo anterior se debe a
que la corriente IF no se incrementa en la misma proporcin que el voltaje VF . Por ejemplo, el voltaje VF no tiene que
triplicarse para triplicar la corriente IF . An as, la resistencia de CD de un diodo polarizado directamente se obtiene
por medio de la frmula RF  VF/IF .12 Por ejemplo, si usamos la curva caracterstica del diodo de la figura 1.10, podemos calcular la resistencia de CD en los puntos A y B.
Punto A: RF  VF/IF  0.65 V/11 mA  59
Punto B: RF  VF/IF  0.7 V/22.5 mA  31
Como se puede ver, entre ms corriente conduce el diodo, su resistencia, RF , es ms pequea. Sin embargo, es
importante puntualizar dos cosas:
1. El diodo no obedece la ley de Ohm porque no es lineal.
2. Si existen diodos en un circuito, dicho circuito no tendr un equivalente de Thvenin, ya que no ser un circuito lineal activo.

APROXIMACIONES

DE LOS DIODOS

Existen tres aproximaciones para analizar circuitos con diodos semiconductores. La opcin que se seleccione depender de la exactitud deseada en los clculos del circuito. La primera aproximacin de un diodo, llamada aproximacin ideal, considera al diodo polarizado directamente como un interruptor cerrado y una cada de voltaje de cero
volts, como se muestra en la figura 1.11 a). Del mismo modo, esta aproximacin considera al diodo en polarizacin
inversa, como un circuito abierto, con una corriente cero, como se muestra en la figura 1.11 b). La grfica de la figura
1.11 c), por su parte, muestra la curva caracterstica del diodo en su aproximacin ideal.
La primera aproximacin del diodo es til cuando se requiere una idea general de lo que sucede en un circuito
respecto a voltajes y corrientes.
La segunda aproximacin del diodo considera al diodo polarizado directamente como un diodo ideal en serie
con una batera, como se muestra en la figura 1.12 a). Para el diodo de silicio, esta batera es de 0.7 V, el mismo valor
de la barrera de potencial, VB , en la unin p-n. En polarizacin inversa, esta aproximacin considera al diodo como un

10

11

12

Es importante hacernos amigos y que nos familiaricemos con las hojas de datos de los dispositivos. Para el diodo existen otros parmetros que
indica el fabricante, como la corriente IFSM, la cual es la mxima corriente instantnea que puede manejar un diodo en un solo pulso. Sobrepasar
la corriente IFSM tambin puede destruir el diodo.
La curva caracterstica ideal volts-amperes del diodo est definida por la ecuacin I  IR(eV/VT 1). Donde V es la cada de voltaje de la unin p-n.
En este caso V T representa los electronvolts equivalentes de la temperatura y se obtienen por V T  KT/e, donde K es la constante de Boltzmann,
T es la temperatura absoluta y e es la carga del electrn. A temperatura ambiente, V T es aproximadamente 25 mV. Cuando el voltaje V es positivo y varias veces mayor que V T , el diodo se encuentra polarizado directamente, y el trmino exponencial de la ecuacin excede por mucho la
unidad por lo que el valor de 1 del parntesis puede ser despreciado. En consecuencia, a excepcin de un rango pequeo en el origen, la corriente se incrementa exponencialmente con el voltaje. Cuando el diodo se polariza inversamente y V es negativo y algunas veces mayor que VT ,
el trmino exponencial se hace muy pequeo y la corriente I es aproximadamente la corriente inversa IR.
El estado de un diodo semiconductor puede determinarse verificando su resistencia usando un hmetro. Si el diodo se encuentra en buen estado,
la resistencia RF en polarizacin directa ser muy baja y la resistencia de polarizacin inversa RR ser muy alta, la proporcin RR/RF ser de orden
de 1 000 o mayor. Si el valor de resistencia medido es muy bajo en ambas polarizaciones, el diodo se encuentra en cortocircuito. Pero, si el valor de
resistencia medido es muy alto en ambas polarizaciones, el diodo se encuentra abierto. Es importante remarcar que algunos multmetros digitales muestran el smbolo del diodo para probar el estado de los mismos; sin embargo, estos despliegan la cada de voltaje del diodo en lugar de su
resistencia.

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ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

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interruptor abierto, como se observa en la figura 1.12 b). La figura 1.12 c), por su parte, indica la curva caracterstica
de polarizacin directa e inversa de esta aproximacin.
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La segunda aproximacin se usa cuando se necesitan clculos ms exactos en el circuito en cuestin.


La tercera aproximacin contiene la resistencia de los materiales p y n, y se le denomina rB. En polarizacin directa, esta aproximacin incluye, adems de la resistencia rB , el voltaje de la barrera de potencial VB , como se muestra en
la figura 1.13 a). El valor de rB depende del nivel de doping y del tamao de los materiales. En esta aproximacin, la
cada de voltaje, VF , en polarizacin directa se calcula con la ecuacin 1.1.
VF  VB IF rB

(1.1)

De la ecuacin 1.1 podemos observar que, en polarizacin directa, la resistencia rB causa un pequeo incremento
en el voltaje VF cuando se incrementa la corriente IF .

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33

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

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Z :limXZXiXZk\ijk`ZX[\gfcXi`qXZ`e`em\ijXp[`i\ZkX%

La figura 1.13 b) muestra la tercera aproximacin del diodo en polarizacin inversa, en la cual se observa un interruptor abierto en paralelo, con una resistencia de un valor muy grande, la cual, en consecuencia, permite el paso de
una corriente de fuga, IR, muy pequea, como se muestra en la figura 1.13 c).
En la figura 1.13 c) podemos observar que la pendiente de la curva, en polarizacin directa, puede usarse para
calcular la resistencia rB con la ecuacin 1.2.
rB  V/I

(1.2)

Donde V representa el cambio en el voltaje del diodo a causa del cambio en su corriente I. Por ejemplo, para
un diodo 1N4001 que tiene un voltaje de polarizacin directo VF de 1.1 V y una corriente IF de 1 A, se requiere calcular la resistencia rB.
Para obtener rB , primero se asume que la corriente IF del diodo es cero cuando el voltaje de polarizacin directa
VF es exactamente 0.7 V. Posteriormente, usamos la ecuacin 1.2 y los parmetros del diodo:
rB  V/I  (1.1 V 0.7 V)/(1 A 0 A)  0.4

(1.3)

Para ilustrar el uso de las tres aproximaciones del diodo, resolveremos el circuito de la figura 1.14 a) para obtener
el voltaje y la corriente de carga.
La figura 1.14 b) muestra el circuito para la primera aproximacin, donde:
VL  VENT  10 V, por tanto IL  VL/RL  10 V/100  100 mA

(1.4)

Para la segunda aproximacin, se tiene el circuito de la figura 1.14 c), donde:


VL  VENT VB  10 V 0.7 V  9.3 V,

(1.5)

IL  VL/RL  9.3 V/100  93 mA

(1.6)

Por tanto:

La figura 1.14 d) muestra el circuito para la tercera aproximacin.


IL  (Vin VB)/(RL RB)  (10 V 0.7 V)/(100 2.5 )  90.73 mA

34

ELECTRNICA MIJAREZ

(1.7)

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

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X :`iZl`kffi`^`eXc%Y Gi`d\iXXgifo`dXZ`e%Z J\^le[XXgifo`dXZ`e%[ K\iZ\iXXgifo`dXZ`e%

VL  IL r RL  90.73 mA r 100  9.07 V

(1.8)

La primera aproximacin puede no ser muy exacta, pero ayuda a tener un entendimiento intuitivo de este importante dispositivo; no obstante, como mencionamos al inicio de esta seccin, la opcin elegida depender de la exactitud deseada en los clculos del circuito.13

CIRCUITOS

RECTIFICADORES

La mayora de los equipos electrnicos requiere voltajes de CD para operar de forma adecuada. Sin embargo, como se
observa en el captulo 1 que se encuentra en el CD-ROM, la red elctrica que proporciona electricidad a los hogares y
las industrias es de CA. Por tanto, la lnea de alimentacin de 120 VCA,14 a la cual se conectan la mayora de los equipos electrnicos, debe ser convertida de alguna manera a CD. A un circuito que convierte el voltaje de la lnea de alimentacin de CA a un voltaje requerido de CD, se le conoce como fuente de alimentacin. Los componentes ms
importantes en las fuentes de alimentacin son los diodos rectificadores, los cuales convierten el voltaje de lnea de CA
a un voltaje de CD. Esta aplicacin de los diodos es una de las ms simples e importantes en el diseo de equipos electrnicos; por esta razn, algunas veces, a los diodos se les llama rectificadores. En esta seccin estudiamos algunos de
los circuitos rectificadores ms comunes, asumiendo que todos los diodos son de silicio.

13

14

Una corriente de 3 mA (10 3) podra ser una cantidad despreciable cuando manejamos cientos o miles de mA; pero puede ser una cantidad muy
grande si se est trabajando en el rango de A (10 6) o A (10 9).
El voltaje nominal depende del transformador utilizado. En Mxico, para transformadores monofsicos, el voltaje es de 120 VCA y 240 VCA,
y para transformadores trifsicos es de 127 VCA y 220 VCA. Los clientes residenciales en Mxico, por lo general, utilizan 120 VCA; sin embargo, para el caso de los clientes residenciales en Europa, Australia y otros pases, la red de CA de las compaas de electricidad es de 240 VCA.

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35

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Rectificador de media onda


El circuito rectificador ms simple es el rectificador de media onda, como el que se muestra en la figura 1.15 a). Por su
parte, T1 es el transformador de bajada que provee el voltaje en el secundario, VS, como se muestra en la figura 1.15 b).
Cuando el voltaje del secundario del transformador es positivo, D1 se polariza directamente y permite el flujo de corriente hacia la carga RL. Por otro lado, cuando el voltaje del secundario del transformador es negativo, D1 se polariza
inversamente y se comporta como un interruptor abierto, no permitiendo el flujo de corriente hacia la carga RL. En
consecuencia, el voltaje de salida, VSAL, es una serie de pulsos positivos, como los que se muestran en la figura 1.15 c).
El transformador de la figura 1.15 a) tiene una relacin de vueltas, NP:NS, de 4:1. Por tanto, si el voltaje de entrada
en el circuito primario del transformador es de 120 VCA, podemos calcular el voltaje en el circuito secundario del
transformador usando la relacin NP:NS de la siguiente manera:
VS  NSVP/NP  (1)(120 VCA)/4  30 VCA

(1.9)

EG1EJ
+1(

MJ8C
;(

()'M:8
-'?q

*'M:8

IC4(''

K(
X
MJ

"+)%+)M

K`\dgf#k

(-%-.d
K
MJ8C

"+(%.)M

'M

M;:4'%*(/MJ8C4(*%).M
K`\dgf#k

(-%-.d
K
Z

=`^liX(%(, :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X%X :`iZl`kf%Y MfckXa\\e\cj\Zle[Xi`f#MJ2mfckXa\[\jXc`[X#MJ8C%


Z =fidX[\fe[X[\jXc`[X[\cZ`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X%

Esto significa que si medimos con un voltmetro de CA el voltaje en el secundario del transformador, T1, el voltaje que mediramos sera de 30 VCA. Cabe remarcar que el voltaje medido es el denominado voltaje eficaz o rms (root
mean square, por sus siglas en ingls), el cual se obtiene dividiendo el voltaje de pico mximo de la onda sinusoidal
entre raz de 2 o 1.414 (VP/1.414). Por ejemplo, si queremos saber el voltaje de pico mximo del secundario de T1 procedemos de la siguiente forma:

36

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

VP  VS (rms) r 1.414  30 V r 1.414  42.42 V

(1.10)

Por tanto, el voltaje pico a pico (VPP) del secundario del transformador se obtiene multiplicando por dos el VP , esto
es 2 r VP; en este caso VPP  2 r 42.42  84.84 V, como se muestra en la figura 1.15 b).
La figura 1.15 c) muestra la forma de onda de salida del rectificador de media onda. Cuando el voltaje en el secundario de T1 es positivo, el diodo D1 conduce, entonces la corriente fluye por RL y se produce la serie de pulsos positivos.
Cuando el voltaje del secundario es negativo, el voltaje de salida es cero. Considerando la cada de voltaje del diodo D1,
la segunda aproximacin, el voltaje de salida en el secundario, sera 42.42 V 0.7 V  41.72 V.
El voltaje promedio o de CD en la carga RL se obtiene multiplicando el voltaje pico VP por 0.318, como se muestra
en la ecuacin 1.11:
VCD  0.318 r VSAL(P)

(1.11)

Al usar la segunda aproximacin del diodo, podemos calcular el voltaje de CD en la carga RL del circuito de la figura 1.15, de la siguiente manera:
VCD  0.318 r 41.72 V  13.27 V

(1.12)

Este es el valor que hubiramos medido a travs de la carga RL usando un voltmetro de CD, como se muestra en
la figura 1.15 c). Por tanto, la corriente de CD en la carga, ICD, puede calcularse as:
ICD  VCD/RL  13.27 V/100  132.7 mA

(1.13)

Para el rectificador de media onda, la ICD en la carga es la misma que la corriente en el diodo, lo cual puede ser
expresado por la ecuacin 1.14:
IDIODO  IL(CD)

(1.14)

La frecuencia de la lnea de alimentacin de CA es de 60 Hz, es decir tiene 60 ciclos en un segundo. El periodo de un


ciclo se calcula como T  1/f, por tanto T  16.67 ms, como se muestra en el voltaje secundario, VS, de la figura 1.15 b).
En tanto, en la figura 1.15 c) podemos observar que un ciclo del voltaje de salida, VSAL, se repite cada 16.67 ms. En
consecuencia, la frecuencia de la forma de onda del voltaje de salida del rectificador de media onda es igual a la frecuencia aplicada a la entrada del rectificador, en este caso 60 Hz. Esto se puede expresar por la ecuacin 1.15:
fSAL  fENT

(1.15)

Cuando el voltaje de CA de la lnea de alimentacin se encuentra en su semiciclo negativo, el diodo se polariza


inversamente y no fluir corriente por el diodo D1 ni por la resistencia de carga RL ; el circuito equivalente en este estado se muestra en la figura 1.16. Recordemos que el voltaje de circuito abierto a travs de un circuito serie simple es
el mismo que el voltaje de entrada, el cual en este caso es el voltaje del secundario del transformador.
NP : NS
4:1

D1

VD = Vs = 42.42 V
1

120 VCA
60 Hz

Vs(rms) = 42.42 V

RL = 100 

+
T1

=`^liX(%(- :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[X#\e\cZlXcj\dl\jkiX\cZ`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\c[`f[f#;(#gfcXi`qX[f`em\ijXd\ek\[liXek\\c
j\d`Z`Zcfe\^Xk`mf[\cmfckXa\j\Zle[Xi`f[\ckiXej]fidX[fi%<e\jk\ZXjf;(k`\e\hl\j\iZXgXq[\jfgfikXi\cmfckXa\[\g`ZfMG[\+)%+)M%

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37

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

El diodo D1 debe ser capaz de soportar el voltaje de pico del secundario del transformador, el cual es 42.42 V, tal
como se muestra en la figura 1.16. Por esta razn, la especificacin del voltaje inverso de pico (PIV) del diodo debe
ser mayor que el valor del voltaje pico del secundario del transformador o el diodo entrar a la regin de ruptura y se
daar.
Por ejemplo, si se tiene el circuito de la figura 1.17, donde la relacin de vueltas NP:NS, es 3:1, y se requiere calcular el voltaje en el secundario del transformador VS (voltaje eficaz y voltaje de pico), IL, IDIODO, fSAL y el PIV para el
diodo.
NP : NS
3:1

VSAL
D1

120 VCA
60 Hz

VCA

RL = 100 

T1

=`^liX(%(. :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[XZfeleXi\cXZ`eEG1EJ4*1(\e\ckiXej]fidX[fiK(%
En este caso, primero calculamos el voltaje rms en el secundario del transformador VS  (NS/NP)VP  120 V/3  40 V
de CA. El valor de pico es VS(P)  VS r 1.414  40 r 1.414  56.56 V. En cambio, si usamos la segunda aproximacin del
diodo, entonces el voltaje de pico ser 56.56 V menos 0.7 V, lo cual nos da un voltaje de 55.86 V. Para calcular la
corriente en la carga IL, primero obtenemos el voltaje de CD, que se consigue usando la ecuacin 1.11:
VCD  0.318 r VSAL(P)  0.318 r 55.86 V  17.76 V
La corriente en la carga, entonces, se calcula como IL  VCD/RL  17.76 V/100  177.6 mA. La frecuencia en
la forma de onda del voltaje de salida es 60 Hz, y finalmente el PIV para D1 es el voltaje de pico del transformador
56.56 V.
Si quisiramos un voltaje de salida negativo, lo nico que tendramos que hacer es invertir el diodo en el circuito
de la figura 1.17.
Otro tipo de rectificador es el de onda completa, el cual utiliza dos diodos en lugar de uno. Sin embargo, una
versin ms usada es la del rectificador tipo puente, como el que se muestra en la figura 1.18.15
Como se observa, T1 es el transformador de bajada que proporciona un voltaje secundario VS menor al de la lnea
de alimentacin de CA. Cuando la polaridad del voltaje VS es positiva, los diodos D2 y D3 se polarizan directamente,
permitiendo el flujo de corriente en la carga RL. En esta misma polaridad de VS , los diodos D1 y D4 se polarizan inversamente y no conducen corriente hacia la carga.
Cuando la polaridad del voltaje VS es negativa, los diodos D1 y D4 se polarizan directamente, permitiendo el flujo
de corriente en la carga RL. En esta misma polaridad de VS, los diodos D2 y D3 se polarizan inversamente y no conducen
corriente hacia la carga. Es importante hacer notar que el sentido de corriente en la carga RL es la misma para los dos
semiciclos de VS. Para las conexiones de diodos de la figura 1.18, el voltaje de salida es positivo.
Como en el caso del rectificador de media onda, el voltaje VS del transformador se obtiene por la relacin de vueltas NP :NS , por lo que VS  30 VCA, valor eficaz; del mismo modo, el voltaje de pico es VS(P)  42.42 V, como se muestra
en la figura 1.19 a).
Cuando la polaridad de VS es positiva, los diodos D2 y D3 conducen; de esta manera, se produce la forma de onda de
la figura 1.19 b). De la misma forma, cuando la polaridad de VS es negativa, D1 y D4 conducen, generando la forma
15

En el mercado existe una gran variedad de rectificadores tipo puente disponibles como mdulos pre-empaquetados. Los ms pequeos vienen
con corrientes promedio mximas de 1 A y voltajes de ruptura que van desde los 100 hasta los 600 V, o incluso hasta los 1000 V. Algunos puentes rectificadores son gigantes en cuanto a su capacidad, con corrientes de hasta 50 A o ms.

38

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

NP : NS
4:1

D1
120 V CA
60 Hz

D2
VSAL

Vs = 30 V CA
D3

D4

RL = 100 

T1

=`^liX(%(/ I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXk`gfgl\ek\%
de onda de la figura 1.19 c). Los pares de diodos D2-D3 y D1-D4 conducen en semiciclos opuestos de VS. El efecto combinado de estos pares de diodos se muestra en la figura 1.19 d). Cada par de diodos realiza la rectificacin de media
onda para la carga RL.
VS

VSAL
D2, D3

+42.42 V
Tiempo, t

0V

T
16.67 m

VSAL
D1, D4

+ 41 V
Tiempo, t

0V

a)

b)

VSAL
D1, D2,
D3, D4

+ 41 V

0V

Tiempo, t

+ 41 V

0V

Tiempo, t
T
8.33 m

c)

d)

=`^liX(%(0 I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXk`gfgl\ek\%X MfckXa\#MJ #\e\cj\Zle[Xi`f[\K( %Y MfckXa\[\jXc`[XZlXe[fcfj[`f[fj;)p;*


Zfe[lZ\e%Z MfckXa\[\jXc`[XZlXe[fcfj[`f[fj;(p;+Zfe[lZ\e%[ MfckXa\[\jXc`[XZfdY`eX[f%

Usando la segunda aproximacin del diodo, el voltaje de pico en la resistencia de carga RL es 42.42 V1.4 V 
41.02 V. En este caso, se resta 1.4 V debido a la cada de voltaje de los diodos en conduccin.
El voltaje promedio o de CD en la salida de un rectificador de onda completa, sin filtros, se obtiene mediante la
ecuacin 1.16.
VCD  0.636 r VSAL(P)

(1.16)

En este ejemplo, VCD  0.636 r 41.03 V  26.09 V. La corriente de CD en la carga RL puede calcularse usando
ICD  VCD/RL  26.09 V/100  260.9 mA. Sin embargo, para un rectificador de onda completa, la corriente en cada
diodo es la mitad de la corriente de CD en la carga, lo cual puede expresarse usando la ecuacin 1.17.
IDIODO  IL/2

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(1.17)

39

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En este ejemplo, IDIODO  260.9 mA/2  130.4 mA. Esta corriente es la mitad de la corriente de carga porque cada
par de diodos en el rectificador puente provee la mitad de la forma de onda rectificada en la carga RL.
Debido a que el puente rectificador proporciona una salida de onda completa, la frecuencia de la forma de onda
de salida se obtiene mediante la ecuacin 3.18.
fSAL  2fENT

(1.18)

Para la lnea de alimentacin que tiene una frecuencia de 60 Hz, la frecuencia a la salida del puente rectificador
sera fSAL  2fENT  2 r 60 Hz  120 Hz.
Con el fin de obtener el voltaje inverso de pico (PIV), al cual se someten los diodos D1-D4 del puente rectificador,
vamos a usar el circuito equivalente de la figura 1.20 durante el semiciclo positivo del voltaje secundario VS del transformador.
En la figura 1.20 se puede observar que los diodos D2 y D3 se encuentran polarizados directamente y que son reemplazados por la segunda aproximacin del circuito equivalente del diodo. Tambin se puede ver que, en esta polaridad del voltaje de secundario del transformador, los diodos D1 y D4 se polarizan inversamente y son sustituidos por
dos interruptores en estado abierto.
NP : NS
4:1

D1

+ D2 VB = 0.7 V

120 VCA
60 Hz

VS (CA) = 42.42 V

+
D3
VB = 0.7 V

D4

+
RL = 100 

T1

=`^liX(%)' :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\legl\ek\i\Zk`]`ZX[fi[liXek\\cj\d`Z`Zcfgfj`k`mf[\cmfckXa\j\Zle[Xi`fMJ[\ckiXej]fidX[fi%
Por tanto, para calcular el PIV de cada diodo del puente rectificador, usamos la ley de Kirchhoff para los voltajes.
Para D1, iniciamos en el nodo y continuamos la malla en sentido horario, hasta su ctodo. Esto es:
VA-C(D1)  VB VS(P)  0.7 V 42.42 V  41.72 V
De igual forma, para D4 iniciamos en el nodo y continuamos la malla en sentido horario, hasta su ctodo.
Esto es:
VA-C (D4)  VS(P) VB  42.42 V 0.7 V  41.72 V
Entonces, podemos observar que el PIV para cada diodo del puente rectificador es el voltaje del secundario VS
mximo menos 0.7 V.
Si se requiere tener un voltaje de salida negativo en el circuito de la figura 1.18, entonces es necesario invertir los
diodos D1-D4.

RECTIFICACIN

FILTRADA

El proceso para convertir de CA a CD no es suficientemente bueno con solo rectificar la forma de onda de CA con
diodos. La forma de onda rectificada tiene un componente de CD, ya que no cambia de polaridad. En realidad, esta

40

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

seal muestra muchas variaciones peridicas de voltaje, conocidas como voltaje de rizo, Vr , en lugar de tener un voltaje constante. Estas variaciones tienen que ser suavizadas a fin de obtener una seal de CD genuina, o como la mayora de las aplicaciones requiere. Una forma de suavizar o filtrar estas variaciones de voltaje es conectar un capacitor a
la salida del rectificador, como se muestra en la figura 1.21.

CA

Rectificador

Carga

=`^liX(%)( :XgXZ`kfiZfe\ZkX[fXcXjXc`[X[\leZ`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fiZfe]`e\j[\]`ckiX[f%
Cuando los diodos del circuito rectificador conducen, se carga el capacitor, C; en este sentido, el capacitor funciona como un dispositivo de almacenamiento de energa. La energa almacenada en el capacitor est dada por U  CV 2,
para C en farads, para V en volts y para U en joules. Como los diodos no permiten flujo de corriente de regreso al
circuito rectificador, la descarga de C es hacia la carga.
Con el fin de obtener un voltaje de rizo pequeo y de que la constante de tiempo de la descarga sea mayor que el
de recarga, el valor del capacitor se escoge de tal forma que la resistencia de carga, RL, multiplicada por el valor de C,
sea mucho mayor que el recproco de la frecuencia del voltaje de rizo;16 esto es:
RLC >> 1/f

(1.19)

Los capacitores usados para este propsito son del tipo electroltico, con valores arriba de los 100 F. Con el fin
de aclarar el comportamiento de C, vamos a analizar el circuito rectificador de media onda de la figura 1.22 a).
Cuando el voltaje del secundario de T1 es positivo, el diodo D1 conduce y el capacitor C se carga. Antes del tiempo t0, como se muestra en la figura 1.22 b), el voltaje en la carga es igual al voltaje positivo del secundario. En el tiempo
t0, el voltaje en C alcanza su valor mximo de pico, VP . Cuando el voltaje en el secundario de T1 cae abajo del valor mximo, D1 se polariza inversamente y el capacitor empieza a descargarse a travs de la carga RL. El intervalo de
descarga comprende desde t0 hasta t1. En el tiempo t1, el diodo se polariza directamente otra vez debido al semiciclo
positivo del transformador T1, lo cual permite que el capacitor se recargue a su valor pico en el tiempo t2. De aqu,
EG1EJ
+1(
MJ8C

;(

()'M:8
-'?q

Mj4(,M:8

:4('''=

IC4(''

M=4)'%,(M

'M
K`\dgf#k

kj k]

kf
(-%-.d
K

K(
Y

=`^liX(%)) I\Zk`]`ZX[fi[\d\[`Xfe[XZfeleZXgXZ`kfiZfdf]`ckif%X :`iZl`kf%Y =fidX[\fe[X[\cmfckXa\[\jXc`[X%


16

La frecuencia del voltaje de rizo est relacionada con la frecuencia de la forma de onda de salida del circuito rectificador, la cual es de 60 Hz para
el rectificador de media onda y de 120 Hz para el rectificador de onda completa.

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41

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

observamos que el capacitor se carga por un tiempo corto, de t1 a t2, y que el capacitor se descarga aproximadamente
por 16.67 ms, en este circuito rectificador de media onda. Estos 16.67 m corresponden al periodo de un ciclo de la
frecuencia de entrada de 60 Hz. A la componente de CA de la forma de onda de la figura 1.22 b) se le denomina voltaje de rizo, Vr.
Resulta relativamente fcil calcular el valor aproximado del voltaje de rizo, principalmente si este valor es pequeo comparado con el nivel de CD, como se muestra en la forma de onda de la figura 1.23 b), el cual corresponde a un
rectificador de onda completa tipo puente mostrado en la figura 1.23 a).

Voltaje de rizo pico a pico


120 VCA
60 Hz

VSAL del filtro,


con carga
VSAL
sin capacitor
t

a)

b)

=`^liX(%)* MfckXa\[\i`qfgXiXlei\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kX%X :`iZl`kf%Y =fidX[\fe[X%


Como vimos en el anlisis del rectificador de media onda, la carga causa que el capacitor se descargue entre ciclos,
o semiciclos para una rectificacin de onda completa. Si se asume que la corriente permanece constante, la variacin
del voltaje de rizo se calcula usando la ecuacin 1.20.
Vr  I t/C

(1.20)

Esta ecuacin se deriva de I  C dV/dt, que vimos en el captulo 0. Si usamos 1/f para el rectificador de media onda
o 1/2f para el rectificador de onda completa, podemos calcular el voltaje de rizo de la siguiente manera:
Vr  ICARGA/f C
Vr  ICARGA/2f C

(media onda)

(1.21)

(onda completa)

(1.22)

Las ecuaciones 1.21 y 1.22 nos proporcionan una muy buena aproximacin del valor esperado del voltaje de rizo.
Sin embargo, si se desea obtener el valor exacto, se requiere utilizar la ecuacin que considere la descarga de manera
exponencial.17 No obstante, calcular el valor exacto del voltaje de rizo puede ser engaoso por dos razones:
1. La descarga es exponencial siempre y cuando la carga sea resistiva, y muchas cargas no lo son; en realidad, la
carga ms utilizada es el regulador de voltaje, el cual se comporta ms como una carga de corriente constante.
2. Las fuentes de alimentacin normalmente se construyen con capacitores electrolticos polarizados, es decir,
que no se les permite cargarse con polaridad opuesta a la indicada. Estos capacitores, por lo general, tienen una
tolerancia de 20% o mayor. Por tanto, en su peor caso se disea considerando la variacin del capacitor.
En este caso, considerar la descarga del capacitor como una rampa es bastante exacto, en especial si el voltaje de
rizo es muy pequeo y si adems tomamos en cuenta el diseo con variaciones de 20% del capacitor, el voltaje de rizo
se podra sobreestimar.
Existe una variacin del rectificador de onda completa el cual utiliza un transformador con una derivacin central, dos devanados, como se muestra en la figura 1.24.

17

El clculo del voltaje de rizo exacto considera un valor exponencial de la descarga, el cual est dado por la frmula Vr  VSAL(P)(1 e t / RLC ). Donde t es el tiempo de descarga de C y RLC es la constante de tiempo del filtro.

42

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

+V

Tierra

Entrada CA

=`^liX(%)+ I\Zk`]`ZX[fi[\fe[XZfdgc\kXZfe[\i`mXZ`eZ\ekiXc%
El circuito de la figura 1.24 provee dos voltaje de CD, uno positivo y otro negativo, que muchos componentes
electrnicos, como los amplificadores operacionales, pueden necesitar. Pero nos estamos desviando, estos amplificadores los estudiamos en el siguiente captulo. Este circuito es muy eficiente porque ambos semiciclos de la forma de
onda de entrada del rectificador son usados en cada seccin de devanado.

Reguladores
Como vimos en la seccin anterior, si seleccionamos el capacitor conectado al circuito rectificador con un valor muy
grande, se puede reducir el voltaje de rizo a niveles muy bajos; sin embargo, esta solucin, que coloquialmente es llamada fuerza bruta por los ingenieros, tiene algunas desventajas:
1. El capacitor requerido puede ser prohibitivamente muy grande y muy caro.
2. Aun cuando el voltaje de rizo se reduzca a niveles muy pequeos, todava se tendrn variaciones en el voltaje
de salida, debido a variaciones en el voltaje de lnea, cambios en la corriente de carga, etctera.
Una mejor alternativa para el diseo de una fuente de alimentacin es usar capacitores lo suficientemente grandes
como para reducir el voltaje de rizo a niveles bajos, aproximadamente 10% del voltaje de CD; despus, usar un circuito activo con retroalimentacin, que elimine el voltaje de rizo que pudiera permanecer. Dicho circuito est hecho de
componentes activos (transistores) que mantienen el voltaje de salida constante. A este dispositivo electrnico se le
llama regulador de voltaje y constituye una parte integral en el diseo de fuentes de alimentacin para proveer el voltaje de CD a muchos equipos electrnicos. La figura 1.25 muestra un regulador de voltaje conectado a un circuito
rectificador de onda completa tipo puente.

Regulador
Entrada

Salida
Tierra

=`^liX(%), =l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e[\:;i\^lcX[X%

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43

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Los reguladores reductores permiten disminuir un voltaje de CD, usualmente no regulado, a otro de menor magnitud, regulado. Hay dos diseos bsicos para los reguladores: regulador lineal y regulador conmutado.18 Los reguladores ms simples, y en los cuales nos centraremos, son los reguladores lineales. En la actualidad, este tipo de
reguladores de voltaje se encuentra disponible como circuitos integrados de muy bajo costo y con diferentes voltajes
de salida y corriente, es decir potencia; adems, poseen proteccin contra corto circuito, proteccin trmica de sobrecarga, etctera. Un regulador muy popular en el diseo de circuitos electrnicos es el LM7085, que proporciona 5 V
CD y una corriente de hasta 1000 mA, ideal para muchas aplicaciones basadas en microprocesadores o microcontroladores. Pero, nos estamos adelantando, estas aplicaciones las veremos posteriormente.

DIODOS

DE PROPSITO ESPECFICO

Adicionalmente a la rectificacin, los diodos tienen otras aplicaciones muy tiles. Por ejemplo, ciertos diodos pueden
utilizarse como reguladores de voltaje o para emitir luz de diferentes colores. En esta seccin estudiamos dos diodos
de propsito especfico: los diodos emisores de luz (LED) y los diodos Zener.

Diodos emisores de luz


Los compuestos ternarios de galio, arsnico y fsforo se usan en el proceso de dopaje o doping durante la fabricacin
de diodos que emiten luz de diferentes colores, a los cuales se les llama diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en
ingls). Algunos de los colores de LED ms comunes son el rojo, el verde, el amarillo, el naranja y hasta el invisible
(infrarrojo).
Los LED han alcanzado mucha popularidad debido a sus caractersticas semiconductoras, por lo que son ampliamente usados en muchas aplicaciones, donde operan en lugar de las lmparas incandescentes. El material usado en la
construccin de su envolvente es semitransparente, de tal modo que la luz que emiten puede escapar y hacerse visible.
Recordemos el proceso de polarizacin directa de los diodos, en el cual los electrones del material tipo n cruzan hacia
el material tipo p y llenan sus huecos; es importante remarcar aqu que cuando los electrones libres se combinan llenando los huecos, liberan energa, la cual se emite principalmente en forma de calor o luz. En el caso de los diodos de
silicio, la recombinacin produce calor mientras que en los LED produce luz. Para el diodo de silicio, la luz no puede escapar porque el material no es transparente. Sin embargo, como el material del LED es semitransparente, la luz s
puede emitirse al ambiente circundante. El color de la luz emitida por el LED depende del tipo de compuesto usado
en su construccin.
El circuito esquemtico que representa al LED es un diodo con flechas apuntando hacia afuera de la unin, indicando la luz emitida cuando se polariza directamente, como se muestra en la figura 1.26.

=`^liX(%)- JdYfcf\jhl\d}k`Zf[\leC<;%
La barrera de potencial, VB, para un LED es considerablemente mayor que en un diodo de silicio; los valores tpicos van de 1.5 V a 2.5 V, aproximadamente. La cantidad exacta de la cada de voltaje en polarizacin directa vara dependiendo del color del LED y de la corriente que pasa a travs de l. Sin embrago, en la mayora de los casos se asume
una cada de potencial de 2 V para todos los colores y valores de corriente. No obstante, hay que poner atencin a las
hojas de datos del fabricante, ya que en la actualidad existen LED de baja potencia, de alta intensidad, etctera.
Por ejemplo, en la figura 1.27 a) se muestra un circuito tpico con LED, donde se requiere calcular la corriente del
LED en polarizacin directa.
18

El funcionamiento de los reguladores lineales es similar a una resistencia variable que mantiene el voltaje de carga constante gracias a la retroalimentacin proveniente de la carga misma. Por otro lado, en un regulador conmutado se emplean principalmente elementos de conmutacin e
inductores para lograr obtener el voltaje de carga deseado.

44

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

VENT = +24 V

Rs = 2.2 k

Rs = 2.2 k

VENT = 24 V

LED
VLED  2.0 V

LED

a)

b)

=`^liX(%). :`iZl`kfZfeleC<;gfcXi`qX[f[`i\ZkXd\ek\%X :`iZl`kf[\C<;%Y :`iZl`kf[\C<;dfjkiXe[fcXZX[X[\gfk\eZ`Xc


\egfcXi`qXZ`e[`i\ZkX%

Para este circuito, primero se asume una cada de potencial en polarizacin directa de 2 V, como se muestra en la
figura 1.27 b), a menos que los datos del fabricante indiquen otro valor. Posteriormente, se lleva a cabo la ley de
Kirchhoff para los voltajes VENT  ILEDRS VF(LED). De esta ecuacin obtenemos que:
ILED  (VENT VF(LED))/RS  (24 V 2 V)/2.2 k  10 mA
Una diligencia comn es determinar la resistencia limitadora de corriente, RS, para un circuito con LED, que proporcione una corriente de 20 mA. Para el circuito de la figura 1.27 b), tendramos que:
RS  (VENT VF(LED))/ILED  (24 V 2V)/ 20 mA  1 100
Un valor frecuente sera 1 k, con lo cual tendramos una corriente de 22 mA.
Los LED presentan un voltaje de ruptura, VBR, muy bajo, con valores tpicos que van desde los 3 V hasta los 15 V.
Debido a estos valores tan bajos de VBR, accidentalmente se pueden aplicar voltajes inversos que pueden daar los LED
o degradar su desempeo. Una forma de proteger a los diodos de polarizaciones de voltaje inversas, aunque tambin
aplica para otros circuitos, es usar un diodo de silicio en paralelo con el LED, como se muestra en la figura 1.28.
VENT = 24 V

Rs = 2.2 k

D1

Si

0.7 V

LED

=`^liX(%)/ ;`f[f[\j`c`Z`f\egXiXc\cfZfeleC<;ljX[fZfdfgifk\ZZ`e[\gfcXi`qXZ`fe\jXZZ`[\ekXc\j`em\ijXj%

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45

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

En caso de que ocurra una polarizacin inversa accidental para el LED, como conexin inversa o fallas causadas
en la fuente de alimentacin, el diodo de silicio se polarizar directamente, proporcionando una trayectoria adicional
de flujo de corriente hacia el diodo D1, protegiendo al LED, como se muestra en la figura 1.28.

Diodo Zener
El diodo Zener es un tipo de diodo que ha sido optimizado para operar en la regin de ruptura.19 Estos diodos no son
como los diodos rectificadores, los cuales se disean para operar lejos de esta regin. Uno de los usos ms importantes
de los diodos Zener es como referencia de voltaje o reguladores de voltaje en aplicaciones de baja corriente. El diodo
Zener se conecta en paralelo con la carga de la fuente de alimentacin, donde el voltaje Zener permanece constante a
pesar de las variaciones de corriente en la carga. La figura 1.29a muestra el smbolo esquemtico para el diodo Zener.
La figura 1.29 b) muestra la curva caracterstica tpica de un diodo Zener de silicio. En la regin de polarizacin
directa, el diodo Zener acta como un diodo rectificador comn y corriente, con una cada de potencial, VF, de 0.7 V,
cuando est conduciendo. Por otro lado, en la regin de polarizacin inversa, una pequea corriente de fuga fluye
hasta que se alcanza el voltaje de ruptura, VBR. En este punto, la corriente inversa se incrementa abruptamente; a dicha
corriente se le conoce como corriente Zener y se le denomina IZ. En la figura tambin podemos observar que al voltaje de ruptura se le designa, en este dispositivo, como voltaje Zener, VZ. Este voltaje permanece constante aun cuando
la corriente IZ se incrementa. Debido a esta caracterstica, el diodo Zener puede ser usado en circuitos de regulacin
de voltaje, ya que el voltaje VZ contina constante aun cuando la corriente IZ vara en un rango amplio.20
IF

Regin de
polarizacin

VF

VZ

IZT
Regin de
polarizacin inversa

IZM
a)

b)

=`^liX(%)0 ;`f[fQ\e\i%X JdYfcf\jhl\d}k`Zf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX#mfckj$Xdg\i\j#gXiXle[`f[fQ\e\i[\j`c`Z`f%


Los diodos Zener son normalmente especificados por los fabricantes por su voltaje Zener, VZ, de acuerdo con una
corriente de prueba IZT. Por ejemplo, el diodo Zener 1N4742A tiene un voltaje, VZ, de 12 V, para una corriente de
prueba, IZT, de 21 mA. El sufijo A indica una tolerancia en el voltaje Zener de 5%.
19

20

El diodo Zener lleva su nombre en honor del f sico norteamericano Clarence Melvin Zener (1905-1993), quien describi sus propiedades elctricas.
En realidad, el voltaje VZ no es perfecto, ya que no permanecer exactamente constante cuando la corriente IZ cambie. Existen ciertas variaciones
causadas por una pequea impedancia Zener, RZ, que todos los diodos Zener presentan. Esta RZ acta como una resistencia en serie con el diodo Zener. El efecto de RZ es que aparecern pequeos cambios en VZ cuando IZ vare.

46

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Otro parmetro importante de los diodos Zener es la potencia que disipa, PZ, la cual es determinada por la ecuacin PZ  IZ VZ. Por ejemplo, si un diodo Zener de 5.6 V tiene una corriente de 40 mA, su disipacin de potencia ser
PZ  IZ VZ  40 mA r 5.6 V  224 mW. Se debe tener cuidado que la disipacin de potencia en un diodo Zener sea
menor que la mxima disipacin de potencia, PZM, especificada por el fabricante, y la cual se obtiene por la ecuacin
PZM  IZM VZ, donde IZM es la mxima corriente Zener del diodo, como se muestra en la figura 1.29 b). Por tanto, la IZM
que un diodo Zener puede manejar de manera segura est dada por la ecuacin 1.23.
IZM  PZM/VZ

(1.23)

Si se excede el valor de IZM, es muy probable que en el diodo haga su aparicin el llamado humo mgico y el
diodo se dae de forma permanente.
Por ejemplo, si se tiene un diodo Zener de 12 V y 1 W, y se requiere saber la mxima corriente con la que se puede trabajar el diodo de manera segura, hacemos uso de la ecuacin 1.23.
IZM  PZM/VZ  1 W/12V  83.3 mA
Entonces, la mxima corriente Zener para este diodo no debe exceder los 83.3 mA.
Como se coment anteriormente, los diodos Zener se usan con frecuencia como referencias de voltaje o reguladores de voltaje en circuitos que demandan poca corriente. Para estas aplicaciones, el diodo Zener se conecta en
paralelo con una fuente de voltaje variable, de tal forma que este se polarice inversamente como se muestra en la figura 1.30.
Rs

+
+
VENT

VZ

VSAL

PZM

=`^liX(%*' GfcXi`qXZ`e`em\ijX[\le[`f[fQ\e\igXiXi\^lcXileX]l\ek\[\\ekiX[XZfemfckXa\mXi`XYc\%
El diodo conducir cuando el voltaje de la fuente, VENT , alcance el voltaje Zener, VZ, manteniendo el voltaje VZ
especificado; esto es, el voltaje VENT variable ser regulado a un voltaje de salida relativamente constante, VSAL , aun
cuando existan fluctuaciones en el voltaje de entrada. Sin embargo, debido a la baja impedancia de los diodos Zener,
se usa una resistencia RS para limitar la corriente en el circuito. Por tanto, la corriente IZ, que fluye en el diodo Zener, se
puede calcular usando la ecuacin 1.24.
IZ  (VENT VZ)/RS

(1.24)

Por ejemplo, la figura 1.31 muestra un diodo Zener de 6.2 V, usado como un regulador de voltaje sin carga. En
consecuencia, para obtener la corriente IZ utilizamos la ecuacin 1.24.
IZ  (VENT VZ)/RS  (25 V 6.2 V)/1 k  18.8 mA
No obstante, los circuitos reguladores sin carga, como el que se ilustra en la figura 1.31, son de poca utilidad, ya
que por lo general a estos circuitos se les conecta una carga RL, como se muestra en la figura 1.32.

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47

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

Rs = 1 k

+
+
VENT = 25 V

VZ = 6.2 V

VSAL

PZM = 1 W

=`^liX(%*( I\^lcX[fi[\mfckXa\Q\e\ij`eZXi^X%

Rs = 100 
VSAL = VZ = 7.5 V

+
VENT = 15 V

VZ = 7.5 V

PZM = 1 W

RL = 150 

=`^liX(%*) I\^lcX[fi[\mfckXa\Q\e\iZfeZXi^X%

Debido a que la carga RL se conecta en paralelo con el voltaje VZ, el voltaje en la carga, VL, es igual al voltaje en el
Zener; esto es, VL  VZ. La cada de voltaje en RS est dada por VENT VZ. Por tanto, la corriente en la resistencia se
puede calcular como:
IS  (VENT VZ)/RS  (15 V 7.5 V)/100  75 mA
La corriente en la carga IL se calcula usando la ley de Ohm:
IL  VZ/RL  7.5 V/150  50 mA
Usando la ley de Kirchhoff para las corrientes, podemos obtener la corriente IS por la ecuacin 1.25.
IS  IZ IL

(1.25)

Por tanto, IZ puede calcularse despejando de la ecuacin 1.25.


IZ  IS IL  75 mA 50 mA  25 mA
Con estos valores podemos calcular la potencia disipada del circuito:
PZ  IZVZ  25mA r 7.5 V  187.5 mW
Cuando el voltaje de entrada, VENT, es constante y la corriente IL disminuye debido a un aumento en RL, entonces
la corriente IZ se incrementar en la misma proporcin.

48

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 Los semiconductores tienen cuatro electrones de
valencia; es decir, son tetravalentes. El silicio (Si) y
el germanio (Ge) son ejemplos de este tipo de materiales.
 Un material semiconductor puro, con un solo tipo
de tomos, recibe el nombre de semiconductor
intrnseco; este no es ni buen conductor ni buen
aislante.
 Un semiconductor extrnseco es aquel semiconductor al cual se le aaden otros tomos no tetravalentes
mediante un proceso denominado dopaje o doping.
El dopaje incrementa la conductividad del material
semiconductor.
 Los semiconductores tipo n tienen muchos electrones libres como resultado de aadir tomos pentavalentes durante el proceso de dopaje. Los semiconductores tipo p tienen muchos huecos o vacos en
sus enlaces covalentes como resultado de aadir tomos trivalentes durante el proceso de dopaje. Un
hueco es considerado como una carga positiva.
 Un diodo semiconductor est formado por la unin
de un semiconductor tipo p y uno n. El diodo es un
dispositivo semiconductor que permite el flujo de
corriente en una sola direccin.
 Un diodo se polariza directamente haciendo su
nodo positivo con respecto al ctodo. Un diodo se
polariza inversamente haciendo el nodo negativo
con respecto al ctodo.
 Un diodo polarizado directamente muestra una resistencia muy baja, mientras que un diodo polarizado inversamente muestra una resistencia muy alta.
La relacin de resistencia inversa, RR, a resistencia
directa, RF , es al menos 1000:1.

PROBLEMAS

DEL CAPTULO

 Existen tres aproximaciones de circuitos equivalentes del diodo. La primera considera al diodo polarizado directamente como un interruptor cerrado. La
segunda aproximacin considera la barrera de potencial, VB , que para el diodo de silicio es 0.7 V. Ambas aproximaciones consideran al diodo polarizado
inversamente como un interruptor abierto con cero
corriente fluyendo a travs de l.
 Los circuitos rectificadores de media onda u onda
completa convierten un voltaje de CA en un voltaje
con una componente de CD.
 Para un rectificador de media onda sin filtro, el voltaje de salida de CD es 0.318 r VSAL(P), y para un rectificador de onda completa sin filtro es 0.636 r
VSAL(P).
 Cuando se conecta un capacitor a la salida de un rectificador, el voltaje de CD de salida es aproximadamente el voltaje pico, VP , del rectificador.
 La frecuencia del voltaje de rizo a la salida de un rectificador de media onda es la frecuencia de la seal
de entrada. Para un rectificador de onda completa es
el doble de la frecuencia de la seal de entrada.
 Los LED son diodos fabricados con compuestos ternarios de arsnico, galio y fsforo. Al polarizar el
diodo directamente, estos elementos emiten luz de
color rojo, amarillo, verde o naranja.
 La cada de voltaje de un LED polarizado directamente es de 1.5 V a 2.5 V. El voltaje de ruptura es tpicamente de 3 V a 15 V.
 El diodo Zener es un diodo especialmente diseado
para operar en la regin de ruptura. La aplicacin
ms comn del diodo Zener es como regulador de
voltaje en circuitos que requieren poca corriente.

9.2 V y el ctodo con 10.5 V, cmo es la polarizacin, directa o inversa?

sus siglas en ingls) e IO es la corriente promedio


mxima en polarizacin directa. Defina qu diodo
utilizara y por qu.

1.2 En una aplicacin donde se requiere rectificar una

1.3 La hoja de datos del diodo de silicio IN4002 especifi-

onda sinusoidal de 80 VPP a 0.6 A, se tienen tres opciones de diodos: a) el 1N4001 (PIV  50 V, IO  1 A),
b) el 1N4002 (PIV  100 V, IO  1 A) y c) el 1N4003
(PIV  200V, IO  1 A), donde el costo del diodo se
incrementa con su voltaje inverso de pico (PIV, por

ca un voltaje inverso VR de 100 V y una corriente


inversa IR de 0.05 A, a una temperatura de la unin
p-n de 25 C. Con estos datos, calcule la resistencia
inversa RR del diodo.

1.1 Si en un diodo de silicio se polariza el nodo con

tria
g r u p og reud pi too er di ai tl oprai ta r
lip
aa

49

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

1.4 Considerando la barrera de potencial en la aproxi-

1.7 En el circuito de la figura 1.36, calcule el voltaje de

macin de un diodo de silicio, resuelva el siguiente


circuito.

rizo usando las ecuaciones que aproximan el clculo


de este voltaje.
NP : NS
8:1

D1

RL = 470 

120 VCA
60 Hz

C = 1 000 F

Vs = 15 VCA

RL = 100 

VENT = 18 V

T1

=`^liX(%**

a)

1.5 Del circuito de la figura 1.34, donde la relacin de


vueltas NP:NS es 5:1, calcule el voltaje en el secundario del transformador VS (voltaje eficaz y voltaje de
pico), IL, IDIODO, fSAL y el PIV para el diodo.

VP = 20.51 V

0V
to

NP : NS
5:1

VSAL
D1

120 VCA
60 Hz

VSAL

16.67 m
T

RL = 300 

VCA

Tiempo, t

ts tf

b)

=`^liX(%*T1

1.8 En el circuito rectificador de la figura 1.37 se tiene

=`^liX(%*+
1.6 En el circuito de la figura 1.35 se tiene una relacin
de vueltas 3:1. Calcule el VCD , IL , IDIODO , PIV para
cada diodo y fSAL.

una relacin de vueltas del transformador de 8:1, un


capacitor de 100 F y se conecta una carga de 100 .
Calcule el voltaje de rizo usando las ecuaciones que
aproximan el clculo de este voltaje.

NP : NS
3:1

D1
120 VCA
60 Hz

D2
VSAL

Vs = 30 VCA
D3

D4

120 VCA
60 Hz
RL = 100 

T1

=`^liX(%*,

50

=`^liX(%*.

ELECTRNICA MIJAREZ

1 Dispositivo semiconductor bsico: el diodo

1.9

En el circuito de la figura 1.38, calcule la corriente


del LED.

1.13

En el circuito de la figura 1.41, calcule IS, IL, IZ y


PZ.
Rs = 100 

Rs = 1.5 k

VSal = VZ = 7.5 V

VEnt = 15 V

15 V

VZ = 7.5 V
PZM = 1 W

LED

RL = 250 

=`^liX(%+(
a)

1.14

=`^liX(%*/

En el circuito de la figura 1.42, calcule IS, IL e IZ,


para valores de RL  270 y RL  510 .
Rs = 100 

1.10

En el circuito de la figura 1.39, calcule la resistencia limitadora para tener una corriente de LED de
20 mA.

VSAL

VENT = 9 V

V = +9 V

+
VZ = 5.1 V
PZM = 500 mW

RL

Rs

=`^liX(%+)

+
LED

VLED 2.0 V

1.15

En el circuito del problema anterior (1.14), calcule


el valor de IZ si RL se abre.

1.16

Defina cuntos electrones de valencia tiene un


tomo de silicio o de germanio.

1.17

Defina la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno extrnseco.

1.18

En un material semiconductor describa cmo se


crea un par electrn-hueco.

1.19

Cul es valor de la barrera de potencial para un


diodo de silicio y para uno de germanio?

1.20

En un diodo polarizado inversamente defina cul


es la causa principal de la corriente de fuga.

1.21

Si se polariza directamente un diodo de silicio con


un voltaje de 0.5 V, defina cul es la corriente que
fluye a travs del diodo.

1.22

El diodo es un dispositivo lineal o no lineal. Explique su respuesta.

1.23

Explique cmo puede probarse el estado de un


diodo con un multmetro.

1.24

Qu aproximacin de circuito equivalente para


un diodo se usara si se requiere conocer de manera general los voltajes y las corrientes de un circuito?

b)

=`^liX(%*0
1.11

Se cuenta con un diodo Zener de 5.6 V y 0.5 W, calcule la mxima corriente Zener para este diodo.

1.12

Calcule la corriente IZ para el circuito regulador


sin carga de la figura 1.40.
Rs = 1 k

+
+
VENT = 25 V

VZ = 9.1 V

VSAL

PZ = 1 W

=`^liX(%+'

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51

2 El activo
transistor

El transistor es el ingrediente principal de todo circuito electrnico, desde el amplificador u oscilador


ms simple hasta la computadora digital ms sofisticada. En la actualidad, los circuitos integrados
(CI) han reemplazado casi por completo la construccin de circuitos, mediante el uso de transistores discretos, los cuales son meros arreglos de transistores y otros componentes que se construyen
en un mismo material semiconductor. Un buen entendimiento del funcionamiento del transistor es
primordial, aun cuando la mayora de los circuitos electrnicos que se construyen hoy en da emplean CI. Esta importancia reside en la necesidad de conocer las propiedades de entrada y salida de
cada CI, con el propsito de realizar su interfaz o conexin a otros CI o al mundo exterior. Asimismo, porque hay situaciones en el diseo de equipo electrnico donde el CI que cumpla todos los
requerimientos simplemente no existe, por lo que es necesario apoyarse en circuitos que involucren
transistores discretos para realizar el trabajo. Por ende, en este captulo se analizan las caractersticas de construccin y de operacin de los transistores bipolares, BJT, de los arreglos de transistores
Darlington y de los transistores tipo FET, principalmente operando como interruptores, ms que
como amplificadores. Para funciones de amplificacin, en el captulo 5 se estudian con detalle las
caractersticas tericas y prcticas de los CI denominados amplificadores operacionales (OP AMP).
Aprender cmo usar los transistores puede ser apasionante y divertido; entonces, empecemos. En
este captulo estudiamos:

X Construccin del transistor bipolar BJT.


X Polarizacin del transistor BJT.

53

2 El activo transistor

X
X
X
X
X
X
X
X
X

Regiones de operacin de los transistores.


Valores mximos de potencia.
Verificacin del transistor BJT con un hmetro.
Transistor BJT como interruptor.
Transistor Darlington.
Transistor FET.
Tipos de transistores FET.
Operacin y caractersticas principales del JFET.
Transistor FET como interruptor.

CONSTRUCCIN

DEL TRANSISTOR

El transistor es el ejemplo ms importante de un componente activo; es un dispositivo que puede amplificar, produciendo una seal de salida con ms potencia que su seal de entrada. La potencia adicional la obtiene de una fuente de
potencia externa, exacto!, de la fuente de alimentacin. La propiedad de amplificacin de potencia, voltaje o corriente, fue lo ms importante para los inventores del transistor, ya que para saber que haban inventado algo, alimentaron
con un transistor un altavoz o bocina, observando que la seal de salida sonaba ms fuerte que la seal de entrada.1
Iniciamos esta seccin estudiando la construccin bsica del transistor bipolar de unin (BJT, por sus siglas en
ingls), sus caractersticas generales y su polarizacin, principalmente para funcionar como interruptor.
El transistor es un semiconductor construido con tres regiones dopadas y tres terminales, como se muestra en la
figura 2.1. En la figura 2.1 a) se observa un transistor npn, mientras que la figura 2.1 b) ilustra un transistor pnp. En
estas figuras podemos observar que, para ambos transistores, la base es la regin ms angosta, la cual se encuentra
entre las regiones ms anchas del emisor y el colector.

<d`jfi

e

g

:fc\Zkfi

<d`jfi

e

g

9Xj\

9Xj\

:fc\Zkfi

=`^liX)%( :fejkilZZ`e[\ckiXej`jkfiZfejljki\ji\^`fe\j[fgX[Xj%X KiXej`jkfiege%Y KiXej`jkfigeg%


La regin del emisor es densamente dopada; su funcin es emitir o inyectar portadores de corriente a la regin de
la base. En tanto, la base es un rea muy delgada y ligeramente dopada. La mayora de los portadores inyectados en la
base desde el emisor no se va hacia la terminal de la base, sino que pasan hasta la regin del colector. El rea del colector es la ms grande de las tres regiones, y su dopaje es moderado. El colector, como su nombre lo indica, colecta o
atrae a los portadores de corriente que son inyectados a la base. La razn por la que la regin del colector es la ms
1

El 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron, en los laboratorios Bell, la operacin de amplificacin del primer
transistor, el cual fue llamado transistor de punta de contacto, considerado el predecesor del transistor de unin inventado por William B. Shockley. Los tres f sicos estadounidenses obtuvieron patentes independientes por cada transistor y fueron galardonados con el Premio Nobel de
Fsica en 1956. Shockley dej los laboratorios Bell y se fue a California, su tierra natal, para crear su propia empresa, donde contrat jvenes
brillantes de las universidades aledaas. Por su parte, algunos de estos investigadores abandonaron su empresa y formaron Fairchild Semiconductors e Intel. Hoy sabemos el gran impacto en nuestras sociedades que sigue teniendo el descubrimiento del transistor, para algunos el invento ms influyente del siglo xx.

54

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

grande es porque tiene que disipar ms calor que la base y el emisor. La figura 2.2 muestra la construccin de uno de
los primeros transistores npn de germanio, diseado en Japn.2

=`^liX)%) :fejkilZZ`e[\lef[\cfjgi`d\ifjkiXej`jkfi\jege[\^\idXe`f%
En el transistor npn, los portadores de corriente mayoritarios son electrones libres en el emisor y en el colector,
mientras que los portadores de corriente mayoritarios en la base son los huecos. En el transistor pnp sucede lo opuesto; en el emisor y colector los portadores de corriente mayoritarios son los huecos, mientras que los portadores de
corriente mayoritarios en la base son los electrones libres.
La figura 2.3 muestra las capas o regiones de agotamiento en un transistor npn sin polarizar. La difusin de electrones de ambas regiones n hacia la base p genera una barrera de potencial, VB, para ambas uniones pn. La unin pn a
la izquierda del transistor es llamada la unin emisor-base, EB, mientras que la unin de la derecha es llamada la unin
base-colector, BC. Para el silicio, la barrera de potencial en ambas uniones es aproximadamente 0.7 V.
e

g

<d`jfi

:fc\Zkfi

<d`jfiYXj\
:XgX[\X^fkXd`\ekf

:fc\ZkfiYXj\
:XgX[\X^fkXd`\ekf
9Xj\

=`^liX)%* I\^`fe\j[\X^fkXd`\ekf[\lekiXej`jkfiege%
En la figura 2.3 se puede apreciar que los smbolos de menos (-) se usan en el emisor y colector tipo n, para indicar
la concentracin de los portadores de carga mayoritarios, electrones libres, en esas regiones. Mientras que para indicar los portadores mayoritarios, huecos, en la base tipo p se usan pequeos crculos.
El smbolo esquemtico para ambos tipos de transistores se muestra en la figura 2.4. Es importante notar que para
el transistor npn de la figura 2.4 a), la flecha en el emisor apunta hacia afuera, mientras que para el transistor pnp, en
la figura 2.4 b), la flecha en el emisor apunta hacia adentro.
:fc\Zkfi:

9Xj\9

:fc\Zkfi:

9Xj\9

<d`jfi<
X

<d`jfi<
Y

=`^liX)%+ JdYfcf\jhl\d}k`Zf[\ckiXej`jkfi9AK%X KiXej`jkfiege%Y KiXej`jkfigeg%


2

La industria electrnica en Japn dio un impulso muy grande a su economa, con industrias como Sony, de gran influencia en el plano internacional. Existe un video muy interesante y altamente recomendable llamado video-historia de la industria electrnica de Japn, que normalmente se consigue en la embajada de ese pas y ha sido transmitido por televisin.

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55

2 El activo transistor

Los transistores npn o pnp no difieren en trminos de su capacidad para amplificar potencia, voltaje o corriente.
Sin embargo, cada tipo requiere diferentes polaridades para su correcta operacin. Por ejemplo, en un transistor npn,
el voltaje colector-emisor, CE, debe ser positivo, mientras que en el transistor pnp, el voltaje CE debe ser negativo.

Polarizacin del transistor BJT


Para que un transistor funcione adecuadamente como amplificador, la unin emisor-base, EB, debe polarizarse directamente, mientras que la unin colector-base, CB, debe polarizarse inversamente, como se ilustra en la figura 2.5.
<d`jfi

 e

g

:fc\Zkfi

9Xj\

M<<

"

M::

"

=`^liX)%, GfcXi`qXZ`e[\lekiXej`jkfiegegXiXcXZfe\o`e[\YXj\Zfde%
Observe que en esta conexin la terminal de la base es comn para ambas uniones. El voltaje de alimentacin de
la unin EB se designa como VEE , mientras que al voltaje de alimentacin en la unin CB se le denomina VCC.
La figura 2.6 muestra las corrientes del emisor IE, la corriente de la base IB y la corriente del colector IC. Los electrones del emisor tipo n son repelidos hacia la base por la terminal negativa de la fuente de alimentacin VEE. Como la
regin de la base es muy angosta y ligeramente dopada, solo algunos electrones se combinan con los huecos. La corriente que fluye hacia la terminal de la base, la corriente IB, es muy pequea, y a esta se le denomina corriente de recombinacin, debido a que los electrones libres inyectados en la base deben llenar los huecos antes de que puedan fluir
hacia la terminal de la base.


e

g

<

:
@:

@<

@9

M<<

"

M::

"

=`^liX)%- :fii`\ek\j[\\d`jfi#@<#[\YXj\#@9#p[\Zfc\Zkfi#@:#[\lekiXej`jkfiegegfcXi`qX[fZfeZfe\o`e[\YXj\Zfde%
En la figura 2.6 podemos observar que la mayora de los electrones inyectados del emisor a la base pasan hacia la
regin del colector. Hay dos razones para que esto suceda as. Primero, solo algunos huecos se encuentran disponibles
para recombinacin en la base; segundo, el voltaje positivo CB atrae electrones libres de la regin de la base tipo p
hacia la regin del colector antes de que se combinen con los huecos en la base tipo p.
Para colectar la mayora de los electrones libres inyectados del emisor a la base, es necesario crear un campo
elctrico lo suficientemente fuerte en la unin colector-base, el cual puede lograrse con un pequeo voltaje. Despus
de que el voltaje colector-base alcanza cierto nivel, incrementar este voltaje tendr un efecto mnimo o ningn efecto
en el nmero de electrones libres que entran al colector. De hecho, si el voltaje CB es muy grande, el voltaje de ruptura se podra exceder, lo cual daara al transistor.

56

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Si observamos los sentidos de las corrientes en la figura 2.6, es fcil que podamos obtener la relacin que existe
entre estas mediante la ecuacin 2.1.
IE  IB IC

(2.1)

En la mayora de los transistores la IB es muy pequea, por lo que IC tiene aproximadamente el valor de IE. Por
ejemplo, si un transistor tiene una corriente IB  20 mA y una corriente IC  1.48 A, y se requiere calcular la corriente
IE, podemos hacer uso de la ecuacin 2.1. As:
IE  IB IC  1.48 A 0.02 A  1.5 A
Una de las caractersticas que define qu tan cercanos son los valores de IE con respecto a IC es la llamada alfa de
CD, a la cual se le designa como , y es expresada por la ecuacin 2.2.

A

IC
IE

(2.2)

En la mayora de los casos, el alfa de CD es 0.99 o mayor. Entre ms delgada y menos dopada sea la regin de la
base, el valor se acercar ms a la unidad. En muchos anlisis, su valor es tan cercano a la unidad, que se ignora la diferencia entre IC e IE.
Por ejemplo, si se tiene un transistor con una corriente IE  25 mA y una IB  50 A, y se desea obtener el alfa de
CD; primero, de la ecuacin 2.1 despejamos IC :
IC  IE IB  25 mA 0.050 mA  24.95 mA
Despus, usando la ecuacin 2.2 calculamos :

A

I C 24.95mA

 0.998
IE
25mA

Otra forma de conexin para un transistor, en este caso un transistor npn, se muestra en la figura 2.7, al que se
denomina emisor comn, debido a que la terminal del emisor es comn a ambos lados del circuito. En esta conexin,
los voltajes externos utilizados para polarizar el transistor son VBB y VCC . El primero, VBB , provee una polarizacin
directa a la unin base-emisor, BE, mientras que VCC proporciona una polarizacin inversa a la unin colector-base,
CB. Las flechas indican el sentido de las corrientes IE , IC e IB .

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e

"
M::

"

M99

@9

@<4@9"@:
@:

=`^liX)%. KiXej`jkfigfcXi`qX[fgXiXleXZfe\o`e[\\d`jfiZfde%
La ganancia de corriente de CD en un transistor conectado en configuracin de emisor comn se llama beta
de CD, y se le designa por la letra griega o por la constante hfe . La beta de CD es expresada por la ecuacin 2.3.

B

IC
IB

grupo editorial patria

(2.3)

57

2 El activo transistor

Por ejemplo, si se tiene un transistor con una corriente IC  15 mA y una IB  40 A, y se pide calcular la beta
de CD. Entonces, usando la ecuacin 2.3, tenemos

B

15mA
 375
40A

Otro ejemplo tpico es que se nos proporcionen la beta de CD y la corriente IB ,  200 e IB  60 A, y se requiera
calcular la corriente IC . Para esto, despejamos IC de la ecuacin 2.3:
IC  r IB  200 r 60 A  12 mA
Ahora bien, los parmetros de CD y pueden relacionarse uno a otro, esto es, si es conocido, puede calcularse usando la ecuacin 2.4:

A

B
B 1

(2.4)

Del mismo modo, si se conoce , se puede calcular usando la ecuacin 2.5:

B

A
1 A

(2.5)

Por ejemplo, si un transistor tiene una  150 y se pide obtener , hacemos uso de la ecuacin 2.4:

A

B
150

 0.993
B 1 150 1

Otro ejemplo es que tenga  0.996 y se solicite encontrar :

B

REGIONES

A
0.996

 249
1 A 1 0.996

DE OPERACIN DE LOS TRANSISTORES

Existen diferentes regiones de operacin del transistor, como son la regin de saturacin, la de corte, la activa y la de
ruptura. Para describir estas regiones, usaremos el transistor npn conectado en emisor comn de la figura 2.8 a).
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En este circuito se puede observar que los voltajes de polarizacin, VBB y VCC , son variables y que el valor de la
resistencia de base, RB , se usa para controlar la cantidad de corriente de base, IB. Con un valor fijo de RB, VBB puede
ajustarse para producir la corriente de base deseada.

58

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Al variar VBB se puede proveer de un rango amplio de valores de corriente de colector y de corriente de base. Si
asumimos que el voltaje VBB ha sido ajustado para producir una corriente de base IB  50 A y que  100, entonces
podemos calcular la corriente de colector mediante IC  IB  100 50 A  5 mA.
En tanto se mantenga polarizada inversamente la unin colector-base, IC se mantendr en 5 mA; esto ocurrir
independientemente del valor del voltaje colector-base, VCB. En la figura 2.8 a) tambin podemos observar que VCC
puede variarse desde varios volts hasta unas cuantas decenas de volts, sin ningn efecto en la corriente de colector IC .
Lo anterior es cierto siempre y cuando no se exceda el voltaje de ruptura de colector-emisor. Si VBB se incrementa para
tener una corriente de base IB  70 A, entonces IC  IB  100 70 A  7 mA. De igual manera, si VCC se vara
desde unas cuantas decenas de volt hasta varios volts, no se tendr ningn efecto en la corriente de colector IC ; y, por
tanto, esta permanecer constante, como se observa en la figura 2.8 b).
De la figura 2.8 a) tambin podemos resaltar que el VCE  VCB VBE. Cuando el VCB es arriba de cero volts, es
decir unas decenas de volt, el diodo que hace la unin colector-base es polarizado inversamente y la corriente de colector IC  IB. Esto es importante, ya que significa que la corriente de colector IC es controlada nicamente por la
corriente de base IB.

Regin de saturacin
La grfica de VCE vs. IC de un transistor npn para varios valores de corriente IB se muestra en la figura 2.9. Ah, podemos observar que cuando el VCE es cero, la corriente IC es cero, debido a que la unin colector-base no se polariza
inversamente. Si no existe un voltaje positivo conectado a la terminal del colector, este no puede atraer electrones
desde la base. Sin embargo, cuando el voltaje colector-emisor, VCE, se incrementa desde cero, la corriente IC tambin
se incrementa de forma lineal. Al rea vertical de las curvas, cerca del origen, se le llama regin de saturacin. Cuando el transistor se encuentra saturado, la corriente de colector, IC, ya no es controlada nicamente por la corriente de
base IB.3
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Regin de corte
Cuando la corriente IB  0, la curva caracterstica se encuentra muy cerca del eje horizontal, como se muestra en la figura 2.9. Esta rea se llama regin de corte, ya que la corriente del colector, IC, es muy pequea; para los transistores de
silicio, IC por lo general es ignorada. Por tanto, se dice que un transistor est en corte cuando la corriente IC es cero.
3

Cuando un transistor se encuentra saturado, por ms que se incremente la corriente de base, IB , la corriente de colector, IC, ya no se incrementar. Esto es anlogo a la esponja que absorbe agua, llega un punto en el que por ms agua que le agreguemos, no absorber ms, ya que se
encuentra saturada.

grupo editorial patria

59

2 El activo transistor

Regin activa
La regin activa del transistor es aquella en que las curvas caractersticas del colector son prcticamente horizontales,
como se muestra en la figura 2.9. Cuando el transistor opera en esta regin, la corriente de colector, IC, es mayor que
la corriente de base, IB, por un factor de ganancia beta; esto es, IC  r IB. En esta regin, el circuito del colector acta
como una fuente de corriente.

Regin de ruptura
La regin de ruptura ocurre cuando el voltaje colector-base, VCB, es demasiado grande; en este caso, la unin del diodo colector-base presenta una ruptura elctrica, permitiendo que una corriente de colector, IC, muy grande y no deseada, fluya por el circuito. Esta rea de operacin debe evitarse en el diseo con transistores. Esta regin no se
muestra en la figura 2.9 porque se asume que la ruptura del transistor no ocurrir cuando el diseo del transistor
se realiza de forma adecuada; de lo contrario, podramos ver aparecer el humo mgico indicando el dao.

VALORES

MXIMOS DE OPERACIN

Los transistores, como cualquier otro dispositivo, presentan ciertas limitaciones en su operacin, las cuales se especifican en la hoja de datos del producto que proporciona el fabricante, donde tambin se incluyen los valores mximos
de operacin. Estos valores son el voltaje de colector-base, VCB , el voltaje colector-emisor, VCE , el voltaje emisor-base,
VEB , la corriente de colector, IC, y la potencia de disipacin, Pd.

Potencia de disipacin Pd
La potencia de disipacin, Pd, de un transistor se obtiene multiplicando la corriente IC por el voltaje VCE, como se
muestra en la ecuacin 2.6:
Pd  IC r VCE

(2.6)

El valor de esta multiplicacin no debe exceder el proporcionado como valor mximo por el fabricante Pd(mx). La
ecuacin 2.6 tambin puede usarse para obtener la mxima corriente IC, para un valor especfico de voltaje VCE.
Por ejemplo, para el transistor de la figura 2.8 a) se pide calcular el Pd, VCC  9 V, IB  40 A y se asume una
 100. Entonces, primero calculamos la corriente de colector IC  r IB  100 r 60 A  6 mV; posteriormente, de la
figura 2.8 a), tenemos que VCC  VCE  9 V. Por tanto, usando la ecuacin 2.6 podemos calcular Pd:
Pd  IC VCE  6 mV 9 V  54 mW
Por ende, el transistor seleccionado debe tener una potencia de disipacin mxima mayor a los 54 mW, para evitar
que se pueda daar.4
Otro ejemplo sera obtener la mxima IC en el transistor cuando se tiene la potencia Pd y el voltaje VCE. Para este
caso, Pd  0.5 W y el voltaje VCE  15 V. Despejando IC de la ecuacin 2.6, obtenemos:
IC  Pd /VCE  0.5 W/15 V  33.3 mA

Los transistores de pequea seal, por lo general, presentan una Pd de aproximadamente W, mientras que los transistores de potencia tienen
una Pd mayor a W.

60

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Factor de reduccin de Pd
La disipacin de potencia, Pd, normalmente es proporcionada por el fabricante a una temperatura ambiente, TA, de
25 C.5 Conforme se aumenta la temperatura, la disipacin de potencia, Pd, se hace menor. Para los transistores de silicio, la mxima temperatura de unin se encuentra entre los 125 a 200 C; temperaturas mayores a este rango destruirn el transistor. Esta es la razn por la cual los fabricantes de transistores deben especificar la mxima disipacin de
potencia, y los diseadores deben mantener esta potencia a valores menores a lo especificado, de tal manera que la
temperatura de la unin no alcance tales niveles de destruccin. Por lo general, los fabricantes proporcionan el factor
de reduccin de Pd para temperaturas arriba de los 25 C; este factor de reduccin es especificado en W/C. Por ejemplo, si el transistor tiene un factor de reduccin de 2 mW/C, significa que por cada 1 C que se eleve la temperatura
de la unin, la capacidad de disipacin de potencia del transistor se reducir 2 mW.
En otro ejemplo se tiene un transistor de W de Pd, esto es 250 mW, a temperatura ambiente, TA, de 25 C, y el
factor de reduccin es 2.4 mW/C, y se desean calcular las caractersticas de potencia a 60 C. Por tanto, primero,
calculamos la variacin de temperatura T  60 C 25 C  35 C y despus multiplicamos esta variacin T por el
factor de reduccin de Pd:
Pd  T factor de reduccin  35 C r 2.4 mW/C  84 mW
Finalmente, restamos este valor de potencia, Pd, del valor original, 250 mW, para obtener el nuevo Pd a 60 C:
Pd  250 mW 84 mW  166 mW

Voltajes de ruptura
Otros parmetros importantes que listan las hojas de datos del transistor son los voltajes de ruptura correspondientes
a las uniones colector-base, emisor-base y colector-emisor. Por ejemplo, para el transistor de pequea seal 2N3904
los voltajes de ruptura son:
VCBO  60 V; VEB0  6 V y VCEO  40 V
Los primeros dos subndices de estos voltajes indican las terminales del transistor para las cuales aplica el voltaje,
mientras que el tercer subndice indica la condicin de tercer terminal no involucrada. Por ejemplo, el voltaje VCEO
indica que el mximo voltaje permitido entre las terminales de colector y emisor es 40 V, con la terminal de la base
abierta. El exceder cualquiera de estos voltajes puede resultar en dao permanente del transistor.

VERIFICACIN

DEL TRANSISTOR CON UN HMETRO

Debido a que los transistores estn conformados por uniones p-n, emisor-base y colector-base, estos pueden verificarse usando un hmetro. 6 La figura 2.10 muestra un transistor npn reemplazado por su circuito equivalente de diodos.
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5

Para los transistores de potencia, el factor de reduccin de Pd se especifica considerando la temperatura del encapsulado, TC , en lugar de la
temperatura ambiente, TA.
La funcin de hmetro puede obtenerse de multmetros analgicos, prcticamente en desuso, o de multmetros digitales, que tambin presentan
la opcin de prueba de diodos.

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61

2 El activo transistor

En la fabricacin de circuitos integrados, los transistores son los elementos ms importantes, por lo que su geometra y el dopado de sus capas se eligen para optimizar sus caractersticas. Por lo general, no es econmicamente
viable realizar geometras adicionales para construir diodos. En consecuencia, los transistores son adaptados para
operar como diodos, como se ilustra en la figura 2.11.

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Pero nos estamos desviando, para verificar la unin base-emisor de un transistor npn, primero se conecta un
hmetro polarizando la unin de manera directa, como se muestra en la figura 2.12 a), esperando leer una resistencia
baja; posteriormente, se invierten los cables del hmetro polarizando la unin inversamente, como se muestra en
la figura 2.12 b), y se espera leer una resistencia muy alta. Para una unin de silicio en buen estado, la relacin entre la
resistencia de polarizacin inversa y la resistencia de polarizacin directa, RR/RF , es del orden de 1000:1 o mayor.
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Y :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e`em\ijX%

Para verificar el estado de la unin colector-base se repite el mismo procedimiento anterior, que por claridad se
muestra en la figura 2.13.

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Y :fe\o`eZfele_d\kif\egfcXi`qXZ`e`em\ijX%

62

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Otra medicin que con frecuencia se realiza con un hmetro, aunque no se muestra en las figuras 2.12 y 2.13, es
la resistencia entre el colector-emisor, la cual debe ser muy alta o infinita para ambas conexiones del medidor.
De las figuras 2.12 y 2.13, se puede deducir que obtener lecturas de baja resistencia en ambas conexiones indica
que el transistor se encuentra en corto circuito. Si, por el contrario, el hmetro indica una alta resistencia en ambas
conexiones significa que el transistor se encuentra abierto. En ambos casos, el transistor se encuentra defectuoso y
debe reemplazarse.
Cuando se usan multmetros digitales, se debe seleccionar la opcin de hmetro. Existen incluso multmetros
digitales capaces de indicar el beta de CD del transistor, ya sea npn o pnp, solo se tienen que insertar las terminales del
transistor en un enchufe y, mediante un selector, escoger el tipo npn o pnp.

TRANSISTOR

COMO INTERRUPTOR

El transistor puede usarse como interruptor para conectar y desconectar una carga RL del voltaje de alimentacin VCC ,
como se muestra en la figura 2.14 a). La diferencia con un interruptor mecnico es que el transistor puede ser operado elctricamente y su respuesta de operacin es ms rpida. En el caso del interruptor mecnico, este no permitir
flujo de corriente hacia la carga RL cuando se encuentre abierto; pero, al momento de cerrar el interruptor, todo el
voltaje de VCC aparecer en la carga RL , como se ilustra en la figura 2.14 b). Idealmente, el transistor operado como
interruptor debera tener las mismas caractersticas que su contraparte mecnica, aunque en la realidad tiene ligeras
diferencias que ya analizaremos.

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IC

IC
J

K
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Y

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En esta seccin analizamos, de manera intuitiva, mediante modelos simplificados, el comportamiento del transistor
como interruptor de CD, que es una de sus principales aplicaciones.
Cuando el transistor se usa como interruptor, es til identificar sus tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de saturacin y regin activa, como se ilustr en la figura 2.9; adems, es importante mencionar que el transistor puede usarse en configuracin de base comn, colector comn o emisor comn. Aunque, la configuracin de
emisor comn es la ms usada en transistores npn, debido a que la seal que se encarga de operar el interruptor, voltaje o corriente, es pequea en comparacin con la corriente o voltaje de carga que maneja el interruptor.7 El objetivo
es que el transistor pueda operar esta corriente o voltaje grande entre colector y emisor, y sea comandado por una
corriente o voltaje muy pequea en la base. La figura 2.15 presenta un dibujo que ayudar a representar el comportamiento del transistor en esta configuracin.
En la figura 2.15 se muestra a una persona como operador dentro del transistor, cuyo trabajo perpetuo es ajustar
un potencimetro variable. El operador interno del transistor observa la corriente de base, IB, y ajusta la salida de tal
manera que la corriente colector se mantenga de acuerdo con la ecuacin IC  IB. Sin embargo, al operador solo se le
permite modificar la resistencia variable, de tal modo que puede ir desde corto circuito (transistor en saturacin) hasta circuito abierto (transistor en corte), o a un estado intermedio (transistor en regin activa).

En configuracin de emisor comn, el emisor es conectado a tierra y es comn a la entrada y a la salida del circuito.

grupo editorial patria

63

2 El activo transistor

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=`^liX)%(, :fdgfikXd`\ekf[\ckiXej`jkfi\eZfe\o`e[\\d`jfiZfdefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfi%
Una forma de intuir el comportamiento del transistor como interruptor y hacerlo operar desde la regin de corte a la regin de saturacin y viceversa, es utilizar un modelo8 simplificado del mismo, como se muestra en la figura 2.16.
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El modelo de la figura 2.16 considera dos ramas para cada tipo de transistor: un diodo de la base al emisor y un
interruptor del colector al emisor. El emisor es el punto comn entre las dos ramas. Usando este modelo, analizamos
el comportamiento del transistor.
El transistor deber encontrarse en estado de corte cuando el voltaje en el diodo, entre la base y el emisor, no es lo
suficientemente grande para polarizar la unin en forma directa, por lo que no fluir corriente a travs del diodo; en
consecuencia, la corriente del emisor (y del colector) ser nominalmente cero y el interruptor se mantendr abierto.
El transistor se encontrar en estado de saturacin y el interruptor se cerrar cuando el diodo, unin base-emisor,
se polarice directamente y la corriente de base IB se establezca de tal forma que la corriente de colector est definida
por IC = IB. En este caso, mientras la unin base-emisor se polariza directamente, la unin colector-base se polarizar inversamente. De lo anterior, podemos observar que el estado del interruptor depende de la relacin entre las
corrientes IB e IC y la ganancia de corriente de CD, o hfe , como lo especifican las hojas de datos.
Considerando el interruptor del modelo simplificado del transistor, se requiere habilitar o deshabilitar el paso de
corriente del circuito de la figura 2.17.
Cuando el interruptor se encuentra abierto, no fluye corriente por la resistencia y el voltaje de salida, VSAL, es igual al
voltaje de alimentacin, VCC. Si empujamos el interruptor, este se cerrar y conectar la resistencia a tierra. Entonces,

Un modelo es una representacin simplificada, en este caso del transistor, que ayuda a incrementar el entendimiento intuitivo de su funcionamiento, y sirve para predecir su comportamiento en ciertas circunstancias.

64

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

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MJ8C

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tendremos el voltaje VCC entre las terminales de la resistencia. Usando la ley de Ohm, la corriente de colector ser
IC  12 V/600  20 mA.
En lugar de cerrar el interruptor con nuestro dedo, podemos usar una seal elctrica proveniente, por ejemplo, de
un sensor o un microcontrolador, para amplificar su capacidad de salida. Vamos a suponer que la seal elctrica es
de 5 V y no puede proveer ms de 1 mA de corriente. El componente electrnico perfecto para realizar este trabajo
es nada menos que nuestro transistor! Para este ejemplo usaremos el modelo simplificado de un transistor npn,
como se muestra en la figura 2.18.

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Una corriente de 20 mA, como la requerida en este ejemplo, en esta conexin de emisor comn, es asequible casi
por cualquier transistor. En este caso, vamos a seleccionar un transistor de pequea seal como el BC547C, cuyas
caractersticas elctricas se muestran en la tabla 2.1.
La condicin que debe satisfacerse para activar el interruptor, es decir llevar al transistor al estado de saturacin,
es que IB >> IC/hfe . Los fabricantes, por lo general, no especifican en la hoja de datos un valor preciso de hfe o , ya
que este vara de transistor a otro y con las condiciones elctricas y trmicas. No obstante, es posible obtener un valor
aproximado de hfe relacionado con la corriente de colector, IC , requerida. Debido a que IC  20 mA, de la hoja de datos
podemos tomar la corriente IC  2 mA, la cual nos indica un hfe  500, y tambin considerar la corriente IC  100 mA,
que nos indica un hfe  400. Un valor intermedio sera un hfe = 450. Por tanto, si IC  20 mA y hfe  450 podemos tener
la relacin:
I C 20mA

 0.044mA
h fe
450
Con este clculo se puede observar que obtenemos el valor de IB. Sin embargo, para asegurar que el transistor
entre en estado de saturacin, se necesita que el valor calculado en la expresin anterior sea mayor, por lo general un
factor de diez. Por tanto, la corriente IB necesaria sera:

grupo editorial patria

65

2 El activo transistor

Transistor npn BC547


Caractersticas elctricas
Smbolo

Mn.

Tipo

Mx.

Unidad

Ganancia de corriente, grupo A

hfe

---

90

---

---

hfe

---

150

---

---

hfe

---

270

---

---

Ganancia de corriente, grupo A

hfe

110

180

220

---

hfe

200

290

450

---

hfe

420

500

800

---

Ganancia de corriente, grupo A

hfe

---

120

---

---

hfe

---

200

---

---

Ganancia de corriente CD
con VCE  5 V, IC  10 A

con VCE  5 V, IC  2 mA

con VCE  5 V, IC  100 mA

hfe

---

400

---

---

RthJA

---

---

2501)

K/W

con IC  10 mA, IB  0.5 mA

VCEs at

---

80

200

Mv

con IC  100 mA, IB  5 mA

VCEs at

---

200

600

mV

con IC  10 mA, IB  0.5 mA

VBEs at

---

700

---

mV

con IC  10 mA, IB  0.5 mA

VBEs at

---

900

---

mV

con VCE  5 V, IC  2 mA

VBE

580

660

700

mV

con VCE  5 V, IC  10 mA

VBE

---

---

720

mV

C
Resistencia trmica de la unin a temp. ambiente
Voltaje de saturacin del colector

Voltaje de saturacin de la base

Voltaje base-emisor

Corriente de corte colector-emisor

---

con VCE  80 V

BC546

ICES

---

0.2

15

nA

con VCE  50 V

BC547

ICES

---

0.2

15

nA

con VCE  30 V

BC548, BC549

ICES

---

0.2

15

nA

BC546

ICES

---

---

BC5476

ICES

---

---

con VCE  80 V, Tj  125 C


con VCE  50 V, Tj  125 C

KXYcX)%( :XiXZk\ijk`ZXj\cZki`ZXj[\cX]Xd`c`X[\kiXej`jkfi\j9:,+-$9:,+0%

IB 

IC
20mA
r 10 
r 10  0.44mA
h fe
450

El paso siguiente es calcular la resistencia de base, RB, analizando la malla que involucra la corriente IB, como se
muestra en la figura 2.19.
Usando la ley de Kirchhoff de voltajes, para esta malla tenemos:
VENT  IBRB VBE

66

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

@9

@9
9

9
I9
M<EK4,M

<
M<EK4,M

M9<4'%.M

M9<4'%.M

<

=`^liX)%(0 DXccXhl\`emfclZiXcXZfii`\ek\@9\e\cZ`iZl`kf[\ckiXej`jkfiegefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfi%

Del captulo 1, sabemos que la cada de voltaje de la unin de un diodo es aproximadamente 0.7 V y que la corriente IB que requerimos es de 0.44 mA; por tanto, despejando RB de la ecuacin anterior obtenemos que:
RB 

VENT VBE 5 V 0.7 V



 9.8 y 10 k
IB
0.44 mA

Si se inyecta ms corriente IB, el transistor no incrementar su IC, ya que est saturado. En la figura 2.18 se observ que cuando el voltaje de entrada es 5 V, estado lgico alto, el voltaje de salida es cercano a cero, estado lgico bajo
y viceversa. Por lo que se muestra que el transistor, en esta configuracin, es capaz de invertir la seal de entrada.
Un razonamiento simtrico puede aplicarse para el caso que se requiera que la resistencia de carga RL sea conectada a tierra, o que el nivel de la seal de entrada vaya de un estado lgico alto a un estado lgico bajo. El dispositivo
apropiado sera un transistor pnp, donde la corriente es tomada de la base en lugar de ser inyectada, tal como se ilustra
en la figura 2.20.

,M

M<EK

@9

,M

<

M<EK

()M

<
@9
9

()M

I4-''

@J8C

MJ8C

I4-''

=`^liX)%)' Fg\iXZ`e[\lekiXej`jkfigegZfdf`ek\iilgkfi%

En el circuito de la figura 2.20, cuando la seal de entrada es cero volts, el transistor entra en estado de saturacin,
permitiendo que la corriente fluya a travs de la carga. Por otro lado, cuando la seal de entrada es 5 V, el transistor
entra en estado de corte y no fluir corriente hacia la carga.
En los ejemplos anteriores, la carga conectada entre colector-emisor es una resistencia. Sin embargo, esta podra
ser una lmpara, un LED, un solenoide, una bocina o cualquier otro dispositivo que se desee controlar. Por consiguiente, vale la pena considerar un par de precauciones al momento de disear con transistores como interruptores:
1. Seleccione la resistencia de base RB de tal forma que se proporcione una corriente de base IB en exceso. En especial cuando se controlan lmparas, lo anterior debido a que el hfe se reduce a valores de VCE muy bajos.
2. Para cargas inductivas, proteja el transistor con un diodo a travs de la carga, como se muestra en la figura 2.21.
Sin el diodo, cuando el interruptor se abre, la energa almacenada en el inductor generar en el colector un voltaje positivo oscilatorio muy elevado que probablemente sobrepase el voltaje de ruptura de colector a emisor.

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67

2 El activo transistor

"M::

=`^liX)%)( ;`f[f[\jlgi\j`eljX[fZlXe[fj\ZfedlkXeZXi^Xj`e[lZk`mXj%
Otro dato importante a tomar en cuenta es la cantidad de corriente de carga que el transistor puede manejar; para
ello, se selecciona un transistor que pueda operar con las condiciones de corriente requeridas. Las opciones que se
tienen son grandes, ya que existe una variedad grande de transistores para aplicaciones que van desde los cientos
de milsimas de ampere hasta los amperes, como lo muestra la tabla 2.2.
En la tabla 2.2 se muestran los valores mximos absolutos para algunos transistores npn y pnp comerciales; dichos
valores deben tomarse nicamente como valores de referencia nominales, no como los valores con los que se operar
el transistor. Los transistores de mayor potencia, por lo general, pueden usarse con disipador, si la aplicacin lo requiere. Una regla prctica es usar una corriente de carga de hasta 30% del valor de IC nominal cuando no se utilice disipador
y una corriente de carga de hasta 75% del valor de IC cuando se utilice disipador. Por ejemplo, el transistor TIP32C
puede manejar una corriente de 0.9 A sin disipador y 2.25 A con un disipador de 10 C/W.

Transistor

Heat sink
Factor de reduccin de
disipacin de potencia

Valor absoluto admisible


IC
[ampere]

Temp.
[C]

para 75% IC
[C/W]

npn

Pnp

VCE
[voltio]

BC547C

BC557C

59

0.100

150

No aplica

2N2222

2N2907

75

0.800

200

No aplica

TIP 29C

TIP 30C

100

150

10

TIP 32C

TIP 32C

100

150

10

TIP 41C

TIP 42C

100

150

TIP 33C

TIP 34C

100

10

150

KXYcX)%) MXcfi\jd}o`dfjXYjfclkfjgXiXXc^lefjkiXej`jkfi\j[\gifgj`kf^\e\iXc%
Qu tanto se calienta el encapsulado del transistor?, depende del disipador que se le adhiera. El encapsulado mismo es capaz de emitir calor al medio ambiente. Si no es suficiente, dependiendo de las condiciones de carga, se le
agrega un disipador, el cual transfiere el calor a su alrededor de manera ms eficiente. Los disipadores se especifican
por un valor numrico en C/W. Este nmero representa la temperatura a la que se elevar el disipador adherido al
transistor por cada watt de calor generado. Por ejemplo, si se ponen 12 W de calor en un disipador de 5 C/W, significa que este elevar su temperatura 60 C arriba de la temperatura ambiente.9
9

Un disipador puede pensarse como un conductor de calor. As como hay metales que son mejores conductores de electricidad que otros, tambin existen metales que son mejores conductores de calor que otros. Ocurre lo mismo con la corriente, ya que esta siempre fluye en un solo
sentido. El calor tambin siempre fluye en un solo sentido: de caliente a fro. De qu manera fluye el calor, es otro tema, pero podemos comentar
tres procesos: por radiacin, por conveccin y por conduccin. Al calentarse, el disipador emite energa en forma de radiacin infrarroja y se

68

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Como resaltamos antes, la corriente IB es muy importante para garantizar que el transistor opere correctamente
como interruptor. No obstante, esta corriente depende de la corriente de colector IC y de la constante hfe , que no especifica un valor preciso, adems que normalmente el valor de hfe es menor en la regin de saturacin. Por consiguiente, si conocemos la IC que requerimos, otra forma de determinar el hfe es mediante las curvas proporcionadas por el
fabricante en la hoja de datos.
Si, por ejemplo, seleccionamos un transistor npn TIP41C y necesitamos manejar una corriente IC  2 A, entonces
buscamos la curva de hfe vs. IC provista en la hoja de datos del dispositivo, como se muestra en la figura 2.22.
De la figura 2.22 podemos observar que, para una corriente IC de 2 A, el hfe es aproximadamente 50. Entonces,
podemos calcular IB usando la expresin:
IC 2 A

 40mA
h fe 50

,''

_]\ #>XeXeZ`X[\Zfii`\ek\[\:;

*''
)''

M:<4)%'M
KA4(,':

(''
.'

),:

,'
*'
)'

,,:

('
.%'
,%'
'%'-

'%(

'%)

'%* '%+ '%-

(%'

)%'

+%'

-%'

@:#Zfii`\ek\[\Zfc\Zkfi8

=`^liX)%)) :limX[\_]\mj%@:[\ckiXej`jkfiK@G+(:%
Para asegurar que el transistor entre al estado de saturacin, debemos generar una IB mucho mayor; en este caso,
podramos seleccionar que sea 4 veces:
IB 

IC
2A
r4
r 4  160mA
h fe
50

Debido a que el valor de la corriente IB comienza a ser significativo, no escogimos un factor 10 veces mayor, como
lo hicimos antes. La variacin de hf e , dependiente del transistor y de la corriente IC , es una inconveniencia de disear
con los transistores bipolares. Por lo pronto, vamos a continuar con el diseo de este transistor suponiendo que tenemos una seal de entrada de 10 V en la terminal de la base, como se muestra en la figura 2.23.
Entonces, para obtener la resistencia de base, RB , tenemos:
RB 

VENT VBE 10 V 0.7 V



 58 y 60
IB
160mA

enfra. Por esta razn, los disipadores son negros; el color negro es un eficiente radiador, aunque tambin absorbe muy bien la radiacin infrarroja. Una mejor forma de deshacerse del calor es moviendo el aire a travs del disipador, lo cual se llama conveccin. El aire alrededor del
disipador se calienta y sube hacia la atmsfera; este aire caliente es reemplazado por aire fro, repitindose el ciclo; claro, en este caso un ventilador ayudara mucho al proceso. Por conduccin es el ejemplo de la conexin del encapsulado al disipador.

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2 El activo transistor

)+M
)8

(-'d8
M<EK4('M

:
9

I9

'%.M

<

=`^liX)%)* KiXej`jkfiegefg\iX[fZfdf`ek\iilgkfigXiXdXe\aXi)8[\ZXi^X%
De esta manera, resolvimos el problema del clculo de RB usando las curvas proporcionadas en la hoja de datos
del transistor. El siguiente paso ser ver el voltaje de saturacin usando un procedimiento similar.
De acuerdo con nuestro modelo simplificado del transistor, tenemos un interruptor perfecto. Sin embargo, como
tambin comentamos, este modelo es solo una aproximacin para obtener un entendimiento intuitivo. Cuando se
cierra un interruptor ideal, debe haber un voltaje de cero volts entre sus terminales. Pero un transistor real, cuando
se pone en saturacin, es decir, cuando se cierra el interruptor, cierto voltaje se encuentra presente entre las terminales
de colector y emisor; el voltaje VCE y su valor puede determinarse usando las tablas o curvas de la hoja de datos del
transistor. La figura 2.24 muestra las curvas de VCE para un transistor TIP41C.
)%'

_]\ #>XeXeZ`X[\Zfii`\ek\[\:;

KA4(,':
(%-

(%)
M9<jXk 7@:&@94('

'%/

M9<7M:<4+%'M
'%+
M:<jXk 7@:&@94('
'
'%'-

'%(

'%)

'%* '%+ '%-

(%'

)%'

+%'

-%'

@:#Zfii`\ek\[\Zfc\Zkfi8

=`^liX)%)+ @:mj%M:<[\jXkliXZ`egXiXlekiXej`jkfiK@G+(:%
En la grfica que se ilustra en la figura 2.24 podemos observar que para una corriente de 2 A en el colector, el
voltaje VCE de saturacin es aproximadamente 0.2 V, que no es cero volts, como en el caso ideal, pero es realmente
insignificante. Esto lo podemos notar en el clculo de RL, cuando se considera la cada de voltaje del VCE.
RL 

VCC VCE 24 V 0.2 V



 11.9
IC
2A

Sin embargo, si usamos una IC mayor, el voltaje VCE empieza a ser significativo, como se aprecia en la curva. El
aumento en el voltaje VCE tiene dos efectos negativos en el comportamiento del circuito: le resta voltaje a la carga y
genera potencia, V r 1, en el transistor, por tal razn se calienta.

70

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

TRANSISTOR DARLINGTON
En el mercado se encuentran disponibles otros tipos de transistores, o arreglos de ellos, en especial para aplicaciones
de potencia grande, como los SCR, TRIAC, IGBT y los Darlington. Aunque tambin existen los transistores tipo FET,
que por sus caractersticas elctricas se han usado ampliamente en la fabricacin de circuitos integrados. Analizar
todos estos dispositivos va ms all de los alcances de este libro, as que en esta seccin solo estudiamos el transistor
Darlington y posteriormente se analizan los transistores FET.
El transistor Darlington es un tipo de transistor que en realidad consiste en un arreglo de dos transistores BJT
conectados de tal forma que sean capaces de incrementar su ganancia de corriente, como se ilustra en la figura 2.25.
El objetivo del transistor Darlington es incrementar el valor de hfe , que tiende a ser bajo en estado de saturacin.
La solucin es usar dos transistores, como se muestra en la figura 2.25 a). El primer transistor que conforma el arreglo
recibe una pequea corriente en la base y la multiplica por su hfe , IB r hfe . Esta corriente amplificada se inyecta en la
base del segundo transistor, el cual, a su vez, la multiplica por su hfe, IB r hfe r hfe . De esta manera, obtenemos, en
la carga, una corriente amplificada dos veces; en consecuencia, nos permite manejar corrientes considerablemente
grandes con una corriente en la base relativamente pequea.
Si reemplazamos cada transistor por su modelo simplificado, obtenemos el circuito que se muestra en la figura
2.25 b). Por su parte, la figura 2.25 c) muestra este modelo una vez que se activ el primer transistor. Desde un punto
de vista intuitivo, el arreglo de transistores Darlington puede entenderse como un solo transistor, cuya ganancia de
corriente, hfe, es el cuadrado de un transistor convencional, y cuyo voltaje base-emisor es 1.4 V, en lugar del tradicional
0.7 V, como se muestra en la figura 2.25 c).

:fc\Zkfi

:fc\Zkfi

:fc\Zkfi

9Xj\

9Xj\
9Xj\
@:4_)]\@9

<d`jfi

<d`jfi

<d`jfi

=`^liX)%), KiXej`jkfi;Xic`e^kfe%X JdYfcf\jhl\d}k`Zf%Y pZ Df[\cfj`dgc`]`ZX[f%

Los transistores Darlington pueden construirse con transistores BJT discretos. Sin embargo, la buena noticia es
que este arreglo se fabrica en un circuito integrado y es encapsulado como un transistor que incluye otros componentes que mejoran su desempeo, como se muestra en la figura 2.26.
:

<

=`^liX)%)- 8ii\^cf;Xic`e^kfe\eZXgjlcX[fZfdflekiXej`jkfi%

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71

2 El activo transistor

De esta manera, existen comercialmente arreglos Darlington que se pueden operar como si fueran transistores
especiales. La tabla 2.3 muestra algunos transistores Darlington.10
Transistores
npn

pnp

Valores absolutos
VCE
[voltios]

IC
[ampere]

Valores de saturacin a 50% ICmx


Temp.
[C]

V SAT
[voltios]

ICOL
[ampere]

IBASE
[mA]

hfe

TIP 112

TIP 117

100

150

0.9

500

TIP 122

TIP 127

100

150

1.3

2.5

10

250

TIP 102

TIP 107

100

150

500

TIP 142

TIP 147

100

10

150

1.3

10

500

KXYcX)%* MXcfi\jd}o`dfjXYjfclkfjgXiXXc^lefjkiXej`jkfi\j;Xic`e^kfe%
De igual forma que con los transistores BJT discretos, una regla prctica es cargar estos transistores con 20% de
valor nominal de IC sin disipador, y hasta 75% de su valor nominal de IC con un disipador de 5 C/W. Por ejemplo, el
Darlington TIP102 puede manejar 1.6 A sin disipador y hasta 6 A con un disipador de 5 C/W.

TRANSISTORES FET
El transistor de efecto de campo, o Field Effect Transistor (FET), es un dispositivo de tres terminales, similar al transistor bipolar de unin BJT, que analizamos antes en este captulo. Sin embargo, el FET es un dispositivo unipolar que
depende nicamente de un tipo de portadores de carga, ya sea de los huecos o de los electrones. Esencialmente existen
dos tipos de FET: los Junction Field Effect Transistors, abreviados como JFET, y los Metal-Oxide Semiconductor Field
Effect Transistors, abreviados como MOSFET.
A diferencia de los transistores bipolares que son controlados por corriente, los FET son dispositivos controlados
por voltaje; esto significa que una entrada de voltaje es la encargada de controlar la corriente de salida. Los FET presentan una impedancia de entrada extremadamente grande, del orden de los megaohms; en consecuencia, requieren
muy poca potencia para operar la carga. Esta caracterstica hace que los FET sean algunas veces preferidos a los transistores BJT. Adicionalmente, la construccin de los FET requiere menos espacio que los BJT, por lo que los hace
ideales para la fabricacin de circuitos integrados, donde el tamao de cada componente es crtico.
En esta seccin solo cubrimos las caractersticas elctricas de los transistores JFET y MOSFET, asimismo bosquejaremos sus aplicaciones como interruptores. Su importancia radica en que son la base para la construccin de los
amplificadores operacionales que se estudian en el siguiente captulo.

Tipos de FET
Los transistores FET tienen un canal que es controlado, como su nombre lo indica, por un campo elctrico, producido
por un voltaje aplicado a una de sus terminales. No existen uniones polarizadas directamente, as que esta terminal no
consume corriente; tal vez esta es una de las ventajas ms importantes de los FET. Del mismo modo que con los transistores BJT, existen dos tipos de polaridades: FET de canal n, con electrones como portadores de carga, y FET de
canal p, con huecos como portadores de carga. Estas dos polaridades son anlogas a las de las encontradas en los
transistores BJT, como npn y pnp, respectivamente.
Pero, los diferentes tipos de transistores FET que existen en el mercado tienden a confundir. Primero, debido a que
hay dos tipos de FET, donde vara la construccin de la terminal denominada Gate, G, que son los JFET y los MOSFET,

10

En Internet se pueden encontrar hojas de datos de diferentes transistores Darlington; sin embargo, una liga con informacin de electrnica muy
til, que incluye esta tabla y otras, es la del profesor Nayarana Rao, de libros electrnicos denominados knol (http://knol.google.com/).

72

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

y, segundo, porque existen dos tipos de dopados en el canal, los cuales pueden ser reduccin o agotamiento (depletion) y
realce o crecimiento (enhancement). La figura 2.27 trata de aclarar, a primera vista, los diferentes tipos de FET.
=<K

A=<K

DFJ=<K

ZXeXce

ZXeXcg

i\[lZZ`ef
X^fkXd`\ekf

i\XcZ\f
Zi\Z`d`\ekf

ZXeXce
ZXeXce

ZXeXcg

=`^liX)%). ;`]\i\ek\jk`gfj[\kiXej`jkfi\j=<K%
La diferencia principal entre los JFET y los MOSFET radica en que la terminal G en el MOSFET est aislada del
canal. Debido a esto, la impedancia de entrada del MOSFET es muchas veces mayor que la del transistor JFET. Desde
el punto de vista conceptual, todos los transistores FET son iguales; por esta razn, solo analizaremos la construccin
y el comportamiento de los FET tipo JFET, y de ellos hacemos nfasis en los de canal n.

Construccin del transistor JFET


El transistor JFET est compuesto por 4 terminales, como se muestra en la figura 2.28: Drenaje (Drain), D, fuente
(Source), S, y dos terminales llamadas compuertas (Gates), G1 y G2. Al rea entre las terminales S y D se le llama canal.
El tipo de material semiconductor usado en el canal determina el nombre del transistor, el cual puede ser JFET canal n,
como se ilustra en la figura 2.28 a), o JFET canal p para el transistor que se muestra en la figura 2.28 b). Para el caso del
JFET canal n, se agregan a los lados del canal dos regiones pequeas de material semiconductor tipo p. Cada regin
corresponde a las terminales G1 y G2. Cuando el fabricante conecta una terminal para cada compuerta, al dispositivo
se le llama JFET de doble compuerta. No obstante, en la mayora de los casos las compuertas son conectadas internamente y el JFET se comporta como si tuviera una terminal nica G.
;i\eXa\

e
:fdgl\ikX(

;i\eXa\

:XeXc
g

:fdgl\ikX)

:fdgl\ikX(

=l\ek\
X

:XeXc
e

:fdgl\ikX)

=l\ek\
Y

=`^liX)%)/ :fejkilZZ`e[\ckiXej`jkfiA=<K%X A=<KZXeXcg%Y A=<KZXeXcg%


De manera simtrica, para el JFET canal p, las regiones de material semiconductor que se encuentran a los lados
del canal son tipo n. De igual forma que el canal n, las compuertas G1 y G2 se conectan internamente para formar una
conexin externa.

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73

2 El activo transistor

En los transistores JFET, el flujo de corriente es entre las terminales D y S. Para el JFET canal n, la mayora de
los portadores de corriente en el canal son electrones libres; por el contrario, para el JFET canal p, la mayora de los
portadores de carga en el canal son huecos. Los smbolos esquemticos para el transistor JFET se muestran en la figura 2.29.
La figura 2.29 a) muestra el smbolo esquemtico para el JFET canal n, y la figura 2.29 b) ilustra el smbolo para el
JFET canal p. La nica diferencia es la direccin de la flecha en la terminal G. Para el JFET canal n la flecha apunta
hacia el canal y para el JFET canal p la flecha apunta hacia afuera desde el canal p. En ambos smbolos, la lnea vertical
que conecta las terminales D y S representa el canal semiconductor correspondiente a cada transistor.
Un punto importante: cuando la flecha de la terminal G se encuentra en el centro, se dice que el JFET es simtrico.
Esto quiere decir que las terminales D y S pueden ser intercambiadas sin afectar la operacin. En cambio, si la flecha
se encuentra fuera del centro, cerca de la terminal S, como se muestra en la figura 2.29 c), se dice que el JFET es asimtrico y las terminales D y S no pueden ser intercambiadas.
A=<K
:XeXce

A=<K
:XeXcg

A=<K
:XeXce

;i\eXa\

;i\eXa\

;i\eXa\

8j`dki`Zf

J`dki`Zf

J`dki`Zf
:fdgl\ikX

:fdgl\ikX

:fdgl\ikX

=l\ek\

=l\ek\

=l\ek\

=`^liX)%)0 JdYfcfj\jhl\d}k`Zfj[\ckiXej`jkfiA=<K%X :XeXcej`dki`Zf%Y :XeXcgj`dki`Zf%Z :XeXceXj`dki`Zf%

Operacin y caractersticas principales del transistor JFET


Para entender la operacin del transistor JFET, vamos a analizar el circuito de la figura 2.30, en el cual se ilustra el
flujo de corriente en un JFET canal n con las terminales G1 y G2 desconectadas. La magnitud de corriente depende de
dos factores: el valor del voltaje entre las terminales D y S, VDS, y la resistencia del canal entre las terminales D y S,
designada como rDS. Adicionalmente, el valor hmico de rDS depende del nivel de dopado, del rea y de la longitud del
material semiconductor usado en la construccin del canal.
;i\eXa\
@;

e
:fdgl\ikX(

:fdgl\ikX)

"
M;;

=l\ek\

=`^liX)%*' =claf[\Zfii`\ek\\elekiXej`jkfiA=<KZXeXceZfek\id`eXc>j`eZfe\o`e%

74

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

Debido a la fuente de alimentacin, VDD , la terminal de drenaje, D, se hace positiva con respecto a la terminal de
la fuente, S; en consecuencia, el flujo de electrones va de la terminal S a la terminal D. En el JFET, la corriente de la
fuente, IS, y la corriente del drenaje, ID, son la misma; aunque en la mayora de los casos se considera que el flujo de
corriente es nicamente ID .
Las regiones de material semiconductor tipo p en el transistor JFET canal n, que se localizan a los lados del canal
n, estn conectadas a las terminales de compuerta, G1 y G2, con el propsito de ayudar a controlar la cantidad de
corriente que fluye por el canal. La figura 2.31 a) muestra este transistor con las terminales G y S conectadas a tierra.
El voltaje de alimentacin, VDD , conectado a la terminal D, polariza inversamente ambas uniones P-N. Esto trae como
resultado una corriente cero en las terminales de compuerta G1 y G2. Si ambas compuertas estn centradas verticalmente en el canal, es decir, si el JFET es simtrico, la distribucin de voltaje a lo largo del canal hace que el ancho de la
regin de agotamiento (depletion) sea mayor en la parte superior del canal y ms angosto en la parte inferior. La
corriente fluye en el canal entre las capas de agotamiento y no a travs de las capas mismas.11 Las capas de agotamiento penetran profundamente en el canal n y ligeramente en las reas de material tipo p de las compuertas G1 y G2
debido a los niveles de dopaje en los materiales n y p.

:fdgl\ikX(

;i\eXa\

;i\eXa\

e
g

:fdgl\ikX)

M;;4(,M

:fdgl\ikX

M;;4(,M

M>J
=l\ek\

=l\ek\

=`^liX)%*( <]\Zkf[\cXk\id`eXc>\ecXZfii`\ek\\ecXk\id`eXc;%X :fdgl\ikX\eZfikfZ`iZl`kfZfecX]l\ek\%


Y CXgfcXi`qXZ`e\ok\ieX[\cXZfdgl\ikXi\[lZ\cXZfii`\ek\[\[i\eXa\[iX`e %

La figura 2.31 b) muestra al transistor JFET canal n polarizado de tal manera que no solo la terminal de drenaje,
D, es positiva con respecto a la terminal de la fuente, S, sino que adems la compuerta, G, se hace negativa con respecto a la fuente. El efecto de tener un voltaje negativo en la terminal de la compuerta, G, es que las regiones de agotamiento se expanden, haciendo ms angosto el canal y por ende reduciendo la corriente ID, como se muestra en la
figura 2.31 b). Variando el voltaje entre las terminales de compuerta y fuente, VGS, la corriente en el canal ID puede ser
controlada. Si el voltaje VGS es lo suficientemente negativo, las capas de agotamiento pueden llegar a tocarse, estrangulando (pinch off) el canal, teniendo como resultado una corriente ID igual a cero. Al voltaje VGS requerido para hacer
ID cero se le denomina voltaje de corte, VGS(CORTE).
Los voltajes de polarizacin para un JFET canal p son los opuestos a los del JFET canal n. Para el JFET canal p, la
terminal de drenaje, D, es negativa y la terminal de compuerta, G, es positiva.
La figura 2.32 a) ilustra un transistor JFET de canal n, con sus voltajes de polarizacin adecuados para crear la
regin de agotamiento mostrada en la figura 2.31 b). Cuando la fuente de alimentacin de la terminal de la compuerta,
VGG, se reduce a cero, es equivalente a conectar la terminal de la compuerta, G, a la terminal de la fuente, S; previamente conectada a tierra, es decir, VGS  0. La grfica de ID vs. VDS en esta condicin se muestra en la figura 2.32 b). Si
11

A la regin de agotamiento tambin se le llama capa de agotamiento, zona de agotamiento o regin de la unin. Esta consiste en un material
aislante dentro de un material conductor, como es el caso de un semiconductor dopado, donde los portadores de carga se han difundido o han
sido separados por un campo elctrico, dejando solo iones donadores o aceptadores de impurezas, como vimos en el captulo 3 para el diodo. La
mejor visualizacin para la difusin de portadores de carga es compararla con la difusin de tinta en el agua. A esta rea se le llama de agotamiento porque se agotan o reducen los portadores de carga en la regin.

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75

2 El activo transistor

el voltaje VDS se incrementa desde cero, la corriente de drenaje, ID , se incrementar de manera proporcional. Cuando el voltaje VDS alcanza el voltaje de estrangulamiento (pinch off), denominado VP, entonces la corriente ID se nivela. Para este ejemplo, el voltaje VP es de 4 V, como se muestra en la figura 2.32 b). Al rea debajo del valor de VP se le
llama regin hmica, debido a que la corriente ID se incrementa de forma directamente proporcional con el voltaje VDS. Para voltajes mayores que VP , se le denomina regin de saturacin (fuente de corriente), en la cual ID no se ve
afectada por cambios en el voltaje VDS.
La corriente ID es constante para voltajes mayores a VP , debido a que, a partir de ese valor, la resistencia del canal,
rDS, se incrementa de manera proporcional al voltaje VDS.
A la mxima corriente drenaje-fuente que un transistor JFET puede manejar, en condiciones de operacin normales, se le denomina IDSS y ocurre cuando la terminal de compuerta, G, es aterrizada, es decir cuando el voltaje VGS
es cero. La figura 2.32 b) indica una corriente IDSS de 10 mA, para el JFET canal n que estamos analizando. Si el voltaje VGS se hace negativo, el valor de ID ser menor que el de IDSS. Qu tanto disminuye ID?, depende del valor de VGS,
siendo el voltaje VGS(CORTE) el voltaje negativo mximo para que ID  0. La figura 2.32 c) exhibe un conjunto de curvas
para diferentes valores de VGS.
De la figura 2.32 c), es interesante resaltar la relacin que hay entre los valores de VP y VGS(CORTE). Se observa que
VP  VGS(CORTE), lo cual es vlido para cualquier transistor JFET. La mayora de las hojas de datos no listan el valor
de VP , pero casi siempre listan el valor de VGS(CORTE). Por tanto, de la figura 2.32 c) podemos obtener el valor de VP
usando el voltaje VGS(CORTE); si VGS(CORTE)  4 V, entonces VP  ( 4 V)  4 V.
Hay un par de puntos importantes que se pueden observar de la figura 2.32 c), el primero es que la pendiente de
cada curva de ID vs. VGS decrece conforme se hace ms negativo el voltaje VGS. Esto sucede porque al hacerse ms
negativo el voltaje VGS, la resistencia del canal, rDS , se incrementa. Esta es una caracterstica muy til de los transistores
JFET, ya que pueden usarse como resistencia que vara con el voltaje de entrada.
@;d8
;i\eXa\

@;JJ4('d8

@;JJ4('d8
M>JZfik\ 4+M

:fdgl\ikX\eZfikfZ`iZl`kfM>J4'M
M>J4'M

@;JJ4('d8

:fdgl\ikX

M>J4(M

M;J

@;d8

M;;

M>J
M>>

=l\ek\

MG4+M
M;Jmfckj

M>J4)M
M>J4*M
M>J4+M

MG4+M

M;Jmfckj 
Z

=`^liX)%*) KiXej`jkfiA=<KZXeXce%X MfckXa\j[\gfcXi`qXZ`e[\cA=<KZXeXce%Y :limX@;mj%M;JZfe\cmfckXa\M>J4'%


Z :limX@;mj%M;JgXiX[`]\i\ek\jmXcfi\j[\M>J %

El segundo punto es que el voltaje VDS al cual ocurre el estrangulamiento (pinch off ), decrece al hacerse ms negativo el voltaje VGS. Esto puede expresarse por la ecuacin 2.7.
VDS(P)  VP VGS

(2.7)

Donde VP es el voltaje de estrangulamiento para VGS  0 V, y VDS(P) es el voltaje de estrangulamiento para cualquier
valor de VGS. Para este clculo VGS y VP son valores absolutos, es decir, se ignoran sus polaridades. En tanto, VDS(P) se
considera como el voltaje lmite entre la regin hmica y la regin de saturacin del transistor JFET.
Una caracterstica distintiva de los JFET es su curva de transconductancia, gm. La transconductancia se define como el recproco de la resistencia, 1/R, o aproximadamente ID/VGS. Sus unidades son los Mhos, que es el inverso
de la palabra Ohm, aunque tambin se les llama siemens. El gm es para los FET lo que el hfe es para los transistores BJT.
La figura 2.33 muestra la grfica de transconductancia, ID vs. VGS del transistor JFET de la figura 2.32.

76

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

@;JJ4('d8
.%,d8
@;d8
,d8
)%,d8

+M
M>JZfik\

*M )M (M 'M


M>Jmfckj

=`^liX)%** :limX[\kiXejZfe[lZkXeZ`X#M>Jmj%@; #[\lekiXej`jkfiA=<K%


De la figura 2.33 podemos observar que la grfica no es lineal, ya que un cambio en el voltaje VGS no produce un
cambio directamente proporcional en ID . Si se conocen los valores IDSS y VGS(CORTE) , se puede calcular la corriente ID
con la ecuacin 2.8.

2
VGS
I D  I DSS 1
VGS(CORTE)

(2.8)

La ecuacin 2.8 es vlida si VDS es mayor o igual que VDS(P), y puede ser usada para JFET canal p o canal n.
Por ejemplo, si usamos la grfica de la figura 2.33 y la ecuacin 2.8, podemos calcular la corriente ID cuando VGS  0 V y cuando VGS  0.5 V. Si VGS  0 V, fcilmente podemos visualizar que ID  IDSS  10 mA. Pero, cuando
VGS  0.5 V:
2

0.5V
I D  10mA 1
 7.65mA

4V

TRANSISTOR FET

COMO INTERRUPTOR

Como comentamos al inicio de esta seccin acerca de los transistores FET, la diferencia entre los JFET y los MOSFET
es principalmente que la terminal de la compuerta, G, en el MOSFET es aislada del canal por una delgada capa de
cristal (SiO2), lo cual le proporciona una impedancia de entrada muchas veces mayor que la del transistor JFET, con
valores de impedancia mayores a los 1014 ohms; empero, desde el punto de vista conceptual, su operacin es igual y
ambos pueden funcionar en aplicaciones de conmutacin.
Los transistores FET operados como interruptores son ms simples que los transistores BJT, ya que no se tienen
que despilfarrar corriente excesiva de polarizacin, IB , ni estimar el valor de hfe combinado con la corriente de carga
IC. Para activar los transistores FET nicamente necesitamos aplicar el voltaje correcto a la entrada de alta impedancia
de la terminal de compuerta, G. Una manera de intuir el comportamiento del JFET como interruptor, es utilizar un
modelo muy simple como el que se muestra en la figura 2.34.
D
G

S
=`^liX)%*+ Df[\cfj`dgc`]`ZX[f[\lekiXej`jkfiA=<K%

grupo editorial patria

77

2 El activo transistor

En la figura 2.34 se observa que la terminal de compuerta, G, y las terminales drenaje, D, y fuente, S, forman una
unin P-N, tipo diodo. En este modelo, la resistencia depende de la polarizacin en la terminal de la compuerta, G. Por
consiguiente, debido a que la terminal G se polariza negativamente con respecto a la terminal de la fuente, S, el diodo
debe polarizarse inversamente.12 En consecuencia, la corriente de la compuerta ser muy pequea o insignificante,
causando a su vez que la corrientes ID  IS.
La figura 2.35, por su parte, muestra un FET tipo JFET canal-N conectado para operar como interruptor.
"('M
C}dgXiX('M
'%(8

'M
M>J

M>J4'M:fe[lZZ`e
M>J4M>J:FIK< 

=`^liX)%*, =<Kk`gfA=<KZXeXc$EZfe\ZkX[fgXiXfg\iXiZfdf`ek\iilgkfi%
En esta configuracin, mientras el FET se comporte como una resistencia pequea, rDS, comparada con la carga,
este es capaz de conectar la terminal de drenaje, D, a un valor muy cercano a tierra. Valores tpicos de esta resistencia
son menores a los 0.2 , lo cual es un valor adecuado para este tipo de aplicaciones. Para este ejemplo, cuando el voltaje de entrada es cero volts, la corriente ID ser la mxima y el transistor conducir para activar la carga. Cuando el
voltaje VGS alcance el voltaje negativo de corte, el JFET tendr una corriente ID de cero.
Una de las aplicaciones que no se puede llevar a cabo con transistores BJT es la de interruptores analgicos. Es
decir, interruptores que permitan o limiten el paso de seales analgicas como se muestra en la figura 2.36.
10 V

Seal de entrada
R

VGS = 0V
VGS = VGS (CORTE)

=`^liX)%*- A=<Kfg\iX[fZfdf`ek\iilgkfiXeXc^`Zf%
El objetivo en la figura 2.36 es conmutar el JFET de un estado de conduccin o interruptor cerrado, cuando
VGS  0 V, a un estado de circuito abierto o impedancia muy grande, cuando VGS alcanza el voltaje negativo de corte
VGS(CORTE). Los transistores bipolares no son adecuados para esta clase de aplicaciones, ya que la terminal de la base
consume corriente y forma diodos con el emisor y colector. En este sentido, en comparacin con los transistores BJT,
los FET son agradablemente simples. Sin embargo, es justo decir que se han ignorado los efectos de capacitancia entre
la compuerta y el canal y que hay cierta variacin en la resistencia, rDS, con respecto a las oscilaciones de la seal de
entrada.
12

El JFET puede daarse de manera permanente si la terminal de la compuerta, G, se polariza directamente con respecto a la fuente; generalmente, corrientes mayores de 50 mA pueden producir el humo mgico, indicando el dao. Una forma de verificar el estado de un JFET con un hmetro, es comprobar el estado del diodo, ya que cuando un JFET se encuentra destruido, normalmente el diodo es el que se daa.

78

ELECTRNICA MIJAREZ

2 El activo transistor

TRANSISTORES

COMO AMPLIFICADORES LINEALES

Los transistores BJT o FET pueden usarse como amplificadores lineales, como pudimos apreciar en sus curvas caractersticas. Sin embargo, para operarlos en esta condicin se requiere tomar ciertas consideraciones que pueden variar
de transistor a transistor, como es el caso del hfe en los transistores BJT. Con los transistores JFET tambin se da el
caso que sus propiedades pueden variar sustancialmente entre una muestra y otra. La conclusin es que operar los
transistores como amplificadores puede ser un poco truculento.
Existen dos razones principales por las cuales no se utilizan con frecuencia los transistores como amplificadores
lineales: la primera, que ya mencionamos, es la variacin entre componente y componente, que es una cuestin importante cuando se utiliza en miles o millones de circuitos. La segunda es que los amplificadores operacionales (OP
AMP), que se estudian en el captulo 5, utilizan para su construccin transistores BJT tanto como FET, que son muy
baratos y fciles de usar.13

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 El transistor BJT consiste de tres regiones dopadas:
el emisor, la base y el colector.
 La base del transistor BJT es la regin menos dopada; se encuentra entre el emisor y el colector.
 El emisor, el rea ms dopada del transistor BJT, tiene como funcin emitir o inyectar portadores mayoritarios a la regin de la base.
 El colector es el rea ms grande del transistor y su
dopaje es moderado. La mayora de los portadores
mayoritarios inyectados a la base no fluyen hacia la
terminal de la base, sino que son atrados a la terminal del colector.
 El beta de CD del transistor BJT se obtiene de la relacin entre la corriente de colector y de la corriente
de base:  IC /IB.
 El alfa de CD del transistor BJT se obtiene de la relacin entre la corriente de colector y de la corriente
de emisor:  IC /IE.
 La relacin entre las corrientes del transistor BJT se
encuentra dada por la igualdad IE  IB IC.
 El transistor BJT tiene cuatro regiones de operacin:
la regin de saturacin, la regin de corte, la regin
de ruptura y la regin activa. El transistor como interruptor opera en las regiones de corte y de saturacin.
 Para probar un transistor BJT con un hmetro, se
usa su circuito equivalente de diodos y se prueba
cada unin como un diodo independiente. Resistencia baja, en polarizacin directa y resistencia alta
en polarizacin inversa.

13

 El transistor operado como interruptor puede ser


configurado en base comn: colector comn y emisor comn. Aunque la de emisor comn es ms usada debido a que la corriente de entrada, IB, que
controla la corriente de carga IC, es muy pequea.
 Para asegurar la operacin del transistor BJT como
interruptor, se tiene que tomar en cuenta la corriente
de carga, IC , el hfe y la corriente de base, IB , considerando la relacin IB >> IC/hfe .
 El transistor Darlington es un arreglo de dos transistores conectados en tndem para incrementar la ganancia de corriente de CD, hfe2. Puede considerarse
como un solo transistor de alta ganancia, pero con
un voltaje VBE del doble, 1.4 V para silicio.
 El transistor FET es un dispositivo semiconductor
unipolar, es decir utiliza solo un tipo de portadores
mayoritarios, huecos o electrones. Esencialmente,
los FET pueden encontrarse como JFET y MOSFET.
 La diferencia principal entre JFET y MOSFET es que
la terminal de la compuerta en el MOSFET es aislada
del canal, lo cual le proporciona una impedancia de
entrada muchas veces mayor que la del transistor
JFET.
 Los FET son dispositivos controlados por voltaje, a
diferencia de sus primos los BJT, que se controlan
con corriente.
 Los FET presentan una muy alta impedancia de entrada, por lo que no desperdician corriente para poder activarse.

En la actualidad, en el diseo de equipo electrnico, no he utilizado transistores como amplificadores. La razn principal es porque se pueden
comprar amplificadores operacionales cudruples por el precio de dos o tres transistores discretos. As que no vale la pena hacerse la vida dif cil,
si no es necesario.

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79

2 El activo transistor

PROBLEMAS

DEL CAPTULO

2.1 Se tiene un transistor que tiene una corriente IC  15


mA y una IB  40 A, calcule el Beta y el alfa de CD.

1 K

2.2 Un transistor cuenta con el Beta de CD y la corriente


LED

de base IB para su operacin,  200 e IB  60 A.


Calcule la corriente IC.

2.3 Calcule la mxima IC de un transistor; se proporcio-

5V

2N4392

nan la potencia Pd  0.25 Wy el voltaje VCE  9V.

VENT
Seal de entrada

2.4 Se cuenta con un transistor con una Pd  0.5 W a


temperatura ambiente, TA, de 25 C, y el factor de
reduccin es 3 mW/C. Calcule las caractersticas
de potencia a 75 C.

2.5 Se requiere disear un conmutador con un transistor NPN de pequea seal tipo el BC547 en configuracin emisor comn. Se cuenta con un voltaje VCC
de 15 V y se requiere operar una carga RL de 45 mA.
El hfe  100 y el voltaje VBB que activara el transistor
es un pulso de 3.3 V. Disee el circuito.

=`^liX)%*/
2.9

En el circuito de la figura anterior se coloc una


resistencia de 1.2 M en serie con la terminal de
la compuerta. Es posible encender/apagar el LED
con los voltajes antes seleccionados?

2.10

En un transistor BJT, describa cmo es el dopaje


en las reas correspondientes a su base, colector y
emisor.

2.11

Defina la regin activa y de corte de un transistor


BJT.

2.12

Cules son las regiones de saturacin y de ruptura de un transistor BJT?

2.13

Cmo se obtiene la ganancia de DC, denominada


hfe, en un transistor BJT?

2.14

Defina al factor de reduccin Pd de un transistor


BJT.

2.15

Defina a qu se le llama un transistor FET asimtrico y su comparacin con un transistor FET simtrico.

2.16

Describa a qu rea se le denomina canal en un


transistor FET.

2.17

Describa la regin fuente-corriente en un transistor FET.

2.18

Por qu un FET es un dispositivo unipolar?

2.19

Cul es la diferencia principal entre un transistor


FET y un MOSFET?

VCC = +15 V
ISAL

RL
IENT

15 V

3.3 V
VENT

VSAL

B
E

=`^liX)%*.
2.6 Se cuenta con un transistor Darlington tipo TIP142,
el cual tiene especificado una corriente IC  10 A,
como valor absoluto permisible. Estime la mxima
corriente que puede operar el transistor si no se
cuenta con disipador de potencia.

2.7 Un transistor FET canal-N tiene una IDSS  15 mA y


una VGS(corte)  5 V. Calcule la corriente ID cuando
VGS  0.7 V.

2.8 El transistor FET canal-N es utilizado para encender/apagar un LED en el siguiente circuito. Especifique de la hoja de datos qu valores de voltaje se
requieren para su control.

80

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico

amplificador
operacional

El amplificador operacional, abreviado OP AMP1 por sus siglas en ingls, es un circuito integrado
que tiene dos terminales de entrada y una de salida. El OP AMP es uno de los bloques fundamentales
en el diseo electrnico, con el cual se pueden realizar numerosas aplicaciones. El OP AMP puede
ser configurado en una gran diversidad de formas, para llevar a cabo operaciones en sus terminales
de entrada. Esa es la razn por la que se le llama operacional! Estas operaciones incluyen ganancia
positiva o negativa, filtrado, funciones de transferencia y comparacin con otras seales. Puede sumar o restar mltiples seales, amplificar la diferencia entre seales de entrada, integrar o diferenciar
seales con respecto al tiempo, entre otras. En conclusin, el OP AMP es uno de los CI con mayor
potencial a disposicin de los diseadores. Por tanto, en este captulo se explica el funcionamiento
interno de este dispositivo, con el fin de continuar con la tnica de este libro y proveer un entendimiento intuitivo. As pues, iniciamos su estudio con la exposicin del concepto de retroalimentacin
y con la teora detrs de este dispositivo; ms adelante, tambin analizamos la etapa de entrada de
estos CI, la cual est constituida por el amplificador diferencial, el cual resulta de gran importancia
porque proporciona muchas de las caractersticas de CA y CD del OP AMP. Despus, seleccionamos
un OP AMP comercial para describir sus parmetros ms importantes. Por ltimo, considerando al
1

En este libro abreviaremos al amplificador operacional como OP AMP, que proviene de la palabra en ingls: operational
amplifier, aunque existen traducciones al espaol que lo llaman AMP OP. La razn principal para el uso de esta abreviatura es su empleo generalizado en universidades y centros de trabajo.

81

3 El mgico amplificador operacional

OP AMP como caja negra o caja mgica, se introducen y analizan algunas de sus operaciones bsicas. Sin ms preludio, que inicie la magia. En este captulo estudiamos:

X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X

Concepto de retroalimentacin.
Teora importante de los OP AMP.
El amplificador diferencial.
Anlisis de CD/CA y ganancias del amplificador diferencial.
El OP AMP y sus caractersticas principales.
Circuitos bsicos con OP AMP.
Circuitos populares con OP AMP.
Filtros activos.
Convertidores de voltaje a corriente y de corriente a voltaje.
Circuitos OP AMP con diodos.
Circuitos comparadores.
ADC y DAC las interfaces del mundo digital y analgico.
Las misteriosas tierras.
Consideraciones y recomendaciones.

CONCEPTO

DE RETROALIMENTACIN

En la actualidad, el concepto de retroalimentacin es conocido ampliamente y utilizado en muchas disciplinas del


conocimiento. En los sistemas de control, por ejemplo, la retroalimentacin consiste en comparar la salida del sistema
con la salida deseada, y hacer las correcciones correspondientes. El sistema puede ser casi cualquier cosa, por ejemplo,
el proceso de control de temperatura en una habitacin, la velocidad de un auto, el nivel de un lquido en un tanque,
etctera. En circuitos amplificadores, por lo general, la salida es un mltiplo de la seal de entrada, mientras que en los
amplificadores retroalimentados, la entrada es comparada con una versin atenuada de la salida.
La retroalimentacin puede ser tanto negativa como positiva. La retroalimentacin negativa adquiere importancia porque los amplificadores son normalmente no-lineales y generan distorsin. La retroalimentacin negativa es el
proceso de acoplar la salida del amplificador de tal manera que cancele parte de la entrada. Se puede pensar que esto
nicamente tiene el efecto de reducir la ganancia del amplificador, lo cual no sera de utilidad.2 Lo anterior es cierto;
sin embargo, aunque disminuye la ganancia, tambin mejora otras caractersticas, la principal es que libera de distorsin y de no-linealidad al amplificador, adems de que proporciona una respuesta en frecuencia plana y provee una
salida predecible. De hecho, conforme se incrementa la retroalimentacin negativa, las caractersticas del amplificador se hacen menos dependientes del amplificador de lazo abierto (sin retroalimentacin) y dependen solo de las
propiedades de la red de retroalimentacin. La retroalimentacin positiva, por otro lado, es el principio de funcionamiento de los osciladores, y aunque se utiliza con frecuencia en algunas aplicaciones, tiene menos importancia que la
retroalimentacin negativa; incluso, esta puede llegar a ser un problema en ciertos circuitos.
Habiendo hecho estos comentarios, enseguida analizamos la teora primordial detrs del OP AMP, principalmente en configuracin con retroalimentacin negativa, tratando de proveer las bases para obtener una comprensin intuitiva de este misterioso componente.

En 1928, Harold S. Black registr una patente relacionada con la retroalimentacin negativa, la cual no tuvo un xito inmediato, encontrando
como respuesta por parte del registro de patentes que este procedimiento era poco til y hasta no muy inteligente. Por ese motivo, la patente fue
otorgada nueve aos despus. Hoy sabemos el impacto que ha tenido y tiene la retroalimentacin negativa en diversas reas como la electrnica,
las telecomunicaciones, el control, los dispositivos biomecnicos, etctera.

82

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

TEORA

IMPORTANTE DE LOS

OP AMPS

El amplificador operacional (OP AMP) es el circuito integrado lineal ms usado en el diseo electrnico. El OP AMP
constituye el bloque de construccin analgico equivalente a las compuertas digitales que estudiamos en el siguiente
captulo. En el mundo digital actual parece ser muy comn estudiar de manera rpida y superficial el tema de los OP
AMP, proveyendo nicamente de frmulas al estudiante o al interesado de estos temas, sin explicar la teora o el propsito detrs de ellas. De esta manera, cuando el estudiante o ingeniero disea por primera vez un circuito con OP
AMP, el resultado es una confusin total, en especial cuando el circuito no funciona como se espera. Esta seccin, por
consiguiente, pretende proveer la teora primordial de los OP AMP, con el objetivo de ayudar a comprender mejor su
funcionamiento interno y adquirir una intuicin educada con respecto a este dispositivo.
Por definicin, podemos decir que el OP AMP es un amplificador diferencial directamente acoplado y de alta
ganancia. El acoplamiento directo significa que la salida de una etapa se conecta directamente a la entrada de la siguiente, sin usar capacitores o transformadores para aislar los voltajes de CD de cada etapa. El smbolo esquemtico
del OP AMP se muestra en la figura 3.1.
<ekiX[Xef$`em\ijfiX

"

<ekiX[X`em\jfiX

JXc`[X

=`^liX*%( JdYfcf\jhl\d}k`Zfle`m\ijXc[\cFG8DG%
Los smbolos de las entradas ( ) y ( ) no significan que una entrada tiene que mantenerse positiva con respecto a
la otra, o cosas por el estilo; estos smbolos indican la fase relativa que tendr la salida, la cual es importante para mantener negativa la retroalimentacin negativa; por lo que usar los trminos no-inversora e inversora, en lugar de
positiva y negativa, ayuda a evitar esta confusin.
Las entradas del OP AMP presentan una alta impedancia, idealmente infinita, lo que significa que virtualmente
no tienen ningn efecto sobre los circuitos que se conectan a estas. Por su parte, la salida del OP AMP tiene una impedancia muy baja, idealmente cero, y para muchos anlisis es conveniente considerarla como si fuera una fuente de
voltaje con resistencia muy baja. Lo anterior es muy importante, por lo que lo vemos posteriormente, cuando estudiamos las configuraciones del OP AMP. Por lo pronto, baste decir que al OP AMP se le representa con dos smbolos
separados, como se muestra en la figura 3.2.
M<EK

"

MJLD8fM<IIFI

MJ8C

=`^liX*%) I\gi\j\ekXZ`e`ek\ieX[\cFG8DG#Zfdgl\jkXgfi[fjjdYfcfjj\gXiX[fj%
De la figura 3.2 podemos observar un bloque de suma y un bloque de amplificacin.3 Del bloque de suma, a su
vez, podemos notar una entrada positiva y una entrada negativa, como en el smbolo original del OP AMP. La entrada
negativa se considera como el voltaje en ese punto multiplicado por 1. De esta manera, si tenemos 3 V en la entrada positiva y 4 V en la entrada negativa, la salida de ese bloque ser 1 V. As, la salida de este bloque es la suma de las
dos entradas, con una de las entradas multiplicada por 1; esta tambin puede pensarse como la diferencia de las dos
entradas, la cual puede representarse por la ecuacin 3.1.
VSUMA  (V ) (V )
3

(3.1)

Los bloques de suma y ganancia, que conforman el OP AMP, le pueden resultar similares a los usados en sus clases de teora de control; pero, en
realidad son los mismos. La teora de control se aplica perfectamente a los OP AMP.

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83

3 El mgico amplificador operacional

Por otro lado, para el bloque de amplificacin, la variable G representa la cantidad de amplificacin que el OP
AMP aplica al bloque de suma. A esta ganancia del OP AMP se le llama de lazo abierto y, por lo general, es muy alta;
un valor tpico sera 200 000. Para el ejemplo anterior, si consideramos que las entradas son 3 V y 4 V, respectivamente, y usamos la ecuacin 3.1, aplicndole este valor tpico de G, tenemos que:
VSAL  (3 4) r (200 000)  200 000 V
Por supuesto que el voltaje de salida no llegar a los 200 000 V, a menos que los voltajes de las fuentes de alimentacin del OP AMP sean de ese valor. Este ejemplo es un arreglo muy usado en los OP AMP: el circuito comparador,
el cual tiene aplicaciones relacionadas con la conversin de seales analgicas a digitales, que vemos posteriormente.
Ahora, regresando a la representacin del OP AMP de la figura anterior, agregamos un bloque de retroalimentacin, como se muestra en la figura 3.3.
M<EK

MJLD8f
M<IIFI

"

MJ8C

>

=`^liX*%* I\gi\j\ekXZ`e[\cFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%
En la figura 3.3 lo primero que notamos es la salida que se conecta a la entrada negativa, a travs de un bloque llamado H; por esta razn se le llama retroalimentacin negativa. De la figura 3.3 tambin podemos observar que
ahora tenemos dos ganancias: una de lazo abierto, G, y otra relacionada con la retroalimentacin, llamada de lazo
cerrado, H.
Analizando el diagrama de la figura 3.3, se obtiene la siguiente ecuacin de control bsica:
VSAL  ((V )ENT r G ) (VSAL r G r H )
G
VSAL  V ENT r
1 G * H

(3.2)

Debido a que el valor de G es muy grande, el 1 del denominador en la ecuacin 3.2 resulta insignificante, por
tanto la ecuacin se simplifica de la siguiente manera:
1
(3.3)
H
Este es el caso especial, ampliamente usado, en el cual asumimos que las entradas del OP AMP son iguales, pero
se aplica nicamente cuando la retroalimentacin es negativa.
Es importante que cada vez que veamos el smbolo original del OP AMP recordemos que internamente se encuentra conformado por un bloque sumador y un bloque amplificador. Ahora, vamos a usar el smbolo original del
OP AMP con retroalimentacin negativa, como se muestra en la figura 3.4.
VSAL VENT

<ekiX[Xef$`em\ijfiX
<ekiX[X
`em\ijfiX

"


JXc`[X

=`^liX*%+ JdYfcf\jhl\d}k`Zffi`^`eXc[\cFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%

84

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Cuando la ganancia de retroalimentacin, de lazo cerrado, es unitaria, demuestra otro arreglo muy til del OP
AMP: el circuito seguidor de voltaje. Por tanto, si H  1, tenemos que:
1
VSAL  VENT l VSAL  VENT
1

(3.4)

Cualquier voltaje aplicado a la entrada positiva, aparecer en la salida. Despus, en este mismo captulo, hablamos de este popular circuito y sus aplicaciones. Sin embargo, con el objetivo de obtener el entendimiento intuitivo de
la retroalimentacin negativa, usamos el OP AMP configurado como circuito seguidor de voltaje. Para esto, se asignan valores a las ganancias, G  200 000 y H  1; entonces, se asume que la entrada negativa (V ) es cero al inicio y,
por tanto, se aplica una secuencia de voltajes a su entrada positiva, VENT, de 0 V, 2 V y 0.8 V, como se muestra en la
tabla 3.1.
Tiempo

VENT

(VENT)(V)

VSAL

200 000

200 000

200 000

0
0 V >VSAT( ) > 1 V

200 000

1
1 V >VSAT( ) > 1.5 V

200 000

1.5

0.5

1.5
1.5 V >VSAT( ) > 1.8 V

200 000

1.8

0.2

1.8
1.8 V >VSAT( ) > 2.2 V

200 000

2.2

0.2

2.2
2.2 V >VSAT( ) > 1.9 V

200 000

1.9

0.1

1.9
1.9 V >VSAT( ) > 2.0 V

200 000

200 000

10

200 000

11

200 000

12

200 000

1.2

0.8

2.0 V >VSAT( ) > 1.5 V


13

200 000

0.8

1.5

0.7

1.5
1.5 V >VSAT( ) > 1 V
(Contina)

KXYcX*%( MXcfi\jXj`^eX[fj[\^XeXeZ`Xj#mfckXa\j[\\ekiX[XpmfckXa\j[\jXc`[XgXiXleFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#
Zfe]`^liX[fZfdfj\^l`[fi[\mfckXa\%

grupo editorial patria

85

3 El mgico amplificador operacional

(Continuacin)

Tiempo

VENT

(VENT)(V)

VSAL

14

200 000

0.8

0.2

1
1.5 V >VSAT( ) > 0.7 V

15

200 000

0.8

0.7

0.1

0.7
0.7 V >VSAT( ) > 0.8 V

16

200 000

0.8

0.8

0.8

17

200 000

0.8

0.8

0.8

18

200 000

0.8

0.8

0.8

19

200 000

0.8

0.8

0.8

KXYcX*%( MXcfi\jXj`^eX[fj[\^XeXeZ`Xj#mfckXa\j[\\ekiX[XpmfckXa\j[\jXc`[XgXiXleFG8DGZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#
Zfe]`^liX[fZfdfj\^l`[fi[\mfckXa\%

En un inicio, el voltaje de entrada es 0 V, y en consecuencia asumimos una salida de 0 V. Ahora, se aplica un voltaje VENT  2 V a la entrada V , y se asume V  0 V. La salida del bloque de suma es de 2 V, resultado de la diferencia
entre VENT y V , como se ilustra en el tiempo 2 de la tabla 3.1; de esta manera, el voltaje de salida del bloque de ganancia, G, se encamina hacia el voltaje mximo positivo del amplificador (VSAT ). Pero, qu sucede con la entrada negativa (V ) cuando la salida (VSAL) se aproxima, por ejemplo, a 1 V? Correcto! La entrada negativa tambin se aproxima a
1 V. Por tanto, la salida del bloque de suma se va haciendo cada vez ms pequea, como se aprecia en el tiempo 3, de la
tabla. Si la entrada negativa (V ) se hace mayor de 2 V, como ocurre en el tiempo 6, V  2.2 V, entonces la entrada al
bloque de ganancia, G, se har negativa; en consecuencia, obligar a la salida a ir en la direccin negativa. Cuando el
voltaje de salida se encamina de 2.2 V hacia al voltaje negativo mximo (VSAT ), este voltaje empieza a disminuir su valor. Entonces, si por ejemplo disminuye a 1.9 V, este valor proporcionar una salida positiva al bloque sumador de 0.1
V, como se observa en el tiempo 7 de la tabla 3.1, que al multiplicarse por la ganancia, G, hace que la salida se dirija otra
vez hacia el voltaje mximo positivo del amplificador (VSAT ). Cundo se detiene este proceso? Se detendr cuando la
entrada (V ) sea igual a la entrada VENT (V ). En este caso, como la ganancia de lazo cerrado H  1, el voltaje de salida
ser de 2 V. Si el voltaje de entrada, VENT, cambia a 0.8 V, el proceso se repetir, como lo ilustra la figura 3.5.
)%,
)

MfckXa\M

(%,
M<EK

MJ8C
'%,
'
'

('

(,

)'

'%,
K`\dgfdj

=`^liX*%, MfckXa\j[\\ekiX[Xp[\jXc`[X[\leFG8DZfei\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX#Zfe^XeXeZ`X[\cXqfZ\iiX[f?4(%
En la figura 3.5 tambin se aprecia que el voltaje de salida sigue al voltaje de entrada. Qu tan rpido alcanzar el
voltaje de salida al voltaje de entrada?, esto depender del tipo de amplificador y, ms especficamente, de los componentes que lo conforman.

86

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Por qu es tan importante la retroalimentacin negativa? Recordemos que el objetivo de crear los amplificadores
operacionales fue realizar circuitos amplificadores que no fueran dif ciles de construir.4 As, se concibi la idea de que
deba haber una forma ms fcil de realizar un circuito amplificador. Ahora, vamos a analizar otra vez la ecuacin
bsica de control:
VSAL  VENT r

G
1
l VSAL VENT
1 G * H
H

Hemos visto que el voltaje de entrada, VENT, depende del valor de H; por ejemplo, si H  1/100, entonces tendremos una amplificacin de la entrada de 100.

1
VSAL  VENT r 1 l VSAL  VENT r 100
100

(3.5)

La pregunta sera, entonces, cmo llevamos a cabo esto. Si recordamos el comportamiento del humilde circuito
divisor de voltaje, que vimos en el captulo 0, veremos que este circuito sera muy til aqu, ya que se desea que H sea
equivalente a dividir entre 100. Entonces, vamos a insertar un circuito divisor de voltaje en lugar de H, como se muestra en la figura 3.6.
<ekiX[Xef$`em\ijfiX
M

"


MJ8C

II<KIF
I<EK

=`^liX*%- ;`m`jfi[\mfckXa\ljX[fZfdfi\kifXc`d\ekXZ`ee\^Xk`mX%
En la figura 3.6 se observa que la entrada del divisor de voltaje proviene de la salida del OP AMP, VSAL, y que la
salida del divisor de voltaje va hacia la entrada inversora del OP AMP. El divisor de voltaje se ver afectado por la entrada inversora del OP AMP? Esto es una de las confusiones de muchos estudiantes al tratar de analizar circuitos con
OP AMP. Por supuesto que no, ya que la entrada presenta una impedancia muy alta. Entonces, si V no afecta en el
divisor de voltaje, y VSAL se considera como una fuente de voltaje, vamos a calcular la salida del divisor de voltaje:
V V

SAL

RENT
RENT RRETRO

V
RENT

H
VSAL RENT RRETRO

(3.6)

Sin embargo, para nuestra retroalimentacin requerimos 1/H; por tanto:


1 RENT RRETRO
1
RRETRO

l  1
H
RENT
H
RENT

(3.7)

Hasta la invencin de los OP AMP, los circuitos de amplificacin estaban limitados a usar transistores. El problema con los transistores usados como amplificadores, y la razn principal por la cual no los analizamos de esa manera en el captulo 2, es que son dispositivos operados con
corriente, por lo que siempre afectan la seal del circuito que el diseador desea amplificar, cargando el circuito. Adems, debido a la tolerancia
de fabricacin de los transistores, la ganancia de los transistores poda variar significativamente. En definitiva, disear circuitos amplificadores
era un proceso tedioso que involucraba mucho trabajo de prueba y error. Lo que se quera era un circuito que requiriera pocos componentes
externos, al cual se le aplicara una seal y esta se pudiera multiplicar por un valor deseado. En conclusin, que la operacin de amplificacin (OP
AMP) fuera sencilla.

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87

3 El mgico amplificador operacional

Considerando ahora que tenemos el caso especial de retroalimentacin negativa, podemos asumir que los voltajes
de la terminal no inversora, V , y la terminal inversora, V , son iguales (V  V ). Como ya aprendimos, lo anterior
se debe a que la retroalimentacin negativa hace que el voltaje de salida intente alcanzar ese estado. Entonces, si a la
entrada no-inversora, V , se le conecta el voltaje de entrada, VENT, que queremos amplificar, tenemos que VENT  V ,
y la ecuacin 3.6 puede escribirse como:
VENT  V

SAL

RENT
RENT RRETRO

VENT
RENT

VSAL RENT RRETRO

(3.8)

Pero, lo que en realidad nos interesa saber es el efecto de este circuito en VENT para obtener VSAL. En otras palabras, lo que nos incumbe conocer es VSAL cuando se aplica VENT.
Por tanto,
VSAL  V

ENT

RENT RRETRO
RENT

VSAL
RRETRO
 1
VENT
RENT

(3.9)

Se puede observar, de la ecuacin 3.9, que la ganancia de lazo cerrado de este circuito, 1/H, es controlada por un
par de resistencias. Obviamente, podemos observar que el clculo de estas resistencias para producir la ganancia del
circuito es mucho ms sencillo que utilizar circuitos de amplificacin basados en transistores discretos.
Ahora que hemos visto el concepto de retroalimentacin negativa y la teora que soporta los OP AMP, nos disponemos a analizar una de las etapas internas de los OP AMP que provee muchas de sus caractersticas elctricas de CD
y CA: la etapa de entrada, compuesta por los amplificadores diferenciales.

AMPLIFICADORES

DIFERENCIALES

La etapa de entrada estndar de un OP AMP se llama par diferencial, o amplificador diferencial, y consiste de un par
de transistores NPN o PNP.5 La forma ms comn de un amplificador diferencial posee dos entradas y una salida,
como se muestra en la figura 3.7 a).
"M::
"M::
I:
I:

MJ8C

MJ8C

M(

H(

H)

Ef
`em\ijfiX

I<

M::


M(

@em\ijfiX

H(

H)
M)4'M

Ef
`em\ijfiX

I<
M::

X

=`^liX*%. 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X :`iZl`kfZfek\id`eXc\j`em\ijfiXpef$`em\ijfiX%Y K\id`eXc`em\ijfiXXk\ii`qX[X#


j\XcXgc`ZX[X\ek\id`eXcef$`em\ijfiX#M(pMJ8C#\e]Xj\%
5

A los OP AMP que utilizan transistores JFET en la construccin del amplificador diferencial de entrada y transistores BJT en las otras etapas, se
les llama OP AMP bi-FET.

88

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

La base de Q1 se llama entrada no-inversora y la base de Q2 es la entrada inversora; la salida se toma del colector
de Q2. En este ejemplo, al voltaje aplicado a la entrada no-inversora se le designa V1, y al aplicado a la entrada inversora se le llama V2. El voltaje de salida para el amplificador diferencial se obtiene con la ecuacin 3.10:

VSAL  Ad (V1 V2 )

(3.10)

Donde Ad representa la ganancia de voltaje diferencial.


De forma cualitativa, podemos apreciar que si las bases de Q1 y Q2 son aterrizadas, el voltaje de salida ser el voltaje del colector VC. Si la base de Q2 se aterriza y se aplica una seal, V1, en la base de Q1, como se muestra en la figura
3.7 b), el voltaje de salida VSAL y el voltaje de entrada, V1, estarn en fase. Por otro lado, la figura 3.8 a) muestra el caso
cuando Q1 se aterriza y se aplica una seal, V2, en la entrada de Q2. Para esta condicin, las seales de salida VSAL y de
entrada V2 se encuentran fuera de fase 180. Por ltimo, la figura 3.8 b) muestra la condicin en la cual se aplica una
seal a ambas entradas simultneamente. En este caso en particular, las seales aplicadas, V1 y V2, se encuentran desfasadas 180; en esta condicin, podemos observar que el voltaje de salida se encuentra en fase con V1.
"M::

"M::

I:

I:

MJ8C
FM

MJ8C

@em\ijfiX
H(

H)

M(

M)

H(

H)

I<

M)

I<

M::

M::

X

=`^liX*%/ 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X K\id`eXcef$`em\ijfiXXk\ii`qX[X#j\XcXgc`ZX[X\ek\id`eXc`em\ijfiX#M)pMJ8C]l\iX[\]Xj\(/'%


Y J\Xc\jXgc`ZX[XjXXdYXjk\id`eXc\j[\\ekiX[X%

ANLISIS

DE

CD/CA

Y GANANCIAS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

Anlisis de CD
Para realizar el anlisis de CD del par diferencial, vamos a utilizar el circuito mostrado en la figura 3.9. La figura 3.9 a)
muestra el amplificador diferencial con ambas bases aterrizadas a travs de las resistencias RB1 y RB2 . Cada base debe
tener una trayectoria de retorno de CD a tierra; de otro modo, los transistores estaran con sus bases abiertas, dejando
a los transistores en estado de corte.
En condiciones ideales, Q1 y Q2 son idnticos o perfectamente igualados, condicin que consideraremos para el
anlisis de este circuito.
La corriente de CD que pasa a travs del emisor, RE, con frecuencia se llama corriente de cola y, por lo general, se
denomina IT . Tomando en cuenta que Q1 y Q2 estn perfectamente igualados, la corriente IT se divide, en igual proporcin, entre el emisor de cada transistor. La figura 3.9 b) muestra el circuito equivalente donde cada transistor
ilustra sendas resistencias de emisor con valor 2RE. La corriente IE se calcula usando la ecuacin 3.11, y considerando
que el voltaje en la base, VB , de cada transistor es muy pequeo o aproximadamente cero.
IT 

VEE VEE
RE

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(3.11)

89

3 El mgico amplificador operacional

"M::4(,M

"M::4(,M

I:4('b

I:4('b

(4)4),'
M:4.%/,M

M:4.%/,M

H(

I9(4(b

'%.M

H)

I9)4(b

H(
I9(4(b

I:4('b

H)
)I<4)'b

)I<4
)'b

M<<4(,M
X
M<<4(,M
Y

=`^liX*%0 8e}c`j`j[\:;[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X 8dYXj\ekiX[XjXk\ii`qX[XjXkiXmj[\I9(pI9) %


Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\#dfjkiXe[fI <Zfdf[fji\j`jk\eZ`Xj`e[\g\e[`\ek\j[\mXcfi)I< %

Donde VBE es igual a 0.7 V en las terminales del emisor, como se muestra en la figura 3.9 a). Por tanto, la corriente IT se calcula usando la ecuacin 3.11.
IT 

VEE VEE 15 0.7



 1.43 mA
10 k
RE

Como la corriente IT  2IE, donde IE es la corriente de emisor en cada transistor, cada transistor tendr una corriente IE  IT/2, IE  1.43 mA/2  715 A. Aunque, la corriente IE tambin puede obtenerse usando la ecuacin 3.12:
IE 

VEE VEE
2 RE

(3.12)

Cualquiera de los dos procedimientos produce el mismo resultado.


Por otro lado, el voltaje de colector de CD puede obtenerse usando la ecuacin 3.13:
VC  VCC I C RC
Si asumimos que IC

(3.13)

IE, podemos obtener el valor de VC usando la ecuacin 3.13:


VC  15 V (715 A r 10 k)  15 V 7.15 V  7.85 V

Este voltaje de VC se obtiene cuando las bases de ambos transistores son aterrizadas y se asume que los transistores estn perfectamente igualados.
Para el clculo de IE, los voltajes de base VB1 y VB2 se asumieron con un valor cercano a cero. Estos valores
de voltaje se pueden corroborar asumiendo una ganancia de CD para ambos transistores, 1  2  450, por lo que
IB  IC  715 A450  1.58 A. Si usamos los valores de RB1  RB2  1 k, podemos calcular los voltajes de base de
la siguiente manera:
VB1  VB2  IE r RE  1.58 A r 1 k  1.58 mV
Debido a que este valor es muy pequeo, normalmente se ignora en los clculos de IE.

90

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Anlisis de CA
Para realizar el anlisis de CA del par diferencial, vamos a utilizar la figura 3.10. La figura 3.10 a) muestra una seal de
entrada de CA, V1, aplicada a la base de Q1, mientras Q2 se aterriza.
La figura 3.10 b) ilustra el mismo circuito, pero acomodado de tal forma que se permite apreciar una configuracin particular para cada transistor. En este caso, Q1 acta como emisor seguidor y Q2 como amplificador de base
comn. Debido a que ningn transistor tiene inversin de fase, la seal de salida, VSAL , se encuentra en fase con la
seal de entrada, V1. Esta es la razn por la cual a la terminal de la base de Q1 se le llama terminal no-inversora.
"M::4(,M

"M::4(,M

I:4('b

I:4('b
MJ8C

MJ8C

M(4('dM

,dM

H(

H)

H(

H)
M(4('dM

I<4('b

I<4('b

M::4(,M

M::

=`^liX*%(' 8e}c`j`j[\:8[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X :`iZl`kffi`^`eXc%Y :`iZl`kfi\[`YlaX[fgXiXXgi\Z`XicXZfe]`^liXZ`e[\H(#


Zfdfj\^l`[fi[\mfckXa\#pH)#ZfdfXdgc`]`ZX[fi[\YXj\Zfde%

Con el objetivo de visualizar el comportamiento de CA del circuito de la figura 3.10 a), ahora vamos a hacer uso
de un circuito equivalente de CA de un transistor, el cual est compuesto por una resistencia de CA, denominada
re, de la unin emisor-base, y por una fuente de corriente correspondiente a la unin colector-base. El valor tpico de
la resistencia de CA,6re, es de 25 mV/IE. La figura 3.11 ilustra este circuito equivalente del transistor.7
Con base en el circuito equivalente de CA del transistor, enseguida llevamos a cabo el circuito equivalente de CA
para el amplificador diferencial, como se muestra en la figura 3.12. De este circuito podemos notar que para seales
de CA, las fuentes de alimentacin se aterrizan y que re1 y re2 funcionan como un divisor de voltaje para la entrada,
V1. Asumiendo que Q1 y Q2 son idnticos, la corriente IE1  IE2 , por lo que re1  re2 . Adems, podemos observar que
re2 se encuentra en paralelo con RE; pero como RE>>re2 , entonces podemos ignorar el efecto de RE en este circuito, lo
cual nos lleva al circuito equivalente mostrado en la figura 3.12 b), donde se omite RE.
En la figura 3.12 b) es posible observar que el voltaje de salida es iCRC , y que el voltaje de entrada est dado por
2iC re. Por tanto, la ganancia Ad est dada por la ecuacin 3.14:
Ad 

VSAL iC RC RC


VENT 2iC re 2re

(3.14)

Un anlisis similar se obtiene cuando se aterriza la seal no-inversora y se aplica seal a la entrada inversora. La
ecuacin 3.15 muestra cmo se obtiene la ganancia Ad en esta condicin:
RC
Ad 
(3.15)
2re
En esta ecuacin, el signo negativo ( ) indica que la seal de salida invierte la fase 180.
6

La derivacin del valor de re es larga e involucra el empleo de clculo, que va ms all del alcance de este libro. En la prctica, el valor de re va de
25 mV/IE a 50 mV/IE .
Adicionalmente al circuito equivalente del transistor mostrado en la figura 3.5, existen otros circuitos equivalentes ms exactos que incluyen la
resistencia interna de baserb, y la resistencia interna de la fuente de corriente de colector, rc. Estos modelos se usan cuando se requieren respuestas muy precisas.

grupo editorial patria

91

3 El mgico amplificador operacional

"M::

I:
:fcc\Zkfik\id`eXc:
9Xj\k\id`eXc
9

i:

i:i\gi\j\ekjk_\XZ
i\j`jk\eZ\f]k_\\d`kk\i
[`f[\

<d`jfik\id`eXc<
I:

=`^liX*%(( :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\:8gXiXlekiXej`jkfi#\cZlXcdl\jkiXcXi\j`jk\eZ`X[\:8#[\efd`eX[Xi\#gXiXle`e\d`jfi$YXj\#
pleX]l\ek\[\Zfii`\ek\Zfii\jgfe[`\ek\XcXle`eYXj\$Zfc\Zkfi%

M::

I:4('b

@<(

I:4('b

@<)

MJ8C

MJ8C

,dM
M(4
('dM

,dM
M(4
('dM

I<

I<

=`^liX*%() 8e}c`j`j[\:8[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%X :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\:8\e\chl\j\dl\jkiXZdfM(j\[`m`[\\eki\i\(pi\) %


Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\[\:8ZfeI<\oZcl`[X#pXhl\)I<i\) %

Ganancia de voltaje diferencial, A d


Cuando los voltajes V1 y V2 se aplican simultneamente, el voltaje de salida se encuentra determinado por la ecuacin 3.16:
VSAL 

RC
(V1 V2 )
2re

Donde RC2re es la ganancia de voltaje diferencial, Ad.


Si V1 y V2 son iguales, esto es V1 V2  0, el voltaje de salida es idealmente de 7.85 V.

92

ELECTRNICA MIJAREZ

(3.16)

3 El mgico amplificador operacional

Ganancia de voltaje de modo comn, ACM


La ganancia de modo comn, ACM , en un amplificador diferencial asume que las seales aplicadas a cada base de los
transistores de entrada son exactamente iguales tanto en fase como en amplitud, de ah su nombre de entrada de modo
comn. Para obtener la ganancia ACM , vamos a utilizar el circuito de la figura 3.13 a), el cual muestra un amplificador
diferencial con seales de modo comn aplicadas a sus entradas. Dado que las corrientes de emisor de CD son iguales,
RE puede dividirse en dos resistencias por separado, cada una de valor 2RE, como se muestra en la figura 3.13 b).
"M::4(,M

"M::4(,M

I:4('b

I:4('b

MJ8C

M<EK

H)

H(

M<EK

M<EK

H(

H)
)I<4)'b

I<4('b

M<:4(,M

)I<4
)'b

M<EK

M::4(,M

I:4('b
@

MJ8C

)I<4)'b

)I<4
)'b

=`^liX*%(* 8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`XcZfeleX\ekiX[X[\df[fZfde%X :`iZl`kf%Y :`iZl`kf\hl`mXc\ek\gXiX:;%Z :`iZl`kf\hl`mXc\ek\gXiX:8%


En tanto, el circuito equivalente para CA se ilustra en la figura 3.13 c). De acuerdo con este circuito, el voltaje de
salida es igual a VSAL  iC RC; mientras que el voltaje de entrada es igual a VENT(CM)  iC(re 2RE). Por tanto, la ganancia
de modo comn, ACM , se obtiene por la ecuacin 3.17:
ACM 

iC RC
RC

iC (re 2 RE ) (re 2 RE )

(3.17)

En la mayora de los casos, re<<RE, por lo que la ecuacin se reduce a la ecuacin 3.18:
ACM 

RC
2 RE

(3.18)

Razn de rechazo de modo comn (CMRR)


Otro parmetro importante de los amplificadores diferenciales es la Razn de Rechazo de Modo Comn (CMRR, por
sus siglas en ingls). La CMRR se define como la razn entre la ganancia de modo diferencial, Ad, y la ganancia de
voltaje de modo comn, ACM, tal y como se indica en la ecuacin 3.19:

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93

3 El mgico amplificador operacional

CMRR 

Ad
ACM

(3.19)

Entre ms alto es el valor de la CMRR, mejor es el amplificador diferencial. Una forma ms frecuente de especificar la CMRR es en decibeles:
CMRR  20log Ad
ACM

(3.20)

Como ejemplo del clculo de parmetros importantes del amplificador diferencial, vamos a utilizar el circuito de
la figura 3.10 a), el cual tiene como entrada una seal de voltaje CA de 10 mVPP . Se requiere calcular la ganancia
de voltaje de modo diferencial, Ad , el voltaje de CA de salida, la CMRR en decibeles y la ganancia de voltaje de modo
comn, ACM .
Para ello, primero calculamos el valor de la resistencia interna de emisor, re. Puesto que previamente obtuvimos
el valor de IE  715 A, y sabemos la relacin que esta mantiene con IE , tenemos que:
re 

25mV 25mV

 35
IE
715A

Una vez calculado el valor de re, podemos obtener Ad :


Ad 

RC 10k

 142.85
2re 70

Con el valor de la ganancia, ahora podemos calcular el voltaje de salida de CA:


VSAL  Ad r VENT  142.85 r 10mVPP  1.42VPP
Para obtener la CMRR, requerimos la Ad, que previamente calculamos, y la ACM. Por tanto, primero debemos
calcular la ACM, la cual se obtiene usando la ecuacin 3.18:
ACM 

RC 10k7

 0.5
2 RE 20k7

Una vez que se tiene el valor de ACM y el valor de Ad , podemos calcular la CMRR usando la ecuacin 3.20:
CMRR  20log Ad
85
 20log142 .5  20log(285.7)  49.1dB
ACM
0
De esta forma, un valor de 49.1 dB significa que la salida correspondiente a la seal de entrada diferencial es 285.7
veces mayor que la salida debida a la seal de entrada de modo comn. Entonces, como mencionamos antes, entre ms
alto es el valor de la CMRR mejor es el amplificador diferencial. Esto es importante porque el ruido, que por lo general
es comn a ambas entradas y no deseado, ser amplificado mucho menos que las seales que queremos amplificar.
Ahora que hemos estudiado los conceptos generales de la retroalimentacin, la teora en que se sustentan los OP
AMP y los rasgos distintivos y parmetros importantes de los amplificadores diferenciales, procederemos a ver al
amplificador operacional y sus caractersticas principales.

EL

AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y SUS CARACTERSTICAS PRINCIPALES

En la actualidad existen, literalmente, cientos de amplificadores operacionales disponibles en el mercado, con desempeo y caractersticas elctricas variadas.8 Uno de los primeros OP AMP que utilic al salir de la universidad,
8

Robert Widlar (1937-1991) es considerado el primer diseador del OP AMP monoltico en estado slido. Widlar propuso que los CI no fueran
diseados como circuitos convencionales, usando componentes discretos. Para eso, desarroll una metodologa para hacer resistencias con
transistores, que culmin con el primer CI lineal en 1963, denominado uA702, y fabricado por Fairchild Semiconductors. A pesar de ciertas

94

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

originalmente introducido por National Semiconductors, es el LF411. El LF411 es un OP AMP muy completo que he
utilizado como caballito de batalla; sin embargo, desde hace varias dcadas el OP AMP de entrada BJT, denominado
741, se ha convertido en un estndar para la industria. El 741 es elaborado por diferentes fabricantes, siendo los nmeros de parte ms populares: el AD741, el LM741, el NE741 y el uA741. Todos estos OP AMP se consideran equivalentes, ya que sus especificaciones son casi idnticas. Por tal razn, en esta seccin adoptaremos el 741 como
nuestro OP AMP estndar, adems de que lo recomendamos como un buen punto de inicio para sus diseos; sin
embargo, cuando sea necesario haremos comparaciones de desempeo con el OP AMP 411 de entrada FET.
El OP AMP 741, como muchos otros OP AMPs, est contenido en un popular CI de 8 terminales, conocido
como mini DIP (Dual In-Line Package). La figura 3.14 muestra la distribucin de pines y el empaquetado DIP del OP
AMP 741.
(

m`jkXjlg\i`fi

,)

&?

69

=`^liX*%(+ <dgXhl\kX[f;@G[\cFG8DG.+(p[`jki`YlZ`e[\g`e\j%
Internamente, el OP AMP 741 est compuesto por transistores, diodos, resistencias y capacitores, como se ilustra
en la figura 3.15.
"M::
;)

;*

H.

HH/
I)

I*

;+

M<<::

;,

Md

M<<

"

H0
::

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H)
H+
H*

;(

H,
I(
M::

=`^liX*%(, :fdgfj`Z`e`ek\ieX[\cFG8DG.+(%
En la figura 3.15 podemos reconocer a nuestro conocido amplificador diferencial; de este circuito, podemos observar que las bases de Q1 y Q2 se conectan a las terminales del CI, que sirven como entradas del OP AMP. Este circuito
imperfecciones, este OP AMP fue un xito comercial y se venda por aproximadamente 300 dlares. En 1966, Widlar se uni a la compaa
NationalSemiconductors, donde tuvo un trabajo muy exitoso. Continu haciendo mejoras al OP AMP, como mejor ganancia, mayor ancho de
banda, menor corriente de entrada, etc. El xito de los OP AMP, asociado con una alta demanda en la produccin de los mismos, caus que para
1969 los OP AMP se vendieran por alrededor de 2 dlares. En la actualidad, adems de tener un uso muy extendido, los OP AMP son muy
costeables, con precios de ventas menores a 1 dlar.

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95

3 El mgico amplificador operacional

se usa porque amplifica la diferencia de voltaje entre sus dos entradas. La salida del OP AMP es tomada de los emisores correspondientes a los transistores Q8 y Q9. Estos transistores se conectan en una configuracin llamada push-pull,
en la cual Q8 conduce durante el semi-ciclo positivo de la forma de onda de salida, y Q9 conduce durante el semi-ciclo
negativo. La configuracin push-pull le permite al OP AMP tener una impedancia de salida muy baja, lo cual es anlogo a tener una fuente de voltaje con una resistencia interna muy baja.
Es importante hacer notar que el OP AMP es directamente acoplado. Esto significa que la salida de una etapa se
conecta de forma directa a la entrada de la siguiente, sin usar capacitores o transformadores para aislar los voltajes de
CD de cada etapa. Por esta razn, el OP AMP puede amplificar seales de CD. El capacitor CC, usado entre etapas, se
denomina de compensacin, y tiene un valor aproximado de 30 pF. Este capacitor afecta la operacin del OP AMP a
altas frecuencias, pero se usa para prevenir oscilaciones no deseadas. El capacitor CC tambin produce una distorsin
en el SlewRate, pero este tema lo discutimos cuando analizamos las caractersticas ms importantes de los OP AMP.
Antes de analizar las caractersticas reales del OP AMP, a continuacin listamos las caractersticas ideales de su
desempeo:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Ganancia de voltaje de lazo abierto AVOL  infinita.


VSAL  0, cuando ambas entradas estn al mismo voltaje (voltaje de offset  cero).
Impedancia de entrada, ZENT  infinita.
Impedancia de salida, de lazo abierto, ZSAL  cero.
Respuesta a la frecuencia uniforme y ancho de banda desde CD hasta infinito.
La salida puede cambiar instantneamente (slew rate  infinito).
Costo tiende a cero.

Todas estas caractersticas ideales son independientes de los cambios en la temperatura y en la fuente de alimentacin. La figura 3.16 modela las caractersticas ideales del OP AMP.
"M::

Q<E

8MFC

M[

QJ8C
"

M(

M::

MJ8C

M)

=`^liX*%(- Df[\cf[\cFG8DG`[\Xc%
Los OP AMP reales no alcanzan el desempeo ideal; no obstante, parten de estas caractersticas en varias formas,
como vemos a continuacin.

Ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL


La ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL , de un OP AMP es la ganancia de voltaje cuando no existe retroalimentacin negativa. Esta ganancia se encuentra dividiendo el voltaje de salida, VSAL , entre el voltaje de entrada diferencial,
VED , como lo muestra la ecuacin 3.21.
AVOL 

VSAL
VED

(3.21)

Un valor tpico de AVOL para el OP AMP 741 es de 200 000, como se ilustra en la figura 3.17 a). Es importante
hacer notar que nicamente el voltaje de entrada diferencial, VED  V1 V2 , es amplificado, y no los valores individuales de V1 y V2 .

96

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

"M::
M(
M<;4M(M)

M)

"(,M
M(

"
8MFC4)'''''

MJ8C4M<;8MFC

M<;4,'M

M)

"
8MFC4)'''''

MJ8C4('M

(,M

M::
X

Y
"(,M

"(,M

M(4(M
"
"
M<;4,'M M 4000%0,M 8MFC4)'''''
)

"
MJ8C4"('M

M(4000%0,M

M<;4,'M

M)4(M

8MFC4)'''''

MJ8C4('M

(,M

(,M

=`^liX*%(. FG8DGZfe]`^liX[fgXiXXdgc`]`ZXilemXcfig\hl\f\ejlj\ekiX[Xj#M<;#gfilemXcfidlpXckf[\^XeXeZ`X8MFC %
Como ejemplo numrico, asumimos una entrada pequea de VED  5 V y AVOL  200 000. Por tanto, el voltaje
de salida estar definido por la ecuacin 3.22:
VSAL  AVOL r VED  200 000 r o 0.5V  o10V

(3.22)

El VSAL  10 V, como lo podemos apreciar en la figura 3.17 b). VSAL es positivo cuando la entrada no inversora
( ) es positiva con respecto a la entrada inversora ( ), y VSAL es negativo cuando la entrada no inversora ( ) es negativa con respecto a la entrada inversora ( ).
Si ahora asumimos que V1  1 V y V2  999.95 V, como se muestra en la figura 3.17 c), el VSAL se puede calcular,
simplemente, multiplicando el VED por AVOL. Entonces, primero obtenemos VED  V1 V2  1 000 V 999.95 V 
50 V, y posteriormente calculamos VSAL usando la ecuacin 3.22:
VSAL  AVOL r VED  200 000 r 0.5V  10V
En esta ecuacin podemos observar que V1 es mayor que V2, por tal razn el voltaje de salida es positivo.
En la figura 3.17 d) invertimos los valores en V1 y V2 . Aqu V1 es negativo con respecto a V2 . Entonces, VED 
V1 V2  999.95 V 1 000 V  50 V. Para obtener el VSAL usamos la misma ecuacin anterior.
VSAL  AVOL r VED  200 000 r 0.5V  10V
Los lmites mximos positivo y negativo del voltaje de salida, VSAL, se denominan voltajes de saturacin positiva,
VSAT, y saturacin negativa, VSAT, respectivamente. Por lo general, los voltajes de saturacin tienen un valor de 2 V
menor que los voltajes de alimentacin, VCC. Si, por ejemplo, los voltajes de alimentacin son VCC  15 V, los voltajes de saturacin, VSAT, sern 13 V. Por tanto, el voltaje de entrada diferencial, VED , requerido para obtener los voltajes de saturacin se puede obtener de la siguiente forma:
oVED 

oVSAT
o13 V

 o 65V
AVOL 200 000

Un punto importante de mencionar es que si el VSAL se encuentra entre VSAT , significa que el voltaje de entrada
diferencial, VED , es muy pequeo y para fines prcticos se considera que es cero volts.9
9

De manera prctica, es dif cil medir en el laboratorio voltajes menores a los 50 V, debido a los ruidos inducidos.

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97

3 El mgico amplificador operacional

Corrientes de polarizacin de las entradas


Las terminales de entrada del OP AMP requieren una pequea corriente llamada corriente de polarizacin, IB. De
hecho, son las bases de los transistores Q1 y Q2 las que sirven como estas entradas y deben ser polarizadas correctamente antes de intentar amplificar cualquier seal de voltaje de entrada. Para esto, Q1 y Q2 deben tener una trayectoria
externa de CD de regreso a la tierra de la fuente de alimentacin. La figura 3.18 muestra la direccin del flujo de corriente de las terminales inversora y no-inversora cuando son aterrizadas.
"M::
@9
@9"

.+(

MJ8C

"
M::

=`^liX*%(/ :fii`\ek\j[\gfcXi`qXZ`e[\\ekiX[X[\cFG8DG%
En la figura 3.18 se designa como IB a la corriente que fluye de la terminal inversora y como IB a la corriente que
fluye de la terminal no-inversora. Para el OP AMP 741, estas corrientes son muy pequeas, del orden de los nanoamperes, generalmente 80 r 109 A, o menos, a temperatura ambiente.10
Los fabricantes especifican la corriente IB como el promedio de las dos corrientes, IB e IB , como se muestra en la
ecuacin 3.23:
IB 

/ I B+ / / I B /
2

(3.23)

Donde el smbolo / / significa nicamente la magnitud, sin considerar la polaridad. Los valores de IB e IB podran ser diferentes, ya que es muy dif cil tener dos transistores idnticos. A la diferencia entre estas dos corrientes se
le denomina, elegantemente, como corriente de offset, IOS, la cual puede expresarse por la ecuacin 3.24:
I OS  / I B / / I B /

(3.24)

Para el OP AMP 741, la corriente IOS es tpicamente de 20 A.


Los valores de IB e IB son tan pequeos que en muchos anlisis de la operacin de los circuitos se consideran
cero. No obstante, en aplicaciones de alta precisin, los valores de estas corrientes tienen que tomarse en consideracin.
La importancia de las corrientes IB radica en que estas causan una cada de voltaje en las resistencias de la malla
de retroalimentacin, la malla de polarizacin o en la impedancia de la fuente.

Voltajes de entrada de offset


Por lo general, los primeros parmetros que se encuentran en las hojas de datos de los fabricantes, donde se especifican las caractersticas de entrada de CD de los OP AMP, son las corrientes de polarizacin y las corrientes de offset,
que acabamos de describir, junto con el voltaje de offset y la deriva (dift) de offset. El valor de estos parmetros est
determinado por la etapa de entrada constituida por nuestro viejo amigo el par o amplificador diferencial.
El voltaje de offset, VOS, se define como el voltaje que debe ser aplicado a la entrada, de tal forma que el voltaje de
salida sea cero. En un mundo ideal, los transistores y las resistencias que conforman el amplificador diferencial son
idnticos, con lo cual se puede obtener un VOS  0 V. Sin embargo, a pesar de los esfuerzos de los diseadores de OP
10

Para OP AMP con entrada JFET, como el 411, la corriente IB es tpicamente de 50 Pa, a temperatura ambiente, y hasta 2 A a 70 C. Por lo general, las corrientes IB se ignoran para transistores JFET, pero no para OP AMP con entradas bipolares.

98

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

AMP para hacer los transistores idnticos, siempre hay pequeas diferencias. Si se conectan las entradas a un mismo
voltaje, por ejemplo a tierra, la salida se saturar a VCC o VCC, y no se puede predecir a cul. La diferencia en los voltajes de entrada necesaria para hacer que el voltaje VSAL sea cero es el VOS. El VOS se puede modelar como si hubiera
una batera conectada en serie con una de sus entradas como se muestra en la figura 3.19.
M::

MJ8C

"

Gfk

MFJ
M::

=`^liX*%(0 MFJdf[\cX[fZfdfleXYXk\iXZfe\ZkX[XXcX\ekiX[Xef$`em\ijfiX%
Los OP AMP, por lo general, tienen dos entradas para reducir el VOS a cero, mediante un potencimetro, comnmente de 10 k, como se ilustra en la figura 3.19. Para el 741, el mximo VOS es 4 V, mientras que para el 411
es 2 V.
Un parmetro de mayor importancia para aplicaciones de precisin es la deriva (dift) del VOS con la temperatura
y el tiempo, ya que inicialmente el VOS puede ajustarse a cero. Esta deriva es ocasionada por la cada de voltaje de la
unin p-n polarizada directamente, correspondiente a la unin base-emisor de los transistores de la etapa de entrada,
la cual cambia con la temperatura. Por desgracia, cada transistor cambia en forma ligeramente diferente, por ende el
VOS cambia con la temperatura. Esta deriva del VOS se especifica en las hojas de datos en V/C. Por ejemplo, para
el 741 este parmetro es de 15 V/C y para el 411 de 7 V/C.
A diferencia de los OP AMP 741 y 411, que no proporcionan la deriva por envejecimiento, los OP AMP de precisin, como el OP-77, especifican, adems del voltaje de offset, 10 V, y la deriva de voltaje de offset, 0.2 V/C, la deriva por envejecimiento, que para este OP AMP es de 0.2 V/mes. Esto significa que la variacin del VOS por
envejecimiento sera nicamente de 48 V en 20 aos!

Impedancia de entrada
La impedancia de entrada, ZENT, se refiere a la resistencia de entrada diferencial; esta es la impedancia viendo hacia
una entrada con la otra entrada aterrizada. La ZENT ideal tiene un valor infinito, en consecuencia, la corriente de entrada es cero. Sin embargo, para OP AMP reales de entrada BJT, como el 741, la impedancia de entrada es aproximadamente 2 M, mientras que para los OP AMP de entrada FET, como el 411, es aproximadamente de 1012 ohms.
Debido al efecto de la retroalimentacin negativa, que intenta mantener ambas entradas al mismo voltaje, eliminando
la mayor parte de la entrada diferencial, la ZENT presenta, en la prctica, valores muy altos, y normalmente se le considera un parmetro de menos importancia que la corriente de polarizacin IB.
Del ejemplo anterior, vimos que si tenemos un OP AMP con voltajes de saturacin VSAT  13 V y una
oVSAT o13 V
AVOL  200 000, el voltaje de entrada diferencial oVED 

 o65V . Si la impedancia de entrada
AVOL 200000
ZENT  100 k, cul ser la corriente de entrada al inicio de la saturacin? Bien, vamos a asumir que la corriente de
entrada, IENT, es la corriente que entra a la terminal no-inversora de un OP AMP en configuracin de lazo abierto,
entonces:
I ENT 

VED
65V

 650pA
ZENT 100k7

Como sabemos, con la retroalimentacin negativa, las caractersticas de los circuitos OP AMP dependen de los
elementos externos.

Impedancia de salida: oscilacin de salida vs. resistencia de carga


La impedancia de salida, ZO, es la resistencia intrnseca de salida del OP AMP. La ZO ideal es cero; en consecuencia, la
oscilacin del voltaje de salida es independiente de la carga, RL. No obstante, para OP AMP comerciales, como el 411,

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99

3 El mgico amplificador operacional

es aproximadamente 40 , y para el 741, tpicamente, es de 100 ; para algunos OP AMP de baja potencia puede
llegar a ser de vario miles de ohms.
La retroalimentacin negativa reduce el valor de ZO a valores realmente insignificantes, o los eleva para el caso de
fuentes de corriente. Por tanto, lo que realmente tiene importancia es su mxima capacidad de corriente de salida, la
cual, generalmente, tiene valores tpicos de 20 mA. Esto es proporcionado por los fabricantes en sus hojas de datos,
como una grfica de voltaje de oscilacin de salida vs. impedancia de carga, como se muestra en la figura 3.20 para el
OP AMP 741.
)/
MfckXa\[\fjZ`cXZ`e[\jXc`[XMgg

))+

MJ4(,M
K84"),:

))
)'
(/
((+
()
('
/
'%(  '%)   '%,  (%'  )%'   ,%'  ('
@dg\[XeZ`X[\ZXi^Xb

=`^liX*%)' MfckXa\[\fjZ`cXZ`e[\jXc`[Xmj%`dg\[XeZ`X[\ZXi^X%
Para algunos OP AMP su capacidad de salida es asimtrica, es decir, pueden recibir (sink) ms corriente que la
que pueden proporcionar (source), o viceversa. De la figura 3.20, podemos apreciar que para una impedancia de carga
de 1 k, el voltaje de oscilacin es aproximadamente 24 Vpp, si el OP AMP se alimenta con 15 V. Impedancias de
carga menores a 1 k, reducirn de manera significativa su voltaje de oscilacin. Algunos OP AMP, como el LM358,
permiten oscilaciones que cubren sus fuentes de alimentacin, caracterstica muy til cuando se usan OP AMP con
una sola fuente de alimentacin, ya que la oscilacin puede ser desde tierra hasta el voltaje positivo de la fuente.

Respuesta a la frecuencia
En el dominio de la frecuencia, la ganancia de lazo abierto del OP AMP ideal sera infinita desde cero o CD hasta
cualquier frecuencia, y el ancho de banda tambin sera infinito.11 Sin embargo, en la prctica, la mayora de los OP
AMP operan relativamente con bajas frecuencias. Para el OP AMP 741, por ejemplo, la ganancia de lazo abierto
AVOL  200 000 frecuencias debajo de 10 Hz, como se muestra en la figura 3.21.
No obstante, a 10 Hz, AVOL se reduce al 70.7 de su valor mximo; para este OP AMP, el valor de AVOL  141 400 a
10 Hz. A esta frecuencia se le designa fOL , frecuencia de corte de ganancia de lazo abierto. Cuando la frecuencia se
incrementa arriba del valor de fOL , la ganancia decrece por un factor de 10 por cada dcada que se incrementa la frecuencia. Esto equivale a decir que AVOL decrece 20 dB/dcada.12 Esta reduccin en AVOL a altas frecuencias es causada
11

12

La respuesta de frecuencia es una representacin de la respuesta de un sistema a entradas sinusoidales a distintas frecuencias. Esta salida ser
tambin una onda sinusoidal con diferente fase y magnitud. Una forma de representar grficamente la respuesta en frecuencia de un sistema, es
a travs del uso de los diagramas de Bode. Normalmente, estos diagramas constan de dos grficas separadas, una que corresponde a la magnitud
de dicha funcin y otra que corresponde a la fase. Recibe su nombre del cientfico que lo desarroll, Hendrik Wade Bode.
El decibel, dB, es una unidad logartmica que constituye la dcima parte de un bel, que es en realidad la unidad, aunque en la prctica el
bel no se utiliza por ser demasiado grande. El bel recibi este nombre en honor de Alexander Graham Bell, tradicionalmente considerado
el inventor del telfono. El dB es una unidad de medida sin dimensiones y relativa (no absoluta), la cual es utilizada para facilitar el clculo
y la realizacin de grficas en escalas reducidas. El dB relaciona la potencia de entrada, PE, y la potencia de salida, PS, en un circuito, a

100

ELECTRNICA MIJAREZ

>XeXeZ`X[\mfckXa\[\cXqfXY`\ikf#8MFC

3 El mgico amplificador operacional

]FC

)'''''
('''''

8MFC4(+(+''X]FC

(''''
('''
(''
('
(
(?q ('?q (''?q (b?q ('b?q (''b?q

(D?q

=i\Zl\eZ`X

=`^liX*%)( :limX[\i\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`Xmj%^XeXeZ`X[\mfckXa\8MFC%
por el capacitor interno CC. A la frecuencia en la que AVOL  1 se le denomina frecuencia unitaria, funitaria. Para el 741,
la funitaria es aproximadamente 1 MHz.

SLEW

RATE

Otra especificacin muy importante de los OP AMP es el Slew rate, designado como SR. El SR nos indica qu tan rpido puede cambiar el voltaje de salida de un OP AMP con respecto al tiempo, y se especifica en volts/s. Los OP
AMP de baja potencia, generalmente, tienen SR de 1 V/s, mientras que los OP AMP de alta-velocidad pueden tener
SR de 100 V/s o hasta 6 000 V/s, como el LH0063C. Para el 741, el SR es 0.5 V/s. Esto significa que no importa qu
tan rpido cambie el voltaje de entrada, el voltaje de salida puede cambiar nicamente 0.5 V/s. Para ilustrar este
concepto usaremos la figura 3.22.

"
.+(

MJ8C
"('M

M4,M
M4'%,M
"(M
'*'

=`^liX*%)) FG8DGZfeleXj\Xc[\\ekiX[Xj`eljf`[Xc#]fidX[\fe[X8#pleXj\Xc[\jXc`[Xj`eljf`[Xc#]fidX[\fe[X9%8dYXjj\Xc\j
Zl\ekXeZfecXd`jdX]i\Zl\eZ`X#g\if[`]\i\ek\jg\e[`\ek\j[liXek\cXjXck\ieXZ`fe\jgfj`k`mXjpe\^Xk`mXj%

travs de la frmula
N ; dB =  10log

N ; dB =  10logPS .
PE

V2
Puesto que P 
, y p  I 2 R tambin N se puede obtener por
R

N ; dB =  10log

VV  20logV
S

VE

 II  20logI . El dB se usa comnmente para medir ganancia positiva o ganancia negativa (una ganancia negativa significa
S

IE
atenuacin). Por tanto, una reduccin de 10 es igual a N  20 log 10  20 dB.

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101

3 El mgico amplificador operacional

En la figura 3.22 se ilustra que el voltaje de salida del OP AMP, forma de onda B, es una versin amplificada de su
entrada sinusoidal, VED , forma de onda A. Sin embargo, si la pendiente de la salida sinusoidal excede el SR del OP AMP,
la seal de salida tendr una forma de onda triangular, como se muestra en la figura 3.23.

;dgbVYZdcYV6
=fidX[\fe[X
\jg\iX[X\ecXjXc`[X

G\e[`\ek\5JI

;dgbVYZdcYV7
=fidX[\fe[X[\jXc`[X
ki`Xe^lcXi#i\jlckX[f
[\cX[`jkfij`e[\
JI#[M&[k4'%,M&j

=`^liX*%)* ;`jkfij`e[\cJI[\Y`[fXhl\cXg\e[`\ek\`e`Z`Xc[\cX]fidX[\fe[X[\jXc`[X\oZ\[\
cXj\jg\Z`]`ZXZ`fe\j[\JI[\cFG8DG%

En resumen, la distorsin del SR depende de la amplitud de salida y de la frecuencia, de tal manera que la amplitud
es reducida y la forma de onda distorsionada. Por tanto, la frecuencia mxima a la cual el voltaje de salida oscilar sin
distorsin es igual al mximo slew rate (MSR) que presenta el OP AMP. Entre mayor sea el voltaje de pico de la seal,
VP , a una frecuencia dada, mayor ser la pendiente inicial, como se muestra en la figura 3.23. Por tanto, para una seal sinusoidal, la frecuencia mxima de salida sin distorsin de un OP AMP con un SR y un VP dado se obtiene mediante la ecuacin 3.25:
f MX 

SR
2PVP

(3.25)

Por ejemplo, si tenemos un OP AMP con un SR  10 V/s y un VP  5 V, podemos determinar la mxima frecuencia que este OP AMP puede operar sin distorsin, usando la ecuacin 3.26:
V
SR
s


318 kHZ
2PVP 2P (5 V )
10

f MX

(3.26)

Dicho de otra forma y considerando una seal sinusoidal de frecuencia f (hertz) y una amplitud A (volts), decimos
que esta seal requiere un SR mnimo de 2Af volts/s para oscilar correctamente. Esto es:
VSAL  VP sen 2P f t
dV
 2P f VP cos 2P f t
dt
dV
 2P f VP
dt MX

Para una seal sinusoidal con una frecuencia f  34 kHz y un voltaje de pico VP  14 V, requeriramos un valor
dV
106 V
 2P (34 kHz)(14 V) 3 r
 3 V/s. Sin embargo, si el OP AMP tiene un SR de 1 V/s
mnimo de SR 
dt MX
s
tendramos una distorsin producida por el SR, como se muestra en la figura 3.24.
De lo anterior, podemos observar que la frecuencia mxima de la seal puede ser incrementada si se utiliza un OP
AMP con un SR de mayor valor o aceptando un voltaje de pico de salida de menor valor.

102

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

"(+M

*M&j
]d}o4*+b?q

(M&j
]d}o4((b?q
Jc\niXk\d}o`df
XcZilZ\gfiZ\if

(+M

=`^liX*%)+ ;`jkfij`e[\leXj\Xcj`eljf`[Xc`e[lZ`[Xgfi\cJI[\leFG8DG%

Settling time
Otro aspecto del desempeo de alta frecuencia de un OP AMP es descrito por el parmetro denominado tiempo de
estabilizacin o settling time como comnmente lo especifican las hojas de datos. El settling time indica el tiempo que
toma el OP AMP en estabilizarse en su salida, dentro de una banda de error, considerando una entrada escaln. Por
ejemplo, el 411 especifica un settling time de 2 s a 0.01% de error. La figura 3.25 ilustra este parmetro.
JXc`[X

9Xe[X
\iifi

K`\dgf
dl\ikf

K`\dgf[\
K`\dgf[\
ZXdY`fd}o`df i\Zlg\iXZ`e

K`\dgf[\
\jkXY`c`qXZ`e]`eXc

J\kkc`e^k`d\

=`^liX*%), J\kkc`e^k`d\[\leFG8DGdfjkiXe[fjlYXe[X[\\iifi%
El settling time es importante para ciertas aplicaciones, por ejemplo cuando el OP AMP se utiliza como etapa
posterior de un convertidor digital a analgico (DAC), que explicamos posteriormente, ya que se desea saber cunto
le tomar al OP AMP estabilizarse despus que un cdigo digital ha cambiado; pero, nos estamos adelantando, ya que
el prximo captulo se inicia con los principios de electrnica digital.

Corriente de corto circuito


Es muy comn que los OP AMP cuenten con una proteccin contra un corto circuito en su salida. De esta manera, si
la salida de un OP AMP, como el 741, se conecta directamente a tierra, la corriente de salida no puede exceder 25 mA.
Por tanto, si la resistencia de carga, RL , conectada a la salida tiene un valor pequeo, el voltaje de salida ser bajo, ya
que el voltaje de salida no puede exceder 25 mA RL.

grupo editorial patria

103

3 El mgico amplificador operacional

Razn de rechazo de modo comn (CMRR)


Como vimos antes, en este mismo captulo, la etapa de entrada de un OP AMP est formada por el par o amplificador
diferencial. En consecuencia, el OP AMP amplifica la diferencia en el voltaje de sus dos entradas. De igual manera, si
dos seales idnticas se aplican a las entradas de un OP AMP, y cada una tiene exactamente la misma relacin de fase
y la misma amplitud, la salida del OP AMP ser igual a cero; a esta seal se le conoce como seal de entrada de modo
comn y en muchas ocasiones se podra considerar como una interferencia en las seales de entrada. Por ende, un OP
AMP tiene la caracterstica de amplificar las seales de entrada diferencial y de atenuar cualquier seal de entrada de
modo comn. Desafortunadamente, incluso con seales de modo comn perfectas, la salida no es cero, debido a que
los OP AMP no presentan caractersticas ideales. An as, la razn de rechazo de modo comn (CMRR) es muy alta.
La figura 3.26 muestra la curva caracterstica de la CMRR vs. frecuencia, para el OP AMP 741.
(''

Mj4(,M
K84"),:

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/'

:DII[9

.'
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(

('

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('b (''b (D

('D

=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%)- :DIImj%]i\Zl\eZ`XgXiX\cFG8DG.+(%
Para el OP AMP 741, la CMRR  90 dB, lo cual corresponde a una relacin de 30 000:1.13 Esto significa que si dos
seales de entrada, una seal de entrada diferencial y una seal de modo comn, se aplican simultneamente a un 741,
la seal de entrada diferencial aparecer en la salida aproximadamente 30 000 veces ms grande que la seal de entrada de modo comn. Tambin, podemos observar que la CMRR disminuye al incrementarse la frecuencia; para el
741, la reduccin inicia despus de los 100 Hz.

Razn de rechazo de la fuente de alimentacin (PSRR)


Para completar algunas de las caractersticas importantes de los OP AMP, mencionaremos la razn de rechazo de la
fuente de alimentacin (PSRR, por sus siglas en ingls). Este parmetro es, en realidad, sutil, pero importante. El PSRR
indica la capacidad de un OP AMP para excluir cualquier seal de alta frecuencia que aparezca en la fuente de alimentacin. De esta forma, si un OP AMP tiene un PSRR muy pobre y se conecta a una fuente de alimentacin que
alimenta circuitos digitales, los cuales podran generar ruido de alta frecuencia, ese ruido de alta frecuencia se pasar
hasta la salida del OP AMP. Si esto sucede, se requerir una fuente de alimentacin aislada o de elementos de filtrado
en las terminales de entrada de la fuente de alimentacin del OP AMP, para rechazar esas seales antes de que produzcan ruido en la seal de salida. La figura 3.27 muestra una grfica tpica de PSRR vs. frecuencia.
La PSRR se especifica para ambas fuentes de alimentacin, positiva y negativa, con variaciones simultneas de las
fuentes, por ejemplo desde 15 V a 5 V.

13

Algunos fabricantes expresan la CMRR como la divisin entre la ganancia de modo diferencial, Ad, y la ganancia de voltaje de modo comn, ACM.
Mientras que el rechazo de modo comn (CMR, por sus siglas en ingls) es el logaritmo de esa divisin. Por ejemplo, una CMRR de 10 000 corresponde a una CMR de 80 dB.

104

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3 El mgico amplificador operacional

(+'
()'

"=l\ek\

Mj4(,M
K84"),:

GJII[9

(''
/'
-'
+'

=l\ek\

)'
'
('

(''

(b

('b

(''b

(D

=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%). GJIImj%=i\Zl\eZ`X[\leFG8DG%

Ruido
El ltimo parmetro que vamos a analizar es el ruido.14 Este, tambin, es el parmetro ms complicado, ya que, en
muchas ocasiones, el ruido es el que genera ms problemas en el diseo de circuitos. Para el caso de los OP AMP, el
ruido generado puede ser de voltaje y de corriente, veste ltimo se relaciona con las corrientes de polarizacin en las
entradas del OP AMP, como se muestra en la figura 3.28.

@E
@E"

ME
"

"

Il`[f^\e\iX[fgfimfckXa\ME

Il`[f^\e\iX[fgfiZfii`\ek\@E

=`^liX*%)/ Il`[f\eleFG8DG^\e\iX[fgfimfckXa\ME pZfii`\ek\@E %


Un tercer elemento que contribuye al ruido en los circuitos con OP AMP es el ruido generado por las resistencias externas al OP AMP. Todas las resistencias presentan un ruido de voltaje trmico en origen, conocido como ruido Johnson
o Johnson Noise.15 La figura 3.29 muestra el circuito equivalente del ruido Johnson asociado a cada resistencia.
MEI

=`^liX*%)0 Il`[f[\mfckXa\^\e\iX[fgficXji\j`jk\eZ`Xj%
El voltaje de ruido de las resistencias, VNR, puede obtenerse por la ecuacin 3.27.
V NR  4 KTBR

(3.27)

Donde K es la constante de Boltzmann (1.38 r 10 23 J/K), B es el ancho de banda (Hz), T es la temperatura absoluta  T (C) 273.15 y R es el valor de la resistencia. De la ecuacin 3.27, podemos observar que si se incrementa el
valor de la resistencia, tambin se incrementar el ruido trmico generado por la misma.
14

15

Siempre que queremos hacer mediciones exactas, descubrimos que las cantidades que observamos fluctan por valores muy pequeos de manera aleatoria. Lo anterior limita nuestra habilidad para hacer mediciones rpidas y exactas, y nos hace ver que la cantidad de informacin que
obtenemos o comunicamos es siempre finita. Esas fluctuaciones aleatorias es a lo que llamamos ruido.
En 1927, J. B. Johnson observ fluctuaciones aleatorias de voltaje al realizar mediciones en resistencias elctricas. Un ao despus, H. Nyquist
public el anlisis terico de este tipo de fluctuaciones, indicando que estas tenan un origen trmico. Por tal razn, a este tipo de ruido se le
conoce como ruido Johnson, ruido Nyquist o ruido trmico.

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105

3 El mgico amplificador operacional

Una estimacin del ruido total que se usa comnmente como referencia es 4 V, generado a 25 C, por una resistencia de 1 k a 1 Hz. Sin embargo, de este ruido total, el ruido producido por las resistencias es un componente
clave en los circuitos con OP AMP.
El clculo del ruido total es la suma de los valores absolutos de todos los ruidos. Esta suma se obtiene mediante la
raz cuadrada de la suma de los cuadrados de todos los valores de ruido. El ruido dominante depende del circuito en
particular que se est empleando, por lo que es importante examinar el efecto de estos tres tipos de ruido. Por eso,
vamos a analizar el circuito mostrado en la figura 3.30.
I

"

Ii\kif

I<ek

J\[\jgi\Z`XcXZfeki`YlZ`e
[\il`[f^\e\iX[fgficXj
I[\i\kifXc`d\ekXZ`e

=`^liX*%*' :`iZl`kf[\FG8DGljX[fgXiX[\k\id`eXi\cil`[f[fd`eXek\%
Si el valor de R en el circuito de la figura 3.30 es cero, entonces el ruido de voltaje, VN, ser el dominante, porque
no existir el ruido Johnson proveniente de la resistencia, R, y tampoco se generar el ruido de corriente, IN, ya que R
es cero. Si, por ejemplo, R  3 k, entonces el componente que predomina es el ruido Johnson, aunque tambin existir el ruido por voltaje, VN, y el ruido producido por la corriente, IN. Pero, si R  300 k, el ruido generado por la
corriente de polarizacin que pasa por R es, ahora, el componente predominante del ruido, aunque tambin contribuirn el ruido de voltaje, VN , y el ruido Johnson, VNR; este ltimo con un mayor valor. Por tanto, si usamos un OP
AMP con etapa de entrada FET, el cual tiene una corriente de polarizacin muy baja, se tendr en consecuencia un
ruido muy bajo generado por la corriente.
La tabla 3.2 muestra, de forma cualitativa y cuantitativa, la contribucin del ruido para el circuito de la figura 3.30
con diversos valores de la resistencia R.

Elemento contribuyente
Ruido por voltaje

Valores de R
0

3 k

300 k

3 k

3 k

Ruido por corriente

3 k

300 k

Ruido por la resistencia

7 k

70 k

KXYcX*%) <c\d\ekfjhl\Zfeki`Ylp\e[\dXe\iXgi\[fd`eXek\\ecX^\e\iXZ`e[\il`[f\e\cZ`iZl`kf[\cX]`^liX*%*'%
Normalmente, las hojas de datos especifican el ruido generado a la entrada del OP AMP por voltaje o por corriente, ya sea de manera numrica o por medio de grficas. El OP AMP 741 especifica estos parmetros mediante grficas y el 411 por un valor numrico y por grficas. Por ejemplo, para el 411 se especifica un ruido por corriente de
pA
HA
; sin embargo, el ruido generado por voltaje en la entrada del amplificador
y un ruido por voltaje de 25
0.01
Hz
Hz
se indica tambin mediante una grfica, tal como la que se muestra en la figura 3.31.
Todos los OP AMP tienen un valor de ruido, por corriente y voltaje, que se incrementa a bajas frecuencias, como
se aprecia en la figura 3.31, para el caso de ruido por voltaje, el cual est relacionado con el ancho de banda de ruido
del amplificador y se le designa por una figura de mrito designada como frecuencia de corte, 1/f. Para OP AMP

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3 El mgico amplificador operacional

.'

8


Il`[fgfimfckXa\?q

-'
,'
+'
*'
)'

(&]
('
'
('

(''

(b

('b

(''b

=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%*( Il`[fgfimfckXa\#ME #^\e\iX[f\ecX\ekiX[X[\leFG8DG%


diseados para operar con un factor de ruido reducido a baja frecuencia, esta figura de mrito se puede reducir hasta 2 Hz. Por tanto, si se requiere un circuito de precisin a bajas frecuencia se recomienda tener un OP AMP con un
1/f bajo.
Uno de los objetivos de medir el ruido con un osciloscopio es obtener el voltaje pico a pico (VPP) a la salida del OP
AMP, en un ancho de banda especfico, por ejemplo de 0.1 a 10 Hz. Para esto se requiere usar un circuito especial con
filtros y ganancias, que va ms all del objetivo de este texto. Lo importante es tener en cuenta los elementos que contribuyen al ruido de un circuito de OP AMP a fin de reducirlos al mnimo.

OP AMP reales y su seleccin


Resulta evidente que las caractersticas del OP AMP ideal no existen y que el OP AMP real tiene limitaciones. No
obstante, es interesante hacer notar que esas imperfecciones son usadas por los diseadores como ventajas o caractersticas deseables. Por ejemplo, para el diseo de un circuito amplificador se usa un ancho de banda que es, por mucho, menor que infinito, con lo cual se puede reducir el ruido, y transitorios de muy alta rapidez. Un slew rate infinito
podra no ser tan bueno como suena. Podemos decir que al OP AMP real le gusta trabajar con seales de baja frecuencia. Esto disminuye an ms los glitches o transitorios de muy alta amplitud y alto contenido de frecuencias.
A la fecha, no existe un OP AMP ideal para todas las aplicaciones. No se ha diseado! Lo que se puede hacer con
las opciones disponibles es seleccionar el mejor, dependiendo de la aplicacin, y utilizarlo de manera adecuada. Las
tecnologas disponibles de silicio para la fabricacin de OP AMP son la bipolar y la FET. La diferencia ms importante
entre estas dos tecnologas son los transistores empleados en la etapa de entrada. Como ya vimos en las secciones anteriores, estos transistores tienen un efecto fundamental en el desempeo total del OP AMP. La figura 3.32 muestra de
manera general y a golpe de vista la diferencia entre estas dos tecnologas usadas para la fabricacin de los OP AMP.

9Xafil`[f
gfimfckXa\

9Xafil`[fgfi
Zfii`\ek\

8dgc`fXeZ_f
[\YXe[X

DXpfi^XeXeZ`X
[\mfckXa\

Fg\iXZ`eZfeleX
]l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e

8ckX`dg\[XeZ`X
[\\ekiX[X

9XafZfejldf
[\gfk\eZ`X

=<K

9XafmfckXa\
[\f]]j\k
LeX:DIIXckX
DXpfidXe\af
[\Zfii`\ek\X
cXjXc`[X

9`gfcXi

=`^liX*%*) :XiXZk\ijk`ZXj`dgfikXek\j[\cXjk\Zefcf^Xj[\j`c`Z`fljX[XjgXiX]XYi`ZXiFG8DG%

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107

3 El mgico amplificador operacional

CIRCUITO

BSICOS DEL

OP AMP

Como enfatizamos al inicio de este captulo, la retroalimentacin negativa puede mejorar de manera importante el
desempeo de un amplificador. A cualquier OP AMP que no use retroalimentacin negativa se le considera demasiado inestable para ser til, con sus excepciones, por supuesto. En esta seccin describimos cmo la retroalimentacin negativa estabiliza la ganancia de voltaje, mejora las impedancias de entrada y de salida e incrementa el ancho
de banda del OP AMP.

El amplificador inversor
Al circuito basado en un OP AMP con retroalimentacin negativa, como se muestra en la figura 3.33, se le llama amplificador inversor. Lo anterior debido a que su salida se encuentra desfasada 180 con respecto a su entrada. La inversin de fase ocurre porque la seal de entrada, VENT , se aplica a la terminal no inversora ( ) del OP AMP.
II<KIF4('b

"M::
I<EK4(b

M<;4'M

.+(
MJ8C4('MGG

"
M<EK4(MGG
M::

=`^liX*%** :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi`em\ijfi%
Las resistencias RRETRO y RENT proveen la retroalimentacin negativa, la cual, a su vez, controla la ganancia de
voltaje total del circuito. La seal de salida se retroalimenta a la entrada, a travs de estas resistencias. El voltaje entre
la entrada inversora y la tierra es el voltaje de entrada diferencial, designado como VED . El valor exacto de VED es determinado por la ganancia de lazo abierto AVOL y el voltaje de salida VSAL. Aun con la retroalimentacin negativa, el
VSAL  AVOL VED . VED es tan pequeo que en la mayora de los casos se le considera cero. Por tal razn, en el anlisis
del circuito, la terminal de entrada inversora en el OP AMP se considera como tierra virtual. Esto significa que el voltaje en la entrada inversora del OP AMP se encuentra al mismo potencial que la tierra del circuito, pero sin consumir
corriente. La figura 3.34 ilustra el concepto de tierra virtual.
Ii\kif4('b

K`\iiXm`iklXc
I<ek4(b

"M::

.+(
MJ8C4('MGG

"
M<ek4(MGG
M::

=`^liX*%*+ :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi`em\ijfi\e]Xk`qXe[f\cZfeZ\gkf[\k`\iiXm`iklXc%

108

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3 El mgico amplificador operacional

Ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL


Debido a que en la entrada inversora del OP AMP prcticamente no fluye corriente, la corriente producida por VENT ,
que fluye a travs de la resistencia de entrada, RENT , es igual a la corriente que fluye por la resistencia de retroalimentacin, RRETRO . Esto es:
VENT VED VED VSAL

RENT
RRETRO

(3.28)

Recordando que VED  VSAL/AVOL y que AVOL es un valor muy grande, idealmente infinito, VED tiene un valor que, para
fines prcticos, se estima en cero. Por consiguiente, la ecuacin 3.28 puede expresarse como:
VENT VSAL

RENT RRETRO
De esta expresin, resulta la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, la cual es la ganancia del amplificador con retroalimentacin negativa:
ACL 

VSAL
RRETRO

VENT
RENT

(3.29)

El signo negativo de la ecuacin 3.29 indica que VENT y VSAL se encuentran 180 fuera de fase. La retroalimentacin
negativa mantiene la ganancia de voltaje constante aun cuando la ganancia AVOL vare. En otras palabras, la ganancia
de voltaje de lazo cerrado, ACL, es independiente de cualquier cambio en la ganancia AVOL del OP AMP.
Como ejemplo, vamos a calcular la ACL y el VSAL del circuito mostrado en la figura 3.33. Primero, obtenemos la
ganancia ACL usando la ecuacin 3.29:
ACL 

10 k7
 10
1 k7

Ahora, podemos calcular el voltaje de salida:


VSAL  VENT r ACL  1VPP r 10  10 VPP
Como vimos en la seccin anterior, las hojas de datos de los fabricantes, por lo general, proporcionan la ganancia de
lazo abierto, AVOL, del amplificador; si esta tiene un valor de 200 000, podemos calcular el voltaje de entrada diferencial
VED, de la siguiente forma:
VED 

VSAL
10 V

 50 VPP
AVOL 200 000

Impedancia de entrada, ZENT


Debido a que la entrada inversora del OP AMP se encuentra a tierra virtual y adems se conecta a las resistencias de
la malla de retroalimentacin, la impedancia de entrada del circuito, ZENT , que ve el voltaje de la fuente, VENT , es
RENT . Esto es:
ZENT y RENT

(3.30)

Como sabemos, la impedancia de la entrada inversora del OP AMP es extremadamente grande, pero esta no es la
impedancia de entrada del circuito, como lo indica la ecuacin 3.30. Por ejemplo, la ZENT del circuito de la figura
3.33 es:
ZENT y RENT  1 k7
Lo anterior nos muestra que la impedancia de entrada se puede controlar fcilmente, seleccionando nicamente la
RENT .

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109

3 El mgico amplificador operacional

Impedancia de salida, ZSAL


Gracias a la retroalimentacin negativa, la impedancia de salida del circuito amplificador inversor es significativamente menor que la impedancia de salida de lazo abierto del OP AMP. La impedancia de salida de un circuito con retroalimentacin negativa se llama impedancia de salida de lazo cerrado, ZSAL(CL) , y se obtiene usando la ecuacin 3.31:
ZSAL(CL) 

ZSAL(OL)
1 AVOL B

(3.31)

Donde ZSAL(OL) es la impedancia de salida de lazo abierto del OP AMP, y es la fraccin de retroalimentacin, porque
determina cunto de la salida se retroalimenta a la entrada. En realidad, como vimos en la seccin de teora importante de los OP AMP, esta fraccin de retroalimentacin es nuestro prctico divisor de voltaje, por tanto:
RENT
B
RENT RRETRO
Por ejemplo, si en el OP AMP de la figura 3.33 el AVOL  200 000 y la ZSAL(OL)  75 , y queremos calcular la impedancia de salida de lazo cerrado, ZSAL(CL), primero calculamos :

B

1 k7
 0.0909
1 k7 10 k7

Ahora, usando la ecuacin 3.31 tenemos que:


ZSAL(CL) 

75 7
 0.0041 7
1 (200 000)(0.0909)

Con lo anterior, comprobamos que ZSAL(CL) es mucho menor que la ZSAL(OL) de lazo abierto, que normalmente especifican los fabricantes.

El amplificador no-inversor
La configuracin del OP AMP como amplificador no-inversor se muestra en la figura 3.35. En esta figura observamos
que la seal de entrada VENT se aplica directamente a la entrada no-inversora ( ) del OP AMP, de modo que las seales
de entrada y salida se encuentran en fase.
Ii\kif4('b

I<EK4(b

.+(

M<;4'M

MJ8C4('MGG

"
M<EK4(MGG

IC

=`^liX*%*, FG8DGZfe]`^liX[fZfdfXdgc`]`ZX[fief$`em\ijfi%
Igual que con el amplificador inversor, la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, est determinada por las resistencias RRETRO y RENT . En esta configuracin, asumimos que la corriente en la terminal inversora, V( ), del OP AMP
es cero, de tal manara que VED  0 y V( )  V( ). Por este motivo, la corriente que pasa por RRETRO es igual a la corriente que pasa por RENT , esto es:
VSAL V () V ()

RRETRO
RENT

110

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3 El mgico amplificador operacional

Como el voltaje de entrada se conecta a la entrada no inversora ( ), VENT  V( ), entonces tenemos que:
VSAL VENT VENT
VSAL
RRETRO

l
1 
RRETRO
RENT
VENT
RENT
ACL 

RRETRO
1
RENT

(3.32)

Como en el caso del amplificador inversor, la ganancia de voltaje de lazo cerrado, ACL, es independiente de los cambios
en AVOL. A manera de ejemplo, vamos a calcular la ACL y el VSAL para el circuito de la figura 3.35:
ACL 

10 k7
1  11
1 k7

Por tanto, el voltaje de salida es:


VSAL  VENT r ACL  1 VPP r 11  11 VPP

Impedancia de entrada, ZENT


En el amplificador no-inversor, la fuente de voltaje de entrada, VENT, virtualmente no tiene que proporcionar corriente a la terminal de entrada no inversora ( ). Dicho de otra forma, la fuente de voltaje VENT ve una alta impedancia de
entrada ZENT . En consecuencia, virtualmente no se pedir corriente (o carga) a la fuente VENT ; la expresin comnmente usada es que no se carga a la fuente VENT . Para calcular la ZENT del amplificador no-inversor usamos la ecuacin 3.33:
ZENT(CL)  RENT (1 AVOL B )

(3.33)

Donde RENT representa la resistencia de entrada de lazo abierto del OP AMP y ZENT(CL) la impedancia de entrada de
lazo cerrado con retroalimentacin negativa. Debido a que en la mayora de los casos 1 AVOL es un valor muy grande, se considera que ZENT(CL) se acerca al infinito. Por ejemplo, si para el circuito de la figura 3.35 asumimos una impedancia de entrada RENT  2 M y AVOL  200 000, podemos calcular la impedancia de entrada ZENT(CL) usando la
ecuacin 3.33.
ZENT(CL)  2 M7(1 200 000 r 0.0909) y 36 G7
Estrictamente 36 000 000 000 no es infinito, pero para fines prcticos se puede considerar que s lo es.

Impedancia de salida, ZSAL


De la misma manera que con el amplificador inversor, la retroalimentacin negativa disminuye la impedancia de salida del amplificador no-inversor y se calcula usando la misma ecuacin.
ZSAL(CL) 

ZSAL(OL)
1 AVOL B

(3.34)

Si para el circuito de la figura 3.35 asumimos una impedancia de salida de lazo abierto ZSAL(OL)  75 y AVOL  200 000,
podemos calcular la ZSAL(CL) usando la ecuacin 3.34.
ZSAL(CL) 

75 7
 0.0041 7
1 (200 000)(0.0909)

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111

3 El mgico amplificador operacional

Al igual que con el amplificador inversor, la impedancia de salida del amplificador no-inversor es muy cercana a cero
ohms.

Seguidor de voltaje
Uno de los circuitos ms populares con OP AMP es el circuito seguidor de voltaje, el cual se muestra en la figura 3.36.
Este circuito tambin es llamado amplificador de ganancia unitaria, amplificador buffer o amplificador de aislamiento. En ocasiones, para abreviar, se le llama simplemente seguidor o buffer.

.+(

MJ8C4M<EK4(MGG

"
M<ek4(MGG

IC

=`^liX*%*- :`iZl`kfj\^l`[fi[\mfckXa\%
De la figura 3.36 se puede observar que el voltaje de entrada, VENT , se conecta directamente a la entrada no inversora ( ) del OP AMP; por ende, los voltajes de entrada y salida se encuentran en fase. Tambin notamos en la figura
que la salida se conecta directamente a la terminal de la entrada inversora ( ). Puesto que VED  0 y V( )  V( ), entonces:
VSAL  VENT
Otra forma de visualizar al circuito seguidor es usar la ecuacin de ganancia ACL del amplificador no inversor:
ACL 

RRETRO
1
RENT

y considerar RRETRO/RENT  0/ y 0, por tanto:


ACL  1
Debido a que VSAL  VENT , el voltaje de salida debe seguir al voltaje de entrada, de ah el nombre de seguidor de voltaje. Este circuito usa la mxima cantidad posible de retroalimentacin negativa; por tal motivo, ZENT(CL) es extremadamente alta y ZSAL(CL) es extremadamente baja. Las ecuaciones 3.33 y 3.34 pueden usarse para calcular ZENT(CL) y ZSAL(CL),
respectivamente.
Una pregunta que surge del circuito seguidor de voltaje es: por qu utilizar este circuito si su ganancia de voltaje
es nicamente uno? La respuesta se basa en el hecho que este circuito puede manejar cargas grandes, igualar impedancias o aislar circuitos de potencia muy grande de circuitera muy precisa y sensible.
Por ejemplo, en vez de conectar una fuente de voltaje con capacidad de corriente limitada, VENT , a una resistencia de carga, RL, de un valor relativamente bajo como se muestra en la figura 3.37 a), se conecta el OP AMP, como
seguidor de voltaje, para eliminar cualquier carga que pueda ocurrir como se ilustra en la figura 3.37 b).
Como lo muestra el circuito de la figura 3.37 b), la fuente de voltaje VENT se conecta a la terminal no inversora ( )
del OP AMP, que tiene una impedancia muy alta, por lo que VENT no requiere proporcionar casi ninguna corriente al
circuito. De esta forma, VENT no se cargar. Adems, debido a la retroalimentacin negativa, la impedancia de salida
ZSAL(CL) es muy baja. Esto significa que el circuito actuar como una fuente de voltaje ideal, con una impedancia interna de aproximadamente cero.

112

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3 El mgico amplificador operacional

"

M<EK

M<EK

IC

IC

=`^liX*%*. X =l\ek\[\mfckXa\#M<EK #Zfe\ZkX[XXleXi\j`jk\eZ`X#IC#[\mXcfiYXaf%Y J\^l`[fi[\mfckXa\Zfe\ZkX[fXcX]l\ek\M<EK #


ljX[fgXiX\c`d`eXicfj\]\Zkfj[\ZXi^X[\M<EK %

A manera de ejemplo, vamos a calcular ZENT(CL) y ZSAL(CL) del circuito seguidor de voltaje de la figura 3.36, si
RENT  2 M, AVOL  200 000 y ZSAL(OL)  75 .
Empezaremos con ZENT(CL) :
ZENT(CL)  RENT(1 AVOL )
Debido a que  1, ZENT(CL)  2 M(1 200 000) y 400 G.
Ahora, calcularemos ZSAL(CL) :
ZSAL(CL) 

ZSAL(OL)
1 AVOL B

Como  1:
ZSAL(CL) 

75 7
 0.000375 7
1 200 000

Para fines prcticos, ZENT(CL) es infinito y ZSAL(CL) es cero ohms.

Ancho de banda del OP AMP


Antes, ya mencionamos que las etapas internas que constituyen al OP AMP son directamente acopladas; por consiguiente, no hay frecuencia de corte inferior, ya que incluyen frecuencias desde CD. Sin embargo, como vimos en la
seccin de respuesta a la frecuencia, el OP AMP s tiene una frecuencia de corte superior llamada fOL, que para el 741
es de 10 Hz; a este valor de frecuencia, la ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL, se reduce a 70.7% de su valor
mximo.
La fOL tiene una frecuencia muy baja para ser usada en algunas aplicaciones; por lo que surge la pregunta: qu
utilizaremos para extender la frecuencia de corte superior ms all de la frecuencia fOL? Exacto! Nuestra conocida y
til retroalimentacin negativa. Por qu? Vamos a asumir que en un amplificador no-inversor, como el mostrado en
la figura 3.35, la frecuencia de la seal de entrada, VENT, se incrementa por encima de la frecuencia de lazo abierto fOL.
Esto causa una disminucin en la ganancia de voltaje de lazo abierto, AVOL, como lo muestra la figura 3.21. Debido a
que AVOL decrece, tambin decrece la cantidad de retroalimentacin negativa. Como el voltaje de entrada, VENT , permanece constante, el voltaje de entrada diferencial, VED , se incrementa. Puesto que VSAL  VED r AVOL , el incremento
en VED compensa la reduccin en AVOL , con lo cual mantiene el voltaje de salida, VSAL , a un valor constante. Si la frecuencia de la seal de entrada, VENT , contina incrementndose, la ganancia AVOL , eventualmente, igualar la ganancia
ACL. Entonces, las curvas para AVOL y para ACL decrecern y se superpondrn al mismo tiempo.
La frecuencia a la cual la ganancia ACL decrece a 70.7% de su valor mximo se le llama frecuencia de corte de lazo
cerrado, y se designa como fCL. La frecuencia fCL puede calcularse usando la ecuacin 3.35:

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113

3 El mgico amplificador operacional

f CL 

f UNITARIA
ACL

(3.35)

Donde fUNITARIA representa la frecuencia a la cual la ganancia AVOL  1. Las hojas de datos, normalmente, muestran la
fUNITARIA. Para el OP AMP 741 la fUNITARIA y 1 MHz, como se muestra en la figura 3.38.
('-

Mj4(,M
K84"),:

(',

8MFC

('+
('*
(')
('
(
('(
(

('

(''

(b

('b

(''b

(D

('D

=i\Zl\eZ`X?q

=`^liX*%*/ I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X[\cX^XeXeZ`X[\cXqfXY`\ikf#8MFC%
La ecuacin 3.35 nos indica que la frecuencia fCL es afectada por la ganancia ACL. Si ACL se incrementa, el ancho
de banda de lazo cerrado fCL decrece y viceversa.

Producto ganancia-ancho de banda de lazo cerrado


La ecuacin 3.35, usada para obtener la frecuencia de corte de lazo cerrado, puede acomodarse como:
fCL r ACL  fUNITARIA

>XeXeZ`X[\mfckXa\8MFC

Para cualquier OP AMP, el producto entre fCL y ACL siempre ser igual a la fUNITARIA. Como se muestra en la grfica
3.38; para el 741, este producto es de 1 MHz, el cual se cumple independientemente de los valores de resistencias de
la retroalimentacin negativa.
La figura 3.39 ilustra la respuesta a la frecuencia de la ganancia AVOL y de las ganancias ACL con valores de 10 y
1 000. Observe en la figura que la curva de AVOL se reduce a 70.700 a fOL  10 Hz; sin embargo, podemos apreciar que
las curvas para ACL  10 y ACL  1 000 no se afectan a esta frecuencia.
('''''
.'.''

]FC

(''''
('''

8:C4('''

(''
('

8:C4('

(
(?q('?q(''?q(b?q('b?q(''b?q(D?q

=i\Zl\eZ`X

k
]LE@K8I@8

=`^liX*%*0 I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X[\cX^XeXeZ`X[\cXqfXY`\ikf#8MFC#p[\cXj^XeXeZ`Xj[\cXqfZ\iiX[f8:C4('p8:C4('''%

114

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3 El mgico amplificador operacional

Haciendo uso de la ecuacin 3.35 calculamos que cuando ACL  10, fCL  1 MHz/10  100 kHz, y cuando ACL 
1 000, fCL  1 MHz/1 000  1 kHz. De lo anterior, concluimos que existe un compromiso entre ancho de banda y ganancia. Si la ganancia de lazo cerrado, AVOL, se incrementa, se reduce el ancho de banda y viceversa.

CIRCUITOS

POPULARES CON

OP AMP

Como es sabido, las aplicaciones de la industria electrnica son muy variadas y los OP AMP son un ingrediente ampliamente usado en muchas de estas. Debido a que los OP AMP se usan en muchas formas, en esta seccin no es
posible cubrir todos los diferentes circuitos con OP AMP. No obstante, este apartado describe en detalle algunos de
los circuitos con OP AMP ms populares.

El amplificador sumador
El amplificador sumador es un circuito basado en un OP AMP inversor, al cual se le aaden entradas paralelas, como
se muestra en la figura 3.40.
II<KIF4(b

M(4"(M
M)4,M
M*4"*M

I(4(b
I)4(b

I*4(b
"

MJ8C

=`^liX*%+' :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fijldX[fi`em\ijfi%
Para facilitar la descripcin de este circuito a las resistencias de entrada RENT, a estas se les enumer como R1, R2
y R3. Como se observa en la figura 3.40, el extremo derecho de las resistencias de entrada se conecta a la terminal negativa del OP AMP, la cual, a su vez, se le considera tierra virtual e implcitamente no circula corriente por la terminal
inversora, entonces podemos calcular las corrientes de entrada por:
I1 

V1
V2
Va
; I 2  ; I a 
R1
R2
Ra

Se puede decir que todas las resistencias de entrada efectivamente estn aisladas una de otra y que cada voltaje de
entrada ve nicamente su propia resistencia y nada ms.
Asimismo, debido a que casi no circula corriente por la terminal inversora del OP AMP, todas las corrientes se
combinan y fluyen a travs de la resistencia de retroalimentacin, RRETRO, y tcnicamente cada voltaje de entrada es
amplificado por diferente factor de ganancia. Por tanto, el voltaje de salida ser igual a la suma negada de todas sus
entradas como lo muestra la ecuacin 3.36.
RRETRO
RRETRO
RRETRO
V2
V3
VSAL 
V1

R1
R2
R3

(3.36)

Cuando R1  R2  R3  RRETRO , como en el circuito de la figura 3.40, el voltaje de salida, VSAL, es igual a la suma negativa
de los voltajes de entrada V1, V2 y V3.
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115

3 El mgico amplificador operacional

VSAL  [V1 V2 V3 ]

(3.37)

El circuito de la figura 3.40 muestra solo tres entradas, pero este se puede extender para manejar cualquier nmero de
entradas.
Por ejemplo, si queremos calcular el voltaje de salida, VSAL, del circuito de la figura 3.40, podemos usar la ecuacin
3.37, porque R1  R2  R3  RRETRO .
VSAL  [V1 V2 V3]
VSAL  [1V 5 V 3 V] 1 V
Pero, si tenemos, por ejemplo, un circuito con valores diferentes de resistencias de entrada, como se muestra en la figura 3.41, podemos calcular el voltaje de salida, VSAL, usando la ecuacin 3.36.
RRETRO
RRETRO
VSAL 
V1
V2

R1
R2
10 k7

10 k7
VSAL 
r 0.5V
r 2.5V  (5 V 8 V)  3 V
1 k7

2.5 k7
II<KIF4('b

I(4(b
M(4'%,M

M)4)M

I)4)%,b
"

MJ8C

=`^liX*%+( :`iZl`kfjldX[fi`em\ijfiZfe[fj\ekiX[Xj%

Amplificador diferencial
Los circuitos diferenciales constituyen circuitos que por lo comn se encuentran en instrumentacin y aplicaciones
industriales; con frecuencia, estos se usan en conjunto con circuitos resistivos tipo puente, donde la salida del puente
es la entrada del amplificador diferencial. Los amplificadores diferenciales tienen las caractersticas de amplificar la
diferencia entre sus seales de entrada y atenuar o rechazar seales de modo comn. Estos amplificadores combinan
las ganancias de un amplificador inversor y de un amplificador no-inversor en un mismo OP AMP. La figura 3.42
muestra un amplificador diferencial tpico.
Para encontrar la frmula que nos proporcione el voltaje de salida, VSAL, se usa el teorema de superposicin que
se estudia en el captulo 2 que se ubica en el CD-ROM. Por tanto, para el circuito de la figura 3.42 empezamos poniendo en corto-circuito la entrada VY . Entonces, en la ecuacin para obtener el VSAL se hace uso de la ganancia del
OP AMP en configuracin inversora:
VSAL 

R R

RETRO
1

116

VX

(VY en corto circuito)

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3 El mgico amplificador operacional

EfkX1I(4I)
II<KIF4I*
I(4(b

II<KIF4('b

MO

I)4(b

MJ8C

MP

"
IC4(''b
I*4('b

=`^liX*%+) :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%
Ahora, poniendo en corto-circuito a la entrada VX, el OP AMP queda en configuracin no-inversora y la ecuacin
para obtener el VSAL es:
VSAL 

R3
RRETRO
VY r 1
R2 R3
R1

Puesto que R1 R2 y RRETRO  R3, entonces:

 R R R

V r  R RR

RRETRO
VY
R1

(VX en corto circuito)

VSAL 

RETRO

RETRO

RETRO
1

Lo cual se reduce a:
VSAL 

Ahora, el voltaje de salida se encuentra sumando ambos resultados:

 R R V  R R V
R
 
(V V )
R

VSAL 

RETRO

RETRO

VSAL

RETRO

(3.38)

De la ecuacin 3.38, se puede observar que el amplificador diferencial amplificar nicamente la diferencia entre sus
seales de entrada, ya que si VX  VY el voltaje de salida ser cero.
A manera de ejemplo, vamos a calcular el voltaje de salida del circuito de la figura 3.42 usando la ecuacin 3.38, si
VY  0.7 V y VX  0.5 V.
10 k7
VSAL 
(0.5 V 0.7 V)  10( 0.2)  2 V
1 k7
Con el circuito amplificador diferencial es posible tener ganancias iguales o mayores a la unidad. Sin embargo, este
circuito solo tomar de manera confiable la diferencia de las dos seales de entrada cuando las impedancias de las
fuentes de voltaje de entrada sean bajas. Si las impedancias de las fuentes son altas con respecto a las resistencias de
entrada R1 y R2, habr prdida en las seales debido a la accin de divisor de voltaje entre las impedancias de la fuente
y la resistencias de entrada del amplificador, como se muestra en la figura 3.43 para una de las entradas del amplificador diferencial.

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117

3 El mgico amplificador operacional

M=l\ek\

I=l\ek\

MO
I(

=`^liX*%+* Gi[`[Xj\ecXj\Xc[\\ekiX[X[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`XcgficXXZZ`e[\c[`m`jfi[\mfckXa\ZlXe[fI=l\ek\\jXckX%
Adicionalmente, tambin pueden ocurrir errores si las dos impedancias de la fuente no son iguales o, bien, si los
pares de resistencias externas del amplificador son desiguales.
En realidad, la exactitud con la cual la interferencia en las seales de entrada es atenuada o eliminada se basa en
dos variables: la exactitud con la cual son igualadas las resistencias y un parmetro de los OP AMP llamado razn de
rechazo de modo comn (CMRR). Asumiendo que el OP AMP perfecto existe, el clculo del error en la salida del OP
AMP est relacionado con el porcentaje de desigualdad entre las resistencias, como muestra la tabla 3.3.
Desigualdad entre
resistencias
1%
0.1%
0.01%

Error en la salida
(V/V)
4950
499.5
49.95

Error
(dB)
46.1
66.0
86

KXYcX*%* <iifiZXljX[fgficX[\j`^lXc[X[\eki\i\j`jk\eZ`Xj[\cXdgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc%
El hecho que R1  R2 y RRETRO  R3 simplifica considerablemente las matemticas de este circuito. Puesto que la
ganancia es igual en ambas seales de entrada, el amplificador sustrae favorablemente el voltaje de modo comn del
circuito. Asimismo, es fcil implementar la ganancia estableciendo los valores de resistencias RRETRO /R1 y R3 /R2 a un
valor mayor o igual a uno. Sin embargo, una limitacin de este circuito es la falta de flexibilidad para ajustar su ganancia. Existen aplicaciones donde se requiere cambiar esta ganancia de manera dinmica, para lo cual se requerira
ajustar dos resistencias. Un circuito que mejora estas caractersticas de entrada del amplificador diferencial y permite
cierta flexibilidad en el ajuste de su ganancia es el amplificador de instrumentacin.

Amplificador de instrumentacin
El circuito amplificador de instrumentacin, al igual que el amplificador diferencial, se emplea en aplicaciones que van
desde la instrumentacin mdica hasta el control de procesos industriales. Este circuito es similar al amplificador
diferencial en el sentido de que realiza la diferencia entre dos seales analgicas,16 aunque difiere en trminos de la
calidad de sus entradas. La figura 3.44 muestra la configuracin clsica de un amplificador de instrumentacin constituido por tres OP AMP.
16

Seales analgicas? Bien, anlogo significa una representacin de un objeto que se parece al original. Un dispositivo analgico monitorea
ciertas condiciones, como temperatura, movimiento o sonido, y las convierte en representaciones electrnicas o mecnicas analgicas. Un reloj
analgico representa, con la rotacin de las manecillas en la cartula del reloj, la rotacin de la Tierra. Otro ejemplo tpico es el de un micrfono,
el cual convierte las vibraciones mecnicas producidas por la voz en vibraciones elctricas de la misma forma de onda. Analgico implica, pues,
una seal continua, en contraste con una seal digital, que divide estas seales en nmeros. Pero nos estamos adelantando, esto se analiza en el
captulo siguiente.

118

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3 El mgico amplificador operacional

<kXgXYl]]\i

8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc

8(
MO

I(4(b

"

II<KIF4('b

I)4(b

8*

9
"

MP

MJ8C

"
I*4('b

8)

=`^liX*%++ :`iZl`kfXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%
En el circuito amplificador de instrumentacin de la figura 3.44, la alta impedancia de las entradas no inversoras
de los amplificadores A1 y A2 recibe las seales de entrada. Esto es una clara ventaja sobre el amplificador diferencial,
donde las impedancias de las fuentes de voltaje de las seales de entrada pueden ser altas o desiguales. Despus de la
primera etapa de este circuito, sigue el amplificador diferencial, indicado por el amplificador A3. Como ya sabemos,
la funcin de este circuito es rechazar o atenuar el voltaje de modo comn en las entradas del amplificador y tomar o
amplificar la diferencia entre ellas. Debido a que los amplificadores A1 y A2 son configurados con ganancia unitaria
(seguidores de voltaje o buffers), el voltaje de salida, VSAL, se encuentra de la misma manera que con el amplificador
diferencial.
VSAL 

 R R (V
RETRO

VY )

Como ejemplo, vamos a presentar la conexin de un circuito puente, el cual contiene un termistor, a la entrada de
un amplificador de instrumentacin, como se muestra en la figura 3.45.
<kXgXYl]]\i

:`iZl`kfgl\ek\
o

8dgc`]`ZX[fi[`]\i\eZ`Xc

8(

MO

I(4(b

"

II<KIF4('b

I94('b
I84,b

I;
GK:

"

I;4,b X),:

I:4,b

M:;4,M

8*

I)4(b
9

MP

"

"

MJ8C

I*4('b
8)

=`^liX*%+, :`iZl`kfgl\ek\Zfe\ZkX[fXleXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%

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119

3 El mgico amplificador operacional

El termistor tiene un Coeficiente de Temperatura Positivo (PTC, por sus siglas en ingls) con un valor de resistencia
RD  5 k a temperatura ambiente (25 C). Entonces, a temperatura ambiente el potencimetro RB se ajusta de tal manera que el puente est balanceado, lo cual implica que VX  VY. Por tanto, los voltajes VX y VY se aplicarn a la etapa de
los seguidores de voltaje y sern iguales a los puntos de voltajes A y B, respectivamente, de la segunda etapa. Si esto
sucede, el voltaje de salida del amplificador de instrumentacin es cero, ya que VSAL  RRETRO/R1 (VX VY)  0 V.
El propsito principal de los amplificadores A1 y A2 es aislar las resistencias del circuito puente del amplificador
diferencial. Recordemos que, idealmente, el circuito seguidor de voltaje tiene una impedancia de entrada infinita y una
impedancia de salida cero.
El circuito de la figura 3.45 funciona cualitativamente, si asumimos que el circuito puente ha sido balanceado a
temperatura ambiente. Si la temperatura sube arriba de 25 C, esto causa que la resistencia RD del termistor se incremente arriba de los 5 k, lo cual a su vez ocasiona que el voltaje VY sea progresivamente ms positivo. Como el voltaje VX permanece constante, la diferencia VX VY es negativa. Debido a que la ganancia del amplificador diferencial es
RRETRO/R1, el voltaje de salida ser positivo. Si la temperatura disminuye por debajo de los 25 C, suceder lo opuesto:
la resistencia del termistor disminuir, lo cual a su vez har que el voltaje VY sea menos positivo. Como VX no cambia, la diferencia VX VY es una cantidad positiva. Puesto que la ganancia de voltaje del amplificador A3 es negativa, el
voltaje de salida ser negativo.
Para ilustrar el funcionamiento cuantitativo, vamos a calcular el voltaje de salida del circuito puente conectado al
amplificador de instrumentacin; para esto, asumimos que RB  5 k y que RD se incrementa a 9.5 k, provocado por
un incremento en la temperatura ambiente.
As pues, primero calculamos los voltajes VX y VY que corresponden a las entradas del amplificador de instrumentacin VA y VB , respectivamente. Por tanto:
1
VX  r 5 V  2.5 V
2
RD
9 k7
VY 
r5 V 
r 5 V  3.21 V
RC RD
5 k7 9 k7
Ahora, calculamos el voltaje de salida:
10 k7
VSAL 
(2.5 3.21)  7.1 V
1 k7
Como observamos en la seccin anterior, el amplificador diferencial bsico tiene dos puntos dbiles:
1. La impedancia de entrada es relativamente baja.
2. Cambiar la ganancia requiere cambiar dos resistencias igualadas.
El punto 1 se mejor enormemente aadiendo los buffers amplificadores, como primera etapa del amplificador
de instrumentacin. Con esta configuracin, se proporcion al circuito una impedancia de entrada alta, dejando la
ganancia de voltaje y la CMRR para ser definida por las resistencias de la etapa de salida. Adems, aadir las resistencias igualadas en el proceso de manufactura mejora notablemente la CMRR.
Para mejorar el punto 2, los diseadores de CI movieron las resistencias igualadas a los amplificadores de entrada, A1
y A2, para definir la ganancia a la entrada del amplificador con solo una resistencia, como se muestra en la figura 3.46.
MO

I(4('b

"
8(

MX

I)4('b

I,4('b

MZ

8*

I*4('b

MJ8C

"

I-4('b
I>

I+4('b
M[
MP

8)
"

MY

=`^liX*%+- 8dgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`eZfe^XeXeZ`XmXi`XYc\gifgfiZ`feX[XgfileXi\j`jk\eZ`XI>%

120

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

En el caso general, la ganancia de voltaje del circuito de la figura 3.46, ACL, se puede expresar como:

ACL  1

R5 R6
R1
r
RG
R2

Para el circuito de la figura 3.46, esta ecuacin se reduce a:

ACL  1

20k7
r (1)
RG

Por tanto, el voltaje de salida estar definido por la ecuacin 3.39.

VSAL  1

20 k7
r (VX VY )
RG

(3.39)

En conclusin, el amplificador de instrumentacin presenta una alta impedancia de entrada y la capacidad de


seleccionar la ganancia del circuito modificando nicamente una resistencia.
Existen dos configuraciones tpicas para el amplificador de instrumentacin:
1. Usando amplificadores operacionales de propsito general.
2. Usando un circuito integrado como base del sistema.17
Uno de los amplificadores de instrumentacin que utilic al terminar la universidad fue el AD624, del fabricante
Analog Devices. La figura 3.47 muestra el diagrama de bloques de este circuito integrado.

<EKI8;8

,'

"

"
69+')

>4('' (*
)),%*
+++,%.

>4)'' ()
()+
>4,'' ((

('b
/'%)
)'b

I>( (-

"

I>) *

"<EKI8;8 )

('b

,'

"

"

)'b

('b

(' J<EJ<

0 J8C@;8

('b
- I<=

=`^liX*%+. ;`X^iXdX[\Ycfhl\j[\cXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e8;-)+%
Aunque en la actualidad existe una gama grande de fabricantes de amplificadores de instrumentacin, en la tabla 3.4
se muestra una comparacin de las caractersticas del AD624 contra nuestro OP AMP de propsito general, el 741.18

17

18

Una variacin usando el amplificador de instrumentacin como CI, es el desarrollo de un amplificador de ganancia programable (PGA, por sus
siglas en ingls), en el cual se pueden utilizar resistencias con interruptores mecnicos o electrnicos (construidos con FET) para modificar la
resistencia RG y, por ende, la ganancia. Aunque tambin existen CI, como el LH0086, con entradas digitales, que determinan la ganancia del
amplificador.
Al graduarme, la primera aplicacin que vi del AD624 fue la de acondicionador de seales para digitalizar variables analgicas, como temperatura y velocidad. Este CI formaba parte importante de un mdulo de entradas analgicas que, a su vez, era parte de un sistema desarrollado en
Mxico, llamado Sistema de Adquisicin y Control (SAC). Cuando empec a disear con el AD624, comparado con el humilde 741, que usaba
en las prcticas de la universidad, era como conducir un auto BMW en lugar de un Volkswagen sedn.

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121

3 El mgico amplificador operacional

Parmetro

Ideal

OP AMP tipo 741

Amplificador
de instrumentacin tipo AD624

AVOL (dB)

Infinito

100

60 (no se usa en circuito abierto)

ZENT ()

Infinito

2M

1000 M

ZSAL ()

Cero

75

IOS (A)

Cero

20

35

VOS (mV)

Cero

0.025

BW (Hz)

Infinito

1M

25 M

SR (V/s)

Infinito

0.5

CMMR (dB)

Infinito

90

130

PSRR (V/V)

Cero

20

KXYcX*%+ :fdgXiXZ`e\eki\leFG8DGpleXdgc`]`ZX[fi[\`ejkild\ekXZ`e%
Los amplificadores de instrumentacin en CI tienen una escala alta de integracin; es decir, estn compuestos
principalmente por una cantidad grande de transistores. Adems, es ms fcil ajustar la razn entre resistencias
que preocuparse del valor absoluto de las mismas. Estos CI presentan especificaciones tcnicas que distan de las ideales, pero comnmente son mucho mejor que las provistas por los OP AMP de propsito general. Sin embargo, la base
principal es el OP AMP. El uso de este tipo de componentes ha ayudado a disear maravillosos instrumentos tanto
mdicos como industriales.19

FILTROS

ACTIVOS

Un filtro elctrico es un elemento que discrimina un grupo de frecuencias de una seal elctrica que pasa a travs de
l, modificando su amplitud y su fase. Los filtros activos son aquellos que usan componentes activos con capacidades
de amplificacin, como transistores y OP AMP. El uso de OP AMP en la implementacin de filtros activos se ha incrementado con la llegada de los circuitos integrados. En contraparte, un filtro pasivo es aquel que usa nicamente componentes pasivos, como resistencias, inductores y capacitores. Una ventaja importante de los filtros activos es que
estos no necesariamente atenan las seales de inters como lo hacen sus contrapartes los filtros pasivos.
Los filtros permiten el paso de frecuencias dentro de ciertas bandas, llamadas bandas de paso, y bloquean las
frecuencias en otras bandas, denominadas bandas de corte. Los filtros pueden ser pasa-bajas, pasa-altas, pasa-banda
o rechazo-de-banda, como lo muestra la respuesta a la frecuencia ideal de la figura 3.48. Idealmente, en las bandas de
paso debe haber transmisin sin distorsin y en las bandas de corte la transmisin debe ser nula.
8M

8M

8M

8M

]?q
8M
9Xe[X
[\gXjf

9Xe[X
[\Zfik\
GXjX$YXaXj

]?q
8M
9Xe[X
[\Zfik\

9Xe[X
[\gXjf

GXjX$XckXj

8M

]?q
8M

9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X


[\Zfik\ [\gXjf [\Zfik\

9Xe[X 9Xe[X 9Xe[X


[\gXjf [\Zfik\ [\gXjf

GXjX$YXe[Xj

I\Z_Xqf[\YXe[Xj

]?q

=`^liX*%+/ I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X`[\Xc[\[`]\i\ek\j]`ckifj%

19

Las hojas de datos de los OP AMP y de los amplificadores de instrumentacin en CI, por lo general, muestran aplicaciones tpicas y recomendaciones de conexin, de modo que vale la pena leer no solo sus especificaciones, sino tambin sus aplicaciones y recomendaciones.

122

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Adicionalmente, los filtros tienen un orden; entre mayor sea el orden, su comportamiento se parece ms a la respuesta a la frecuencia ideal, tipo bloque, de la figura 3.48. Los filtros de primer orden usan en su construccin una
resistencia y un componente reactivo, ya sea un inductor o un capacitor. Los filtros de segundo orden usan dos resistencias y dos componentes reactivos. A manera de ejemplo, en esta seccin estudiamos un filtro pasa-bajas y un filtro
pasa-altas de primer orden, usando un OP AMP como elemento activo.

Filtro pasa-bajas
Un filtro pasa-bajas permite pasar idealmente solo frecuencias bajas. La figura 3.49 muestra un filtro activo pasa-bajas
de primer orden y su respuesta a la frecuencia. Podemos observar de la figura 3.49 a) que un capacitor, llamado CRETRO ,
se conecta en paralelo con la resistencia de retroalimentacin, RRETRO . Como sabemos del captulo 1, a bajas frecuencias CRETRO , se tiene una reactancia capacitiva muy grande, idealmente de valor infinito. En consecuencia, a bajas
frecuencias, el circuito funciona como un amplificador inversor, cuya ganancia es RRETRO / RENT .
:=4'%'(=
8:C
8:Cd}o

I=4('b

'%.'.8:Cd}o
I(4(b

)'[9&[ZX[X
-[9&fZkXmX

"

MJ8C
k'
=i\Zl\eZ`X

=`^liX*%+0 =`ckifgXjX$YXaXj[\gi`d\ifi[\e%X :`iZl`kf%Y I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X#^XeXeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`X%


A altas frecuencias, la reactancia capacitiva decrece, lo cual causa que la ganancia de voltaje tambin disminuya,
debido a un incremento en la retroalimentacin negativa. A frecuencias extremadamente grandes, la reactancia capacitiva es casi cero ohms y la ganancia de voltaje tambin se aproxima a cero.
Cuando XCRETRO  RF , la ganancia de voltaje es 70.7% del valor mximo, como se ilustra en la figura 3.49 b). A este
valor se le llama frecuencia de corte y se le designa como fc:
fC 

1
2P RRETROCRETRO

(3.40)

En tanto, la ganancia de voltaje para cualquier frecuencia se calcula usando la ecuacin 3.41.
AV 

ZRETRO
RENT

(3.41)

Donde ZRETRO es:


ZRETRO 

CRETRO RRETRO
2
2
RRETRO
CRETRO

Arriba de la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje decrece a una tasa de 20 dB/dcada o 6dB/octava. La figura
3.49 b) muestra la curva de la respuesta a la frecuencia del circuito de la figura 3.49 a). En muchas ocasiones, la ganancia de voltaje se especifica en dB, por lo que se usa la ecuacin 3.42.
ACL(dB) 

20log ZRETRO
RENT

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(3.42)

123

3 El mgico amplificador operacional

A manera de ejemplo, vamos a calcular del circuito de la figura 3.49 a):


1. La frecuencia de corte.
2. La ganancia de voltaje de lazo cerrado ACL a 0 Hz y a 1 MHz.
3. La ganancia de voltaje en dB a 0 Hz y a 1.591 kHz.
Para calcular la frecuencia de corte usamos la ecuacin 3.40, para:
fC 

1
 1.591kHz
2P 10 k7 0.01F

La ganancia de lazo cerrado ACL a 0 Hz, la obtenemos tomando en cuenta que XCRETRO y . Por tanto, la ganancia de voltaje es:
AV 

RRETRO
10 k7

 10
RENT
1 k7

A 1 MHz XCRETRO es:


XCretro 

1
1

 15.9 7
2P f RRETRO 2P 1 MHz 10k7

Ahora, calculamos ZRETRO:


ZRETRO 

CRETRO RRETRO
15.9 7 r 10 k7
 15.89 7

2
2
( R )RETRO (C )RETRO
15.9 2 7 10 3 7

Usando la ecuacin 3.41 calculamos la ganancia:


AV 

RRETRO
15.89 7

 0.0158
RENT
1 k7

Con estos resultados, podemos verificar que las seales de entrada a este circuito se amplificarn con una ganancia de
10 en CD, y que a 1 MHz se atenuarn con una ganancia de 0.0158.
Para calcular la ganancia de voltaje en dB a 0 Hz, asumimos que XCRETRO y y, en consecuencia, ZRETRO 
RRETRO ; por tanto:
ACL(dB) 

20log RRETRO
10 k7
 20log
 20 dB
RENT
1 k7

La frecuencia 1.591 kHz es la frecuencia de corte, fC , que previamente calculamos; a esta frecuencia ZF  0.707 RF ,
entonces ZF  0.707 r 10 k  7.07 k. Por tanto:
ACL(dB) 

20log RRETRO
7.07 k7
 20log
 17 dB
RENT
1 k7

Es importante hacer notar que a la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje ACL se reduce 3 dB de su valor
paso de banda (pasa-banda) de 20 dB. Por esta razn, algunos autores a la fC la llaman la frecuencia de los 3 dB.

Filtro activo pasa-altas


De manera ideal, un filtro pasa-altas permite pasar nicamente frecuencias altas. La figura 3.50 muestra un filtro activo pasa-altas de primer orden y su respuesta a la frecuencia. A altas frecuencias XCENT y 0 , y la ganancia de voltaje, ACL, es igual a RRETRO/RENT. Por otro lado, a frecuencias muy bajas XCENT y y la ganancia de voltaje, ACL, se
aproxima a cero. La frecuencia de corte, fc, se obtiene mediante la ecuacin 3.43.
fC 

124

1
2P RENTCENT

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(3.43)

3 El mgico amplificador operacional

8:C
8:Cd}o

II<KIF4('b

'%.'.8:Cd}o
:<EK4'%(= I<EK4(b

)'[9&[ZX[X
-[9&fZkXmX

"

MJ8C
k'
=i\Zl\eZ`X

=`^liX*%,' =`ckifgXjX$XckXj[\gi`d\ifi[\e%X :`iZl`kf%Y I\jgl\jkXXcX]i\Zl\eZ`X#^XeXeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`X%


A la frecuencia de corte, fC, la ganancia de voltaje ACL es 70.7% de su valor mximo. La ganancia de voltaje para
cualquier frecuencia se calcula usando la ecuacin 3.44.

AV 

RRETRO
ZENT

(3.44)

Donde ZENT es:


2
ZENT  RRETRO
XC2retro

La ganancia de voltaje en dB se calcula con la ecuacin 3.45:


ACL(dB) 

20log RRETRO
ZENT

(3.45)

La frecuencia de corte puede variarse ajustando el valor del capacitor de entrada, CENT ; sin embargo, esto no afectar la ganancia de voltaje ACL en su regin de paso de banda. Por otro lado, se puede variar la ganancia de voltaje, ACL,
ajustando la resistencia RRETRO , pero esto no tendr efecto en la frecuencia de corte, fC.
De la figura 3.50 b), observamos que la ganancia ACL decrece 20 dB/dcada o 6dB/octava debajo de la frecuencia
de corte fC.20
Los clculos de frecuencia de corte, fC, y ganancia de voltaje son muy similares a los del filtro pasa-bajas. Como
ejemplo vamos a calcular la frecuencia de corte en este filtro pasa-altas, usando la ecuacin 3.43.
fC 

CONVERTIDORES

1
1

 1.591 kHz
2P RENTCENT 2 r 3.1415 r 1 k7 r 0.1 F

DE VOLTAJE A CORRIENTE Y DE CORRIENTE A VOLTAJE

Convertidores de voltaje a corriente


En algunos diseos se requiere tener una corriente de carga constante que no se vea afectada por las variaciones en la
resistencia de carga RL. Pero, si la carga no tiene que estar aterrizada, entonces la podramos conectar en la trayectoria
de retroalimentacin, como lo muestra el convertidor de voltaje a corriente de la figura 3.51.
20

Si elevamos el orden del filtro tambin incrementaremos la tasa de atenuacin. Para filtros de segundo orden, la tasa de decrecimiento en ACL
ser de 16 dB/octava o 40 dB/dcada. La respuesta a la frecuencia, tanto para los filtros pasa-bajas como para los pasa-altas, dista mucho de
tener la forma tipo bloque de los filtros ideales mostrada en la figura 3.48. Para filtros de orden muy alto, se utilizan conexiones en cascada de OP
AMP y se incrementa el nmero de componentes reactivos, lo cual hace que el diseo del filtro sea ms complejo. Existe, por otro lado, el diseo de filtros digitales, que nos proporcionan caractersticas muy cercanas a las ideales. Para realizar estos filtros se utilizan componentes o
sistemas de procesamiento digital de seales (DSP) o microcontroladores. Pero esto podra ser tema de otro captulo completo, incluso de otro
libro.

grupo editorial patria

125

3 El mgico amplificador operacional

"
M<;4'M

@J8C

IC

M<EK

M<EK

=`^liX*%,( :fem\ik`[fi[\mfckXa\XZfii`\ek\%
Debido a que el voltaje de entrada diferencial, VED , es igual a cero, el voltaje de entrada, VENT , se hace presente a
travs de la resistencia R, conectada de la entrada inversora a tierra. Por tanto, la corriente de salida, ISAL , se calcula
usando la ecuacin 3.46.

I SAL 

VENT
R

(3.46)

De la ecuacin anterior, podemos observar dos cosas: 1) que la corriente de salida, ISAL, es determinada por el voltaje
de entrada, VENT, y la resistencia R, y 2) que el valor de RL no afecta a la corriente de salida!
Adems, debido a que VENT se conecta a la entrada no inversora del OP AMP, la impedancia de entrada vista por
la fuente, VENT, se aproxima a un valor infinito; esto es, ZENT y .
Por ejemplo, vamos a calcular la corriente de salida del circuito de la figura 3.51 asignando los valores a VENT  3.3 V,
R  1 k y RL  50 . Como RL no afecta a la corriente de salida, ISAL se puede obtener con la ecuacin 3.46.

I SAL 

VENT 3.3 V

 3.3 mA
1 k7
R

Con este resultado, observamos que aun cuando RL se haga cero ohms, la corriente de salida ser la misma. Puesto que
RL no afecta ISAL, el circuito acta como una fuente de corriente constante con una resistencia interna infinita,
ZSAL y .

Convertidor de corriente a voltaje


Como se recordar del apndice 1 que se encuentra en el CD-ROM del texto, el convertidor de corriente a voltaje ms
simple es nuestra humilde resistencia. Sin embargo, esta opcin presenta una impedancia de la fuente, de la corriente
de entrada, que no es cero. Lo anterior es una desventaja grande, sobre todo si el dispositivo que proporciona la
corriente de entrada no provee una corriente de entrada constante cuando el voltaje de salida cambia o la corriente es
muy pequea. Un circuito que supera esta deficiencia es el convertidor de corriente a voltaje tpico basado en un OP
AMP que se muestra en la figura 3.52.
I

@<EK

"
IC

=`^liX*%,) :`iZl`kfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\%

126

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

El circuito de la figura 3.52 tiene como entrada una fuente de corriente, IENT, que se conecta a la entrada no inversora del OP AMP. Debido al concepto de tierra virtual, toda la corriente de entrada fluye a travs de la resistencia R.
En consecuencia, el voltaje de salida, VSAL, se calcula con la ecuacin 3.47.

VSAL  I ENT r R

(3.47)

En el circuito de la figura 3.52, el voltaje de salida, VSAL, no se ve afectado por la resistencia de carga, RL, porque la
impedancia de salida (de lazo cerrado), ZSAL(CL), es aproximadamente cero ohms, ZSAL(CL) y 0 . Como ejemplo, vamos
a calcular el voltaje de salida, VSAL, si la corriente de entrada IENT  3.3 mA, R  1 k y RL  5 k. Puesto que RL no
afecta el valor del voltaje de salida, VSAL puede calcularse usando la ecuacin 3.47.
VSAL  I ENT r R  3.3 mA r 1 k7  3.3 V
Por lo general, las fuentes de corriente son menos comunes de visualizar. Un buen ejemplo de fuente de corriente
son las celdas fotovoltaicas, las cuales pueden conectarse como convertidores de corriente a voltaje mientras se mantiene la entrada a tierra; en este caso, tierra virtual, como lo muestra la figura 3.53.

(D

@<EK

MJ8C

"

;`f[f
]fkfmfckX`Zf

=`^liX*%,* ;`f[f]fkfmfckX`ZfZfe\ZkX[fZfdfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\%
Los diodos fotovoltaicos, por lo comn, son capaces de generar voltajes y corrientes del orden de los milivolts y
microamperes, respectivamente. Por ejemplo, si el diodo fotovoltaico del circuito de la figura 3.53 genera una corriente de 1 A, el voltaje de salida ser de 1 V.
La configuracin de convertidor de corriente a voltaje tambin puede usarse para dispositivos que proveen su
corriente va alguna fuente externa, tal como la fuente de alimentacin VCC. Un ejemplo de estos dispositivos son los
fototransistores, los cuales actan como fuentes de corriente, proveniente de una alimentacin positiva, cuando se
exponen a la luz. La figura 3.54 ilustra su conexin con un OP AMP.
('b
M::4"(,M

Clq[\
\ekiX[X

J`eZfe\o`e
\ecXYXj\

"

=`^liX*%,+ :`iZl`kfZfem\ik`[fi[\Zfii`\ek\XmfckXa\ljXe[fle]fkfkiXej`jkfi%

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127

3 El mgico amplificador operacional

Circuitos OP AMP con diodos


Los OP AMP pueden ser usados con diodos para rectificar seales con valores pico del orden de los milivolts. Un
diodo por s solo no puede realizar este trabajo, porque requiere de un voltaje mayor para activarse. Recordemos que
un diodo de silicio requiere 0.7 V y uno de germanio 0.3 V.
La figura 3.55 muestra un circuito rectificador de precisin de media onda.
8MFC4('''''
"(''dM

MG4"(''dM
"

M<EK
(''dM

'M
J`

IC4('b

=`^liX*%,, :`iZl`kfi\Zk`]`ZX[fi[\gi\Z`j`e[\d\[`Xfe[X%
Este circuito es capaz de rectificar cargas muy pequeas del orden de milivolts. Cuando VENT se hace positivo, la
salida se hace positiva y el diodo entra en estado de conduccin y la salida del OP AMP ser 0.7 V. La cantidad de
voltaje requerido para obtener esta salida es determinada por la ganancia AVOL.
VENT 

0.7
0.7

 3.5 V
AVOL 200 000

Cuando la entrada excede los 3.5 V, el diodo conduce y el OP AMP acta como un seguidor. En cambio, cuando
VENT es negativo, VSAL es negativa, el diodo no conduce y el voltaje de salida es cero volts. De esta manera, invirtiendo la polaridad del diodo, se producirn pulsos negativos.

Cargas conmutadas
Para manejar cargas que requieren ser conmutadas, es decir, que necesitan encenderse o apagarse, por lo comn se
utiliza un transistor de conmutacin que tiene como entrada un OP AMP, como lo muestra la figura 3.56.
"M::

:Xi^X

(%'b
)E*',,

=`^liX*%,- DXe\af[\ZXi^Xjhl\i\hl`\i\ej\iZfedlkX[XjljXe[fleFG8DGplekiXej`jkfi[\gfk\eZ`X%
El diodo del circuito de la figura 3.56 se utiliza para proteger la unin base-emisor del transistor de conmutacin,
ya que un OP AMP fcilmente puede oscilar a su saturacin negativa con voltajes mayores a 5 V. El transistor 2N3055
es un transistor de potencia para aplicaciones no crticas de corriente. Sin embargo, si se requiere manejar corrientes
arriba de 1 A, entonces se recomienda usar un transistor FET o un Darlington.

128

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

CIRCUITO

COMPARADOR

Un circuito comparador basado en un OP AMP es aquel que, como su nombra lo indica, compara una seal de voltaje en una entrada, con una referencia de voltaje en la otra, como lo muestra la figura 3.57. En la figura podemos observar que este circuito no usa retroalimentacin. En consecuencia, el OP AMP opera en configuracin de lazo abierto
con una ganancia de voltaje AVOL.
"M::
MJ8C
M<EK

"

"MJ8K

MJ8C4MJ8K

M<EK
'

M::
MJ8K
X

=`^liX*%,. :fdgXiX[fi[\mfckXa\%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%


En el circuito de la figura 3.57 a), la entrada inversora del OP AMP se aterriza mientras se aplica la seal a la entrada no-inversora.
El comparador contrasta el voltaje de entrada, VENT, en la entrada no-inversora, con la referencia de cero volts, de
la entrada inversora. Cuando VENT es positivo, el voltaje de salida, VSAL, se va a saturacin positiva VSAT , y cuando
VENT es negativo, el voltaje de salida, VSAL, se va a saturacin negativa VSAT , como se muestra en la curva caracterstica del comparador de la figura 3.57 b). Como sabemos, VSAT es por lo general un par de volts menor que los voltajes de alimentacin VCC.
Cuando la entrada no inversora se aterriza y se aplica el voltaje a la entrada inversora, la conmutacin es opuesta.
La salida conmuta a VSAT cuando la entrada es negativa, y a VSAT cuando la entrada es positiva.
Sin embargo, debido a que el OP AMP tiene una ganancia de lazo abierto, AVOL , extremadamente grande, la variacin ms pequea en la seal de entrada produce un voltaje de salida VSAT . A causa de que VSAL conmuta cuando
VENT cruza los cero volts, a este circuito se le llama detector de cruce por cero.

Corrimiento del voltaje de referencia


En los diseos, algunas veces se requiere que el voltaje de referencia sea diferente a la tierra. La figura 3.58 ilustra un
comparador que utiliza una referencia de voltaje diferente a los cero volts.
"M::

MJ8C

"MJ8K

"

M<EK
MI<=4",M

M<EK

MJ8C4MJ8K

'
M::

MI<=4",M

MJ8K

=`^liX*%,/ :`iZl`kfZfdgXiX[fiZfei\]\i\eZ`X[\mfckXa\#MI<= #`^lXcX",M%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%

grupo editorial patria

129

3 El mgico amplificador operacional

En este caso, la figura 3.58 a) muestra un circuito comparador con voltaje de 5 V. Cuando VENT excede los 5 V,
el voltaje de salida, VSAL , conmuta a VSAT . En cambio, cuando VENT cae por debajo de los 5 V, entonces VSAL , conmuta a VSAT . La figura 3.58 b), por su parte, muestra la curva caracterstica de este circuito. En realidad, VREF , puede
ser tanto positivo como negativo. Por lo comn, VREF se produce usando un divisor de voltaje conectado a VCC o
VCC . En algunos casos, incluso, es deseable tener un ajuste mediante un potencimetro, que nos permita variar el
voltaje de entrada, como se muestra en la figura 3.59.
"M::
GFK

M<EK

MJ8C
"

MI<=

=`^liX*%,0 :`iZl`kfZfdgXiX[fiZfei\]\i\eZ`X[\mfckXa\mXi`XYc\%
Debido a que el OP AMP es muy sensible a los voltajes de entrada, la salida puede conmutar (oscilar) errticamente entre VSAT cuando el valor de VENT es cercano al voltaje de referencia, VREF . La razn de lo anterior es porque la
seal de entrada por lo regular puede contener ruido, como lo muestra la figura 3.60.

REF
ENT

SAL

=`^liX*%-' J\Xc[\\ekiX[XZfeil`[fjlgl\jkXd\ek\Zfek\e`\e[f[fjglcjfj%

Circuito comparador Schmitt trigger


Para eliminar esta operacin errtica del comparador, se hace uso de un circuito denominado disparador Schmitt, el
cual comnmente se conoce como Schmitt trigger,21 y que se puede observar en la figura 3.61 a).

21

El circuito comparador Schmitt trigger fue inventado por el estadounidense Otto H. Schmitt (1913-1998), durante la etapa inicial de su investigacin doctoral, y lo llam thermionic trigger. Otto tena un talento especial para realizar conexiones a fin de obtener conclusiones importantes.
En el mbito elctrico, conectando alambres, dise ingeniosos equipos. En la esfera social, tambin tena una afinidad natural para conectarse
a nivel personal con una gran variedad de personas. En el entorno intelectual fue capaz de obtener conexiones significativas entre disciplinas que
parecan no tener relacin. En la Universidad de Washington trabaj en los departamentos de f sica, zoologa y matemticas. Otto tambin
trabaj en la Universidad de Minnesota y puso a nivel internacional las semillas de la biof sica y la bioingeniera. Si siguen interesados en este
apasionante personaje, es recomendable que lean el artculo A life time of connections.

130

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

El Schmitt trigger es un circuito OP AMP comparador que utiliza retroalimentacin positiva. Las resistencias R1
y R2 proveen esta retroalimentacin positiva. Cuando VSAL  VSAT , un voltaje positivo aparece en la entrada no-inversora. De igual modo, cuando VSAL  VSAT , un voltaje negativo aparece en la entrada no-inversora. La fraccin de
retroalimentacin, por lo comn especificada como , indica la fraccin del voltaje de salida, VSAL , retroalimentado a
la entrada no-inversora. Entonces, es definida por la ecuacin 3.48.

B

R1
R1 R2

(3.48)

El punto del umbral superior (UTP, por sus siglas en ingls) es:
UTP  BVSAT

(3.49)

En tanto, el punto del umbral inferior (LTP, por sus siglas en ingls) es:
LTP  BVSAT

(3.50)

La salida del circuito comparador Schmitt trigger permanecer en su estado actual hasta que el voltaje de entrada
exceda la referencia o el voltaje umbral para ese estado. Lo anterior se comprende de mejor manera si se observa la
curva caracterstica que se ilustra en la figura 3.61 b). Si asumimos que VSAL  VSAT , entonces VSAL debe exceder el
voltaje de VSAT (UTP) para conmutar la salida al estado opuesto, el cual debe ser VSAT . La salida VSAL permanecer
en VSAT hasta que la entrada se haga ms negativa que VSAT (LTP).
"M::4(,M

M<EK

MJ8C

"MJ8K
MJ8C4MJ8K

"

LKG
MI<=4",M

CKG
M::4(,M

I(

M<EK

I)
MJ8K

=`^liX*%-( :fdgXiX[fik`gfJZ_dd`kki`^^\i%X :`iZl`kf%Y :limXZXiXZk\ijk`ZX%


La diferencia entre los puntos del umbral superior e inferior se llama voltaje de histresis, y se le designa como VH.
El voltaje de histresis se calcula mediante la ecuacin 3.51:
VH  UTP LTP
VH  BVSAT   BVSAT  2BVSAT

(3.51)

Si el voltaje pico a pico de ruido de la seal de entrada es menor que el voltaje de histresis, VH, no habr manera de
que la salida pueda conmutar estados. Por esta razn, el diseo del circuito Schmitt trigger puede ser inmune a disparos de conmutacin errticos producidos por el ruido.
Ahora, vamos a calcular, como ejemplo, el voltaje de histresis, VH, del circuito de la figura 3.61. Para esto asignamos valores a R1  1 k y R2  100 k. Como los voltajes de alimentacin son de 15 V, entonces asumimos unos
voltajes de saturacin de 14 VSAT . Para calcular los valores para UTP y para LTP, primero calculamos :

B

R1
1 k7

 0.099
R1 R2 1 k7 100 k7

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131

3 El mgico amplificador operacional

Conociendo , entonces podemos calcular UTP y LTP:


UTP  BVSAT  0.099 r 13 V  128.7 mV
LTP  BVSAT  0.099 r (13 V)  128.7 mV
Por tanto, el voltaje de histresis es:
VH  2BVSAT  2(128.7 mV)  257.4 mV
Podemos observar que si los valores de R1  0 y R2  , regresaremos al comparador original sin histresis.

Circuito Schmitt trigger no simtrico


Algunas aplicaciones requieren que el umbral no se encuentre de manera simtrica alrededor de cero volts. Una configuracin ms general para determinar un umbral arbitrario se muestra en la figura 3.62.

M<EK

MJ8C
M"

"

I)

I(

MI<=

=`^liX*%-) :`iZl`kfZfdgXiX[fiJZ_d`kkki`^^\iefj`dki`Zf%
Usando la ley de Kirchhoff para las corrientes tenemos:
VOUT V VREF V
VOUT VREF V V
R1 R2

0


 V
R1 R2
R2
R1
R2
R1
R2 R1
R1
R2
V  VOUT
VREF
R1 R2
R1 R2

(3.52)

Por tanto, el voltaje de umbral con histresis es:


VH  oVSAT

R1
R1
VREF
R1 R2
R1 R2

(3.53)

Normalmente, el voltaje de referencia, VREF , no se encuentra disponible, por lo que usamos nuestro divisor de
voltaje para obtener el valor deseado, como se muestra en la ecuacin 3.54 y en la figura 3.63.
i(

I(
"

"
MI<=

'M

MJ

i)

'M

=`^liX*%-* MfckXa\[\i\]\i\eZ`XfYk\e`[fXgXik`i[\le[`m`jfi[\mfckXa\%

132

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

=`^liX*%-+ :fdgl\ikX[`^`kXc`em\ijfiXJZ_d`kkki`^^\i%
VREF  VS

r2
r1 r 2

(3.54)

El circuito Schmitt trigger puede construirse usando dispositivos discretos, aunque esto en realidad consume
mucho tiempo en su diseo. Este circuito tiene numerosas aplicaciones, ya sea en el mundo analgico o en el mundo
digital, convirtiendo seales analgicas a unos y ceros. La versatilidad del Schmitt trigger le ha permitido entrar al
mundo de los circuitos digitales, como el CI 74HC14. Pero, en este momento nos estamos adelantando, este es tema
del captulo: Principios de electrnica digital y microprocesadores.
Adicionalmente, cuando se tienen dos seales analgicas de entrada y una salida digital, al comparador se le denomina convertidor analgico a digital (ADC, por sus siglas en ingls) de un bit; si bien este es uno de los temas que
nos ocupa en el tratamiento del siguiente apartado, ya estamos llegando a los lmites entre el mundo analgico y el
digital.

ADC

Y DAC LAS INTERFACES ENTRE EL MUNDO DIGITAL


Y EL MUNDO ANALGICO

Hasta ahora hemos examinado el OP AMP y varias de sus aplicaciones; sin embargo, para enfatizar su diversidad, esta
seccin abre las puertas del mundo de los convertidores digitales a analgicos (DAC) y de los convertidores analgicos
a digitales (ADC), por donde cruzaremos de forma delineada desde el mundo analgico hacia al mundo digital y viceversa; es decir, presentaremos el punto intermedio entre conceptos y construccin de estos convertidores, ya que para
cada dispositivo existen captulos enteros vdedicados a estos temas.
Para entender la vala relativa de los sistemas analgicos y digitales, es conveniente comparar los dos sistemas en
una aplicacin comn, en este caso la grabacin y la reproduccin de sonido, como lo muestra la figura 3.65.
Cabeza
de escritura

Cabeza
de lectura

Seal analgica
de salida

Seal analgica
de entrada
Direccin de la cinta
GRABACIN ANALGICA

Seal analgica
de salida

Seal analgica
de entrada
Computadora
Los nmeros se
convierten en seal

La seal se convierte
en nmeros
GRABACIN DIGITAL

=`^liX*%-, J`jk\dX[\^iXYXZ`epi\gif[lZZ`eXeXc^`ZXmj%j`jk\dX[\^iXYXZ`epi\gif[lZZ`e[`^`kXc%

grupo editorial patria

133

3 El mgico amplificador operacional

Iniciamos el tratamiento de este tema describiendo el proceso de grabacin y reproduccin analgico, para posteriormente contrastarlo con el proceso digital. De manera general, en el proceso de grabacin analgico, las ondas
sonoras impactan el micrfono, donde son convertidas a impulsos elctricos; estas seales elctricas son amplificadas
y despus convertidas a campos magnticos por una cabeza de grabacin. Cuando la cinta magntica se mueve bajo
la cabeza, la intensidad del campo magntico se almacena en la cinta. En el proceso de reproduccin, cuando la cinta
magntica se mueve bajo la cabeza, la intensidad del campo magntico almacenado en la cinta se convierte a seales
elctricas. Estas seales elctricas son amplificadas y enviadas a las bocinas, las cuales convierten las ondas amplificadas a ondas sonoras. El proceso analgico tiene una resolucin infinita; no obstante, cada etapa representa factores
adversos que se combinan de tal manera que la calidad de la seal de salida es ms baja que la seal de entrada. Cada
vez que la seal pasa otro proceso analgico, estos efectos adversos se multiplican.
Por otro lado, en el proceso digital, las seales analgicas son convertidas a seales digitales (arreglos de nmeros), como se muestra la figura 3.66.

Seal
digital
Apagado

Encendido

Apagado

Seal
analgica

=`^liX*%-- KiXej]fidXZ`e[\leXj\XcXeXc^`ZXXj\Xc\j[`^`kXc\jXii\^cfj[\ed\ifj %
Una vez adquiridas y almacenadas, estas seales (arreglos de nmeros) pueden reproducirse fielmente. En este
proceso digital, sin embargo, existen dos desventajas: primero, es mucho ms complicado que el proceso analgico;
segundo, las computadoras solo pueden manipular nmeros de resolucin finita. De esta manera, se pierde la potencial resolucin infinita del proceso analgico. No obstante, el esquema digital tambin tiene muchos beneficios: las
seales, una vez convertidas a nmeros, son incondicionalmente estables; asimismo, usando tcnicas como la deteccin y la correccin de errores, es posible almacenar, transmitir y reproducir nmeros sin corrupcin de las seales;
as, la vigsima generacin de grabacin es tan exacta como la primera.
El modelo general de procesamiento digital de seales analgicas, por ejemplo el sonido, tiene los elementos que
se distinguen en la figura 3.67.
Despliegue
Teclado
101111

101111
FBP

FBP
ADC
Acondicionamiento
de seal

Procesador

DAC

Filtro
Antialias

Filtro
suavizante
Memoria
de programa

Memoria
de datos

Modem

A otros sistemas DSP

=`^liX*%-. <cdf[\cf^\e\iXc[\gifZ\jXd`\ekf[`^`kXc[\j\Xc\jXeXc^`ZXj%
La informacin digitalizada puede ser analizada, almacenada, desplegada, transmitida o manipulada de cualquier
manera. La aplicacin puede abarcar radar, sonar, voz, video, etctera; dependiendo de la aplicacin, el sistema puede

134

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

no contener algunos elementos. Pero, ya nos estamos desviando, en este apartado solo analizamos los mdulos ADC
y DAC.22 Pero, antes es importante definir algunos trminos tcnicos relacionados con el tema.

Trminos tcnicos de la interface analgica-digital-analgica


Para apreciar esta transicin entre mundos diferentes, primero definiremos algunos trminos nicos en el rea digital.
Estos conceptos forman los fundamentos de la transformacin de valores analgicos a digitales y viceversa, y son independientes del mtodo que se utilice para digitalizar una seal. Para esto, es necesario entender que una representacin digital de una seal analgica es una aproximacin. As, una seal analgica puede asumir cualquier valor
dentro de un rango, por esta razn se dice que su resolucin es infinita; mientras que una seal digital est limitada a
distintos valores (nmeros), en particular nmeros binarios llamados bits, compuestos por unos y ceros, como se
muestra en la figura 3.66. Este tema se analiza con mayor detalle en el siguiente captulo.
Como la salida de un ADC y la entrada de un DAC es una palabra digital, esta se caracteriza por el nmero de bits
que contiene. La figura 3.68 muestra los smbolos de estos convertidores.
VREF
Entrada
digital
(Nmero
de bits)

Salida
analgica

DAC

(Voltaje o
corriente)

VREF
Entrada
analgica

ADC

(Voltaje o
corriente)

Salida
digital
(Nmero
de bits)

=`^liX*%-/ JdYfcfj[\cfjZfem\ik`[fi\j8;:p;8:%
Los bits definen la resolucin disponible en el convertidor, pero no la exactitud de la conversin. As, entre mayor
sea el nmero de bits, se tiene mayor informacin que puede ser usada para representar la amplitud o la intensidad de
la seal, lo cual redunda en una mayor resolucin. La resolucin es comnmente considerada, en trminos de bits,
menos significativa (LSB, por sus siglas en ingls) de la palabra digital. Para cualquier convertidor, el LSB es calculado
por la ecuacin 3.55.
1LSB 

VFS
2N 1

(3.55)

Donde VFS es el voltaje de escala plena del convertidor, el cual, generalmente, es su voltaje de alimentacin, pero podra
tener un voltaje de referencia arbitrario, y N es el nmero de bits. Por ejemplo, un convertidor de 16 bits operando a
plena escala, VFS  5 V, tendr una resolucin que se calcula de la siguiente manera:
1LSB 

5V
5V

 76.3 v
2 1 65535
16

Por lo comn, la exactitud se expresa en trminos del valor de LSB. Para visualizar la exactitud con relacin a la
resolucin, vamos a considerar el juego de tiro al blanco que se representa en la figura 3.69, el cual tiene cuatro posibles
combinaciones, las cuales pueden resultar de esta relacin exactitud-resolucin.
22

Si sigue interesado en este tema, es muy probable que la secuela de este libro est relacionada con el procesamiento digital de seales, que complementar su estudio.

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135

3 El mgico amplificador operacional

=`^liX*%-0 <oXZk`kl[mj%i\jfclZ`e%
El blanco A muestra una baja resolucin y una pobre exactitud; en este, podemos observar que hay una gran
distancia entre los disparos y que ninguno de ellos se encuentra cerca del centro. El blanco B muestra una buena
exactitud, ya que todos los disparos estn alrededor del centro, pero el espacio entre los disparos indica una baja resolucin. El blanco C y el blanco D muestran una resolucin ms alta que los anteriores, ya que los disparos se encuentran agrupados con distancias muy cortas entre ellos. No obstante, los disparos en el blanco C no se encuentran en el
centro comparados con el blanco D, el cual despliega la mayor exactitud, puesto que en este todos los disparos se
encuentran en el centro.
Los convertidores ADC y DAC perfectos no existen, y como una seal digital es una aproximacin de una seal
analgica, hay errores intrnsecos en el proceso de conversin como se ve a continuacin.
La transicin de un cdigo digital de 000 a 001 debera suceder cuando la seal analgica alcanza de 1 LSB, pero
si esta transicin ocurre en cualquier otro punto de la seal analgica, la diferencia es un offset. Este error se localiza
en el primer punto de conmutacin, como se muestra en la figura 3.70 a).

111

111

IDEAL
110

Cdigo digital

Cdigo digital

110
101
100
011

101
100

IDEAL
011

010

010

001

001

000

000
1/8

2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8

FS

1/8

2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8

Seal analgica
a)

FS

Seal analgica
b)

=`^liX*%.' <iifi\j\eleZfem\ik`[fi8;:f;8:%X <iifi[\f]]j\k%Y <iifi[\^XeXeZ`X%


Debido a que el primer punto de conmutacin es recorrido, la funcin de transferencia entera se recorre ya sea
hacia la derecha o hacia la izquierda, dependiendo de la polaridad.
Otro error en la funcin de transferencia es el error de ganancia. El efecto de este error es un cambio en la pendiente de la curva de la funcin de transferencia, como se muestra en la figura 3.70 b). El error de ganancia es visto
como un corrimiento del cdigo de escala completa despus del corregir el error de offset. Este error puede ser causado por un error en el valor del voltaje de referencia del convertidor, as como por fallas internas del convertidor.

136

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Observe que en los errores arriba descritos, la funcin de transferencia permanece como una lnea recta. Aunque,
por definicin, esto es conveniente, existen otros dos errores que describen la desviacin de la lnea recta ideal, como
se muestra en la figura 3.71.

111

111
110

DNL

Cdigo digital

Cdigo digital

110
101
100

INL

011

101
100
011

010

010

001

001

000

000

No monotnico

Cdigo perdido
1/8

2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8

FS

1/8

2/8 3/8 4/8 5/8 6/8 7/8

Seal analgica
a)

FS

Seal analgica
b)

=`^liX*%.( <iifi\j[\[\jm`XZ`e[\cXce\Xi\ZkX`[\Xc[\cfjZfem\ik`[fi\j8;:p;8:%X <iifi[\efc`e\Xc`ek\^iXc@EC p\iifiefc`e\Xc


[`]\i\eZ`Xc;EC %Y <iifi\oki\df;EC%

El error no lineal integral (INL, por sus siglas en ingls) es una medida de la desviacin de la funcin de transferencia de la lnea recta ideal, mientras que el error no lineal diferencial (DNL, por sus siglas en ingls) es cualquier
desviacin en el tamao del paso que se desve del ideal.
Otros dos casos extremos de DNL se muestran en la figura 3.71 b). Estos errores pueden ser desastrosos en sistemas de control, donde un sistema de control de lazo cerrado se encuentre buscando una posicin. Uno de estos errores sucede en caso de que se pierda un cdigo y corresponda a la posicin; si esto sucede, el sistema continuar
buscando ese punto y nunca se lograr estabilizar. El otro error est relacionado a los sistemas monotnicos (de montonos, es decir que no cambian), los cuales constituyen aquellos sistemas cuyo cdigo de salida permanece constante o siempre se eleva con un incremento en los valores de entrada. Considere un sistema donde el cdigo buscado es
110 en la entrada 6, de 8 posibles de escala plena. Cuando la entrada se incrementa del paso 3 al 8, el cdigo de salida
se incrementa. Ahora, cuando la entrada se incrementa de 4 a 8, el cdigo de salida se decrementa. As pues, el sistema
puede concluir que ha pasado el punto buscado y regresarse. En este caso, el sistema permanece atrapado en un valor
mnimo local, con ninguna oportunidad de alcanzar el punto deseado.

Convertidor analgico a digital (ADC)


A pesar de todas las maravillas de la electrnica digital que se conocen en nuestros das, como reproductores mp3,
reproductores DVD, telfonos iphone, bolsas de aire, etctera, el mundo es analgico! En aplicaciones que van desde
electrodomsticos y automviles modernos hasta aplicaciones mdicas e industriales, las seales analgicas provenientes de una diversidad grande de sensores, tienen que ser detectadas, amplificadas y convertidas al dominio digital,
a fin de realizar su procesamiento. En todo este proceso, el convertidor analgico a digital (ADC) juega un papel primordial. En esta seccin presentamos los fundamentos de la transformacin de las seales de mundo analgico al
mundo digital va el ADC.
Por qu nos interesa el mundo analgico? Bien, porque existe un incremento en el uso de sensores (los cuales son
esencialmente analgicos) y, hoy en da, la variedad de sensores es vasta, ya que incluye sensores de movimiento, presin temperatura, corriente, acstica, humedad, campo magntico, etctera. Por ende, la mayora de esas seales
analgicas proviene de ellos, y casi todas las tarjetas electrnicas tienen al menos una seal analgica.
Para apreciar la transformacin del mundo analgico a su representacin en el mundo digital, en la figura 3.72
esta se representa con el juego de la resbaladilla.

grupo editorial patria

137

Altura (Unidades fsicas)

3 El mgico amplificador operacional

rma

tafo

Pla

o4

Pas

o3

Pas

Perspectiva
analgica

Tiempo
T1

T0

T2

Plataforma

2
aso

Paso 4

o1

Perspectiva
digital

Paso 3

Pas

Paso 2

rra

Tie

Paso 1

Tiempo

Tierra

T1

T0

T2

=`^liX*%.) KiXej]fidXZ`e[\cdle[fXeXc^`ZfXjli\gi\j\ekXZ`e[`^`kXc%
En la figura 3.72 se aprecia que el deslizamiento por la resbaladilla es continuo en la perspectiva analgica y discreto, o en pasos, en su contraparte digital. Esto sirve como prembulo para entender otro trmino importante en el
proceso de digitalizacin, llamado error de discretizacin o ruido de discretizacin. En inlgs, este error es conocido
como quantization error, por lo que existen algunos autores que en espaol lo llaman error de cuantizacin. La figura
3.73 muestra la funcin de transferencia ideal de un ADC de 3 bits.

Cdigos digitales de salida

111
110
101
100
011
010
001
000
0

Voltaje analgico de entrada

=`^liX*%.* =leZ`e[\kiXej]\i\eZ`X`[\XcgXiXle8;:[\*Y`kj%

Error
de salida

En la figura 3.73, la lnea recta representa la funcin de transferencia para un sistema analgico, donde se tiene
una seal analgica de entrada y una seal analgica de salida tanto para el eje X como para el eje Y. Por su parte, para
el sistema digital, se tiene una seal analgica de entrada en el eje X y un cdigo digital de salida en el eje Y.
Debido a que la salida en el sistema digital debe asumir un cdigo discreto, deber existir una desviacin de la lnea ideal cuando la entrada no sea exactamente el valor del cdigo. Esta desviacin es el error de discretizacin o error
de cuantizacin, el cual se representa en la figura 3.74.
+1 LSB
000
1
1 LSB

Voltaje analgico de entrada

=`^liX*%.+ <iifi[\[`jZi\k`qXZ`ef\iifi[\ZlXek`qXZ`e%

138

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

Este error genera un impacto en el desempeo del ADC, pero su anlisis va ms all del alcance de este libro; sin
embargo, es importante saber que existe y que podra afectar el funcionamiento del ADC. En esta seccin nos centramos en las tcnicas ms usadas en la actualidad para entregar un valor digital proveniente de una entrada analgica.
Para realizar los ADC, se han diseado diferentes topologas de circuitos. Sin embargo, a causa de su desempeo,
estos diseos se han reducido a cuatro topologas bsicas: los convertidores flash, los convertidores de aproximaciones
sucesivas (SAR, por sus siglas en ingls), los convertidores pipline y los convertidores delta-sigma. La figura 3.75
muestra una comparacin de velocidad contra resolucin para estos cuatro convertidores, donde adems tambin se
puede apreciar que los lmites entre unos y otros se ha traslapado.
300 M

Flash

Velocidad (muestras/s)

100 M

Pipeline

10 M

Delta
Sigma

1M
500 K

SAR

100 K
10 K

Delta Sigma

1K
0
6

10

12

14

16

18

20

24

Resolucin en bits

=`^liX*%., :fdgXiXZ`e[\8;:j%
Un cambio importante y significativo de estos nuevos diseos es la desaparicin de un circuito OP AMP independiente, llamado muestra/retencin o sample/hold (S/H, por sus siglas en ingls). El S/H se utilizaba como fornt
end de la seal analgica de entrada, y su salida se conectaba al ADC para obtener resultados de conversin vlidos;
asimismo, se requera que la seal analgica de entrada fuera estable, al menos durante el tiempo de conversin de un
LSB. Varios avances se han realizado en el desempeo de los ADC, entre los que se incluyen los incrementos en la
resolucin, los tiempos de conversin ms cortos y los voltajes de escala plena reducidos. Adicionalmente, estas configuraciones avanzadas de circuitos ADC han permitido la integracin del S/H dentro del convertidor.23
Ms all de la diferencia de velocidad-resolucin, existen otros parmetros importantes como el tiempo de lectura
del convertidor. Cada convertidor tiene ventajas y desventajas; sin embargo, el dispositivo ptimo depende de la aplicacin, es decir de qu se necesita hacer con los datos. En esta seccin solo se esboza, de manera general, el funcionamiento del ADC ms rpido, el tipo flash, y del ADC de rango ms amplio en trminos de resolucin, el tipo SAR.
El ADC tipo flash es el ms rpido para convertir una seal analgica a digital, y tal vez es el que presenta la topologa de diseo ms simple, como lo muestra la figura 3.76.
Un ADC flash de N-bit se compone de 2N1 OP AMPs comparadores, 2N resistencias y una malla lgica que
determina el cdigo binario de salida. En esta configuracin, VREF es igual al voltaje de escala completa, VFS. Los valores de la cadena de resistencias es tal que el voltaje en la entrada inversora del comparador 1 (COMP1) es de LSB. El
valor del resto de los pasos de resistencias se define de tal forma que la entrada inversora de COMP2 es 1 LSB.
Por tanto, el funcionamiento es como sigue:
t Cuando VENT < LSB, entonces todas las salidas son cero lgico o estado BAJO.
t Cuando LSB < VENT < 1 LSB, entonces COMP1  1 lgico o estado ALTO.
t Cuando LSB < VENT < 2 LSB, entonces COMP1 y COMP2  1 lgico o estado ALTO.
23

Durante el desarrollo de mi tesis de licenciatura utilic un circuito S/H y ADC del fabricante Burr Brown. El tamao del S/H era de aproximadamente 2 cm r 2 cm, y junto con el ADC trabajaban muy bien. El nico problema fue un sobrecalentamiento en un pin que realic al re-alambrar
mi circuito ADC para separar las tierras digitales de las analgicas. No apareci el humo mgico de destruccin, pero la parte digital dejo de
operar. Menciono esto porque al final de este captulo realizamos algunas recomendaciones prcticas para trabajar con estos circuitos y evitar,
en la medida de lo posible, solicitar otro componente a los jefes inmediatos, a quienes no les va a gustar esta solicitud.

grupo editorial patria

139

3 El mgico amplificador operacional

VENT
R8
VREF

COMP7

R4

COMP4

R3

Conversin binaria

R7

COMP3

R2

COMP2

R1

COMP1

=`^liX*%.- :fe]`^liXZ`e[\[`j\f[\le8;:k`gf]cXj_%
Cuando la magnitud del voltaje de entrada, VENT , se incrementa, la salida del nmero de comparadores que son
1 lgicos tambin se incrementa. La funcin del bloque de conversin binaria es cambiar la salida de los comparadores
a un cdigo binario.
La ventaja principal del ADC tipo flash es su rapidez; no obstante, una de sus limitantes son los tiempos de propagacin de los comparadores y de la red lgica. Pero, la desventaja ms importante se encuentra en el nmero de
resistencias (2N) y comparadores (2N1) requerido, lo cual tambin impacta en su costo. Por ejemplo, un convertidor
de 8 bits requiere de 255 comparadores y 256 resistencias.
El ADC de aproximaciones sucesivas es uno de los ms usados; este tiene, como parte de sus caractersticas fundamentales, el tiempo de conversin relativamente corto, comparado con otras tecnologas que le preceden, como el
ADC tipo rampa. El ADC de aproximaciones sucesivas (SAR) es una configuracin de hardware que sigue el valor de
1 bit en un esquema de rbol. Conceptualmente, un circuito lgico asume un valor digital inicial, por lo general el
valor de media escala almacena esa informacin en un registro y la aplica a un DAC. Un OP AMP comparador determina si la suposicin inicial, aplicada por el DAC, tiene un nivel ALTO o BAJO (1 o 0) y lo reporta al circuito lgico
de control para guiar a la siguiente suposicin. La figura 3.77 muestra la configuracin del ADC tipo SAR.
Comparador
+
Ventrada

VDAC

Registro
de control
Registro de
Aproximaciones
sucesivas

Salida
digital

DAC

=`^liX*%.. :fe]`^liXZ`e[\_Xi[nXi\[\le8;:k`gfJ8I%

140

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

La primera suposicin se determina, como mencionamos antes, a media escala, es decir entre cero y escala plena,
lo cual se hace estableciendo en uno el bit ms significativo de la palabra digital (MSB, por sus siglas en ingls) que para
un DAC de 8 bits es 1000 0000, como se muestra en la secuencia 1 de la tabla 3.5.
Secuencia

Palabra digital

Inicio

0000 0000

(0/255) *  0 < 2

Voltaje aproximado

1000 0000

(128/255) * 5  2.5 V > 2

0000 0000

(0/255) * 5  0 < 2

0100 0000

(64/255) * 5  1.25 V < 2

0110 0000

(96/255) * 5  1.88 V < 2

0111 0000

(112/255) * 5  2.19 V >2

0110 1000

(104/255) * 5  2.03 > 2

0110 0100

(100/255) * 5  1.95 < 2

0110 0110

(102/255) * 5  1.99 < 2

0110 0111

(103/255) * 5  2.01 > 2

KXYcX*%, J\^l`d`\ekf[\cmXcfiXeXc^`ZfljXe[fle8;:k`gfJ8I%
5V
 19.6 MV . Si el voltaje de entrada VENT  2 V; entonces, al
28 1
realizar la comparacin, el valor de salida sera menor que la salida del DAC y el bit MSB se reinicia a cero, como se
aprecia en la secuencia 2 de la tabla 3.5. Si VENT es mayor, el MSB se deja en 1. La bsqueda binaria contina sucesivamente cada ciclo de reloj del circuito digital hasta que se prueba el bit ms bajo (LSB).
Una de las desventajas del ADC tipo SAR es la velocidad de conversin, sin embargo cada vez aparecen CI con
esta configuracin y velocidades mayores. Asimismo, existen muchos dispositivos microcontroladores que poseen
internamente un OP AMP, para realizar esta funcin de forma econmica, o cuentan con ADC interno.
Para este ejemplo, el VFS  5 V, por tanto 1 LSB 

Convertidor digital a analgico (DAC)


La tarea principal de los convertidores digital a analgico (DAC) es convertir un valor numrico a una seal analgica.
De manera general, existen dos esquemas bsicos de DAC: el sistema de ponderacin binaria continua y el sistema de
red de escalera R-2R.
El sistema de ponderacin binaria consiste en un circuito OP AMP tipo sumador, para el cual se ponderan las
ganancias de cada bit discretizado o cuantizado. La figura 3.78 muestra un DAC de 4 bits.
VREF
R

R/2

R/4

R/8

B1
B2
B3
B4

VSA

* B1 = Bit menos significativo, B4 = Bit ms significativo

=`^liX*%./ <jhl\dX[\gfe[\iXZ`eY`eXi`XgXiXle;8:[\+Y`kj%

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141

3 El mgico amplificador operacional

En el esquema de la figura 3.78 el bit menos significativo (LSB) alcanza la ganancia mnima y el bit ms significativo (MSB) alcanza la ganancia mxima. Los interruptores analgicos (IA) activan las entradas al OP AMP y conectan
la seal VREF a una ganancia que corresponde a la posicin del bit. La ventaja de este esquema es su simplicidad, ya que
utiliza nicamente un OP AMP junto con un arreglo de resistencias ponderadas, las cuales pueden depositarse en CI
para estos propsitos. La desventaja de este esquema es que al desarrollar un DAC con elementos ponderados discretos, las resistencias requeridas podran ser de una gama amplia de valores. Adems, puede presentarse el caso de no
tener mucha flexibilidad en la seleccin de resistencias, debido a las caractersticas prcticas de retroalimentacin y
operacin del OP AMP seleccionado.
El DAC por red de escalera R-2R es un circuito en el cual se utiliza un esquema de divisores de voltaje en forma
seriada, a fin de generar la ponderacin de un voltaje de referencia. En este, los IAs conectan o desconectan la posicin
relativa de la red a un punto comn que puede ser tierra o un punto de voltaje de referencia. Para clarificar estos esquemas, vamos a presentar esta configuracin con 2 bits.
Existen dos circuitos para implementar este DAC: la red R-2R estndar y la red R-2R invertida. El circuito R-2R de
escalera presenta una gran sencillez, ya que se requieren solo dos valores de resistencias, y el nmero de posibilidades
en esquemas, tanto discretos como en integrados, es muy grande. Un inconveniente podra ser el uso de IAs de un solo
tiro, dos polos, como se muestra en la figura 3.79.
VREF

VREF

2R
B1
B2

2R
V1

2R

REQ

2R
VSA

B1
B2

2R
V1

2R

REQ

VSA

=`^liX*%.0 <jhl\dXgXiXle;8:k`gfI$)I%X 9(4(p9'4(%Y 9(4'p9'4(%


Para entender el funcionamiento de este esquema, vamos a asumir que B0 es el LSB y B1 es el MSB. Para analizar
este circuito, se usa el principio de superposicin, con el cual se consideran las contribuciones independientes de cada
bit. De esta forma, podemos observar que en el circuito de la figura 3.79 a) el nmero binario de entrada es B1B0  11.
Ahora, vamos a asumir que la entrada digital se cambia a B1B0  01, como se muestra en la figura 3.79 b). La resistencia equivalente de la red, REQ , vista desde el nodo de retroalimentacin, en la terminal inversora, es:
REQ  [(2 R % 2 R ) R ] % 2 R  R

(3.56)

El voltaje equivalente de Thvenin de la red, visto desde el mismo nodo, en circuito abierto, es:
VTH () 

V1 (2 R ) 2
 V1
2R R 3

(3.57)

El voltaje intermedio, V1, se obtiene por divisin de voltajes de la siguiente manera:


V1 

VREF (3 R % 2 R ) VREF 65 R 6

 VREF
(3 R % 2 R ) 2 R 65 R 105 R 16

(3.58)

Sustituyendo las ecuaciones 3.57 y 3.58, se obtiene el voltaje de Thvenin, VTH, en funcin del voltaje de referencia,
VREF , por tanto:
VTH 

2 6
6
VREF  VREF
3 16
16

Ahora, asumimos que el cdigo binario es B1B0  10, como se muestra en la figura 3.80.

142

ELECTRNICA MIJAREZ

(3.59)

3 El mgico amplificador operacional

VREF

2R

2R
V1

B1
B2

2R

REQ

VSA

=`^liX*%/' <jhl\dXgXiXle;8:k`gfI$)I#Z[`^fY`eXi`f9(4(p9'4'%
Otra vez, el anlisis requerido es usar es el principio de superposicin y el teorema de Thvenin para encontrar
los voltajes equivalentes aplicados al nodo de retroalimentacin del circuito en la terminal no inversora del OP AMP.
La resistencia equivalente es:
REQ  [2 R % 2 R R ] % 2 R  R

(3.60)

El voltaje equivalente de Thvenin es:


VTH 

2 R r VREF VREF

2R 2R
2

(3.61)

Por ltimo, aplicando el principio de superposicin podemos obtener la tabla 3.6, la cual representa el funcionamiento del DAC de 2 bits para todos los casos.
Cdigo de entrada

Voltajes

B1

B0

VTH

VSAL

0.25 VREF

0.25 VREF

0.50 VREF

0.50 VREF

0.75 VREF

0.75 VREF

KXYcX*%- Fg\iXZ`e[\le;8:[\)Y`kI$)I\jk}e[Xi%
Para la red R-2R invertida de 2 bits, la red de escalera R-2R se coloca en la parte superior, invirtiendo la posicin
relativa de los interruptores analgicos, IAs. Igualmente, la red se conecta al voltaje de referencia, VREF , para producir
la divisin de voltaje esperada en el nodo de retroalimentacin, a fin de entrar a la terminal inversora del OP AMP,
como se muestra en la figura 3.81.
VREF
R
2R

2R
2R

B1
B2

REQ

VSA

=`^liX*%/( ;8:[\)Y`kjZfei\[I$)I`em\ik`[X#Z[`^f[\\ekiX[X9(9'4('%

grupo editorial patria

143

3 El mgico amplificador operacional

El anlisis de este circuito se efecta usando, igualmente, el teorema de superposicin y el teorema de Thvenin
para obtener sus voltajes y resistencias equivalentes. Los resultados del DAC con red R-2R invertida son idnticos a los
encontrados con la red estndar, los cuales se muestran en la tabla 3.6.
Si se desea un DAC de 8 bits R-2R, se puede utilizar un CI que contenga un arreglo de dos valores de resistencias,
como se muestra en la figura 3.82.
R
VREF

2R

B8

2R

B7

2R

B6

2R

B5

2R

B4

2R

B3

2R

B2

2R

VSA

B1

=`^liX*%/) ;8:[\/Y`kjZfei\[I$)I%
De igual modo, tambin existen DAC completos en CI, como el que se ilustra en la figura 3.82, los cuales usan
interruptores analgicos, IAs, de corriente. Estos dispositivos proveen una salida proporcional a la ponderacin dada
por el cdigo binario de entrada. Algunos CI con estas caractersticas son los convertidores tipo DAC 08 y tipo
MC1408, entre otros. Estos DACs presentan configuraciones recomendadas para aplicaciones generales, ya que proporcionan una seal de salida en corriente; sin embargo, si es requerido cambiar a voltaje solo se agrega un convertidor
de I-V basado en un OP AMP.
A manera de ejemplo, vamos a describir un DAC tipo MC1408 con salida de corriente y con salida de voltaje. El
DAC MC1408 utiliza la red escalera R-2R y obtiene la corriente de salida de la siguiente manera:
I SAL  I REF

A
A

 A2 A4 A8 16A 32A 64A 128
256
1

Donde AN  1, para la salida ALTA, y AN  0, para la salida BAJA. La corriente de referencia para este CI se obtiene
por:
VREF
I REF 
RREF
La aplicacin ms sencilla, usando el DAC M1408, es obtenr una salida de corriente como la que se ilustra en la
figura 3.83.

144

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

5 V

5 V
0.1 F

5 V

0.1 F
13

MSB

5
6
7
8
9
10
11

LSB

12

RREF

2 K

VEE
(V)

VCC
(V)

0.1 F

2.5 K

A1
A2

VREF

14

A3

MC1408

A4
A5

I0

SaIida

A6

RL = 500 

A7

I0

A8

Datos
de entrada

15

VREF

GND
2

=`^liX*%/* 8gc`ZXZ`ej`dgc\[\c;8:D(+'/%
El MC1408 se calibra, de acuerdo con la hoja de datos, a una corriente de salida ISAL  1.99219 A de plena escala.
Por tanto, suponiendo que la corriente de referencia, IREF  2 A, entonces la resistencia de referencia se obtine por:
RREF 

5V
 2.5 k 7
2mA

Si conectamos una resisitencia de carga, RL  500 , entonces el voltaje de plena escala es:
VSAL( MAX ) 

255
(2 mA)(500 7)  0.996 V
256

Si se requiere obtener una salida de voltaje, se usa un OP AMP, como se ilustra en la figura 3.84.
+5 V
0.1 F

5 V
0.1 F
CCOMP

13

MSB

5
6
7
8
9
10
11

LSB

12

VCC
(V+)

VEE
(V)

Comp

16

10 V

A1

5K

A2

+VREF
14

A3
A4

MC1408

A5

I0

A6

I0

A7
A8

+15 V
10 K

VREF

15

Datos
de entrada

5K

741
741
+

VSA

15 V

=`^liX*%/+ ;8:D:(+'/ZfejXc`[X[\mfckXa\gifgfiZ`feX[XgfileFG8DG%

grupo editorial patria

145

3 El mgico amplificador operacional

Las tablas 3.7 y 3.8 ilustran la forma de compensar y calibrar el DAC tipo DAC08 o MC1408, de acuerdo con la
informacin proporcionada por el fabricante, en este caso ON semiconductors.
RREF (k)

CCOMP (pF)

1.0

15

2.5

37

5.9

75

KXYcX*%. I\j`jk\eZ`Xj[\i\]\i\eZ`XpZXgXZ`kfi[\Zfdg\ejXZ`e%

B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8

VSAL (V)

Escala completa

1 1 1 1 1 1 1 1

4.96

Escala de cero

1 0 0 0 0 0 0 0

0.00

Negativo de escala completa


( 1LSB)

0 0 0 0 0 0 0 1

4.96

Negativo de escala completa

0 0 0 0 0 0 0 1

5.00

KXYcX*%/ :Xc`YiXZ`ekg`ZX[\c;8:D:(+'/%
Existen otros DACs que pueden ser configurados para operacin unipolar (0-10 V) o bipolar (10 V a 10 V), con
mayor resolucin, como el AD667 de 12 bits. Los DACs pueden ser utilizados como perifricos de sistemas digitales
basados en microprocesadores o microcontroladores. Otra vez, este es uno de los tpicos que cubriremos en el siguiente captulo: Principios de electrnica digital y microprocesadores.

LAS

MISTERIOSAS TIERRAS

La reduccin de ruido es uno de los aspectos ms importantes en la mayora de los diseos electrnicos. Al igual que
las restricciones de potencia, los cambios en la temperatura, las limitaciones de tamao y los requerimientos de rapidez y exactitud, el ruido es un factor omnipresente que debe ser tomado en cuenta para realizar diseos exitosos.
Existen muchas fuentes de ruido, sin embargo, las generadas dentro del circuito o sistema electrnico es responsabilidad del diseador y pueden afectar el desempeo total del circuito.
Existen muchos artculos, extensas notas de aplicacin e incluso libros que tratan el tema de las tierras. Pero,
continuando con el sentido de este libro, vamos a tratar de generar un entendimiento intuitivo acerca de las misteriosas tierras. As pues, empezamos definiendo el concepto de tierra. La tierra se considera un punto de referencia para
todas las seales de un sistema o una trayectoria de retorno para las corrientes elctricas de un circuito. Idealmente,
la tierra tiene un voltaje, mejor conocido como diferencia de potencial, de cero volts, en todas partes que se encuentre.
En el mundo cotidiano, la tierra no es otra cosa que una seal transportada por conductores, y los conductores reales
tienen cierta impedancia. Las corrientes que circulan esta tierra causan que la diferencia de potencial a travs del
conductor sea diferente en todos los puntos.
Una buena tierra se obtiene manteniendo la impedancia del conductor (por lo general, cobre) lo ms baja posible, lo cual minimiza la diferencia de potencial en el mismo. Lo anterior se lleva a cabo dedicando una capa de la tarjeta del circuito impreso (PCB, por sus siglas en ingls) nicamente como plano de tierra, donde un rea grande de
cobre reduce la impedancia. Sin embargo, tenemos que recordar que la impedancia, del plano de tierra o de un cable
conductor, contiene, adems de resistencia, una componente de capacitancia o inductancia.
Con frecuencia, al plano de tierra se le considera como el mejor retorno de corriente, tanto para la fuente de alimentacin como para las seales de inters en el sistema o en la tarjeta electrnica; ello se debe a que este puede
proveer un punto o nodo de referencia para convertidores, OP AMP y otros circuitos. No obstante, el uso del plano
de tierra no asegura una tierra de alta calidad para circuitos de CA.

146

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

As, por ejemplo, la resistencia de CD de un cable aplica nicamente a muy bajas frecuencias y es directamente proporcional a su longitud. Considrese que la resistencia de un cable recto de 3 metros del nmero 12 (dimetro
2.56 mm) es aproximadamente 0.015 , como lo muestra la figura 3.85. Por otro lado, la inductancia de un cable es
casi independiente de su dimetro, pero es directamente proporcional a su longitud, y se incrementa cuando existen
curvas o lazos. Por ejemplo, el cable de 3 metros del nmero 12 tiene una impedancia de 30 a 1 MHz, como se
ilustra en la figura 3.85. Si sustituimos este cable por uno de media pulgada de dimetro (12.7mm), la impedancia se
reduce ligeramente a 25 .
10K

Impedancia (ohms)

3K
1K
300
100
30
10
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
100

1K

10K

100K

1M

10M

100M

Frecuencia (Hertz)

=`^liX*%/, >i}]`ZX[\`dg\[XeZ`Xmj%]i\Zl\eZ`XgXiXleZXYc\i\Zkf[\*d[\ced\if()%
Adicionalmente, un cable puede resonar, es decir se puede convertir en una antena irradiando energa, cuando su
longitud es un cuarto de su longitud de onda, . Para el cable de 3 metros, esto sucedera a aproximadamente a:
25 MHz, f 

C 3 x108

L 12 m

Para desmitificar un poco estas misteriosas tierras, vamos a usar un circuito muy simple, construido en una tarjeta de 2 capas, y el cual tiene una fuente de corriente de CD y de CA en la capa superior que es conectada al punto 1
en un extremo. Esta fuente de corriente se conecta al punto 2 a travs de una trayectoria de cobre, tambin llamada
pista, en forma de U, como se muestra en la figura 3.86. En la figura se observa cmo ambos puntos van a travs del
PCB y se conectan al plano de tierra. Idealmente, la impedancia en la trayectoria en forma de U es cero y el voltaje que
aparece entre los puntos conectados de la fuente de corriente debera ser cero.

Punto 2

Punto 1

CD + CA

Capa inferior
usada como
plano de tierra
slido

Conductor
con forma de U

Capa superior
a)

b)

=`^liX*%/- X ;`X^iXdX\jhl\d}k`Zf[\leX]l\ek\[\Zfii`\ek\%Y =l\ek\[\Zfii`\ek\:;p:8 Zfe\ZkX[X\eki\cfjglekfj(p)XkiXmj


[\leXkiXp\Zkfi`X\e]fidX[\L\e\cG:9#Zfei\kfief[\k`\iiXXkiXmj[\cgcXef[\k`\iiX%

El diagrama esquemtico de la fuente de corriente, figura 3.86 a), no muestra estas sutilezas; pero, entendiendo
como fluye la corriente en el plano de tierra, del punto 1 al punto 2, hace presentes estas realidades y muestra cmo
puede evitarse el ruido de tierra a altas frecuencias.

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147

3 El mgico amplificador operacional

En la figura 3.87 se ilustra cmo fluye la corriente de CD. Como sabemos, la corriente toma la trayectoria de menos resistencia, en este caso del punto 1 al punto 2.

Punto 2

Punto 1

Plano
de tierra

CD

Trayectoria de la corriente de CD
Conductor con forma de U

rea de lazo
para calcular
la inductancia
Capa superior

=`^liX*%/. KiXp\Zkfi`X[\cXZfii`\ek\[\:;#[\cglekf(Xcglekf)%
Como se aprecia en la figura 3.87, algo de la corriente de CD se dispersa, pero solo una cantidad pequea de esa
corriente fluye a una distancia sustancial de esta trayectoria.
Por otro lado, es importante resaltar que la corriente de CA no toma la misma trayectoria de menos resistencia,
sino que toma la trayectoria de menos impedancia, la cual depende de la inductancia. La inductancia es proporcional
al rea del lazo creado por el flujo de corriente, esta relacin puede ilustrarse por la regla de la mano derecha y el campo magntico, como se muestra en la figura 3.88.

Oposicin
bucle
exterior

Lneas
de flujo
alrededor
del alambre
superior

Refuerzo en
el interior
de bucle
Lneas
de flujo
alrededor
del alambre
inferior

Oposicin
bucle
exterior

=`^liX*%// Ce\Xj[\ZXdgfdX^ek`Zfp\ccXqf`e[lZk`mf%
Dentro del lazo, la corriente produce lneas de campo magntico que se suman constructivamente. Sin embargo,
lejos del lazo existen lneas del campo magntico que se suman destructivamente; por esta razn, el campo magntico
se encuentra principalmente dentro del lazo. Entre ms grande sea el lazo, mayor ser la inductancia; esto significa que
para un nivel de corriente dado, se almacena ms energa magntica y se tiene una impedancia mayor. Como se recordar del captulo 1, la impedancia inductiva es XL  2fL; por tanto, la impedancia se incrementa con la frecuencia y,
por ende, tambin se incrementa el voltaje.
La pregunta, entonces, es: cul trayectoria escoge la corriente en el plano de tierra? Naturalmente, la trayectoria
de menor impedancia. Considerando el lazo formado por la pista en forma de U en la capa superior, el plano de tierra
en la capa inferior y despreciando la componente resistiva del cobre, la corriente de CA de alta frecuencia fluir por
la trayectoria de menor inductancia, por tanto, la de menor rea. En el ejemplo de la figura 3.87, la trayectoria con
menos rea es, evidentemente, la pista en forma de U y la porcin del plano de tierra directamente debajo de la pista.

148

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

En la prctica, la resistencia del plano de tierra causa que, a bajas o medianas frecuencias, la corriente fluya entre el
plano de tierra y directamente en la pista de la capa superior. Sin embargo, el regreso de la corriente casi se desarrolla
todo en la pista de la capa superior, incluso con frecuencias tan bajas como 1 MHz o 2 MHz.
Una vez que se entiende el retorno de corriente en el plano de tierra, los problemas de distribucin de pistas (layout, en ingls) se pueden identificar y corregir. De esta forma, si se identifica una trayectoria como crtica, se tratar
de mantener corta y alejada de las lneas digitales. En tanto, si la pista tiene menos importancia, incluso, se puede
cortar el plano de tierra y usar un camino que no afecte circuitera sensible.
Desafortunadamente, resulta que la inductancia se introduce en ambos retornos de las seales, la pista en U y el
plano de tierra; esta ltima produce que ambos lazos sean mayores. Para seales tpicas TTL (lgica de transistortransistor, por sus siglas en ingls), la diferencia de potencial puede ser de cientos de milivolts, suficiente para comprometer el desempeo de un ADC de 8 o 12 bits. Una solucin simple, no esttica, es conectar un cable atravesando el
plano de tierra, para mantener el lazo pequeo.
Otro aspecto importante es la distribucin de potencia en la tarjeta electrnica. Las lneas de la fuente de alimentacin se tratan como lneas de transmisin, y estas deben de mantener la impedancia caracterstica tan baja como sea
L
posible
. Para mantener esta relacin pequea, la inductancia se reduce y la capacitancia se incrementa, por
C
medio del uso de un plano de tierra bajo las lneas de alimentacin; adicionalmente, la capacitancia se puede incrementar seleccionado capacitores de desacoplo (bypass capacitors) en lugares crticos, como se describi antes. Si se
conecta un capacitor de desacoplo de 0.l f entre los pines de alimentacin, se reducir su impedancia.

Tierras digitales y analgicas


En esta seccin consideramos la importancia que tienen la distribucin y la configuracin geomtrica de las tierras
analgicas y digitales, a fin de asegurar la integridad de las seales de inters y reducir el ruido en diseos que incluyen
seales mezcladas, es decir diseos de mdulos que contienen tanto componentes analgicos como digitales, como
los convertidores ADC y DAC.
Muchos diseadores separan o dividen el plano de tierra en dos secciones: una digital y una analgica, como se
muestra en la figura 3.89. En esta divisin, los circuitos analgicos se localizan en la seccin del plano analgico y la
porcin digital del sistema se encuentra en la parte digital. Por tanto, las dos tierras se unen en la fuente de alimentacin del sistema.

A/D

Tierra analgica

Tierra digital
?

AGND DGND

Fuente de poder

=`^liX*%/0 ;`m`j`e[\cgcXef[\k`\iiX#le`[f\ecX]l\ek\[\Xc`d\ekXZ`e%

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149

3 El mgico amplificador operacional

Por lo general, los convertidores DAC o ADC dividen sus tierras y disponen de dos terminales en su distribucin
de pines: una llamada tierra analgica (AGND) y otra llamada tierra digital (AGND); sin embargo, su conexin no
consiste simplemente en conectar las terminales de tierra a su correspondiente seccin del plano de tierra. Debido a
que AGND y DGND no estn conectadas dentro del CI, la impedancia interna sera muy alta; por tanto, los fabricantes de convertidores consideran que se debe usar una impedancia externa muy baja para conectar las terminales de
tierras AGND y DGND, con el propsito de hacerlos funcionar adecuadamente.
Las terminales AGND y DGND de un convertidor deben unirse en el convertidor o su desempeo no ser el
adecuado. En trminos de cmo se conectan estas tierras, existen tres posibilidades:
1. Conectar las terminales de tierra analgica y digital del convertidor a su respectivo plano, y debajo del convertidor unir los planos como se muestra en la figura 3.90.

A/D

Tierra analgica

Tierra digital
AGND DGND

Fuente de poder

=`^liX*%0' ;`m`j`e[\gcXefj[\k`\iiXZfeZfe\o`e[\YXaf[\cZfem\ik`[fi8;:%
Idealmente, el punto de conexin de la figura 3.90 debera ser donde la tierra de la fuente de alimentacin
se conecta, para crear una tierra con forma de estrella, aunque en la mayora de los sistemas es poco prctico.
Tcnicamente, lo anterior crea un lazo de tierra no deseado, pero si las corrientes fluyen por debajo del convertidor son sus propios retornos, entonces no habra ningn problema.
2. Conectar las terminales de tierra del convertidor, en este caso ADC, nicamente al plano de tierra analgico,
como se muestra en la figura 3.91.
Lo anterior pone las terminales de tierra del convertidor en el plano de tierra analgico, creando una ruta
alrededor del pin de DGND. Este enfoque funciona con menos eficacia para sistemas con mltiples convertidores, ya que si usamos el enfoque de la figura 3.90 se produciran mltiples lazos de tierra, lo cual es pedir
problemas gratis.
3. No dividir el plano de tierra y conectar las tierras del convertidor al plano de tierra comn, como se muestra
en la figura 3.92.
Por tanto, es recomendable disear teniendo en mente una adecuada divisin de las secciones digital y analgica.
Cuando se usan dispositivos de baja potencia, el plano de tierra slido puede ser muy efectivo. Usar los planos de
tierra, propiamente, ayuda a reducir trayectorias inadvertidas que pueden producir retornos de corriente de alta impedancia y problemas de interferencia electromagntica. Recurdese que un convertidor de datos es un dispositivo
analgico.

150

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3 El mgico amplificador operacional

Parte analgica
del plano de tierra

A/D

Tierra analgica

Parte digital
del plano de tierra

A/D

Tierra digital
AGND DGND

AGND DGND

Fuente de poder

Fuente de poder

=`^liX*%0( 8dYXjk`\iiXj[\leZfem\ik`[filjX[XjZfdfi\kfief

=`^liX*%0) GcXef[\k`\iiXe`ZfZfe\ZkXe[fcXjk`\iiXj\eleX

[\cgcXefXeXc^`Zf%

j\ZZ`eXeXc^`ZXpleXj\ZZ`e[`^`kXc%

CONSIDERACIONES

Y RECOMENDACIONES GENERALES

En teora, todos los circuitos de este captulo funcionan. Pero, ms all de la teora, en este apartado presentamos algunas consideraciones que nos permiten disear con el OP AMP de una manera prctica y hacerlos funcionar a la
primera vez. Por tanto, primero se presenta una lista de los problemas asociados con el OP AMP, principalmente
cuando se usa un PCB; no obstante, estas recomendaciones se pueden extender a los prototipos que usamos de prueba en el laboratorio. La lista tiene dos categoras: sugerencias generales y las pequeas trampas donde solemos caer
cuando no somos lo suficientemente cuidadosos.
1. Debemos ser cuidadosos con las terminales de alimentacin del CI. No se deben usar voltajes muy altos o muy
bajos. Las fuentes con voltajes altos pueden daar la componente. Por el contrario, los voltajes bajos no polarizarn internamente los transistores internos y es posible que el amplificador no funcione en absoluto o no
funcione adecuadamente.
2. Debemos asegurarnos de que las fuentes de alimentacin negativa y positiva tengan los voltajes que se espera,
de acuerdo con las especificaciones del OP AMP. Algunas veces se usan dos bateras comerciales para proporcionar los voltajes VCC y VCC , como se muestra en la figura 3.93. No dude, use un voltmetro entre las dos
fuentes y entre cada fuente y tierra para verificar.

+9 V

Tierra

9 V

+Vs

Vs

Alcalina

9V

Alcalina

9V

=`^liX*%0* :fe\o`e[\[fjYXk\iXjgXiXgifgfiZ`feXicfjmfckXa\j[\"M::pM::\eleFG8DG%

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151

3 El mgico amplificador operacional

3. Como se vio en la seccin anterior, las msticas tierras no son de confiar, especialmente si usan componentes
digitales. Si su circuito tiene mucha circuitera digital, considere separar las tierras analgicas de las digitales y,
de ser posible, use planos de tierra. Es muy dif cil, por no decir que imposible, eliminar el ruido digital de conmutacin de una seal analgica.
4. Use capacitores de desacoplo tan cerca como sea posible de las terminales de alimentacin del CI. Para OP
AMP que operan con anchos de banda de hasta 1 MHz, los capacitores de 1 F son apropiados. Algunas veces
se usan capacitores ms pequeos, por ejemplo de 0.1 F, principalmente cuando los anchos de banda del CI,
digitales o analgicos, son de decenas a cientos de megahertz. La figura 3.94 muestra una tarjeta electrnica
con sus capacitores de desacoplo cerca de las terminales de alimentacin de un CI. Tambin es recomendable
usar un capacitor de 10 F en la fuente de alimentacin.
:XgXZ`kfi[\'%(=

=`^liX*%0+ KXia\kX\c\Zkie`ZX\ecXhl\j\`e[`ZXcXgfj`Z`e[\leZXgXZ`kfi[\[\jXZfgcf[\dfekXa\jlg\i]`Z`Xc%
5. Use las pistas de las entradas del OP AMP tan cortas como sea posible. Si tiene la costumbre de usar las tabletas blancas con perforaciones (protoboard), debe estar consciente de que existen capacitancias e inductancias
que pueden causar ruido. Si tiene la oportunidad de hacer un PCB, estas cuestiones de ruido se reducirn bastante, a excepcin de esos pequeos vuelcos del destino que suceden con algunas pistas.24
6. Existen varios smbolos para el uso de tierras. Como sabemos, las tierras sirven como trayectoria de retorno de
las corrientes, tanto de las seales como de los voltajes de alimentacin de los equipos, y para interconexin
entre tarjetas electrnicas o equipos. Muchos diseos electrnicos usan una tierra nica de retorno de las
corrientes, la cual acta como referencia para todas las seales. Por lo general, la tierra de la alimentacin y la
tierra de las seales se unen a travs del encapsulado o la caja del equipo y se le llama tierra de chasis. Algunos
autores usan la distincin entre tierra analgica y tierra digital, lo cual considero buena prctica. La figura 3.95
muestra estos smbolos.

K`\iiX[\cXj\Xc
XeXc^`ZX

K`\iiX[\
Z_Xj`j

K`\iiX
[`^`kXc

=`^liX*%0, JdYfcfjgXiXcXjk`\iiXj%
Resumiendo, en este captulo se estudi un juego de bloques bsicos basados en el mgico OP AMP. Existen muchos otros circuitos basados en OP AMPs que permiten mostrar el ingenio de los diseadores, pero debido a su gran
24

Existen muchas historias urbanas en los laboratorios del mundo acerca de estos vuelcos del destino. Por ejemplo, si se tiene un OP AMP en un
protoboard sin ningn capacitor, y la resistencia de retroalimentacin se coloca entre dos pines adyacentes, la capacitancia de fuga de esos pines
puede prevenir la oscilacin del circuito. Finalmente, cuando se pasa el diseo a un PCB, se podra tener una oscilacin en el OP AMP. En alguna ocasin, revisando las conexiones de un PCB con un estudiante, nos aseguramos de que no existieran cortos, las conexiones fueran correctas,
la correcta localizacin de los capacitores de desacoplo, etctera; sin embargo, no nos percatamos de que la pista, de una seal de varios megahertz, daba una vuelta extraa entre sus conexiones. El resultado fue errores aleatorios de esa seal, por lo que se tuvo que hacer otro PCB.

152

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

variedad sera imposible describirlos. Sin embargo, siguiendo el tenor de este libro, se opt por fomentar los conceptos
fundamentales que ayudan a entender estos bloques analgicos; adicionalmente, se sentaron las bases para entrar al
mundo digital que se trata con detalle en el captulo 4.

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 Las entradas del OP AMP presentan una alta impedancia, de tal forma que tienen efectos despreciables
en los circuitos a los cuales se conectan.
 Se pueden aplicar diferentes voltajes a las entradas
de los OP AMP. No tienen que ser iguales!
 La ganancia de lazo abierto de un OP AMP es muy
alta.
 Debido a su alta ganancia de lazo abierto y a las limitaciones de salida del OP AMP, si una entrada es mayor que la otra, la salida se ir al voltaje mximo
positivo o negativo. (A esta aplicacin se le llama circuito comparador.)
 El OP AMP con retroalimentacin negativa es la
nica configuracin en la cual se puede asumir que
la entrada V es igual a la entrada V .
 La alta ganancia de lazo abierto de los OP AMP es lo
que hace que la ganancia de salida con retroalimentacin negativa se iguale aproximadamente a 1/H
(red de retroalimentacin).
 Los OP AMP se crearon para facilitar la amplificacin
de seales, as que no se complique la vida.
 La primera etapa de un OP AMP es el par diferencial
o amplificador diferencial.
 El amplificador diferencial tiene dos entradas: una
inversora ( ) y una no-inversora ( ).
 El amplificador diferencial rechaza o atena con fuerza las seales que son comunes a ambas entradas.
 La Razn de Rechazo de Modo Comn (CMRR, por
sus siglas en ingls) se obtiene dividiendo la ganancia
de voltaje diferencial Ad entre la ganancia de voltaje de modo comn ACM.
 Al OP AMP se le considera un amplificador de alta
ganancia directamente acoplado.
 Cuando el voltaje de salida se encuentra entre VSAT ,
el voltaje de entrada diferencial VED es tan pequeo
que se considera cero volts.
 La frecuencia de corte de lazo abierto de un OP
AMP es la frecuencia a la cual la ganancia de voltaje
de lazo abierto AVOL se reduce a 70.7% de su valor
mximo.
 La frecuencia a la cual la AVOL  1 se llama fUNITARIA.

 La especificacin del slew rate (SR) indica qu tan rpido puede cambiar el voltaje de salida y se especifica en V/s.
 La distorsin inducida por el SR produce una forma
de salida triangular (amplitud reducida y forma de
onda distorsionada).
 La especificacin de settling time nos indica el tiempo que le toma al OP AMP estabilizarse en su salida,
dentro de una banda de error, considerando una entrada escaln.
 El parmetro CMRR en el OP AMP est determinado por el amplificador diferencial y nos indica,
en la salida, cuntas veces la seal de entrada diferencial es ms grande que la seal de entrada de
modo comn.
 El parmetro PSRR muestra la capacidad de un OP
AMP para eliminar cualquier seal de alta frecuencia que aparezca en la fuente de alimentacin.
 A la entrada de los OP AMP el ruido puede ser generado por voltaje, por corriente de polarizacin y por
resistencias.
 La mayora de los circuitos con OP AMP usan retroalimentacin negativa, con la cual se estabiliza la
ganancia de voltaje y se mejora el ancho de banda y
las impedancias de voltaje y corriente.
 El OP AMP inversor tiene una ganancia de lazo
cerrado, AVL  RRETRO/RENT . El signo negativo indica que VSAL y VENT tienen un desfasamiento de 180.
 El OP AMP no inversor tiene una ganancia de lazo
cerrado, AVL  1 RRETRO/RENT . El OP AMP seguidor
es la configuracin de ganancia unitaria del OP AMP
no inversor.
 El OP AMP sumador es el circuito cuya salida es la
suma negativa de todas sus entradas.
 Un OP AMP diferencial es un circuito que amplifica
la diferencia entre dos voltajes de entrada.
 El amplificador de instrumentacin es una versin
mejorada en especificaciones de un OP AMP diferencial; este puede basarse en dos o tres OP AMP.
 Los amplificadores de instrumentacin en CI tienen
una alta escala de integracin (es decir, una gran
cantidad de transistores); aunque sus especificaciones tcnicas distan de las ideales, comnmente son

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153

3 El mgico amplificador operacional




 La impedancia de un cable conductor o de un plano


conductor usada como tierra tiene, adems de resistencia, principalmente inductancia, L, la cual es proporcional al rea del lazo creado por el flujo de
corriente. Como la impedancia inductiva es XL
2fL, tambin es dependiente de la frecuencia. A
altas frecuencias, la impedancia crece y pueden aparecer diferencias de potencial en la tierra, las cuales
se traducen en ruido.
 Las lneas de la fuente de alimentacin se tratan
como lneas de transmisin, por lo que deben mantener la impedancia caracterstica tan baja como sea
L
posible
. Para mantener esta relacin pequeC
a, la inductancia se reduce al usar un plano de tierra
debajo de las lneas de alimentacin; adicionalmente,
la capacitancia se puede incrementar usando capacitores de desacoplo.
 El OP AMP con las caractersticas ideales no existe!
Pero, si alguien lo disear pensando en hacerse muy
rico, tambin sera en sus sueos, porque el costo
ideal sera cero pesos. De modo que atienda las recomendaciones prcticas para trabajar con los OP
AMP reales y familiarcese con las hojas de datos de
los fabricantes.

mucho mejor que las provistas por los OP AMP de


propsito general.
Un filtro activo basado en un OP AMP provee ganancia de voltaje y del filtrado.
Un filtro activo de primer orden solo usa un componente activo y su salida cambia a una taza de 10 dB/
dcada despus de la frecuencia de corte.
Un circuito OP AMP comparador compara el voltaje
de entrada de una de sus terminales con otro voltaje de referencia en la otra entrada; no usa retroalimentacin y su salida es VSAT .
Un circuito Schmitt trigger es un OP AMP comparador que usa retroalimentacin positiva para eliminar
la operacin errtica del circuito causada por ruido.
Los OP AMP pueden usarse en conjunto con diodos
para rectificar seales muy pequeas, del orden de
los milivolts.
Los OP AMP pueden usarse para realizar convertidores ADC y DAC, y para entrar del mundo analgico al digital y viceversa. En estos convertidores, el
bit menos significativo determina su resolucin,
VFS
1LSB  N , ms no su exactitud.
2 1
El uso adecuado del sistema de tierras en un circuito
electrnico reduce el ruido interno. Una buena tierra
se obtiene manteniendo la impedancia del conductor tan baja como sea posible.

PROBLEMAS

DEL CAPTULO

3
cero al inicio y se aplicar un voltaje VENT  0.15 V en
su entrada no-inversora, V , como se muestra en la
siguiente tabla. Usando la tabla 3.9 (en Excel), complete los clculos restantes y grafique el voltaje de
salida, VSAL, con respecto a VENT.

3.1 Con el objetivo de obtener un entendimiento intuitivo de la retroalimentacin negativa, se usar un OP


AMP configurado como amplificador. Para esto, se
asignarn valores a las ganancias, G  200 000 y
H  10, se asumir que la entrada negativa (V ) es

VSUMA o VERROR

VENT

Tiempo

VENT

(VENT) (V)

VSAL

0
1
2

200 000
200 000
200 000

10
10
10

0
0
0.15

0
0
0

0
0
0.15

200 000

10

0.15

200 000

10

0.15

200 000

10

0.15

0
0
0
0 V >VSAT( ) > 0.5 V
0.5
0.01 V >VSAT( ) > 1 V
1
1 V >VSAT( ) > 1.3 V
1.3
1.3 V >VSAT( ) > 1.6 V

VSAL

(Contina)

KXYcX*%0

154

ELECTRNICA MIJAREZ

3 El mgico amplificador operacional

(Continuacin)

Entrada
no-inversora

Entrada
inversora

Tiempo

VENT

200 000

10

0.15

200 000

10

0.15

(VENT) (V)

VSAL
1.6
1.6 V >VSAT( ) > 1.4 V

Salida

1.4
1.4 V >VSAT( ) > 1.5 V

200 000

10

0.15

1.5

200 000

10

0.15

1.5

KXYcX*%0
3.2 Del siguiente circuito se requiere calcular la corriente de cola IT , a fin de obtener la IE, la ganancia de
voltaje de modo diferencial, Ad, el voltaje de CA
de salida, la CMRR en decibeles y la ganancia de voltaje de modo comn, ACM.

3.8 Explique qu significado tiene que un OP AMP


presente una CMRR  100 dB.

3.9 a) Con base en la ecuacin 3.28, derive una frmula exacta para la ganancia de un OP AMP configurado como inversor.

V::
 15 V
"M
CC4(,M

b) Si RENT  1 k, RRETRO  10 k, y AVOL  104,


evale la ganancia de este amplificador inversor.

c) Compare el resultado del inciso b) con el resultado ideal obtenido por la ecuacin 3.29.

 15 k
IRC:4(,b

d) Calcular el voltaje de entrada diferencial VED.


MSAL
V
J8C

3.10

Q2
H
*

Q
H1

3.11
MVENT
 15 mVpp
<EK4(,dM
GG

3.12
 12 k
IR<E4()b

V::
 15 V
M
CC4(,M

=`^liX*%0-
3.3 En un amplificador diferencial, cmo se relaciona la
corriente de emisor, IE, de cada transistor con respecto a la corriente de cola?

3.4 Un OP AMP tiene un voltaje de saturacin de VSAT 

Calcule ZENT(CL) y ZSAL(CL) de un OP AMP configurado como circuito seguidor de voltaje, si RENT  2
M, AVOL  100 000 y ZSAL(OL)  40 .
Explique por qu es importante utilizar un circuito seguidor de voltaje.
a) Un sensor, considerado como fuente de voltaje, presenta un rango de voltaje de 0-2 VPP y
una capacidad de corriente de 500 A, como
se muestra en la figura 3.97. El sensor se conecta a una carga RL  200 . Calcule la mxima oscilacin de salida en la carga.
b) Utilice un OP AMP 741 como seguidor de voltaje entre el sensor y la carga; de acuerdo con
su grfica de voltaje de oscilacin de salida vs.
impedancia de carga, determine la mxima
oscilacin en la carga.

10 V y una ganancia de lazo abierto AVOL  100 000.


Determine el voltaje de entrada diferencial, VED , requerido para obtener los voltajes de saturacin.

J\ejfi
Sensor
0-2 VGGPP
'$)M
@ 500 A
7,''8

3.5 Un OP AMP tiene un AVOL  100 000. Cul es el

RILC4)''
 200 

AVOL a la frecuencia de corte?

3.6 Calcule la frecuencia mxima para un OP AMP que


tiene un slewrate SR  5 V/s y un voltaje pico de
salida VP  10 V.

3.7 Determine el valor mnimo de slewrate (SR) de un

J\ejfi
Sensor
0-2 VGGPP
'$)M
@ 500 A
7,''8

OP AMP para manejar sin distorsin una seal sinusoidal con una frecuencia f  70 kHz y un voltaje de
pico VP  5 V.

grupo editorial patria

 200 
IRLC4)''

=`^liX*%0.

155

3 El mgico amplificador operacional

3.13

Para un OP AMP noinversor, cul es el valor de


entrada diferencial, VED, para fines prcticos?

3.14

Cmo es la relacin de fase entre el voltaje de salida y el de entrada para un OP AMP inversor?
Explique por qu.

3.15

Cul es el efecto de la retroalimentacin negativa


en la impedancia de salida del OP AMP?

3.16

Cmo se relaciona la ganancia fCL con la ganancia


ACL?

3.17

MV)24,M
 5 V
MV*34"*M
 3 V

A1

VX

RRETRO  10 k

A3

R2  1 k

VY

A2

IR(4('b
1 = 10 k
IR)24*b
= 3 k

I*R4(%,b
3 = 1.5 k
MVJ8C
SAL

=`^liX*%(''

3.21
Del siguiente circuito amplificador diferencial,
calcule el voltaje de salida, VSAL , si:

a) VX  0.5 V y VY  0.5 V.
b) VX  0.2 V.
c) VY  0.2 V.

3.22
3.23
3.24

R1  R2
RRETRO  R3

R1 = 1 k

En un filtro activo pasa altas, de primer orden, indique cul es la frecuencia de corte y cmo se
comporta la ganancia ACL con respecto a la frecuencia.
Qu beneficios tiene la retroalimentacin positiva en un circuito Schmitt trigger?
Disee un circuito de precisin detector de picos
negativos basado en un OP AMP.
Disee un circuito basado en un OP AMP que
pueda manejar cargas conmutadas de 1 A.
Calcule el voltaje de histresis, VH, del circuito de
la siguiente figura, si R1  1.5 k y R2  250 k.
+VCC = 15 V

VENT

RRETRO  10 k

Vx

VSAL

R2 = 1 k

+
RL = 100 k

VSAL
+Vsal
VSAL = Vsal

=`^liX*%00

156

R2

R1

R3 = 10 k

3.19

VSAL = Vsal
VCC = 15 V

Vy

VSAL

+
R3  10 k

=`^liX*%0/

Nota:

R1  1 k
A

3.20

3.18

Amplificador diferencial

Obtenga el voltaje de salida, VSAL, del siguiente circuito sumador inversor.


RRETRO
 10 k
II<KIF
4('b

VM1(4"(M
 1 V

Etapa buffer

LTP

Cul es el papel principal de los seguidores de


voltaje A1 y A2 en el amplificador de instrumentacin de la siguiente figura? Indique qu ventajas
tiene usar un amplificador de instrumentacin
con respecto a un OP AMP de propsito general.

ELECTRNICA MIJAREZ

UTP

VENT

Vsal

=`^liX*%('(

3 El mgico amplificador operacional

3.25

Mencione las ventajas y las desventajas principales de un sistema analgico con respecto a un sistema digital.

3.26

Argumente por qu se dice que una seal analgica tiene una resolucin infinita y cmo se obtiene
la resolucin de una seal digital.

3.27

Explique la diferencia entre resolucin y exactitud


en convertidores ADC y DAC.

3.28

Un sensor de temperatura, como el que se muestra en la siguiente figura, con una salida de 20
V/C, se conecta a un ADC con un voltaje de referencia de 5 V. Indique cul es el la resolucin
(nmero mnimo de bits) en el ADC para poder
convertir los valores de la seal analgica a digital
adecuadamente.
VREF

Sensor de
temperatura
20 V/ C

Salida
digital

A DC

se establece a media escala, es decir entre cero y


escala plena, lo cual se hace estableciendo en uno
el bit ms significativo de la palabra digital (MSB,
por sus siglas en ingls), que para un DAC de 8 bits
es 1000 0000. Complete la tabla hasta que alcance
el valor de 3.5 V.

Secuencia

Palabra
digital

Inicio

0000 0000

(0/255) * 5  0  3.5 V

1000 0000

(128/255) * 5  2.5V  3.5 V

0000 0000

0100 0000

0110 0000

0111 0000

0110 1000

0110 0100

0110 0110

0110 0111

(Nm. de bits)

=`^liX*%(')

Voltaje aproximado

KXYcX*%('
3.32

Existen dos esquemas bsicos de DAC: el sistema


de ponderacin binaria continua y el sistema de
red de escalera R-2R. Describa su funcionamiento.

3.29

Explique la diferencia en los errores de ganancia y


offset con respecto a los errores de no linealidad
(INL y DNL).

3.33

Describa qu es un plano de tierra en un PCB y


cmo ayuda este a la reduccin de ruido a bajas
frecuencias.

3.30

Describa las caractersticas de un convertidor


flash con respecto a un convertidor de aproximaciones sucesivas.

3.34

Qu parmetros se toman en cuenta con respecto a las tierras para seales de CA de altas frecuencias?

3.31

Para un ADC de o bit tipo SAR, se requiere digitalizar una entrada de 3.5 V. La primera suposicin

3.35

Describa el objetivo de los capacitores de desacoplo.

grupo editorial patria

157

4 La maravillosa

electrnica digital
En el captulo 3 se estudia ampliamente el tema de la interfaz entre el mundo analgico y el mundo
digital. Ahora bien, en este captulo nos adentraremos en el mundo digital, conformado por los sistemas digitales. Aclarado lo anterior, conviene definir lo que es un sistema digital: es aquel que procesa elementos discretos, nmeros binarios (unos y ceros), de informacin. El ejemplo ms conocido
de un sistema digital es una computadora digital, pero por mucho no es el nico. Consciente o no, el
ciudadano promedio de las sociedades modernas est en contacto con docenas o quiz hasta cientos
de maravillosos sistemas o dispositivos electrnicos digitales. La mayora de estos dispositivos lleva
a cabo incalculables operaciones matemticas en computadoras, telfonos celulares, lavadoras y
cmaras fotogrficas, solo por mencionar unos cuantos. Su ubicuidad es de tal magnitud, que los
encontramos hasta en cajas de cereal o en los juguetes de regalo que ofrecen algunas tiendas. Pese a
ello, pocos de nosotros sabemos qu operaciones matemticas realizan y, quiz lo ms importante,
no tenemos idea de cmo lo hacen.1
Los nmeros binarios y los sistemas digitales son temas bsicos para los miembros de la comunidad de las ingenieras elctrica, electrnica y mecatrnica, quienes, por lo general, asumimos que
los entendemos a la perfeccin. Si usted ya domina este tema, puede pasar directamente al siguiente
1

El hecho de que estemos familiarizados con los nmeros y las operaciones bsicas, muchas veces provoca que tendamos a
no apreciar el tremendo esfuerzo mental realizado por muchos personajes a lo largo de la historia, para llevarnos al sobresaliente nivel que tenemos hoy en da. En la antigedad, cuando poca gente saba contar ms all del nmero de los dedos
de sus manos y pies, cualquiera con conocimientos rudimentarios de matemticas poda obtener una posicin de poder;
pero, si esa persona hubiera podido predecir un eclipse, alcanzara un respeto grande (en especial si llegaba a suceder). De
modo que con el conocimiento que tenemos, si se nos diera la oportunidad de viajar en el tiempo al pasado, tendramos
muchas oportunidades de sobresalir en numerosos actividades y empleos.

159

4 La maravillosa electrnica digital

captulo, pero si tiene dudas, cuando menos puede dar un repaso. Siguiendo el camino trazado para este libro, este captulo tiene el objetivo de esclarecer los fundamentos de cmo se realizan las maravillas digitales, principalmente
como antesala de los sistemas basados en microprocesadores. Entonces, empecemos a maravillarnos. En este captulo
estudiamos:
X
X
X
X
X
X
X

Contando con dedos, piedras, semillas y los sistemas numricos.


La lgica de la electrnica digital.
Simplificacin de circuitos, sumadores y decodificadores.
Celdas de memoria y memorias.
Dispositivos de tres estados y latches.
Uso de cables para representar nmeros.
Mquinas de estados.

CONTANDO

CON DEDOS, PIEDRAS, SEMILLAS


Y LOS SISTEMAS NUMRICOS

La palabra dgito se utiliza, por lo general, para referirse a un nmero o una cantidad numrica, pero de acuerdo con
su origen, este vocablo tambin significa dedo, ya sea de las manos o de los pies. Por este motivo, no es coincidencia
que la primera herramienta que el ser humano utiliz para ayudarse a contar fueron los dedos de las manos. En poco
tiempo, sin embargo, crecieron las necesidades de representar cantidades mayores. El uso de pequeas piedras pudo
haber sido utilizado para representar nmeros mayores a los que se pudieran representar con los dedos. Estas piedras
pudieron haber sido usadas para ensear a contar, y tenan la ventaja de ser capaces de almacenar resultados intermedios para su uso posterior. Por lo anterior, tampoco es coincidencia que la palabra calcular se derive del vocablo en
latn calculare, usada para referirse a los guijarros, piedrecillas lisas y redondeadas por la erosin que abundan a la
orilla de los ros.
A lo largo de la historia, los seres humanos hemos experimentado con varios y diferentes sistemas numricos. Por
ejemplo, se puede usar el dedo pulgar para contar las yemas de los dedos de la misma mano: 1, 2, 3 y 4. Pero, tambin
con el pulgar es posible asignar a cada dedo tres nmeros de la siguiente manera: 1, 2, 3 para el dedo ndice; 4, 5, 6 para
el dedo medio; 7, 8, 9 para el dedo anular, y 10, 11 y 12 para el dedo meique. Con base en esta tcnica, algunos de
nuestros ancestros utilizaron el sistema base 12, lo cual explica por qu tenemos palabras especiales como docena, que
significa doce, y grosso (gruesa) que significa ciento cuarenta y cuatro (12 r 12  144). El hecho de que tengamos un
da de 24 horas, tambin se relaciona con el sistema base 12.
De igual manera, algunos grupos usaron tanto los dedos de las manos como los dedos de los pies, lo cual dio como
resultado el sistema base 20; esa es la razn por la cual en la actualidad usamos palabras como score (del ingls), que se
utiliza para designar el nmero 20 o una veintena. Por otra parte, en la antigua Mesopotamia se us el sistema base
60, del cual se derivan los 60 segundos de un minuto, los 60 minutos de una hora y los 360 grados de un crculo.2 No
obstante, el hecho de que tengamos diez dedos en las manos hace que el sistema numrico con el cual estamos ms
familiarizados sea el sistema decimal, el cual se basa en diez dgitos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9;3 la palabra decimal se
2

Las culturas mesopotmicas, principalmente los babilonios, usaron el sistema base 60, el cual es un sistema posicional, del que hablaremos ms
adelante, en este mismo captulo. Los babilonios tambin realizaron operaciones aritmticas y algebraicas. Tal vez uno de los aspectos ms importantes es el uso de tablas para ayudarse en sus clculos. Las tablas proveen los nmeros al cuadrado hasta el 59 y al cubo hasta el 32. Por
ejemplo el 82  1,4  1 r 601 4 r 600  64. Para multiplicar usaron la frmula a r b  [(a b)2 (a r b)2]/4. Por lo que solo necesitaban las tablas
para realizar la multiplicacin de dos nmeros, tomando la diferencia entre los dos cuadrados y al final dividir entre 4. Para la divisin usaron el
concepto del recproco, a/b  a r 1/b, por lo que crearon tablas de recprocos y posteriormente realizaban la multiplicacin. Adicionalmente,
existen tablas babilnicas relacionadas con el teorema de Pitgoras, con el cual ya estaban familiarizados.
En realidad, cuando se empez a usar el sistema decimal la cuenta iniciaba con el nmero uno y fue hasta alrededor del ao 600 a.C. que en la
India se introdujo el valor y concepto del cero y de los nmeros negativos. Aunque algunos historiadores aseguran que los mayas usaron este
concepto unos 300 aos antes.

160

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

deriva del latn decam, que significa diez. Puesto que este sistema usa diez dgitos, se dice que es base 10 o radix 10
(el trmino radix proviene del latn y significa raz).

Sistemas numricos de posicin


Para iniciar este apartado vamos a considerar el sistema de numeracin empleado por los romanos, donde: I  1, V  5,
X  10, L  50, C  100, M  1,000, y as sucesivamente. Por ejemplo, con base en este sistema numrico, el nmero 24
se representa como XXIV (es decir, dos 10 y un 5 menos un 1, que equivale al nmero 4). Sin embargo, al paso del
tiempo surgi problema con el uso de este sistema y es que conforme la sociedad evolucionaba y se desarrollaba, surgi la necesidad de representar cantidades cada vez ms grandes. Para resolver este inconveniente y seguir usando este
sistema numrico, se tendra que continuar inventando nuevos smbolos o utilizar una cantidad muy grande de los smbolos ya existentes. En la actualidad, la desventaja ms grande de este sistema, es que es dolorosamente dif cil trabajar
con este. Por ejemplo, intente multiplicar CLXXV r DDDCV, y sabr de lo que estamos hablando.
La cultura maya (antigua civilizacin de la denominada Mesoamrica) us un sistema vigesimal o base 20, debido
a que, presumiblemente, empleaban los dedos de las manos y de los pies para contar, al tiempo que usaban semillas de
cacao como dinero, porque eran fciles de contar y almacenar. Los mayas aportaron dos ideas fundamentales a las
matemticas: el valor de la posicin y el concepto del cero. Esta ltima concepcin tambin fue impulsada por otra
gran cultura de la antigedad: la de la India. Sin embargo, los hindes lo hicieron unos 300 aos despus. Cabe resaltar
que los mayas contaban desde el 0 (cero) hasta el 19, antes de cambiar al siguiente orden o posicin. Los nmeros
mayas fueron escritos con solo tres smbolos [vase figura 4.1 a)].
En la figura 4.1 a) podemos apreciar la representacin de los nmeros, segn la cultura maya: un punto, para representar el 1; una lnea, para representar el nmero 5, y la figura de una concha para representar el 0 (cero). Los siguientes diecinueve nmeros fueron representados como se ilustra en la figura 4.1 b). En el sistema numrico maya
un 1 (uno) seguido de un 0 (cero) equivale a veinte. Nmeros mayores al diecinueve, por ejemplo, del 20 al 25, requieren dos niveles o posiciones, como se muestra en la figura 4.1 c). Por su parte, la figura 4.1 d) muestra la representacin del nmero 13 en relieve.

 '

(

,

X

)'

)(

Y

))

)*

)+

),
[

Z

=`^liX+%( Eld\iXZ`edXpX%X JdYfcfj%Y Eld\iXZ`e[\c(Xc(0%Z Eld\iXZ`e[\c)'Xc),%[ Ed\ifki\Z\#i\gi\j\ekXZ`e\eleX\jk\cX


Zfei\d`e`jZ\eZ`XjdXpXj#lY`ZX[X\ele_fk\c[\cgXZ]`Zfd\o`ZXef%

Los nmeros mayas pueden escribirse en dos niveles hasta llegar al 400, ya que a partir del nmero 401 se requieren de tres niveles, como se muestra en la figura 4.2.

4 r 201 0 r 200  80

5 r 201 0 r 200  100

10 r 201 0 r 200  200

15 r 201 0 r 200  300

1 r 202 0 r 201 0 r 200  400

=`^liX+%) Ed\ifjdXpXji\gi\j\ekX[fjgfi[fje`m\c\j_XjkXXcZXeqXi\c+''#XgXik`i[\ced\if+'(
j\i\hl`\i\eki\je`m\c\jfgfj`Z`fe\j%

grupo editorial patria

161

4 La maravillosa electrnica digital

La tcnica usada por los antiguos mayas es conocida como posicional vertical, aunque tambin fue empleada de
manera horizontal en algunas inscripciones. En este sistema numrico, el valor de un dgito en particular depende de s mismo y de la posicin dentro del nmero,4 como se muestra la figura 4.3.

 )')
)'(
)''
 +'
)'
'
*+''  " ')'  " ''  4()''

=`^liX+%* J`jk\dXm`^\j`dXc`e[`ZXe[f\cmXcfi[\ZX[X[^`kfXjfZ`X[fXcmXcfi[\jlgfj`Z`e%
Esta es la forma en la que trabaja el sistema decimal o base 10, con el cual estamos familiarizados. Al igual que en
el sistema numrico maya, en el sistema decimal cada columna en un nmero tiene un peso asociado, y el valor del nmero es determinado por la combinacin de cada dgito con el peso de su columna, como se muestra en la figura 4.4.

Columna de millares
Columna de centenas
Columna de decenas
Columna de unidades

6 2 4 9

= (6 1000) + (2 100) + (4 10) + (9 1)


= 6000 + 200 + 40
+ 9
= 6249

=`^liX+%+ :fdY`eXZ`e[\[^`kfjp\cg\jfXjfZ`X[f[\jljZfcldeXj\e\cj`jk\dX[\Z`dXc%
Otra forma de comprender la representacin de los sistemas numricos de posicin es usando el concepto de potencias, como se ilustr en el sistema vigesimal; por ejemplo, 100  10 r 10, que tambin puede escribirse como: 102,
que significa diez a la potencia de dos o diez multiplicado por s mismo dos veces. Igualmente, 1 000  10 r 10 r 10 
103, 10 000  10 r 10 r 10 r 10  104, etctera. La figura 4.5 muestra grficamente este caso.
En lugar de hablar de potencias, algunos matemticos prefieren referirse a este tipo de representacin como forma
exponencial. Por ejemplo, en el caso del nmero 104, al nmero que se est multiplicando (es decir, el 10) se le llama
base, mientras que el exponente (el nmero 4) especifica cuntas veces se va a multiplicar la base por s misma.
Existe un nmero importante de puntos asociados con los exponentes o potencias que es til recordar:

Aunque la mayora de los conocimientos cientficos y tecnolgicos de los mayas ya se haban perdido mucho antes de la llegada de los espaoles,
el historiador Otto Neugebauer (1899-1990), uno de los ms productivos de la historia de las ciencias exactas, consider que la numeracin
usada por los mayas es uno de los inventos ms frtiles de la humanidad, comparable solo con la invencin del alfabeto. Desafortunadamente,
debido a la destruccin sistemtica de sus manuscritos, no es posible saber de los conocimientos adquiridos por los mayas en otras ramas de las
matemticas, como el lgebra, donde las culturas mesopotmicas alcanzaron gran desarrollo, las cuales llegaron a resolver ecuaciones de segundo y tercer grado empleando un sistema numrico sexagesimal. No obstante, basta visitar Chichen Itz en Mxico, para ver el esplendor maya
relacionado con el trmino denominado arqueoastronoma, que es el estudio de sitios arqueolgicos relacionados con el estudio de la astronoma
por culturas antiguas.

162

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Columna de millares
Columna de centenas
Columna de decenas
Columna de unidades
= (6 103) + (2 102) + (4 101) + (9 100)
= 6000 + 200 +
40 +
9
= 6249

6 2 4 9

=`^liX+%, Ljf[\gfk\eZ`Xj[\[`\q%
t $VBMRVJFSCBTFFMFWBEBBMBQPUFODJBEF VOP
FTMBCBTFNJTNBFTUPFT1  10.
t %FGPSNBFTUSJDUB VOBQPUFODJBEF DFSP
OPFTFOSFBMJEBEQBSUFEFMBTFSJFTJOFNCBSHP QPSDPOWFODJO 
cualquier base elevada a la potencia de 0 (cero) es la unidad; esto es: 100  1.
t $VBMRVJFSWBMPSDPOFYQPOFOUFEF FTSFGFSJEPDPNPel cuadrado del nmero; por ejemplo, 52  5 r 5  25,
donde 25 es el cuadrado de 5. Igualmente, un valor con exponente de 3 es referido como el cubo del nmero;
por ejemplo 43  4 r 4 r 4  64, donde 64 es el cubo de 4.
Pero nos estamos desviando, el punto clave aqu es que el peso de las columnas, como se ilustra en la figura 4.5, es
en realidad el nmero del sistema base, lo cual es de particular inters cuando consideremos otros sistemas.

Contar en decimal
Contar usando el sistema decimal es relativamente fcil para nosotros, principalmente porque estamos acostumbrados a ello. Comenzando con el 0 (cero), incrementamos la primera columna hasta que llegamos al 9; en ese punto, ya
se nos acabaron los dgitos. Por tanto, en la prxima cuenta, reiniciamos la primer columna a 0 (cero) e incrementamos la segunda columna con 1, y continuamos de esa manera, como se muestra en la figura 4.6.
0
1
2
3
:
8
9
10
11
:

=`^liX+%- :fekXi\e[\Z`dXc%
Del mismo modo, una vez que alcanzamos el nmero 99, en la prxima cuenta reiniciamos otra vez la primera columna a 0 (cero) e intentamos incrementar la segunda columna. Pero, la segunda columna ya tiene el 9, as que esta
columna tambin la reiniciamos a 0 (cero) e incrementamos la tercera columna, dndonos como resultado el 100, y as
sucesivamente.

El sistema nmerico binario


El sistema decimal como tal, desafortunadamente, no es el ms adecuado para realizar las funciones u operaciones
internas de un sistema digital. De hecho, por una variedad de razones que iremos exponiendo en este captulo, es preferible usar el sistema numrico binario, el cual emplea solo dos dgitos: el 1 (uno) y el 0 (cero).

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163

4 La maravillosa electrnica digital

El sistema binario es un sistema numrico posicional, de modo que cada columna en un nmero binario tiene
asignado un peso, el cual es una potencia del nmero base del sistema. En este caso, se trata de un sistema base dos,
de modo que los pesos de las columnas son: 20  1, 21  2, 22  4, 23  8, etctera, como se muestra en la figura 4.7.
Cuando se trabaja en un sistema numrico diferente al decimal o con una mezcla de diferentes sistemas, como se
muestra en la figura 4.7, es comn usar subndices para indicar qu base se est representando. Por ejemplo,
11002  1210 , es lo mismo que indicar:
1100binario  12decimal

Columna de los ochos


Columna de los cuatros
Columna de los dos
Columna de los unos
1 1 0 02

Nmero
binario

Nmero
decimal

=
=
=
=

(1 23)
(1 8)
8
1210

+ (1 22) + (0 21) + (0 20)


+ (1 4) + (0 2) + (0 1)
+
4
+
0
+ 0

=`^liX+%. G\jfj\e\cj`jk\dXY`eXi`f[\cfj[^`kfjpcXjZfcldeXj%
Otra alternativa que se emplea comnmente para representar la base de los nmeros es utilizar un carcter o
smbolo como prefijo para indicar la base; por ejemplo, %1010, donde el smbolo % indica un valor binario; sin embargo, en realidad existen varias convenciones, solo es cuestin de conocerlas. A menos que se indique de otra forma, si
el nmero no tiene subndice o prefijo, por lo general se asume que la representacin es decimal.
Hacia 1940, el cientfico John Wilder Tukey5 se dio cuenta de que la conjuncin de los sistemas digitales y el sistema numrico binario podra ser muy importante. Adems de acuar la palabra software, relacionada con la programacin de funciones de control de estos sistemas digitales, Wilder Tukey intuy que referirse a este dgito como dgito
binario era un poco largo, as que busc alternativas para reducirlo. Entre las opciones se incluyeron binit y bigit, pero
eventualmente se decidi por bit, el cual es un trmino conciso y elegante, de gran uso hasta nuestros das.
As, los valores binarios 10102 y 110010102, se dice que son de 4 y 8 bits, respectivamente. Es muy comn agruparlos en 4 bits, por lo que reciben un nombre especial: nibble. De manera similar, con frecuencia se agrupan en 8 bits,
as que tambin reciben un nombre especial: byte. Por tanto, dos nibbles hacen un byte.6

Contando en binario
Al inicio, contar usando el sistema binario parece una tortura, pero es ms fcil que contar en decimal, solo cuesta un
poco acostumbrarse a este. Como en los sistemas posicionales, en el sistema binario empezamos contando desde 0
(cero), y despus incrementamos la primera columna a 1 (uno); como es un sistema de base 2, en este punto ya se nos
acabaron los dgitos disponibles. Para la siguiente cuenta, reiniciamos la primer columna a 0 (cero), e incrementamos la segunda columna en 1, como se muestra en la figura 4.8.
Asimismo, cuando la cuenta alcanza 112 , la prxima cuenta establece la primera columna a 0 (cero) e intenta incrementar la siguiente columna; pero, como la siguiente columna ya tiene un 1, esta tambin se reinicia a 0 (cero) y se
incrementa la tercera columna a 1, resultando el nmero 1002 .
5

John Wilder Tukey (1915 - 2000) es mejor conocido por haber publicado en 1965, junto con James Cooley, un artculo donde explica el algoritmo
llamado la transformada rpida de Fourier (FFT, por sus siglas en ingls), considerado de gran importancia en los sistemas de procesamiento digital.
En idioma ingls, los trminos nibbles y bytes ponen de manifiesto el sentido del humor de los ingenieros en sistemas digitales y computadoras.
Sin embargo, en espaol esto no se aprecia tanto, a menos que los tradujramos literalmente: dos mordiscos (nibbles) hacen una mordida (byte),
o expresramos: si no lo puedes morder (byte), mordisqualos (usa nibbles); ni hablar, el humor ingenieril es bastante seco.

164

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Binario

1
1
1
1
1 0

1
1
0
0
1
1
0
:

Decimal

0
1
0
1
0
1
0
1
0

0
1
2
3
4
5
6
7
8
:

=`^liX+%/ :fekXe[f\eY`eXi`f%

Aprendiendo las tablas de multiplicar


Ahora, vamos a remontarnos a aquellos das en la escuela primaria en los cuales aprendimos las tablas de multiplicar.
Probablemente, recordars aquella rutina de aprender repitiendo, casi cantando, cada una de las tablas, iniciando con
la tabla del 2: dos por uno, dos; dos por dos, cuatro, etctera, hasta llegar a la tabla del 9, obviando la del 10, por su
facilidad. Una vez despus, las tablas tambin se repetan de manera descendente y, por ltimo, de manera aleatoria.
Bien, la mala noticia es que ahora vamos a hacer un ejercicio similar con las tablas de multiplicar del sistema binario;
la buena noticia, es que esto lo podemos aprender en unos cuantos segundos, como se ilustra en la figura 4.9.
Esta es la nica tabla de multiplicacin del sistema binario, tan complejo como se presenta en la figura 4.9; es todo
lo que se necesita.

Multiplicacin
0
0
1
1

0
1
0
1

=
=
=
=

0
0
0
1

=`^liX+%0 KXYcX[\dlck`gc`ZXi[\cj`jk\dXY`eXi`f%

El sistema numrico hexadecimal


Los humanos, por lo general, tenemos una buena percepcin de representaciones simblicas, como palabras y nmeros; en este sentido, el sistema numrico binario nos resulta simple porque emplea solo dos smbolos, el 1 (uno) y el 0
(cero). No obstante, tenemos dificultades para entender el significado de hileras o columnas grandes de ceros y unos.
Por ejemplo, el nmero binario 101010012 no tiene el mismo impacto en nuestra memoria que su equivalente en decimal 169, el cual es ms fcil de entender.
Desgraciadamente, como veremos despus, convertir de binario a decimal puede ser un poco latoso. Por fortuna,
cualquier sistema numrico con una base que sea potencia de 2 (por ejemplo, 4, 8, 16, 32, 64, etc.) puede convertirse
con facilidad a su equivalente binario y viceversa. En los diseos de las primeras computadoras era comn manejar
grupos de datos divisibles entre tres: 3 bits, 6 bits, 9 bits, 12 bits, etctera. En consecuencia, el sistema numrico octal,
es decir de base 8, lleg a ser muy popular, principalmente porque cada dgito octal poda convertirse a tres bits. Ms
recientemente, los sistemas computacionales se han estandarizado a utilizar grupos de bits divisibles entre ocho:

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165

4 La maravillosa electrnica digital

8 bits, 16 bits, 32 bits, etctera. El sistema octal decay y el sistema numrico hexadecimal, es decir de base 16, predomin y prevalece hasta la fecha. La razn principal es que cada dgito hexadecimal puede convertirse directamente a
cuatro bits.
El sistema hexadecimal requiere nicamente 16 smbolos, e invertir en definir nuevos smbolos para este sistema
no sera una solucin muy eficaz y mucho menos tener que aprenderse todos estos nuevos smbolos. Adems, sera imprctico tener que modificar los teclados de cada mquina de escribir o computadora del mundo. Como alternativa a este dilema, en este sistema se us una combinacin de nmeros decimales, del 0 al 9, y de letras maysculas
del abecedario, de la A hasta la F, como se muestra en la figura 4.10.

Decimal

10

11

12

13

14

15

Hexadecimal

=`^liX+%(' Cfj(-[^`kfj[\cj`jk\dX_\oX[\Z`dXc%

Contar en hexadecimal
El sistema numrico hexadecimal es un sistema posicional; por tanto, las reglas para contar son las mismas que hemos
visto en los sistemas anteriores. As, iniciamos con el 0 y continuamos hasta que se terminan todos los dgitos, en este
caso hasta que llegamos a la letra F; entonces, en la prxima cuenta reiniciamos la primer columna en 0 e incrementamos la siguiente columna como se ilustra en la figura 4.11.
En la figura 4.11 es posible observar que los nmeros binarios se han dividido en grupos de 4 bits, para enfatizar
cada dgito hexadecimal. Esta representacin no es tpica, porque con frecuencia se realiza de manera mental. Tambin se puede observar que tanto los nmeros binarios como los hexadecimales tienen ceros como prefijos a la izquierda; esta prctica de llenar con ceros un nmero se usa para ilustrar el nmero de bits con que se representa dicho
valor.
Valor
Cero
Uno
Dos
Tres
Cuatro
Cinco
Seis
Siete
Ocho
Nueve
Diez
Once
Doce
Trece
Catorce
Quince

Diecisis
Diecisiete
Dieciocho
:

Decimal
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

16
17
18
:

Binario
0000 0000
0000 0001
0000 0010
0000 0011
0000 0100
0000 0101
0000 0110
0000 0111
0000 1000
0000 1001
0000 1010
0000 1011
0000 1100
0000 1101
0000 1110
0000 1111

0001 0010
0001 0001
0001 0010

Hexadecimal
00
01
02
03
04
05
06
07
08
09
0A
0B
0C
0D
0E
0F

10
11
12

=`^liX+%(( :fekXe[f\e_\oX[\Z`dXc%

166

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Combinacin de dgitos y peso de columnas en hexadecimal


Como con cualquier sistema posicional, cada columna en un nmero hexadecimal tiene un peso asociado. Los pesos son derivados de la base del sistema; en este caso, la base es 16. Por consiguiente, los pesos de las columnas sern:
160  1, 161  16, 162  256, 163  4 096, y as sucesivamente, como se muestra en la figura 4.12.

Columna de los cuatro mil noventa y seis


Columna de los doscientos cincuenta y seis
Columna de los diecisis
Columna de los unos
4 F 0 A 10

Nmero
hexadecimal
Equivalente
decimal

= (4 163) + (F 162) + (0 161) + (A 160)


= (4 4 096) + (F 256) + (0 16) + (A 1)
= 16 384
+ 3 840 +
0
+
10
= 20 23410

=`^liX+%() :fdY`eXZ`e[\[^`kfjpg\jfj[\cXjZfcldeXj\e_\oX[\Z`dXc%
Como vimos antes, es una prctica comn usar subndices para indicar el tipo de base que se est usando. Por
ejemplo, 4F0A16  20 23410 , significa que el nmero a la izquierda de la igualdad se encuentra en representacin hexadecimal y el de la derecha en representacin decimal. Otra alternativa comn es utilizar un carcter especial como
prefijo para indicar la base. Por ejemplo, $4F0A, donde $ significa que el valor est en hexadecimal, aunque no debe
sorprendernos que exista una variedad grande de representaciones.

Conversin entre nmeros hexadecimales y binarios


Convertir un nmero de hexadecimal a binario y viceversa es extremadamente simple. Por ejemplo, si queremos convertir el nmero $7A5C a binario, lo nico que tenemos que hacer es reemplazar cada dgito hexadecimal por su
equivalente binario de 4 bits de la siguiente manera:
$7 l %0111,

$A l %1010,

5 l %0101,

C l %1100

Por tanto $7A5C en hexadecimal equivale a %0111101001011100 en binario.


De manera similar, tambin es muy fcil convertir un nmero binario a su representacin hexadecimal. Por ejemplo, para convertir el nmero binario %1100101001010111 a hexadecimal solo tenemos que dividir el nmero binario
en nibbles (grupos de 4 bits) y convertir cada nibble a su representacin hexadecimal, esto es:
%1100 l $C,

%1010 l $A,

%0101 l $5,

%0111 l $7

Por tanto, el nmero %1100101001010111 en binario equivale a $CA57 en hexadecimal.


Antes de presentar el uso de cables o alambres para representar nmeros binarios, vamos a proveer una revisin
general de cmo est conformada la electrnica digital y su lgica.

LGICA

DE LA ELECTRNICA DIGITAL

Los sistemas digitales estn constituidos por una gran cantidad de interruptores microscpicos, hechos principalmente con nuestro activo transistor, que se estudia en el captulo 2, los cuales se pueden encender y apagar increblemente
rpido, miles de millones de veces por segundo. Los transistores pueden ser conectados de tal manera que pueden

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167

4 La maravillosa electrnica digital

formar elementos lgicos bsicos llamados compuertas lgicas. A su vez, una gran cantidad de compuertas lgicas
puede conectarse para formar una computadora o un procesador de datos.7
Una de las industrias con crecimiento continuo y sorprendente en los ltimos 50 aos ha sido la industria electrnica, la cual ha sido aplicada para manipular datos fundamentados en los principios de una lgica llamada lgica
booleana.8 La lgica booleana se basa en conceptos muy simples, los cuales, sin embargo, han permitido la creacin
de sistemas muy complejos y sofisticados.9
Para los ingenieros en electrnica, es relativamente fcil crear compuertas lgicas que puedan detectar, procesar
y generar dos niveles de voltaje. Estos niveles de voltaje consideran el valor lgico de 1 como verdadero y el valor de 0
como falso. En un circuito electrnico, un 1 lgico tpicamente puede tener el valor de 3 a 5 V, mientras que un 0 lgico puede ser una seal entre 0 y 0.8 V. Los niveles de voltaje dependen del tipo de componente o familia utilizado en
la construccin de los transistores y las compuertas. Lo primordial en el mundo lgico es saber que existen nicamente dos estados: el 1 y el 0.
El mundo lgico es blanco y negro. Esta es la razn por la que muchos ingenieros obtienen un rpido entendimiento del dominio digital. A la fecha, no me he encontrado con un ingeniero al que no le guste el mundo digital, en
el que se siguen reglas predecibles, lo cual, en cierta forma, resulta agradable. Resolver el mundo en dos estados, por
supuesto que simplifica las cosas. Sin embargo, es importante hacer notar que en algn punto del circuito digital se
tiene que tomar la decisin de si el valor presente, voltaje comnmente, representa un 1 o un 0.10
En el estudio de la lgica booleana, a todas las posibles combinaciones de entradas de un circuito y sus respectivas
salidas se les conoce como tabla de verdad. Por lo general, en esas tablas de verdad las entradas se localizan a la izquierda y las salidas a la derecha. A algunos de los componentes bsicos que llevan a cabo estas tablas de verdad se les llama
compuertas lgicas, de las cuales vamos a estudiar las elementales.

Compuerta inversor (NOT)


La compuerta inversor, como su nombre lo indica, simplemente invierte cualquier seal que se presente en su entrada.
Si se pone un 1 en su entrada, su salida ser un 0 y viceversa. Para crear esta compuerta vamos a usar un transistor en
corte y saturacin, como se muestra en la figura 4.13.
Si VENT  0 V, entonces VSAL ser casi 5 V. Si VENT  5 V, la salida VSAL ser casi 0V. Cabe resaltar aqu que estamos
diciendo casi 5 V y 0 V, porque la salida no llega a ser exactamente 0 V o 5 V. Sin embargo, esto no importa si el valor
se mantiene por debajo del mximo voltaje permitido para el 0 lgico y por encima del mnimo permitido para el 1

10

Las computadoras o procesadores pueden construirse usando sistemas mecnicos (hidrulicos o neumticos), pticos o electrnicos, los cuales
pueden procesar datos utilizando tcnicas digitales o analgicas. Sin embargo, la gran mayora implementa estos sistemas usando electrnica
digital, que es el tema de este captulo.
George Boole (1815-1864), matemtico y filsofo britnico, fue el inventor del lgebra que lleva su nombre. Boole public en 1854 un artculo
llamado An Investigation of the Laws of Thought, en el que desarroll un sistema de reglas que le permitan expresar, manipular y simplificar
problemas lgicos y filosficos cuyos argumentos admiten dos estados, verdadero o falso, usando procedimientos matemticos. No obstante, su
trabajo pareca no tener uso prctico hasta 1937, cuando Claude Shanon (1916-2001), entonces en la Universidad de Michigan, demostr cmo
el lgebra de Boole poda usarse para optimizar el diseo de sistemas electromecnicos de rels, entonces utilizado en conmutadores de enrutamiento de telfono. Independientemente, Victor Shestakov, de la Universidad Estatal de Mosc (1907-1987), propuso una teora de interruptores
elctricos basados en la lgica booleana, incluso antes que Claude Shannon, pero public sus resultados en ruso hasta 1941. Desde entonces, el
lgebra de Boole se convirti en el fundamento de diseo de los circuitos digitales, y Boole, a travs de Shannon y Shestakov, en la base terica
para la era digital.
La pelcula 2001: odisea del espacio, del director Stanley Kubrick se estren en 1968 y por su trama an sigue siendo actual. Es considerada una
de las pelculas de ciencia ficcin ms respetuosa con las leyes de la f sica. El guin fue escrito por Kubrick y el novelista Arthur C. Clarke, basndose en una novela corta de Clarke, titulada El centinela, escrita en 1948. La pelcula inicia con el amanecer del ser humano, mostrando una
escena en la cual un primate da muerte al lder de otro grupo usando un hueso como arma; a manera de victoria, el primate lanza el hueso al aire
y la trayectoria del hueso (que recorre 4 millones de aos) da inicio a la escena de un equipo de astronautas viajando en una nave espacial que es
controlada por una computadora de nombre HAL 9000, la cual muestra una inteligencia cuasihumana. S, el mismo primate que us un hueso como arma es capaz de disear artificialmente algo tan sutil, complejo y sofisticado como la inteligencia.
Ya hace algunos aos, al trabajar en un proyecto y mostrar cierta inclinacin por trabajar con sistemas electrnicos digitales, un antiguo jefe me
argumentaba que no haba tal divisin entre electrnica digital y analgica, todo era simplemente electrnica y esta era analgica por naturaleza.
Lo cual es cierto, sin embargo, nuestra percepcin es digital. Discernimos fcilmente entre alto y bajo, blanco y negro, grande y pequeo, ancho
y angosto, fuerte y dbil, rugoso y liso, etctera, aunque sabemos que existen matices entre estos dos estados digitales.

168

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4 La maravillosa electrnica digital

MJ8CH

M<EK8

=`^liX+%(* :fdgl\ikXc^`ZXgXiX\c`em\ijfii\Xc`qX[XZfelekiXej`jkfi%
lgico, como veremos posteriormente. Esa es una de las razones por las cuales lo digital es tan popular. El smbolo del
inversor y su tabla de verdad se muestran en la figura 4.14.
Tabla de verdad del inversor
8

Entrada A

Salida Q

H
JdYfcf

=`^liX+%(+ JdYfcfpkXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikX`em\ijfi%
La expresin booleana para el inversor es Q  A . Aunque hay varias formas de expresar la negacin,
en este libro
usaremos el apstrofe, como en el caso de A (tambin es muy comn que algunos autores utilicen A ).

La compuerta AND
La regla que describe la funcin de la compuerta AND expresa que todas las entradas tienen que ser 1, o verdaderas,
para que la salida pueda ser 1 o verdadera. Sin embargo, si una de las entradas es 0 o falsa, la salida ser falsa.11 Esto se
define con la tabla de verdad mostrada en la figura 4.15.
Tabla de verdad de la compuerta AND
Entrada A

Entrada B

Salida Q

=`^liX+%(, KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikX8E;[\[fj\ekiX[Xj%
La expresin booleana para la compuerta AND es Q  A B Q  A B. La representacin que usaremos en este
libro para expresar esta funcin es el smbolo de punto, aunque existen otras.

11

Algunos autores traducen al espaol el nombre de la compuerta AND como Y, para resaltar su funcin lgica. Si esto es verdadero, Y esto es
verdadero, entonces la salida ser verdadera; si cualquiera es falsa, la salida ser falsa. Debido a que en el ambiente ingenieril, estudiantil y laboral
se usa comnmente la palabra AND para referirse a esta compuerta, continuaremos en este libro con esta nomenclatura.

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169

4 La maravillosa electrnica digital

El circuito electrnico de la compuerta AND puede construirse de manera simplificada con un par de diodos,
como se aprecia en la figura 4.16 a). Por lo general, esta compuerta se representa con el smbolo que se muestra la
figura 4.16 b).

8
9

H
9

=`^liX+%(- X :fdgl\ikX8E;[\[`f[fj%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikX8E;%


De la tabla de verdad de la compuerta AND, podemos observar que tres de las combinaciones de entrada producen como resultado que sus salidas sean 0, o falsas; por otra parte, existe otra compuerta, llamada OR, que hace lo
opuesto, aunque no exactamente.

La compuerta OR
En la compuerta OR tres de sus condiciones de entrada producen salidas 1, o verdaderas. La regla que describe la
funcin de la compuerta OR expresa que si cualquiera de sus entradas es 1, o verdadera, la salida ser verdadera. Por
tanto, se requiere que todas las entradas sean 0, o falsas, para que la salida pueda ser falsa.12 La figura 4.17 muestra
su tabla de verdad.
Tabla de verdad de la compuerta OR
Entrada A
Entrada B
Salida Q
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1

=`^liX+%(. KXYcX[\m\i[X[[\leXZfdgl\ikXFI[\[fj\ekiX[Xj%
La expresin booleana para la compuerta OR es: Q  A B Para expresar a la compuerta OR comnmente se
utiliza el smbolo de suma.
El circuito electrnico de la compuerta OR tambin puede construirse usando un par de diodos, solo se tiene que
cambiar la conexin de alimentacin por una conexin a tierra e invertir la conexin de los diodos, como se aprecia en
la figura 4.18 a). El smbolo comnmente usado para esta compuerta se ilustra en la figura 4.18 b).
8
H
9
8
9
X

H
Y

=`^liX+%(/ X :fdgl\ikXFI[\[`f[fj%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXFI%


12

Algunos autores tambin traducen al espaol el nombre de la compuerta OR como O, para explicar su funcin lgica. Si esto es verdadero O,
esto es verdadero, la salida ser verdadera; entonces, solo se necesita que una entrada sea verdadera. Al igual que con la compuerta AND, continuaremos en este libro usando el trmino OR para referirnos a esta compuerta.

170

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Estas son todas las compuertas lgicas. S, eso es todo, solo existen tres elementos bsicos. Por supuesto que hay
ms compuertas, pero todas se derivan de estos tres elementos lgicos primarios. Con esto en mente, vamos a describir algunas de las compuertas ms populares.

Compuerta NAND
La compuerta NAND significa NOT AND; es decir, la salida de una compuerta AND es invertida por una compuerta
NOT. La expresin booleana para la compuerta NAND es: Q  (A B). La figura 4.19 ilustra su tabla de verdad.
Tabla de verdad de la compuerta NAND
Entrada A

Entrada B

Salida Q

=`^liX+%(0 KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXE8E;%
A diferencia de la compuerta OR, la compuerta NAND realiza la funcin exactamente opuesta o invertida de la
compuerta AND, basta comparar sus tablas de verdad.
La construccin de la compuerta NAND se puede realizar con los elementos bsicos que conocemos. Sin embargo, esta compuerta es usada con tanta frecuencia que tiene su propio smbolo, como lo muestra la figura 4.20; donde
el pequeo crculo en la salida de la compuerta se emplea para indicar que se invierte la seal.
8

8
H

H
9

=`^liX+%)' :fejkilZZ`e[\leXZfdgl\ikXE8E;pjljdYfcf%
Para construir su circuito tambin se pueden utilizar los dispositivos semiconductores bsicos. De hecho, una
forma simplificada de realizar esta compuerta es usar un par de transistores como se muestra en la figura 4.21.

9
H

=`^liX+%)( :fejkilZZ`ej`dgc`]`ZX[X[\leXZfdgl\ikXE8E;%

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171

4 La maravillosa electrnica digital

Compuerta NOR
Correcto! Como es de suponerse, la compuerta NOR significa NOT OR. Esta funcin se lleva a cabo invirtiendo
la salida de la compuerta OR, de la misma forma que se hizo con la compuerta NAND. La expresin booleana para la
compuerta NOR es: Q  (A B). La figura 4.22 muestra su tabla de verdad.
Tabla de verdad de la compuerta NOR
Entrada A
Entrada B
Salida Q
0
0
1
0
1
1
1
0
0
1
1
0

=`^liX+%)) KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXEFI%
De manera similar que con la compuerta NAND, la compuerta NOR puede construirse usando dos transistores,
como lo ilustra la figura 4.23 a). El smbolo de la compuerta NOR es el de una OR invertida, como se muestra en la
figura 4.23 b).

H
8

8
9

=`^liX+%)* X :fejkilZZ`e[\cXZfdgl\ikXEFIZfe[fjkiXej`jkfi\j%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXEFI%

Compuertas XOR y XNOR


La compuerta XOR significa OR exclusiva; la regla que describe la funcin de la compuerta XOR expresa que la salida
es verdadera si una de las dos entradas es verdadera, pero su salida ser falsa si ambas entradas son iguales, ya sea
falsas o verdaderas. La tabla de verdad de esta compuerta se ilustra en la figura 4.24.
Tabla de verdad de la compuerta XOR
Entrada A
Entrada B
Salida Q
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0

=`^liX+%)+ KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXOFI%

172

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

La expresin booleana para la compuerta XOR es: Q  A B; en este caso, para expresar esta funcin se utiliza
como operador binario el smbolo de suma encerrado en un crculo: .
El circuito que se usa para construir esta compuerta est hecho de dispositivos semiconductores bsicos, como se
muestra en la figura 4.25.
8
H
9

8
9

=`^liX+%), X :fejkilZZ`e[\cZ`iZl`kfj`dgc`]`ZX[f[\cXZfdgl\ikXOFI%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXOFI%


Despus de haber visto las compuertas anteriores, la funcin de la compuerta XNOR resulta obvia; esto es, una
XOR con su salida invertida, por lo que su expresin booleana se define por: Q  (A B). La figura 4.26 muestra su
tabla de verdad y su smbolo.

Tabla de verdad de la compuerta XNOR


Entrada A

Entrada B

Salida Q

=`^liX+%)- X KXYcX[\m\i[X[[\cXZfdgl\ikXOEFI%Y JdYfcf[\cXZfdgl\ikXOEFI%

SIMPLIFICACIN

DE CIRCUITOS, SUMADORES Y DECODIFICADORES

Minitrminos y maxitrminos
Lo normal en un problema de diseo lgico es, como primer paso, construir una tabla de verdad que detalle la operacin exacta del circuito digital; el siguiente paso es obtener la expresin booleana y finalmente realizar el circuito
lgico. Existen dos formas de obtener la expresin booleana de una tabla de verdad; a la primera, se le llama suma de
productos o minitrminos (minterms, en ingls) y a la segunda se le conoce como producto de sumas o maxitrminos
(maxterms, en ingls).
Los minitrminos utilizan las combinaciones de entrada que producen salida 1 y las unen con una compuerta OR.
Por otro lado, los maxitrminos utilizan las combinaciones de entrada que producen una salida 0 y las unen con compuertas AND. Ambas expresiones describen con precisin la lgica de la tabla de verdad; depende nicamente del
diseador cul expresin utilizar.

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173

4 La maravillosa electrnica digital

Por ejemplo, en la tabla de verdad de la figura 4.27 a) podra ser conveniente usar minitrminos para expresar su
funcin lgica, debido a que el nmero de combinaciones que producen 1 es menor que las que producen el nmero
de 0. La expresin booleana en este caso es: Y  (C B A) (C B A), como se ilustra en la figura 4.27 b). El circuito lgico para esta funcin se muestra en la figura 4.27 c).
X

<ekiX[Xj

JXc`[X

'

'

'

'

'

'

( :98

'

'

'

'

'

'

'

'

'

'

'

'

( :98

8
9
:

8
9
:
Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\

Y 

P4:98 ":98

=`^liX+%). ;\jXiifccf[\leX\ogi\j`ec^`ZXljXe[fd`e`kid`efj%X KXYcX[\m\i[X[%


Y <ogi\j`eYffc\XeX%Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\8E;$FI%

Por el contrario, en la tabla de verdad de la figura 4.28 a) podra ser conveniente usar maxitrminos para expresar
su funcin lgica, porque el nmero de combinaciones que producen 0 es menor que el nmero de 1. La expresin
booleana en este caso es: Y  (C B A) (C B A), como se ilustra en la figura 4.28 b). En tanto, el circuito
lgico para esta funcin se muestra en la figura 4.28 c).
X

<ekiX[Xj

JXc`[X

'
'
'
'
(
(
(
(

'
'
(
(
'
'
(
(

'
(
'
(
'
(
'
(

8
9
:

P
(
(
(
(
@em\ik`icXj
'
mXi`XYc\j
(
(
' @em\ik`icXj

P
8
9
:

mXi`XYc\j

Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\
Y

P4:98 :98

=`^liX+%)/ ;\jXiifccf[\leX\ogi\j`ec^`ZXljXe[fdXo`kid`efj%
X KXYcX[\m\i[X[%Y <ogi\j`eYffc\XeX%Z :`iZl`kfc^`Zf\hl`mXc\ek\8E;$FI%
El lgebra booleana est compuesta por muchas leyes y teoremas. Entre los teoremas ms tiles destacan los teoremas de De Morgan,13 los cuales permiten una rpida conversin de una expresin en minitrminos a una expresin
en maxitrminos y viceversa. Los teoremas de De Morgan se pueden plantear de la siguiente manera:
Primer teorema (A B)  A B
13

Segundo teorema (A B)  A B

Los teoremas de De Morgan reciben ese nombre en honor a Augustus De Morgan (1806-1871), matemtico de la Universidad de Londres (llamada despus University College), quien, junto con George Boole, contribuy a la lgica matemtica. El trabajo de De Morgan fue en gran medida una enorme extensin del trabajo de Boole. Aunque l no formul estos teoremas, se le otorga este crdito porque formalmente los expres
en la forma en que los conocemos.

174

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

El primer teorema cambia una expresin bsica NOR por una expresin AND y el segundo teorema hace lo
opuesto, es decir cambia una expresin NAND por una OR, como se muestra en la figura 4.29.
8

P
9


9
8"9 4P

8
P4
9

P4
9
894P

89 4P

P
8"94P

=`^liX+%)0 8gc`ZXZ`fe\j[\cfjk\fi\dXj[\;\Dfi^Xe%
El lgebra booleana es la base para simplificar circuitos lgicos. Aunque existen diferentes mtodos de simplificacin, como el conocido como mapas de Karnaugh, estos se fundamentan en los teoremas booleanos que ya vimos.

Sumadores
Sabemos que es posible sumar y restar usando 1 y 0. La lgica y las matemticas tienen una estrecha relacin; en realidad, una es extensin de la otra. Para explicar la forma de realizar sumadores, iniciamos con el estudio de las reglas
de la suma binaria, la cual es muy sencilla, como se muestra en la figura 4.30.

'''
'((
('(
(('pcc\mXdfj(

=`^liX+%*' I\^cXj[\cXjldXY`eXi`X%
Usando la unin de la lgica con la aritmtica binaria, veremos que es posible disear un circuito con compuertas que realice la suma; para esto, usaremos las reglas de la suma de la figura 4.30, como tabla de verdad; las columnas a la izquierda de la igualdad se usan como entradas y las de la derecha como salidas, tal como se muestra en la
figura 4.31.
<ekiX[Xj

JXc`[Xj

OP

JldX

8ZXii\f

''

'

'

'(

'

('

'

((

'

O"P

J

:

=`^liX+%*( KXYcX[\m\i[X[[\cd\[`f$jldX[fi%
Como se puede observar en la figura 4.31, las salidas tomadas de la regla de la suma coinciden exactamente con
la tabla de verdad de la compuerta XOR y de la compuerta AND. Esto es maravilloso!, ya que nos permite sumar. La
forma de realizar la suma es a travs de medios sumadores y sumadores completos, como se ilustra en la figura 4.32.
Si bien se pueden usar compuertas lgicas para formar sumadores, es de esperarse que tambin se puedan usar
para crear restadores. Por tanto, necesitamos conocer las reglas de la resta binaria, las cuales se ilustran en la tabla de
la figura 4.33.

grupo editorial patria

175

4 La maravillosa electrnica digital

D\[`fjldX[fi
o
p
J
o

o
p

p
o

Y J4op
:4op

X J4op"op
:4op
JldX[fiZfdgc\kf
o
J

=`^liX+%*) D\[`fjldX[fipjldX[fiZfdgc\kfZi\X[fjljXe[fZ`iZl`kfjc^`Zfj%
Minuendo

Sustraendo

Diferencia

Prstamo

y debemos 1

=`^liX+%** I\^cXj[\cXi\jkXY`eXi`X%
De la misma manera que con el sumador, se usan las reglas de la resta binaria como tabla de verdad. La figura 4.34
muestra este caso.
Entradas
Minuendo

Salidas

Sustraendo

Diferencia

Prstamo

Di

Bo

=`^liX+%*+ KXYcX[\m\i[X[[\cd\[`f$i\jkX[fi%
Es fcil identificar en la figura 4.34 que la regla de la resta tambin coincide con la tabla de verdad de la compuerta XOR, y que la compuerta AND solo requiere que una de sus entradas sea negada. Con estos circuitos lgicos podemos crear medios-restadores y restadores completos, como se ilustra en la figura 4.35.

176

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

D\[`f$i\jkX[fi
P

9`e
O

O
P

;`

D\[`f$i\jkX[fi

;`

;`
9f

9f

9f

=`^liX+%*, ;`X^iXdXc^`Zf[\lei\jkX[fiZfdgc\kf%

Restas usando circuitos sumadores


En realidad, para realizar la resta se requiere nicamente un bloque sumador al cual se le agrega una compuerta inversora. La figura 4.36 muestra el circuito sumador completo en bloques y la conexin para realizar un restador de 4 bits
usando sumadores completos.
 I\jkXY`eXi`X
  8+8*8)8( D`el\e[f
9+9*9)9( JljkiX\e[f

8CKF
8(
9(

:`e

JldX[fi
8 Zfdgc\kf
)
9
:f

:`e

JldX[fi
8 Zfdgc\kf
+
9
:f

:`e

JldX[fi
8 Zfdgc\kf
/
9
:f

8)
<ekiX[Xj

:`e
8
9

JldX[fi
Zfdgc\kf

9)

JldX[fi
8 Zfdgc\kf
(
:f
9

:`e

JXc`[Xj
:f
8*
9*

8+
9+

/  +  )  (
;`]\i\eZ`X

=`^liX+%*- ;`X^iXdX[\Ycfhl\[\cjldX[fiZfdgc\kfpi\jkX[fi[\+Y`kjljXe[fjldX[fi\jZfdgc\kfj%
Como hemos visto hasta aqu, uniendo varias compuertas lgicas es posible crear sumadores y con ellos es posible
crear, tambin, restadores binarios. Agrupar en forma correcta estos bloques, nos permite formar sumadores o restadores de cualquier nmero de dgitos binarios.

Suma y resta en complemento a 2


La representacin de nmeros en complemento a 2 o dos complemento (2) se utiliza en sistemas basados en microprocesadores. En los circuitos sumadores vistos hasta ahora, los nmeros a sumar o a restar se consideran positivos.

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177

4 La maravillosa electrnica digital

Sin embargo, en muchas aplicaciones de sistemas basados en microprocesadores se requiere sumar o restar no solo
nmeros positivos, sino tambin nmeros negativos.
La utilizacin de nmeros en 2 hace posible la suma y la resta de nmeros con signo. Usando esta representacin,
pueden determinarse tanto la magnitud como el signo de un nmero. Por ejemplo, si se tiene un nmero de 8 bits, el
bit ms significativo (MSB) es el bit de signo; si este bit es 0, el nmero es positivo; pero, si este bit es 1, el nmero es
negativo. Los siete bits restantes representan la magnitud del nmero, como se muestra en la figura 4.37.
9`k[\j`^ef'4"

(4 

DJ9

CJ9
DX^e`kl[

=`^liX+%*. Ed\if[\/Y`kj\ei\gi\j\ekXZ`e[\)2\cDJ9\j\cY`k[\j`^ef%
Por su parte, la figura 4.38 muestra una tabla con nmeros de 8 bits en representacin de 2. Por ejemplo, el nmero decimal 126 est representado en 2 por el nmero 0111 1110, y el nmero 125 est representado en 2 por el
nmero 1000 0011. De esta forma, podemos observar que todas las representaciones en 2 para nmeros positivos son
iguales a sus equivalentes binarios de ese nmero decimal. Por tanto, para representar un nmero negativo es necesario realizar la conversin a 2.
Decimal con signo
127
126
125
124

5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5

125
126
127
128

Representacin en complemento a 2, con 8 bits


0
111
1111
0
111
1110
0
111
1101
0
111
1100

0
000
0101
0
000
0100
0
000
0011
0
000
0010
0
000
0001
0
000
0000
1
111
1111
1
111
1110
1
111
1101
1
111
1100
1
111
1011

1
000
0011
1
000
0010
1
000
0001
1
000
0000
Signo
Magnitud

@^lXchl\cfj
ed\ifjY`eXi`fj

=`^liX+%*/ I\gi\j\ekXZ`e[\)mXcfi\jgfj`k`mfjpe\^Xk`mfj [\leed\if[\/Y`kj%


Como se puede observar de la tabla, la conversin de un nmero en su 2 es muy sencilla. Por ejemplo, si queremos convertir el nmero decimal con signo 3 en un nmero en 2 hacemos lo siguiente:
1. Tomamos el nmero binario positivo: 0000 0011 ( 3)
2. Obtenemos el complemento a uno (1); esto es: 1111 1100
3. Le sumamos un 1 para obtener el 2; esto es: 1111 1101.
Si queremos obtener el valor binario (positivo) de un nmero negativo en 2, hacemos el mismo procedimiento:

178

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

1. 1111 1101.
2. 1  0000 0010.
3. 2 0000 0011.
En la figura 4.39 se muestra un circuito que suma y resta nmeros con signo. El circuito tiene un control de modo;
si este control de modo se establece en 0, el circuito suma; en caso contrario, si el control de modo se establece en 1,
el circuito resta.
GifYc\dXj[\jldXfi\jkX



8/8. 8-8,8+ 8*8)8(


"& 9/ 9. 9- 9, 9+ 9* 9) 9( Ed\ifj\eZfdgc\d\ekfX)

8(

:`e
8
9

=8
(

:f

9(
:`e

8
9

8)

=8
)

:f

9)
:`e
8
9

8*

=8
+

:f

9*
:`e
8+

8
9

=8
/

8
9

=8
(-

8
9

=8
*)

8
9

=8
-+

8
9

=8
()/

:f

9+
:`e
8,

:f

9,
:`e
8-

:f

9:`e
8.

:f

9.
:`e
8/

:f

9/
:fekifc[\df[f
I\jkX4(
JldX4'

-+ *) (- / + )


9`k[\
j`^ef
JldXf[`]\i\eZ`X
\eZfdgc\d\ekfX)

=`^liX+%*0 :`iZl`kfjldX[fi&i\jkX[figXiXc\cf[\/Y`kj%
Cmo realiza su magia el circuito de la figura 4.40? Bien, revisando la tabla de verdad de la compuerta XOR podemos observar que si una de las entradas es 1, se convertir en un inversor de la otra entrada. De esta manera, regresaramos a la configuracin del restador de la figura 4.40. Vamos a ver cmo se utiliza el 2 para realizar estas
operaciones de suma y resta usando solo sumadores. Por ejemplo, si queremos realizar la resta 40 13 en binario y en

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179

4 La maravillosa electrnica digital

0010 1000
0000 1101
0001 1011

0000 1101 l 1111 0010 = 1


+ 1111 0010
1
1111 0011 l 2

(+40)
(+13)
(+27)

0010 1000
+ 1111 0011
0001 1011

(+40)
2
(+27)

=`^liX+%+' X I\jkX\eY`eXi`fp\e[\Z`dXckiX[`Z`feXc%Y :fdgc\d\ekfX)[\cjljkiX\e[f%


Z JldX[\cd`el\e[fZfe\cjljkiX\e[f\e)%

decimal, de manera tradicional, realizaramos esta operacin usando las reglas de la resta, como se muestra en la figura 4.41 a). No obstante, para usar el sumador, primero obtenemos el complemento a dos del sustraendo, como se
ilustra en la figura 4.41 b) y despus lo sumamos al minuendo, como se ilustra en la figura 4.41 c), para obtener el
resultado deseado.
(+27)
" (+10)
+3710



11

(+20)
" (50)
3010

0001 1011 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)


" 1111 0010 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
1111 0011 JldX\eZfdgc\d\ekfX)

"

1 11 1 1

Z JldX[\leed\ifgfj`k`mfd\efiXleed\ife\^Xk`mfdXpfi

X JldX[\[fjed\ifjgfj`k`mfj
(1)
(3)
410

1 1

0001 0100 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)


" 1100 1110 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
1110 0010 JldX\eZfdgc\d\ekfX)

11 1

(+40)
" (13)
+2710

1111 1111 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)


" 1111 1101 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
1 1111 1100 JldX\eZfdgc\d\ekfX)

1 1 1

0010 1000 (%jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)


" 1111 0011 )%!jldXe[f\eZfdgc\d\ekfX)
1 1111 1100 JldX\eZfdgc\d\ekfX)

;\jZXikX
[ JldX[\leed\ifgfj`k`mfdXpfiXleed\ife\^Xk`mfd\efi

;\jZXikX
Y JldX[\[fjed\ifje\^Xk`mfj

=`^liX+%+( :fdY`eXZ`fe\jgfj`Yc\j[\jldXjljXe[fed\ifj\eZfdgc\d\ekfX)%
Esto es lo que hace exactamente el circuito sumador/restador de la figura 4.41. Si restamos, establecemos el control de modo en 1; es decir, invertimos los nmero B para obtener el 1, posteriormente le sumamos el Cin  1, para
obtener el 2. La figura 4.42 muestra las cuatro posibles combinaciones de suma y resta.
Entradas

Y5

Y9

0000

0001

0010

0011

0101

0110

0111

1000

1001

1010

1011

1100

1101

1110

1111

CXjXc`[XP,j\i}(
jfcfj`cX\ekiX[X
\j'('()

CXjXc`[XP0j\i}(
jfcfj`cX\ekiX[X
\j(''()

=`^liX+%+) ;\Zf[`]`ZX[fi[\+X(-#XZk`mXe[f\e(jfcfcXj\ekiX[Xj,p0%

180

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Multiplicaciones usando sumadores


Las reglas de la multiplicacin binaria son muy sencillas, como vimos en la seccin aprendiendo las tablas de multiplicar, pero podran involucrar un nmero grande de componentes lgicos. Una alternativa en este caso es usar sumadores. Por ejemplo, la multiplicacin de 10012 r 01002 (9 r 4) puede resolverse usando un mtodo denominado
multiplicacin de sumas repetidas. Aqu, el multiplicando (9) se suma cuatro veces (el multiplicador es 4) para obtener
el producto 36. Esta tcnica es fcilmente programable en sistemas basados en microprocesadores, como veremos
en el captulo siguiente.
Entendiendo el proceso de suma de estos inquietos unos y ceros, automticamente tenemos los fundamentos de
la computacin. Con la suma, adems de sumar, podemos llevar a cabo restas y multiplicaciones; adems, estas bases
nos proporcionan una idea de la forma en que la calculadora de nuestro escritorio realiza internamente sus operaciones.14 La operacin aritmtica que falta describir es la divisin, pero con desplazamientos o corrimientos de bits es
posible efectuarla, como veremos en la seccin de microprocesadores.

Decodificadores
Los decodificadores son dispositivos ampliamente utilizados en el diseo de sistemas digitales, principalmente para
decodificar o seleccionar una direccin de un microprocesador. La tabla de verdad del decodificador podra tener
como entradas las direcciones del microprocesador y las salidas corresponder a las habilitaciones de dispositivos perifricos, como se ver ms adelante, en la seccin de microprocesadores.
El nmero de salidas de un decodificador de n entradas es 2n. As, por ejemplo, con dos entradas podemos tener
4 posibles salidas; con 3 entradas, 8 salidas; con 4 entradas, 16 salidas, etctera. La habilitacin de las salidas puede
ser activo bajo, 0, o activo alto, 1, dependiendo si usamos minitrminos o maxitrminos, respectivamente. Si tenemos,
por ejemplo, 4 entradas y queremos que nicamente se activen en 1 las salidas correspondientes a las entradas 5 y 9,
tendremos los circuitos mostrados en la figura 4.42. Por supuesto, podemos tener disponibles las 16 salidas, pero en
este caso solo seleccionamos dos de ellas para ilustrar su funcionamiento.
Existen circuitos decodificadores en CI que hacen este trabajo, como los 74LS139, con 2 entradas y 4 salidas, y los
74LS138, con 3 entradas y 8 salidas. El decodificador 74LS138 tiene tres entradas: A, B y C, y ocho salidas activo bajo:
Y0-Y7. La figura 4.43 ilustra el diagrama a bloques y la tabla de verdad de este decodificador.
Adems, el 74LS138 tiene tres entradas: G2A, G2B activo bajo, y G1 activo alto. Normalmente, el fabricante recomienda que si estas entradas no se van a usar se conecten a VCC o tierra, dependiendo de su nivel lgico.

CELDAS

DE MEMORIA, MEMORIAS Y MQUINAS DE ESTADO

Celdas de memoria
A los grupos de compuertas descritos hasta ahora se les denomina lgica combinacional, y tambin pueden usarse
para formar celdas de memoria. La premisa bsica de las celdas de memoria es almacenar unos y ceros. Algunas memorias pueden perder los datos que fueron almacenados si se pierde la energa que alimenta estos circuitos; a este tipo
de memoria se le llama voltil. Un ejemplo de estas memorias es la memoria de acceso aleatorio o RAM, y las celdas
que las forman son la base de la llamada lgica secuencial. Otra categora de memoria es la llamada no voltil; este tipo
de memoria mantiene los datos almacenados aun cuando se quita la energa que los alimenta. A este tipo de memorias
corresponden las memorias de solo lectura ROM y sus variantes que pueden ser borradas, ya sea con luz ultravioleta,
como las EPROM, o elctricamente, como las EEPROM y las ahora ubicuas memorias FLASH15 tipo pluma o pen
drives.
14

15

Tcnicamente, la mayora de las calculadoras usa un ingenioso algoritmo llamado CORDIC, con el cual es posible efectuar funciones trigonomtricas, manteniendo la electrnica simple, es decir, trabajando con un nmero reducido de elementos lgicos. Las nicas operaciones que usa
son suma, resta, desplazamiento de bits (bit shift) y bsqueda en tablas (table lookup).
La memoria FLASH es un dispositivo de almacenamiento en CI que puede ser borrado y reprogramado elctricamente. En la actualidad, este
tipo de CI domina el mercado de las memorias no voltiles, anteriormente dominado por las memorias EPROM y EEPROM. La memoria

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181

4 La maravillosa electrnica digital

MZZ

>E;
P'
P(
P)
P*
P+
P,
PP.

8
9
:

>)8

>)9

>(

?XY`c`kXZ`fe\j
KXYcX[\m\i[X[

Entradas
Ensamble
G1
G2

Salidas

Select.
C B A

Y0

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

=`^liX+%+* ;`X^iXdXXYcfhl\jpkXYcX[\m\i[X[[\c[\Zf[`]`ZX[fi.+CJ(*/%
En la siguiente seccin vamos a estudiar los principios fundamentales de las memorias no voltiles tipo ROM y
posteriormente analizaremos las celdas de memoria bsicas de la lgica secuencial, con la cual se realizan registros,
memorias RAM y mquinas secuenciales.

Memorias no voltiles
En la seccin anterior aprendimos que un decodificador genera 2n minitrminos de las n variables de entrada. Adems,
sabemos que insertando compuertas OR para realizar la suma de los minitrminos es posible tener cualquier circuito
combinacional deseado. Una memoria ROM es un dispositivo que incluye tanto el decodificador como las compuertas
OR, dentro de un mismo CI. Adicionalmente, la ROM tiene un grupo de eslabones o interruptores compuestos por
diodos especiales que pueden fusionarse o romperse. La interconexin deseada para una aplicacin particular requiere
FLASH revolucion este mercado desde su introduccin por Intel, en 1988. Sin embargo, esta memoria fue inventada en 1980 por el Dr. Fujio
Masuoka mientras trabajaba para la compaa Toshiba. La memoria FLASH puede construirse con memorias NAND o NOR, usando transistores similares a los MOSFET, excepto que estos transistores tienen dos terminales de compuerta, una llamada control gate (CG), como en los FET
estndar, y la otra floatinggate (FG), la cual es aislada por una capa de xido. Debido a que la FG es aislada elctricamente, cualquier grupo de
electrones que se coloque en ella ser atrapado y, en condiciones normales, no se descargar por muchos aos. Las memorias FLASH tipo
NAND ofrecen una mayor densidad (mayor cantidad de bits), pero deben ser programadas y ledas en bloques o pginas, mientras que las NOR
(aunque con menos densidad) permiten ser ledas o programadas de manera aleatoria a nivel palabra o byte.

182

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

que se rompan ciertos eslabones, para formar las trayectorias del circuito necesarios. La figura 4.44 a) muestra el
diagrama a bloques de una memoria ROM.
La memoria ROM consta de n lneas de entrada y m lneas de salida. A cada combinacin de bits de las variables
de entrada se le llama direccin, y a cada combinacin de bits de datos que sale de las lneas de salida se le llama palabra, como se indica en la figura 4.44 b). Bsicamente, una direccin es un nmero binario que denota uno de los minitrminos de las n variables. El nmero de las diferentes direcciones posibles con n bits de entrada es 2n. Una palabra
de salida puede seleccionarse por una direccin nica. Puesto que existen 2n direcciones diferentes en una ROM, hay
2n palabras que podran almacenarse en la memoria.
"MZZ
e\ekiX[Xj
;\Zf[`]`ZX[fi
[\eXdce\Xj
P'
P (
P )
P*

?XY`c`kXZ`e

)ed
IFD

;`i\ZZ`e

8'
8(

Pd

8e
;*  ;)  ;(  ;'
djXc`[Xj

GXcXYiX[Xkfj

=`^liX+%++ X ;`X^iXdXXYcfhl\j[\leXd\dfi`XIFD%Y <c\d\ekfjhl\Zfe]fidXeleXd\dfi`XIFD%


nicamente a manera de ejemplo, usando lgica combinacional, vamos a implementar una memoria ROM de
4 r 2, o 2k r m; es decir, se requiere tener n entradas de direccin y palabras de m bits de salida, como se observa en la
tabla de verdad de la figura 4.45 a). Para esto, son necesarios nicamente 2 bits de direcciones. Pero, en este momento
necesitamos determinar qu eslabones o interruptores deben romperse, considerando que los eslabones se rompen
con ceros lgicos y se dejan intactos con unos lgicos. Las direcciones (minitrminos) que tengan una salida 0 no
deben tener una trayectoria a la salida a travs de la compuerta OR. Adems, resulta obvio que los eslabones abiertos
se consideran ceros lgicos para las compuertas OR. La figura 4.45 b) muestra la implementacin de esta memoria.

8'
8(

A0

A1

D0

D1

''
'(
;\Zf[`]`ZX[fi
('
)+
((

;'
X

;(

=`^liX+%+, X KXYcX[\m\i[X[[\leXd\dfi`XIFD[\+)%
Y :`iZl`kfc^`ZfZfdY`eXZ`feXc[\cXd\dfi`XIFD[\+)%

El ejemplo de la figura 4.45 es muy sencillo. En la prctica, no es necesario mostrar las conexiones internas de las compuertas, en este caso se mostr nicamente con fines ilustrativos. Una memoria ROM, algunas veces, se especifica por

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183

4 La maravillosa electrnica digital

el nmero total de bits que contiene; por ejemplo, una memoria ROM de 65536 bits puede organizarse en 8192 palabras de 8 bits, esto significa que tiene 13 lneas de entrada y 8 lneas de salida (213 r 8). De forma comercial, existen
memorias de este tipo en un CI, como es el caso de la memoria EPROM M27C256, de 32k r 8. La figura 4.46 ilustra
el diagrama a bloques de esta memoria y uno de sus empaquetados llamado DIP (Dual in line Package).
M::

MGG

(,

8'$8(+

<

>

H'$H.

D).:),-9
)/

MJJ

=`^liX+%+- D\dfi`X<GIFDD).:),-[\*)B/%
Del diagrama a bloques, podemos apreciar que se requieren 15 lneas de direcciones (A0-A14) para seleccionar
32768 bytes (215). Independientemente de las terminales de alimentacin y tierra, VCC y VSS, respectivamente, existe otra terminal llamada VPP, utilizada para programar el dispositivo. Adems, para poder leer los datos previamente
almacenados en la memoria EPROM, se requiere habilitar con 0 lgico dos seales de control llamadas habilitacin de

chip y habilitacin de los datos de salida, E y G respectivamente.

La temporizacin de las seales de control E y G , y otros parmetros importantes de la memoria EPROM, como
el tiempo de acceso (tACC), se analizan cuando estudiamos la interconexin de las memorias ROM con los microprocesadores y/o microcontroladores. No obstante, podemos conceptualizar el tACC, como el intervalo de tiempo que
toma la memoria ROM para completar un acceso de lectura y empezar otro.

Memorias voltiles
Las memorias de acceso aleatorio (RAM) constituyen un tipo de memoria basada en semiconductores capaces de
mantener los datos almacenados en estas mientras se encuentren alimentadas de corriente elctrica. Sin embargo, son
memorias voltiles, es decir, pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. El concepto de acceso aleatorio significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden.
Existen dos tipos de memoria RAM que predominan en el mercado: las memorias dinmicas (DRAM) y las memorias estticas (SRAM). Para el caso de la DRAM, cada celda de memoria est formada por un transistor y un capacitor,
este ltimo puede ser cargado o descargado para representar los dos valores de un bit. Debido a que los capacitores
tienden a descargarse, la informacin almacenada puede perderse a menos que se refresque peridicamente la carga
al capacitor, lo cual podra verse como menoscabo de su operacin. Esta es la razn por la cual se le llama memoria
dinmica. Sin embargo, una de las ventajas de la DRAM es la simplicidad de su construccin, lo que le permite tener
una mayor densidad que las memorias SRAM, ya que literalmente se pueden crear billones de bits en una DRAM de
circuito integrado.
Por otro lado, las memorias SRAM son capaces de mantener la informacin almacenada, mientras estn alimentadas, sin necesidad de un circuito de refresco. Cada celda de memoria o bit en una RAM se almacena en un dispositivo
basado en compuertas (tpicamente seis transistores) llamado flipflop, cerrojo o multivibrador biestable; no obstante,
en este libro nos referiremos a este dispositivo como flipflop.
En esta seccin se describen las memorias SRAM, pero antes se analizan los elementos que constituyen sus celdas
de memoria: los flipflops. La importancia de los flipflops radica en que estos pueden interconectarse para formar
circuitos lgicos secuenciales que almacenen datos, generen tiempos y cuenten y sigan secuencias.

184

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Flipflops
Los flipflops pueden construirse a partir de compuertas lgicas, por ejemplo, con compuertas NAND o NOR, o comprarse en forma de CI, como es el caso del flipflop bsico RS. La figura 4.47 muestra la conexin lgica usando compuertas NAND, su smbolo lgico y su tabla de verdad.
El flipflopRS tiene dos entradas etiquetadas como set (S) y reset (R); en este caso, las entradas se activan con 0, y
se dice son activo bajo, lo cual es indicado por los crculos a la entrada del smbolo. A diferencia de las compuertas lgicas, los flipflops tienen dos salidas complementarias llamadas: Q y Q Q. La salida Q es la ms usada y se considera la
salida normal; la otra, Q , es el complemento de la salida Q, y se denomina salida complementaria; tambin se abrevia como Q. En condiciones de operacin normal, estas salidas son siempre complementarias, cuando Q  1, Q  0
y viceversa.
De la figura 4.47 a) podemos observar una retroalimentacin de la salida de una compuerta NAND a la entrada
de la otra. Igual que con las compuertas lgicas, una tabla de verdad define la operacin del flipflop, como se ilustra
en la figura 4.47 c). La primera lnea de la tabla de verdad es el estado prohibido; es decir, el estado en el que ambas
salidas estn en 1. Esta condicin no se utiliza en el flipflopRS porque no est permitida. A la lnea 2 de la tabla de verdad se le conoce como set (S); bajo esta condicin, un nivel lgico 0 activa la entrada S y establece la salida Q en 1, como
lo muestra la tabla. La condicin de set se puede comprobar analizando la compuerta NAND de la figura 4.47 a). Un
nivel lgico 0 en la compuerta 1 produce un 1 en la salida Q; este 1 lgico se retroalimenta a la compuerta 2, la cual
ahora tiene dos 1 aplicados en sus entradas, lo que fuerza que su salida, Q, sea 0 lgico. La lnea 3 de la tabla de verdad
es la condicin de reset (R). Un nivel lgico 0 en la entrada de reset borra o pone en 0 lgico la salida Q. La cuarta lnea
de la tabla de verdad es la condicin inhabilitacin o mantenimiento del flipflopRS. En esta condicin, las salidas permanecen como estaban, en otras palabras, no hay cambio en las salidas.
A este tipo de flipflopRS se denomina asncrono, debido a que no opera en sincronizacin con un reloj o con un
sistema de temporizacin. Cuando se activa una entrada, por ejemplo reset, inmediatamente se activar su salida normal Q, como es el caso de los circuitos con compuertas. Sin embargo, existe un diseo de flipflopRS al cual se le aade
la caracterstica de sincronismo. Este tipo de flipflopRS opera con un reloj o con dispositivo de temporizacin, es decir,
opera sncronamente.
=c`g$]cfgIJ
J

Df[f[\
fg\iXZ`e

H
J\k

H
==

<ekiX[Xj
I\j\k
)

I
X

EfidXc

H

:fdgc\d\ekXi`X

H

<ekiX[Xj

JXc`[Xj

Gif_`Y`[f

'

'

J\k

'

'

I\j\k

'

'

DXek\e`d`\ekf

efZXdY`X

=`^liX+%+. =c`g$]cfgY}j`Zfk`gfIJ%X :fe\o`elk`c`qXe[fZfdgl\ikXjE8E;%


Y JdYfcfc^`Zf%Z KXYcX[\m\i[X[%

La implementacin del flipflopRS sncrono se lleva a cabo aadiendo dos compuertas NAND a la entrada del
circuito original asncrono, como se muestra en la figura 4.48 a). Estas compuertas, 3 y 4, tienen un efecto inversor en
las entradas set (S) y reset (R), por lo que ahora estas entradas se activan con un nivel lgico 1 o alto. Las figuras 4.48
b) y 4.48 c) ilustran el smbolo lgico y la tabla de verdad, respectivamente, del flipflopRS sncrono.
A partir de la tabla de verdad del flipflop sncrono, es posible describir su funcionamiento; el modo de mantenimiento se indica en la lnea 1 de la tabla de verdad. Cuando un pulso de reloj llega a la entrada CK, con las entradas R
y S en 0, las salidas no cambian, permanecen en el estado lgico que tenan antes de la llegada del pulso de reloj. La
lnea 2 corresponde al modo de reset, en el cual la salida normal, Q, se borrar (es decir, se pondr en 0) cuando un
nivel lgico 1 active la entrada R y un pulso de reloj active la entrada de reloj CK. Al encontrarse las entradas R  1 y
S  0, la salida normal, Q, inmediatamente se borrar; esto es, Q  0. Sin embargo, esto suceder hasta que la entrada
de reloj pase de un nivel lgico 0 a un nivel lgico 1. Expuesto lo anterior, es posible observar que el flipflop opera en
sincrona con el reloj. La lnea 3 de la tabla, por su parte, describe el modo set del flipflop. Teniendo la entrada R en 0

grupo editorial patria

185

4 La maravillosa electrnica digital

J\k

:B

<ekiX[Xj I\cfa
)

JXc`[Xj

:B
I

I\j\k
H

Y
<ekiX[Xj

Df[f[\
fg\iXZ`e

:B

JXc`[Xj

DXek\e`d`\ekf

'

'

efZXdY`X

I\j\k

'

'

J\k

'

'

Gif_`Y`[f

=`^liX+%+/ =c`g$]cfgjeZifefIJ%X @dgc\d\ekXZ`eljXe[fZfdgl\ikXjE8E;%


Y JdYfcfc^`Zf%Z KXYcX[\m\i[X[%

y activando la entrada S con un 1 lgico, la salida normal, Q, se establecer en 1 hasta que se tenga un pulso de reloj de
0 lgico a 1 lgico en la entrada CK. La lnea 4 de la tabla de verdad es aquella que se denomina como prohibida, debido a que no se utiliza, ya que establece ambas salidas en un nivel lgico 1.
Las formas de onda o diagramas de tiempo se emplean con mucha frecuencia, debido a que estas resultan muy
tiles para trabajar con flipflops y circuitos lgicos secuenciales, en especial con circuitos sncronos. La figura 4.49
muestra un diagrama de tiempos de un flipflop sncrono tipo RS. En este diagrama se muestran las entradas CK, S y R
en la parte superior y las salidas Q y Q en la parte inferior.

CK
Entradas

5
e

1
0
1
0
1

R
Q

0
1
0
1

Salidas
Q

=`^liX+%+0 ;`X^iXdX[\k`\dgfjgXiXle]$]jeZifefk`gfIJ%
Ahora, vamos a analizar la figura 4.49 empezando por el lado izquierdo; cuando llega el pulso de reloj (CK) 1, las
salidas normal y complementaria no cambian, es decir Q  0 y Q 1, porque las entradas S y R se encuentran en estado de mantenimiento o sin cambio. En el punto a, la entrada S  1 y R permanece en 0; por tanto, cuando llega el
pulso de reloj 2, la salida normal Q  1 y Q  0. Aqu es importante poner atencin a que, aun cuando S  1, las salidas
tienen que esperar a que llegue la transicin del pulso de reloj 2 de 0 a 1, para que las salidas cambien. Un tiempo
despus, la entrada S se hace 0 otra vez, de tal forma que cuando llega el pulso 3, las salidas no cambian por estar en el

186

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

estado de mantenimiento. Posteriormente, la entrada R se hace 1, de tal manera que las salida cambian, ahora Q  0 y
Q  1. Durante los pulsos de reloj 5 y 6 es posible observar que llega un momento en que las dos entradas, S y R, son 1,
estado que se considera como el estado prohibido. En este caso, es aceptable que las salidas sean 1, porque durante este
tiempo el pulso de reloj se encuentra en estado bajo y el f-f no se activa.
Uno de los flipflops ms populares es el tipo D. Este puede derivarse de un flipflopRS, solo que aadindole un
inversor, como se muestra en la figura 4.50 a). El f-f tipo D solo tiene una entrada de datos, D, y una entrada de reloj,
CK. La salidas continan siendo Q y Q, como se ilustra en la figura 4.50 b).

Dato
Reloj

S FF Q
CK

R
Q

Entradas

Dato
Reloj

D FF Q
CK

a)

Salidas

b)

=`^liX+%,' X :fejkilZZ`e[\le]c`g]cfgk`gf;XgXik`i[\le]$]k`gfIJ%Y JdYfcfc^`Zf[\le]$]k`gf;%


Con frecuencia, al flipflopD tambin se le llama flipflop de retardo (Delay). Como su nombre lo indica, cualquiera que sea el dato de entrada, D, este aparecer en la salida normal, Q, retardado un pulso de reloj. Entonces, el dato es
transferido a la salida, durante la transicin de 0 a 1 del pulso de reloj.
Un flipflop tipo D comercial es el CI de la familia TTL, denominado 7474. El smbolo lgico de este CI y su tabla
de verdad se muestran en la figura 4.51.

Modo
de
operacin

Preset
(set)
Dato
Reloj

PR
D FF Q
CK

(7474) Q
CLR

Borrado
(reset)

Set asncrono
Reset asncrono
Prohibido
Set
Reset

Asncronas
PR
CLR
0
1
1
0
0
0
1
1
1
1

Entradas
Sncronas
CK
X
X
X
k
k

Salidas
D
X
X
X
1
0

Q
1
0
1
1
0

Q
0
1
1
0
1

0 = BAJO, 1 = ALTO, X = irrelevante, k = Transicin BAJA=ALTA del pulso de reloj


a)

b)

=`^liX+%,( =c`g]cfgZfd\iZ`Xc.+.+%X JdYfcfc^`Zf%Y KXYcX[\m\i[X[%


Como se puede observar en la figura 4.51, hay dos seales de control adicionales llamadas Preset (PR) y Clear
(CLR), respectivamente. Estas seales son entradas de control asncronas activadas con 0 lgicos que determinan el
valor de las salidas. Analizando la tabla de verdad, podemos observar que cuando PR  0 y CLR  1, la salida normal
Q 1 y Q 0. Por el contrario, cuando PR  1 y CLR  0, se borra el valor de la salida normal, esto es, Q  0 y Q 1.
La lnea 3 de la tabla de verdad indica la entrada asncrona prohibida, PR  0 y CLR 0. Mientras que las X significan
que estas entradas son irrelevantes porque las seales asncronas las anulan.
Las entradas PR y CLR se deshabilitan cuando son 1 lgicos; en ese momento, se activan las entradas sncronas.
La lnea 4 muestra un 1 en la entrada de datos D y un pulso de reloj, representado por una flecha apuntando hacia
arriba en la entrada CK. El 1 de la entrada D se transfiere a la salida Q durante el pulso de reloj. La lnea 5 muestra que
D  0, por lo que este valor se transferir a la salida Q, durante la transicin de 0 a 1 de la entrada CK.
Los flipflopsD se utilizan con mucha frecuencia para almacenar datos; por esa razn, algunas veces se les llama
flipflop de datos. El pequeo smbolo >, en la entrada CK de la figura 4.51 a), indica que la activacin o el disparo de
reloj es por flanco; en este caso, durante la transicin de 0 a 1. La ausencia de este smbolo en la entrada de reloj indica que el disparo es por nivel, como se muestra en la figura 4.50 b). En los flipflops activados por nivel, un cierto nivel

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187

4 La maravillosa electrnica digital

de voltaje hace que el dato de entrada D se transfiera a la salida Q. El inconveniente con los dispositivos activados por
nivel es que la salida sigue a la entrada, mientras el pulso de reloj se encuentra en nivel lgico 1. Este tipo de disparo
podra ser un problema si el dato de entrada cambia mientras la entrada de reloj est en 1.
Otro tipo comn de flipflop es el denominado JK. El smbolo lgico y la tabla de verdad de este flipflop se ilustran
en las figuras 4.52 a) y 4.52 b), respectivamente. Al flipflopJK tambin se le conoce como flipflop universal porque a
partir de este se puede formar el flipflopD, exactamente en la manera en que se form a partir del flipflopRS, es decir
aadiendo un inversor, como se ilustra en la figura 4.52 c); tambin se le llama universal porque puede construirse otro
tipo de flipflop llamado tipo T (toggle), que se ilustra en la figura 4.52 d).

J FF Q
CK

Q
K

J
Entradas Reloj
K

D
Reloj

Salidas

J FF Q
CK

K
Q

Dato
= Reloj

a)
Modo
de
operacin

c)

Entradas
CK

Mantenimiento
Reset
Set
Conmutacin

D FF Q
CK

Salidas

0
0
1
1

0
1
0
1

no cambia
0
1
1
0
estado
opuesto

1 lgico
Reloj

J FF Q
CK

K
Q

= Reloj

b)

FF Q

d)

=`^liX+%,) =c`g]cfgk`gfAB%X JdYfcfc^`Zf%Y KXYcX[\m\i[X[%Z =c`g]cfgk`gf;[\i`mX[f[\c]c`g]cfgAB%


[ =c`g]cfgk`gfK[\i`mX[f[\c]c`g]cfgAB%

La lnea 4 de la tabla de verdad del flipflop JK muestra una condicin muy til. Cuando las entradas J y K son
1 lgicos, la salida cambia cada vez que llega un pulso a la entrada de reloj CK, a lo cual se le denomina estado de conmutacin (toggle). Repitiendo los pulsos en la entrada CK, la salida cambiara de 0 a 1 a 0 a 1 a 0 a 1, etctera. Esta idea
de cambio en la salida de 0-1-0-1-0-1 es a lo que se le llama conmutacin. El trmino proviene de la naturaleza del
interruptor de conmutacin cerrado-abierto (on-off ). De esta manera, si las entradas JK se hacen 1 lgicos, ser
posible obtener un flipflop tipo T, como se observa en la figura 4.52 b), y si las entradas JK se hacen 0 lgicos, su salida
no cambiara.
En trminos generales, el principio de funcionamiento de todos los flipflops es el mismo. No obstante, por su facilidad, el uso del flipflop tipo D es muy extendido. Esta es la razn por la que consideramos el flipflop D para describir
algunos parmetros importantes de los flipflops, como:
a) La frecuencia mxima de reloj (fMX).
b) Los tiempos de set up (tsu) y de hold (th).
La frecuencia mxima de reloj, fMX, es la frecuencia ms alta con la cual se puede disparar un flipflop de manera confiable. Cuando la frecuencia del reloj, en la entrada CK, sobrepasa el valor de fMX, el flipflop es incapaz de responder lo suficientemente rpido y su operacin podra ser errtica.
El tiempo de set up, tsu, es el intervalo mnimo que las entradas de un flipflop (JK, RS, To D) requieren ser mantenidas constantes, sin cambio, antes de que llegue el disparo del pulso de reloj en la entrada CK. La figura 4.53 a) muestra el tiempo tsu para un flipflop tipo D. Por otro lado, el tiempo de hold, th, es el tiempo mnimo quelas entradas de
control del flipflop requieren ser mantenidas constantes despus de que llega el disparo del pulso de reloj, tal como
se ilustra en la figura 4.53 b). Ambos tiempos deben cumplirse a fin de garantizar el almacenamiento del dato.
Los tiempos de set up y de hold son relativamente pequeos; por ejemplo, para un flipflop 74HCT74 estos tiempos son de 18 ns y 3 ns, respectivamente. Los tiempos se miden considerando 50% de la transicin de disparo de reloj
y de la entrada D, ya sea de 0 a 1 (bajo a alto) o 1 a 0 (alto a bajo). La frecuencia mxima del pulso de reloj, fMX, para
este flipflop es de 18 MHz.

188

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

50% del punto de transicin del disparo

50% del punto

50% del punto

CK

50% del punto

CK

Tiempo de set up (tm)

Tiempo de hold (tm)


a)

b)

=`^liX+%,* K`\dgfj[\j\klgp_fc[[\le]c`g]cfgk`gf;%X K`\dgfkjl%Y K`\dgfk_%

Memorias SRAM
La memoria SRAM es ms rpida y, por lo general, con un menor consumo de potencia que la memoria DRAM. Debido a su estructura interna, esta es menos densa que la DRAM y, por tanto, ms cara y menos utilizada cuando se
requiere una capacidad grande de datos; por ejemplo, como en la memoria principal de las computadoras personales.
Sin embargo, debido a que no necesita un circuito de refresco su interfaz es sencilla.
Las SRAM se utilizan en sistemas embebidos o sistemas de aplicacin especfica, las cuales pueden ser tanto cientficas como industriales. Por consiguiente, las SRAM en forma de CI son un componente importante en sistemas
basados en microcontroladores. Una memoria tpica para estas aplicaciones es la SRAM de 32 kilobytes HM62256, de
Hitachi. La figura 4.54 a) ilustra el diagrama a bloques de una SRAM de este tipo.
VCC
15

A0-A14

CS

Q0-Q7

SRAM

CS

WE

OE

Modo
CI no
seleccionado

Salida
deshabilitada

Lectura

Escritura

WE

OE

Q0-Q7
Alta
impedancia
(Z)
Alta
impedancia
(Z)
Salida
de datos
Entrada
de datos

Ciclo
------Ciclo de
lectura
Ciclo de
escritura

VSS
a)

b)

=`^liX+%,+ ;`X^iXdXXYcfhl\j[\leXd\dfi`XJI8D[\*)b`cfYpk\j%
Del diagrama a bloques de la figura 4.54 a) es posible apreciar las terminales de alimentacin VCC y VSS (tierra);
adems, tambin se puede ver que esta memoria tiene 15 lneas de direcciones (A0-A14), lo cual le permite seleccionar
de manera aleatoria los 32 768 bytes (215).
Como esta memoria es de lectura y escritura, se requiere una habilitacin general del CI CI, denominada, CS CS
(Chip Select), y dos seales de control, una para la escritura de datos, WE WE, y otra para la lectura de datos, OE OE,
como se aprecia en la tabla de verdad de la figura 4.54 b).
De la tabla de verdad, se observa que cuando la seal de control CS CS  1, las terminales de salida Q0-Q7 se van
a un estado denominado de alta impedancia, Z, en el cual el consumo de energa de la memoria por lo general se reduce. En la siguiente seccin se describe la operacin de los dispositivos que tienen este estado. Por lo pronto, es suficiente entender que el estado de alta impedancia produce que las salidas vayan a una condicin ideal de circuito
abierto, aunque en realidad es una impedancia, Z, muy alta.

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189

4 La maravillosa electrnica digital

La temporizacin de las seales de control, CS CS, WE WE y OE OE, y las seales de direcciones (A0-A14) y datos
(Q0-Q7) son muy importantes para la realizacin de la interconexin de este tipo de memorias SRAM. Al igual que
con las memorias ROM, un parmetro muy importante de la memoria RAM es el tiempo de acceso (tACC). Este tiempo se analizar con detalle cuando se estudie la interconexin de las memorias SRAM con los microprocesadores y/o
microcontroladores. Sin embargo, podemos definir al tACC como el intervalo de tiempo que toma a la memoria RAM
completar un acceso de lectura o escritura y empezar otro. Por lo general, las memorias SRAM tienen tiempos de
acceso menores que las DRAM. Por ejemplo, una DRAM puede tener tiempos de acceso de 50 a 150 nanosegundos,
mientras que las SRAM pueden tener tiempos de acceso menores a los 50 nanosegundos.

Dispositivos de tercer estado y latches


Dispositivos de tercer estado
Existe un par de dispositivos lgicos de una entrada llamados buffer digital no inversor y buffer de tres estados,
respectivamente. La caracterstica del buffer digital no inversor es que no realiza ningn tipo de operacin lgica,
puesto que su salida es exactamente igual que su entrada. En otras palabras, su salida iguala a su entrada; por tanto, su
expresin booleana es A  Q, donde A es la entrada y Q es la salida. La figura 4.55 muestra el smbolo y la tabla de
verdad de este dispositivo digital.

0
1

0
1

a)

b)

=`^liX+%,, 9l]]\i[\ki\j\jkX[fj%X JdYfcfc^`Zf%Y KXYcX[\m\i[X[%


Este buffer digital tambin puede construirse usando dos compuertas inversoras, como se ilustra en la figura 4.56;
la primera compuerta invierte la seal de entrada A y la segunda compuerta invierte, otra vez, la seal, regresando a la
seal A al nivel original de entrada.

Q=A

=`^liX+%,- 9l]]\i[\ki\j\jkX[fjZfejkil`[fXgXik`i[\[fjZfdgl\ikXj`em\ijfiXj%
En este punto, quiz usted est pensando: qu caso tiene usar un buffer digital no inversor, si ste no altera la
seal de entrada de ninguna manera y no realiza ninguna operacin lgica como cualquier otra compuerta? Y podramos continuar pensando, este buffer tiene el mismo efecto digital que conectar un simple alambre, lo cual en cierta
forma es correcto. No obstante, el buffer digital tiene muchos usos en circuitos electrnicos digitales, ya que se puede
usar para aislar, uno del otro, compuertas o dispositivos digitales. Tambin puede usarse para manejar corrientes de
carga altas, como transistores, debido a que su capacidad de manejo de corriente de salida es mayor que sus requerimientos de entrada; en otras palabras, su abanico de salida es alto.
El abanico de salida es un parmetro de todas las compuertas lgicas; se puede definir como: la capacidad de
corriente que tiene la salida de una compuerta. Este parmetro nos permite determinar el nmero de compuertas
lgicas que pueden conectarse a la salida de una compuerta, o para conmutar una carga de corriente relativamente
alta, como un LED. Por ejemplo, el abanico de salida de una compuerta 74HC04 es de 14, mientras que el de un buffer
de tercer estado es de 50. Por consiguiente, con el buffer digital se podran conectar varias compuertas o encender o
apagar un LED. La figura 4.57 muestra un ejemplo del abanico de salida de un buffer de tercer estado.

190

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

/Ent
A

/Ent

/Ent

Abanico de salida = 3

Buffer

=`^liX+%,. 9l]]\i[\k\iZ\i\jkX[fZfe\ZkX[fXki\jZfdgl\ikXj[`^`kXc\j%
Si bien se entiende que el buffer digital amplifica la capacidad de corriente de un dispositivo digital, seguramente an se estar preguntando: qu hace entonces el buffer de tercer estado? El buffer de tercer estado puede pensarse
como un interruptor que tiene una entrada digital de control, el cual permite cerrar o abrir electrnicamente los contactos de dicho interruptor.
La seal de control o habilitacin del buffer de tercer estado puede ser un 1 lgico o un 0 lgico, como se muestra
en la figura 4.58 a) y 4.58 b), respectivamente. Si la seal de control del buffer de la figura 4.58 a) se habilita con 1 lgico, entonces se permitir que su salida opere normalmente, es decir, la salida puede ser un 0 lgico o un 1 lgico,
dependiendo de su entrada, como se puede apreciar en su tabla de verdad, A  Q. Sin embargo, cuando la seal de
habilitacin se establece en 0 lgico, el dispositivo se deshabilita y su salida se apaga, produciendo una condicin
de circuito abierto, que en realidad es una impedancia muy alta (Alta-Z). Esta condicin de alta impedancia no es
0 lgico ni 1 lgico. Por tanto, podemos decir que el buffer de tercer estado tiene dos entradas lgicas, un 0 o un 1,
pero puede producir tres estados diferentes en su salida, 0, 1 y Alta-Z; precisamente esa es la razn por la que se
le llama de tercer estado.

Habilitacin

Entrada

Habilitacin

1
1
0
0

0
1
0
1

0
1
Alta-Z
Alta-Z

Habilitacin

0
0
1
1

0
1
0
1

0
1
Alta-Z
Alta-Z

Salida

a)

Habilitacin
Entrada

Salida

b)

=`^liX+%,/ 9l]]\i[\k\iZ\i\jkX[fpjlkXYcX[\m\i[X[%X 9l]]\iXZk`mfXckf%Y 9l]]\iXZk`mfYXaf%


Los buffers de tercer estado son muy usados en muchos sistemas digitales y, particularmente, en circuitos basados
en microprocesadores o microcontroladores. Ello se debe a que los buffers permiten conectar mltiples dispositivos digitales a un mismo alambre, tambin llamado bus, sin ocasionar dao o prdida de informacin.
Por ejemplo, si se tiene un alambre o bus de datos conectado a varios dispositivos, como pueden ser memorias,
perifricos o microprocesadores, cada uno de estos dispositivos es capaz de enviar o recibir informacin usando ese
mismo alambre o bus. Si estos dispositivos empiezan a enviar y recibir datos al mismo tiempo, entonces podra ocurrir

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191

4 La maravillosa electrnica digital

una condicin de corto circuito cuando un dispositivo enva al bus un 1 lgico (voltaje de la alimentacin), mientras
que otro dispositivo enva un 0 lgico (tierra). Esta condicin puede causar posible dao en los dispositivos o prdida
de datos. En estas circunstancias, el buffer de tres estados es el componente digital adecuado para aislar estos dispositivos digitales, entre ellos y con el bus de datos.
Si las entradas de habilitacin de varios buffers de tercer estado se conectan a las salidas de un decodificador,
entonces nicamente se podra habilitar un dispositivo de tercer estado a la vez. Cuando se habilita un buffer, el resto
de los buffers se encuentra en su estado de alta impedancia. Un ejemplo de cuatro buffers de tercer estado conectados
a un alambre comn o bus se muestra en la figura 4.59.
Habilitacin 0

Habilitacin 1

Habilitacin 2

Habilitacin 3

Dato 0

Dato 1

Dato 2

Dato 3

Lnea de datos comn (bus de datos)

=`^liX+%,0 :fe\o`e[\ZlXkifYl]]\ij[\k\iZ\i\jkX[fZfe\ZkX[fjXleXce\X[\[XkfjZfde%
Comercialmente se encuentran disponibles, en CI, buffers de tercer estado TTL o CMOS. Uno de estos CI, es el
buffer de ocho elementos (ctuple) 74HC244, el cual tiene dos entradas de control que se habilitan con 0 lgicos, como
se ilustra en la figura 4.60.
VCC

CB

Q1

A8

Q2

A7

Q3

A6

Q4

A5

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

CA

A1

Q8

A2

Q7

A3

Q6

A4

Q5

GND

=`^liX+%-' 9l]]\i[\k\iZ\i\jkX[f\e:@.+?:)++%
Las seales de control del buffer 74HC244 habilitan de manera independiente a dos grupos de 4 buffers. Si se
requiere habilitar los 8 buffers al mismo tiempo, como puede ocurrir en muchas aplicaciones de microprocesadores,
solo es necesario unir las dos entradas de control, CA y CB, de la figura 4.60.

La magia del tercer estado de los buffers


La pregunta obligada con respecto al buffer de tercer estado es saber de dnde proviene su estado de alta impedancia.
Para esto, primero vamos a explicar cmo se obtiene un 1 lgico y 0 lgico en una compuerta NAND. Como se recordar, al inicio de este captulo, se dijo que, de manera simple, podemos crear una compuerta NAND usando una
compuerta AND y un inversor, como se muestra en la figura 4.61 a); sin embargo, aprovechando al mximo las posibilidades que ofrece la alta integracin de transistores sobre un sustrato nico de material semiconductor, al diseo de
la compuerta NAND se le aade una etapa de salida amplificadora de corriente compuesta por dos transistores, en

192

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

+5 V

VCC

4K

1K6

130
T1

a+b
a
b

a
b

a+b

T
T2
1K

=`^liX+%-( X :fdgl\ikXE8E;j`dgc\%Y :fdgl\ikXE8E;d\afiX[XZfejXc`[Xglj_glcc%


Z KiXej`jkfidlck`\d`jfiXeXc`qX[fZfejl\hl`mXc\ek\\e[`f[fj%

una configuracin denominada push-pull, y se usa un transistor multiemisor en su entrada, como se muestra en la
figura 4.61 b).
La etapa de salida de dos transistores NPN, llamada totem pole, aumenta la corriente suministrable y, por ende,
disminuye la resistencia de salida. El transistor multiemisor de entrada mejora considerablemente la conmutacin de
la puerta, y su comportamiento puede ser analizado en trminos de diodos, como se muestra en la figura 4.61 c).
El funcionamiento de la compuerta NAND que se ilustra en la figura 4.61 b) se basa en el sentido en que circula
la corriente que recibe la base del transistor multiemisordes de la resistencia de 4K. Si dicha corriente va hacia afuera,
es decir, si alguna de las entradas est conectada a 0 lgico, el transistor T se encontrar en corte, estableciendo a su
vez en corte al transistor T2, mientras que el transistor T1 entrar en estado de saturacin; en consecuencia, se tendr
un 1 lgico a la salida. Cuando las dos entradas se encuentran en 1 lgico, dicha corriente circula hacia adentro, hacia
la base del transistor T, el cual se satura y lleva tambin a saturacin al transistor T2, mientras T1 se va al estado de corte, por lo que se establece la salida a 0 lgico.16 En otras palabras, cuando un T1 se enciende, T2 se apaga y viceversa.
Para un buffer de tercer estado, el estado de alta impedancia se basa en apagar simultneamente los dos transistores de la salida Totem pole cuando se active la entrada de control. La figura 4.62 muestra un buffer de tercer estado
TTL con la entrada de habilitacin en 0 lgico; es decir, el buffer estar en alta impedancia cuando dicha entrada se
ponga en 1 lgico.
De la figura 4.62 observamos que cuando la entrada de habilitacin B2se establece en 1 lgico, hace que el transistor T5 entre en estado de corte; por tanto, la corriente base colector de T5 satura los transistores T6 y T7. El diodo D1
R1

R5

R7
T3

A2

T2

T1

D1

D2

C2 = A2

T4
R2
B2

R3
T5

R6
T6
T7
R4

=`^liX+%-) 9l]]\i[\k\iZ\i\jkX[f%
16

Un 0 lgico en una entrada supone una corriente hacia afuera, de forma que una entrada TTL que se deje sin conexin (al aire)
equivale a un 1 lgico, exceptuando los efectos de ruido.

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193

4 La maravillosa electrnica digital

conduce, lo cual produce que los transistores de salida del circuito se corten debido al potencial bajo en el emisor de
T1 y del colector de T2. La conduccin de T1 bloquea a T2, y produce que T4 no reciba corriente en la base, por lo que
entra a estado de corte. Por otro lado, el colector del transistor T2 queda a un potencial muy cercano a tierra, llevando
a T3 a corte.

Latches tipo D
Algunas veces los trminos flipflop y latch se usan como sinnimos, ya que su funcionamiento es muy similar; no
obstante, hay una diferencia. Por ejemplo, se dice que un latch tipo Des transparente (permite el paso de su entrada D)
cuando su entrada de reloj CLK es un 1 lgico, y cuando CLK es 0 lgico se dice que es opaco o que retiene el dato que
se encontraba en la entrada D. Por otro lado, un flipflop permite el paso de su entrada D (es transparente) durante un
breve intervalo, esto es, durante la transicin de 0 lgico a 1 lgico.
Como sabemos, los flipflops o latches pueden usarse para formar celdas de memoria. Un grupo paralelo de estos
dispositivos forma lo que se denomina un registro. La terminal de reloj, CK, de todos los latches o flipflops se une, de
tal manera que se puede almacenar una palabra de diferentes bits cuando se aplique una transicin de reloj a sus entradas CK. Un dispositivo de esta naturaleza muy usado en sistemas digitales es el latch D 74HC573, del que la figura
4.63 muestra su smbolo y su diagrama lgico.
D0

2
3
4
5
6
7
8
9

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

OE

Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7

19
18
17
16
15
14
13
12

D1

D Q
LATCH
1

LE

D2

D Q
LATCH
2

LE

D3

D Q
LATCH
3

LE

D4

D Q
LATCH
4

LE

D5

D Q
LATCH
5

LE

D6

D Q
LATCH
6

LE

D7

D Q
LATCH
7

LE

D Q
LATCH
8

LE

LE

OE

LE
11 mna807

Q0

Q1

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

=`^liX+%-* JdYfcfp[`X^iXdXc^`Zf[\lecXkZ_fZkXck`gf;.+?:,.*%
El 74HC573 es un CI compuesto por 8 latches tipo D y 8 buffers de tercer estado que corresponden a la salida de
cada latch, tal como se aprecia en el diagrama lgico de la figura 4.63. La entrada de habilitacin del latch, LE, y la entrada de habilitacin de la salida, /OE, son comunes para todos los latches. Por su parte, la figura 4.64 muestra la tabla
de verdad del latch 74HC573.

/OE

LE

Dn

Salida
interna
del latch

Entradas de control

Entrada

Modo de operacin
Habilitacin y lectura de
registro (modo transparente)
Latch y lectura de registro
Registro latch y salidas
deshabilitadas

Salida
Qn

=`^liX+%-+ KXYcX[\m\i[X[[\ccXkZ_.+?:,.*%
Cuando la entrada de control, LE, es 1 lgico, los datos en las entradas Dn se introducen en los latches (modo
transparente); esto es, la salida del latch cambiar cada vez que cambie su entrada D. Cuando LE es 0 lgico, los latches

194

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

almacenarn los datos que estaban presentes en las entradas D, considerando el tiempo de set up que precedi a la
transicin de 1 a 0 lgico. Cuando la seal de control /OE es un 0 lgico, el contenido de los latches estar disponible
en las salidas. Pero, cuando /OE se establezca en 1 lgico, las salidas irn al estado de alta impedancia. En la tabla de
verdad podemos observar que la operacin de la entrada /OE no afecta el estado de los latches.
Los latches 74HC573 son funcionalmente idnticos a los latches 74HC373 y 74HC563. Estos dispositivos son muy
tiles como puertos de entrada o salida de sistemas basados en microprocesadores o microcontroladores, debido a que
contienen buffers de tercer estado que los hace ideales para aplicaciones orientadas a buses.

Usar alambres para representar nmeros


Los sistemas digitales, en general, y los sistemas basados en microprocesadores, en particular, procesan elementos discretos de informacin; por esta razn, es preferible usar el sistema numrico binario, el cual emplea solo dos dgitos:
el 1 y el 0. El procesamiento de estos nmeros dentro de un sistema basado en un microprocesador tiene que mapearse a sistemas f sicos de compuertas lgicas y alambres. Por ejemplo, un alambre puede usarse para representar
dos valores binarios, 0 y 1, esto es 21  2; dos alambres pueden usarse para representar cuatro valores binarios distintos, 002 012 102 112, esto es 22  2 r 2  4; tres alambres pueden usarse para representar 8 valores binarios distintos,
0002 0012 0102 0112 1002 1012 1102 1112, esto es 23  2 r 2 r 2  8, y as sucesivamente.
El trmino bus se usa para representar un grupo de seales que transmiten informacin binaria. En sistemas basados en microprocesadores, un bus (llamado bus de datos), como su nombre lo indica, se usa para transportar informacin digital.
Para los propsitos de este apartado, vamos a asumir que tenemos un bus de datos de 8 alambres, los cuales deseamos usar para transportar datos binarios. En este caso, esos ocho alambres pueden representar de la siguiente
manera: 28  2 r 2 r 2 r 2 r 2 r 2 r 2 r 2  256 combinaciones posibles de 0 y 1 lgicos. Si se desea usar estas diferentes configuraciones para representar nmeros, se podran representar valores decimales en el rango de 0 a 255, como
se muestra en la figura 4.65.
27 = Columna de 128s (MSB)
26 = Columna de 64s
25 = Columna de 32s
24 = Columna de 16s
23 = Columna de 8s
22 = Columna de 4s
21 = Columna de 2s
20 = Columna de 1s (LSB)

Ocho
alambres
0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

0
0
0
0
0

1 1 1 1
1 1 1 1
1 1 1 1

0
0
0
0
0

0
0
0
0
1

1 1
1 1
1 1

0
0
1
1
0

0
1
0
1
0

0 1
1 0
1 1

...
...
...
...
...
:
...
...
...

(0)
(1)
(2)
(3)
(4)
(253)
(254)
(255)

=`^liX+%-, FZ_fXcXdYi\jljX[fjgXiXi\gi\j\ekXied\ifjY`eXi`fjj`ej`^ef%
En cualquier sistema de numeracin es comn escribir el dgito ms significativo a la izquierda y el menos significativo a la derecha. De manera similar, el dgito binario ms significativo, al cual se le conoce como el bit ms significativo (MSB), se encuentra a la izquierda del nmero binario, mientras que el menos significativo (LSB) se encuentra
a la derecha.

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195

4 La maravillosa electrnica digital

Como sabemos del apartado de sistemas de numeracin, que se desarroll al inicio de este captulo, los humanos
somos buenos con representaciones simblicas, como palabras y nmeros, pero tenemos dificultades al tratar con
cantidades grandes de 1 y 0. Por ejemplo, es ms fcil entender el nmero 253 que su contraparte binaria 111111012.
Desafortunadamente, cambiar de binario a decimal es un poco engorroso; razn por la que en la actualidad predomina el sistema numrico hexadecimal; como ya se dijo, dicho sistema requiere nicamente 16 smbolos, y cada dgito
hexadecimal puede convertirse directamente a cuatro bits.
Una confusin que por lo general ocurre al utilizar representaciones binarias y hexadecimales es que estamos
acostumbrados a iniciar contando desde el nmero 1, mientras que en los sistemas digitales se acostumbra a iniciar
desde el nmero 0.17 Por ejemplo, en la figura 4.65 usamos 8 alambres para representar 28  256 diferentes combinaciones de 0 y 1. Sin embargo, su representacin en binario, y por ende en hexadecimal, no termina en el nmero 256
en decimal, sino que cubre desde 0 hasta 255. El 0 corresponde a todos los dgitos binarios del nmero iguales a 0 y el
nmero mximo a todos los dgitos binarios iguales a 1.
Cada vez que aumentamos un alambre, duplicamos la cantidad de diferentes combinaciones, como se muestra en
la figura 4.66.
Exponente que
indica el nmero
de alambres

Combinaciones en decimal
contando a partir del 0

28

255

1111 1111

FF

29

511

1 1111 1111

1FF

210

1023

11 1111 1111

3FF

11

2047

111 1111 1111

7FF

212

4095

1111 1111 1111

FFF

213

8191

1 1111 1111 1111

1FFF

Combinaciones
en binario

Combinaciones
en hexadecimal

14

16383

11 1111 1111 1111

3FFF

215

32767

111 1111 1111 1111

7FFF

216

65535

1111 1111 1111 1111

FFFF

=`^liX+%-- I\gi\j\ekXZ`e\e[\Z`dXc#Y`eXi`fp_\oX[\Z`dXci\cXZ`feX[XZfe\ced\if[\XcXdYi\j%
La representacin de alambres para obtener diferentes combinaciones de nmeros es muy usada en los buses de
direcciones, ya que determina la capacidad de direccionamiento de los microprocesadores. Pero nos estamos adelantando, esto lo veremos en el captulo siguiente.

Mquinas de estado y dispositivos lgicos programables


Mquinas de estado
Todos los componentes digitales, desde la compuerta ms simple hasta la supercomputadora ms poderosa con el
procesador ms mega-cool, se basan en los componentes lgicos ms simples construidos con muchsimos transistores. En estos sistemas complejos, existe un dispositivo intermedio que es importante mencionar, conocido como
mquina de estado. Las mquinas de estado se encuentran entre la lgica discreta y los microprocesadores. Las mquinas de estado usualmente funcionan en sincrona con un reloj, tienen memoria y la mayora de los componentes que
tiene un microprocesador. Sin embargo, no requieren todos los elementos de un microprocesador para operar.
Como lo indica su nombre, la salida de una mquina de estado es funcin del estado de sus entradas en cualquier
momento. Con frecuencia se usa una entrada de reloj para determinar el momento en que las entradas deben ser evaluadas. Los flipflops se usan para almacenar informacin. Los flipflops reflejan el estado de las entradas en el momento
17

Esta es la razn principal por la que este libro inici con el captulo 0.

196

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4 La maravillosa electrnica digital

en que la entrada de reloj est presente. De esta manera, las condiciones usadas para la evaluacin de datos digitales
pueden ser almacenadas en memoria. Dicha evaluacin se realiza en la transicin positiva, negativa o permanente de
la entrada de reloj. Esto hace que la temporizacin de la seal sea un parmetro muy significativo. La importancia de la
temporizacin la describiremos cuando exploremos a los microprocesadores y microcontroladores, los cuales son
mquinas de estado con un grupo definido de instrucciones, aunque otra vez nos estamos adelantando.
Debido al bajo costo de los microcontroladores, algunos diseadores digitales consideran que la implementacin
pura de mquinas de estado se encuentra en proceso de extincin. Cuando se llegan a utilizar las mquinas de estado,
por lo general se llevan a cabo dispositivos lgicos programables, tambin llamados PLD, por sus siglas en ingls, o
FPGA (Field Programable GateArrays). Estn ya muy lejanos los tiempos en los que se utilizaban flipflops en protoboards o tarjetas de wire-wrapping para construir una mquina de estado. En la actualidad, los PLD o FPGA, pueden
tener un CPU y hasta componentes analgicos como OP AMP o comparadores.
Hoy en da, los dispositivos lgicos programables se presentan como una opcin de soluciones digitales que complementan, e incluso compiten, con los sistemas basados en microprocesadores o microcontroladores, y merecen un
texto por separado; sin embargo, siguiendo la tendencia de este libro en el siguiente apartado intentaremos explicar de
una manera sencilla y resumida que son los dispositivos lgicos programables, con el fin de obtener un entendimiento
bsico en el tema.

Dispositivos lgicos programables


Actualmente existe un gran espectro de dispositivos lgicos programables. En la parte baja de este espectro se encuentran los dispositivos lgicos programables originales (PLDs). Sin embargo, los antecesores del PLDs fueron los
primeros dispositivos PROM (Programmable Read-Only Memory). A los PROM se les aadi cierta versatilidad, introduciendo un mayor nmero de entradas y la inclusin de registros, lo cual dio origen a los primeros PLDs en circuito integrado. Estos dispositivos podan ser usados para llevar a cabo diseos lgicos de un manera flexible en
hardware. En otras palabras, se podan quitar de un mdulo electrnico varios circuitos digitales TTL, como compuertas (ORs, ANDs e inversores), y remplazarlas por un PLD. Otros nombres que se usan para este dispositivo son
los PLA (Programmable Logic Array) y GAL (Generic Array Logic).
Con frecuencia, los PLDs se usan para decodificar direcciones y reemplazar a su contraparte digital discreta,
como la serie 7400. Debido a que se utiliza un solo CI, estos dispositivos ofrecen varias ventajas, principalmente requieren menos rea, menor potencia y menos alambrado. Otro beneficio importante es que el diseo dentro del CI es
flexible, de modo que un cambio en la circuitera lgica no requiere ningn re-alambrado en el mdulo electrnico.
En su lugar, la lgica puede ser alterada simplemente substituyendo un PLD con otro que ha sido programado con el
nuevo diseo.
Internamente, cada PLD contiene un conjunto de celdas o bloques lgicos conectados entre s. A esas celdas se les
llama generalmente macroceldas y tpicamente se componen de cierta lgica combinacional, como compuertas AND
y OR, y un flip flop. La figura 4.67 muestra una versin simplificada de la arquitectura interna de un PLD.
Entradas y retroalimentacin
de los flip flops

D
ANDs

D
D
Salidas

ANDs

D
D

ANDs

=`^liX+%-. 8ihl`k\ZkliX`ek\ieXj`dgc`]`ZX[X[\dXZifZ\c[Xj[\leGC;%

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197

4 La maravillosa electrnica digital

En la figura 4.67 es posible apreciar que el PLD tiene dos niveles de compuertas lgicas: un plano programable de
compuertas AND alambradas, seguido de un plano programable de compuertas OR. La estructura del PLD es tal
que sus entradas, o sus complementos, pueden ser interconectados por compuertas AND, y cada salida del plano
AND puede corresponder a cualquier minitrmino de las entradas. De manera similar, cada la salida del plano de las
OR puede ser configurada para obtener una suma lgica de cualquiera de las salidas del plano de las AND. Con esta
estructura, se pueden implementar adecuadamente funciones lgicas de suma de productos.
Por ejemplo, vamos a suponer que se desea implementar un multiplexor de 4 entradas. Un multiplexor es un
dispositivo que selecciona una entrada especfica de un grupo de canales de entrada usando una entrada de control
como se muestra en la figura 4.68 a). En este ejemplo, la salida, Z, del multiplexor es determinada por la entrada de control C. Si C  00, entonces la salida Z  D0 y as sucesivamente.
D0
C

D1

D0

D2

D1

D3

Z
D2
D3

C1C2
X

=`^liX+%-/ @dgc\d\ekXZ`e[\ledlck`gc\ofiljXe[fleGC;%
El diagrama esquemtico del multiplexor se muestra en la figura 4.68 b). En este diagrama podemos apreciar dos
planos de compuertas constituido por compuertas AND y una compuerta OR, los cuales pueden secillamente implementarse usando un PLD. La ecuacin booleana para el multiplexor es:
Z (D0/C1/C2) (D1C1/C2) (D2/C1C2) (D3C1C2)
De esta manera, es posible construir ecuaciones booleanas dentro de cada macrocelda, y si es necesario, se puede
almacenar en un flip flop el valor de salida en la prxima transicin de reloj.
Los flip flops conectados a las salidas de las compuertas OR pueden ser usados para llevar a cabo circuitos secuenciales como registros o mquinas de estado. Por ejemplo, un registro de corrimiento puede implementarse usando una
cadena de flip-flops, como se muestra en la figura 4.69.
FD0
DENT

D
/C

FD1
D
/C

FD2
D

DSAL

/C

CLK

=`^liX+%-0 @dgc\d\ekXZ`e[\lei\^`jkif[\Zfii`d`\ekfljXe[f]c`g$]cfgj\eleGC;%
Una transisicin de reloj en cada flip flop establece un valor del flip flop anterior. Para que este circuito funcione,
obviamente los tiempos de retardo de los flip flops deben ser mayores que los tiempos de hold de los flip flops.
Conforme la tecnologa avanz, fue posible integrar mltiples PLDs simples o SPLDs en un mismo CI, lo cual
provey a este tipo de dispositivos de una estructura ms compleja y de mayor capacidad. A esta estructura compleja
se le llam Complex PLD (CPLD, por sus siglas en ingls).18 Hoy en da, los PLDs de mayor capacidad son los Field
18

Una de las compaas pioneras de CPLDs es ALTERA, la cual introdujo la familia EPLD y posteriormente las series MAX-5000, MAX-7000 y MAX9000. En los primero aos despus de graduarme de la universidad tuve un requerimiento en un diseo electrnico para realizar un decodificador
de 32 salidas, el cual implement con un MAX-5000. Fue realmente cool realizar esta pequea hazaa con un solo CI programando hardware.

198

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Programmable Gate Arrays (FPGA, por sus siglas en ingls). Los FPGAs consisten de un arreglo de compuertas que
pueden ser programadas por el usuario de acuerdo a la lgica del circuito. La programacin se efecta por medio
de interruptores programables hechos predominantemente de transistores CMOS, aunque existen otras tecnologas.
A estos arreglos se les llama bloques lgicos o macroceldas. Una arquitectura tpica de un FPGA se ilustra en la figura 4.70.
Macrocelda
(lgica combinacional
y flip flops)
Bloque
de E/S

Interconexiones

=`^liX+%.' 8ihl`k\ZkliXkg`ZXj`dgc`]`ZX[X[\le=G>8%
Las particularidades de las compuertas lgicas y los flip flops son especficos de cada fabricante; sin embargo, el
concepto general de los dispositivos programables es el mismo.
El diseo de hardware en estos dispositivos es generalmente realizado usando lenguajes de programacin como
ABEL o PALASM, equivalentes al lenguaje ensamblador de los microprocesadores que se estudian en el siguiente
captulo, o dibujando con la ayuda de herramientas denominadas Computer Aided Design (CAD, por sus siglas en ingls) de captura de esquemticos. Adems, existen dos lenguajes de descripcin de hardware (HDL, por sus siglas en
ingls) muy importantes: el VHDL y el Verilog. VHDL es similar al lenguaje de alto nivel Pascal, mientras que Verilog
es similar a C.
La alta capacidad de los dispositivos programables de hoy en da ha sido la razn por la cual muchas aplicaciones
de circuitos digitales se estn realizando con dispositivos lgicos programables. Sus aplicaciones son muy variadas, de
modo que es muy dif cil generalizar.
Los dispositivos lgicos programables se encuentran en aplicaciones orientadas a sistemas prototipos, donde este
dispositivo le permite al diseador cambiar con mayor facilidad la lgica digital entre componentes digitales, llamada
glue logic, durante el desarrollo o la prueba del mdulo electrnico. Cuando el mdulo est listo, el dispositivo lgico
programable puede cambiarse por sus equivalentes en CI digitales de menor costo.
Con otro enfoque, fabricantes de FPGAs proporcionan bibliotecas con bloques complejos listos para usarse tales
como contadores, temporizadores/contadores, comparadores analgicos y hasta microprocesadores o microcontroladores. De este modo se puede seleccionar a placer un bus de 8 o 16 bits. Otra alternativa es usar CI hbridos, donde
los fabricantes incluyen dentro del CI una parte lgica fija, como un microprocesador funcional, y una parte de lgica
programable y tal vez algo de memoria.
Como vimos antes, es posible disear registros y hasta memorias SRAM con dispositivos programables y alterar
los diseos on-the fly, es decir, cuando estn en operacin o cuando se requiere. Esta prctica se llama computacin
reconfigurable. Aunque originalmente se propuso en la dcada de 1960 por investigadores de la Universidad de California en Los Angeles (UCLA), todava es un campo de estudio relativamente nuevo. Se podra pensar que han pasado
ya varias dcadas para que este campo de investigacin se considere relativamente nuevo. La razn fue la falta de hardware reconfigurable. El uso de dispositivos lgicos programables ha alcanzado una alta integracin de compuertas solo
hasta aos recientes, lo cual los hace adecuados para aplicaciones que vayan ms all de la investigacin acadmica.

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199

4 La maravillosa electrnica digital

Con todo lo anterior, el futuro de la computacin reconfigurable luce brillante y en la actualidad ha encontrado usos
en aplicaciones de comunicaciones, militares, automovilsticas y de inteligencia.19

PRINCIPALES

TECNOLOGAS DIGITALES

La popularidad de los circuitos integrados digitales se debe, en gran medida, a su accesibilidad a un precio muy bajo.
Asimismo, tambin, porque en la actualidad los fabricantes han desarrollado muchas familias de CI que pueden utilizarse en conjunto con otros grupos de la misma familia para formar un sistema digital. En este caso, la interfaz20 entre
circuitos de la misma familia se lleva a cabo con mucha facilidad; esto es, los CI son compatibles y pueden conectarse
sencillamente entre s.
Algunas de las familias se fabrican usando tecnologa bipolar, mientras que otras utilizan tecnologa MOS. La
familia de tecnologa bipolar ms popular es la que usa la lgica transistor-transistor (TTL, por sus siglas en ingls).
Por su parte, la familia MOS utiliza transistores de efecto de campo (FET).
Con frecuencia, los fabricantes clasifican a los CI de acuerdo con su complejidad, la cual se relaciona con su densidad o capacidad para integrar en un mismo microcircuito un cierto nmero de compuertas o el equivalente en transistores. La capacidad y el talento de los diseadores de CI ha hecho posible, aproximadamente cada dos aos, incrementar
al doble el nmero de transistores, aspecto que se conoce como la ley de Moore.21
En la figura 4.71 se presenta una grfica que muestra las tendencias previstas por los expertos, empezando desde
la ZLI (cero escala de integracin), pasando por la MLI (integracin a escala media), hasta llegar a la ULSI (integracin
a escala ultra alta) y la GSI (integracin a escala giga alta).
('((
('('

>J@

('

:fdgfe\ek\jgfi:@

('/

LCJ@

('.
('-

MCJ@

(',
('+
('*
(')

CJ@
DJ@
JJ@
QJ@

('


(''

(0-'

(0.'

(0/'

(00'

)'''

)'('

)')'

=`^liX+%.( ;\ej`[X[[\:@Zfei\jg\ZkfXck`\dgf\ehl\j\cc\mXZXYf%
19

20

21

En la dcada de 1990 que iniciaba mi carrera profesional, ya tena conocimiento y cierta fascinacin por los dispositivos lgicos programables,
aunque los costos para implementarlos en los diseos eran altos. Incluso hoy en da, debido al bajo costo de los microprocesadores, los dispositivos lgicos programables son una opcin relativamente costosa aunque sus precios continan bajando. El empleo de estos dispositivos en el
campo de la computacin reconfigurable no llam mi atencin hasta 1997, cuando un colega y amigo que haca su doctorado en la Universidad
de York, en Inglaterra, public un artculo denominado Biologically inspired reconfigurable hardware for dependable applications, en el cual
utilizaba un FPGA para disear sistemas reconfigurables tolerantes a fallas. Este trabajo fue enmarcado en una naciente disciplina llamada embryionics, cuya propuesta conceptual ha continuado atrayendo a investigadores a este campo de la investigacin.
La palabra interfaz es muy comn en sistemas digitales. De forma estricta, una interfaz se puede definir como la unin de un grupo (por ejemplo,
es comparable a grupos como gente, instrumentos, dispositivos, sistemas, etctera) capaz de funcionar de forma compatible y coordinada, es
decir, sincronizada. En sistemas digitales, la interfaz puede considerar los aspectos de voltajes y corrientes, temporizacin y sentido de las corrientes (entradas y salidas).
La ley de Moore lleva ese nombre en honor de Gordon Earle Moore (1929) investigador estadounidense y autor de dicha ley, la cual fue publicada en 1965 en la revista Electronics Magazine. Gordon Moore fue de los investigadores que dej la compaa de William Shockley para crear
la compaa Fairchild Semiconductor Corporation. Posteriormente, en 1968, Moore cofund Intel Corporation junto con Bob Noyce. La ley de
Moore publicada en 1965 y revisitada en 1975 establece que el nmero de transistores en un CI debera duplicarse cada 24 meses. Por ms de 45
aos, la ley de Moore ha sido la fuerza motriz de la industria electrnica, ya que los competidores se dan cuenta de que si no avanzan de acuerdo con esta ley podran quedarse retrasados tecnolgicamente. Compaas como Intel, IBM, Toshiba y Sony han llegado a reducir los transistores de sus CI a 45 nm (nanmetros), y se espera que los CI con 22 nm puedan fabricarse usando nuevos materiales que reemplacen el dixido de
silicio. Como ejemplo, Intel ha logrado introducir 731 millones de transistores en un solo CI. Impresionante!

200

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Eventualmente, la industria de la microelectrnica espera llegar a un punto en el cual no sea posible hacer ms
pequeos los transistores. Hasta hace algunas dcadas, se esperaba que en el ao 2000 se alcanzara esa barrera; afortunadamente, los diseadores de CI han logrado sobrepasar los obstculos22 y el camino contina en grado ascendente; parece que an queda espacio suficiente para la creatividad.
Volviendo al tema de las tecnologas, los diseadores de sistemas digitales disponen de muchas familias de CI, ya
sean bipolares o MOS, algunas de las cuales se listan en la figura 4.72.
=Xd`c`XjY`gfcXi\j
IKC
;KC
KKC
<:C
?KC
?K

C^`ZX[\i\j`jk\eZ`X$kiXej`jkfi
C^`ZX[\[`f[f$kiXej`jkfi
C^`ZX[\kiXej`jkfi$kiXej`jkfiKKC\jk}e[Xi#KKC[\YXaXgfk\eZ`X#KKC[\YXaXm\cfZ`[X[#KKCJZ_fkkbp#KKCJZ_fkkbp
[\YXaXgfk\eZ`X#KKCJZ_fkkbpXmXeqX[X#\eki\fkifj
C^`ZX[\\d`jfi\jXZfgcX[fjkXdY`eccXdX[Xc^`ZX\edf[f[\Zfii`\ek\
C ^`ZX[\XckfldYiXckXdY`eccXdX[X?@EC#c^`ZX[\XckX`edle`[X[Xcil`[f
C ^`ZX[\`ep\ZZ`e`ek\^iX[X

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EDFJ
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J\d`Zfe[lZkfi[\d\kXc$o`[fZXeXcE
J\d`Zfe[lZkfi[\d\kXc$o`[fZfdgc\d\ekXi`f

=Xd`c`XjDFJ

=`^liX+%.) Gi`eZ`gXc\j]Xd`c`XjY`gfcXi\jpDFJ%
Aprovechando los avances en la reduccin de dimensiones de los transistores y la correspondiente disminucin
de sus capacitancias parsitas, para conseguir incrementar la velocidad de conmutacin de los transistores, las familias
bipolares y las familias MOS fueron evolucionando, tal como lo muestra la figura 4.73.


IKC







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 ;KC












KKC



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eDFJ



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+'





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.+?:#.+8?:
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=`^liX+%.* <mfclZ`e[\cXj]Xd`c`Xjc^`ZXjKKCpDFJ%
En la actualidad, las familias digitales vigentes ms populares son las TTL (a partir de la serie 74LS) y las CMOS
(a partir de la serie 74HC). La serie 74HC, de alta velocidad, ofrece caractersticas de velocidad e inmunidad al ruido
similares a la serie LS-TTL; por esta razn, esta serie ha desplazado a la familia TTL y es de las ms utilizadas.
Para facilitar la utilizacin conjunta de circuitos integrados TTL y CMOS, se introdujo la serie 74HCT, compatible con los niveles de voltaje y de corriente de la familia TTL, lo cual permite la conexin directa entre ambas familias. Recientemente, se ha presentado una serie 74AHC avanzada, con tiempos de propagacin inferiores a 5 ns y una
reduccin importante del ruido producido en su conmutacin.
Pero, para variar, nos estamos adelantando al comparar estas familias lgicas de CI. El objetivo de esta seccin es
principalmente describir las caractersticas y los trminos ms importantes de las familias TTL y CMOS en uso.
22

Entre ms pequeos y ms rpidos sean los diseos de los transistores, se pueden realizar ms clculos en un mismo CI. Sin embargo, trabajar a
estas escalas tan pequeas no es gratuito. Uno de los retos se relaciona con la potencia de cada transistor. Al ser ms pequeos y conmutar ms
rpido, su consumo de potencia tambin se incrementa. Otro problema son las corrientes de fuga en los dielctricos de la compuerta de los
transistores, lo cual reduce su efectividad. Para resolver esto, Intel y otras compaas han reemplazado el dixido de silicio por el xido de un
metal tetravalente llamado hafnio, el cual tiene una mayor capacidad para almacenar carga elctrica.

grupo editorial patria

201

4 La maravillosa electrnica digital

Tecnologas TTL
Los diversos trminos que aparecen en la literatura de los fabricantes de CI, generalmente sirven a los diseadores
para comparar, seleccionar y usar las familias lgicas. En este apartado comentamos los trminos y las caractersticas
ms importantes de las familias TTL vigentes y de las CMOS. As pues, iniciamos con la familia TTL.

Niveles de entrada y de salida de las familias TTL


Cmo se define un 0 lgico (BAJO) o un 1 lgico (ALTO) en trminos de voltaje? Para responder esta pregunta, inicialmente consideramos cul es el voltaje de alimentacin del CI. Tpicamente, para la tecnologa TTL de la serie 74,
el voltaje de alimentacin es VCC  5 V y GND  0 V. Por consiguiente, el fabricante suele especificar que para operar
correctamente una entrada en 0 lgico, el voltaje debe encontrarse entre 0 V y 0,8 V, esto es, VIL(mn)  0 V y
VIL(mx)  0,8 V. De igual manera, una entrada en 1 lgico debe encontrarse entre 2,0 V y 5,0 V, esto es, VIH(mn)  2 V
y VIH(mx)  5 V.
De igual modo, para que una salida en 0 lgico funcione correctamente, esta debe encontrarse entre 0 V y 0,4 V,
esto es, VOL(mn)  0 V y VOL(mx)  0,4 V. Mientras que para operar una salida de 1 lgico, el voltaje debe encontrarse
entre 2,4 V y 5 V, esto es, VOH(mn)  2,4 V y VOH(mx)  5 V. La figura 4.74 muestra estos niveles de voltaje de entrada y
de salida de las tecnologas TTL.
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(c^`Zf
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XcX\ekiX[X

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Margen de ruido en familias TTL


En sistemas digitales, se denomina ruido a cualquier perturbacin involuntaria que puede originar un cambio no deseado en la salida del circuito. Los circuitos digitales deben tener cierta inmunidad al ruido, la cual se define como la
capacidad para tolerar fluctuaciones de voltaje no deseadas en sus entradas, sin que se afecte el estado de salida. Por
lo anterior, los fabricantes de CI establecen un margen de seguridad, denominado margen de ruido, considerado una
medida de la inmunidad del circuito digital frente al ruido. El margen de ruido se calcula tanto para el nivel lgico
ALTO, VNH, como para el nivel lgico BAJO, VNL, usando las siguientes ecuaciones:
VNH  VOH (mn) VIH (mn)
VNL  VIL (mx) VOL (mx)
En la figura 4.75 se observa el margen disponible frente al ruido para las familias TTL, es decir, el rango dentro del
cual el ruido no produce errores sobre los valores lgicos, porque las variaciones de voltaje que provoca el ruido quedan dentro de los niveles asignados.

202

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

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,M

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MEC4'%+M

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Para la lgica TTL, los mrgenes de ruido son de 0,4 V para ambos niveles de voltaje, ALTO o BAJO.

Configuraciones de salida en las familias TTL


Las familias lgicas TTL tienen tres tipos de configuraciones de salida:
1. Salida de colector abierto.
2. Salida ttem pole o poste totmico.
3. Salida de tres estados.
Como sabemos, la lgica de funcionamiento de los dispositivos de tercer estado se describi en una seccin anterior de este captulo; por tanto, en esta seccin describimos nicamente la lgica de las configuraciones de salida de
colector abierto y ttem pole.
Salida de colector abierto
La compuerta bsica TTL fue una modificacin de la lgica DTL, en la cual no se incluan diodos, como se puede
apreciar en la compuerta NAND de la figura 4.76.
,M

+B

8
9
:

,M

(%-B

IC

H)
H(
H*
(B

=`^liX+%.- :fdgl\ikXE8E;KKCZfejXc`[X[\Zfc\ZkfiXY`\ikf%
Como se puede observar en la figura 4.76, la resistencia externa RL (tambin llamada resistencia de pull-up) no es
parte del CI, por lo que debe conectarse para que la salida pueda obtener el nivel lgico ALTO, cuando el transistor Q3
est en corte. Si cualquiera de los niveles lgicos de entrada es 0 lgico, la unin base-emisor en Q1 se polariza directamente. En consecuencia, el voltaje en la base Q1 es igual a:
VIL (voltaje de entrada) VBE(Q1)  0.2 V 0.7 V  VB (Q1)  0.9 V

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203

4 La maravillosa electrnica digital

El transistor Q3 comienza a conducir cuando la suma de las cadas de voltaje de VBC(Q1), VBE(Q2) y VBE(Q3)
son superiores a 2.1 V. Como el voltaje en la base de Q1, VB(Q1), es 0.9 V, cuando una de las entradas es 0 lgico, el
transistor Q3 queda en estado de corte. Por tanto, si se conecta una resistencia al colector, el voltaje de salida ser un
1 lgico.
Si todos los niveles lgicos de entrada son 1 lgico, los transistores Q2 y Q3 se saturan debido a que el voltaje en la
base de Q1 es superior a la suma de las cadas de voltaje VBC(Q1), VBE(Q2) y VBE(Q3). Por consiguiente, el estado de
salida es igual a 0 lgico.
Salida ttem pole
La otra configuracin de salida es aquella que recibe el nombre de ttem pole, la cual se ilustra en la figura 4.77. La
diferencia entre una compuerta de colector abierto y una de tipo ttem pole radica en el transistor Q4 y el diodo D1.
,M

+B

(%-B

(*'7
H+

8
9
:

;(

H)

H(
H*
(B

=`^liX+%.. :fdgl\ikXE8E;KKCZfejXc`[Xkk\dgfc\%
La salida es 0 lgico cuando Q2 y Q3 se encuentran en saturacin, como en la compuerta de colector abierto. El
valor del voltaje en el colector, VC, de Q2 se obtiene mediante la siguiente ecuacin:
VBE (Q3) VCE (Q2)  0.7 V 0,2 V  VC(Q2)  0.9 V
Por su parte, el voltaje de salida ttem pole en el punto F est determinado por el VCE (Q3)  0.2 V, es decir, un
0 lgico (BAJO), y por el transistor Q4 que se encuentra en estado de corte. El transistor Q4 est en corte debido a que
VC(Q2)  VB(Q4)  0.9 V. El diodo se coloca para provocar una cada de voltaje en el lazo, VBE(Q4) V(D1), y asegurar
el corte de Q4 con Q3 saturado, esto es:
VB(Q4) < VBE(Q4) V(D1) 0.9 V< 0.7 V 0.7 V
Una transicin al estado de 1 lgico en la salida ttem pole, F, por causa de un cambio en una entrada a 0 lgico,
hace que los transistores Q2 y Q3 vayan a estado de corte. Cuando Q2 entra en corte, Q4 conduce por el voltaje conectado a su base a travs de la resistencia de 1,6 k. Entonces, el voltaje de salida ttem pole, F, es:
F  (VCC) (VBE Q4) (VD1)  5 V 0.7 V 0.7 V  3.6 V
Aplicaciones de lgica TTL con salida de colector abierto
La salida ttem pole de un circuito TTL puede absorber una cantidad de corriente limitada en estado 0 lgico, IOLmx,
de 16 mA en la serie estndar y de 20 mA en la serie AS. Sin embargo, en muchas aplicaciones se requiere excitar

204

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

dispositivos que necesitan un consumo de corriente mayor, como rels, lmparas, LEDs, etctera. En este caso, la
mejor opcin es usar transistores discretos a la salida ttem pole de la compuerta o una compuerta en colector abierto,
debido a su mayor capacidad de manejo de corriente y voltaje, que tpicamente puede absorber hasta 40 mA. La figura 4.78 muestra un ejemplo del uso de compuertas de colector abierto para excitar un LED o una lmpara de mayor
voltaje.

M::

M::4)'M
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IC
8

* (

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)

* (
*

(
)

=`^liX+%./ :fdgl\ikXE8E;[\Zfc\ZkfiXY`\ikfljX[XgXiX\oZ`kXileC<;pleXc}dgXiX[\)'M%

Sentido de las corrientes


En este apartado analizamos los sentidos de las corrientes y estudiamos los conceptos de fuente (source) y sumidero o
absorcin (sink) de corriente. En la figura 4.79 se muestran dos compuertas NAND TTL conectadas en serie.
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"M::
J\ek`[f[\cX`ek\ej`[X[
gXiXjXc`[Xe`m\c8CKF

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pXZkXZfdf]l\ek\jfliZ\ [\Zfii`\ek\%

Cuando la compuerta excitadora, que se ubica hacia el lado izquierdo de la figura 4.79, tiene un nivel de salida
ALTO, acta como fuente de corriente para la carga, en este caso otra compuerta NAND. La entrada a la NAND de carga son diodos en polarizacin inversa, por lo que la corriente es muy pequea, tpicamente 40 A para una carga TTL.
Por otro lado, cuando la salida de la compuerta excitadora se encuentra en un nivel BAJO, acta como un sumidero de corriente, como se ilustra en la figura 4.80. Esta corriente es mayor, ya que los diodos base-emisor de la carga
se encuentran en polarizacin directa, tpicamente 1,6 mA, para una carga TTL. Adems, el sentido de la corriente es
negativo, por lo que en las hojas de caractersticas de los proveedores aparece con un signo negativo. Por lo general,
un CI de la familia TTL puede absorber ms corriente de la que puede proporcionar.
No se recomienda conectar las salidas ttem pole juntas, ya que dicha conexin produce una corriente excesiva
que podra daar los dispositivos.

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205

4 La maravillosa electrnica digital

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"M::
J\ek`[f[\cX
`ek\ej`[X[gXiX
jXc`[Xe`m\c98AF

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pXZkXZfdfjld`[\ifj`eb [\Zfii`\ek\%

Tecnologas CMOS
La fabricacin de transistores MOS en CI present grandes problemas, especialmente derivados de un efecto superficial del cristal de silicio, el cual era afectado por cualquier impureza. Para resolver estas dificultades, fue necesario
desarrollar tcnicas de muy alta limpieza ambiental, que no estuvieron disponibles sino hasta mediados de la dcada de
1970. Una vez que se dispuso de estas tcnicas, las ventajas de los transistores MOS, principalmente el tamao y el
consumo, determinaron un rpido desarrollo y difusin de los mismos.
Al principio resultaba ms sencillo integrar transistores MOS de canal P; sin embargo, estos pronto fueron desplazados por transistores NMOS, cuya velocidad de conmutacin es notoriamente mayor, debido a la mayor movilidad de los electrones respecto de los huecos.
El uso de transistores MOS como resistencias de polarizacin permiti configurar compuertas lgicas utilizando
nicamente transistores. La figura 4.81 muestra tres inversores NMOS, donde el transistor superior se encuentra
siempre en conduccin y equivale a una resistencia de polarizacin.
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M::

M::

MJ8C
M<EK

M::

MJ8C
M<EK

MJ8C
M<EK

=`^liX+%/( Ki\jk`gfj[\`em\ijfi\jEDFJhl\`eZclp\elekiXej`jkfiZfdfi\j`jk\eZ`X[\gfcXi`qXZ`e%
Al excluir resistencias integradas de valores relativamente altos, disminuyeron con notoriedad tanto el rea de
integracin como el consumo de potencia. De esta manera, se estableci un nuevo avance en la miniaturizacin de la
electrnica digital.
La utilizacin conjunta de transistores MOS de canal N y de canal P permiti que el consumo esttico de las
puertas fuera nulo, lo cual dio lugar a la lgica CMOS (lgica con transistores MOS complementarios). La primera
serie CMOS adopt el indicativo 40 y presentaba fuertes limitaciones en cuanto a velocidad e inmunidad al ruido,
aunque admita un amplio rango de voltajes de alimentacin (desde 3 V a 18 V). Sin embargo, atendiendo a la demanda

206

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4 La maravillosa electrnica digital

de los usuarios acostumbrados a usar la familia TTL, se desarroll la serie 74C, compatible con la familia TTL en cuanto a funciones y terminales de los circuitos integrados del mismo nmero. Posteriormente, tambin se desarrollaron
series avanzadas, como la 74HCT y la 74ACT, todas basadas en los ahora populares transistores CMOS. La figura 4.82
muestra un inversor y una compuerta CMOS.
"M;;
"M;;

>E;
9
>E;
Gl\ikXE8E;:DFJ

@em\ijfi:DFJ

=`^liX+%/) :fdgl\ikXj`em\ijfiXpE8E;ljXe[fk\Zefcf^X:DFJ%

Niveles de voltaje de entrada y salida y margen de ruido en la familia


74 AC CMOS
Considerando que la alimentacin de la tecnologa CMOS es VDD  5 V, el nivel de voltaje de entrada para el 0 lgico
es desde 0 V hasta 1.5 V; esto es, VIL(mn)  0 V y VIL(mx)  1.5 V; mientras que para el nivel de voltaje de entrada para el
1 lgico es desde 3.5 V hasta los 5 V, es decir, VIH(mn)  3.5 V y VIH(max)  5 V.
Por otro lado, el nivel de voltaje de salida para el 0 lgico es desde 0 V hasta 0.1 V, esto es, VOL(mn)  0 V y
VOL(mx)  0.1 V; mientras que el nivel de voltaje de salida para el 1 lgico es de 4.9 V hasta 5 V, esto es, VOH(mn)  4.9 V
y VOH(mx)  5 V. La figura 4.83 muestra estos niveles de voltaje de entrada y salida de la tecnologa CMOS considerando un voltaje de alimentacin de 5 V.
,M

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(c^`Zf

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XcX\ekiX[X

=`^liX+%/* E`m\c\j[\mfckXa\[\\ekiX[XpjXc`[X[\cXk\Zefcf^X:DFJ%
Por tanto, los mrgenes de ruido son:
VNH  VOH(mn) VIH(mn)  4.9 V 3.5 V  1.4 V
VNL  VIL(mx) VOL(mx)  1.5 V 0.1 V  1.4 V

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207

4 La maravillosa electrnica digital

De manera similar a las familias TTL, los mrgenes de ruido en la tecnologa CMOS son los mismos en ambos estados, ALTO y BAJO. Sin embargo, la familia CMOS tiene una mayor inmunidad al ruido que las familias TTL, razn
por la que esta tecnologa es una opcin muy atractiva para aplicaciones que estn expuestas a medios ruidosos.23

Parmetros relevantes para las familias TTL y CMOS


Disipacin de potencia
La disipacin de potencia, PD, se obtiene del producto entre voltaje de alimentacin por intensidad de corriente consumida por cada compuerta. Para ello, se considera un valor promedio de disipacin para las salidas en ALTO y en
BAJO; esto es, el valor medio de potencia que la compuerta puede consumir.
Cuando un circuito lgico CMOS se encuentra sin cambiar (rgimen esttico), su disipacin de potencia es extremadamente baja; no obstante, esta aumenta conforme aumenta la frecuencia de conmutacin de las compuertas. Por
otra parte, la disipacin de potencia en funcin de la frecuencia para una compuerta TTL es constante dentro del
rango de operacin, como lo ilustra la figura 4.84.
Gfk\eZ`X

:D

FJ

KKC

'

=`^liX+%/+ ;`j`gXZ`e[\gfk\eZ`X\ecXj]Xd`c`XjKKCp:DFJ\e]leZ`e[\cX]i\Zl\eZ`X%
Cada vez que una salida CMOS pasa de BAJO a ALTO, tiene que suministrar una corriente de carga momentnea.
Estos breves picos de corriente son proporcionados por el voltaje de alimentacin VDD , y pueden tener una amplitud
regular de 5 mA y durar de 20 a 30 ns. Evidentemente, cuando la frecuencia de conmutacin aumenta, hay ms de
estos picos de corriente por segundo y el consumo de corriente promedio de VDD aumenta.
Por esta razn, se recomienda que al disear sistemas digitales con tecnologa CMOS se realice un anlisis detallado de los componentes a utilizar, a fin de determinar la disipacin de potencia en cierta frecuencia de operacin.

Consumo
El consumo energtico de un sistema digital, en trminos de intensidad o de potencia, tiene importancia desde dos
puntos de vista:
t El consumo de energa.
t La disipacin de calor de los componentes y del sistema en general.
El consumo de energa se relaciona con la fuente de alimentacin, la cual provee el voltaje de alimentacin, VCC ,
el cual tiene la funcin de suministrar suficiente corriente, de acuerdo con el consumo global del sistema digital. Por
23

El ruido puede generarse en el exterior por la presencia de motores o interruptores; por el acoplamiento de conexiones a lneas de voltaje cercanas a los CI, o por picos de la corriente de alimentacin.

208

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4 La maravillosa electrnica digital

otro lado, la energa consumida por el sistema se disipa en el mismo en forma de calor y tiene que ser desalojado
para evitar un aumento excesivo de la temperatura; en ocasiones, se requiere de un sistema de enfriamiento particular para asegurar la velocidad o frecuencia de operacin de un circuito.24
Los fabricantes de CI digitales especifican los datos del consumo esttico en trminos de la cantidad de corriente
consumida de forma global por el CI; esto es, la cantidad de corriente cuando la salida es un 0 lgico, ICCL, y la cantidad
de corriente cuando la salida es un 1 lgico, ICCH. El consumo esttico no incluye las transiciones entre los dos estados
lgicos. Por ello, adems del consumo esttico, el fabricante tambin incluye datos del consumo dinmico, es decir, el
que se produce durante las transiciones.
En la familia TTL prevalece el consumo esttico, por lo que el consumo dinmico es despreciable respecto al esttico. En cambio, en la familia CMOS el consumo esttico es nulo, al tiempo que el dinmico se relaciona con la frecuencia de operacin. Por tanto, cuando se realiza la evaluacin global del consumo dinmico de un sistema digital, se
recomienda considerar que no todos los componentes lgicos conmutan a la vez, y que en determinados subsistemas
lo hace solamente un pequeo nmero de ellos.

Retardo de propagacin
El diseo de un sistema digital siempre debe considerar el tiempo que transcurre entre el cambio de nivel lgico en una
entrada y el correspondiente cambio de nivel lgico a la salida de los componentes lgicos utilizados. Por ejemplo,
cuando una seal llega a la entrada de un dispositivo digital, la respuesta a dicha seal no aparece instantneamente
en la salida, sino que toma un cierto tiempo en propagarse. Este tiempo es denominado por los fabricantes como retardo de propagacin (tPD), y se especifica de acuerdo con la transicin de estado lgico; esto es, cuando la salida
cambia de nivel ALTO a BAJO (tPHL) y cuando la salida cambia de nivel BAJO a ALTO (tPLH). Ambos tiempos de propagacin suelen tener valores cercanos entre s, lo cual permite utilizar su promedio como tiempo de propagacin
genrico:
tPD  (tPLH tPHL) / 2
Los tiempos de propagacin dependen del voltaje de alimentacin, de la impedancia de carga conectada a la salida y de la temperatura. As, entre ms alto es el voltaje de alimentacin, el tiempo de retardo es menor. Por otro lado,
la impedancia de carga es el nmero de entradas conectadas a la salida del componente digital; en el caso de los CI
CMOS, sus entradas son de tipo capacitivo, del orden de unos pocos picofaradios, de tal forma que los tiempos de
propagacin CMOS suelen medirse y expresarse con relacin a una carga tpica de 50 pF. Finalmente, podemos decir
que los valores tpicos de los tiempos de propagacin se expresan para 25 C, ya que dichos tiempos dependen de la
temperatura, y aumentan junto con ella; esta dependencia se debe a que las resistencias de los transistores MOS aumentan con la temperatura, por disminuir con ella la movilidad de sus portadores.
Para facilitar la suma de tiempos en compuertas conectadas en serie, cada tiempo de propagacin suele medirse
por el retraso entre el punto medio de conmutacin (VCC/2) de la onda de entrada y el punto medio de la conmutacin
de la seal de salida, como se ilustra en la figura 4.85.

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JXc`[X

kG?C

kGC?

=`^liX+%/, K`\dgf[\gifgX^XZ`e[\[fjZfdgl\ikXjZfe\ZkX[Xj\ej\i`\%
24

Para alcanzar las altas frecuencias de operacin, del orden de los GHz, los procesadores Pentium de las PC requieren un fuerte disipador con un
ventilador; ambos situados directamente sobre el propio circuito integrado.

grupo editorial patria

209

4 La maravillosa electrnica digital

Es evidente que un tiempo de retardo de propagacin pequeo se traduce en una mayor frecuencia de funcionamiento. Por tanto, tpicamente, el tiempo de propagacin medio se mide en ns (nanosegundos) y la mxima de frecuencia de funcionamiento en MHz.

Abanico de entrada, abanico de salida, cargas e interconexin de familias lgicas


En los circuitos digitales se usa un parmetro denominado abanico de entrada (fan in) para indicar el nmero de entradas que puede manejar, por ejemplo, una compuerta. De esta forma, si se tiene una AND de cuatro entradas, entonces
se tiene un abanico de entrada de cuatro. El abanico de entrada de las compuertas en un CI se determina, principalmente, por las limitaciones externas de terminales en el empaquetado del CI.
Por otro lado, el abanico de salida (fan out) se utiliza para expresar el nmero de entradas que pueden conectarse
en la salida de un elemento digital sin deteriorar su operacin. Por lo general, a las entradas que pueden conectarse a
una salida digital se les llama cargas. Entonces, una carga puede ser la entrada de una compuerta o cualquier otro
circuito; sin embargo, es necesario especificarlo en la definicin del abanico de salida. Por esta razn, tambin se hace
referencia al abanico de salida como las cargas que la salida puede manejar. El trmino se deriva por el hecho de que
la salida de una compuerta puede suministrar una potencia limitada; pero, si se excede ese valor, entonces la compuerta dejar de operar correctamente.
En la familia TTL, la limitacin relativa del abanico de salida est dada por el cociente entre las corrientes de salida y de entrada, Io/Ii; en cambio, en las series CMOS, cuya corriente de entrada es muy pequea, el abanico de salida
se determina por la carga capacitiva que pueden operar. De esta forma, para tener una adecuada conexin entre componentes digitales, se tiene que cumplir la relacin de corrientes para nivel lgico ALTO y BAJO, como lo muestra la
siguiente igualdad.
IOH > IIH(1) ... IIH(n)
IOL > IIL(1) ... IIL(n)
La figura 4.86 muestra los parmetros importantes que se deben considerar de acuerdo con el abanico de salida
de cada compuerta o elemento digital.

@F?

@@?

@FC

@@C

@@?

@@C

@@?

@@C

=`^liX+%/- GXi}d\kifj`dgfikXek\j[\cXYXe`Zf[\jXc`[X[\leXZfdgl\ikX[`^`kXc%
Para interconectar familias TTL y CMOS, debemos verificar, adems de los niveles de voltaje de alimentacin, los
voltajes y las corrientes de las familias lgicas involucradas, cumplindose lo siguiente:
VOH(mn) > VIH(mn)
VOL(mx) < VIL(mx)
IOH > IIH
IOL > IIL

210

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

Como sabemos, las familias lgicas se agrupan en series, segn sus caractersticas de velocidad, consumo, etctera. En la actualidad, la gama de familias que existe es grande y describir cada una de ellas va ms all de las intenciones
de este libro. Sin embargo, en la siguiente seccin delineamos algunas de estas familias.

Otras tecnologas
La tecnologa bipolar dio origen a la familia TTL, cuya amplitud de difusin consolid la lgica digital en circuitos
integrados; posteriormente, la tecnologa MOS evolucion hasta llegar a la predominante HCMOS. Posteriormente,
la mezcla entre estas tecnologas deriv en la denominada tecnologa BiCMOS (bipolar-CMOS), la cual resulta apropiada para sistemas de buses (inter-bs), y la derivacin actual es la ms ptima para series de bajo voltaje, pasando de
la alimentacin habitual de 5 V, a 3 V, 2,5 V y a solo 1,8 V.25 La seleccin de la familia digital a utilizar en los diseos
depende mucho de la aplicacin, pero la cantidad de opciones es muy grande, como se ilustra en la figura 4.87.
Lgica especial
Lgica de 5 V

GTLP
BTL

Lgica de 3.3 V
AHC
AC

HSTL

SSTL
TVC

LS

HC/HCT

AS

LVT

AVC

CBT

TTL

AC/ACT

VME

ALB

ALVT

FCT

CD4000

ETL

LV

LV-A

SSTV

GTL

LV

AHC/
AHCT
BCT

ABT
ALS

ALVC
CBTLV

LVC1G

Lgica de 2.5 V

LVC

LVC

LV

Lgica de 1.8 V

ALVC
AVC

AVC

LVC
ALVC

CBTLV

AUC
ALVT

AUC

=`^liX+%/. ;`]\i\ek\jk`gfj[\]Xd`c`Xjc^`ZXj%
Las tecnologas digitales tambin tienen un tiempo de vida, por esta razn es importante tomar en cuenta en qu
etapa se encuentra la familia seleccionada, ya que podra quedar fuera del mercado y, en consecuencia, los productos
que se produzcan con dicha tecnologa tender a la obsolescencia. La figura 4.88 muestra una grfica del ciclo de vida
de algunas tecnologas digitales, haciendo nfasis en las familias bipolar, CMOS y BiCMOS.
BCT

HC

Bipolar

ALS
F

CMOS

ACL
AS
ABT
LVC

BICMOS

FCT
CD4000

LVT

LS
CBT

ALVT

GTLP
AUC

ALVC

AHC

AVC

LV

CBTLV
TVC

TTL

Little Logic

SSTV
VME

Introduccin

Crecimiento

Madurez

Declinacin

Obsolescencia

=`^liX+%// :`Zcf[\m`[X[\cXj]Xd`c`Xj[`^`kXc\j%
25

Se recomienda leer el documento Logic Selection Guide First Half, 2009 (Rev. Q), en la pgina web de Texas Instruments: http://focus.ti.com/
docs/logic/catalog/resources/logicliterature.jhtml

grupo editorial patria

211

4 La maravillosa electrnica digital

Como se describi en la seccin anterior, el retardo de propagacin se relaciona con la velocidad de operacin de
la tecnologa y con la potencia o corriente de la misma. Lo anterior se puede usar como figura de mrito para comparar
diferentes familias. La figura 4.89 muestra algunas caractersticas de las familias bipolares y CMOS ms populares.
TTL
Caractersticas

CMOS 3.3 V
ALS

LV

LVC

ALVC

CMOS 5 V

LS

HC

AC

AHC

Retardo de propagacin de puerta, tp(ns)

3.3

10

4.3

3.7

Frecuencia mxima de reloj (MHz)

145

33

45

90

100

150

50

160

170

Excitacin de salida IOL(mA)

20

12

24

24

24

=`^liX+%/0 :XiXZk\ijk`ZXj[\Xc^leXj]Xd`c`XjY`gfcXi\jp:DFJ%

RECAPITULANDO
En resumen, ahora que se cuenta con la habilidad de tomar decisiones lgicas, realizar clculos matemticos y de recordar o almacenar resultados de tal manera que podamos tomar decisiones posteriormente, se tienen las bases de la
mquina de Turing.26 En trminos generales, la mquina de Turing describe un sistema que tiene una memoria infinita, la habilidad para ir hacia atrs o hacia adelante a lo largo de la memoria y la capacidad para seguir instrucciones en
cualquier localidad de memoria. Descontando la memoria infinita, los sistemas actuales basados en microprocesadores se encuentran muy cercanos a la mquina de Turing. Por tanto, con todos estos elementos estamos listos para
iniciar el captulo 5 relacionado con los microprocesadores.

DATOS IMPORTANTES DEL CAPTULO


 Un dgito binario, bit, es informacin que solo puede
tener dos valores: 0 o 1.
 En un sistema posicional, como el binario, el hexadecimal y el decimal, cada columna en un nmero tiene
un peso asociado, y el valor del nmero es determinado por la combinacin de cada dgito con el peso
de su columna.
 Cada dgito significativo que se aade en binario duplica el valor del dgito previo.
 A los grupos de 4 bits se les llama nibbles y a los de
8 bits se les llama bytes.

26

 Para convertir de hexadecimal a binario se reemplaza


cada dgito hexadecimal por su equivalente binario.
Igualmente, para convertir un nmero de binario a
hexadecimal, primero se divide el nmero binario en
nibbles y cada nibble se convierte a su representacin
hexadecimal.
 En la lgica digital 1 es verdadero y 0 es falso.
 Primero, vea o realice la tabla de verdad.
 Los circuitos sumadores se pueden realizar usando
compuertas lgicas, como XOR y AND.

Alan Turing fue un criptgrafo ingls quien sent muchas de las bases de la teora computacional. En 1950, Turing escribi el artculo ComputingMachinery and Intelligence en el cual propuso lo que se llam el Turing Test (TT) para reemplazar la pregunta pueden pensar las mquinas? Se ha considerado que este trabajo representa el inicio del rea computacional llamada inteligencia artificial. Durante la Segunda Guerra
Mundial, Turing trabaj en descifrar los cdigos nazis, particularmente los de la mquina Enigma. Despus de la guerra dise una de las primeras computadoras electrnicas programables digitales en el Laboratorio Nacional de Fsica del Reino Unido y poco tiempo despus construy otra de las primeras mquinas en la Universidad de Manchester. Turing fue un genio incomprendido, ya que fue enjuiciado por el gobierno
ingls debido a su condicin de homosexual. Dos aos despus se suicid. Muy cerca de la Universidad de Manchester existe una estatua de Alan
Turing que sola ver cuando sala de la universidad mientras haca mi doctorado y pensaba en lo injusto que haba sido el trato hacia este cientfico. Fue hasta 2009 que el primer ministro Gordon Brown, a nombre del gobierno, public una disculpa pstuma despus de que miles de
personas pusieron su nombre en una peticin en internet creada por el cientfico computacional John GrahamCumming.

212

ELECTRNICA MIJAREZ

4 La maravillosa electrnica digital

 Usando sumadores es posible realizar, adems de sumas y restas, las multiplicaciones.


 La representacin en complemento a 2 permite realizar operaciones con signo.
 Los minitrminos son expresiones booleanas que
utilizan las combinaciones de entrada de una tabla
de verdad que producen salida 1 y las unen con una
compuerta OR.
 Los maxitrminos son expresiones booleanas que
utilizan las combinaciones de entrada de una tabla
de verdad que producen salida 0 y las unen con una
compuerta AND.
 El nmero de salidas de un decodificador es de 2n,
donde n es el nmero de entradas.
 Las salidas de un decodificador pueden ser activo
bajo, 0 lgicos, para lo cual usamos maxitrminos,
o activo alto, 1 lgico, para lo cual se usan minitrminos.
 La lgica combinacional utiliza como elementos principales a las compuertas lgicas.
 La lgica secuencial utiliza como elemento base a las
celdas de memoria.
 Existen dos tipos de memorias: voltiles, que pierden la informacin cuando pierden la energa (tipo
memorias RAM), y no voltiles, las cuales puede mantener sus datos aun cuando se quita su alimentacin
(tipo memorias ROM; EPROM, EEPROM y FLASH).
 Las memorias constan de n lneas de entrada, llamadas direccin, y m lneas de salida, llamadas palabras.
 Las memorias tienen parmetros importantes de temporizacin, como las seales de control y el tiempo
de acceso (tACC), utilizados al interconectarse con
otros dispositivos como microprocesadores.
 Los flip-flops constituyen los elementos bsicos de la
lgica secuencial, y son utilizados para almacenar

PROBLEMAS

DEL CAPTULO

datos (1 y 0) en memorias voltiles y registros, para


generar tiempos y contar secuencias, etctera.
 El tiempo de set up en un flip flop D es el tiempo que
la entrada, D, debe permanecer estable antes de
que llegue la transicin del pulso de reloj.
 El tiempo de hold en un flip flop D es el tiempo que
la entrada, D, debe permanecer estable despus de
que llegue la transicin del pulso de reloj.
 Los dispositivos de tercer estado tienen un estado de
alta impedancia, el cual les permite hacer buses digitales.
 Un bus representa un grupo de seales que transmiten informacin binaria.
 Las mquinas de estado se basan en lgica secuencial, flip flops, y, generalmente, se sincronizan con
un reloj.
 Los flip flops, en una mquina de estados, reflejan el
estado de las entradas en el momento en que la entrada de reloj est presente; tambin pueden ser usados para almacenar informacin.
 Los dispositivos lgicos programables (PLD, PAL o
GAL) consisten de un arreglo de compuertas AND y
OR que pueden ser programadas por el usuario, y adems pueden contener flip flops.
 La programacin de los PLDs se efecta por medio
de interruptores programables hechos predominantemente de transistores CMOS.
 Los dispositivos lgicos programables con mayor capacidad son los FPGAs.
 El diseo de hardware en estos dispositivos es realizado usando lenguajes de programacin especializados (ABEL, PALASM, VHDL o Verilog) o dibujando
con la ayuda de herramientas CAD de captura de esquemticos.

4.1 Cul es el valor equivalente en decimal del siguiente


nmero maya de tres posiciones?

4.3 Qu trmino se utiliza para definir un dgito binario? Defina que significan los trminos nibble y byte.

4.4 Convierta el nmero en representacin hexadecimal

=`^liX+%0'
4.2 Usando la representacin exponencial de un nmero, en este caso el valor 106, defina qu trminos se
utilizan para el 10 y para el 6, respectivamente.

7A5C16 a su equivalente en decimal.


4.5 Convierta el siguiente nmero binario
%1011110010100101 a su equivalente hexadecimal.
4.6 Describa la tabla de verdad de las tres compuertas
lgicas elementales que conforman los sistemas digitales.

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213

4 La maravillosa electrnica digital

4.7

Describa la tabla de verdad de la compuerta NAND


y de la compuerta NOR.

4.8

Describa la tabla de verdad de la compuerta XOR


y defina cmo se puede usar esta compuerta como
inversor.

4.9

4.10

4.11

Describa cmo se relacionan los minitrminos y


los maxitrminos de una tabla de verdad con el
teorema de De Morgan.
De acuerdo con la tabla de verdad obtenida de la
regla de las sumas, es posible disear circuitos sumadores. Defina cmo se pueden hacer circuitos
restadores y multiplicadores a partir de los sumadores.
Con la representacin de nmeros en complemento a 2 se pueden realizar sumas y restas con
signo. Realice la siguiente operacin usando el
complemento a 2.
20
40
2010

de las seales de entrada del siguiente f-f sncrono


tipo RS.
0

FF

CK
R

=`^liX+%0(
4.16

Describa el tiempo de set up y de hold de un flipflop tipo D.

4.17

Cul es la diferencia entre las memorias SRAM y


DRAM?

4.18

Describa la diferencia entre las memorias ROM,


EPROM, EEPROM y FLASH.

4.19

Para qu se utilizan los dispositivos de tercer estado y a qu se le llama alta impedancia?

4.20

Cul es la diferencia entre un flip flop y un latch?

4.21

Una memoria ROM tiene un bus de direcciones


de 20 lneas. Cul es su capacidad de direccionamiento?

4.12

Disee un decodificador de 3 a 8, con las salidas


activo alto.

4.13

Cuntas lneas de direcciones se requieren para direccionar una memoria EPROM de 16K bytes?

4.22

Describa qu significan los acrnimos PLD, PAL,


GAL, CPLD y FPGA.

4.14

Disee una memoria de 8K bytes con 2 memorias


de 8K r 4 bits.

4.23

Describa qu elementos constituyen un bloque lgico o macrocelda en un PLD.

4.15

Obtenga el diagrama de tiempos de los pulsos de


salida que correspondan a los trenes de pulsos

4.24

Describa las ventajas de los PLD con respecto a su


contraparte digital discreta en circuitos integrados.

214

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular

microcontrolador
INTRODUCCIN
El microcontrolador, abreviado como C o MCU, es una maravilla digital integrada en un solo CI.
Aunque la creacin de los microcontroladores es hasta cierto punto reciente y estos han estado con
nosotros solo desde hace unas cuantas dcadas, su impacto ha sido profundo. El uso de los microcontroladores se ha hecho tan grande y comn que en muchas ocasiones no se advierte su presencia;
sin embargo, es posible encontrarlos como componente central de muchos de los productos que
contienen interfaces con el mundo f sico. Estas interfases pueden ser funciones de control de entrada o salida, tan comunes como encender o apagar dispositivos y/o monitorear determinadas
condiciones. Entre algunos de los ejemplos del empleo de este popular dispositivo destacan: los
sistemas de control de procesos automotrices (bolsas de aire, control del motor, frenos ABS, etc.);
los medidores de servicios (de energa elctrica, agua o gas); los productos de lnea blanca (lavadoras, hornos de microondas, procesadores de comida, secadoras, etc.); algunos artculos de consumo
comn (monitores de glucosa, dispositivos de presin de sangre, telfonos, radios, relojes despertadores, etc.); algunos juguetes y aplicaciones de Internet, entre muchos otros.
En la actualidad, la popularidad de los microcontroladores sigue en aumento debido a que es
posible comprar microcontroladores de ocho y hasta seis terminales por solo unos cuantos centavos de dlar; aunque por unos centavos ms, es posible conseguir microcontroladores con capacidades de procesamiento, las cuales hasta hace algunos aos hubieran sido catalogadas como

215

5 El popular microcontrolador

propias de supercomputadoras.1 Todo esto con base en el uso de los dispositivos semiconductores que hemos visto
en este libro.
Por esa razn, en este captulo iniciamos con un esbozo histrico de los microprocesadores (P) y los microcontroladores. Posteriormente, abordamos los conceptos fundamentales de los microprocesadores con la presentacin de
un microprocesador modelo, el cual contiene los elementos principales de la mayora de los microprocesadores. Luego, hacemos uso de calculadora con operaciones lgicas e instrucciones de programacin bsicas (para conocer sus
principios y su manejo) que se incluye en el CD ROM que acompaa este libro. Los conceptos aprendidos aqu se
pueden aplicar de manera general a cualquier microprocesador y nos preparan para entrar al mundo de los microcontroladores.
Los microprocesadores y microcontroladores son, de cierta manera, similares; por tal razn, algunas veces se usa
el trmino micro para referirse indistintamente a cualquiera de ellos. Sin embargo, existen diferencias marcadas entre
uno y otro, las cuales puntualizaremos antes de abordar el tema de uno de los microcontroladores ms populares de
la industria electrnica: el 80C51 de Intel. Para entender los conceptos bsicos de los C, en particular del C 80C51,
usamos un enfoque prctico conocido como ABpra; es decir, vamos a aprender basndonos en prcticas de laboratorio, aunque tambin incluimos prcticas usando un simulador comercial. Estas prcticas enfatizan conceptos simples,
pero importantes, del 80C51, que una vez comprendidas se pueden aplicar a cualquier microcontrolador, consultando
el manual del usuario y las hojas tcnicas de cada uno. Sin ms aplausos para el popular microcontrolador, en este
captulo estudiamos:
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X

Esbozo histrico de los microprocesadores y microcontroladores.


Frenticos por las computadoras digitales.
Desmitificando al CPU o P.
C de 8 bits: el popular 8051.
Arquitectura.
Perifricos mapeados a memoria.
Modos de direccionamiento.
Procesador de Bool.
Perifricos internos.
Interfaz de hardware para un C.

ESBOZO

HISTRICO DE LOS MICROPROCESADORES Y MICROCONTROLADORES

Los microprocesadores y microcontroladores se encuentran en todas partes; estn entre nosotros, haciendo nuestras vidas ms seguras y confortables, por lo que es dif cil imaginar el mundo moderno sin ellos. Basta mirar a nuestro
alrededor para encontrarnos con decenas de estos dispositivos. Los microcontroladores, tanto como sus antecesores los microprocesadores, estn conformados por los activos transistores. Con la ayuda de la microelectrnica, los
transistores se combinan para formar compuertas; a su vez, las compuertas se combinan para formar flip-flops,
contadores y otras funciones lgicas. Por su parte, las funciones lgicas, a su vez, se combinan para constituir
memorias, unidades de control y unidades aritmticas y lgicas, las cuales en conjunto constituyen a los microprocesadores. De esta manera, el nmero de transistores en un CI se ha convertido en una medida razonable de su
complejidad funcional.
1

Buzz Aldrin (bautizado con el nombre Edwin Eugene Aldrin, Jr.), uno de los tres astronautas del emblemtico Apolo 11, escribi en su libro
Magnificent desolation, the long journey home from the moon, que las computadoras con las que estaba equipada la nave tenan nicamente 70
kilobytes de memoria y un procesador con una frecuencia de reloj de solo 2,048 kHz. Si en la actualidad se observan los sistemas de control del
Apolo 11, con sus pequeos displays y teclados de 19 botones, se consideran arcaicos respecto de los estndares de hoy en da. Los videojuegos
y la mayora de los telfonos celulares de la actualidad cuentan con una capacidad de procesamiento muchas veces mayor que la tecnologa que
llev al hombre a la Luna a fines de la dcada de 1960. Aun as, la NASA se asegur de que las computadoras del Apolo 11 fueran de las ms
avanzadas de su poca, ya que fueron las primeras en usar tecnologa de circuitos integrados. Aun as, estas limitadas computadoras permitieron
a los astronautas realizar los complejos clculos de navegacin, cruciales para descender exitosamente en la Luna.

216

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Microprocesadores
El primer microprocesador en CI tiene su origen en el decenio de 1970, hace apenas cuatro dcadas.2 En 1971, Intel
Corporation fabric el primer microprocesador de tecnologa PMOS: el 4004. El microprocesador 4004 era un microprocesador de 4 bits; contena 2,300 transistores y corra a 108 kHz; poda direccionar solo 4096 localidades de memoria de 4 bits; reconoca 45 instrucciones y poda ejecutar, en promedio, una instruccin en 20 s. La popularidad de
este microprocesador se debe a que se utiliz en las primeras calculadoras de escritorio; sin embargo, debido a limitaciones de capacidad y velocidad, hacia 1972 Intel desarroll una versin ms poderosa: el microprocesador 8008. Este
microprocesador tena una arquitectura de 8 bits; es decir, poda manipular bytes, y la memoria que poda manejar se
increment a 16 Kbytes; no obstante, la velocidad de operacin continu igual.
Hacia 1974, Intel lanz al mercado el 8080 (el primer microprocesador de tecnologa NMOS), el cual super la
velocidad de su predecesor, el 8008, que operaba a 2 MHz, y al cual se le consider el primer diseo de microprocesador comercialmente exitoso, cuyo costo inicial fue de 179 dlares. Adicionalmente, se increment la capacidad de
direccionamiento de memoria hasta 64 Kbytes. Con base en ese diseo, a partir de ese ao varias compaas fabricantes de circuitos integrados comenzaron a producir microprocesadores, como National Semiconductors, Rockwell
International, Zilog, Motorola y Fairchild, entre otras.
En 1975, Zilog lanz al mercado el Z80, uno de los microprocesadores de 8 bits ms poderosos. El Z80 estaba
diseado para ser compatible a nivel de cdigo con el Intel 8080, de tal forma que la mayora de los programas para el
8080 pudieran funcionar en este, en especial el sistema operativo CP/M.3 El mismo ao, 1975, Motorola abate dramticamente el costo de los microprocesadores con sus modelos 6501 y 6502, este ltimo adoptado por Apple Inc., para
su primera microcomputadora personal.4 Estos microprocesadores se comercializaron en 20 y 25 dlares, respectivamente, lo que provoc un auge en el mercado de las microcomputadoras de uso domstico y un caos en la proliferacin de lenguajes, sistemas operativos y programas, ya que ningn producto era compatible respecto del otro
fabricante.
Los microprocesadores por s solos no eran utilizables; pero, como parte de las llamadas computadoras de una
tarjeta (SBC, por sus siglas en ingls), se convirtieron en el componente central. Con el advenimiento de las SBC, fue
posible fabricar tiles productos, con el fin de disear y aprender acerca de los microprocesadores. Por tanto, las SBC
muy pronto encontraron un destacado uso en los laboratorios de diseo de universidades, centros de investigacin y
compaas relacionadas con aplicaciones electrnicas.

Microcontroladores
En 1976 aparecieron las primeras microcomputadoras de un solo CI, las cuales, posteriormente, se denominaron
como microcontroladores. De esta forma, dos de los primeros microcontroladores son el 8048 de Intel y el 6805R2 de
Motorola. Aos ms tarde, en la dcada de 1980 se acentu la divisin en la evolucin tecnolgica entre microcontroladores y microprocesadores. En la figura 5.1 se muestra el orden cronolgico de los microcontroladores y microprocesadores que marcaron el inicio de la carrera tecnolgica de las computadoras personales (PC), basadas en
microprocesadores Intel y Motorola.
En la actualidad, los microprocesadores incorporan cada vez mayores capacidades para aplicaciones en las que se
requiere el manejo de grandes volmenes de informacin. Los microcontroladores, en cambio, agregan ms capaci2

En 1971, el primer P del mundo, el 4004, fue diseado por el italiano Federico Faggin (1941- ), quien entonces trabajaba para Intel. Durante
1971-1972, Faggin dirigi un equipo que dise el P de 8 bits de alta funcionalidad, el 8080, el cual tuvo gran xito. Pero, para 1974, Federico
Faggin dej Intel para iniciar Zilog, competidor directo de Intel en este emergente mercado de los microprocesadores.
CP/M fue el primer sistema operativo creado para las computadoras personales; predecesor del sistema operativo Disc Operating System (DOS,
por sus siglas en ingls).
Antes de que Steve Jobs (1955-2011) y Steve Wozniak (1950- ) disearan la computadora Apple I, en el garaje de la casa de Jobs, las computadoras no eran consideradas como aparatos personales; estas eran grandes mquinas que dif cilmente podan estar en las casas. Las nicas corporaciones con recursos para comprar computadoras eran las industrias y las universidades; adems, manejarlas requera saber comandos
especializados. La clave para disear una computadora de bajo costo, que estuviera al alcance de la mayora de las personas, fue el empleo de un
microprocesador de solo 25 dlares y una memoria ROM, ambos contenidos en una tarjeta madre. Jobs continu mostrando su talento, rodendose de gente brillante y generando productos innovadores hasta su fallecimiento. A los 26 aos de edad Jobs ya era millonario, con su empresa
de la manzana. Impresionante!

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217

5 El popular microcontrolador

Intel 4004
First
Microprocessor

Intel
8008/8080
8-bit
Microprocessor

Motorola
6500
Microprocessor

Intel 8048
8-bit
Microcontroller
Intel 8086
16-bit
Microprocessor

PC

Motorola 6800
series
Microcontrollers

Motorola 68000
Microprocessor

1971

Intel 8051
8-bit
Microcontroller

1974

Mac

1980

=`^liX,%( Fi[\eZifefc^`Zf[\cfjgi`d\ifjd`ZifgifZ\jX[fi\jpd`ZifZfekifcX[fi\j%
Arquitecturas con mayor nmero de perifricos internos,
e.g., de comunicaciones, de E/S, de memoria,
de temporizacin, etc.; facilidades para el control en tiempo real.

MICROCONTROLADORES

1971

1976
MICROPROCESADORES
Arquitecturas con longitudes de palabras de
16, 32 64 bits..., mayor capacidad de manejo
de memoria.

=`^liX,%) ;`m`j`e\ecX\mfclZ`ek\Zefc^`ZX\eki\Gp:%
dades que permiten una mayor interaccin con el mundo f sico en tiempo real, adems de mejores desempeos en
ambientes de tipo industrial. En la figura 5.2 se observa la divisin entre estos dispositivos.
Las aplicaciones de los microprocesadores se centran en el manejo de grandes cantidades de datos, como en las
computadoras personales (PC). Por otro lado, los microcontroladores enfocan sus recursos al control en tiempo real,
como el caso de los sistemas mnimos y/o sistemas embebidos. La figura 5.3 ejemplifica las aplicaciones de ambos.
En 1976, Intel introdujo la familia de microcontroladores MCS-48TM; el primer dispositivo de esta familia, el 8748,
inclua una unidad central de procesamiento (CPU, por sus siglas en ingls), una EPROM de 1 Kbyte, 64 bytes de
RAM, 27 terminales de entrada/salida (E/S) y un temporizador de 8 bits; todos estos circuitos empaquetados en un
solo CI de 40 terminales y con 17 000 transistores. La familia de dispositivos MCS-48TM pronto se populariz en la
industria ligada a las aplicaciones de control. As, una de sus primeras aplicaciones fue la sustitucin de componentes
electromecnicos usados en productos, como lavadoras y controladores de seales de trnsito (semforos), entre
otros.
A partir de su creacin, los fabricantes de microcontroladores continuaron mejorando fuertemente las caractersticas de potencia, tamao y funcionalidad; as, en 1980, Intel present en el mercado la familia de microcontroladores

218

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Control en tiempo real

Grandes volmenes
de datos

Sistemas mnimos/ embebidos

Sistemas informticos

MICROCONTROLADORES

MICROPROCESADORES

=`^liX,%* ;`m`j`e[\Xgc`ZXZ`fe\j\eki\Gp:%
MCS-51TM. En comparacin con su predecesor, el 8048, este microcontrolador contaba con 4 Kbytes de ROM, 128
bytes de RAM, 32 terminales de E/S, un puerto serie y dos temporizadores de 16 bits; un nmero extraordinario de
circuitos en un solo CI de 40 terminales. Por supuesto, su complejidad se increment al contener ms de 60 000 transistores. Posteriormente, tambin se agregaron nuevos miembros a la familia MCS-51TM; as, en la actualidad existen
versiones de otros fabricantes, independientes de Intel, que mejoraron drsticamente sus especificaciones originales.
En consecuencia, la familia del MCS-51TM se encuentra bien establecida en el mercado como uno de los microcontroladores de 8 bits ms poderosos y verstiles. Por tanto, su lugar como lder de microcontroladores de 8 bits est consolidado por muchos aos ms.
Para aprender ms acerca de los microcontroladores, en este captulo describimos a los miembros de la familia del
MCS-51TM, por lo que en los siguientes apartados presentamos la arquitectura de su circuitera (hardware), as como
su programacin (software). Tambin, se demuestra mediante prcticas, cmo podemos usar los microcontroladores
en diseos electrnicos con una cantidad mnima de componentes adicionales. Sin embargo, antes de introducirnos
de lleno en el mundo de los microcontroladores, primero se exponen los fundamentos de los sistemas basados en
microprocesadores, incluyendo los acrnimos y trminos ms populares que predominan y que, en ocasiones, producen confusiones en este campo de la electrnica.

Frenticos por las computadoras digitales


Es innegable que en las sociedades modernas se tiene un frenes por las computadoras digitales. Las tenemos en la casa,
el automvil, la industria y las traemos con nosotros como objetos personales y de entretenimiento; la tendencia es,
pues, que el nmero de estos dispositivos contine incrementndose. Pero, qu es una computadora digital? Bien, en
su sentido ms amplio, una computadora se define como un dispositivo que puede aceptar informacin del mundo
exterior, procesar esa informacin usando operaciones lgicas y/o aritmticas, tomar decisiones con base en los resultados de este procesamiento y, por ltimo, regresar la informacin procesada al mundo exterior en un nuevo formato.
Los elementos principales que conforman un sistema computacional son: el microprocesador (P), tambin llamado unidad central de procesamiento (CPU, por sus siglas en ingls); los dispositivos de memoria tipo ROM o RAM,
los cuales se usan para almacenar programas (secuencia de instrucciones) o datos, respectivamente, y los puertos de
entrada y salida (E/S) que se usan para realizar la comunicacin con el mundo exterior. En la figura 5.4 se muestran los
elementos principales de los que se compone una computadora digital de propsito general.
El componente toral de una computadora, el cerebro, es la CPU; debido a que, precisamente, es en la CPU donde se llevan a cabo todas las operaciones numricas y la toma de decisiones. La CPU tiene dos seales de entrada que
se generan externamente: la seal de inicializacin o restablecimiento (reset) y una seal de reloj, tambin llamada
oscilador.

Seales de reset y de reloj


La seal de reset se usa para forzar a la CPU a iniciar en un estado conocido. Algunas veces, debido a determinados
eventos, los programas complejos y/o mal diseados pueden terminar atrapados en lazos infinitos. La nica forma de

grupo editorial patria

219

5 El popular microcontrolador

Bus de control
Bus de datos

RA

Bus de direcciones

M
RO
a
alid
es
d
rto
Pue

CP

se
Re

ada
ntr
ee
d
rto
Pue

Hacia el
mundo exterior

Desde el
mundo exterior

loj

Re

=`^liX,%+ :fdgfe\ek\jgi`eZ`gXc\jhl\Zfejk`klp\eleXZfdglkX[fiX[`^`kXc%
sacarlos de estos lazos es usar la seal de reset. Por lo general, un circuito externo denominado power-on-reset, que
podra ser un circuito RC, sirve para inicializar la CPU; se usa para aplicar de manera automtica la seal de reset a la
CPU cuando se enciende por primera vez el sistema.
La seal de reloj se caracteriza por conmutar entre dos niveles de voltaje millones o miles de millones de veces por
segundo. La seal de reloj se usa para sincronizar las acciones internas y externas de la CPU, de la misma forma que el
ritmo de un tambor sincroniza a una banda de msica; el refrn: bailar al son que te toquen, aplica perfecto para
explicar que la CPU procesa al son (frecuencia) del circuito de reloj. Una de las preguntas ms frecuentes al iniciar el
estudio de sistemas basados en microprocesadores es: cmo se genera esta seal de reloj? La forma ms comn para
obtener esta seal de reloj es mediante un dispositivo llamado oscilador de cristal.
Oscilador de cristal: piedras con ritmo
No cabe duda que el componente ms sexy de una computadora digital es la CPU o microprocesador; aunque mucho de su sex appeal proviene de la seal de reloj, la cual es generada por un circuito oscilador basado en un cristal.
Este circuito oscilador usa la resonancia mecnica de vibracin de un cristal con caractersticas piezoelctricas,5 por
medio del cual se genera una seal elctrica con una frecuencia muy precisa; esta frecuencia se usa como base de
tiempo de los sistemas digitales, de la misma manera que en los relojes de cuarzo, y provee la extrema exactitud con
la que operan los dispositivos basados en microprocesadores, desde los sistemas de posicionamiento global (GPS)
hasta el reloj del horno de microondas que se usa en los hogares.
Desde su creacin, el cristal piezoelctrico ms usado es el cuarzo; a los diseos de circuitos basados en esta piedra se les llama simplemente osciladores de cristal. No obstante, otros materiales, como los resonadores cermicos,
tambin tienen mucha popularidad en aplicaciones que requieren exactitudes menos exigentes. La frecuencia de resonancia de un cristal depende del tamao, la forma, la elasticidad y la velocidad del sonido del material. Cuando un
cristal de cuarzo se corta de forma adecuada, puede deformarse por la influencia de un campo elctrico al aplicarle
un voltaje a las caras del cristal; esta propiedad se conoce como piezoelectricidad. Cuando se retira el voltaje, el cristal
genera un campo elctrico al regresar a su forma original, produciendo un voltaje. Como resultado, el cristal de cuarzo se comporta como un circuito compuesto por una inductancia, una capacitancia y una resistencia. En la figura 5.5
se muestra el smbolo para un oscilador de cristal y su circuito elctrico equivalente.
5

El efecto piezoelctrico fue descubierto en 1880 por los hermanos Jacques y Pierre Curie; sin embargo, la primera aplicacin prctica fue realizada por Paul Langevin, durante la Primera Guerra Mundial, al emplear este efecto para desarrollar el sonar. Pero, el primer oscilador basado en
un cristal fue construido hasta 1917 y patentado en 1918 por Alexander M. Nicholson, de los laboratorios Bell, aunque su paternidad fue disputada por Walter Guyton Cady.

220

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

C
L
R

a)

b)

=`^liX,%, FjZ`cX[fi[\Zi`jkXc%X JdYfcf%Y :`iZl`kf\cZki`Zf\hl`mXc\ek\%


Las caractersticas particulares de cada cristal dependen de los ngulos que se forman de acuerdo con sus ejes, y
con los cuales se corta el cristal, as como tambin dependen de sus deformaciones llamadas modos de vibracin. En
la figura 5.6 es posible observar algunos de los modos de vibracin de los cristales ms comunes.

Modo longitudinal

Modo transversal

Modo flexural

Tenedor sintonizable

=`^liX,%- Df[fj[\m`YiXZ`e[\leZi`jkXcg`\qf\cZki`Zf%
La frecuencia es inversamente proporcional al grosor del cristal. Por tanto, la frecuencia de resonancia del cristal,
que depende de su tamao, no vara significativamente, de ah su increble exactitud. Adicionalmente, para aplicaciones crticas al cristal de cuarzo se le integra un control de temperatura, y se monta sobre amortiguadores especiales,
con el fin de prevenir perturbaciones provenientes de vibraciones mecnicas.
Pero, el cristal no funciona por s solo, requiere de un circuito electrnico oscilador para que se mantenga una
oscilacin. En este caso, el circuito oscilador toma el voltaje producido por el cristal, lo amplifica y lo retroalimenta al
circuito oscilador, como lo representa esquemticamente la figura 5.7. La tasa de expansin y de contraccin del cristal determina la frecuencia de resonancia. Cuando la energa de las frecuencias generadas iguala las prdidas en el
circuito, la oscilacin puede sostenerse de manera constante.
Cabe destacar aqu que los cristales de cuarzo proveen resonancias en serie y en paralelo. Por lo general, la resonancia en serie es unos kilohertz menor que la resonancia en paralelo. Algunos fabricantes disean cristales que operan con una capacitancia de carga con valores de unos cuantos picofarads; tpicamente 30 pF. Por ejemplo, para que

Voltaje
sintonizador

Cristal
resonador
Frecuencia
de salida
Amplificador

=`^liX,%. ;`X^iXdX\jhl\d}k`Zf[\leZ`iZl`kffjZ`cX[fi[\Zi`jkXc%

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221

5 El popular microcontrolador

un cristal con resonancia en paralelo opere a su frecuencia especificada, el circuito electrnico debe tener una capacitancia en paralelo especificada por el fabricante. Es importante remarcar que igualar la frecuencia del cristal con el
circuito electrnico recomendado es responsabilidad del fabricante. El circuito electrnico puede estar compuesto de
transistores bipolares, transistores FET, OP AMPs o compuertas digitales. En la figura 5.8 se muestra un circuito
oscilador tpico con compuertas digitales.

=`^liX,%/ :`iZl`kffjZ`cX[fiZfeZfdgl\ikXj[`^`kXc\j%
La mayora de las aplicaciones de los circuitos osciladores requieren ondas sinusoidales o seales compatibles con
los niveles lgicos TTL o CMOS; de estos, los ltimos dos pueden ser generados por una onda sinusoidal. En la figura
5.9 se observan las salidas tpicas de un circuito oscilador.6

+15 V
+10 V
+5 V
0V
5 V
Sinusoidal

TTL

CMOS

=`^liX,%0 JXc`[Xjkg`ZXj[\leZ`iZl`kffjZ`cX[fi%

Dispositivos de memorias y puertos de entrada y salida


Los otros componentes que conforman el sistema computacional son los dispositivos de memoria ROM y RAM, adems de los puertos de entrada y de salida. Por lo que respecta a los dispositivos de memoria, estos pueden contener
miles o millones de datos. En su caso, los datos que contiene la memoria ROM se almacenan de manera permanente
durante su construccin. Por tanto, la CPU puede leer (extraer) datos de la memoria ROM, pero no puede escribir
(insertar) nuevos datos en esta. As pues, en la memoria ROM pueden almacenarse las instrucciones de inicializacin
de la computadora y las rutinas de control requeridas en el encendido de la computadora por primera vez.7
6

Se recomienda leer un tutorial muy completo, con informacin adicional acerca de los cristales de cuarzo, de John R. Vig, titulado Quartz crystals resonators and oscillators, disponible en: http://www.am1.us/Local_Papers/U11625%20VIG-TUTORIAL.pdf
En el tiempo en el que an no existan las memorias ROM, los usuarios de las computadoras deban introducir manualmente las instrucciones
de inicializacin cada vez que se encenda el sistema por primera vez. Este proceso se realizaba definiendo un conjunto de interruptores por cada
instruccin, y despus presionando un botn para introducir la instruccin. Este proceso se llamaba booting up the computer, en ingls, y poda
ser muy largo y tedioso. Soy originario del norte de Mxico y durante mi adolescencia usar botas vaqueras era cool y casi una obligacin. Este
tipo de botas tiene un par de pequeos aros de piel cosidos en la parte superior de las botas, los cuales se utilizan para jalar las botas hacia arriba
y calzar cada pie; desde la poca de los legendarios cowboys, en Estados Unidos de Amrica, a finales del siglo xix, quienes tuvieron su origen en
los vaqueros del norte de Mxico, a estos pequeos aros se les llama bootstraps, en ingls; as pues, de ese tiempo tambin data la frase: pulling

222

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5 El popular microcontrolador

Por otro lado, la CPU s puede leer datos de una memoria RAM y escribir datos nuevos en esta. Cuando el sistema
se enciende por primera vez, la memoria RAM contiene datos aleatorios. Lo anterior significa que cualquier dato
importante almacenado en la RAM debe ser escrito por la CPU despus que se encendi el sistema.
De manera general, es posible almacenar grupos de datos en las memorias RAM, as como tambin resultados
intermedios y, en ocasiones, hasta programas.8
Por ltimo, cabe aclararse que la computadora usa puertos de entrada y salida para comunicarse con el exterior.
La figura 5.4 muestra nicamente dos puertos, pero la computadora puede contener cuantos puertos requiera el diseador. A todos los dispositivos que se encuentran en la periferia de la CPU y permiten la comunicacin con el exterior
se les llama dispositivos perifricos. Estos perifricos podran ser los dispositivos necesarios para la aplicacin concreta que se le dar al sistema computacional, tales como el teclado, que permite introducir la informacin necesaria para
el funcionamiento del sistema, o los indicadores visuales, que permiten tener un monitoreo del proceso realizado.
Adicionalmente, existen otros perifricos que se pueden agregar a la CPU, como los convertidores ADC y DAC, para
permitir la interfaz con el mundo analgico, puertos seriales y paralelos, para comunicacin con otros dispositivos
perifricos o incluso otras CPU.

Buses de datos, direcciones y control


El trmino bus se usa para referirse al medio por el cual un grupo de seales puede transferir informacin digital desde una o varias fuentes a cualquiera de varios destinos; sin embargo, una transferencia solo puede realizarse en un
tiempo determinado. Un sistema basado en una CPU, como es el caso de la computadora que estamos analizando,
hace uso de tres tipos de buses:
1. El bus de datos.
2. El bus de direcciones.
3. El bus de control.
La CPU usa el bus de direcciones para seleccionar otros dispositivos en el sistema, mientras que utiliza el bus de
control para indicar si se desea hablarle al dispositivo (transmitir/escribir/sacar datos de la CPU) o escucharlo
(recibir/leer/introducir datos hacia la CPU); por ltimo, la CPU usa el bus de datos como medio para transferir informacin con dispositivos de memoria o puertos de entrada y salida.
El bus de control
El bus de control contiene las seales que se utilizan para realizar la lectura o la escritura de datos a memoria y/o a
dispositivos de entrada y salida; adems, en este se incluyen las seales de interrupcin del sistema, las cuales, por lo
general, son abreviadas como INT. Es comn que las seales de reloj y de reset se consideren parte del bus de control,
aunque estas seales se tratan de manera independiente, como se ilustra en la figura 5.4.
Por lo general, para representar las seales de escritura y de lectura se usan las abreviaturas WR y RD, del ingls
write y read. El cuestionamiento que hago al explicar estas seales de control es el siguiente: cul es el sentido de
corriente de las seales WR y RD?, salen o entran de la CPU? Bien, estas seales de control salen de la CPU. S, tambin la seal de RD es una seal de salida. Las seales que entran a la CPU cuando se activa la seal de RD son los
datos que se leen de la memoria o puerto, precisamente por el bus de datos. En la figura 5.10 se representa el sentido
de las principales seales de control de una CPU.

oneself up by ones own bootstraps, la cual significa alcanzar el xito por tu propio esfuerzo. La palabra bootstrap se ha usado comnmente en
el mbito computacional desde 1950; sin embargo, con el auge de las computadoras en la dcada de 1980 esta palabra se acort por boot y se
hizo popular hasta nuestros das para indicar el proceso de inicializacin que se almacena en la memoria ROM de un sistema computacional.
Las primeras memorias que se disearon para usarse en las computadoras eran de naturaleza secuencial, lo que significa que la nica forma de
extraer los datos era en el mismo orden en el cual haban sido almacenados, como en el caso de las cintas magnticas. As, cuando se invent la
memoria RAM, se utiliz el trmino memoria de acceso aleatorio para enfatizar que en este tipo de memoria los datos podan ser ledos o escritos desde cualquier localidad del dispositivo.

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223

5 El popular microcontrolador

WR
RD

CPU
Reset
INT

Reloj

=`^liX,%(' J\ek`[f[\cXjgi`eZ`gXc\jj\Xc\j[\Zfekifc[\leX:GL%

El bus de datos
En la figura 5.4 el bus de datos est representado como una entidad slida, que es una representacin simblica, ya que
en la realidad el bus de datos est formado por un grupo de alambres o lneas conductoras. Para fines prcticos, vamos
a considerar que la computadora tiene un bus de datos de 8 bits. La figura 5.11 a) muestra la representacin simblica
del bus de datos, mientras que la figura 5.11 b) ilustra la representacin con alambres, donde los puntos entre alambres
significan una conexin.
Hacia/desde
la RAM

Hacia/desde
el resto del
sistema

res s
mb uale
a
l
A ivid
ind

Desde la ROM

= Conexin

Hacia un
puerto

Hacia/desde
el CPU

Desde un puerto

b)

a)

=`^liX,%(( 9lj[\[Xkfj%X I\gi\j\ekXZ`ej`dYc`ZX%Y I\gi\j\ekXZ`eZfeXcXdYi\j%

La informacin que se transfiere por el bus de datos es bidireccional; es decir, por los alambres que conforman este
bus, la CPU se comunica, en ambos sentidos, con dispositivos externos (memorias RAM y ROM, y puertos de entrada y de salida) para leer o escribir datos, segn corresponda.
Bus de direcciones
Para describir el bus de direcciones, primero imaginemos la forma en que la CPU ve el mundo exterior. Por ejemplo, el
almacenamiento de instrucciones en una memoria ROM y de datos en una memoria RAM puede ser visto por la CPU
como un conjunto de cajas. Para el caso de la memoria ROM, las cajas estn selladas con un plstico transparente y
cada caja contiene un nmero en un fragmento de papel que la CPU puede leer, pero no puede modificar. En cambio,
para la memoria RAM las cajas estn abiertas, por lo que la CPU puede escribir un nmero en un papel e insertarlo
en la caja. Si la caja ya contiene un papel con un nmero escrito, la CPU tiene la posibilidad de leer el nmero escrito

224

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Cajas selladas (ROM)


0

Cajas abiertas (RAM)


=`^liX,%() I\gi\j\ekXZ`e[\d\dfi`XjZfdfleZfealekf[\ZXaXj%

en el papel, copiarlo y escribirlo en otra caja; o bien, tambin puede borrar el nmero del papel y escribir un nuevo
nmero. La figura 5.12 muestra esta representacin de las memorias como conjuntos de cajas.
Aunque parezca extrao, la CPU ve el mundo exterior como un conjunto de cajas que pueden usarse para almacenar instrucciones y datos; sin embargo, el trmino formal que se utiliza es localidad de memoria en lugar de cajas,
que utilizamos a manera de ejemplo para una mayor comprensin. Incluso, la CPU puede no saber si escribe o lee un
dato de una localidad de memoria o si escribe o lee un dato de un puerto de entrada o de salida, esto depende del diseador y/o el programador. Cada localidad de memoria tiene un nmero de identificacin nico al cual se le denomina direccin. Por tanto, la CPU usa el bus de direcciones para apuntar a la localidad de memoria que le interesa, tal
como se muestra en la figura 5.13.

Bus de control

Direccin

Bus de datos
Bus de direcciones

Re

se

t
Re

lo

PU

Apunta a la localidad
de memoria o puerto de E/S

Palabra de memoria
$000A
El carcter $
indica un nmero
hexadecimal

0 0 1

Bit 7

1 0 1 0 1

Bit 0

Memoria

$0000
$0001
$0002
$0003
$0004
$0005
$0006
$0007
$0008
$0009
$000A
$000B
$000C
$000D
$000E

=`^liX,%(* 9lj[\[`i\ZZ`fe\jXglekX[fXleX[`i\ZZ`e[\d\dfi`X%

Con referencia a este mismo tema, se puede decir aqu que a cada localidad de memoria se le llama palabra, y que
cada palabra tiene el ancho del bus de datos. De esta manera, la CPU que estamos analizando tiene un bus de datos de
8 bits, por ende, cada palabra en la memoria debe ser de 8 bits. Estos bits se numeran del bit 0 al bit 7, como se ilustra

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225

5 El popular microcontrolador

en la figura 5.13.9 Cada bit de una palabra de memoria puede almacenar un 0 o un 1, y todos los bits que conforman la
palabra son propiamente ledos o escritos por la CPU en grupo de manera simultnea. Para el ejemplo de la figura 5.13,
el contenido de la palabra de memoria es 00110101%, y se localiza en la direccin $000A.
A la capacidad total de la CPU de direccionar las diferentes localidades de memoria se le llama espacio de direccin y depende del bus de direcciones de la arquitectura computacional del sistema. Existen varias arquitecturas computacionales, pero antes de adentrarnos en su estudio, vamos a describir la arquitectura de su componente principal:
la CPU.

Desmitificando a la CPU
Ciclo de instruccin
Como hemos apreciado hasta aqu, el componente central de un sistema computacional es la CPU o microprocesador.
Este componente se caracteriza porque administra todas las actividades que se llevan a cabo en el sistema y realiza
todas las operaciones sobre los datos. La CPU es un componente complejo, por lo que un halo de misterio rodea su
funcionamiento; sin embrago, la mayor parte de ese misterio no es justificado, ya que la CPU est compuesta por un
conjunto de circuitos que ejecutan tres operaciones de manera continua: bsqueda, decodificacin y ejecucin de
instrucciones.10 A este conjunto de operaciones se le define como Ciclo de instruccin de la CPU, como se ilustra en
la figura 5.14.
CICLO DE FETC H

Bsqueda de la siguiente
instruccin

Decodificacin de la
instruccin

Ejecucin de la instruccin

CI C LO D E I N STR U CC I N

=`^liX,%(+ :`Zcf[\`ejkilZZ`e[\leX:GL%
Algunos autores consideran a las operaciones de bsqueda y de ejecucin como una operacin conjunta a la que
llaman ciclo fetch; sin embargo, el resultado final al ejecutar las instrucciones es el mismo. Las instrucciones son codificadas en forma binaria, y el trabajo de la CPU es interpretarlas y ejecutarlas durante los ciclos de instruccin.
En cunto tiempo se ejecuta un ciclo de instruccin? Bien, el ciclo de instruccin, tambin llamado ciclo de
mquina, est constituido por un determinado nmero de ciclos del reloj. Por tanto, el ciclo de mquina es la unidad
que representa el tiempo de ejecucin de una determinada instruccin; por ejemplo, hay instrucciones que se ejecutan en un ciclo de mquina, otras en dos, otras en cuatro, etc. Donde cada instruccin representa una operacin
simple; por lo general, estas instrucciones son aritmticas (suma, resta, multiplicacin, divisin), lgicas (AND, OR,
NOT, etc.), de transferencia de datos o de operaciones de bifurcacin (brincos condicionales o incondicionales).
Cualquiera que sea su tipo, todas estas operaciones se representan por un conjunto de cdigos binarios llamado conjunto de instrucciones.
Diagrama simplificado de una CPU
De manera general, internamente una CPU consiste en una serie de circuitos, como lo ilustra el diagrama de bloques
simplificado de la figura 5.15.

10

La razn por la cual se numeran los bits iniciando desde el nmero 0 la revelamos en el captulo anterior, cuando describimos que podemos usar
alambres para representar nmeros.
La funcin principal de una CPU es buscar, decodificar y ejecutar instrucciones de manera cclica. Repetir esta frase como mantra ayuda a desmitificar el funcionamiento de la CPU.

226

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Bus de datos

VCC

Buffer de datos

Bus de datos interno

RTEMP

ACC

PC

SP

IR

R1

R2

R3

RN

Conjunto de registros
ALU
Temporizador
y control
Banderas

Seales internas
de control

Bus de direcciones

Reset

GND
Bus de direcciones

Bus de
control

Oscilador

=`^liX,%(, ;`X^iXdXj`dgc`]`ZX[f[\Ycfhl\j[\leX:GL%
Entre los circuitos ms importantes de una CPU destaca un conjunto de registros de propsito general (R1, R2,
R3); estos circuitos se usan para el almacenamiento temporal de datos; de una unidad aritmtica y lgica (ALU, por
sus siglas en ingls), la cual realiza las operaciones numricas con los datos almacenados, y un registro de instruccin
(IR, por sus siglas en ingls), el cual almacena el cdigo binario para cada instruccin a medida que se ejecuta. El contenido del registro IR pasa a un decodificador de instruccin, en la seccin de temporizacin y control, con el fin de
identificar la instruccin e iniciar las acciones para ejecutarla.
El rea de temporizacin y control es probablemente el elemento ms complejo de la CPU, ya que afecta y da secuencia, en particular, a todos los eventos internos de la CPU, y, en su totalidad, al sistema computacional. En esta
seccin, cada instruccin se divide en una serie de microinstrucciones llamado microprograma. El microprograma de
cada instruccin reside en la seccin de decodificacin de instrucciones y es ejecutado en dicha seccin de temporizacin y control.
Otros dos registros importantes son el puntero o apuntador de pila o stack pointer (SP) y el contador de programa
o program counter (PC). Destaca el hecho de que el registro SP contiene la direccin del stack o pila, el cual es un rea
de memoria RAM reservada para guardar datos temporales o para almacenar datos que son resultado de la ejecucin de ciertas instrucciones, como llamadas a subrutinas. El registro PC es un registro de N bits, donde, por lo general, N es el ancho del bus de direcciones y su funcin es almacenar la direccin de memoria de la siguiente instruccin
a ejecutar.
Por su parte, la ALU realiza operaciones como: sumas, corrimiento circular, incrementos, decrementos, negacin,
AND, OR, XOR, complementos, limpiar y preestablecer. En este sentido, destaca, por un lado, el hecho de que las
operaciones de la ALU se realizan entre el registro acumulador (Acc) y un registro temporal (RTEMP) y, por el otro, que
los resultados son alimentados de regreso al acumulador a travs de un bus interno. La figura 5.16 muestra el estado
de los registros Acc y RTEMP antes y despus de una operacin lgica AND.

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227

5 El popular microcontrolador

RTEMP

Acc
Antes de la
Operacin lgica
AND

Operacin lgica AND


Entre el Acc y el RTEMP

AND A, RTEMP
RTEMP

Acc
Despus de la
Operacin lgica
AND

=`^liX,%(- <jkX[f[\cfji\^`jkifj8ZZpIK<DGXek\jp[\jglj[\leXfg\iXZ`ec^`ZX%
En este ejemplo, antes de la operacin lgica AND, el Acc  A3H, y el RTEMP  F0H; mientras que despus de la
operacin lgica, el contenido de RTEMP se conserva y el contenido del acumulador se modifica; ahora, el Acc contiene
el resultado de la operacin lgica, en este caso Acc  A0H.
El registro de banderas o de estados es un grupo de flip-flops individuales que pueden ponerse a 0 o 1 lgicos, con
base en las condiciones creadas por la ltima operacin de la ALU. Las banderas incluyen indicadores de cero, resultado negativo y acarreo, entre otros. Las banderas sirven para la toma de decisiones cuando se utilizan instrucciones
subsiguientes de bifurcacin.
Ejecucin del ciclo de instruccin
La ejecucin del ciclo de instruccin es una de las operaciones fundamentales efectuadas por una CPU. Involucra la
bsqueda de una instruccin contenida en la memoria ROM y la decodificacin y ejecucin de la instruccin en
la CPU. La descripcin secuencial de cmo la CPU lleva a cabo el ciclo de instruccin es la siguiente:
1.
2.
3.
4.
5.

El contenido del contador de programa, PC, se transfiere al bus de direcciones a travs de un buffer.
Se activa la seal de control de lectura, RD.
Los datos del cdigo de operacin de la instruccin se leen de la memoria ROM y se transfieren al bus de datos.
El cdigo de operacin se almacena en el registro de instruccin, IR, dentro de la CPU.
El contador de programa, PC, se incrementa (PC  PC 1), como preparacin para la siguiente bsqueda en
la memoria ROM.

La figura 5.17 muestra la secuencia de seales y flujo de datos durante la bsqueda de una instruccin.
6. Una vez almacenado el cdigo de operacin en el registro IR, se efecta la decodificacin o interpretacin de
dicho cdigo.
7. Se generan las seales de control para permitir la entrada y la salida de datos de los registros internos de la
ALU, adems de que tambin se ejecuta en la ALU la operacin especificada.
En este ejemplo especfico, el cdigo de operacin es el nmero 86H, el cual puede corresponder a una operacin
muy simple como incrementar el registro Acc. Sin embargo, operaciones ms complejas requeriran la lectura de un
segundo o tercer byte, necesarios como parte de los datos para ejecutar la operacin.

Calculadora lgica
Para ganar intuicin en el manejo de operaciones lgicas, como la operacin AND de la figura 5.16, es conveniente hacer uso de la calculadora lgica que se incluye en el CD ROM que acompaa este libro. La figura 5.18 muestra la
pantalla de esta calculadora lgica.
Como se puede observar en la figura, en el extremo superior izquierdo se ubican los operadores 1 y 2 (operando
1 y operando 2), que son equivalentes a los registro Acc y RTEMP de una ALU, respectivamente. Por su parte, en el

228

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5 El popular microcontrolador

Bus de direcciones

ROM
tos
Da

CPU

PC

BUS
INTERNO

RD

D
H
8 6 CS R

IR

FFFFH

BUFF
DATOS
Bus de datos

86H

DIR

DECO

BUFF
DIR

0001H
0000H

Seal de lectura

(cdigo de operacin)

=`^liX,%(. 8ZZ`fe\j[\cfjYlj\j[\[`i\ZZ`fe\j#[XkfjpZfekifc#[liXek\cXYjhl\[X[\leZ[`^f[\fg\iXZ`e%
extremo inferior izquierdo se distingue el resultado de la operacin lgica, que es equivalente al resultado del registro
Acc despus de la operacin; en el extremo derecho se distinguen las operaciones lgicas que se pueden realizar.
Las operaciones lgicas que se decidi incluir en esta calculadora son las operaciones lgicas bsicas: AND, OR y
NOT; adems de algunas operaciones lgicas comunes generadas a partir de las operaciones bsicas: NAND, NOR
y XOR; dos operaciones de corrimiento de bits, corrimiento a la derecha, RR, y corrimiento a la izquierda, RL; y por
ltimo, una operacin lgica interesante llamada SWAP, que en Mxico se traduce como intercambio o cambalache.

=`^liX,%(/ :XcZlcX[fiXc^`ZX[\jglj[\\a\ZlkXicXfg\iXZ`e8E;%

Lgica para establecer bits individuales en 0 lgico


Una caracterstica importante de la operacin lgica AND es que el RTEMP de la ALU se puede usar como un registro
que puede filtrar dgitos individuales del registro Acc. Cuando el registro RTEMP se usa de esta manera se dice que funciona como una mscara, la cual permite ver solo los bits de inters y poner en 0 los bits que no importan. La figura
5.19 muestra el esquema de la operacin lgica AND usando el registro RTEMP como mscara.

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5 El popular microcontrolador

AND

Acc

Mscara

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

=`^liX,%(0 Fg\iXZ`ec^`ZX8E;ljXe[f\ci\^`jkifIK<DGZfdfd}jZXiX%
Por ejemplo, si en el registro Acc tenemos un nmero del cual nicamente nos interesa saber el estado del bit 4;
es decir, solo queremos saber si el bit 4 es 0 o 1, la mscara que necesitamos en el registro RTEMP es el nmero
00010000B o 10H. Entonces, despus de la operacin lgica AND, el resultado en el Acc ser 10H, si el bit 4 es 1 lgico, o 00H si el bit 4 es un 0 lgico.
Ahora, primero supongamos que el registro Acc  10011101B (9DH) y posteriormente, en otra operacin, asumiremos que el registro Acc  01000100B (44H). La figura 5.20 muestra el resultado de la operacin AND usando el
operando 2 como registro mscara igual a 00010000 (10H). En la figura 5.20 a) se muestra un ejemplo cuando el bit 4
del Acc es un 1 lgico, mientras que en la figura 5.20 b) se ilustra un ejemplo cuando el bit 4 del Acc es un 0 lgico.

=`^liX,%)' Fg\iXZ`ec^`ZX8E;ljX[XgXiX[\k\id`eXi\c\jkX[f[\cY`k+\e\cfg\iXe[f(#\hl`mXc\ek\Xc8ZZ%
X <a\dgcfZlXe[f\cY`k+4(c^`Zf%Y <a\dgcfZlXe[f\cY`k+4'c^`Zf%

Lgica para establecer bits individuales en 1 lgico


Si la operacin lgica AND es til para poner bits individuales del registro Acc en 0 lgico; su contraparte, lgica OR,
se utiliza para poner en 1 lgico bits particulares en el Acc, sin afectar el estado de los otros bits en el registro. En la
figura 5.21 se observa el esquema de la operacin lgica OR usando el RTEMP como mscara para establecer en 1 lgico los bits que se requieran.

230

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5 El popular microcontrolador

OR

Acc

Mscara

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

=`^liX,%)( Fg\iXZ`ec^`ZXFIljXe[f\ci\^`jkifIK<DGZfdfd}jZXiX%
Por ejemplo, asumamos que el contenido del registro Acc  01100101B (65H) y que se requiere poner en 1 lgico
el bit 7 del acumulador, sin modificar los bits restantes. Entonces, haciendo uso de la operacin lgica OR y estableciendo el RTEMP igual a 10000000B (80H), podemos obtener el resultado deseado: Acc  11100101B (E5H). La figura
5.22 ejemplifica este caso usando la calculadora lgica.

=`^liX,%)) Fg\iXZ`ec^`ZXFIljX[XgXiX\jkXYc\Z\i\e(c^`Zf\cY`k.[\ci\^`jkif8ZZ#j`eX]\ZkXicfjY`kji\jkXek\j%

Lgica para complementar bits individuales


En algunos casos, se requiere que un registro complemente o niegue el estado de un bit, en particular, o de cierto
grupo de bits, en general, por supuesto sin afectar el estado de los bits restantes; la operacin lgica que nos permite
alcanzar este objetivo es la operacin XOR. En la figura 5.23 se presenta el esquema de la operacin lgica XOR usando el RTEMP como mscara para conmutar el estado de los bits o grupo de bits de inters.

XOR

Acc

Mscara

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0

=`^liX,%)* Fg\iXZ`ec^`ZXOFIljXe[f\ci\^`jkifIK<DGZfdfd}jZXiX%
En este caso, vamos a asumir que el Acc  10110110B (B6H) y que deseamos complementar el estado de los bits
7 y 0 simultneamente. Es decir, queremos que el bit 7, que es un 1 lgico, se convierta en 0 lgico, y el bit 0, que es un
0 lgico, cambie a 1 lgico. Para realizar esto, deberemos usar la operacin lgica XOR y haremos que el contenido del
registro RTEMP  10000001B (81H). Por tanto, el resultado del registro Acc, despus de esta operacin lgica, ser
Acc  00110111B (37H). En la figura 5.24 se muestra este ejemplo usando la calculadora lgica.
La magia de la operacin lgica XOR para complementar bits o grupo de bits radica en su tabla de verdad. Si no
se recuerda este tema, vale la pena que le demos un vistazo a esa seccin de compuertas del captulo 4.

Corrimiento de bits
La calculadora lgica contiene dos operaciones que comnmente tienen las ALU de los microprocesadores:

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231

5 El popular microcontrolador

=`^liX,%)+ Fg\iXZ`ec^`ZXOFIljX[XgXiXZfdgc\d\ekXi\c\jkX[f[\cfjY`kj.p'[\c8ZZ#j`eX]\ZkXicfjY`kji\jkXek\j%
a) Los corrimientos o rotaciones de bits hacia la derecha, RR.
b) Los corrimientos a la izquierda, RL.
Para la operacin RL, los ocho bits del registro Acc son rotados un bit a la izquierda; as, el bit 7 es rotado a la
posicin del bit 0.
Como ejemplo, asumiremos que el Acc  11000101B (C5H). As, al ejecutar la operacin RL, el contenido del
acumulador tendr el valor 10001011B (8BH); usando la calculadora lgica, es posible comprobar este resultado como
se aprecia en la figura 5.25.

=`^liX,%), Fg\iXZ`ec^`ZXIC#[fe[\\cY`k.\jifkX[fXcXgfj`Z`e[\cY`k'%
Para el caso de la operacin lgica RR, los ocho bits del acumulador son rotados un bit a la derecha. As, el bit 0
es rotado a la posicin del bit 7. Como ejemplo, asumamos el mismo valor del acumulador del caso anterior,
Acc  11000101B (C5H). Entonces, al ejecutar la operacin RR, el contenido del acumulador tendr el valor 11100010B
(E2H). Usando la calculadora lgica, es posible comprobar este resultado, como se aprecia en la figura 5.26.
Operacin lgica de cambalache SWAP
La operacin lgica SWAP intercambia los nibbles (grupos de 4 bits) de orden alto y bajo del acumulador (bits 7-4 y
bits 3-0). La operacin tambin puede ser vista como una operacin lgica de rotacin de 4 bits; por ejemplo, si el
acumulador contiene el valor 11000101B (C5H), al ejecutar la operacin SWAP, el resultado del acumulador ser
el valor 01011100B (5CH). La figura 5.27 muestra este ejemplo usando la calculadora lgica.

232

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

=`^liX,%)- Fg\iXZ`ec^`ZXII#[fe[\\cY`k'\jifkX[fXcXgfj`Z`e[\cY`k.%

=`^liX,%). CXfg\iXZ`ec^`ZXJN8G`ek\iZXdY`Xcfje`YYc\j[\fi[\eXckfpYXaf[\c8ZZ%

Organizacin de memoria y decodificacin de direcciones


Organizacin de memoria
La arquitectura computacional que estamos describiendo refleja un sistema muy simple, que fue utilizado en el diseo
de las primeras computadoras digitales.11 Como mencionamos antes, al describir la funcin del bus de direcciones, a
la totalidad de las localidades de memoria que una computadora es capaz de direccionar se le denomina espacio de
direccin. Para el caso de la CPU que estamos analizando vamos a asumir que el bus de direcciones es de 16 bits, los
cuales a su vez, por lo general, se dividen en dos bytes, que se denominan como byte de orden alto y byte de orden bajo,
respectivamente. La figura 5.28 muestra esquemticamente el espacio de direccin para una CPU de 16 bits.
Como se puede observar, la figura 5.28 indica que con este bus de direcciones es posible llevar a cabo 216 combinaciones diferentes de 1 y 0; esto significa que la CPU puede apuntar a 65 536 localidades de memoria, si empezamos
a contar desde el nmero 1. No obstante, en este tipo de sistemas, es una prctica comn empezar a contar desde el 0,
por lo que las localidades son numeradas desde 0 hasta 65 535. Asimismo, es muy comn usar la abreviatura K (kilo)
para referirnos a las localidades de memoria a las que se puede acceder. Por ejemplo, con un bus de direcciones de 10
bits podemos direccionar 210  1 024 localidades o 1 Kbyte, mientras que en el caso de un bus de direcciones de 6 bits
podemos direccionar 26  64 localidades. Por tanto, 216  210 r 26  64 K localidades. Sin embargo, por varias razones
no es muy til referirse a las localidades de memoria usando el sistema decimal. En vez de referirnos a la localidad
8 189 usando su valor decimal o, peor an, usando su equivalente binario 0001111111111101B, resulta preferible y ms
prctico referirse a las direcciones usando la notacin hexadecimal, en este caso 1FFDH.12
11

12

Las computadoras modernas, como las PC, usan buses y protocolos de comunicaciones ms complejos. No obstante, como lo mencionamos en el
captulo 0, si aprendemos los fundamentos y educamos nuestra intuicin, podemos extrapolar nuestro conocimiento a sistemas ms complejos.
Debemos recordar que existen varias formas para indicar si un nmero se encuentra en notacin hexadecimal, entre las que destacan: el smbolo $, o la letra H; en tanto, para la notacin binaria puede ser el smbolo %, o la letra B. Ambas notaciones son comunes en la literatura, por lo

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233

5 El popular microcontrolador

A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8

A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
P

0000H

0001H

FFFEH

FFFFH

Byte de orden mayor

Byte de orden menor

=`^liX,%)/ <jgXZ`f[\[`i\ZZ`egXiXleX:GL[\(-ce\Xj[\[`i\ZZ`fe\j%
Hasta el momento no hemos precisado cmo son seleccionados por la CPU los diferentes perifricos, ya sean
memorias o dispositivos de E/S. Entonces, podemos decir que para seleccionar los puertos existen dos opciones; en la
primera opcin, los puertos pueden ser seleccionados va terminales especiales de control de lectura, IOR, y de control
de escritura, IOW, de la CPU y de acuerdo con instrucciones dedicadas llamadas instrucciones de E/S aislada; en la
segunda opcin, los puertos de E/S se seleccionan como si fueran memorias, por lo que a este mtodo se le llama E/S
por memoria. En este caso, elegiremos la E/S por memoria porque ilustra aspectos importantes de la decodificacin
de direcciones.
Para realizar la seleccin de cada perifrico, memorias RAM y ROM, y puertos de E/S, se asigna un espacio de
direcciones a cada perifrico. De nuestro pastel de 64 Kbytes de direccionamiento total, debemos decidir en dnde
vamos a colocar los dispositivos. Pero, antes tenemos que partir el pastel y asignarle una rebanada a cada perifrico; a
esto se le conoce como mapa de memoria. La figura 5.29 muestra un mapa de memoria que simboliza un pastel partido en rebanadas.

ROM

00

00

FH

RAM

Puertos de
E/S

FFF

=`^liX,%)0 <jgXZ`f[\d\dfi`X[\-+BYpk\jj`dYfc`qX[fZfdflegXjk\c%
que en este libro usaremos cualquiera de estos caracteres para indicar si la representacin usa el sistema numrico hexadecimal o binario, respectivamente. Considrese que cuando no se agrega ningn prefijo, se asume que el nmero se encuentra en notacin decimal.

234

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Sin embargo, resulta ms fcil realizar el mapa de memoria en forma de bloques rectangulares. Por tanto, la figura 5.30 ilustra un mapa de memoria con forma rectangular, en el cual se asigna un espacio de direccionamiento de 4
Kbytes a cada dispositivo perifrico.

Direccin
hexadecimal

Contenido

0 0 0 0
0 0 0 1
0
0

F
F

0 0 0

2
2

0 0 0
0 0 1

2
2

F
F

0 0 0

F
F

F
F

4K bytes
de ROM

E
F

4K bytes
Puerto de
entrada

4K bytes
de RAM

E
F

0 0 0

4K bytes
Puerto de
salida

Direcciones
abiertas
(disponibles)
F

=`^liX,%*' DXgX[\d\dfi`X\e\chl\j\Xj`^eXle\jgXZ`f[\[`i\ZZ`e[\+BYpk\jXZX[X[`jgfj`k`mfg\i`]i`Zf%

Como sabemos, la CPU o P realiza operaciones de transferencia de datos desde o hacia un dispositivo perifrico. Si se tienen varios dispositivos de memoria y de puertos, se hace necesario utilizar un decodificador de direcciones, que le permita a la CPU seleccionar un dispositivo a la vez. El decodificador puede ser un CI, como los
74LS138, 74LS139 y 74LS159, o disearse con compuertas lgicas, ya sea con CI discretos o con un dispositivo lgico programable (PLD, por sus siglas en ingls). Adicionalmente, la decodificacin puede ser parcial o total.

Decodificacin parcial o total


Para explicar las decodificaciones de direcciones parcial y total vamos a considerar un sistema simple basado en un
microprocesador con dos memorias, ROM y RAM, de 4 Kbytes y dos puertos, uno de entrada para realizar la interfaz a
un teclado y uno de salida para efectuar la interfaz con un display de 7 segmentos, como se observa en la figura 5.31 a).
Las memorias ROM y RAM que necesita el sistema descrito deben ser de 4 Kbytes cada una. Como el bus de direcciones de esta CPU es de 16 bits (A0-A15), se puede decir que tenemos un espacio de direccin de 64 Kbytes, por
lo que debemos decidir dnde colocar los cuatro dispositivos.
La figura 5.31 b) representa una de las opciones posibles para realizar el mapa de memoria. En este caso, el mapa
de memoria se dividi en 16 fragmentos de 4 Kbytes. La memoria ROM ocupa el espacio de direcciones desde la

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235

5 El popular microcontrolador

Decodificador

(9000H-9FFFH)

4
12

(0000H-0FFFH)

(2000H-2FFFH)

(8000H-8FFFH)

SI
CS
RD

INT

A0
INT
P
A15
D0-D7
WR
RD
A0
A1 1
D0-D7
CS
ROM
OE
A0
RAM
A11
D0-D7
CS
OE
R/W
WR
CS

D0-D7

a)

0000H
0FFFH
1000H
1FFFH
2000H
2FFFH
3000H
3FFFH
4000H
4FFFH
5000H
5FFFH
6000H
6FFFH
7000H
7FFFH
8000H
8FFFH
9000H
9FFFH
A000H
AFFFH
B000H
BFFFH
C000H
CFFFH
D000H
DFFFH
E000H
EFFFH
F000H
FFFFH

ROM
Totalmente
decodificadas
RAM

Salida
Entrada

Parcialmente
decodificadas

b)

=`^liX,%*( J`jk\dXj`dgc\YXjX[f\eleG%X ;`X^iXdX[\Ycfhl\j%Y DXgX[\d\dfi`X%


0000H hasta la 0FFFH; la memoria RAM ocupa desde la direccin 2000H hasta la 2FFFH; el puerto de salida ocupa
desde la direccin 8000H hasta la 8FFFH y el puerto de entrada ocupa desde la direccin 9000H hasta la 9FFFH.
Con la asignacin de direcciones que se ilustra en la figura 5.31 b), la memoria ROM se podra seleccionar con
cualquier direccin de 16 bits de la forma 0000 XXXX XXX XXXXB o 0XXXH. En otras palabras, cualquier direccin cuyos 4 bits ms significativos se encuentren en 0 lgico, seleccionarn los 4 Kbytes inferiores del mapa de
memoria, en este caso la memoria ROM. Por tanto, la habilitacin de la memoria ROM denominada CS o chip select,
debe conectarse a una lgica combinacional que tuviera como entradas los 4 bits ms significativos y como salida las
seal de /CS, en este caso activo BAJO, como se ilustra en la figura 5.32.
Para la memoria RAM se puede usar el mismo principio; sin embargo, esta debe habilitarse con la direccin de 16
bits 0010 XXXX XXXX XXXXB o 2XXXH. Por lo que para generar el /CS se requiere de un inversor adicional, como
se ilustra en la figura 5.33.
A la lgica de decodificacin de las memorias ROM y RAM de las figura 5.33 y 5.34 se les llama decodificacin
total de direcciones, ya que se usa el bus de direcciones completo de la CPU para acceder a los datos de las memorias;
esto es, de A0 a A11 como entradas de direccin de la memoria ROM o de la memoria RAM y de A12 a A15 para
seleccin del dispositivo.
Para la seleccin del puerto de salida se asign el espacio de direcciones desde 8000H hasta la 8FFFH. Por su
parte, para el puerto de entrada se establecieron las direcciones desde 9000H hasta 9FFFH. Es decir, para seleccionar
cualquiera de estos dos puertos se tienen 4 096 posibles direcciones. La lgica de decodificacin de estos puertos se
denomina decodificacin parcial de direcciones, debido a que no se usa el bus de direcciones completo; en este caso,
nicamente se utilizaron las direcciones A15 a A12. En consecuencia, para escribir un dato al puerto de salida podemos usar las direcciones 8000H, 8001H, 8002H hasta 8FFFH, todas las direcciones son vlidas. De la misma
manera, para leer un dato del puerto de entrada se pueden utilizar las direcciones 9000H, 9001H, 9002H hasta la
9FFFH. Usar cualquiera de todas estas direcciones para seleccionar un dispositivo, no causa ningn dao. No obstante,

236

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5 El popular microcontrolador

A0
Tabla de verdad
Entradas
A15
0

A14
0

A13
0

Salidas
A12
0

Bus de
direcciones

/CS
0

Expresin booleana

A12

/C8 = A15 + A14 + A13 + A12

A15

/C8

ROM
4K
=`^liX,%*) >\e\iXZ`e[\c&:JgXiXcXd\dfi`XIFDljXe[fc^`ZXZfdY`eXZ`feXc[`jZi\kX%
A0
Tabla de verdad
Entradas
A15
0

A14
0

A13
1

Salidas
A12
0

/CS
0

Bus de
direcciones

Expresin booleana

A12
/CS = A15 + A14 + A13 + A12

A16

RAM
4K
/CS

=`^liX,%** >\e\iXZ`e[\c&:JgXiXcXd\dfi`XI8DljXe[fc^`ZXZfdY`eXZ`feXc[`jZi\kX%
si se est diseando un sistema basado en un microprocesador que pueda ampliarse en un futuro prximo, se debe
evitar la decodificacin parcial, ya que inutiliza mucho espacio de direcciones; de lo contrario, la decodificacin parcial es plenamente funcional.
La tcnica ms comn de decodificacin de direcciones es con el uso de un CI decodificador como el de la figura
5.31 a). Conectando los 4 bits ms significativos como entradas del decodificador, es posible tener 16 posibles salidas
que se pueden usar como habilitaciones o selectores de chip, CS.
Pero, si se requiere una decodificacin total de los puertos de entrada o de salida, tendramos que involucrar, en
la decodificacin, al bus de direcciones completo del P, tal como se muestra en la figura 5.34 a). De esta manera, los

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237

5 El popular microcontrolador

puertos de entrada o de salida seran seleccionados con una direccin nica. Por ejemplo, si queremos seleccionar
el puerto de salida con la direccin 8000H, debemos usar un decodificador de 16 entradas a 1 salida. Como este decodificador en CI no existe comercialmente, tendramos que implementarlo con compuertas lgicas, ya sea con CI discretos o con un PLD, como se muestra en la figura 5.34 b).

Tabla de verdad
Entradas
(A35........................... A0)

Salidas
/CS

1000 0000 0000 0000

A0 = A15

Decodificador

Expresin booleana

/WR

/CS = A15 + A14 + A13 + A12... A1 + A0

Puerto
/CS de
salida
/WR

Decodificador
A15

CS

A14-A0
a)

b)

=`^liX,%*+ X ;\Zf[`]`ZXZ`ekfkXcgXiX\cgl\ikf[\jXc`[X%Y @dgc\d\ekXZ`e[\le[\Zf[`]`ZX[fiZfeZfdgl\ikXjljXe[fcX[`i\ZZ`e/'''?


gXiXj\c\ZZ`feXi\cgl\ikf%

Asimismo, tambin se puede realizar la decodificacin parcial con memorias o con puertos. Por ejemplo, vamos
a suponer que tenemos un sistema basado en un microprocesador, el cual cuenta con una memoria ROM de 256 bytes
y una memoria RAM de 128 bytes. El P tiene 10 lneas de direcciones (A0-A9) y 8 lneas de datos (D0-D7). Se nos
pide realizar el mapa de memoria y el diagrama a bloques del circuito usando decodificacin parcial.
El espacio de direccin de este P es de 210  1Kbytes. Si se nos solicita una decodificacin parcial, podemos usar
un solo bit del bus de direcciones (A9) y dividir el mapa de memoria en dos bloques de 512 bytes cada uno. En este
caso, a la parte baja le asignamos la memoria ROM de 256 bytes, la cual se seleccionara cuando A9 es un 0 lgico, y a
la parte alta le asignamos la memoria RAM de 128, la cual se seleccionara cuando A9 es un 1 lgico, como lo muestra la figura 5.35.
Debido a que no se decodifican todas las direcciones del P, podemos seleccionar la memoria ROM o la memoria
RAM con direcciones mayores a la capacidad de la memoria. Por ejemplo, la ltima localidad de la memoria RAM es
la 27FH; esta localidad, sin embargo, podra leerse tanto con la direccin 27FH como con la direccin 37FH. Desde el
punto de vista del diseador de hardware, no importa qu direcciones se usen si se tiene conocimiento cabal del mapa
de direcciones; no obstante, desde el punto de vista del programador se podra pensar que dos direcciones diferentes
leen dos localidades diferentes.
Considerando el mismo sistema basado en un P, ahora vamos a suponer que se nos pide disear el sistema con
decodificacin total para la memoria ROM y decodificacin parcial para la memoria RAM. Como el espacio de direccionamiento del P es de 1 Kbyte y la memoria ROM es de 256 bytes, se hace necesario dividir el mapa de memoria
en 4 bloques de 256 bytes, cada uno. Para esto, haremos uso de un decodificador de 2 a 4, como el 74LS139. La figura
5.36 muestra el mapa de memoria y el diagrama a bloques del circuito.
Ahora, vamos a suponer que se requiere que el sistema basado en un microprocesador tenga una decodificacin
total tanto para la memoria ROM como para la memoria RAM. Usando el mapa de memoria del ejemplo anterior,
dividimos el espacio de memoria del P en 4 bloques de 256 bytes, cada uno. Entonces, asignamos la memoria ROM
al primer bloque del mapa de memoria y en el segundo bloque involucramos todo el bus de direcciones para seleccionar la memoria RAM de 128 bytes. La figura 5.37 muestra el mapa de memoria y el diagrama a bloques del circuito.

238

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Hexa
000H
001H

uP
A9-A0

:.

D0-D7

/WR /RD

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1

ROM

0FFH

:.

:.

:.

:.

:.

:.

:.

:.

:.

0 0

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

:
:

ROM

/RD

1FFH
1FFH
200H
201H

D7-D0

A7-A0
/CS
A9

27FH

RAM

/RD

RAM

0 1 1 1 1 1 1 1 1 0
0 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 0 0 0 0 1
: : : : : : : : : :
1 0 0 1 1 1 1 1 1 1
:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

:
:
:

1
1

1
1

1
1

0 0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1 1

A6-A0
M/R

D7-D0
3FFH
3FFH

/CS
a)

b)

=`^liX,%*, J`jk\dXYXjX[f\eleGZfe[\Zf[`]`ZXZ`egXiZ`XcgXiXXdYXjd\dfi`Xj%X ;`X^iXdXXYcfhl\j[\cZ`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

uP
A9-A0 /WR /RD

A9

D0-D7

A8
/RD

74LS139

A7-A0

/Y3 /Y2 /Y1 /Y0

ROM

Hexa
000H

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0FFH
100H

0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
0 1 0 0 0 0 0 0 0 0

1FFH

200H

0 0 0 0 0 0 0 0 0

2FFH

300H

0 0 0 0 0 0 0 0

3FFH

ROM
RAM

D0-D7

/CS

/RD

RAM

A6-A0
W/R

D0-D7

/CS

b)

a)

=`^liX,%*- J`jk\dXYXjX[f\eleGZfe[\Zf[`]`ZXZ`ekfkXcgXiXcXd\dfi`XIFDpZfe[\Zf[`]`ZXZ`egXiZ`XcgXiXcXd\dfi`XI8D%
X ;`X^iXdXXYcfhl\j[\cZ`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

Del mapa de memoria de la figura 5.37 b) es posible apreciar que la nica direccin que no ha sido considerada en
la decodificacin de la RAM es A7. Por tanto, para realizar la decodificacin total usamos la salida /Y1 del decodificador de 2 a 4 y la direccin A7 como entradas; mientras que la salida de este decodificador ser la seal de habilitacin /CS. Cuando A7 es un cero lgico, se seleccionan los 128 bytes correspondiente a la parte baja de los 256 bytes;
en cambio, cuando A7 es un 1 lgico, se seleccionan los 128 bytes de la parte superior. El diagrama a bloques de este

grupo editorial patria

239

5 El popular microcontrolador

P
A9-A0 WR/ RD/

A9

D0-D7

A8
RD/
139

ROM

A7-A0

Y3/ Y2/ Y1/ Y0/

RAM

RD/
A6-A0

RAM

WR/
CS/

Y1/
0
0
1
1

A7
0
1
0
1

CS/
RAM
0 Parte baja
1
1
1

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0FFH
100H

0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
0 1 0 0 0 0 0 0 0 0

17FH
180H
1FFH

0
0
0

1
1
1

200H

0 0 0 0 0 0 0 0 0

2FFH

300H

0 0 0 0 0 0 0 0

3FFH

ROM

/CS

A7

Hexa
000H

Y1/
0

A7
0

CS/
1

RAM

Parte alta

1
1

0
1

1
1

0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1 1 1

b)

a)

=`^liX,%*. J`jk\dXYXjX[f\eleGZfe[\Zf[`]`ZXZ`ekfkXcgXiXcXd\dfi`XIFDpleX[\Zf[`]`ZXZ`egXiZ`XcgXiXcXd\dfi`XI8D%
X ;`X^iXdXXYcfhl\j[\cZ`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

circuito con decodificacin total, estableciendo la memoria RAM en la parte baja de los 256 bytes asignados a la RAM,
se muestra en la figura 5.37 a).
Existen sistemas basados en microprocesadores que requieren cierta cantidad de memoria RAM o ROM, pero los
dispositivos de memoria con los que se cuenta no proveen la cantidad solicitada en un solo CI, por lo que se deben
seleccionar diferentes dispositivos o bloques de memoria. Por ejemplo, un sistema basado en un microprocesador de
8 bits de datos y 10 lneas de direcciones, requiere conectarse a un sistema de memorias de 512 bytes de ROM y 128
bytes de RAM, y a un puerto de salida mapeado a memoria. No obstante, solo se cuenta con memorias RAM de
128 nibbles y memorias ROM de 256 bytes. En este caso, se requiere realizar el mapa de memoria y el diagrama de bloques del circuito usando decodificacin parcial. El espacio de direccin de este P es de 1 Kbyte, por lo que podemos
dividir el mapa de memoria en 4 bloques de 256 bytes, asignar dos bloques para la memoria ROM, un bloque para la
memoria RAM y un bloque para el puerto de salida. En la figura 5.38 se representa el diagrama de bloques del circuito y el mapa de memoria.
Como se puede observar en la figura 5.38, para obtener los 128 bytes de RAM necesarios para el sistema, usando
memorias de 128 nibbles (4 bits), fue necesario realizar la conexin en paralelo para formar la palabra de 8 bits requerida. En consecuencia, el/CS de la memoria RAM 1 y de la memoria RAM 2 se seleccion al mismo tiempo, de tal
forma que la RAM 1 provee al bus de datos los bits D0 a D3 y la RAM 2 los bits D4 a D7. Por otro lado, para el caso de
la memoria ROM, contamos con el ancho de los bits necesarios, pero no de su capacidad total; por tanto, se requiri
usar dos memorias con su respectivo /CS, como lo ilustra la figura 5.38.
Ahora, regresemos a nuestro P de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones; en este caso, se requiere que el sistema
basado en este microprocesador contenga un bloque de memoria de 32 Kbytes de RAM y 32 Kbytes de ROM. Las
memorias con las que se cuenta son: ROM de 8Kbytes, RAM de 16Kbytes, adems de un decodificador de 3 a 8
74LS138 y diferentes compuertas digitales. El diagrama del circuito y su mapa de memoria se observan con claridad
en la figura 5.39.

240

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Microprocesador
WR/

RD/

A0-A9

D0-D7

2
Deco
A9, A8 LS139

8
8

ROM1
D0-D7
ROM2
A0-A7
CS/
RD/

000H

D0-D7

ROM1

CS/

0FFH

ROM

100H

RAM1
7

4
A0-A6
D0-D3
RAM2
CS/
RD/
4
WR/
D4-D7

Puerto de salida

CS/ D0-D7

WR/

ROM2
1FFH
RAM

RAM1

RAM2

200H

2FFH
300H
Puerto
de salida
3FFH

a)

b)

=`^liX,%*/ J`jk\dXYXjX[f\eleGZfe[fjYcfhl\j[\d\dfi`Xj1IFDpI8D%X ;`X^iXdX[\Ycfhl\j[\cZ`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

En la figura 5.39 es posible notar que al dividir nuestro mapa de memoria en 8 secciones, de 8 Kbytes cada una, es
sencillo asignar un bloque a cada memoria ROM, porque contamos con memorias de esa capacidad. Sin embargo, las
memorias RAM que tenemos para el diseo son de 16 Kbytes; por tanto, usamos dos habilitaciones del decodificador
como entradas a una compuerta AND para generar el /CS de cada memoria RAM como salida. Asimismo, en la figura tambin es fcil observar que es posible acceder a los 16 Kbytes de datos de la RAM habilitando de forma independiente cada bloque de 8 Kbytes; despus de todo, la RAM no toma cuenta cmo se genera su habilitacin /CS, siempre
y cuando se realice su interfaz de manera correcta.

Interfaz con dispositivos perifricos


La mayora de los microprocesadores, en s mismos, tienen poco valor funcional. Aunque constituyen el componente
principal de los sistemas computacionales, la mayora de estos no tiene una memoria interna sustancial y pocos poseen puertos de entrada y salida que permitan conectarlos de forma directa con los dispositivos perifricos. Por tanto,
el P opera como parte de un sistema y requiere interconectarse con las otras partes para obtener su valor prctico.
A la interconexin de partes de un sistema se le conoce como interfaz, que se define como la unin o el lmite
compartido entre miembros de un grupo que son capaces de funcionar de forma compatible y coordinada, en otras
palabras, sincronizados. Dichos grupos pueden estar integrados por diferentes elementos, como personas, instrumentos, sistemas, etc. En el contexto que nos ocupa, la compatibilidad se refiere a la temporizacin entre el P y sus perifricos, la direccin de los datos transmitidos y, en algunas ocasiones, el ajuste de seales de voltajes y corrientes. Por
otro lado, la coordinacin o sincrona significa que todas las operaciones estn controladas por seales provenientes
de un reloj, como base de tiempo. En esta seccin nos centramos en la sincronizacin y transmisin de datos desde y

grupo editorial patria

241

5 El popular microcontrolador

0000 H

Microprocesador
/WR /RD

ROM1

A0-A15

1FFF H
2000 H

D0-D7

ROM2
3FFF H
4000 H

ROM3

Deco

5FFF H
6000 H

13

A15-A13
LS138

ROM1
A0-A12
D0-D7
CS/
RD/

ROM4

ROM2
ROM3

ROM4

D0-D7
D0-D7

CS/

D0-D7
CS/
CS/

RAM1
14
RAM2
A0-A13
CS/ D0-D7
RD/
D0-D7
WR/
CS/

7FFF H
8000 H
9FFF H
A000 H

RAM1

BFFF H
C000 H
DFFF H
E000 H

RAM2

a)

FFFF

H
b)

=`^liX,%*0 J`jk\dXYXjX[f\eleGZfe[fjYcfhl\j[\d\dfi`XjIFDpI8Dple[\Zf[`]`ZX[fi.+CJ(*/%
X ;`X^iXdX[\Ycfhl\j[\cZ`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

hacia el P. En esta transmisin de datos, los buses de direcciones, de datos y de control, desempean un papel importante en la interconexin del P y sus perifricos. Por lo general, la transferencia de datos hacia y desde el P, alrededor
de los buses, toma la forma de:
1. Lectura/escritura de memorias.
2. Lectura/escritura de puertos de entrada/salida.
3. Interrupciones.
Es muy comn que los fabricantes de CI produzcan componentes especializados de interfaz con los P. Algunos
de estos componentes incluyen, adems de memorias RAM y ROM, interfaz programables de comunicaciones o de
puertos, controladores programables de interrupciones, controladores programables de teclados, controladores programables de estaciones de despliegue, controladores programables de acceso directo de memoria (DMA)13 y muchos
otros. No obstante, en este apartado, en particular, nos centramos en describir los principios bsicos de la interfaz
entre el P y las memorias, el P y los puertos de E/S, e introducimos los conceptos de las interrupciones y la entrada/
salida programada o polling.

13

Usualmente el P es el foco de todas las transferencias de datos, lecturas y escrituras; sin embargo, algunos componentes, como el DMA, relevan
al P del control de los buses de direcciones y de datos, de manera que este perifrico puede tener acceso a la memoria principal del sistema sin
tener que pasar a travs del P.

242

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Interfaz con memorias


Antes de iniciar la descripcin de la interfaz del P con las memorias, primero vamos a detallar la temporizacin de
los ciclos de lectura y escritura de un P. Recordemos que la operacin continua de un P es buscar, decodificar y
ejecutar instrucciones. Por tanto, para llevar a cabo un ciclo de lectura el P se requiere:
1. Colocar el contenido del contador de programa, PC, en el bus de direcciones.
2. Tiempo despus, habilitar la seal de control, en este caso la seal de /RD activo BAJO.
3. Tiempo posterior el P lee los datos que espera estn disponibles en el bus de datos.
Este proceso se define como el ciclo de lectura y permite tener acceso a los datos de un perifrico. En la figura 5.40
se ilustra el diagrama de tiempos de las seales del P durante la operacin de lectura de datos.

tAS

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
Comando de lectura (RD)

Entrada
Datos estables

Bus de datos (D0-D7)


tACC
Alta impedancia

=`^liX,%+' :`Zcf[\c\ZkliX[\leG%

En el diagrama de tiempos que se representa en la figura 5.40, se observa que las direcciones deben estar estables
un tiempo, tAS, antes de que llegue el comando de lectura, /RD; este tiempo es, aproximadamente, el que necesita la
interfaz para decodificar las direcciones y seleccionar el perifrico correspondiente. El comando de lectura, /RD, debe
tener una duracin, tCMD , y terminar un tiempo, tAH, antes de modificar la direccin en el bus de direcciones.
Durante la activacin del comando de lectura, /RD, se observa un par de crculos con flechas, los cuales simbolizan una importante relacin causa-efecto en el diagrama de tiempos. La transicin de ALTO a BAJO del comando de
lectura, /RD, ocasiona que el bus de datos en el P deshabilite su condicin de alta impedancia y de esta forma acepte
los datos del bus como entradas. Por su parte, en la transicin de BAJO a ALTO del comando de lectura, /RD, el bus
de datos del P cambia su estado a alta impedancia y detiene la aceptacin de datos proveniente del bus de datos. Un
parmetro importante es el tiempo que transcurre desde que el P coloca las direcciones en el bus de direcciones,
hasta que los datos son vlidos y estn listos para ser ledos; a ese tiempo se le conoce como tiempo de acceso, tACC.
En tanto, el ciclo de escritura del P se ilustra en el diagrama de tiempos de la figura 5.41. Como se puede apreciar,
el dato que se va a escribir y la direccin donde ha de escribirse este, se ponen en los buses de direcciones y de datos,
un tiempo tAS y un tiempo tDS , respectivamente, antes de que se active la seal de control, en este caso el comando de
escritura, /WR. Asimismo, los datos y las direcciones deben permanecer estables un tiempo tDH y un tiempo tAH, respectivamente, despus que se desactiv la seal /WR.
Las etiquetas y el valor de los tiempos, as como las seales disponibles, varan de forma considerable entre los
microprocesadores comerciales. Por tal razn, se recomienda leer cuidadosamente los manuales de datos de los fabricantes para observar todos los detalles.

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243

5 El popular microcontrolador

tAS

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
Comando de escritura (WR)
tDH

tDS
Salida
Datos estables

Bus de datos (D0-D7)

Alta impedancia

=`^liX,%+( :`Zcf[\\jZi`kliX[\leG%
Es importante hacer notar que las seales del microprocesador y de las memorias no se encuentran combinadas
en los diagramas de tiempos de los manuales de datos de los fabricantes; por tanto, los diagramas de tiempos se tienen
que examinar de manera independiente para determinar si son compatibles.
Interfaz con memorias ROM
Una vez que conocemos los ciclos de lectura y de escritura de un P, el siguiente paso es analizar la interfaz entre
nuestro P de 8 bits de datos y de 16 bits de direcciones y una memoria ROM de 4 Kbytes. La figura 5.42 muestra el
diagrama de conexiones entre estos dos dispositivos, usando una decodificacin total por medio de un decodificador
de 4 a 16.

A0

A0

A15

A11
A12
A15

Deco

ROM
4k x 8

CS

D0

D0

D7

D7

RD

OE

=`^liX,%+) ;`X^iXdX[\Zfe\o`fe\j\eki\leGpleXd\dfi`XIFD%
Para determinar si la interfaz entre estos dispositivos es la correcta, se combinan los diagramas de tiempos, tanto
el del P como el de la memoria ROM, como se ilustra en la figura 5.43.
Al igual que con el microprocesador, el tiempo de acceso, tACC, tambin es una caracterstica importante de la
memoria ROM. Asumiendo que las direcciones son estables, el tACC de la memoria ROM es el tiempo que transcurre
desde que se habilit la seleccin del circuito, /CS, hasta que los datos se encuentran disponibles, considerando que el
comando de lectura, /RD, ya ha sido activado.

244

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Seales del
p

Lectura de ROM
tAS

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
Comando de lectura (RD)

Entrada
Datos estables

Bus de datos (D0-D7)


tACC

Seales de
la ROM

Lectura de ROM
tPD

(Decodificador)

Selector de chip (CS)


Habilitacin de lectura (OE)
Datos de salida

Salida de datos (O0-O7)


tACC

=`^liX,%+* ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\\cGpcXd\dfi`XIFD[liXek\leXfg\iXZ`e[\c\ZkliX%
Un tiempo que es importante considerar en el anlisis es el retardo de propagacin, tPD, del decodificador. Por
tanto, para asegurar que la interfaz entre el P y la memoria ROM se realice correctamente, el tPD del decodificador
ms el tACC de la memoria debe ser menor que el tACC del P. Es decir:
tPD(decodificador) tACC (memoria) < tACC(P)
Interfaz con memorias RAM
En el captulo anterior clasificamos a las memorias RAM como memorias voltiles de dos tipos: estticas y dinmicas. En esta seccin en particular nos enfocamos en el anlisis de las memorias RAM estticas, las cuales son ms
fciles de interconectar, comparadas con las memorias RAM dinmicas. Por ende, para describir la interfaz entre el
P y una memoria RAM esttica vamos a considerar nuestro P de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones, y una memoria RAM de 4 Kbytes. En la figura 5.44 se puede observar el diagrama de conexiones entre estos dos dispositivos,
usando una decodificacin total por medio de un decodificador de 4 a 16.
Para comprobar si la interfaz entre estos dispositivos es la correcta, al igual que con la memoria ROM, se combinan los diagramas de tiempos del P y de la memoria RAM. De esta forma, como se muestra en la figura 5.45, iniciamos con la operacin de lectura, donde el anlisis de tiempo entre el P y la memoria RAM es igual que el anlisis con

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245

5 El popular microcontrolador

A0

A0

A15

A11
A12

Deco

A15

RAM
4k x 8

CS

D0

D0

D7

D7

RD

OE

WR

WE

=`^liX,%++ ;`X^iXdX[\Zfe\o`fe\j\eki\leGpleXd\dfi`XI8D%
la memoria ROM, la nica diferencia radica que en este caso es que la seal de escritura, /WR, permanece deshabilitada durante todo el ciclo de lectura.

Seales del
p

Lectura de ROM
tAS

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
Comando de lectura (RD)

Datos estables

Bus de datos (D0-D7)


tACC

Seales de
la ROM

Lectura de RAM
tPD

(Decodificador)

Selector de chip (CS)


Habilitacin de lectura (OE)
Habilitacin de escritura (WE)
Datos de salida

Salida de datos (O0-O7)


tACC

=`^liX,%+, ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\\cGpcXd\dfi`XI8D[liXek\leXfg\iXZ`e[\c\ZkliX%

246

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Por su parte, el diagrama de tiempos para la operacin de escritura en la memoria RAM se muestra en la figura
5.46. En este caso, la secuencia de eventos durante la operacin de escritura implica el envo, por parte del P, de una
direccin a la memoria RAM y al decodificador de direcciones, este ltimo, como en el caso del ciclo de lectura, activa la entrada de seleccin de la memoria RAM, /CS. Despus de un lapso conocido como tiempo de preparacin de la
direccin, tAS, y un tiempo de preparacin de los datos, tDS, el P a travs del pulso de escritura, /WR, activa la entrada
de escritura de la memoria RAM, /WE, y coloca a la memoria en modo de escritura. En tanto, el tiempo de preparacin de la direccin en la memoria RAM, tAS, se considera el tiempo que transcurre despus de que se activa la seal
de /CS hasta que se activa el comando de escritura, /WR.

Seales del
P

Escritura de RAM
tAS

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
___
Comando de escritura (WR)
tDS

tDH

Bus de datos (D0-D7)

Datos de salida

Seales de
la ROM

Escritura de RAM
tPD (Decodificador)

___
Selector de chip (CS)
___
Habilitacin de escritura (WE)
___
Habilitacin de escritura (OE)
Bus de datos D0 (S)

Datos de entrada
tAS

=`^liX,%+- ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\\cGpcXd\dfi`XI8D[liXek\leXfg\iXZ`e[\\jZi`kliX%
En la figura 5.46 tambin es posible apreciar que el pulso de escritura debe ser habilitado por lo menos un tiempo
mnimo, llamado tiempo del comando de escritura, tCMD , o tiempo del ancho del pulso. Es importante destacar que
al mismo tiempo que el pulso de escritura est activo, /WR, los datos que se escribirn en la memoria RAM se colocan,
por medio del P, en el bus de datos. Despus, la memoria RAM acepta los datos del bus de datos y los escribe en
la posicin direccionada. Dependiendo del P, los datos y las direcciones deben permanecer estables un tiempo tDH y
un tiempo tAH , respectivamente, despus que se desactiv la seal /WR. Por lo general, los fabricantes de memorias
ROM indican un tiempo tDS y tDH de 0 ns. Estos ltimos tiempos son muy similares a los tiempos de set up y de hold
requeridos en los flip-flops descritos en el captulo 4; aunque en realidad, conceptualmente son los mismos.
A manera de ejemplo, supongamos que tenemos un sistema basado en un microprocesador que requiere de una
memoria EPROM de 8Kbytes. El P tiene un bus de direcciones de 16 bits y un bus de datos de 8 bits; el ciclo de lectura del P es de 1000 ns y el tiempo de acceso, tACC, para leer los datos es de 300 ns; en este caso se necesita una decodificacin total de la memoria, con el menor costo posible. Para ello, se cuenta con los componentes de la tabla 5.1
para disear el sistema requerido:
Es importante hacer notar que el /CS de las EPROM se habilita en BAJO, de la misma forma que la seal de /RD
del P.

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247

5 El popular microcontrolador

Componente

tACC(ns)

Precio

EPROM1 8 Kbytes

120

60

EPROM2 8 Kbytes

290

40

EPROM3 8 Kbytes

450

25

($)

tPD(ns)
74HC139 (decodificador 2-4)

74HC138 (decodificador 1-8)

14

10

74HC32 (OR 2 entradas)

74HC04 (inversor)

KXYcX,%( :fdgfe\ek\j[`jgfe`Yc\jgXiXlej`jk\dXYXjX[f\eleGZfe/BYpk\j[\d\dfi`XIFDp[\Zf[`]`ZXZ`ekfkXc%
Con base en los datos de la tabla, entonces, se pide seleccionar la mejor opcin costo/funcionamiento de la interfaz
entre el P y la EPROM, realizando su:
a) Mapa de memoria.
b) Diagrama de conexiones del decodificador.
c) Diagrama de tiempos.
Como el P tiene un espacio de direccionamiento de 64K bytes (216) y el sistema debe constar de 8 Kbytes de
memoria EPROM y decodificacin total, dividiremos nuestro mapa en 8 secciones, de 8 Kbytes cada una, usando los
componentes disponibles. Pero, antes haremos el diagrama de tiempos entre el P y la memoria EPROM, como se
muestra en la figura 5.47.

Microprocesador
Dir
1000 nseg
/RD
Datos

Datos de entrada
tACC
300 nseg
Memoria

Dir
/CS
tPD
/RD
Datos

Datos de salida
tACC
EPROM

=`^liX,%+. ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\leGpleXd\dfi`X[\/BYpk\j%
Una opcin es dividir nuestro mapa de memoria en 8 fragmentos de 8 Kbytes, cada uno, usando un decodificador
74HC138, de 3 entradas y 8 salidas, y seleccionar la mejor opcin de memoria. Para que opere correctamente la interfaz entre el P y la memoria EPROM se debe cumplir que tPD (decodificador) tACC (EPROM) <tACC (P). Por tanto,
si seleccionamos el decodificador 74HC138 y la memoria EPROM1, como lo ilustra la figura 5.48, tendremos que

248

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

A15 A14 A13


0000H
1FFFH
2000H

EPROM

/Y0

/Y7

A
B
C

/CS

EPROM1

74HC138
14 ns

120 ns

FFFFH
E000H

=`^liX,%+/ DXgX[\d\dfi`Xp[\Zf[`]`ZX[fi.+?:(*/%
14 ns 120 ns  134 ns < 300 ns; con esta opcin el sistema funcionara de forma correcta y la interfaz al P costara
80 pesos.
Desafortunadamente, la opcin anterior no es la mejor en cuanto a costo/funcionamiento. Por otra parte, si usamos la memoria EPROM2, tendramos que 14 ns 290 ns  304 ns > 300 ns y este sistema no funcionara debido a que
no se cumple la temporizacin adecuada.
En tanto, si usamos el decodificador 74HC139 y una compuerta OR para realizar la decodificacin total, como se
observa en la figura 5.49, tendramos que 10 ns 290 ns  300 ns  300 ns; con esta opcin, la interfaz tampoco sera
la correcta, ya que la temporizacin no se cumple a la perfeccin.
A15 A14 A13
0000H
1FFFH
2000H

EPROM

16 K
bytes

A
B

3F F F H

/CS

/Y0

/Y7

EPROM1

74HC138
7 ns

3 ns

290 ns

FFFFH
E000H

=`^liX,%+0 DXgX[\d\dfi`Xp[\Zf[`]`ZX[fi.+?:(*0%
Por ltimo, al usar la EPROM2 y componentes discretos para realizar la decodificacin total del sistema, como se
muestra en la figura 5.50, la interfaz entre el P y la memoria se realizara de manera correcta, ya que la temporizacin
se cumple adecuadamente: 6 ns 290 ns  296 ns < 300 ns; adems de que el costo de la interfaz al P sera de 42 pesos.
A15 A14 A13
0000H
1FFFH
2000H

/CS

EPROM

EPROM2

3F F F H

3 ns

3 ns

290 ns

FFFFH
E000H

=`^liX,%,' DXgX[\d\dfi`Xp[\Zf[`]`ZX[fi[`j\X[fZfeZfdgfe\ek\j[`jZi\kfj%

grupo editorial patria

249

5 El popular microcontrolador

En este ejemplo, los tiempos de propagacin de los decodificadores y el tiempo de acceso de las memorias fueron
ajustados, con el fin de enfatizar el anlisis que debe realizarse al efectuar la interfaz entre un P y memorias ROM o
RAM. La diferencia en costo/funcionamiento de la primera respecto de la ltima opcin es de 18 pesos, lo cual parecera muy poco. Sin embargo, si se planea realizar el diseo en cantidades de 10 mil, 50 mil o 100 mil piezas, esta diferencia tiene un efecto considerable.
Interfaz con puertos de entrada/salida
El concepto de entrada/salida engloba la comunicacin o transferencia de informacin entre el P y el exterior. Esta
comunicacin puede efectuarse fundamentalmente en paralelo o en serie. La entrada/salida en paralelo se basa en la
transmisin simultnea de un grupo de n bits, donde n por lo general es el ancho de la palabra del bus de datos. Por
otra parte, la entrada/salida en serie puede considerarse como un caso particular de la anterior en el que n  1.
En la entrada/salida en paralelo, el P transfiere de manera simultnea la palabra completa del bus de datos hacia
o desde los dispositivos perifricos, mediante un ciclo de lectura o escritura. En cambio, la entrada/salida en serie
exige un ciclo de lectura o escritura para cada bit que se desee transferir, por lo que la recepcin o transmisin de un
byte requerir de ocho ciclos de lectura o escritura. Por consiguiente, la entrada/salida en paralelo tiene un tiempo de
transmisin/recepcin menor que la entrada/salida en serie; sin embargo, la entrada/salida en paralelo requiere una
interfaz con un mayor nmero de alambres de conexin que la interfaz de entrada/salida en serie. Como consecuencia, cuando la distancia entre P y perifricos es reducida, o bien cuando la velocidad de transmisin debe ser elevada,
se prefiere la entrada/salida en paralelo.14
En esta seccin, primero describimos la interfaz simple de salida usando un bit y despus utilizando un byte;
luego, detallamos la interfaz simple de entrada de un bit y de un byte. Aunque estos ejemplos son muy simples, nos
preparan para ingresar con prontitud al mundo de los microcontroladores.
Interfaz de salida
Para describir la interfaz de salida, vamos a considerar que contamos con un sistema basado en un P de 8 bits de
datos y 16 bits de direcciones, el cual se interconecta con una interfaz de salida elemental y un dispositivo perifrico,
como se ilustra en la figura 5.51.
Adaptador de interfase
se salida

Dispositivos
perifricos

Microprocesador
1

D0

D0-D7

0000H
Puerto
de
salida

A15

A0-A15

7FFFH
8000H

CK

/WR
FFFFH

a)

b)

=`^liX,%,( @ek\i]Xq[\jXc`[Xj`dgc\p[`jgfj`k`mfg\i`]i`Zf%X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%


En la figura 5.51 a) se observa un adaptador de interfaz y el dispositivo perifrico. En este caso, el adaptador de
interfaz es un flip-flop tipo D y el dispositivo perifrico es un simple LED. Mientras tanto, en la figura 5.51 b) se
14

La E/S en paralelo es ms rpida que la E/S en serie; sin embargo, para simplificar la interconexin entre el P y los dispositivos perifricos, los
fabricantes de dispositivos electrnicos han desarrollado interfaces de E/S en serie bidireccionales con solo dos alambres de conexin. En la actualidad, la velocidad de transmisin de estas E/S seriales es del orden de los 100 kHz, llegando hasta los MHz. Algunas de estas interfaces son
la Inter-Integrated Circuit (I2C) y la Serial Peripheral Interfase (SPI).

250

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

distingue el mapa de memoria del sistema, donde es posible apreciar que el puerto de salida se selecciona con un solo
bit de direccin, A15; en consecuencia, el mapa de memoria se divide en dos bloques de 32 Kbytes y el puerto de salida se asigna a la parte baja del mapa de memoria, desde 0000H hasta 7FFFH. Como entrada de datos, al adaptador de
interfaz se le asign el bit menos significativo del bus de datos, D0. Por tanto, para encender o apagar el LED requerimos que el P efecte un ciclo de escritura. Por ello, en la figura 5.52 se observa el diagrama de tiempos entre el P y
el perifrico de salida para el ciclo de escritura.

Seales del
P

Ciclo de escritura
tAS

tCMD

Direccin (A0-A15)
estable

tAH

(0000H - 7FFFH)

___
Comando de escritura (WR)
tDS

tDH

Bus de datos (D0-D7)

(00H - 01H)

Adaptador de
interfase

Escritura a LED
tPD (NOR)

Entrada NOR (A15)


___
Entrada NOR (WE)
___
Salida NOR (CK)
tPD (NOR)
Bus de datos D (D0)

0 lgico o 1 lgico

=`^liX,%,) ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\\cGple[`jgfj`k`mfg\i`]i`Zf[liXek\leZ`Zcf[\\jZi`kliX%

En el diagrama de tiempos de la figura 5.52 se observa que la direccin vlida para acceder al puerto de salida es
de 0000H a 7FFFH y el dato vlido en el bus de datos para encender o apagar el LED es XXXX XXX0B o XXXX
XXX1B, respectivamente. Una de las opciones en el bus de datos sera 00H para apagar el LED y 01H para encenderlo.
Es importante hacer notar que hasta que la direccin A15 y la seal de control de escritura, /WR, son 0 lgico, se
proporcionar el flanco de subida en el flip-flop para almacenar el estado del dato D0 colocado previamente en el bus
de datos.
El ejemplo anterior es una forma simple de describir la interfaz E/S serial. En tanto, si quisiramos encender /apagar el LED de acuerdo con el estado de un byte, tendramos que realizar ocho ciclos de escritura del P. Mientras que
si usamos la interfaz de E/S en paralelo, podemos escribir el estado de los ocho bits del byte en cuestin, usando un solo
ciclo de escritura. En la figura 5.53 se observa el mismo sistema basado en un P de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones, pero en este caso ahora se interconecta con una interfaz de salida de ocho bits y un dispositivo perifrico.
El diagrama de tiempos para el circuito de la figura 5.53 es igual al de la figura 5.51, pero en este caso el P transfiere ocho bits, a travs del bus de datos, al adaptador de interfaz de salida, debido a que el adaptador de interfaz almacena los datos de salida en un grupo de ocho flip-flops. Este dispositivo podra ser un latch tipo 74LS373, con su
control de salida, /OE, habilitado de forma permanente. Cada segmento de LED, a-g, funciona exactamente igual como
el LED de la figura 5.51 a); un 1 lgico encendera cualquier segmento.

grupo editorial patria

251

5 El popular microcontrolador

Adaptador de interfase
de salida

Dispositivos
perifricos

Microprocesador
8

Q1
D1-D8 Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
LE
Q7
Q8
/OE

D0-D7
A0-A15

A15

/WR

a
b
c
d
e
f
g
Punto

0000H
Puerto
de
salida
7FFFH
8000H

FFFFH
a)

b)

=`^liX,%,* @ek\i]Xq[\jXc`[XZfe[\jgc`\^l\[\j`\k\j\^d\ekfj%X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

Las instrucciones bsicas del P para acceder a los perifricos las analizamos en una seccin posterior, la cual est
relacionada con la programacin de los P.
Interfaz de entrada
Con el objetivo de describir la interfaz de entrada, utilizamos un dispositivo perifrico elemental y su adaptador de
interfaz. Al igual que con la interfaz de salida, en este caso tambin usamos un sistema basado en un P de 8 bits
de datos y 16 bits de direcciones, como se muestra en la figura 5.54 a). Por su parte, en la figura 5.54 b) se indica el
mapa de memoria y el rango de direcciones asignado a este puerto de entrada.
Dispositivos
perifricos

Adaptador de interfase
se salida
0000H

+5 V

Puerto
de
entrada

S
/OE

7FFFH
8000H

Microprocesador
A15
1

A0-A15

D0-D7

/RD
FFFFH
a)

b)

=`^liX,%,+ @ek\i]Xq[\\ekiX[Xj`dgc\ple[`jgfj`k`mfg\i`]i`Zf%X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%


En este caso, el dispositivo perifrico es un simple interruptor, usado para seleccionar un estado lgico ALTO o
BAJO. Por su parte, el adaptador de interfaz es un dispositivo de tercer estado, activado a travs de una compuerta OR
cuando la direccin A15 y la seal de control de lectura, /RD, se encuentran en 0 lgico. El dato de entrada es ledo
usando el bit menos significativo del bus de datos, D0. Por tanto, para conocer el estado del interruptor, requerimos
que el P efecte un ciclo de lectura. En la figura 5.55 se muestra el diagrama de tiempos entre el P y el perifrico de
entrada para el ciclo de lectura.
En la figura 5.55 es posible observar que la direccin vlida para acceder al puerto de salida es de 0000H a 7FFFH
y el dato a ser ledo se asign al bit menos significativo, D0, del bus de datos. Es importante distinguir que hasta que la
direccin A15 y la seal de control de lectura, /RD, son 0 lgico, se habilita la seal de salida, /OE, del circuito (buffer)
de tercer estado, con lo cual es posible leer el estado del interruptor a travs de D0 del bus de datos. Al terminar el
pulso de la seal de lectura, /RD, la compuerta OR va a un estado lgico ALTO, y lo mismo ocurre con la entrada de

252

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Seales del
P

Ciclo de lectura
tAS

Bus de datos (D0-D7)

tCMD

tAH

Direccin (A0-A15)
estable
___
Comando de lectura (RD)

Bus de datos (D0-D7)

Datos de entrada
tACC

Adaptador de
interfase

Lectura del interruptor


tPD (OR)

Entrada OR (A15)
Entrada OR (/RD)

tPD (OR)

Salida OR (/OE)

tPD (Buffer 3er estado)


Datos de entrada

Bus de datos D0 (S)


tACC

=`^liX,%,, ;`X^iXdX[\k`\dgfj\eki\\cGple[`jgfj`k`mfg\i`]i`Zf[liXek\leZ`Zcf[\c\ZkliX%
control del buffer, /OE, por lo que su salida, S, regresa al estado de alta impedancia y no tiene efectos sobre otras transferencias del bus de datos. Sin embargo, al realizar el ciclo de lectura, el P lee el byte completo, por lo que es necesario realizar un artificio lgico en la ALU, conocido con el nombre de mscara (el cual se estudia con detalle en la
seccin: calculadora lgica), si queremos averiguar si el bit ledo por D0 es 1 o 0 lgico.
Una extensin del ejemplo anterior es leer ms de un bit en un ciclo de lectura. La figura 5.56 a) muestra un circuito basado en un P de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones, donde 8 bits de datos, provenientes de un teclado,
son ledos de manera simultnea. Mientras que la figura 5.56 b) indica el mapa de memoria y el rango de direcciones
asignado a este puerto de entrada.
El control de lectura y el direccionamiento son los mismos que se usaron en los ejemplos anteriores.
Dispositivos
perifricos

Adaptador de interfaz
de salida

0000H
Buffer
(8 bits)

Puerto
de
entrada

/OE

7FFFH
8000H

Microprocesador
A15
1

A0-A15

D0-D7

/RD
FFFFH
a)

b)

=`^liX,%,- @ek\i]XqZfelek\ZcX[fZfdf\ekiX[X%X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

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253

5 El popular microcontrolador

Interfaz mediante interrupciones y mediante E/S por programa (polling)


Hasta el momento hemos asumido que cuando el programa dirige al P para leer un dato desde un puerto de entrada,
el dato en esa posicin se encuentra disponible y, por ende, es un dato vlido. Pero esto podra no ocurrir, debido a que
los dispositivos perifricos (como el teclado) no actan a la misma velocidad que el P. Por este motivo, existen varias
tcnicas para la sincronizacin de la transferencia de datos, entre las que destacan: entrada/salida por programa o
polling y las interrupciones.
Entrada/Salida, E/S, por programa
La E/S por programa o polling es el mtodo ms sencillo para sincronizar las entradas/salidas y se utiliza en aplicaciones dedicadas pequeas. La idea del polling es escribir o leer datos de forma repetitiva usando una iteracin en el programa. Para ejemplificar su uso, supongamos que tenemos un sistema muy sencillo basado en un P que utiliza como
puerto de entrada un interruptor y como puerto de salida un LED. Para esto podramos combinar los circuitos que se
ilustran en las figuras 5.51 a) y 5.54 a) mediante un solo P. Una interfaz de polling muy simple, usando este sistema,
podra leer el estado del interruptor y luego reflejarlo en el indicador de salida de LED. En este ejemplo, la iteracin
continua del programa sera lectura-escritura-lectura-escritura, sucesivamente. Algunos autores tambin utilizan la
traduccin: encuesta o muestreo, para referirse al polling. En este sentido, el P interrogara el estado del puerto de
entrada mediante un ciclo de lectura y actualizara su salida con intervalos de unos cuantos microsegundos.
En el ejemplo anterior se tiene solo un puerto de entrada y un puerto de salida; sin embargo, con frecuencia se
requiere realizar el polling de varios dispositivos de entrada/salida. Para esto, el P tendra que interrogar a cada dispositivo sucesivamente. Si cada dispositivo tuviera un bit en 1 lgico actuando como bandera e indicando que tiene un
dato vlido, el P atendera a ese dispositivo. En cambio, si el bit fuera un 0 lgico, el P se dirigira hacia el segundo
dispositivo de E/S y as sucesivamente.
Interrupciones
El otro mtodo para informar al P que un dispositivo de E/S est listo y que debe emprender una accin son las
interrupciones. Podemos definir una interrupcin como la sucesin de un evento que causa la suspensin temporal de
un programa, mientras otro programa se encarga de servir a dicho evento. Esto le permite a un sistema computacional
responder a un evento de manera asncrona, es decir, sin saber cundo se interrumpir el programa principal. Ahora
bien, si el P es el cerebro del sistema computacional, entonces podemos decir que la atencin mediante interrupciones a los dispositivos perifricos, por parte del P, es conceptualmente similar a la sucesin de acontecimientos que
podemos tener un da en nuestra vida cotidiana.
Para ejemplificarlo, consideremos la siguiente secuencia de acontecimientos: 1) usted est leyendo un libro; 2) el
telfono suena; 3) utiliza un separador para marcar la pgina que estaba leyendo y se dirige a contestar el telfono;
4) contesta el telfono con un bueno para indicar que est preparado para iniciar la conversacin; 5) platica con la
otra persona en la lnea y termina su conversacin; 6) regresa a leer su libro, localizando, gracias al separador, el lugar
en que se encontraba cuando se produjo la interrupcin; 7) el timbre de la puerta suena; 8) una vez ms, utiliza el
separador para marcar la pgina que estaba leyendo y se dirige a abrir la puerta; 9) abre la puerta; 10) atiende a la

Lectura
sin
interrupciones

Lectura
con
interrupciones

Lectura de libro

Lectura
de libro

Lectura de libro

Int. de
telefono

Lectura de libro

Int. de
timbre
Tiempo

=`^liX,%,. C\ZkliX[\lec`YifZfepj`e`ek\iilgZ`fe\j%

254

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

persona que est en la puerta y termina su asunto con ella; 11) por ltimo, regresa a leer su libro, localizando el lugar
en que se encontraba cuando se produjo la segunda interrupcin. La figura 5.57 muestra el flujo de lectura de un libro
con interrupciones y sin interrupciones respecto del tiempo.
Volviendo a nuestro sistema basado en P, cuando se genera un acontecimiento (interrupcin), el flujo del programa principal se interrumpe para llevar a cabo una rutina denominada: Rutina de Servicio de Interrupcin (RSI), la
cual toma el control, realiza sus operaciones y termina al pasar de regreso el control a la rutina principal. El programa
principal contina su ejecucin en donde se qued cada vez que regresa de la RSI. La figura 5.58 ilustra el flujo de
ejecucin de un programa sin interrupciones y con interrupciones respecto del tiempo.

Ejecucin
sin
interrupciones

Programa principal

Principal

Principal

Ejecucin
con
interrupciones

RSI

Principal

RSI

Tiempo

=`^liX,%,/ <a\ZlZ`e[\legif^iXdXj`e`ek\iilgZ`fe\jpZfe`ek\iilgZ`fe\j%
Las interrupciones tambin pueden ser anidadas, esto es, si estamos leyendo y se produce una interrupcin, todos
los recursos se dedican a atender la interrupcin, por ejemplo, atender el telfono; pero, si nos encontramos atendiendo esta interrupcin y suena el timbre de la puerta, tendremos que informar a la persona con quien estamos hablando
por telfono que nos espere un momento, nos dirigimos a abrir la puerta y atendemos dicha interrupcin. Cuando terminamos de atender la interrupcin de la puerta, regresamos de nueva cuenta a atender la interrupcin del telfono y
al finalizar con la persona con quien hablamos por telfono, regresamos con nuestra lectura. Lo anterior puede ser
trasladado a nuestro sistema basado en un P, asumiendo que el P cuenta con varias entradas de interrupcin, como
se muestra en la figura 5.59 a).

P
Dispositivo 1
Dispositivo 2
Dispositivo 3
Dispositivo 4

Dispositivo 1
Dispositivo 2
Dispositivo 3
Dispositivo 4

INT1
INT2
INT3
MNI

a)

INT1
MNI

b)

=`^liX,%,0 ;fjk`gfj[\`ek\iilgZ`fe\j\eleG%X @ek\iilgZ`fe\j\edXjZXiXYc\jpef\edXjZXiXYc\j%


Y @ek\iilgZ`fe\j\edXjZXiXYc\j[\leXjfcX\ekiX[X%

No obstante, adicionalmente, tambin existen alternativas a los escenarios anteriores. Supongamos que por alguna razn no deseamos ser interrumpidos cuando estamos leyendo nuestro libro. Entonces, en lugar de atender el telfono y el timbre de la puerta que nos estn interrumpiendo, podemos elegir ignorarlos y desconectarlos o dejarlos
sin servicio. En ese estado, se dice que las interrupciones han sido bloqueadas. Por supuesto, es probable que exista
una interrupcin que no permita ser ignorada, como puede ser el hecho de que se funda un fusible que provoque una
suspensin de la energa elctrica. A este tipo de interrupciones se les llama interrupciones no enmascarables (NMI).

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255

5 El popular microcontrolador

Por tanto, es imperante atender la interrupcin, reemplazando el fusible, antes de volver a la lectura del libro. Con base
en este ejemplo, resulta sencillo explicar que las interrupciones no enmascarables tienen mayor prioridad que las interrupciones que podemos elegir ignorar, que reciben el nombre de interrupciones enmascarables (INT).
Al conjunto de interrupciones enmascarables se le pueden asignar prioridades que permitan que las tareas con
mayor prioridad se realicen sin ser interrumpidas por las tareas de menor prioridad. Por ejemplo, puede que no sea
deseable permitir que llamen a la puerta para interrumpir una conversacin telefnica de larga distancia.
Si varios dispositivos son capaces de interrumpir al P, y este solo cuenta con una entrada para las interrupciones,
las lneas de requerimiento de las interrupciones podran ser unidas lgicamente mediante una compuerta OR, como
lo muestra grficamente la figura 5.59 b), sin embargo, el P tendra que encontrar el dispositivo de E/S que caus la
interrupcin. El procedimiento para encontrar al perifrico implica el uso de la tcnica de polling mencionada antes,
conocida como esquema de interrupcin por programa o de polling. Por otro lado, a las interrupciones que consisten
no solo de una seal de peticin de interrupcin, sino tambin de un identificador que permite que el P brinque de
forma directa a la rutina de servicio de interrupcin, se conocen como interrupciones vectorizadas. En la prctica, el
identificador puede ser una direccin o el primer byte de una instruccin, lo cual le permite al P saber cul es el dispositivo de E/S que est interrumpiendo. Por lo comn, los P no cuentan con ms de cuatro terminales de interrupcin, por lo que se pueden usar CI externos, como el controlador de interrupciones por prioridad Intel 8259.
Como ejemplo vamos a considerar un sistema basado en nuestro P de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones,
el cual se interconecta con un teclado mediante un puerto de E/S con interrupcin simple, como se muestra en la
figura 5.60.

Dispositivo perifrico
(Teclado)

Lnea strobe

ALTO = salida
BAJO = entrada

BAJO

Control del modo

ALTO
Lnea selectora de dispositivo
Lnea de lectura de E/S

STB DI0
MD
Flip flops

CLR

Decodificador
de direcciones

DO0
Buffers

de tercer
DO7
estado

DS2
___
DS1 Puerto de E/S Intel 8212

A15

(16)

A0

(8)

___
INT

Lnea de
requerimiento
de interrupcin

___
RD
A7
(8)
A0

Adaptador de interfaz
de entrada

DI7

D0
(8)

D7
INT

=`^liX,%-' J`jk\dXYXjX[f\eleGZfeleX`ek\i]Xq[\k\ZcX[fgfid\[`f[\legl\ikf[\<&J@ek\c/)()Zfe`ek\iilgZ`ej`dgc\%
Como se puede observar, el adaptador de interfaz es un puerto de E/S 8212 de Intel, que puede ser programado
tanto como puerto de entrada como de salida con la terminal de control de modo, MD, la cual en este caso est en
BAJO, lo que significa que opera como puerto entrada; en este caso, la entrada de borrar datos est inhabilitada con
un nivel lgico ALTO. Los 8 bits de datos provenientes en paralelo del teclado se conectan a las entradas de datos DI0DI7 del CI 8212. En este sistema la entrada strobe, STB, equivale al pulso de reloj de un grupo de flip-flops o a la terminal LE de un latch de 8 bits, mientras que las entradas /DS1 y DS2 equivalen a la habilitacin de los buffers de tercer
estado de salida de datos. El teclado debe colocar un byte en la entrada del puerto y producir un pulso activo ALTO en
la seal STB, para almacenar en los flip-flops el dato correspondiente. El diagrama de tiempos para analizar el funcionamiento del puerto 8212 se muestra en la figura 5.61.
De acuerdo con el diagrama de tiempos de la figura 5.61, una vez que los 8 bits de datos son almacenados en los
flip-flops internos, la circuitera del CI 8212 genera un pulso de interrupcin de salida, /INT, activo BAJO, indicando
al P que tiene un dato vlido. Como en este caso el P tiene una entrada de interrupcin activo ALTO, se agreg un

256

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Seales en el puerto
de E/S Intel 8212

Modo de entrada

Datos de entrada D0-D7

Datos de entrada

Entrada strobe STB


Flip flops de datos

Controles
de buffers de
tercer estado

Almacenamiento en flip flops

DS1

DS2

Salidas hacia
el bus de datos

D0-D7

Salida de
interrupciones

___
INT

Aparece en
las salidas

=`^liX,%-( ;`X^iXdX[\k`\dgfj[\]leZ`feXd`\ekf[\cgl\ikf/)()[\@ek\c%
inversor, como se aprecia con claridad en la figura 5.60. Tras interrumpir al P, este brinca a la RSI, que en este caso
realizar un ciclo de lectura para leer los datos provenientes del teclado. Para realizar esto, enva las direcciones, las
cuales a su vez generan la seal proveniente del decodificador que activa la entrada DS2; en seguida, se activa la seal
de control, /RD, que activa la entrada DS1, deshabilitando el estado de alta impedancia de los buffers de salida y permitiendo leer el dato almacenado en el CI 8212.
En esta seccin describimos con ms detalle el tratamiento de las interrupciones, debido a que es la tcnica ms
utilizada en aplicaciones de microcontroladores, como se ver cuando se analice el microcontrolador 8051 en el captulo siguiente. En esta seccin solo nos resta describir la programacin simple de un P usando operaciones lgicas y
ciclos de lectura y escritura, para esto, usaremos algunas de las operaciones lgicas ms comunes de una ALU usando
la calculadora lgica del CD ROM que acompaa este libro.

Programacin simple de una CPU o P


Programa o software
Una de las cosas ms importantes que se deben recordar acerca de los sistemas basados en microprocesadores es que
estos pueden efectuar nicamente lo que se les instruye que hagan mediante un conjunto de cdigos binarios, llamado
conjunto de instrucciones. En este conjunto, cada instruccin representa una operacin simple; por lo general, estas
instrucciones son aritmticas y lgicas, de transferencia de datos y de bifurcacin (brincos condicionales o incondicionales). Para ejecutar una tarea til, el sistema basado en un P debe tener una serie de instrucciones, listadas de
manera muy clara y exhaustiva. A la coleccin de estas instrucciones se le llama programa o software y a las personas
que escriben y revisan esas instrucciones se les conoce como programadores o desarrolladores.
La calidad de los programas o software es lo que determina el grado de eficiencia y exactitud con el que se ejecuta
un programa, y no lo sofisticado que sea el microprocesador. Dicho de otra manera, los microprocesadores son controlados por los programas, y cuando estos fallan podra considerarse un reflejo de los puntos dbiles de sus autores.15
15

Por lo comn, se escuchan frases como la computadora fall o la computadora cometi un error, pero dichas frases no son del todo exactas.
Si bien la falla de un equipo es inevitable, los resultados errneos usualmente son indicaciones de programas poco eficientes o errores de los
operadores.

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257

5 El popular microcontrolador

Lenguajes de mquina y lenguaje ensamblador


Los sistemas basados en microprocesadores nicamente entienden un lenguaje representado en una serie codificada
de nmeros binarios, que recibe el nombre de lenguaje de mquina.
Cada familia de microprocesadores tiene su propio lenguaje de mquina, el cual por lo general no puede ser entendido por microprocesadores de otras familias; incluso, un microprocesador en particular, entre miembros de una
misma familia, podra utilizar un dialecto ligeramente diferente, dado que podra incorporar caractersticas en hardware no disponibles en otros miembros de la familia. Por tanto, el conjunto de instrucciones para un microprocesador
especfico contiene su lenguaje de mquina particular.
Por su parte, el lenguaje ensamblador consiste en un conjunto de instrucciones mnemnicas y modos de direccionamiento, donde las instrucciones describen qu es lo que se tiene qu hacer y los modos de direccionamiento
describen dnde hacerlo. Cada instruccin tiene dos posibles componentes: el cdigo de operacin u opcode y un
operando. El cdigo de operacin es la funcin que ejecuta la instruccin, mientras que el operando es el dato usado
por el cdigo de operacin. Como ejemplo, retomamos la operacin lgica AND, entre el acumulador y el nmero
F0H, de la figura 5.18:
AND A, F0H
Ahora, podemos mostrar que los formatos del cdigo de operacin y del operando de esta instruccin son 01010100
dddddddd, respectivamente. As, en este caso, el operando es el nmero 11110000B, como se observa en la figura
5.62.

01010100

11110000

Cdigo de
operacin

Operando

=`^liX,%-) :[`^f[\fg\iXZ`epfg\iXe[fgXiXcX`ejkilZZ`e8E;%
A diferencia de las mquinas, los humanos sufrimos para recordar una serie grande de nmeros binarios. Tratar
de recordar todos los cdigos de operacin, aun en hexadecimal, para cada microprocesador, es muy dif cil. Esta es la
razn por la que se inventaron las instrucciones mnemnicas, por lo comn llamadas solo mnemnicos.
Los mnemnicos no son otra cosa que una palabra codificada que representa un dato binario (en lenguaje de
mquina) y con el cual resulta ms fcil la programacin del P; en realidad, de aqu es donde se deriva el concepto
de lenguaje ensamblador. Los datos binarios representados por los mnemnicos se almacenan en la memoria de programa, ROM, y son ledos por el microprocesador mediante los ciclos de instruccin. La figura 5.63 ilustra este proceso para el cdigo de operacin y el operando de la instruccin AND A, F0H anterior.

IR

54

(Registro de
instruccin)
Bus de control

Reset

Bus de datos
Reloj

Bus de direcciones

PC

0110

(Contador
de programa)

Memoria ROM
Direccin
Dato
0001H
0010H
0011H
0100H
0101H
0 1 1 0H 01010100B
0 1 1 1 H 1 1 1 1 0000B
1000H
FFFEH
FFFFH

=`^liX,%-* ;XkfjY`eXi`fjZfii\jgfe[`\ek\jXcX`ejkilZZ`e8E;8#='?#c\[fjgfileGd\[`Xek\Z`Zcfj[\`ejkilZZ`e%

258

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Un modo de direccin, en cambio, es simplemente el medio por el que se determina una direccin. Existen varios
modos de direccionamiento, algunos de los ms comunes son los modos de direccionamiento de dato inmediato, de
direccionamiento directo, indirecto o indizado, los cuales analizamos con ms detalle en la seccin de microcontroladores.
No obstante, los programas en lenguaje ensamblador no son ejecutados de forma directa por el P, sino que deben
traducirse a lenguaje de mquina. Esta traduccin la hace un programa llamado ensamblador, el cual toma las palabras
codificadas de las instrucciones mnemnicas y las cambia a sus valores en binario, creando un archivo que posteriormente es el que se copia en la memoria ROM.
Tambin existen otros programas llamados compiladores de cdigo, los cuales toman un cdigo en lenguaje de
alto nivel, por ejemplo el lenguaje C, y crean un cdigo que se ejecuta en un sistema computacional. Los compiladores,
a diferencia del lenguaje ensamblador, pueden manejar tareas como el direccionamiento de memoria sin la necesidad
de que el desarrollador se preocupe de ello. Esta es la razn por la que a estos lenguajes se les llama de alto nivel.
El lenguaje ensamblador, por su parte, trabaja de forma directa con la circuitera o hardware, al que est conectado el microprocesador. Muchos microprocesadores y, en la actualidad, tambin muchos microcontroladores tienen
compiladores para el lenguaje C. Lo anterior permite hacer uso de un lenguaje de alto nivel, con el que se puede estar
familiarizado, con el fin de programar al microprocesador o al microcontrolador. Sin embargo, se recomienda ser
cuidadoso cuando se usa este enfoque, debido a que a pesar de que los compiladores son cada da mejores, es posible
perder eficiencia en el camino.16

Desarrollo de programas sencillos en lenguaje ensamblador


Como comentamos antes, en un principio los lenguajes de programacin se crearon para reducir el tiempo de desarrollo de un programa, debido a que estos no solo incrementan la portabilidad y la claridad de los programas, sino
tambin permiten la modificacin de los programas de una manera ms fcil.
En esta seccin analizamos algunas instrucciones o mnemnicos en lenguaje ensamblador representativos para
nuestro microprocesador genrico de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones. As, con estas instrucciones realizamos
programas sencillos que enfatizan los ciclos de lectura y escritura de un P mediante instrucciones de transferencia de
datos, operaciones lgicas y operaciones de bifurcacin. Para esto, primero vamos a considerar que nuestro P tiene
el conjunto de instrucciones mostrado en la tabla 5.2.
Para iniciar lo antes expuesto, vamos a considerar que tenemos un sistema basado en nuestro ya conocido P de
8 bits de datos y 16 bits de direcciones. Como sabemos, el sistema cuenta con una memoria EPROM de 8 Kbytes y dos
perifricos como puertos de entrada y salida, un interruptor y un LED indicador, respectivamente; en este caso, los perifricos son mapeados a memoria con una decodificacin parcial. En la figura 5.64 se observa el diagrama esquemtico para este sistema y el mapa de memoria.
Con base en el conjunto de instrucciones de la tabla 5.2, requerimos de una rutina que lea el estado del interruptor
y lo despliegue en el LED indicador. Si el interruptor es un 1 lgico, el LED se enciende y si es un 0 lgico el LED se
apaga. Para realizar este programa hacemos uso de la interfaz de E/S por programa; el listado de este programa
se muestra en la figura 5.65.
Aunque el programa de la figura 5.65 es muy simple, para su comprensin vamos a describir cada instruccin. La
primera instruccin, MOV DPTR, 4000H, carga el contenido del registro apuntador de datos DPTR (Data Pointer)
con una de las 16 mil posibles direcciones asignadas, de acuerdo con su mapa de memoria. Por su parte, la instruccin
MOVX A, DPTR, es una instruccin de transferencia externa; aunque, en realidad, con esta instruccin el P ejecuta
un ciclo de lectura. Esto es, el P coloca el contenido del DPTR en el bus de direcciones y un tiempo despus enva el
comando de control, /RD, para leer el dato proveniente del buffer de tres estados por el bus de datos; el dato ledo se
almacena en el registro acumulador, A. En la figura 5.66 se observa el ciclo de lectura efectuado al ejecutarse la instruccin de transferencia de datos MOVX A, DPTR.

16

Conozco el caso de una aplicacin que requera usar un microcontrolador de 4 Kbytes. El desarrollador consider que no tena ningn sentido
aprender el lenguaje ensamblador del C si poda usar el lenguaje C. El cdigo desarrollado no cupo en los 4 Kbytes, de modo que solicit un C
con mayor capacidad de memoria (y costo) para realizar el cdigo en ensamblador. Una vez escrito el cdigo en ensamblador, este no sobrepas
1 Kbyte de memoria. Por supuesto, este es un caso extremo, ya que tambin hay diseos muy eficientes usando el lenguaje C. La moraleja es
tener siempre una idea de la cantidad de informacin binaria que se convierte a cdigo, ya sea en C o en ensamblador.

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259

5 El popular microcontrolador

Cdigo de operacin
y operando

Instruccin

Explicacin

MOV

DPTR, OP1

10010000 (d15..d8)
(d7..d0)

Carga dato inmediato (16 bits) en el registro DPTR.

MOV

R, A

11111000
dddddddd

Carga dato del Acc al registro interno R.

MOV

A, R

11101000
dddddddd

Carga dato del registro interno R al Acc.

MOVX A, DPTR

1110 0000

Transfiere el contenido de la direccin apuntada por el DPTR (A0-A15) al


acumulador (ciclo de lectura).

MOVX DPTR, A

1111 0000

Transfiere el contenido del acumulador a la direccin apuntada por el DPTR


(A0-A15) (ciclo de escritura).

ANL

A, OP2

0101 1000
dddddddd

AND lgico entre el acumulador y OP2. Afecta registro de estados.

ORL

A, OP2

0100 1000
dddddddd

ORL lgico entre el acumulador y OP2. Afecta registro de estados.

XRL

A, OP2

0110 1000
dddddddd

EX-OR lgico entre el acumulador y OP2. Afecta registro de estados.

JZ

etiqueta

0110 0000
(dddddddd)

Brinca a etiqueta si el acumulador es cero.

0011 0010

Fin de rutina de interrupcin.

RETI

Nota: OP1 es dato de 16 bits y DPTR es un registro apuntador de datos de 16 bits.


R puede ser un registro interno (R1, R2, R3).
OP2 puede ser un dato de 8 bits o un registro R.

KXYcX,%) :fealekf[\`ejkilZZ`fe\jgXiX\cG^\ei`Zf[\/Y`kj[\[Xkfjp(-Y`kj[\[`i\ZZ`fe\j%
A15, A14

Microprocesador

0000H
Deco
2 74139

EPROM
13

A0-A15
D0-D7
/RD
/WR

D0
1

A0-A12
D0-D7
/CS
/OE
EPROM
S
/OE
D0

3FFFH
4000H
+5 V

Puerto de
entrada
7FFFH
8000H
Puerto de
salida
BFFFH
C000H

CK
FFFFH

a)

b)

=`^liX,%-+ J`jk\dXYXjX[f\eleGZfeki\jg\i`]i`ZfjdXg\X[fjXd\dfi`X#leX<GIFD#le`ek\iilgkfipleC<;%
X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

En tanto, la instruccin ANL A, 01H, enmascara el bit D0 del bus de datos, ya que es el nico que nos interesa en
esta aplicacin. La instruccin MOV DPTR, 8000H, actualiza el valor del apuntador de datos con una de las direcciones asignadas en el mapa de memoria al puerto de salida. Por ltimo, con la instruccin MOVX DPTR, A, que tambin
es una instruccin de transferencia externa, el P ejecuta un ciclo de escritura; el P coloca en el bus de direcciones el

260

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

INICIO:
MOV
MOVX
ANL
MOV
MOVX

DPTR, 4000H
A, DPTR
A, 01H
DPTR, 8000H
DPTR, A

END

=`^liX,%-, Gif^iXdXZfii\jgfe[`\ek\XcZ`iZl`kf[\cX]`^liX,%-+%

Seales
del P

Ciclo de lectura

MOVX A, DPTR
tCMD

tAS
Direccin (A0-A15)
Contenido de DPTR

tAH

(4000H - 7FFFH)

___
Comando de lectura (RD)
tACC

tDH

Bus de datos (D0-D7)


Datos se transfieren del Acumulador

Datos de entrada

=`^liX,%-- :`Zcf[\c\ZkliXXjfZ`X[fZfecX`ejkilZZ`eDFMO8#;GKI%

contenido del registro DPTR, y un tiempo despus activa el comando de control, /WR, para colocar en el bus de datos
el contenido del registro acumulador. En la figura 5.67 se observa el ciclo de escritura efectuado al ejecutarse la transferencia de datos externa MOVX DPTR, A.
Es importante remarcar que el contenido del bus de direcciones (A0-A15), al realizar los ciclos de lectura o escritura hacia perifricos mapeados de memoria, es el contenido que almacenamos en el registro apuntador de datos
DPTR. Una pregunta frecuente al comienzo de los estudios de microprocesadores o microcontroladores es:
t El contenido del bus de direcciones no tiene el contenido del contador de programa PC?

Seales
del P

Ciclo de escritura

MOVX DPTR, A
tCMD

tAS
Direccin (A0-A15)
Contenido de DPTR

tAH

(8000H - BFFFH)

___
Comando de escritura (WR)
tDS
Bus de datos (D0-D7)
Datos se transfieren del Acumulador

tDH
Datos de salida

=`^liX,%-. :`Zcf[\\jZi`kliXXjfZ`X[fZfecX`ejkilZZ`eDFMO;GKI#8%

grupo editorial patria

261

5 El popular microcontrolador

La respuesta es s, el contenido del PC siempre apunta a la direccin de la siguiente instruccin que se va a ejecutar, de modo que se coloca en el bus de direcciones para apuntar a la memoria de programa, ROM. Sin embargo, la
colocacin del contenido del PC en el bus de direcciones la realiza el P de manera automtica al efectuar el ciclo de
instruccin de una CPU, ilustrado en la figura 5.14. Por otro lado, el uso de los buses de direcciones y de datos, asociados con los registros DPTR y acumulador, son producto de la ejecucin de las instrucciones de transferencia de datos
externa, tanto de lectura como de escritura.
Para resaltar el uso de las instrucciones de transferencia citamos otro ejemplo. Entonces, consideremos que tenemos nuestro microprocesador de 8 bits de datos y 16 bits de direcciones, pero ahora tenemos mapeados a memoria
un interruptor, un LED rojo, un LED verde, una memoria de EPROM de 8 Kbytes y una memoria RAM de 4 Kbytes;
en este caso, los perifricos son mapeados a memoria con una decodificacin parcial. La figura 5.68 muestra el diagrama esquemtico para este sistema y el mapa de memoria.
13
A15-A13
MP
A0-A15
D0-D7
/RD
/WR

A0-A12
D0-D7
/CS
/OE

Deco
74138

3
12
1

D4

/OE

1
D4
D
CK

A0-A11
EPROM
D0-D7
/CS
/OE
/WE RAM
+5 V

CK

0000H

RAM
EPROM
Puerto de
entrada
LED
rojo
LED
verde

1FFFH
2000H
3FFFH
4000H
5F F F H
6000H
7FFFH
8000H
8FFFH
A000H
BFFFH
C000H
DFFFH
E000H
FFFFH

=`^liX,%-/ J`jk\dXYXjX[f\eleGZfeZ`eZfg\i`]i`ZfjdXg\X[fjXd\dfi`X#leX<GIFD#leXd\dfi`XI8D#le`ek\iilgkfip[fjC<;%
X :`iZl`kf%Y DXgX[\d\dfi`X%

Con base en el conjunto de instrucciones de la tabla 5.2, requerimos establecer una rutina que apague ambos LED
y lea el estado del interruptor. Si el interruptor es un 1 lgico, enciende el LED rojo, pero si es un 0 lgico enciende el
LED verde y escribe un 55H en la direccin 7FH de la memoria RAM. De igual manera que en el ejemplo anterior,
hacemos uso de la interfaz de E/S por programa; el listado del programa requerido se representa en la figura 5.69.
El programa de la figura 5.69 es muy simple y parecera no tener una aplicacin especfica; sin embargo, nos introduce en el uso de instrucciones de bifurcacin (brinco condicional), con el fin de tomar decisiones, adems de
realizar una operacin lgica y ejecutar una escritura a una localidad de la memoria RAM externa, como lo muestra
el diagrama de flujo de la figura 5.70.
Con base en lo anterior, vamos a describir este programa por bloques. En el primer bloque del diagrama, correspondiente a las primeras cinco instrucciones del programa, se efecta el proceso de inicializacin, que consiste en
apagar ambos LED mediante dos ciclos de escritura. Para realizar estos ciclos de escritura, el bit que nos interesa, que
se encuentra en 0 lgico en el acumulador para colocarse en el bus de datos y almacenarse en los flip-flops, es el bit D4
(XXX0XXXX). Por esta razn, el valor que seleccionamos para almacenar en el registro acumulador es 00H.
El segundo bloque del diagrama de flujo inicia con la etiqueta LEE_SW del programa, en el cual se lee el dato
correspondiente al estado del interruptor, mediante la ejecucin de un ciclo de lectura. Una vez que se tiene el dato en
el acumulador, se realiza una operacin lgica AND entre el acumulador y el valor 00010000B (10H), la cual sirve
como mscara del bit que nos interesa, en este caso el bit D4. Por qu el bit D4? Bien, esto se debe a que en el diagrama del circuito de la figura 5.68 usamos el bit D4 del bus de datos tanto para leer el estado del interruptor, en la salida
del buffer de tres estados, como para proporcionar la entrada del dato en los flip-flops que encienden los LED. El esquema de la operacin lgica AND entre el acumulador y el nmero 00010000B (10H) como mscara se observa en la
figura 5.71.

262

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

INICIO:
MOV
MOV
MOVX
MOV
MOVX

A, 00H
DPTR, 6000H
DPTR, A
DPTR, 8000H
DPTR, A

MOV
MOVX
ANL
JZ

DPTR, 4000H
A, DPTR
A, 10H
LED_VERDE

MOV
MKOVX
MOV
MOV
MOVX
JZ

DPTR, 6000H
DPTR, A
A, 00H
DPTR, 8000H
DPTS, A
LEE_SW

MOV
MOVX
MOV
MOV
MOVX

DPTR, 6000H
DPTR, A
A, 10H
DPTR, 8000H
DPTR, A

MOV
MOV
MOVX
MOV
JZ

DPTR, 007H
A, 55H
DPTR, A
A, 00H
LEE_SW

LEE_SW:

LED_ROJO:

LED_VERDE:

RAM:

END
Inicio

=`^liX,%-0 Gif^iXdXZfii\jgfe[`\ek\XcZ`iZl`kf[\cX]`^liX,%-/%
Apaga
ambos LEDs

Lee estado del


interruptor
Interruptor
en 1 lgico

Interruptor
en 0 lgico

Enciende
LED rojo

Enciende
LED verde

Apaga
LED verde

Apaga
LED rojo

Escribe
a la memoria
RAM

=`^liX,%.' ;`X^iXdX[\]claf[\cgif^iXdX[\cX]`^liX,%-0%

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263

5 El popular microcontrolador

Bit 7

Bit 6

Bit 5

Bit 4

Bit 3

Bit 2

Bit 1

Bit 0

Acc

Mscara

AND

=`^liX,%.( Fg\iXZ`ec^`ZX8E;ljX[XgXiX\edXjZXiXi\cY`k[\[Xkfj;+%
Como sabemos, el resultado de esta operacin lgica se almacena de regreso en el acumulador. Por ende, despus de
la operacin lgica AND, el resultado en el acumulador ser 10H, si el bit 4 es un 1 lgico, o 00H si el bit 4 es un 0 lgico.
El tercer bloque del diagrama de flujo es el smbolo de decisin, el cual corresponde a la instruccin de brinco
condicional, JZ (esto significa que brinca a etiqueta si el acumulador es un 0 lgico). Es decir, si el resultado del acumulador es un 0 lgico, el programa brinca a la etiqueta LED_VERDE del programa. Pero, si el resultado es un 1 lgico,
el programa contina con la siguiente instruccin, en este caso MOV DPTR, 6000H, correspondiente a la etiqueta
LED_ROJO del programa.
Ahora, vamos a suponer que el programa contina de manera secuencial en la etiqueta LED_ROJO, debido a que
el resultado en el acumulador fue diferente de cero (10H). Entonces, en este bloque se realizan dos ciclos de escritura:
uno para encender el LED rojo y el otro para apagar el LED verde; para lograr esto, nos aseguramos de que el valor a
escribir contenga en el acumulador un 10H, con el fin de encender un LED rojo, y un 00H, para apagar el LED verde.
En seguida, escribimos un 00H en el acumulador para forzar al programa que brinque a la etiqueta LEE_SW, para leer
otra vez el estado del interruptor. Por otro lado, si el resultado en el acumulador es 00H, despus de la instruccin de
brinco condicional, el programa brinca a la etiqueta LEE_VERDE. En este bloque, se realizan dos ciclos de escritura:
uno para encender el LED verde y el otro para apagar el LED rojo. De igual modo, nos aseguramos que el valor a escribir contenga en el acumulador un 10H, para encender el LED verde, y un 00H, para apagar el LED rojo. Despus de
esto, el diagrama de flujo contina con el bloque para escribir a la memoria RAM. En este bloque se realiza un ciclo
de escritura, escribiendo el nmero 55H en la localidad 007FH. Por ltimo, escribimos un 00H en el acumulador, para
forzar al programa que brinque a la etiqueta LEE_SW, con el objetivo de leer otra vez el estado del interruptor.
Para comprender mejor los ciclos de lectura o escritura a la memoria RAM, podemos usar la seccin de transferencia de datos internos y externos del P que se desarrolla en el CD ROM que acompaa este libro. En esta seccin,
se pueden ejecutar las instrucciones MOV y MOVX, asociadas con los registros acumulador (ACC) y Apuntador
(DPTR). Considerando el ejemplo anterior, primero almacenamos de manera secuencial, mediante la instruccin
MOV, el contenido deseado al registro Apuntador, en este caso el valor 7FH, y posteriormente almacenamos el valor
55H en el registro acumulador, tal como se muestra en la figura 5.72.

=`^liX,%.) <a\ZlZ`e[\cX`ejkilZZ`eDFM8glekX[fi#.=?#pDFM8::#,,?#gXiXXcdXZ\eXi\jkfjmXcfi\j\ecfji\^`jkifj`ek\iefj[\cG%

264

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

=`^liX,%.* <a\ZlZ`e[\cX`ejkilZZ`eDFMO8glekX[fi#8::#\hl`mXc\ek\XcX`ejkilZZ`eDFMO;GKI#8#
[\cZfealekf[\`ejkilZZ`fe\j[\cXkXYcX,%)%

Una vez que los registros internos ACC y apuntador tienen los valores adecuados, ejecutamos la instruccin
MOVX, Apuntador, ACC, equivalente a la instruccin MOVX DPTR, A, del conjunto de instrucciones de la tabla 5.2,
con la cual se realiza un ciclo de escritura, y escribimos el valor 55H en la direccin 7FH de la memoria RAM. En la
figura 5.73 se ilustra la ejecucin de esta instruccin de transferencia.

Hardware, software y firmware


Por lo general, los sistemas basados en microprocesadores cuentan con una cantidad mayor de memoria RAM que de
memoria ROM. Esto se debe a que los programas que controlan el hardware se almacenan en la memoria ROM,
mientras que la memoria RAM se usa para el almacenamiento temporal. Al programa de control se le denomina
firmware, debido a que se encuentra almacenado firmemente, de manera permanente, en la memoria ROM. Si hiciramos una analoga de lo antes expuesto, con el hecho de escribir una carta, podramos decir que la hoja de papel sera
el hardware, las palabras escritas con lpiz seran el software y las palabras escritas con tinta seran el firmware.
De esta forma, con esta seccin concluimos los fundamentos de los sistemas basados en microprocesadores, lo
cual nos sirvi como introduccin para entrar al universo de los populares microcontroladores. En la siguiente seccin, empezamos a examinar la familia de microcontroladores MCS-51, enfocndonos en el 80C31BH de Intel y,
posteriormente, en el 89C2051 de Atmel.

MICROCONTROLADORES

DE

BITS

Qu es un microcontrolador?
El microcontrolador ha estado entre nosotros por cerca de cuatro dcadas. En esta era de vertiginoso avance tecnolgico, donde los dispositivos electrnicos pueden llegar a ser obsoletos no mucho tiempo despus de que se colocaron
en el mercado, esto es notable. Su longevidad se atribuye a varias razones. Para empezar, los microcontroladores de la
actualidad no son iguales a los que aparecieron a principios de la dcada de 1970. Los de hoy en da son ms pequeos,
ms rpidos, ms baratos, ms fciles de programar, requieren menos potencia y ofrecen mayor cantidad de perifricos internos. Por tanto, son una opcin ideal para resolver problemas. Pero, qu tipo de problemas pueden resolver
estos?, qu es en s un microcontrolador?
Bien, un microcontrolador es una computadora autocontenida en un circuito integrado, la cual incorpora todos
los componentes bsicos de un sistema basado en un microprocesador o de una computadora personal, pero a una
escala mucho menor. Por este motivo, con frecuencia, a los microcontroladores se les denomina dispositivos de un
solo CI o microcomputadoras. Por supuesto, que los microcontroladores tienen recursos mucho ms limitados que
las computadoras personales; no obstante, en trminos funcionales, un microcontrolador es un circuito integrado
programable que puede utilizarse para controlar un sistema o un proceso.
Las aplicaciones tpicas de los microcontroladores son como controladores embebidos o integrados en un proceso o sistema grande, del cual controlan solo una parte. Los sistemas pueden ser un electrodomstico, un automvil,

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265

5 El popular microcontrolador

instrumentos cientficos o mdicos, o los perifricos de una computadora. El diseo de los microcontroladores est
orientado a proveer soluciones de bajo costo, de tal manera que su uso reduzca drsticamente los costos de diseo y
el nmero de componentes de un proyecto.
Es importante hacer notar que los microcontroladores no funcionan aislados; como su nombre lo sugiere, sino
que controlan otros dispositivos. De la manera ms simple, el microcontrolador es un sistema que toma decisiones
basado en las condiciones de seales externas, es decir, acepta entradas provenientes de otros dispositivos y provee
salidas a otros dispositivos dentro del mismo sistema, con base en sus decisiones. Por ejemplo, un microcontrolador
puede aceptar como entrada una seal proveniente de un interruptor y activar como salida un LED. Asimismo, si el
interruptor se presiona, puede instruirse al microcontrolador para que se ilumine el LED, donde el interruptor y
el LED podran ser parte de un sistema de reproduccin de discos compactos (compact disc) en el sistema de sonido
de un automvil. Otro ejemplo es el control de un sistema, donde la entrada de un microcontrolador podra ser el
umbral 1 o 0 lgicos que detecta el nivel de un contenedor industrial, mientras que la salida podra ser un LED utilizado como alarma en el tablero de control de una planta y la activacin de una vlvula que mantenga el contenedor
con el nivel requerido.
Fsicamente, un microcontrolador es un circuito integrado con terminales a sus lados, conocidas en Mxico
como pines, derivado del ingls pins. Los microcontroladores se usan para proporcionar el voltaje de alimentacin, la
tierra, el reloj, los puertos de E/S, las seales de peticin de interrupcin, la seal de reset y las seales de control. En
contraste, el microprocesador, por lo general, tiene terminales para buses de direcciones y de datos, en lugar de puertos de E/S.
Los microcontroladores por lo comn incluyen una CPU, memorias, puertos de E/S de propsito general y perifricos, como se observa en la figura 5.74.

Puertos Perifricos
E/S
Memoria

CPU
=`^liX,%.+ <c\d\ekfjgi`eZ`gXc\jhl\Zfejk`klp\eled`ZifZfekifcX[fi%
Las memorias pueden ser tipo Flash, RAM, EEPROM y/o EPROM. En tanto, los perifricos ms comunes son
puertos seriales de comunicacin (UARTs, I2C, PCI, CAN, etc.), circuitera para interrupciones, temporizadores/
contadores, moduladores de ancho de pulso (PWM), convertidores ADC, circuitos osciladores internos, buses, entre
otros. Y son, precisamente, estos perifricos los que desempean un papel importante en la seleccin del microcontrolador que se desea emplear.

Arquitecturas de procesadores
Como la mayora de los grandes inventos, las computadoras tienen muchos padres y madres. En sus inicios, por lo comn un grupo de hombres agrupados en grandes habitaciones realizaban de forma manual clculos, usando ciertos
procedimientos de operacin estandarizados, para producir tablas balsticas; esos hombres eran conocidos como
los computers. Sin embargo, la Primera Guerra Mundial puso a la mayora de estos hombres en uniforme y los sac de
esas oficinas; de esta manera, las mujeres fueron reclutadas para realizar esta clase de clculos. A lo largo del tiempo,
varias mquinas mecnicas y electromecnicas fueron creadas por diferentes personalidades con alta inventiva, como
Charles Babbage y Konrad Zuse. No obstante, la computadora que marc el inicio de la carrera computacional
moderna fue la computadora ABC, creada por el Dr. Atanasoff y su estudiante Clifford Berry, en el entonces Iowa

266

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

State Collage, entre los aos 1939 y 1942. Esta computadora usaba alrededor de 300 tubos al vaco (los elementos activos predecesores de los transistores), pero no era programable. Aunque funcionaba, fue descartada muy rpido.
Mientras tanto, bajo la direccin de John Mauchly y J. Presper Eckert, en la Moore School of Electrical Engineering
(hoy da, Universidad de Pennsylvania), se desarrollaba y construa la primera computadora electrnica: la ENIAC
(por sus siglas en ingls, Electronic Numerical Integrator and Computer). La ENIAC era un monstruo de mquina de
propsito general que contena cerca de 18 000 tubos al vaco, pesaba 30 toneladas y consuma 150 kW de electricidad.
Aunque la ENIAC tena una capacidad de cmputo mayor que cualquier mquina de su tiempo, ya que poda ejecutar
5000 sumas o restas por segundo, tampoco era programable.17
Con los aos la evolucin de las computadoras segua su marcha; as, investigadores de las universidades de Princeton y Harvard, en Estados Unidos de Amrica, desarrollaron arquitecturas de computadoras que podan usarse para
el clculo de tablas relacionadas con artillera naval. Estas arquitecturas han sido muy importantes en el desarrollo de
las computadoras y, en consecuencia, en el desarrollo de los microprocesadores y microcontroladores. Por lo general,
los microprocesadores usan arquitecturas Von Neumann, mientras que los microcontroladores utilizan, de manera ms
frecuente, la arquitectura Harvard o Harvard modificada. Por tanto, describimos con ms detalle estas arquitecturas.

Arquitectura Princeton o Von Neumann


La caracterstica principal de la arquitectura computacional desarrollada en la Universidad de Princeton era que esta
computadora tena una memoria comn en la cual se poda almacenar el programa de control, as como otras variables
y estructuras de datos; es decir, era programable. A esta arquitectura se la llama Von Neumann, en honor de John von
Neumann, quien escribi un reporte describiendo su funcionamiento.18 Para su comprensin, en la figura 5.75 se
muestra el diagrama a bloques de la arquitectura Von Neumann.
Decodificador
de instrucciones

CPU
y
registros

Datos
Unidad
de
interfaz
de
memoria

Direcciones

Memoria
de
programa
Memoria
de variables
(datos)

Control
Memoria
de estructura
de datos

=`^liX,%., 8ihl`k\ZkliXMfeE\ldXee%
Cabe resaltar que la arquitectura Von Neumann tiene un solo espacio de memoria en donde se almacenan las
instrucciones del programa y los datos. En esta arquitectura, la unidad de interfaz de memoria es la responsable de
arbitrar el acceso a este espacio de memoria, para determinar entre leer una instruccin o leer o escribir un dato con
la CPU y sus registros. Asimismo, tiene un bus de datos mediante el cual se realizan las operaciones de lectura, tanto
17

18

De acuerdo con Jack Ganssle, en su artculo Microprocessors change the world, se estima que el iPhone tiene alrededor de 32 mil millones de
transistores. De esta forma, si construyramos un iPhone con los elementos activos (tubos al vaco) que se usaron para construir la ENIAC, el
iPhone tendra el tamao de un edificio de 170 pisos, su peso sera de alrededor de 2 500 portaviones de carga clase Nimitz, los cuales tienen
desplazamientos de 100 mil toneladas; y una potencia del orden de los terawatts, requiriendo la salida de 500 plantas nucleoelctricas como la
Olkiluoto (la ms grande del mundo en su clase). Por supuesto, enviar mensajes a casa usando un iPhone con tecnologa ENIAC solo para decir
voy en camino, desmotivara a cualquiera.
Mauchly y Eckert propusieron una computadora ms avanzada que la ENIAC, conocida como la EDVAC, la cual incorporaba el concepto de
almacenamiento de programa; es decir, era programable. Pero, desafortunadamente no la patentaron en su momento. Por lo que a esta arquitectura se le llam Von Neumann debido a que John von Neumann, quien trabajaba como consultor de la Moore School of Electrical Engineering,
donde se construy la ENIAC, escribi un reporte acerca de la EDVAC resumiendo su diseo, pero olvid dar crdito a Mauchly o a Eckert por
la idea. Si este error fue por omisin o deliberado no se sabe, pero mucha amargura y resentimiento result de esto.

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267

5 El popular microcontrolador

para las instrucciones como para los datos. Esto significa que cada vez que la CPU realiza un ciclo de instruccin de la
memoria de programa, es posible que posteriormente pueda realizar una operacin de lectura o escritura de la memoria de datos. Pero, la CPU debe esperar a que se terminen estas operaciones subsiguientes, antes de ejecutar otro ciclo
de instruccin (bsqueda-decodificacin-ejecucin) de la prxima instruccin contenida en el programa. En resumen, con esta arquitectura no es posible leer instrucciones y datos de manera simultnea, pero su ventaja radica en su
simplicidad y costo reducido, razn por la cual esta arquitectura es la ms comn en los microprocesadores. En la figura 5.76 se muestra el diagrama de bloques de la arquitectura Von Neumann acomodando los buses de la manera en
que analizamos los sistemas basados en microprocesadores.

Bus de datos
Memoria
de
datos

CPU

Memoria
de
...
instrucciones

Puertos
de
E/S

Bus de direcciones
Bus de control
Reloj

=`^liX,%.- 8ihl`k\ZkliXMfeE\ldXeeZfecfjYlj\j[\[`i\ZZ`fe\j#[XkfjpZfekifcXii\^cX[fj[\cX]fidX\ehl\j\[\jZi`Y\ecfjj`jk\dXj
YXjX[fj\ed`ZifgifZ\jX[fi\j%

Arquitectura Harvard
Comparando la arquitectura Von Neumann con la arquitectura Harvard, destaca de esta ltima el hecho de que
presenta espacios de memoria separados: uno para instrucciones de programa y otro para datos, como se observa en
la figura 5.77. La arquitectura Harvard tiene dos o ms buses de datos internos que le permiten acceder de manera
simultnea tanto a la memoria de instrucciones como a la de datos. As, la CPU realiza la bsqueda-decodificacin de
instrucciones mediante el bus de instrucciones. Si la instruccin decodificada requiere una operacin en la memoria
de datos, la CPU puede realizar la prxima bsqueda-decodificacin de la instruccin del programa mientras usa el
bus de datos, para efectuar su operacin en la memoria de datos. Lo anterior incrementa la velocidad del tiempo de
ejecucin. Nada es gratis, para realizar esto, tambin se incrementa la complejidad en la circuitera o hardware.

Memoria
de
programa

Bus de
instrucciones

Bus de
datos

Bus de
direcciones

Bus de
direcciones

CPU
Bus de
control

Bus de
control

Memoria
de
datos

=`^liX,%.. 8ihl`k\ZkliX?XimXi[%J\ZXiXZk\i`qXgfigi\j\ekXi[fj\jgXZ`fj[\d\dfi`X`e[\g\e[`\ek\j#lefgXiX`ejkilZZ`fe\jpfkifgXiX[Xkfj%

268

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

En resumen, la arquitectura Harvard tiene como ventaja principal la ejecucin de menos ciclos de instruccin que
la arquitectura Von Neumann. Por tanto, la pregunta obligada es: entonces, por qu la mayora de los microprocesadores no tiene esta arquitectura? Bien, se prefiri la arquitectura Von Neumann a la arquitectura Harvard debido a la
falta de fiabilidad de la tecnologa de ese tiempo. Ya que se encontr que la arquitectura de una sola memoria era ms
adecuada para las computadoras, debido a que permita mayor flexibilidad en el desarrollo de software, principalmente en el rea de sistemas operativos en tiempo real, dado que el contenido del contador de programa (PC) y los datos
eran accesibles al programador.
En este sentido, las arquitecturas Harvard asumen que nicamente almacenan instrucciones en el espacio asignado a la memoria de programa; sin embargo, si un dato se declara como constante y este se almacena en la memoria
ROM, entonces cmo se accede a ese dato? Existen diferentes soluciones, pero en la actualidad los lenguajes de alto
nivel generan de forma automtica el cdigo adecuado para los requerimientos de hardware.
Hoy da, los procesadores digitales de seales (DSP, por sus siglas en ingls) son un tipo especial de procesadores
que presentan arquitecturas Harvard y que, por lo general, son usados para realizar operaciones matemticas complejas, como el diseo de filtros digitales. Los microcontroladores, por su parte, aunque pueden tener esta arquitectura,
se usan cuando se requiere el control de un sistema o proceso, o parte del mismo.19 La figura 5.78 muestra una aplicacin de un DSP y el diagrama de bloques de una aplicacin de un microcontrolador.

[kH

z]

Tiempo

(s)

Frec

Coeficientes

uen

cia

Sensor 1

WT

0.0015
0.0010

800

0.0005
0

600
0

100

Sensor 2

Microcontrolador
Ecuacin
de control

400
200

300

200
400

Accin
ejecutada

Actuador
500

=`^liX,%./ X 8gc`ZXZ`e[\le;JGi\Xc`qXe[ffg\iXZ`fe\j\e\c[fd`e`f[\ck`\dgfpcX]i\Zl\eZ`X%
Y 8gc`ZXZ`ekg`ZX[\Zfekifc[\led`ZifZfekifcX[fi%

Microcontroladores de 8, 16 y 32 bits
Hoy da, en el mercado existe una gran variedad de microcontroladores; los hay de diferentes tamaos, arquitecturas
y costos. Aunque la primera generacin de microcontroladores inici de 8 bits, en la actualidad existen en el mercado
microcontroladores de 16 y hasta 32 bits, como se ilustra en el diagrama de bloques de la figura 5.79.
Sin embargo, en aplicaciones de sistemas integrados, los microcontroladores de 8 bits son los ms ampliamente
usados, por lo que exceden en volumen a las computadoras personales y a los servidores. Cada ao se construyen y
utilizan millones de microprocesadores y miles de millones de microcontroladores.
Recientemente, la amplia disponibilidad y competitividad en precio de los microcontroladores de 32 bits ha hecho
creer a algunos usuarios que estos sustituirn a los microcontroladores de 8 bits. No obstante, el microcontrolador de
8 bits se niega a dejar el mercado. Por qu? Bien, podemos enumerar algunas de las razones ms importantes:
1. El costo manda. Resulta ms econmico resolver un problema usando un microntrolador de 8 bits que uno de
32 bits.

19

En la actualidad, en el mercado existen circuitos integrados denominados DSC (Digital Signal Controllers), los cuales incluyen las caractersticas
de procesamiento de un DSP, con las caractersticas de control de un microcontrolador. As, la saga de este libro podra estar relacionada con los
DSP y DSC.

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269

5 El popular microcontrolador

Bus de datos
(8, 16 o 32 bits)

CPU

Memoria

Bus de direcciones
(cualquier nmero de bits)

=`^liX,%.0 ;`X^iXdX[\Ycfhl\jhl\`cljkiXXcfjd`ZifZfekifcX[fi\j[\/#(-p*)Y`kj%
2. Los sistemas de control requieren interfaces de entrada simples, por ejemplo, relevadores, teclados, sensores,
interruptores, comunicaciones de relativa baja velocidad; las salidas normalmente son LEDs y actuadores bsicos como motores y solenoides.
3. El conjunto de instrucciones de un microcontrolador de 32 bits es ms grande que el de 8 bits; por ende, el
cdigo de las aplicaciones es aproximadamente 4 veces mayor.
4. Los microcontroladores de 32 bits consumen ms potencia. Por esta razn, los sistemas integrados que usan
bateras normalmente usan microcontroladores de 8 bits.

Mercado en movimiento: microcontroladores de 8 bits


A pesar de su amplia permanencia, el mercado de microcontroladores de 8 bits contina expandindose y los fabricantes siguen haciendo mejoras a sus componentes. En aos recientes, ha habido una gran innovacin en estos. Por
ejemplo, el microcontrolador original 8051 de Intel opera de 1-12 MHz, y su ciclo de mquina consiste de 12 periodos
del circuito de reloj; sin embargo, ahora existen microcontroladores 8051 que operan a 100 MHz y el ciclo de mquina
equivale a un periodo del circuito de reloj. 1 200 veces ms rpido!
Adems, los microcontroladores de 8 bits son ms fciles de usar y sus herramientas de desarrollo tienen un alto
grado de madurez y un costo muy bajo. Por los motivos expuestos antes, es que existe una gran cantidad de cdigo
disponible (legacy code) para muchos microcontroladores. Por ejemplo, se estima que hay aproximadamente 300 millones de horas, en tiempo de desarrollo, invertido en escribir cdigo solo para el 8051. Esta es una de las principales
razones por la cual la arquitectura del 8051 contina usndose en una gran cantidad de aplicaciones.

Criterios para seleccionar un microcontrolador


La seleccin de un microcontrolador depende de su aplicacin; pero, en trminos generales, tambin requiere cumplir
con las necesidades de cmputo de la tarea especfica a realizar de manera eficiente y econmica. Algunas de las caractersticas importantes a considerarse son:
t
t
t
t
t
t
t

270

Velocidad de operacin.
Empaquetado.
Consumo de potencia.
Cantidad de memoria RAM/ROM interna.
Nmero de pines de E/S, temporizadores, interrupciones (perifricos internos).
Facilidad de migrar a un componente con mayores recursos.
Costo por unidad.

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Otros puntos importantes que tambin deben considerarse a la hora de seleccionar un microcontrolador son los
siguientes:
t Disponibilidad de las herramientas de desarrollo, como ensambladores, compiladores, simuladores, emuladores, etctera.
t Amplia disponibilidad de fabricantes de microcontroladores.
En este sentido, la familia del microcontrolador 8051 tiene el nmero ms grande y diversificado de fabricantes o
proveedores, entre los que destacan: Intel (original), Atmel, Philips/Signetics, AMD, Infineon (antes Siemens), Matra
y Dallas Semiconductor/Maxim, entre otros. Lo anterior sirve de prembulo para describir al popular microcontrolador 8051, que analizamos en el siguiente apartado.

El popular microcontrolador 8051


Arquitectura de hardware del microcontrolador 8051
En 1981 Intel introdujo al mercado el microcontrolador 8051, referido sencillamente como el MCS-51. Este microcontrolador se hizo bastante popular despus de que Intel le permiti a otros fabricantes disear y comercializar cualquier
modalidad del 8051, siempre y cuando se conservara la compatibilidad de cdigo. Los MCS-51 contienen dos sistemas
bsicos: uno constituido por la CPU y el otro por sus perifricos. En la figura 5.80 se observa el diagrama de bloques
de la arquitectura del microcontrolador 8051.

INT1
INT0
Temporizador 2 (8032/8052)
Temporizador 1
Temporizador 0
Puerto serial

Control de
interrupciones

Otros
registros

128 bytes
de RAM
(8032/8052)

ROM
0K - 8031
0K - 8032
4K - 8051
8K - 8052

128 bytes
de RAM

Temporizador
2
(8032/8052)

T2
T2EX

Temporizador
1

T1

Temporizador
0

T0

CPU

Control
de bus

Oscilador

EA
RST

Puerto de E/S

ALE
PSEN

P0

P1

P2

Puerto serial

P3

TX0

RX0

=`^liX,%/' ;`X^iXdX[\Ycfhl\j[\cXXihl`k\ZkliX[\cd`ZifZfekifcX[fi/',(%

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271

5 El popular microcontrolador

Las caractersticas ms importantes en la arquitectura de la familia MCS-51 original son:


t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t

CPU de 8 bits.
Direccionamiento de 64 Kbytes de ROM
Direccionamiento de 64 Kbytes de RAM y/o puertos de E/S.
Reloj de 3.5 MHz a 20 MHz.
32 lneas de E/S.
Unidad de procesamiento booleano.
Dos interrupciones externas.
Un puerto serie asncrono.
Hasta 8 Kbytes de memoria ROM o EPROM interna o sin estas.
Hasta 256 bytes de localidades de memoria RAM interna.
Hasta tres temporizadores/contadores.

Dadas sus caractersticas y desempeo, existe una gran variedad de circuitos integrados del microcontrolador
8051. Por este motivo, en la tabla 5.3 solo se listan los ms representativos de la familia de Intel.

Dispositivo

Versin
sin ROM

Versin
EPROM

ROM
bytes

RAM
bytes

Puertos
de E/S
(8 bits)

Temporizadores/
contadores

Fuentes de
interrupcin
vectores

8051

8031

----

4K

128

6/5

8051AH

8031AH

8751H
8751BH

4k

128

6/5

8052AH

8032AH

8752BH

8K

256

8/6

80C51BH

80C31BH

87C51BH

4K

128

6/5

80C52

80C32

-----

8K

256

8/6

83C51FA

80C51FA

87C51FA

8K

256

14/7

Modos
de
ahorro
de
energa

KXYcX,%* D`ZifZfekifcX[fi\jD:J$,(d}ji\gi\j\ekXk`mfj[\cX]Xd`c`X@ek\c%

Todos los microcontroladores de la familia MCS-51 de Intel ofrecen diferentes combinaciones de memoria de
programa, la cual puede estar incorporada en el circuito integrado; la versin con ROM es el 8051; la versin con
EPROM es el 8751, y la versin sin ROM es el 8031. La memoria RAM incluida en el circuito integrado puede ser de
128 bytes, 2 temporizadores/contadores y dos interrupciones externas. Pero, tambin existe una versin con mayor
capacidad: el 8052, el cual tiene hasta 8 Kbytes de memoria ROM, 256 bytes de memoria RAM y 3 temporizadores/
contadores. Asimismo, cada miembro de la familia MCS-51 cuenta con una versin CMOS de bajo consumo de energa, resaltada en la tabla 5.3 como la familia 80C51BH. Es prctica comn utilizar el trmino 8051 para referirnos a
toda la familia de microcontroladores MCS-51. Sin embargo, cuando se disea una versin mejorada de la bsica
suele usarse el nmero especfico de circuito integrado.
Entonces, cundo se disea con la versin 80C51BH? Bien, por lo general, esta versin se utiliza cuando los programas ya han sido depurados de tal manera, que ya no habr ningn cambio en ellos y se manda programar con el
fabricante. Una variante de esta versin es la programable solo una vez, llamada OTP (One-Time- Programable); la
diferencia respecto de la versin ROM, es que la programacin en la OTP se realiza despus de que se construy el
microcontrolador. Por otro lado, cuando se est desarrollando una aplicacin y se realizan modificaciones en los programas, es prctica comn usar la versin EPROM (87C51BH), la cual requiere de un equipo programador y de un
borrador de rayos ultravioleta UV-EPROM, el cual toma alrededor de 20 minutos en borrar un dispositivo. Tambin
es muy frecuente usar la versin sin ROM (80C31BH), la cual necesita que se le aada una memoria externa ROM/
EPROM al microcontrolador. Otros fabricantes, como Atmel, cuentan con versiones con memorias de programa tipo
flash, como el microcontrolador AT89C51, con 4 Kbytes de memoria flash, o la versin econmica y de bajo voltaje de

272

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

alimentacin (2.4 V a 5.5 V): el microcontrolador AT89C2051 o AT89LP2052 con 2 Kbytes de memoria flash. Con
estas opciones de memoria flash no es necesario usar un equipo independiente para borrar la memoria, incluso la
versin AT89LP2052 es in-system programable, con lo cual es posible programar el microcontrolador una vez que se
encuentra soldado y funcionando en una tarjeta. En el diagrama de bloques de la figura 5.81 se muestra con ms detalle la arquitectura de hardware del 8051.
P0.0-P0.7

P2.0-P2.7

Port 0
Drivers

Port 2
Drivers

Port 0
Latch

Port 2
Latch

VCC
VSS

RAM address
Register

RAM

ROM/
EPROM/
FLASH

Stack
Pointer

ACC

B
Register

TMP2

Program
Address
Register

TMP1

ALU

PCON

SCON

TMOD

TCON

T2CON

TH0

TL0

TH1

SBUF

IE

IP

Buffer

TL1
PC
Incrementer

Interrupt, Serial
Port, and Timer
Blocks

Program
Counter

PSW
_____
PSEN
ALE
___
EA
RST

Timing
and
Control

Instruction
Register

DPTR

PD
Port 1 Latch

Port 3 Latch

Port 1
Drivers

Port 3
Drivers

Oscillator

XTAL1

XTAL2

=`^liX,%/( ;`X^iXdX[\Ycfhl\jZfedXpfi[\kXcc\[\cXXihl`k\ZkliX[\_Xi[nXi\[\cd`ZifZfekifcX[fi/',(%
La arquitectura de hardware del 8051 consta de una CPU de 8 bits, memoria para datos tipo RAM y memoria para
programa tipo ROM/EPROM/FLASH, puertos de entrada/salida, registros, un oscilador, la lgica necesaria para realizar las funciones de los perifricos y una seccin de temporizacin y control. Estos elementos se comunican median-

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273

5 El popular microcontrolador

te un bus interno de 8 bits, el cual se comunica con el exterior haciendo uso de un puerto de E/S del microcontrolador
(puerto 0), cuando se desea una expansin de memoria o de puertos de E/S.

CPU del 8051


La familia de microcontroladores MCS-51/8051 tiene una CPU de 8 bits; consta de una ALU y registros asociados de
8 bits como A, B, PSW, SP, y dos registros de 16 bits: el PC (contador de programa) y el DPTR (apuntador de datos).
La vasta mayora de registros es de 8 bits; incluso el PC y el DPTR, estn compuestos, cada uno, por dos registros
de 8 bits.
El 8051 tiene una unidad de control microprogramada, es decir, cada instruccin en la CPU se divide y es implementada por una secuencia de una o ms microoperaciones; en este caso, cada microoperacin se asocia con un
conjunto de lneas de control, las cuales al activarse causan que se realice la microoperacin. Esta seccin de control es
la parte ms compleja del microcontrolador.
Asimismo, todos los microcontroladores MCS-51 tienen un oscilador interno, el cual puede usarse, si se desea,
como fuente de reloj para la CPU; por lo general, este se controla a travs de un cristal y capacitores de estabilizacin. En el caso de los microcontroladores de Intel, la frecuencia nominal del cristal es de 12 MHz; no obstante, hay
versiones de Intel, como el 80C31BH-1, que trabajan hasta 16 MHz. Asimismo, otros fabricantes, como Atmel, usan
cristales de hasta 24 MHz. Cuando se utiliza un cristal de cuarzo, los capacitores de estabilizacin, C1 y C2, tpicamente son de 30 pF, y cuando se utiliza un resonador son de 47 pF. La figura 5.82 muestra las fuentes de reloj para
un 8051 cuando se usa un cristal de cuarzo o un resonador de cermica, y la opcin usando un generador externo.

MCS-51

Cristal de cuarzo
o resonador
de cermica
XTAL2
C1

MCS-51
Sin
conexin

XTAL2

Seal de
reloj externo

C2
XTAL1

XTAL1

GND

GND

=`^liX,%/) =l\ek\j[\i\cfagXiXled`ZifZfekifcX[fi/',(%

Ciclos de mquina
Un cristal de 12 MHz genera 12 millones de ciclos de reloj por segundo. Estos ciclos forman la base de sincronizacin
para cada operacin del 8051 y definen la secuencia de estados que conforman un ciclo de mquina. Por lo comn, un
ciclo de mquina consiste de una secuencia de seis estados, numerados del S1 al S6. Cada estado, por su parte, est
constituido por dos periodos del oscilador, divididos como fase 1 y 2 (P1 y P2). Por tanto, un ciclo de mquina se compone de 12 periodos del oscilador, como se ilustra en la figura 5.83.
Es importante resaltar que para llevar a cabo la operacin discreta de una instruccin, ya sea la bsqueda, la decodificacin o la ejecucin, se requiere de un estado S, es decir, de dos periodos del oscilador. En otras palabras, con
tres estados podemos ejecutar una instruccin completa (bsqueda-decodificacin y ejecucin). Si la instruccin es
muy simple y consta de un solo byte, como la instruccin INC A (incrementa el acumulador), los tres primeros estados

274

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Un ciclo de mquina

S1
P1

S2
P2

P1

S3
P2

P1

S4
P2

P1

S5
P2

P1

S6
P2

P1

S1
P2

P1

P2

Osc

=`^liX,%/* :`Zcf[\d}hl`eX[\cD:J$,(Zfejk`kl`[fgfi()g\i`f[fj[\cfjZ`cX[fi%

Un ciclo de mquina
S1
P1

S2
P2

P1

S3
P2

P1

S4
P2

P1

S5
P2

P1

S6
P2

P1

S1
P2

P1

P2

OSC
(XTAL2)
ALE
Lee cdigo
de operacin
S1

S2

Lee prximo cdigo


de operacin (ignorado)
S3

S4

S5

Lee prximo cdigo


de operacin otra vez
S6

S1

1 BYTE,
1 CICLO DE INSTRUCCIN, Por ejemplo INC A
Lee cdigo
de operacin
S1

S2

Lee segundo
byte
S3

S4

Lee prximo cdigo


de operacin otra vez
S5

S6

S1

2 BYTES,
1 CICLO DE INSTRUCCIN

=`^liX,%/+ J\Zl\eZ`X[\cZ`Zcf[\`ejkilZZ`eYjhl\[X$[\Zf[`]`ZXZ`e$\a\ZlZ`e gXiX\cd`ZifZfekifcX[fi/',(%

del ciclo de mquina son suficientes para ejecutar la instruccin. Sin embargo, si la instruccin es de dos bytes, el segundo byte es ledo en el estado S4 del mismo ciclo de mquina, como lo ilustra la figura 5.84.
Si la instruccin es de un byte, an se lleva a cabo la bsqueda del siguiente byte en el estado S4, pero el byte ledo
es ignorado y el contador de programa, PC, no se incrementa.
Debido a que las seales de sincronizacin generadas por el oscilador interno del microcontrolador no son accesibles al diseador en los pines disponibles, se toman como referencia las seales de los pines XTAL2 del oscilador y
una seal denominada ALE (Address Latch Enable). En este caso, ALE es activada normalmente dos veces cada ciclo
de mquina, esto es, durante los estados S1P2 y S2P1 y S4P2 y S5P1. Una de las formas de saber si el circuito oscilador
se encuentra trabajando correctamente, consiste en medir la frecuencia de la seal de ALE, la cual debe ser 1/6 de la
frecuencia del oscilador; por tanto, la frecuencia de la seal de ALE para un cristal de12 MHz sera de 2 MHz.
Como comentamos antes, la frecuencia tpica de operacin de los microcontroladores de Intel es de 12 MHz;
como consecuencia, su periodo, T, de un ciclo de reloj est dado por T  1 /f  83.33 ns, y un ciclo de mquina durara

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275

5 El popular microcontrolador

83.33 ns r 12  1 s.20 La mayora de las instrucciones del 8051 se ejecutan en un ciclo de mquina, a excepcin de las
instrucciones de multiplicacin y divisin, las cuales toman cuatro ciclos de mquina.

ALU
La ALU del MCS-51 realiza operaciones lgicas y aritmticas con variables de 8 bits. Las operaciones aritmticas que
puede ejecutar son suma, resta, multiplicacin y divisin, y las operaciones lgicas son AND, OR, EX-OR, as como
rotar, borrar y complementar. Adems, la ALU atiende las operaciones de brincos condicionales. Una caracterstica
importante y nica de la arquitectura de hardware del 8051 es que la ALU puede manipular tanto datos de 8 bits como
de 1 bit. As, bits individuales pueden ser puestos a cero (borrados), puestos a uno, rotados, complementados, transferidos, probados y usados en operaciones lgicas de bits.

Acumulador
El acumulador es un registro de 8 bits, el cual se abrevia como ACC o simplemente A. El acumulador es uno de los
operandos; en particular, es el que recibe el resultado de todas las operaciones aritmticas. El acumulador puede ser
fuente o destino para las operaciones lgicas de la ALU y para un nmero especial de instrucciones de transferencia,
de acuerdo con el formato que se muestra en la figura 5.85.

INSTRUCCIN

DESTINO,

FUENTE

=`^liX,%/, =fidXkf[\`ejkilZZ`e`e[`ZXe[fcfjfg\iXe[fj]l\ek\p[\jk`ef%
Es importante resaltar que el acumulador es el nico registro por el cual se puede tener acceso hacia el exterior
del microcontrolador. Algunas operaciones se realizan solo con el acumulador; por ejemplo: rotar, clculo de paridad,
prueba de cero, etctera. Otro registro, independiente del acumulador, que se utiliza con frecuencia para efectuar las
operaciones de multiplicacin y divisin, es el registro B. Con otras instrucciones, el registro B funciona como un registro de propsito general.

Registro PSW
El registro PSW (Program Status Word) es el registro de banderas y consta de 8 bits. El PSW contiene informacin
relacionada con el estado del programa. En la figura 5.86 se ilustra con detalle el registro PSW.

Otros registros de la CPU


El registro apuntador de pila o SP (Stack Pointer) es un registro de 8 bits. Este registro se incrementa (SP  SP 1) cada
vez que se realiza la instruccin PUSH o CALL y se decrementa (SP  SP 1) cada vez que se realiza la instruccin
POP o RET. La pila o stack reside en cualquier parte de la RAM interna, mientras que el SP es inicializado en la direccin 07H de la RAM interna, despus de que se aplica una seal de RESET, lo anterior causa que el stack empiece en
la localidad 08H.
Por otra parte, el registro apuntador de datos, DPTR, es un registro de 16 bits compuesto por dos registros de 8
bits: el DPL, que es el byte bajo, y el DPH, que es el byte alto. Se utiliza para acceder los 64 Kbytes de la memoria RAM
20

Los microcontroladores 8051 de Intel, como el 80C51BH, y de Atmel, como el AT89C51, utilizan 12 periodos de oscilador para efectuar un ciclo
de mquina. Sin embargo, los avances en la tecnologa de circuitos integrados y de diseo de CPU han permitido a otros fabricantes del 8051,
como Philips, usar 6 periodos del oscilador, como en el C P89C54X2, y a los C de Dallas Semiconductors, como el DS5000, usar 4 periodos del
oscilador, y la serie DS89C420/30/40/50 tambin de Dallas Semiconductors, usar solo un periodo del oscilador. Un microcontrolador de Intel que
opera con un cristal de 12 MHz realiza la mayora de sus instrucciones en 1 s, mientras que un microcontrolador de Dallas trabajando con el
mismo cristal podra efectuar las mismas instrucciones en tan solo 83.3 ns; lo anterior, por el precio de un caf de Sanborns. Sorprendente!

276

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

CY

AC

F0

RS1

RS2

0V

CY Bandera de acarreo (Carry flag)


Indica si hubo acarreo o no en el bit 7 como resultado de alguna operacin aritmtica,
tambin sirve como acumulador de un bit. Esta bandera no se ve afectada con las
instrucciones de INC o DEC.
AC Bandera auxiliar de acarreo (Auxiliary Carry flag)
Bandera de acarreo auxiliar, esta bandera funciona igual que la bandera de CY, pero indica
si hubo o no acarreo del bit 3 al 4 para operaciones BCD.
F0
Esta es una bandera de propsito general designada para el usuario.
RS1, RS0 Bits de seleccin de banco de registro.
Estos bits indican el banco de registros que se est utilizando.
OV Bandera de sobreflujo (Overflow flag)
Esta bandera indica si hubo un desbordamiento del bit 7 a causa de operaciones aritmticas.
En suma o resta este bit sirve para hacer operaciones con signo.
- Bit reservado
P Bandera de paridad (Parity flag)
Indica si el nmero de unos en el acumulador es par o non, esto es, seala la paridad par.

RS1

RS2

0
0
1
1

0
1
0
1

BANCO DE
REGISTROS
Banco 0
Banco 1
Banco 2
Banco 3

=`^liX,%/- ;\kXcc\[\ci\^`jkifGJN%

externa o perifricos mapeados a memoria. Su funcin es mantener una direccin de 16 bits durante un ciclo de lectura o escritura del microcontrolador. Si se requiere, el DPTR se puede manipular como dos registros independientes
de 8 bits.
El contador de programa, PC, es el otro registro de 16 bits. Este registro tambin est conformado por dos registros de 8 bits: PCL, que es el byte bajo, y PCH, que es el byte alto. Se usa para acceder a los 64 Kbytes de memoria de
programa externa. Se inicia en la direccin 0000H despus que se aplica la seal de RESET.
Los MCS-51 contienen 4 bancos de 8 registros, de 8 bits cada uno; estos registros estn numerados del R0 al R7,
de igual manera que en cada uno de los bancos. De los cuales, en un instante solo puede estar activado uno de los
cuatro bancos. El banco de registros se selecciona mediante la programacin de los bits RS1 y RS2, localizados en la
palabra de estado del programa PSW (registro de banderas), que explicamos con anterioridad.
Los registros R0 y R1 se pueden utilizar para acceder hasta 255 bytes de direccionamiento indirecto. Estos es,
dichos registros se encuentran localizados en las primeras 32 localidades de RAM interna. Es muy importante mencionar que despus de la reinicializacin del programa del microcontrolador, mediante un pulso de RESET, el banco
de registros seleccionado es el cero; si se quisiera utilizar el banco 1 de registros, se tendra que reposicionar el apuntador del stack (SP), debido a que al usar una instruccin PUSH o CALL, el apuntador de stack, SP, se encontrara en
la localidad 08H de RAM interna, que corresponde al registro R0 del segundo banco, y la informacin se podra
traslapar.

Registros con funciones especiales


Los sistemas integrados, basados en microcontroladores, tienen que satisfacer ciertos requerimientos comunes para
este tipo de aplicaciones, con el objetivo de hacerlos ms verstiles. Por lo general, estos requerimientos son:
t
t
t
t
t

Dar seguimiento al tiempo transcurrido.


Mantener la cuenta de ciertas transiciones de seales en determinados pines.
Medir con precisin el ancho de pulsos de entrada.
Comunicarse con otros sistemas o personas.
Realizar un monitoreo estrecho de eventos externos asncronos.

Los sistemas basados en microprocesadores requieren de circuitos perifricos externos, como contadores, temporizadores, puertos seriales (USART), etc., para cumplir las necesidades arriba mencionadas. Los sistemas basados
en microcontroladores, como la familia MCS-51, integran este tipo de perifricos dentro del mismo circuito integrado, como:

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277

5 El popular microcontrolador

t Temporizadores/contadores.
t Interfaz de comunicacin serial.
t Fuentes externas de interrupciones.
Cada uno de estos perifricos internos contiene un grupo de registros asociado con ellos, como son: TCON, TH0,
TH1, TL0, TL1, TMOD, SBUF, IE, IP y PCON; a estos y otros registros especiales se les denomina SFR (Special
Function Registers). Detallaremos cada uno de estos en secciones posteriores de este captulo, en particular cuando
examinemos cada uno de estos perifricos internos, pero antes describimos la organizacin de memoria de la arquitectura del 8051.

Organizacin de memoria del 8051


En su gran mayora, los sistemas basados en microprocesadores efectan su mapa de memoria compartiendo tanto memoria de programa (ROM) como memoria de datos (RAM). Lo anterior se debe a que con frecuencia los programas se
almacenan en un disco y se cargan a la memoria RAM para su ejecucin; esa es la razn por la cual tanto los datos como
los programas se almacenan en la memoria RAM. Asimismo, los microcontroladores no se utilizan como los microprocesadores de sistemas computacionales, estos ms bien se emplean en sistemas integrados, como el componente principal
orientado a control. La capacidad de memoria en los sistemas basados en microcontroladores es restringida, por lo que
estos no cuentan con una unidad de disco o un sistema operativo en disco; como consecuencia, el programa de control
radica en la memoria ROM y los datos en la memoria RAM.
Esta es la razn principal por la cual la organizacin de memoria del microcontrolador 8051 cuenta con dos espacios separados de memoria externa: uno para memoria de programa (cdigo) y otro para memoria de datos. Aunque
en realidad, se puede decir que el 8051 cuenta con tres mapas de memoria, si consideramos a la memoria interna que
contiene el microcontrolador, como se lo ilustra la figura 5.87.
FFFFH

FFFFH
Memoria
para cdigo
(ROM/EPROM/Flash)

Memoria
de datos
(RAM/puertos de E/S)

se habilita
mediante
_____
la
seal PSEN

se habilita
mediante
___ las
___
seales RD y WR

FFH
Memoria
de datos
(RAM)

00H
0000H

0000H
Memoria incorporada
en el microcontrolador

0000H
Memoria externa

=`^liX,%/. I\jld\e[\cfj\jgXZ`fj[\d\dfi`XgXiX\cd`ZifZfekifcX[fi/':*(9?%
Los tres mapas de memoria del 8051 son: un mapa de memoria de RAM interna, en el cual se encuentran la memoria de datos y los registros con funciones especiales (SFR) que controlan a los perifricos internos; un mapa de
memoria RAM externo, que puede contener de manera compartida a la memoria de datos externa y a los dispositivos

278

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

de entrada y salida, y, por ltimo, dependiendo del dispositivo, un mapa de memoria de cdigo interno y/o externo que
contiene la memoria de programa ROM/EPROM/Flash.

Organizacin de memoria de programa externa


Dependiendo del dispositivo de la familia MCS-51 que se va a utilizar, este puede contar con memorias de programa
interna, externa o ambas, como se es posible observar en la figura 5.88.

FFFFH

FFFFH

FFFFH

ROM
externa
ROM
externa
1 FFFH

1 FFFH
8K bytes

0FFFH

8K bytes

ROM
interna

0FFFH

4K bytes
0000H

ROM
interna

4K bytes
0000H

0000H

=`^liX,%// FgZ`fe\jgfj`Yc\j[\d\dfi`X[\gif^iXdXgXiXcX]Xd`c`XD:J$,(%

Como se puede observar, las opciones de memoria de programa disponibles que se plantean en la figura 5.88 son
las siguientes:
t Que solo se utilice la memoria interna de 4 Kbytes/8 Kbytes.
t Que solo se utilice una memoria externa de hasta 64 Kbytes de direccionamiento.
t Que se utilicen ambas memorias: la memoria interna de 4 Kbytes/8 Kbytes y una memoria externa con 64
Kbytes de direccionamiento en total. En esta opcin, cualquier intento de ejecucin de un programa con un
direccionamiento mayor a los 4 Kbytes/8 Kbytes se dirigir a la memoria externa.

Organizacin de memoria de datos interna


En los MCS-51 que cuentan con una memoria interna de 256 bytes, el primer bloque de 128 bytes va de la direccin
00H a la 7FH, y se puede direccionar de manera directa e indirecta; por su parte, el segundo bloque de 128 bytes
corresponde a los registros con funciones especiales, SFR, el cual tiene un espacio de direccin que abarca desde la
direccin 80H a la FFH y nicamente puede direccionarse de manera directa. Lo anterior corresponde a los microcontroladores que tienen especificados solo 128 bytes de memoria RAM interna, como el 8051/8751/8031. Estos microcontroladores tienen especificados 128 bytes porque solo la parte baja (00H7FH) se utiliza para datos de propsito
general, mientras que normalmente la parte alta (80H-FFH) se utiliza para propsitos especficos y no para datos de
uso general; por este motivo, la parte baja es la nica que se considera como RAM interna.
No obstante, los microcontroladores mejorados, como el 8052/8032, especifican una memoria RAM interna de
256 bytes. Algunas veces, la diferencia entre estas familias puede causar confusin debido a que los microcontroladores 8052/8032 tienen un espacio de memoria adicional de 128 bytes que cubre las direcciones 80H a FFH, pero la
forma de acceder a ellos es nicamente con direccionamiento indirecto, como se muestra en la figura 5.89.
La parte baja de la RAM interna (00H-7FH) se divide en bancos de registros (00H1FH), en RAM direccionable
por bits (20H-2FH) y en RAM de propsito general (30H7FH). Por otro lado, la parte alta de la RAM corresponde a

grupo editorial patria

279

5 El popular microcontrolador

FFH

FFH
Accesible solo
con el modo de
direccionamiento
indirecto

128
bytes
superiores

Accesible solo
con el modo de
direccionamiento
directo

80H
7FH

80H
Registros
con
funciones
especiales
(SFRs)

Accesible
con los modo de
direccionamiento
directo e indirecto

128
bytes
superiores
00H

=`^liX,%/0 <jgXZ`f[\d\dfi`X[\cXI8D`ek\ieXgXiXcX]Xd`c`XDJ:$,(%

Direccin
de byte
7F

Direccin
de byte

Direccin de bit
Memoria
RAM de
propsito
general

30
2F
2E
2D
2C
2B
2A
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
1F
18
17
10
0F
08
07
00

7F
77
6F
67
5F
57
4F
47
3F
37
2F
27
1F
17
0F
07

7E
76
6E
66
5E
56
4E
46
3E
36
2E
26
1E
16
0E
06

7D
75
6D
65
5D
55
4D
45
3D
35
2D
25
1D
15
0D
05

7C
74
6C
64
5C
54
4C
44
3C
34
2C
24
1C
14
0C
04

7B
73
6B
63
5B
53
4B
43
3B
33
2B
23
1B
13
0B
03

7A
72
6A
62
5A
52
4A
42
3A
32
2A
22
1A
12
0A
02

Banco 3
Banco 2
Banco 1
Banco de registros por
defecto para R0 - R7

79
71
69
61
59
51
49
41
39
31
29
21
19
11
09
01

78
70
68
60
58
50
48
40
38
30
28
20
18
10
08
00

Direccin de bit

FF
F0

F7

F6

F5

F4

F3

F2

F1

F0

E0

E7

E6

E5

E4

E3

E2

E1

E0

ACC

D0

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D0

PSW

B8

F6

F5

F4

F3

F2

F1

F0

IP

B0

F7

F6

F5

F4

F3

F2

F1

F0

P3

A8

F7

F6

F5

F4

F3

F2

F1

F0

IE

A0

F7

F6

F5

F4

F3

F2

F1

F0

P2

99
98

F7

F6

no accesible por bit


F5
F4
F3
F2

F1

F0

SBUF
SCON

90

F7

F6

F5

F1

F0

P1

8D
8C
8B
8A
89
88
87
83
82
81
80

F7

F7

F6

F6

F4

F3

F2

no accesible por bit


no accesible por bit
no accesible por bit
no accesible por bit
no accesible por bit
F5
F4
F3
F2
no accesible por bit
no accesible por bit
no accesible por bit
no accesible por bit
F5
F4
F3
F2

RAM

=`^liX,%0' ;\kXcc\[\cXd\dfi`XI8D`ek\ieXgXiX\cd`ZifZfekifcX[fi/':,(9?%

280

ELECTRNICA MIJAREZ

F1

F1

F0

F0

TH1
TH0
TL1
TL0
TMOD
TCON
PCON
DPH
DPL
SP
P0

5 El popular microcontrolador

las direcciones de los registros con funciones especiales, con exactitud 21 registros para el 8051 y 26 registros para el
8052. En la figura 5.90 se observa el detalle de la memoria RAM interna para el microcontrolador 8051.
En las primeras 32 localidades de la memoria RAM interna del microcontrolador 8051 se encuentran los 4 bancos
de 8 registros: R0-R7; estos registros ocupan las direcciones de la 00H a la 1FH. En importante resaltar que en el espacio entre las direcciones de la 20H a la 2FH se encuentra un segmento que puede ser direccionado como byte o como
bit de propsito general, dependiendo de la instruccin que se utilice; es decir, podemos direccionar 16 bytes o direccionar 128 bits (8 bits r 16 bytes) de manera independiente. Por su parte, las direcciones de la 30H a la 7FH pueden ser
utilizadas por el usuario de manera compartida, como memoria de datos y como rea reservada para el stack o pila.
Los registros con funciones especiales se encuentran en la parte superior de la RAM interna (80H-FFH). Estos
registros incluyen el Acc, el registro B, el registro DPTR (DPL y DPH), el SP y los puertos; asimismo, tambin contienen los registros de temporizadores, del puerto serie, de interrupciones y de control de energa.
Ahora, describiremos al microcontrolador 8051 desde un perspectiva externa.

Descripcin de terminales o pines


En esta seccin describimos la arquitectura del MCS-51 desde una perspectiva externa; para lo cual, explicamos funcionalmente los pines o terminales del microcontrolador. Los MCS-51 cuentan con un total de 40 terminales, como
lo ilustra la figura 5.91. Dichas terminales se pueden agrupar, como se muestra en la tabla 5.4.

Nm.

Terminales

Funcin de las terminales

VCC y VSS (GND)

Alimentacin

XTAL1 Y XTAL2

Entradas del cristal de cuarzo/resonador para el oscilador interno

RST

Entrada de RESET o reinicio

/EA

Entrada para seleccionar la memoria de programa: interna o externa

ALE y /PSEN

Address Latch Enable (ALE) y Program Store Enable (PSEN): Seales de control para
acceder a un programa externo

32

P0, P1, P2 y P3

4 puertos paralelos de 8 bits

KXYcX,%+ ;\jZi`gZ`e]leZ`feXc[\cXjk\id`eXc\j[\c/',(%
En la figura 5.91 y en la tabla 5.4 podemos apreciar que de las 40 terminales disponibles en el 8051, 32 funcionan
como lneas para puertos de entrada/salida, pero 24 de estas son de propsito dual (26 en el 8032/8052). Cada una de
estas lneas puede funcionar como puerto de entrada/salida o bien como lnea de control o de bus de datos o de bus
de direcciones.
Las ocho lneas de cada puerto se pueden utilizar no solo como una unidad de interfaz en paralelo para dispositivos como ADC/DAC, displays, teclados, etc., sino que cada lnea tambin puede funcionar de forma independiente,
como una interfaz para dispositivos de un solo bit, como LED, transistores, bocinas (altavoces) y solenoides, entre
otros.
Las conexiones correspondientes a las terminales 18 y 19, XTAL1 y XTAL2, ya fueron examinadas antes, cuando
describimos la CPU del 8051 y su temporizacin. Por tanto, en este momento nos centramos en describir las terminales restantes.
Conexiones de alimentacin
La familia MCS-51 de Intel funciona con una fuente de alimentacin de 5 volts. La conexin VCC se encuentra en la
terminal 40 y la conexin VSS o tierra en la terminal 20. Sin embargo, existen microcontroladores de la familia Atmel
que operan con un rango de voltaje de 2.4 V a 5.5 V.

grupo editorial patria

281

5 El popular microcontrolador

40
30 pF

19
12 MHz
18

VCC
P0.7
P0.6
P0.5
P0.4
P0.3
P0.2
P0.1
P0.0

XTAL1
XTAL2

30 pF

29
30
31
9
___
RD
___
WR
T1
T0
____
INT1
____
INT0
TXD
RXD

17
16
15
14
13
12
11
10

_____
PSEN

RST

P1.7
P1.6
P1.5
P1.4
P1.3
P1.2
P1.1
P1.0

P3.7
P3.6
P3.5
P3.4
P3.3
P3.2
P3.1
P3.0

P2.7
P2.6
P2.5
P2.4
P2.3
P2.2
P2.1
P2.0

ALE
__
EA

32
33
34
35
36
37
38
39

AD7
AD6
AD5
AD4
AD3
AD2
AD1
AD0

8
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21

A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8

VSS
20

=`^liX,%0( 8j`^eXZ`e[\k\id`eXc\j[\c/',(%

Reset o reinicio
La seal de entrada en la terminal 9, RST, es la seal maestra de reinicio del microcontrolador 8051. La funcin principal de esta seal es inicializar los registros internos del microcontrolador a los valores adecuados y efectuar un ciclo
ordenando del sistema. En tabla 5.5 se listan los valores de los registros internos del 8051, despus de un pulso de
reset.
El contador de programa, PC, es tal vez el registro ms importante listado en la tabla 5.5; este se carga con el valor
0000H, lo cual indica que despus de recibir la seal adecuada de reset, la ejecucin del programa inicia en la primera
localidad de la memoria de cdigo, en este caso en la direccin 0000H.
La seal de reset se debe mantener a nivel alto, por lo menos dos ciclos de mquina, y debe permanecer a nivel
bajo durante la operacin normal del microcontrolador. Esta seal se puede poner en 1 mediante un interruptor, o al
momento de encender el sistema va un circuito RC, como se muestra en la figura 5.92.
Considerando un voltaje de entrada (VH) de 5 V del circuito RC, el pin de RST se mantiene en ALTO un tiempo
dado por:
VL  VH (1 et/RC)

282

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

+5 V

+5 V

+
100 ohms

10 F

Reinicio
RST

8.2 K
ohms

=`^liX,%0) :`iZl`kf[\i\j\kgXiX\c/',(%

Puertos del MCS-51


Los 4 puertos del MCS-51 son bidireccionales; cada uno consiste de: un latch (registros SFR de P0-P3), un driver de
salida y un buffer de entrada. Los drivers de salida de los puertos P0 y P2, y el buffer de entrada del P0, se usan para
acceder a memoria externa.
El puerto P0 es un bus multiplexado en tiempo; es decir, proporciona la parte baja de las direcciones y escribe o
lee un byte de datos a memoria externa. Por su parte, el puerto P2 proporciona la parte alta de las direcciones cuando
el direccionamiento es de 16 bits; de otro modo, se puede usar para propsito general.
Registro

Valor de reset

PC
ACC
B
PSW
SP
DP TR
P0-P3
IP
IE
TMOD
TCON
TH0
TL0
TH1
TL1
SCON
SBUF
PCON (NMOS)
PCON (CMOS)

0000H
00H
00H
00H
07H
0000H
FFH
XXX00000B
0XX00000B
00H
00H
00H
00H
00H
00H
00H
INDETERMINADO
0XXXXXXXB
0XXX0000B

KXYcX,%, MXcfi\j[\cfji\^`jkifj`ek\iefj[\c/',(#[\jglj[\leglcjf[\i\j\k%

grupo editorial patria

283

5 El popular microcontrolador

El puerto P3 y dos pines del puerto P1 en el 80C52, son de multifuncin, esto es, operan como puertos de propsito general o con funciones especiales. Las funciones especiales del puerto P3 y (dos pines) del puerto P1 son:
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t

P1.0*
P1.1*
P3.0
P3.1
P3.2
P3.3
P3.4
P3.5
P3.6
P3.7

T2 (entrada externa del temporizador/contador 2)


T2EXT (captura/recarga del temporizador/contador 2)
RXD (entrada del puerto serial)
TXD (salida del puerto serial)
INT0 (interrupcin externa 0)
INT1 (interrupcin externa 1)
T0 (entrada externa temporizador/contador 0)
T1 (entrada externa temporizador/contador 1)
WR/ (pulso de escritura para RAM externa)
RD/ (pulso de lectura para RAM externa)

El circuito electrnico de cada uno de los puertos se muestra en la figura 5.93.


Los puertos P2 y P0 son controlados internamente para conmutar entre direcciones y datos (ADDR/Data), respectivamente. El puerto P3, es controlado por el latch; si este es 1, la salida es controlada por la funcin alterna. Los puertos P1, P2 y P3 tienen resistencia de pull up internas, y el puerto P0 tiene salida drenador abierto (open drain).

ADDR/Data

VCC

Control

Read
Latch

VCC

Read
Latch

Internal
Pullup*

P0.X
Pin
Int. Bus

Write
to Latch

CL

Q
P0.X
Latch

MUX

_Q_

Int. Bus

Write
to Latch

CL

P1.X
Pin

Q
P1.X
Latch
_Q_

Read
Pin

Read
Pin

b. Port 1 Bit

a. Port 0 Bit

ADDR/Data
Control
Read
Latch

Alternate
Output
Function

VCC
Read
Latch

Internal
Pullup*

VCC
Internal
Pullup*
P3.X
Pin

MUX
Int. Bus

Q
P2.X
Latch

Write
to Latch

CL

_Q_

Read
Pin

P2.X
Pin

Int. Bus

D
P3.X
Latch

Write
to Latch

CL

_Q_

Alternate
Input
Function

Read
Pin
c. Port 2 Bit

d. Port 3 Bit

=`^liX,%0* ;\kXcc\[\cfjgl\ikfj[\cD:J$,(%

284

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

ALE y PSEN
La seal PSEN\ se activa a nivel bajo durante la bsqueda (fetch) de una instruccin almacenada en la memoria externa para programas. Esta seal se mantiene en estado inactivo, nivel alto, cuando se ejecuta un programa en la memoria ROM interna. La seal ALE (Address Latch Enable) se utiliza para demultiplexar los buses de datos y las direcciones
provenientes del puerto P0 en su funcin alterna. Esta seal, permite almacenar en un registro externo el byte inferior
del bus de direcciones (vase seccin interfaz a memoria externa). ALE enva pulsos a una tasa de 1/6 la frecuencia del
oscilador y se puede usar como reloj de propsito general; sin embargo, hay una excepcin cuando se usa la instruccin MOVX, ya que se pierde un pulso de esta seal.

Seal para acceso externo, EA


La seal EA, terminal 31, se mantiene ya sea a nivel bajo o a nivel alto, dependiendo de la zona donde se va a ejecutar
el programa, como se observa en la figura 5.94.
Si EA se encuentra a nivel lgico alto, ejecuta sus programas en la memoria ROM interna. Al momento de ejecutar un programa con una direccin mayor a los 4/8 Kbytes asignados, se dirigir automticamente a la memoria externa. En tanto, si el pin EA se encuentra a nivel lgico bajo, slo se ejecutan los programas en la memoria externa.
FFFFH

Memoria
externa

__
EA = 0

__
EA = 1

Memoria
externa

Memoria
interna

1FFFH/0FFFH

0000H

=`^liX,%0+ J\c\ZZ`e[\XZZ\jfXd\dfi`X[\gif^iXdXIFD `ek\ieXf\ok\ieX%

Para los microcontroladores 8031/8032 la terminal /EA debe mantenerse a un nivel lgico bajo, debido a que estos
microcontroladores no cuentan con memoria de programa incorporada en el circuito integrado; de esta forma, los
programas se ejecutan desde una memoria EPROM externa. En tanto, la versin 8751, la cual contiene memoria
EPROM interna, tambin utiliza la terminal /EA para aplicar un voltaje de 21 V (Vpp), necesario para programar dicha
memoria.

EXPANSIN

DE MEMORIA Y DISPOSITIVOS DE

E/S

La arquitectura de la familia MCS-51 tiene la capacidad de expandir sus recursos de memoria y puertos de entrada/
salida ms all de los recursos incorporados en el circuito integrado. Esta capacidad permite evitar posibles restriccio-

grupo editorial patria

285

5 El popular microcontrolador

nes de diseo. Los espacios de expansin de memoria son de 64 Kbytes para cdigo y 64 Kbytes para datos y puertos
de entrada/salida. Si es necesario, en los diseos es posible aadir memorias ROM y RAM. Adicionalmente, tambin
es posible agregar dispositivos perifricos para incrementar la capacidad de entradas/salidas. Dichos dispositivos perifricos forman parte del espacio de memoria asignado para la memoria de datos; es decir, los perifricos externos se
mapean a memoria, y se lee o escribe a ellos, como si fueran localidades de memoria RAM.
Cuando se accede a la memoria externa, el puerto P0 no est disponible como puerto de entrada/salida. En este
caso, el puerto P0 se convierte en un bus multiplexado de direcciones (A0-A7) y datos (D0-D7). La seal de ALE juega
un papel muy importante, ya que permite fijar el byte inferior de las direcciones al principio de cada ciclo de memoria
externa. Por otro lado, el puerto P2 por lo general se utiliza para proveer el byte superior del bus de direcciones (A8A15).
Antes de describir con detalle el funcionamiento del bus multiplexado de direcciones y datos, se estudia el arreglo de un bus de direcciones de 16 bits no multiplexado y un bus de datos de 8 bits, en contraste con un bus multiplexado de direcciones (byte bajo) y datos. La figura 5.95 muestra estos dos casos.

Ciclo de memoria

A0 - A15

Direccin

D0 - D7

Datos
a) No multiplexado (24 lneas)

Ciclo de memoria
A8 - A15

AD0 - AD7

Direccin

Direccin

Datos

b) Multiplexado (16 lneas)

=`^liX,%0, X J`jk\dXefdlck`gc\oX[f[\[`i\ZZ`fe\jp[Xkfj%Y J`jk\dXdlck`gc\oX[f[\[`i\ZZ`fe\jYpk\YXaf p[Xkfj%

La pregunta obligada es: cul es la ventaja de usar un bus multiplexado, si con un bus no multiplexado es posible
operar correctamente? Bien, en la figura 5.95a), podemos apreciar que el sistema no multiplexado utiliza 16 lneas de
direcciones y 8 lneas de datos, con un total de 24 lneas o pines del microcontrolador. Mientras que el sistema con un
bus multiplexado, como el que se muestra en la figura 5.95b), utiliza 8 lneas para el byte alto de direcciones y 8 lneas
para el byte bajo de las direcciones y para el byte de datos, con un total de 16 pines o terminales del microcontrolador.
Con esto se ahorran 8 pines del microcontrolador Este ahorro de pines permite que el microcontrolador pueda ofrecer funciones adicionales en el mismo encapsulado de doble lnea (DIP) de 40 pines.
Ahora volvamos al bus multiplexado de direcciones y datos, con el fin de analizar cmo trabaja:
1. Durante la primera mitad del ciclo de memoria, el puerto P0 provee el byte inferior del bus de direcciones (A0A7). Esta direccin se almacena por medio de la seal ALE en un latch externo de 8 bits, como el 74HC573 o
equivalente. La direccin baja permanece estable a la salida del latch durante todo el ciclo de memoria.
2. Durante la segunda mitad del ciclo de memoria, el puerto P0 se utiliza como bus de datos y los datos se leen o
escriben dependiendo de la operacin externa que se realice.

286

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Acceso a la memoria externa de cdigo


La memoria externa para cdigo es de solo lectura y se utiliza como seal de control de lectura la seal /PSEN. En
estas circunstancias, los puertos P0 y P2 no se encuentran disponibles como puertos de entrada/salida. Por ejemplo,
cuando se utiliza una memoria EPROM externa, el puerto P0 funciona como bus multiplexado de direcciones (byte
bajo) y byte de datos, y el puerto P2 como bus de direcciones (byte alto). La figura 5.96 muestra las conexiones de
hardware entre un microcontrolador 8031 y una memoria EPROM externa de 64 Kbytes.

D0 - D7

Puerto 0

8051

EPROM

74HC573
___
EA

D
Q

ALE

LE

A0 - A7

/OE

Puerto 2

A8 - A15

___
OE

_____
PSEN

=`^liX,%0- :fe\o`fe\j[\_Xi[nXi\\eki\led`ZifZfekifcX[fi/'*(pleXd\dfi`X<GIFD\ok\ieX[\-+BYpk\j%

Como sabemos, un ciclo de mquina del 8051 consta de 12 periodos del oscilador. Durante cada ciclo, normalmente se generan 2 pulsos de habilitacin /PSEN y 2 pulsos de la seal ALE; en consecuencia, es posible leer 2 bytes
de la memoria de programa. El segundo byte se ignora si la instruccin que se realiza es de un solo byte. La figura 5.97
muestra la temporizacin para la bsqueda del cdigo de operacin (fetch).

Acceso a la memoria externa de datos


La memoria externa para datos es una memoria tipo RAM de lectura/escritura, la cual se habilita mediante las seales
de control /WR y /RD, correspondientes a las funciones alternas de los pines P3.6 y P3.7, respectivamente. Es importante destacar que el nico acceso a la memoria de datos externa es a travs de la instruccin MOVX, la cual involucra
el registro acumulador (ACC) y los registros apuntadores DPTR (16 bits) o los registros R0 o R1 (8 bits), como registros de direccin. La instruccin MOVX (transferencia de datos externa) usada para acceder a la memoria de datos
externa es:
MOVX @DPTR, A

Ciclo de escritura, direccin de 16 bits

MOVX A, @DPTR

Ciclo de lectura, direccin de 16 bits

MOVX @Ri, A

Ciclo de escritura, direccin de 8 bits

MOVX A, @Ri

Ciclo de lectura, direccin de 8 bits

grupo editorial patria

287

5 El popular microcontrolador

Un ciclo de mquina
S1
P1

S2
P2

P1

S3
P2

P1

S4
P2

P1

S5
P2

P1

S6
P2

P1

S1
P2

P1

P2

Osc

ALE
_____
PSEN

Puerto 2

PCH

Puerto 0

PCH

Cdigo de
operacin

PCL

PCL

Byte 2

Nota: PCH = byte superior del contador de programa.


PCL = byte inferior del contador de programa.

=`^liX,%0. K\dgfi`qXZ`e[\c/',(gXiX\]\ZklXicXYjhl\[X[\cZ[`^f[\fg\iXZ`e%
En este caso, Ri puede ser R0 o R1. Las conexiones del bus de datos y direcciones se realizan mediante los puertos
P0 y P2, de la misma manera que se usaron en la conexin de la EPROM externa. La nica diferencia es que ahora la
lnea de control para lectura es /RD, la cual se conecta al pin /OE de la memoria RAM, y la lnea de control para escritura es /WR, la cual se conecta al pin /W de la memoria RAM. La figura 5.98 muestra las conexiones entre un microcontrolador 8051 y una memoria RAM de 2 Kbytes.

D0 - D7

Puerto 0

8051

RAM

74HC573
___
EA

+5 V

D
Q

ALE

P2.0
P2.1
P2.2
___
RD
___
WR
_____
PSEN

LE

(2 Kbytes)

A0 - A7

/OE

NC (sin conexin)

A8
A9
A10
___
_OE
__
W
___
CS

=`^liX,%0/ :fe\o`fe\j[\_Xi[nXi\\eki\led`ZifZfekifcX[fi/',(pleXd\dfi`XI8D\ok\ieX[\)BYpk\j%

288

ELECTRNICA MIJAREZ

5 El popular microcontrolador

Como mencionamos antes, la seal de ALE y /PSEN se generan dos veces en cada ciclo de mquina; la nica excepcin es cuando se utiliza la instruccin MOVX, donde se omite un pulso de cada una de estas seales y se reemplaza por el pulso de la seal de control, ya sea /RD o /WR. La figura 5.99 muestra el diagrama de tiempos para un
ciclo de lectura usando la instruccin MOVX A, @DPTR.

Un ciclo de mquina
S1

S2

S3

S4

Un ciclo de mquina
S5

S6

S1

S2

S3

S4

S5

S6

ALE
_____
PSEN
___
RD
PCH

Puerto 2

Puerto 0

PCL

DPH (byte superior del apuntador de datos)

Cdigo de
operacin

Entrada
de datos

DPL

Nota: DPH = byte superior del registro apuntador.


DPL = byte inferior del registro apuntador.

=`^liX,%00 K\dgfi`qXZ`egXiX`ejkilZZ`eDFMO8#7;GKI%

En la figura 5.99 apreciamos que una vez que el microcontrolador lee el cdigo de operacin de la instruccin
MOVX A, @DPTR, este ejecuta la instruccin. Para esto, por el puerto P2 enva el byte superior del registro DPTR
(DPH) y por el puerto P0 enva el byte inferior del registro DPTR (DPL). En este caso, los datos enviados por el puerto
P0 se sincronizan con la seal de ALE, para almacenar esta parte de la direccin en un latch externo 74HC573 o similar. Posteriormente, el microcontrolador enva la seal de control. En este ejemplo, la seal de lectura /RD y los datos
de la memoria son colados en el P0 y transferidos al registro acumulador.
Si el sistema requiere acceder a una cantidad pequea de memoria de datos (por ejemplo, 256 bytes) y se cuenta
con 2 Kbytes de RAM, como se muestra en la figura 5.88, es posible acceder a la memoria externa mediante direcciones de 8 bits usando los registros R0 o R1, y utilizar solo 3 bits del puerto 2 o de otro puerto, para dividir la memoria
de 2 Kbytes en 8 bloques o pginas de 256 bytes. Por ejemplo, la seleccin de un bloque sera usando los pines P2.0,
P2.1 y P2.2. De esta manera, se liberara al puerto P2 de su funcin alterna; es decir, se proporcionara el byte superior
del bus de direcciones. Para realizar el ciclo de lectura en este caso se usara la instruccin MOVX A, @R0, como lo
ilustra la figura 5.100.
El diagrama de tiempos para un ciclo de escritura a memoria RAM, usando las instrucciones MOVX A @DPTR,
o MOVX A @R0, es muy similar a los diagramas mostrados en las figura 5.99 y 5.100, solo que los datos en el acumulador seran los datos de salida, la seal de control sera la seal de /WR y la seal de /RD permanecera a nivel lgico
alto.
Si el sistema basado en un microcontrolador requiere de una interfaz para varias memorias RAM o EPROM, es
necesario usar un decodificador de direcciones, de la misma manera que se uso con los sistemas basados en microprocesadores, que se estudiaron en el apartado Organizacin de memoria y decodificacin de direcciones de este
captulo. Por ejemplo, si se requiere disear un sistema basado en el C 80C31BH, con 24 Kbytes de memoria EPROM
y 24 Kbytes de memoria RAM, y se cuenta con m