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2.

SEMICONDUCTORES
2.1. Conductores, aislantes y semiconductores
Dependiendo de su comportamiento ante la corriente elctrica, los materiales pueden clasificarse en dos
categoras:
1) Conductores. Son materiales que permiten el libre flujo de cargas elctricas en su interior; por ejemplo, el
cobre, la plata, el aluminio y, en general, todos los metales.
2) Aislantes. Son materiales que bloquean por completo el paso de la corriente elctrica; por ejemplo, los
plsticos, la madera, el papel, la cermica o el vidrio.
Si observa el cable que alimenta a cualquier aparato elctrico, encontrar que en este sencillo cordn se
combinan ambos tipos de materiales, puesto que se utiliza cobre como conductor y un aislante plstico como
protector contra descargas.
Sin embargo, existen otros materiales y situaciones donde la frontera entre conductor y aislante no est
claramente definida. Por ejemplo, aunque el papel es un buen aislante, cuando se quema y convierte en carbn
pasa a ser un conductor aceptable; o bien, cuando se maneja un aparato con las manos mojadas puede
sufrirse una descarga, al contrario de lo que sucede cuando se maneja con las manos secas, pues la piel vara
sus propiedades conductoras segn la humedad.
En qu se diferencia un conductor de un
aislante? Por nuestros estudios bsicos
sabemos que los materiales cumplen una
propiedad llamada resistencia elctrica,
cuya magnitud medida en ohms define el
grado de oposicin que presenta cada
material
al
flujo
de
la
corriente.
Genricamente, podemos decir que un
conductor es todo material que posee una
resistencia elctrica menor a 0.00001 ohms
por centmetro, mientras que un aislante es
todo material cuya resistencia es superior a
los 1010 ohms por centmetro. Sin embargo,
como se deduce fcilmente, existe una zona intermedia muy amplia entre ambas magnitudes, en la que no se
puede hablar ni de conductores ni de aislantes (figura 2).
Despus de la Segunda Guerra Mundial, los cientficos
se interesaron por el estudio de esa franja de
indefinicin, encontrando algunos elementos qumicos
que, en determinadas circunstancias, se comportaban
como conductores y en otras como aislantes.
Justamente, debido a esa propiedad tan peculiar, a
dichos elementos se les llam semiconductores. Y en
ellos descansa ahora el monumental edificio de la
electrnica moderna. Los elementos semiconductores
ms conocidos son el germanio y el silicio (figura 3),
materiales que en estado de pureza no conducen
electricidad; sin embargo, cuando se les aade cierta
cantidad de partculas de otros elementos que
constituyen impurezas, se modifican sus propiedades,

pasando a un estado de conduccin parcial.


Dependiendo de la cantidad y del tipo de impurezas
aadidas, el material se puede convertir en una fuente o
en un absorbente de electrones. Cuando el material se
encuentra con un exceso de cargas negativas se le
denomina tipo N y cuando se encuentra con un
exceso de cargas positivas se le llama tipo P (figura
4). No ofreceremos explicaciones desde el punto de
vista atmico sobre la razn de este comportamiento,
puesto que tendramos que exponer diversas
consideraciones tericas que alargaran el tema;
simplemente, aceptaremos esta conducta de los
materiales como un postulado.
La tecnologa requerida en la produccin de
semiconductores es de muy alto nivel, ya que para garantizar las propiedades ptimas de estos materiales, a

un elemento de extraordinaria pureza debe mezclrsele una cantidad cuidadosamente medida y controlada de
impurezas. En efecto, para la fabricacin de los modernos materiales semiconductores se emplea sobre todo el
silicio, con una pureza de alrededor del 9.99999 % (en una comparacin simple, esto equivaldra a un triler
lleno de azcar con apenas una cucharada de sal mezclada en ese volumen, semejando a las impurezas. Una
vez obtenido el silicio de alta pureza, ya es posible fabricar los distintos componentes que resultan claves en la
tecnologa electrnica, como el diodo, el transistor, los tiristores, los circuitos integrados, etc., con los que a su
vez se construye prcticamente todo aparato o instrumento electrnico, desde un radio hasta una
computadora, aadiendo simplemente algunos elementos adicionales.
Grupo

Electrones en
la ltima capa

II A

2 e-

III A

3 e-

IV A
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico Si, Ge
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los P, As, Sb
VA
grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa,
VI A
PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha Se, Te, (S)
comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

4 e-

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como Elemento


conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos
semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla Cd
siguiente.
Al, Ga, B, In

5 e6 e-

Conductividad elctrica del cristal


Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones que no estn ligados a
un enlace determinado (banda de valencia), sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de
conduccin). La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda prohibida, porque
en ella no puede haber portadores de corriente. As podemos considerar tres situaciones:

Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son conductores.
Los aislantes (o insuladores), en los que la diferencia existente entre las bandas de energa, del orden
de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1 eV, por lo que
suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero adems, su conductividad puede
regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada para que sea menor el nmero de
electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la temperatura.

Tipos de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar
a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus
tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente,
algunos
electrones
pueden,
absorbiendo la energa
necesaria, saltar a la
banda de conduccin,
dejando
el
correspondiente hueco
en la banda de valencia
(1).
Las
energas
requeridas,
a
temperatura ambiente
son de 1,12 y 0,67 eV
para el silicio y el
germanio
respectivamente.

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado
energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A
este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades
de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y
huecos permanece invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin
de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el
cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento
de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en
la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en
la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir,
elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso,
negativas).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos
del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos
de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para
ayudar a entender como se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio
tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de
silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn
extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta final de cero....
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos
o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo trivalente
(tpicamente del grupo IIIA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus cuatro
enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado
negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta
carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la

excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera
natural.
Contaminacin o dopaje
Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por esto se los contamina para darles alguna
propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear centros de
recombinacin, y otros.
Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes ( As, P o Sb); al tener
stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina, el quinto
electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico
superior a los cuatro restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems
de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria
para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de
los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer


una mayor cantidad de electrones
que de huecos; por ello se dice que
los electrones son los portadores
mayoritarios de la energa elctrica
y puesto que este excedente de
electrones
procede
de
las
impurezas pentavalentes, a stas
se las llama donadoras. An
siendo mayor n que p, la ley de
masas se sigue cumpliendo, dado
que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la
probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi
> p, tal que: np = ni Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por
ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100
veces mayor que la del silicio puro.
En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una vacante, por
lo que se las denomina aceptoras
(de electrones, se entiende). Ahora
bien, el espacio vacante no es un
hueco como el formado antes con el
salto de un electrn, si no que tiene
un nivel energtico ligeramente
superior al de la banda de valencia
(del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarn


a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la
banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso
anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de
recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso:
Uniones P - N
Cuando se unen dos pastillas de
materiales semiconductores, una Tipo N y
otra Tipo P, tal como se muestra en la
Figura Siguiente, se produce un fenmeno

singular pero muy importante en la zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada
"Unin P-N".

Cuando se forma una unin P-N, algunos de los electrones libres del material Tipo N se difunden a travs de la
unin hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de este material. Estos electrones al abandonar
el material N dejan huecos o lagunas en l, de modo que si observamos en la figura: "B", se podra interpretar
que los electrones se mueven del material N al P y las lagunas del P al N.
La energa trmica es la que produce esta llamada "Corriente de Difusin". Como resultado del proceso de
difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de
potencial puede representarse, tal como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a
travs de la juntura P-N.
El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos
internos de la juntura. Esta diferencia de potencial forma una barrera
denominada "Barrera de Energa" la cual impide que se sigan difundiendo
electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del material Tipo N que
tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por la carga
negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material
Tipo P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo N. Esta
diferencia de potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin
total entre los dos tipos de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.
Circulacin de corriente a travs de una unin P-N
Cuando se conecta una batera a una juntura P-N, la intensidad de corriente que circular por la juntura ser
dependiente del nivel de tensin aplicada y de la polaridad con que se conecte la batera a la unin.
En el circuito elctrico representado en la
figura "A" el Terminal Positivo de la
batera externa ha sido conectado al
Semiconductor N y el Terminal Negativo
al Semiconductor P. Con esta disposicin
de polarizacin de la unin P-N, los
electrones
libres
del
material
semiconductor Tipo N son atrados por el
Electrodo Positivo de la batera,
alejndose de la unin. Al mismo tiempo,
las lagunas del material semiconductor
Tipo P son atradas por el Electrodo
Negativo de la batera, alejndose
tambin de la juntura. Como resultado de las condiciones descriptas en el prrafo anterior, la regin de carga
espacial en la juntura se ensancha y la diferencia de potencial que representa llega casi al nivel de la tensin
de la batera externa. La circulacin de corriente a travs de la unin es extremadamente pequea, si se
produce. "Una unin P-N, alimentada por una fuente de Corriente Continua de esta manera, se dice que est
Polarizada Inversamente".
En el circuito elctrico representado en la
figura "B", se han invertido las conexiones
de la batera externa, estando ahora su
Electrodo
Positivo
conectado
al
semiconductor Tipo P y su Electrodo
Negativo al semiconductor Tipo N. Con esta
disposicin de polarizacin de la unin P-N,
los electrones del material Tipo P cercanos
al Electrodo Positivo de la batera rompen
sus ligaduras covalentes y entran a la
batera, creando en el material nuevas
lagunas.
Al mismo tiempo los electrones libres del
material Tipo N son repelidos por el
Electrodo
Negativo
de
la
batera

movindose hacia la juntura, al desplazarse van creando nuevos espacios o lagunas que son ocupados por
nuevos electrones que ingresan al material desde el Electrodo Negativo de la batera. Toda esta accin da
como resultado un estrechamiento de la carga espacial de modo que los electrones comienzan a difundirse
rpidamente a travs de la juntura dirigindose hacia el electrodo positivo de la batera, al combinarse con las
lagunas del material P. Esta circulacin electrnica continuar mientras se mantenga conectada la fuente de
alimentacin externa. "Una unin P-N alimentada por una batera externa tal como se muestra en la figura "B",
se dice que est Polarizada Directamente".

En esta figura se ha representado una curva generalizada para una Juntura P-N de la tensin de polarizacin
de la juntura Vs. la intensidad de corriente circulante por la misma, observe que se han contemplado los casos
de
polarizacin
directa
e
inversa.
En la regin de polarizacin directa (cuadrante superior derecho), se puede ver que la intensidad de corriente
circulante por la juntura, aumenta inicialmente lentamente a medida que aumenta la tensin aplicada a la
juntura, es decir, partiendo desde tensin cero y prcticamente hasta llegar a los 500 mV a 600 mV, cada
variacin de 100 mV producen un aumento en la intensidad de corriente de unos pocos mA, cruzando el umbral
de la Barrera de Energa o de Potencial que impone la juntura (alrededor de 600mV), la intensidad de corriente
aumenta rpidamente de modo que para variaciones de la tensin de polarizacin de unos pocos mV la
intensidad de corriente aumenta en forma importante.
En la regin de polarizacin inversa (cuadrante inferior izquierdo), observe que para variaciones de varios volts
de la tensin aplicada la intensidad de corriente sufre escasas variaciones y est dentro del orden de los
microAmpar (mA). El nivel de dicha tensin podr ser siendo aumentada (dependiendo del diodo utilizado)
hasta un cierto nivel, despus del cual se producir un efecto de avalancha en la unin que producir un brusco
aumento de la intensidad de corriente inversa que si no es limitada producir la destruccin instantnea de la
unin. Dicho nivel de tensin es denominado Tensin de Ruptura por avalancha.
2.2. Diodos
Los diodos son dispositivos semiconductores de estado
slido, generalmente fabricados con silicio, al que se le
agregan impurezas para lograr sus caractersticas.
Poseen dos terminales, llamados nodo y ctodo.
Bsicamente un diodo se utiliza para rectificar la corriente
elctrica. Su caracterstica principal es que permite la
circulacin de corriente en un solo sentido. Por su
construccin, el diodo de silicio posee en polarizacin directa
(circulacin de corriente de nodo hacia ctodo) una cada
de tensin del orden de los 0,6 a 0,7 voltios, y en inversa
(bloqueo) tiene una corriente de fuga prcticamente
despreciable.
Hay diodos de uso especial, como los Zener, los Schottky,
de Seal, etc. Vamos a describirlos a continuacin.
Tipos de diodos:
Diodos de uso general: Estos se utilizan principalmente como rectificadores, o
como proteccin en aparatos a bateras, previniendo su deterioro al conectarlos
con polaridad inversa a la utilizada. Generalmente no se los utiliza en alterna para
frecuencias superiores a los 100 ciclos (100 Hertz).
Este problema se llama "tiempo de recuperacin", y es el tiempo que tarda el diodo
en absorber el cambio de polaridad para bloquear la circulacin de corriente. Si se
hace trabajar un diodo a una frecuencia ms alta que la estimada por el fabricante,
el diodo comenzar a recalentarse hasta producirse un embalamiento trmico, con
la consecuente quema del mismo.

Diodos Zener: Estos diodos en directa se comportan como un diodo comn, pero en inversa poseen lo que se
denomina "tensin de Zener". Llegando a una determinada tensin inversa, el diodo comienza a conducir, y si
se sigue aumentando la tensin, el Zener la mantendr a un valor constante, que es su tensin de inversa.
Pasando un lmite, el diodo se destruye.
Diodos Schottky: Estos diodos estn diseados para cumplir la misma funcin que los de uso general, pero a
altas frecuencias. Se utilizan, por ejemplo, en fuentes de alimentacin de computadoras, donde la frecuencia
de la corriente alterna puede llegar a los 100KHz (100000 ciclos por segundo).
Diodos de Seal: Son diodos para utilizar en alta frecuencia, pero generalmente de poca potencia.
Diodos LED: Son un tipo de diodos denominados "Diodo Emisor de Luz" (LED por sus siglas en Ingles). Tiene
la propiedad de emitir luz cuando se le aplica una corriente en directa. Existen de muchos tipos, colores, e
incluso destellantes y de varios colores.

Diodos de potencia: Son diodos de encapsulado metlico, generalmente


de grandes dimensiones. Se utilizan, por ejemplo, en cargadores de
bateras y alternadores de automotores.
Circuitos de ejemplo:
a) Rectificador de media onda: En este circuito, el diodo conduce durante
la mitad del ciclo de corriente alterna. De este modo, solamente
un semiciclo pasa al otro lado del circuito.

b) Rectificador de onda completa: En este circuito los diodos


estn configurados en puente, para hacer que ambos semiciclos
de la corriente alterna pasen al positivo del circuito.
c) Regulador de tensin con diodo Zener: En este circuito, el
diodo zener forma un regulador de tensin, que protege al
circuito de las variaciones de tensin provenientes de la fuente
de alimentacin.
d) Recortador de seal: En este circuito, un par de diodos en
una salida de preamplificador produce un recorte simtrico de
la seal de audio.
Diodo Zener
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces
diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi
constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia
de carga y temperatura.
Efecto zener
El efecto zener se basa en la aplicacin de
tensiones inversas que originan, debido a la
caracterstica constitucin de los mismos, fuertes
campos elctricos que causan la rotura de los
enlaces entre los tomos dejando as electrones
libres capaces de establecer la conduccin. Su
caracterstica es tal que una vez alcanzado el
valor de su tensin inversa nominal y

superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se
mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l.

Voltaje zener: el diodo est polarizado en forma inversa, obsrvese que la corriente tiene un valor casi nulo
mientras que el voltaje se incrementa rpidamente, en este ejemplo fue con 17 voltios.
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N;
al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir
un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de
intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en
circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (R L)
permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada V S.

Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su valor mximo y
mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros clculos.

Donde:

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.

Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora.


Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora.
Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada.
Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada.
Vz es la tensin Zener.
ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la carga es
desconectable, ILmin suele tomar el valor 0.
ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga.
Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener.
Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de su zona zener o
conduccin en inversa (1mA).

La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que hemos obtenido.
La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente formula:

Diodo PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las
externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica,
la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta
resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector

Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes, debido a que la capa intrnseca se puede
modificar para optimizar su eficiencia cuntica y margen de frecuencia.
El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta potencia.
Diodo tnel
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da
origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente
activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte
contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de
carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del
diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin
directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el
diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es
un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres
de los efectos de la radiacin.
Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H.
Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los
estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de
dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se
refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima
necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la
regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que
-a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara
regularmente.
Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto,
poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin
convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si
el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones
mviles) jugaran un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y

lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del
dispositivo ser mucho ms rpida.
Caractersticas
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de
corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en
directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de
aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares
con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas
relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran
variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se
necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en
directo permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en
variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no
pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
2.3. Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor cuya principal funcin consiste en
amplificar seales; o sea, es capaz de entregar en su salida la misma seal de entrada
pero con mayor amplitud o potencia, fenmeno que puede ser aprovechado en
mltiples aplicaciones electrnicas. Como tal, el transistor se basa en los mismos
principios de operacin de los elementos semiconductores; es decir, se fundamenta en el peculiar
comportamiento manifestado por la unin de dos materiales semiconductores tipo P y N, respectivamente, y en
el efecto de avalancha aplicado en la construccin de un diodo
zener.
El transistor es un elemento de tres terminales, que tiene la
propiedad de variar la corriente que circula a travs de el mediante
una polarizacin muy pequea. Es decir, se pueden manejar
grandes corrientes mediante la inyeccin apropiada de una
corriente de control muy pequea. Este es el principio por el cual
los transistores son muy utilizados como elementos amplificadores
de potencia.
El transistor bipolar de juntura
En la figura 2 se muestra el diagrama simplificado de la
construccin de un transistor tpico. Observe que no son ms que
tres capas de material semiconductor: dos de material tipo N (una
ms gruesa que otra) y una muy delgada de material tipo P. Esta
configuracin tan especial resulta indispensable para el
funcionamiento del dispositivo,
segn explicaremos a
continuacin. La operacin del transistor se basa en los fenmenos de la conduccin de unin PN cuando es
polarizada en directa, y en el principio de avalancha aprovechado en los diodos zener. Supongamos que a un
transistor tpico se le conectan sendas fuentes de voltaje como las que se muestran en la figura 3; advierta que
se ha colocado un voltaje positivo entre la capa P intermedia y la
capa N inferior, as como otra fuente de voltaje positivo entre la
capa N superior y la capa N inferior.
Si pudiera observarse el interior del dispositivo para analizar el
comportamiento de los electrones y de las cargas positivas,
veramos que, debido al voltaje positivo entre la capa P intermedia
y la N inferior, en esta unin se produce un flujo de corriente
(podemos ver esta unin PN como un diodo conectado a una
fuente en directa); mas a causa de que el voltaje aplicado a dicha
unin es muy pequeo, la corriente que circula tambin es
reducida; sin embargo, esta tensin es suficiente para excitar a los
electrones de la capa N superior; y dado que entre ambas
capas N efectivamente existe un voltaje relativamente alto, se
produce el efecto de avalancha, el cual a su vez es "controlado"

por la corriente que circula en la capa P intermedia. En otras palabras, cuando se alimenta a un transistor en la
forma indicada en la figura 3, entre sus terminales N superior e inferior circula una corriente que, en una
proporcin que depende de la construccin interna del dispositivo, resulta de mayor magnitud que la que circula
por la capa P intermedia. A esta ganancia de corriente se le han dado las siglas de Hfe o B (beta). Como puede
apreciar, el transistor es un dispositivo de tres terminales, las cuales reciben el nombre de "colector" (capa N
superior), "base" (capa P intermedia) y "emisor" (capa N inferior). Su smbolo y encapsulados ms comunes se
muestran en la figura 4. Para qu sirve un dispositivo con estas caractersticas? La respuesta es muy fcil: un
transistor puede servir como amplificador simple, fuente de corriente constante o interruptor sencillo.

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