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Teoria dos Circuitos e Fundamentos de

Eletrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
1 AULA TERICA

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio

Objecto da disciplina
Introduo.
Modelo de parmetros concentrados.

Redes Elctricas
Introduo.
Componentes de circuito com dois terminais
Componentes reais.
Componentes ideais.

Modelao dos elementos de circuitos.

Apresentao da disciplina
Funcionamento da disciplina
Mtodo de avaliao
Bibliografia

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Quais os assuntos da nossa disciplina?
Analisar redes eltricas na aproximao de parmetros concentrados.
Recorre-se s equaes de Maxwell para justificar a aproximao anterior.

Introduo aos dispositivos e circuitos eletrnicos semicondutores.


Exemplos: Dodo, transstor, LED, amplificadores operacionais.

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Redes eltricas
Uma rede eltrica o resultado da interligao de um conjunto de
componentes eltricos (baterias, resistncias, interruptores, bobines
condensadores etc.)

Elementos de circuito reais com dois terminais


Exemplos: Baterias, pilhas, resistncias, bobines, condensadores etc.
Circuitos de parmetros concentrados permitem representar estes elementos por modelos com
elementos ideais.

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Como descrever este circuito?

+
V

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

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TCFE
Aproximao de parmetros concentrados

+
V
-

i = v/R

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TCFE
Equaes de Maxwell

Forma Diferencial

div E

div B 0

rot H J E t

div J t
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Forma Integral


S E n dS q

S B n dS 0

l E d l t

l H d l i q t

J n dS q t
S

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
O modelo das redes de parmetros concentrados vlido quando:
As redes funcionam em regime estacionrio:

rot E 0 , div J 0
As redes funcionam em regime quase-estacionrio:

rot E 0 , div J 0
No caso de sinais peridicos a escala de tempo do sinal o perodo T e
assim:

dimenso caracterstica do sistema a analisar.
velocidade de
propagao das ondas eletromagnticas (no vcuo
= = 3 108 /).

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TCFE
Modelo de parmetros
concentrados. Vlido se:

perodo do sinal .

Elemento de parmetros
concentrados
S nos interessa o valor nos
terminais de ligao
O elemento descrito por um
valor de corrente e um de
tenso aos seus terminais
Consequncia:

Caixa preta

iA=iB

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TCFE
f

l0

Aplicao tpica

APC

50 Hz

20 ms

6000km

Sistemas de energia

l<600km

1 kHz

1ms

300km

Freq. Acstica. Som

l<30km

1 MHz

1ms

300m

Radiodifuso OM

l<30m

10 MHz

100ns

30m

Radiodifuso OC

l<3m

200 MHz

5 ns

1,5m

Radiodifuso FM e TV

l<15cm

1-100 GHz

1-0,01ns

30-3cm

Radar. Comunicaes
por feixe hertziano

1GHz
100GHZ

l<3cm
l<0,3cm

1,2-0,6mm

Comunicaes ticas

250THz
500THz

l<0,12mm
l<60nm

250-500 THz 2-4fs

l<<l0

APC - Aproximao parmetros concentrados para sinais peridicos com = .


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ANTNIO BAPTISTA

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TCFE
GRANDEZAS ELTRICAS E
UNIDADES (SI)

PREFIXOS (SI)

Grandeza Eltrica

Unidade do SI

Nome

Prefixo

Factor

Energia

Joule

tera

1012

Potncia

Watt

giga

109

mega

106

quilo

103

mili

103

micro

106

nano

109

Carga

Coulomb

Corrente

Ampre

Tenso

Volt

Resistncia

Ohm

Condutncia

Siemens

pico

1012

Capacidade

Farad

femto

1015

Indutncia

Henry

atto

1018

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11

Redes Eltricas
MODELOS DE PARMETROS CONCENTRADOS

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1 AULA TERICA

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12

TCFE
Redes elctricas de parmetros concentrados
Redes compostas por componentes discretos, com dois ou
mais terminais, ligados por condutores ideais.
i
v

Fig. 1 - Componente com dois terminais

Os componentes so caracterizados pelas relaes entre as


correntes nos terminais e as tenses entre terminais.

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1 AULA TERICA

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13

TCFE
FONTES DE TENSO CONTNUA(
BATERIAS, PILHAS ETC.)
Fontes de energia resultante de
reaes qumicas.
Smbolo

+
V
-

Exemplo 1
Na bateria de um carro indicado
tratar-se de uma bateria de 12V e
50Ah.
1.
2.

Qual a energia armazenada na


bateria?
Qual a energia armazenada na bateria
em Joule?

Soluo

Modelo 1 =

Especificaes importantes:
Tenso nominal
Energia que pode armazenar
Resistncia interna

15 de Fevereiro de 2016

EXEMPLO

1 AULA TERICA

1.
2.

= 12 50 = 600
1 = 1 1 = 1. Deste
modo
1 = 3600 1 =
3600. A soluo portanto
= 3600 600 = 2160000

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
FONTES DE TENSO E DE
CORRENTE

So circuitos que permitem obter:

Smbolo da fonte de corrente

Uma tenso ou corrente aos seus


terminais independentemente do
circuito que lhe est ligado.

i
Smbolo da fonte de tenso

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+
_

15

TCFE
Componentes resistivos
Um componente resistivo descrito por equaes algbricas.
Um componente resistivo pode ser linear ou no-linear.
Exemplos:
i

= A 2
v

(a) Componente linear,


R constante.

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(b) Componente no-linear

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TCFE
RESISTNCIAS
Aparecem em mltiplas formas e so realizadas com diferentes materiais
condutores. Exemplos:
Resistncias de fio metlico (Ex. ligas de nquel e crmio)
Em torradeiras e fornos
Resistncias de carbono. Comuns em circuitos eletrnicos.
Resistncias de polisilcio. Circuitos integrados.

Smbolo

Lei de Ohm =

Caractersticas comuns:
Numa gama limitada de valores de corrente e tenso verificam a lei de
Ohm.
A energia elctrica transformada em calor.

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TCFE
RESISTNCIAS

EXEMPLO 2

As especificaes
importantes de uma
resistncia so:
O seu valor nominal (Rn)
A tolerncia (x) -> valor real
= Rn X (1 x)
A potncia mxima (Pmx).

Numa resistncia de 1kW = 5%


= 1.
1.
2.

Qual o intervalo de valores para o


seu valor real?
Qual a tenso mxima que pode
ser aplicada entre os terminais da
resistncia?

Soluo
1.

950 1050

2.

2
= 1
=1
= 31,6

= 1

15 de Fevereiro de 2016

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ANTNIO BAPTISTA

= 31,6

18

TCFE
possvel calcular o valor da resistncia elctrica de um pedao de material
com geometria e caractersticas elctricas conhecidas.

Para resistncias cilndricas tem-se:


l comprimento da resistncia
S seco da resistncia
- resistividade

l
R
S

15 de Fevereiro de 2016

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ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
Componentes ideais
Estes componentes permitem construir modelos dos sistemas
de processamento de informao ou energia.
Os diferentes componentes devem permitir representar:

As fontes de energia ou informao (Ex. fontes de tenso)


O fluxo de energia ou informao num sistema (Ex. fios de ligao)
A perda de energia ou informao (Ex. resistncias)
O comando do fluxo de energia ou informao atravs de uma fora
externa (Ex. interruptores comandados)
O armazenamento de energia ou informao (Ex. memrias)

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1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
Componentes ideais com dois terminais
Estes componentes permitem construir modelos dos sistemas
de processamento de informao ou energia.
Os diferentes componentes devem permitir representar:

As fontes de energia ou informao (Ex. fontes de tenso)


O fluxo de energia ou informao num sistema (Ex. fios de ligao)
A perda de energia ou informao (Ex. resistncias)
O comando do fluxo de energia ou informao atravs de uma fora
externa (Ex. interruptores comandados)
O armazenamento de energia ou informao (Ex. memrias)

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ANTNIO BAPTISTA

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TCFE
FONTE DE TENSO
INDEPENDENTE IDEAL

REPRESENTAO GRFICA DA
CARACTERSTICA

uma fonte de tenso com


resistncia interna nula.
Smbolo
1
+

Equao caracterstica
1 =

15 de Fevereiro de 2016

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ANTNIO BAPTISTA

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TCFE
FONTE DE CORRENTE
INDEPENDENTE IDEAL

REPRESENTAO GRFICA DA
CARACTERSTICA

uma fonte de corrente com


resistncia interna infinita
Smbolo
1
i

1
0

Equao caracterstica
1 =

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

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TCFE
RESISTNCIA IDEAL
Resistncia linear - verifica a lei de
Ohm para qualquer valor de tenso
ou corrente aos seus terminais.

com R constante

SMBOLO E REPRESENTAO
GRFICA DA CARACTERSTICA
R
i
v
=

R aumenta

Condutor ideal (R=0, v=0V)


Condutor sem resistncia eltrica.

R diminui

Circuito aberto (R=, i=0A)


Condutor com resistncia eltrica
infinita.

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1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

= 0

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Funcionamento
da disciplina
15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

25

TCFE
Funcionamento da disciplina
Aulas tericas 2 aulas por semana
Aulas de laboratrio 5 aulas
Aulas prticas 9 aulas

O peso da parte terica na classificao


final da disciplina de 75%.
A nota (NT) na teoria :

Mtodo de avaliao - Teoria


Realizam-se dois testes e um exame. Temse:
Opo 1:

NT = NE2 ou Ntestes
em que
NT nota da parte terica
NE2 nota do exame
Ntestes - mdia aritmtica das notas
dos dois testes

Dois testes.
O aluno pode entregar os dois testes
e fazer a repescagem de um dos
testes na data de exame.

A nota mnima na parte terica (NT) de


10 valores (>9,5 val.)

Opo 2:
Exame.

15 de Fevereiro de 2016

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ANTNIO BAPTISTA

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TCFE
Mtodo de avaliao - Laboratrio
Aulas de presena obrigatria
H marcao de faltas.
Cinco trabalhos de laboratrio que ilustram
diferentes aspectos da matria terica
leccionada que contam para a avaliao.
O peso do trabalho laboratorial na
classificao final da disciplina de 25%.
Assim:
NL= NL5
em que
NL - Nota de laboratrio
NL5 - nota atribuda pelo docente tendo em
conta os cinco trabalhos de laboratrio e o
desempenho nas aulas.
A nota mnima de laboratrio (NL) de 10
valores (>9,5val.).

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

Os alunos repetentes que:


No se tenham inscrito no laboratrio
durante quatro ou mais anos consecutivos.
No tenham obtido a nota mnima
necessria para ter aprovao no
laboratrio.
sero obrigados a repetir o laboratrio.

Os restantes alunos repetentes podem:


Manter a nota da parte laboratorial obtida
anteriormente.
O peso da nota de laboratrio na nota final
da disciplina ser o que estava em vigor no
ano letivo respetivo.

Nota final na disciplina


A nota final da disciplina (NF) dada por:
NF = 0,75 * NT + 0,25* NL

ANTNIO BAPTISTA

27

TCFE
Bibliografia
Livro seguido na disciplina
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, A. Agrawal and
Jeffrey H. Lang, Morgan Kaufmann Publishers 2005.

Outra bibliografia
Anlise de Circuitos
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos, Manuel Medeiros Silva, Fundao Calouste
Gulbenkian.

Circuitos com transstores


Circuitos com Transstores Bipolares e MOS, Manuel Medeiros Silva, Fundao Calouste
Gulbenkian.
Fundamentos de Electrnica, Antnio Carlos Baptista, Carlos Ferreira Fernandes, Jorge Torres
Pereira, Jos Jlio Paisana, Lidel 2012.

15 de Fevereiro de 2016

1 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

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Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
2 AULA TERICA

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Anlise de redes elctricas

Introduo
As leis de Kirchoff
Princpio de conservao da energia
Mtodo bsico de anlise de redes eltricas
Os divisores de tenso e corrente.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Bibliografia

Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits,


Cap. 1, Cap. 2 (at 2.3.4).
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos
pgs.17-35 e pgs. 44-48.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Anlise de Redes
eltricas
INTRODUO

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Pretende-se:
Analisar uma rede elctrica
Determinar a tenso e a corrente em todos os elementos de circuito da rede.

Soluo:
Desenvolver mtodos sistemticos para a anlise de redes.
Os mtodos sistemticos permitem automatizar as tcnicas de soluo -> utilizao dos
computadores.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Terminologia
Ns

N :
Ponto ao qual dois ou mais
elementos da rede so
ligados.

Ramo:

Circulao

Ligao entre ns da rede.

Circulao
Caminhos fechados ao longo
dos ramos da rede.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

Ramo

ANTNIO BAPTISTA

Anlise de Redes
eltricas
AS LEIS DE KIRCHOFF

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
AS LEIS DE KIRCHOFF

As leis de Kirchoff:

As leis de Kirchoff:

So obtidas a partir das equaes


de Maxwell:
Quando estas so aplicadas ao caso das
redes de parmetros concentrados.

Conveno
Adotam-se para a tenso v e a corrente i os
sentidos indicados na figura.

S dependem da topologia da
rede.
No dependem dos elementos
que constituem os ramos.
So vlidas sejam as redes:
Lineares ou no lineares.
Resistivas ou no.

i
v

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
LEI DE KIRCHOFF DAS CORRENTES
(KCL)

EXEMPLO

Aplica-se superfcie S que


envolve o n A a relao:


J n dS 0
S

2
A S

i1

i2

Consequncia:

A soma algbrica de todas as correntes de


ramo que entram ou saem de qualquer n
zero.

i3

ik 0

1 + 2 + 3 = 0

k 1

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
LEI DE KIRCHOFF DAS TENSES
(KVL)

EXEMPLO

Resulta da aplicao de:



Ed l 0

Consequncia:
A soma algbrica de todas as tenses de
ramo num caminho fechado numa rede
zero.

v
k 1

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

1
3

1 + 2 3 = 0

ANTNIO BAPTISTA

10

A conservao de
energia
TEOREMA DE TELLEGEN

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
A existncia de correntes e tenses no nulas numa rede eltrica exige:
O fornecimento de energia. Ou seja nalguns dos ramos existem fontes de
energia (fontes de tenso ou corrente).
A potncia eltrica instantnea, P, posta em jogo em cada ramo i :

= .
Considere-se uma rede com b ramos. O princpio da conservao da energia
exige que a energia total fornecida ao circuito pelos elementos
fornecedores de energia seja igual energia total recebida pelos restantes
elementos do circuito. Isto significa que:

= = (Teorema de Tellegen)
Este resultado no depende dos elementos da rede em cada ramo.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
Exemplo

Neste circuito:
+ =

Com a conveno adotada para os


sentidos de e tem-se:
Elemento que fornece energia:
<
Elemento que recebe energia:
>

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

Admitamos que o circuito real :


Tem-se:
1 = 2
1
1 =
1 =

+
_VA

2 =
1 = 2 , 2 = 2

A fonte de tenso fornece energia


A resistncia recebe e dissipa
energia

ANTNIO BAPTISTA

13

Anlise de Redes
eltricas
M TODO B S I CO DE AN LISE DE CI RCUI TOS
DI V I SOR ES DE T E NSO
DI V I SOR ES DE COR R E NTE

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
Mtodo bsico de anlise de circuitos
Definir em cada ramo, de acordo com a conveno vista, os sentidos das
correntes e tenses.
Estabelecer as caractersticas tenso-corrente que descrevem os
elementos em cada ramo.

Aplicar as leis de Kirchoff das correntes e tenses.


Resolver o sistema de equaes obtido nos dois pontos anteriores.
Numa rede com b ramos e n ns tm-se:

2b incgnitas b correntes de ramo e b tenses de ramo


b equaes de ramo
n-1 equaes independentes resultantes da aplicao de KCL
b-(n-1) circulaes que incluem todos os ramos do circuito correspondendo a b-(n-1)
equaes independentes resultantes da aplicao de KVL.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Ligao em srie

Ligao em paralelo

3
3

1 = 2 = 3

1
2

1 = 2 = 3
3

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
EXEMPLO - ENUNCIADO

EXEMPLO SOLUO

Considere o seguinte circuito em


que 1 = 2 = 1 e = 3.

Equaes topolgicas (KCL e KVL)

Calcule 1 , 2 , 1 , 2 , .
Calcule a potncia posta em jogo
nas resistncias 1 e 2 e na fonte
de tenso.
1
1

2
2

1 + = 0 1

2 1 = 0 (2)

+ 1 + 2 = 0 (3)
Equaes Caractersticas
= (4) 1 = 1 1 (5)
2 = 2 2 (6)
Solues
1 = 2 = 1,5; 1 = 2 = 1,5;
= 1,5;

1 = 2 = 2,25; = 4,5.

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
EXEMPLO - ENUNCIADO

EXEMPLO - SOLUO

Considere o seguinte circuito em


que 1 = 2 = 1 e = 3.

Equaes topolgicas (KCL e KVL)

Calcule 1 , 2 , 1 , 2 , .
Calcule a potncia posta em jogo
nas resistncias 1 e 2 e na fonte
de tenso.

1 = 0 1

2 1 = 0 (2)

+ 1 + 2 = 0 (3)
Equaes Caractersticas
= (4) 1 = 1 1 (5)
2 = 2 2 (6)
Solues
1 = 2 = 3; 1 = 2 = 3;

= 6;

1 = 2 = 9; = 18

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
uma frao da tenso de
entrada

Divisores de tenso
1

2
2

A frao o cociente da resistncia


2 pela soma das resistncias.

2
Variando 1 e 2 a fraco pode
variar de 0 a 1.
Se 2 = 0 ou 1 = a frao vale 0.
Se 2 = ou 1 = 0 a frao vale 1.

O circuito da figura um divisor de


tenso. Porqu?
Reparem que:

17 de Fevereiro de 2016

2 =

Repare-se ainda que: 1/ 2 =1 /2

1 +2

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
Mnemnica:
Num circuito divisor de tenso com M resistncias:
=

1 +2 ++ + +

Nota: 1 = 2 = = = =
i1 R 1
v

i2
1

R2

iN R N
v

i M-1 R M-1
v

M-1

iM R M
v

+ -

17 de Fevereiro de 2016

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
uma frao da corrente de
entrada

Divisor de corrente

A frao o cociente da resistncia


1 pela soma das resistncias.

Variando 1 e 2 a fraco pode


variar de 0 a 1.

O circuito da figura um divisor


de corrente. Porqu?
Reparem que: 2 =

17 de Fevereiro de 2016

1 2

1 1 +1 2

Se 2 = 0 ou 1 = a frao vale 1.
Se 2 = ou 1 = 0 a frao vale 0.

Repare-se ainda que: 1/ 2 =2 /1

1 +2

2 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
Mnemnica:
Num circuito divisor de corrente com M resistncias:
=


1 1 +1 2 ++1 ++1

1 +2 ++ + +

- Condutncia
= 1

Nota: 1 = 2 = = = =
i1
if

v1

17 de Fevereiro de 2016

i2
v2

iN
vN

2 AULA TERICA

i M-1

ANTNIO BAPTISTA

M-1

iM

22

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
3 AULA TERICA

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Associao srie e paralelo de resistncias.
Os geradores comandados.
O mtodo dos ns.
Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.3 at ao fim
excepto 3.3.2, 3.3.3, 3.5.1.
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos pgs. 40-52.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Redes Eltricas
ASSOCIAO EM SRIE E EM PARALELO DE
RESISTNCIAS

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ASSOCIAO EM SRIE DE
RESISTNCIAS

Considere-se o seguinte circuito


srie:

2
2

Visto dos terminais aa tem-se:


= , = 1 + 2
= 1 = 2

Deste modo obtm-se um circuito

equivalente se:
=

= 1 +2

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE

Num circuito srie com M resistncias em srie tem-se:

= + + + +

= + + + +
+

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ASSOCIAO EM PARALELO DE
RESISTNCIAS

Considere-se o seguinte circuito


paralelo:
2

+
_

= , = 1 = 2
= 1 + 2

Deste modo obtm-se um circuito


equivalente se:

Visto dos terminais aa tem-se:

= 1 + 2

2
2

1 2
1 +2

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Num circuito srie com M resistncias em paralelo tem-se:

=
= + + + +
= + + + +

= + + + +

v1

22 de Fevereiro de 2016

i1

i2

1 v2

iN
vN

i M-1

vM-1

iM

vM
1

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Redes Eltricas
ELEMENTOS DE CIRCUITO:
OS GERADORES COMANDADOS

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Os geradores comandados
So elementos ideais de dois acessos podendo ter 3 ou 4
terminais.
i1
v1

i1

i2

i2

v2

v1

v2

So utilizados nos modelos dos dispositivos e sistemas


electrnicos

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Geradores comandados por corrente
Fonte de tenso comandada por corrente
i1
v1

i2
r i1

+
-

v2

v2=r i1

r - transresistncia

Fonte de corrente comandada por corrente


i2

i1

v1

h i1

v2

i2=h i1

h ganho de corrente

Nos geradores comandados ideais admite-se que o comando no gasta


energia
O acesso de comando das fontes comandadas por corrente um curto-circuito

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
Geradores comandados por tenso
Fonte de tenso comandada por tenso
i1
i2

v1

+
-

v2

v2= k v1

k ganho de tenso

k v1

Fonte de corrente comandada por tenso


i1
i2
v1

g v1

v2

i2= g v1

g transcondutncia

Nos geradores comandados ideais admite-se que o comando no gasta


energia

O acesso de comando das fontes comandadas por tenso um circuito aberto.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

Anlise de Redes
Elctricas
O MTODO DOS NS

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
O mtodo bsico de anlise de circuitos permite analisar qualquer tipo
de circuito com elementos lineares ou no-lineares.
Ento porqu outro mtodo de anlise de circuitos?
No mtodo bsico temos de resolver um sistema de 2b equaes (b - n de
ramos) -> problema difcil de resolver para circuitos com um grande
nmero de ramos.

O mtodo dos ns tem a vantagem de organizar a anlise do circuito de


tal maneira que:
O sistema a ser resolvido tem n-1 equaes, sendo n o nmero de ns do
circuito.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
O n de referncia
A escolha do n de referncia
arbitrria. Normalmente escolhese:
O n ao qual est ligado um maior
nmero de elementos de circuito.

Nos circuitos eltricos e eletrnicos


este n corresponde terra do
sistema e est normalmente ligado:
Ao chassis do sistema ou a um
eltrodo de terra.

A tenso nodal
a diferena de potencial entre um
dado n e o n de referncia.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

Smbolos

chassis

terra

N de referncia

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
Mtodo dos ns:

Resolver as equaes para:

Seleciona-se um n de referncia, em
relao ao qual:
Todas as outras tenses so medidas.
O seu potencial definido como 0V.
Rotulam-se os restantes ns.

Definem-se as tenses nodais


Se um n est ligado ao de referncia
atravs de uma fonte de tenso
ento:
A tenso nodal igual da fonte.

Obter as tenses nodais ei.

A partir dos valores de ei obter:


As tenses e correntes de ramo
pretendidas.

2
1

Aplicar a lei de Kirchoff das correntes


(KCL):
Aos ns cuja tenso nodal no
conhecida.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

Equao nodal

ANTNIO BAPTISTA

2
1

+ 2 = 0
2

15

TCFE
EXEMPLO - ENUNCIADO

EXEMPLO - SOLUO
Equaes nodais

No circuito seguinte, utilizando o


mtodo dos ns, calcule:

e2 V e2 e2 e3

0 (1)
R1
R2
R3

A tenso e a corrente na
resistncia 3 .

e3 e2 e3

I 0
R3
R4

1 = 3 = 4 = 1k, 2 = 2k.
= 4, = 2.

1
+
DC

22 de Fevereiro de 2016

Na forma matricial tem-se:

+ 3
3
2 3
+
+
3

2 2

3 4

(2)

1
1
1
R R R
2
3
1
1

R3

1
V
R3 e2

R1
1
1 e3

I
R3 R4

Soluo e 2,50
2

e 2, 25 V

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

v3 0, 25V
i 0, 25mA

16

TCFE
COMO APLICAR O MTODO DOS
NS SE EXISTIR:

EXEMPLO

Uma fonte de tenso sem nenhum


dos terminais ligado ao terminal
comum.

Calcular 3 utilizando o mtodo


dos ns.
1 = 2 = 2k, 3 = 4 = 1k.
= 4, = 4.

Dificuldade:
A corrente na fonte no pode ser escrita
em funo das tenses nodais.

Soluo

Conceito de super n (SN).


Repare-se que a tenso nodal do n 3 se
pode escrever como funo da tenso
nodal do n 1.
Assim define-se um n que inclui a fonte de
tenso e somam-se as correntes que
entram nesse n.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

1
+

1 +

3
+

3
2

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
Nestas condies:
G1 G2 G3

G3

G3 e1 G1 G2 V

G3 G4 e2
I

e1 3
V
e2 4
3

3
+

1
+

1 +

3
+

3
2

Assim a tenso 3 dada por:


3 = 1 - 2
3 = 8 3.

22 de Fevereiro de 2016

3 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
4 AULA TERICA

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
O mtodo das malhas.
Redes lineares.
O teorema da sobreposio.
O teorema de Thvenin-Norton.
Resoluo de exemplos.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap. 2.6, Cap. 3.3.3, 3.5.1.

Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos pgs. 27-28.

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Anlise de Redes Eltricas


O MTODO DAS MALHAS

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Tal como o mtodo bsico baseia-se no uso das leis de Kirchoff.
Vantagem: organiza a anlise do circuito de uma maneira que diminui a
dimenso do problema.

O mtodo das malhas tem a vantagem de organizar a anlise do circuito


de tal maneira que:
O sistema a ser resolvido tem b-(n-1) equaes, sendo b o nmero de ramos
e n o nmero de ns do circuito.

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Malha
Malha um caminho fechado que no contm ramos no
seu interior.
Da lei de Kirchoff das tenses (KVL) resulta que a soma das
tenses numa malha nula.
g1
+
V
-

24 de Fevereiro de 2016

R1

g2

R3

R2

g3

R4
I

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Corrente de malha
Define-se uma corrente em cada
malha e atribui-se-lhe um sentido.
Aplica-se a lei de Kirchoff das
tenses (KVL):

g1

s malhas cuja corrente no conhecida.

Resolvem-se as equaes obtidas


no ponto anterior para:
Obter as correntes de malha .

+
V
-

R1

g2

R3

R2

j1

g3

R4

j3

j2

A partir dos valores de ji obter:


As tenses e correntes de ramo
pretendidas.

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
SOLUO - APLICAO DO MTODO

EXEMPLO

DAS MALHAS

Como j3=I tm-se duas equaes


independentes:

Considere o seguinte circuito:


Utilizando o mtodo das malhas calcule a
tenso e a corrente na resistncia R3.

(1)
V1 R1 j1 R2 j1 j2 0

R2 j2 j1 R3 j2 R4 j2 I 0 (2)

R1=R3=R4=1kW, R2=2kW, V=4V e I=2mA

3 + 3
g1
+
V
_

R1

g2

R3

R2

j1

Escrevendo as equaes na forma


matricial resulta:

g3

R1 R2
R
2

R4

j2

j3

R2

j1 V1

R2 R3 R4 j2 R4 I

Resolvendo este sistema obtm-se a


soluo desejada atendendo a que

3 = 2 = 0,25
3 = 0,25
24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Anlise de Redes
REDES LINEARES

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Um sistema diz-se linear se:

a x x1 + b x x2

a x f(x1) + b x f(x2)
f(x)

Os teoremas da sobreposio, de Thvenin e de Norton s so vlidos para


redes eltricas lineares.

Pelo contrrio as leis de Kirchoff, o mtodo bsico de anlise de circuitos, o


mtodo dos ns e o mtodo das malhas so vlidos para circuitos lineares e
no-lineares.

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Anlise de Redes
TEOREMA DA SOBREPOSIO

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
TEOREMA DA SOBREPOSIO

Numa rede eltrica linear a


corrente ou tenso num ramo
pode obter-se:
Somando as correntes ou tenses
produzidas nesse ramo por cada um dos
geradores independentes, de corrente ou
tenso, existentes no circuito.

APLICAO DO TEOREMA DA
SOBREPOSIO
Para cada fonte independente:
Formar um subcircuito anulando todas as
restantes fontes independentes.

Para cada subcircuito:


Determinar a resposta fonte
independente respetiva.

Obter a resposta total:


Somando as respostas individuais
determinadas para cada fonte
independente.

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
Exemplo 2
No circuito (b) anulou-se a fonte de corrente
=

Foi substituda por um circuito aberto

No circuito (c) anulou-se a fonte de tenso


=

Foi substituda por um curto-circuito

No circuito da figura (a) v2=v20+v21

1
2

(a)

24 de Fevereiro de 2016

(b)

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

+
1

21

(c)

12

Anlise de Redes
TEOREMA DE THVENIN-NORTON

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
Teorema de Thvenin-Norton
Admita-se que:
Uma rede elctrica linear A est ligada a uma carga
arbitrria no acesso aa.
Acesso ou porto - par de terminais em que a corrente que entra num dos terminais igual
que sai no outro.

A nica interaco entre a rede e a carga atravs da corrente


que flui pelos terminais aa.
A rede s inclui resistncias, fontes de corrente e fontes de

tenso.
a

Rcarga

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
Teorema de Thvenin-Norton (cont.)
Ento:
O Teorema de Thvenin-Norton afirma que a rede eltrica
linear A pode ser substituda pela:
Rede equivalente de Thvenin, Figura (a)
Rede equivalente de Norton, Figura (b)

a
a

()

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

()

15

TCFE
DETERMINAO DA REDE
EQUIVALENTE DE THVENIN

DETERMINAO DA REDE
EQUIVALENTE DE NORTON
determina-se calculando ou
medindo:

determina-se calculando ou
a medindo:

A corrente de curto-circuito entre os


terminais a e a da rede linear.

A tenso em vazio entre os terminais a e a

da rede linear.

determina-se calculando ou
medindo a resistncia:

determina-se calculando ou
medindo a resistncia:
vista no par de terminais aa quando se
anulam todas as fontes independentes da
rede linear.

vista no par de terminais aa quando se


anulam todas as fontes independentes da
rede linear.
a

M , ,

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
Relao entre a Rede de Thvenin e a de Norton
Qual a relao entre e ?

(a)

(b)

A tenso relaciona-se com a corrente . Como = e = resulta:


=
Como resulta dos processos de determinao:
=

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
EXEMPLO

Determinao de

Utilizando a rede equivalente de


Thvenin calcule a corrente i1.

a
a

Determinao de

= 2

= 2

2
a

Equivalente de Thvenin

1 =
= 2

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

1
V

a
24 de Fevereiro de 2016

18

TCFE
EXEMPLO

Determinao de

Utilizando a rede equivalente de


Norton calcule a corrente 1 .

a
a
1

= 2

2
a

Determinao de

Equivalente de Norton
a

1 = 2

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

1
V

2
a

24 de Fevereiro de 2016

19

TCFE
Exemplo
Utilizando a rede equivalente de Norton calcule a tenso v3.
Utilizando a rede equivalente de Thvenin calcule a tenso v3.

1
V

Soluo:

24 de Fevereiro de 2016

I 3

3 = 1 2 3

4 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
EXEMPLO

SOLUO

Determinar o equivalente de
Thvenin do circuito da figura,
visto dos terminais aa.

+
V
-

2
1 +2

Determinao de VTH

+
V
-

Determinao de RTH
Eq. Thvenin

4 AULA TERICA

24 de Fevereiro de 2016

1 2 + 2 3 + 1 3 3
=
1 + 2

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
Como consequncia dos teoremas de Thvenin e Norton resulta que:
A associao srie de uma fonte de tenso V e de uma resistncia R pode
ser:
Substituda por uma fonte de corrente equivalente I em paralelo com uma condutncia G onde
I=V/R e G=1/R.

Utilizando este princpio calcule a corrente I no circuito da figura.


R4
R6
R5
R2

1 = 20, 1 = 20
1 = 2 = 6 = 7 = 1
3 = 4 = 5 = 2

24 de Fevereiro de 2016

4 AULA TERICA

V1

R3

I1

R1

ANTNIO BAPTISTA

R7

22

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
5 AULA TERICA

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Os elementos de circuito armazenadores de energia: condensadores e
bobinas.
O condensador. Circuito RC srie: soluo geral, regime livre, regime
forado contnuo.
A bobina. Circuito RL srie: soluo geral, regime livre, regime forado
contnuo.

Bibliografia (5 e 6 aula)

Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.9


e Cap. 10 (pgs. 503-525).
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos, Cap.2
pgs.91-124.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Elementos
Armazenadores
de Energia
INTRODUO

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Elementos armazenadores de energia:
Condensadores e bobinas.

Os condensadores e as bobinas so diferentes das resistncias porque:


A relao entre a corrente e a tenso aos seus terminais no uma relao algbrica.
A relao entre a corrente e a tenso envolve derivadas e integrais no domnio do tempo
A anlise de circuitos com condensadores e bobinas exige a resoluo de equaes
diferenciais.

Os condensadores e bobinas so constituintes essenciais de circuitos:


Exemplos: memrias, filtros e circuitos de processamento de energia.

Os condensadores e bobinas so elementos parasitas em muitos circuitos:


Exemplo: Nos circuitos digitais a resposta excitao no instantnea, e pode ser descrita
com recurso a condensadores e bobinas.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Elementos
Armazenadores
de Energia
CONDENSADORES

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
CONDENSADOR
Um condensador constitudo por dois condutores (armaduras) separados
por um dielctrico.
Um condensador plano, de faces planas e paralelas tem a seguinte
configurao:
i
v

d espessura do dielctrico de
permitividade e.
Exemplo de dielctricos: ar,
cermicas, plsticos etc..

Condutores de rea A

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
NUM CONDENSADOR PLANO:
A relao entre a carga armazenada
e a tenso :

A capacidade C do condensador,
cociente da carga q pela tenso v,
depende:
Da permitividade eltrica do dieltrico e.
Da rea das placas condutoras A.

Da distncia entre as armaduras do


condensador d.

Normalmente assume-se que os


condensadores so lineares e
invariantes no tempo
A capacidade C no depende do
tempo.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

A tenso mxima suportada por um


condensador diminui com d:
Devido rigidez eltrica do dieltrico.

Consequncia: tem de existir um


compromisso entre o valor da
capacidade e a tenso mxima.

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
CARACTERSTICA CORRENTETENSO DE UM CONDENSADOR
No condensador, a relao entre a
corrente e a carga armazenada :

Armazena energia, que pode ser


recuperada.
No dissipa energia.

A energia armazenada num


condensador dada por:

Consequncia:
A tenso v num condensador s pode ter
uma variao instantnea se a corrente i
for infinita.

29 de Fevereiro de 2016

Um condensador ideal:

5 AULA TERICA

=
=

ANTNIO BAPTISTA

1
2
2

TCFE
O condensador um elemento de circuito com memria
um elemento primordial nas memrias realizadas em circuitos
integrados.

Elemento com memria?! Porqu?


Atendendo s equaes anteriores tem-se:
1
=

A tenso v depende da histria passada da corrente i


memria.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
LIMITAES:
Os condensadores no so ideais:
Os dielctricos no tm uma condutividade nula
H uma corrente de fugas e a carga armazenada desaparece ao fim de algum tempo.

Os fios de ligao e os condutores no so ideais.

ESPECIFICAES:
Valor nominal da capacidade C.
Tolerncia do valor da capacidade: x% do valor nominal.
Tenso mxima suportada pelo condensador.

SMBOLO:

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

Redes de 1
ordem
CIRCUITO RC SRIE

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
INTERRUPTOR I1 LIGADO A a EM
t=0

Equao do circuito
vC VCC
dv
C C 0
R
dt
dv
v
V
C C CC
dt RC RC

2 a

I1

a
+

VCC e2

vR

e1 C1

vC

Soluo desta equao:


Soma da soluo homognea com
a soluo forada.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
REGIME LIVRE
SOLUO HOMOGNEA

O regime livre descrito pela


equao diferencial homognea
(anula-se a excitao):

+
=0

A soluo da equao :

onde tRC a constante de tempo


do circuito.

A resposta em regime livre


depende:
Da condio inicial = .

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
SOLUO FORADA

SOLUO GERAL

Imps-se uma excitao


contnua .
A soluo forada obtida
fazendo:

A soluo geral a soma das


solues homognea e forada:
=

Sendo = = tem-se:

=0

Deste modo:
= 0

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

+
14

TCFE
INTERRUPTOR I1 LIGADO AO
TERMINAL a

Se = = a condio
inicial, ento:

Com I1 ligado a a tem-se:


vC
dvC
C
0
R
dt
dv
v
C C 0
dt RC

Esta equao homognea


tem por soluo:
=

29 de Fevereiro de 2016

= 0
2

I1

a
+

VCC

vR
e1 C1

vC

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
De um ponto de vista energtico
com I1 ligado em a e:
= =

A energia total fornecida pela


bateria, WT, :

2
WT VCC i dt C VCC
0

A resistncia dissipa a energia:


2
WR C VCC
/2

De um ponto de vista energtico


com I1 ligado em a:
A energia eltrica armazenada no
condensador dissipada na
resistncia sob a forma de calor.

O condensador armazena a
energia:
2
WE C VCC
/2

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

Elementos
Armazenadores
de Energia
BOBINAS

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
BOBINA:
Uma bobina em geral constituda por um fio condutor
enrolado em espiral podendo ter ou no um ncleo
ferromagntico.
p
A

O coeficiente de induo ou indutncia, L,


depende:
Da geometria da bobina l(t) e A(t).
Do nmero de espiras da bobina N.
Do material magntico (m).

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
NUMA BOBINA:
A relao entre o fluxo magntico
e a corrente eltrica :
2
=


=

A coeficiente de induo L da
bobina, cociente do fluxo
magntico pela corrente i,
depende:
Da permeabilidade do material
magntico, m.
Da rea das espiras, A.
Do comprimento ao longo do ncleo do
enrolamento l.

Normalmente assume-se que as


bobinas so lineares e invariantes
no tempo

O coeficiente de induo L no
depende do tempo.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
CARACTERSTICA CORRENTE
TENSO DE UMA BOBINA
A relao entre a corrente e a
tenso numa bobine :

Armazena energia que pode ser


recuperada.
No dissipa energia.

A energia magntica armazenada


numa bobina, , :

Consequncia :
A corrente i numa bobina s pode ter uma
variao instantnea se a tenso v for
infinita.

29 de Fevereiro de 2016

Uma bobina ideal:

5 AULA TERICA

=
1 2
=
2

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
A bobina um elemento de circuito com memria.
Elemento com memria?! Porqu?
Atendendo s equaes anteriores tem-se:

1 t
it ) vt )dt
L
A corrente i depende da histria passada da tenso v memria.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
LIMITAES:
As bobinas no so ideais:
A resistncia do enrolamento no nula.
As bobinas so ms memrias pois devido resistncia a energia magntica rapidamente
dissipada.

Outros efeitos: capacidade entre espiras do enrolamento e perdas no


ncleo

ESPECIFICAES:
Valor nominal do coeficiente de induo L
Tolerncia do valor do coeficiente de induo: x% do valor nominal.
Corrente mxima suportada pela bobina.

SMBOLO:

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

22

Redes de 1
ordem
CIRCUITO RL SRIE

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

23

TCFE
INTERRUPTOR I1 LIGADO AO
TERMINAL a EM t=0
a

Equao do circuito
di
R iL VCC L L 0
dt
V
di
R
L iL CC
dt L
L

I1
a

VCC

iL

vR
L1

vL

Soluo desta equao:


Soma da soluo homognea com
a soluo forada tal como no
caso do circuito RC.

29 de Fevereiro de 2016

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

24

TCFE
Interruptor I1 ligado a a em
t=0
A soluo geral da equao
diferencial :
iL t ) A e

VCC / R

Deste modo:

A constante de tempo t dada


por:
t

29 de Fevereiro de 2016

Sendo = = tem-se:

L
R

iL t ) (iL 0 VCC / R ) e

VCC / R

A tenso dada por:


vL t ) ( VCC R iL 0 ) e

5 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

25

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
6 AULA TERICA

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Redes de 1 ordem: Circuito RC paralelo. Circuito RL paralelo.
Regime forado impulsivo.
Associao srie e paralelo: de condensadores; de bobinas.
O transformador.

Bibliografia (5 e 6 aula)

Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits,


Cap.9 e Cap. 10 (pgs. 503-525).
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos,
Cap.2 pgs.91-124.

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Redes de 1
ordem
CIRCUITO RC PARALELO

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Interruptor I1 ligado a a em
t=0:

A equao diferencial que


descreve o circuito :

v
dv
I CC C C C 0
R
dt
dv
v
I
C C CC
dt RC C

ICC

vC t A e

2 de Maro de 2016

C1
vC

Se a condio inicial vc(t=0)=V0


vem:

A soluo geral :

I1

R I CC

6 AULA TERICA

vC t (V0 R I CC )e

ANTNIO BAPTISTA

R I CC

Redes de 1
ordem
CIRCUITO RL PARALELO

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Interruptor I1 ligado a a em
t=0:
A equao diferencial que
descreve o circuito :
L diL
0
R dt
di
R
R
L iL I CC
dt L
L

I1
iL

a
ICC

L1

vL

I CC iL

Se a condio inicial iL(t=0)=iL0


vem:

A soluo geral :
iL t A e

2 de Maro de 2016

iL t (iL 0 I CC )e

I CC

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

I CC

Redes de 1
ordem
CIRCUITO RC SRIE EXCITAO IMPULSIVA

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Excitao: impulso rectangular

No flanco ascendente (1 ):

Admita-se = 0 = 01 .
Ento:
vC t (V01 VCC ) e

VCC

Admita-se = /2 = 02 .
Ento:
vC t V02 e

2 de Maro de 2016

t T / 2

a
a

No flanco descendente (1 ):

T/2 T

VCC

I1

R
vR
C

vC

T
t T
2

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Nas figuras encontram-se
representadas as tenses e
quando:
= 1 = 0,02 ou seja .

O que acontece quando ?
6
5
4

_
Srie1

Srie2

Srie3
, = 10

1
0
-1 0

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Elementos
Armazenadores
de Energia
ASSOCIAO SRIE E PARALELO DE CONDENSADORES
ASSOCIAO SRIE E PARALELO DE BOBINAS

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
ASSOCIAO PARALELO DE
CONDENSADORES

ASSOCIAO SRIE DE
CONDENSADORES
Da figura tem-se:
= 1
= 2

= 1 + 2

Atendendo relao corrente tenso num


condensador tem-se:

1
1

2
2

1
1

1
2

Da figura tem-se:

= 1 + 2
= 1 = 2

Atendendo relao corrente tenso num


condensador tem-se:

= 1

+ 2

= 1 + 2

Nota: Assume-se que os condensadores esto inicialmente sem carga eltrica.


2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
ASSOCIAO SRIE DE BOBINAS
Da figura tem-se:

Da figura tem-se:
= 1
= 2

= 1 + 2
= 1 = 2

Atendendo relao corrente tenso


numa bobina tem-se:

= 1

ASSOCIAO PARALELO DE
BOBINAS

+ 2

= 1 + 2

1
1

= 1 + 2

Atendendo relao corrente tenso numa


bobina tem-se:

1
1

2
2

1
1

1
2

Nota: Assume-se que inicialmente no existe corrente elctrica nas bobines.


2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

O Transformador
2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
O transformador :
Um elemento de circuito formado por pelo menos dois enrolamentos
ligados magneticamente entre si.
Na forma mais simples (2 enrolamentos) um dispositivo com dois portos.
Por conveno:
O porto onde est ligado um gerador designado por primrio.
O porto onde est ligada uma carga designado por secundrio.

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
O transformador converte:
Uma corrente associada a uma dada tenso numa corrente associada a
a outra tenso .

O smbolo de um transformador :
Transformador com
ncleo de ferro
1

Transformador com
ncleo de ar
2

Os dois pontos indicam que os enrolamentos esto dispostos como se fossem a


continuao um do outro:
os sentidos de referncia das correntes correspondem a sentidos de fluxo magntico concordantes.

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
EQUAES DO TRANFORMADOR

Das equaes (1) e (2) resulta:

Em meios lineares tem-se:


1 = 11 1 + 2
(1)
2 = 1 + 22 2

A tenso nos dois portos do


transformador dada por:
1
1 =

2
2 =

2 de Maro de 2016

di1
di
LM 2
dt
dt
di
di
v2 LM 1 L22 2
dt
dt
v1 L11

11 coeficiente de auto-induo
do enrolamento 1

22 coeficiente de auto-induo do

(2)

enrolamento 2

coeficiente de induo mtua

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
No transformador com ligao
magntica perfeita:

v1 v2

n1 n2
n1 n de espiras do enrolamento 1
n2 n de espiras do enrolamento 2

Tem-se ainda:

L11

n1
LM
n2

e L22

n2
LM
n1

O coeficiente de ligao magntica :

L2M
k
L11 L22
2

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

Um bom transformador tem:


Uma ligao magntica quaseperfeita.
Coeficientes de induo de valor
elevado.

O transformador ideal tem:


Uma ligao magntica perfeita.
Os coeficientes de induo tendem
para infinito permeabilidade
magntica m infinita.

As equaes do transformador, vistas


no diapositivo anterior, no se
aplicam ao caso ideal.

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
TRANSFORMADOR IDEAL

Modelo do transformador ideal

Num transformador ideal:


A energia que flui para um dos
portos do transformador aparece
instantaneamente no outro

1 1 + 2 2 = 0
1 2
=
1 2

Um transformador ideal no armazena


energia
Um transformador ideal no dissipa
energia

Neste modelo tem-se:

v1 t i1 t v2 t i2 t

2 de Maro de 2016

6 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
7 AULA TERICA

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Grandezas alternadas sinusoidais.
Regime forado sinusoidal: Conceito de impedncia.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.13
pgs.703-731.
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos, Cap.2
pgs.137-160.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
GRANDEZAS ALTERNADAS SINUSOIDAIS

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
GRANDEZAS ALTERNADAS
SINUSOIDAIS
Funo peridica: f(t)=f(t+T)
T perodo, o menor intervalo para o
qual a igualdade vlida.

Funo alternada: funo peridica


cujo valor mdio num perodo
nulo

f av

1
f t dt 0
TT

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

f(t)= fav + g(t) em que:


g(t) uma funo alternada
fav a componente contnua de f(t)

Funes sinusoidais:
Grandezas peridicas alternadas
importantes porque esto associadas a
fenmenos naturais e ao funcionamento
de sistemas bsicos.
Ex. variao da altura da mar ao longo
do dia, instrumentos musicais etc.

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
GRANDEZAS SINUSOIDAIS EM
ELECTROTECNIA
Muito importantes. Ex:
Na rede de produo, transporte e
distribuio de energia elctrica todas
as correntes e tenses so sinusoidais.
Nas telecomunicaes utilizam-se
frequentemente sinais sinusoidais.
No processamento de sinais utiliza-se
sistematicamente a anlise de Fourier
em que os sinais no sinusoidais so
representados por uma soma de
sinusides.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

Grandezas alternadas sinusoidais


Representam-se na forma:
ut U m cosw t a

Um amplitude
w = 2p / T frequncia angular
a fase na origem dos tempos.

a 0 grandeza em fase com a


origem do tempo
a > 0 grandeza em avano
a < 0 grandeza em atraso

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Desfasagem de duas grandezas sinusoidais da mesma frequncia

u1 t U m1 cosw t a1

u2 t U m 2 cosw t a 2

Conceito de desfasagem no aplicvel a sinais de frequncia


diferente.
Desfasagem: Df a1 - a2
Df 0 u1 e u2 esto em fase
Df > 0 u1 est em avano em relao a u2
Df < 0 u1 est em atraso em relao a u2
Df p/2 u1 e u2 esto em quadratura
Df p
u1 e u2 esto em oposio de fase

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
u1(t) em atraso em relao a u2(t)
1,5

1,5

u1(t)

u1(t)

0,5

u1(t)

u2(t)

0,5

0
0

0,002

0,004

0,006

0,008

0,01

u1(t)

u2(t)

u1(t) em avano em relao a u2(t)

0
0

-0,5

-0,5

-1

-1

-1,5

-1,5
t(ms)

0,004

0,006

0,008

0,01

t(ms)

a1 - a2> 0

a1 - a2 <0

7 de Maro de 2016

0,002

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
VALOR MDIO E VALOR EFICAZ
Como vimos o valor mdio de uma
grandeza alternada sinusoidal
nulo
no d informao sobre a amplitude da
grandeza.

O valor mdio do mdulo j d


informao:
uav

U ef

Um
1 2

u
t
dt

T T
2

O valor eficaz a grandeza mais


utilizada para caracterizar uma
grandeza sinusoidal.
Ex.
A tenso da rede de 230V valor eficaz
Os instrumentos de medida para corrente
alternada so sempre graduados em valor
eficaz.

1
2

u
t
dt

Um
T T
p

7 de Maro de 2016

O valor eficaz de uma grandeza


sinusoidal :

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
O valor eficaz a grandeza mais utilizada para caracterizar uma grandeza
sinusoidal. Porqu?
Porque ocorre em expresses de carcter energtico.
Ex. Numa resistncia a potncia de Joule :

p(t)=v(t)i(t)
O seu valor mdio num perodo :

= 2
2
=

O aquecimento da resistncia resultante da corrente sinusoidal :


O mesmo que seria produzido por uma corrente contnua de valor I=Ief.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
REPRESENTAO SIMBLICA DE GRANDEZAS
SINUSOIDAIS

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
Baseia-se na possibilidade de
estabelecer um correspondncia
biunvoca entre:

A representao simblica de u(t)


assim:
U e jw t U m e j w t a

U m cosw t a jU m senw t a

A classe das funes sinusoidais de uma


dada frequncia e o conjunto dos nmeros
complexos

Nestas condies:
u t U m cosw t a U U m e ja

ut Re U e jw t

U - amplitude complexa de u (t )

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
Diagrama vectorial de duas
amplitudes complexas
u1(t) em avano em relao
a u2(t)
Im

u1(t) em atraso em relao a


u2(t)
Im

_
U1
a1

Diagrama vectorial de duas


amplitudes complexas

_
U2
_
U2

a2

a2
0

a1
Re

a1 > a 2
7 de Maro de 2016

_
U1

Re

a1 < a2
7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
PROPRIEDADES DA
REPRESENTAO SIMBLICA

Linearidade

Mudana de escala

A combinao linear de 2
grandezas alternadas sinusoidais
com a mesma frequncia :

1 1 + 2 2 =

A funo 1 sofre:
Uma translao no tempo de 0
Uma mudana de escala devida ao fator A

3 = 1 + 0

= 1 1 + 2 2

3 = [ 0 1 t ]
A amplitude complexa de 3
assim dada por:
3 = 1 em que = 0

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
Derivao

Primitivao

A derivada de uma grandeza


alternada sinusoidal g(t) em notao
simblica :

Seja g(t) uma funo alternada


sinusoidal. A primitiva de g(t) em
notao simblica:

Daqui resulta:

Daqui resulta:

Concluso:
Ao operador no domnio do
tempo corresponde o operador no
domnio das amplitudes complexas.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

Concluso:
Ao operador no domnio do tempo
corresponde o operador 1 no
domnio das amplitudes complexas.

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
REDES COM EXCITAO
SINUSOIDAL
Considere-se uma rede linear e
invariante no tempo com excitao
sinusoidal. Assim:
As correntes e tenses na rede so
obtidas somando as respostas em
regime forado e em regime livre.

Regime livre
A resposta em regime livre atenua-se
com o tempo (redes estveis).
Consequncia:

Regime forado
A resposta em regime forado
sinusoidal com a mesma frequncia
da excitao.
A resposta em regime forado tem
de satisfazer as equaes da rede:
Leis de Kirchoff e relaes i-v dos
componentes da rede.

Ao fim de um tempo suficientemente longo a


resposta s contem a parcela correspondente
ao regime forado.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Como a representao simblica linear as equaes de Kirchoff so:
Funo das amplitudes complexas das correntes e tenses.

Consequncias:
A soma das amplitudes complexas das correntes num n nula

i
A soma das tenses ao longo de um caminho fechado nula

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
DESCRIO DOS COMPONENTES NO DOMNIO DAS AMPLITUDES
COMPLEXAS Conceito de impedncia
Resistncia

Condensador

Bobina

V
s relaes
I
7 de Maro de 2016

v R i
dv
iC C C
dt
di
vL L L
dt

V RI
I
Vc c
j wC
V l j wL I l

dos componentes chama-se impedncia.

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
Nos condensadores e bobines tem-se:
Condensador

p
Vc
1 -j2
Vc
ZC
ZC
e
jw C
Ic
wC

Bobine

p
j
Vl
Vl jw L I l Z L
ZL w Le 2
Il

Ic

No condensador a desfasagem entre a tenso e a corrente


/ tenso em atraso em relao corrente.
Na bobine a desfasagem entre a tenso e a corrente /
tenso em avano em relao corrente.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
A impedncia dada por:
Z= R+jX
Quando real, X=0, diz-se hmica pura ou resistiva pura.
Quando imaginria, R=0, diz-se reactiva pura.

Definem-se tambm as admitncias Y como:


Y= 1/Z
A admitncia o inverso da impedncia.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
EXEMPLO: Circuito RL srie
No circuito da figura
determinar:
A corrente recorrendo ao conceito de
impedncia.

Comparar o este mtodo com a resoluo


no domnio do tempo.

i
vR
+
vI
-

L1

vL

SOLUO
A equao diferencial que
descreve o circuito :
diL
0
dt
di
R
v
L iL I
dt L
L
R iL - v I L

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
REGIME FORADO SINUSOIDAL
DOMNIO DAS AMPLITUDES
COMPLEXAS

Sendo:

v I t Re Vi e jw t

Por aplicao das leis de Kirchoff


resulta:
Vi R jwL I

A soluo assim:
=

7 de Maro de 2016

Deste modo, passando para o


domnio do tempo, tem-se:
Vi e jw t
i t Re

R jw L
Vi

cos w t a i - a RL
2
2
R w L

onde

R j wL R 2 wL e j aRL
V i V i e j ai

7 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
REGIME FORADO SINUSOIDAL
DOMNIO DO TEMPO

COMPARAO DOS DOIS


MTODOS

Sendo:

No domnio das amplitudes


complexas:

vI Vi cos w t
A soluo pretendida deve ter a
forma:

iL I l cosw t a

A determinao de e
realizada:
Substituindo a soluo na equao
diferencial do circuito e resolvendo a
equao trigonomtrica resultante.

7 de Maro de 2016

7 AULA TERICA

A resoluo s exige a realizao


de operaes algbricas
processo simples.

No domnio do tempo:
A resoluo exige a soluo de uma
equao trigonomtrica
processo complicado.

ANTNIO BAPTISTA

22

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
8 AULA TERICA

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Regime forado sinusoidal:

Potncia em regime forado alternado sinusoidal.


Potncia activa e reactiva.
Potncia complexa.
Compensao do factor de potncia.

Exerccios.
Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.13 pgs.757767.
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos, Cap.2 pgs.144-160.

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
A POTNCIA EM REGIME ALTERNADO SINUSOIDAL

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Potncia em regime
alternado sinusoidal
Num sistema linear A a
potncia instantnea mede:
O fluxo de energia para o
interior de A
i
v

9 de Maro de 2016

Em regime alternado
sinusoidal tem-se:

v V cos t v

i I cos t i

A potncia instantnea, p,
assim:
p IV cos t v cos t i

I ef Vef cos v i cos 2t v i


I ef Vef cos cos 2t v i

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Durante parte do perodo T do sinal a potncia instantnea negativa o
sistema A fornece energia ao exterior.
Isto acontece porque A inclui elementos armazenadores de energia.

Num regime peridico para descrever o fluxo de energia usa-se a chamada


potncia activa, P:
1
P pt av v i dt
T T
Vef I ef cos
O termo cos() designa-se por factor de potncia.
O termo IefVef designa-se por potncia aparente.

p I ef V ef cos cos 2 t v i

A potncia instantnea oscila em torno do valor da potncia activa:

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
P pt av Vef I ef cos

POTNCIA ACTIVA
Quando cos()=0 ento:
A rede capacitiva pura se p/2
A rede indutiva pura se p/2
A potncia activa nula.

Quando cos()=1 ento:


A rede resistiva pura se 0.
A potncia activa positiva.

Numa rede s com resistncias,


bobines e condensadores tem-se:
A potncia activa sempre positiva rede
passiva.

Quando a potncia activa


negativa a rede activa.

A potncia instantnea sempre positiva


ou nula.

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
POTNCIA APARENTE
A potncia aparente dada por:
=
A potncia nominal de uma
mquina ou instalao elctrica
sempre a potncia aparente.
A potncia aparente dada em VA
(Volt Ampere)

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Ento e no se podem relacionar as potncias activa e aparente com as
amplitudes complexas?
Sim. Definindo:

v V1 cos t v V V1 e j v
i I1 cos t i I I1 e ji
A potncia complexa, , dada por:
V1 I1 e v i
V I
P
P

2
2
P Pa e j P Pa cos jsen
j

- potncia aparente

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
POTNCIA COMPLEXA

Potncia complexa :

P Pa cos jsen

O mdulo de :

P Pa

A parte real de :

ReP Pa cos Potncia activa!

A parte imaginria de :

ImP Pa sen Potncia reactiva!

Unidades:

9 de Maro de 2016

Volt Ampere reactivo (VAR)

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
R

COMPENSAO DO FACTOR DE
POTNCIA

Rede de distribuio de
energia

vR
+
avI

L1

vG

vL

As instalaes eltricas tm
um carcter indutivo
Descrevem-se atravs de um circuito RL
srie onde a resistncia r inclui:
A resistncia do gerador e da linha de
transporte de energia.

A potncia activa :
P Vef I ef cos

9 de Maro de 2016

As perdas por efeito de Joule em r


so:

P rI ef2

Se Vef for constante para uma


dada potncia til ento:
As perdas so mnimas com cos()=1.

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
Procedimento geral para obter o regime forado sinusoidal
Representar as funes do tempo (vs e is) em notao simblica.
Converter os elementos de circuito em impedncias (relao entre
amplitudes complexas).

Combinar as impedncias em srie e em paralelo para simplificar o circuito.


Determinar as amplitudes complexas das variveis pretendidas utilizando
os mtodos de anlise de circuitos.
Desenhar um diagrama vectorial para verificar os clculos e representar os
resultados.
Passar do domnio das amplitudes complexas para o do tempo.

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
EXEMPLO

Considere o circuito:
a

Calcule:

O cociente das amplitudes


complexas de e e de e
como funo da frequncia .

vL
R

vI

vR

Traar o grfico do mdulo (em


dB) e da fase, das relaes obtidas
anteriormente.

= 0,159, = 10, =
10 , = 2.

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
EXEMPLO
R

Calcule:

i
vR

+
vI
-

vC

= 10 , = 159,
= 10, = 1, = 2.

9 de Maro de 2016

8 AULA TERICA

A amplitude complexa da corrente i.


Represente graficamente vI (t) e i(t).
A corrente i est em atraso ou em
avano em relao a vI ?

A amplitude complexa das relaes


vR/vI e vC/vI.
Qual o valor do mdulo e da fase
destas relaes quando 0 e quando
.
As potncias instantnea, aparente,
activa e reactiva em vI.

ANTNIO BAPTISTA

13

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
9 AULA TERICA

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Circuito de 2 ordem: regime livre, regime forado sinusoidal e
regime transitrio.
Exemplo: Circuito RLC srie. Conceito de ressonncia.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.13
pgs.757-767.
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos, Cap.2
pgs.144-160.

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
REDES DE 2 ORDEM

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Rede que contm 2 elementos armazenadores de energia:
Dois condensadores
Duas bobinas
Um condensador e uma bobine
As variveis da rede so:
tenso nos condensadores
correntes nas bobines
Satisfazem equaes diferenciais de 2 ordem. H sempre duas condies iniciais.

Tal como nos circuitos de 1 ordem tem-se um regime transitrio que a soma
de duas componentes:
A componente de regime forado
Imposto pela excitao do circuito. Ex. fontes de tenso ou corrente constante, fontes sinusoidais
ou impulsivas.
A componente de regime livre
Correspondente soluo homognea, sem excitaes, da equao diferencial do circuito.

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
REDES ELTRICAS DE 2 ORDEM

As redes de 2 ordem so
descritas pela equao
diferencial:
2

2
+
2
+

=
0
2

REGIME LIVRE
O regime livre de uma rede de 2
ordem descrito pela soluo da
equao homognea:
2

+ 2
+ 02 = 0
2

A equao caracterstica
correspondente :
2 + 2 + 02 =0

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
A soluo da equao homognea
resultante assim:

Regime aperidico >


Se e so reais, negativas e diferentes:

= +

= 1 + 2

e so as razes da equao
caracterstica:

Regime aperidico limite =

= ( + ) 1

, =

Admita-se ainda que:


=

Se e so reais, negativas e iguais:

Regime peridico amortecido <


Se e so complexas conjugadas:

= +
Consoante os valores das razes a soluo
um dos quatro casos seguintes.

Regime peridico no amortecido =


Se e so imaginrias puras:

= 0 +

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
REGIME FORADO

REGIME TRANSITRIO

O regime forado depende do tipo O regime transitrio a soma das


de excitao.
solues do regime livre com o
regime forado.
Analisa-se o caso do regime
forado sinusoidal.

A soluo do regime livre depende dos


valores de .
A soluo forada do regime forado
sinusoidal sempre uma sinuside.
As constantes que caracterizam o regime
livre, A e B ou A e , so determinadas:
Impondo-se as condies iniciais.

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
EXEMPLO

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Regime livre

Considere o circuito:
a

C
vC

Determinar a tenso (t).

Regime Forado Sinusoidal

vL
R

vI

vR

= 0,1, = 1, = 5
= + 0 com =10V

Determinar a tenso (t).


Determinar o cociente das amplitudes
complexas de e como funo da
frequncia w.
Determinar o mdulo e a fase da
relao anterior quando we
quando w .
Determinar a condio de ressonncia.

Regime transitrio
Determinar a tenso (t).

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
CIRCUITO RLC SRIE

As equaes que descrevem o


circuito so:
-v I + v L + v C + v R = 0 (1)
iC - i L = 0
(2)
iL - iR = 0
(3)
v R = R iR
(4)
di
v L = L L (5)
dt
d vC
iC = C
(6)
dt

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

C iL

iC

a
vC

iR

vL
R

vI

vR

Das equaes anteriores resulta:


2

+
+
=
7
2

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
REGIME LIVRE

No caso presente tem-se:


=

= ,

Deste modo < e o regime


livre :
Um regime peridico amortecido.
= + com:
=

, rad/s

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
Regime Forado Sinusoidal

Deste modo tem-se:

A impedncia vista dos terminais aa :

= +

A amplitude complexa da corrente


assim:

= +

As amplitudes complexas das tenses


e so assim:
= +
=

9 AULA TERICA

A soluo forada da tenso


portanto:
=
=

2 +

14 de Maro de 2016

ANTNIO BAPTISTA

cos + 0 +

12

TCFE
Comportamento da relao (8) com a frequncia

Assim:

14 de Maro de 2016

Assim:

O mdulo da relao :

O argumento da relao (8) :

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
CONDIO DE RESSONNCIA
Anula-se a parte imaginria de Zeq:

=0

Esta a chamada frequncia de


ressonncia.
O valor mdio da energia magntica na
bobina igual ao valor mdio da energia
elctrica no condensador.

Na situao de ressonncia tem-se:


=
=1

No circuito em anlise:

=1

Quando > o circuito tem um


carcter indutivo.
Quando < o circuito tem um
carcter capacitivo.

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
REGIME TRANSITRIO

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Regime transitrio
A soluo correspondente ao regime transitrio a soma das solues do
regime livre e do regime forado.
=

+ +

+ +

As constantes A e so determinadas impondo-se as condies iniciais:


= ,

14 de Maro de 2016

9 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
10 AULA TERICA

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Concluso da anlise de redes lineares:
Maximizao da potncia transferida por uma fonte de energia para uma carga passiva.
Teorema da reciprocidade.

Anlise de redes no-lineares:

Introduo aos elementos no-lineares.


Solues analticas.
Solues grficas.
Solues aproximando as caractersticas no-lineares por modelos lineares por troos.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.4 at 4.3.
Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos 279-288.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
MTODOS DE ANLISE DE
CIRCUITOS
Mtodo bsico
Mtodo dos ns
Mtodo das malhas
Estes trs mtodos so vlidos para
circuitos lineares ou no-lineares

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

RESULTADOS VLIDOS PARA


CIRCUITOS LINEARES
Associao srie e paralelo de
impedncias e ou admitncias.
Circuitos divisores de tenso.
Circuitos divisores de corrente.
Maximizao da transferncia de
energia fornecida por uma fonte a
uma carga passiva.
Teorema da sobreposio.
Teorema de Thvenin-Norton.

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
MAXIMIZAO DA TRANSFERNCIA DE ENERGIA
FORNECIDA POR UMA FONTE A UMA CARGA
PASSIVA

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Considere-se o circuito A ligado a
uma impedncia de carga :
A

Sendo A descrito pelo circuito


equivalente de Thvenin tem-se:
a

Qual o valor de que maximiza


a potncia posta em jogo em ?

A transferncia mxima de
energia para verifica-se
quando:

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ANLISE DE REDES NO -LINEARES: INTRODUO

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Um circuito no-linear um circuito que contm pelo menos um
elemento cuja caracterstica corrente-tenso no linear.
Todos os mtodos j estudados podem ser aplicados anlise destes
circuitos excepto:
Teoremas da sobreposio e de Thvenin-Norton.

Nos pontos seguintes para ilustrar a anlise de circuitos com elementos


no lineares recorre-se aos seguintes elementos:
Dodo de juno semicondutor
Dispositivo em que a relao corrente-tenso parablica.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
DODO DE JUNO
SEMICONDUTOR
A expresso analtica que relaciona
a corrente e a tenso :

iD I iS (e

vD
h vT

Caracterstica corrente tenso do


dodo

1) vD vDdisr

0,02

iD(A)

0,015
0,01

, h , e so parmetros.

0,005

Vdisr
-1,5

vD(V)

0
-1

O smbolo do dodo :

-0,5

-0,005

0,5

-0,01

iD

-0,015
-0,02
Dodo real

vD
16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
DISPOSITIVO COM
CARACTERSTICA PARABLICA

Admite-se que o dispositivo tem a


seguinte caracterstica:

i D K v D2

vD 0

iD 0

vD 0

O parmetro K positivo.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ANLISE DE CIRCUITOS NO -LINEARES: EXEMPLOS

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
EXEMPLO 1: CLCULO DE
SOLUES ANALTICAS E GRFICAS

Considere-se o circuito da figura


em que o elemento no-linear tem
uma caracterstica
parablica. Nestas condies:

R
i1
i0

Calcule analiticamente e
utilizando:
O mtodo bsico de anlise de circuitos.

v0

+
V
-

v1

iD

vD

O mtodo dos ns.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
Mtodo bsico de anlise de circuitos
As equaes caractersticas dos elementos do circuito so:

v0 V

(1)

v1 Ri1

(2)

iD k vD2 (3)
As equaes De Kirchoff das tenses e correntes so:

v0 v1 vD 0 (4)
i0 i1 0 (5)
i1 iD 0 (6)
Assim tem-se:

16 de Maro de 2016

V vD
k vD2 0
R
10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
As solues possveis so:

Admitindo que k=2, R=750W e


V=1,5V tem-se graficamente:
2

A soluo negativa, vD2 , no


possvel, pois vD0V.

5
4,5
4
3,5
3
2,5

iD(mA)

vD1,2

1
1
1



2kR
2kR kR

2
1,5
1
0,5

0
-2

-1

-0,5

vD(V)

Caracterstica de Rnl

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

Eq. topolgica

13

TCFE
Mtodo dos ns
Com o mtodo dos ns, como
0 =V, escreve-se:
0
No n 1

1
+ 12 = 0

i1

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

v1

i0

Esta equao tem uma soluo


igual obtida anteriormente.

+
V
-

ANTNIO BAPTISTA

e0

e1

iD

vD

14

TCFE
E se no mesmo circuito o
elemento no- linear for um
dodo?

Vamos admitir que:


I iS 10 12 A ,h 1, vT 25 10 3 ,V 5V , R 1kW

vD

vD V
I iS (ehvT 1) 0
R

vD V
iD 0
R
iD I iS (e

16 de Maro de 2016

vD
hvT

1)

1,6E-02

1,2E-02

iD(A)

Esta equao transcendente tem


de ser resolvida numericamente ->
no existe soluo analtica. E
grfica?
Escrevem-se as equaes (1) e (2) e
representam-se graficamente.

2,0E-02

8,0E-03

4,0E-03

-2

0,0E+00
-1
0

-4,0E-03

(1)

vD(V)

(2)
10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Resoluo numrica

A partir das equaes (1) e (2)


admitindo como aproximao
inicial = 0 tem-se:
Aproximao inicial

2 Iterap
iD

(1) vD 2 hvT ln 1 0, 68V


IS

V vD
(2) iD 2
4,32mA
R
1,00E-02

vD 0 0V
V vD
5mA
R

1 Iterap
i

(1) vD1 hvT ln D 1 0, 69V


IS

V vD
(2) iD1
4,31mA
R
16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

5,00E-03

iD(A)

(2) iD 0

0,00E+00
0

-5,00E-03
Caracterstica do dodo

ANTNIO BAPTISTA

vD(V)
Eq. topolgica

16

TCFE
ANLISE DE CIRCUITOS COM UM S ELEMENTO
NO-LINEAR

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
Como resolver um circuito com um dispositivo no-linear e vrias fontes
e resistncias?
Por exemplo o circuito da figura seguinte?

iD

+ vD -

R1
+
V
-

R2

R3
I
i3

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
As tcnicas de anlise de redes lineares a saber:
Teorema da sobreposio.
Teoremas de Thvenin e Norton.

no podem ser aplicados ao circuito completo.

Mas existindo um s elemento no-linear possvel :


Representar o circuito visto pelo elemento no-linear pela sua rede equivalente de Norton
ou Thvenin.
Calcular a partir da a corrente e a tenso no elemento no-linear.
Calcular todas as correntes e tenses do circuito.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
Soluo analtica:
Se possvel calcula-se:

Assim no circuito anterior:

R1
+- V

b
R2

i D e vD
Posteriormente as outras correntes e
tenses de interesse.

R3

i3

Soluo grfica:
Obtm-se a soluo grfica para iD e vD.

Calcula-se o equivalente de Thvenin


visto dos terminais bb.

Obtm-se analiticamente as restantes


correntes e tenses de interesse.

b
RTH
VTH +-

iD

vD
b

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
Redes no-lineares

A soluo analtica nem sempre


possvel.
A soluo grfica :
Possvel com um elemento nolinear.
Com mais do que um elemento
no-linear, depende das redes
consideradas.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

Como ultrapassar as dificuldades


vistas no mtodo analtico?
Ideia Chave: Linearizar as
caractersticas i-v dos elementos
no-lineares.
Dois mtodos:
Anlise linear por troos.
Modelo incremental

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
Anlise linear por troos: exemplo com um dodo semicondutor
Aproxima-se a caracterstica no-linear do dispositivo por um conjunto
de segmentos de recta:
Resolve-se um conjunto de equaes lineares para cada segmento de recta.
Modelos eltricos:
3,0E-02
Dodo com tenso
constante

Dodo ideal

2,5E-02
2,0E-02

vD

iD

Dodo real

1,5E-02

iD(A)

iD

Dodo com tenso


constante

1,0E-02

vD

Dodo ideal

5,0E-03

-1,5

-1

0,0E+00
-0,5
0
-5,0E-03

0,5

vD(V)

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

22

TCFE
EXEMPLO

Calcule analiticamente e
admitindo:

b
R

O modelo ideal para a


caracterstica do dodo.

VI

Que R=1kW e considerando os


casos = e e ainda
= .

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

+
-

iD

vD
b

ANTNIO BAPTISTA

23

TCFE
Equao do circuito

vI RiD vD 0

1,0E-02

8,0E-03

Modelo do dodo
vD<0V ID=0A
vD=0V ID 0A

iD(A)

6,0E-03

4,0E-03

2,0E-03

O dodo est em polarizao


inversa, vD<0V vD=vI

0,0E+00
-1

-0,5

0,5

-2,0E-03

O dodo est em polarizao


directa, vD=0V iD=(vI-vD)/R

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

vD(V)

Caracterstica do dodo

ANTNIO BAPTISTA

Modelo ideal

24

TCFE
=

Graficamente
tem-se:
6
4

<

= e

= 0

vI(V)

2
0
0

-2
-4

>

= 0 e

-6

wt(rad)

6
5

= 5

iD(mA)

3
2
1
0
-1
16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

4
wt(rad)

25

TCFE
Resumo

Mtodos de resoluo de circuitos no-lineares:


Mtodo analtico
Em circuitos com um s elemento no-linear:
- O teorema de Thvenin-Norton pode ser utilizado para simplificar o
circuito linear visto dos terminais do elemento no-linear.
Mtodo de linearizao por troos
A caracterstica do dispositivo no-linear descrita por um conjunto de
segmentos de recta.
As equaes de circuito so resolvidas para cada segmento de recta.
Mtodo grfico.

16 de Maro de 2016

10 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

26

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
11 AULA TERICA

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Anlise de redes no-lineares:
Anlise incremental

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.4.

Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos pgs. 319-324.

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ANLISE DE REDES NO-LINEARES

ANLISE LINEAR POR TROOS

Como ultrapassar as dificuldades


vistas no mtodo analtico?

Aproxima-se a caracterstica nolinear dos dispositivos por um


conjunto de segmentos de reta:

Ideia Chave: Linearizar as


caractersticas i-v dos elementos
no-lineares.

Resolve-se um conjunto de
equaes lineares para cada
segmento de reta.

Dois mtodos:
Anlise linear por troos.
Modelo incremental

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
At agora temos trabalhado com sinais contnuos ou
variveis no tempo.
A possibilidade de introduzir simultaneamente sinais
contnuos e variveis num dado circuito leva-nos a
introduzir a seguinte conveno:
As variveis num circuito so representadas por:
vA =VA + va
iA =IA + ia
vA, iA a tenso ou corrente total
VA,IA a componente contnua da tenso ou corrente total
va,ia a componente varivel no tempo da tenso ou corrente
total

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ANLISE DE REDES NO-LINEARES:
ANLISE INCREMENTAL

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
H muitas aplicaes em
eletrnica em que:
Os elementos de circuito nolineares operam numa gama de
valores de corrente e tenso muito
pequena.

Ao processo de linearizao dos


modelos nessa gama restrita de
valores chama-se:
Anlise incremental ou de
pequenos sinais.

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

Exemplo: dodo

Aproximao analtica
=

va

VA

Expresso complicada.
O modo como varia no
aparente.
= com = 1
=0,59V

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Graficamente observe-se a pequena variao do sinal em torno de vD=0,59V
e a variao de corrente correspondente.
Dodo
3,0E-02
2,5E-02

id

iD(A)

2,0E-02

1,5E-02
1,0E-02

ID~17mA

5,0E-03

0,0E+00
0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

vD(V)

VD=0,59V
28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Soluo
Desenvolver iD(vD) em srie de Taylor em torno de VD.

iD
iD (vD ) I D
vD

vD VD

vD VD

1 2iD

2! vD2

vD VD

vD VD

...

Lineariza-se a equao desprezando os termos de ordem superior primeira

iD (vD ) I D

iD
vD

iD (vD ) I D
id

28 de Maro de 2016

iD
vD

vD VD

vD VD

iD
vD

vD VD

vD VD

vD VD

vd

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
a condutncia
incremental:

Deste modo:

iD
id (vD )
vD

vD VD vd

g d vd

Relaciona a variao de corrente


com a variao de tenso.
No dodo dado por:
gd

Interpretao do resultado:

vD

id
gd

iD
vD

vD

vT
1)
I S (e

vD VD

vd

I S DvT

e
vT

28 de Maro de 2016

vD VD

11 AULA TERICA

ID IS
vT

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Interpretao grfica do modelo incremental

Reta de declive

Dodo

Reta de declive
3,0E-02

2,5E-02

iD(A)

2,0E-02
1,5E-02
1,0E-02

5,0E-03
0,0E+00
0

0,1

0,2

0,4

0,3
vD(V)

0,5

0,6

0,7

Ponto de funcionamento em repouso (P.F.R.) ID, VD


28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
DOMNIO DE VALIDADE DO
MODELO INCREMENTAL

O cociente c do 2 e 3 termo
da srie :

1
vd 1
2 vT

1 2 f
2
v
v V
d
2! vD2 D D
c
f
v V vd
vD D D
1

vd
2 vT

28 de Maro de 2016

Deste modo o modelo vlido


se:
vd 2 vT

Para T=293K tem-se:


50

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
O mtodo sistemtico para determinar as tenses e correntes
incrementais num circuito :
Determinar o ponto de funcionamento em repouso do circuito.
Anulam-se as fontes de tenso e ou corrente variveis no tempo.
Obtm-se a soluo por qualquer um dos mtodos j vistos, analtico, grfico,
ou linear por troos.

Determinar o modelo incremental dos elemento no-lineares.


Construir o circuito incremental:
Anulam-se todas as fontes independentes contnuas.
Substituem-se os elementos no-lineares pelos seus modelos incrementais.
Obtm-se a soluo utilizando os mtodos aplicveis a circuitos lineares.
As tenses e correntes totais so a soma dos valores obtidos no clculo do
ponto de funcionamento em repouso e na anlise incremental.

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
EXEMPLO

Considere o circuito da figura.


Calcule o ponto de funcionamento
em repouso (P.F.R.).
O cociente de variaes
incrementais .
Dados: R=1kW, A=20mV, VA=5V, IiS=1pA,
vT=25mV, =1, = .

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE

EXEMPLO
Considere o circuito da figura em
que:
O dodo fora da disrupo descrito
pelo modelo (1).
Na disrupo = qualquer
que seja o valor da corrente.

Admita que =10V ou -10V. Assim:

Determine o intervalo de valores de R


para que a potncia mxima no
dodo, , no seja ultrapassada.
Tem disponveis resistncias R com
potncias mximas de 500mW , 1W,
2W. Qual escolheria?

28 de Maro de 2016

11 AULA TERICA

1 (1)

VDISR 5V
PD max 100mW
1, 6, I S 3nA

ANTNIO BAPTISTA

14

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
12 AULA TERICA

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Anlise de redes no-lineares:
Concluso
Resoluo de exerccios.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap.4.

Introduo aos Circuitos Elctricos e Electrnicos pgs. 319-324.

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ASSOCIAO SRIE DE DODOS

Se os dodos forem todos iguais


tem-se:

= 1 + 2 +3

+1

Deste modo:
=

Como se generaliza este resultado


para n dodos?

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
ASSOCIAO PARALELO DE
DODOS

Se os dodos forem todos iguais


tem-se:

= 1 + 2 +3
=

1 2 3

Como se generaliza este resultado


para n dodos?
H algum risco de ligar os dodos
em paralelo?

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
EXEMPLO

Considere o circuito da figura.


Calcule o ponto de funcionamento
em repouso (P.F.R.).
O cociente de variaes
incrementais .
Dados: R=1kW, A=20mV, VA=5V, IiS=1pA,
vT=25mV, h=1, = .

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE

CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIAONDA

Considere o circuito da figura.


Determine:
a) A caracterstica .
b) Determinar o valor mximo da
corrente .
c) Represente graficamente as
tenses , .

= , = 10
= 2 50 , = 100
3,0E-02
2,5E-02
2,0E-02
1,5E-02

iD(A)

Admita que:
O dodo descrito pelo modelo de um
dodo com tenso constante com dois
troos e = , .

1,0E-02
5,0E-03
0,0E+00
-2

-1

-5,0E-03
vD(V)

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE

EXEMPLO
Considere o circuito da figura em
que:
O dodo fora da disrupo descrito
pelo modelo (1).
Na disrupo = qualquer
que seja o valor da corrente.

Admita que =10V ou -10V. Assim:

Determine o intervalo de valores de R


para que a potncia mxima no
dodo, , no seja ultrapassada.
Tem disponveis resistncias R com
potncias mximas de 500mW , 1W,
2W. Qual escolheria?

30 de Maro de 2016

12 AULA TERICA

1 (1)

VDISR 5V
PD max 100mW
h 1, 6, I S 3nA

ANTNIO BAPTISTA

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
13 AULA TERICA

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Os semicondutores. Resistncias semicondutoras.
Os transstores de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(TECMOS)
Estrutura.
Caractersticas estacionrias. Modelos de base fsica e lineares por troos.

TECMOS - Em ingls MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect


transistor

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap. 7.1,7.2 e 7.3.
Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Cap. 2.1 e 2.2.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Os elementos de circuito bsicos nos circuitos
electrnicos so:
Transstores de efeito de campo MOS
Transstores bipolares de juno.

Os transstores so realizados com


semicondutores.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
SEMICONDUTORES

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
SEMICONDUTORES ELEMENTARES

Ex. Si e Ge
Si semicondutor de maior
importncia em electrnica.

A estrutura cristalina tetradrica


e as ligaes so covalentes.

Os semicondutores elementares:
Pertencem coluna 4 da tabela
peridica tm 4 electres de
valncia
Se T=0 K no h electres livres.
Se T=300K alguns electres libertamse: electres livres.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Energia necessria para quebrar
uma ligao covalente no Si:

Nesta situao:
Buraco com carga positiva na banda de
valncia.
Electro livre com carga negativa na
banda de conduo.
Tanto os electres livres como os buracos
contribuem para a conduo de corrente
elctrica.
Os electres e os buracos deslocam-se em
direes contrrias sob a ao de um
campo eltrico.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

Nos semicondutores a
condutividade elctrica s dada
por:
= +
n densidade de carga mvel negativa,
electres.
p densidade de carga mvel positiva,
buracos.
- mobilidade dos buracos
Descreve a maior ou menor facilidade
com que os buracos se deslocam no
semicondutor considerado.
- mobilidade dos electres
Descreve a maior ou menor facilidade
com que os electres se deslocam no
semicondutor considerado.

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Os semicondutores podem ser:
Intrnsecos Semicondutores puros
sem impurezas na sua estrutura
cristalina.

tomo de silcio

Impureza dadora

(P ou As)

= =

Electro extra

Extrnsecos introduz-se de uma


forma controlada impurezas de
substituio nos semicondutores.
A condutividade controlada pela densidade
de impurezas ionizadas.
As impurezas podem ser:
Dadoras semicondutor tipo n
Aceitadoras semicondutor tipo p

Impureza Aceitadora

(B)

Exemplos: Silcio dopado com fsforo


ou arsnio, Silcio dopada com boro

buraco
4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Nos semicondutores as densidades de portadores relacionam-se com
densidades de impurezas por:
Equao de neutralidade elctrica
= +

Relao entre as densidades de electres e buracos na situao de


equilbrio termodinmico
= 2
Nota: As impurezas de substituio esto praticamente todas ionizadas a temperaturas
superiores a 150K
A densidade intrnseca tem uma variao com a temperatura dada por:
=

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Os semicondutores:
Tipo p impurezas aceitadoras, densidade . Quando ionizadas tm carga
negativa (capturam um electro livre da rede cristalina) e se:
ento , 2 /

Tipo n - impurezas dadoras, densidade . Quando ionizadas tm carga


positiva (libertam um electro, criam um electro livre na rede cristalina) e
se:
+ ento +, 2 /+

Assim possvel criar num mesmo cristal uma regio tipo p e outra
tipo n. Os dodos e transstores so assim construdos.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Resistncia semicondutora
Semicondutor silcio = 1016 3 , = 0,1352 1 1 , = 0,0482 1 1 .
Semicondutor germnio = 2,4 1019 3 ,
= 0,42 1 1 , = 0,22 1 1 .

Equaes:
=

= +

2 = + 3

= 2 4

h
S
c

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
Semicondutores elementares: Ex. Si, Ge

Semicondutores compostos (binrios): Ex. SiGe, SiC, GaAs, InSb, ZnS,


GaP, InAs
Propriedades da conduo elctrica em semicondutores:
Semicondutor puro (sem impurezas) A condutividade varia
exponencialmente com a temperatura.
Semicondutor com impurezas
A condutividade tem uma grande variao com a densidade de impurezas, pode variar vrias
ordens de grandeza.

A variao com a temperatura, T, deixa de ser exponencial e no limite semelhante dos


metais ( ).

A condutividade alterada pela incidncia de luz ou por feixes de electres


de alta energia ou por injeo de portadores a partir de um contacto.

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO MOS

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
Transistores de efeito de campo MOS
H 4 tipos de TECMOS
D

D
B

G
S

Canal n
Reforo

G
S

Canal n
Depleo

Canal p
Reforo

Canal p
Depleo

D dreno, G porta, S fonte, B - substrato

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
Estrutura bsica de um TECMOS canal n
Porta SiO2
Isolante elctrico
Fonte - Si
Semicondutor tipo n

S
iS

G
iG

iD

Dreno - Si
Semicondutor tipo n

Dielctrico
Substrato de Si
Semicondutor tipo p

(Isolante)
Metal
Condutor

iG@0A, iD=iS

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

14

TCFE
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TECMOS

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Princpio de funcionamento de um TECMOS
vDS
Fonte - Si
Semicondutor tipo n

vGS

Dreno - Si
Semicondutor
tipo n

vGS>Vt
Substrato de Si
Semicondutor tipo p

Comporta-se como uma resistncia

4 de Abril de 2016

vDS=0V
Aparece um canal de electres
entre o dreno e a fonte
Canal de largura uniforme

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
Princpio de funcionamento do TECMOS canal n
vDS

vGS

vGS>Vt
vDS>0V
H corrente elctrica entre o dreno
e a fonte
Quando vDS aumenta o canal de
electres:

Substrato de Si
Semicondutor tipo p

Estreita junto ao dreno


Resistncia do canal aumenta
O canal estrangula junto ao dreno para
vDS=vDSsat

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
Princpio de funcionamento do

TECMOS

vDS

vGS

vGS>Vt
D

Substrato de Si
Semicondutor tipo p

vDS>vDSsat
H corrente elctrica entre o
dreno e a fonte
iD mantm-se
aproximadamente constante
Zona de saturao

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
Seco transversal de um circuito integrado CMOS
Extrada de Microelectronic Circuits, Sedra/Smith

xido
da porta

n+

Polisilcio
ou metal

(isolamento)
n+

Camada n
Substrato tipo p

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
CARACTERSTICAS CORRENTE TENSO REAIS DO
TECMOS
MODELO SIMPLIFICADO

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
Curvas caractersticas experimentais

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
Modelo simplificado aproximao linear por troos

vGS=5V - Para vDS>3V iD@constante, vDS<3V iD vDS

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

22

TCFE
Modelo simplificado vGS=5V
vDS<3V Zona de no
saturao ou trodo
TECMOS descrito por uma
resistncia
vDS>3V Zona de saturao
TECMOS descrito por uma
fonte de corrente

Modelo elctrico
D
rDS
S

rDS declive da recta tangente


caracterstica em iD=0A vDS=0V

D
I
S

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

23

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO: VGS=5V

vDS<3V Zona de no
saturao ou trodo
TECMOS descrito por uma
resistncia.

MODELO ELTRICO
D

S
declive da recta tangente
caracterstica em = 0 e = 0

vDS>3V Zona de saturao


TECMOS descrito por uma
fonte de corrente

D
I
S

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

24

TCFE
MODELO BSICO DO TECMOS

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

25

TCFE
Trs regies de funcionamento: corte (a), no-saturao ou trodo (b),
saturao (c).
0

iD A vGS Vt vDS vDS 2 / 2

2
A vGS Vt / 2

vGS Vt

vDS vGS Vt

a
b

vGS Vt

vDS vGS Vt

vGS Vt

( - tenso de limiar)
O modelo vlido para todos os tipos de TECMOS com os sentidos de
referncia das tenses e correntes indicados na figura abaixo.

G
vGS

4 de Abril de 2016

vDS

G
vGS

13 AULA TERICA

iD

iD

iD

iD

vDS

G
vSG

ANTNIO BAPTISTA

vSD

G
vSG

vSD

26

TCFE
Caractersticas ID-VGS|VDS=cte
MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V
0,035
0,03

iD(A)

0,025
0,02

vDS=5V

0,015

vDS=3V

0,01

0,005
0
0

10

12

vGS(V)
4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

27

TCFE
Caractersticas ID-VDS|VGS=cte
MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V
0,012

Zona de nosaturao ou
trodo

0,01

iD(A)

0,008

Zona de
saturao

Vgs=5V
Vgs=4V

Vgs=3V

0,006

Vgs=2V

0,004

Vgs=Vt

0,002

Lim. Sat.

0
0

vDS(V)

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

10

12

Zona de corte

ANTNIO BAPTISTA

28

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO OBTIDO A PARTIR DO
MODELO BSICO

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

29

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO
Aproxime-se a caracterstica por
uma recta para vDS<<vGS-Vt

Zona de no-saturao
Aproximao
linear

Quando vDS<<vGS-Vt

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

0,012
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
Vgs=2V
Vgs=Vt
Srie6

0,01

iD(A)

0,008
0,006

0,004
0,002

0
0

10

v DS
i D AvGS Vt v DS

@ A vGS Vt v DS

15

A aproximao linear :

vDS(V)

v DS
rDS

com rDS

A vGS Vt

S
4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

30

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO

Zona de Saturao

Quando vDS>vGS-Vt

Corrente
constante

A corrente :
iD

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

iD(V)

0,012
0,01

Vgs=5V

0,008

Vgs=4V
Vgs=3V

0,006

A corrente constante
com .
D

Vgs=2V

0,004

Vgs=Vt

0,002

Series6

0
0

10

12

A
2
I vGS Vt
2

vDS(V)

4 de Abril de 2016

A
v GS Vt 2
2

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

31

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO
Aproximao
linear

Zona de no-saturao

vGS Vt e vDS vGS Vt

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V


0,012
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
Vgs=2V
Vgs=Vt
Srie6

0,01

iD(A)

0,008
0,006

0,004
0,002

0
0

10

15

vGS

vDS

rDS

Zona de saturao

vGS Vt e vDS vGS Vt

vDS(V)

Fronteira sat-no sat.


vDS=vGS-Vt

v
i D DS
rDS

A
2
I D vGS Vt
2

vGS

ID vDS
S

4 de Abril de 2016

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

32

Teoria dos Circuitos e Fundamentos


Electrnica

TCFE
MESTRADOS EM ENGENHARIA AEROESPACIAL E FSICA
TECNOLGICA
14 AULA TERICA

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Sumrio
Os transstores de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(TECMOS): concluso.
Os amplificadores:

A amplificao de sinais.
Acoplamento de sinais de e para os amplificadores.
As caratersticas principais de um amplificador.
Amplificador de fonte comum.

Bibliografia
Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits, Cap. 7.1,7.2 e 7.3.
Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Cap. 2.1 e 2.2.

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO MOS

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Transistores de efeito de campo MOS
H 4 tipos de TECMOS
B

G
vGS

vDS

Canal n
Reforo > 0

G
vGS

iD

iD

iD

iD

vDS

vSG

Canal n
Depleo < 0

vSD

Canal p
Reforo > 0

G
vSG

Canal p
Depleo < 0

D dreno, G porta, S fonte, B - substrato

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

vSD

TCFE
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TECMOS

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Princpio de funcionamento de um TECMOS
vDS
Fonte - Si
Semicondutor tipo n

vGS

Dreno - Si
Semicondutor
tipo n

vGS>Vt
Substrato de Si
Semicondutor tipo p

Comporta-se como uma resistncia

6 de Abril de 2016

vDS=0V
Aparece um canal de electres
entre o dreno e a fonte
Canal de largura uniforme

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Princpio de funcionamento do TECMOS canal n
vDS

vGS

vGS>Vt
vDS>0V
H corrente elctrica entre o dreno
e a fonte
Quando vDS aumenta o canal de
electres:

Substrato de Si
Semicondutor tipo p

Estreita junto ao dreno


Resistncia do canal aumenta
O canal estrangula junto ao dreno para
vDS=vDSsat

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Princpio de funcionamento do

TECMOS

vDS

vGS

vGS>Vt
D

Substrato de Si
Semicondutor tipo p

vDS>vDSsat
H corrente elctrica entre o
dreno e a fonte
iD mantm-se
aproximadamente constante
Zona de saturao

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
CARACTERSTICAS CORRENTE TENSO REAIS DO
TECMOS
MODELO SIMPLIFICADO

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

TCFE
Curvas caractersticas experimentais

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

10

TCFE
Modelo simplificado aproximao linear por troos

vGS=5V - Para vDS>3V iD@constante, vDS<3V iD vDS

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

11

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO: VGS=5V

vDS<3V Zona de no
saturao ou trodo
TECMOS descrito por uma
resistncia.

MODELO ELTRICO
D

S
declive da recta tangente
caracterstica em = 0 e = 0

vDS>3V Zona de saturao


TECMOS descrito por uma
fonte de corrente

D
I
S

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

12

TCFE
MODELO BSICO DO TECMOS

8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

13

TCFE
Trs regies de funcionamento: corte (a), no-saturao ou trodo (b),
saturao (c).
0

iD A vGS Vt vDS vDS 2 / 2

2
A vGS Vt / 2

vGS Vt

vDS vGS Vt

a
b

vGS Vt

vDS vGS Vt

vGS Vt

( - tenso de limiar)
O modelo vlido para todos os tipos de TECMOS com os sentidos de
referncia das tenses e correntes indicados na figura abaixo.

G
vGS

8 de Abril de 2015

vDS

G
vGS

13 AULA TERICA

iD

iD

iD

iD

vDS

G
vSG

ANTNIO BAPTISTA

vSD

G
vSG

14

vSD

TCFE
Caractersticas ID-VGS|VDS=cte
MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V
0,035
0,03

iD(A)

0,025
0,02

vDS=5V

0,015

vDS=3V

0,01

0,005
0
0

10

12

vGS(V)
8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

15

TCFE
Caractersticas ID-VDS|VGS=cte
MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V
0,012

Zona de nosaturao ou
trodo

0,01

iD(A)

0,008

Zona de
saturao

Vgs=5V
Vgs=4V

Vgs=3V

0,006

Vgs=2V

0,004

Vgs=Vt

0,002

Lim. Sat.

0
0

vDS(V)

8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

10

12

Zona de corte

ANTNIO BAPTISTA

16

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO OBTIDO A PARTIR DO
MODELO BSICO

8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

17

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO
Aproxime-se a caracterstica por
uma recta para vDS<<vGS-Vt

Zona de no-saturao
Aproximao
linear

Quando vDS<<vGS-Vt

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

0,012
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
Vgs=2V
Vgs=Vt
Srie6

0,01

iD(A)

0,008
0,006

0,004
0,002

0
0

10

v DS
i D AvGS Vt v DS

@ A vGS Vt v DS

15

A aproximao linear :

vDS(V)

v DS
rDS

com rDS

A vGS Vt

S
8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

18

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO

Zona de Saturao

Quando vDS>vGS-Vt

Corrente
constante

A corrente :
iD

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

iD(V)

0,012
0,01

Vgs=5V

0,008

Vgs=4V
Vgs=3V

0,006

A corrente constante
com .
D

Vgs=2V

0,004

Vgs=Vt

0,002

Series6

0
0

10

12

A
2
I vGS Vt
2

vDS(V)

8 de Abril de 2015

A
v GS Vt 2
2

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

19

TCFE
MODELO SIMPLIFICADO
Aproximao
linear

Zona de no-saturao

vGS Vt e vDS vGS Vt

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V


0,012
Vgs=5V
Vgs=4V
Vgs=3V
Vgs=2V
Vgs=Vt
Srie6

0,01

iD(A)

0,008
0,006

0,004
0,002

0
0

10

15

vGS

vDS

rDS

Zona de saturao

vGS Vt e vDS vGS Vt

vDS(V)

Fronteira sat-no sat.


vDS=vGS-Vt

v
i D DS
rDS

A
2
I D vGS Vt
2

vGS

ID vDS
S

8 de Abril de 2015

13 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

20

TCFE
MODELO INCREMENTAL DO TECMOS

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

21

TCFE
Modelo incremental do TECMOS
Desenvolvendo a caracterstica = ( , ) em srie de Taylor obtmse:

iD (vGS , vDS ) I D

iD
vGS

P . F . R . (vGS VGS )

id g m vgs g ds vds

gm

iD
vDS

P.F .R.

(vDS VDS ) ...

gds

O circuito incremental do transstor MOS e os seus parmetros nas regies


de saturao e no-saturao so assim:
Saturao
=

No-saturao
=

=
6 de Abril de 2016

=
14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

S
22

TCFE
Caractersticas ID-VGS|VDS=cte
P.F.R.

MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

0,035
0,03

i D(A)

0,025

0,02

vDS=5V

0,015
0,01
0,005
0

6 de Abril de 2016

10

12

vGS(V)

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

23

TCFE
Caractersticas ID-VDS|VGS=cte
MOSFET - A=1mA/(V*V) Vt=1V

P.F.R.
0,012

Zona de nosaturao ou
trodo

0,01

iD(A)

0,008

Zona de
saturao

Vgs=5V
Vgs=4V

Vgs=3V

0,006

Vgs=2V

0,004

Vgs=Vt

0,002

Lim. Sat.

0
0

= 0

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

vDS(V)

10

12

Zona de corte

ANTNIO BAPTISTA

24

TCFE
AMPLIFICADORES

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

25

TCFE
O circuito eletrnico bsico :
O amplificador.

Os elementos chave de um amplificador so:


Os transstores.
Mas o que a amplificao? Quais as suas
vantagens?
6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

26

TCFE
A AMPLIFICAO DE SINAIS

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

27

TCFE
A amplificao de sinais

Amplificar sinais, porqu?


A amplificao compensa a atenuao introduzida pelo canal de
comunicao.
A amplificao a chave para a tolerncia ao rudo nos sistemas de
comunicao.
Transmissor

Canal de comunicao

Receptor

~1mV

Rudo
Transmissor

Canal de comunicao
Amplificador

6 de Abril de 2016

~10mV

14 AULA TERICA

Receptor

Rudo
ANTNIO BAPTISTA

28

TCFE
Amplificadores
Dispositivos com trs acessos sendo:
Um acesso para o sinal de entrada
Um acesso para o sinal de sada
Um acesso para o fornecimento de energia ao
amplificador.
Entrada

Amplificador

Sada

Energia
6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

29

TCFE
ACOPLAMENTO DE SINAIS NUM
AMPLIFICADOR

ACOPLAMENTO GALVNICO

Como introduzir o sinal de entrada Exemplos:


Acoplamento direto - =
num amplificador?
Como retirar o sinal amplificado e
aplic-lo carga?

H trs tcnicas mais utilizadas:


Acoplamento condutor.
Acoplamento por transformador.

O tipo de acoplamento depende


dos circuitos onde se liga o
amplificador.

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

Acoplamento capacitivo
= + =

ANTNIO BAPTISTA

30

TCFE
Acoplamento indutivo
= + =

Acoplamento por transformador


No um acoplamento galvnico.
Transformador


, =

= , =
:

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

ANTNIO BAPTISTA

31

TCFE
CARATERSTICAS PRINCIPAIS DE
UM AMPLIFICADOR

Um amplificador pode realizar:


Amplificao de tenso.
Amplificao de corrente.
Amplificao de potncia.

Quando existe amplificao de


tenso e ou corrente, em geral, h:
Amplificao de potncia.

6 de Abril de 2016

14 AULA TERICA

As caratersticas principais so
assim:
O ganho
Ganho de tenso.
Ganho de corrente.
Ganho de potncia.

A largura de banda.
O rudo.

ANTNIO BAPTISTA

32