ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FABRICACIN DE MICROCIRCUITOS Y TECNOLOGA

PLANAR
INTRODUCCIN
Los circuitos integrados estn formados por pequeos chips o
microchips de silicio los cuales a su vez en su interior
contendrn elementos pasivos y activos, podrn tener
unas cuantas decenas hasta millares de ellos en un solo
chip, con esto miles de tecnologas han llegado a
desarrollarse tanto que un nmero reducido de estos puede
ser un computador, un televisor entre otros
Circuitos

ms

de

pequeos y complejos son unas las ventajas de los

circuitos
integrados
adems
que
son
fcilmente fabricados usando las tcnicas
produccin masiva, por lo que dispositivos muy
complejos pueden ser fabricados a muy bajo costo
cuando grandes cantidades son producidas.

PROCESOS DE OBTENCIN DE MONO Y POLI CRISTALES

OBTENCIN DEL SILICIO
A partir de las rocas ricas en y mediante el
proceso de reduccin con carbono, se obtiene
Silicio con una pureza aproximada del 99%, que
no resulta suficiente para usos electrnicos y que
se suele denominar Silicio de grado metalrgico.
CRISTALIZACIN
Una vez fundido el Silicio, se inicia la cristalizacin
a partir de una semilla. Dicha semilla es extrada
del silicio fundido, este se va solidificando de
forma cristalina, resultando, si el tiempo es
suficiente, un monocristal. El procedimiento ms
utilizado en la actualidad es el convencional
mtodo Czochralsky,

Se obtienen principalmente dos tipos de estructuras: una la

monocristalina (con un nico frente de cristalizacin) y la otra
la policristalina (con varios frentes de cristalizacin, aunque
con unas direcciones predominantes). La diferencia principal
radica en el grado de pureza del silicio durante el
crecimiento/recristalizacin. (Ujaen.es, 2016).
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OBTENCIN DE OBLEAS
El proceso de corte tiene gran importancia en la
produccin de las lminas obleas a partir del lingote,
ya que supone una importante perdida de material
(que puede alcanzar el 50%). El espesor de las
obleas resultantes suele ser del orden de 2-4mm.

FABRICACIN DE LA CLULA Y LOS MDULOS

Una vez obtenida la oblea, es necesario mejorar
su superficie, que presenta irregularidades y
defectos debidos al corte, adems de retirar de
la misma los restos que puedan llevar (polvo,
virutas), mediante el proceso denominado
decapado.
Posteriormente se procede a la formacin de un
unin PN mediante deposicin de distintos
materiales (compuestos de fsforo para las partes N y compuestos de boro
para las partes P, aunque normalmente, las obleas ya estn dopadas con
boro), y su integracin en la estructura del silicio cristalino. (Ujaen.es, 2016)

PROCESOS DE DOPADO
Durante el crecimiento (Czochralski)
Se utiliza para dopar regiones extensas de
silicio de
forma homognea (obleas
enteras). El sistema utilizado es el mismo
que para el crecimiento de silicio intrnseco:
horno Czochralski
Se aaden pequeas cantidades del
dopante elegido a la carga fundida, que se
incorporarn progresivamente al lingote
durante el crecimiento.
Uno de los principales problemas es que los
dopantes no se incorporan homogneamente desde la fase lquida a la fase
slida.
Difusin
Es uno de los mtodos ms importantes usados para formar uniones pn Se
utiliza para fabricar diodos, transistores bipolares y circuitos integrados En

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combinacin con la litografa, permite definir regiones de dopado muy
precisasen el cual el dopante puede ser: slido/lquido/gas. (Anon, 2016)

Intersticial: La impureza penetra en el cristal de

forma intersticial y se mueve o salta a otra posicin
intersticial.
Substitucional: Un tomo
de la red cristalina a otro
necesario que est vacante.
con menor velocidad que la
Muchos de los dopantes de Si son substitucionales.

salta desde un punto

adyacente
que
es
Este mecanismo ocurre
difusin
intersticial.

Mecanismo kick-out o patada: Un tomo de

impureza pasa de un lugar intersticial a un lugar
de la red desplazando un tomo: se forma una
intersticial de tomo de la red que puede
difundirse como una impureza.

Implantacin inica
La implantacin inica es un mtodo de
impurificacin tanto de Silicio como de GaAs. Es
el mtodo dominante de dopaje utilizado hoy
da a pesar de sus desventajas, es un proceso
ms costoso y complejo que la difusin y una
alternativa a la misma.
Se dopa un substrato mediante un flujo de iones
energticos de la impureza (obtenidos de un
plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea (blanco).
Los iones de impurezas penetran en el substrato
con una alta energa (velocidad) y pierden su
energa mediante colisiones con los ncleos y los
electrones que acaban detenindolos.
Los iones quedan parados a una determinada
distancia de la superficie de la oblea formado un
perfil de implantacin.
La profundidad a la que se localiza la impureza depende en la energa (o
velocidad) de los iones.
Las colisiones con los ncleos del blanco hacen que se modifique la
situacin de los iones de la red cristalina daando el substrato:

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Si el tomo del semiconductor recibe en una colisin una energa mayor que
su energa umbral de desplazamiento provoca la formacin de defectos
(tpicamente defectos puntuales como vacantes e intersticiales).

Bibliografa

Horenstein, M. N., & Garca, G. S. (1997). Circuitos y dispositivos microelectrnicos.

Prentice-Hall Hispanoamericana.

Ujaen.es, (2016). Curso de Energa Solar Fotovoltaica. [online]

Available
at:
https://www.ujaen.es/investiga/solar/07cursosolar/home_main_frame/
03_celula/01_basico/3_celula_05.htm [Accessed 14 Feb. 2016].

Anon, (2016). [online] Available at: http://ocw.usal.es/ensenanzastecnicas/materialeselectronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf

[Accessed 14 Feb. 2016].

Anon,
(2016).
[online]
Available
http://proton.ucting.udg.mx/materias/tecnologia/Tec_Planar.htm
[Accessed 14 Feb. 2016].

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