COMPUESTOS ORGANOMETALICOS

Los compuestos organometalicos, son aquellos en el q el correspondiente

tomo metlico se encuentra directamente unido a un tomo de carbono.
Dependiendo de la clase de enlace se clasifican en dos tipos : los que poseen
enlace carbono metal y los complejos metal alqueno
Ejemplos
Los complejos como tetracarbonilnquel(II) se consideran organometlicos
La estructura de la llamada sal de Zeise (K[Pt(C2H4)Cl3]H2O)
Bibliografa
Manual de qumica orgnica By M. L. . . . [et al. ] Beyer, Wolfgang Walter

EL EFECTO MEISSNER
FUE DESCUBIERTO POR WALTER MESSINER , consiste en enfriar a un
superconductor por debajo de la temperatura critica en un campo magntico
externo aplicado, el campo magntico dentro del material pasa a hacer nulo.
El campo magntico se hace cero porque corrientes superconductoras que se
inducen en la superficie del superconductor, producen un segundo campo
magntico que compensa el campo aplicado .
Se llama diamagntico perfecto ya que en este se excluye todo flujo en su
interior de modo que B= 0 Y m = -1

EPITAXIA EPITAXIA: es el crecimiento ordenado de una capa

monocristalina que mantiene unarelacin definida con respecto al
substrato cristalino inferior.:
El trmino epitaxia procede del griego "epi" (sobre) y taxis (arreglo), y
se aplica al proceso usado para crecer una capa delgada cristalina
sobre un substrato cristalino. En un proceso epitaxial, el substrato de
la oblea acta como la semilla en el crecimiento de un cristal. Los
procesos epitaxiales se diferencian de los procesos de crecimiento de
volumen antes mencionados en que la capa epitaxial puede crecerse a
temperaturas substancialmente ms pequeas que las del punto de
fusin del material (sobre un 30-50 % ms bajas). Cuando un material
se crece epitaxialmente sobre un substrato del mismo material, el
proceso se denomina homoepitaxia. Si la capa y el substrato son de

materiales diferentes, tal como el caso de AlxGa1-xAs sobre GaAs, el

proceso se denomina heteroepitaxia. En cualquier caso, en
heteroepitaxia, las estructuras cristalinas del substrato y de la capa
crecida deben ser parecidas si se pretende obtener un crecimiento
cristalino
La epitaxia es un mtodo de deposicin cristalino en el que se consigue crecer
finas capas de material sobre un sustrato. Su nombre ya nos da una idea de lo
trata epi del griego capas y taxis ordenadas. La principal caracterstica del
mismo es que en la deposicin se consigue la misma estructura cristalina que
en sustrato. La nucleacin de la fase slida se produce sobre un sustrato
presente en el medio de cristalizacin, lo que reduce la sobresaturacin crtica
necesaria para la nucleacin. Se producir una nucleacin bidimensional o
heterognea. Es el tipo de nucleacin mas frecuente en la naturaleza. En un
caso extremo si hay algn tipo de similitud entre la estructura de la superficie y
la del cristal que nuclea, la sobresaturacin critica ser todava menor y se
produce una epitaxia.

La epitaxia puede clasificarse segn el material que vamos a crecer en dos

tipos:

Homoepitaxia: donde la deposicin es del mismo material que el

sustrato donde se crece.
Heteroepitaxia: por el contrario el material a crecer es diferente al del
sustrato. Este tipo de crecimiento presenta algunos problemas como
tensiones entre capas o la aparicin de un espesor crtico.

Adems podemos clasificar los mtodos de crecimiento dependiendo de la

forma de transportar el material a crecer hasta el sustrato en tres ramas:

Crecimiento epitaxial en fase lquida (LPE).

Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE).

4)

En el proceso de sputtering bsico consiste en, una placa llamada blanco (o

ctodo) es bombardeada por iones energticos generados en una plasma de

descarga luminiscente, situado frente al blanco. El proceso de bombardeo

provoca la eliminacin, es decir, pulverizacin, de los tomos del blanco, que
se pueden condensar en un sustrato como una pelcula delgada.

Para explicar el fenmeno de sputtering se utiliza el modelo del juego de billar

atmico, Segn este modelo un ion, por ejemplo Ar+, incide sobre un grupo de
bolas de billar muy juntas y ordenadas, que son los tomos del blanco. Algunas
de las cuales saldrn dispersas en la direccin opuesta a la del ion incidente,
representando a los tomos dispersados (sputter atoms). Los tomos son
expulsados de la superficie del blanco y dirigidos hacia un sustrato sobre el
cual se depositan, formando una superficie muy fina. Los tomos abandonan la
superficie del blanco por intercambio de momentum con los iones energticos
que chocan contra ellos.
Un aspecto muy importante de
esta tcnica es el vaco, el cual se realiza a presiones de 10-2 a 10-4 torr, ya
que proporciona un excelente aislamiento trmico y elctrico. Adicionalmente,
el recorrido libre medio de las partculas gaseosas puede ser tan grande que
estas prcticamente no chocan entre s, lo que favorece que estas lleguen al
sustrato con altas energas.
A pesar de que la presin de
trabajo se encuentra entre 10-2 a 10-4 torr, la cmara es evacuada a presiones
de 10-7 torr y llenada con un gas (generalmente inerte) hasta la presin de
trabajo, lo que disminuye fuertemente la cantidad de constituyentes activos de
la atmosfera, permitiendo obtener materiales con baja contaminacin . La
fuente puede ser de corriente continua DC o de radio frecuencia El blanco, se
conecta a un voltaje negativo, y el sustrato generalmente est enfrentado al
blanco
En estas condiciones se aplica una diferencia de potencial que produce la
ionizacin de una porcin de gas. Los iones producidos son acelerados por el
campo elctrico golpeando el blanco o ctodo y de esta manera arrancan
tomos neutros del blanco, algunos de los cuales se ionizan, provocando as
una avalancha de pares ion-electrn que formarn el plasma [18]. Los voltajes
de operacin en el sputtering bsico estn entre -2000 y 5000 V

BIBLIOGRAFIA
http://www.cenm.org/pdfs/graduados/graduados/AndresArias.pdf
ROSSNAGEL SM. Sputter Deposition. In: Sproul WD, Legg KO, editors.
Opportunities for Innovation: Advanced Surface Engineering. Switzerland:
Technomic Publishing Co., 1995

CHAPMAN Brian, WILEY John and Sons. Glow Discharge Processes, 1980
FREUND L.B and SURESH S. Thin Film Materials, Cambridge University Press,
2003.
BUNSHAH RF: Handbook of Hard Coatings. In.: William Andrew
Publishing/Noyes; 2001.

5
Un pequeo cristal (denominado semilla) se introduce, se rota y se retira
de la mezcla de silicio de gran
pureza para de ese modo dar lugar a un cristal cilndrico.
El cristal crece mediante un proceso en el que hay implicada una
transformacin desde un lquido (fundente)
al slido (cristal) CRISTALIZACION. La principal diferencia entre el
fundente y el cristal radica en la
estructura geomtrica, esto es, en el lquido no existe estructura
cristalina.

El mtodo de Czochralski es el mtodo empleado en el 90% de los casos

para obtener silicio monocristalino a partir de silicio policristalino (EGS).
Este mtodo utiliza para el crecimiento de cristales un aparato
denominado "puller"
El proceso de crecimiento se detalla a continuacin. El silicio
policristalino (EGS) se coloca en el crisol y el horno se calienta a una
temperatura superior a la de fusin del silicio obtenindose el material
fundido (MELT). A continuacin, se suspende sobre el crisol una muestra
pequea del tipo de cristal que se quiere crecer (<111> por ejemplo). Al
introducir la semilla en el fundido, parte de la misma se funde, pero la
punta de la misma an toca a la superficie del lquido. Entonces
lentamente empieza a levantarse. El progresivo enfriamiento en la
interfase slido-lquido proporciona un silicio monocristalino con la
misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor dimetro
Controlando cuidadosamente la temperatura, la velocidad de elevacin y
rotacin de la semilla y la velocidad de rotacin del crisol, se mantiene
un dimetro preciso del cristal. Mientras los lingotes son estirados, se
refrescan para que adquieran un estado slido. La longitud del lingote
vendr determinada por la cantidad de silicio fundido que hay en el
crisol. La velocidad tpica de crecimiento es de pocos milmetros por
minuto