Tecnica de fabricacin CMOS

CMOS es un tipo de tecnologa parte de las familias lgicas empleadas

en la fabricacin de circuitos integrados, la diferencia del CMOS con
otras tecnologas es la utilizacin de transistors NMOS y PMOS.
Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene
haciendo crecer una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato
de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino,
siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es
un material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador
plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un
semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica
la distribucin de cargas en el semiconductor. Si consideramos un
semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la
densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva
VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una regin de
agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son
repelidos de la interfaz entre el aislante de puerta y el semiconductor.
Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que est constituida
por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente (ver
Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta
concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de
inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el
semiconductor y el aislante.

Fgura 1. Estructura MOS

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos

de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios.
Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de
transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en
estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las
corrientes parsitas, colocado en la placa base.

Fgura 2. Circuito inversor tecnologa CMOS.

Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a
otras en la fabricacin de circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia

de entrada de los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado
de reposo, un circuito CMOS slo experimentar corrientes
parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y
el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos
transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en
la regin de corte en estado estacionario.
Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son
robustos frente a ruido o degradacin de seal debido a la
impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible
conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho
menor que otras tecnologas.

Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al

hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas
nMOS-pMOS,
la
velocidad
de
los
circuitos
CMOS
es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor
parsito en la estructura CMOS que entra en conduccin cuando la
salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa
facilidad debido a la componente inductiva de la red de
alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un
camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que
acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de
diseo adecuadas
este riesgo
es
prcticamente nulo.
Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y
pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de
que est slidamente conectado a masa o alimentacin.
Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las
corrientes parsitas empiezan a ser comparables a las corrientes
dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).
https://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET