Universidad Nacional Del Callao

Facultad De Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Profesional De Ingeniera Electrnica

Ciclo 2016 A

RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

I.
OBJETIVOS:

II.

Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin

con divisor de voltaje independiente de beta para el transistor bipolar y
comparar estos valores con los calculados tericamente.

Analizar, simular y finalmente comprobar el comportamiento de un transistor

BJT con una seal de entrada variante en el tiempo (AC).

MARCO TERICO:
El amplificador con transistor bipolar en emisor comn (en adelante EC) es
uno de los ms utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensin
como de corriente, como al hecho de tener unas impedancias de entrada y
salida con valores intermedios, lo que le hace ideal para etapas intermedias.
El punto de partida del amplificador en
EC es el conocido circuito auto polarizado en emisor comn con resistencia
de emisor que se puede apreciar en la figura siguiente, al que se aaden tres
condensadores adicionales.

Fig1. Circuito amplificador de emisor comn

Lo primero que debemos hacer para analizar el comportamiento del

amplificador, es el anlisis en continua. O sea, calcular el punto de trabajo
del transistor. Debemos trabajar con el circuito de continua del montaje
anterior. El circuito de continua se obtiene de manera bastante simple: basta
con fijarse en que lo nico que cambia son los condensadores que en

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continua se comportarn como circuitos abiertos desapareciendo del

circuito. Esto hace que la entrada en la base quede desconectada, al igual
que la salida, y que el condensador de emisor desaparezca, quedando la
resistencia de emisor sola. El circuito resultante es el montaje ya analizado
hasta la saciedad en el tema de transistores.
Comenzamos por dibujar la recta de carga, que como sabemos es el lugar
geomtrico de todos los posibles puntos de trabajo del montaje y que no es
ms que la ecuacin de la malla de salida del circuito suponiendo IC IE.

Curvas caractersticas en emisor comn

Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas de salida
en la configuracin de emisor comn1 por ser la ms utilizada en la
prctica.
Como se coment en el apartado anterior, las curvas caractersticas
son la representacin de diversas variables (tensiones o corrientes)
de un transistor bipolar en coordenadas cartesianas. En el caso

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concreto de curvas de salida en emisor comn, las variables a

representar son IC, VCE e IB.
A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del
transistor, es decir, las tensiones y corrientes del mismo, una vez
polarizado.

Fig2. Curva caracterstica de emisor comn

Regiones operativas del transistor:
Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
REGIN ACTIVA:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de
corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.
REGIN DE CORTE:
Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y
el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay
corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)
REGIN DE SATURACIN:
Un transistor est saturado cuando:

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Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie

= I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)
Procedimiento:
Sea:
Ai=Io/Ii
Av=Vo/Vi
Ro=R1xR2/R1+R2=7.15

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1. Qu es un amplificador?
Aparato o dispositivo para aumentar la amplitud o la intensidad de un fenmeno
fsico, en especial el que amplifica la intensidad de una corriente elctrica que
llega hasta l.
2. Cules son las ventajas y desventajas de los BJT?
Desventajas:
Segunda avalancha
Perdida de disipacin de potencia
Controlado por corriente
Ventajas:
rea de operacin segura en polarizacin directa e indirecta.
3. Qu es la segunda avalancha de los BJT?
Es un fenmeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequea
porcin de la base, que produce puntos calientes localizados.
Si la energa de esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado
excesivo puede daar al transistor. As, la segunda avalancha se deba a la
avalancha trmica localizada debido a altas concentraciones de corrientes.
4. Qu es el factor de sobreexcitacin de los BJT?
Tambin llamado factor de sobresaturacin (ODF), es la relacin entre Ib e Ibs
(corriente base en la regin de saturacin)

5. Cul es la diferencia entre B (beta), y la beta forzada (Bf) de los BJT?

El Bf, es la relacin de Ics (corriente de colector en la saturacin) y la Is, lo cual
esta relacin es cuando se analiza en el punto de saturacin.