Laboratorio de Mquinas elctricas II

Lab. 1

INFORME DE LABORATORIO 1
TIRISTORES

ALUMNO
Segura Palomino Dimmy Giovany
Garca Valerio, Segundo Ulises
ESPECIALIDAD
Tecnologa Mecnica Elctrica

IV CICLO
PROGRAMA DE FORMACIN REGULAR

TRUJILLO PER
2016

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I. OBJETIVOS:
1. Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de
semiconductores de potencia.
2. Probar su funcionamiento y establecer diferencia de
comportamiento.
II. FUNDAMENTO TEORICO: El tiristor es un conmutador
biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los
interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar
plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin
tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de
soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico
puede observarse tambin en el diodo Shockley. El diseo del
tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir
un pulso momentneo de corriente en su terminal de control,
denominada puerta (o en ingls, GATE) cuando hay una tensin
positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es
mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la
interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien,
haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existir una
dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de
tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del
elemento (por avalancha en la unin). Para que el dispositivo
pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe
haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar
una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el
dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado
activo se debe inducir desde el nodo una corriente de
sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el
dispositivo dejara de conducir. A medida que aumenta la
corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede
controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la
transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada
(la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la
tensin de puerta pero solamente para OFF - > ON). Cuanto
mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG
(intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodoctodo necesaria para que el tiristor conduzca. Tambin se
puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe
intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la
tensin de bloqueo.

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III. EQUIPOS Y MATERIALES:
Cantidad
01
01
01
01
01
01
01
01
01

Descripcin
Ampermetro
Voltmetro
Protoboard
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Diodo
Multisim

Marca
Amprobe
Meterman

Modelo
AC50A
34XR

Observacin

SKN 26
SKT 40
2N3055
IFR3205
G4PC40W

PROCEDIMIENTO
A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO
1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Cdigo Elctrico de identificacin:
SKN 26

Smbolo:

2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante: SEMIKRON
Parmetro
Voltaje Pico inverso
repetitivo:
Voltaje pico inverso no
repetitivo:
Corriente Directa Media:
Corriente Directa Eficaz:
Corriente Instantnea no
Repetitiva:

Abreviaci
n
RRM

Valor

RSM

800 V

FAV
FRSM
FSM

25 A
40 A
375 A

800 V

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3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la
diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

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4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Lectura del Multmetro:

OL

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Lectura del Multmetro:

0.460 V

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Marque el estado del dispositivo:
Operativo:
Si
Inoperativo:
No
Conclusiones y Observaciones:
El dispositivo se encontr en buen estado al
hacerle las pruebas respectivas.
B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR
5. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Cdigo Elctrico de identificacin:

SKT 40
Smbolo:

6. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: SEMIKRON
Parmetro
Voltaje Pico inverso repetitivo:
Voltaje pico inverso no
repetitivo:
Corriente Directa Media:
Corriente Directa Eficaz:

Abreviaci
n
RRS
RSM

Valor

ITAV
ITRSM

40 A
63 A

800 V
900 V

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Corriente Instantnea no
ITSM
700 A a 25
Repetitiva:
c
7. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la
diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

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8. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Cable Rojo
del
Multmetro

Cable Negro del

Multmetro

Valor Medido
(V)

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A
K
A
G
K
G

K
A
G
A
G
K

OL
OL
OL
OL
0.036 V
0.036 V

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:
SI
In operativo:
NO
Conclusiones y Observaciones:
Se encuentra en perfecto estado
C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES
TRANSISTOR N 1
9. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
BJT NPN

Cdigo Elctrico de identificacin:

2N3055
Smbolo:

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10. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: ST Microelectronics
Parmetro
Voltaje Mximo C-E:
Voltaje Mximo C-B:
Ic Mximo
Potencia de Disipacin:
Beta o hfe:
Frecuencia de
Operacin:

Abreviaci
n
Vcer
VCBO
Ic
Ptot
hfe
Ft

Valor
70 V
100 V
15 A
115 W
5
Ic=10A
3 MHz

11. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

Diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

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12. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Cable Rojo
del
Multmetro
C
E
C
E
B
B

Cable Negro del

Multmetro

Valor Medido
(V)

E
C
B
B
E
C

OL
OL
OL
OL
0.558 V
0.557 V

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Marque el estado del dispositivo:
Operativo:
SI
Inoperativo:
NO
Conclusiones y Observaciones:
El transistor NPN si funciona correctamente
TRANSISTOR N 2
13. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
Mosfet

Cdigo Elctrico de identificacin:

IRF3205

Smbolo:

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14. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el
manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):
Fabricante: international IOR Rectifier
Parmetro
Voltaje Mximo D-S :
Voltaje G-S :
ID Mximo a 25C :
Potencia de
Disipacin :
Resistencia D-S (On) :

Abreviaci
n
V (BR) DSS
VGS
ID
PD

Valor

8 m

DS(ON)

55 V
20
110 A
200 W

15. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

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16. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Cable Rojo
del
Multmetro
D
S
D
G
G
S

Cable Negro del

Multmetro

Valor Medido
(V)

S
D
G
D
S
G

0.253 V
0.068 V
OL
OL
OL
OL

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:
SI
Inoperativo:

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No
TRANSISTOR N 3
17. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Tipo de Transistor:
IGBT

Cdigo Elctrico de identificacin:

G4PC40W

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Smbolo:

Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el

manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: internacional IOR Rectifier
Parmetro
Voltaje Mximo C-E:
Voltaje G-E
Ic Mximo :
Potencia de Disipacin :

Abreviaci
n
Vces
Vge
Ic
Pd

Voltaje C-E ( On ) :

Vce

Valor
600 V
20 V
20 A a 100 c
65 W a 100
c
2.5 V

19. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la

diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

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20. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro

Digital.

Cable Rojo
del
Multmetro
C
E
C
G

Cable Negro del

Multmetro

Valor Medido
(V)

E
C
G
C

OL
OL
OL
OL

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G
E

E
G

OL
OL

Marque el estado del dispositivo:

Operativo:
No
Inoperativo:
Si
Conclusiones y Observaciones:
Observacin parece en buen estado sin ninguna presencia de
quemadura
D. PRUEBA DE TRANSISTORES
21. Implemente el siguiente circuito usando para ello:
- Una fuente de voltaje contino
- Una tarjeta de Proyectos
- Potencimetro de 10 kOhms
- Resistencias de 15 Ohms / 20 W
- 100 Ohms
- Multmetro digital:
- Cable

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TRANSISTOR BIPOLAR
22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente
manera:
T1 Colector
T2 Base
T3 Emisor
23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

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TRANSISTOR N 1
Voltaje en B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0.5V
0V

Voltaje en
A
9.606
7.823
6.618
5.400
4.174
2.944
1.720
1
0.5
0

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Conclusiones y Observaciones:
Al disminuir el voltaje no se produjo error alguno en el programa (no se
produce corto).

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TRANSISTOR N 2 Mosfet
Voltaje en B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0.5V
0V

Voltaje en
A
8.378 mV
8.167 mV
9.235 mV
0.025
6
4
2
1
0.5
0

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Lab. 1

Conclusiones y Observaciones:
No hubo error en la regulacin de voltaje en el programa
TRANSISTOR N 3

IGBT
Voltaje en B
15 V
12 V
10 V
8V
6V
4V
2V
1V
0.5V
0V

Voltaje en
A
1.956
2.578
2.438
8
6
4
2
1
0.5
0

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Al 50 % ocurre un corto (el circuito queda abierto)

Pero regulando al 45% el potencimetro su funcin sigui
normal

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Lab. 1

Al 50 % ocurre un corto (el circuito queda abierto)

Pero regulando al 35% el potencimetro el circuito sigui
funcionando normal

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En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren los

siguientes estados: Corte, Amplificacin y Saturacin

Conclusiones y Observaciones:
Cuando se regulo el voltaje hasta ciertas medidas se produjo error del circuito
ya que entraba en estado de corte o saturacin. Por lo cual se regulo el
potencimetro a un porcentaje menor para su buen funcionamiento