UNIVERSIDAD DE SAN MARTIN DE PORRES

INGENIERA ELECTRNICA
GUA DE LABORATORIO

CIRCUITOS ELECTRNICOS II
0900111

AMPLIFICADORES BSICOS CON TRANSISTORES BJT

OBJETIVOS
1. Analizar un amplificador emisor comn para pequea seal con
transistor BJT.
2. Realizar las mediciones de polarizacin y determinar el punto de
operacin.
3. Efectuar mediciones de ganancia de voltaje, ganancia de corriente,
impedancia de entrada e impedancia de salida.
4. Determinar las caractersticas principales de cada configuracin .
MATERIALES
Tarjeta EB 111
Resistencia: 47K
Condensador: 1F
PREGUNTAS PREVIAS
1. Indique el tipo de transistor usado en el experimento y el cdigo del
fabricante.
2. Que es polarizacin y que tipo de polarizacin se usa en el experimento.
3. Que entiende por configuracin e indique la configuracin usada en el
experimento.
4. Cuantas zonas de operacin tiene un transistor, que zona se usa en este
experimento.
5. Que parmetro del transistor me indica la mxima fuente de
alimentacin usar. Indique que voltaje mximo soporta el transistor del
experimento.
6. Cul es la corriente mxima del transistor que se usa en el experimento.
7. Que entiende por hie y hfe . Indique que valores tiene el transistor
que se usa en el experimento.
EXPERIMENTO I: DETERMINAR EL PUNTO DE OPERACIN
1. Verificar que el modulo se encuentre apagado y armar en la tarjeta
EB111 el siguiente circuito, puentear R 13. Ajuste RV3 a 7K. (lado
izquierdo de la tarjeta)

Formato: F001-EPIE

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2. Sin instalar la tarjeta, encienda el modulo y ajuste PS1 a 10V. Apagar el

modulo e instalar la tarjeta, encienda el modulo.
3. Con el multmetro mida los voltajes siguientes con respecto a tierra y
complete la siguiente tabla.

VC

VB

VE

5.74V

1.5V

0.88V

4. Apague el modulo. Determine el punto de operacin.

VCE=VC VE

4.86V

VCCVC
R 14

0.9mA

IC=

5. Usando un simulador, hallar los voltajes.

VC

VB

VE

5.9

1.5

0.74

6. Determine el punto de operacin.

VCE

5.841V

IC

0.728mA

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7. Mediante los conceptos tericos, hallar los voltajes.
VC

VB

VE

5.87

1.57

0.87

8. Determine el punto de operacin.

VCE

IC

0.87mA

9. Comente sobre el punto de operacin del experimento.

EXPERIMENTO II: EL AMPLIFICADOR EMISOR COMN

1. Implemente el siguiente circuito segn la figura, agregue la
resistencia de 47K, lo utilizaremos para hallar la impedancia de
entrada.

Formato: F001-EPIE

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2. Encienda el modulo. Conecte el osciloscopio CH1 entre Rg y C 1 (
Vi ), y CH2 en colector de Q4 ( Vo ). Ajuste el generador del
modulo a una onda senoidal de 1KHz hasta obtener en Vo la
mxima seal sin distorsin.
3. Observe, dibuje y mida la forma de onda de cada terminal del
transistor anote en la tabla indicando las fases.

4.

Vc

Vb

Ve

180grados

0grados

90 grados

A partir de estas mediciones determinar la

valores de ganancia tambin calcule en dB.
Vc
Vb

6.27v/58mv = 108

Io
vc /4.7 K
=
Ii ( VgVb)/47 K

6.27v/(0.6-58m)=115

vb
Ii

58m/((0.6-58m)/47K)=5k

Av =

Ai=

Av , Ai , Zin . Para los

Zi=

5. Conecte la resistencia de carga RL=22.1K (R8+R9) y mida el

voltaje de salida V o .

6. Determinar la impedancia de salida

Zo .

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(VoV ' o)
Zo=
RL
V 'o

2699.94ohm

7.
Usando

un

simulador determinar la ganancia de voltaje, ganancia de corriente,

impedancia de entrada e impedancia de salida.
Av

8.

Ai

Zi

Zo

Usando los parmetros h del transistor determinar la ganancia de

voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e impedancia
de salida.
Av

Ai

Zi

Zo

ACTIVIDADES
1. Mediante un simulador determine las caractersticas para base comn y
colector comn del experimento realizado.
2. Elabore una tabla con las tres configuraciones indicando las caractersticas
de Av , Ai , Zin , Zo y la fase.
3. Determine la reactancia de los condensadores C 1, C2.
4. Qu funcin cumple los condensadores C1 y C2.
5. Disear un circuito preamplificador con ganancia 30dB e impedancia de
entrada de 4.7K.

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