Apostila

Aparecido Edilson Morcelli
Engenharia de
Materiais
Adaptada por Aparecido E. Morcelli e Mauro N. Takeda (setembro/2012)
APRESENTAO
com satisfao que a Unisa Digital oferece a voc, aluno(a), esta apostila de Engenharia de Materiais, parte integrante de um conjunto de materiais de pesquisa voltado ao aprendizado dinmico e autnomo que a educao a distncia exige. O principal objetivo desta apostila propiciar aos(s) alunos(as)
uma apresentao do contedo bsico da disciplina.
A Unisa Digital oferece outras formas de solidificar seu aprendizado, por meio de recursos multidisciplinares, como chats, fruns, aulas web, material de apoio e e-mail.
Para enriquecer o seu aprendizado, voc ainda pode contar com a Biblioteca Virtual: www.unisa.br,
a Biblioteca Central da Unisa, juntamente s bibliotecas setoriais, que fornecem acervo digital e impresso,
bem como acesso a redes de informao e documentao.
Nesse contexto, os recursos disponveis e necessrios para apoi-lo(a) no seu estudo so o suplemento que a Unisa Digital oferece, tornando seu aprendizado eficiente e prazeroso, concorrendo para
uma formao completa, na qual o contedo aprendido influencia sua vida profissional e pessoal.
A Unisa Digital assim para voc: Universidade a qualquer hora e em qualquer lugar!
Unisa Digital
SUMRIO
INTRODUO.................................................................................................................................................5
1 CONCEITOS FUNDAMENTAIS.........................................................................................................7
1.1 Classificao dos Materiais......................................................................................................................................... 10
1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals......................................................................... 11
1.3 A Estrutura Cristalina.................................................................................................................................................... 12
1.4 Exerccios Resolvidos.................................................................................................................................................... 14
1.5 Resumo do Captulo..................................................................................................................................................... 16
1.6 Atividades Propostas.................................................................................................................................................... 16
2 ESTRUTURAS METLICAS.............................................................................................................. 17
2.1 Estruturas Cermicas.................................................................................................................................................... 18
2.2 Estruturas Polimricas.................................................................................................................................................. 19
2.3 Estruturas Semicondutoras....................................................................................................................................... 20
3 ESTUDO DA REDE CRISTALINA.................................................................................................. 27

3.1 Direes e Planos Cristalogrficos.......................................................................................................................... 28
3.2 O ngulo entre as Direes e os ndices de Miller ........................................................................................... 30
3.3 Difrao de Raios X....................................................................................................................................................... 32
3.4 Microscopia Eletrnica de Transmisso e Varredura........................................................................................ 33
3.5 Defeitos Pontuais e Difuso no Estado Slido.................................................................................................... 35
3.6 Diagramas de Fases e o Desenvolvimento de Microestruturas .................................................................. 37
4 CONSIDERAES FINAIS................................................................................................................ 43
RESPOSTAS COMENTADAS DAS ATIVIDADES PROPOSTAS...................................... 45
REFERNCIAS.............................................................................................................................................. 53
INTRODUO
Esta apostila destina-se a voc, estudante de graduao para os cursos de Engenharia Ambiental,
Engenharia de Produo ou afins, para acompanhamento do contedo de Engenharia de Materiais, nos
cursos a distncia.
Com o intuito de simplificar a exposio dos tpicos abordados, procurou-se, atravs de uma linguagem simples, expor o contedo de forma sucinta e objetiva, com a deduo de parte das equaes
expostas no texto.
Neste curso, ser abordado o estudo dos materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como
os materiais compsitos. Voc ter a oportunidade de aprimorar os seus conhecimentos no mundo dos
materiais, que o cerca no dia a dia. Muitos dos materiais utilizados atualmente em veculos automotores,
utenslios domsticos, fazem parte dessa gama enorme de novos materiais e suas aplicaes. Voc tambm vai reconhecer a importncia da nanotecnologia na produo de equipamentos em escalas cada
vez menores, na ordem de 10-9 do metro, com a mesma eficincia, porm consumindo menor quantidade de matria-prima.
Para complementar a teoria, so propostas atividades com grau de dificuldade gradativo. Alm
desta apostila, voc ter como materiais de estudo as aulas web, material de apoio e aula ao vivo. Sero
utilizadas para avaliao as atividades, podendo ser atribuda uma nota ou no, e a prova presencial.
Esperamos que voc, aluno(a), tenha facilidade na compreenso do texto apresentado, bem como
na realizao das atividades propostas.
Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br
CONCEITOS FUNDAMENTAIS
A grande variedade de materiais disponveis aos engenheiros pode ser dividida em cinco
grandes categorias: metais, cermicas e vidros,
polmeros, compsitos e semicondutores. As trs
primeiras categorias podem ser associadas a tipos
distintos de ligao atmica. Os compsitos envolvem combinaes de dois ou mais materiais,
como, por exemplo, metais e cermicas.
Voc e eu, agora, temos a certeza de que,

quando as propriedades dos materiais so compreendidas, o material apropriado para determinada aplicao pode ser processado e selecionado. A seleo de materiais feita em dois nveis:
Voc pode observar que os metais, as cermicas e vidros, os polmeros e os compsitos

compreendem os materiais estruturais. Os semicondutores compreendem uma categoria separada de materiais eletrnicos, distinta por sua exclusiva condutividade eltrica intermediria.
Segundo nvel: existe a competio

dentro da categoria mais apropriada
para o material especfico ideal.
Agora, vamos entender as vrias propriedades desses materiais. Nesse caso, preciso que
voc e eu examinemos a estrutura desses materiais em escala microscpica ou atmica.
Voc j deve ter ouvido falar em nanotecnologia, para a produo de dispositivos cada
vez menores. Para eu e voc podermos enxergar
o mundo microscpico, necessitamos de equipamentos de observao. O microscpio eletrnico
um equipamento utilizado atualmente para
enxergar os materiais e estudar o seu comportamento.
Primeiro nvel: existe a competio entre as diversas categorias de materiais;
Para ilustrar a voc o que eu estou falando,

vamos analisar a micrografia obtida da superfcie
de fratura de um material metlico. Nesse caso,
trata-se de um ferro fundido nodular. A micrografia foi obtida por Microscopia Eletrnica de Varredura, comumente conhecida como MEV. Veja a
micrografia e seus detalhes da superfcie:
Vamos fazer uma anlise compreendendo

a ductilidade relativa de certas ligas metlicas. A
ductilidade da liga metlica est associada arquitetura em escala atmica.
Dicionrio
Ductilidade: deformao permanente antecedendo a ruptura. Alguns materiais apresentam alta
ductilidade.
Figura 1 Micrografia obtida por MEV.
Fonte: O autor.
Voc notou pelo contraste que existem regies claras, com a existncia de alvolos, indicando que a fratura ocorreu por sobrecarga. As
esferas em contraste escuro so de carbono ou
grafita, indicando a forma de resfriamento do
material. Ns vamos falar um pouco mais sobre a
anlise de materiais nos prximos captulos.
Ateno
mv =
A imagem obtida por MEV, atravs da imagem de eltrons secundrios. Calma! Eu vou falar
mais sobre essa tcnica nos prximos captulos.
Voc notou que o aumento obtido corresponde a 420x. Agora, veja essa mesma superfcie
de fratura com um aumento de aproximadamente 1300x.
A imagem obtida por MEV atravs da interao

do feixe de eltrons com o material. Nessa tcnica,
importante perceber que os eltrons se comportam como onda. Voc viu, em Fsica I, a dualidade
onda-partcula proposta por De Broglie.
Engenharia de Materiais
Figura 2 Micrografia obtida por MEV.
Fonte: O autor.
Agora, voc e eu podemos adentrar superfcie de fratura e observar com grande profundidade de foco e resoluo a superfcie de fratura
e as esferas escuras dentro dos alvolos. Voc j
tinha imaginado visualizar a superfcie de um metal e encontrar tantos detalhes? No!
No nosso curso, vamos investigar os materiais atravs de tcnicas de observao e de realizao de ensaios e testes para observar o seu
comportamento mecnico e termomecnico.
Para voc e eu entendermos as propriedades ou
caractersticas observveis dos materiais da engenharia, necessrio entender a sua estrutura em
uma escala atmica e/ou microscpica. Qualquer
engenheiro responsvel por selecionar vrios

metais para aplicaes de projeto precisa estar
ciente de que algumas ligas so relativamente
dcteis, enquanto outras so relativamente frgeis. Observamos que as ligas de alumnio so tipicamente dcteis, enquanto as de magnsio so
normalmente frgeis. Essa diferena fundamental
se relaciona diretamente com suas diversas estruturas cristalinas. Por enquanto, voc deve saber
apenas que a estrutura do alumnio segue um
arranjo cbico e a liga de magnsio segue um arranjo hexagonal.
Vamos, agora, visualizar um corpo de prova
metlico submetido ao ensaio de trao.
Figura 3 Corpo de prova aps o ensaio de trao.
Regio de ruptura
do corpo de prova.
Fonte: O autor.
Voc est observando que o material est

rompido. Nas pontas prximas do rompimento,
observamos uma reduo da rea. Esse fenmeno
ocorre porque o material sofre inicialmente
uma deformao elstica, posteriormente uma
deformao plstica e, no estgio final, h a
ruptura na regio em que houve a reduo da
rea ou, simplesmente, a estrico.
Saiba mais
Elasticidade: tenso mxima que ainda provoca deformao elstica.
Dureza: resistncia penetrao.
1.1 Classificao dos Materiais
Uma base para a classificao dos materiais da engenharia a ligao atmica. Embora
a identidade qumica de cada tomo seja determinada pelo nmero de prtons e nutrons dentro de seu ncleo, a natureza da ligao atmica
determinada pelo comportamento dos eltrons
que orbitam o ncleo.
Vamos classificar os materiais da engenharia
que admitem um tipo de ligao em particular ou
uma combinao de tipos para cada categoria. Os
metais envolvem a ligao metlica. As cermicas
e vidros envolvem a ligao inica, mas normalmente em conjunto com uma forte caracterstica
covalente. Os polmeros normalmente envolvem
10
ligaes covalentes fortes ao longo de cadeias polimricas, mas possuem ligaes secundrias mais
fracas entre cadeias adjacentes. A ligao secundria atua como um elo fraco na estrutura, gerando resistncias e pontos de fuso tipicamente baixos. Os semicondutores so predominantemente
covalentes por natureza, com alguns compostos
semicondutores tendo uma caracterstica inica
significativa. Essas quatro categorias de materiais
da engenharia so, portanto, os tipos fundamentais. Os compsitos so combinaes dos trs primeiros tipos fundamentais e possuem caractersticas de ligao apropriadas aos seus elementos
constituintes.
1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals
A ligao inica o resultado da atrao

coulombiana entre espcies qumicas com cargas
opostas. A fora de atrao coulombiana segue a
seguinte relao:
Fc =
K
a2
Sendo:
Fc a fora de atrao coulombiana entre dois ons de cargas opostas;
a a distncia de separao entre os

centros dos ons;
)(
K dado por: K = k0 Z1q Z 2 q .

A energia de ligao E est relacionada
fora de ligao, por meio da expresso diferencial:
F=
dE
da
Voc poder visualizar no grfico que a

curva de ligao lquida a derivada da curva da
energia de ligao.
Figura 4 Grfico da curva de ligao lquida.
Fonte: Shackelford (2011, p. 24).
11
A inclinao na curva de energia em um mnimo igual a zero, ou seja:
dE
F= 0=
da a = a0
A ligao conhecida como secundria ou
ligao de van der Waals ocorre com energias de
ligao substancialmente menores, sem a transferncia ou o compartilhamento de eltrons.
Voc pode observar que o mecanismo da
ligao secundria ou de van der Waals semelhante ligao inica, ou seja, a atrao de cargas
opostas. A principal diferena que nenhum eltron transferido. A atrao depende de distribuies assimtricas de cargas positivas e negativas
dentro de cada tomo ou unidade molecular que

est sendo ligada. Essa assimetria de carga denominada dipolo. A ligao secundria ou de van
der Waals pode ser de dois tipos, dependendo de
os dipolos serem temporrios ou permanentes.
Saiba mais
Johannes Diderick van der Waals (1837-1923), fsico
holands, melhorou as equaes de estado para os
gases, levando em considerao o efeito das foras
secundrias. Sua brilhante pesquisa foi publicada
inicialmente como uma dissertao de tese, que
surgiu de seus estudos de fsica em tempo parcial.
1.3 A Estrutura Cristalina
A estrutura cristalina tem como caracterstica central sua forma regular e repetitiva. Para
quantificar essa repetio, temos de determinar
qual unidade estrutural repetida. Vamos, agora,
analisar a geometria de uma clula unitria.
rstica da clula unitria que ela contm uma

descrio completa da estrutura como um todo,
pois a estrutura completa pode ser gerada pelo
empilhamento repetitivo de clulas unitrias adjacentes, face a face, por todo o espao tridimensional.
Figura 5 Geometria de clula unitria.
Dicionrio
Clula unitria: o menor volume que, por repetio
no espao, reproduz o reticulado cristalino.
Voc deve observar que o tamanho das

arestas da clula unitria e os ngulos entre os eixos cristalogrficos so chamados constantes de
rede ou parmetros de rede. A principal caracte-
12
Voc vai perceber que a descrio das estruturas cristalinas por meio de clulas unitrias
tem uma vantagem importante. Todas as estruturas possveis se reduzem a um pequeno nmero
de geometrias bsicas de clula unitria. Existem
somente sete formas exclusivas de clula unitria
que podem ser empilhadas para preencher o espao tridimensional.
Vamos, agora, analisar o sistema cbico:
Figura 6 Sistema cbico.
Figura 7 Sistema cbico.
No sistema cbico, os comprimentos axiais

so a=b=c e os ngulos correspondem a 90. A
rede cbica simples se torna a estrutura cristalina
cbica simples quando um tomo colocado em
cada ponto da rede.
Voc pode observar, a partir da figura a seguir, que os tomos esto colocados em cada vrtice do sistema cbico.
A forma geral da curva da energia de ligao e a terminologia associada s ligaes covalentes e tambm inicas esto representadas na
figura a seguir. Voc pode verificar a energia de
ligao em relao ao comprimento de ligao.
Essa uma forma comum para descrever a curva
de energia de ligao.
Figura 8 Energia de ligao em funo do comprimento de ligao a.
13
1.4 Exerccios Resolvidos
1. Calcule a fora de atrao coulombiana entre Na e Cl no NaCl .
Dados: rNa = 0, 098nm e rCl = 0,181nm

Resoluo:
A fora coulombiana dada por:
Fc =
K
a2
Sendo K = k0 ( Z1q )( Z 2 q ) , temos:
K k ( Z q )( Z q )
Fc =
2 =0 1 2 2
a
a
k0 ( Z1q )( Z 2 q ) 9 109 1, 6 1019 1 1, 6 1019
K
2 =
=
Fc =
2
a
a2
0, 278 109
9 109 1, 6 1019 1 1, 6 1019

=
= 2, 98 109 N
Fc
2
0, 278 109
K
a
6A +
2. Dado o potencial E =
KR
, onde K A e K R so constantes para atrao e repulso,
a12
78
6
16,16 10135 J m12 , calcurespectivamente, e sendo: K A =10, 37 10 J m e K R =
le a energia de ligao e o comprimento da ligao para o argnio.
14
Resoluo:
6 K A 12 K R
dE
13
= 0=
a07
a0
da a = a0
O comprimento da ligao (em equilbrio) ocorre em

Isolando-se
1
K R 6 16,16 10135 J m12 6

a0 =
m=
0,382 109 m =
0,382nm
2
=
2
78
6
K
10,37
10
J
Agora, voc deve observar a energia de ligao dada por E ( a0 ) .

Para o potencial dado pela equao:
K
K
E=
6A + 12R , teremos:
a
a
KA
KR
E ( 0, 382nm ) =
+
6
12
( 0, 382nm ) ( 0, 382nm )
10, 37 1078 J m6 16,16 10135 J m12
E ( 0, 382nm ) =
+
6
12
( 0, 382nm )
( 0, 382nm )
10, 37 1078 J m6 16,16 10135 J m12
E ( 0, 382nm ) =
+
=
1, 66 1021 J .
6
12
( 0, 382nm )
( 0, 382nm )
Para um mol de argnio (Ar), teremos:
Eligao =
1, 66 1021 J / ligaes 0, 602 1024
ligaes
J
=
0,999 103
mol
mol
O valor obtido corresponde energia de ligao, que, em mdulo, ser dada por:
Eligao
= 0,999 103
J
mol
15
1.5 Resumo do Captulo
Neste captulo, voc aprendeu a visualizar no microscpio a fratura de um material, sobre a influncia da estrutura cristalina do material e seu comportamento macroscpico, sobre a relao da fora coulombiana dada por Fc =
K
na ligao inica e na ligao secundria ou de van der Waals e a reprea2
sentar a energia de ligao E, que est relacionada fora de ligao, por meio da expresso diferencial:
F=
dE
.
da
1.6 Atividades Propostas
1. Calcule o nmero de tomos contidos em um cilindro de

a) Magnsio.
Dados:
Mg = 1, 74
de profundidade e dimetro de:
g
e Massa atmica Mg = 24,31u.m.a.
cm3
2. Utilizando a densidade do MgO,
MgO = 3, 60
g
, calcule a massa de um tijolo de MgO
cm3
refratrio (resistente temperatura), com dimenses 50 mm x 100 mm x 200 mm.

3. Calcule as dimenses de um cubo que contm 1 mol de cobre.
Dados: massa
16
atmica Cu = 63,55 g / mol e = 8,93 g / cm3 .
ESTRUTURAS METLICAS
Agora, voc vai analisar comigo uma estrutura cbica de corpo centrado (ccc). Nessa estrutura, existe um tomo no centro da clula unitria
e um oitavo de tomo em cada um dos oito cantos da clula unitria. Voc pode verificar que cada
tomo de canto compartilhado por oito clulas
unitrias adjacentes. Assim, existem dois tomos
em cada clula unitria ccc. Para voc entender
melhor o que eu estou dizendo, utilizei bolas de
isopor para representar a estrutura ccc. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:
1
1+ 8 =
2
8
O Fator de Empacotamento Atmico (FEA)

para essa estrutura 0,68 e representa a frao
do volume da clula unitria ocupada pelos dois
tomos. Os metais tpicos com essa estrutura incluem o Ferro alfa ( Fe ), Vandio (V), Cromo
(Cr), Molibdnio (Mo) e Tungstnio (W).
Agora, veja uma estrutura cbica de face
centrada (cfc). Nessa estrutura, existe meio tomo
no centro de cada face da clula unitria e um oitavo de tomo em cada canto da clula unitria,
com um total de quatro tomos em cada clula
unitria cfc. A quantidade de tomos por clula
unitria ser dada por:
6
Figura 9 Estrutura ccc.
1
1
+ 8 =
4
2
8
Figura 11 Estrutura cfc.

tomo que
compartilha as
outras clulas
unitrias
tomo no
centro
Figura 10 Estrutura ccc.

Figura 12 Estrutura cfc.
17
O FEA para essa estrutura 0,74. Um FEA de

0,74 o valor mais alto possvel para preencher
o espao empilhando as esferas rgidas de mesmo tamanho. Por esse motivo, a estrutura cfc, s
vezes, denominada cbica compacta. Os metais
tpicos com estrutura cfc incluem: Ferro gama
( Fe ), Alumnio (Al), Nquel (Ni), Cobre (Cu), Prata (Ag), Platina (Pt) e Ouro (Au).
Quanto estrutura hexagonal compacta
(hc), voc vai poder observar que existem dois
tomos associados a cada ponto da rede de Bravais, um tomo centralizado dentro da clula unitria e diversos tomos fracionados nos cantos da
clula unitria. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:
1
1
1+ 4 + 4 =
2
6
12
Figura 14 Estrutura hc.
Os metais tpicos com a estrutura hc incluem o Berlio (Be), Magnsio (Mg), Titnio alfa
( Ti ), Zinco (Zn) e Zircnio (Zr).
Figura 13 Estrutura hc.
2.1 Estruturas Cermicas
A grande variedade de composies qumicas das cermicas refletida em suas estruturas

cristalinas. Muitas dessas estruturas cermicas
tambm descrevem compostos intermetlicos.
Vamos definir o Fator de Empacotamento Inico (FEI) para essas estruturas. O FEI a frao do
volume de clula unitria ocupada pelos diversos
18
ctions e nions. Para as estruturas cermicas, vamos comear com as cermicas de frmula qumica
mais simples: MX, onde M um elemento metlico
e X no metlico. A estrutura do cloreto de csio
(CsCl) semelhante a uma estrutura ccc, porm
+
existem dois ons, um Cs e um Cl por clula

unitria.
Figura 15 Clula unitria do cloreto de csio, mostrando as posies dos ons e os dois
ons por ponto de rede.
2.2 Estruturas Polimricas
Voc vai notar agora que, diferentemente

do empilhamento de tomos ou ons individuais
nos metais e cermicas, os polmeros so definidos pela estrutura do tipo cadeia das molculas
polimricas longas. O arranjo dessas molculas
longas em um padro regular e repetitivo difcil.
Como resultado, a maioria dos plsticos comerciais , em grande parte, no cristalina. Naquelas
regies da microestrutura que so cristalinas, a
estrutura tende a ser muito complexa.
Figura 16 Clula unitria do poli-hexametileno adipamida ou nilon 66.
Vamos observar a clula unitria triclnica

para o poli-hexametileno adipamida ou nilon 66.
19
2.3 Estruturas Semicondutoras
Os semicondutores elementares, tais como

o Silcio (Si), Germnio (Ge) e Estanho (Sn) cinza,
compartilham a estrutura cbica do diamante.
Essa estrutura montada sobre uma rede de Bravais cfc, com dois tomos associados a cada ponto da rede e oito tomos por clula unitria. Uma
caracterstica crucial dessa estrutura que ela
acomoda a configurao de ligao tetradrica
desses elementos, que esto dispostos na tabela
peridica do grupo IV A.
Voc pode observar essa estrutura no esquema a seguir, que representa uma estrutura
da clula unitria cbica do diamante. Voc pode
notar as posies dos tomos. Observe que existem dois tomos por ponto da rede, sendo que
cada tomo coordenado tetraedricamente.
Figura 17 Estrutura da clula unitria cbica do diamante.
Saiba mais
Cbico tipo diamante: a estrutura cbica do diamante.
Agora, vamos analisar o empacotamento

real dos tomos representados como esferas rgidas associadas clula unitria (SHACKELFORD,
2011).
A quantidade de tomos por clula unitria
ser dada por:
tomo/clula unitria:
4 + 6
20
1
1
+ 8 =
8
2
8
Figura 18 Empacotamento real dos tomos.
importante notarmos a relao entre o tamanho da clula unitria (tamanho da aresta) e o

raio atmico para as estruturas metlicas comuns.
Voc dever anotar essas relaes para podermos
Estrutura cristalina
realizar os exerccios que se seguem no texto.

Para ajudar voc, coloquei esses dados na forma
de tabela. Veja:
Relao entre o tamanho da aresta (a) e o

raio atmico (r)
Cbica de corpo centrado (ccc)
a=
4r
3
Cbica de face centrada (cfc)
a=
4r
2
Hexagonal compacta (hc)
a = 2r
21
1. Mostre que uma rede quadrada de base centrada pode ser transformada em uma rede quadrada simples. Esboce essa equivalncia.
Resoluo:
2. Sabe-se que o cobre (Cu) um metal cfc. Dado o raio do tomo de cobre rtomoCu = 0,128nm ,
determine:
a) O parmetro de rede a (aresta).
b) A densidade da clula unitria, contendo quatro tomos.
Resoluo:
a) Clculo da aresta a.
Antes de iniciarmos a resoluo, voc deve analisar que a estrutura que o cobre possui cfc
e a equao dada por:
4r
a=
2
Como o problema nos fornece o raio do tomo de cobre rtomoCu = 0,128nm , temos:
=
a
22
4rtomo 4 0,128
=
= 0,362nm
2
2
b) A densidade da clula unitria:

A densidade dada pela relao:
massa
volume
107 nm
massa
4tomos
63, 55 g
=
=3
volume ( 0, 362 nm ) 6, 023 1023 tomos cm
107 nm
g
63, 55 g
=
8, 93 3
3
23
cm
( 0, 362 nm ) 6, 023 10 tomos cm
4tomos
3. Calcule o FEI do MgO. Dados:
rtomoMg = 0,078nm
rtomoO = 0,132nm
Lembre-se de que a estrutura similar do NaCl. A rede de Bravais cfc ser:
Resoluo:
Dado a = 0, 420nm , temos:
3
Vcelulaunitaria
= a=
( 0, 420nm )=
3
0, 0741nm3
Como existem quatro ons para o Mg e quatro ons para o O por clula unitria, o volume
inico total ser:
4
3
3
4
16
+ 4 r3
4 r3 =
0, 078nm ) + ( 0,132nm )
(
3
3
3
16
3
3
0, 078nm ) + ( 0,132nm ) =
0, 0465nm3
(
3
23
O FEI ser:
=
FEI
0, 0465nm3
= 0, 627
0, 0741nm3
4. Calcule a densidade do MgO, sabendo que a = 0, 420 nm e o volume de clula unitria cor3
responde a V = 0, 0741 nm .
Dados: massa molecular atmica Mg = 24,31g e O = 16, 00 g .
Resoluo:
4 ( 24,31g ) + 4 (16, 00 g ) / 6, 023 1023 107 nm 3
A densidade dada por:

=
0, 0741 nm3
cm
4 ( 24,31g ) + 4 (16, 00 g ) / 6, 023 1023 107 nm 3

g
=
3,
61
0, 0741 nm3
cm3
cm
Neste captulo, voc aprendeu o conceito estrutural da matria. Agora, voc entende melhor como
a clula unitria formada, pois foram expostas, atravs de figuras, a posio dos tomos na clula unitria e a sua forma estrutural: a estrutura cbica de corpo centrado (ccc), a estrutura cbica de face centrada (cfc) e a estrutura hexagonal compacta (hc).
Aprendemos a calcular o Fator de Empacotamento Atmico (FEA) para as estruturas dadas, bem
como o Fator de Empacotamento Inico (FEI).
1. Calcule a densidade do Fe , sabendo-se que um metal com estrutura ccc.

Dados: massa atmica de Fe = 55,85u.m.a. e rFe = 0,124nm .
=
a
24
4
r
3
2. Calcule o FEI do CaO.

Dados: rCa = 0,106nm e rO = 0,132nm .
a 2rCa + 2rO .
Lembre-se:=
3. Calcule a densidade do CaO.
Dados:
a = 0,476nm
e Ca=40,08 u.m.a. O=16,00 u.m.a.
4. Quantas clulas unitrias esto contidas em 1 kg de polietileno comercial, 50% cristalino e o

restante amorfo. Ele possui uma densidade global de 0,940 Mg/cm3.
Lembre-se: voc deve observar que as clulas unitrias esto presentes somente na parte
cristalina.
5. Calcule a densidade do germnio (Ge).
Dados: rGe = 0,122nm e Ge = 72, 59u.m.a.
25
ESTUDO DA REDE CRISTALINA
Existem algumas regras bsicas para descrever a geometria ao redor de uma clula unitria. Essas regras e as notaes associadas so
utilizadas uniformemente pelos cristalgrafos,
gelogos, fsicos, qumicos, cientistas de materiais, engenheiros de materiais e outros que precisam lidar com materiais cristalinos.
Voc, agora, vai entender o mundo dos cristais. Vamos descrever as posies na rede cristalina
expressas como fraes ou mltiplos de dimenses

da clula unitria. Um aspecto da natureza da estrutura cristalina que uma dada posio da rede, em
uma determinada clula unitria, estruturalmente equivalente mesma posio em qualquer outra clula unitria da mesma estrutura. Agora, voc
pode observar na figura a notao utilizada para as
posies na rede cristalina.
Figura 19 Posies na rede cristalina.
As posies equivalentes so conectadas

por translaes na rede cristalina, consistindo em
mltiplos inteiros ao longo de direes paralelas
aos eixos cristalogrficos. Caro(a) aluno(a)! Veja

com detalhes a figura a seguir:
27
Figura 20 Posies equivalentes.
Para descrevermos as direes na rede cristalina, devemos estar atentos ao fato de que essas
direes so expressas como conjuntos de inteiros, identificando-se as menores posies inteiras
interceptadas pela linha que parte da origem dos
eixos cristalogrficos. Na notao para distinguir
uma direo daquela de uma posio, os inteiros
de direo so delimitados por colchetes, sendo o
seu uso muito importante para a designao padro para as direes especficas da rede.
3.1 Direes e Planos Cristalogrficos
Na figura a seguir, voc pode observar a notao para a direo na rede. Note que as direes
[uvw] paralelas compartilham a mesma notao,

pois somente a origem deslocada.
Figura 21 Notao para direo na rede.
28
O uso dos colchetes importante e a designao padro para as direes especficas na

rede. Voc deve observar que a linha da origem
dos eixos cristalogrficos, passando pela posio
sa indicar esse movimento. Por exemplo, a barra

acima do nmero inteiro final na direo 11 1
designa que a linha da origem passou pela posio 1 1 -1.
111
, pode ser estendida
222
Voc deve observar que as direes [111]
no centro do corpo
para interceptar a posio 111 do canto da clula

unitria. Note que a extenso adicional da linha
leva interceptao de outros conjuntos de inteiros, como, por exemplo, 222 e 333, sendo o conjunto 111 o menor. Como resultado, essa direo
referenciada como [111] . Quando uma direo
se move por um eixo negativo, a notao preci-
e
so estruturalmente muito semelhantes.
Ambas so diagonais do corpo atravs de clulas
unitrias idnticas. A direo 11 1 se tornaria a
direo [111] se fizssemos uma escolha diferente de orientao de eixos cristalogrficos. Esse
conjunto de direes, que so estruturalmente
equivalentes, chamado famlia de direes e
representado pelos sinais < >. Um exemplo das
diagonais de corpo no sistema cbico :
111 = [111] , 111 , 1 11 , 11 1 1 1 1 , 1 1 1 , 11 1 , 1 11
Vamos agora visualizar a famlia de direes

111 , representando todas as diagonais do cor-
po para clulas unitrias adjacentes no sistema

cbico.
Figura 22 Famlia de direes 111 .
29
3.2 O ngulo entre as Direes e os ndices de Miller
Os ngulos podem ser determinados pela
direes:
[uvw]
[u ' v ' w '] ,
com os vetores
entre essas duas
D = ua + vb + wc e D ' = u ' a + v ' b + w ' c . Po-
visualizao cuidadosa e por clculos trigonomtricos. No sistema cbico, o ngulo pode ser
demos determinar o ngulo
determinado pelo clculo simples de um pro-
direes:
duto escalar de dois vetores. Vamos analisar as

DD
=' D D ' cos
ou
=
cos

DD'
=

D D'
uu '+ vv '+ ww '

u 2 + v 2 + w2 u '2 + v '2 + w '2
Lembre-se de que essa relao vlida somente para o sistema cbico.

Os planos so expressos como um conjunto
de nmeros inteiros, conhecidos como ndices de
Miller. A obteno desses nmeros inteiros um

processo mais elaborado do que o que foi exigido
para as direes. Os nmeros representam o inverso das interceptaes axiais.
Figura 23 ndices de Miller.
30
Voc deve observar que os parnteses servem como notao padro para representar os
planos cristalogrficos. O plano (210) indicado na
1
a , o eixo b em b
2
e paralelo ao eixo c, interceptando-o em . Os
1 1 1
inversos das interceptaes axiais so
, , .
1 1
2
figura intercepta o eixo a em
Esses inversos das interceptaes geram os inteiros 2, 1, 0, levando notao do plano (210).
A notao geral para os ndices de Miller
(hkl), que pode ser usada para qualquer um dos
sete sistemas cristalinos. Como o sistema hexa-
gonal pode ser representado por quatro eixos,

um conjunto de quatro dgitos dos ndices de
Miller-Bravais (hkil) pode ser definido. Pode-se
i para qualquer plano no
mostrar que h + k =
sistema hexagonal, o que tambm permite que
qualquer plano do sistema hexagonal seja designado pelos ndices de Miller-Bravais (hkil) ou pelos ndices de Miller (hkl). Da mesma forma que as
direes equivalentes, podemos agrupar planos
estruturalmente equivalentes como uma famlia
de planos com ndices de Miller ou Miller-Bravais
entre chaves: {hkl} ou {hkil} .
Vamos analisar as faces de uma clula unitria no sistema cbico, pertencente famlia {100},
com:
{100} = (100 ) , ( 010 ) , ( 001) , ( 100 ) , ( 0 10 ) , ( 00 1 )

Figura 24 Faces de uma clula unitria no sistema cbico.
31
3.3 Difrao de Raios X
Voc sabe como a estrutura do material

determinada? Atravs da utilizao da difrao de
raios X, possvel medir a estrutura cristalina dos
materiais de engenharia. Ela pode ser utilizada
para determinar a estrutura de um novo material
ou a estrutura conhecida de um material comum
pode ser usada como fonte de identificao qumica.
A difrao de raios X o resultado da radiao espalhada por um conjunto regular de centros de difuso, cujo espaamento da mesma
ordem de grandeza do comprimento de onda da
radiao. Observa-se que os tamanhos de tomos
e ons so da ordem de 0,1 nm, de modo que podemos pensar nas estruturas cristalinas como redes de difrao em uma escala subnanomtrica. A
parte do espectro eletromagntico com um comprimento de onda nesse intervalo a radiao X.
Dadas essas caractersticas, a difrao de raios X
capaz de caracterizar a estrutura cristalina.
Voc deve observar que, para os raios X, os

tomos so centros de espalhamento, sendo que
o mecanismo especfico de espalhamento a interao de um fton de radiao eletromagntica
com um eltron orbital no tomo. Um cristal atua
como uma grade de difrao tridimensional. Para
que haja a difrao, os feixes de raios X espalhados por planos cristalinos adjacentes devem estar
em fase. A diferena de caminho entre os feixes
de raios X adjacentes algum nmero inteiro n,
de comprimento de onda da radiao . A relao que demonstra essa condio a equao de
Bragg:
n = 2dsen
Nessa equao, voc deve observar que
o comprimento de onda dos raios X, d corresponde ao espaamento entre planos cristalinos
adjacentes e o ngulo de espalhamento.
Figura 25 Equao de Bragg.
32
A magnitude do espaamento interplanar

uma funo direta dos ndices de Miller para o
plano. Para o sistema cbico, a relao muito
simples. O espaamento entre planos hkl adjacentes dado pela equao:
d hkl =
Nessa equao, voc deve lembrar-se dos

parmetros de rede a e c para o sistema hexagonal.
Para ilustrar o texto, temos as imagens de
um difratmetro de raios X e uma ampola de raios
X.
a
h2 + k 2 + l 2
Figura 26 Difratmetro e ampola de raios X.

Anteparo
de W para a
produo de
raios X
Voc deve lembrar que a o parmetro de

rede, ou seja, o tamanho da aresta da clula unitria. Agora, veja como fica a frmula para um sistema hexagonal:
d hkl =
a
2
4 2
2
2a
h + hk + k + l 2
3
c
Fonte: O autor.
3.4 Microscopia Eletrnica de Transmisso e Varredura
Voc j deve ter tido a oportunidade de

visualizar alguma estrutura utilizando uma lupa
convencional. Voc deve ter notado que muitos
dos detalhes que voc no conseguia enxergar
sem a lupa so enxergados com certa nitidez e
detalhes. Imagine o mesmo ocorrendo com o estudo dos materiais. Para esses estudos, utilizamos
microscpios pticos e tambm eletrnicos. Os
microscpios pticos e eletrnicos so ferramentas poderosas para observar a ordem e a desordem estrutural do material. O microscpio eletrnico de transmisso usa o contraste de difrao
para obter imagens com alta ampliao, como,
por exemplo, 100.000 vezes de aumento, os defeitos como discordncias no material. O microscpio eletrnico de varredura produz imagens
de aparncia tridimensional de caractersticas
microestruturais, como as superfcies de fraturas.
Analisando a emisso de raios X caracterstica, a
composio qumica microestrutural pode ser estudada.
33
Figura 27 Microscpio eletrnico de varredura CamSam srie 4.
Fonte: O autor.
Para ilustrar a utilizao da microscopia eletrnica no estudo da superfcie de fratura, observe as imagens relativas fratura de um parafuso e
aos respectivos elementos qumicos presentes no

material analisado.
Figura 28 Fratura de um parafuso.
34
Figura 29 Elementos qumicos presentes no parafuso.
A imagem ilustra a superfcie de fratura de

um material metlico. Analisando a superfcie, voc
nota a presena de alvolos indicando que o material sofreu uma sobrecarga para romper-se. Com a
anlise de raios X caractersticos, possvel saber os
elementos qumicos presentes no material, atravs
da microanlise por energia dispersiva de raios X.

Voc pode observar a presena dos seguintes elementos qumicos: Oxignio (O), Ferro (Fe), Zinco
(Zn), Alumnio (Al), Silcio (Si), Cromo (Cr) e Mangans (Mn).
3.5 Defeitos Pontuais e Difuso no Estado Slido
Voc j observou o que ocorre quando uma

gota de tinta cai em um frasco contendo gua. A
gota se espalha at que toda a gua fique colorida por igual. Essa uma demonstrao simples
da difuso, ou seja, o movimento das molculas
de uma regio de maior concentrao para uma
de menor concentrao. Em temperaturas sufi-
cientes, tomos e molculas podem ser bastante

mveis em lquidos e slidos.
A difuso por um mecanismo de intersticialidade pode ser visto na figura seguinte, em que
efetivamente a natureza de caminhos aleatrios
da migrao atmica observada.
Figura 30 Difuso por mecanismo de intersticialidade.
35
Voc deve observar que essa aleatoriedade

no impede o fluxo lquido de material quando
existe uma variao geral na composio qumica.
O tratamento matemtico formal desse fluxo difusional comea com uma expresso conhecida como primeira lei de Fick:
J x = D
c
x
Agora, vamos analisar o gradiente de concentrao em um ponto especfico ao longo do

caminho de difuso, que muda com o tempo t.
Essa situao representada pela equao diferencial, conhecida como segunda lei de Fick:
cx cx
= D
t x x
Para facilitar, podemos admitir D independente de c, o que nos fornece uma equao simplificada da segunda lei de Fick:
Saiba mais
Adolf Eugen Fick (1829-1901) foi um grande fisiologista alemo. Seu trabalho na escola mecanistica
da fisiologia foi to excelente que serviu como guia
para as cincias fsicas.
cx
2 cx
=D 2
t
x
A varivel J x o fluxo ou taxa de fluxo das

espcies em difuso na direo de x, devido a um
gradiente de concentrao
c
, e D o coe x
ficiente de proporcionalidade ou coeficiente de

difuso, tambm conhecido como difusividade.
Figura 31 Fluxo de tomos.
36
3.6 Diagramas de Fases e o Desenvolvimento de Microestruturas
Uma fase uma poro qumica e estruturalmente homognea da microestrutura. Uma microestrutura monofsica pode ser policristalina,
mas cada gro cristalino difere apenas na orientao cristalina e no na composio qumica.
Veja, agora, a microestrutura monofsica do
molibdnio comercialmente puro, observada por
microscopia ptica, aps preparo da amostra da
superfcie, com aumento de 200 vezes. Nota-se a
presena de muitos gros nessa microestrutura e
cada gro tem a mesma composio uniforme.
Figura 32 Microestrutura monofsica do molibdnio comercialmente puro.
Qualquer aumento na temperatura mudar

o estado da microestrutura. As variveis de estado importantes, sobre as quais o engenheiro de
materiais tem controle no estabelecimento da
microestrutura, so: temperatura, presso e composio. A relao geral entre a microestrutura e
essas variveis de estado dada pela regra de fases de Gibbs:
F = C P +1
Na qual F o nmero de graus de liberdade,
C o nmero de componentes e P o nmero de
fases.
Um diagrama de fases qualquer representao grfica das variveis de estado associadas
microestrutura por meio da regra de fases de
Gibbs. Por uma questo prtica, os diagramas de
fases mais usados pelos engenheiros de materiais
so os diagramas binrios, que representam sistemas de dois componentes (C=2), e os diagramas
ternrios, que representam sistemas de trs componentes, ou seja, C=3 na regra de fases de Gibbs.
Fonte: Metals Handbook (1972, p. 196).
Figura 33 Diagrama de fases.
37
O esquema representa o diagrama de fases

de um componente para o ferro puro. Voc pode
analisar no diagrama uma projeo da informao do diagrama de fases em 1 atm, que gera
uma escala de temperatura. Observe que, at 910
C, temos o Fe ou ferrita; a partir de 910 C at
1394 C, temos a formao do Fe ou austenita;
entre 1394 C e 1538 C, observamos a formao

do Fe; e acima da temperatura de 1538 C, o ferro
encontra-se na fase lquida.
Voc poder encontrar diversos diagramas
de fases para a maioria dos materiais conhecidos,
atravs da consulta ao Metals Handbook que se
encontra na referncia.
1. Os trs primeiros picos obtidos por difrao de raios X do alumnio em p so: (111), (200) e
(220). Sabendo-se que o parmetro a=0,404nm, determine o valor de d para cada plano.
Resoluo:
Inicialmente, vamos utilizar a equao d hkl =
cbica.
Para o plano (111), temos:
d111 =
=
d111
a
h2 + k 2 + l 2
, pois o alumnio de estrutura
0, 404nm
12 + 12 + 12
0, 404nm
0, 404
= = 0, 234nm
3
12 + 12 + 12
d 200 =
=
d 200
0, 404nm
22 + 02 + 02
0, 404nm
0, 404
= = 0, 202nm
2
22 + 02 + 02
d 220 =
38
0, 404nm
22 + 22 + 02
=
d 220
0, 404nm
0, 404
= = 0,143nm
8
22 + 22 + 02
2. Sabendo que a fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d111 = 0, 234nm .
Resoluo:
Voc vai utilizar a lei de Bragg
n = 2dsen . Lembre-se de que o problema fornece o
valor de lambda e de d. Vamos isolar o valor de :
sen =
2d
Para calcularmos o valor de , temos que usar a relao da trigonometria, ou seja:
= arsen
= arsen
2d
0,1542nm
2 0, 234nm
0,1542nm
arsen
= 19, 2
2 0, 234nm
Como o difratograma apresenta a relao entre a intensidade e o ngulo em
(2 ) , para o
ngulo = 19, 2 , o valor de ( 2 )111 = 38, 5 .

3. Superfcies de ao podem ser endurecidas pela carbonetao. Durante um tratamento desse
tipo a 1000 C, existe uma queda na concentrao de carbono de 5% para 4% at de carbono,
entre 1 e 2 mm da superfcie de ao. Estime o fluxo de tomos de carbono no ao nessa regio
prxima superfcie.
Dados: densidade do Fe (1000 C ) = 7, 63
2
g
11 m
D
=
2,98
10
e
CemFe
cm3
s
39
Resoluo:
g
cm
6, 023 1023 tomos

tomos
=
8, 23 1022
55,85 g
cm3
=
7, 63 3
c 5%at 4%at
at
=
= 1%
x 1mm 2mm
mm
3
0, 01 8, 23 1022 tomos / cm3
c c
10mm
6 cm
=
=
10
3
x x
1mm
m
m
c
tomos
=
8, 23 1029
x
m4
Agora, vamos utilizar a equao de Fick dada por:
J x = D
Jx =
D
c
x
m2
c
29 tomos
=
2,98 1011
8, 23 10
x
s
m4
tomos
c
Jx =
D =
2, 45 1019
x
m 2 .s
No presente captulo, voc aprendeu a descrever os planos cristalogrficos e como esto dispostos
os parmetros de rede do material. Verificou que existe uma grande gama de materiais metlicos, cermicos e polimricos, e que, para o estudo da cristalografia do material, utiliza-se a difrao de raios X,
utilizando-se a equao: n = 2dsen , sendo possvel determinar os planos de difrao do material
a partir do difratograma dado.
Tambm viu o tratamento matemtico formal do fluxo difusional utilizando a primeira lei de Fick:
J x = D
40
c
x
1. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 200 = 0, 202nm .
2. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada
para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 220 = 0,143nm .
3. Calcule os ngulos, no sistema cbico, entre as seguintes direes:
cos
Use a equao:=

DD'
=

D D'
uu '+ vv '+ ww '

u 2 + v 2 + w2 u '2 + v '2 + w '2
a) [100] e [110] .
b) [100] e [111] .
4. A superfcie de ao pode ser endurecida pela carbonetao. Durante um tratamento desse tipo
a 1100 C, estime o fluxo de tomos de carbono no ao nessa regio prxima superfcie.
=
7,92 10
Dados: DCnoFe
11
tomos
m 2 c
=
8, 23 1029
e
.
x
m4
s
5. A 200 C, uma liga de solda Pb-Sn 50:50 existe como duas fases: um slido rico em chumbo e
um lquido rico em estanho. Calcule os graus de liberdade a uma presso constante de 1 atm
para:
a) Uma soluo slida de monofsico do Sn dissolvida no solvente Pb.
b) Pb puro abaixo de seu ponto de fuso.
c) Pb puro em seu ponto de fuso.
41
CONSIDERAES FINAIS
Espera-se que, com esta apostila, voc, aluno(a), se envolva na disciplina, entenda e consiga definir
os conceitos bsicos da cincia dos materiais, sua classificao e estrutura, alm de definir e identificar
os materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como a sua utilizao e comportamento mecnico
e termomecnico. Voc ir desenvolver o raciocnio lgico e saber utilizar e aplicar as equaes pertinentes aos vrios assuntos abordados e estudados na presente apostila, no mbito profissional e, consequentemente, na sociedade em que se encontra inserido(a).
43
RESPOSTAS COMENTADAS DAS

ATIVIDADES PROPOSTAS
Ol, aluno(a)!
Para a resoluo dos exerccios, no se esquea de realizar uma reviso da teoria. Voc poder utilizar a sua calculadora cientfica para facilitar os clculos.
CAPTULO 1
1. Vamos calcular o nmero de tomos de magnsio.
O volume ser dado por base x altura
tomos de Mg.
2. Para calcular a massa, voc deve lembrar a relao
m
.
V
O problema nos fornece a densidade MgO, ou seja:
45
3. Voc possui os dados:
A dimenso ser dada por:
dim enso =
massa atmica
densidade
CAPTULO 2
1. Para calcular a densidade do
Dados: massa atmica de
Para o
, temos:
, sabendo-se que um metal com estrutura ccc:
, portanto:
A densidade dada por:
46
2. Vamos calcular o FEI do CaO:

e
Dados:
Lembre-se:
O volume unitrio da clula ser dado por:
O FEI ser dado por:
3. Voc deve analisar os dados fornecidos no exerccio. Os dados fornecidos so:

e Ca=40,08 u.m.a. O=16,00 u.m.a.
O volume da clula unitria dada por:
A densidade ser dada pela relao:
47
Portanto:
4. Para calcular quantas clulas unitrias esto contidas em 1 kg de polietileno comercial, 50%
cristalino e o restante amorfo, sabendo que ele possui uma densidade global de 0,940 Mg/cm3,
voc deve observar que as clulas unitrias esto presentes somente na parte cristalina.
O volume da fase cristalina ser dado por:
O nmero de clulas unitrias ser:
5. Para voc calcular a densidade do germnio (Ge), vamos utilizar os dados:
Para o germnio, o valor de a ser dado por:
O volume calculado utilizando a relao:
48
A densidade ser:
CAPTULO 3
1. O problema nos fornece a fonte de raios X do cobre, que possui
CuK ), e o plano
(radiao
Vamos utilizar a equao de Bragg dada por:
n = 2dsen
Agora, voc vai isolar a varivel e a equao se torna equivalente:
sen =
2d
= arsen
2d
Vamos substituir o valor das variveis dadas no problema:
Portanto:
e o valor de
2. Voc deve seguir o mesmo procedimento do exerccio anterior. A fonte de raios X do cobre
(radiao CuK ) e foi utilizada para a difrao do alumnio.
possui
Vamos determinar o ngulo para o plano

Vamos utilizar a equao de Bragg dada por:
n = 2dsen
49
Agora, voc vai isolar a varivel e a equao se torna equivalente:
sen =
2d
= arsen
2d
Portanto, temos:
e
3. Para calcularmos o ngulo entre as direes no sistema cbico, vamos utilizar a relao:
a) Voc agora deve isolar o delta:
b)
50
4. O problema nos fornece os seguintes dados:
Voc dever lembrar-se da relao de Fick dada por:
Vamos substituir os valores dados na equao; portanto, temos:
5. A relao geral entre a microestrutura e essas variveis de estado dada pela regra de fases de
Gibbs, dada por:
F = C P + 1,
a)
F = C P +1 F = 2 1
b)
F = 11+1 = 1
c)
F =1 2 +1 = 0
51
REFERNCIAS
AMALDI, U. Imagens da fsica: as idias e as experincias do pndulo aos quarks. So Paulo: Scipione,
1995.
CALLISTER JR., W. D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC,
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CULLIT, B. D. Elements of x-ray diffraction. 2. ed. Massachusetts: Addison-Wesley, 1978.
EISBERG, M. R. Fundamentos da fsica moderna. Rio de Janeiro: Guanabara Dois, 1979.
GUY, A. G. Cincia dos materiais. Rio de Janeiro: LTC; So Paulo: EDUSP, 1980.
HALLIDAY, D.; RESNIK, R.; KRANE, K. S. Fsica. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2008. 4 v.
METALS HANDBOOK. Atlas de microestrutura. 8. ed. Ohio: American Society for Metals, 1972. v. 7.
PADILHA, A. F. Materiais de engenharia: microestrutura e propriedades. Curitiba: Hemus, 2000.
SHACKELFORD, J. F. Cincia dos materiais. Traduo de Daniel Vieira. 6. ed. So Paulo: Pearson, 2011.
ZEMANSKY, M. W. Heat and thermodynamics. 4. ed. [S.l.]: McGraw-Hill, 1957.
53

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Aparecido Edilson Morcelli

Adaptada por Aparecido E. Morcelli e Mauro N. Takeda (setembro/2012)

3 ESTUDO DA REDE CRISTALINA.................................................................................................. 27

Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br

Voc e eu, agora, temos a certeza de que,

Voc pode observar que os metais, as cermicas e vidros, os polmeros e os compsitos

Segundo nvel: existe a competio

Primeiro nvel: existe a competio entre as diversas categorias de materiais;

Para ilustrar a voc o que eu estou falando,

Vamos fazer uma anlise compreendendo

Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br

Aparecido Edilson Morcelli

Figura 1 Micrografia obtida por MEV.

A imagem obtida por MEV atravs da interao

Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br

Figura 2 Micrografia obtida por MEV.

engenheiro responsvel por selecionar vrios

Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br

Aparecido Edilson Morcelli

Figura 3 Corpo de prova aps o ensaio de trao.

Voc est observando que o material est

1.1 Classificao dos Materiais

Unisa | Educao a Distncia | www.unisa.br

1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals

A ligao inica o resultado da atrao

a a distncia de separao entre os

K dado por: K = k0 Z1q Z 2 q .

Voc poder visualizar no grfico que a

Figura 4 Grfico da curva de ligao lquida.

Fonte: Shackelford (2011, p. 24).

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A inclinao na curva de energia em um mnimo igual a zero, ou seja:

dentro de cada tomo ou unidade molecular que

1.3 A Estrutura Cristalina

rstica da clula unitria que ela contm uma

Figura 5 Geometria de clula unitria.

Fonte: Shackelford (2011, p. 45).

Voc deve observar que o tamanho das

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Figura 6 Sistema cbico.

Figura 7 Sistema cbico.

Fonte: Shackelford (2011, p. 46).

No sistema cbico, os comprimentos axiais

Fonte: Shackelford (2011, p. 47).

Figura 8 Energia de ligao em funo do comprimento de ligao a.

Fonte: Shackelford (2011, p. 31).

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1.4 Exerccios Resolvidos

1. Calcule a fora de atrao coulombiana entre Na e Cl no NaCl .

Dados: rNa = 0, 098nm e rCl = 0,181nm

Sendo K = k0 ( Z1q )( Z 2 q ) , temos:

9 109 1, 6 1019 1 1, 6 1019

le a energia de ligao e o comprimento da ligao para o argnio.

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O comprimento da ligao (em equilbrio) ocorre em

K R 6 16,16 10135 J m12 6

Agora, voc deve observar a energia de ligao dada por E ( a0 ) .

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1.5 Resumo do Captulo

1.6 Atividades Propostas