Cours de Physique Des SC - Poly - BAC+3 PDF

Dpartement Micro-lectronique et
tlcommunications
Premire anne 2004/2005
PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS
Rouge
Violet
Visible
Infra-Rouge
CdxHg1-xTe
CdSe
Ge
InSb
0
AlAs
CdS
GaP
Si GaAs
1
Ultra-Violet
SiC
GaN ZnS
EG
4 (eV)
(m) 10
1,5
0,65
0,5
0,35
A. Chovet
P. Masson
ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE MARSEILLE

Dpartement Micro-lectronique et Tlcommunications
Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson
Avertissement
Le prsent document est une version modifie (et adapt lEcole Polytechnique Universitaire
de Marseille) du polycopier de cours de physique des semi-conducteurs de lEcole Nationale
Suprieure dElectronique et de Radio Electricit de Grenoble (ENSERG ) dispens par A.
Chovet et co-crit par A. Chovet et P. Masson.
Les auteurs tiennent remercier par avance les lecteurs qui voudront bien faire part de leurs
remarques et corrections ventuelles concernant le fond et la forme du document.
Comment nous joindre ?

Alain CHOVET
Professeur
IMEP/LPCS, ENSERG
23 rue des Martyrs, BP 257
38016 Grenoble Cedex 1
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Copyright 2001 A. Chovet et P. Masson. Tous droits rservs

1re mise jour : aot 2004
3
Table des matires
Chapitre I. Gnralits ..................................................................................... 11

I.1. Conducteur - Isolant - Semi-conducteur ................................................................... 11
I.2. Structure de ltat solide .............................................................................................. 11
I.3. Systme cristallin et rseau cristallin....................................................................... 12
Chapitre II. Quelques proprits ................................................................... 13

II.1. Cristal cubique ............................................................................................................. 13
II.1.1. Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) - Rseau diamant
13
II.1.2. Semi-conducteurs composs (III-V ou II-VI) - Rseau Zinc-blende
14
II.2. Bandes dnergie .......................................................................................................... 15
II.3. Gap direct ou indirect .............................................................................................. 16
II.4. Conduction par lectron ou par trou. Masse effective. Densit dtats............ 16
Chapitre III. Semi-conducteur non dop ou dop...................................... 19

III.1. Semi-conducteur intrinsque .................................................................................. 19
III.2. Semi-conducteur extrinsque : dopage.................................................................. 20
III.2.1. Semi-conducteur de type n
20
III.2.2. Semi-conducteur de type p
21
III.3. Semi-conducteur compens...................................................................................... 22
Chapitre IV. Semi-conducteur lquilibre ................................................. 23

IV.1. Concentration des porteurs libres lquilibre ................................................... 23
IV.1.1. Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
23
IV.1.2. Concentrations lquilibre, loi daction de masse
24
IV.1.3. Equation de la neutralit lectrique
26
IV.2. Le niveau de Fermi dans une structure l'quilibre .......................................... 27
IV.2.1. Proprit fondamentale
27
IV.2.2. Illustrations
28
IV.2.3. Application : ddp interne d'une jonction pn l'quilibre
28
Chapitre V. Equation de Poisson - Consquences...................................... 31

Chapitre VI. Perturbations faibles de lquilibre : transport de charges35
VI.1. Mobilit des porteurs libres...................................................................................... 35
VI.2. Conduction et conductivit....................................................................................... 38
VI.3. Diffusion des porteurs ............................................................................................... 39
VI.4. Courant de dplacement............................................................................................ 41
VI.5. Transport de charges en prsence de champs lectrique et magntique. Effet
Hall - Magntorsistance .................................................................................................... 41
5
Chapitre VII. Perturbations fortes de lquilibre : cration et disparition

de porteurs........................................................................................................... 45
VII.1. Cration de porteurs................................................................................................. 45
VII.1.1. Cration par nergie lumineuse (par photons)
45
VII.1.2. Cration par des particules (ou radiations) ionisantes
46
VII.1.3 Cration par porteurs chauds (champ lectrique intense)
47
VII.1.4. Cration par injection de porteurs
47
VII.2. Quasi-niveaux de Fermi ........................................................................................... 47
VII.3. Recombinaison (disparition) et dure de vie des porteurs libres ................... 49
VII.3.1. Expression de la dure de vie (cas de recombinaison directe)
50
VII.3.2. Dure de vie dans le cas d'une recombinaison indirecte
51
VII.3.3. Recombinaison en surface
52
VII.4. Photoconductivit ..................................................................................................... 52
VII.5. La luminescence ........................................................................................................ 53
VII.5.1. Photoluminescence
53
VII.5.2. Cathodoluminescence
53
VII.5.3. Electroluminescence
53
Chapitre VIII. Equations dvolution (espace et temps).......................... 55

VIII.1. Equations de continuit (ou quations de conservation de chaque type de
porteurs)................................................................................................................................. 55
VIII.2. Equation de conservation de la charge ............................................................... 55
VIII.3. Equation de continuit ambipolaire (ou gnralise) .................................. 56
VIII.4. Exemples dapplication........................................................................................... 57
VIII.4.1. Dure de vie et longueur de diffusion
57
VIII.4.2. Temps de relaxation dilectrique et longueur de Debye
59
Chapitre IX. Fluctuations et bruit lectrique ............................................. 61

IX.1. Bruit de grenaille (shot noise)............................................................................... 61
IX.2. Bruit thermique (de Nyquist ou de Johnson) ....................................................... 62
IX.3. Bruit de gnration - recombinaison (GR) ............................................................ 63
IX.4. Bruit en 1/f (ou de scintillement ou Flicker noise)............................................ 63
Chapitre X. Contact entre deux matriaux diffrents - Htrostructures

................................................................................................................................ 65
X.1. Introduction................................................................................................................... 65
X.2. Travail de sortie - Affinit lectronique - Barrire de potentiel......................... 65
X.3. Contact Mtal - semi-conducteur rel ...................................................................... 66
X.3.1. L'oxyde natif
66
X.3.2. Les tats d'interface (ou tats de surface)
67
X.4. Description qualitative de la relation I(V) d'un contact M - SC.......................... 68
X.4.1. Contact redresseur (diode SCHOTTKY)
68
X.4.2. Contact ohmique
69
X.5. Htrojonction............................................................................................................... 70
X.5.1. Diagramme des bandes d'nergie
70
6
X.5.2. Applications : localisation et transport des porteurs
72
Table des symboles, notations et abrviations
Symboles
BC
BV
Cox
Dn,p
unit
Fm-2
m2s-1
E
EA
EC
ED
EF
EFi
EFM
EFSC
EG
Ei
EV
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
J (ou eV)
Vm-1
fn(E)
fp(E)
Gn,p
h
h
r
E
signification
Bande de Conduction
Bande de Valence
Capacit doxyde
Coefficient de diffusion des lectrons (indice n) ou des trous
(indice p)
Energie
Niveau dnergie des tats accepteurs
Energie du bas de la bande de conduction
Niveau dnergie des tats donneurs
Niveau de Fermi
Niveau de Fermi du matriau intrinsque
Niveau de Fermi dun mtal
Niveau de Fermi du semi-conducteur
Gap ou largeur de la Bande Interdite
Energie du milieu de la bande interdite (EC+EV)/2
Energie du haut de la bande de valence
Champ lectrique
m-3s-1
Js
Js
Am-2
Probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un lectron

Probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un trou
Taux de gnration dlectrons (indice n) ou de trous (indice p)
Constante de Planck (6,6210-34 J.s)
Constante de Planck rduite (h/2)
Densit de courant
flux
k
Ln,p
m-2s-1
Flux (de porteurs)
JK-1
m
mn
mp
NA
NA
NC
ND
ND+
NV
n0
n(E)
nC(E)
ni
nV(E)
p0
p(E)
QD
QM
Qinv (Qn, Qp)
Qox
QSS = Qit
kg
kg
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3 (ou cm-3)
m-3J-1
m-3J-1
-3
m (ou cm-3)
m-3J-1
-3
m (ou cm-3)
m-3J-1
Cm-2
Cm-2
Cm-2
Cm-2
Cm-2
Constante de Boltzmann (1,3810-23 J.K-1)

Longueur de diffusion des lectrons (indice n) ou des trous
(indice p)
Masse effective des lectrons
Masse effective des trous
Concentration en impurets (dopant) de type accepteur
Concentration en impurets ionises de type accepteur
Densit dtats quivalente dans la BC, ramene en EC
Concentration en impurets (dopant) de type donneur
Concentration en impurets ionises de type donneur
Densit dtats quivalente dans la BV, ramene en EV
Concentration en lectrons libres lquilibre thermodynamique
Densit nergtique des lectrons dans la BC
Densit dtats dans la BC
Concentration intrinsque de porteurs libres
Densit dtats dans la BV
Concentration en trous libres lquilibre thermodynamique
Densit nergtique des trous dans la BV
Charge de la zone de dsertion
Charge dans le mtal
Charge de la zone dinversion
Charge dans lisolant (oxyde)
Charge due aux tats de surface = dinterface
r
j
q
RH
Rn,p
T
tox
r
v dn,p
r
v th
V
VG
Vox
Vs
xd
xdM
0
ox
SC
F
b
M
n,p
H
r
, ( r )
diel
r
Valeur absolue de la charge de llectron (1,610-19 C)

Coefficient de Hall
m-3s-1
Taux de recombinaison des lectrons (indice n) et des trous
(indice p)
K
Temprature absolue
m
paisseur doxyde
ms-1 (cms-1) Vitesse de drive des lectrons (indice n) ou des trous (indice p)
ms-1 (cms-1) Vitesse thermique des porteurs
V
Tension (ddp : diffrence de potentiel) lectrique
V
Tension entre grille et substrat (bulk)
V
Chute de potentiel aux bornes de loxyde
V
Potentiel de surface du semi-conducteur
m
Etendue de la zone de dsertion
m
Longueur maximale de la zone de dsertion
Fm-1
Permittivit du vide (8,8510-12 F.m-1)
C
m3C-1
Fm-1
Permittivit dun oxyde (SiO2 = 3,820 40)
Permittivit dun semi-conducteur (11,90 pour le Silicium)

V
Potentiel de Fermi dans le volume du semi-conducteur
J (ou eV) Barrire (de potentiel) dite de Schottky
J (ou eV) Travail de sortie du mtal
J (ou eV) Affinit lectronique du semi-conducteur
m2V-1s-1
Mobilit des lectrons (indice n) ou des trous (indice p)
2
-1
-1
mV s
Mobilit de Hall (nH, pH)
r
Cm-3
Densit de charge (au point r )
Sm-1 (Scm-1) Conductivit = 1/Rsistivit (-1m-1)
s
Dure de vie des porteurs libres
s
Temps de relaxation dilectrique dans un matriau = SC/
s
Temps de relaxation sur le rseau (temps entre deux collisions
successives subies par un porteur libre, ou temps de libre
parcours)
Fm-1
10
Chapitre I. Gnralits
I.1. Conducteurs - Isolants - Semi-conducteurs

Les matriaux ayant la plus faible rsistivit temprature ambiante, typiquement
infrieure 10-5 cm, sont les mtaux (cuivre, or, argent, aluminium...). La conduction
lectrique seffectue essentiellement par les lectrons libres dont la concentration diffre peu
dun mtal lautre (de 1022 1023 cm-3) quelle que soit sa puret. Une augmentation de la
temprature provoque une lgre augmentation de la rsistivit, pouvant sexpliquer par le fait
que les lectrons libres sont gns dans leur dplacement par les vibrations (croissantes avec la
temprature) des atomes du mtal.
Les matriaux dont la rsistivit est typiquement suprieure 108 cm sont considrs
comme isolants ; cest le cas pour le verre, le mica, la silice (SiO2), le carbone (diamant). Cette
fois laugmentation de la temprature peut provoquer la libration dlectrons (ainsi que de
trous) qui peuvent participer la conduction lectrique, ce qui provoque une baisse de la
rsistivit avec la temprature.
Entre les mtaux et les isolants se trouvent les semi-conducteurs (SC) dont la rsistivit
varie de 10-3 104 cm (ou plus). La conduction lectrique se fait par les lectrons et les trous,
ou de faon prfrentielle par lun ou lautre type de porteurs. Un semi-conducteur peut tre soit
pur auquel cas il est dit intrinsque, soit dop par des impurets (qui permettent de contrler
sa rsistivit) auquel cas il est dit extrinsque. Si on prend, par exemple, du Silicium assez
pur et quon lui ajoute un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de Silicium, sa
rsistivit passe de 103 environ 10-2 cm.
Le tableau (I.1) donne des exemples de matriaux ou de composs semi-conducteurs en
fonction des lments qui les constituent et de la position de ces lments dans le tableau de
Mendelev.
Colonne
IV
Semi-conducteur
Ge, Si
III-V
binaire
GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb
ternaire
AlxGa1-xAs, GaAsyP1-y
quaternaire
AlxGa1-xAsyP1-y
binaire
CdS, HgTe, CdTe, ZnTe, ZnS
ternaire
CdxHg1-xTe
II-VI
Tableau I.1. Exemples de semi-conducteurs.

I.2. Structure de ltat solide
Les matriaux solides se classent en deux grandes catgories qui sont :
Les matriaux cristallins o les atomes sont rangs rgulirement aux noeuds dun
rseau priodique ; la maille (ou motif) lmentaire se rpte rgulirement
11
Les matriaux amorphes o lordre nest que local et non rpt longue distance.
On distingue essentiellement quatre familles de solides cristallins :
Les cristaux ioniques, par exemple le Na+Cl- o les ions sont lis par attraction
coulombienne. Aucun lectron nest libre ce qui rend ces cristaux isolants et trs dur
(la liaison est trs solide).
Les cristaux covalents (colonne IV : C, Si, Ge, Sn). Les quatre lectrons priphriques
sont mis en commun avec quatre voisins et tablissent des liaisons de valence. Ces
liaisons sont moins fortes que les liaisons ioniques et les proprits des cristaux vont
dpendre de la force de ces liaisons (C diamant est isolant, Sn est conducteur).
Les mtaux (Li, Na, K, Cu, Ag, Au) conducteurs lectriques qui ont un lectron libre
par atome. Leur temprature de fusion est moins leve que celle des cristaux
covalents.
Les cristaux molculaires.
I.3. Systme cristallin et rseau cristallin

Un cristal peut tre reprsent partir dune cellule de base qui est rpte priodiquement,
formant ainsi le rseau cristallin. Selon la nature des oprations de symtrie qui laissent la
structure cristalline invariante, on est amen dfinir sept systmes cristallins, parmi lesquels
le systme cubique.
12
Chapitre II. Quelques proprits
II.1. Cristal cubique

La plupart des semi-conducteurs cristallisent selon un systme cubique. Le systme cubique
comprend trois rseaux diffrents possibles, selon la disposition des atomes comme lindique la
figure (II.1)
Cubique simple : les atomes sont aux sommets du cube (figure (II.1.a)).
Cubique centr : identique au cubique simple mais avec un atome au centre du cube
(figure (II.1.b)).
Cubique face centre : identique au cubique simple mais avec un atome au centre de
chaque face (figure (II.1.c)).
Figure II.1.a. Cubique simple. b. Cubique centr. c. Cubique face centre.

z
(010)
(001)
(100)
x
(111)
y
(110)
y
(110)
y
y
x
Figure II.2. Plans cristallographiques.

La figure (II.2) reprsente certains plans cristallographiques reprs par leur indices de
Miller. La direction perpendiculaire au plan (h,k,l) se note [h,k,l].
II.1.1. Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) - Rseau diamant

Les lectrons dun atome isol prennent des valeurs dnergie discrtes et chaque niveau
dnergie peut accueillir un nombre limit dlectrons. Ce nombre est gale 2n2 o n
correspond au numro du niveau (couche) en partant du noyau. Les lectrons se rpartissent en
occupant dabord les niveaux les plus proches du noyau (ce qui correspond lnergie minimale).
Dans le cas du Silicium, qui a un numro atomique Z gal 14, il y aura 2 lectrons sur la
premire couche (complte), 8 sur la seconde (complte aussi) et 4 sur la dernire qui nest donc
pas pleine puisquelle peut contenir jusqu' 18 lectrons. La figure (II.3.a) donne une
reprsentation des niveaux dnergie et des lectrons qui les occupent. Cette reprsentation est
simplifie la figure (II.3.b) en considrant seulement les quatre lectrons priphriques de la
couche externe (qui participeront aux liaisons entre atomes).
13
4+
14+
Figure II.3. Reprsentations de latome de Silicium faisant apparatre. a. Les niveaux

dnergie et lectrons les occupant. b. Le dernier niveau dnergie. c. Les quatre liaisons
covalentes possibles.
On constate quun lment prsente une grande stabilit quand il a huit lectrons sur sa
couche externe (structure des gaz rares), ce qui nest pas le cas de latome de Silicium isol.
Lors de la formation du cristal cet atome va gagner quatre lectrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent la mise en commun de ses lectrons priphriques avec les
atomes voisins. Ainsi un atome de Silicium qui sassocie avec quatre autres atomes de Silicium
verra huit lectrons sur sa dernire couche. Une telle association est illustre aux figures
(II.4). On constate que si aucune liaison nest brise (par exemple 0 K), il ny a pas dlectrons
libres, et donc le cristal est isolant.
Le systme cubique dans lequel va ainsi cristalliser le Silicium, le Germanium (ainsi que C,
Sn) est le rseau diamant constitu de deux rseaux cubiques faces centres imbriqus (dcals
du quart de la diagonale principale du cube).
Figure II.4. Reprsentation de lassociation dun atome de Silicium avec ses quatre voisins. a.
En projection plane. b. En trois dimensions.
II.1.2. Semi-conducteurs composs (III-V ou II-VI) - Rseau Zinc-blende
Un type de liaisons trs proche de celui qui vient dtre dcrit peut aussi se faire entre
atomes de nature diffrente par exemple entre le Gallium (Z = 31) et lArsenic (Z = 33). La figure
(II.5) donne la reprsentation en deux dimensions du semi-conducteur GaAs dans lequel un
atome de Ga prend quatre atomes de As comme voisins et lAs quatre atomes de Ga. En ralit,
le cristal se construit partir des ions Ga- et As+ qui ont tous quatre lectrons priphriques.
Ga-
As+
Ga-
Gallium
Figure II.5. Semi-conducteur compos : GaAs.

As+
Ga-
As+
Arsenic
Le rseau correspondant est celui de la blende (minerai de sulfure de zinc : ZnS) qui peut tre
considr comme une variante du rseau diamant : pour GaAs, il est constitu de deux rseaux
cubiques faces centres (lun de Ga et lautre de As) imbriqus et dcals du quart de la
diagonale principale.
14
II.2. Bandes dnergie

Les lectrons dun atome isol prennent des niveaux discrets dnergie (figure (II.3)), qui sont
en fait constitus de sous-niveaux (ou sous-couches) ; mais lorsquon rapproche deux atomes ces
niveaux (ou sous-niveaux) vont se ddoubler. En tendant ce raisonnement N atomes, cette
dgnrescence fait apparatre des bandes dnergie permises, qui peuvent sinterpntrer et
se sparer nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue (cf. Fig. (II.6)), donnant des
bandes d'nergie interdite, de largeur EG (Gap).
Le tableau (II.1) donne quelques exemples de largeur de bande interdite ainsi que de
distances inter-atomique.
atome
EG (eV)
type de matriau
d ( )
C (Carbone)
5.5
isolant
3.567
Si (Silicium)
1.1
semi-conducteur
5.431
Ge (Germanium)
0.7
semi-conducteur
5.646
Sn(Etain)
conducteur
6.489
Tableau II.1. Exemple de valeurs du gap et de la distance inter-atomique (constante du

rseau = arte du cube du rseau = ( 4 / 3 ) distance au plus proche voisin).
E
Energie
des
lectrons
EC
EG
EV
d0
d0
La figure (II.6) illustre le cas des

semi-conducteurs du groupe IV (cas
du Silicium) : la bande suprieure est
4N tats
appele Bande de Conduction et,
0 lectrons (BC)
0 K, ne contient pas dlectrons
contrairement la bande infrieure,
6N tats/2N lectrons
(sous niveau p) appele Bande de Valence, qui
2N tats/2N lectrons contient 4N lectrons (donc qui est la
(sous niveau s) dernire bande pleine). Entre ces
4N tats
deux bandes se trouve une zone de
4N lectrons (BV)
largeur EG (en J ou en eV) interdite
di
Distance
aux lectrons et appele Bande
interatomique
Interdite ou Gap. Le fait que ces
deux bandes (BC ou BV) soient
entirement pleines ou vides implique
que la conduction lectrique ne peut
exister.
d
i
(>>d0)
Figure II.6. Apparition de bandes de valence, de

conduction et interdite avec la diminution de la
distance inter-atomique pour un matriau de la
colonne IV, quand on rapproche N atomes
identiques.
15
Pour une temprature diffrente

de 0 K un lectron de la BV peut
recevoir suffisamment dnergie pour
passer dans la BC (un trou apparat
alors dans la BV) et rendre possible la
conduction lectrique. Le matriau
nest plus isolant ; mais plus EG sera
grand plus le nombre de porteurs
libres (lectrons dans la BC ou trous
dans la BV) sera faible, et plus le
matriau sera isolant.
II.3. Gap direct ou indirect

r
Les courbes EC,V( k ) dites aussi relations de dispersion
o EC est le bas de la bande de
r
conduction, EV le haut de la bande de valence et k le vecteur donde associ un lectron
r
r
r
(quantit de mouvement p = mv = hk ) font apparatre deux types de semi-conducteur : ceux
r
pour lesquels minimum de EC et maximum de EV se produisent pour la mme valeur de k , que
lon appellera SC gap direct, et les autres appels SC gap indirecte.
EC(k)
BC
EG
Figure II.7.a.
SC gap
direct. b. SC gap indirecte.
E = EG
k
k
EV(k)
BV
La nature du gap joue un rle fondamental dans linteraction du semi-conducteur avec un

rayonnement lectromagntique (en particulier lumineux), et donc dans le fonctionnement des
composants utiliss en optolectronique. On peut remarquer, pour linstant, que dans un SC
gap direct un lectron du haut de la BV qui acquire une nergie EG passe dans la BC sans
changer de quantit de mouvement ( p = hk = 0 ) ce qui nest pas le cas dans un SC gap
indirect.
On rappelle aussi que lors de toute transition entre niveaux dnergie, les lois de conservation
de lnergie et de la quantit de mouvement doivent sappliquer et que la quantit de
mouvement associe un photon :
p ph = mc =
mc 2 E ph h h
=
=
= = hk ph
c
c
c
(II.1)
est typiquement 103 fois plus petite que celle correspondant aux variations k ncessaires dans
un SC gap indirect. Ainsi les photons ne peuvent pas y assurer seul le transfert de quantit de
mouvement lors des transitions BC BV.
II.4. Conduction par lectron ou par trou. Masse effective. Densit dtats
EC
EG
EV
Figure II.8. Transition dun lectron de la BV vers

la BC.
On peut briser une liaison de valence si on apporte une nergie (thermique ou lumineuse)
suffisante : on arrache ainsi un ou plusieurs lectrons (prcdemment engags dans ces
liaisons). Ceci revient, dans le modle de bandes dnergie utilis, faire passer ce ou ces
lectrons de la bande de valence un tat situ dans la bande de conduction ( un niveau
dpendant de lapport dnergie) : llectron est libre (il ne participe plus une liaison
cristalline) et peut, par contre, participer la conduction lectrique, voir figure (II.8). Il se
comporte comme une particule quasi-libre dans le semi-conducteur car il y subit linfluence du
rseau. On reprsente cette particule (lectron) quasi-libre par une quasi-particule libre en
lui affectant une masse effective mn diffrente de la masse m0 (0,91 10-30 kg) de llectron libre
dans le vide.
16
Electron
libre
Trou
libre
Liaison
brise
Figure II.9. Apparition dun lectron et dun trou libre lors dune rupture de liaison covalente.
Dans le mme temps quapparat un lectron libre dans la bande de conduction (devenu libre
en brisant une liaison), apparat une case (place) vide dans la bande de valence (correspondant
une liaison non assure) qui peut tre occupe par un autre lectron de la BV (participant
auparavant une autre liaison covalente). Ce phnomne est illustr la figure (II.9). A cette
place vide (quon appelle trou) est affecte une charge positive +q (son dplacement sera oppos
celui des lectrons lors de lapplication dun champ lectrique). La bande de valence tant
toujours quasi-pleine (de N-1 lectrons de valence), ltude du mouvement des particules dans
cette bande sera simplifie en ne considrant que le mouvement du trou auquel on affectera une
masse effective mp.
Au voisinage dun extremum des bandes (BV ou BC), on peut approcher les relations de
dispersion E(k) par un dveloppement limit : par exemple au voisinage dun minimum de la BC
(appel valle) on pourra crire :
E( k) EC + 0 +
1 d2E 2
k +...
2 dk 2
(II.2)
ou, ce qui est quivalent (avec la quantit de mouvement p = hk ) :

E(p ) EC
1 2E 2
p2
p =
2 p 2
2m n
(II.3)
(approximation parabolique de la bande de conduction) ; or p 2 2 m n est lnergie cintique

dun lectron libre. Ainsi lnergie supplmentaire (par rapport EC) des lectrons est une
nergie cintique et on dduit par identification que la masse effective des lectrons dans la
valle considre est donne par :
2E
mn = 2
p
(II.4)
qui est linverse de la courbure de E(p).
Densit dtats :
On peut calculer ensuite le nombre de places disponibles (occupes ou non) par les lectrons
(dans la BC) et les trous (dans la BV). Cette densit dtats sobtient par exemple pour les
lectrons (dans la BC) en crivant :
nC(E)dE = nombre dtats (m-3) dans la tranche dnergie E, E + dE
17
(donc nC(E) en m-3J-1 ou cm-3eV-1), soit :
n C ( E) dE = g( k ) d 3 k
(II.5)
o par dfinition, g(k) est la densit dtats lectroniques dans lespace rciproque (espace des
k). Dans un espace trois dimensions cette densit est gale 2/(2)3. On en dduit
lexpression de la densit dtats dans lapproximation des bandes paraboliques en utilisant le
fait que les surfaces isonergtiques (E = constante), si mn est isotrope, sont des sphres dans
lespace des k (alors d 3 k = 4 k 2 dk et, daprs lq.(II.3), dE = ( h 2 / m n )kdk ) :
1 2mn
n C ( E) =
2 2 h 2
(E EC )
(II.6)
De mme pour les trous dans la bande de valence, on obtient comme densit dtats :
n V ( E) =
1 2mp
2 2 h 2
( EV E)
(II.7)
18
Chapitre III. Semi-conducteur non dop ou dop
III.1. Semi-conducteur intrinsque

Un semi-conducteur est dit intrinsque lorsque le cristal nest pas pollu (volontairement ou
non) par des impurets pouvant changer la concentration en porteurs libres. Pour une
temprature diffrente de 0 K, des lectrons peuvent devenir libres cest dire passer de la
bande de valence la bande de conduction, o leur concentration est note n. Ces lectrons
laissent des trous dans la BV (avec une concentration note p) eux-aussi libres de se dplacer
avec, de plus, une galit entre les concentrations n et p. Pour ce cas particulier, on dfinit une
concentration intrinsque ni (gale aux concentrations n et p) pour laquelle on montrera plus
loin quelle est donne par la relation :
3
E
n = p = n i ( T) = AT 2 exp G
2kT
(III.1)
o A est une constante spcifique du matriau.

Lquation (III.1), illustre aux figures (III.1.a et b) pour le silicium, le germanium et le
GaAs, traduit le fait que plus la temprature est leve, plus il est frquent quun lectron
obtienne lnergie ncessaire pour franchir la bande interdite. Mais plus le gap (EG) est grand et
plus lnergie quun lectron doit acqurir devient importante. Cette remarque implique quun
matriau grand gap a une meilleure stabilit en temprature ce qui le rend intressant pour
llectronique de puissance. La figure (III.1.a ou b) montre quen premire approximation ln(ni)
en fonction de 1/T est une droite de pente E G 2 k ce qui donne la possibilit de dduire
exprimentalement EG.
Temprature (K)
1000
500 400
300
200
17
10
17
10
14
10
Ge
Si
GaAs
)
-3
ni (cm
ni (cm
-3
14
10
10
11
10
10
Ge : EG = 0,7 eV
Si : EG = 1,1 eV
GaAs : EG = 1,42 eV
11
10
10
b
5
200
400
600
800
10
1000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
-1
Temprature (K)
1/Temprature (K )
Figure III.1. Evolution de la concentration intrinsque en reprsentation semi-log pour le

silicium, le germanium et le GaAs. a. En fonction de la temprature. b. En fonction de linverse
de la temprature.
19
Remarque sur la gnration et la recombinaison des porteurs :

Si, une temprature donne diffrente de 0 K, il y a cration (ou gnration) thermique
permanente de paires lectron - trou conduisant une concentration intrinsque ni(T), cest
parce que, en rgime stationnaire, il existe un phnomne inverse de disparition de porteurs
(par paire) appel recombinaison : il correspond au passage dun lectron de la bande de
conduction la bande de valence, o llectron va occuper une case vide (llectron libre va tre
bloqu dans une liaison de valence). Il y a donc disparition dune paire lectron - trou.
En rgime permanents les taux de gnration gi(T) et de recombinaison ri(T) (en m-3s-1)
doivent tre gaux, et pour un semi-conducteur intrinsque :
E
g i ( T) = ri ( T) n i 2 exp G
kT
(III.2)
III.2. Semi-conducteur extrinsque : dopage

Lintroduction de certaines impurets dans un matriau semi-conducteur permet dy modifier
le nombre de porteurs libres, de choisir le type de conduction (par lectrons ou par trous) et de
contrler la conductivit.
lectron
libre
Si
Silicium
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P+
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P
Phosphore
charge
fixe
Figure III.2. Silicium dop au phosphore. a. T = 0 K. b. T 0 K.

Etat occup
EC
ED
EC
ED
EV
EV
Etat libre
Electron libre
Trou libre
Figure III.3. Diagrammes de bandes faisant apparatre le niveau dnergie des tats de type
donneur et leur occupation. a. T0 = 0 K, n0 = p0 = 0. b. 0 < T1 < 50 K, les impurets sionisent
(se dglent). c. 50 K < T2 < 500 K, n0 ND >> ni(T2) >> p0. d. T3 > 500 K, n0 p0 ni(T3).
III.2.1. Semi-conducteur de type n
Pour un tel matriau, des atomes (ou impurets) de type donneur (dlectrons) ont t
introduits (en gnral en faible quantit) afin de privilgier la conduction par lectrons plutt
que par trous. Les atomes peuvent tre de la colonne V si le cristal initial est constitu datomes
de la colonne IV. La figure (III.2.a) donne lexemple de silicium dop au phosphore qui possde
cinq lectrons sur la couche externe.
20
Les quatre atomes voisins de silicium prtent un lectron chacun latome de phosphore
qui lui-mme met en commun quatre de ses cinq lectrons priphriques. Un faible apport
dnergie (0,04 eV), par exemple d une temprature diffrente de 0 K, peut librer le
cinquime lectron de latome de phosphore (figure (III.2.b)) qui se retrouve alors ionis
positivement (charge fixe). Ce phnomne correspond lapparition dun niveau dnergie ED
dans la bande interdite (avec EC - ED = 0,04 eV), reprsent la figure (III.3). Les atomes
dimpuret sionisent progressivement avec laugmentation de la temprature et partir
denviron 50 K toutes les impurets sont dgeles. La concentration n0 en lectrons (appele
concentration en porteurs majoritaires) sera alors gale la concentration en dopant ND (n0 =
ND >> ni >> p0 concentration en trous, minoritaires) tant que le comportement intrinsque du
matriau ne reprend pas le dessus (quation (III.1)) ce qui se produit pour une temprature
suprieure 500 K (ordre de grandeur usuel) et rend nouveau la concentration en lectrons
dpendante de la temprature.
III.2.2. Semi-conducteur de type p
trou libre
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B-
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Silicium
B
Bore
charge
fixe
Figure III.4. Silicium dop au Bore. a. T = 0K. b. T 0K.

Etat occup
EC
EC
Etat libre
EA
EV
EA
EV
Electron libre
Trou libre
Figure III.5. Diagrammes de bandes faisant apparatre le niveau dnergie des tats de type
accepteur et leur occupation. a. T0 = 0K, n0 = p0 = 0. b. 0 < T1 < 50 K, les impurets sionisent.
c. 50 K < T2 < 500 K, p0 NA >> ni(T2) >> n0. d. T3 > 500 K, n0 p0 ni(T3).
Cette fois les impurets sont de type accepteur dlectrons ce qui correspond aux atomes de la
colonne III pour un cristal constitu datomes de la colonne IV. La figure (III.4) donne un aperu
de ce qui se passe pour un cristal de silicium dans lequel on a introduit des atomes de bore.
Lassociation avec ses quatre voisins confre latome de bore sept lectrons sur la couche
externe ce qui est insuffisant pour le rendre stable et il est alors tent den subtiliser un un
proche voisin qui lui mme peut en prendre un un de ses voisins et ainsi de suite. Pour cela il
faut un apport minimum dnergie qui peut tre fourni par les vibrations thermiques du cristal ;
le bore se retrouve ionis ngativement (charge fixe) et on assiste au dplacement dun trou
(libre) datome en atome. La concentration p0 en trous (porteurs majoritaires) est gale la
concentration en dopant NA (p0 = NA >> ni >> n0) partir dune temprature de lordre de 50 K;
le caractre intrinsque redevient dominant au-del de 500 K environ (quation (III.1)).
21
Remarques :
Le dopage minimum dpend du raffinage du matriau ; par exemple pour le silicium on
observe des concentrations rsiduelles de bore denviron 1013 atomes par cm3, si bien que le
silicium intrinsque temprature ambiante (o ni 1010 cm-3) est trs difficile obtenir.
Dautre part, certaines impurets (mtalliques) ou des dfauts du rseau cristallin donnent
des niveaux dnergies plus proches du milieu de la bande interdite ce qui a peu dintrt au
niveau dopage mais est susceptible de modifier les proprits de recombinaison ; on dit que ces
niveaux profonds constituent des centres de recombinaison.
III.3. Semi-conducteur compens

Les impurets dopantes (ou mme profondes) de type diffrent peuvent se compenser,
partiellement ou totalement. Le semi-conducteur aura le type de limpuret dominante. Si on
arrive compenser parfaitement (NA = ND), on obtient alors un semi-conducteur intrinsque
par compensation (...bien quil contienne des impurets dopantes).
EC
ED
EC
EA
EA
EV
EV
ED
Figure III.6. Diagramme de bandes dun semi-conducteur de type n en partie compens

(NA < ND). a. T0 = 0K. b. T1 > 50 K : le dopage quivalent ( temprature ambiante) est
(ND NA) n0.
22
Chapitre IV. Semi-conducteur lquilibre
IV.1. Concentration des porteurs libres lquilibre

On rappelle qu l'quilibre thermodynamique, un phnomne et son phnomne inverse
(par exemple : un mouvement de particules de la droite vers la gauche ou de la gauche vers la
droite) se produisent avec la mme probabilit.
Les lectrons, particules spin demi-entier, obissent la statistique de Fermi - Dirac.
IV.1.1. Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
La fonction fn(E) est la probabilit doccupation ( lquilibre) dun niveau dnergie E par un
lectron et elle est donne par (statistique de Fermi-Dirac) :
f n ( E) =
f n ( E) =
nombre de cases occupes par les lectrons ( entre E et E + dE)

nombre de cases disponibles ( entre E et E + dE)
1
E EF
1 + exp
kT
n( E) dE
n C ( E) dE
(IV.1)
(IV.2)
EF tant le niveau de Fermi, qui correspond une probabilit doccupation gale 1/2, quelle
que soit la temprature T. La figure (IV.1) donne lvolution de fn(E) en fonction de la diffrence
E EF et de la temprature. Elle permet de constater que sa valeur varie plus ou moins
rapidement de 1 0 en passant toujours par 0,5 pour E EF = 0.
1.0
0K
50 K
150 K
300 K
500 K
0.8
fn(E)
0.6
0.4
Figure IV.1. Evolution de la

probabilit fn(E) en fonction de
E E F et de la temprature.
0.2
0.0
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
E-EF (eV)
La probabilit fp(E) quun niveau E soit occup par un trou est complmentaire de la
probabilit fn(E) :
f p ( E) = 1 f n ( E) =
1
E E
1 + exp F
kT
(IV.3)
23
Dans le cas o la diffrence E EF est suprieure quelques kT, lquation (IV.2) se simplifie
en constatant que le terme en exponentiel est fortement suprieur 1 do :
f n ( E)
1
E EF
= exp
kT
E EF
exp
kT
(IV.4)
ce qui correspond la statistique de Boltzmann.

Dans le cas o E EF est infrieur quelques kT (EF E suprieur quelques kT) on a
lapproximation suivante :
f p ( E)
1
E E
= exp F
kT
E F E
exp
kT
(IV.5)
Pour un semi-conducteur intrinsque le niveau de Fermi est appel niveau de Fermi

intrinsque EFi et se situe prs du milieu de la bande interdite Ei = (EC + EV)/2. Mais dans le
cas gnral, le niveau de Fermi va dpendre du type de dopant et de sa concentration (et, bien
sr, de la temprature). Ce que lon peut dire avec certitude, cest que pour un semi-conducteur
de type n : EF > EFi (qui traduit le fait que les lectrons sont plus nombreux que les porteurs
intrinsques : n0 >> ni) et pour un semi-conducteur de type p : EF < EFi.
IV.1.2. Concentrations lquilibre, loi daction de masse
La concentration en lectrons libres lquilibre n0 est donc obtenue en sommant, pour tous
les niveaux dnergie de la bande de conduction, le produit de la densit dtats nC(E) (nombre
de places disponibles dans la BC) par la probabilit doccupation de ces places fn(E) :
n0 =
n( E) dE =
BC
E max
n C ( E) f n ( E ) dE
EC
n C ( E) f n ( E) dE
(IV.6)
EC
o n(E) reprsente la distribution en nergie (ou densit nergtique) des lectrons dans la
bande de conduction. Pour pouvoir effectuer lintgration, on considre que le semi-conducteur
nest pas dgnr, cest--dire que le niveau de Fermi reste dans la bande interdite en
respectant les ingalits EC EF > qqs kT et EF EV > qqs kT. En utilisant alors lexpression
correspondante de fn(E) (quation (IV.4), dite approximation de Boltzmann) et celle de nC(E)
(quation (II.6)) on intgre lquation (IV.6) pour obtenir :
E EF
n 0 = N C exp C
= N C f n (E C )
kT
(IV.7)
o NC (cm-3) est la densit quivalente dtats dans la bande de conduction ramene en EC et

vaut :
2m n kT
N C = 2
h2
(IV.8)
Pour trouver la densit de trous dans la bande de valence il faut procder de la mme faon
que pour les lectrons mais en utilisant la densit dtats nV(E) et la probabilit doccupation
fp(E).
24
p0 =
p( E) dE =
BV
EV
n V ( E ) f p ( E) dE
E min
EV
n V ( E ) f p ( E ) dE
(IV.9)
o p(E) est la densit nergtique des trous dans la bande de valence. Les expressions de nV(E)
(quation (II.7)) et de fp(E) pour le cas dun semi-conducteur non dgnr (quation (IV.5))
permettent dintgrer lquation (IV.9).
E EV
p0 = N V exp F
= N V f p ( EV )
kT
(IV.10)
o NV (cm-3) est la densit quivalente dtats dans la bande de valence ramene en EV.
NV
2m p kT
= 2
h2
(IV.11)
La figure (IV.2) montre la rpartition qualitative des lectrons et des trous libres dans la BC
et la BV.
E
n C(E)
n(E)
EC
1
EF
fn(E)
Figure IV.2. Diagramme faisant apparatre

la fonction de Fermi et la densit nergtique
des porteurs libres.
EV
p(E)
n V(E)
En multipliant la densit dlectrons par la densit de trous (quations (IV.7) et (IV.10)) on

obtient un rsultat indpendant de la position du niveau de Fermi (et donc du dopage). Cette loi
est appele loi daction de masse.
E EV
EG
n 0 p 0 = N C N V exp C
= N C N V exp
kT
kT
(IV.12)
Dans un matriau intrinsque les concentrations en porteurs libres sont gales la

concentration intrinsque de porteurs ni ce qui permet dcrire
E E Fi
n i = p 0 = n 0 = N C exp C
kT
(IV.13)
et avec lquation (IV.12) :
E
2
n 0 p 0 = N C N V exp G = n i (T )
kT
(IV.14)
25
Ce rsultat permet dexprimer la concentration intrinsque de porteurs sous la forme (dj

indique : quation (III.1)) :
3
E
E
n i = N C N V exp G T 2 exp G
2kT
2kT
car N C,V m n ,p T
(IV.15)
On exprime aussi le niveau de Fermi intrinsque en fonction de NC et NV en galant ni et n0

ou p0.
E E Fi
EC EV
N C exp C
= N C N V exp
kT
2kT
E Fi =
E C + E V kT N C
kT N C
ln
ln
= Ei
Ei
2
2 NV
2 NV
(IV.16)
(IV.17)
o E i = (EC + E V ) 2 est le milieu de la bande interdite.

On exprime la densit n0 en fonction de ni en crivant dans lquation (IV.7) :
E C E F = ( E C E Fi ) + ( E Fi E F )
(IV.18)
et en utilisant lquation (IV.13) :

E EFi
EFi EF
EF EFi
n 0 = N C exp C
exp
= n i ( T) exp
kT
kT
kT
(IV.19)
Cette quation (IV.19) confirme que si n0 > ni alors EF > EFi.

Lexpression de p0 en fonction de ni est :
E E Fi n i (T)
p0 = n i (T) exp F
=
kT
n0
(IV.20)
IV.1.3. Equation de la neutralit lectrique

Dans un semi-conducteur homogne la somme de toutes les charges est nulle en tout point
ce qui signifie que le nombre de trous libres et de charges fixes positives est gal au nombre
dlectrons libres et de charges fixes ngatives.
p 0 + ND + = n 0 + N A
(IV.21)
ND+ et NA reprsentent les impurets ionises. Les atomes de type donneur sont neutres
lorsqu'ils sont occups par leur lectron et sont ioniss positivement quand ils ont donn leur
lectron c'est--dire lorsqu'ils sont occups par un trou. Pour en trouver le nombre il faut
multiplier le nombre de places possibles (ND) par la probabilit doccupation du niveau dnergie
ED par un trou (fp(ED)), c'est--dire (si on supposait qu'il n'y a pas de dgnrescence du niveau
d'impuret) :
26
N D + = N D f p (E D ) = N D
1
E ED
1 + exp F
kT
(IV.22)
Pour les atomes de type accepteur, chargs ngativement quand ils ont capt un lectron, il
faut utiliser la probabilit doccupation du niveau EA par un lectron (fn(EA)) multiplie par le
nombre de places disponibles (NA).
N A = N A f n (E A ) = N A
1
E EF
1 + exp A
kT
(IV.23)
A temprature ambiante, dans le cas dun semi-conducteur de type n, lquation de la

neutralit se simplifie en considrant que NA est ngligeable et que toutes les impurets
(donatrices) sont ionises ND+ = ND. D'o :
n 0 = p0 + N D =
n i2
+ ND
n0
(IV.24)
quation d'o on peut exprimer la concentration en porteurs libres en fonction de ni(T) et du

dopage. Comme en gnral dans ce type de semi-conducteur n0 >> p0 alors lquation (IV.24) se
rsume :
n 0 ND
(IV.25)
Lexpression du niveau de Fermi sobtient en utilisant les quations (IV.25) et (IV.7) ou

(IV.19).
N
N
EF = EC kT ln C = EFi + kT ln D
ND
ni
(IV.26)
Pour un semi-conducteur de type p on a temprature ambiante p 0 N A ce qui donne :

N
N
EF = EV + kT ln V = EFi kT ln A
NA
ni
(IV.27)
IV.2. Le niveau de Fermi dans une structure l'quilibre

IV.2.1. Proprit fondamentale
Quelle que soit la structure du matriau (homogne ou non), le niveau de Fermi est le mme
partout lquilibre thermodynamique.
Pour vrifier ce fait on imagine deux rgions de la structure notes 1 et 2 vrifiant lgalit
E1 EF1 = E2 EF2 (cf. Fig. (IV.3)) ce qui signifie que la concentration en lectrons est la mme
sur E1 et sur E2. Si on suppose que EF1 < EF2, alors E1 < E2, ce qui implique un mouvement
dlectrons de la rgion 2 vers la rgion 1 soit un flux dlectrons et qui dit flux dit non quilibre
thermodynamique. Donc l'quilibre, on doit avoir EF1 = EF2 = EF = constante.
27
E2
E1
Figure IV.3. Structure comprenant deux rgions

vrifiant l'galit E1 - EF1 = E2 - EF2.
EF2
EF1
IV.2.2. Illustrations
La figure (IV.4.a) donne un exemple de diagramme de bandes impliquant un quilibre

thermodynamique puisque le niveau de Fermi ne varie pas selon laxe x. Le fait que EG reste
constant peut signifier que le matriau est le mme, mais que son dopage n'est pas uniforme.
La plus forte concentration dlectrons gauche et de trous droite vient de la statistique de
Fermi (fn(E) et fp(E)). Dans la partie gauche le semi-conducteur est de type n (EF plus proche de
EC que de EV) alors que dans la partie droite il est de type p. On peut montrer que la variation
linaire de E C E F correspond un dopage variant de faon exponentielle.
Energie
Energie
flux dlectrons
EC
EC
EF
EF
EV
EG
EG
EV
flux de trous
x
a
Figure IV.4.a. Semi-conducteur lquilibre thermodynamique. b.

quilibre thermodynamique.
Semi-conducteur hors
La variation de EF en fonction de x la figure (IV.4.b) indique que le semi-conducteur nest

pas lquilibre thermodynamique ce qui se traduit par un flux dlectrons et de trous.
On peut vrifier que cette figure correspond un chantillon SC homogne soumis une
diffrence de potentiel entre ses deux extrmits.
IV.2.3. Application : ddp interne d'une jonction pn l'quilibre
La figure (IV.5) illustre le cas dun semi-conducteur non homogne constitu de deux parties
A et B homognes. A lquilibre thermodynamique (pas de diffrence de potentiel extrieure) le
niveau de Fermi doit tre le mme tout au long de la structure. Entre les deux rgions
homognes existe toutefois une barrire de potentiel interne Vint = VAB, associe un champ
lectrique interne dans la zone de transition :
Vint = V AB = VA VB =
1
(ECA ECB ) = 1 (E VA E VB ) = 1 (E FiA EFiB )
q
q
q
(IV.28)
En utilisant lquation (IV.19) on a lexpression du niveau de Fermi intrinsque en fonction

du niveau de Fermi et de la densit en lectrons pour les deux parties du semi-conducteur.
n
E FiA = E F kT ln 0 A
ni
(IV.29)
28
n
E FiB = E F kT ln 0B
ni
(IV.30)
En reportant ces deux rsultats dans lquation (IV.28) on obtient lexpression de la

diffrence de potentiel interne (qui peut aussi tre exprime laide de la densit en trous (q.
(IV.20))) :
Vint =
kT n 0 A
ln
q
n 0B
kT p 0B
=
ln
q
p0A
kT n 0 A p 0B
=
ln
n 2
q
kT n 2
i
=
ln
p 0 A n 0B
q
(IV.31)
Cette diffrence de potentiel interne (built-in potential) est aussi appele diffrence de
potentiel de contact ou de diffusion. Elle correspond la barrire de potentiel que doivent
franchir les lectrons pour passer de A vers B (et les trous de B vers A). Elle nest pas mesurable
puisquelle correspond une situation dquilibre (EFA = EFB = EF aucune ddp. napparat entre
les extrmits).
Eint
ECA
ECB
n0A
EFiB
EF
EF
EFiA
EVA
n0B
EVB
p0B
p0A
VAB
29
Figure IV.5. Structure (ex. :

jonction pn) lquilibre
thermodynamique
constitue
de deux parties homognes
(mme semi-conducteur dop
diffremment).
30
Chapitre V. Equation de Poisson - Consquences
On commence par rappeler les deux points suivants :
Un matriau SC homogne est neutre en tout point (neutralit lectrique locale)
Lorsquun matriau rest non homogne il y a une possibilit d'existence d'un champ
r
lectrique interne E associ celle dune densit de charge ( r ) dans une zone de
charge despace (ZCE).
Thorme de Gauss et quation de Poisson

Soit un volume V dlimit par une surface ferme S contenant une charge Q, le flux du
champ lectrique sortant scrit :
rr
Q
ndS =
=
SC
S
r
(r )dV
SC
r
div dV
()
(V.1)
r
n est le vecteur unitaire normal la surface, sc la permittivit du matriau (SC), dS un
lment de surface et dV un lment de volume.
Dans ce volume dV du matriau la densit de charge scrit en fonction des densits en
porteurs libres et des charges fixes :
r
( r) = q N D + + p N A n
(V.2)
Les quations (V.1) et (V.2) permettent dcrire :

r
r
rr
q
(r )
= div =
=
N D + + p N A n
SC SC
()
(V.3)
Le champ lectrique et la tension lectrique V tant relis par :
r
r
= grad(V ) = (V )
(V.4)
lquation de Poisson sexprime de la faon suivante :
V = 2 V =
2V
x
2V
y
2V
z
q
+
N D + p N A n
SC
(V.5)
Pour une analyse une seule dimension, x par exemple, cette quation devient :
2V
x 2
x
q
=
N D + (x ) + p(x ) N A (x ) n(x )
x
SC
31
(V.6)
L'quation de Poisson montre que dans une rgion neutre ( = 0), l'volution du potentiel V(x)
ne pourra tre, au plus, qu'une fonction linaire de x.
Inversement dans une zone de charge d'espace ( 0), l'volution du potentiel prsente une
courbure (d2V/dx2 0), et donc l'volution des bandes d'nergie EC(x), EV(x),... (Fig. (V.1)),
directement lie celle du potentiel V(x), va reproduire cette courbure car : qdV(x) = dEC(x) =
dEV(x) = dEi(x).
Energie = -qV
EC0
EC(x)
Ei0
Ei(x)
EV0
EV(x)
Z.C.E.
Figure V.1. Courbures des bandes

d'nergies dans une zone de charge
d'espace (Z.C.E).
x
De plus, si la structure tudie reste l'quilibre (au moins selon la direction tudie x),
la statistique de Fermi-Dirac est applicable et EF = constante. En tout point x de la ZCE, on
peut alors crire :
E ( x ) EF
EC ( x ) EC0 + EC0 EF
n( x ) = N C exp C
= N C exp
kT
kT
qV ( x)
E ( x ) EC0
= n 0 exp C
= n 0 exp
kT
kT
(V.7)
o n0 est la concentration en lectrons dans la rgion (o EC = EC0) choisie comme rfrence

(en gnral le volume neutre).
De mme, on peut crire pour les trous :
qV ( x )
p( x ) = p0 exp
kT
(V.8)
On remarquera que le produit n(x)p(x) = n0p0 = ni2, ce qui est normal puisqu'on a suppos que
la structure considre est l'quilibre.
On peut donc thoriquement connatre lvolution du potentiel le long de laxe x : V(x) par
rsolution de l'quation de Poisson (quation (V.6)). Ceci n'est analytiquement simple que dans
certains cas, tels :
La rgion neutre ou quasi-neutre : lquilibre (n0, p0) ou hors quilibre

(n = n0 + n, p = p0 + p) la densit de charge scrit (charge nulle) :
r
( r) = q N D + + p N A n 0
(V.9)
sans oublier qu lquilibre p0 n0 = NA ND+, ce qui impliquera n p.
32
La rgion (ou zone) de charge despace (ZCE) dserte : en gnral le champ

interne y est lev et il va jecter les porteurs hors de la rgion de charge despace,
permettant de faire lhypothse de dsertion totale. Les densits en lectrons et en
trous sont donc considres comme nulles ( n 0 , p 0 ) et la densit de charge se
simplifie :
r
+ r
r
( r) = q N D ( r) N A ( r)
Un exemple de semi-conducteur prsentant

une ZCE (zone de charge despace) est donn
E C(x) la figure (V.2) o la diffrence de potentiel
entre le point x et le point x = est note V(x).
E(x) = -qV(x)
E C (0)
Ei
EF
-qV(x)
E V(0)
0
V(x)
(V.10)
xd =
Ex
2 SC
V0
qN A
qN A x d
E x max =
=
SC
Une concentration NA, suppose constante,

dimpurets acceptrices a t introduite dans le
E V(x) matriau, do lexpression de la densit de
charge dans la ZCE :
x
( x ) = qN A
(V.11)
2 V (x )
2qN A
V0
SC
x 2
x (x )
(x )
q
=
=
NA
x
SC SC
(V.12)
x
0
xd
En intgrant une premire fois lquation

(V.12), on obtient :
(x)
qN A
V (x )
(x x d )
= x (x ) =
x
SC
x
-qN A
ZCE
rgion
quasi neutre
Zone de Debye
(V.13)
avec en x = x d la condition de champ lectrique

nul ( = 0 dans la rgion neutre : x xd).
Lintgration de lquation (V.13) mne :
Figure V.2. Exemple de semi-conducteur

contenant une zone de charge despace et
une zone quasi neutre.
V( x) =
qN A
2
x xd )
(
2 SC
(V.14)
avec en x = xd une diffrence de potentiel nulle (pas de chute de potentiel entre x = xd et x ).

La distance xd sexprime donc facilement en fonction de la diffrence de potentiel en x = 0 qui
sera note V0 (et qui correspond la ddp. aux bornes de la ZCE).
V0 =
qN A
1
2
x d = Ex max x d
2 SC
2
(V.15)
soit :
xd =
2 SC
V
qN A 0
(V.16)
33
Ordre de grandeur de l'tendue d'une zone dserte : dans le silicium (SC 12 0), pour
NA,D 1015 cm-3 (dopage relativement faible), et VD 1 V, on a xd 1 m.
N.B. : la transition entre la ZCE et la rgion quasi-neutre n'est en ralit, pas brutale ; elle
s'effectue sur une zone dite couche de Debye qui sera plus prcisment dfinie au paragraphe
VIII.4.2
34
Chapitre VI. Perturbations faibles de lquilibre :

transport de charges
Hors champ lectrique, les porteurs libres ont un mouvement ressemblant des sauts de
puce (caractris par des changements de direction que lon appelle mouvement Brownien), et
leur dplacement moyen est nul. Les atomes, les impurets et les dfauts du rseau sont autant
dobstacles pour les porteurs, qui effectuent des collisions avec eux. Le temps moyen entre
collisions, r (ou temps de relaxation sur le rseau), est de lordre de 10-13 s (0,1 ps). Notons que
le processus de collisions peut tre dcrit comme un processus poissonnien de densit (1/r),
c'est--dire que la probabilit d'observer une collision pendant un intervalle de temps dt (trs
petit) est (1/r)dt ; 1/r correspond donc au nombre moyen de collisions par unit de temps, et r
est la valeur moyenne de la variable alatoire temps entre 2 collisions successives.
Remarquons que r na absolument rien voir avec le temps de vie des porteurs (temps entre
cration et recombinaison de porteurs) qui est en gnral beaucoup plus long. La vitesse
thermique des porteurs, vth, sexprime en fonction de lnergie cintique et de leur masse
effective, m*, qui reste de lordre de celle de llectron dans le vide (9,1 1031 kg).
E cin =
1 *
3
m v th 2 = kT
2
2
(VI.1)
A 300 K la vitesse thermique est de lordre de 105 ms-1. La distance que parcourt un porteur
entre deux chocs sappelle le libre parcours moyen, , et vaut simplement :
(VI.2)
= v th r
qui 300 K est denviron 100 = 10 nm.
VI.1. Mobilit des porteurs libres

r
Lorsquun champ lectrique est appliqu un semi-conducteur, chaque porteur subit une
r
r
force lectrostatique F = q (+ pour le trous et - pour les lectrons) et une force de frottement
r
r
de type visqueux ( f r v d ) qui dcrit l'effet des collisions. Son acclration scrit (force =
masse acclration) :
r
r dv d
q r fr r
q r
=
=
vd =
dt
m*
m*
m*
r
vd
r
(VI.3)
r
o m* est la masse du porteur, vd sa vitesse d'entranement (ou de drive) et fr = m*/r traduit
les frottements de type visqueux.
r
En rgime permanent = 0 d'o :
r
q r
r
v d = r =
m*
(VI.4)
ce qui permet dexprimer la vitesse dentranement des lectrons :

r
q r
r
v dn = r = n
mn
(VI.5)
35
et celle des trous :

r
q r
r
v dp = r = p
mp
(VI.6)
La mobilit des porteurs est dfinie comme le coefficient de proportionnalit entre la vitesse
et le champ lectrique, ce qui donne pour les lectrons et les trous :
n =
p =
q r
<0
mn
(VI.7)
q r
>0
mp
(VI.8)
On obtient une mobilit ngative pour les lectrons. De nombreux ouvrages prfrent
r
r
considrer la mobilit en valeur absolue et crivent donc v dn = n .
En gnral trois mcanismes influencent la mobilit :
Les collisions coulombiennes : les impurets ionises et dune manire gnrale

tous les centres chargs gnent le parcours des porteurs.
Les collisions avec le rseau : les atomes du rseau cristallin qui vibrent autour de
leur position moyenne (phonons) sont des obstacles pour les porteurs
Les collisions sur la rugosit de surface : Les dimensions d'un composant semiconducteur ntant pas infinies, les porteurs heurtent parfois la surface et sont
dautant plus gns dans leur mouvement que cette surface est de mauvaise qualit.
L'tude du processus rsultant de l'existence simultane de processus poissonniens

indpendants conduit la rgle de Matthiessen qui stipule que les phnomnes influenant la
mobilit doivent tre somms par l'inverse de leurs temps de relaxation, c'est--dire l'inverse
des mobilits :
1
rseau
1
impurets
1
surface
+...
(VI.9)
1400
T3/2
T-3/2
rseau
impurets
(phonons)
~100 K
log(T)
|n|
1000
600
200
0
b
Si
300 K
vd (cms-1)
log() [thorique]
tot
|| (cm2V-1s-1)
107
GaAs
vdn
106
vdn
Si
300 K
vdp
1015 1017 1019
NA,D (cm-3)
103
104
E (Vcm-1)
Figure VI.1. Evolution de la mobilit a. en fonction de la temprature b. en fonction de la

densit en impurets. c. Evolution de la vitesse des porteurs avec le champ lectrique appliqu.
La temprature influence la mobilit au travers de r, commencer par les chocs avec le

rseau du semi-conducteur (phonons). Quand la temprature augmente la mobilit
36
correspondante diminue ce qui implique, a priori, une dpendance en T- ( > 0) avec

thoriquement = 3/2. Les chocs sur les impurets sont tels quune augmentation de
temprature entrane une augmentation de mobilit. Cette dpendance est de la forme T/Nimp
( > 0) o Nimp (= NA- + ND+) reprsente la densit en impurets. Thoriquement est trouv
gal 3 2 . La figure (VI.1.a) illustre ces influences de la temprature sur la mobilit.
Comme lindique la figure (VI.1.b), une augmentation du dopage amne une diminution de
la mobilit.
La mobilit des porteurs est constante tant que le champ lectrique est faible, ce qui signifie
que la vitesse des lectrons et des trous reste proportionnelle au champ lectrique, mais cette
proportionnalit disparat lorsque le champ lectrique devient trop important. Les porteurs
acquirent une certaine nergie cintique qui augmente avec le champ lectrique et quils cdent
au rseau lors des chocs. Pour les forts champs lectriques lnergie cder devient trop
importante et les porteurs en conservent une partie aprs les chocs ; cest ce que lon appelle
phnomne de porteurs chauds car alors les porteurs ne sont plus en quilibre thermique avec
le rseau. Ainsi la vitesse ne reste pas proportionnelle au champ lectrique et la mobilit
devient une fonction de la temprature du rseau (Trseau) et de celle des porteurs
(Tn ou Tp). On obtient pour les lectrons :
Trseau
Tn
n = n0
(VI.10)
les indices n se changeant en p pour les trous ; cette relation montre que la mobilit diminue
lorsque la temprature des porteurs augmente. n0 (respectivement p0) reprsente la mobilit
des lectrons (respectivement trous) faible champ lectrique.
Plutt que lquation (VI.10), on prfre utiliser les relations empiriques de la forme :
n =
n0
r
1+f
(VI.11)
()
comme par exemple n =n0/[1+(E/EC)]1/ avec =1 ou 2, EC reprsentant un champ critique.

La vitesse de saturation des porteurs est voisine de la vitesse thermique vth. Pour le GaAs (et
d'autre composs III-V) on observe une survitesse. En effet, comme montr la figure (VI.2),
laugmentation du champ lectrique peut faire passer les lectrons de la valle 1 la valle 2 o
la masse effective mn associe la relation de dispersion est plus grande (lie la courbure)
donc la mobilit est plus faible. Cette proprit est aussi l'origine de l'effet Gunn (mobilit
diffrentielle ngative) utilise pour raliser des oscillateurs en hautes frquences.
Energie
|E| augmente
valle 1
mn plus faible
n plus grande
Figure VI.2. Sous fort champ lectrique,

les lectrons du GaAs vont passer dans la
deuxime valle o leur masse est plus
grande donc leur mobilit plus faible.
valle 2
mn plus grande
n plus faible
k
[111]
37
Le tableau (VI.1) donne des valeurs de mobilits des lectrons et des trous pour plusieurs
semi-conducteurs
SC
EG
|n|
SC
EG
|n|
Si
1.12
1400
500
11.9
InAs
0.36
33000
460
14.6
Ge
0.7
3900
1900
16
InSb
0.18
78000
750
17.7
GaAs
1.42
8500
400
13
GaSb
0.72
5000
850
15.7
InP
1.35
5000
150
12.4
CdS
2.42
340
50
5.4
AlAs
2.16
1200
400
10.1
CdTe
1.56
1050
100
10.2
GaP
2.26
300
100
11
SiO2
isolant
3.9
Tableau VI.1.
Mobilit des lectrons, des trous et permittivit pour quelques semiconducteurs. EG (eV), n et p (cm2V-1s-1).
VI.2. Conduction et conductivit

r
La densit de courant j (Am-2) est dfinie comme le flux de charges qui passe par unit de
surface. Elle est donc gale la vitesse des charges multiplies par la concentration de charges
(Cm-3). Pour les lectrons cela donne :
r
r
jn = qnv dn
(VI.12)
la charge dun lectron tant q et celle dun trou + q.

En remplaant la vitesse de llectron par son expression en fonction de la mobilit et du
champ on trouve lexpression de la densit de courant des lectrons. En suivant le mme
raisonnement on obtient aussi la densit de courant des trous :
r
r
r
r
jn = qn n = qn n = n
r
r
r
jp = qn p = p
(VI.13)
La conductivit (n pour les lectrons) est dfinie comme le coefficient de proportionnalit

entre la densit de courant et le champ lectrique :
n = qn n =
q 2 n r
>0
mn
(VI.14)
De mme pour les trous :
p = qp p =
q 2 p r
>0
mp
(VI.15)
Dans le cas dune conduction par les lectrons et les trous la densit de courant totale scrit :
r
r
r
r
r
jtot = jn + jp = n + p = tot
(VI.16)
38
En considrant un champ lectrique selon une seule direction et en rappelant que le champ
lectrique drive d'un potentiel (x = V/x = V/L si l'chantillon considr est homogne),
lquation (VI.16) devient, en valeur absolue :
jtot = tot
V
L
(VI.17)
et le courant I scrit (il est gal la densit de courant multiplie par la section S dans laquelle
elle passe) :
I = S tot
V 1
= V
L R
(VI.18)
La loi dOhm permet didentifier la rsistance R de l'chantillon :

R=
1 L
1
L
=
tot S
qn n + qp p S
(VI.19)
EC
EF
Ei
E = -qV
Figure VI.3. Application dune diffrence de

potentiel aux bornes dun semi-conducteur
homogne et diagramme de bandes correspondant.
Le champ lectrique, en tout point x, vaut :
x = dV/dx = constante = -V/L
EV
La figure (VI.3) illustre le cas dun semi-conducteur aux bornes duquel est applique une
tension V. Le matriau est hors quilibre thermodynamique ce qui se traduit par un flux de
porteurs. Si on admet que la perturbation de l'quilibre n'est pas trop importante (quasiquilibre), on peut utiliser la statistique de Fermi-Dirac et donc l'quation (IV.13) ; on exprime
donc la densit dlectrons lorsqu'on applique un champ lectrique pas trop intense :
r
r
r
E (r ) E F (r )
n( r ) = N C exp C
= cons tan te = n 0
kT
(VI.20)
r
r
EC ( r) EC = qV ( r) reprsente la diffrence dnergie potentielle dans le semi-conducteur
entre la masse et un point r .
VI.3. Diffusion des porteurs

Lapparition dun gradient de porteurs dans un matriau (dans le cas dun semi-conducteur
non homogne ou lors dune excitation locale...) engendre un flux de ces porteurs dans le sens
inverse du gradient. En effet, dans un endroit o la concentration en porteurs est trs forte,
linteraction entre les porteurs est trs grande et la densit dnergie est plus grande dans cet
endroit que l o la concentration en porteurs est plus faible. Pour tablir l'quilibre, les
porteurs vont diffuser. Si lon prend le cas des lectrons (figure (VI.4) une dimension), le flux
de porteurs (m-2s-1)est donn par la loi de Fick :
39
flux n = D n grad(n )
flux
=
D
grad
(p)
p
p
(VI.21)
o Dn,p (m2s-1) est le coefficient de diffusion des lectrons (des trous). Le signe des quations
(VI.21) vient du sens du flux qui est oppos celui du gradient de concentration.
grad( n)
sens du flux de diffusion
n+n
x+x
Figure VI.4. Le gradient de concentration

en lectrons engendre une diffusion de ces
lectrons vers la zone la moins concentre.
Le courant de diffusion scrit partir des quations (VI.21) :
r
jn = ( q )flux n n = qD n grad(n )
r
jp = q flux n p = qD p grad(p )
(VI.22)
Si un champ lectrique est aussi appliqu au semi-conducteur, on peut crire la densit de

courant des lectrons en prenant en compte la diffusion (quation (VI.22)) et la conduction
lectrique (quation (VI.13)). Puis avec le mme raisonnement, on peut crire la densit de
courant des trous :
r
r
r
r
jn = jnconduction + jndiffusion = q n n + D n grad (n )
r
r
r
jp = jpconduction + jpdiffusion = q p p D p grad (p)
(VI.23)
Les flux de porteurs ont pour expression :
r
r
flux n = flux nconduction + flux ndiffusion = n n D n grad(n ) = n n D n grad(n )
flux p = flux pconduction + flux pdiffusion = p p D p grad(p)

(VI.24)
Pour un semi-conducteur non dgnr, et en l'absence de porteurs chauds, le coefficient de

diffusion des lectrons est donn par la relation dEinstein, D = kT/q, qui peut tre dmontre,
par exemple, en considrant un semi-conducteur non homogne et lquilibre
thermodynamique (ce qui implique un niveau de Fermi EF constant dans le matriau et donc un
courant nul) : ainsi, dans le cas des lectrons, lquation (VI.23) se rcrit :
40
r
r
r
r
r
jn = 0 = q n(r ) n + D n grad(n(r ))
(VI.25)
Lquation (V.7) permet dcrire grad n( r) = (q kT) n( r) grad V( r)
et, en remplaant le
( ( r))
champ lectrique par grad V r , on trouve pour lquation (VI.25) :
r
r
r
r
q
n( r) n grad V ( r) = D n
n( r) grad V ( r)
kT
(VI.26)
qui permet dexprimer Dn :

Dn = n
kT
>0
q
(VI.27)
De la mme faon, on obtient lexpression du coefficient de diffusion des trous :

Dp = p
kT
>0
q
(VI.28)
VI.4. Courant de dplacement

En rgime variable, il existe un courant de dplacement donn par :
r
r
D
jdepl =
t
(VI.29)
r
r
r
o D = SC = 0 r est le vecteur dplacement lectrique. En rgime alternatif, si on crit
r r
= 0 exp(it ) , le courant de dplacement sera :
r
r
jdpl = iSC
(VI.30)
Un calcul rapide d'ordre de grandeur montre que ce courant n'aura une amplitude
apprciable que pour des frquences de l'ordre du GHz. Ainsi, le courant de dplacement sera en
gnral considr comme ngligeable, sauf lors de l'tude des rgimes variables de dispositifs en
hautes frquences.
VI.5. Transport de charges en prsence de champs lectrique et magntique.

Effet Hall - Magntorsistance
La figure (VI.5) prsente un semi-conducteur auquel est appliqu un champ lectrique selon
r
laxe x. Les porteurs majoritaires se dplacent alors avec une vitesse de drive v dans le mme
r
r
sens que x si lon considre un semi-conducteur de type p et dans le sens contraire de x si le
r
r
SC est de type n. Le champ magntique B z cre une force de Laplace (Lorentz) FL dans la
direction des y ngatifs pour les lectrons et les trous. L'quilibre sera atteint grce
l'apparition d'un champ lectrique transversal Ey (champ Hall).
41
Ex
FL = qv Bz
vn
vp
Bz
y
lectron
trou
Figure VI.5. Semi-conducteur subissant des champs lectrique et magntique mettant en

vidence leffet Hall.
La masse multiplie par lacclration tant gale la somme des forces, on crit pour les
lectrons (indice n, charge q) et les trous (indice p, charge +q) :
m n, p
r
dv dn, p
dt
r m n, p
r
dv dn, p
dt
r
r
r
r
Forces = f rn, p v dn, p m q m qv dn, p B
r
r r
r
+ m n, p v dn, p = m r q + v dn, p B
(VI.31)
(VI.32)
le signe correspond aux lectrons et le signe + aux trous avec fr = m/r. Lquation (VI.32)
devient :
r
r
dv dn, p
dt
r
r
r r
q r r r
r
+ v dn, p = m
+ v dn, p B = n, p + v dn, p B
m n, p
(VI.33)
r
r
Pour un ensemble de porteurs donnant un courant de conduction i = , lquation (VI.12)
permet dcrire, pour les porteurs majoritaires (lectrons ou trous) :
r
r r
r
dj r
r
+ j = + j B
dt
(VI.34)
En rgime permanent (la drive du courant par rapport au temps tant nulle), la loi dOhm
gnralise s'crit alors :
r
r r
r
j = + j B
(VI.35)
A partir de lquation (VI.35), on exprime le champ lectrique :
r
r
r r
r j r r
j
= j B = RH j B

(VI.36)
RH est appel coefficient de Hall ; il est de signe positif (1/qp) pour un semi-conducteur de
type p, et ngatif (1/qn) pour un SC de type n.
Une analyse plus complte montrerait qu'on doit galement tenir compte, pour chaque type
de porteurs, de la dispersion des vitesses (distribution de Maxwell) en fonction de l'nergie des
porteurs ; le temps de relaxation r dpend alors de cette nergie et la mobilit doit tre dfinie
comme une moyenne par rapport l'nergie. Il en rsulte que, dans les quations (VI.34) et
(VI.35), la mobilit doit tre remplace par une mobilit de Hall H = r, o r est un
coefficient qui dpend du type de collisions que subissent les porteurs (r = 3/8 pour les
collisions sur le rseau), et que RH = H/ = r/qp (SC type p) et r/qn (SC type n).
42
Si on considre que le courant selon les axes y et z est nul (jy = 0, jz = 0) il reste selon les trois
directions, en rgime permanent :
jx
x = ( loi d' Ohm classique )
y = R H jx B z = H B z x = H (champ Hall, crant la tension de Hall)
z = 0
(VI.37)
Le champ Hall y soppose au mouvement transversal des porteurs et sa mesure ou plutt son
signe permet de dterminer le type n ou p du semi-conducteur (y < 0 pour un type n, y > 0 pour
un type p).
L'effet de magntorsistance est un effet du second ordre en B (donc en 2B2) qui

correspond une augmentation de rsistance [= diminution de conductivit B = 0/(1+g2B2)]
en prsence d'une induction magntique. Il peut tre interprt comme un second effet Hall sur
des flux transversaux de porteurs (le champ Hall n'quilibre que le mouvement moyen des
porteurs majoritaires), et sera donc renforc lorsque l'on court-circuite l'effet Hall.
Des effets gomtriques peuvent, en particulier, raliser un court-circuit plus ou moins
complet de l'effet Hall, comme c'est le cas dans la configuration appele disque de Corbino (les
contacts d'amene et de sortie du courant sont sur la priphrie et au centre d'un disque) qui
prsente aussi une magntorsistance maximale.
Pour l'utilisation comme capteur de champ magntique, il est clair qu'aussi bien l'effet Hall
que l'effet magntorsistance seront d'autant plus important que l'on utilise un matriau o la
mobilit des porteurs majoritaires est leve (ex. : InSb type n).
43
44
Chapitre VII. Perturbations fortes de lquilibre :

cration et disparition de porteurs
VII.1. Cration de porteurs

La cration dun porteur libre correspond une transition soit entre bandes (BV - BC) de ce
porteur soit entre un niveau d'nergie et une bande :
Transition dun lectron de la bande de valence vers la bande de conduction qui

correspond la cration dune paire lectron-trou.
Transition dun lectron dun niveau ED (situ dans la bande interdite) vers la bande
de conduction. Il reste une charge fixe positive (atome ionis) et un lectron dans BC.
Transition dun lectron de la bande de valence vers un niveau EA du gap. Il reste une
charge ngative fixe et un trou (dans BV).
Lnergie ncessaire pour rendre possible de telles transitions est fournie soit par des
photons (lumire) soit par des particules nergtiques (rayonnements ou porteurs). On introduit
un taux de gnration (ou de crations) de porteurs Gn (m3s-1) pour les lectrons et Gp pour les
trous. Quand les transitions se font bande bande ces deux taux sont gaux (cration par
paires, qui seules seront considres dans la suite).
VII.1.1. Cration par nergie lumineuse (par photons)

Un photon de frquence ayant une nergie h au minimum gale EG, figure (VII.1), peut
en cdant cette nergie faire passer un lectron de la bande de valence vers la bande de
conduction :
h = h
c
EG
(VII.1)
o est la longueur donde du photon et c la vitesse de la lumire. La longueur donde maximale

susceptible de contribuer la cration de porteurs sobtient avec lquation (VII.1) :
hc 1,24
EG
EG
(VII.2)
o est donn en m et EG en eV.

EC
h
E G = EC - E V
EV
Figure VII.1. Cration dune paire lectrontrou par photon
45
Ainsi pour dtecter les infrarouges il faudra utiliser des semi-conducteurs faible gap
(faible EG) tels que InSb ou CdHgTe. La figure (VII.2) indique une partie des semi-conducteurs
pouvant tre utiliss selon la longueur donde dtecter.
Rouge
Violet
Visible
Infra-Rouge
CdxHg1-xTe
InSb
CdSe
Ge
AlAs
CdS
GaP
Si GaAs
1
Ultra-Violet
SiC
GaN ZnS
EG
4 (eV)
(m) 10
1,5
0,65
0,5
0,35
Figure VII.2. Diagramme des longueurs donde absorbes par les semi-conducteurs.
Labsorption de londe incidente dans le semi-conducteur se fait selon la loi de BEERLAMBERT :
I(x ) = I 0 exp( x )
(x ) = 0 exp( x )
(VII.3)
o I(x) est lintensit lumineuse (et (x) le flux de photons) la distance x de la surface du
matriau, I0 et 0 sont l'intensit et le flux incidents (en x = 0) et le coefficient dabsorption (m1). 1/ est la longueur moyenne de pntration et, si lnergie des photons est suprieure EG,
est de lordre de 105 108 m-1(1/ de 10 0.01 m).
Remarque : peut tre dfini par :

Probabilit (absorption d'un photon sur la distance dx) = dx = (d)/
Le nombre de porteurs crs sur une distance dx scrit (en supposant que chaque photon
absorb cre une paire ; on dit rendement quantique suppos gal 1) :
G n , p (x )dx = (x ) (x + dx ) = 0 [exp( x ) exp( (x + dx ))]

= 0 [exp( x ) (1 dx ) exp( x )]
(VII.4)
= 0 exp( x ) = (x )dx
do lexpression du taux de cration de porteurs :
G n, p ( x) = 0 exp( x) = ( x)
(VII.5)
VII.1.2. Cration par des particules (ou radiations) ionisantes

Le rayonnement ici considr (rayons X ou ) est trs nergtique : de quelques keV 10
MeV. Une partie de l'nergie cde en pntrant dans le semi-conducteur contribue la cration
de porteurs (qui peuvent avoir une certaine nergie cintique). Ainsi lnergie ncessaire la
cration d'une paire lectron-trou note Epaire, est suprieure EG. Par exemple pour le Silicium,
dont le gap vaut 1,12 eV, il faut un nergie Epaire gale 3,7 eV. Le nombre de porteurs cres sur
une distance dx est :
G n,pdx =
dE
Epaire
G n, p =
46
dE

Epaire dx
(VII.6)
o est le flux du rayonnement et dE lnergie qu'il perd sur dx dans le semi-conducteur

considr (dE/dx est ainsi une caractristique du matriau).
En mesurant le nombre de paires cres, on remonte au flux du rayonnement incident.
VII.1.3 Cration par porteurs chauds (champ lectrique intense)

Sous un champ lectrique suffisamment fort (suprieur 105 V/cm), les porteurs ainsi
acclrs peuvent cder leur nergie dautres charges (qui deviennent libres) lors dune
collision : cest le phnomne dionisation par impact qui est lorigine des effets
davalanche. Pour cela les porteurs doivent avoir une nergie minimale (nergie de seuil
suprieure lnergie du gap), qui dans le cas du Silicium est de 1,8 eV pour les lectrons et de
2,4 eV pour les trous.
Ce phnomne est caractris par un coefficient dionisation, not n (m-1) pour les lectrons
et p pour les trous, qui est le nombre de paires cres par un porteur sur un mtre. n et p
sont fonctions de l'intensit du champ lectrique.
VII.1.4. Cration par injection de porteurs

Dans certains composants semi-conducteurs (diode n+p, p+n, contact mtal-SC, ... ), nous
verrons qu'une partie de la structure est susceptible d'injecter des lectrons (ou des trous) dans
l'autre. Les concentrations de porteurs obtenues dans la rgion o se produit l'injection peuvent
parfois tre trs suprieures celles existant l'quilibre.
VII.2. Quasi-niveaux de Fermi

Les quasi-niveaux de Fermi (ou pseudo-niveaux de Fermi) permettent dcrire les densits de
porteurs hors quilibre avec le formalisme utilis lquilibre thermodynamique. EF de
lquilibre doit tre remplac, hors quilibre, par EFn pour les lectrons et EFp pour les trous.
La probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un lectron pourra donc s'crire,
mme en dehors de l'quilibre thermodynamique :
f n ( E) =
1
E
E Fn
1 + exp
kT
(VII.7)
et la probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un trou scrira :

f p ( E) =
1
EFp E
1 + exp
kT
(VII.8)
Paralllement aux relations donnant les concentrations en lectrons (quation (IV.19)) et en

trous (quation (IV.20)) lquilibre thermodynamique, on exprime ces concentrations hors
quilibre par :
E EFi
n = n i exp Fn
kT
(VII.9)
EFp EFi
p = n i exp
kT
(VII.10)
47
Le produit de ces deux concentrations nest plus gal ni2 (comme lquilibre), mais :
E Fn E Fp
np = n i 2 exp
kT
(VII.11)
Exemple d'application : soit un barreau de Silicium (ni = 1,51010 cm-3 300 K) dop avec des
impurets donatrices afin dobtenir n0 = 1014 cm-3 (p0 = ni2/n0 = 2,25106 cm-3). On cre des
porteurs par paires avec une concentration n = p = 21013 cm-3. Lquation (IV.19) permet de
dterminer la position du niveau de Fermi lquilibre par rapport au niveau de Fermi
intrinsque (qui est peu prs au milieu du gap).
1014
n
= 4,6 10-20 J = 0,228 eV
EF EFi = kT ln 0 = 1,38 10 23 300 ln
10
ni
1,5 10
(VII.12)
Les concentrations en porteurs hors quilibre sont :
n = n 0 + n = 1,2 1014 cm 3 ( n 0 )
(VII.13)
p = p0 + p p = 0,2 1014 cm 3
(VII.14)
Avec les quations (VII.9) et (VII.10), on peut calculer lcart entre les quasi-niveaux de
Fermi et le niveau de Fermi intrinsque :
1,2 1014
n
= 0,233 eV
EFn EFi = kT ln = 1,38 10 23 300 ln
ni
1,5 1010
(VII.15)
0,2 1014
p
= 0186
EFp EFi = kT ln = 1,38 10 23 300 ln
,
eV
ni
1,5 1010
(VII.16)
EG 112
, eV
EC
EFn
EF
EFi
EFp
Figure VII.3. Diagramme de bandes du

Silicium hors quilibre faisant apparatre les
quasi-niveaux de Fermi.
EV
L'utilisation des quasi-niveaux de Fermi permet d'crire assez simplement l'expression du
courant total (conduction + diffusion). En effet, le courant total d'lectrons ou de trous vaut :
r
r kT grad( n)
in = q n n E + D n grad( n) = qn n E
q
n
r
r
i = qp E kT grad( p)
p
p
q
p
48
(VII.17)
Avec les quations (VII.9) et (VII.10), on obtient les expressions des gradients de
concentration en fonction des quasi-niveaux de Fermi :

n
E EFi
grad EFn grad EFi
grad( n) = grad n i exp Fn
=
kT
kT
EFp EFi
p

grad EFp grad EFi
=
grad( p) = grad n i exp
kT
kT
r
Or
grad(E Fi ) = grad (E C ) = grad(E V ) = grad( qV ) = q grad(V ) = q .
d'lectrons (ou de trous) s'crit alors :
(VII.18)
Le
courant
r
jn = n n grad (E Fn )
r
jp = p p grad E Fp
total
(VII.19)
VII.3. Recombinaison (disparition) et dure de vie des porteurs libres

Le processus de gnration de porteurs est quilibr par un processus de disparition appel
recombinaison. La recombinaison peut tre qualifie de :
Par rapport au mcanisme de disparition :
Directe (bande bande) : llectron passe directement de la BC la BV
Indirecte : llectron passe de la BC un niveau d'nergie d'une impuret agissant

comme centre de recombinaison et situ dans la bande interdite, puis il sera rmis
vers la BV. Cette tape peut aussi tre dcrit, de faon quivalente, comme la capture
par le centre recombinant d'un trou de la BV
Par rapport aux changes d'nergie :
Radiative : lnergie (de recombinaison) est cde sous forme lumineuse (photon)
Non radiative : lnergie est cde sous forme de phonons (vibrations du rseau) ou
un autre lectron libre (recombinaison Auger).
Comme pour la gnration, on caractrise le processus de recombinaison par un taux de

recombinaison Rn (m-3s-1) pour les lectrons et Rp pour les trous. Si la variation de la
concentration de porteurs est due uniquement de la recombinaison, on aura :
R n,p =
dn, p( t)
(VII.20)
dt
Si la variation de la concentration de porteurs par rapport l'quilibre est n = n n0, on

peut dire au premier ordre que le taux de recombinaison est proportionnel au dsquilibre. Le
coefficient de proportionnalit a comme dimension l'inverse d'un temps ; le taux de
recombinaison scrira donc :
Rn =
n
n
(VII.21)
o n est appel dure de vie des porteurs de type n.

49
D'un point de vue probabiliste, cette dure de vie peut tre dfinie par rapport la densit
du processus poissonnien dcrivant la recombinaison :
Probabilit de recombinaison d'un lectron pendant une dure dt = dt = dt/
= 1/ correspond donc au nombre moyen de recombinaisons par unit de temps, et la dure
de vie apparat alors comme le temps moyen qu'un lectron passe dans la bande de conduction
avant de se recombiner.
La recombinaison dans le Silicium est indirecte et non radiative. Si le cristal est pur la dure
de vie est de lordre de 1 ms mais elle peut descendre 109 s (1 ns) s'il y a des centres de
recombinaison tels que lor (Au) ou le platine (Pt).
Dans le GaAs, la recombinaison est directe et radiative avec une longueur donde de 0,9 m.
Pour le GaP la recombinaison est indirecte et non radiative mais la prsence dimpurets peut la
rendre radiative. Les longueurs dondes mises peuvent tre dans la gamme du visible ; ce semiconducteur est utilis pour la ralisation d'afficheurs (LED rouge ou verte). Dans le compos
GaAs1-xPx, la recombinaison est directe et radiative tant que x < 0,45 ; l'mission a lieu dans le
rouge mais peut tre dcale en introduisant des impurets ; ce matriau est aussi utilis pour
raliser des diodes lectroluminescentes et des diodes laser.
VII.3.1. Expression de la dure de vie (cas de recombinaison directe)
Il y a disparition simultane de paires lectron-trou et tout instant, l'intensit de la

recombinaison est proportionnelle au nombre n d'lectrons dans la BC et au nombre p de trous
dans la BV, donc au produit np. En tenant compte du taux de gnration Gth de porteurs
d'origine thermique, on peut crire :
dn( t)
n
= R n, p =
= c R n( t) p( t) G th
n, p
dt
(VII.22)
(o cR peut tre considr comme un coefficient proportionnel la probabilit de recombinaison

bande bande).
A l'quilibre thermodynamique, n(t) = n0, p(t) = p0 et n = p = 0, donc R = 0. On a donc
Gth = cRn0p0 = cRni2, et donc :
R=
n
= c R np n i 2
(VII.23)
On remarque donc que :
Si np > ni2 (porteurs en excs) : R > 0, et il y a recombinaison des porteurs en excs.
Si np < ni2 (dfaut de porteurs : voir par exemple le d'une cas zone dserte) on a une
recombinaison ngative, c'est--dire une cration (par gnration thermique) de
porteurs.
Dans les deux cas, le semi-conducteur ragit pour provoquer un retour l'quilibre.
Les porteurs tant recombins (et crs) par paire, on a n(t) = p(t). En remplaant dans
l'quation (VII.23) n par n0 + n et p par p0 + p, on obtient :
R=
n
= c R ( n 0 + p0 + n)n
(VII.24)
50
d'o, par identification, la valeur de . On constate qu'a priori dpend de n et que la loi de
recombinaison ne sera linaire (c..d. indpendant de l'excs de porteurs) que sous la
condition dite de faible injection o n << n0 + p0 n0 (SC type n) ou p0 (SC type p).
VII.3.2. Dure de vie dans le cas d'une recombinaison indirecte
Dans ce cas une impuret (ou un dfaut du rseau), situ une nergie ER dans la bande
interdite agit comme centre de recombinaison, c'est--dire comme marche intermdiaire
(relais) pour le passage d'un lectron de BC vers BV.
Evidemment un tel centre n'est efficace vis vis du processus de recombinaison que dans la
mesure o, juste aprs avoir capt un lectron de BC, il va capter un trou de BV ( rmettre
l'lectron vers BV). Si l'lectron est rmis vers BC, le centre sera dit de pigeage (ou pige,
trap en anglais) et son rle ne revient qu' soustraire pendant un certain temps un lectron
la bande de conduction (c..d. le piger).
Le calcul du taux de recombinaison (et donc de la dure de vie ) associ des centres de
recombinaison est donn par le modle de Shockley et Read, et tient compte, par exemple pour
un centre recombinant 2 tats de charge possible (0 = neutre, et , cas d'un centre accepteur),
des 4 mcanismes possibles (cf. Fig. (VII.4))
EC
cn
ER
(0 ou -) (1)
en
(2)
(3)
(4)
cp
ep
EV
Figure VII.4. Mcanismes de capture et d'mission de porteurs : (1) = capture d'un lectron (de
BC), (2) = mission d'un lectron (vers BC), (3) = capture d'un trou, (4) = mission d'un trou, (1)
+ (3) = recombinaison (indirecte), (1) + (2) = pigeage d'lectrons, (3) + (4) = pigeage de trous.
En rgime permanent, on aura toujours (voir plus loin, quation (VIII.7)) Rn = n/n = Rp =
p/p = R et , si nR << n, p, on aura n p, donc n = p = . Le calcul complet montre alors
que : R (np - ni2) et que la loi de recombinaison sera linaire (c. d. indpendant de n) que
pour les faibles injections, comme pour une recombinaison directe.
En pratique, les centres qui jouent un rle prpondrant dans une recombinaison indirecte
sont situs un niveau d'nergie ER voisin de EFi ( milieu de la bande interdite) et tels que les
coefficients de capture cn et cp sont trs proches. Alors l'expression du taux de recombinaison R
se simplifie et se met sous la forme :
R=
2
1 np n i
0 2n i + n + p
(VII.25)
avec 0 = 1/NRcp 1/NRcn, NR tant la concentration de centres de recombinaison. Cette

expression sera particulirement utile pour tudier l'influence des recombinaisons dans les
jonctions pn et les transistors bipolaires. Elle se simplifie encore davantage dans deux cas
spcifiques :
Dans un zone dserte (o n, p << ni, np << ni2), alors R ni/20 (R < 0 : sa valeur
absolue est donc le taux de gnration thermique).
51
Pour un semi-conducteur dop (par ex. type n), on a n0 >> ni >> p0 ; sous la
condition de faible injection : n = n0 + n n0, et puisque p = p0 + p, on a :
R = p/0 : ainsi 0 =1/NRcp apparat comme la dure de vie p des minoritaires.
VII.3.3. Recombinaison en surface
La surface d'un semi-conducteur, o on peut trouver de nombreux niveaux lectroniques

(tats de surface), constitue souvent un site privilgi pour la recombinaison. Le taux de
recombinaison en surface RS (m-2s-1) est par dfinition suppos proportionnel la concentration
volumique de porteurs en excs n (m-3) juste sous la surface. Le coefficient de proportionnalit
s, dfini par RS = sn, s'exprime donc en m/s. Pour cela, on l'appelle vitesse de recombinaison
en surface (ordre de grandeur dans le silicium : s entre 102 et qqs 100 m/s). Ce paramtre s (et
le taux de recombinaison RS) peut tre trs utile pour dfinir certaines conditions aux limites
dans la rsolution des quations relatives au mouvement des porteurs dans un milieu de
dimensions finies.
VII.4. Photoconductivit
La cration de porteurs provoque par un flux de photons va entraner une variation de la
conductivit :
( t) = q n n( t) + pp( t)
(VII.26)
L'volution du nombre de porteurs va dpendre des taux de gnration et de recombinaison

selon lquation :
dn( t)
dt
(VII.27)
= Gn Rn
En rgime permanent, il ny a pas de variations du nombre de porteurs (dn/dt = 0) et, l'aide

de lquation (VII.21), on crit :
Rn = Gn =
n
n
(VII.28)
Si on suppose que la recombinaison se fait par paires (les dures de vie des lectrons et des
trous sont gales : n = p =) et que la gnration aussi se fait par paires, l'augmentation de
conductivit scrit alors (en utilisant les quations (VII.26) et (VII.28)) :
= qG n + p
(VII.29)
Ltude du rgime transitoire permet de dterminer la dure de vie des porteurs. Si

linstant t = 0 la gnration de porteurs est arrte (G = 0), la densit en lectrons et en trous va
tendre vers n0 et p0. Lquation (VII.27) devient :
dn( t)
dt
d( n 0 + n)
dt
dn
n
=
dt
(VII.30)
En faisant lhypothse que la dure de vie des porteurs est indpendante de leur nombre
(loi de recombinaison linaire), la solution de lquation (VII.30) est :
t
n( t) = n 0 exp

(VII.31)
52
ce qui permet dcrire la variation de conductivit :

t
( t) = qn 0 n + p exp

(VII.32)
Cette volution (dite dcroissance exponentielle de photoconductivit) peut permettre de

dterminer exprimentalement la dure de vie des porteurs.
VII.5. La luminescence
La luminescence est une mission de lumire par un processus qui rsulte du retour
lquilibre dun matriau au pralable excit. Lexcitation cre des lectrons dans BC qui lors de
leur recombinaison donneront naissance des photons (recombinaison radiative). Selon
lexcitation, on distingue plusieurs types de luminescence.
VII.5.1. Photoluminescence
Une excitation par photons provoque pour certains matriaux une mission de photons une
autre frquence pendant un temps plus ou moins long aprs larrt de lexcitation. Si ce temps
est court, le matriau est dit fluorescent ; s'il est long, le matriau est phosphorescent.
Lmission de photons peut ainsi se faire pendant quelques millisecondes, secondes ou minutes :
certaines impurets introduites dans un matriau pigent des lectrons qui seront rendus avec
une certaine constante de temps. Des couleurs diffrentes sont obtenues selon le type
dimpurets introduites par exemple dans le ZnS (EG 3,7 eV).
VII.5.2. Cathodoluminescence
Les lectrons mis par une cathode et acclrs par un champ lectrique (tube vide dune
tlvision ou dun oscilloscope) viennent frapper un matriau et exciter ses lectrons. En
retournant leur tat dquilibre, les lectrons mettent des photons.
VII.5.3. Electroluminescence
La cration dlectrons et de trous en excs par injection de porteurs suite lapplication

dune diffrence de potentiel provoquera une mission de photons lors de la recombinaison de
ces lectrons et trous. Lexemple le plus courant est la diode lectroluminescente (DEL ou LED
en Anglais).
53
54
Chapitre VIII. Equations dvolution

(espace et temps)
Pour analyser compltement tous les phnomnes cits (transport, cration, recombinaison,..)
il faut disposer d'un ensemble d'quations dcrivant l'volution des concentrations de porteurs
et de la charge lectrique.
VIII.1. Equations de continuit (ou quations de conservation de chaque type

de porteurs)
Lquation de continuit est une quation locale valable en chaque point du semi-conducteur
et chaque instant ; elle scrit pour les lectrons et pour les trous :
r
dn( t) dn( t)
=
= G n R n div jn
dt
dt
r
dp
t
d
p( t)
(
)
dt = dt = G p R p div jp
( )
( )
(VIII.1)
VIII.2. Equation de conservation de la charge

r
r
r
L'une des quations de Maxwell ( Rot H = i + D / t ) permet de relier le courant la variation
de la densit de charge :
r
div i + t = 0
()
(VIII.2)
Application : En considrant que les centres impurets peuvent subir une variation du nombre
d'lectrons prsents n Im p , la densit de charge (q. (V.2)) scrira :
r
( r) = q p0 + p n 0 n + N D0 + N A 0 n Im p = q p n n Im p
(VIII.3)
La simplification se fait en utilisant lquation (IV.21) valable lquilibre thermodynamique.

Lexpression du courant en fonction des flux en lectrons et trous scrit :
r r
r
r
r
i = in + ip = qjn + qjp
(VIII.4)
En utilisant les quations de continuit (VIII.1), on obtient :

r
r
dp(t ) dn(t ) dn Im p (t )
dn(t )
dp(t )
div i n + i p +
= q G n + R n +
+ q G p R p
+ q
t
dt
dt
dt
dt
dt
dn Im p (t )
=0
= q G n + R n + G p R p
dt
(VIII.5)
Si les taux de gnration des lectrons et des trous sont gaux, on arrive :
55
dn Im p ( t)
dt
(VIII.6)
= Rn Rp
En rgime stationnaire dn Im p ( t) dt est nul, ce qui impliquera :

Rn =
n
p
= Rp =
n
p
(VIII.7)
VIII.3. Equation de continuit ambipolaire (ou gnralise)

Dans le cas o le flux dlectrons et de trous a pour origine la conduction et la diffusion, on
peut dvelopper les termes contenant les flux de porteurs (quations (VI.24)) des quations
(VIII.1) ; en rappelant que :
r
r
r
div ab = grad(a) b + adiv b
div grad(a) = 2 a = a
( )
()
(VIII.8)
on obtient alors :
r
r
r
dn( t)
= G n R n div jn = G n R n + n n div E + n Egrad( n) + D n n
dt
r
r
r
dp( t)
=
G
div
j
=
G
div
E
Egrad
( p) + D p p
p
p
p
p
p
p
p
dt
( )
( )
()
(VIII.9)
()
En faisant lhypothse de quasi-neutralit, cest--dire n p (si nImp << n, p), on a :

grad( n) grad( p)
dn( t) dp( t)
dt
dt
n p
(VIII.10)
r
Mais l'utilisation de l'quation de Poisson (qui conduit alors divE 0 ) est problmatique
dans le systme d'quations (VIII.9).
Sous lhypothse que les taux de gnration et de recombinaison des lectrons et des trous
r
sont identiques, on limine le terme en divE entre les deux quations (VIII.9) en multipliant
lquation dn(t)/dt par pp et lquation dp(t)/dt par n|n|. En additionnant, on obtient
lquation de continuit ambipolaire :
dn( t)
dt
dp( t)
dt
r
= G R * Egrad( n ou p) + D* n ou p
(VIII.11)
* et D* sont respectivement la mobilit ambipolaire et le coefficient de diffusion ambipolaire :

* =
n p ( n p)
(VIII.12)
n n + p p
56
D* =
( n + p)D n D p
(VIII.13)
nD n + pD p
Dans un semi-conducteur extrinsque (et pour une injection faible), * est gal la mobilit
des minoritaires et D* est gal au coefficient de diffusion des minoritaires. Cette quation
montre donc que dans un semi-conducteur extrinsque, il suffira de rsoudre l'quation de
continuit relative aux porteurs minoritaires (et d'utiliser la quasi-neutralit).
VIII.4. Exemples dapplication

VIII.4.1. Dure de vie et longueur de diffusion
Pour trouver lexpression de la longueur de diffusion des porteurs, on peut prendre lexemple
dun semi-conducteur de type p soumis une illumination. On fait lhypothse que la cration de
porteurs ne se fait qu la surface (rayonnement trs absorb) et quaucun champ lectrique
nest appliqu au matriau. Lquation (VIII.11) (ou (VIII.1) pour les minoritaires) donne (en ne
considrant que la direction x) :
r
dn
n
2n
= R div jn =
+ Dn
dt
n
x 2
( )
(VIII.14)
En rgime permanent, le nombre de porteurs ne varie pas avec le temps et on arrive

lquation diffrentielle du deuxime ordre pour les porteurs minoritaires (les lectrons ici) :
2 ( n 0 + n)
x 2
n
2 n
n
=
=0
2
n Dn
x
nDn
(VIII.15)
La solution de cette quation est :
n = A 1 exp
x
+ A 2 exp
nDn
n Dn
(VIII.16)
o A1 et A2 sont des constantes dterminer d'aprs les conditions aux limites.
nDn
apparat comme une longueur. Elle est appele longueur de diffusion ; c'est la distance
moyenne de pntration par diffusion, et avant recombinaison, des lectrons crs en surface.
L n = n Dn
(VIII.17)
Si on suppose que le semi-conducteur est trs long ( >> L n ), cela rend nulle la constante A2
( n( x ) = 0 ) et on obtient :
x
n = n 0 exp
Ln
(VIII.18)
o n 0 est la valeur de n en x = 0 . Cette quation est illustre figure (VIII.1.a).

La longueur de diffusion peut varier selon le cristal et sa puret de quelques 10 m
quelques mm.
57
n0
n0
photons
Ln
Semi-conducteur
Surface
x/W
b
Figure VIII.1. Variation de la densit de l'excs de porteurs minoritaires (lectrons pour un

semi-conducteur de type p) lorsqu'il y a cration de porteurs en surface a. pour une longueur de
matriau trs grande devant la longueur de diffusion. b. pour des longueurs W de matriau
diverses.
Si tous les porteurs en excs sont extraits une distance W, les deux conditions aux limites
deviennent :
n( x = 0) = n 0
n( x = W ) = 0
(VIII.19)
Lquation (VIII.16) amne au systme de deux quations et deux inconnues :

n 0 = A 1 + A 2
W
W
0 = A 1 exp L + A 2 exp L
n
n
(VIII.20)
qui donne comme solution (sh(a) = [exp(a) exp(a)]/2) :
W
n 0
exp
A1 =
W
Ln
sh
Ln
A = n 0 exp W
2
W
Ln
sh
Ln
(VIII.21)
On arrive finalement lexpression de la variation de la densit de porteurs qui est aussi

illustre la figure (VIII.1.b) :
n( x ) =
W x
sh
W Ln
sh
Ln
n 0
(VIII.22)
Pour W >> Ln les quations (VIII.18) et (VIII.22) sont gales et pour W << Ln lquation
(VIII.22) tend vers lquation dune droite (n(x) = n0[(Wx)/W] = n0(1x/W)). Cette
particularit est utilise dans certains composants comme la diode courte ou la base dun
transistor bipolaire.
58
Courant de diffusion :
Puisqu'on a suppos le champ lectrique ngligeable, les seuls flux de porteurs existants sont
lis la diffusion et aux profils de distribution des porteurs en excs. Pour les porteurs
minoritaires (les lectrons dans notre cas), on vient de calculer quelques profils possibles ; pour
les porteurs majoritaires, l'quation de quasi-neutralit nous donne p(x) n(x). On peut donc
calculer les courants de diffusion correspondants.
Pour les lectrons, par exemple, on a :
i ndiff ( x ) = ( q ) jndiff ( x ) = qD n
dn( x )
dx
(VIII.23)
d'o :
Pour un chantillon semi-infini (W >> Ln, q. (VIII.18) :
i ndiff ( x ) = q
Dn
n(x )
Ln
(VIII.24)
(ce rsultat sera utile dans le cas d'une diode dite longue) ;
Pour un chantillon de dimension W arbitraire ou courte (q. (VIII.22)), en surface :
i ndiff (0 ) = q
Dn
D
1
n 0
q n n 0 (si W << L n )
Ln
th (W / L n )
Ln
(VIII.25)
l'extrmit W :
i ndiff ( W ) = q
Dn
D
1
n 0
q n n 0 (si W << L n ) = i ndiff (0 )
Ln
sh (W / L n )
W
(VIII.26)
Remarque : ces rsultats seront utiliss dans le cas d'une diode courte et pour le transistor
bipolaire.
VIII.4.2. Temps de relaxation dilectrique et longueur de Debye
Soit, par exemple, un semi-conducteur de type p ayant un excs de trous (c'est--dire de

porteurs majoritaires) tel que p << p0. A priori, il n'y a pas suffisamment dlectrons
(minoritaires) pour les neutraliser et les recombiner. La densit de charge est donc gale qp
et lquation de Poisson permet dcrire :
rr
q
E =
=
p
SC SC
(VIII.27)
En considrant que le courant nest d quaux trous, la conservation de la charge mne :

rr
r
r
rr
p r
q
ip =
= q
= p0 E qD pp = p0 E qD p 2 p =
p0 p qD p 2 p
t
t
SC
(VIII.28)
qui est une quation diffrentielle du premier ordre en t et du deuxime ordre en x (pour un
systme une dimension) :
59
p
p
2 p
= 0 p + D p
t
SC
x 2
(VIII.29)
La rsolution temporelle de cette quation donne :
t
p( x , t) = p( x ,0) exp
diel
(VIII.30)
o diel = SC p0 est le temps de relaxation dilectrique. Pour une conductivit p de

102 1m1 et une permittivit du semi-conducteur (SC) gale pour le silicium 12 fois celle du
vide, on obtient un temps de relaxation dilectrique de lordre de 10-12 s. On en dduit donc
que dans le silicium (homogne), la neutralit lectrique se rtablit en un temps gal quelques
picosecondes.
La rsolution spatiale de lquation (VIII.29) donne :
x
p( x , t) = p( 0, t) exp
LD
(VIII.31)
o LD est la longueur de Debye (ici pour un semi-conducteur de type p) :

L D = D p diel =
kT SC
=
q 2 p0
kT SC
q2 NA
(VIII.32)
LD apparat donc comme la distance sur laquelle s'effectue la neutralisation d'une charge
d'espace (on dit parfois longueur d'cran), c. d. la transition entre une ZCE et une zone neutre.
Pour une densit des porteurs lquilibre thermodynamique de 1015 cm-3, on obtient une
longueur de Debye de lordre de 0,1 m.
Dans le cas dun semi-conducteur proche de l'intrinsque la longueur de Debye scrit :
LD =
kT
q
SC
n 0 + p0
(VIII.33)
60
Chapitre IX. Fluctuations et bruit lectrique
Jusqu' prsent les grandeurs physiques considres, telles que la vitesse des porteurs vn,p,
leur mobilit n,p, la conductivit n,p, le courant I et la tension V doivent tre prises comme des
valeurs moyennes (statiques). Elle peuvent en effet prsenter des fluctuations. De telles
fluctuations correspondent du bruit, qui sera exprim et mesur en valeur efficace. Par
exemple, la valeur (efficace) du bruit dune grandeur b(t) sera :
beff =
b 2 ( t)
(IX.1)
o b2 ( t) est la valeur quadratique moyenne et a pour expression :

1
T T
b2 ( t) = lim
( )
b2 ( t)dt
(IX.2)
Une analyse des caractristiques temporelles du bruit est souvent assez difficile et on prfre
tudier ses proprits dans le domaine frquentiel en utilisant la densit spectrale de puissance
(analogie avec ltude du filtrage). En faisant passer la grandeur b dans des filtres passe-bande
de largeur f autour de f, il est possible de reconstituer le spectre en frquence de b. On aura
alors :
beff 2 ( f ) = S b ( f )f = g b ( f )
(IX.3)
o S b ( f ) est la densit spectrale de puissance de b(t), qui est aussi la transforme de Fourier de
l'autocorrlation de b(t).
On indique ci-dessous les principaux types de bruit intervenant dans les composants semiconducteur.
IX.1. Bruit de grenaille (shot noise)

Le bruit de grenaille a pour origine laspect granulaire de llectricit. En effet, linstant
dmission des lectrons allant dune lectrode une autre est alatoire. Ainsi, larrive des
lectrons au niveau de l'anode ne sera pas continue mais prsentera les mmes fluctuations que
l'mission.
Pour avoir une corrlation totale entre mission et collection, il ne doit pas y avoir de
recombinaison (nombre dlectrons mis gal celui rcolt) ni de collisions (lectrons retards)
durant le transit inter-lectrodes, ce qui signifie que le temps de transit, t, est trs infrieur au
temps entre collisions, r (la dure de vie des lectrons dans un semi-conducteur tant trs
suprieure au temps entre collisions). Notons que :
t =
(IX.4)
v moy
o L est la distance inter-lectrode et vmoy la vitesse moyenne des lectrons.
61
Le courant dlectrons peut scrire comme la somme dimpulsions de Dirac reprsentant

lmission de chaque lectron aux instants (alatoires) ti :
i( t) = q
t ti )
(IX.5)
A partir de cette quation (IX.5) et en supposant que la suite des instants d'mission ti est
poissonnienne, on trouve (c.f. cours de traitement du signal) lexpression de la densit spectrale
du courant (A2Hz-1) appele dans ce cas prcis relation de Schottky :
S I ( f ) = 2qI 0
(IX.6)
o I0 est la valeur moyenne du courant. Lexpression de cette densit spectrale est indpendante
de la frquence, ce qui fait de ce bruit un bruit blanc. Dans une bande de frquence B, les
fluctuations de courant auront une valeur efficace ieff telle que :
i eff 2 = 2qI 0 B
(IX.7)
Ce type de bruit sobserve dans les tubes vide et dans tous les dispositifs comportant des
rgions o les porteurs ne font pas de collisions, telles que les zones de charge despace des
dispositifs jonctions : p-n, M-SC, transistors bipolaires
IX.2. Bruit thermique (de Nyquist ou de Johnson)

Ce bruit apparat lorsque le temps entre collisions ne peut plus tre nglig par rapport au
temps de transit. Les instants de collision sont alatoires ce qui implique ncessairement une
relation entre le bruit et la rsistance puisque celle-ci dpend de r (voir paragraphe VI.2.
Conductivit) ; de plus ce bruit sera indpendant du champ lectrique appliqu (sauf trs fort
champ en raison de leffet de porteurs chauds). En se plaant dans le cas particulier o
r << t, on exprime la densit spectrale des fluctuations de tension ou de courant aux bornes
dun dispositif de rsistance R (ou de conductance G) par :
S V ( f ) = 4 kTR
S I ( f ) = 4 kT
(IX.8)
1
= 4 kTG
R
(IX.9)
On constate que le bruit aux bornes dun tel dispositif est blanc (indpendant de la
frquence). La figure (IX.1) donne les deux reprsentations possibles pour rendre compte du
bruit dans une rsistance. Ridale est la rsistance sans bruit et les sources de bruit ont pour
valeur quadratique moyenne :
e
2
bruit ( t) = S V ( f ) f
i bruit 2 ( t) = S I ( f ) f
(IX.10)
Ridale
Rrelle
V(t)
V(t)
Rrelle
i(t)
ebruit
a
62
ibruit
Ridale
i(t)
Figure IX.1. Reprsentation du bruit dans une rsistance a. en fonction de sa tension de bruit.
b. en fonction de son courant de bruit.
Dans le cas o limpdance du dispositif est complexe, Z( f ) = 1 Y( f ) , les densits spectrales de
tension et de courant ont pour expression :
)
)
S V ( f ) = 4 kT Re Z( f )
SI ( f ) = 4 kT Re Y( f )
(IX.11)
La relation entre les deux densits spectrales est donne par :

2
S V ( f ) = Z( f ) S I ( f )
(IX.12)
IX.3. Bruit de gnration - recombinaison (GR)

Le nombre instantan de porteurs est susceptible de varier en raison des phnomnes de
gnration et recombinaison. Pour que de telles fluctuations soient observables, il faut que la
dure de vie des porteurs, , soit trs infrieure au temps de transit. Lexpression de la densit
spectrale de courant est proportionnelle I02/[1+(2f)2] qui est typique dun spectre
Lorentzien illustr la figure (IX.2).
log(SI(f))
I 02
f-2
Figure IX.2.
Densit spectrale de
courant de type Lorentzien.
1 2
f (ch. log.)
IX.4. Bruit en 1/f (ou de scintillement ou Flicker noise)

Le bruit en 1 f (dont la densit spectrale varie en 1/f) ou 1 f avec 0,8 < < 1,2 vrifie les
relations (typiques de fluctuations de rsistance) :
SV (f )
V0 2
SI ( f )
I 02
SR ( f )
(IX.13)
R 02
On considre qu'il a deux origines possibles dans un semi-conducteur :

S V (f )
V0
Les fluctuations de mobilit des porteurs dans le volume.

=
S I (f )
I0
S R (f )
R0
H
N 0f
(IX.14)
o H est le paramtre de Hooge et N0 le nombre total de porteurs dans le volume

considr.
63
Les effets de surface surtout observs dans les transistors MOS. Les tats situs
linterface et lintrieur de lisolant capturent et relchent les porteurs, avec diverses
constantes de temps i. Le bruit 1/f est donc la somme dune multitude de spectres
Lorentziens de frquences de coupure diffrentes comme lindique la figure (IX.3), si la
distribution g() des constantes de temps de pigeage i est en 1/. En effet si g()
1/ et pour 1/2max < f < 1/2min :
SI (f ) I0 2
Ai
i
2
1 + (2fi )
I0 2
max
min
1 + (2f)
g()d I0 2
I0 2
1
[Arctg(2fmax ) Arctg(2fmin )]
2f
1
4f
(IX.15)
log(SI(f))
f-1
f-2
1/1
1/2
1/3
Figure IX.3. Bruit en 1/f rsultant de

la somme de spectres Lorentziens.
= 2f (ch. log.)
64
Chapitre X. Contact entre deux matriaux

diffrents - Htrostructures
X.1. Introduction
Il existe diverses catgories de contact entre deux matriaux :
Homo-jonction : cest le contact entre deux parties diffrentes d'un mme semiconducteur par exemple les diodes semi-conducteur qui sont constitues de deux
parties dopes diffremment (jonctions pn).
Htro-jonction : cest lassociation entre deux semi-conducteurs de nature diffrente.
Jonction Mtal - SC : par exemple les diodes Schottky ou les contacts ohmiques.
Structure MIS (Mtal Isolant Semi-conducteur). Lorsque lisolant est de type oxyde la
structure est dite MOS (capacit et transistor). Ces structures seront tudies
ultrieurement.
On dfinira tout d'abord les grandeurs qui dterminent le transfert de charges entre deux
matriaux, afin d'tudier la faon dont on peut commander le passage ou contrler les
concentrations de ces charges.
X.2. Travail de sortie - Affinit lectronique - Barrire de potentiel

Dans un mtal (fig. (X.1.a)), le niveau EFM reprsente lnergie maximale que peut avoir un
lectron lquilibre. Pour extraire un lectron il faut quil atteigne le niveau nergie E0 (niveau
du vide). Le travail de sortie M est dfini comme lnergie minimale quil faut fournir un
lectron pour larracher au mtal (lectron sans vitesse la sortie du mtal). Les valeurs
usuelles de M sont comprises entre 2 et 5,5 eV.
(X.1)
M = E0 E FM
Pour un semi-conducteur, on peut aussi dfinir un travail de sortie SC comme la diffrence

entre le niveau du vide et le niveau de Fermi dans le semi-conducteur :
(X.2)
SC = E0 E FSC
Mais comme dans un SC non dgnr il n'y a pas d'lectron l'nergie EFSC (EFSC est dans la
bande interdite), on dfinit aussi laffinit lectronique comme lnergie apporter un
lectron libre (bas de la bande de conduction) pour larracher du semi-conducteur. Elle est
voisine de 4 eV pour le Silicium, GaAs et Ge, et de 1,1 eV pour loxyde de Silicium (SiO2).
Lensemble de ces paramtres sont indiqus sur la figure (X.1.a) qui reprsente la mise en
contact dun mtal et dun SC. On introduit aussi la barrire de potentiel (ou barrire de
Schottky) b donne par la relation de Schottky :
(X.3)
b = EC E FM = M
A lquilibre thermodynamique le niveau de Fermi est constant dans toute la structure, c'est-dire qu'il ny a pas de diffrence entre EFM et EFSC. Il y a donc un change de charges (tel que
QM + QSC = 0 o QM et QSC sont les charges apparues respectivement cot mtal et cot SC) qui
65
provoque l'apparition d'une courbure des bandes et dune zone de charge despace linterface
mtal SC ; cette ZCE qui s'tend essentiellement ct SC, car la concentration d'lectrons
libres est bien plus grande dans le mtal. La figure (X.1.b) illustre ce contact lquilibre et met
en vidence le potentiel de surface VS qui est la barrire que doit franchir un lectron libre du
semi-conducteur pour passer dans le mtal.
qVS = EC EC = b (EC E FSC ) = M SC
(X.4)
b reprsente la barrire que doit franchir un lectron pour passer du mtal au SC ;

la relation (X.3) montre qu'elle devrait dpendre de la nature du mtal dpos (par M).
Or cette proprit n'est souvent pas observe avec les semi-conducteurs usuels
ZCE
E0 (vide)
E0
SC
EFM
EC
EFSC
-qVS
E0
EFM
EV
Metal
ECS
-qVS
SC
-qVS
Metal
Semi-conducteur
EC
EFSC
EV
Semi-conducteur
Figure X.1.a. Contact Mtal - Semi-conducteur avant quilibre. b. Contact Mtal - Semiconducteur lquilibre thermodynamique.
X.3. Contact Mtal - semi-conducteur rel

X.3.1. L'oxyde natif
Lors de la fabrication des contacts, un oxyde natif (< 20 ) peut sparer le mtal du SC. Cet
oxyde mince sera franchi par les porteurs par effet tunnel. Mais la chute de potentiel Vox qui
apparat aux bornes de loxyde influence les hauteurs des barrires vues par les lectrons
(b et potentiel de surface VS). On a :
(X.5)
qVS = M SC + qVox
ainsi que :
(X.6)
b = ECS E FM = M + qVox
Loxyde natif se comporte comme une capacit ayant du cot mtal une charge QM = QSC
(Cm-2), ce qui permet dexprimer Vox :
Vox =
QM
C ox
(X.7)
o Cox est la capacit de loxyde par unit de surface (Fm-2) qui dpend de son paisseur tox et de
sa permittivit ox.
C ox = ox
t ox
(X.8)
66
Cet approche permet de dcrire correctement le contact mtal - SC dans le cas de semiconducteurs ioniques (ZnS, GaS, ZnO, AlN) ayant une surface de bonne qualit. Mais les
relations (X.5) et (X.6) montrent qu'on devrait, l encore, observer une dpendance des hauteurs
de barrire avec la nature du mtal.
E0
-qVox
-qVox
-qVS
E0
ECS
-qVS
SC
EC
EFM
Mtal
EFSC
Semi-conducteur
Oxyde
natif
Figure X.2. Contact Mtal - semiconducteur spar par une couche

doxyde natif de quelques (contact
rel).
X.3.2. Les tats d'interface (ou tats de surface)
Lorsque la surface du semi-conducteur n'est pas parfaite, ce qui est facilement le cas des SC
covalents (Si, Ge, GaAs, GaP, InP, SiC, AlAs, InSb,...), elle prsente des tats l'interface qui
agissent comme des piges en capturant des lectrons ou des trous du semi-conducteur.
Ces piges sont appels tats dinterface et il en existe deux types :
Les donneurs qui sont neutres s'ils sont occups (par un lectron) et chargs
positivement s'ils sont inoccups (occups par un trou).
Les accepteurs qui sont neutres si inoccups (occups par un trou) et chargs
ngativement si occups (par un lectron).
La limite doccupation des tats par les lectrons est donne par la position du niveau de
Fermi linterface comme lindique la figure (X.3). D'aprs la statistique de Fermi-Dirac,
on peut dire que les tats situs sous EFSC sont occups par les lectrons (ou vides de trous) et
ceux situs au dessus de EFSC sont vides dlectrons.
Etats
de
surface
-qVS
EC
EFSC
EV
Etat inoccup
Figure X.3. Diagramme de bandes montrant

les tats dinterface et leur occupation. Les
tats en dessous de EFSC sont occups par les
lectrons (inoccups par les trous) et ceux au
dessus de EFSC sont inoccups par les lectrons
(occups par les trous).
Etat occup
La probabilit doccupation par un lectron dun tat dinterface situ au niveau dnergie Et
dans le gap du semi-conducteur a pour expression :
f t ( Et ) =
1
E E FSC
1 + exp t
kT
(X.9)
67
Ces tats pigent une charge QSS (charge dinterface, note aussi parfois Qit) qui dpend de
la densit des tats de surface et du potentiel de surface. La neutralit lectrique globale devant
tre conserve, on a :
Q M = (QSS + QSC )
(X.10)
Lors dun contact Mtal - Semi-conducteur pour lequel la densit des tats de surface est
leve, le mtal va changer des lectrons essentiellement avec les tats dinterface, ce qui rend
VS peu prs indpendant du mtal ; on a alors une barrire de Bardeen o les tats
d'interface crantent le SC par rapport au mtal. Exprimentalement on constate alors que b
est de lordre de 2/3 de la bande interdite du semi-conducteur.
X.4. Description qualitative de la relation I(V) d'un contact M - SC

X.4.1. Contact redresseur (diode SCHOTTKY)
Ce sera le cas pour un contact entre un mtal et un SC faisant apparatre une rgion dserte
dans la ZCE du SC (par exp. SC type n et courbure de bandes vers le haut, c. d. M > SC).
I
(A
mA)
mtal
semiconducteur
Vext
= VM/SC
-Isat
(nA)
Vext
Figure X.4.a.
Schma
reprsentant un contact
Mtal - Semi-conducteur. b.
Caractristique I(V) obtenue
avec un contact M - SC de
type redresseur.
Lapplication dune tension Vext aux bornes dun contact Mtal - Semi-conducteur (figure
(X.4.a)) donne naissance un courant I (figure (X.4.b)) qui peut sexpliquer de faon qualitative
en considrant les figures (X.5).
A lquilibre thermodynamique (figure (X.5.a), cest--dire lorsquaucun potentiel extrieur
nest appliqu aux bornes de la structure, le flux dlectrons qui peuvent franchir la barrire M
SC (b) est quilibr par le flux dlectrons pouvant franchir la barrire SC M (-qVS) donc
I = 0.
Pour simplifier, on suppose la couche d'oxyde (natif) ngligeable. La rgion la plus rsistive
de la structure M - SC tant la ZCE (car elle est dserte dans notre cas), la tension Vext se
retrouve essentiellement sur cette ZCE.
Lapplication dune tension Vext positive abaisse la barrire de potentiel VS que voient les
lectrons du semi-conducteur alors que la barrire que voient les lectrons du mtal ne change
pas. Il y a donc un dsquilibre entre les deux flux en faveur du passage d'lectrons du SC vers
le mtal. Le courant I (positif) induit augmente avec l'augmentation de Vext , comme augmente
pour un lectron du SC la probabilit de passer vers le mtal, c. d. comme exp(qVext/kT).
68
lectrons
-qVS
-qVS
EC
EFM
EC
-qVext
EFM
EV
Vext = 0
Vext > 0
EFSC
EV
lectrons
Figure X.5.
Structure Mtal
conducteur type n, avec M > SC.
-qVS
b
EFM
-qVext
Semi-
a. Pour Vext = 0 , c. d. lquilibre

thermodynamique.
EC
EFSC
b. Pour Vext > 0 , il y a apparition dun

flux dlectrons du SC vers le mtal.
Vext < 0
c. Pour Vext < 0 , il y a apparition dun

flux dlectrons du mtal vers le SC.
EV
Lapplication dune tension ngative augmente la barrire vue par les lectrons du SC et il y
a un dsquilibre entre les flux en faveur du passage d'lectrons du mtal vers le SC. Le courant
I rsultant (ngatif) sature trs vite car la probabilit pour un lectron du SC de franchir VS
dcrot exponentiellement avec |Vext| alors que la probabilit de franchir b pour un lectron du
mtal ne dpend pas de Vext.
Ainsi pour Vext > 0, on a I IMSC I1exp(qVext/kT) et pour Vext < 0, I ISCM = Isat.
Or I = IMSC ISCM = I1exp(qVext/kT) Isat et on doit avoir I = 0 pour Vext = 0, d'o :
qV
I = I sat exp ext 1
kT
(X.11)
Remarques :
On constate donc, d'aprs l'analyse qualitative, que le courant dans une jonction
M - SC (diode Schottky) est transport par les porteurs majoritaires du semi-conducteur. Cette
proprit est l'origine des caractristiques dynamiques de rapidit des diodes Schottky, qui
sont pratiquement exemptes d'effets de charge stocke propres aux jonctions pn.
Le courant de saturation en inverse Isat d'une jonction M - SC est beaucoup plus important (
106) que celui d'une jonction pn. Il en rsulte que pour faire circuler un courant fix (par exp. 1
mA) en polarisation directe, la polarisation ncessaire pour une jonction M - SC (coude de
diode) est nettement plus faible que pour une jonction pn (d'o l'utilisation de diodes M - SC, en
parallle sur la jonction base-collecteur des transistors dans la filire TTL - Schottky).
X.4.2. Contact ohmique
Le contact M - SC va se comporter comme un contact ohmique lorsque, dans le SC, la ZCE
sera une rgion d'accumulation de porteurs majoritaires, par exemple si le SC est de type p
69
lorsque M > SC. Alors la rgion la plus rsistive dans une telle structure M - SC est la zone
neutre du SC, et on obtient un contact dont la rsistance est celle de cette zone (et aux bornes de
laquelle se retrouve l'essentielle de la tension applique Vext (c.f. Fig. (X.6)).
ZCE
zone ``neutre``
EC
EFSC
-qVext
EFM
Figure X.6. Contact M - SC type p, avec

M > SC, polaris sous Vext = VM/SC > 0.
Le contact est ohmique (ZCE accumule).
Pour minimiser la rsistance du contact, le SC sera trs dop (p+ ou n+) voire dgnr (ce qui
permet aussi de rduire l'action des tats d'interface qui seront saturs par les porteurs
majoritaires).
X.5. Htrojonction
Une jonction entre deux matriaux SC diffrents est appele htrojonction ; si les deux SC
constituant l'htrojonction sont de mme type (p ou n), on dit que l'htrojonction est isotype ;
sinon elle est dite anisotype.
En gnral, on ralise une htrojonction en faisant crotre une couche pitaxie d'un SC sur
un autre SC. Il faut pour cela que les deux SC aient les mmes symtries cristallines (dans le
plan de l'interface), des paramtres cristallins (telle que la constante du rseau) voisins, et des
coefficients de dilatation proches puisque l'pitaxie se ralise temprature leve.
On rappelle que les htrojonctions sont la base de ralisations de dispositifs hautes
performances, en particulier dans les domaines des hautes frquences et de l'optolectronique
(transistors effet de champ HEMT, ou bipolaire htrojonction HBT, diodes
lectroluminescentes ou diodes laser). Pour pouvoir envisager les divers champs d'application
des htrojonctions, il faut envisager les proprits spcifiques qu'elles procurent (barrires de
potentiel) vis--vis du flux des porteurs qui les traversent, comme dans un contact M-SC, mais
aussi vis--vis des puits de potentiel crs et du transport de porteurs dans ces puits,
paralllement l'interface (comme dans une structure MOS).
Nous dfinirons les paramtres cls permettant une analyse qualitative simple mettant en
vidence les principales proprits des htrojonctions.
X.5.1. Diagramme des bandes d'nergie

Sans contact entre les deux SC :
On sait positionner les bandes d'nergie partir du niveau du vide et des grandeurs dj
dfinies dans l'tude du contact M-SC (en particulier les travaux de sortie SC1,2 et les affinits
1,2) comme cela est indiqu la figure (X.7).
On notera l'apparition de deux paramtres importants : les dcalages EC0 = EC2 EC1 et
EV0 = EV2 EV1 des bandes de conduction et de valence. On remarque que EC0 = 1 2.
70
SC1
EC1
SC2
EC0
Niveau
du vide
EC2
Figure X.7. Bandes d'nergie des SC

1 et 2 lorsqu'ils ne sont pas en contact.
Notons que :
EF2
EG1
EG2
EF1
EV1
EG = EG2 EG1 = EC0 EV0.
EV0
EV2
Htrojonction l'quilibre :
Les deux SC sont en contact, et la structure ainsi ralise est l'quilibre (EF1 =EF2 = EF).
La figure (X.8.a) montre les niveaux d'nergie observs loin de l'interface. On constate que la
condition d'quilibre EF1 = EF2 implique l'apparition d'une ddp interne Vint = Vd provenant de
l'change de charges qui a lieu (avec apparition d'une ZCE) lorsque l'quilibre s'est tabli.
On a : -qVint = SC2 - SC1. On remarque que les dcalages des BC et BV entre les deux zones
neutres (loin) de l'interface) EC(n) et EV(n) sont diffrents de EC0 et EV0 ; ils peuvent
d'ailleurs tre exprims en fonction des densits de porteurs libres n1,2 et des densits d'tats
quivalentes NC1,2 (pour EC(n)), et symtriquement pour EV(n).
La figure (X.8.b) montre le diagramme des bandes d'nergie au voisinage de l'interface. Suite
l'change de charges qui se produit lorsque l'quilibre s'tablit, les ZCE apparaissent dans
chacun des SC, de part et d'autre de l'interface et se traduisent par des courbures des bandes
d'nergie.
On peut calculer thoriquement les tendues x1 et x2 des ZCE ainsi que les ddp. internes Vd1
et Vd2 (Vint = Vd = Vd1 +Vd2) par rsolution de l'quation de Poisson.
A l'interface (en x = 0), on constate que les niveaux EC et EV prsentent des discontinuits :
EC (discontinuit de EC en x = 0) = EC2 (x = 0 ) EC1 (x = 0 )

=(E 0 - 2 ) (E 0 -1 )
(X.12)
= 1 - 2 = EC0
-x1
x2
-qVd1
SC1
EC1
-qVd
-qVd
1
EC(n)
E0
-qVd2
-qVd2
EC0
SC2
-qVd1
EC2
EF
EF
EV1
-qVd1
EV(n)
a
EV0
-qVd2
EV2
x=0
Figure X.8. Bandes d'nergie dans l'htrojonction l'quilibre a. loin de l'interface. b. Au

voisinage de l'interface - On remarquera en particulier les discontinuits de BC et BV en x = 0,
gales EC0 et EV0 de la figure (X.7).
71
Les discontinuits de EC et EV sont donc gales aux dcalages des bandes EC0 et EV0
remarqus prcdemment.
Ce rsultat est valable si la densit d'tats d'interface peut tre nglige, ce qui n'est pas
toujours le cas, mais qu'on s'efforce d'obtenir !
X.5.2. Applications : localisation et transport des porteurs

La proprit la plus intressante est qu'une htrojonction peut tre utilise pour contrler la
position (spatiale) des porteurs libres (ou d'un seul type de porteurs) en les obligeant se situer
et/ou se placer dans une rgion bien dfinie (rgion dite de confinement). Ceci tient aux
barrires de potentiel que verront les porteurs (et donc essentiellement aux dcalages offset de
bande EC,V0), qui sont, de plus, gnralement diffrentes pour les lectrons et pour les trous.
Type I
EC > 0
EC
ZCE
_ _ _ _
_ _ _ _
1
+ + + + +
++ + +
ZCE
EV < 0
EV
Type II
EC
EC > 0
ZCE
_ _ _ _
_ _ _
+ + + +
EV < 0
+ + + + +
EV
ZCE
Type III
+ + + ++
EC 0
+ + + +
EV < 0
ZCE
Dopage p
EC
_ _ _ _ _ _ _ _ _
EV
Dopage n
Figure X.9. Les trois types d'htrojonctions ( l'quilibre) d'aprs S.M. SZE High Speed
Electronic Devices, Wiley, New-York, 1990. Pour comprendre les schmas relatifs aux
structures dopes, on doit considrer que les SC1 et 2 ont des dopages de mme type
(htrojonction isotype) et que, comme c'est souvent le cas dans les matriaux III-V, les dopages
raliss amnent le niveau de Fermi trs prs des bandes (ainsi la condition d'quilibre EF =
constante revient approximativement aligner les bandes des porteurs majoritaires, loin de
l'interface).
72
Configuration des bandes et confinement de porteurs

On distingue en gnral trois types de raccordements de bandes pour les htrojonctions,
schmatiss en figure (X.9) :
Dans le type I, le gap le plus faible se positionne l'intrieur du gap le plus large (c.
d. : EC1 < EC2 et EV1 > EV2, si EG1 < EG2). Dans ce cas, on peut prvoir que les
lectrons (ou les trous) qui existent dans le SC2 auront tendance passer dans SC1
(vers des nergies plus basses). Avec ce type d'htrojonction, on peut prvoir qu'il
sera facile d'injecter au moins un type de porteurs dans le SC faible gap. Notons que
si on parvient y injecter les deux types de porteurs, on aura probablement des
recombinaisons intenses (avec mission de lumire si les recombinaisons sont
radiatives : c'est ce qui se passe dans des diodes lectroluminescentes ou lasers
htrojonction). Inversement il sera difficile, voire impossible, d'injecter des porteurs
du SC1 ( faible gap) vers le SC2, cause des barrires de potentiel l'htrojonction
(c'est cette proprit qui est utilise dans les Transistors Bipolaires Htrojonction :
HBT).
Dans le type II, les deux bandes interdites sont dcales (ou tages : EC1 < EC2, et
EV1 < EV2) : les lectrons auront tendance s'accumuler (ou rester) dans le SC1 et les
trous dans le SC2.
Dans une htrojonction de type III, o la bande de conduction (ou de valence) reste
constante et l'cart de bande interdite EG se retrouve entirement sur l'autre bande,
le flux d'un des types de porteurs ne sera pas affect tandis que l'autre sera fortement
modifi. Cette configuration est aussi utilise pour raliser certains transistors
bipolaires htrojonction.
La figure (X.9) montre aussi (comme indiqu au paragraphe prcdent et sur la figure
(X.8.b)), qu'au voisinage de l'interface, pour des structures dopes, existent des ZCE et des
courbures de bandes (en plus des discontinuits EC et EV). Ainsi apparaissent des zones
dsertes (par les porteurs majoritaires, notes d sur la figure (X.9), et associes des
barrires de potentiel pour ces porteurs) et des zones d'accumulation, correspondant des puits
de potentiel. La largeur de tels puits peut tre relativement faible (quelques nm 10 nm) et
provoquer une quantification des niveaux d'nergie disponibles dans ce puits, avec une
sparation des deux premiers niveaux de l'ordre de 10 30 meV. Cette quantification se
retrouve dans la ralisation d'htrostructures puits quantiques, utilises pour dcaler la raie
laser de GaAs de l'infra-rouge vers le rouge (puits GaAs entre deux couches AlGaAs), ou pour
fabriquer des dtecteurs infra-rouges. D'autres htrostructures couches trs minces (et
parfois multiples) servent raliser des structures effet tunnel (et effet tunnel rsonnant).
Courant (ou contrle de courant) dans une htrojonction
Selon la faon dont on souhaite profiter de l'existence des barrires et des puits de potentiel,
on utilise une htrojonction :
Soit pour contrler la concentration et le flux de porteurs (lectrons) circulant

paralllement l'interface (dans un puits de potentiel). L'htrostructure est donc
utilise comme un transistor effet de champ dont le contact de grille est pris sur le
SC (dop n) grand gap (AlGaAs), alors que les lectrons provenant de ce dopage vont
circuler dans le puits de potentiel qui apparat, l'interface, dans le SC faible gap
(GaAs ou GaInAs) , peu dop ce qui permet aux lectrons d'avoir une bonne mobilit
(HEMT : High Electron Mobility Transistor, aussi appel TEGFET : Two-dimensional
73
Electron Gas Field Effect Transistor puisque les lectrons se dplacent dans le plan de
l'interface).
Soit pour matriser le flux (ou obtenir certaines proprits spcifiques lies au flux) de
porteurs traversant la structure (perpendiculairement l'interface). Lorsque les
couches semi-conductrices de l'htrojonction ne sont pas trop fines, l'expression du
courant traversant la structure s'obtiendra alors par une dmarche voisine de celle du
contact M-SC. Mais dans l'valuation des diverses contributions au courant total, on
tiendra compte des spcificits de l'htrojonction (barrire de potentiel/dcalage de
bandes) : ainsi, pour la structure de la figure (X.8.b), on peut dire que :
Dans le SC1 (type p), les lectrons qui seront injects par le SC2 (type n)
pourront se recombiner avec les trous et on aura ici un courant compos la
fois des flux de trous et d'lectrons.
Dans le SC2, le courant sera exclusivement un courant d'lectrons car ce SC est
de type n, et les trous susceptibles de provenir de SC1 (type p) ne pourront pas
tre injects dans le SC2 par suite de la forte barrire (pour les trous) associe
EV.
Comme nous l'avons dj signal, c'est ce genre de proprit (empcher l'injection d'un type
de porteurs, ou favoriser cette injection) qui est utilis dans les diodes ou transistors bipolaires
htrojonction : citons par exemple pour les diodes les htrojonctions AlGaAs/GaAs, et pour
les transistors les htrostructures (Emetteur/Base/Collecteur) : AlGaAs/GaAs/GaAs et
Si/SiGe/Si.
Une htrojonction peut galement tre utilise pour effectuer une injection de porteurs
(lectrons) chauds : en effet, lors du passage de l'htrojonction (d'un SC large gap vers un SC
faible gap), un lectron va acqurir un supplment d'nergie cintique gal EC
(le dcalage des bandes de conduction). Dans une structure n-AlxGa1-xAs/n-GaAs, on a (pour
x < 0,45) : EC (1,05 x) eV, c. d. pour x 0,3, un supplment initial d'nergie suprieur
0,3 eV (correspondant l'nergie d'agitation thermique de l'lectron environ 3000 K = 10Tamb
!). Ce principe est mis en oeuvre pour la ralisation de dispositifs lectrons chauds et forte
vitesse (sources microondes : dispositifs effet Gunn htrojonction prsentant d'excellents
rendements).
Comme on le verra lors de ltude des composants de l'optolectronique, des diodes
lectroluminescentes et des diodes laser SC sont ralises partir de double htrostructures
(par exemple du type p-AlGaAs/n (ou p) GaAs/n-AlGaAs), dont la couche centrale, dite active
(celle du SC faible gap) d'paisseur 0,1 0,2 m est considre comme relativement paisse
par rapport celles utilises dans les laser puits quantiques (ou dans les super-rseaux).
Ces lasers (figure (X.10)) comportent plusieurs puits quantiques (couches GaAs de 5 10 nm
d'paisseur, et barrires de 10 20 nm de AlGaAs o la proportion x = 0,2 d'Al lui confre une
bande interdite intermdiaire entre GaAs et AlGaAs constituant la double htrojonction des
extrmits). La quantification des niveaux d'nergie dans les puits permet d'ajuster la longueur
d'onde de l'effet laser, mais aussi de diminuer le courant de seuil de dclenchement et de rduire
la sensibilit la temprature.
74

x = 0,4
x = 0,2
x=0
Figure X.10. Laser puits quantique constitu d'un

systme
multicouches
minces
(GaAs/Al0,2Ga0,8As
formant les puits quantiques o lectrons et trous
peuvent tre confins) et de la double htrojonction avec
Al0,4Ga0,6As (permettant galement un confinement
optique li la diffrence des indices de rfraction).
La largeur de la bande interdite de AlxGa1-xAs volue

pour x < 0,45 (le SC reste gap direct) selon :
EG (eV) 1,42 + 1,25x.
AlxGa1-xAs
75

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PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

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Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

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Copyright 2001 A. Chovet et P. Masson. Tous droits rservs

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Table des matires

Chapitre I. Gnralits ..................................................................................... 11

Chapitre II. Quelques proprits ................................................................... 13

Chapitre III. Semi-conducteur non dop ou dop...................................... 19

Chapitre IV. Semi-conducteur lquilibre ................................................. 23

Chapitre V. Equation de Poisson - Consquences...................................... 31

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

Chapitre VII. Perturbations fortes de lquilibre : cration et disparition

Chapitre VIII. Equations dvolution (espace et temps).......................... 55

Chapitre IX. Fluctuations et bruit lectrique ............................................. 61

Chapitre X. Contact entre deux matriaux diffrents - Htrostructures

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

X.5.2. Applications : localisation et transport des porteurs

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

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Table des symboles, notations et abrviations

Probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un lectron

Flux (de porteurs)

Constante de Boltzmann (1,3810-23 J.K-1)

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

Valeur absolue de la charge de llectron (1,610-19 C)

Permittivit dun oxyde (SiO2 = 3,820 40)

Permittivit dun semi-conducteur (11,90 pour le Silicium)

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

I.1. Conducteurs - Isolants - Semi-conducteurs

GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb

CdS, HgTe, CdTe, ZnTe, ZnS

Tableau I.1. Exemples de semi-conducteurs.

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

On distingue essentiellement quatre familles de solides cristallins :

Les cristaux molculaires.

I.3. Systme cristallin et rseau cristallin

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

Chapitre II. Quelques proprits

II.1. Cristal cubique

Figure II.1.a. Cubique simple. b. Cubique centr. c. Cubique face centre.

Figure II.2. Plans cristallographiques.

II.1.1. Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) - Rseau diamant

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

Figure II.3. Reprsentations de latome de Silicium faisant apparatre. a. Les niveaux

Figure II.5. Semi-conducteur compos : GaAs.

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

II.2. Bandes dnergie

Tableau II.1. Exemple de valeurs du gap et de la distance inter-atomique (constante du

La figure (II.6) illustre le cas des

Figure II.6. Apparition de bandes de valence, de

Pour une temprature diffrente

Physique des semi-conducteurs A Chovet & P. Masson

II.3. Gap direct ou indirect

La nature du gap joue un rle fondamental dans linteraction du semi-conducteur avec un

Figure II.8. Transition dun lectron de la BV vers

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ou, ce qui est quivalent (avec la quantit de mouvement p = hk ) :