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Eletrnica Industrial

Departamento Regional de Rondnia

SENAI - Departamento Regional de Rondnia

ELETRNICA
INDUSTRIAL

Fevereiro 2007

Medidas Eltricas

Federao das Indstrias do Estado de Rondnia


Presidente do Sistema FIERO/SESI/SENAI/IEL
Euzbio Andr Guareschi
Diretor Superintendente do SESI/RO
Valdemar Camata Junior
Diretor Regional do SENAI/RO
Vivaldo Matos Filho
Superintendente do Instituto Euvaldo Lodi - IEL/RO
Valdemar Camata Junior
Diretora da Escola Centro de Formao Profissional Marechal Rondon
Elsa Ronsoni Mendes Pereira

Fevereiro
2007

Centro de Formao Profissional SENAI - RO

Sumrio
APRESENTAO ........................................................................................

05

1. FSICA DOS SEMICONDUTORES ..........................................................


1.1 Conduo dos semicondutores ...........................................................
1.2 Dopagem de semicondutores .............................................................

06
06
08

2. DIODO DE JUNO ................................................................................


2.1 Juno PN ...........................................................................................
2.2 Diodo de juno ideal ..........................................................................
2.3 Diodo de juno real ...........................................................................
2.4 Comportamento do diodo em AC ........................................................
2.5 Regime mximo do diodo em CC .......................................................
2.6 Efeito da temperatura na caracterstica ..............................................
2.7 Resistncia do diodo ...........................................................................
2.8 Tempo de chaveamento do diodo .......................................................
2.9 Classificao dos diodos .....................................................................

11
11
14
14
17
18
19
19
19
20

3. RETIFICADORES .....................................................................................
3.1 Retificador de 1/2 onda .......................................................................
3.2 Retificador de onda completa ..............................................................
3.3 Retificador em ponte ..........................................................................
3.4 Filtros ..................................................................................................

26
26
30
32
35

4. TRANSITOR BIPOLAR DE JUNO (TBJ) ...........................................

41

5. AMPLIFICADORES DE POTNCIA ........................................................


5.1 Dissipadores de calor .........................................................................

50
51

6. JFET .........................................................................................................

53

7. ELETRNICA DE POTNCIA ........... .....................................................


7.1Diodos ..................................................................................................

56
57

8. TIRISTORES .....................................................................................................
8.1 O SCR ..........................................................................................................
8.2 TRIAC ...........................................................................................................

61
61
66

9. CHAVES CONTROLVEIS .....................................................................


9.1 GTO ....................................................................................................
9.2 IGBT Transitor bipolar de porta isolada ...........................................

68
68
69

10. UJT ..........................................................................................................


10.1 Geradores de pulsos: circuitos de disparo para tiristores e triacs ....
10.2 Gerador de pulsos sincronizados com a alimentao .........................

74
76
78

11. CIRCUITO INTEGRADO TCA 780/785 .......................................................

81

12. RETIFICADORES ..................................................................................

94

12.1 Retificadores no controlados ..........................................................


12.2 Retificadores controlados .................................................................

94
98

13. INVERSORES ........................................................................................


13.1 Inversores no autnomos ...............................................................
13.2 Inversores autnomos ......................................................................
13.3 Modulao PWM ...............................................................................
13.4 Inversores monofsicos ....................................................................
13.5 Inversores trifsicos ..........................................................................

106
106
107
108
112
117

14. EXEMPLO DE APLICAO ..................................................................


14.1 A evoluo do controle de velocidade ..............................................
14.2 Controle escalar ................................................................................
14.3 O modo de controle vetorial ..............................................................

119
119
120
124

15. EXERCCIOS E PROBLEMAS ..............................................................

130

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ............................................................

140

Medidas Eltricas

UTILIZAO DE MATERIAL DIDTICO.

O SENAI deseja, por meio dos diversos materiais didticos nivelados em um


contexto nacional, aguar a sua curiosidade, responder s suas demandas de
informaes e construir links entre os diversos conhecimentos e competncias, to
importantes para sua formao profissional.

Alm dos esforos e dedicao de todo o grupo do SENAI DR/RO na confeco


de material didtico estamos tambm utilizando as

obras divulgadas no site

www.senai.br/recursosdidaticos desenvolvidas por outros Departamentos Regionais,


reservados os direitos patrimoniais e intelectuais de seus autores nos termos da Lei n.
9610, de 19/02/1998.

Tal utilizao se deve ao fato de que tais obras vm de encontro as nossas


necessidades, bem como tm a funo de enriquecer a qualidade dos recursos didticos
fornecidos aos nossos alunos como forma de aprimorar seus conhecimentos e
competncias.

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1. FSICA DOS SEMICONDUTORES


1.1CONDUO NOS SEMICONDUTORES
Estrutura atmica
Qualquer substncia ou material conhecido pode ser subdividido em partes cada
vez menores, at que se chegue menor delas, a molcula. Pode-se ento definir
como molcula a menor partcula a qual se pode dividir um corpo sem que
este perca suas propriedades fundamentais. A partir do ponto em que se
descobriu molcula, conseguiu-se subdividi-la ainda mais, mas desta feita no
mais possvel conseguir que o material conserve suas propriedades
fundamentais.
A estas subdivises da molcula deu-se o nome de TOMO, palavra de origem
grega, que significa A=no TOMO=diviso, TOMO=NO DIVISVEL.
O tomo formado por um grande nmero de partculas, dentre as quais,
podemos destacar:
-

ELTRONS: parte do tomo com carga eltrica negativa (-).


PRTONS: parte do tomo com carga eltrica positiva (+).
NUTRONS: parte do tomo que no tem carga eltrica.

Os prtons e os nutrons constituem o chamado ncleo do tomo tendo em seu


redor, num movimento de rotao, os eltrons, dispostos em rbitas concntricas.
importante lembrar que somente a camada perifrica de um tomo pode
apresentar-se incompleta, as demais esto sempre completas.
Os eltrons que se encontram nesta camada perifrica, so chamados de
eltrons de valncia, e possuem a caracterstica de serem quase que
completamente livres, para participar de fenmenos qumicos e eltricos.
ELTRON DE VALNCIA: eltrons da camada externa,
responsveis pela atividade qumica ou eltrica do elemento.

Quando um grupo de tomos esta disposto simetricamente entre si, um eltron de


valncia muitas vezes gira em torno de dois ncleos, ao invs de um s. Quando
isto acontece, os eltrons de valncia unem os tomos nos quais giram ao redor,
a este tipo de ligao d-se o nome de ligao covalente.

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LIGAO COVALENTE: unio entre dois tomos


atravs de seus eltrons de valncia.

Se, num material, aps todas as ligaes covalentes terem se realizado, ainda
restarem eltrons que no possuem unies firmes, estes so denominados de
eltrons livres. Quanto maior o nmero de eltrons livres, maior a condutividade.
A partir desse conceito podemos ento definir:
-

CONDUTOR: material que possui grande quantidade de eltrons livres.

ISOLANTE: material que possui pouca ou nenhuma quantidade de


eltrons livres.

SEMICONDUTOR: existem certos materiais, com molculas especiais,


que se situam entre os dois grupos e no so nem bons condutores,
nem bons isolantes, chamam-se semicondutores, pois possuem
eltrons livres, mas em pequena quantidade. Destes materiais os mais
conhecidos so: o Germnio (Ge) e o Silcio (Si).

O nmero de valncia destes dois elementos equivale ao nmero ou quantidade


de eltrons na ltima camada perifrica. Estes tomos possuem uma outra
particularidade, que a de se combinarem entre si, para formar o que
denominamos de estrutura cristalina.
Estrutura cristalina
O Ge por problemas de limitaes (temperatura) teve o seu uso abandonado e o
silcio passou a ser o cristal mais utilizado para a fabricao de componentes
eletrnicos. O silcio um elemento qumico pertencente ao quarto grupo da
tabela peridica. Cada tomo possui 14 eltrons na coroa. A camada mais interna
ocupada somente por dois eltrons e a seguinte por oito. Os quatro eltrons
restantes circulam numa terceira camada eletrnica. Portanto nesta terceira
camada para que o tomo atingisse a estabilidade qumica, seriam necessrios
mais quatro eltrons. No estado slido e sob condies adequadas de fabricao,
o silcio constitui uma rede cristalina, onde cada tomo tem quatro tomos
vizinhos eqidistantes, interligados por pontes de pares de eltrons, ligao
covalente; e todos os eltrons de valncia dos tomos de silcio, na estrutura
cristalina, so envolvidos pelas ligaes entre tomos. Esto, desse modo, presos
em um lugar, sendo denominados eltrons presos.

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Conceito de lacuna

A rede cristalina se encontra sempre a uma temperatura acima do zero absoluto,


ou seja, contm sempre determinada quantidade de energia trmica. O resultado
da presena dessa energia trmica que os tomos e os eltrons vibram em
torno de suas posies de repouso, o que tem como conseqncia o
aparecimento de foras mecnicas adicionais na rede cristalina. Se a energia
introduzida for to elevada que supere as foras de ligao, alguns eltrons
podero escapar de suas ligaes covalentes. Tais eltrons ficam livres de seus
tomos e com isso se tornam mveis; so denominados, ento, eltrons livres e
esto, do mesmo modo como as molculas de um gs, em permanente
movimento. Ao mesmo tempo, esto sempre colidindo com os tomos da
estrutura em oscilao, modificando constantemente a direo do movimento.
Aparece um movimento em ziguezague irregular desses eltrons, no qual, em
termos de valores mdios no h direo predominante.
Quando um eltron abandona uma ligao covalente, fica faltando, nesse lugar,
uma carga eltrica negativa, provocando ento a formao de uma lacuna.
Verifica-se que essa lacuna, ou seja, uma carga negativa faltante na ligao da
rede, tambm pode ser considerada como uma partcula autnoma, carregada
positivamente.
Existem, pois, com a introduo de calor, eltrons livres e lacunas de igual
nmero, e ambas as espcies de portadores contribuem para a condutividade do
semicondutor.

1.2 DOPAGEM DE SEMICONDUTORES


Semicondutor intrnseco
uma estrutura cristalina formada somente por tomos do mesmo cristal, sendo,
portanto um material semicondutor muito puro. A natureza dos semicondutores
tal que mesmo quantidades muito pequenas de certas impurezas podem alterar
drasticamente suas propriedades eltricas. Por esta razo, um semicondutor no
seria chamado verdadeiramente intrnseco, a menos que, o nvel de impurezas
fosse muito pequeno. A figura 01 ilustra a estrutura cristalina do Si, a qual
idntica a do Ge.

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Figura 01 A estrutura do silcio numa representao bidimensional.

Semicondutor extrnseco
Na aplicao da eletrnica, o material semicondutor dopado, isto ,
propositalmente so adicionadas certas impurezas para resultar, em uma
predominante conduo de eltrons ou lacunas, qualquer que seja o requerido.
As impurezas usadas so geralmente de dois tipos: uma delas formada por
elementos que possuem trs eltrons de valncia e a outra por um elemento que
possui cinco eltrons de valncia. A primeira chamada de impureza tipo-P, e a
outra chamada de impureza tipo-N, aps a impureza ter sido adicionada, o
material ento denominado um semicondutor extrnseco.
Dopagem do semicondutor
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos
estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina; podendo esta ser do tipo
N ou do tipo P, o que dar origem ao cristal N ou ento ao cristal P, conforme
apresentado a seguir:
Dopagem em tipo N (cristal N)
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si
uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada,
forma-se uma nova estrutura cristalina denominada de cristal N. Tomemos como
exemplo, a introduo de tomos de fsforo, que possuem cinco eltrons na
ltima camada, dos cinco eltrons externos do fsforo, quatro encontram um
eltron no cristal, que possibilita a ligao covalente, o quinto eltron do fsforo
no forma ligao covalente porque no encontra um eltron na estrutura que
possibilite esta formao. Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar
facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal,
constituindo-se um portador livre de carga eltrica. Veja na figura 02:
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Figura 02

Dopagem em tipo P (cristal P)


A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ltima camada, originar
um tipo de estrutura chamada de cristal P, tomando como base o tomo de ndio,
por exemplo, verifica-se a falta de um eltron para que os elementos com quatro
eltrons (Si ou Ge) se combinem de forma covalente. Veja na figura 03:

Figura 03

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2. DIODO DE JUNO
2.1. JUNO PN
Se unirmos cristais do tipo P a cristais do tipo N, de maneira a constituirmos um
cristal nico (juno na qual mantida a continuidade da estrutura cristalina), esta
juno ser denominada de JUNO PN ou DIODO DE JUNO.
Observaes:
Nos elementos tipo N, os eltrons sero denominados portadores
majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so as lacunas.
Nos elementos tipo P, as lacunas sero denominadas portadores
majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so os eltrons.
O material N apresenta um grande nmero de eltrons e o material P um grande
nmero de lacunas logo, quando dispostos a formar uma juno PN como na
figura 04, haver passagem de lacunas do elemento P ao N e de eltrons do N
para o P durante a difuso, as reas que se encontram em torno da juno,
ficaro livres dos portadores de carga (eltrons e lacunas), devido
recombinao entre esses portadores e suas conseqentes anulaes. Com a
formao de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,
teremos um decrscimo nas correntes, o que facilmente compreendido se
lembrarmos que um eltron que tentar passar atravs da juno vindo do lado N,
encontrar uma barreira negativa do lado P, que o repelir; dando-se o mesmo
com as lacunas, ficando claro que neste material ocorrer um equilbrio de cargas
em torno da juno.
Com o acmulo de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,
se estabelecer uma regio de carga espacial ou regio de cargas. Devido a
pouca quantidade de cargas mveis esta regio chamada de REGIO DE
DEPLEXO.
As cargas que se formaram nesta regio de espao de cargas do origem a uma
diferena de potencial Vo, e esta diferena de potencial pode ser
esquematicamente representada por uma bateria, associada juno.
Dentro da regio de cargas existe uma carga positiva no lado de tipo N, e uma
carga negativa no lado do tipo P, e isto d origem a uma barreira de potencial.

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Juno

+ + +
+ + +

- - - - -

Barreira de Potencial
Figura 04 Juno PN

Juno PN polarizada inversamente


A juno PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a uma fonte
de tenso, chamada de fonte de polarizao, poderemos observar como tal
dispositivo opera, na figura 05, temos uma bateria conectada aos terminais da
juno, de tal forma que o plo positivo est ligado ao material N, e o negativo ao
material P. Assim, os portadores majoritrios so atrados pela bateria, ou seja, as
lacunas do material P so atradas pelo plo negativo da bateria e os eltrons do
material N pelo positivo.
Como estes portadores se afastam da juno largura da barreira de potencial
aumentada, e quando a fora de resistncia do campo da barreira se iguala da
tenso aplicada, surge uma nova condio de equilbrio, pois, nestas condies,
os campos internos (da barreira) e externo (da tenso aplicada) somam-se; onde
com a barreira aumentada, no pode haver fluxo de corrente, pois a barreira age
como se fora um isolante
Juno
P
N
+ + +
+ + +

- - -

+ +
+ +

- - - - -

Barreira

Bateria de Polarizao

Figura 05 Juno PN polarizada inversamente

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Juno PN polarizada diretamente


Ocorre polarizao direta quando o plo positivo da bateria est ligado ao material
P e o negativo ao material N, nesta situao a maioria dos portadores majoritrios
so repelidos em direo juno (claro que uma lacuna no existe fisicamente,
e quando falamos em movimento de lacuna subentende-se que um eltron se
move no sentido oposto a ela).
Juno
N

P
+ + +
+ + +

- - - - Barreira

Bateria

Figura 06 Juno PN polarizada diretamente

O primeiro efeito disto a neutralizao de alguns ons doadores e receptores, e


conseqentemente uma reduo na barreira de potencial. At aqui, a corrente
somente aumentou ligeiramente. Um aumento da tenso eventualmente reduzir
o potencial da barreira a zero, e ento eltrons e lacunas iro se mover atravs da
juno, os eltrons recombinando-se com eltrons no lado de tipo N assim, uma
corrente agora flui atravs da juno. E esta corrente aumenta rapidamente com
somente um pequeno aumento adicional na tenso.
A corrente que flui quando uma polarizao direta aplicada chamada de
corrente direta, e consiste essencialmente de um fluxo de portadores em maioria
de cada um dos lados atravs da juno. Estes portadores em maioria que
cruzam a juno, tornam-se no outro lado portadores em minoria. Na figura 07
temos uma representao da juno no polarizada.
P

B.P.
Figura 07 Juno PN no polarizada

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At agora tnhamos visto, para efeito de explicao, um modelo terico onde


destacvamos os materiais P e N e os portadores de cargas. No entanto, nos
circuitos usamos uma representao simblica, como indica a figura 08.

nodo

Ctodo

Corrente I

Figura 08 Smbolo do diodo de juno

O smbolo usado quer dizer que o fluxo de corrente do material P para o


material N, ou seja, do anodo para o catodo e os sinais mais (+) e menos (-)
indicam a polarizao direta que produzir tal corrente.

2.2. DIODO DE JUNO IDEAL


Como diodo de juno ideal, se compreende um diodo que apresenta
caractersticas especiais, conduzindo ou bloqueando completamente.
Conduo no diodo ideal
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado, o qual
equivale ao circuito do diodo ideal em conduo.
Bloqueio do diodo ideal
Polarizando inversamente um diodo semicondutor, ideal, deve-se comportar como
um isolante perfeito, impedindo completamente a circulao de corrente. A
condio de bloqueio de um diodo tambm pode ser denominada de corte do
diodo, por que o diodo corta a circulao de corrente; comportando-se como um
interruptor aberto, o qual equivale ao circuito do diodo ideal em corte.

2.3. DIODO DE JUNO REAL


O diodo de juno real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo de
juno ideal. Estas diferenas existem porque o processo de purificao dos
cristais semicondutores para fabricao de componentes eletrnicos no
perfeito. Aps a purificao ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de
impurezas originrias da formao do material na natureza. Estas impurezas,
chamadas de portadores minoritrios, resultantes da deficincia na purificao
fazem com que as caractersticas de conduo e bloqueio dos diodos reais se
distanciem dos ideais.
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Conduo no diodo real

Dois fatores diferenciam o diodo real no sentido de conduo:


A barreira de potencial
A resistncia interna
A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo
entre em conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da
bateria externa atinge um valor maior que a tenso da barreira de potencial, veja
na figura 09:
+

V > 0,7 V

Figura 09 Diodo Real

A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no um condutor


perfeito; esta, na conduo, normalmente menor que 1 , como na maioria dos
casos em que o diodo utilizado, as tenses e resistncias externas do circuito
so muito maiores que os valores internos do diodo (0,7v e ; 1 ), podemos
normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de conduo, sem
provocar um erro significativo.
Bloqueio no diodo real
O diodo real polarizado inversamente, no capaz de impedir completamente a
existncia de corrente no sentido inverso, fluindo uma pequena corrente inversa
(que desprezvel), sendo esta denominada de corrente de fuga, da ordem de
alguns microampres. Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma
resistncia elevadssima (vrios Mega Ohms).
Como a corrente de fuga muito pequena comparada com a corrente de
conduo, a resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da
grande maioria dos circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
A figura 10, representa a curva caracterstica de um diodo, com polarizao direta
e reserva.

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Vd = Tenso direta

Id = Corrente direta

Vr = Tenso reversa

Ir = Corrente reversa
Figura 10 - Curva caracterstica do Diodo Real

A curva da figura 10 ser a mesma para os elementos de germnio e silcio.


Como j se sabe, pode ser polarizado diretamente ou reversamente. Em
polarizao direta o germnio comea a conduzir com cerca de 0,3V, e o silcio
com cerca de 0,6V. Podemos notar pela curva (em polarizao direta), que para
pequenos valores de tenso Vd, quase no temos Id, passando a existir corrente
somente quando atingirmos as caractersticas de conduo do germnio e do
silcio. Em polarizao reversa, notamos que para pequenos valores de tenso a
corrente Ir aproximadamente constante. Se aumentarmos Vr at prximo da
tenso de ruptura, notaremos que Ir quase no apresenta variaes, sendo ainda
de pequeno valor. Ao atingirmos a tenso de ruptura, ocorrer o efeito avalanche
(Break Down), que consiste no seguinte:
A tenso reversa aplicada juno, aumenta a barreira de potencial, e
conseqentemente um eltron minoritrio presente nesta regio ser acelerado
devido ao campo eltrico. Com o aumento gradativo da tenso reversa, mais e
mais eltrons so acelerados, dando origem a novos eltrons livres e a
posteriores aumentos de corrente. Pois bem, elevando-se a corrente, mais
portadores sero liberados, estabelecendo-se um ciclo que culminar com a
ruptura do elemento semicondutor (Break Down).

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2.4 COMPORTAMENTO DO DIODO EM AC


Considerando inicialmente o primeiro semiciclo da tenso alternada, de 0 a
Neste intervalo, a tenso positiva e o diodo fica polarizado diretamente,

deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da
tenso aplicada, com exceo da parte inicial e final do semiciclo, que apresenta
alguma distoro, devido ao fato de que a caracterstica do diodo no linear
nesta regio, (figura 11).

Figura 11

No semiciclo seguinte, de
a 2 , a tenso se torna negativa, e o diodo
polarizado inversamente; agora ele oferece uma resistncia muito alta
passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga, que pode ser
desprezada em comparao com a corrente direta, (figura 12).

Figura 12

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2.5 REGIME MXIMO DO DIODO EM CC


Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e
corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente
contnua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do
diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os fatores que dependem
diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so:
Corrente de conduo ( If )
Tenso reversa ( Vr )
Pois a tenso de conduo Vd no depende do circuito (0,7 V para o silcio e 0,3
V para o germnio) e a corrente de fuga depende apenas do material do diodo
(alguns microamperes).
Corrente mxima de conduo:
A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em
folhetos tcnicos, nestes folhetos, a corrente mxima de conduo aparece
designada pela sigla If.
Tenso reversa mxima:
As tenses reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condio toda a tenso
aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo. Cada diodo tem a estrutura
preparada para suportar um determinado valor de tenso reversa. Aplicando um
valor de tenso reversa superior ao especificado para cada diodo, a corrente de
fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado. Os fabricantes de diodos
fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de tenso mxima que o
diodo suporta sem sofrer a ruptura. Este valor aparece designado pela sigla Vr.
Na tabela a seguir encontram-se as especificaes bsicas de alguns diodos
retificadores (25 C).
Diodos

Corrente direta mxima ( A )

Tenso de pico inversa ( V )

IN 4606

0,2

70

BY 126

1,0

650

DY 127

1,0

1250

BYX 10

2,0

800

IN 4001

1,0

50

IN 4004

1,0

400

IN 4007

1,0

1000

IN 1615 R

5,0

600

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2.6 EFEITO DA TEMPERATURA NA CARACTERSTICA


Uma juno PN sofre influncia da temperatura. A temperatura mxima do
elemento silcio, est por volta de 150 C, enquanto que a do germnio acha-se
por volta de 100 C. para cada aumento de 1 C na temperatura, teremos em
decorrncia, uma queda na tenso direta, cerca de 2,5 mV / C.

2.7 RESISTNCIA DO DIODO


Resistncia esttica
A partir da caracterstica direta do diodo podemos observar que no um
elemento hmico e sua resistncia em funo do ponto de operao. A
resistncia esttica tambm denominada resistncia contnua e significativa
para circuitos com pontos de operao fixos.
Resistncia dinmica
A resistncia dinmica determinada a partir das variaes em torno do ponto
quiescente, ambas as resistncias dependem do ponto de trabalho, porm,
convm lembrar que a resistncia dinmica tem interesse para regies de
pequenas variaes de tenso e corrente, e no em toda a caracterstica do
diodo.
A resistncia que um diodo oferece em polarizao direta denominada
resistncia direta e extremamente baixa; da ordem de algumas dezenas de
ohms, e a resistncia reversa apresenta valores da ordem de algumas dezenas
de milhes de ohms.

2.8 TEMPO DE CHAVEAMENTO DO DIODO


Quando o diodo passa da condio reversa para a condio direta ou vice versa,
h a passagem por um transitrio, decorrendo certo intervalo de tempo antes que
o diodo volte ao regime estacionrio. O tempo de recuperao direta tfr a
diferena de tempos entre o ponto que corresponde a 10% do valor final da
tenso do diodo e o ponto que corresponde a 90% do valor final da tenso; na
maioria das aplicaes, o tfr no constitui na prtica um problema srio e, assim,
consideramos apenas a mais importante situao, que a recuperao reversa.
Tempo de recuperao reversa do diodo:
Quando uma tenso externa polariza diretamente uma juno PN, a densidade de
portadores minoritrios em regime permanente muito grande; estes, em cada
caso, foram fornecidos pelo outro lado da juno, onde, sendo majoritrios, so
fornecidos abundantemente. Se a tenso externa repentinamente alterada
(invertida) de direta para reversa em um circuito cujo diodo atravessado por
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uma corrente direta, a nova corrente (reversa) do doido no cair imediatamente


para seu valor de regime permanente, pois a corrente no pode atingir seu valor
de regime enquanto a distribuio de portadores minoritrios iro tornar a
densidade de portadores minoritrios injetados ou em excesso quase nula.
Durante este intervalo de tempo o diodo continuar conduzindo facilmente, e a
corrente ser determinada pela resistncia externa no circuito do diodo.

2.9 CLASSIFICAO DOS DIODOS


Diodo Zener
Diodos projetados com capacidades adequadas de dissipao de potncia para
operar na regio de ruptura podem ser empregados como dispositivos de
tenso constante, tenso de referncia ou de avalanche.

nodo

Ctodo

Figura 13 Simbologia do Diodo Zenner

Os diodos zener so usados da seguinte forma: a fonte V e o resistor R so


selecionados de maneira que, inicialmente, o diodo esteja operando na regio de
ruptura. A tenso sobre o diodo, que tambm a tenso na carga R1, igual a
Vz, e a corrente do diodo denominada Iz. O diodo ir regular, agora, a tenso na
carga contra as variaes de corrente (na carga) e tambm contra as variaes
de tenso na fonte de alimentao, pois na regio de ruptura, grandes variaes
na corrente do diodo produzem pequenas variaes na tenso (do diodo); alm
disso, como existem mudanas na corrente de carga ou na tenso de
alimentao, a corrente do doido se acomodar a estas mudanas para manter
a tenso na carga aproximadamente constante.
Como os diodos zener so empregados para tenses superiores a 2V; abaixo
desta tenso comum o uso de diodos polarizados diretamente para serem
usados como reguladores de tenso, e como referncia; pois a caracterstica voltampre de um diodo polarizado diretamente igual caracterstica reversa,
exceto que, para a caracterstica direta, o joelho ocorre para uma tenso mais
baixa. Para alcanar tenses maiores, colocamos vrios diodos em srie. Tal
conjunto de diodos, encapsulados como um nico dispositivo, encontrado com
tenses de at 5V, sendo s vezes preferidos aos diodos zener polarizados
reversamente, que em baixas tenses tem valores muito altos de resistncia
dinmica.

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As caractersticas eltricas do diodo zener so:


- Tenso Zener
- Potncia Zener
- Coeficiente de temperatura
- Tolerncia
- Tenso Zener: a tenso zener (tenso de ruptura) dos diodos zener depende do
processo de fabricao e da resistividade da juno semicondutora. Os diodos
zener so fabricados para valores de tenso zener da ordem de 2V at algumas
dezenas de volts.
- Potncia Zener: o diodo zener funciona na regio de ruptura, apresentando um
valor determinado de tenso sobre seus terminais (Vz), sendo percorrido por um
uma corrente inversa.
Nestas condies verifica-se que o componente dissipa potncia em forma de
calor. A potncia dada pelo produto de tenso e corrente:
P=V.I
Pz = Vz . Iz

POTNCIA
POTNCIA ZENER

O valor da potncia determina a dissipao mxima que o componente pode


suportar, o que possui uma relao direta como a regio de funcionamento do
zener, a qual definida por dois valores de corrente, uma vez que sua tenso
inversa constante; sendo estas:
- Iz mximo
- Iz mnimo
O valor de Iz mximo definido pela potncia zener:
Iz mx = Pz
Vz
O valor de Iz mnimo definido como 10% do valor de Iz mximo.

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- Tolerncia: a tolerncia do diodo zener informa a variao que pode existir entre
o valor especificado e o valor real da tenso reversa do diodo zener. Isto
significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Varicap
Os varicaps so diodos semicondutores especiais que substituem os
capacitadores variveis, em circuitos de alta frequncia. Nestes diodos
aproveitam-se as caractersticas da capacidade da juno PN quando polarizada
reversamente, pois um aumento da tenso reversa aplicada ao diodo, faz com
que haja um aumento da largura da barreira de potencial e conseqentemente
uma diminuio da capacidade da juno.
Este tipo de diodo indicado para moduladores de FM, sintonizadores de FM,
controle de frequncia, etc.

Figura 16 Smbolo do varicap

Diodo emissor de luz - LED


O diodo do tipo LED um diodo semicondutor que apresenta emisso de luz
regida pelo fenmeno da eletroluminescncia. Assim como necessrio fornecer
energia para gerar o par eltron-lacuna, da mesma maneira a energia liberada
quando um eltron se recombina com uma lacuna. Esta energia liberada
transferida para o cristal sob forma de calor. Em outros semicondutores tais como
o arseneto de glio, h uma quantidade considervel de recombinao direta.
Nestas circunstncias a energia liberada pelo eltron, ao cair da banda de
conduo para a banda de valncia, aparece em forma de radiao. Um diodo
que funcione nestas condies chamado de Diodo Emissor de Luz (LED),
embora a maior parte da radiao emitida esteja na faixa do infravermelho. A
eficincia do processo de gerao de luz aumenta com a corrente injetada e com
a diminuio da temperatura. A luz est concentrada perto da juno devido ao
fato de que a maior parte dos portadores se recombinam nas vizinhanas da
mesma. O diodo emissor de luz, identificado comunente como LED
representado pelo smbolo apresentado na figura 17.

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Figura 17 Smbolo do LED

Os LED so encontrados com as mais diversas formas e dimenses, conforme


mostra a figura 18.

Figura 18 Tipos mais comuns de Diodo

O catodo de um LED, de formato redondo, pode ser identificado por um corte na


base do encapsulamento. (figura 19)
CATODO

Figura 19 - Corte no lado do Catodo ( Vista de baixo )

Caractersticas do LED
- Corrente direta nominal (If): um valor de corrente de conduo indicado pelo
fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente
20mA).
-Tenso direta nominal (Vf): Especificao que define a queda da tenso tpica do
diodo no sentido de conduo. A queda de tenso nominal (Vf) ocorre no
componente quando a corrente direta tem valor nominal (If).
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- Tenso reversa mxima (Vr): Especificao que determina o valor mximo de


tenso, que o LED suporta, no sentido inverso sem sofrer ruptura. A tenso
inversa mxima dos LEDs pequena, da ordem de 5V.
A tabela abaixo apresenta as caractersticas de alguns LED.
LED

COR

Vf a If = 20 mA

If mx.

LD 30C

Vermelho

1,6V

100mA

LD 37I

Verde

2,4V

60mA

LD 3I1

amarelo

2,4V

60mA

LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs colocados dentro de uma
mesma cpsula.
Estes LEDs tm trs terminais. (figura 20)

Figura 20 - LED bicolor

LED infra-vermelho
A luz infra-vermelha um tipo de irradiao que no visvel ao olho humano,
este tipo de luz usado principalmente em alarmes, controle remoto, etc. Assim
os LEDs que emitem esta luz, funcionam como os outros, porm no se pode
observar visualmente se esto ligados ou no.
Fotodiodo
O fotodiodo um diodo semicondutor com juno PN cuja caracterstica operar
na polarizao inversa da juno. Na polarizao inversa a corrente
praticamente nula, porm, se o cristal for devidamente dopado, o nmero de
portadores aumenta tremendamente sob luz incidente, pois esta fornece energia
sob forma de ftons. E este o princpio bsico do funcionamento de um
fotodiodo.
A aplicao do fotodiodo se verifica em leitura de cartes, circuitos digitais,
acopladores pticos, etc.

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Figura 21 Smbolo do fotodiodo

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3. RETIFICADORES

3.1 RETIFICADORES DE ONDA


A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC, que
permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada, na
carga, (figura 22).
1 ciclo

ENTRADA

CIRCUITO RETIFIDADOR
DE MEIA ONDA

TENSO NA
CARGA

Figura 22 - Entrada e Sada na retificao de onda

Funcionamento
Primeiro semiciclo
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto
B. esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo
a circulao de corrente. (figura 23)

Figura 23

A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada, (figura 24).

Figura 24

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O valor de pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada, porque o diodo, durante a conduo, apresenta uma pequena queda de
tenso Vd (0,7 para o silcio e 0,3V para o germnio). Entretanto, na maioria dos
casos, a queda de tenso sobre o diodo pode ser desprezada porque o seu valor
muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre a carga.
Segundo semiciclo
Durante o segundo semiciclo, a tenso de entrada negativa no ponto A, com
relao ao ponto B, esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em
bloqueio, logo no h corrente, (figura. 25).

Figura 25

Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo, que atua
como interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de
corrente, (figura 26).

Figura 26

Observa-se que para cada ciclo completo da tenso de entrada, apenas um


semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Os
grficos da figura 27 ilustram o que foi descrito.

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Tenso na
entrada

Tenso no
Diodo

Tenso na
carga

Figura 27 - Tenso de entrada x diodo x sada

Retificao de meia onda com tenso de sada negativa


Dependendo da forma como o diodo est colocado no circuito retificador, pode-se
obter uma tenso CC positiva ou negativa em relao ao terra.
Tenso e corrente CC de sada da retificao de meia onda.
Tenso de sada
A tenso na carga, apesar de ser contnua, no constante, recebendo o nome
de contnua pulsante. O valor mdio DC de um sinal alternado senoidal nulo,
assim se conectarmos um voltmetro DC para medir um sinal senoidal, a leitura
indicada pelo aparelho ser zero. Se medirmos, com um medidor DC, o sinal da
figura 26, que um sinal retificado de meia onda, pulsante e senoidal, o medidor
fornecer o valor DC do sinal tambm denominado valor contnuo.

Tenso Mdia

Figura 28 Tenso de sada e tenso mdia

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O valor DC dado pela relao abaixo:


Vdc = 1 /

x (Em)

Esta relao representa a rea sob a curva, dividida pelo perodo da onda
retificada.
importante notar que num circuito retificador de meia onda, quando o diodo for
polarizado reversamente, aparece uma tenso em seus terminais denominada
tenso de pico reversa. E de acordo com a aplicao da Segunda Lei de
Kirchhoff, em um retificador de onda, determinamos que o valor da tenso de
pico o valor mximo da tenso alternada aplicada.
Corrente de sada
Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma vez que
a tenso sobre a carga pulsante, isto implica que a corrente mdia na sada
(sobre a carga) uma mdia entre os perodos de existncia e inexistncia de
corrente, (figura 28.1).

I mdia

Figura 28.1 Corrente mdia de sada

Inconvenientes da retificao de meia onda:


A retificao de meia onda apresenta alguns inconvenientes, decorrentes da sua
condio de funcionamento.
- O rendimento baixo (45%) em relao tenso eficaz de entrada
- Nas retificaes com transformador existe um mau aproveitamento da
capacidade de transformao porque a corrente circula em apenas um semiciclo

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3.2 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA


um processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que faz
o aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de entrada, (figura 29).
1 ciclo

ENTRADA

CIRCUITO RETIFIDADOR
DE MEIA ONDA

TENSO NA
CARGA

Figura 29 Corrente mdia de sada

O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos equipamentos


eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada na
entrada. Esta retificao pode ser realizada de duas maneiras distintas:
- Empregando um transformador com derivao central e dois diodos.
- Empregando quatro diodos ligados em ponte.
Retificao de onda completa com dois diodos.
A retificao de onda completa com derivao central, a denominao tcnica
do circuito retificador de onda completa que emprega dois diodos com um
transformador com derivao central. A figura 31 apresenta a configurao deste
tipo de circuito retificador.

Figura 30 Retificador de onda completa com 2 diodos

Este tipo de retificao tambm chamado de retificao de onda completa


CENTER TAPE, a expresso significa DERIVAO CENTRAL.
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Funcionamento
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser
facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de
entrada isoladamente, conforme mostra a figura 31.

Tenso na
entrada

Tenso no
Diodo D1

Tenso
no
Diodo D2

Tenso na
carga

Figura 31

Para tenses de entrada acima de 10Vca pode-se desconsiderar a queda de


tenso no diodo, desenvolvendo a equao como:
Vcc = 2 Em Vd desconsiderando Vd tm-se:

Vcc = 2 . Em como Em = Vca .

Vcc = 2 . Vca .

2__ simplificando:

/ tm-se:

Vcc = 2 . Vca . 0,45


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Corrente de sada
A corrente mdia na sada da retificao de onda completa depende da tenso
mdia:
IDC = Vdc
RL
Relao entre freqncia de entrada e freqncia de sada:
Na retificao de onda completa cada ciclo da tenso CA de entrada
transformado em dois semiciclos de tenso sobre a carga. Desta forma, a
freqncia dos picos de tenso sobre a carga o dobro da freqncia da rede,
(figura 32).

Figura 32

3.3 RETIFICADOR EM PONTE


A retificao em ponte com quatro diodos entrega carga uma onda completa
sem que seja necessrio utilizar um transformador com derivao central. A figura
33 apresenta a configurao da retificao de onda completa em ponte.

Figura 33
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Funcionamento
Primeiro Semiciclo
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior, teremos:
Diodo 1 anodo positivo em relao ao catodo = CONDUO
Diodo 2 catodo positivo em relao ao anodo = BLOQUEIO
Diodo 3 catodo negativo em relao ao anodo = CONDUO
Diodo 4 anodo negativo em relao ao catodo = BLOQUEIO
Segundo Semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a intervenso da polaridade nos terminais de
entrada do circuito, onde teremos:
Diodo 1 = anodo negativo em relao ao catodo BLOQUEIO
Diodo 2 = catodo negativo em relao ao anodo CONDUO
Diodo 3 = catodo positivo em relao ao anodo BLOQUEIO
Diodo 4 = anodo positivo em relao ao catodo CONDUO
A ponte retificadora entrega carga, os dois semiciclos, da mesma forma que a
retificao de ponto central, com uma freqncia da CC pulsante igual ao dobro
da freqncia da rede.
A ponte retificadora tambm pode ser representada em esquema conforme
mostra a figura 34

Figura 34

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Tenso e corrente CC de sada da retificao em ponte


Tenso de Sada
A ponte retificadora fornece na sada o mesmo tipo de forma de onda que a
retificao com derivao central, contudo, h uma diferena em termos de
tenso de pico sobre a carga, devido ao fato de que na ponte retificadora em cada
semiciclo existem dois diodos em srie, o que implica que o pico de tenso sobre
a carga 1,4V menor que o pico de tenso na entrada (para diodos de Si), (figura
35).

Para tenses acima de 20 Vca na entrada da ponte pode-se desconsiderar as


quedas de tenso nos diodos (2Vd) de forma que o desenvolvimento da equao
resulta em:
Tenso CC mdia
na sada

Vcc = 2 x Em 2Vd = 2 . Em

Para uma mesma tenso de sada, a retificao em ponte usa apenas uma
tenso no secundrio, enquanto que a retificao com derivao central,
necessita de duas tenses, com o terminal central comum. As figuras 36 e 37
mostram claramente o que foi descrito:

Figura 36

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Figura 37

Conseqentemente o transformador melhor aproveitado nas retificaes em


ponte porque o secundrio trabalha integralmente nos dois semiciclos.
Corrente de sada
A Corrente de sada dada pela mesma equao utilizada na retificao de ponto
mdio:
IDC =

Vdc
RL (carga)

3.4 FILTROS
Uma tenso alternada, aps ser retificada, reduz-se a uma tenso contnua
pulsativa, ou seja, ainda guarda em si as alternncias da CA. Contudo, a corrente
contnua CC que desejamos no pode conter oscilaes, e para evit-las usamos
um circuito de filtro, (figura 38).

Figura 38 Circuito retificador de1/2 onda com filtro

A filtragem freqentemente realizada colocando-se um capacitor ligado em


paralelo com a carga. Este sistema baseia-se no fato de que o capacitor
armazena energia durante o perodo de conduo do diodo, e fornece esta
mesma energia para a carga durante o perodo em que o diodo est cortado.
Desse modo, o tempo durante o qual a corrente passa pela carga RL,
prolongado e a ondulao consideravelmente menor. A tenso de ondulao
definida a partir do seu valor mdio ou CC.
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Filtro capacitivo
Tanto o retificador de meia onda quanto o de onda completa, apresentam como
resultados, correntes contnuas, porm pulsantes, como mostra a figura 39.

Figura 39 - Sada de um retificador sem filtro

Se conectarmos um capacitor em paralelo com a carga, como mostra a figura 40,


observaremos uma diminuio na variao (ou na ondulao) da tenso de sada.

Figura 40

A tenso de sada com o capacitor mostrada na figura 41.

Figura 41

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Durante o meio ciclo em que o anodo for positivo em relao ao catodo, do diodo,
o diodo conduz e o capacitor C se carrega simultaneamente com o valor da
tenso aplicada.
Durante o semiciclo seguinte, quando o anodo for negativo em relao ao catodo,
o diodo corta e o capacitor C descarrega-se atravs da resistncia de carga.
fcil notar que o tempo de descarga da associao RL x C que vai determinar
o valor da tenso mnima, Vpmin.
Quanto maior for o tempo de descarga da associao maior ser a constante de
tempo e, portanto, maior ser o valor mnimo e menor a ondulao. A figura 42,
mostra a tenso de sada com trs capacitores de filtro cujas capacitncias so
respectivamente C1 < C2 < C3.

Figura 42

Essa ondulao recebe o nome de tenso de ripple, e seu valor pico a pico
dado por:
Vrpp = Vp Vpmin.
As figuras 43 e 44 mostram respectivamente a tenso de sada na carga e a
tenso de ripple.

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Figura 43

Figura 44

Ripple: fator, tenso e percentagem


Para uma melhor compreenso do equacionamento do fenmeno e para uma
melhor visualizao do circuito, analisaremos a forma de onda da figura 45, que
se aproxima em muito, da tenso de sada de um circuito com filtro.

Figura 45

Essa figura mostra um sinal contnuo e constante Vdc, somado a uma senoide.
Medindo esta tenso com o voltmetro DC, obteramos o valor mdio ou contnuo,
isto , Vdc; se medirmos essa mesma tenso com um voltmetro AC, mediramos
somente o valor eficaz da senide, que a ondulao indesejvel.
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Por definio a expresso matemtica E a percentagem de ripple dada pela


do fator de ripple :
relao:
r = tenso eficaz de ripple
tenso contnua

% r = 100 . r
% r = 100 . Vref
Vdc

r = Vr eficaz
Vdc
Capacitor de filtro em onda completa:

Do mesmo modo que no circuito de meia onda, o capacitor de filtro vai ligado em
paralelo com a carga. A figura 47 mostra a forma de onda que resulta aps
conectarmos o capacitor de filtro em retificadores de onda completa. Deve-se
notar que o sinal filtrado apresenta um nvel DC e um sinal de ripple em cima.

Figura 46

Figura 47
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Analisando a figura 48, que mostra um retificador de onda completa com filtro e
sua forma de onda, podemos destacar dois tempos particulares.

Figura 48

O intervalo Tc o intervalo de tempo em que o capacitor se carrega e o intervalo


de tempo Td o intervalo de tempo em que o capacitor se descarrega atravs da
resistncia de carga, onde o valor do capacitor e o valor da resistncia de carga,
influenciam no intervalo de tempo Td da descarga, e obviamente no valor da
tenso de ripple, no fator de ripple, no valor contnuo Vdc, etc...
O valor contnuo ou Vdc dado por:
Vdc = Vp - 1/2 Vrpp

E o valor eficaz da tenso de ripple


dado por:

(1)

Vref = Vrp = 1/2 Vrpp


2
2

(2)

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4. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO ( TBJ )


Aps o estudo do diodo de juno, que o componente essencial de dois
terminais, vamos agora comear a abordar dispositivos semicondutores de trs
terminais. Eles so muito mais utilizados e de funes mais complexas, que vo
desde amplificao de sinais at a lgica digital. O nome transistor bipolar reflete
o fato de que o fluxo de corrente nestes elementos ser direcional, ou seja, uma
parte formada por eltrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso est no nome: o prefixo TRANS vem da palavra inglesa
TRANSFER e o sufixo SISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos algo
semelhante a resistor de transferncia. medida que nos aprofundamos no
estudo do dispositivo mostraremos esta caracterstica fundamental.
Enfim, o transistor de juno (que fora desenvolvido no incio da dcada de 50)
revolucionou a tecnologia at alcanar o estgio atual. Para se ter uma idia do
significado da inveno do transistor, historiadores da cincia referem-se nossa
poca como a Era do Transistor!
Estrutura fsica
A figura 49, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e outra PNP.
Visualmente percebem-se trs regies: emissor, base e coletor. O emissor
dopado fortemente, pois, dele partem os eltrons para a outra regio, a base. Na
base, que fina e fracamente dopada, a maioria dos eltrons injetados pelo
emissor passa para o coletor. O coletor a maior das trs regies, pois nele
gerada uma quantidade de calor maior, e assim designado pelo fato dos
eltrons da base convergirem para l (diz-se que o coletor junta os eltrons da
base). O nvel de dopagem do coletor intermedirio, est entre o da base e o do
emissor.

Figura 49 - Estruturas fsicas

Modos de operao polarizao


Fazemos a abordagem dos transistores de silcio pelos mesmos motivos que nos
levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos estudos anteriores.
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Tais motivos eram as especificaes de tenso/corrente mais altas e a menor


sensibilidade temperatura. Lembre-se, tambm, que a 25C a barreira de
potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 50 temos a ilustrao da estrutura
cristalina NPN com as regies sombreadas.
CAMADA DE DEPLEO

-----

-----

Figura 50

Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junes nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre a base-emissor denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como so dois diodos, temos quatro hipteses para polarizao
simultnea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominao do modo de
polarizao
Corte
No se aplica
Ativo
Saturao

Diodo emissor
Reverso
Reverso
Direto
Direto

Diodo coletor
Reverso
Direto
Reverso
Direto

Os modos de corte e saturao so aqueles em que o transistor usado para


operar como chave eletrnica em circuitos lgicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrio da operao em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN polarizao direta-reversa Esta situao
est ilustrada na figura 51, duas fontes de tenso externas so usadas para
estabelecer as condies de operao. A tenso Vbe faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regies for aproximadamente 0,7V, este diodo est diretamente
polarizado. A tenso na juno base-coletor Vcb faz com que o coletor tipo N
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo est
reversamente polarizado.

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RE

RC
VBB

VCC
Figura 51

Relao entre as correntes Ib, Ic e Ie


Voc j tem conhecimento sobre a ordem de grandeza entre as correntes que
circulam no transistor polarizado direta e reversamente. Esta relao depende do
nvel de dopagem entre as regies constituintes do transistor. Como foi
mencionado, a base, o coletor e o emissor so fraca, mdia e intensamente
dopados, respectivamente. Na prtica, os transistores modernos de baixa
potncia tm corrente de coletor, que so cerca de 99% da corrente de emissor.
Portanto, resta base 1%.
Dados estes percentuais, razovel admitir e relacion-las por meio de nmeros
adimensionais denominados e . A relao mede quo prxima a corrente de
coletor Ic est de Ie, ou seja, o quociente entre elas. a razo entre Ic e Ib, e
basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritrios do emissor (os
eltrons) fluem pelo coletor e qual a taxa se recombina na base.
Matematicamente, temos:
= Ic e
Ie

= Ic
Ib

Obs.:
freqente o uso de hfe (ndices maisculos) para representar o envolvendo Ic
e Ib contnuos. Muitos se referem a ele como cc. O ca representado por hfe
(ndices minsculos).
Simbologia
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, na figura 52,
apresentamos a seguir os smbolos de ambos os tipos.

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Figura 52 Simbologias

Conexes do transistor bipolar


Nossa avaliao do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o circuito
montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configuraes tpicas
elaboradas com o TBJ e essencial aprender a reconhec-las apenas com um
olhar lanado sobre um circuito transistorizado. So trs as configuraes com
terminal em comum: base, emissor e coletor.
Observe-as na figura 53:

Figura 53

Obs.: Se voc retornar ilustrao da estrutura cristalina NPN em


funcionamento, ver que se trata de uma configurao em base comum, pois este
terminal comum a Vbb e a Vcc.
Anlise na configurao Emissor-Comum (EC)
Entre as trs configuraes do TBJ, a mais utilizada, na prtica, a em emissor
comum, requerendo assim uma anlise mais cuidadosa. Faremos o emprego da
estrutura cristalina do TBJ NPN pela ltima vez, pois daqui para frente sempre
empregaremos o smbolo em nossas anlises.

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Para analisar a ligao EC, primeiramente colocamos o transistor na vertical, com


o emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente comum s
duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc limitam a corrente
na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustrao da figura 54.

RC

RB

VCC1

P
VBB

Figura 54

Especificaes de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificaes teis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook de vital
importncia e que o aluno no deve se contentar em saber apenas as
especificaes que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
caractersticas de um TBJ com a descrio de cada uma.

Ib

Descrio (o fabricante pode fornecer valores mnimos,


tpicos ou mximos)
Corrente de base

Ic

Corrente de coletor

Ie

Corrente de emissor

Pd

Potencia dissipada

Vceo

Tenso de coletor ao emissor com a base aberta

Vcbo

Tenso de coletor base com emissor aberto

Vebo

Tenso de emisor base com o coletor aberto

Parmetro

P
Rthj

Fator de degradao
Resistncia trmica da juno

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As trs primeiras especificaes so bvias. Especificar a potncia Pd


importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipao de calor. Matematicamente, podemos encontr-la por:
Pd = Vce . Ic
Esta no toda a potncia que o transistor dissipa, mas est prxima dela, pois
as componentes da potncia dissipada nos diodos emissor e coletor so
desprezveis em comparao com ela.
As trs tenses: Vceo, Vcbo e Vebo so importantes na escolha do transistor.
Vceo e Vebo so boas aproximaes para as tenses de ruptura dos diodos
coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificaes de componentes eletrnicos so feitas a determinadas
temperaturas. P mede o fator de degradao da especificao de potncia
medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de funcionamento.
O ltimo parmetro importante para a escolha do irradiador de calor, visto que,
em algumas circunstncias, a quantidade de calor gerada na juno no
trocada com o meio ambiente. Nestas circunstncias, o irradiador de calor bemdimensionado muitas vezes resolve o problema.
O transistor como chave
O primeiro circuito que estudamos com o transistor a configurao tpica de uma
chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no modo de
saturao e corte. Esta aplicao o princpio do funcionamento dos
computadores e circuitos digitais. Estude-a com ateno e perspiccia, pois
futuramente voc entrar em contato direto com os circuitos digitais e a base da
operao destes ser vista aqui.
Esquema do circuito
A chave eletrnica com o transistor feita usando-se o terminal da base como
controle e a sada retirada no coletor, ambos relativos ao terra. Veja a figura 55:

Figura 55
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O controle , tipicamente, um sinal quadrado que varia de 0 a um nvel fixo, que


5V para circuitos denominados TTL (Transistor Transistor Lgico). Quando o
sinal de controle est em 0V, a malha da base est submetida a 0V de d.d.p.;
portanto, no h corrente na base e, por conseguinte, no coletor tambm no.
Como Ic = 0A, a queda de tenso em Rc nula e, para que a lei de Kirchhoff das
tenses continue vlida, Vce tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que i pulso sobe para o nvel alto nvel fixo de tenso h
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
regio de saturao tornando Vce prximo 0V. A corrente circulante no coletor
Icsat e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave fechada.
Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de coletor Rc
tem entre seus terminais a tenso da fonte Vcc.
importante observar que, o sinal quadrado de sada exatamente o oposto ao
do controle. Isto devido s condies em que ocorrem os chaveamentos.
Quando controle = 0V, a sada = Vcc. Caso contrrio, se controle = Vbb, a sada =
0V. Por isso, os sinais so recprocos.
Condio suficiente para o funcionamento da chave eletrnica
A condio necessria e essencial que a corrente Ib seja grande o suficiente
para levar Ic saturao. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam
uma regra superdimensionada para escolha dos resistores Rb e Rc. Eles adotam
um = 10; este
praticamente no se encontra, mesmo em transistores de
potncia que so conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira
dividimos o projeto em trs etapas:
1 etapa O resistor Rc normalmente a carga que se deseja acionar.
imprescindvel conhecer sua resistncia eltrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente dever ser tida como Icsat.
2 etapa Podemos calcular Ib usando um beta crtico igual a 10. portanto, Ib =
Icsat/10.
3 etapa Encontramos o valor de Rb usando a lei de Ohm, j que sabemos que
a tenso nos terminais dele deve ser Vbb 0,7V e Ib, acabamos de encontrar:
Rb = (Vbb 0,7V) / Ib.
Acionando carga com o transistor
No estudo feito acima, buscamos especificar um resistor de base que o transistor
saturasse irremediavelmente. Na prtica, a chave muito usada para acionar
rels, motores CC de pequena capacidade, lmpadas de baixa potncia, LEDs
indicadores etc. Veja um exemplo do acionamento por rels:

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Usando rels ligar (ou desligar) cargas CA, figura 56


VCC

VBE

RC

RB

D2

Figura 56

Obs.:
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas necessrio acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga est sendo acionada (transistor saturado) a indutncia da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inverso da tenso nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tenso pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D, faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutncia da carga, protegendo o transistor.
Outra aplicao importante do transistor, como fonte de corrente, pois nesta, o
transistor capaz de amplificar sinais CA, veremos um pouco frente, em nossos
estudos, como polarizar circuitos transistorizados na regio ativa e prepar-los
para a amplificao.
Outros transistores especiais
Fototransistor
um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe uma janela
transparente para incidncia de luz (ftons). A luz converge para a juno basecoletor reversa, diodo reverso, e quebra ligaes covalentes na banda de
valncia. Os eltrons so elevados banda de conduo e podem circular l
como intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo, aquela que
possui o comprimento de onda certo e pode ser visvel ou no. Veja na figura 57
sua simbologia.

Figura 57 Simbologia do Fototransistor


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Optoacoplador com fototransistor

Como o fototransistor um receptor de luz e atua somente na presena dela, os


fabricantes oferecem um pequeno CI que incorpora o par emissor-receptor. Este
par bastante aplicado na isolao eltrica entre circuitos eletrnicos.
Transistor multiemissor e multicoletor
A figura 58 mostra a sua simbologia

Figura 58

Obs.: No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transistores tenha o


emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V. De forma equivalente, se no smbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes Ic e Ib correspondentes
quantidade de emissores em conduo.
No caso do multicoletor necessrio que pelo menos um dos transistores tenha
o coletor em Vcc, atravs de Rc, para existir Ib e Ie.
Transistor Darlington Consiste em uma conexo de dois transistores. O
emissor do primeiro vai base do segundo; os coletores so ligados juntos. O
emissor do segundo e a conexo em comum dos coletores so: a base, o emissor
e o coletor do Darlington, respectivamente. A razo principal da conexo a
obteno de um transistor cujo beta o produto de 1 e 2.

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5. AMPLIFICADORES DE POTNCIA
Os estgios amplificadores, estudados at este ponto, tratam da amplificao de
sinais com maior nfase no ponto de vista de tenso. Porm, para que possamos
aplicar estes sinais carga, que geralmente tm valor de resistncia baixo, alguns
poucos Ohms, necessrio que eles sofram tambm uma amplificao de
corrente.
Do exposto, entende-se claramente que os sinais a serem amplificados passam
por estgios amplificadores de tenso e corrente, isto , so amplificadores em
potncia para acionar a carga. Os transistores do estgio final de amplificao
(potncia) dissipam grande quantidade de calor, visto que, neste, a potncia do
sinal elevada (acima de 0,5W).
Deve-se tomar cuidado de mont-los em irradiadores de calor (dissipadores), a
fim de que possam trocar de calor com o meio externo, evitando a sua destruio
por dissipao excessiva de potncia.
Os transistores dos estgios iniciais so de potncia inferior (abaixo de 0,5W) e
no necessitam de dissipadores. Estes estgios recebem a denominao de pramplificadores.
Os amplificadores de potncia que discutiremos operam em trs classes distintas,
que so: A, B e AB.
Definies
Ganho de tenso (Av)
Conforme j estudado, o ganho de tenso a relao entre a tenso de sada e a
tenso de entrada
Ganho de corrente (Ai)
O ganho de corrente a relao entre as correntes CAs de coletor e de base,
podendo ser aproximada ao com erro desprezvel.
Ganho de potncia (Ap)
O ganho de potncia a relao entre a potncia de sada (Po) e a potncia de
entrada (Pin) de um amplificador.
Potncia de carga (Pl)
Correspondente ao valor de potncia CA na sada do amplificador, isto , sobre a
carga.
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Potncia de dissipao do transistor (Pd)

Deve-se tomar o cuidado de especificar a potncia do transistor como sendo


maior que a potncia quiescente (Pdq), visto que a condio de dissipao de
potncia ocorre quando no h sinal na entrada do mesmo, ou seja, Pd diminui
medida que a tenso pico a pico na carga aumenta.
Rendimento ou eficincia do amplificador em porcentagem ( %)
Corresponde relao entre a potncia CA em RL com a potncia entregue pela
fonte Vcc.

5.1DISSIPADORES DE CALOR
A potncia desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de sada
muito alta, fazendo valer algumas consideraes importantes. Por exemplo,
temperatura ambiente (25C), a troca de calor entre o meio ambiente e a cpsula
(invlucro) do transistor, que poder ser metlica ou plstica, pode ser suficiente
para uma determinada condio de funcionamento do equipamento.
Porm, com o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma
condio anterior de trabalho poder no ser to eficiente, fazendo com que os
transistores permaneam quentes por uma faixa de tempo, tendo como
conseqncia o suprimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor.
Esta corrente somada ao nvel quiescente, faz com que a dissipao de potncia
nos transistores seja ainda maior. Este efeito cumulativo e termina por levar os
transistores destruio. A este fenmeno denominamos deriva trmica.
Uma forma de minimizar este efeito fazer com que a rea de superfcie do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que so massas metlicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou no ser alteradas, com o propsito de melhorar a
transferncia de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor conectado a uma placa metlica ou carcaa do
encapsulamento, a fim de facilitar a conexo com o dissipador e melhorar a
dissipao de calor. Quando isso acontece, necessrio, s vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, so utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que bom isolante eltrico e condutor trmico.
Outros acessrios so amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores
plsticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixao, pasta trmica
para reduzir a resistncia trmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros. A figura 59 a seguir ilustram alguns tipos de transistores e dissipadores de
comum utilizao.

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6. JFET

JFET - TRANSISTORES DE JUNO POR EFEITO DE CAMPO


( Junction Field Effect Transistor )
um dispositivo semicondutor que requer um campo eltrico para o controle de
sua corrente de operao. , tambm, conhecido como transistor unipolar, por
possuir apenas um tipo de portador de corrente (eltrons ou lacunas).
Comparao entre FET e Transistor Bipolar:
- O FET tem impedncia de entrada muitas vezes maior;
- O FET tem comutao mais rpida;
- O FET apresenta elevada sensibilidade trmica;
- O FET quase no gera rudos;
- O FET tem ganhos e potncias de trabalho menores.
A figura 60, mostra a seo em corte de um JFET canal N. A regio denominada
substrato feita de material do tipo P, no qual est incrustado o material do tipo N
para produzir o canal. Os terminais nas extremidades do canal so conhecidos
como dreno (D drain) e fonte (S source). No centro do material tipo N existe
outra regio tipo P, denominada porta (G gate).
D

N
G
SUBSTRATO

P
CANAL
N

Figura 60

Polarizao de um FET
Normalmente o substrato conectado internamente ao terminal de porta. Como
veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
No h necessidade de resistncia na porta, pois em ambos os casos a juno
porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarizao direta na portacanal no tem significado, em termos de controle da corrente Ids, e deve ser
evitada para manuteno das caractersticas do JFET.

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Princpio de funcionamento

Juno porta-canal com polarizao reversa Vgs = 0V


Circular uma corrente no canal (Iids) que ser diretamente proporcional ao valor
Vds aplicado. O canal comporta-se como um resistor e, devido ao sentido da
corrente, o potencial no dreno (D) ser mais positivo que na fonte (S), para o
JFET canal tipo N. se o JFET for canal do tipo P, o potencial em (D) ser mais
negativo que em (S).
Fazer Vgs = 0V significa conectar a porta fonte eletricamente. A corrente Ids
provoca, internamente, quedas de tenso bem distribudas e isto reverte a
polarizao da juno porta-canal de forma variada. A camada de depleo ser
esticada em direo ao dreno e estreitada na fonte (para o JFET canal N).
Esta polarizao produz uma regio de depleo no canal que limita a corrente
atravs dele. Quanto maior a queda de tenso no canal (Vds maior), mais larga
a regio de depleo que se forma e mais reduzida ser a corrente. Estes dois
efeitos se opem e, a partir de uma determinada tenso Vds, eles estaro em
equilbrio e a corrente Ids permanecer constante. Esta tenso conhecida como
tenso de pinamento (pinch-off) e simbolizada por Vp. A corrente remanescente
denominada corrente mxima do dreno Idss, especificada para Vds > Vp e Vgs
= 0V. perceba os detalhes na figura 61.
D

SUBSTRATO

Figura 61

Juno porta-canal com polarizao reversa Vgs < 0


Nestas condies, a camada de depleo se alargar devido polarizao
reversa adicional imprimida pela fonte Vgs. O campo eltrico formado pela
camada de depleo provocar o estreitamento do canal e, conseqentemente,
um aumento na sua resistncia e diminuio na corrente Ids. Assim, variaes na
tenso entre a porta e a fonte refletem-se em variaes na corrente do canal.
Outra vez, devido queda de tenso interna no canal, a camada de depleo
ser mais esticada em direo ao dreno.
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Se continuarmos a aumentar (negativamente) Vgs, ser atingido um valor no qual


a regio de depleo ocupar todo o canal. Com esse valor de Vgs o canal fica
completamente deplecionado de portadores de carga eltrons no canal N e
lacunas no canal P; o canal em efeito desaparece. Essa tenso Vgs
denominada tenso de corte Vgs(corte) ou Vgs(off), a qual obviamente negativa
para o JFET canal N e positiva para o canal P.
Polarizao direta da juno porta-canal Vgs > 0
O JFET no foi otimizado para funcionar deste modo. Esta polarizao produz
corrente pelo canal, o que pode danific-lo. Ademais, a juno porta-canal no
pode exceder a 0,7V, j que ela basicamente um diodo.
Simbologia
Veja na figura 62, a simbologia dos JFETs
D
G

D
G

S
CANAL N SIMTRICO

S
CANAL P SIMTRICO
Figura 62

Algumas terminologias importantes


Idss: corrente mxima que um JFET pode conduzir. Dada para um
determinado valor de Vds e Vgs = 0V.
Igss: corrente reversa na juno porta-canal
Vgs(corte) = Vgs(off) : valor de tenso reversa na juno porta-canal, que
fecha completamente o canal e torna Id = 0A.
Vp: tenso de pinch-off, pinamento ou constrio. Valor de tenso Vds a
partir da qual a corrente Id torna-se constante.
BV : mxima tenso que pode ser aplicada juno porta-canal.
BVdss: mxima tenso que pode ser aplicada entre dreno e fonte.
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7. ELETRNICA DE POTNCIA

Os dispositivos semicondutores de potncia, tambm chamados interruptores


estticos, constituem parte fundamental dos conversores de potncia. Operando
como chaves, eles atuam sobre o fluxo de energia eltrica com um mnimo de
perdas. Recentemente, a tecnologia de dispositivos de potncia sofreu grandes
avanos. Novos tipos de interruptores com maiores capacidades de tenso e
corrente, maiores velocidades e maior facilidade de controle foram desenvolvidos,
o que no somente viabilizou o emprego de conversores em novas aplicaes
como tambm possibilitou o surgimento de novas topologias de conversores.
Em princpio, os interruptores de potncia podem ser agrupados em trs classes
principais:
Diodos: possuem ligamento e desligamento dependentes do circuito de
potncia;
Tiristores: podem ser ligados pelo circuito de comando mas seu desligamento
depende do circuito de potncia;
Chaves Controlveis: podem ser ligadas ou desligadas pelo circuito de
comando.
O SCR e o TRIAC so os componentes que representam a classe de tiristores de
potncia. Na classe de chaves controlveis de potncia se enquadram o BJT
Bipolar Transistor ou transistor bipolar, o GTO Gate Turn Of Thyristor, o Power
MOSFET e o IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor. H tambm outros
componentes em desenvolvimento, como o MCT MOS Controled Thyristor, mas
ainda no disponveis comercialmente em larga escala.
A tabela seguinte resume as caractersticas dos interruptores de potncia com
relao controlabilidade do ligamento e desligamento.
DESLIGAMENTO (BLOQUEIO)

LIGAMENTO
(DISPARO)

Espontneo

Comandado

Espontneo

Diodo

Comandado

SCR, TRIAC

Tiristor Dual
BJT, IGBT, GTO,
MCT

Tabela 7

Os semicondutores de potncia possuem caractersticas estticas e dinmicas.


As caractersticas estticas referem-se ao comportamento do componente sob
condies de corrente e tenso fixas, isto , sua caracterstica v x i. As
caractersticas dinmicas referem-se aos processos de ligamento e desligamento
do componente, isto , v x t e i x t.
Mesmo operando como chaves, os interruptores estticos reais apresentam
perdas que podem ser denominadas:
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Perdas por conduo: so causadas pelas quedas de tenso no estado de


conduo do dispositivo;
Perdas por comutao: so causadas pelos tempos no nulos de
chaveamento, durante os quais ocorrem tenses e correntes elevadas
simultaneamente nos dispositivos. Em altas freqncias estas perdas tornamse significativas e podem limitar a mxima freqncia de trabalho do
conversor;
Perdas por corrente de fuga: so causadas pelas correntes de fuga no estado
de bloqueio dos dispositivos. Esta perda normalmente muito pequena e por
isso desprezada.
Cada dispositivo apresenta particularidades que os tornam adequados ou no a
determinada aplicao. A seguir ser apresentado o estudo mais detalhado de
cada dispositivo semicondutor de potncia.

7.1. DIODOS
Observe a figura seguinte.
iD

vD
0

Figura 7.1 Caracterstica esttica do diodo ideal.

No caso real, quando o diodo est diretamente polarizado, apenas uma pequena
queda de tenso direta fica sobre seus terminais (de 1V a 2V nos diodos de
potncia, aproximadamente). Quando o diodo est reversamente polarizado,
apenas uma pequena corrente de fuga flui de catodo para anodo. Em ambos os
casos ocorrem perdas por conduo e por corrente de fuga, respectivamente.
O processo de ligamento do diodo extremamente rpido e se aproxima do caso
ideal. Os manuais dificilmente trazem informaes sobre os tempos de ligamento.
A inevitvel presena de indutncias parasitas no circuito e da capacitncia de
juno provoca a gerao de oscilaes de tenso e corrente no circuito, devido
ao corte abrupto da corrente de recuperao IRRM . Estas oscilaes (ringing)
so prejudiciais, pois geram perdas nas resistncias srie do circuito e tambm
interferncia eletromagntica (EMI). Por isso, as indutncias parasitas devem ser
minimizadas, o que se obtm reduzindo ao mximo o comprimento das ligaes.
Do ponto de vista construtivo, h dois tipos de diodos de potncia: os diodos PN e
os diodos Schottky. Os diodos PN so constitudos pela juno de dois
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semicondutores (P-N), enquanto os diodos Schottky so formados por uma


juno metal- semicondutor.
Os diodos Schottky apresentam quedas de tenso direta muito menores do que
os diodos PN, da ordem de 0,3V a 0,8V apenas, contra 1V a 2,2V dos diodos PN.
Alm disso, por serem dispositivos de portadores majoritrios , so muito mais
rpidos. Entretanto, os diodos Schottky no suportam tenses reversas elevadas,
e somente so encontrados para tenses at 100V. A figura seguinte ilustra o
smbolo dos diodos PN e Schottky.

Figura 7.2 Smbolos dos Diodos PN e Schottky

7.1.1 DIODOS SCHOTTKY


Devido sua pequena queda de tenso direta e alta velocidade, so muito
empregados em conversores com pequenas tenses de sada (fontes chaveadas
e conversores CC-CC). So disponveis com especificaes de tenso at 100V e
especificaes de corrente desde alguns ampres at centenas de ampres nos
dispositivos de menor tenso.
7.1.2 DIODOS DE FREQNCIA DE LINHA
Ou simplesmente diodos de linha, so projetados para possurem a menor queda
de tenso direta possvel, a fim de minimizar as perdas por conduo, e por isso
so bastante lentos (Standard recovery). Entretanto, como operam em 50 ou 60
Hz, seu tempo de comutao no crtico, e usualmente os manuais de
fabricantes no o especificam. Esses diodos podem suportar tenses de at
vrios Kilovolts e correntes de vrios Kiloampres.
7.1.3 DIODOS RPIDOS
Esses diodos so projetados para operar em altas freqncias, possuindo tempos
de recuperao reduzidos. A designao Soft-recovery utilizada para indicar
que o componente possui reduzida taxa de variao da corrente no intervalo tb
da caracterstica dinmica. Isto importante para minimizar sobretenses
(ringing) nas indutncias srie parasitas do circuito. Com relao ao tempo de
recuperao reversa, os diodos rpidos podem ser sub-classificados como:
Fast Recovery: Possuem trr de 200ns a 2 s;
Ultrafast Recovery: Possuem trr menores que 100ns.
Para efeito ilustrativo, a tabela seguinte mostra os dados principais de alguns
diodos de potncia comerciais.

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Cdigo
Diodos de linha
1N 5408
SKN100/12
SKN6000/06
Diodos Rpidos
SKN3F20/8
SKN340F/18
BY359-1500
Diodos Ultra-Rpidos
UF4007
MUR840
BYT16P-400
RHRG30120
Diodos Schottky
MBRD835L
IN5822
STPS12045TV

VRRM

IFAV

VF

Trr

800V
1200V
600V

3A
125 A
6000 A

1,2V
1,55V
1,3V

800V
1800V
1500V

20 A
400 A
6,5 A

2,15
1,9V
2,6V

250ns
2200ns
600ns

1000V
400V
400V
1200V

1A
8A
16 A
30 A

1,7V
1,25V
1,5V
2,25V

50ns
50ns
35ns
70ns

35V
40V
45V

8A
3A
60 A

0,41V
0.52V
0,67V

Tabela 7.1

A seguir esto os significados dos parmetros mais importantes:


VRRM

Tenso reversa repetitiva

VRSM

Tenso reversa no repetitiva

VR ou PIV

Tenso reversa contnua

VF

Queda de tenso direta com o diodo em conduo

IFSM

Corrente de surto direta no repetitiva (nico)

IFM ou IFRM

Corrente de surto direta repetitiva

IF ou IFAV

Valor mdio da corrente direta

IFRMS

Valor eficaz da corrente direta

i2 t

Este valor utilizado para selecionar o fusvel de proteo, que deve

IR

Corrente reversa mxima (corrente de fuga)

trr

Tempo de recuperao reversa

IRM

Pico da corrente de recuperao reversa, dado para valores de

Qrr

Carga que flui para o circuito durante o intervalo trr.

possuir um i t menor do que o do diodo.

temperatura, IF e diF / dt especficos.

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PTOT

Dissipao de potncia no diodo.

TJ

Faixa de temperatura de operao da juno.

Rthjc ou RJC

Resistncia trmica entre a juno encapsulamento em c/w.


Resistncia hmica do diodo.

rT
CT
LS

Capacitncia de juno.
Indutncia srie.

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8. TIRISTORES

Tiristor o nome usado para designar uma famlia de componentes de quatro


camadas (P-N-P-N). Nesta seo sero abordados os tiristores SCR e TRIAC.
Embora o GTO seja tambm um tiristor, ele ser abordado na seo de chaves
controlveis.

8.1 O SCR
O SCR Silicon Controled Rectifier o mais antigo dispositivo semicondutor de
potncia, possui construo simples, ainda hoje o dispositivo capaz de
manipular as mais altas potncias. possvel encontrar no mercado dispositivos
que podem suportar vrios Kilovolts e vrios Kiloampres. Entretanto, como
mencionado na tabela 1, somente seu ligamento pode ser controlado.
A figura seguinte mostra o smbolo do SCR, juntamente com sua caracterstica
esttica (idealizada).

Figura 8.1 O SCR e sua caracterstica esttica

Alm de possuir anodo e catodo como os diodos, o SCR possui um terminal de


controle, o gate. Desta forma, o SCR comporta-se como um diodo controlvel,
sendo capaz de bloquear tenses positivas e negativas. No estado de conduo
do SCR real, a queda de tenso direta (VT) bastante pequena, da ordem de 1 a
3V, mesmo nos dispositivos capazes de suportar vrios Kilovolts.
O ligamento do SCR feito atravs do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve
ser aplicado um pulso de corrente positiva em relao ao catodo, com amplitude e
durao suficientes. O SCR entrar em conduo se estiver sob polarizao
direta anodo catodo, e manter seu estado de conduo se, antes de ser
retirada a corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao valor chamado
corrente de travamento (latching), IL . Caso contrrio o SCR retoma o estado de
bloqueio.
A figura seguinte ilustra o processo de ligamento do SCR. Como pode ser
observado, existe um tempo de atraso td entre o estabelecimento da corrente de
gate e o incio do crescimento da corrente de anodo. O tempo tr refere-se ao
intervalo de decaimento da tenso anodo-catodo de 90% para 10% de seu valor
inicial. O tempo de ligamento ton a soma de td e tr.
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Figura 8.2 Processo de ligamento do SCR

No processo de ligamento, importante limitar a taxa de crescimento da corrente


(di/dt) no dispositivo, sob pena de formao de pontos quentes (hot spots)
prximos ao gate com a conseqente destruio do componente.
No possvel realizar o desligamento do componente pelo terminal de gate.
Inclusive, aps o disparo, a corrente de gate pode ser retirada sem comprometer
a condio de conduo do SCR. H dois meios de efetuar o bloqueio do SCR:
Comutao natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do
valor mnimo chamado corrente de manuteno IH (Holding Current), o que d
incio comutao. Em aplicaes CA, isto ocorre automaticamente nas
passagens por zero da forma de onda corrente.
Comutao forada: neste caso, o tiristor reversamente polarizado por um
circuito auxiliar (chamado circuito de comutao forada) ou, s vezes, pelo
prprio circuito de potncia. O processo de bloqueio semelhante ao dos diodos.

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A figura seguinte ilustra o processo de bloqueio do SCR, juntamente com a


indicao dos tempos relevantes.

Figura 8.3 Processo de bloqueio do SCR

Aps completo o processo de comutao, importante limitar a taxa de subida da


tenso no dispositivo (dv/dt), sob pena de ligamento indevido. Devido presena
da capacitncia de juno, a corrente de deslocamento causada por uma taxa
dv/dt elevada pode provocar o disparo acidental do SCR. Para evitar esse
problema, deve ser externamente ligado ao SCR um circuito que reduza essa
taxa, chamado circuito snubber, o qual consiste num circuito RC srie.
Dependendo das necessidades da aplicao, vrios tipos de SCRs so
disponveis:
SCRs de freqncia de rede: tambm conhecidos por phase control SCRs, so
utilizados em retificadores controlados e como chave eletrnica CA. Os
parmetros mais importantes so as capacidades de tenso e corrente e a queda
de tenso direta. Em favor de uma pequena queda de tenso direta, o tempo de
comutao tq no otimizado, variando entre 50 e 300 s. Este tipo de SCR pode
ser encontrado para operar em tenses de at 5-12kV e correntes de at 3-4kA,
aproximadamente.
SCRs rpidos: tambm conhecidos por inverter type SCRs, so projetados para
utilizao em choppers e inversores, e desta forma possuem um tempo de
comutao reduzido (2 a 50 s) . A utilizao destes tiristores est sendo
abandonada devido performance muito superior dos transistores IGBT e
MOSFET de potncia. Apenas so utilizados em potncias muito elevadas.
Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR so relativamente elevados, o
que produz considerveis perdas por comutao. Por isso, a utilizao de SCRs
restrita a aplicaes de freqncia no muito elevadas.
A necessidade de circuitos de comutao forada e a menor velocidade so as
grandes desvantagens dos SCRs. Nos dias de hoje, devido aos avanos na
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tecnologia dos transistores de potncia MOSFET e IGBT, o SCR tem sua


utilizao restrita a circuitos retificadores de linha, rels de estado slido e
conversores de altssimas potncias (na casa das dezenas de MVA), como
transmisso de energia CC em alta tenso (HVDC), acionamento de grandes
motores de vrios MVA, ETC.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.

Cdigo

VRRM /
VDRM

ITAV

VT

tq

Tiristores de linha
30TPS16
180RKI80
ST1230C16

1600V
800V
1600V

20 A
180 A
1745 A

1,3V
1,35V
1,62V

110 s
100 s
200 s

Tiristores Rpidos
IRFK7212
SKFH150/8

1200V
800V

71 A
150 A

2,40V
2,45V

25
20

Tabela 8.1

A seguir esto os significados dos parmetros mais importantes.


VDRM

Tenso direta repetitiva

VRRM

Tenso reversa repetitiva

VRSM

Tenso de surto reversa no repetitiva

VR

Tenso reversa contnua

VT

Queda de tenso direta com o SCR em conduo

(dv/dt)cr

Mxima taxa de crescimento da tenso

ITSM

Corrente de surto direta no repetitiva

ITM ou ITRM

Corrente de surto direta repetitiva

IT ou ITAV

Corrente direta mdia

ITRMS

Corrente direta eficaz

i2 t

Este valor utilizado para selecionar o fusvel de proteo, que


deve possuir um i2t menor do que o do SCR.

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IR

Corrente reversa (corrente de fuga)

IRD

Corrente direta com o SCR bloqueado (corrente de fuga)

IL

Corrente de travamento (latching current)

IH

Corrente de manuteno (holding current)

(di / dt) cr

Mxima taxa de crescimento da corrente

tq

Tempo de comutao

tgr

Tempo de recuperao de gate

td ou tgd

Tempo de atraso no ligamento

tr ou tgr

Tempo de decaimento da tenso anodo catodo

tON ou tgt

Tempo de ligamento

trr

Tempo de recuperao reversa

IRM

Pico da corrente de recuperao reversa, dado para valores de


temperatura, IF e diF / dt especficos.

Qrr

PTOT ou PD(AV)
Tj

Carga que flui para no circuito durante o intervalo trr


Dissipao de potncia

Faixa de temperatura de operao da juno

Resistncia trmica entre a juno encapsulamento em C / W

rT

Resistncia hmica do tiristor

IGT

Mnima corrente de gate para o disparo

VGT

Mnima tenso de gate para o disparo

VGRM

Tenso reversa que pode ser aplicada juno G-K

Rthjc ou R

JC

Mxima corrente de gate que certamente no provocar o disparo


(gate non-trigger current)

Mxima tenso de gate que certamente no provocar o disparo


(gate non-trigger voltage)

IGD
VGD
PGM

Pico de potncia de gate

PG(AV)

Potncia mdia de gate

IGTM ou IGSM

Corrente de gate

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8.2 TRIAC
O TRIAC Thyristor AC pode ser interpretado como a conexo de dois SCRs
em anti-paralelo. O componente bidirecional em corrente e tenso, possuindo
os terminais de carga MT1 e MT2 (MT = Main Terminal), bem como o terminal de
gate.
O maior problema do TRIAC que sua capacidade de dv/dt muito baixa,
tipicamente 5 a 20V / s, contra 100 a 1000 V/ s nos SCRs. Alm disso,
somente esto disponveis dispositivos para correntes de apenas
aproximadamente 40 Arms. Esses fatores seriamente limitam sua capacidade de
controle de potncia, mas no impedem sua ampla e difundida utilizao em
aplicaes CA de baixa potncia.
A figura seguinte mostra o smbolo do TRIAC, juntamente com sua caracterstica
esttica idealizada. Como pode ser observado, um dispositivo que opera em
todos os quadrantes do plano v x i. Sendo um tiristor, possui caracterstica de
travamento, isto , uma vez em conduo a corrente de gate pode ser retirada.

Figura 8.4 O TRIAC e sua caracterstica v x i

O processo de bloqueio similar ao do SCR. Embora com sensibilidades


diferentes, o TRIAC pode ser disparado tanto com correntes positivas quanto
negativas no gate, mas sempre em relao a MT1. Como o TRIAC pode conduzir
em ambas as direes, em aplicaes CA ele somente dispe de um breve
intervalo de tempo para recuperar sua condio de bloqueio na passagem por
zero da forma de onda senoidal de corrente, o que limita seu emprego confivel
em freqncias de at 60HZ.
Quando aplicado no controle de cargas indutivas, o atraso da corrente em relao
a tenso implica que quando a corrente cai abaixo da corrente de manuteno IH
e o TRIAC bloqueia, surge sobre os terminais do mesmo certa tenso. Se esta
tenso surge muito rapidamente, o TRIAC retoma o estado de conduo e o
controle perdido. A fim de evitar esse problema, a taxa dv / dt de subida da
tenso deve ser limitada atravs de uma rede RC srie ligada aos terminais do
componente (circuito snubber).
Na prtica, em aplicaes de alta potncia, quando necessrio efetuar o
controle bidirecional de correntes mais elevadas, utilizam-se dois SCRs ligados
em anti-paralelo.
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A designao dos parmetros dos TRIACs so semelhantes s dos tiristores. A


tabela seguinte mostra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.
Cdigo
T2500DFP
2N6344
BCR30GMI2

VRRM /
VDRM
400V
800V
600V

ITRMS

VT

dv/dt(cr)

6A
12 A
30 A

2v
1,55V
1,6V

10 V/ s
5V/ s
20V/ s

Tabela 9.2

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9. CHAVES CONTROLVEIS
As chaves controlveis possuem o disparo e o bloqueio controlveis atravs de
um terminal apropriado. Na prtica, as chaves apresentam tempos de ligamento e
desligamento no nulos, quedas de tenso no estado de conduo e corrente de
fuga no estado de bloqueio. Esses fatores fazem com que ocorram perdas de
energia no dispositivo tanto no estado de conduo quanto durante as
comutaes. Normalmente, as perdas causadas pelas correntes de fuga so
pequenas e por isso desconsideradas. Outro aspecto no ideal que certa
potncia necessria para comandar o dispositivo, chegando a ser um problema
em certos dispositivos semicondutores.

9.1 GTO
O GTO um tiristor que possui capacidade de desligamento atravs do terminal
de gate. Seus smbolos mais comuns e sua caracterstica esttica v x i idealizada
esto mostrados na figura seguinte.

a) GTO

b) Caracterstica Esttica

Figura 9.1 O GTO e sua caracterstica esttica

Assim como o SCR, basta um pulso de corrente positiva em seu gate para o
ligamento, o qual mantido mesmo aps retirada a corrente de gate. O GTO
tambm desliga caso a corrente de anodo caia abaixo do valor mnimo de
manuteno (IH) .
Para efetuar o desligamento do GTO, um pulso de corrente negativa deve ser
aplicado no gate. Embora o GTO no necessite de circuitos de comutao
forada como os SCRs, a corrente que deve ser aplicada ao gate para efetuar o
desligamento grande, apenas de 2 a 5 vezes menor do que a corrente de anodo
a ser comutada. Isto faz com que os circuitos de acionamento de gate sejam
maiores, mais complexos e mais caros, o que uma sria desvantagem. Alm
disso, os GTOs no toleram altas taxas de crescimento de tenso (dv/dt), o que
traz a necessidade da utilizao obrigatria de circuitos snubbers de
desligamento. A partir de certo valor da corrente de anodo, o controle do
desligamento pelo gate perdido, portanto cuidados devem ser tomados para que
sobrecorrentes no estejam presentes. Em outras palavras: o GTO capaz de
suportar surtos de corrente mas no capaz de cort-los atravs do gate. A
capacidade de bloqueio de tenso no sentido reverso muito pequena, isto , o
GTO praticamente no capaz de bloquear tenses negativas.
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A queda de tenso direta dos GTO ligeiramente maior do que a dos SCRs (de
2v a 3v), e a capacidade de controle de potncia quase to elevada quanto:
existem GTOs capazes de bloquear vrios Kilovolts e conduzir vrios
kiloampres. Os tempos de desligamento so menores do que o dos SCRs
(tipicamente de 5 a 25 s), de maneira que os GTOs podem operar em
freqncias maiores.
Devido a essas caractersticas, os GTOs somente so utilizados em aplicaes
de altssimas potncias (vrios MVA), como em choppers e inversores trifsicos
para trao eltrica, por exemplo.
A tabela seguinte ilustra resumidamente as caractersticas de alguns dispositivos.
Cdigo
FG1000BV-90BA
FG6000AU-120D

VDRM
4500V
6000V

ITAV
400 A
1500A

Tabela 9.1

VT
4V
6V

tq
20 s
30 s

dv/dt(cr)
1000V/ s
1000V/ s

9.2 IGBT TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA


O surgimento do Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT no final dos anos 80
representou um enorme avano na rea da eletrnica de potncia. Embora com
velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT mais rpido do que o
transistor bipolar, e pode controlar potncias muito mais elevadas do que o
MOSFET. H disponveis hoje IGBTs com capacidade de tenso de 1700V e 600
A, e mais recentemente dispositivos de 3,3kv e 1000 A . Os tempos de comutao
variam desde 0,2 s nos IGBTs de menor potncia at 2 s nos de maior potncia,
aproximadamente.
A figura seguinte mostra os smbolos mais usuais do IGBT, juntamente com sua
caracterstica esttica idealizada.

Figura 9.2 O IGBT e sua caracterstica esttica idealizada

Os terminais do IGBT so: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado nos
smbolos, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de controle (gate)
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isolado, ou seja, um dispositivo controlado por tenso. Isto significa circuitos de


acionamento de gate menores, mais simples e mais baratos do que os utilizados
nos BJTs.
O IGBT rene caractersticas do transistor bipolar e do MOSFET. Na realidade, a
caracterstica de entrada do IGBT a mesma do MOSFET, enquanto a
caracterstica de sada similar do BJT. Esta ltima confere ao IGBT quedas de
tenso coletor-emissor pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo nos dispositivos com maior
capacidade de bloqueio de tenso.
Ao contrrio do MOSFET, IGBT no possui internamente o diodo intrnseco.
Pode-se adquirir IGBTs com ou sem o diodo anti-paralelo. Por outro lado, o IGBT
possui internamente um tiristor parasita. Caso esse tiristor entre em conduo, o
controle do IGBT ser perdido, o que pode lev-lo destruio. Esse fenmeno
conhecido por latch-up, que pode ser provocado por excesso de corrente de
coletor ou dvce / dt excessivo. Nas geraes atuais de IGBT esse problema foi
minimizado: o latch-up dificilmente ocorre. So os chamados latch-up free
IGBTS.
O ligamento do IGBT feito de maneira similar do MOSFET: deve-se carregar a
capacitncia gate-emissor com uma tenso suficiente. O desligamento efetuado
fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar V ce(th). Normalmente se utilizam as
tenses 0 e 15V ou 15 e +15V para efetuar o comando do IGBT.
Assim como nos MOSFETs, os tempos de comutao so diretamente
relacionados com a velocidade de carga da capacitncia CGE . Variando-se a
resistncia externa de gate pode-se alterar o comportamento dinmico do IGBT.
A maior fonte de perdas por comutao no IGBT a presena da cauda de
corrente (current tailing) no desligamento. Nas geraes atuais, esse problema
foi reduzido, mas ainda persiste. A figura seguinte ilustra esse fenmeno.

Figura 9.3

corrente no desligamento do IGBT

Cauda de

Nos manuais, as perdas por chaveamento dos IGBTs so especificadas


explicitamente (parmetros Eon e Eoff) em mJ (mWs). Estas especificaes so
vlidas para condies pr-estabelecidas, devendo ser corrigidas de acordo com
a situao de interesse.
Os IGBTs so os dispositivos mais utilizados em inversores e choppers de
pequena e mdia potncia, existindo mdulos de IGBTs com uma ponte trifsica
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td(on)

Tempo de atraso no ligamento

tr

Tempo de subida da corrente

td (off)

Tempo de atraso no desligamento

tf

Tempo de queda da corrente

Qg

Carga total de gate (gate-emissor mais gate-coletor)

Qge

Carga gate-emissor

Qgc

Carga gate-coletor

Ciss

Capacitncia de entrada

Coss

Capacitncia de sada

Crss

Capacitncia gate-coletor (capacitncia reversa)

LCE

Indutncia interna

Resistncia trmica juno ambiente

Temperatura da pastilha

JC

TJ

A tabela seguinte efetua uma comparao entre os interruptores de potncia


controlveis.
MOSFET

IGBT

BIPOLAR

GTO

COMANDADO
POR:

TENSO

TENSO

CORRENTE

CORRENTE

POTNCIA
NECESSRIA
PARA
COMANDAR

MNIMA

MNIMA

ELEVADA

ELEVADA

COMPLEXO
elevadas
correntes de
base positivas e
negativas

COMPLEXO
elevados
pulsos de
corrente
positivas e
negativas

CIRCUITO DE
COMANDO

SIMPLES

SIMPLES

CAPACIDADE
DE CORRENTE

ELEVADA em
baixas tenses
BAIXA em altas
tenses

MDIA/ALTA
pequeno
compromisso com os
tempos de
comutao

PERDAS POR
COMUTAO

MUITO BAIXAS

BAIXA/MDIA
depende do
compromisso com as
perdas de conduo

MDIA
severo
compromisso
com os tempos
de comutao
MDIA/ALTA
depende do
compromisso
Com as perdas
de conduo

MUITO ALTA

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ALTA

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VELOCIDADE
DE
CHAVEAMENTO

MUITO ALTA

ALTA

MDIA/ALTA

Tabela 9.3

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BAIXA

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10. UJT
O transistor unijuno, ou diodo de dupla base, um dispositivo semicondutor
que possui uma juno PN com uma base de baixa dopagem e alta resistividade
como mostra a figura seguinte. Devido ao seu comportamento bi estvel,
utilizado com freqncia em circuitos geradores de pulso, sincronismo,
temporizadores, etc.

1
Figura 10.1 1 = Estrutura 2 = Smbolo

A base, de material N, tem dois terminais (B1 E B2) e que, por estar pouco
dopada, apresenta uma alta resistncia (de 5 a 10k). Aplica-se, normalmente,
entre B2 E B1 uma polarizao VBB. A camada P chamada de emissor (E) e o
circuito equivalente deste dispositivo est mostrado na figura seguinte.

Figura10.2 Circuito equivalente.

Com o emissor aberto, temos uma tenso V1 sobre RB1, dada por:
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V1 = RB1/ RB1 + RB2 . VBB; onde = RB1 /RB1 + RB2 . ou, V1 = VBB.
O parmetro caracterstico do UJT e tem seu valor normalmente prximo de
0,5. Aplicando-se agora uma tenso positiva no emissor, o diodo permanecer
cortado at um valor mximo VE = VP = VI + Vf . A partir deste valor o diodo
comea a conduzir e a injetar corrente na regio de base. Isto faz com que sejam
criados portadores (lacunas e eltrons) nesta regio e seja reduzida a resistncia
RB1. Esta reduo de RB1 ser tanto maior quanto maior for a corrente injetada na
regio da base.
Estando o diodo injetando corrente na regio de base a tenso VE pode ser
reduzida sem que o mesmo pare de conduzir. Ao menor valor de VE que ainda
mantm a injeo de corrente chamamos Vmin. Tenses de emissor inferiores a
Vmin, levam interrupo da corrente e, conseqentemente, cortam a conduo
do UJT.
Resumindo, o UJT possui dois estados distintos: CONDUO e CORTE. Para
cada um destes estados podemos construir um circuito equivalente.

Figura 11.3 Conduo


Incio da conduo: VE > V1 + Vf
Mantendo-se em conduo: VE > Vmin

Figura 11.4 Corte


Levado ao corte: VE < Vmin
Depois de cortado: VE < V1 + Vf

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Figura 10.5 Curva caracterstica do UJT (


= 0,5)
Vp = tenso de disparo do UJT
Vp = VBB + Vf = VBB
Se 0,5
Vp 0,5 VBB

Observao: Para VBB = 0, a curva do UJT praticamente a mesma obtida com a


polarizao direta de um diodo comum juno PN.

10.1 GERADORES DE PULSOS: CIRCUITOS DE DISPARO PARA


TIRISTORES E TRIACS
O Transistor unijuno (UJT) freqentemente utilizado nos circuitos para
disparar os diodos controlados.

Figura 10.6 - Oscilador de relaxao com UJT

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Quando o circuito ligado alimentao, o capacitor C inicia um processo de


carga atravs de RV , aumentando exponencialmente sua tenso, em direo ao
potencial VBB . Enquanto o potencial de emissor VE, for inferior tenso de
disparo, Vp, a resistncia entre E e B1 muito alta e o capacitor continua seu
processo de carga.
Quando a tenso de disparo alcanada, a resistncia entre E e B1 fica muito
baixa (igual do diodo EB1 polarizado diretamente) e o capacitor se descarrega
rpidamente atravs de E B1 e R1 (que tambm de valor baixo). A descarga
de C gera um pulso rpido em B1, que tem amplitude e durao adequadas para
disparar tiristores e triacs. Aps a descarga completa de C, o UJT pra de
conduzir entre E e B1, e o capacitor inicia um novo processo de carga, repetindo
o ciclo, gerando outro pulso, da a um certo intervalo definido pela constante de
tempo RV . C.

Figura 10.7 - Formas de ondas em E(VE) e em B1(VB1)


VBB = Tenso de alimentao
Vp VBB = tenso tpica de disparo do UJT
ve = tenso de extino do UJT;
(tenso onde cessa a conduo entre E e B1)
T = 1/f = perodo da oscilao.

Desprezando Ve e o tempo de descarga, tp, o perodo e a freqncia so dados


por:
t = RVC ln __1___
1-

f = _________1_________
1_
RVC ln
1-

Observa-se que a forma de onda gerada no EMISSOR do tipo dente se Serra.


A freqncia pode ser variada atuando em RV, uma vez que este resistor influi no
tempo de carga de C: RV grande, tempo de carga grande, perodo aumenta a
freqncia diminui. Se RV for pequeno, ocorre o inverso.
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O pulso de curta durao que aparece em B1, pode ser ligado diretamente no
gatilho do tiristor a ser disparado, ou ento atravs de um transformador de
pulsos, como mostrado a seguir.

Figura 11.8

10.2 GERADOR
ALIMENTAO

DE

PULSOS

SINCRONIZADO

COM

Quando tiristores ou triacs so usados em corrente alternada para o controle de


fase sobre uma carga qualquer, necessrio que o circuito de disparo esteja
sincronizado com a rede que alimenta o circuito. Se no houver este sincronismo,
em cada semiciclo positivo, o tiristor (ou triac) dispara em um ngulo de fase
diferente (quando receber o primeiro pulso no gatilho depois de ter iniciado o
semiciclo positivo). Desta forma seria impossvel definir uma corrente especfica
de carga, devido variao contnua e aleatria do ngulo de disparo do
dispositivo.
O circuito mostrado a seguir funciona em sincronismo com a tenso de
alimentao.

Figura 10.9 es = Em sen t


Gerador de Pulsos Sincronizados com a Alimentao

A operao do circuito pode ser descrita da seguinte forma: o capacitor C est


inicialmente descarregado, e durante os semiciclos positivos, a tenso aplicada
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combinao em srie, RV e C, VZ. No incio do semiciclo positivo o capacitor


inicia sua carga, e a tenso sobre ele aumenta exponencialmente, at que a
tenso de emissor do UJT, VE, atinja o valor de disparo, V VBB 0,5Vz.
Quando este valor atingido, o capacitor se descarrega, gerando um pulso que
aplicado ao gatilho.
Neste instante o tiristor comea a conduzir, fazendo circular corrente em RL, at
que a tenso de anodo chegue a zero, em 180, quando volta a desligar, por
comutao natural. Enquanto a tenso Vz for positiva o circuito continua gerando
pulsos e ativando o tiristor. Isto no altera a situao j descrita, uma vez que
apenas o primeiro pulso suficiente para disparar o tiristor.
O sincronismo conseguido quando a tenso de alimentao chega a zero no
final do semiciclo positivo (180).
Neste ponto, a tenso aplicada sobre o zener e, portanto, sobre o UJT nula. Isto
forar o capacitor a se descarregar totalmente, no importa que tenso esteja
sobre o mesmo neste instante. Isto porque, se a tenso que alimenta o UJT
nula, ento a tenso de disparo, Vp, igual tenso de barreira do diodo Emissor
Base1, que aproximadamente 0,5 volts.
Deste ponto (180) at o incio do prximo semiciclo positivo (360 = 0) o diodo
Zener est diretamente polarizado. Portanto a tenso Vz ser 0,7v e o UJT no
poder gerar pulsos neste intervalo. Ao iniciar-se o prximo semiciclo positivo, o
capacitor C inicia seu processo de carga partindo de uma condio de carga
inicial nula. Portanto, se Rv no tiver sido alterado, o ponto de disparo (ou ngulo
de disparo , d) ser o mesmo do semiciclo positivo anterior, uma vez que a
constante de tempo no foi alterada nem o valor da tenso de disparo, nem a
condio inicial de carga. Ento, o fato do capacitor iniciar seu processo de carga
a partir da condio de carga inicial nula, em cada semiciclo positivo, constitui o
sincronismo do gerador de pulsos.

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Figura 10.10 - Formas de onda sobre Vz, VE, no tiristor (TH) e na carga, RL

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11. CIRCUITO INTEGRADO TCA 780/785


O C.I. TCA 780/TCA785
Com a evoluo tecnolgica ocorrida no perodo entre dcadas de 70 e 80, e com
a necessidade de reduo de espao fsico ocupado pelos dispositivos de disparo
de chaves estticas, foi criado um circuito integrado capaz de satisfazer a maioria
das aplicaes industriais no ramo de eletrnica de potncia e controle de
potncia.
Este circuito eletrnico foi batizado com o apelido de TCA 780 e o seu sucessor
de TCA 785.
Trata-se de um circuito integrado analgico monoltico, desenvolvido para
controlar o ngulo de disparo de tiristores, triacs, e transistores continuamente
entre 0 e 180.
O ponto de chaveamento regulado por alguns componentes ligados
externamente aos seus pinos que permitiro um grande nmero de opes de
funcionamento, em espao reduzido. Dentre as principais caractersticas,
destacam-se:
Largo campo de aplicaes devido possibilidade de controle externo;
Operao em circuitos trifsicos empregando 3 CIs;
Compatvel com LSL (lgica digital de elevada imunidade a rudos);
Durao de pulso de disparo controlado por apenas um capacitor externo;
Deteco de passagem de tenso por 0 volts;
Indicado para aplicao de conversores tenso freqncia (VCO);
Possibilidade de inibio de pulsos de disparo;
Tenso de alimentao de 8 a 18V;
Consumo interno de corrente baixo (5mA).

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Seu circuito interno e pinagem aparecem na figura a seguir.

Figura 11.1 Circuito integrado de disparo TCA785

11.1 ANLISE DE BLOCOS E FUNCIONAMENTO


O circuito interno ser explicado apenas para fixar o conceito do disparo por
pulsos. Alm disso, o conhecimento de como o TCA 785 funciona, ajudar a
entender os circuitos de disparo e como projet-los. A figura seguinte mostra uma
parte do diagrama de blocos do TCA785.

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Figura 11.2 - Detalhe parcial do TCA785

Todo circuito de disparo, em retificadores controlados, deve ser sincronizado


com a rede, ou ocorrer o disparo aleatrio dos tiristores, uma vez que cada pulso
ser aplicado num instante diferente, que no est relacionado com a tenso da
rede.
Um ponto de referncia para sincronismo a passagem da rede por zero. Isto
ocorre cada 8,33 ms, aproximadamente, em redes de 60Hz. No TCA 785, existe
um detector de passagem por zero (bloco DPZ), que gera um pulso de
sincronismo toda vez que a tenso da rede passa por zero. A entrada para a
tenso de referncia de sincronismo no pino 5, como mostra a figura seguinte.

Figura 11.3 - Referncia para o detector de passagem por zero

A fonte de alimentao para os circuitos internos de 3,1V, regulada pelo prprio


TCA785, a partir da tenso de alimentao do circuito integrado (Vs). Isto permite
que o CI possa ser alimentado com diversos nveis de tenso (8V Vs 18V).
A tenso de 3,1V est tambm disponvel externamente (pino 8), podendo ser
filtrada (por C8) para reduzir a ondulao.
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A base de sincronismo um gerador de rampa, cuja caracterstica ajustada por


RR eCR, nos pinos 9 e 10, respectivamente.
O gerador de rampa fornece uma tenso que varia linearmente com o tempo
(reta). Ou seja, a tenso dobra se o intervalo de tempo dobrar. Em outras
palavras, a tenso cresce proporcionalmente ao aumento do tempo, como se v,
no exemplo.

Figura 11.4 - Sada de um gerador de rampa.

Pelo grfico da figura, quando a variao de tempo for de 0,1s (por exemplo, de
0s a 0,1s ou de 0,2s a 0,3s), a variao de tenso ser sempre a mesma (0,1V).
Um capacitor regido pela expresso:
iC = C. _dv_
dt

Onde dv uma pequena variao de tenso e dt uma pequena variao de


tempo.
A interpretao da equao do capacitor que, havendo variao da tenso no
tempo (dv/dt), haver corrente circulando pelo capacitor. Alm disso, essa
corrente ser proporcional ao valor do capacitor.
Exemplo
Se dv = 100mV e dt = 0,1ms, isso significa que, em 0,1ms, a tenso nos terminais
do capacitor variou de 100mV. Neste caso, sendo o capacitor de 1 F, de acordo
com a expresso acima, a corrente pelo capacitor ser de:

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6

IC = 1x10 x 100x100,1x10-3

IC = C. dv
dt

Ic = 1mA

De tudo isso, conclui-se que, se a corrente que flui pelo capacitor for constante, a
variao de tenso ser proporcional variao do tempo, ou seja:
IC = C. dv
dt

dv = IC . dt
C

Assim, com Ic constante, a tenso aumentar segundo uma reta em relao ao


tempo.
No TCA785, ocorre justamente o descrito acima. O capacitor CR carregado
linearmente atravs de uma fonte de corrente constante, cujo valor pode ser
controlado por RR, segundo a expresso:
iCR =

VCCint . K
RR

Onde K = 1,1 e VCCint = 3,1V.


Os valores mnimo e mximo de ICR, respectivamente, 10 A e 1000 A, devem ser
observados. O mesmo ocorre com RR, que deve estar entre 3k e 300k .
Finalmente, a tenso VCR da rampa, no capacitor CR, cresce linearmente com o
tempo, conforme a equao:
VCR =

ICR

.t

CR

Para o correto funcionamento do circuito, devem ser considerados os valores


mnimo e mximo de CR, respectivamente, 500pF e 1 F. Um valor elevado de CR
tornaria a descarga do mesmo muito lenta, comprometendo o novo ciclo de carga
e, conseqentemente, o sincronismo do disparo.
Exemplo
Se RR = 100K
ICR = VCCint . K
RR

e CR = 0,1 F, tem-se:
ICR = 3,1 x 1,1
3
100 x 10

ICR = 34,1 A

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VCR = ICR . t
CR

VCR = 34,1x10 . t
6
0,1x10-

VCR = 341.t

A tenso da rampa VCR comparada com a tenso de controle VC, no pino 11 do


TCA785.

Figura 11.5 - Comparador de Disparo do TCA785

No instante t0, correspondente ao ngulo de disparo


em relao ao sinal da
rede, quando as tenses se igualarem (VCR = VC), a mudana de estado na sada
VD do bloco Comparador de Disparo indicar ao bloco Lgica de Formao de
Pulsos, que um pulso de disparo deve ser acoplado a uma de suas sadas.
A tenso da rampa VCR est limitada a (VS 2) V, ou seja, 2V abaixo da tenso de
alimentao.
O capacitor continua a se carregar at que, no prximo cruzamento por zero, o
Detector de Passagem por Zero informe o evento ao Registrador de
Sincronismo. Este registrador ir gerar um pulso de sincronismo que saturar T1.
Com T1 saturado, o capacitor do pino 10(CR) descarregar-se- rapidamente,
ficando preparado para o incio da prxima rampa. A informao de passagem por
zero s liberada aps a descarga de CR , que monitorada pelo bloco A2
(Monitor de Descarga de CR).
O TCA785 possui uma sada Q1(pino14) e outra Q2(pino 15) defasadas em 180.
Enquanto Q1 serve para disparar um SCR no semiciclo positivo, Q2 pode ser
usada para disparar um segundo SCR no semiciclo negativo. Mas h ainda outras
sadas, que logo sero explicadas.
Com as informaes dos circuitos anteriores, o bloco Lgica de Formao dos
Pulsos encarrega-se de colocar nas sadas a forma de pulso selecionada. A
durao dos pulsos depende de C12 e do coeficiente , conforme a tabela abaixo
(em valores aproximados):
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C12

Aberto 150pF 220pF 330pF 680pF 1000pF Curto

= 620 s/nF 30 s

93 s

136 s 205 s 422 s 620 s

180 -

Tabela 11.1

Com o pino 12 aberto, assim que a rampa se igualar tenso de controle (pino
11), ser acoplado um pulso de durao
= 30 s na sada Q 2 (pino 15), se a
tenso da rede estiver no semiciclo positivo. Caso a tenso da rede esteja no
semiciclo negativo, o pulso ser acoplado na sada Q1 (pino14).
Se o pino 12 estiver curto-circuitado terra, a largura dos pulsos ser fixa,
estendendo-se do instante do disparo at o incio do prximo semiciclo. Com isso,
consegue-se um pulso longo, de durao 180 - , que utilizado para garantir o
disparo do tiristor em aplicaes com carga indutiva.
Para cada valor de C12 mostrado na tabela, tem-se pulsos com outras duraes,
dadas pelo parmetro .
A figura seguinte mostra a formao dos pulsos em duas opes de durao dos
mesmos.

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Exemplo

Figura 11.6 - Formao dos pulsos de disparo

Observe o TCA785 da figura seguinte.

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RR = 100k e CR = 47nF, com pino 12 aberto. Desenhe as formas de onda nos


pinos 14 e 15, considerando uma tenso de controle VC = 3,5V.
A tenso no capacitor CR cresce linearmente com o tempo, conforme a equao:
VCR = ICR
CR

.t

O perodo da rampa em CR de 8,33ms (1/2 perodo de 60 Hz). O valor mximo


da tenso em CR ser, portanto:
VCRmax = 8,33 x 10-3 x ICR
47 x 10-9

VCRmax = 177234.ICR

Mas,
ICR = VCCint . K
RR

ICR = 3,1 x 1,1


3
100 x 10

ICR = 34,1A

Assim:
VCRmax = 177234.ICR

vCRmax = 177234 x 34,1 x 10-6

VCRmax = 6V

Como a tenso de controle VC = 3,5V, o disparo ocorrer em:


T 0 = VC . C
ICR

t0 = 3,5x47x10-9
34,1X10-6

t0 = 4,82ms

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Finalmente, as formas de onda nos pinos 14 e 15 esto mostradas a seguir:

Figura 12.7 - Formas de onda nas sadas Q1 e Q2 do TCA785

O TCA785 tem outras opes para os pulsos de sada. As sadas Q1 (pino 4) e Q2


(pino 2) so complementares (com sinal lgico invertido) em relao s sadas Q1
(pino 14) Q2 (pino 15), respectivamente. A figura seguinte mostra os pulsos Q1, Q2
e os seus complementares Q1 e Q2 .

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Figura 12.8 - Pulsos nas sadas normais e complementares

Q1 e Q2 so sadas em coletor aberto, ou seja, com transistores internos que


recebem sinais nas suas respectivas bases, mas que s conduziro quando
polarizados corretamente, atravs dos resistores externos R2 e R4, como no
circuito da figura seguinte.

Figura 11.9 - Polarizao das sadas complementares

Os valores de R2 e R4 devem ser corretamente calculados, levando-se em conta


que a corrente mxima de sada nos coletores dos transistores de 10mA.
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O aterramento do pino 13 resulta em pulsos de longa durao (180 - ) nas


sadas Q1 e Q2 , de modo semelhante ao que ocorre com o pino 12 para as
sadas Q1 e Q2.
Existem, ainda duas sadas auxiliares QU (pino 3) e QZ (pino 7), tambm em
coletor aberto.
A sada QU anloga sada Q1, diferindo apenas pelo fato de que, em QU a
durao do pulso constante e igual a 180 (8,33ms em 60Hz).
A sada QZ igual a uma associao lgica NOR das sadas Q1 e Q2, sendo til
no disparo de TRIACS.
Na figura seguinte esto ilustradas as formas de onda das sadas QU eQZ.

Figura 11.10 - Sadas auxiliares QU E QZ

Uma opo muito importante no TCA785 a possibilidade de bloqueio das


sadas. As sadas estaro liberadas apenas se o pino 6 tiver tenso superior 4V.
Por outro lado, estar garantido o bloqueio dos pulsos se a tenso no pino 6 for
inferior a 2,5V.
Quando h defeito em um equipamento que use tiristores, ou no sistema por ele
controlado, muitas vezes interessante bloquear o funcionamento dos tiristores.
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A idia que um alarme, que indique uma condio defeituosa, possa atuar no
pino 6 do TCA785, evitando causar maiores danos ao equipamento ou ao
sistema.
A condio de bloqueio no pino 6 pode ser feita com uma chave de operao
manual, comum contato de rel ou ainda, usando a sada de um transistor NPN.
Exemplo
A figura seguinte mostra um circuito para o bloqueio das sadas do TCA785 com
transistor NPN.

BC547
min = 125
VCEsat 0,25

Enquanto no chegar nenhum sinal de bloqueio, o transistor permanece cortado,


fazendo com que a tenso no pino 6 seja de 5V, deixando as sadas do TCA785
liberadas. Com o sinal de bloqueio, o transistor satura e a tenso no pino 6 cai
abaixo de 2,5V, bloqueando as sadas do TCA785.
Portanto, basta calcular RC e RB para que o circuito satisfaa essas condies.
A corrente de base ser:
IB = Vbloq VBE
RB

IB = 5 - 0,7
RB

IB = 4,3
RB

Para IB = 10 A, obtem-se RB = 430k . Escolhendo-se um valor comercial


prximo, RB = 390K , resultar em IB = 11 A.
A corrente de coletor mnima ser:
ICmin =

min

. IB

ICmin = 125x11x10-6

ICmin = 1,38mA

O valor de RCmin para garantir a saturao do transistor e o bloqueio do TCA785


ser:
RCmin = VCC VCEsat
ICsat

RCmin = 5 0,25
1,38x10-3

RCmin = 3.442

Ser escolhido o valor comercial RC = 3k9 .


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12. RETIFICADORES

12.1 RETIFICADORES NO CONTROLADOS


12.1.1 RETIFICADOR TRIFSICO DE ONDA NO CONTROLADO
O retificador trifsico de onda pode ser visualizado como a ligao em paralelo
de trs retificadores monofsicos de1/2 onda. A carga ligada ao neutro da fonte
trifsica, como pode ser observado na figura seguinte.

Figura 12.1 - Retificador trifsico de onda

Desta forma, a tenso sobre a carga composta por pores das tenses faseneutro. Como os catodos dos diodos esto unidos, ou seja, esto no mesmo
potencial, conduzir aquele que tiver a maior tenso em seu anodo,
conseqentemente colocando este potencial em seu catodo e forando os outros
dois diodos a se bloquearem.
A figura seguinte mostra as formas de onda das tenses trIfsicas RN,SN,TN
juntamente com a tenso de sada do retificador. Como as tenses trifsicas so
defasadas entre si 120, a cada instante apenas uma delas mais positiva do que
as outras. Por exemplo: quando a tenso da fase R a mais positiva, o diodo D1
conduz. No instante em que a tenso da fase S supera a amplitude da tenso RN,
D2 entra em conduo forando D1 ao corte, e assim por diante.

Figura 12.2 Formas de onda do circuito da Figura 12.1

A durao de cada ondulao da tenso de sada 120, porque este tambm o


intervalo no qual uma tenso fase-neutro permanece mais positiva do que as
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demais. Devido a isto, a freqncia do riple da tenso de sada trs vezes a


freqncia da fonte CA ( retificador de 3 pulsos):
ripple = 3 . rede
Cada diodo conduz 120 por ciclo, a corrente mdia em cada diodo igual a 1/3
da corrente mdia que circula na carga:
I Dmed = 1 . I Omed
3
Aplicando-se a definio de valor eficaz sobre a curva de corrente do diodo,
chega-se a:
I Drms = IOmed
3
A tenso mdia na carga pode ser encontrada aplicando-se a definio forma
de onda da tenso:
Vomed = 1
T

5
/6

V FN max sen(
t)dt

/6

Que resulta em :
VOmed = 1,17 . V FNrms

A corrente mdia na carga dada pela expresso:


I Omed = VOmed
R
A forma de onda da tenso sobre o diodo pode ser visualizada na figura 12.3,
onde observa-se que ela composta por trechos de tenses fase-fase. Isto
porque o diodo que conduz leva o potencial de seu anodo para o catodo dos
outros dois que esto bloqueados, que ento ficam submetidos a uma diferena
de potencial fase-fase de catodo para anodo.

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Figura 12.3 Forma de onda da tenso no diodo

Cada diodo deve portanto suportar o pico da tenso fase-fase, ou seja, a


especificao da tenso de pico inversa (PIV ou VRRM) deve ser superior a :
PIV =
Lembrando que VFFrms =

2 . VFFrms

3 . VFNrms.

A seqncia das tenses fase-fase mostradas na figura anterior depende


basicamente da seqncia de fase da fonte CA. So 6 os nmeros de
combinaes das tenses fase-fase, que so defasadas entre si 60.
Cargas indutivas
No retificador monofsico de onda, a presena de uma parcela indutiva na
carga faz com que surja um trecho de tenso negativa na carga. No retificador
trifsico, a forma de onda da tenso de sada no se altera em presena de
indutncia na carga. Isto ocorre porque neste retificador a fonte responsvel
pela comutao dos diodos, isto , um dado diodo conduzir obrigatoriamente
quando a tenso em seu anodo ficar mais positiva, obrigando o diodo que
conduzia anteriormente a cortar.

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12.1.2 RETIFICADOR TRIFSICO DE ONDA COMPLETA NO CONTROLADO


O circuito do retificador trifsico de onda completa pode ser visualizado na figura
seguinte.

Figura 12.4 Retificador trifsico de onda completa

Como pode ser observado, o neutro da fonte CA no ligado ao circuito


retificador.
Os diodos D1, D2 e D3 constituem o chamado grupo positivo (ou poli-catdico), e
os diodos D2, D4, D6 o grupo negativo (ou poli andico). Os diodos conduzem
sempre dois a dois : um diodo do grupo positivo e um do grupo negativo. No
grupo positivo, conduzir o diodo que possuir a tenso mais positiva em seu
anodo em relao ao neutro. No grupo negativo, conduzir o diodo que possuir a
tenso mais negativa em seu anodo em relao ao neutro. A Figura 6.5 mostra a
forma de onda da tenso de sada do retificador, juntamente com a forma de onda
da tenso num dos diodos.

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Figura 12.5 Formas de onda do circuito da figura anterior

Como so 6 as tenses fase-fase, e estando elas defasadas entre si 60, para


cada ciclo da rede CA h 6 ondulaes na tenso de sada retificada (retificador
de 6 pulsos), ou seja:
ripple = 6 . rede
Da mesma forma que no retificador 3 de onda, cada diodo conduz durante
120, assim:
I Dmed = 1 . I Omed
3
I Drms = I Omed
3
Atravs da forma de onda da tenso no diodo observa-se que a tenso de pico
inversa expressa por:
PIV =

2 . VFFrms

Aplicando-se a definio de valor mdio obtm-se a tenso mdia de sada do


retificador:
VOmed = 1,35 . VFFrms
A corrente mdia de sada :
I Omed =

V Omed
R

12.2 RETIFICADORES CONTROLADOS


Uma das principais aplicaes dos retificadores controlados o acionamento de
motores de corrente contnua, onde o ajuste da velocidade e torque realizado
atravs da variao da tenso mdia retificada de sada.
O modelo do circuito de armadura do motor CC com excitao independente ou
srie do tipo RLE, onde a resistncia e a indutncia representam o enrolamento
e a fonte de tenso contnua E representa f.c.e.m. Esta tenso gerada
internamente devido ao movimento de rotao que faz com que haja variao do
fluxo magntico nos condutores dos enrolamentos. Esta tenso proporcional
velocidade angular do eixo, sendo nula quando a armadura estiver estacionria.
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A variao da tenso mdia retificada realizada atravs do ajuste do ngulo de


disparo dos tiristores do retificador, que por sua vez realizado por um circuito de
comando apropriado.
Uma outra aplicao que apresenta o mesmo circuito equivalente de carga o
carregamento de baterias. Neste caso a indutncia adicionada ao circuito com a
finalidade de filtrar a corrente.
12.2.1 RETIFICADOR TRIFSICO ONDA CONTROLADO
O circuito do retificador trifsico de1/2 onda controlado com carga RLE est
mostrado na figura seguinte.

Figura 12.6 Retificador trifsico de onda controlado

As formas de onda de tenso e corrente para regime de conduo descontnua e


carga RLE esto mostrados na figura seguinte. O circuito de comando do
retificador deve fornecer os pulsos no instante adequado, devendo estar
sincronizado com as tenses trifsicas

Figura 12.7 Formas de onda do retificador da figura anterior


Conduo Descontnua

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importante notar que o ngulo de disparo dos retificadores trifsicos controlados


por definio contado a partir do cruzamento das tenses fase-neutro, isto , a
partir de 30. A seguir esto as definies dos ngulos indicados na figura
anterior.

= ngulo de cruzamento das fases = 30

= ngulo de disparo com referncia em

= ngulo de disparo com referncia em 0: = + 30


= ngulo de extino da corrente com referncia em 0
= ngulo com corrente nula
= ngulo de conduo

Observa-se que a corrente na carga chega a zero antes do disparo do tiristor


seguinte. Assim, h um perodo em que i0 = 0 e a tenso de sada fica igual
tenso da f.c.e.m. E do motor.
O regime de conduo determinado da seguinte forma:
< + 120
> + 120

Conduo Descontnua
Conduo Contnua

O valor do ngulo de extino da corrente somente pode ser encontrado por


mtodos numricos ou grficos, uma vez que no existe uma soluo analtica
que possa express-lo.
'= + 30o para o retificador trifsico de onda
'= + 60o para o retificador trifsico de onda completa
Isto ocorre porque nestes retificadores contado a partir do cruzamento das
tenses de alimentao, e o baco foi construdo com base na passagem da
tenso por zero.
As expresses da tenso e corrente mdia na carga para conduo contnua so:

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As formas de onda de tenso e corrente na carga para regime de conduo


contnua esto mostradas na figura seguinte.

Figura 12.8 Formas de onda do retificador da figura anterior


Conduo Contnua

As expresses da tenso e corrente mdia na carga para conduo contnua so:

12.2.2 RETIFICADOR
CONTROLADO

TRIFSICO

ONDA

COMPLETA

TOTALMENTE

O circuito do retificador trifsico de onda completa, totalmente controlado, com


carga RLE est mostrado na figura 12.9. Esta configurao tambm conhecida
por ponte de Graetz.

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Figura 12.9 Retificador trifsico de onda completa, em ponte totalmente controlada

Observe as formas de onda de tenso e corrente na carga para o regime de


conduo contnua. Neste retificador, o ngulo de disparo contado a partir do
cruzamento das tenses fase-fase, ou seja, a partir de 60. Desta forma tem-se
= + 60.
Os tiristores devem ser disparados aos pares, na seqncia correta,
sincronizados com a seqncia de fases da fonte CA. Os pulsos de reforo so
necessrios para iniciar o funcionamento do retificador e garantir operao
correta.
As expresses de tenso e corrente mdia na carga para o modo de conduo
contnua so:

interessante observar que para ngulos de disparo menores que 60 a


conduo sempre contnua, mesmo com carga puramente resistiva.

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Figura 12.10 Formas de onda do retificador da Figura 12.9


Conduo Contnua

policatdico

poliandico

Figura 12.11 - Seqncia de disparo dos tiristores

Para o modo de conduo descontnua, a expresso da tenso mdia na carga :

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12.2.3 RETIFICADOR TRIFSICO ONDA COMPLETA EM PONTE MISTA


O circuito do retificador trifsico de onda completa em ponte mista pode ser
observado na figura seguinte. Da mesma forma que na ponte mista monofsica, a
tenso na carga no pode ficar negativa devido ao efeito de roda livre, causado
pela conduo espontnea dos diodos.

Figura 12.12 Retificar trifsico em ponte mista

Figura 12.13 Tenso de sada para ngulos de disparo menores que 60

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Figura 12.14 - Pulsos de disparo dos tiristores

A forma de onda da tenso de sada possui diferenas para ngulos de disparo


maiores que 60 e menores que 60. A figura 12.15 mostra as formas de onda
para ngulos de disparo menores de 60. Quando atingido o cruzamento das
tenses fase-fase em
t = 60 , o diodo da fase correspondente entra
espontaneamente em conduo. No h etapa de roda livre.

Figura 12.15 Tenso de sada para ngulos de disparo maiores que 60

Quando o ngulo de disparo superior a 60 ocorre a etapa de roda livre, onde o


diodo conduz juntamente com o tiristor do mesmo brao.
A tenso mdia retificada dada pela expresso:
VOmed = 0,675 . VFFrms . (1 + cos )
A corrente mdia em cada semicondutor igual a um tero da corrente mdia na
carga.

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13. INVERSORES
Os conversores CC - CA ou Inversores so utilizados para obter em sua sada
uma tenso CA varivel e/ou regulada a partir de uma fonte CC de entrada, como
ilustrado na figura seguinte.

Figura 14.1 Conversor CC - CA

Os inversores estticos de potncia possuem muitas aplicaes nas reas


industrial e comercial, tais como:

Acionamento de motores CA a velocidade varivel;


UPS Fonte ininterrupta de energia (No Break);
Aquecimento indutivo Fornos;
Transmisso de energia em CC a alta tenso HVDC;
Filtros Ativos de Potncia;
etc.

13.1 INVERSORES NO-AUTNOMOS


Os inversores no-autnomos utilizam tiristores e operam ligados rede eltrica
CA, a qual responsvel pela comutao dos dispositivos, da o seu nome. A
freqncia de funcionamento fixa e igual freqncia da rede. O controle do
fluxo de energia do lado CC para o lado CA pode ser efetuado atravs da
variao do ngulo de disparo dos tiristores, que deve ser maior que 90 para o
funcionamento no modo inversor.
Atualmente, a utilizao de inversores no autnomos restrita a aplicaes de
potncias muito elevadas, como nos sistemas HVDC. A Figura seguinte ilustra um
circuito tpico. O indutor necessrio para fazer a interface entre as fontes CC e
CA.

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Figura 13.2 Inversor no autnomo trifsico

13.2 INVERSORES AUTNOMOS


Nos inversores autnomos, a comutao das chaves determinada pelo circuito
de comando, ou seja, esses inversores utilizam chaves com disparo e bloqueio
comandveis. Desta forma, os inversores autnomos operam independentemente
da rede eltrica, e podem gerar em sua sada tenses com freqncias
ajustveis. Devido ao grande desenvolvimento dos semicondutores de potncia
nos ltimos anos, atualmente a maior parte dos inversores comerciais utilizam
transistores IGBT, ficando os tiristores reservados s aplicaes de altssimas
potncias. Os transistores IGBT so muito mais fceis de se comandar, pois sua
caracterstica de entrada a mesma de um MOSFET, ou seja, so dispositivos
comandados por tenso. Alm disso, os transistores IGBT so muito mais
rpidos, permitindo a operao em freqncias mais elevadas com menores
perdas. J os tiristores, por outro lado, possuem apenas o disparo comandado, o
que exige caros e complexos circuitos auxiliares de comutao forada.
Com relao caracterstica da sada, os inversores podem ser:
Inversores de tenso (VSI Voltage Source Inverters) : nos inversores VSI,
a tenso de sada a varivel imposta, ficando a corrente dependente da
necessidade da carga;
Inversores de corrente CSI Current Source Inverters: j nos inversores
CSI, a corrente de sada imposta pelo inversor. Normalmente so utilizados em
aplicaes de potncias mais elevadas.
A figura seguinte mostra uma classificao geral dos inversores estticos de
potncia.

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Figura 13.3 Classificao dos Inversores

Quadrantes de Operao
De um modo geral, a corrente de sada de um inversor VSI no estar em fase
com a tenso gerada, possivelmente pela carga possuir uma parcela indutiva ou
caractersticas no lineares.

a) Tenso e corrente na carga

b) Quadrantes de operao

Figura 14.4 Tenso de corrente de sada do inversor

Nos intervalos 1 e 3 mostrados da figura a, tenso e corrente possuem a mesma


polaridade, o que indica que o fluxo de energia do inversor para a carga, ou seja
do lado CC para o lado CA (modo inversor). J nos intervalos 4 e 2, tenso e
corrente possuem polaridades opostas, o que indica o fluxo de energia da carga
para a fonte, ou seja, do lado CA para o lado CC (modo retificador). A figura b
resume os quadrantes de operao do inversor.
Desta forma, para que a carga seja alimentada adequadamente, o inversor deve
ser capaz de operar nos quatro quadrantes do plano v x i.

13.3 MODULAO PWM


Operao Sob Modulao Por Largura de Pulsos PWM
Esta tcnica a que produz a tenso de sada mais prxima de um senide. A
amplitude da componente fundamental da tenso variada atravs da largura dos
pulsos, as quais por sua vez dependem do valor da tenso de controle Vcontrol,
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que o sinal modulante da portadora Vtri. H basicamente duas formas de PWM:


dois e trs nveis.
PWM de 2 Nveis
A figura seguinte mostra os sinais referentes modulao PWM de dois nveis.

Figura 13.5 Modulao PWM de dois nveis

Atravs do espectro de freqncia mostrado, possvel observar que a tenso de


sada possui componentes harmnicas de alta freqncia e pequena amplitude,
as quais so muito mais facilmente filtrveis.
A freqncia de chaveamento igual freqncia da portadora, que pode variar
desde 3kHz nos inversores de grande potncia at 20kHz nos de menor potncia,
aproximadamente. Entretanto, devido maior freqncia de chaveamento, as
perdas por comutao so tambm maiores.
O ndice de modulao em amplitude ma definido como a relao entre a
amplitude da tenso modulante Vcontrol e a amplitude da portadora Vtri:

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A amplitude da componente fundamental da tenso dada por:


vol = ma . Vd
Desde que ma < 1.
O ndice de modulao em freqncia definido como a relao entre a
freqncia da portadora e a freqncia de Vcontrol.
m = s
l
As componentes harmnicas aparecem em grupos centrados em mf, 2.mf, 3.m f ...
etc. Se mf um inteiro mpar, as harmnicas pares so eliminadas da forma de
onda da tenso de sada, ficando apenas as mpares.
PWM de 3 Nveis
A figura seguinte mostra os sinais referentes modulao PWM de trs nveis.

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Figura 13.6 Modulao PWM em trs nveis

So utilizadas duas tenses de controle: V control e Vcontrol, cada uma gerando um


sinal de comparao que aplicado s chaves do inversor. A forma de onda da
tenso resultante na sada do inversor possui trs nveis: +Vd,-Vd e zero, da o
nome da tcnica.
Em relao modulao PWM de 2 nveis, o contedo harmnico da tenso de
sada menor, como pode ser observado na figura anterior. interessante
observar que os harmnicos aparecem em grupos centrados em 2.mf, 4.mf , 6.mf,
etc., ou seja, o primeiro grupo de harmnicos aparece centrado numa freqncia
que o dobro da freqncia em relao modulao PWM de 2 nveis.
A mesma expresso define a amplitude da componente fundamental da tenso de
sada:
vol = ma . Vd

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13.4 INVERSORES MONOFSICOS

De um modo geral, os inversores monofsicos podem ser controlados para


gerarem tenses PWM de 2 e 3 nveis, Phase-Shift ou onda quadrada. O mtodo
utilizado dever levar em conta as necessidades da carga e o compromisso entre
freqncia de chaveamento e perdas por comutao nos dispositivos.
Os inversores podem ser implementados com tiristores (SCRs E GTOs) ou com
transistores. Devido necessidade de circuitos de comutao forada, os
inversores a SCR so mais complexos, e por isso hoje possuem aplicaes muito
especficas. Neste texto somente sero estudados inversores implementados com
transistores.
Na figura seguinte, os SCRs T1 a T4 e os diodos D1 a D4 so as chaves principais
do circuito, enquanto os tiristores T1A a T4A so chaves auxiliares que juntamente
com as malhas RL formam os circuitos de comutao forada.

Figura 13.7 Inversor monofsico em ponte a SCRs

Inversor Monofsico em Ponte Completa


A figura seguinte mostra o circuito de potncia do inversor monofsico em ponte
completa implementado com transistores IGBT.

Figura 13.8 Inversor monofsico em ponte completa a IGBTs

De acordo com as polaridades de tenso e corrente na carga, h as seguintes


possibilidades de conduo das chaves:
Configurao

vo

io

Chaves em
Conduo

Fluxo de Energia

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1

+E

T1, T4

Fonte Carga

+E

D1, D4

Carga Fonte

-E

T2, T3

Fonte Carga

-E

D2, D3

Carga Fonte

(T1, D3) OU (T4, D2)

Recirculando

(T3, D1) OU (T2, D4)

Recirculando

Tabela 13.1

Resumindo, sempre que a tenso tiver a mesma polaridade da corrente, estaro


conduzindo dois transistores opostos. Sempre que a tenso na carga tiver
polaridade contrria corrente, estaro conduzindo dois diodos opostos. Sempre
que a tenso na carga for zero, estaro conduzindo um transistor e um diodo.
Operao em Deslocamento de Fase Phase Shift
A figura seguinte mostra a forma de onda de tenso de sada do inversor
operando no modo de deslocamento de fase, juntamente com a forma de onda da
corrente numa carga tipo resistor indutor. Os nmeros indicados na figura
correspondem aos da Tabela 13.1.

F
Figura 13.9 Tenso e corrente na carga
Operao em Phase-Shift

Devido ao defasamento causado pela presena da parcela indutiva na carga,


surgem etapas (2 e 4) onde tenso e corrente possuem polaridades opostas, o
que indica fluxo de energia no sentido CA para o CC. Estas etapas no
ocorreriam caso a carga fosse puramente resistiva.
Observa-se que a forma de onda da corrente no senoidal, fato que deriva do
grande contedo harmnico presente na forma de onda da tenso de sada do
inversor. A freqncia de chaveamento
a mesma da tenso gerada,
normalmente 60Hz.
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Operao em Modulao PWM


A operao sob modulao PWM permite uma forma de onda de corrente menos
distorcida, ou seja mais senoidal, o que muito importante quando a carga um
motor CA. medida que a freqncia de chaveamento elevada, a filtragem da
tenso exige filtros de menor tamanho. No caso da carga ser um motor CA, a
corrente tende a ficar mais senoidal, devido ao efeito de filtragem efetuado pela
indutncia do enrolamento do estator.

Figura 13.10 a) Tenso PWM e sua componente fundamental


b) Corrente numa carga indutiva
c) Corrente na carga indutiva para uma maior freqncia de
chaveamento

A figura a mostra a forma de onda da tenso PWM (3 nveis), juntamente com sua
componente fundamental. A figura b mostra a forma de onda de corrente para
uma freqncia de chaveamento maior.
As configuraes assumidas so as indicadas na tabela 13.1. Sendo a freqncia
de chaveamento maior, essas configuraes se alternaro tambm com maior
freqncia.
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Inversor Monofsico em Meia Ponte Half Bridge


A figura seguinte mostra o circuito de potncia do inversor monofsico em meia
ponte implementado com transistores IGBT.

Figura 13.11 - Inversor monofsico em Meia Ponte a IGBTs

Esta configurao somente pode operar sob o esquema de onda quadrada e


PWM de dois nveis porque no possvel impor tenso nula na carga e manter a
continuidade da corrente ao mesmo tempo. Com carga resistiva no h essa
restrio.
A tenso instantnea aplicada carga assume os valores +E/2 e -E/2 devido ao
divisor de tenso capacitivo formado por C1 e C2. A vantagem a economia de
dois transistores e dois diodos.
De acordo com as polaridades de tenso e corrente na carga, h as seguintes
possibilidades de conduo das chaves:

Configurao

vo

io

Chaves em
Conduo

Fluxo de Energia

+E/2

T1

Fonte Carga

+E/2

D1

Carga Fonte

-E/2

T2

Fonte Carga

-E/2

D2

Carga Fonte

Tabela 13.2

Inversor Monofsico Push - Pull


A figura seguinte mostra o circuito de potncia do inversor monofsico Push
Pull.

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Figura 13.12 - Inversor Monofsico tipo Push - Pull

A utilizao do transformador permite o ajuste da tenso de sada, o que til p.


ex em UPSs (No-Breaks) que utilizam tenses de bateria (12V, 24V, p.ex.). A
amplitude da tenso secundria igual a n.E, onde n a relao de espiras.
O transformador projetado para a freqncia fundamental da onda de tenso
(normalmente 50 ou 60Hz), e no para a freqncia de chaveamento. Devido ao
efeito auto-transformador no primrio, cada semicondutor deve suportar o dobro
da tenso contnua E.
De acordo com as polaridades de tenso e corrente na carga, h as seguintes
possibilidades de conduo das chaves:

Configurao

vo

io

Chaves em Conduo

Fluxo de Energia

+n.E

T1

Fonte Carga

+n.E

D1

Carga Fonte

-n.E

T2

Fonte Carga

-n.E

D2

Carga Fonte

Tabela 14.3

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13.5 INVERSORES TRIFSICOS


A figura seguinte mostra o circuito de potncia do inversor trifsico em ponte
completa, o mais utilizado.

Figura 13.13 - Inversor trifsico em ponte a transistores IGBT

O esquema de operao normalmente utilizado o PWM, pois a operao em


onda quadrada no permite o ajuste da amplitude da componente fundamental da
tenso de sada.
Operao em PWM
A Figura seguinte mostra a forma de gerao do PWM trifsico, bem como a
tenso de sada de uma das fases do inversor e seu respectivo espectro de
freqncias.

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Figura 13.13 Modulao PWM trifsica senoidal

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14. EXEMPLO DE APLICAO

Veremos, a partir de agora, as principais filosofias do controle de velocidade:


Acionamento CC;
Conversores escalares e
Conversores vetoriais.

14.1 A EVOLUO DO CONTROLE DE VELOCIDADE


Altamente empregados na indstria, os acionamentos CC se consagraram como
cones de seu tempo.
Inicialmente utilizados em controle de velocidade, os acionamentos CC se
mostraram bem efetivos. Verdadeiros painis compostos por numerosas placas
compunham os imensos acionamentos CC. Placas de sincronismo, controle,
retificao e disparo, transistores, diodos, acopladores pticos, amplificadores
operacionais e tiristores, vocabulrio comum da era de ouro dos acionamentos
CC, faziam parte do dia-a-dia dos engenheiros e tcnicos de Engenharia,
Manuteno e Produo.
Acionamento CC
No motor CC, o campo magntico gerado a partir da corrente da bobina de
campo no estator. Este campo magntico deve estar sempre orientado
angularmente com o campo magntico gerado pela bobina de armadura do rotor.
Nesta condio, conhecendo as orientaes de campo, gerado o torque
mximo.
o comutador mecnico das escovas (montado dentro do motor) que mantm a
orientao do campo magntico, portanto, mantm o posicionamento correto do
rotor em relao ao estator.
Com a orientao de campo alcanada, o torque do motor CC controlado
atravs da variao da corrente de armadura e mantendo-se a magnetizao
constante.
Seu declnio comeou a partir da evoluo dos conversores de freqncia CA.

Caractersticas

Motor
assncrono

Motor DC

Motor
sncrono

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CA

CA

Potncia [kW]

7,5

8,3

7,5

Rotao [rpm]

2900

3200

3000

Tipo/Tamanho

DFV132M2

GFVN 160N

DFY 112ML

Proteo

IP 54

IP 44

IP 65

Ventilao

Ventilador

Ventilador

Superfcie

Comprimento[mm]

400

625

390

Peso Total[Kg]

66

105

38,6

Peso do rotor[kg]

17

29

8,2

Jmot[10 kgm ]

280

496

87,4

Torque Nominal[Nm]

24,7

24,7

24

Torque mximo

2,6.MN/1,8.MN

1,6.MN

3.MN

Acel. Ang.Max.[1/s ]

1588

797

8238

Mx.Perf.Din.[%]

20

10

100

Tempo de Acel.[ms]

191

420

38

-4

Tabela 14.1

14.2 O CONTROLE ESCALAR


Baseada na performance dos acionamentos CC, a tecnologia de conversores de
corrente alternada evoluiu proporcionando as mesmas caractersticas de controle
de velocidade e de torque, mas usufruindo das vantagens oferecidas pelos
motores assncronos trifsicos.
O primeiro passo desta evoluo foram os Conversores de Freqncia com
controle ESCALAR (ou v/f) e chaveamento PWM.

Figura 14.1

A tecnologia do controle escalar se baseia na utilizao das variveis de controle:


Tenso[V] e Freqncia [f].
Alimenta-se o conversor de Freqncia com tenso trifsica senoidal e freqncia
de rede (60Hz); esta tenso de entrada retificada no primeiro bloco do
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conversor (o bloco Retificador) transformando a tenso alternada senoidal em


tenso contnua com intensidade igual a1,35 x Ventrada, alimentando assim
diretamente o Circuito Intermedirio que constitudo pelo barramento de
corrente contnua, pelo banco de capacitores e pelo Circuito Chopper de
Frenagem, alm do Circuito Intermedirio.
O retificador tambm fornece tenso de alimentao para o Circuito de Controle
do Conversor de Freqncia.

Figura 14.2 Circuito de blocos do conversor de freqncia escalar com chaveamento


PWM

O Circuito Intermedirio alimenta o terceiro bloco do Conversor de Freqncia, o


bloco Inversor. Composto por circuitos IGBT, o bloco Inversor o responsvel
direto pelo fornecimento da forma de onda PWM de sada do Conversor de
Freqncia.

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Figura 14.3 Descrio do processo PWM senoidal

No modo de controle Escalar (tambm conhecido por V/F)so utilizadas como


variveis, a Tenso e a Freqncia; estas so aplicadas diretamente bobina do
estator do motor assncrono trifsico fornecendo ao motor uma relao V/f
correspondente.
Podemos observar no grfico da figura seguinte que, at a freqncia fN
(freqncia nominal de rede = 60Hz) tambm chamada de freqncia de inflexo
e tenso nominal (VN), o torque (TN) constante, e acima do valor de rede corre
a reduo do torque do motor.

Figura 14.4 Curva V/f, onde: TN = Torque Nominal


f = Freqncia Nominal

A queda do torque do motor assncrono trifsico acontece devido s


caractersticas fsicas do motor e no do conversor, mas como atravs do modo
de controle Escalar no possvel se efetuar o controle de torque, no h a
possibilidade de se corrigir este efeito no motor.
Algo similar ao torque ocorre potncia do motor (PN): com o aumento da
relao tenso e freqncia, a potncia aumenta proporcionalmente at a
freqncia fN (Freqncia Nominal = 60Hz) chegando nesse instante potncia
nominal do motor.
A partir da mesmo que se aumente a freqncia (desde que no se aumente a
tenso de rede de alimentao do conversor) a potncia do motor permanece a
mesma.
H a possibilidade de ajustes de otimizao da curva atravs de parmetros. A
maioria dos conversores de Freqncia vem pr ajustados de fbrica,
normalmente so ajustes com valores mdios para atender a uma gama de
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motores, e h tambm a possibilidade de se otimizar alguns ajustes e estes


podem ser alterados atravs do software de comunicao PC Conversor ou
atravs de um controle manual.
Estes ajustes visam ajustar, da melhor maneira possvel, as caractersticas do
motor e sua aplicao ao Conversor de Freqncia.
Exemplo
O cliente possui um transportador, cuja caracterstica de conjugado exigido
constante em toda a faixa de rotao.
A faixa de rotao exigida no eixo do motor de 100 a 2100 rpm e o conjugado
exigido nessa faixa de 13Nm.

1.Calcular a potncia exigida

P = M(Nm) x n(rpm)
9550
P = 13 x 2100/9550
P = 2,9kW

2. Escolher o motor e conversor Motor: DZ100L4


3. Escolher a curva de funcionamento do conversor
4. Determinar a faixa de freqncia de trabalho do motor para 100rpm:
(100/1700) x 60 = 3,5Hz
para 2100rpm:
(2100/1700) x 60 = 74Hz logo a faixa de trabalho do motor ser 3,5 74Hz
5. Determinar o conjugado fornecido pelo motor na faixa de3,5 74Hz
Cn = 9550 x Pn
nm
Cn = 3 x 9550/1700

Cn/Cmx = 3
Cmx = 51Nm

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Cn = 17Nm

Portanto, na faixa de100 a 1700 rpm o motor pode fornecer Cn = 17Nm e Cmx =
51Nm, satisfazendo a aplicao.
Para 60Hz:
Cn = 17Nm e Cmx = 51Nm

Para 74Hz,
Cn = Cn(60Hz) x 60/74
Cn = 17 x 0,81
Cn = 14Nm
Cmx = Cmx(60Hz) x (60/74)2
Cmx = 51 x 0,65574
Cmx = 34
Portanto, o conversor pode fornecer, na faixa de trabalho de3,5 a 60 Hz e de 60 a
74Hz, o conjugado exigido pela carga que de 13Nm.

14.3 O MODO DE CONTROLE VETORIAL


No funcionamento dos Conversores de Freqncia Escalares (V/f) basicamente
utiliza-se da tenso de sada (V) e da freqncia de sada (f) para controle e
variao de velocidade.
Caractersticas
Torque mximo
Tempo aumento torque

VFC Controle de Fluxo


CFC Controle de Fluxo
por Tenso
por Corrente
Sem realimentao encoder:
Com realimentao encoder:
min. 150% em 0,5 Hz,
com realimentao encoder:
min. 160% com vel. Zero
min. 150% com vel. zero
aproximadamente 8 ms

aproximadamente 2 ms

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Caractersticas

VFC Controle de Fluxo


por Tenso

CFC Controle de Fluxo


por Corrente

Preciso de rotao

muito bom

atende altas demandas

Controle de torque

no

Sim

Tipos de acionamentos

individual ou em grupo

acionamentos individuais

Conversores MOVIDRIVE
e MOVIDRIVE Compact

MDF, MDV
MCF, MCV

MDV, MDS
MCV, MCS

Tabela 14.2

Apesar de eficiente, o modo de controle Escalar (V/f) possui algumas limitaes:


No utiliza a orientao do campo magntico;
Ignora as caractersticas tcnicas do motor;
No possui controle de torque;
Possui baixa dinmica.
Visando melhorar a performance e as condies de funcionamento dos
Conversores de Freqncia Escalares, foi desenvolvido um novo modo de
controle, VFC Voltage Flux Control, ou seja, um modo de controle que
diferentemente do modo Escalar, efetua a leitura da corrente do estator e do
modelo matemtico do motor e assim define o escorregamento, que corrigido
atravs do controle da tenso do estator atravs de funes especficas j
gravadas internamente no microprocessador MC do Conversor de Freqncia.

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Figura 14.5

Automaticamente, so introduzidas as variveis do sistema e do motor para


otimizar desde o tempo de resposta do motor, at sua estabilidade em relao
velocidade.
Muito eficiente e tambm eficaz para atender s mais variadas aplicaes, o
modo de controle VFC mostrou-nos a possibilidade do incremento de suas
caractersticas atravs (no da Tenso) e sim da Corrente.
A dinmica proporcionada aos motores assncronos trifsicos atravs do modo de
controle VFC similar performance dos motores CC. Com o objetivo de
aumentar ainda mais sua dinmica e por conseqncia sua performance, a SEW
EURODRIVE desenvolveu um modo de controle revolucionrio e surpreendente,
o modo de controle CFC Current Flux Control, que mediante a leitura da
corrente, da posio angular do rotor (encoder) e do modelo matemtico do
motor, controla a corrente fornecida ao estator do motor em funo de uma
reserva de tenso (aprox.50V).
Com o modo de controle CFC, a dinmica e performance do motor assncrono
trifsico ficam similares s de servomotores sncronos.

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Num comparativo entre os dois modos de controle (VFC & CFC) ambos vetoriais
em malha fechada (com realimentao atravs de enconder) pode-se notar
claramente a evoluo em dinmica proporcionada pelo modo de controle CFC
(Controle de Fluxo por Corrente).

Figura 14.6 Tempo de resposta de torque no motor modo VFC x modo CFC

Outro aspecto importantssimo da nova gerao de Conversores de Freqncia


sua metodologia de colocao em Operao, bem simples e rpida.
Baseia-se na utilizao de softwares de parametrizao que, alm de possibilitar
a comunicao PC Conversor de forma bem simples, faz sua otimizao
simples e rapidamente, proporcionando ao motor dinmica, estabilidade e
preciso.
Nestes softwares j esto includos os modelos matemticos dos motores
assncronos trifsicos, no sendo necessrio incluir nenhum dado, apenas
selecionar seu modelo e sua tenso de alimentao.
A dinmica proporcionada a estes motores em funo do seu modo de controle
vetorial: este modo de controle o responsvel direto pelo modelamento do fluxo
magntico do motor (). Veja alguns motores e as curvas de Torque x Rotao
nas figuras seguintes.

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Figura 14.7 Linha MOVIDRIVE

e motores SEW-EURODRIVE

Figura 14.8 Curva de torque (M) x rotao (n)

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No ambiente de parametrizao so selecionados os motores utilizados, o modo


de operao desejado e so introduzidas as informaes bsicas como o tipo do
motor, freqncia e corrente. A partir desse ponto, so fornecidos ao sistema os
dados do modelamento matemtico do motor e so calculados os parmetros
usuais e de controle, proporcionando uma otimizao da performance do motor.
Alm disso, o MOVITOOLS possui um controle de movimentos seqenciais, que
assume funes de um controlador lgico programvel (CLP), podendo ser
aplicado no controle de simples programao atravs do IPOSplus .
A comprovao da eficincia desta parametrizao pode ser visualizada atravs
do programa de visualizao grfica Scope, que auxilia a rpida colocao em
operao atravs da visualizao das curvas de tenso, corrente e etc. A anlise
dos resultados de processo possibilita a visualizao e acompanhamento do
comportamento da carga.
Argumentos parte, a evoluo dos Conversores de Freqncia trouxe benefcios
em todos os segmentos, dentro e fora da indstria.
Equipamentos aprimorados tecnologicamente que apresentam maior tecnologia
empregada, so mais confiveis, proporcionam maior dinmica, possuem
preciso da ordem de minutos de grau (atendendo as mais rgidas solicitaes de
tolerncia) e so muito mais compactos, alm de oferecer a disponibilidade de
Service24h em todo territrio nacional. Ou seja, hoje oferecem um nvel de
segurana incomparvel a qualquer outro sistema de controle de posicionamento
e variao de velocidade.

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15. EXERCICIOS E PROBLEMAS


1 Um transformador 127/15V, utilizado com um diodo de silcio ( VD =
0,7) que ligado ao lado secundrio para fornecer energia CC a uma certa
carga eltrica de 20W .
Nestas condies, determine os valores de : ID ,PIV, potncia mdia
dissipada na carga .
2 Um retificador tipo meia onda recebe energia de fonte CA 127V 60Hz,e
alimenta trs lmpadas incandescentes de 100W /127V 60Hz cada .
Se as lmpadas so ligadas em srie, determine os valores de ID,PIV e a
tenso que cada lmpada receber?
3 Se no problema da questo anterior as lmpadas forem respectivamente
de 60 W , 40 W , e 100 W , quais seriam os novos valores ?
4 Desejando utilizar seu disc men no automvel, um aluno produziu um
redutor de tenso de 12V para 4,5 V em vrios formatos e est em dvida
sobre qual escolher . Dentre as 4 opes abaixo qual a que voc escolheria,
se a potncia do disc men de 200mW?
D1 1N4001

166

A( )

12V

100

C( )
4,5V

DISC
MEN

DISC
MEN

12V
DZ1
5,2V
1W

84

78

B( )

D( )

12V

4,5V

DISC
MEN

100

12V

DZ1
3.9V
1W

DISC
MEN

D1 1N4001

5 - No circuito a seguir , desenhe a forma de onda de tenso que a carga de


100 recebe:
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4 : 1

120V
60 Hz

200

DZ1
12V

100

A corrente na carga contnua ou alternada?


6 - O circuito mostrado a seguir , muito utilizado em ferramentas manuais
e pequenos eletrodomsticos:
D

VAC
chave

Motor
universal

Analise o circuito e tente entender como este circuito controla a potncia entregue
ao motor, ou a outra carga qualquer?
Ser que este circuito simples pode controlar a velocidade de um motor de
corrente contnua?
Por que este circuito no funciona se o motor for do tipo de induo?

8 No circuito mostrado a seguir, qual a funo do diodo em paralelo com o


enrolamento do rel?
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Vcc
3

Q1

rel

A) Retificar a onda gerada na bobina


B) Regular a tenso produzida pela lei de Lenz nos terminais da bobina
C) Proteger o dispositivo chaveador (transistor ) contra queima e destruio
devido ao aparecimento da tenso reversa entre o coletor e o emissor do
transistor, provendo um caminho alternativo para o escoamento da corrente que
atravessa a bobina do rel
D) Evitar que haja uma corrente em sentido contrrio na bobina do rel
9 O componente de chaveamento mostrado a seguir um:

A) IGBT
B) GTO
C) TRIAC
D) FET DE POTNCIA
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10 A maior desvantagem do uso do IGBT :


A) Apresenta um tempo de conduo com cargas muito indutivas maior que as
outras chaves controlveis
B) Necessita de uma tenso elevada aplicada ao gate
C) Precisa de uma fonte de corrente para alimentar o gate , onde Ig da ordem
de 0,1 a 0,3 vezes Ic
D) No suporta tenses reversas entre o emissor e o gate , o que causa a queima
do componente com maior facilidade
11 Corrente de manuteno de dispositivos chaveadores aquela que :
A) deve ser adotada para que o tcnico do setor eltrico possa prestar o servio
de manuteno com segurana
B) Deve estar o dispositivo de chaveamento conduzindo continuamente, enquanto
o tcnico do setor eltrico presta a manuteno no equipamento
C) deve ser atingida, para garantir o desligamento do dispositivo
D) a menor corrente que circulando atravs do dispositivo ainda o mantm em
conduo
12 Os esboos abaixo representam dois tipos de mquinas de solda
empregados no setor industrial :
D
Eletrodo

T1
R

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Esboo de mquina de solda empregando a regulagem de corrente atravs de


ajuste de posio do ncleo.

T1
R

Th
Eletrodo
+

Th

Th

Esboo de mquina de solda empregando a regulagem de corrente atravs de


ajuste do ngulo de disparo dos dispositivos de chaveamento
Analise os dois esboos acima, pormenorizando as vantagens e/ou desvantagens
de cada um.
13 O circuito RC srie, que normalmente colocado em paralelo com o
dispositivo eletrnico de chaveamento, tem a funo de:

A) Criar um caminho alternativo de corrente , evitando sobrecarga da chave


esttica

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B) Criar um caminho alternativo de corrente principalmente as que aparecem


devido variaes transitrias de tenso entre anodo e gate , evitando que o
dispositivo possa ser disparado acidentalmente
C) Bloquear nveis de corrente contnua e deixar que somente os nveis de
corrente alternada cheguem carga
D) evitar que pontos ou zonas quentes sejam criadas na estrutura interna do
dispositivo que poderiam leva-lo queima
14 Os circuitos de corrente alternada que empregam o SCR no controle de
potncia normalmente so mais simples que aqueles utilizados em corrente
contnua.
Tal afirmativa falsa ou verdadeira?
O que voc entende por comutao natural? E comutao forada?

15 O circuito a seguir emprega o SCR em corrente contnua:

12V 6W

CH1

12V

5K6

Q1

CH2

3,3 F
TIC 106

Q2

5K6

TIC 106

1K

1K

Trata-se de um circuito de comutao forada e emprega como elemento bsico o


capacitor.
Analise como se processa o ligamento de Q1 e o seu desligamento.
Para que o circuito possa funcionar, preciso que CH1 esteja o tempo todo
fechado? Explique.

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16 O circuito a seguir emprega o SCR em corrente alternada:

127V/100w
Rede
127Vac

CH1

TIC106
220

1k

Trata-se de um circuito de comutao natural.


Analise como se processa o ligamento e o desligamento do SCR.
Para que o circuito possa funcionar ininterruptamente, necessrio que CH1
fique fechada o tempo todo? Explique?
17 compare o circuito a seguir com o da questo 16:

127V/100w

CH1

D1
Rede
127Vac

TIC106B
220

1k

Em se tratando do componente SCR, que vantagem este circuito apresenta em


relao ao anterior?

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18 Veja o circuito a seguir:


D1

D2
127V/100w

F = 2A
Rede
127Vac

CH1

TIC106B
180

D4

D3

1k

Analise o circuito, e construa a forma de onda da tenso sobre a lmpada.

19 Veja o circuito a seguir:

D1

D2

CH1

F = 2A
Rede
127Vac

TIC106B
180
127V/100W
D4

D3

1k

Analise o circuito, e construa a forma de onda da tenso sobre a lmpada.


Qual a diferena deste circuito para o da questo 18?

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20 Analise o circuito a seguir:

127V/100W

1K

D1

180

TIC106B

Rede
127Vac

Q2
TIC106B

Q1

D2

1K

Analise o circuito e desenvolva a forma de onda de tenso e corrente na carga?

21 O circuito mostrado na figura a seguir similar ao da questo anterior?

127V/100W

CH

Rede
127Vac

Q1

TIC226B

100

100
0,1 F

Que nome recebe o circuito RC colocado em paralelo com o TRIAC?

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22 Um retificador trifsico de meia onda , alimenta uma carga puramente


resistiva de valor 10 . Se a tenso entre fase e neutro 127V , determine o
valor da tenso mdia na carga e da corrente mdia em cada diodo.
23 Se o retificador da questo 22 for substitudo por um do tipo onda
completa , quais seriam os novos valores?

24 Dado o inversor a seguir, explique como se processa a converso CC


para CA
2 : 1

220V
M

OSCILADOR

Qual a funo do oscilador neste esquema?


Analise e explique como se processa o ligamento do motor , e o seu
desligamento?
Qual a funo do transformador neste circuito?

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Referncias

ALMEIDA, Jos Luiz Antunes Eletrnica Analgica Dispositivos


Semicondutores: Tiristores Controle de Potncia em C.C. e C.A.
8 Edio Editora rica So Paulo 1996
BARBOSA, Eduardo Fernandes, ARAJO, Ricardo Gonzaga M.
Eletrnica Industrial Experincias de Laboratrio
FURMARC/UCMG BH 1982
SABER ELETRNICA Ano 38 n 356 setembro/2002
Editora Saber Ltda
FILHO, Prof. Rubens M. Santos Curso de Extenso em Eletrnica de
Potncia Senai BH Junho/Julho 1999 CEFET - MG
SENAI. MG. Eletrnica

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