Pontificia Universidad Catolica de Chile

Escuela de Ingenieria / Facultad de Fsica

IEE1133/FIZ1433 Materiales Electricos
Profesor: Roberto Rodriguez

Ayudanta 5: Semiconductores intrnsecos.

Joaqun Arancibia: jiaranci@puc.cl
Fabian Cadiz: facadiz@puc.cl

1.

Masas efectivas

Contrariamente al electron libre de masa m0 , el electron de Bloch en un cristal puede ser descrito como una partcula dotada de una masa efectiva que esconde la existencia del potencial
cristalino. De hecho, un electron de Bloch reacciona a una perturbacion externa como una
partcula de masa efectiva y no m0 . Las ecuaciones de la dinamica semi-clasica de los electrones de Bloch hacen intervenir la masa efectiva en el termino de aceleracion, y por otro lado,
en estas ecuaciones el cristal no aparece explcitamente. En lo que sigue, vamos a situarnos en
la vecindad de un extremo de la u
ltima banda de valencia y de la primera banda de conduccion.
La masa efectiva es un tensor que se escribe para una banda dada:


1
m


=
ij

1 2 E(~k)
~2 ki kj

Cerca de un extremo de la banda situado en ~k0 , al orden mas bajo en k = ~k ~k0 :

1 X ~2
ki kj
E(~k) = E(~k0 ) +
2 i,j mij
El tensor de masa efectiva es real y simetrico, y siempre es posible encontrar ejes principales
ortogonales tales que:
1

0
0
m
1
1
= 0 m12 0
m
0
0 m13
En el caso de un cristal c
ubico donde el extremo de la banda de conduccion se sit
ua en ~k0 = ~0,
las superficies de energa constante son esferas y la masa efectiva mc del electron es entonces
isotropica y positiva cerca del mnimo de la banda de conduccion. En la vecindad del maximo en
~k0 = ~0 de la banda de valencia (supuesta esferica), la masa efectiva correspondiente es tambien
isotropica pero negativa. Si Ec es la energa del mnimo de la banda de conduccion, se tiene
entonces:
~2 k 2
E(~k) = Ec +
2mc

y una relacion equivalente para la banda de valencia. Esto indica que en la vecindad de Ec los
electrones se comportan como partculas libres de masa mc .
El caso del silicio es diferente. En efecto, hay seis bandas de conduccion cuyos mnimos estan
situados a la energa Ec , y no se encuentran en ~k0 = ~0, pero corresponden a valores de ~k0
cercanos a las extremidades de la primera zona de Brillouin a lo largo de (1, 0, 0) y en direcciones
equivalentes. Las superficies de energa constante en la vecindad del mnimo son, por razones
de simetra, elipsoides de revolucion alrededor de cada una de estas direcciones.

Figura 1: Superficies de energa constante en la vecindad de los mnimos de las seis bandas de
conduccion del silicio.
Consideremos estos mnimos, por ejemplo aquel situado en (0, 0, ~k0 ). En el triedro x, y, z que
coincide con aquel construdo por los ejes principales de la elipsoide correspondiente, tenemos:
1

0
0
mc,T
1

1
0
= 0

mc,T
mc
1
0
0
mc,L
donde mc,L y mc,T son respectivamente llamadas masas efectivas longitudinal y transversal. En
la vecindad del mnimo de la banda de conduccion, podemos escribir:
 2

2
kx + ky2 (kz k0 )2
~
E(~k) = Ec +
+
2
mc,T
mc,L
la masa efectiva esta relacionada con la curvatura de las bandas en la vecindad de sus extremos.
En los semiconductores, hay tpicamente dos bandas de valencia degeneradas en ~k0 = 0, pero de
curvaturas diferentes y por lo tanto de masas efectivas diferentes. En la vecindad del maximo
de estas dos bandas a la energa Ev , supondremos que las superficies de energa constante son
esferas: las masas efectivas de valencia asociadas son entonces isotropicas. Una de estas bandas
tiene una masa efectiva de valencia mayor que la otra. Esto nos lleva a definir una masa efectiva
de valencia pesada mh,h para una de las bandas, y una masa efectiva de valencia ligera mh,l
para la otra banda.
Las masas efectivas son a menudo obtenidas a partir de experiencias de resonancia de ciclotron.
Sus valores para el silicio y el arsenio de galio se presentan en la siguiente tabla:
2

mc mc,L
mc,T
mv,l
GaAs 0,07 m0
- 0,082 m0
Si

m0 0,2 m0
0,16 m0

mv,L
0,5 m0
0,49 m0

Las masas efectivas de valencia pesadas mv,L y ligera mv,l son positivas y por lo tanto
de signo opuesto a la masa efectiva de valencia electronica: son de hecho masas efectivas de
agujeros pesados y ligeros.

2.

Agujeros

Un ajugero (de carga e > 0) puede ser interpretado como una banda de valencia llena a la cual
se le ha quitado un electron de energa Ee . La energa Et del agujero es entonces:
Et = Etot Ec
donde Etot es la energa total de la banda llena, que es entonces una constante irrelevante. En
consecuencia, podemos escribir simplemente:
Et = Ec
En este modelo, el vector de onda ~kt de un ajugero puede ser definido como el vector de onda
total de los estados ocupados por los electrones. Si ~ke es el vector de onda del electron ausente,
se tiene:
~ktot = ~kt + ~ke
donde ~ktot es el vector de onda asociado a una banda llena. Pero ~ktot = ~0, ya que en razon de
la simetra de la banda, a todo estado ocupado ~k le corresponde un estado ocupado ~k, con
E~k = E~k . En consecuencia, ~kt = ~ke . La corriente asociada a un agujero cumple:
J~t = e~vt = J~e = e~ve
la velocidad ~vt del agujero es entonces igual a la velocidad ~ve que tendra el electron faltante
en la banda de valencia.
Si consideramos ahora un electron en la vecindad del maximo de la banda de valencia isotropica,
su masa efectiva mv es negativa (con mv > 0) a causa de la curvatura de la banda, y su energa
se escribe:
Ee = Ev

~2 k 2
2mv

~ la fuerza que act

Si se aplica un campo electrico E,
ua sobre el electron esta dada por:
mv

d~v
~
= eE
dt

o bien:

d~v
~
= eE
dt
Esta expresion describe el movimiento de un electron de carga e negativa y de masa efectiva
mv igualmente negativa. Sin embargo tambien puede ser vista como una carga positiva e en
la banda de valencia con una masa efectiva mv positiva. La masa efectiva de un agujero es
entonces el negativo de la masa efectiva del electron ausente.
mv

3.

Semiconductores intrnsecos

Un semiconductor intrnseco es un semiconductro puro, es decir que tiene muy pocas impurezas.
Si voluntariamente se introducen impurezas, se tiene entonces un semiconductor extrnseco (
o dopado). Esto es importante ya que se puede as controlar en gran medida la densidad de
portadores (electrones y huecos) capaces de transportar una corriente electrica en un semiconductor.

3.1.

Electrones y agujeros libres

A T = 0 K, todas las ligazones covalentes de un cristal de Si, por ejemplo, son satisfechas. Si se
aumenta la temperatura, electrones seran liberados de ciertas ligazones y poodran desplazarse
~ En terminos de
libremente en el cristal, en particular bajo el efecto de un campo electrico E.
estructuras de bandas, a T = 0 K, la u
ltima banda de valencia esta llena y la primera banda de
conduccion esta vaca. Si la temperatura crece, electrones seran exitados termicamente desde
la banda de valencia hacia la banda de conduccion. Estados de la banda de conduccion seran
entonces ocupados por electrones (a menudo llamados electrones libres) que, bajo la accion de
un campo electrico, dan origen a una corriente ya que existen niveles muy proximos que estan
desocupados. La carga de un electron es e, su spin es 1/2 y su masa efectiva mc es, en el
caso de una banda isotropica en la vecindad de su mnimo Ec (situado tpicamente en ~k = 0),
definida por:
1 2 E(~k)
1
= 2
>0
mc
~ k 2
La energa de un electron en la banda de conduccion esta dada por:
E = Ec +

~2 k 2
2mc

En el lugar donde una ligazon perdio un electron, hay el equivalente de un ion de Si+ , ya que
falta un electron. Si ahora se aplica un campo electrico, el lugar que ha sido vaciado por el
electron puede ser ocupado por un electron proveniente de otra ligazon, que ha sido desplazado
debido al efecto del campo electrico. Esto es analogo al desplazamiento del ion de Si+ en
el sentido del campo aplicado. Se puede considerar el movimiento de esta falta de electron
como el desplazamiento de una carga positiva, llamada agujero. En otros terminos, cuando un
electron es exitado hacia la banda de conduccion, deja atras un agujero en la banda de valencia
correspondiente a un estado vaco, es decir un electron que falta. La carga de un agujero (
generalmente llamado agujero libre) es +e y puede transportar la corriente electrica bajo la
accion de un campo. Si se considera una banda de valencia isotropica cerca de su maximo Ev
situado en ~k0 = ~0, la masa efectiva de un agujero esta dada por:
1 2E
1
= 2 2 >0
mv
~ k
y la energa de un agujero es:
E = Ev +

~2 k 2
2mv

4.

Postulados de la mec
anica cu
antica
Resumen

1. La descripcion del estado de una partcula en el espacio se logra por una funcion de onda
(~x, t) donde su modulo cuadrado da la densidad de probabilidad de prescencia en el
punto ~x al instante t.
2. La evolucion en el tiempo de la funcion de onda de una partcula colocada en un potencial
V (r) se obtiene a partir de la ecuacion de Schrodinguer:
i~

x, t)
(~x, t) = H(~
t

o hamiltoniano del sistema, es:

donde el observable energa H,
2
=~
~ 2 + V (r)
H
2m

3. Para un sistema aislado en un potencial independiente del tiempo, los estados estacionarios son los estados propios de la energa, con una funcion de onda de la forma:
(~x, t) = (~x)eiE t/~

donde es una solucion normada ( R3 d3 x | |2 = 1) de la ecuacion de Schrodinger

independiente del tiempo:
(~x) = E (~x)
H
La evolucion en el tiempo de toda funcion de onda (~x, t) se escribe inmediatamente una
vez conocidas las soluciones estacionarias:

(~x, t) =

iE t/~

C e

(~x), con C =
R3

d3 x (~x)(~x, t = 0)

4. El problema de un electron en un potencial periodico posee como soluciones estacionarias

a las funciones de Bloch:
~
n,~k (~x) = un,~k (~x)eik~x
donde un,~k (~x) tiene la misma periodicidad que el potencial. Para n fijo, al variar ~k se
obtiene una funcion cuasi-contnua En (~k), que constituye la n-esima banda de energa. El
espectro entonces esta constitudo por bandas de energa permitidas y prohibdas para el
electron. Esto determina las propiedades de conduccion electrica de un cristal.

5.

Estadstica de los electrones: funci

on de Fermi-Dirac

Se muestra en fsica estadstica que la probabilidad para que un estado de energa E sea ocupado
por un electron (fermion) esta dada por la funcion de Fermi-Dirac f (E):
f (E) =

1
1 + e(E)

donde = 1/kB T y es el potencial qumico (tambien llamado eF ). La forma de f (E) se

muestra en la figura siguiente:

Figura 2: Variacion de f (E) para T = 0 y T 6= 0

El potencial qumico es la variacion de la energa libre de un sistema cuando se introduce
una partcula suplementaria a una temperatura dada. Si dos sistemas pueden intercambiar
partculas de la misma naturaleza, al equilibrio termodinamico el potencial qumico es identico
para los dos sitemas. El sistema cuyo potencial qumico es mayor cede partculas al otro hasta
que se igualan los potenciales qumicos. Si se tiene un sistema de partculas sin masa, = 0.

6.

Densidad de estados

Se define D(E) de forma que D(E)dE es el n

umero de estados cuanticos permitidos en un
~2 ~ 2
k ,
rango de energa entre E y E + dE. Para una partcula con relacion de dispersion E(~k) = 2m
y considerando la degeneracion de spin, se tiene:

V 2m3/2
D(E) =
E 3D
2 ~3
D(E) =

4m
h2

2D

7.

Constantes y propiedades el
ectricas de distintos materiales.
Resistividad en ohm-metros, medidos a 1 atm y a 20o C:
Material Resistividad
Material Resistividad
Conductor
Semi-Conductores
Plata 1, 59 108
Agua Salada
4, 4 102
Cobre 1, 68 108
Germanio
4, 6 101
Oro 2, 21 108
Diamante
2,7
Aluminio 2, 65 108
Silicio
2, 5 103
Hierro 9, 61 108
Aislantes
7
Mercurio 9, 58 10
Agua pura
2, 5 105
6
Nicromo 1, 00 10
Madera
108 1011
Manganeso 1, 44 106
Vidrio
1010 1014
Grafito
1, 4 105
Cuarzo
1016
Susceptibilidades magneticas a 1 atm y 20o C:
Material Susceptibilidad
Material Susceptibilidad
Diamagnetico
Paramagnetico
4
Bismuto
1, 6 10
Oxgeno
1, 9 106
5
Oro
3, 4 10
Sodio
8, 5 106
Plata
2, 4 105
Aluminio
2, 1 105
Cobre
9, 7 106
Tungsteno
7, 8 105
Agua
9, 0 106
Platinio
2, 8 104
8
o
CO2
1, 2 10
Oxgeno lquido (-200 C)
3, 9 103
Hidrogeno
2, 2 109
Gadolinio
4, 8 101
Constantes dielectricas, a 1 atm y 20 o C:
Material Constante Dielectrica
Material Constante Dielectrica
Vaco
1
Benceno
2,28
Helio
1,000065
Diamante
5,7
Neon
1,00013
Sal
5,9
Hidrogeno
1,00025
Silicio
11,8
Argon
1,00052
Metanol
33
Aire(seco)
1,00054
Agua
80,1
o
Nitrogeno
1,00055 Hielo(30 C)
99
Vapor de agua (100o C)
1,00587 KT aN bO3
34 000

Gaps de diferentes semiconductores a 300 K.

Cristal
Eg (eV) Cristal Eg (eV)
Diamante
5,33
PbS
0,34
Si 1,12 (1,17 a 4 K)
PbSe
0,27
Ge
0,67
PbTe
0,30
InSb
0,23
CdS
2,42
InAs
0,33
CdSe
1,74
InP
1,25
CdTe
1,8
GaAs 1,43 (1,52 a 4 K)
ZnO
3,2
AlSb
1,6
ZnS
3,6
GaP
2,25
ZnSe
2,60
SiC
3
AgCl
3,2
Te
0,33
AgI
2,8
ZnSb
0,56 Cu2 O
2,1
GaSb
0,78
TiO2
3
Masas efectivas de algunos semiconductores.
mc mc,L
mc,T
mv,l
GaAs 0,07 m0
- 0,082 m0
Si

m0 0,2 m0
0,16 m0

8.

mv,L
0,5 m0
0,49 m0

Algunas unidades y constantes fundamentales

Unidades
= 1010 m ( tama

Angstrom
1A
no de un atomo)
Fermi
1f m = 1015 m ( tama
no de un n
ucleo)
19
ElectronVolt
1eV = 1, 60218 10 J
Constantes Fundamentales
Constante de Planck
h = 6, 6261 1034 Js
Cte. Planck h-barra
~ = h/2 = 1, 054 1034 Js
Velocidad de la luz
c = 299 792 458 m/s
Permeabilidad del vaco
0 = 4 107 y 0 o c2 = 1
Constante de Boltzmann
kB = 1, 38 1023 JK 1
N
umero de Avogadro
NA = 6, 0221 1023
Carga del electron
qe = 1, 602 1019 C
Masa del electron
me = 9, 1094 1031 kg
Masa del proton
mp = 1, 672 1027 kg

8.0.1.

Problema 1

Para estudiar la emision de electrones producida por un filamento de tungsteno, esquematizamos el metal como un potencial de caja. Este potencial, supuesto nulo al interior no es infinito
al exterior como hemos hecho normalmente, sino que tiene un valor constante V que es considerado como el potencial de extraccion de un electron de momentum nulo. Pocos electrones se
escapan ya que (V )  1
1. Muestre que para los electrones libres de energa superior a la de la barrera de potencial,
de fermi se reduce al factor conocido como ((Factor de Boltzmann))
i
h el
 factor
p2
exp 2m
2. Calcule el n
umero de electrones por unidad de volumen de momentum p~ (con precision
d3 p~), cuya componente x: px , normal a una superficie unitaria, que golpean por un intervalo dt.

3. Suponemos que solo los electrones cuyo momentum es px > 2mV abandonan el metal.
Se propagan en seguida seg
un las leyes de la mecanica clasica. Delante del filamento de
tungsteno, llevado a un potencial negativo, se encuentra un anodo positivo. Considerando
que los electrones son constantemente repuestos, el metal permanece neutro. Calcule la
densidad de corriente emitida en funcion de la temperatura.
4. Aplicacion numerica: calcule la corriente emitida por una punta de superficie 0, 3
0, 3 mm2 de tungsteno, para la cual V = 4, 5 eV cuando esta es llevada a 3000 K.
8.0.2.

Soluci
on

1. Tenemos el factor de fermi:

1
1
= (E)
(E)
1+e
e
(1 + e(Emu) )
= e(E) (1 + e(E) + . . .)
= e(E) + O((e(E) )2 )
Como E  V :


=e

p2

2m

2. Recordamos la relacion vista en la ayudanta anterior para el n

umero de estados en un
volumen V con vectores k (precision d3 k):
Dp =

4k 2 dk
d3 k/8
=
8 3 /V
3 /V

Y ademas la relacion: k = p/~. Luego la relacion anterior se reduce a:

Dp =

V d3 p
= V d3 p/h3
8 3 ~3

En seguida, recordamos que el n

umero de electrones sera entonces dNp = f (p)Dp . As, el
n
umero de electrones (considerando el spin, agregamos un 2), por unidad de volumen de
momentum p (a p + d3 p):
9

=2

d3 p~ (p2 /2m)/kB T
e
h3

As, el n
umero de electrones que golpean un elemento de superficie unitaria en un tiempo
dt sera:

px
d3 p~
2
dt 2 3 e(p /2m)/kB T
m
h
3. La densidad de corriente sera entonces:

j =e

dpx

2mV

dpy

dpz

px 2 (p2 /2m)/kB T
e
m h3

El calculo nos lleva a concluir que:

j=

4mekb2 2 (V )/kB T
T e
h3

Que esta en buen acuerdo con la ley de Richardson vista en clases.

4. Para T= 3000 K se obtuvo I=15 mA. T=2000 K , I =0,8 A.

10

8.0.3.

Problema 2

Densidad de estados en el silicio

2 2

k
.
1. Considere un cristal de volumen V descrito por una banda de dispersion: E = Ec + ~2m
Escriba su densida de estados en funcion de E y la masa efectiva m, considerando la
degeneracion de spin.

2. El silicio presenta 6 valles anisotropicos equivalentes (elpticos) en las direcciones kx , ky , kz

del espacio ~k. Llamamos mL a la masa efectiva longitudinal y mT a la masa efectiva
transversal. Muestre, primeramente para un valle, y luego para el conjunto de los 6, que
la expresion encontrada en 1. sigue siendo valida si se utiliza una masa de densidad de
estados efectiva de conduccion mdc , que se debe precisar.

3. Calcule la masa efectiva de densidad de estados de valencia mdv en prescencia de dos

bandas de valencia de agujeros pesados y ligeros, degeneradas en ~k = 0, de masas mhh y
mlh .
4. Aplicacion numerica: para el silicio mL = 0,98 m0 , mT = 0,19 m0 , mhh = 0,49 m0 y
mlh = 0,16 m0 , donde m0 es la masa del electron libre. Calcule mdc y mdv en funcion de
m0
8.0.4.

Soluci
on

1. El calculo de la densidad estados tridimensional fue calculado en la ayudanta anterior,

obteniendo:
D(E) =

(2m)3/2 V
E
2 2 ~3

E0

Si ahora se tiene una relacion de dispersion E = Ec +

equivalente, de forma que:
D(E) =

(2m)3/2 V p
E Ec
2 2 ~3

11

~2 k 2
,
2m

el calculo es absolutamente

E Ec

2. Considere un valle localizado en la direccion kz en torno al mnimo ~k0 = (0, 0, k0 ), la

relacion de dispersion es:
E = Ec +

~2
~2
(kx2 + ky2 ) +
(kz k0 )2
2mc,T
2mc,L

escrito de otra forma:

E = Ec + x2 + y 2 + z 2
con:
~2 kx2
x =
2mc,T
2

~2 ky2
y =
2mc,T
2

z2 =

~2 (kz k0 )2
2mc,T

de forma que:

2dx
dkx =
mc,T
~

dky =

2dy
mc,T
~

dkz =

2dz
mc,L
~

El n
umero de estados cuanticos tal que ki esta entre ki + dki es:
dki Li

donde Li es el largo del cristal en la direccion i. Luego:

dNi =

V
dkx dky dkz
3
es el n
umero de estados cuyo vector de onda esta entre (kx , ky , kz ) y (kx +dkx , ky +dky , kz +
dkz ). Equivalentemente:
dN =

dN =

1/2

~3 3

23/2 mc,T mc,L dxdydz

es el n
umero de estados entre (x, y, z) y (x + dx, y + dy, z + dz). En coordenadas esfericas,
2
r = x2 + y 2 + z 2 :
dN =
es el n
umero de estados con

1 V 3/2
1/2
2 mc,T mc,L 4r2 dr
3
3
8~

p
x2 + y 2 + z 2 entre r y r + dr. Finalmente:

r2 = E Ec ,

r=

p
E Ec , 2rdr = dE

Luego, considerando el spin:

p
V
1/2
2m
m
E Ec dE
c,T
c,L
~3 2
es el n
umero de estados entre E y E + dE en la banda de conduccion, en el mnimo
cerca de (0, 0, k0 ). Como existen 6 mnimos absolutamente equivalentes, el n
umero total
de estados en la banda de conduccion con energia entre E y dE sera:
dN =

12

p
V
1/2
2
6m
m
E Ec dE = D(E)dE
c,T
c,L
~3 2
De aqu se ve entonces que si definimos la masa efectiva de densidad de estados de
conduccion:
dN =

3/2

1/2

mcd = 6mc,T mc,L

La expresion simple para la densidad de estados 3D sigue siendo valida:

D(E) =

V 3/2 p
2mdc E Ec E Ec
~3 2

3. Se tienen dos bandas de valencia cuyos mnimos coinciden en ~k = 0. El n

umero de estados
de valencia con energa entre E y E + dE es entonces la suma de los estados disponibles
en cada banda:
dN =

V 3/2 p
V 3/2 p
2m
E

EdE
+
2mlh Ev EdE
v
hh
~3 2
~3 2

La densidad de estados es entonces:

D(E) =

V 3/2 p
2mdv Ev E E Ev
~3 2

con una masa efectiva de densidad de estados de valencia:

3/2

3/2

3/2

mdv = mhh + mlh

4. Tenemos:
3/2

mdc = 6 0,19 m0

p
0,9m0


p 2/3
mdc = 6 0,19 0,9
m0 = 0,33 m0

mdv = 0,493/2 + 0,163/2

13

2/3

m0 = 0,55 m0

8.0.5.

Problema 3

Densidad de portadores
1. Determine la relacion entre la densidad de portadores n (en la banda de conduccion), p
(en la banda de valencia) y la posicion del nivel de fermi EF respecto a las bandas de
conduccion y valencia de energas Ec y Ev . Muestre que estas relaciones hacen intervenir
a las densidades de estados efectivas Nc y Nv . Utilice:

du ue =
2
0
2. Aplicacion numerica: calcule Nc y Nv a T = 300 K para el silicio.
3. Muestre la relacion np = n2i , donde ni es la densidad intrnseca de portadores del material
semiconductor, que puede ser expresada en funcion de Eg y KT .
4. Calcule ni para el silicio a temperatura ambiente (Eg = 1,12 eV )
5. Determine la posicion de nivel de Fermi en la estructura de bandas en funcion de Nc y
Nv . Muestre que en general esta cerca de la mitad de la banda prohibdia.
8.0.6.

Soluci
on

Densidad de portadores
1. El n
umero medio de electrones en la banda de conduccion a temperatura T esta dado
por:

N=

dE Dc (E)f (E)
Ec

donde Dc (E) es la densidad de estados en la banda de conduccion, y f (E) la distribucion

de Fermi-Dirac:

N=

3/2

2mdc
2 ~3

dE
Ec

E Ec
1 + e(EEF )/kT

Suponiendo que E EF >> kT para todo E en la banda de conduccion (decimos que el

semiconductor es no-denegenerado, lo que se cumple generalmente en la practica):

N=

3/2
p
2mdc
dE
E Ec e(EEF )/kT
2 ~3
Ec

Haciendo el cambio de variable u = (E Ec )/kT , dE = kT du:

N=

2(kT mdc )3/2 (EF Ec )/KT

e
2 ~3

Esto se puede reescribir como (N/V = n):

14

|0

du ueu
{z
}

/2

n = Nc (T )e(Ec EF )/kT
con Nc la densidad de estados de conduccion efectiva (notar que depende de la temperatura):

Nc =

2mdc kT
~2

3/2

V
4

Para la densidad de agujeros, el calculo es analogo (se supone (EF Ev ) >> KT ) y se

obtiene:
p = Nv (T )e(EF Ev )/kT
con:

Nc =

2mdv kT
~2

3/2

V
4

2. Para el Silicio a temperatura ambiente (T = 300 K), se obtiene:

Nc 2,6 1019 cm3
Nv 1019 cm3
3. Tenemos:
np = n2i = Nc Nv eEg /kT
con Eg = Ec Ev el gap del semiconductor. Finalmente:
ni =

p
Nc Nv eEg /2kT

Notar que en un semiconductor intrnseco (sin impurezas), se tiene necesariamente:

n = p = ni
por ello a ni se le llama densidad de portadores intrnseca.
4. Para el Si, Eg = 1,12 eV y se tiene:
ni = 1,1 1010 cm3
A comparar con 8,48 1022 cm3 para el cobre. La concentracion de atomos en un
cristal de Si es del orden de 1022 cm3 , entonces la agitacion termica es un proceso muy
ineficaz que solo es capaz de generar corrientes electricas despreciables e inutilizables. En
cambio, como veremos mas adelante, si al Si se le agregan impurezas de un cierto tipo, el
n
umero de portadores en la banda de conduccion puede ser incrementado dramaticamente
a temperatura ambiente.

15

5. Se tiene:
n = ni
luego:
Nc e(Ec EF )/kT =

ln

p
Nc Nv eEg /2kT

p
Ec EF
(Ec Ev )
Nc /Nv
=
kT
2kT
kT ln (Nc /Nv ) + 2EF = Ec + Ev

Finalmente:
Ec + Ev kT

ln
EF (T ) =
2
2

Nc
Nv

Se ve que a T = 0, el nivel de fermi se encuentra justo en la mitad de la banda prohibda,

Eg /2 = (Ec + Ev )/2. Notar que a temperatura ambiente, la desviacion es peque
na :
k 300
EF = Eg /2
ln(2,6) Eg /2.
| {z } | 2 {z
}
0,6 eV

13 meV

16