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RAM
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tamao y formato
Actualmente, la gran mayora de las placas base utiliza el tipo de memoria DDR3,
pero los fabricantes ya comienzan a lanzar nuevos modelos que soportan el nuevo
formato DDR4.
Los distintos formatos de memoria RAM (DDR400, DDR2, DDR3 y DDR4) se
diferencian por el nmero de contactos del conector de la placa base. Adems,
cada tipo cuenta con diferentes muescas en el conector que impide que, por
ejemplo, puedas confundirlos e intentar conectar un mdulo DDR2 en un conector
DDR3. Algo ms habitual de lo que podra llegarse a pensar.
Como hemos comentado, estamos en plena transicin entre la memoria DDR3 y
DDR4, por lo que debes asegurarte de elegir la memoria RAM adecuada para tu
placa base.
Algunos mdulos incorporan disipadores de aluminio que mejoran la refrigeracin
de los chips de memoria, pero tambin elevan su altura y pueden llegar a tocar con
el disipador que refrigera el procesador.
Por lo tanto, a la hora de elegir los mdulos de memoria, ten en cuenta las medidas
de ambos elementos ya que unas memorias demasiado altas podran impedir la
instalacin de un disipador sobredimensionado para el procesador.
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Latencias en la RAM
Junto a la frecuencia, otro de los parmetros que
tienes que tener en cuenta a la hora de elegir la
memoria RAM adecuada para tu ordenador son las
latencias de la memoria.
La estructura interna de la memoria RAM es como
la de un tablero de ajedrez tridimensional en el
que cada cuadro del tablero es una celda en la que
se escriben los datos que se almacenan.
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CaracterIsticas de la
memoria principal (RAM)
Un sistema de memoria se puede clasificar en funcin de muy diversas
caractersticas. Entre ellas podemos destacar las siguientes: localizacin de la
memoria, capacidad, mtodo de acceso y velocidad de acceso. En el caso de la
memoria RAM (tambin denominada memoria principal o primaria) se puede
realizar la siguiente clasificacin:
Localizacin:
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SIPP
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DIMM
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Memoria SIMM
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DDR4
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Tipo RAM
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RAM
"Random Aleatory Memory", memoria
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EDO RAM
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BEDO RAM
"Burst EDO Random Access Memory",
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DRAM
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SDRAM
"Synchronous Dinamic Random Access
Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio
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RDRAM
"Static Random Access Memory",
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SRAM / Cach
"Static Random Access Memory", memoria
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ROM
"Read Only Memory", memoria de solo
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PROM
"Programmable Read Only Memory",
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EPROM
"Erasable Programmable Read Only Memory",
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EEPROM
"Electrically Erasable Programmable Read Only Memory",
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Tipo Flash
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Flash NAND
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Tipo Swap
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Otros
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Buffer
Soporta informacin que
se encuentra en espera
de ser procesada y una vez
realizado ese proceso, la borra
para esperar nuevos datos, puede
ser espacio asignado en una
memorias RAM o en un disco duro.
"Amortiguador
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LINEA DE TIEMPO DE
LOS CAMBIOS
TECNOLOGICOS EN
LAS MEMORIAS RAM
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FPM-RAM
Aparece actualmente con dos
velocidades de acceso, 60
nanosegundos las ms rpidas y
70 nanosegundos las ms lentas.
Velocidad de transferencia: 200
MB/s
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EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de
la Fast Page; permite empezar a introducir
nuevos datos mientras los anteriores estn
saliendo, lo que la hace algo ms rpida
(un 5%, ms o menos).
Velocidad de transferencia: 320 MB/s
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BEDO-RAM
Velocidad de transferencia:
Ofrece tasas de transferencia
desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s
1997
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SDR SDRAM
Memoria RAM dinmica de acceso
sncrono de tasa de datos simple.
Este tipo de memoria incluye
tecnologa InterLeaving, que permite
que la mitad del mdulo empiece un
acceso mientras la otra mitad est
terminando el anterior.
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PC100
La velocidad de bus de
memoria es de 125 MHz,
temporizacin de 8 ns y
ofrece tasas de
transferencia de hasta 800
MB/s.
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PC133
La velocidad de bus de
memoria es de 133 MHz,
temporizacin de 7,5 ns y
ofrece tasas de
transferencia de hasta
1066 MB/s.
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PC1600 - DDR200
Velocidad de
transferencia 1600
MB/s
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PC2100 - DDR266
Velocidad de
transferencia
2133 MB/s
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PC2100 - DDR266
Velocidad de transferencia
Tecnologa de memoria RAM
DDR que trabaja a una
frecuencia de 333 MHz con un
bus de 166MHz y ofrece una
tasa de transferencia mxima
de 2.7 GB/s.
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PC3200 DDR400
Esta tecnologa de memoria RAM
DDR que trabaja a una frecuencia
de 400 MHz con un bus de
200MHz y ofrece una tasa de
transferencia mxima de 3.2
GB/s.
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PC4800 DDR600
Tecnologa de memoria RAM DDR2
que trabaja a una frecuencia de
600 MHz con un bus de 150MHz y
ofrece una tasa de transferencia
mxima de 4.8 GB/s.
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PC6400 DDR800
Velocidad de transferencia
Tecnologa de memoria RAM
DDR2 que trabaja a una
frecuencia de 800 MHz con
un bus de 200MHz y ofrece
una tasa de transferencia
mxima de 6.4 GB/s.
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DDR3 1066
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DDR3 1800
Velocidad de
transferencia 14.40
GB/s @ 1800 MHz
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DDR3 2000
Velocidad de
transferencia 16.0
GB/s @ 2000 MHz
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Memoria RAM tipo DDR-4, marca Crucial, modelo CT4K16G4RFD4213, capacidad 16 GB.
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Velocidad
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM
es en Mega Hertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene
principalmente una velocidad dada a conocer, a la cul
se tienen que adaptar los dems componentes del resto
del sistema. Bsicamente se present la siguiente:
PC4-17000: 2133 MHz / 2400 Mhz / 2666 Mhz / 2800 Mhz /
3000 Mhz / 4266 Mhz?
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d
un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida
es en nanosegundos (nseg):
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Latencia
CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo
que emplea la memoria en colocarse sobre cierta
celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino".
Este factor est relacionado directamente con la
velocidad de la memoria (Mega Hertz), ya que al
aumentar est, tambin aumenta la latencia.
DDR4 PC4-14900E:
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Latencias (CL)
12-15
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Capacidades de almacenamiento
La unidad prctica para medir la capacidad de
almacenamiento de una memoria DDR-4 es el Giga
Byte (GB). El modelo presentado es el siguiente:
DDR-4 288 terminales en un slo mdulo 2 GB, 4
GB, 8 GB y 16 GB
Se pueden encontrar memorias de "32 GB y hasta
64 GB", sin embargo se trata de Kits, es decir, 2 o
4 mdulos de 16 GB que suman 32 GB y 64 GB
respectivamente
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Usos especficos
Los DDR-4 de 288 terminales es un formato que se
encuentra desarrollada para el uso en sistemas con
soporte X99 Intel Chipset (Haswell), por lo que para
AMD an no esta disponible.
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STICK.
Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria
extrable (memoria flash), comercializado por Sony
en octubre de 1998. El trmino tambin se utiliza
para definir a la familia entera de estos dispositivos
de memoria (Memory Stick). Dentro de dicha familia
se incluye la Memory Stick Pro, una versin
posterior que permite una mayor capacidad de
almacenamiento y velocidades de trasferencia de
archivos ms altas, y la Memory Stick Pro Duo, una
versin de menor tamao que el Memory Stick.
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Memorias de Acceso
Aleatorio RAM
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas
como memorias RAM de la sigla en ingls Random
Access Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/ escritura y
contienen un conjunto de variables de direccin que permiten
seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e
independiente de la posicin en la que se encuentre.
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SRAM
DRAM
VENTAJAS
DESVENTAJAS
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Memoria
Tiempo de Acceso
Ncleo de Ferrita
Cinta Magntica
Disco Magntico
0.3 - 1.0 us
5 ms - 1s
10ms - 50 ms
CD ROM
200 ms 400 ms
2ns 300 ns
0.5ns 30 ns
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Memoria PROM
ROM programable del ingls Programmable Read Only Memory.
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el
proceso de fabricacin, sino que la efecta el usuario y se puede
realizar una sola vez, despus de la cual no se puede borrar o volver a
almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por
destruccin de fusible o por destruccin de unin. Comnmente la
informacin se programa o quema en las diferentes celdas de memoria
aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los buffers
de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada
para fundir los fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a
un fusible de la celda, se almacena un 0 lgico, de lo contrario se
almacena un 1 lgico (estado por defecto), quedando de esta forma la
informacin almacenada de forma permanente
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Memoria EPROM
Del ingls Erasable Read Only Memory.
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Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente del ingls
Electrical Erasable Programmable Read Only Memory.
Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa
MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y
la diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la
EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una
carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y
almacenar la informacin.
El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre
las compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
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Memoria FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede
programar y borrar elctricamente. Se caracteriza por tener alta
capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla,
lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las
EPROM a menor costo que las EEPROM.
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