MEMORIAS

Las memorias pueden ser vistas como un arreglo de renglones y columnas. En el cruce de cada
uno de ellos se encuentra una celda que almacena un dgito binario.
La informacin almacenada en una memoria puede ser permanente o voltil de acuerdo al tipo
de memoria.
Los dispositivos de memoria se identifican en dos grupos:
MEMORIA DE SOLO LECTURA:
ROM (READ ONLY MEMORY).
MEMORIA DE LECTURA Y ESCRITURA:
RAM (RANDOM ACCESS MEMORY).

ROM Memorias de Slo Lectura

Las memorias ROM almacenan informacin permanente, por lo general la informacin
almacenada en una memoria ROM se refiere al cdigo de un programa o informacin fija como
tablas de direcciones y datos.

Mask ROM (ROM de Mscara)

Estas memorias son programadas de manera permanente desde el momento en que son
fabricadas. Uno de los mtodos ms sencillos de fabricacin de este tipo de memorias es
colocando diodos en las intersecciones de rengln y columna.
+5V

+5V

1
0

0
1

0
0

Mask Rom de dos renglones y 4 columnas

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La presencia de un diodo en la interseccin determina un cero en esa posicin, mientras que la

ausencia del diodo determina un uno lgico.
La informacin con que se programa la memoria es proporcionada al fabricante mediante un
listado y de aqu se genera una mscara para la fabricacin de los circuitos en serie, de aqu el
nombre de mask rom.

PROM (Memoria ROM Programable)

Las memorias tipo PROM utilizan el mismo criterio de
fabricacin que la anterior solo que al fabricarla son
colocados todos los diodos en el circuito, de tal
forma que inicialmente todas las celdas contienen un
cero. En este caso cada diodo tiene conectado en
serie un fusible, el cual es fundido mediante un pulso
de programacin, generando la presencia de un uno
en ese bit.

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

Lneas de control:
Seleccin de circuito
Habilitacin de lectura

O1
O2
O3
O4

CE1
CE2

PROM de 256 bits en arreglo de 32 x 8

Adems de las 5 lneas de direccin que generan 32 combinaciones y las 8 lneas de datos, el
circuito contiene una lnea de habilitacin que puede ser empleada para la seleccin del circuito
y la funcin de lectura.
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EPROM (Memoria PROM Borrable)

Esta memoria utiliza como celdas de almacenamiento

transistores de compuerta flotante, esta compuerta al
estar inicialmente descargada, genera un bit 1 lgico en la
salida del transistor.
La memoria se programa cargando la compuerta flotante
mediante un voltaje de programacin que va de los 12 a los
25 volts dependiendo del tipo de circuito.
El borrado de la memoria se realiza descargando la
compuerta
compuerta flotante al hacer incidir luz
ultravioleta a travs de la ventana de cristal.

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A 10

lneas de control:
Seleccin de circuito
habilitacin de lectura
habilitacin de programacin

O0
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7

CE
OE
V PP

EPROM de 8,192 bits en arreglo de 1 K x 8

La memoria EPROM tiene adems de las lneas de direccionamiento y de datos, lneas de

control que deben ser habilitadas para la seleccin del circuito y la funcin de lectura. Cuando
va a programarse se requiere un pulso en la lnea VPP cuyo tiempo de duracin esta
especificado por el fabricante. Cuando la memoria est en modo de lectura, la lnea VPP debe
permanecer conectada a 5 volts.

EEPROM (Memoria PROM Borrable Elctricamente)

Este tipo de memoria es similar a la EPROM con la diferencia que es borrada por pulsos
elctricos en lugar de luz ultravioleta, esto permite borrarla sin desmontarla del circuito donde
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se encuentra instalada, lo que la hace ms prctica que la EPROM, sin embargo no est
diseada para almacenar altas densidades de informacin.
RAM Memoria de Lectura y Escritura
Las memorias RAM son empleadas para almacenar informacin temporal, esta puede
representar cdigos de programas que sern ejecutados y borrados posteriormente, as como
datos y variables temporales.
Una vez que la energa es retirada del sistema, toda la informacin almacenada en la memoria
RAM es destruida por lo que se dice que son memorias de informacin voltil.

Flip- flops como dispositivos de memoria.

Un dispositivo de memoria para lectura y escritura de datos puede ser elaborado por medio de
un simple flip-flop, la informacin puede ser escrita colocando esta en la lnea de datos y
aplicando un pulso en la entrada de reloj.
La informacin es registrada en la lnea de salida Q del flip-flop desde donde puede ser ledo.
Los datos pueden ser modificados simplemente al colocar nueva informacin en la entrada y
disparando un nuevo pulso en la lnea de reloj.
Este tipo de memoria es voltil debido a que si la fuente de alimentacin se apaga, el dato se
pierde, el estado en la salida Q del flip-flop cuando la alimentacin regresa es impredecible.
Un grupo de flip-flops agrupados como un registro puede ser empleado para almacenar datos
binarios como un byte o palabra, el nmero de bytes o palabras depender del nmero de
registros disponibles en el circuito de memoria.

Memorias RAM Bipolares.

Los flip-flops tipo D emplean demasiado espacio y disipan mucha potencia, debido a esto no es
posible fabricar memorias empleando este tipo de dispositivos a menos que se considere una
pequea cantidad de localidades de almacenamiento.
Para obtener una mayor capacidad de almacenamiento es posible la elaboracin de celdas con
tecnologa bipolar en arreglos matriciales donde cada celda puede ser accesada ya sea para
lectura o escritura sin afectar cualquier otra localidad del arreglo matricial, de aqu viene el
nombre de memoria de acceso aleatorio
Memorias RAM Estticas.

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Las ventajas de emplear tecnologa MOS son utilizadas en la fabricacin de este tipo de
dispositivos que operan de la misma manera que las memorias TTL. En aplicaciones donde los
datos deben ser salvados durante una falla de energa se emplea otro tipo de memorias RAM
estticas pero con tecnologa CMOS donde su pequea corriente de drenado permite el empleo
de bateras como fuente de respaldo.

Memorias RAM Dinmicas.

A diferencia de las memorias estticas que almacenan datos en latches, las celdas en una
memoria RAM DINAMICA almacena los datos como cargas en pequeos capacitores. Debido a
esto, las celdas en una memoria dinmica requieren de un proceso de refresco peridico de 2
ms. o menos.
Las ventajas de las memorias dinmicas sin embargo es que son ms pequeas que las estticas
y generan un bajo consumo de potencia.
Este tipo de memorias usualmente maneja el acceso a sus localidades mediante un sistema de
multiplexado de seales de direccin con la finalidad de disminuir el nmero de terminales del
circuito. Generalmente se observar la presencia de las seales RAS y CAS para controlar el
multiplexaje de direcciones a travs de la seleccin de renglones y columnas del arreglo
matricial del circuito de memoria.

Capacidad de Almacenamiento de Memoria

La capacidad de almacenamiento de un circuito de memoria est determinado por la cantidad
de celdas que contiene. Esta se calcula multiplicando el nmero de localidades por el nmero
de celdas que contiene cada localidad.
El nmero de celdas de cada localidad lo determina las lneas de datos con que dispone el
circuito y el nmero de localidades se calcula sabiendo el nmero de lneas de
direccionamiento con que cuenta el circuito.
Para un circuito de memoria cuyo arreglo matricial se indica como 2K x 8,
2 X = 2K
puesto que 1K = 1,024, entonces:
2.x = 2,048 por lo que x = 11.

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X representa el nmero de lneas de direccionamiento del circuito, correspondiendo en este

caso a las variables A0 a A10.
La cantidad de celdas por cada localidad de memoria la determina las lneas de datos con que
dispone el circuito. Para el arreglo 2K x 8 se considera que el nmero de celdas que contiene
cada localidad es de 8 correspondiendo a las lneas D0 a D7 del circuito.
El nmero total de celdas para este arreglo se calcula como
No. Total de celdas = 2,048 x 8
=
16,384
Puesto que 1 K = 1,024;
16,384/1,024 = 16
El circuito de memoria tiene capacidad de 16 Kbits, distribuidos en un arreglo de 2 K x 8.
De la misma forma, para una memoria 512 x 4, el nmero de localidades del circuito est
determinado por:
2 X = No. de localidades
donde x es igual al nmero de lneas de direccionamiento, que en este caso son 9 ( A0 A8)
por lo que 2 9 = 512 localidades
La cantidad de celdas por localidad la determinan las lneas de datos siendo en este caso 4 (D0
D3).
El nmero total de celdas

= 512 x 4
= 2,048

Puesto que 1 K = 1,024;

2,048/1,024 = 2
El circuito de memoria empleado tiene capacidad de 2 Kbits, distribuidos en un arreglo de 512
x 4.
Para un circuito de memoria 16 K x 1, el nmero de localidades se calcula:
2 X = No. de localidades
donde x es igual a 14 ( A0 A13)
por lo que 2 14 = 16,384 localidades

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La cantidad de celdas por localidad la determinan las lneas de datos siendo en este caso 1
(D0).
El nmero total de celdas

= 16,384 x 1
= 16,384

Puesto que 1 K = 1,024;

16,384/1,024 = 16
Este circuito de memoria tiene capacidad de 16 Kbits, distribuidos en un arreglo de 16 K x 1.

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