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Universidade Metodista de Angola

Faculdade de Engenharia
Engenharia Mecatrnica

TEMA: Efeitos associados as


formas de energia e os respectivo
tipos de sensores

3 ano
Turno: Manh

Luanda,10 de Junho de 2016

Integrantes do grupo:
Augusto Miranda n 20603
Bruno da Silva n 18433
Paulo Mavueta n 18818
Soares da Silva n 15740
Sofia da Silva n 19026

INTRODUO
Nesse trabalho ns temos como tema: Efeitos associados as formas
de energia e os respectivo tipos de sensores.
Energia um termo que deriva do grego "ergos" cujo significado
original trabalho. Energia na Fsica est associado capacidade de
qualquer corpo produzir trabalho, aco ou movimento.
O conceito de energia utilizado no sentido corrente para designar o vigor,
a firmeza e a fora.

FORMAS DE ENERGIA

Existem varias formas de energia, entre elas existem:


Energia Luminosa: uma parcela limitada da energia
electromagntica, conhecida como luz visvel, e est compreendida entre
as frequncias do vermelho e do violeta. exactamente a frequncia da
cor que identifica o tipo ou a quantidade de energia que um raio
luminoso possui. Assim, as cores de maior frequncia tm maior energia
(as prximas ao violeta) e as de menor frequncia, menor energia
(prximas do vermelho)".
A energia luminosa ou fotnica (devido aos fotes menor poro de
energia electromagntica) definida pelo produto de uma constante, que
leva o nome de seu idealizador, Max Plank (1900): E = h. f , ou seja, a
energia de determinado raio luminoso, ou onda electromagntica, uma
funo exclusiva da frequncia que o constitui esta a teoria que cria
uma nova viso na Fsica, a teoria quntica; desta forma, podemos dizer
que a luz, e sua energia, quantizada; de outra forma: possui valor mnimo
inteiro proporcional a sua frequncia.
Alguns equipamentos, chamados de clulas fotovolticas, transformam essa
energia luminosa oriunda do Sol em energia elctrica, atravs do fenmeno
fsico definido por Einstein (que lhe rendeu o prmio Nobel), conhecido
como efeito fotoelctrico.
Energia Mecnica: a energia que pode ser transferida por meio de
fora. A energia mecnica total de um sistema a soma da energia cintica,
relacionada ao movimento de um corpo, com a energia potencial,
relacionada ao armazenamento podendo ser gravitacional ou elstica.
Energia Trmica: uma forma de energia que est directamente
associada temperatura absoluta de um sistema, e corresponde
classicamente soma das energias cinticas microscpicas que suas
partculas constituintes possuem em virtude de seus movimentos

de translao, vibrao ou rotao. Assume-se um referencial inercial sob


o centro de massa do sistema. Em sistemas onde h radiao trmica
confinada, a energia de tal radiao tambm integra a energia trmica. A
energia trmica de um corpo macroscpico corresponde assim soma das
energias cinticas de seus constituintes microscpicos e das energias
atreladas s partculas de radiao (fotes trmicos) por ele confinadas.
transferncia de energia, impelida por uma diferena de temperaturas, de
um sistema termodinmico a outro, d-se o nome de calor.
Energia Magntica: a energia do magnetismo. Os ms tm uma
fora que os faz atrair outros ims ou metais. Ims se atraem, mas os ims
tm plos de carga positiva e negativa. O lado positivo atrai o plo
negativo e vice-versa. Mas positivo no atrai positivo e negativo no atrai
negativo. Eles se repelem.
Energia Qumica: A energia qumica uma energia baseada na
fora de atrao e repulso nas ligaes qumicas, presente na matria que
forma tudo que esta nossa a volta, inclusive o nosso corpo. Essas ligaes
so estveis em condies normais. Essas condies so, entre outras
coisas, temperatura ambiente, presso normal e outros factores que formam
a condio normal do ambiente onde vivemos. Para que se haja a
utilizao da energia qumica, preciso que haja uma interferncia externa
forte o suficiente para que se rompam essas ligaes. Quando acontece esse
rompimento, a energia liberada pode se manifestar de vrias formas
diferentes. Elas podem ser liberadas em forma de calor, luz, etc.

Sabendo dessas energias ns iremos falar especificamente sobre a


Energia Luminosa.

ENERGIA LUMINOSA

Os efeitos das energia luminosa so:

Efeito fotovoltaico a criao de tenso elctrica ou de uma corrente


elctrica correspondente num material, aps a sua exposio luz. Embora
o efeito fotovoltaico esteja directamente relacionado com o efeito
fotoelctrico, trata-se de processos diferentes. No efeito fotoelctrico,
os electres so ejectados da superfcie de um material aps exposio a
radiao com energia suficiente. O efeito fotovoltaico diferente por os
electres gerados serem transferidos entre bandas diferentes (das bandas de
valncia para bandas de conduo) dentro do prprio material, resultando
no desenvolvimento de tenso elctrica entre dois elctrodos.
Na maioria das aplicaes fotovoltaicas a radiao a luz solar e por esta
razo os aparatos so conhecidos como clulas solares. No caso de
uma clula solar de juno PN, a iluminao do material cria uma corrente
elctrica medida que os electres excitados e os buracos remanescentes
so arrastados em direces diferentes pelo campo elctrico da regio de
depleo.

Efeito Fotocondutividade a propriedade que certos materiais apresentam


d se tornarem condutores pela aco da luz, estuda cristais fotorrefrativos,
que apresentam duas propriedades: a fotocondutividade e a mudana do
ndice de refraco por um campo elctrico gerado pela aco da
fotocondutividade. A combinao desses efeitos faz com que esses cristais
possam ser utilizados para gravar grande quantidade de informaes e
imagens, sobretudo na forma de hologramas, o que permitir seu uso como
memrias pticas e como processadores de imagens e sinais para, por
exemplo, medir vibraes mecnicas.

Efeito Fotoluminescncia designa-se sob o nome de luminescncia a


emisso de uma radiao visvel (ou de uma radiao electromagntica de
comprimento de onda prximo) por um modo de excitao diverso da
excitao trmica. Assim que se distinguem a catodoluminescncia,
produzida por um bombardeio electrnico (utilizada no osciloscpio
catdico), a triboluminescncia, devida a aces mecnicas, a
quimiluminescncia, que acompanha certas reaces qumicas, etc.

Efeito Electroluminescncia um processo pelo qual a luminescncia


gerada enquanto uma corrente eltrica flui atravs de um dispositivo
optoeletrnico. Existem dois principais tipos de dispositivos:
1-Diodos de emisso de luz
2-Lasers de semicondutores.
Diodos emissores de luz
As regies em p e n em um LED so altamente dopadas para produzir
distribuies degeneradas de buracos na regio p e eltrons na regio n. No
equilbrio trmico, com tenso nula aplicada sobe o dispositivo, a energia
de Fermi deve ser a mesma em todos os pontos do dispositivo. As bandas
se alinham com as energias de Fermi das regies p e n na mesma energia.
Na juno, forma-se uma regio de depleo, onde no h presena de
eltrons e buracos. Nestas condies, no h emisso de luz porque no h
populao significante de eltrons e buracos dentro do dispositivo.
Quando uma tenso de V0~Eg/e aplicada sobre o dispositivo para produzir
uma corrente promove desvios nos nveis de Fermi. A regio de depleo
diminui, permitindo a difuso dos eltrons das regies n para regies p e
vice-versa e criando uma regio na juno onde eltrons e buracos esto
presentes. Os eltrons recombinam com os buracos, emitindo ftons de
energia Eg por luminescncia interbanda. Os eltrons e buracos o qual se
recombinam so reabastecidos pela corrente que flui atravs do dispositivo
do circuito externo.
Lasers de semicondutores
Lasers de semicondutores, apesar da dificuldade de fabricao, o
desempenho desses dispositivos so superiores aos LEDs, portanto,
empregado em aplicaes de maior necessidade de eficincia. Os principais
materiais utilizados para fabricao so baseados em GaAs (Arseneto de
Glio), operando em regies espectrais do infravermelho e infravermelho
prximo. Uma novidade tecnolgica recente so os lasers azuis, fabricado
com materiais baseados em nitrato. A palavra laser vem de Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Isso quer dizer que os

lasers so dispositivos baseados em emisso estimulada da luz. Na emisso


estimulada, h um aumento do nmero de fotes quando a luz interage com
os tomos do meio, ou seja, este processo causa amplificao do feixe
luminoso, ao contrrio da absoro, onde o h diminuio dos fotes.
Considerando esquematicamente um laser em equilbrio trmico, a
populao do nvel de energia menor N1 maior que a populao do nvel
de maior energia N2, ou seja, N1 > N2. Isso significa que a taxa de absoro
excede a taxa de emisso estimulada resultando em uma atenuao do
feixe. Modelando o dispositivo de tal forma que a populao de maior
energia N2 seja maior que a populao de menor energia N1, a taxa de
emisso estimulada da luz seria superior taxa de absoro e, portanto, o
feixe seria amplificado. Esta condio se chama inverso de populao,
pois neste caso N2 > N1. Um tpico arranjo para um laser de diodo
formado apenas por um chip semicondutor. As refletividades das
superfcies nas extremidades do cristal tm rendimento de
aproximadamente 30%, considerado que, a refletividade em uma das
extremidades deve ser muito superior a segunda extremidade.

Efeito Incandescncia: um dispositivo elctrico que transforma energia


elctrica em energia luminosa e energia trmica atravs do efeito Joule.
Dada a sua simplicidade, foi o primeiro dispositivo prtico que permitiu
utilizar electricidade para iluminao, sendo durante as primeiras dcadas
de uso comercial da energia elctrica a principal forma de consumo daquela
forma de energia.
E ns dentro da Energia Luminosa vamos falar sobre o efeito
fotoelectricidade.
Efeito Fotoeltrico a emisso de electres por um material, geralmente
metlico, quando exposto a uma radiao electromagntica (como a luz) de
frequncia suficientemente alta, que depende do material. Ele pode ser
observado quando a luz incide numa placa de metal, literalmente
arrancando electres da placa. Os electres ejectados so
denominados fotoeltres, e a radiao electromagntica usada ,
geralmente, a radiao ultravioleta. Observado pela primeira vez por A. E.
Becquerel em 1839 e confirmado por Heinrich Hertz em 1887, o fenmeno
so tambm conhecidos por "efeito Hertz", no sendo porm este termo de
uso comum.
De acordo com o modelo ondulatrio da luz, as expectativas eram:

Qualquer superfcie metlica deveria ejectar electres quando excitada com


uma radiao electromagntica, de qualquer frequncia, desde que essa
radiao demorasse um tempo suficiente para o tomo armazenar energia e
liberar, posteriormente, esse electro; Os electres que giram volta do
ncleo atmico so a mantidos por foras de atraco. Se a estes for
fornecida energia suficiente, eles abandonaro as suas rbitas. O efeito
fotoelctrico implica que, normalmente sobre metais, se faa incidir um
feixe de radiao com energia superior energia de remoo dos electres
do metal, provocando a sua sada das rbitas: sem energia cintica (se a
energia da radiao for igual energia de remoo) ou com energia
cintica, se a energia da radiao exceder a energia de remoo dos
electres.
Para testar essas ideias, os cientistas montaram um experimento.
A grande dvida que se tinha a respeito do efeito fotoelctrico era
que quando se aumentava a intensidade da luz, ao contrrio do esperado, a
luz no arrancava os electres do metal com maior energia cintica. O que
acontecia era que uma maior quantidade de electres era ejectada.
Por exemplo, a luz vermelha de baixa frequncia estimula os electres para
fora de uma pea de metal. Na viso clssica, a luz uma onda contnua
cuja energia est espalhada sobre a onda. Todavia, quando a luz fica mais
intensa, mais electres so ejectados, contradizendo, assim a viso da fsica
clssica que sugere que os mesmos deveriam se mover mais rpido (energia
cintica) do que as ondas.
Quando a luz incidente de cor azul, essa mudana resulta em
electres muito mais rpidos. A razo que a luz pode se comportar no
apenas como ondas contnuas, mas tambm como feixes discretos de
energia chamados de fotes. Um foto azul, por exemplo, contm mais
energia do que um foto vermelho. Assim, o foto azul age essencialmente
como uma "bola de bilhar" com mais energia, desta forma transmitindo
maior movimento a um electro. Esta interpretao corpuscular da luz
tambm explica por que a maior intensidade aumenta o nmero de
electres ejectados - com mais fotes colidindo no metal, mais electres
tm probabilidade de serem atingidos.
Aumentar a intensidade de radiao que provoca o efeito
fotoelctrico no aumenta a velocidade dos fotoelectres, mas aumenta o
nmero de fotoelectres. Para se aumentar a velocidade dos fotoelectres,
necessrio excitar a placa com radiaes de frequncias maiores e,
portanto, energias mais elevadas.
A explicao satisfatria para esse efeito foi dada em 1905,
por Albert Einste in, e em 1921 deu ao cientista alemo o prmio Nobel de
Fsica.
Equaes

Analisando o efeito fotoelctrico quantitativamente usando o mtodo


de Einstein, as seguintes equaes equivalentes so usadas:
Energia dos fotes = Energia necessria para remover um eltres +
Energia cintica do electro emitido
Algebricamente:
onde
h a constante de Planck,
f a frequncia do foto incidente,
a funo trabalho, ou energia mnima exigida para remover um
electro de sua ligao atmica,
a energia cintica mxima dos electres expelidos,
f0 a frequncia mnima para o efeito fotoelctrico ocorrer,
m a massa de repouso do electro expelido, e
vm a velocidade dos electres expelidos.
Tipos de sensores no efeito fotoelctrico
Os sensores fotoeltricos, tambm conhecidos por sensores pticos,
manipulam a luz de forma a detectar a presena do acionador, que na
maioria das aplicaes o prprio produto a ser detectado.

Principio de Funcionamento
Baseiam-se na transmisso e recepo de luz (dependendo do
modelo no espectro, visvel ou invisvel ao ser humano), que pode ser
reflectida ou interrompida por um objecto a ser detectado.
Os fotoelctricos so compostos por dois circuitos bsicos: um
responsvel pela emisso do feixe de luz, denominado transmissor (LED),
e outro responsvel pela recepo do feixe de luz, denominado receptor
(transstor).
O transmissor envia o feixe de luz atravs de um LED, que emite flashes,
com alta potncia e curta durao, para evitar que o receptor confunda a luz
emitida pelo transmissor com a iluminao ambiente. Mostra-se na figura 1
o princpio de funcionamento de um sensor fotoeletrnico.

Figura 1. Circuito sensor fotoeltrico

O receptor composto por um fototransistor que detecta a incidncia


de luz. A corrente gerada pela luz na juno amplificada pelo transstor,
como se fosse uma corrente de base convencional. A corrente de colector
do fototransistor , portanto, proporcional a intensidade luminosa incidente
sobre o componente.
Existem trs tipos de construo de sensores fotoelctricos :
1. Sistema por barreira: O transmissor e o receptor ta em unidades
distintas e devem ser dispostos um de frente do outro para que o
feixe emitido alcance o circuito receptor. No sistema o sensor
accionado quando o feixe for interrompido ou desviado por um
objecto.

Figura 2. Sistema por barreira.

2. Sistema foto sensor: O transmissor e o receptor esto na mesma


unidade sensora, porm deslocados (um abaixo do outro) o sensor s
ser acionado se o objeto a ser detectado reflete a luz emitida pelo
emissor direcionando para o receptor. Devido a esta caracterstica, a
distncia sensora varia de material para material.

Figura 3. Sistema foto sensor

3. Sistema reflectivo com espelho prismtico: O transmissor e o


receptor esto numa mesma unidade e o feixe de luz enviado pelo
emissor reflectido por um espelho prismtico alcanando o
receptor. Quando um material interrompe o feixe de luz, o sensor
actua. A distncia de operao depende da intensidade da luz emitida
e da quantidade reflectida.

Figura 4. Sistema refletivo com espelho prismtico.

Os

LEDs (Light Emitting Diode)

O LED um dodo semicondutor (juno p-n), no qual, ao aplicarmos


um potencial, podemos inverter o efeito fotoelctrico, e a partir dos
electres podem ser gerados os fotes. Esses fotes gerados podem variar
de cor com a frequncia, e podem variar de frequncia dependendo do
material e do potencial aplicado como mostrado no quadro 1. Dessa forma
so formados os LEDs ou dodos emissores de luz, e esses apresentam
inmeras aplicaes no mercado tecnolgico 2.

Quadro 1: Cor de LEDs de acordo com o material e comprimento de onda.

Principio de funcionamento do LED

Como j mencionado acima o LED um dodo emissor de luz onde


sendo este constitudo pela juno de um semicondutor do tipo P (quando
os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor exibem
deficincia de um electro de valncia relativamente ao nmero de
electres da camada mais externa de cada tomo do cristal).

Figura 6. Dopagem do cristal silcio com tomos de Fsforo.

E ainda um semicondutor do tipo N (quando tomos contendo excesso de


um ou mais electres na camada de valncia, pois nesses materiais a
corrente elctrica conduzida predominantemente por cargas negativas).

Figura 7. Dopagem do cristal de silcio com tomos de ndio.

Assim constituindo a juno PN como mostrado na figura abaixo.

Figura 8. Juno PN

Figura 9. Zona de depelao

Durante o processo de difuso, parte dos electres livres se


recombinam com lacunas na regio prxima juno. A diminuio do
nmero de electres livres existentes inicialmente do lado n que
conseguiram se difundir e recombinar com as lacunas no lado p produz
uma regio de cargas positivas do lado n e negativas do lado p da juno.
Conforme ilustrado na figura 9 as cargas produzidas nas proximidades da
juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima
juno denominada regio de cargas descobertas ou regio de depleo.
Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de electres
para o lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente
carregada do lado p 5. Em uma zona vazia, o material semicondutor volta
ao seu estado isolante original - todos os buracos esto preenchidos, de
modo que no haja electres livres ou espaos vazios para electres, e
assim a carga no pode fluir. Para que electres se movam da rea tipo-N
para a rea tipo-P e que buracos se movam no sentido inverso conecta - se
o lado tipo-N do dodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P
ao terminal positivo. Os electres livres no material tipo-N so repelidos
pelo elctrodo negativo e atrados para o elctrodo positivo. Os buracos no
material tipo-P se movem no sentido contrrio. Quando a diferena de
potencial entre os elctrodos alta os suficientes, os electres na zona vazia
so retirados de seus buracos e comeam a se mover livremente de novo. A
zona vazia desaparece e a carga se move atravs do dodo.

Figura 10.Gerao de Carga

Figura 11. Omisso de carga

Ao tentar mover a corrente no sentido oposto, com o lado tipo-P


conectado ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao
plo positivo, a corrente no fluir, pois haver atraco entre a cargas
aumentando a zona vazia (Figura 11) . medida que os electres e buracos
interagem eles irradiam energia na forma de fotes, ou seja, luz.
APLICAES
Apresenta-se abaixo algumas das aplicaes de LEDs e SENSORES
FOTOELTRICOS:

Figura 12. Semforo

Figura 14. Rel Figura

Figura 13. Controles

15. Leitores de Cdigo de barras

O LED utilizado principalmente na sinalizao, empregado em


equipamentos de controles, televisores, telefones, interruptores, painis
informativos, leitores de cdigo de barras e etc.; actualmente, o LED est
sendo empregado em larga escala na sinalizao pblica de trnsito e na
indstria automobilstica, por substituir com maior economia a lmpada
incandescente que era utilizada para tais finalidades. Os sensores
fotoelctricos so utilizados em uma ampla gama de aplicaes em rels
fotoelctricos, dispositivos de segurana, sistemas de controles de
mercadorias entre outros.
Os sensores fotoelctricos so em si equipamentos versteis e de
funes incrveis principalmente por que utiliza-se de fonte de energia a
luz.

CONCLUSO
Chegamos a que graas a descoberta feita por Heinrich Hertz em 1887, o
Efeito Fotoelctrico o fenmeno que consiste na remoo de electres da
superfcie de certos materiais, quando iluminada com radiao
electromagntica de determinada frequncia. A energia cintica mxima
dos fotoelctres depende da frequncia da luz e do material iluminado.
Para um mesmo material, quanto maior a frequncia da luz, maior a
energia dos fotoelctres independente da intensidade luminosa. Luz mais
intensa apenas arranca mais electres, gerando maior corrente
fotoelctrica.