24/02/2016

COMPONENTES
ELECTRNICOS ACTIVOS
T E MA 7

Componentes electrnico activos

2

Componente

electrnico activo: componente de

comportamiento no lineal.
Relacin no lineal entre la tensin aplicada y la corriente
suministrada.
Controlan tensiones e intensidades.
Realizan acciones de amplificacin o como conmutadores.
Equipos que usan componentes activos:
Amplificadores de audio y vdeo.
Sistemas de control.
Robtica.
Ordenadores.

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Componentes electrnico activos

3

Tipos de componentes activos:

Componentes individuales: diodo, transistor, tiristor,

triac y diac.
Componentes integrados:
Amplificadores operacionales.
Microprocesadores: componente principal de los
ordenadores.

El semiconductor. La unin PN
4

Los componentes electrnicos activos se basan en el uso de

materiales semiconductores.
Comportamiento de los semiconductores:

Aislante: no conduce la electricidad.

Conductor: conducen la electricidad en funcin de ciertas
condiciones (tensin aplicada en sus extremos, temperatura, etc.)
Tipos de cargas en los semiconductores:
1.
Electrones libres: cargas negativas en movimiento.
2. Huecos: cargas positivas en movimiento.
Materiales empleados en la fabricacin de componentes
semiconductores:
Germanio (Ge): elemento qumico con 4 electrones de valencia.
Silicio (Si): elemento qumico con 4 electrones de valencia.

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El semiconductor. La unin PN
5

Tipos de semiconductores:
1.

2.

Semiconductor intrnseco: formado por tomos

iguales (Si o Ge).
Su conductividad depende de la temperatura.
Semiconductor
extrnseco:
semiconductor
intrnseco de Si o Ge con otros tomos distintos para
mejorar la conductividad.
Impureza:
tomos
distintos
aadidos
al
semiconductor.
Dopado:
proceso de aadir impurezas a un
semiconductor intrnseco.

El semiconductor. La unin PN
6

Tipos de semiconductores extrnsecos:

1.

2.

Semiconductor tipo N: dopado con tomos de 5

electrones de valencia (Antimonio, Fsforo, Arsnico)
llamados donadores.
Mayor cantidad de portadores de carga negativa
(electrones libres).
Semiconductor tipo P: dopado con tomos de 3
electrones de valencia (Boro, Galio, Indio) llamados
aceptores.
Mayor cantidad de portadores de carga positiva
(huecos).

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El semiconductor. La unin PN
7

Unin PN: cristal semiconductor con una mitad de tipo N y la otra

mitad de tipo P.
Mitad N: ms electrones que huecos.
Mitad P: ms huecos que electrones.
Barrera de potencial: zona alrededor de la unin.

Fenmeno d e difusin: los electrones libres de N se pasan a la

zona P y se combinan con los huecos .
Crean iones positivos en la zona N.
Crean iones negativos en la zona P.
Impiden el paso de la corriente.

Tensin mnima en los extremos de la unin PN para conducir la

corriente:
Germanio: 0,3 V.
Silicio: 0,7 V.

El diodo semiconductor
8
Diodo semiconductor: componente electrnico que solo deja pasar

la corriente en un sentido.
Aplicaciones de los diodos:
1.
Proteccin de circuitos: debido a su cualidad de permitir el
paso de la corriente en un solo sentido.
2.

3.

Dispositivos de computaci n: debido a que pueden manejar

grandes corrientes.
Demodulacin en los receptores de radio: diodos muy
pequeos que manejan corrientes bajas.

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El diodo semiconductor
9

Terminales del diodo:

nodo (A): terminal

semiconductor P.
2. Ctodo
(K): terminal
semiconductor N
Smbolo del diodo:
1.

positivo

conectado

al

negativo

conectado

al

Polarizacin directa de un diodo

10
Polarizacin directa del diodo:

El nodo (zona P) esta conectado con el terminal positivo de la fuente.

2.
El ctodo (zona N) esta conectado con el terminal negativo de la fuente.
Si la tensin de la fuente es mayor que la barrera de potencial:
Los huecos de la zona P se mueve hacia el polo negativo de la fuente
saltando la barrera de potencial.
Los electrones libres de la zona N hacia el polo positivo de la fuente
saltando la barrera de potencial.
Circula una corriente (corriente directa: IF).
Si la tensin del generador es menor que la barrera de potencial no hay
corriente.
Si el diodo esta polarizado directamente:
Equivale a una pila de valor V F (tensin directa).
Acta como un interruptor cerrado.
1.

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Polarizacin inversa de un diodo

11

Polarizacin inversa del diodo:

El nodo (zona P) esta conectado con el terminal negativo de la fuente.

El ctodo (zona N) esta conectado con el terminal positivo de la fuente.
En la polarizacin inversa del diodo:
Los huecos de la zona P se mueve hacia el polo negativo de la fuente sin
atravesar la barrera de potencial.
Los electrones libres de la zona N hacia el polo positivo de la fuente sin
atravesar la barrera de potencial.
La barrera de potencial se hace ms grande.
Corriente inversa de saturacin (IR): corriente muy pequea debido a
los portadores minoritarios (huecos en la zona N y electrones libres en la
zona P).
Si el diodo esta polarizado inversamente:
El diodo no conduce (resistencia infinita).
Acta como un interruptor abierto.
1.

2.

Caracterstica tensin-corriente del diodo

12
Caracterstica tensin-

corriente del diodo: grfica que

indica la relacin entre la tensin y
la corriente en un diodo.
Valores caractersticos:
1.
Tensin umbral (VF): tensin
necesaria para compensar la
barrera de potencial del diodo.
2.

Tensin d e ruptura o Zener

(VR):
tensin mxima que
soporta el diodo cuando esta en
polarizacin inversa.

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Tipos de diodos especiales

13

Hay una gran variedad de diodos:

1.
2.

3.
4.

Diodo zener.
Diodo LED.
Diodo varicap.
Fotodiodo.

Diodo zener
14
La caracterstica principal del diodo Zener es trabajar en polarizacin

inversa.
Al aumentar la tensin aplicada al diodo Zener, no aumenta la
tensin Zener que es constante, sino que aumenta la corriente para
mantener constante la tensin Zener.
En polarizacin directa se comporta como un diodo normal.
Entre las aplicaciones ms destacadas del diodo zener es la de

estabilizador de tensin.
Mantiene la tensin constante en las fuentes de alimentacin.
Smbolo de un diodo zener:

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Diodo zener
15

Principales parmetros de un diodo zener:

1.

2.

3.

Tensin de polarizacin inversa o tensin zener

(VZ): tensin que el zener va a mantener constante.
Corriente mnima de funcionamiento (IZmin ):
valor mnimo de corriente inversa para que el zener
funcione en la zona de tensin constante.
Potencia mxima de disipacin (PZ): mxima
potencia de disipacin del diodo Zener en polarizacin
inversa.
Debido a la tensin constante, indica el mximo valor
de la corriente que puede soportar el zener.
Potencia del zener: PZ= VZ IZ

Polarizacin de un diodo zener

16
Polarizacin del diodo zener: clculo de la resistencia de polarizacin

del zener para mantener la tensin de polarizacin y evitar su destruccin.

Condiciones para la correcta polarizacin del diodo zener:

1.

2.

3.

Comprobacin de que la tensin en los extremos del zener es mayor

que la tensin zener (V> VZ).
Comprobacin que la corriente del zener es menor que la corriente
mxima del zener (IZ < IZmx), para evitar su destruccin.
Comprobacin que la corriente del zener es mayor que la corriente
mnima de funcionamiento del zener (IZ > IZmn), para estar en la zona
de ruptura.

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Polarizacin de un diodo zener

17

Datos:
1.
2.

3.
4.

Tensin de la fuente (V).

Tensin del zener (VZ).
Corriente mnima de mantenimiento del zener (IZmn ).
Potencia mxima del zener (PZ).

Polarizacin de un diodo zener

18

Proceso de clculo

Calcular la corriente a travs de la resistencia

de polarizacin aplicando la ley de Ohm:

IZ

Despejar la resistencia de polarizacin de la

ecuacin:

Calcular la intensidad mxima que soporta el

zener:

PZ

VR V VZ
R
R
V VZ
R
IZ

VZ I Zmx

I Zmx

Calcular el valor mximo de la resistencia de

polarizacin:

Rmx

V VZ
I Zmn

Calcular el valor mnimo de la resistencia de

polarizacin:

Rmn

V VZ
I Zmx

PZ
VZ

Escoger una resistencia de valor normalizado entre los valores mximo y

mnimo calculados.

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Diodo LED
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Diodo LED (Light-Emi ting Diode): diodo que produce una

radiacin luminosa (luz) cuando circula una corriente por l.

Comportamiento del diodo LED:

Polarizacin directa: emisin de radiacin luminosa.

Polarizacin inversa: igual que un diodo normal.

Se fabrica en material encapsulado transparente y en diferentes colores
usando arseniuro de galio (GaAs) y fosforo (P).
La radiacin luminosa del LED depende de:
El material semiconductor (color del LED).
La corriente directa (IF) (intensidad de la radiacin).

Smbolo de un diodo LED

Composicin interna
del LED

Diodo LED
20

El material semiconductor del LED determina el color y la

tensin directa de polarizacin para que funcione.
Color del LED

Tensin directa de polarizacin

Infrarrojo

1,3 V

Rojo

1,7 V

Naranja

2,0 V

Amarillo

2,5 V

Verde

2,5 V

Azul

4,0 V

Transparente

2,9 V

10

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Parmetros del diodo LED

21

1. Tensin directa (VD): tensin entre los extremos del

diodo cuando esta polarizado directamente.

Cuando circula la corriente directa est comprendida
entre 1,3 y 4 V.
2. Corriente directa (IF): corriente de excitacin directa
necesaria para que el diodo LED se ilumine.
Suele tomar valores entre 10 y 15 mA.
3. Corriente inversa (IR): mxima corriente que puede
circular por el LED cuando esta en polarizacin inversa.
4. Potencia disipada (PD): mxima potencia de disipacin
permitida en el diodo LED.

Aplicaciones del diodo LED

22
Sealizacin luminoso.
Optoacopladores.
Detectores pticos.
Visualizadores alfanumricos.
1.
Displays de 7 segmentos: conjunto de diodos LED, distribuidos segn la figura.
La distribucin de los segmentos (a, b, c, d, e, f y g) esta normalizada, pudiendo
tener uno o dos puntos decimales (PD).
Cada segmento es un diodo LED, que polarizados convenientemente pueden
representar los diez dgitos (0 al 9) y algunas letras.
Formas de conexionado de los displays:
Ctodo comn: todos los ctodos estn unidos.
nodo comn: todos los nodos estn unidos.
2.
Matrices de LED: conjuntos de diodos LED distribuidos en forma de matriz.
El nmero de LED puede variar entre 3x5, 4x6 7x5.
Semejantes a los displays de siete segmentos.
Pueden representar caracteres alfabticos, numricos, de puntuacin y especiales.

11

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Polarizacin de un diodo LED

23

Polarizacin

del diodo LED: clculo de la resistencia de

polarizacin del LED para mantener la tensin de polarizacin y evitar
su destruccin.

Condiciones para la correcta polarizacin del diodo LED:

1.

2.

3.

Comprobar que la tensin de alimentacin del LED es mayor que la

tensin directa (V > VD).
Comprobar que la corriente del LED es mayor la corriente mnima
de excitacin del LED (ILED > IF), para que se ilumine.
Comprobar que la potencia disipada por el LED es menor que la
mxima potencia de disipacin permitida (PLED < PD), para no
destruirse.

Polarizacin de un diodo LED

24

Proceso de clculo

VR V VD
R
R
V VD
R
I LED

Calcular la corriente a travs de la resistencia

de polarizacin aplicando la ley de Ohm:

I LED

Despejar la resistencia de polarizacin de la

ecuacin:

Calcular la intensidad mxima que soporta el

diodo LED:

PD

VD I Fmx

I Fmx

Calcular el valor mximo de la resistencia de

polarizacin:

Rmx

V VD
IF

Calcular el valor mnimo de la resistencia de

polarizacin:

Rmn

V VD
I Fmx

PD
VD

Escoger una resistencia de valor normalizado (E24) entre los valores

mximo y mnimo calculados.

12

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Diodo varicap
25

Diodo varicap: diodo que se comporta como un condensador.

Tiene la capacidad de variar su capacidad en funcin de la tensin

aplicada.
Se polarizan en inversa:

Al aumentar la tensin inversa, aumenta la barrera de potencial y

disminuye la capacidad de la unin PN.
Aplicaciones de los varicap:
1.
Generadores de armnicos.
2.
Filtros activos.
3.
Circuitos resonantes para sintonizar seales:

Permiten seleccionar una seal de frecuencia especfica.

Smbolo del diodo varicap:

Fotodiodo
26

Fotodiodo: diodo sensible a la incidencia de la luz.

Sensible a la luz visible e infrarroja.
Realiza la funcin inve rsa al diodo LED.
Se polariza inve rsamente.
La corriente circular por el diodo cuando sea excitado por la luz.
Aplicaciones del fotodiodo:
1. Fotodetector: elemento capaz de transformar una magnitud luminosa en
elctrica.
2. Sistemas de alarma (detectores de presencia, etc.).
3. Mandos a distancia por infrarrojos:
Receptor: fotodiodo sensible a la luz infrarroja.
Emisor: diodo LED que irradia luz infrarroja.
4. Fotodiodo infrarrojo: fotodiodo con un filtro para aceptar solo seales
luminosas infrarrojas.
Smbolo de fotodiodo:

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El transistor bipolar
27

Transistor bipolar: dispositivo de 3 terminales

construido mediante dos uniones PN.

Base de la fabricacin de los circuitos integrados.
Aplicaciones de los transistores:

Amplificacin (radio, televisin, instrumentacin,

etc.).
Generacin de seales (osciladores, generadores de
ondas, emisin de radiofrecuencia, etc.).
Osciladores de alta frecuencia para
telecomunicaciones.
Conmutacin (control de rels, fuentes de
alimentacin conmutadas, control de lmparas,
modulacin por anchura de pulsos (PWM), etc.).
Deteccin de la radiacin luminosa (fototransistores).

El transistor bipolar
28
Terminales de un transistor:

Emisor (E): terminal de un extremo que emite electrones.

Colector (C): terminal del otro extremo que recibe los electrones
emitidos por el emisor.

Base (B): terminal central que controla el paso de electrones.

Tipos de transistores

Transistor NPN

Transistor PNP

14

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Tensiones e intensidades de un transistor

29

Corrientes de los transistores:

1.

2.

Corriente de base: IB
Corriente de emisor: IE

Corriente de colector: IC
Tensiones de los transistores:
1.
Tensin base-colector: V BE
2.
Tensin colector-emisor: V CE
3.
Tensin colector-base: V CB
3.

Relacin entre las corrientes del transistor: I E = IB + IC

Relacin entre las tensiones de transistor: V CE = V CB + V BE

Ganancia de corriente del transistor (): relacin entre las

corrientes de colector y base.

= IC/IB

Zonas de funcionamiento de un transistor

30
1.

Zona activa (zona de amplificacin):

Unin base-emisor polarizada en directa.
Unin base-colector polarizada en inversa.
La base controla el flujo de electrones libres entre emisor y
colector.
La polarizacin de la unin base-emisor controla la cantidad de
corriente que pasa por el colector.

15

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Zonas de funcionamiento de un transistor

31

2.

Zona d e saturacin: el transistor se comporta como un interruptor

cerrado.
Uniones base-emisor y base-colector polarizadas directamente,
pero con la tensin base-emisor ligeramente mayor que la tensin
base-colector.
Tensin colector-emisor muy prxima a cero.
Valor mximo de la corriente de colector.

Zonas de funcionamiento de un transistor

32
3.

4.

Zona d e corte: el transistor se comporta como un interruptor

abierto.
Uniones base-emisor y base-colector polarizadas inversamente.
Corrientes del transistor nulas.
Tensin colector-emisor mxima.

Zona de ruptura: el transistor se destruye.

El fabricante facilita los valores mximos que el transistor puede
soportar.

16

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Polarizacin de un transistor
33

Polarizacin de un transistor: aplicacin de las tensiones adecuadas para

que circulen las intensidades deseadas.
Polarizacin de un transistor: eleccin de la zona de trabajo del transistor.
Datos:
Fuente o fuentes de alimentacin (VCC, VBB).
Resistencias del circuito (RB,RE,RC).
Parmetros del transistor (VBE, VCE(sat), PD).
Ecuaciones del circuito de polarizacin:
Ecuacin de corrientes del transistor: I E = I B + I C
Ecuacin de ganancia de corriente : = I C/I B
Ecuacin de potencia del transistor: PD = VCE I C
Ecuacin de la malla de entrada del circuito de polarizacin:
Depende del circuito.
Ecuacin de la malla de salida del circuito de polarizacin:
De pende del circuito.

Polarizacin de un transistor
34

Proceso de polarizacin de un transistor:

Calcular la corriente de base, despejando la ecuacin

entrada.
Calcular la corriente de colector con la ecuacin
ganancia de corriente.
Calcular la corriente de emisor con la ecuacin
corrientes del transistor.
Calcular la tensin colector-emisor despejando
ecuacin de salida.
Calcular la potencia del transistor con la ecuacin
potencia.

de

de
de
la
de

17

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Polarizacin de un transistor
35

Determinar la zona de funcionamiento del transistor:

1.

Zona de ruptura:
La potencia que consume el transistor es mayor que la indicada por el
fabricante.
Zona de corte:
Las corrientes del transistor son cero.
La tensin colector-emisor es casi igual a la tensin de alimentacin.
Zona de saturacin:
La tensin colector-emisor es menor o igual que la tensin colectoremisor de saturacin indicada por el fabricante.
Zona activa:
Las corrientes del transistor son distintas de cero.
La tensin colector-emisor es mayor que la tensin colector-emisor de
saturacin.

2.

3.

4.

Transistor unipolar
36
Transistor unipolar: transistor que depende su funcionamiento de

un solo tipo de portadores.

Tipos de transistores unipolares:
FET de unin: canal N y canal P.

MOSFET de enriquecimiento: canal N y canal P.

MOSFET de empobrecimiento: canal N y canal P.
Terminales de un transistor unipolar:
Fuente o Surtidor (S): terminal por donde entran los portadores
provenientes de la fuente externa.
Puerta o Compuerta (G): terminal conectado a las zonas a ambos
lados del canal para controlar el paso de portadores.

Drenador o Sumidero (D): terminal por donde salen los

portadores, una vez atravesado el canal.

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Zonas de funcionamiento de
un transistor unipolar
37

1. Zona de ruptura: los valores de tensin o potencia

superan las mximos permitidos (destruccin del

transistor unipolar).
2. Zona de corte: el transistor unipolar se comporta como
un interruptor abierto y no circula corriente por el canal.
3. Zona hmica: el transistor se comporta como una
resistencia, donde la relacin entre intensidad y la tensin
cumple la ley de OHM.
4. Zona de saturacin: el transistor se comporta como un
interruptor cerrado.
Es la zona de amplificacin de los transistores
unipolares.

El tiristor
38

Tiristor: dispositivo semiconductor formado por 3 uniones PN.

Funcionamiento:
Semejante a un conmutador ideal.
Los tiristores reales tienen ciertas caractersticas y limitaciones.
Tiene dos estados estables de funcionamiento:
Conduccin.
No conduccin.
Aplicaciones:
Circuitos electrnicos de potencia.
Terminales de un tiristor:
nodo (A).
Ctodo (K).
Puerta (G): controla el paso de la corriente entre nodo y ctodo
Smbolo de un tiristor:

19

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Componentes comerciales.
Encapsulados de diodos, transistores y tiristores
39

En el mercado hay numerosos componentes

comerciales para diodos, transistores y tiristores.

Los fabricantes facilitan unas hojas con las
caractersticas de los componentes.

Diodos
40

El encapsulado determina ciertas caractersticas de los

dispositivos.
La potencia que pueden disipar.
Dispositivos con el mismo encapsulado disipan la misma
potencia.
A partir de 1 W, los encapsulados son metlicos.
Para grandes potencias, tienen la posibilidad de acoplar
sistema de refrigeracin (disipadores o ventiladores).
Las hojas de caractersticas que facilita el fabricante indican
los principales parmetros de dispositivos.

20

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Diodos
41

Tipos de encapsulado de los diodos

DO-5

DO-35

DO-41

TO-220AC

TO-3

PWRTAB

PWRTABS

SOT-223

SMA

SMB

SMC

D618sl

D2pak

Dpak

TO-200AB

TO-200AC

Comprobacin del estado de

un diodo mediante un polmetro
42

Para comprobar el estado de un diodo se usa el polmetro en funcin de

hmetro (medida de resistencia elctrica).
Diodo polarizado directamente:
Terminal positivo en el nodo.
Terminal negativo en el ctodo.
Resistencia muy pequea: diodo en perfectas condiciones.
Diodo polarizado inversamente:
Terminal positivo en el ctodo.
Terminal negativo en el nodo.
Resistencia muy grande: diodo en perfectas condiciones.
Posibles funcionamientos errneos:
Resistencia muy pequea del diodo en directa e inve rsa: diodo en
cortocircuito.
Resistencia muy grande del diodo en directa e inve rsa: diodo est abierto.
Resistencia baja del diodo en polarizacin inversa: diodo con fugas.

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Tipos de encapsulados de transistores

Tipos de encapsulado
43 de los transistores
2N3055 (NPN)

BD131 (NPN)
BD132 (NPN)
BD135 (NPN)
BD136 (PNP)
BD137 (NPN)
BD138 (PNP)
BD139 (NPN)
BD140 (PNP)
2N3866 (NPN)
2N3924 (NPN)

2N5590 (NPN)

PC100 (NPN)
PC110 (NPN)

2N6099
BDX53 (NPN)
BDX54 (NPN)

SC157 (PNP)
SC158 (PNP)
SC159 (PNP)
SC147 (PNP)
SC148 (PNP)
SC149 (PNP)

AC125 (PNP)
AC126 (PNP)
AC127 (NPN)
AC128 (PNP)

SC107 (NPN)
SC108 (NPN)
SC109 (NPN)
SC115 (NPN)

MC140 (NPN)
MC150 (PNP)

BSX20 (NPN)

BC547 (NPN)
BC548 (NPN)
BC549 (NPN)

Comprobacin del estado de

un transistor con un hmetro
44

La comprobacin del estado del transistor se realiza

con el polmetro, como en los diodos.

Terminal + Terminal -

Transistor PNP

Transistor NPN

Colector

Emisor

Resistencia alta Resistencia alta

Emisor

Colector

Resistencia alta Resistencia alta

Emisor

Base

Resistencia baja Resistencia alta

Base

Emisor

Resistencia alta Resistencia baja

Base

Colector

Resistencia alta Resistencia baja

Colector

Base

Resistencia baja Resistencia alta

22

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Encapsulado de tiristores
45

Hay diferentes tipos de encapsulados de los

tiristores:

Los parmetros ms importante de un tiristor son

facilitados por el fabricante en la hojas de
caractersticas.

23