Você está na página 1de 81

Inatel

Instituto Nacional de Telecomunicaes

Transmissor de RF Reconfigurvel
Baseado em Multiplicao de
Frequncia no Domnio ptico

Ramon Maia Borges

Maro/2015

Transmissor de RF Reconfigurvel Baseado


em Multiplicao de Frequncia no Domnio
ptico

RAMON MAIA BORGES


Dissertao apresentada ao Instituto
Nacional de Telecomunicaes, como
parte dos requisitos para obteno do
Ttulo de Mestre em Telecomunicaes.

ORIENTADOR: Prof. Dr. Arismar


Cerqueira Sodr Jnior

Santa Rita do Sapuca


2015

ii

Borges, Ramon Maia


B732t
Transmissor de RF reconfigurvel baseado em multiplicao de
freqncia no domnio ptico. / Ramon Maia Borges. Santa Rita do Sapuca,
2015.
57p.
Orientador: Prof. Dr. Arismar Cerqueira Sodr Jnior.
Dissertao de Mestrado Engenharia de Telecomunicaes
Instituto Nacional de Telecomunicaes INATEL.
Inclui bibliografia.
.
1. Fotnica de microondas 2. Modulador Mach-Zehnder 3.
Multiplicao em frequncia 4. Rede ptico-wireless 5. Transmissor de RF. I.
Sodr Jnior, Arismar Cerqueira. II. Instituto Nacional de Telecomunicaes
INATEL. III. Ttulo.
CDU 621.39

FOLHA DE APROVAO

Dissertao defendida e aprovada em 31 / 03 / 2015, pela comisso


julgadora:

______________________________________________________________
Prof. Dr. Arismar Cerqueira Sodr Jnior
INATEL

______________________________________________________________
Prof. Dr. Jos Antnio Justino Ribeiro
INATEL

______________________________________________________________
Prof. Dr. Vinicius Nunes Henrique Silva
UFF

________________________________
Coordenador do Curso de Mestrado
Prof. Dr. Jos Marcos Cmara Brito

iv

Para minha famlia, pelo amor, confiana, e


apoio, durante toda a vida.

Agradecimentos

Agradeo a Deus pelo privilgio de conviver com pessoas que amo e


pelas oportunidades que me foram dadas.
minha famlia pelos ensinamentos mais importantes da vida. Em
especial aos meus avs Maury Maia (in memorian) e Maria do Carmo Ferrer
Maia por todo apoio e confiana em mim depositada, por me fazer sentir forte
diante das dificuldades e por tornarem possvel esta importante etapa de minha
vida. Amo vocs!
minha namorada Ana Emlia pelos bons momentos que passamos
juntos, pela presena, incentivo e pacincia que foram fundamentais em minha
trajetria. Ao longo deste trabalho voc foi uma grande fonte de inspirao.
Ao Instituto Nacional de Telecomunicaes por me conceder a
oportunidade de realizar o curso de Mestrado. A todos os professores que
fizeram parte da minha formao, em especial ao meu orientador Prof. Dr.
Arismar Cerqueira Sodr Jnior, pela confiana e pelos ensinamentos que
foram essenciais para a concluso deste trabalho. Muito obrigado pelo apoio de
sempre!
Aos meus amigos e membros do laboratrio WOCA pelos conselhos e
momentos compartilhados, proporcionando um ambiente de trabalho
acolhedor.

vi

Aos funcionrios do Inatel, por fazerem desta Instituio um


agradvel e excelente ambiente de estudo.
Fundao Instituto Nacional de Telecomunicaes (Finatel) pelo
apoio financeiro.
Ao engenheiro Renan Alves dos Santos pelo projeto e fabricao da
antena banda larga, importante para validar um dos sistemas apresentados neste
trabalho.
Ao engenheiro Trcio Naves Rodovalho, colaborador da TIM, pelo
apoio tcnico oferecido.

vii

ndice
Lista de Figuras ............................................................................................................ x
Lista de Tabelas.......................................................................................................... xii
Lista de Abreviaturas e Siglas ................................................................................... xiii
Lista de Smbolos ....................................................................................................... xv
Lista de Publicaes ................................................................................................. xvii
Lista de Premiaes................................................................................................... xix
Resumo....................................................................................................................... xx
Abstract ..................................................................................................................... xxi
Captulo 1 .................................................................................................................... 1
1.

Introduo............................................................................................................ 1
1.1. Contextualizao e motivao ..................................................................... 1
1.2. Reviso bibliogrfica ................................................................................... 5
1.3. Estrutura da dissertao ............................................................................... 8

Captulo 2 .................................................................................................................. 10
2.

Gerao fotnica de portadoras de radiofrequncia ..................................... 10


2.1. Mtodo heterodino utilizando intermodulao .......................................... 10
2.2. Multiplicao em frequncia no domnio ptico ....................................... 12
2.2.1 O modulador Mach-Zehnder ............................................................ 13
2.2.2 Tcnica da modulao externa ......................................................... 15

Captulo 3 .................................................................................................................. 18
3.

Transmissor de RF reconfigurvel .................................................................. 18


3.1. Conceito ..................................................................................................... 18
3.2. Validao computacional .......................................................................... 21
3.3. Investigao experimental ......................................................................... 23

viii

3.3.1

Ajuste da tenso de polarizao ..................................................... 25

3.3.2

Ajuste da potncia de RF de entrada no modulador ...................... 29

3.3.3

Anlise senoidal e ajuste da potncia do laser ............................... 31

Captulo 4 .................................................................................................................. 34
4.

Aplicaes do transmissor de RF reconfigurvel ........................................... 34


4.1. Redes ptico-wireless reconfigurveis em frequncia .............................. 34
4.2. Transmissor de RF multibanda aplicado s tecnologias UMTS, LTE e
Wi-Fi .......................................................................................................... 42

Captulo 5 .................................................................................................................. 47
5.

Concluses.......................................................................................................... 47

Referncias bibliogrficas .......................................................................................... 50

ix

Lista de Figuras
Figura 1.1 Perspectiva de crescimento do trfego de dados em redes sem fio........ 1
Figura 1.2 Modelo de ocupao atual do espectro radioeltrico e regio
potencialmente til para atender os requisitos de capacidade .................................... 3
Figura 1.3 Solues para a gerao de sinais de RF............................................... 4
Figura 2.1 Mtodo heterodino baseado na intermodulao entre duas ondas
pticas, gerando um sinal de RF aps a fotodeteco............................................... 11
Figura 2.2 Sinal de RF em 40 GHz, gerado numricamente com o mtodo
heterodino .................................................................................................................. 12
Figura 2.3 Representao da estrutura de um MZM ............................................. 13
Figura 2.4 Curva caracterstica de transmisso do modulador ............................ 15
Figura 3.1 Esquema utilizado para a duplicao em frequncia no domnio ptico
(k = 2)......................................................................................................................... 19
Figura 3.2 Potncia da portadora ptica modulada em funo da

, e espectro

ptico nos pontos de MITP e MATP .......................................................................... 22


Figura 3.3 Espectro ptico obtido nas condies de MATP e MITP ..................... 22
Figura 3.4 Sinal em 40 GHz gerado por meio da duplicao em frequncia com a
tcnica de modulao externa .................................................................................... 23
Figura 3.5 Montagem experimental para a duplicao em frequncia com
tecnologia fotnica, baseada na tcnica da modulao externa ............................... 25
Figura 3.6 Comportamento da potncia ptica em 1.551 nm e da potncia eltrica
em 2,6 e 5,2 GHz, em funo da

....................................................................... 26

Figura 3.7 Reconfigurabilidade da frequncia em funo da

....................... 27

Figura 3.8 Espectro eltrico obtido na sada do PD, para k = 1 e k = 2 .............. 28


Figura 3.9 Portadora em 5,2 GHz gerada com tecnologia fotnica, antes e depois
da propagao em 2 km de fibra ptica .................................................................... 29
Figura 3.10 -

em funo da

para

(k = 2) ........................... 30

Figura 3.11 Anlise temporal dos sinais fotodetectados, considerando k igual a 1 e


k igual a 2 ................................................................................................................... 31
Figura 3.12 Potncia do sinal gerado em 5,2 GHz em funo da potncia do laser,
considerando a

igual a 3, 6 e 9 dBm................................................................ 32

Figura 3.13 Potncia da portadora de 5,2 GHz e harmnicos, em funo da


potncia de RF incidente ao MZM. Resultado obtido considerando a

igual a

10 dBm ....................................................................................................................... 33
Figura 4.1 OWN convergente e reconfigurvel em frequncia. Ilustra-se
aplicaes para LTE e Wi-Fi offloading.................................................................... 35
Figura 4.2 Detalhes de implementao do transmissor fotnico para a arquitetura
RoF reconfigurvel em frequncia............................................................................. 36
Figura 4.3 Identificao da rede ptica utilizada, correspondente a 1,5 km de SMF
dentro do campus do Inatel. Imagem obtida pelo Google EarthTM ........................... 37
Figura 4.4 Antena de banda ultralarga utilizada na recepo .............................. 40
Figura 4.5 Sinais de RF obtidos aps propagao pela OWN, convergente e
reconfigurvel ............................................................................................................ 41
Figura 4.6 Reconfigurao em frequncia do sinal de micro-ondas gerado dentro
da banda do Wi-Fi de 5 GHz ..................................................................................... 42
Figura 4.7 Arquitetura proposta para combinar trs padres de RF em uma nica
rede sem fio ................................................................................................................ 43
Figura 4.8 Implementao do transmissor multibanda para aplicaes em UMTS,
LTE e Wi-Fi ................................................................................................................ 45
Figura 4.9 Espectros de RF obtidos com a arquitetura proposta .......................... 46

xi

Lista de Tabelas
Tabela 1.1 Tcnicas para gerao fotnica de sinais de RF ................................... 8
Tabela 2.1 Tcnicas de modulao externa que utilizam o MZM para a OFM .... 17
Tabela 4.1 Potncias obtidas em pontos estratgicos da arquitetura ................... 39

xii

Lista de Abreviaturas e Siglas


2G

Sistema de Telefonia Mvel de Segunda Gerao

3G

Sistema de Telefonia Mvel de Terceira Gerao

4G

Sistema de Telefonia Mvel de Quarta Gerao

5G

Sistema de Telefonia Mvel de Quinta Gerao

ACRoF

Adaptative and Cognitive Radio over Fiber

BTS

Base Station

CO

Central Office

DD-MZM

Dual-drive Mach-Zehnder Modulator

DFB

Distributed Feedback

DWDM

Dense Wavelenght Division Multiplexing

EDFA

Erbium Doped Fiber Amplifier

FBG

Fiber Bragg Grating

FEC

Foward-Error Correction

FTTH

Fiber-To-The-Home

FWM

Four-Wave Mixing

GSM

Global System for Mobile

INATEL

Instituto Nacional de Telecomunicaes

LiNbO3

Niobato de ltio

LNA

Low Noise Amplifier

LTE

Long Term Evolution

MATP

Maximum Transmission Point

MITP

Minimum Transmission Point

MZM

Mach-Zehnder Modulator

NF

Noise Figure

ODF

Optical Distribution Frame


xiii

ODU

Outdoor Unit

OFM

Optical Frequency Multiplication

OSA

Optical Spectrum Analyzer

OWN

Optical-Wireless Network

PD

Photodetector

PIN

P-Intrinsic-N diode

QP

Quadrature Point

RAU

Remote Antenna Unit

RF

Radiofrequncia

RFSSR

Radio Frequency Spurious Suppression Ratio

RIN

Relative Intensity Noise

RoF

Radio over Fiber

RU

Remote Unit

S11

Coeficiente de reflexo

SD-MZM

Single-drive Mach-Zehnder modulator

SMF

Single Mode Fiber

SNR

Signal-To-Noise Ratio

TEPS

Tunable Electrical Phase Shifter

TIM

Telecom Italia Mobile

TOPS

Tunable Optical Phase Shifter

UMTS

Universal Mobile Telecommunications System

UWB

Ultra Wide Band

VSG

Vector Signal Generator

Wi-Fi

Wireless Fidelity

WOCA

Wireless and Optical Convergent Access

xiv

Lista de Smbolos
Campo eltrico
E0

Amplitude do campo eltrico


Campo eltrico incidente ao modulador
Campo eltrico na sada do MZM

Frequncia de operao do laser


Frequncia do sinal de RF tomado como referncia

I(t)

Corrente na sada do fotodetector


Funes de Bessel

Fator de multiplicao

ndice de modulao

Amplitude do campo fotodetectado

Plaser

Potncia ptica do laser

Pmod

Potncia ptica modulada


Potncia do sinal de RF incidente ao MZM
Potncia de RF na sada do fotodetector

PRX

Potncia de recepo

PTX

Potncia de transmisso
Sinal de RF gerado

Responsividade do fotodetector

TF

Transfer Function
Tenso de polarizao do modulador
Tenso de modulao
Amplitude do sinal eltrico tomado como referncia
Tenso de meia onda do modulador
xv

Fase da onda
Frequncia angular da portadora ptica
Frequncia angular do sinal de RF tomado como referncia
Comprimento de onda central do laser

xvi

Lista de Publicaes
1. R. M. Borges,
Reconfigurable

T. N. Rodovalho, Arismar Cerqueira S. Jr.,


multi-band

RF

transceiver

based

on

photonics

technology for future optical wireless communications, aceito para o


peridico IET Optoelectronics, 2015.
2. R. M. Borges, Arismar Cerqueira S. Jr., Reconfigurable optical-wireless
communications for future generations, aceito para o IEEE Latin
America Transactions, 2015.

3. R. M. Borges, R. A. dos Santos, Arismar Cerqueira S. Jr.,


Implementation of a photonics-based frequency reconfigurable opticalwireless

network,

aceito

para

International

Workshop

on

Telecommunications (IWT), 2015.

4. Arismar Cerqueira S. Jr., N. Caas-Estrada, D. F. Noque, R. M. Borges,


S. A. S. Melo, Neil G. Gonzles, J. C. R. F. Oliveira, Photonic-assisted
microwave amplification using multiple four-wave mixing, em anlise
pelo peridico IET Optoelectronics, 2015.
5. R. M. Borges, Arismar Cerqueira S. Jr., Convergent and reconfigurable
optical-wireless network for LTE and Wi-Fi offloading applications,
IEEE Latin-American Conference on Communications, 2014, Cartagena.
Proceedings of LATINCOM, 2014.

xvii

6. R. M. Borges, Arismar Cerqueira S. Jr., Duplicao e quadruplicao em


frequncia utilizando fotnica de micro-ondas, 16 SBMO Simpsio
Brasileiro de Micro-ondas e Optoeletrnica e o 11 CBMag Congresso
Brasileiro de Eletromagnetismo, 2014, Curitiba. Proceedings of MOMAG
2014.

7. Arismar Cerqueira S. Jr., E. Raimundo-Neto, S. A. S. Melo, D. F. Noque,


J. R. G. Rosa, R. M. Borges, Research activities on microwave
photonics, nonlinear optics and optical communications from the Lab.
WOCA from Inatel areas, WorkInnova- Denmark-South America
Workshop

on

Photonics

Technologies

(WorkInnova),

Campinas,

November 2013.

xviii

Lista de Premiaes
1. Autor e apresentador do artigo destacado como melhor apresentao oral
vinculada a estudante na rea de fotnica e comunicaes pticas:
Duplicao e quadruplicao em frequncia utilizando fotnica de microondas, MOMAG (SBMO e SBMag), 2014.

2. Co-autor do trabalho premiado como melhor pster: Research activities


on microwave photonics, nonlinear optics and optical communications
from the Lab. WOCA from Inatel areas, WorkInnova- Denmark-South
America Workshop on Photonics Technologies (WorkInnova), 2013.

xix

Resumo

Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de um transmissor de


radiofrequncia reconfigurvel, capaz de atender as faixas de micro-ondas e ondas
milimtricas. Inicialmente, apresenta-se a tecnologia fotnica utilizada em sua
concepo, responsvel por proporcionar a multiplicao em frequncia no domnio
ptico. Na sequncia, prope-se o uso do dispositivo para habilitar caractersticas de
convergncia e flexibilidade em arquiteturas de rdio sobre fibra. A metodologia de
anlise baseia-se em trs etapas: simulaes numricas; caracterizao experimental;
implementao em redes ptico-wireless sob condies reais de operao. As
simulaes computacionais foram conduzidas utilizando o software comercial
OptiSystem, e os experimentos foram realizados no laboratrio WOCA (Wireless
and Optical Convergent Access), do Instituto Nacional de Telecomunicaes (Inatel).
Resultados numricos e experimentais comprovam a eficincia do transmissor e a
sua aplicabilidade para redes de telecomunicaes do futuro, incluindo sistemas
celulares 4G e 5G.

Palavras-chave: Fotnica de Micro-ondas, Modulador Mach-Zehnder,


Multiplicao em Frequncia, Rede ptico-Wireless e Transmissor de RF.

xx

Abstract

This work is focused on the development of a reconfigurable radio-frequency


transmitter applied to microwaves and millimeter-waves. Initially, the photonicsbased frequency multiplication technique is presented. Posterior, the proposed device
is applied to reconfigurable and convergent optical-wireless networks. The analysis
methodology is based on three main steps: numerical simulations; experimental
characterization; implementation and test in real optical-wireless networks.
Numerical simulations were carried out using the software OptiSystem and the
experiments were carried out in the laboratory WOCA (Wireless and Optical
Convergent Access) from the National Institute of Telecommunications (Inatel).
Numerical and experimental results demonstrate the efficiency of the proposed
transmitter and its applications to future telecommunications networks, including 4G
and 5G systems.

Keywords: Frequency Multiplication, Mach-Zehnder Modulator, Microwave


Photonics, Optical-Wireless Network, Radio-frequency Transmitter.

xxi

Captulo 1
1. Introduo
1.1 Contextualizao e motivao
O aumento da demanda por servios mveis de telecomunicaes cria a
necessidade de se desenvolverem sistemas capazes de prover, simultaneamente,
mobilidade e alta capacidade. De 2012 a 2013, o trfego global de dados em redes
sem fio cresceu 81% e estima-se que alcance 15,9 Exabytes por ms at 2018, como
mostra a Figura 1.1 [1]. Nesse mesmo ano, sero 10,2 bilhes de dispositivos
conectados em redes mveis suportando acesso Internet, e mais de 69% do trfego
mencionado ser proveniente da distribuio de vdeo, o que exigir um aumento
significativo na largura de banda, robustez e velocidade das conexes.
18
15,9 EB

10,2 bilhes de conexes

Exabytes por ms

69,1% de trfego de vdeo


51% proveniente do 4G
52% de trfego offload

10,8 EB

9
7,0 EB
4,4 EB
2,6 EB
1,5 EB
0
2013

2014

2015

2016

2017

2018

Ano
Figura 1.1 Perspectiva de crescimento do trfego de dados em redes sem fio [1].
1

A migrao das estruturas de segunda gerao (2G) para as arquiteturas 3G,


4G e 5G tambm traz novos desafios, j que os sistemas de telecomunicaes do
futuro iro demandar convergncia entre padres sem fio para satisfazer
requerimentos de usurios fixos e mveis, que usam diferentes protocolos e servios.
Espera-se, por exemplo, que o escoamento de trfego por tecnologias
complementares (offloading) utilizando pontos de acesso Wi-Fi (Wireless Fidelity) e
Femtoclulas torne-se um novo segmento da indstria, como soluo para evitar ou
ao menos diminuir o congestionamento das redes celulares. Espera-se, ainda, novos
nveis de desempenho dos equipamentos de rdio, a fim de que estejam aptos a
otimizar parmetros de transmisso em funo da demanda por trfego e aspectos de
propagao no ambiente sem fio. Entre os pr-requisitos desejados esto [2]:
flexibilidade e autonomia, alocao flexvel de espectro, extenso dos canais para
bandas de alta frequncia, operao com antenas reconfigurveis e suporte a
comunicao entre dispositivos.
Todas estas perspectivas e necessidades apontadas tm dirigido estudos para
o desenvolvimento de sistemas e dispositivos que se adequem s novas tendncias,
com o intuito de garantir a interoperabilidade das conexes e servios. Solues para
capacidade dos ncleos de rede podem estar diretamente relacionadas com as
comunicaes pticas, em constante otimizao. As recentes conquistas referem-se
utilizao da multiplexao por diviso de comprimento de onda (DWDM Dense
Wavelenght Division Multiplexing) [3], implantao de arquiteturas FTTH (FiberTo-The-Home) [4] e ao desenvolvimento de tcnicas de correo de erros (FEC
Foward-Error Correction) [5]. Outros resultados interessantes em nvel de pesquisa
relacionam-se com a evoluo das estruturas de transmisso e recepo dos enlaces
pticos. So as chamadas redes coerentes de nova gerao [6], que associam o uso de
modulaes avanadas [7][8] e processamento digital de sinais [9] para alcanar
taxas de at 1 Pb/s.
Por outro lado, as tecnologias sem fio so essenciais para prover mobilidade,
requisito fundamental para atender o novo perfil dos usurios de telecomunicaes.
Destacam-se a evoluo dos dispositivos mveis disponveis no mercado, cada vez
mais velozes [1], e pesquisas voltadas aos chamados Rdios Cognitivos [10], nos

quais um dos objetivos otimizar o uso do espectro radioeltrico em funo da


ocupao oportuna de suas lacunas. Destaca-se ainda a implementao de sistemas
de rdio sobre fibra (RoF Radio over Fiber) [11][12], que segundo a ERICSSON,
continuaro crescendo e interligaro mais de 40% de todas as estaes at 2020 [2].
Com o crescente aumento do nmero de conexes e a consequente escassez
espectral,

torna-se

necessrio

buscar

faixas

disponveis

de

frequncia,

correspondentes s micro-ondas e ondas milimtricas (Figura 1.2). Alm disso, o


aumento da capacidade em redes mveis depende no s de altas taxas de
transmisso nos ncleos de rede, mas tambm da elevao das frequncias de
operao. Estima-se, por exemplo, que as faixas de micro-ondas tenham potencial
para prover mais de 10 Gb/s por estao transmissora, em funo da largura de faixa
disponvel [2][13]. Com relao regio de ondas milimtricas, alguns trabalhos j
demonstram experimentos nas bandas Ka (27 - 40 GHz) [14][15], W (75 - 110 GHz)
[16][17] e na banda de 60 GHz [18][19], com taxas de transmisso de at 100 Gb/s
no ambiente sem fio [20].
Frequncia [GHz]
Potncia

100
60

Regies alvo de pesquisas

27
Regio de interesse

10

Espectro em uso

Lacunas no espectro

Tempo

Figura 1.2 Modelo de ocupao atual do espectro radioeltrico e regio potencialmente til
para atender os requisitos de capacidade.

Neste cenrio, tecnologias fotnicas apresentam-se como segmento chave


para viabilizar a operao em bandas elevadas do espectro de frequncias e, por isso,
tais tecnologias tm sido continuamente aplicadas aos sistemas de micro-ondas, com
3

funes bastante complexas e at mesmo impraticveis ao se trabalhar apenas com a


eletrnica convencional [21]. Entre elas, inclui-se o desenvolvimento de arquiteturas
adaptativas de rdio sobre fibra e a gerao, manipulao e distribuio de microondas e ondas milimtricas [22]. Sabe-se das dificuldades em obter fontes de tais
sinais, geralmente construdas com circuitos eletrnicos de modo que a
complexidade e o custo do mtodo aumentam significativamente com a elevao das
frequncias. Como exemplo, a Figura 1.3a ilustra uma unidade externa (ODU
Outdoor Unit) de RF (radiofrequncia) capaz de prover um sinal de 7 GHz. O valor
comercial mdio deste produto de 3.000,00 reais.
J a gerao e distribuio de sinais na regio de micro-ondas e superior
utilizando tecnologia fotnica, aumenta a relao entre custo e benefcio,
principalmente para ondas milimtricas. Isto porque permite alcanar o desejado
incremento nas larguras de banda e oferece alocao flexvel de frequncias em redes
sem fio de ncleo ptico (OWN Optical-Wireless Network). Alm disso,
proporciona estabilidade, imunidade a rudos eletromagnticos, reduo de peso e
tamanho e simplificao dos equipamentos envolvidos. A Figura 1.3b ilustra a
funo de um gerador fotnico para regies elevadas do espectro, onde um sinal de
RF tomado como referncia tem sua frequncia multiplicada por um fator de
multiplicao (k), podendo este assumir diferentes valores. Esta soluo apresenta
um custo aproximado de 5.800 reais para, por exemplo, k igual a 1 ou 2. Com
produo em larga escala, pode-se reduzi-lo para valores entre 600 e 1.200 reais.

Dispositivo
ptico

a) ODU de 7 GHz. Tecnologia usada para a

b) Conceito de um gerador fotnico para

gerao de micro-ondas no domnio eltrico.

sinais de micro-ondas e ondas milimtricas.

Figura 1.3 Solues para a gerao de sinais de RF.


4

O presente trabalho focaliza o desenvolvimento de um transmissor de RF


reconfigurvel, capaz de atender as regies de micro-ondas e ondas milimtricas do
espectro radioeltrico. Tem-se ainda como meta a utilizao de RoF para integrar
ncleo de rede e acesso, reunindo na mesma arquitetura os benefcios tragos por
dispositivos pticos (largura de banda) e radiofrequncia (mobilidade e
flexibilidade). O dispositivo proposto baseia-se em uma tcnica de processamento
fotnico para a duplicao em frequncia no domnio ptico, denominada modulao
externa. Com ela, possvel selecionar a banda de operao e a frequncia das
portadoras geradas em funo da tenso de polarizao do modulador e da frequncia
do sinal eltrico tomado como referncia. Como contribuies, apontam-se em
primeiro lugar as investigaes numrica e experimental da tcnica, demonstrando o
impacto dos parmetros de entrada nas relaes entre frequncia, potncia, SNR
(Signal-To-Noise Ratio) e RFSSR (Radio Frequency Spurious Suppression Ratio) do
espectro gerado. Aponta-se ainda a explorao de dois fatores multiplicativos para a
implementao de redes OWN convergentes e reconfigurveis em frequncia, bem
como o uso do transmissor de banda flexvel para atender em uma mesma arquitetura
de rede, aplicaes entre os padres UMTS (Universal Mobile Telecommunications
System) em 2.1 GHz, LTE (Long Term Evolution) em 2.6 GHz e Wi-Fi em 5.2 GHz.

1.2 Reviso bibliogrfica


Fotnica de micro-ondas define-se como a interdisciplina que combina a
engenharia de radiofrequncia com a fotnica. Permite interaes entre ondas
eletromagnticas nas faixas pticas e de RF, favorecendo o desenvolvimento de
dispositivos para aplicaes em sistemas sem fio de altas frequncias. Em geral, tal
segmento inclui tpicos relacionados gerao, processamento e distribuio de
sinais de micro-ondas e ondas milimtricas [23].
Os primeiros experimentos, dcadas atrs, foram direcionados utilizao do
guia ptico como meio de transmisso para sinais analgicos de RF [24][25], dando
origem aos sistemas de rdio sobre fibra [11]. Desta maneira, tornou-se possvel
evitar as grandes atenuaes causadas por perdas do espao livre, que inviabilizavam
a distribuio de sinais com frequncias elevadas em redes sem fio. Desde ento, as
5

tecnologias fotnicas expandiram-se consideravelmente, sendo apontadas como


soluo para prover a solidificao dos sistemas de micro-ondas [21]. Decorreram-se
aplicaes envolvendo conversores analgico-digital [26-29] e filtros [30][31] para
sinais de RF, controle ptico do diagrama de irradiao de antenas, [32-34],
sensoriamento espectral [35][12] e radares [36]. Sucederam-se tambm resultados
promissores referentes gerao fotnica de sinais de micro-ondas e ondas
milimtricas [37-54] e, mais recentemente, ao desenvolvimento de eficientes
conversores de frequncia e transceptores de RF multibanda [55][56].
A estratgia mais comum para o desenvolvimento de geradores de RF
baseados em tecnologia fotnica fazer uso da intermodulao entre duas ondas
eltricas no domnio ptico, provenientes de laseres sintonizados em comprimentos
de onda distintos [38][39]. Entretanto, a falta de correlao entre as fontes de luz
pode levar deteco de um alto rudo de fase no sinal gerado, j no domnio
eltrico. Para contornar este problema, ou seja, garantir baixo rudo de fase e largura
de linha bastante estreita a partir do mtodo em questo, foram propostas na
literatura tcnicas como Optical Injection Locking, Optical Phase Lock Loop e
Optical Injection Phase Locking [33], todas almejando o mesmo objetivo:
proporcionar alta correlao de fase entre as duas ondas pticas e assim, gerar ondas
milimtricas de alta qualidade. Demonstrou-se a gerao de sinais entre 6 e 34 GHz
com pequena largura de linha [40][41]. Resultados potenciais tambm foram obtidos
utilizando, ao invs de dois laseres independentes, um nico dispositivo gerador de
luz capaz de emitir simultaneamente dois comprimentos de onda distintos [42][43].
Porm, o uso deste tipo de dispositivo tem a desvantagem de elevar
significativamente o custo do projeto.
Outros eficientes mtodos para a gerao de micro-ondas e ondas
milimtricas de alta qualidade utilizam o conceito de multiplicao em frequncia no
domnio ptico (OFM Optical Frequency Multiplication). A sua principal
vantagem o fato de no exigir nenhum tipo de controle de fase na fonte de luz.
Inicialmente, OReilly et al. (1992) [44] propuseram a tcnica de modulao externa
e demonstraram a gerao de uma portadora de 36 GHz tomando como referncia
um sinal eltrico de 18 GHz. Tal sistema foi ento utilizado para distribuir servios

de vdeo remotamente [45]. Posteriormente, demonstrou-se a gerao de um sinal de


60 GHz baseada na quadruplicao em frequncia de uma portadora de 15 GHz
entregue ao modulador [46]. Entretanto, para garantir pureza espectral, fez-se
necessrio a utilizao de filtro ptico com largura de faixa igual ao espaamento
entre os harmnicos de segunda ordem, o que dificulta a flexibilidade do sistema.
Mais adiante, Shen et al. (2003) [47] utilizaram modulador de fase para tambm
obter fator multiplicativo igual a 4, porm o mtodo ainda recorria filtragem ptica
de bandas laterais.
Em sequncia, Qi et al. (2005) [48] demonstraram a quadruplicao em
frequncia de maneira reconfigurvel, gerando sinais entre 32 e 50 GHz a partir de
portadoras de RF entre 8 e 12,5 GHz. Na mesma linha, Li & Yao (2010a) apontaram
flexibilidade e apresentaram uma arquitetura para incrementar o fator de
multiplicao [49]. Com o mesmo objetivo, Li & Yao (2010b) e Vidal (2012)
aproveitaram ainda efeitos no lineares, como a mistura de quatro ondas (FWM Four-Wave Mixing), para gerar sinais de at 132 GHz [50] e obter fatores
multiplicativos com valores acima de 20 [51], respectivamente. No entanto, as
tcnicas apresentam-se muito complexas por envolver grande quantidade de
dispositivos na montagem e demandar o controle de efeitos no-lineares. Ainda
dentro de OFM, Shi et al. (2010) [52] fez uso de ressonador ptico e modulao de
fase gerando harmnicos em diversas posies espectrais.
Por fim, mtodos reportados na literatura passaram a compor sistemas de RoF
bidirecionais, como os descritos em [53][54]. A Tabela 1.1 resume as principais
vantagens e desvantagens entre as mais importantes tcnicas de gerao de microondas com tecnologia fotnica reportadas na literatura.

Tabela 1.1 Tcnicas para gerao fotnica de sinais de RF.


Tcnica
Mtodo heterodino [33]

Vantagens

Resposta em frequncia
depende apenas da largura de
banda do fotodetector

No requer o uso de sinais


de RF como referncia

Alta relao sinal/rudo


(SNR)

Modulao externa [37]

Desvantagens
Falta de correlao entre
os laseres

Requer tcnicas de
travamento em fase das
fontes de luz

Configurao bastante
simples

Alta perda por insero

Largura de banda
depende das respostas
em frequncia do
modulador e do
fotodetector

Utiliza um nico laser, de


baixo custo
Fcil sintonia e
reconfigurabilidade da
frequncia

FWM [51]

Altos fatores de
multiplicao (at 24)

Montagem complexa
Requer potncia ptica alta

Ressonador ptico [52]

Proporciona componentes
em elevadas posies
espectrais

Suporta diferentes padres


sem fio simultaneamente

Requer controle de
efeitos no-lineares

No oferece pureza
espectral

Requer operao
conjunta entre
modulador e ressonador

1.3 Estrutura da dissertao


Este trabalho estruturado em cinco captulos. O captulo 2 apresenta em
maiores detalhes o mtodo heterodino e variaes da tcnica de modulao externa
para a gerao fotnica de micro-ondas e ondas milimtricas. Realiza-se uma
abordagem comparativa entre cada uma delas. tambm demonstrado o
comportamento do modulador Mach-Zehnder, dispositivo essencial para a
multiplicao em frequncia no domnio ptico. O captulo 3 iniciado com a
descrio da tcnica de modulao externa que d origem ao transmissor de RF
reconfigurvel. So realizadas a validao computacional e a detalhada investigao
experimental da tcnica em questo, em funo de parmetros pticos e eltricos. No
captulo 4, diferentes experimentos ilustram a aplicabilidade do transmissor de
8

micro-ondas multibanda: implementao de uma OWN convergente e reconfigurvel


para aplicaes em LTE e Wi-Fi offloading; transmissor fotnico com banda flexvel
atendendo a trs padres de RF distintos, validado em uma rede real pertencente
operadora TIM (Telecom Italia Mobile). Por fim, o captulo 5 apresenta as
concluses relevantes e sugestes para os trabalhos futuros.

Captulo 2
2. Gerao fotnica de portadoras de
radiofrequncia
2.1 Mtodo heterodino utilizando intermodulao
Uma fonte fotnica para a gerao de ondas milimtricas pode ser obtida por
meio de um mtodo bastante simples, baseado na intermodulao entre dois sinais
pticos com comprimentos de onda distintos [33][39], conforme mostra a Figura 2.1.
Sabe-se que um campo eltrico no domnio ptico pode ser expresso como
=
onde

(2.1)

corresponde amplitude do campo eltrico,

portadora e

a frequncia angular da

representa a fase da onda. Ao considerarmos dois laseres sintonizados

em frequncias diferentes, obtm-se duas portadoras pticas dadas por

onde novamente

(2.2)

(2.3)

so os termos de amplitude,

frequncias angulares e

representam as

correspondem s respectivas fases dos sinais

provenientes de cada fonte de luz. A interao entre estas duas ondas provoca
intermodulao e, considerando o limite de banda imposto pelo fotodetector (PD
Photodetector), tem-se aps a fotodeteco um sinal eltrico descrito por
|

|
,

(2.4)
10

sendo S a responsividade do PD e

as respectivas potncias dos campos

individuais [37]. Tomando M como termo de amplitude, pode-se descrever


simplificadamente o sinal eltrico resultante como
(2.5)
onde

representa um sinal de RF, cuja frequncia corresponde ao espaamento

entre os comprimentos de onda sintonizados em cada laser e com potncia


determinada pelas amplitudes dos campos individuais e responsividade do PD. Tratase, portanto, de um gerador fotnico faixa larga, sendo esta limitada apenas pela
largura de banda do fotodetector.

Laser 1

E1(t)

Acoplador
ptico

Fotodetector

RFout
Laser 2
E2(t)
Figura 2.1 Mtodo heterodino baseado na intermodulao entre duas ondas pticas, gerando um
sinal de RF aps a fotodeteco [37].

Entretanto, a falta de correlao entre as fontes de luz pode levar deteco


de um alto rudo de fase no sinal gerado, j no domnio eltrico. A Figura 2.2 mostra
uma portadora de 40 GHz obtida por meio de simulao numrica, considerando a
tcnica em questo. O resultado fruto da intermodulao entre ondas pticas
provenientes de dois laseres com potncias de 0 dBm, largura de linha iguais a 10
MHz e rudo RIN (Relative Intensity Noise) de -135 dB/Hz, sintonizados em
1.550,00 e 1.550,32 nm, respectivamente. Considerou-se uma perda de 3 dB causada
pelo acoplador ptico e o fotodetector utilizado foi do tipo PIN (p-intrinsic-n diode),
com responsividade de 0,9 A/W.

11

-30
-30

Potncia [dBm]

-40
-40
-50
-50

Rudo de Fase

-60
-60
-70
-70
-80
-80

-90
-90

00

1
10

2
20

3
4
30
40
Frequncia [GHz]

5
50

6
60
10

x 10

Figura 2.2 Sinal de RF em 40 GHz, gerado numricamente com o mtodo heterodino. Notar a
presena de rudo de fase.

Observa-se que para obter a portadora eltrica centrada exatamente em 40


GHz, foi necessrio um ajuste fino da sintonia do laser (

). Em

termos de implementao, adquirir estes dispositivos com tamanho grau de preciso


pode elevar o custo do projeto. Nota-se a alta largura de linha do sinal gerado,
mesmo quando os rudos provenientes do fotodetector so desconsiderados na
simulao. Tal caracterstica ento atribuda presena do rudo de fase, e dificulta
a operao de canais vizinhos a 40 GHz. Para amenizar este rudo, faz-se necessrio
o uso de tcnicas de travamento em fase entre os laseres, que em geral, caracterizam
processos muito trabalhosos. Assim, como alternativa para aumentar a eficincia no
processo de gerao sem recorrer a estas tcnicas complementares, destacam-se
mtodos baseados na multiplicao em frequncia no domnio ptico por meio da
modulao externa.

2.2 Multiplicao em frequncia no domnio


ptico

12

2.2.1 O modulador Mach-Zehnder


O modulador Mach-Zehnder (MZM Mach-Zehnder Modulator) um
dispositivo eletroptico que proporciona modulao de intensidade, frequentemente
aplicado a ptica integrada e a sistemas RoF. Pode atuar, por exemplo, na gerao de
componentes espectrais e em tcnicas para evitar pontos de potncia nula (fading
points), causados por efeitos dispersivos na fibra ptica [57]. estruturado com dois
guias pticos distintos de igual comprimento, chamados braos, sendo que em ao
menos um deles h a possibilidade de controle de fase. Tal controle realizado
atravs do efeito eletroptico oriundo do campo de RF aplicado aos eletrodos. Em
geral, faz-se a opo por substrato de niobato de ltio (LiNbO3) em seu processo de
fabricao, devido s larguras de faixa proporcionadas por moduladores com este
tipo de material [58]. A Figura 2.3 ilustra a estrutura bsica de um MZM.
Eletrodos
Entrada ptica
Tenso de
modulao

Guia ptico

Sada ptica

Figura 2.3 Representao da estrutura de um MZM [59].


O princpio de operao deste tipo de modulador consiste na diviso
igualitria do sinal ptico de entrada em duas ondas guiadas, de modo que ao menos
uma delas tenha sua fase alterada em funo da tenso de modulao, aplicada aos
eletrodos. Em sequncia, tais ondas so combinadas por uma juno Y, equivalente
utilizada na entrada do dispositivo para a ramificao entre os braos. Forma-se
ento um interfermetro, e a sobreposio das ondas resulta na modulao ptica de
intensidade, sendo esta dependente da diferena de fase entre os modos guiados.
13

Segundo OReilly et al. (1994), o campo eltrico na sada do MZM pode ser
descrito como [45]
(
onde

(2.6)

representa o sinal proveniente da fonte de luz,

onda do modulador e

a tenso de meia

a tenso aplicada aos eletrodos, correspondente tenso de

modulao. Considerando este parmetro composto pelo sinal de RF incidente e pela


tenso de polarizao (

) [60], pode ento ser escrito como


,

onde

(2.7)

correspondem amplitude e frequncia angular do sinal de RF de

entrada, respectivamente. A funo de transferncia de um MZM proporcional ao


quadrado da Eq.(2.6), e pode ser descrita por [59]
|

)+.

(2.8)

O significado desta funo refere-se variao na intensidade ptica do campo


modulado em funo da tenso aplicada aos eletrodos.
A partir destas definies, alguns pontos especficos de polarizao levam o
MZM a operar em trs condies distintas: ponto mximo de transmisso (MATP
Maximum Transmission Point); ponto de quadratura (QP Quadrature Point); ponto
mnimo de transmisso (MITP Minimum Transmission Point). A Figura 2.4
apresenta a curva caracterstica de transmisso normalizada do MZM, identificando
os pontos mencionados. Sabe-se que, por definio,

a tenso que introduz um

desvio de fase equivalente a 180 entre os braos do MZM [59]. Por esta razo, ao
polarizar o modulador com a tenso de meia onda obtm-se uma defasagem
destrutiva entre os sinais guiados por cada brao, resultando na menor intensidade de
transmisso. Este comportamento tambm comprovado pela Figura 2.4.

14

Intensidade ptica normalizada

11

MATP

0.75
0,75

QP
0.5
0,5

0,25
0.25

00
00

MITP
V0.5/2

1
1.5
V
3V
Tenso de polarizao

2V2

Figura 2.4 Curva caracterstica de transmisso do modulador [61].

2.2.2 Tcnica da modulao externa


O conceito de multiplicao em frequncia no domnio ptico consiste em
processar um sinal de RF com tecnologia fotnica, de modo que sua frequncia seja
incrementada de k vezes. O dispositivo responsvel por esta tarefa o modulador
eletroptico [6], elemento chave que d origem s tcnicas de OFM baseadas na
modulao externa. Em geral, o mais utilizado para este tipo de aplicao o MZM
construdo com substrato de niobato de ltio (LiNbO3), contendo um (SD-MZM
Single-Drive Mach-Zehnder Modulator) ou dois (DD-MZM Dual-Drive MachZehnder Modulator) guias com o efeito eletroptico.
A Tabela 2.1 apresenta as principais vantagens e desvantagens do uso de
diferentes tipos de MZM em configuraes da tcnica de modulao externa. Todas
elas apresentam a vantagem de utilizar apenas um laser, eliminando a necessidade de
implementar metodologias complementares para adquirir estabilidade e baixo rudo
de fase. A configurao inicial composta por apenas trs dispositivos: laser, SDMZM e fotodetector. O modulador polarizado para suprimir a portadora ptica e,

15

assim, alcana-se um fator multiplicativo igual a 2 e reconfigurabilidade em


frequncia [44].
A primeira variao do mtodo foi o acrscimo de filtro ptico na sado do
modulador como recurso para a quadruplicao em frequncia, garantindo pureza
espectral [46]. Porm, como a filtragem se d em relao a bandas laterais, e estas se
posicionam no espectro de acordo com a frequncia do sinal de RF de entrada, no
h flexibilidade a no ser que se use filtro reconfigurvel, o que aumenta o custo dos
sistemas. Como alternativa, Qi et al. (2005) props o uso da grade de Bragg (FBG Fiber Bragg Grating) como filtro rejeita-faixa de comprimento fixo em substituio
aos filtros at ento utilizados, de modo que tal dispositivo passou a atuar na
portadora ptica, e no mais em bandas laterais [48]. Com a tcnica, obtm-se fator
multiplicativo k = 4, pureza espectral e reconfigurabilidade em frequncia. No
entanto, um notvel empecilho refere-se dificuldade em se fabricar FBGs com
largura de banda menor do que 0,2 nm, o que impe limite inferior frequncia
mnima de operao.
Outras arquiteturas remetem utilizao de dois SD-MZM em cascata,
incluindo FBG e/ou transformadores de fase reconfigurveis nos domnios ptico
(TOPS) e eltrico (TEPS). A tcnica demonstrada por Kawanishi et al. (2005) [62]
considera um TEPS para a quadruplicao em frequncia. J Li & Yao (2010c) [63]
substituem este dispositivo por um TOPS e demonstram k = 8. Com a implementao
simultnea destes dispositivos e acrscimo da FBG, Yao (2010a) [37] aponta na
mesma arquitetura fatores multiplicativos equivalentes 4, 6, 8 e 12, dependendo da
combinao entre as regies de polarizao dos moduladores e das defasagens
aplicadas. Ressalta-se que moduladores em cascata contribuem para o acrscimo de
perdas por insero no sistema e, por isso, faz-se necessrio o uso de EDFA (Erbium
Doped Fiber Amplifier) ou amplificadores eltricos para compens-las.

16

Tabela 2.1 Tcnicas de modulao externa que utilizam o MZM para a OFM.
Tcnica
SD-MZM [44]

Vantagens

SD-MZMs cascateados [37]

Simplicidade

O maior fator de
multiplicao alcanado
igual a 2

No requer uso de filtro

SD-MZM + FBG [48]

Desvantagens

Permite k = 4

Permite k = 4, 6, 8 e 12

O uso da FBG limita a


frequncia mnima de
operao
Uso de dois moduladores.

DD-MZMs em paralelo ou
integrados [64-68]

No requer uso de filtro.

Permite k = 2 e 4

Requer o uso de FBG


e/ou TOPS e TEPS

Custo do modulador

Requer controle da
defasagem entre os sinais
de RF tomados como
referncia

Existem ainda configuraes baseadas na implementao de DD-MZMs em


paralelo ou integrados [64-68]. No modelo em questo, provoca-se defasagem entre
amostras do sinal de RF que iro compor as tenses de modulao, de modo que a
sobreposio dos campos modulados resulte, aps a fotodeteco, em uma portadora
com frequncia duas ou quatro vezes superior frequncia do sinal tomado como
referncia. O mtodo no requer uso de filtro e oferece pureza espectral, porm o
controle da defasagem entre os sinais modulantes, principalmente em sistemas que
exigem reconfigurabilidade, torna-se bastante trabalhoso. Pode-se tambm
acrescentar um SD-MZM a esta arquitetura [69] para alcanar k = 6, com a devida
inconvenincia de elevar o custo do sistema.

17

Captulo 3
3. Transmissor de RF reconfigurvel
3.1 Conceito
O transmissor de RF reconfigurvel baseia-se em multiplicao de frequncia
por meio de tecnologia fotnica, de modo a prover sinais em diferentes bandas do
espectro radioeltrico. A Figura 3.1 [37] apresenta o esquema utilizado para a
duplicao em frequncia com a tcnica de modulao externa, bem como a
ilustrao dos espectros obtidos, conforme ser demonstrado. Trata-se da
configurao apresentada por OReilly et al. (1992), composta basicamente por um
laser DFB (Distributed feedback laser), um modulador SD-MZM e um fotodetector
do tipo PIN. A fibra ptica monomodo (SMF Single mode fiber) pode ser utilizada
como alternativa para distribuir o campo modulado at estaes remotas,
viabilizando a operao de sistemas nas faixas de micro-ondas e ondas milimtricas.
O mtodo d origem a um transmissor de RF multibanda com custo
aproximado de 1.200,00 reais para produo em larga escala, considerado baixo
devido s vantagens oferecidas. Entre elas esto a flexibilidade em frequncia, a alta
largura de banda, a facilidade de configurao, a estabilidade e a possibilidade de
integrao com sistemas RoF. Alm disso, a simplicidade dos dispositivos
envolvidos na montagem contribui para a reduo do custo quando comparado ao de
tcnicas similares. Ressalta-se que o valor mencionado foi estimado levando em
considerao principalmente os preos do laser, do MZM e do PD, para aplicaes
em at 12 GHz.

18

ptico
eltrico

MZM

PD

SMF

LD
Figura 3.1 Esquema utilizado para a duplicao em frequncia no domnio ptico (k = 2). MZM
Modulador Mach-Zehnder; LD laser; SMF Fibra monomodo; PD fotodetector [37].

Em princpio, o modulador recebe uma portadora ptica proveniente do laser,


centrada no comprimento de onda
frequncia igual a

, e um sinal de RF tomado como referncia, cuja

. Analiticamente, tal procedimento pode ser representado com

a substituio da Eq.(2.7) na Eq.(2.6):


(

(3.1)

Considerando
,

(3.2)

onde f a frequncia de operao do laser, o campo eltrico na sada do MZM pode


ser reescrito como
(

(3.3)

De acordo com [44], a normalizao e a expanso deste campo em termos da funo


de Bessel leva seguinte representao:

19

onde

(3.4)

so as funes de Bessel de primeira espcie. A interpretao da Eq.(3.4)

indica que o campo eltrico, na sada do MZM, fica composto por elementos
espectrais referentes portadora ptica e bandas laterais, igualmente espaados de
entre si. A quantidade destas bandas com nveis significativos de potncia depende
do ndice de modulao (m), determinado pela relao entre a amplitude do sinal
modulador e

[70].

Em uma aplicao convencional, onde no h a inteno de se obter OFM,


polariza-se o MZM fora da condio de MITP para que a frequncia do sinal
fotodetectado seja

. Por outro lado, de acordo com a Eq.(3.4), ajustar a tenso de

polarizao do MZM para

(MITP) implica na supresso da portadora ptica e dos

elementos espectrais de segunda ordem. Neste caso, as bandas laterais de primeira


ordem, espaadas entre si de 2

, passam a compor de maneira predominante o

campo modulado, ou seja, representam os elementos espectrais de maior potncia.


Como resultado da fotodeteco deste campo, gerada uma portadora de RF com
frequncia duas vezes maior em relao ao sinal eltrico tomado como referncia.
Deve-se observar que o mtodo no utiliza nenhum tipo de filtro e, por isso, o
fator de multiplicao obtido, k = 2, permanece inalterado independentemente da
frequncia do sinal eltrico de entrada. Portanto, obtm-se a duplicao em
frequncia de maneira reconfigurvel. O mtodo traz ainda como vantagem a
possibilidade de gerar ondas milimtricas com pureza espectral e baixo rudo de fase.
H a penalidade de uma significante reduo na potncia do sinal gerado devido
operao do MZM no MITP. Porm, este inconveniente facilmente superado pelos

20

benefcios oriundos da tcnica, podendo ser compensado com o uso de


amplificadores.

3.2 Validao computacional


O transmissor representado pelo esquema descrito na Figura 3.1 foi analisado
numricamente utilizando o programa comercial OptiSystem, da empresa Optiwave
Systems Inc, com a finalidade de validar numricamente a duplicao em frequncia
no domnio ptico. Para a simulao, foi utilizado um laser sintonizado em 1.550 nm,
com potncia de 10 dBm, largura de linha igual a 10 MHz e rudo RIN de -135
dB/Hz. Considerou-se um fotodetector com as mesmas caractersticas ao utilizado na
obteno do resultado exposto pela Figura 2.2, e ainda, uma perda por insero de 6
dB imposta pelo SD-MZM. Foi tomado um sinal de RF como referncia com as
seguintes caractersticas: potncia (

) = 20 dBm; frequncia = 20 GHz; relao

de amplitude entre a frequncia central e os esprios fora da banda (shoulder) igual a


50 dB. A SMF no fez parte da montagem nesta etapa da investigao, sendo
substituda por um cordo ptico.
A Figura 3.2a mostra os resultados numricos referentes relao entre a
tenso de polarizao e a potncia da portadora ptica na sada do modulador,
levando em considerao valores de

distintos para o MZM (2,8 e 4 V). Observa-se

um comportamento cclico, de modo que as menores potncias so obtidas


exatamente nos pontos em que a

igual a

ou 3 , em conformidade com a

funo de transferncia apresentada na Figura 2.4. tambm constatado que a adio


de amplificadores no sistema no altera o comportamento da resposta em potncia
obtida em funo da

. As Figuras 3.2b e 3.2c apresentam o espectro ptico

obtido nos pontos destacados. Da mesma forma, para fins de comparao, a Figura
3.3 expe detalhes do espectro modulado, onde nota-se uma atenuao de 22 dB na
portadora ptica quando polariza-se o modulador para a condio de MITP.

21

Potncia da portadora ptica [dBm]

10
V = 2,8 V
V =4V
V = 4 V, GEDFA = 16 dB

5
0

-5
-10
-15
-20
-25

-30
-35

10

11

12

Tenso de polarizao [V]


a)

Potncia da portadora ptica na sada do modulador, em funo da

b) Espectro ptico no MITP

c) Espectro ptico no MATP

Figura 3.2 Potncia da portadora ptica modulada em funo de

, e espectro ptico nos

pontos de MITP e MATP [71].

Figura 3.3 Espectro ptico obtido nas condies de MATP e MITP.


22

Na sequncia, fixando a tenso de polarizao do MZM em

, obteve-se

aps a fotodeteco uma portadora eltrica de 40 GHz, com potncia igual a -62
dBm. Para compensar a perda de 6 dB inserida pelo modulador e aumentar o nvel do
sinal de RF obtido, foi ento adicionado sada do PD um amplificador com ganho e
figura de rudo (NF Noise Figure) iguais a 12 e 4 dB, respectivamente. O espectro
eltrico obtido com a simulao apresentado pela Figura 3.4, e comprova a
duplicao em frequncia garantindo caractersticas de pureza espectral. Em
comparao com o resultado exposto pela Figura 2.2, proveniente do mtodo
heterodino, nota-se uma reduo significativa do rudo de fase, bem como uma
penalidade de potncia imposta pela operao do MZM no MITP. Ainda assim,
alcanou-se uma SNR superior a 30 dB com a tcnica da modulao externa.
-40
-40

fm = 20 GHz

Potncia [dBm]

-50
-50

k=2

-60
-60

31 dB
-70
-70

-80
-80
-90
-90

1
10

2
3
4
20
30
40
Frequncia [GHz]

5
50

6
60
10

x 10

Figura 3.4 Sinal em 40 GHz gerado por meio da duplicao em frequncia com a tcnica de
modulao externa.

3.3 Investigao experimental


O objetivo deste subitem , alm de validar experimentalmente o transmissor
de RF descrito, demonstrar o impacto dos parmetros de entrada, pticos e eltricos,
no espectro gerado aps a fotodeteco. Procura-se ainda identificar modelos de
configurao que atendam a aplicaes especficas.

23

A validao inicial foi realizada fixando a

em

, de modo que foram

geradas portadoras de 12 e 16 GHz a partir de sinais de 6 e 8 GHz, respectivamente.


Os resultados foram apresentados em [71]. No entanto, o foco do atual trabalho
refere-se a uma abordagem mais profunda, explorando, por exemplo, diferentes
fatores multiplicativos em uma mesma arquitetura. Para tal, utilizou-se a montagem
exposta pela Figura 3.5, composta pelos seguintes elementos: um laser DFB com
em 1.551 nm e potncia ptica (

) = 4 dBm; um SD-MZM com

= 3,1 V; um

fotodetector do tipo PIN com responsividade de 0,9 A/W; uma fonte de tenso
contnua; um gerador de RF; um analisador de espectro eltrico com preciso de
0,2 dB. A potncia e a frequncia do sinal de RF de entrada foram ajustadas para 12
dBm e 2,6 GHz, respectivamente, sendo a relao de amplitude entre a frequncia
central e os esprios fora da banda deste sinal igual a 50 dB.
O Apndice 1 lista todos os dispositivos que foram utilizados nas montagens
experimentais ao longo deste trabalho. O Apndice 2 apresenta as principais
especificaes tcnicas do laser, MZM e PD utilizados na montagem inicial. Tais
informaes foram extradas dos seus manuais, disponibilizados pelos seus
respectivos fabricantes. A metodologia adotada para a obteno dos resultados
refere-se ao ajuste da tenso de polarizao do MZM (de 0 a 10 V), das potncias do
laser (de 0 a 10 dBm) e do sinal modulador (de 0 a 20 dBm). Faz-se ento a
subsequente anlise das caractersticas do sinal gerado, j no domnio eltrico. A
evoluo dos resultados foi dividida em trs etapas, as quais sero apresentadas a
seguir.

24

Analisador de espectro
eltrico

Gerador de RF
MZM
Fonte de Tenso

Fotodetector

Laser

Figura 3.5 Montagem experimental para a duplicao em frequncia com tecnologia fotnica,
baseada na tcnica da modulao externa.

3.3.1. Ajuste da tenso de polarizao


Os experimentos iniciais referem-se ao controle da tenso de polarizao do
MZM, proveniente da fonte de tenso contnua, entre 0 e 10 V. O objetivo verificar
a influncia deste parmetro nas caractersticas do espectro radioeltrico obtido aps
a fotodeteco. Os resultados obtidos foram publicados em [72].
A Figura 3.6 reporta o comportamento da potncia ptica modulada em 1.551
nm e das potncias eltricas obtidas em 2,6 e 5,2 GHz, respectivamente. observado
um comportamento cclico da potncia ptica, bem como a potencializao da
portadora de RF em 5,2 GHz devido duplicao em frequncia em relao ao sinal
incidente de 2, 6 GHz. Ajustar a tenso de polarizao do MZM para

(3,1 V)

implica em elevada atenuao da portadora ptica, como mostra o espectro inserido


na Figura 3.6, obtido por meio de um analisador de espectro ptico (OSA Optical
Spectrum Analyzer) conectado na sada do modulador. Consequentemente, o fator de
multiplicao igual a 2 (k = 2) e obtm-se um aumento na potncia do sinal eltrico
com frequncia duplicada. Verifica-se ainda que, nos pontos de maior potncia para
25

a componente espectral em 5,2 GHz, o sinal referente 2,6 GHz decai para a sua
amplitude mnima. Da mesma forma, nos pontos de mximo para o sinal de 2,6 GHz
(k = 1), a componente de 5,2 GHz mnima.
00

Potncia [dBm]

-10
-10

supresso de portadora
f = 2.6 GHz

-20
-20

f = 5.2 GHz
1551 nm

-30
-30
-40
-40
-50
-50
-60
-60

-70
-70

00

77

99

10
10

Vbias [V]

Figura 3.6 Comportamento da potncia ptica em 1.551 nm e da potncia eltrica em 2,6 e 5,2
GHz, em funo da

. A indicao corresponde ao espectro ptico obtido experimentalmente em


um dos MITPs do MZM.

Os resultados mostram que a seleo do fator multiplicativo entre 1 ou 2


depende do ajuste na tenso de polarizao do modulador, e que o transmissor
implementado com os parmetros previamente citados pode gerar portadoras em 2,6
ou 5,2 GHz, bem como prover sinais simultaneamente em ambas as frequncias
mencionadas. Nas condies impostas, identificam-se as tenses equivalentes a 3,1 e
4,5 V como valores potenciais para a

, assim considerados por proporcionarem a

maior potncia e RFSSR entre os sinais de interesse, sendo este ltimo parmetro
definido como a relao de potncia entre as componentes espectrais. O valor de
igual a 1,3 V tambm desperta interesse, j que proporciona um
comportamento bem prximo ao obtido com 4,5 V, com a vantagem de exigir um
baixo valor de tenso da fonte de alimentao.

26

Esta caracterstica de reconfigurabilidade tambm ilustrada pela Figura 3.7,


que exibe a potncia de RF obtida (

para diferentes frequncias em funo da

. Ao configurar a tenso de polarizao para, por exemplo, 2,5 V, habilita-se a


presena simultnea das portadoras de 2,6 e 5,2 GHz no espectro fotodetectado,
sendo suas potncias similares. H a presena de uma componente espectral em 7,8
GHz, proveniente do processo de fotodeteco. Esta componente se apresenta com
um nvel de potncia bastante baixo, prximo ao nvel do rudo e pode ser
considerada irrelevante.
-30

PRFout [dBm]

-40

-50

2,6 GHz

5,2 GHz

-60

7,8 GHz
-70
-80
2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

Vbias [V]

Figura 3.7 Reconfigurabilidade da frequncia em funo da

A Figura 3.8 mostra que o espectro eltrico medido na sada do fotodetector


contm predominantemente uma portadora de 2,6 GHz quando a
(k = 1), e majoritariamente uma portadora de 5,2 GHz quando a

= 4,5 V
= 3,1 V (k = 2),

de modo que em ambos os casos nota-se a pureza espectral e a ausncia de


distores. Obteve-se SNR e RFSSR de 25 e 18 dB, respectivamente, para o sinal de
5,2 GHz gerado por meio da OFM, e o nvel de potncia obtido equipara-se ao
alcanado numricamente. No entanto, como o experimento no considerou
amplificaes, nota-se uma viso pessimista da ferramenta de simulao em relao
aos termos de amplitude.

27

Encerrando esta etapa, foi inserida uma fibra monomodo padro da empresa
Prysmian-Draka com 2 km de comprimento entre o modulador e o PD, a fim de
validar a distribuio do campo ptico na condio de portadora suprimida. A
comparao entre o sinal de 5,2 GHz gerado considerando a arquitetura inicial
(cordo ptico) e em seguida, a insero da fibra ptica, apresentada na Figura 3.9.
No houve distoro entre os resultados obtidos e pode-se reafirmar a impercepo
de rudo de fase. A diferena entre os nveis de potncia deve-se s perdas por
conectorizao e atenuao imposta pela SMF.

-30
-30

= 4,5 V

PRFout [dBm]

Potncia [dBm]

-40
-40
25 dB

-50
-50
-60
-60
-70
-70

-80
-80
2
2,0

2.5
2,5

3
3,0

3.5
4
4.5
3,5
4,0
4,5
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]

5
5,0

3.5
4
4.5
3,5
4,0
4,5
Frequncia [GHz]
Frequncia [GHz]

5
5,0

5.5
5,5
9

x 10

-30
-30

= 3,1 V

PRF

[dBm]

out
[dBm]
Potncia

-40
-40
-50
-50

18 dB

-60
-60
-70
-70

-80
-80
2
2,0

2.5
2,5

3
3,0

5.5
5,5
9

x 10

Figura 3.8 Espectro eltrico obtido na sada do PD, para k =1 e k = 2.

28

Figura 3.9 Portadora em 5,2 GHz gerada com tecnologia fotnica, antes e depois da
propagao em 2 km de fibra ptica.

3.3.2. Ajuste da potncia de RF de entrada no


modulador
Identificados os valores de

que proporcionam k = 1 e k = 2, d-se incio

ao ajuste da potncia incidente porta de RF do MZM (

, sendo este parmetro

outro grau de liberdade do transmissor proposto. Para a anlise experimental, foram


mantidas as caractersticas da montagem apresentada pela Figura 3.5, com uma nica
alterao. Dois amplificadores de RF em cascata, ambos do fabricante Mini-Circuits,
foram acoplados sada do gerador de RF, a fim de elevar a potncia do sinal
eltrico tomado como referncia para at 20 dBm, sendo este valor prximo ao nvel
mximo tolerado pelo modulador em uso. O primeiro deles, cujo nmero de
identificao (part number) ZJL-4HG+, oferece ganho de 16 dB e figura de rudo
igual a 3,5 dB, enquanto o segundo corresponde a um amplificador de baixo rudo
(LNA Low Noise Amplifier) identificado como ZX60-P103LN+, apresentando um
ganho de 6 dB com NF igual a 0,7 dB. A Figura 3.10 apresenta a potncia de RF
obtida na sada do fotodetector em funo da potncia de RF incidente ao MZM,
considerando

igual a

(k = 2).
29

60
-30

PRFout [dBm]

50
-40

40

-50

2.6
2,6GHz
GHz
5.2
5,2GHz
GHz

30
-60

7.8
GHz
7,8
GHz
20
-70

10.4
GHzGHz
10,4

10
-80

-900

44

88

12
16
12
16
PRFin [dBm]

Figura 3.10

em funo de

para

20
20

(k = 2).

Nota-se que a potncia da portadora em 5,2 GHz aumenta com a elevao da


potncia de RF incidente ao MZM. Entretanto, os nveis de potncia referentes aos
elementos espectrais em 7,8 e 10,4 GHz tambm aumentam, reduzindo a RFSSR e
tornando este parmetro merecedor de ateno, principalmente quando se desejar
pureza espectral sem a utilizao de filtragem eltrica. Como exemplo, uma SNR de
54 dB obtida quando a

igual a 20 dBm, porm a RFSSR nesta condio

de apenas 19 dB.
Este comportamento pode ser atribudo elevao do ndice de modulao
em consequncia do aumento da

, j que operar com um alto m implica em uma

quantidade maior de bandas laterais aps o processo de modulao ptica. Desta


forma, o batimento destas componentes no PD provoca a potencializao de
harmnicos anteriormente considerados desprezveis.
A avaliao do resultado mostra que o transmissor oferecesse boa relao de
compromisso entre a

, SNR e RFSSR quando a

ajustada entre 12 e 16

dBm. Nesta faixa, alcana-se uma SNR entre 42 e 49 dB, e a RFSSR fica entre 30 e
27 dB, respectivamente.

30

3.3.3. Anlise senoidal e ajuste da potncia do


laser
Garantindo novamente as caractersticas da montagem inicial referente ao
transmissor, fez-se uma nova avaliao experimental dos sinais fotodetectados, desta
vez no domnio do tempo. A Figura 3.11 expe os resultados obtidos nas condies
de k igual a 1 (

= 4,5 V) e k igual a 2 (

= 3,1 V).

A anlise senoidal mostra que a forma de onda da portadora com frequncia


duplicada no est distorcida e, portanto, pode ser eletricamente modulada como em
um sistema de RoF convencional. Conforme o esperado devido supresso da
portadora ptica, a amplitude do sinal em 5,2 GHz inferior amplitude do sinal em
2,6 GHz.

Figura 3.11 Anlise temporal dos sinais fotodetectados, considerando k igual a 1 e k igual a 2.
Entretanto, a anlise das equaes referentes ao campo ptico na sada do
MZM, revela que uma melhor eficincia na converso eletroptica pode ser
alcanada incrementando as potncias do laser e do gerador de RF. Motivado por
esta anlise e na tentativa de elevar a potncia dos sinais gerados pelo transmissor, j
pensando no alcance da cobertura em redes sem fio, a fonte de luz com potncia de 4
dBm at ento utilizada foi substituda por um laser de 10 dBm, com potncia
31

reconfigurvel. O dispositivo utilizado foi do fabricante Golight, identificado como


OS-WT-D-C-20-0-0-P-FC/APC. O comprimento de onda central foi alterado para
1.550 nm, sem surtir qualquer tipo de impacto nos resultados obtidos.
A Figura 3.12 comprova o aumento na potncia do sinal de 5,2 GHz
proveniente da duplicao em frequncia, em funo do aumento da potncia do
laser. Trata-se de um comportamento linear, em que a maior potncia e SNR obtida,
garantindo harmnicos eltricos abaixo de -60 dBm (RFSSR

31 dB), foram de -30

dBm e 40 dB, respectivamente. Tais valores foram alcanados com a seguinte


configurao: potncia do laser igual a 10 dBm; potncia do gerador de RF igual a 9
dBm.
importante observar que fixando a

em 10 dBm, a RFSSR se mantm

praticamente constante para os trs valores de

considerados. Esta caracterstica

revela o aumento na amplitude de componentes espectrais situados em 3fm e 4fm,


tornando-os relevantes j a partir de

igual a 9 dBm. Tal situao descrita pela

Figura 3.13, que repete a anlise da

em funo da

para

porm com a potncia do laser fixada em 10 dBm.


-20

= 3 dBm
= 6 dBm

[dBm]

-30

data3= 9 dBm

-40
-50
-60
-70

RFSSR

10

[dBm]
Figura 3.12 Potncia do sinal gerado em 5,2 GHz em funo da potncia do laser, considerando
a

igual a 3, 6 e 9 dBm.

32

-20

2,6
2.6 GHz
GHz
5,2
5.2 GHz
GHz
7,8
7.8 GHz
GHz

-30

10,4
10.4 GHz
GHz

-40
-50
-60
-70
0

10

12

Figura 3.13 Potncia da portadora de 5,2 GHz e harmnicos, em funo da potncia de RF


incidente ao MZM. Resultado obtido considerando a

igual a 10 dBm.

Novamente, o aumento da potncia eltrica incidente ao MZM contribui para


o incremento da amplitude em 5,2 GHz, com a penalidade de tambm elevar as
potncias de componentes espectrais em 2,6, 7,8 e 10,4 GHz, reduzindo a RFSSR.
Com a

= 10 dBm, o transmissor passa a prover uma relao de compromisso

tima entre

, SNR e RFSSR para valores de

entre 4 e 8 dBm, onde

obtm-se SNR de 30 a 40 dB e RFSSR superior a 30 dB. A operao no intervalo de


potncia especificado traz ainda como vantagem o fato de os harmnicos
indesejveis estarem abaixo ou prximos ao patamar do rudo e, portanto, no se faz
necessria a filtragem eltrica.
Estes novos resultados referentes duplicao em frequncia, obtidos com a
elevao da potncia ptica do laser, representam a otimizao do transmissor
proposto. Afinal, verifica-se que alterar a potncia do laser de 4 para 10 dBm e
reduzir a

de 12 para 8 dBm, permite alcanar uma portadora de RF em 2fm com

potncia de at -30 dBm. Simultaneamente, a SNR aumenta em mais de 10 dB e a


RFSSR passa de 18 para 32 dB.

33

Captulo 4
4. Aplicaes do transmissor de RF
reconfigurvel
A aplicao mais intuitiva para o transmissor descrito relacionada
instrumentao. Sabe-se que o custo de equipamentos para testes e medies
aumenta proporcionalmente capacidade de operarem em altas frequncias do
espectro radioeltrico. Considerando a tecnologia fotnica apresentada, pode-se
estender em duas vezes a regio de operao de geradores de RF, por exemplo. No
entanto, o presente trabalho foca em aplicaes inovadoras, as quais sero
apresentadas a seguir.

4.1 Redes ptico-wireless reconfigurveis em


frequncia
O conceito de uma OWN, convergente e reconfigurvel em frequncia,
descrito pela Figura 4.1 e traz a vantagem de unir tecnologias pticas e micro-ondas
em uma nica arquitetura. Dentre os principais benefcios do uso de fotnica,
destacam-se a baixa atenuao, a alta capacidade de transmisso, a reduo de
tamanho, consumo e peso, bem como a imunidade eletromagntica. Por outro lado,
as tecnologias sem fio permitem mobilidade e flexibilidade.
A arquitetura proposta traz a funcionalidade de reconfigurao das
frequncias de RF, usufruindo das vantagens oferecidas pelo transmissor
desenvolvido, baseado na OFM por meio da tcnica de modulao externa. Neste

34

sentido, torna-se possvel reconfigurar a frequncia da portadora eltrica em funo

5,2 GHz

2,6 GHz

CO

RU
RU

RU

Anel ptico central

2,6 GHz

2,6 GHz

5,2 GHz

RU
5,2 GHz

2,6 GHz

ou

5,2 GHz

da demanda por trfego ou aspectos de propagao no ambiente sem fio.

Figura 4.1 OWN convergente e reconfigurvel em frequncia. Ilustra-se aplicaes para LTE e
Wi-Fi offloading [72].

Todo o processamento fotnico e funes de controle so concentradas na


central de operaes (CO Central Office), e o anel ptico central interconecta
estaes remotas (RUs Remote Units). Estas, podem ainda utilizar a tecnologia
RoF para transportar as portadoras de RF at unidades de antena, tambm remotas
(RAUs Remote Antenna Units). A prova de conceito foi direcionada aos padres
LTE em 2,6 GHz e Wi-Fi em 5,2 GHz, j que operam em bandas diferentes do
espectro e, portanto, exigem tecnologias para reconfigurabilidade. Da mesma forma,
a arquitetura poderia se aplicar a outros sistemas sem fio, incluindo, por exemplo,
desde ondas milimtricas para picoclulas at o padro GSM (Global System for
Mobile) em 900 e 1.800 MHz.
Como demonstrado na seo anterior, o controle da tenso de polarizao do
MZM permite alcanar k = 1 ou k = 2. Considerando um sinal de 2,6 GHz entregue

35

ao transmissor, tais fatores multiplicativos correspondem gerao de portadoras em


2,6 e 5,2 GHz, respectivamente, sendo a seleo da frequncia determinada pelo
ajuste na

. Vale ressaltar que o transmissor tem capacidade de prover estas

portadoras individualmente ou simultaneamente, tambm em funo da

. Esta

segunda opo torna-se interessante para o uso do Wi-Fi como tecnologia


complementar ao escoamento de dados das redes celulares [1]. A arquitetura
proposta foi validada em uma OWN, localizada dentro do Instituto Nacional de
Telecomunicaes, na cidade de Santa Rita do Sapuca - MG. A Figura 4.2 mostra
detalhes da implementao, incluindo fotografias da central de operaes e do
ambiente sem fio.

Distribuidor ptico

Gerador de RF

Fonte de tenso
Laser

MZM
Medidor de potncia ptica
a) Central de operaes (Transmissor fotnico de RF).
Antena UWB
Antena banda larga

Analisador de
espectro

Fotodetector
Amplificador
de RF

b) Unidade de antena remota

c) Recepo [73]

Figura 4.2 Detalhes de implementao do transmissor fotnico para a arquitetura RoF


reconfigurvel em frequncia.
36

O transmissor, presente na CO, foi configurado em funo dos resultados


obtidos no Captulo 3, de modo a prover a melhor relao de compromisso entre
potncia e RFSSR. Isto significa que o laser utilizado entrega ao MZM uma potncia
ptica de 10 dBm, monitorada pelo wattmetro ptico, e que o gerador de RF foi
ajustado para prover o sinal eltrico de referncia em 2,6 GHz, com potncia igual a
8 dBm. A fonte de tenso, responsvel pela

, controlada entre 1,3 (k = 1) e 3,1

V (k = 2), valores potenciais para a seleo da portadora desejada.


Foi utilizado um enlace ptico real de aproximadamente 1,5 km de extenso,
para transportar o campo ptico modulado at uma RAU. A Figura 4.3 traz a imagem
do campus do Inatel, obtida pelo Google EarthTM, onde a linha destacada identifica a
rede ptica utilizada. Para o enlace em questo, foi medida entre os distribuidores
pticos (ODFs Optical Distribution Frame) uma perda total de 3,8 dB, atribuda
propagao do campo na SMF e pincipalmente, s conectorizaes e conexes.

Instituto Nacional de Telecomunicaes

Figura 4.3 Identificao da rede ptica utilizada, correspondente a 1,5 km de SMF dentro do
campus do Inatel. Imagem obtida pelo Google Eartth TM.

Na unidade remota de transmisso, dois cordes pticos em srie conectam a


sada do ODF ao PD do tipo PIN, que prov um sinal eltrico aps a fotodeteco.
Nesta etapa, as potncias alcanadas para as portadoras de 2,6 e 5,2 GHz foram de
-25 e -39,6 dBm, respectivamente. Com o objetivo de viabilizar um alcance razovel
37

no ambiente sem fio, fez-se ento o uso de amplificao de RF, de modo que as
respectivas potncias foram aumentadas para 16 e -4 dBm. Uma caracterstica tpica
dos amplificadores utilizados a reduo dos ganhos em funo do aumento da
frequncia de operao. Por este motivo, a portadora de 2,6 GHz foi contemplada
com um ganho superior.
Finalmente, o sinal de RF amplificado irradiado para o ptio da faculdade
por uma antena banda larga comercial, que opera de 700 MHz a 6 GHz com um
ganho tpico de 5 dBi. Obteve-se, portanto, uma potncia de transmisso (PTX)
equivalente a 21 dBm para a portadora de 2,6 GHz (condio de k = 1), e uma PTX
igual a 1 dBm para a portadora de 5,2 GHz ( condio de k = 2). Clarificando as
condies prticas de operao, a Tabela 4.1 rene as potncias medidas em pontos
estratgicos da arquitetura, bem como as perdas por propagao no espao livre
estimadas pela equao de Friis.
Para captar os sinais aps a propagao no ambiente sem fio, foi utilizada
uma antena impressa de banda ultralarga (UWB Ultra Wide Band) e tamanho
reduzido, desenvolvida pela equipe do laboratrio WOCA [73]. Trata-se de uma
antena de microlinha de fita, conforme mostra a Figura 4.4a, baseada no truncamento
do plano de terra e em uma estrutura diferenciada para o casamento de impedncia,
que favorece o aumento da banda em relao s antenas impressas convencionais. O
prottipo foi fabricado em um substrato de Teflon com permissividade relativa igual
a 2,2, e proporcionou ganhos de 2,8 dBi em 2,6 GHz e 5,4 dBi em 5,2 GHz. Sua
largura de banda medida, definida como a regio na qual o coeficiente de reflexo
(S11) menor ou igual a -10 dB, est apresentada na Figura 4.4b. Observa-se
operabilidade entre as frequncias de 2 e 16,3 GHz, correspondente uma banda de
156 % centrada em 9,15 GHz, sendo esta caracterstica muito atraente para sistemas
com reconfigurabilidade em frequncia.

38

Tabela 4.1 Potncias obtidas em pontos estratgicos da arquitetura.


Medies

Para k = 1 (2,6 GHz)

Para k = 2 (5,2 GHz)

-16,5 dBm

-30,7 dBm

Potncia ptica na entrada do


ODF

3,8 dBm

-3,4 dBm

Atenuao total do enlace ptico

3,8 dB

3,8 dB

Potncia ptica na sada do ODF

0 dBm

-7,2 dBm

Potncia ptica na entrada do PD

-0,4 dBm

-7.6 dBm

Potncia eltrica na sada do PD

-25 dBm

-39,6 dBm

Ganho proveniente da
amplificao eltrica

41 dB

35.6 dB

Potncia na entrada da antena


transmissora

16 dBm

-4 dBm

Ganho tpico da antena


transmissora

5 dBi

5 dBi

Potncia irradiada

21 dBm

1 dBm

Perda no espao livre

61,57 dB

67,59 dB

Perda nos cabos e conectores de


RF

2 dB

2 dB

Ganho na recepo

2,8 dBi

5,4 dBi

Potncia recebida

-40,2 dBm

-63,7 dBm

Potncia fotodetectada na sada


do transmissor, considerando
apenas um cordo ptico

39

S11[dB]

-10

-20
-30
-40
1

a) Prottipo construdo.

9
13
Frequncia [GHz]

17

b) Resposta em frequncia medida.

Figura 4.4 Antena de banda ultralarga utilizada na recepo [73].


A Figura 4.5 apresenta o espectro eltrico obtido nas condies de k = 1 e k =
2 aps a propagao dos sinais pelo sistema RoF, utilizando tecnologia fotnica. A
medida foi realizada em uma linha de visada direta de 11 m a partir do primeiro
andar do prdio 2 do Inatel, at o ptio identificado pela Figura 4.2c. Ajustando a
para a condio de k = 1, obteve-se a portadora de 2,6 GHz com potncia de
recepo (PRX) igual a -40,2 dBm. Na sequncia, levando o MZM condio de
MITP, de modo que

, obteve-se a portadora de 5,2 GHz com potncia de

-63,7 dBm. Tais valores de PRX so compatveis com os nveis de potncia esperados
para, por exemplo, a recepo em dispositivos mveis nas redes 3G, 4G, 5G e Wi-Fi.
Em ambos os casos nota-se a ausncia de distores e a pureza espectral, validando o
uso do transmissor desenvolvido para futuras redes convergentes.
Foi ainda investigada a aplicabilidade do transmissor multibanda para
sistemas adaptativos e cognitivos de RoF (ACRoF Adaptative and Cognitive Radio
over Fiber) [12]. Tais sistemas so baseados na integrao entre rdio cognitivo e
arquiteturas de RoF, e requerem a explorao dinmica de novos recursos espectrais
por meio no s da reconfigurao entre as bandas de operao, mas tambm pela
reconfigurao de canais dentro de uma mesma banda.

40

Figura 4.5 Sinais de RF obtidos aps propagao pela OWN, convergente e reconfigurvel.
A Figura 4.6 exibe portadoras com frequncias distintas dentro da banda do
Wi-Fi, geradas individualmente em 5,1, 5,2, 5,3 e 5,4 GHz, na condio de k = 2.
Para obt-las, basta que a frequncia do gerador de RF seja ajustada entre 2,55 e 2,7
GHz, de acordo com o canal de operao almejado, podendo esta escolha ser
definida por aspectos de propagao e por sensoriamento espectral. Os sinais gerados
em funo da duplicao em frequncia apresentaram alta qualidade, com ausncia
de distores e baixo rudo de fase. H uma reduo na amplitude das portadoras
medida que suas respectivas frequncias aumentam, correspondente a uma variao
total de 1,2 dB entre a portadora de 5,1 GHz e a portadora de 5,4 GHz. Esta
caracterstica atribui-se variao no desempenho oferecido pelos dispositivos
utilizados e s diferentes perdas no espao livre, ambas dependentes da frequncia de
operao e no trazem impactos destrutivos para o sistema.
Esta aplicao reafirma a reconfigurabilidade em frequncia do transmissor
desenvolvido. Afinal, o ajuste na frequncia do sinal de RF incidente ao MZM

41

capaz de alterar o canal da portadora de frequncia duplicada, deslocando-a no


espectro, dentro ou fora de uma mesma banda de operao.

Figura 4.6 Reconfigurao em frequncia do sinal de micro-ondas gerado dentro da banda do


Wi-Fi de 5 GHz.

4.2 Transmissor de RF multibanda aplicado s


tecnologias UMTS, LTE e Wi-Fi
Esta aplicao contempla a introduo do transmissor de RF com banda
reconfigurvel em uma rede celular viva da operadora TIM, usando uma estao
rdio base (BTS Base Station) UMTS (Universal Mobile Telecommunications
System) caracterizada como femtoclula, conforme prope a Figura 4.7. O principal
objetivo usufruir da reconfigurabilidade oferecida pelo transmissor fotnico para
combinar, em uma nica arquitetura de rede, os padres UMTS em 2,1 GHz, LTE
em 2,6 GHz e Wi-Fi em 5,2 GHz.
Similarmente rede descrita no subitem anterior, o esquema proposto remete
a duplicao em frequncia baseada na tcnica de modulao externa. A principal
diferena o uso de duas componentes de RF com frequncias distintas, combinadas
para compor o sinal modulador. A primeira delas corresponde a uma portadora de 2,6
GHz oriunda de um gerador de RF, e a segunda refere-se a um sinal de 2,1 GHz
42

proveniente da BTS, chamada Blue Zone Tim, que est conectada em uma rede
viva da operadora TIM. Suas respectivas amplitudes foram mantidas em 14 dBm, j
que para este experimento foi utilizado o laser de 4 dBm especificado no Apndice 2.

Femtoclula

se k = 1

VSG
2,1 2,6

f (GHz)

2,6 GHz

2,1 GHz

se k = 2

Combinador de RF

4,2 4,7 5,2 f (GHz)

Laser

PD

MZM
SMF
(DC)

Figura 4.7 Arquitetura proposta para combinar trs padres de RF em uma nica rede sem fio.
VSG: Vector Signal Generator.

A rede sem fio baseada em tecnologia fotnica ir operar com os padres 3G


e 4G concomitantemente quando k = 1, j que nesta condio, ambos os sinais de 2,1
e 2,6 GHz estaro presentes na sada do fotodetector. Por outro lado, se a

for

ajustada de modo que k mude para 2, obtm-se um novo espectro eltrico


fotodetectado, com portadoras em 4,2, 4,7 e 5,2 GHz. As duas primeiras
correspondem duplicao em frequncia referente ao sinal incidente de 2,1 GHz e
ao batimento entre bandas laterais no fotodetector, respectivamente. Esto em uma
faixa espectral ainda sem aplicaes e se necessrio, podem ser filtradas sem grandes
dificuldades, dado ao espaamento de 1.000 e 500 MHz em relao portadora de
5,2 GHz. Esta, por sua vez, desperta grande interesse por ser atribuda a uma das
bandas do Wi-Fi. Vale lembrar que existe ainda a possibilidade de obter todas estas
componentes de uma s vez e com nveis de potncia bastante prximos, desde que o
modulador seja polarizado, por exemplo, com uma tenso igual a 2,5 V.
Dando incio validao experimental, dois aparelhos celulares foram usados
para completar chamadas e navegar na Internet atravs de uma rede UMTS externa
convencional, chamada TIM. A Figura 4.8a exibe a foto de um destes aparelhos a ela
43

conectado, demonstrando que a rede mencionada est em perfeito funcionamento. O


prximo passo foi ligar individualmente a femtoclula, de modo a verificar sua
operabilidade. A Figura 4.8c destaca a luz de transferncia de informaes acesa
enquanto o celular est em conexo com a Internet, indicando que a ERB est em
uso. Complementando a investigao, a Figura 4.8d mostra que a rede utilizada pelo
dispositivo mvel em questo muda para Blue Zone Tim, referente ao nome
atribudo femtoclula.
Em sequncia, a Figura 4.8b apresenta a fotografia do transmissor compondo
a arquitetura proposta, em ambiente de laboratrio. A montagem foi constituda pelos
seguintes elementos: uma femtoclula comercial, um gerador e um combinador de
RF, um quilmetro de SMF padro, uma antena banda larga com ganho tpico de 5
dBi, dois aparelhos celulares, um laser de 4 dBm centrado em 1.551 nm, um SDMZM, um fotodetector do tipo PIN, uma fonte de tenso e um analisador de espectro
eltrico. O Apndice 3 apresenta as principais especificaes tcnicas da femtoclula
utilizada, com informaes extradas do manual fornecido pelo seu fabricante. O
laser, o MZM e o PD correspondem aos dispositivos especificados no Apndice 2.
Implementada a arquitetura por completo, garantiu-se no ambiente interno um
nvel de potncia superior ao proveniente da rede externa TIM, de modo a habilitar a
comunicao por voz e dados usando a femtoclula acoplada ao transmissor.
importante comentar que a sada de RF da BTS foi desconectada de sua antena
transmissora e conectada diretamente ao combinador de RF, de modo a forar que o
sinal referente Blue Zone Tim passe pelo transmissor e seja distribudo pela antena
banda larga, posicionada na sada do PD.
Como resultado, observa-se tambm pela Figura 4.8b, que o celular destacado
se conecta novamente rede Blue Zone TIM, desde que o fator multiplicativo do
transmissor seja ajustado para 1. Nesta condio, foi realizada uma chamada de voz
de alta qualidade, com escoamento de dados pela arquitetura proposta. Por fim, a
Figura 4.9 apresenta os espectros eltricos obtidos nas condies de k igual a 1 e k
igual a 2.

44

a) Tela do celular ilustrando comunicao com a rede externa TIM

Analisador de espectro eltrico


Combinador
Antena
de RF
Gerador de RF

Fonte de
tenso

1 km de SMF
FemtoClula

PD

Laser

MZM

Celulares

b) Foto da montagem experimental completa.

LED aceso

c) Femtoclula em uso pelos celulares


aaaapresentados

d) Tela do celular ilustrando


conexo com a Blue Zone TIM

Figura 4.8 Implementao do transmissor multibanda para aplicaes em UMTS, LTE e Wi-Fi.

45

-30
-30

PRFout [dBm]

-40
-40

2,1 GHz

2,6 GHz

-50
-50

-60
-60
-70
-70

-80
-80

22

2.5
2,5

33

3.5
4.5
3,5
44
4,5
Frequncia [GHz]

55

5.5
5,5
9

x 10

a) Espectro eltrico obtido para k = 1.


-30
-30

PRFout [dBm]

-40
-40
-50
-50

4,2 GHz

4,7 GHz 5,2 GHz

-60
-60
-70
-70

-80
-80

22

2.5
2,5

33

3.5
4.5
3,5
44
4,5
Frequncia [GHz]

55

5.5
5,5
9

x 10

b) Espectro eltrico obtido para k = 2.


Figura 4.9 Espectros de RF obtidos com a arquitetura proposta.

46

Captulo 5
5. Concluses
O trabalho baseou-se no uso de tecnologia fotnica para a gerao de sinais
de radiofrequncia na faixa de micro-ondas. O principal objetivo foi desenvolver um
transmissor de RF reconfigurvel, de baixo custo, e propor sua aplicao em sistemas
de rdio sobre fibra. No captulo 1 foi apresentada a contextualizao sobre a
demanda por servios mveis de telecomunicaes e as alternativas que visam
proporcionar capacidade e mobilidade em arquiteturas de rede. As comunicaes
pticas e as redes sem fio operando na faixa de micro-ondas foram tratadas como
potencias para garantir estas duas virtudes. Ainda no captulo 1, apresentou-se uma
reviso bibliogrfica contendo aplicaes provenientes de estudos na rea de fotnica
de micro-ondas, incluindo os principais trabalhos referentes gerao de ondas
milimtricas. Esta reviso foi chave para conhecermos o estado da arte neste campo e
assim, permitir a escolha da tcnica a ser utilizada para a implementao do
transmissor.
No captulo 2, detalhou-se o mtodo heterodino para a construo de fontes
fotnicas de sinais de altas frequncias, e justificou-se a opo por tcnicas de
modulao externa que utilizam o modulador como principal recurso para obter
multiplicao em frequncia. Foram apresentadas algumas variaes entre elas, de
acordo com trabalhos reportados na literatura. Dada sua vital importncia, o
modulador Mach-Zehnder foi objetivamente descrito, de modo a caracterizar o seu
comportamento tpico e proporcionar fundamento terico operao do transmissor.
O captulo 3 foi dedicado descrio da tcnica que d origem ao transmissor
de RF proposto, bem como sua caracterizao. Foi validada a multiplicao em
47

frequncia de maneira reconfigurvel e sucederam-se experimentos investigativos


sobre o espectro eltrico obtido na sada do transmissor, trazendo tona diferentes
performances em funo dos seus parmetros de entrada. Verificou-se que polarizar
o MZM para o ponto mnimo de transmisso implica na supresso da portadora
ptica e na consequente duplicao em frequncia em relao ao sinal de RF
incidente ao modulador. Da mesma forma, demonstrou-se que um ajuste na tenso de
polarizao capaz de selecionar o fator multiplicativo, e que o incremento das
potncias dos sinais de entrada (ptico e eltrico) potencializam os sinais gerados,
tornando vlida a anlise da relao de amplitude entre as componentes espectrais.
Foi demonstrado ainda que as portadoras de RF provenientes do transmissor
apresentam baixo rudo de fase e ausncia de distores, podendo ser eletricamente
moduladas.
No captulo 4 props-se a aplicao do transmissor estudado em redes sem fio
de ncleo ptico, a fim de adicionar a estas arquiteturas caractersticas de
convergncia e reconfigurabilidade. Foi descrita a implementao de uma OWN para
aplicaes em LTE e Wi-Fi, onde o transmissor foi elemento chave para a
flexibilidade entre os padres mencionados. Foram alcanados nveis de recepo
(

) que se aplicam s atuais e futuras geraes de redes sem fio. Por fim,

usufruindo da caracterstica de banda flexvel atribuda ao multiplicador, elaborou-se


uma arquitetura capaz de adicionar aplicaes em UMTS OWN previamente
descrita.
Comprovou-se

eficincia

do

transmissor

foram

identificadas

configuraes que proporcionam a melhor relao de compromisso entre potncia e


RFSSR para o sinal de micro-ondas gerado. A partir dos resultados obtidos, concluise que o trabalho contribui para o desenvolvimento de um transmissor de RF
reconfigurvel, de baixo custo e capaz de operar nas regies de micro-ondas e ondas
milimtricas do espectro radioeltrico. Para aplicaes em instrumentao, h a
possibilidade de estender em at duas vezes a frequncia mxima oferecida por
equipamentos de testes e medies, respeitando evidentemente as larguras de banda
do modulador e do fotodetector. Em redes OWN, o uso do transmissor garante
aspectos de mobilidade e capacidade, podendo ainda proporcionar eficientemente a
48

tambm

desejada

convergncia

reconfigurabilidade

para

as

redes

de

telecomunicaes do futuro. Tanto a seleo de bandas distintas do espectro de


frequncias quanto a possibilidade de operao em canais distintos dentro de uma
banda, trazem solues para, por exemplo, sensoriamento espectral e escoamento de
dados por tecnologias complementares.
Como sugestes para trabalhos futuros, prope-se a realizao de uma anlise
de desempenho relacionada ao transmissor, envolvendo aspectos de modulao
digital. Novos experimentos devem ser realizados para investigar o comportamento
da constelao e do diagrama de olho, por exemplo, em funo da manipulao dos
parmetros de entrada do dispositivo em questo. H ainda a inteno de integrar o
laser, o modulador e o fotodetector em um nico dispositivo, dando origem a um
produto capaz de duplicar a frequncia do sinal de entrada. A tarefa ir exigir
controle de estabilidade e particularizao do conjunto, sendo esta referente
definio da perda por insero, da impedncia, da faixa de operao e dos limiares
de potncia, entre outros parmetros bsicos de qualquer dispositivo de RF. Outra
questo importante a ser abordada a expanso do fator multiplicativo, que traz uma
vasta possibilidade de estudos futuros. Podemos citar pesquisas para o incremento
das frequncias geradas e realizao de experimentos na faixa de ondas milimtricas,
que segundo Rappaport et al. (2013) [14], apresenta grande potencial para o
desenvolvimento dos sistemas 5G.

49

Referncias bibliogrficas
[1]

CISCO SYSTEMS, Inc. Cisco visual networking index: global mobile data
traffic forecast update, 2013-2018. White Paper, Feb. 2014.

[2]

ERICSSON. Ericsson mobile report: on the pulse of the networked society.


Nov. 2014.

[3]

Kartalopoulos, S. V. DWDM: networks, devices, and technology. Wiley-IEEE


Press, 2002. 520p.

[4]

Prat, J. Next generation FTTH passive optical networks. 1 ed. Springer


Netherlands, 2008. 190p.

[5]

Macwilliams, F. J. The theory of error-correcting codes. New York: NorthHolland, 1998. 762p.

[6]

Agrawal, G. P. Fiber-optic communication systems. 3 ed. New York: Wiley


Series in Microwave and Optical Engineering, 2002.

[7]

Guimares, D. A. Digital transmission: a simulation-aided introduction with


VisSim/Comm. Berlin: Springer, 2009. 872p.

[8]

Silveira, C. R.. Estudo de formatos especiais de modulao digital para


comunicaes pticas. 2009. Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica)
Escola de Engenharia de So Carlos, Universidade de So Paulo, So
Carlos.

[9]

Diniz, J. C. M. et al. Processamento de sinais para redes pticas coerentes


digitais de alta velocidade. Cad. CPqD Tecnologia, Campinas, vol. 7, no. 2,
pp. 7-30, 2011.

[10]

S. Haykin, Cognitive radio: brain-empowered wireless communications,


IEEE J. Select. Areas Commun., vol. 23, pp. 201-220, Feb. 2005.

[11]

Gomes, N. J.; Monteiro, P. P.; Gameiro, A. Next generation wireless


communications using radio over fiber, 1 ed. Wiley, 2012.
50

[12]

E. R. Neto, J. R. G. da Rosa, M. A. F. Casaroli, I. F. da Costa, A. M. Alberti,


Arismar Cerqueira S. Jr., Implementation of an optical-wireless network
with spectrum sensing and dynamics resource allocation using optically
controlled reconfigurable antennas, International Journal of Antennas and
Propagation, Article ID 670930, 11 pages, Apr. 2014.

[13]

J. Wells, Faster than fiber: the future of multi-Gb/s wireless, IEEE


Microwave Magazine, vol. 10, no. 3, pp. 104-112, May, 2009.

[14]

T. S. Rappaport, S. Sun, R. Mayzus, H. Zhao, Y. Azar, K. Wang, G. N.


Wong, J. K. Schulz, M. Samimi, F. Gutierrez, Millimeter wave mobile
communications for 5G cellular: It will work!, IEEE Access, vol. 1, pp. 335349, 2013.

[15]

D. Zibar, R. Sambaraju, R. Alemany, A. Caballero, J. Herrera, I. Tafur


Monroy, Radio-frequency transparent demodulation for broadband hybrid
wireless-optical links, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 22, no. 11, pp. 784786, Jun. 2010.

[16]

D. Zibar, A. Caballero Jambrina, X. Yu, X. Pang, A. K. Dogadaev, I. Tafur


Monroy, Hybrid optical fibre-wireless links at the 75-110 GHz band
supporting 100 Gbps transmission capacities, International Topical Meeting
& Microwave Photonics Conf., Singapore, pp. 445-449, 2011.

[17]

L. Deng, M. Beltran, X. Pang, X. Zhang, V. Arlunno, Y. Zhao, A. Caballero


Jambrina, A. K. Dogadaev, X. Yu, R. Llorente, D. Liu, I. Tafur Monroy,
Fiber wireless transmission of 8.3-Gb/s/ch QPSK-OFDM signals in 75-110GHz band, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 24, no. 5, pp. 383-385, Mar.
2012.

[18]

A. Caballero Jambrina, D. Zibar, R. Sambaraju, J. Marti, I. Tafur Monroy,


High-capacity 60 GHz and 75-110 GHz band links employing all-optical
OFDM generation and digital coherent detection, J. Lightw. Technol., vol.
30, no. 1, pp. 147-155, Jan. 2012.

[19]

N. Guo, R. C. Qiu, S. S. Mo, K. Takahashi, 60-GHz millimeter-wave radio:


principle, technology, and new results, EURASIP Journal on Wireless
Communications and Networking, vol. 2007, Article ID 68253, 8 pages,
2007.

51

[20]

X. Pang, A. Caballero, A. Dogadaev, V. Arlunno, R. Borkowski, J. S.


Pedersen, L. Deng, F. Karinou, F. Roubeau, D. Zibar, X. Yu, I. T. Monroy,
100 Gbit/s hybrid optical fiber-wireless link in the W-band (75-110 GHz),
Opt. Express, vol. 19, no. 25, pp. 24944-24949, Dec. 2011.

[21]

D. Novak, The evolution of microwave photonics [from the guest editors


desk], IEEE Microwave Magazine, vol. 10, no. 4, pp. 8,10-10,62, Jun, 2009.

[22]

T. R. Clark, R. Waterhouse, Photonics for RF front ends, IEEE Microwave


Magazine, vol. 12, no. 3, pp. 87-95, May, 2011.

[23]

J. Capmany, D. Novak, Microwave photonics combines two worlds, Nature


Photonics, vol. 1, pp. 319-330, Jun. 2007.

[24]

W. E. Stephens, T. R. Joseph, B. U. Chen, Analog microwave fiber optic


communications links, IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Digest, San
Francisco, May, 1984.

[25]

A. J. Cooper, Fiber/radio for the provision of cordless/mobile telephony


services in the access network, Electron. Lett, vol. 26, no. 24, pp. 20542056, Nov. 1990.

[26]

R. A. Becker, C. E. Woodward, F. J. Leonberger, R. C. Williamson, Wideband electrooptic guided-wave analog-to-digital converters, Proc. IEEE, vol.
72, pp. 802-819, 1984.

[27]

W. Li, H. Zhang, Q. Wu, Z. Zhang, M. Yao, All-optical analog-to-digital


conversion based on polarization-differential interference and phase
modulation, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 19, no. 8, pp. 625-627, Apr.
2007.

[28]

H. Chi, J. P. Yao, A photonic analog-to-digital conversion scheme using


Mach-Zehnder modulators with identical half-wave voltages, Opt. Express,
vol. 16, no. 2, pp. 567-572, Jan. 2008.

[29]

L. Xu, S. Zhang, X. Zhou, J. Dai, Y. Yang, Y. Liu, Y. Liu, Electro-optical


analog-to-digital converter based on LiNbO3 Mach-Zehnder modulators, 9th
International Conference on Optical Communications and Networks (ICOCN
2010), Nanging, China, Oct. 2010.

[30]

J. Capmany, B. Ortega, D. Pastor, A tutorial on microwave photonic filters,


J. Ligthw. Technol., vol. 24, no. 1, pp. 201-229, Jan. 2006.
52

[31]

R. A. Minasian, Photonic signal processing of microwave signals, IEEE


Trans. Microw. Theory Tech., vol. 54, no. 2, pp. 832-846, Feb. 2006.

[32]

W. Ng, A. A. Walston, G. L. Tangonan, J. J. Lee, I. L. Newberg, N.


Bernstein, The first demonstration of an optically steered microwave phased
array antenna using true-time-delay, J. Lightw. Technol., vol. 9, no. 9, pp.
1124-1131, 1991.

[33]

J. Yao, Microwave photonics (Invited Tutorial), J. Lightw. Technol., vol.


27, no. 3, pp. 314-335, Feb. 2009.

[34]

Arismar Cerqueira S. Jr., I. F. da Costa, L. T. Manera, J. A. Diniz, Optically


controlled reconfigurable antenna array based on E-shape elements,
International Journal of Antennas and Propagation, Article ID 750208, 8
pages, Apr. 2014.

[35]

A. Al-Dulaimi, H. Al-Raweshidy, J. Cosmas, J. Loo, Cognitive mesh


networks: cognitive radio over fiber for microcells applications, IEEE
Vehicular Technology Magazine, vol. 5, no. 3, pp. 54-60, 2010.

[36]

P. Ghelfi, F. Laghezza, F. Scotti, G. Serafino, A. Capria, S. Pinna, D. Onori,


C. Porzi, M. Scaffardi, A. Malacarne, V. Vercesi, E. Lazzeri, F. Berizzi, A.
Bogoni, A fully photonics-based coherent radar system, Nature, vol. 507,
pp. 341-345, 2014.

[37]

J. Yao, A tutorial on microwave photonics, IEEE J. Lightw. Technol., vol.


27, no. 3, pp. 4-12, Apr. 2012.

[38]

A. Bayln-Fuentes, P. Henrndez-Nava, I. E. Zaldvar-Huerta, J. RodrguezAsomoza, A. Garca-Jurez, G. Aguayo-Rodrguez, Microwave signal


generation based on optical heterodyne and its application in optical
telecommunication system, IEEE International Conference on Electrical
Communications and Computers (CONIELECOMP), San Andres Cholula,
pp. 334-338, 2011.

[39]

T. P. Villena, Arismar Cerqueira S. Jr., M. L. F. Abbade, H. E. Hernandez


Figueroa, H. L. Fragnito, Generation of quaternary-amplitude microwave
signals by using a new optical heterodyne technique, Microwave and Optical
Technology Letters, vol. 54, no. 12, pp. 2738-2743, Dec. 2012.

53

[40]

K. J. Williams, 6-34 GHz offset phase locking of Nd: YAG 1319 nm


nonplanar ring lasers, Electron. Lett., vol. 25, no. 18, pp. 1242-1243, Aug.
1989.

[41]

A. C. Bordonalli, C. Walton, Alwyn, J. Seeds, High-performance phase


locking of wide linewidth semiconductor lasers by combined use of optical
injection locking and optical phase-lock loop, J. Lightw. Technol., vol. 17,
no. 2, pp. 328-342, Feb. 1999.

[42]

D. Y. Kim, M. Pelusi, Z. Ahmed, D. Novak, H. F. Liu, Y. Ogawa,


Ultrastable millimetre-wave signal generation using hybrid modelocking of
a monolothic DBR laser, Electron. Lett., vol. 32, no. 9, pp. 733-734, Apr.
1995.

[43]

A. J. C. Vieira, P. R. Herczfeld, A. Rosen, M. Ermold, E. E. Funk, W. D.


Jemison, K. J. Williams, A mode-locked microship laser optical transmitter
for fiber radio, IEEE Transactions on MTT, vol. 49, no. 10, pp. 1882-1887,
Oct. 2001.

[44]

J. J. OReilly, P. M. Lane, R. Heidemann, R. Hofstetter, Optical generation


of very narrow linewidth millimetre wave signals, Electron. Lett., vol. 28,
no. 25, pp. 2309-2311, 1992.

[45]

J. J. OReilly, P. Lane, Remote delivery of video services using mm-wave


and optics, J. Lightw. Technol., vol. 12, no. 2, pp. 369-375, Feb. 1994.

[46]

J. J. OReilly, P. M. Lane, Fibre-supported optical generation and delivery of


60 GHz signals, Electron. Lett., vol. 30, no. 16, pp. 1329-1330, 1994.

[47]

P. Shen, N. J. Gomes, P. A. Davies, W. P. Shillue, P. G. Huggard, B. N.


Ellison, High-purity millimetre-wave photonic local oscillator generation
and delivery, in Proc. Int. Microwave Photonics Topical Meeting, pp.189192, 2003.

[48]

G. Qi, J. P. Yao, J. Seregelyi, C. Belisle, S. Paquet, Generation and


distribution of a wide-band continuously tunable mm-wave signal with an
optical external modulation technique, IEEE Trans. Microw. Theory Tech.,
vol. 53, no. 10, pp. 3090-3097, Oct. 2005.

54

[49]

W. Li, J. Yao, Investigation of photonically assisted microwave frequency


multiplication based on external modulation, IEEE Trans. Microw. Theory
Tech., vol. 58, no. 11, pp. 3259-3268, Nov. 2010.

[50]

W. Li, J. Yao, Microwave and terahertz generation based on photonically


assisted microwave frequency twelvetupling with large tunability, IEEE
Photonics Journal, vol. 2, no. 6, pp. 954-959, Dec. 2010.

[51]

B. Vidal, Photonic millimeter-wave frequency multiplication based on


cascaded four-wave mixing and polarization pulling, Optics Letters, vol. 37,
no. 24, pp. 5055-5057. 2012.

[52]

Y. Shi, H. Yang, C. M. Okonkwo, A. M. J. Koonen and E. Tangdiongga,


Optical frequency multiplication using fibre ring resonator, Electron. Lett.,
vol. 46, no. 11, pp. 781-783, May, 2010.

[53]

J. Yu, Z. Jia, T. Wang, G. K. Chang, Centralized lightwave radio-over-fiber


system with photonic frequency quadrupling for high-frequency millimeterwave generation, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 19, no. 19, pp. 14991501, Oct. 2007.

[54]

L. Zhang, X. Hu, P. Cao, T. Wang, Y. Su, A bidirectional radio over fiber


system with multiband-signal generation using one single-drive MZM, Opt.
Express, vol. 19, no. 6, pp. 5196-5201, Mar. 2011.

[55]

A. Bogoni, P. Ghelfi, F. Laghezza, F. Scotti, G. Serafino, S. Pinna,


Photonic-assisted RF transceiver, 39th European and Conference and
Exhibition on Optical Communication (ECOC 2013), pp.1-3, 2013.

[56]

F. Laghezza, F. Scotti, P. Ghelfi, A. Bogoni, Photonics-assisted multiband


RF transceiver for wireless communications, J. Lightw. Technol., vol. 32,
no. 16, pp. 2896-2904, 2014.

[57]

G. H. Smith, D. Novak, Z. Ahmed, Technique for optical SSB generation to


overcome dispersion penalties in fibre-radio systems, Electron. Lett., vol. 33,
no. 1, pp. 74-75, Jan. 1997.

[58]

N. Dagli, Wide-bandwidth laser and modulators for RF photonics, IEEE


Trans. Microw. Theory Tech., vol. 47, no. 7, pp. 1151-1171, Jul. 1999.

55

[59]

W. S. Fegadolli, C. de S. Martins, O. L. Coutinho, V. R. Almeida, J. E. B.


Oliveira, Highly linear electrooptic modulator with suppression of evenorder distortions, IEEE International Microwave and Optoelectronics
Conference (IMOC), Nov. 2009.

[60]

C-T. Lin, P-T. Shih, J. Chen, W-J. Jiang, S-P. Dai, P-C. Peng, Y-L. Ho, S.
Chi,

Optical

millimeter-wave

up-conversion

employing

frequency

quadrupling without optical filtering, IEEE Trans. Microw. Theory Tech.,


vol. 57, no. 8, pp. 2084-2092, Aug. 2009.
[61]

A. A. Ferreira Jr., J. A. J. Ribeiro, R. H. Souza, N. A. Roso, O. L. Coutinho,


J. E. B. Oliveira, Large signal analysis of photonic-assisted millimeter wave
upconversion using Mach-Zehnder modulators, 16 SBMO Simpsio
Brasileiro de Micro-ondas e Optoeletrnica e 11 CBMag Congresso
Brasileiro de Eletromagnetismo, 2014, Curitiba. Proceedings of MOMAG
2014.

[62]

T. Kawanishi, H. Kiuchi, M. Yamada, T. Sakamoto, M. Tsuchiya, J. Amagai,


M. Izutsu, Quadruple frequency double sideband carrier suppressed
modulation using high extinction ratio optical modulators for photonic local
oscilators, International Topical Meeting on Microwave Photonics, pp. 1-4,
2005.

[63]

W. Li, J. Yao, Microwave generation based on optical domain microwave


frequency octupling, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 22, no. 1, pp. 24-26,
Jan. 2010.

[64]

J. Ma, X. Xin, J. Yu, C. Yu, K. Wang, H. Huang, L. Rao, Optical millimeter


wave generated by octupling the frequency of the local oscillator, Journal of
Optical Networking, vol. 7, no. 10, pp. 837-845, Oct. 2008.

[65]

S. Yu, T. Jiang, J. Li, R. Zhang, G. Wu, W. Gu, Linearized frequency


doubling for microwave photonics links using integrated parallel MachZehnder modulator, IEEE Photonics Journal, vol. 5, no. 4, Aug. 2013.

[66]

N. A. Al-Shareefi, S. I. S. Hassan, F. Malek, R. Ngah, S. A. Aljunid, R. A.


Fayadh, J. A. Aldhaibani, H. A. Rahim, Development of a new approach for
high-quality quadrupling frequency optical millimeter-wave signal generation
without optical filtering, PIERS, vol. 134, pp. 189-208, 2013.

56

[67]

N. A. Al-Shareefi, S. I. S. Hassan, F. Malek, R. Ngah, S. A. Abbas, S. A.


Aljunid, A cost-effective method for high-quality 60 GHz optical millimeter
wave signal generation based on frequency quadrupling, PIERS, vol. 137,
pp. 255-274, 2013.

[68]

S. Yu, W. Gu, A. Yang, T. Jiang, C. Wang, A frequency quadrupling optical


mm-wave generation for hybrid fiber-wireless systems, IEEE Journal on
Selected Areas in Communications/Supplement-Part 2, vol. 31, no. 12, pp.
797-803, Dec. 2013.

[69]

Y. Gao, A. Wen, Q. Yu, N. Li, G. Lin, S. Xiang, L. Shang, Microwave


generation with photonic frequency sextupling based on cascaded
modulators, IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 26, no. 12, pp. 1199-1202,
Jun. 2014.

[70]

J. E. B. Oliveira, J. A. J. Ribeiro, Interfaces para enlaces de fibra ptica de


alta velocidade, Revista Cientfica Peridica Telecomunicaes, vol. 3, no.
2, pp. 65-75, Dec. 2000.

[71]

R. M. Borges, Arismar Cerqueira S. Jr., Duplicao e quadruplicao em


frequncia utilizando fotnica de micro-ondas, 16 SBMO - Simpsio
Brasileiro de Micro-ondas e Optoeletrnica e o 11 CBMag Congresso
Brasileiro de Eletromagnetismo, 2014, Curitiba. Proceedings of MOMAG
2014.

[72]

R. M. Borges, Arismar Cerqueira S. Jr., Convergent and reconfigurable


optical-wireless network for LTE and Wi-Fi offloading applications, IEEE
Latin-American

Conference

on

Communications,

2014,

Cartagena.

Proceedings of LATINCOM 2014.


[73]

R. A. dos Santos, I. F. da Costa, Arismar Cerqueira S. Jr., Novo modelo de


antena impressa com banda ultralarga, 16 SBMO - Simpsio Brasileiro de
Micro-ondas e Optoeletrnica e o 11 CBMag Congresso Brasileiro de
Eletromagnetismo, 2014, Curitiba. Proceedings of MOMAG 2014.

57

Apndice 1
Lista dos dispositivos utilizados nas montagens experimentais.
Dispositivo
Amplificadores de RF
Analisadores de espectro
eltrico

Modelo
ZJL-4HG+
ZX60-P103LN+
ZJL-6G+
ZX60-6013E+
FieldFox N9912A
DSA90804

Fabricante
Mini-Circuits

Keysight

Analisador de espectro ptico

MS9720A

Anritsu

Antena banda larga

HiperLOG 7060

AARONIA AG

Antena de banda ultralarga

WOCA

Celulares

Galaxy Y
Lumia 920

Samsung
Nokia

Combinador de RF

KTPD-C0727-02

KETE

Distribuidor ptico

DIO Office STD 36FO

Rosenberger

Femtoclula

9362 Enterprise Cell V2.2

Alcatel-Lucent

Fibra SMF

010000367144

Draka

Fonte de tenso

MPL-3003M

Minipa

Fotodetector

ET-5000F

EOT

Gerador de RF

MT8222B

Anritsu

Laseres

A03-Z101-D55-AS-S0

OS-WT-D-C-200-0-P-FC/APC

Optical Zonu
Golight

Medidor de potncia ptico

CMA5

Anritsu

Modulador ptico

FTM7920FBA

Fujitsu

Apndice 2
Especificao tcnica do laser de baixa potncia.
Laser
Nmero de identificao
Comprimento de onda de operao
Potncia ptica de sada
RIN Relative Intensity Noise
Tenso de alimentao
Temperatura de operao

A03-Z101-D55-AS-S0
1551 nm
4 dBm
-133 dB/Hz
+5 V
-20 a +75 C

Especificao tcnica do modulador ptico.


Modulador Mach-Zehnder
Nmero de identificao
Comprimentos de onda de operao
Potncia ptica de entrada (mx.)
Potncia de RF na entrada de RF (mx.)
Tenso de meia onda (
Tenso de polarizao (
Largura de banda
Perda por insero (no conectorizado)
Temperatura de operao

FTM7920FB
Banda C
14,7 dBm
24 dBm
3,5 V
-12 a +12 V
10 GHz
4 dB
-5 a +75 C

Especificao tcnica do fotodetector.


Fotodetector
Nmero de identificao
Comprimentos de onda de operao
Responsividade
Largura de banda
NEP - Noise Equivalent Power
Tenso de alimentao

120-10104-0001 (ET-5000F)c
Bandas C e L
0,95 A/W em 2000 nm
>12,5 GHz
20 pW/
3V

Apndice 3
Especificao tcnica da femtoclula
Femtoclula
Nmero de identificao
Alcatel-Lucent 9362 Enterprise Cell V2.2
Banda de operao
2.100 MHz
Capacidade
16 usurios ativos
Taxa de dados (mx)
21 Mb/s HSDPA; 5,7 Mb/s HSUPA
Potncia mxima de transmisso
250 mW
Sensibilidade
-107 dBm
Tenso de alimentao
12 V (DC)
Temperatura de operao
-5C a +45C
Dimenses (altura, largura, profundidade)
252 x 166 x 44 mm
Peso
< 1Kg
Interface Gigabit Ethernet (conector 1000Base-T RJ45)