Objetivo:

Disear amplificadores con FET, encontrando su frecuencia de

funcionamiento o su ancho de banda, aplicando los conceptos y los
conocimientos que se vieron en clase.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor FET
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
U1

Bjt_npn1

 Introduccin terica

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad
de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores
MOSFET.
Historia
Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca
de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y
el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es
algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del
silicio.
Funcionamiento

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de acumulacin canal

n.

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de deplexin canal n.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado
en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo
opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de
dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se
dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el
dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el

conductor entre ellos es la puerta(gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin
se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se
crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en
pMOS, huecos en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemticos

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

donde
en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los
electrones, es la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal
y W el espesor de capa de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser

la siguiente:

Estas frmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores

MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden,
como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente

de drenador no crece cuadrticamente en transistores de canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y sustrato modifica

la tensin umbral que da lugar al canal de conduccin

Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, nmos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media

micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.

Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen
una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta
es del orden de los nanoamperios.

Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro

de superficie que conlleva.

La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los

nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta

frecuencias y baja potencia

Desarrollo de la practica
El primer paso para desarrollar esta practica fue obtener todos los
calculos correspondientes para obtener los valores de los dispositivos
que se usarian para el desarrollo de esta practica y los calculos son los
correspondientes tomando en cuenta el analisis de el siguiente circuito
de un amplificador con FET con una ganancia de 10.

XBP1

XSC1
G

IN

T
A

OUT

V1
22 V

R2
2.2k

R1
970k

XMM2

XMM1

C2
Q2
C3

470nF
IC=0V

RL
1k

2N3967

470nF
IC=0V
70.71mVrms
2kHz
0Deg
V2

R3
220k

R4
680

C1
47uF
IC=0V

Los clculos realizados para el valor de las resistencias y se calcul las

frecuencias de corte a bajas frecuencias y altas frecuencias mediante el teorema
de Miller y anlisis en la frecuencia.

IgRg Vgs IdRs 0

Vgs IdRs
2Vs Id (1000)
Id

2Vs
2mA
1000

VgsQ

Vgs 4Vs

2Vs
2
2

VgsQ
2

3
4 x10 3 1
gm gmo 1
4 x10 0.5 2mS
Vp
4

VgsQ

Id Idss 1
Vp

2
8mA 1

4

8mA 0.5 2mA

2

1
1
1

15.75 Hz
6
6
6
2 R Rg 0.01x10
2 1000 1x10 0.01x10
0.06346
1
1
Fcc

46.131Hz
3
2 Rp Rl Cc 2 4.7 x10 2.2 x103 0.5 x10 6
1
1
1
Fcs

238.7318 Hz
6
2 Re q Cs 2 333.33 2 x10
0.0041888
1
Re q Rs
4.7 x103 500 333.33
gm
Fc

Av ( gm)( Rs Rd ) (2mS )(4.7 x103 2.2 x103 ) ( 2mS )(1498.22) 2.98

RTh1 ( R Rg ) (10 x103 1x106 9.9 x103
C1 Cw1 Cgs (1 A)Cgd 5 pf 4 pf (1 3)2 pf 9 pf 8 pf 17 pf
1
1
FH1

656 KHz
2RthC1 2 (9.9 x103 )(17 pf )
Rtho ( Rd Rl ) (4.7 x103 2.2 x103 ) 1498.55
1
2 pf ) 9.17 pf
3

Co Cwo Cds Cm 6 pf 0.5 pf (1

FHo

1
11.57 MHz
2 (1.5 x103 )(9.19 pf )

Resultados
Circuito Armado

En la simulacin se obtuvo la siguiente grafica:

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

La grafica que
obtuvimos de
nuestro circuito
RC en bode es
la siguiente:

 Conclusion
Podemos concluir que los amplificadores con FET son muy tiles para la
aplicacin en aparatos electrnicos para el aumento de voltaje, normalmente este
tipo de amplificadores se utilizan en amplificadores de audio, un problema que
tuvimos al calcular este amplificador fue que los valores de los dispositivos que
utilizamos solo eran valores aproximados por lo que tuvimos pequeos
inconvenientes en el proceso de nuestra practica.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo