Repblica Bolivariana De Venezuela

Instituto Universitario Politecnico Santiago

Mario
Escuela de Ingenieria Electrnica
Sede Barcelona-Edo. Anzotegui

Tipos de Memorias y
sus Funciones

Profesor:
Alumno:
Carlos Hernndez
Jos Lezama

Asignatura:
C.I:
Sistemas Digitales I
25.572.035

Barcelona, julio de 2016

Memoria RAM:
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se
utiliza como memoria de trabajo de computadoras para el sistema
operativo, los programas y la mayor parte del software. En la RAM se
cargan todas las instrucciones que ejecuta la unidad central de
procesamiento (procesador) y otras unidades del computador.
Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en
una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder (acceso
secuencial) a la informacin de la manera ms rpida posible.
Tipos de Memorias RAM:

SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access

Memory, que significa memoria esttica de acceso aleatorio (o
RAM esttica), para denominar a un tipo de tecnologa de memoria
RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos,
mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
Este concepto surge en oposicin al de memoria DRAM (RAM
dinmica), con la que se denomina al tipo de tecnologa RAM
basada en condensadores, que s necesita refresco dinmico de
sus cargas. Existen dos tipos: voltiles y no voltiles, cuya
diferencia estriba en si los datos permanecen o se volatilizan en
ausencia de alimentacin elctrica.

NVRAM La memoria de acceso aleatorio no voltil, referida a veces

por sus siglas en ingls NVRAM (Non-volatile random access
memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su

nombre indica, no pierde la informacin almacenada al cortar la

alimentacin elctrica. En los routers se utiliza para almacenar un
archivo de configuracin de respaldo/inicio.

MRAM (RAM magnetorresistiva o magntica) (en ingls:

magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria
no voltil que ha estado en desarrollo desde los aos 90. El
desarrollo continuado de la tecnologa existente, principalmente
Flash y DRAM, han evitado la generalizacin de su uso, aunque sus
defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o
despus se convertir en la tecnologa dominante para todos los
tipos de memorias.
DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access
Memory, que significa memoria dinmica de acceso aleatorio (o
RAM dinmica), para denominar a un tipo de tecnologa de
memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su
carga progresivamente, necesitando de un circuito dinmico de
refresco que, cada cierto perodo, revisa dicha carga y la repone
en un ciclo de refresco. Se usa principalmente como mdulos de
memoria principal RAM de ordenadores y otros dispositivos. Su
principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una
gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una
velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en
millones de bit por segundo.
SDRAM (siglas en ingls de synchronous dynamic random-access
memory) es una familia de memorias dinmicas de acceso
aleatorio (DRAM) que tienen una interfaz sncrona, usadas ya
desde principios de 1970. Las memorias SDRAM son ampliamente
utilizadas en los ordenadores, desde la original SDR SDRAM y las
posteriores DDR, DDR2 y DDR3. Actualmente se estn
produciendo las DDR4 y ya estn disponibles en el mercado. Las
memorias SDRAM tambin estn disponibles en variedades
registradas, para sistemas que requieren una mayor escalabilidad,
como servidores y estaciones de trabajo.
RDRAM es un tipo de memoria sncrona, conocida como Rambus
DRAM. ste es un tipo de memoria de siguiente generacin a la
DRAM en la que se ha rediseado la DRAM desde la base pensando
en cmo se debera integrar en un sistema. El modo de funcionar

de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos

en una serie de decisiones de diseo que no buscan solo
proporcionar un alto ancho de banda, sino que tambin solucionan
los problemas de granularidad y nmero de pins. Este tipo de
memoria se utiliz en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y
otros aparatos de posterior salida.

XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory)

es una implementacin de alto desempeo de las DRAM, el
sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial
de las tecnologas DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseado para
ser efectivo en sistemas pequeos y de alto desempeo que
necesiten memorias de alto desempeo as como en GPUs de alto
rendimiento. Esta tecnologa elimina la inusual alta latencia que
plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, tambin se centra en el
ancho de banda soportado pos sus pines, lo que puede beneficiar
considerablemente los costos de control en la produccin de PCB,
esto es debido a que se necesitaran menos caminos (lanes) para
la misma cantidad de ancho de banda. Rambus, posee todos los
derechos sobre esta tecnologa y actualmente est implementada
en la consola de vdeojuegos PlayStation 3.

SDR SDRAM (de las siglas en Ingls Single Data Rate Synchronous
Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de
la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970. Las
memorias SDR SDRAM son memorias sncronas, con tiempos de
acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM
de 168 contactos. Est muy extendida la creencia de que se llama
SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se
extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre
correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR)
son memorias sncronas dinmicas.

DDR SDRAM (de las siglas en ingls Double Data Rate Synchronous
Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de
la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970. Su
primera especificacin se public en junio de 2000. DDR permite a
ciertos mdulos de memoria RAM compuestos por memorias
sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la

capacidad de transferir simultneamente datos por dos canales

distintos en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan
una capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes). Una de
sus caractersticas es que solo tiene una muesca, y cuenta con
184 terminales de color dorado. Esta memoria opera con 2,5
voltios.

DDR2 SDRAM (de las siglas en ingls Double Data Rate type two
Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de
memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde
principios de 1970. Los mdulos DDR2 funcionan con 4 bits por
ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando
sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz
reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos
200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema
funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeo
buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla
fuera del mdulo de memoria. En el caso de la DDR convencional
este buffer tomaba los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo
que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4
bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia
nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los
mdulos de memoria.

a) Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double
Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida
funcionen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que
durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
b) Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los
puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de
energa en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las
DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios.
c) Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria
("Terminacin integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin
de seal reflejada.

DDR3 SDRAM (de las siglas en ingls, Double Data Rate type
three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un
tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya

desde principios de 2010. DDR3 SDRAM permite usar

integrados de 1 MB a 8 GB, siendo posible fabricar mdulos de
hasta 16 GB. Los DDR3 tienen 240 contactos, los DIMMs son
fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de
la muesca
Memoria ROM:
Es un chip esencial de memoria de slo lectura basada en
semiconductores que contiene instrucciones o datos que "se pueden
leer pero no modificar". El trmino ROM se suele referir a cualquier
dispositivo de slo lectura, incluyendo PROM y EPROM.
Tipos de Memoria ROM:

PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, en

castellano ROM programable, se caracteriza por ser digital. En
ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede
ser quemado una nica vez. Esto ocasiona que, a travs de un
programador PROM, puedan ser programadas por nica vez. La
memoria PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten
cambiarse en todos o la mayora de los casos. Tambin se
recurre a ella cuando aquellos datos que quieran almacenarse
fe forma permanente no superen a los de la ROM.

EPROM: por las siglas en ingls de Erasable Programmable

Read-Only Memory, en castellano, ROM programable borrable
de slo lectura. Esta memoria ROM es un chip no voltil y est
conformada por transistores de puertas flotantes o celdas
FAMOS que salen de fbrica sin carga alguna. Esta memoria
puede programarse a travs de un dispositivo electrnico cuyos
voltajes superan a los usados en circuitos electrnicos. A partir
de esto, las celdas comienzan a leerse como 1, previo a esto se
lo hace como 0. Esta memoria puede ser borrada slo si se la
expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es
programada, se vuelve no voltil, o sea que los datos
almacenados permanecen all de forma indefinida. A pesar de
esto, puede ser borrada y reprogramada con la utilizacin de
elevados niveles de voltaje. Si bien actualmente siguen siendo
utilizadas, presentan algunas desventajas, entre ellas que el

proceso de borrado del chip es siempre total, es decir que no se

puede seleccionar alguna direccin en particular. Por otro lado,
para reprogramarlas o borrarlas, deben removerse de su
circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos. Estas
desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM,
por lo que las EPROM estn cayendo en desuso en ciertos
diseos y aplicaciones.

EEPROM: por las siglas en ingls de Electrically Erasable

Programmable Read Only Memory, en castellano ROM
programable y borrable elctricamente. Esta memoria, como su
nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada
elctricamente y no con rayos ultravioleta, como en el caso de
las EPROM, lo que hace que resulten no voltiles. Adems de
tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una
capa de xido ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que
permite que la memoria pueda borrarse elctricamente. Como
para realizar esto no se precisan programadores especiales ni
rayos ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito.
Adems presenta la posibilidad de reescribir y borrar bytes
individualmente, y son ms fciles y veloces de reprogramar
que las anteriores.
Las desventajas que presenta en
comparacin a las anteriores son la densidad y sus costos altos.

Memoria PROM:
Los dispositivos programables se definen como aquellos circuitos de
propsito general que poseen una estructura interna que puede ser
modificada por el usuario final (o a peticin suya, por el fabricante) para
implementar una amplia gama de aplicaciones. El primer dispositivo que
cumpli estas caractersticas fue la memoria PROM, que puede realizar
un comportamiento de circuito utilizando las lneas de direcciones como
entradas y las de datos como salidas (implementa una tabla de verdad).
Tambin se podra decir, que la prom es un tipo de memoria de slo
lectura (ROM) que permite ser grabada con datos mediante un hardware
especial llamado programador de PROM.

Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en

cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en
muchos o todos los casos. Las operaciones muy importantes o largas
que se haban estado ejecutando mediante programas, se pueden
convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una
pastilla de memoria programable slo de lectura.
Una vez que las PROMs estn en forma de circuitos electrnicos, estas
tareas se pueden realizar casi siempre en una fraccin del tiempo que
requeran antes. La flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM
puede convertirse en una desventaja si en la unidad PROM se programa
un error que no se puede corregir. Para superar esta desventaja, se
desarroll la EPROM, o memoria de solo lectura reprogramable.
Funcionamiento de las Memorias PROM:
La PROM (programable ROM), tiene un solo modo de funcionamiento ya
que es de slo lectura, los contenidos pueden ser ledos pero no
modificados por un programa de usuario. Sus contenidos no se
construyen, como la ROM, directamente en el procesador cuando ste se
fabrica, sino que se crean por medio de un tipo especial programacin,
ya sea por el fabricante, o por especialistas tcnicos de programacin
del usuario. El proceso de programacin es destructivo: una vez
grabada, es como si fuese una ROM normal.
En esta memoria digital el valor de cada bit depende del estado de un
fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la
memoria puede ser programada (los datos pueden ser escritos) solo una
vez. Luego que la PROM ha sido programada, los datos permanecen fijos
y no pueden reprogramarse o borrarse.

Memoria EPROM:
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory
(ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no
voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel. Est formada
por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los
cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 1 (por eso,
una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).
Funcionamiento de las memorias EPROM:

La EPROM tiene tantas celdas de memoria como bits deban

alnmacenarse, as una memoria de 2KB tiene 16384 celdas de memoria
(2048x8bits).
La EPROM almacena los bits en celdas formadas a partir de transistores
de tipo FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) un tipo de MOSFET cuya puerta est rodeada por xido
de silicio y, en consecuencia, totalmente aislada.
La cantidad de carga elctrica almacenada sobre la puerta aislada o
flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas
cargadas son ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son
ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de fbrica, todas las celdas
se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah
que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus
direcciones.
Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a
un 0, con la ayuda de una tensin relativamente alta (la tensin de
programacin Vpp), se crea un campo elctrico mediante el cual algunos
electrones ganan suficiente energa como para atravesar la capa que
asla la puerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan
en la puerta flotante, esta toma una carga negativa, lo que finalmente
produce que la celda tenga un 0.