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Propriedades Fsicas dos Materiais

Prof. Srgio de Souza Camargo Jr.

4a. Lista
de exerccios :
1) O raio da rbita de um eltron em um tomo hidrogenide , segundo o modelo
de Bohr, dado por:
r = n2. a0 / Z
onde n o nmero quntico principal, Z o nmero relativo carga nuclear que o
eltron enxerga, e a0 o raio de Bohr que vale 0,53 .
Utilizando esta expresso estime o raio da rbita dos eltrons 1s e 3s do tomo de
sdio e compare com a distncia entre primeiros vizinhos no sdio metlico (3,71 ).
Conclua se estes eltrons so afetados ou no pela presena dos tomos vizinhos
quando da formao do metal.
2) Considere como uma aproximao para a relao de disperso de um eltron numa
banda, a expresso:
E(K) = E0 - E1 . cos Ka
onde a a distncia interatmica.
a)
Encontre o valor de K para o qual a velocidade do eltron mxima.
b)
Deduza uma expresso para a massa efetiva m(K). Faa um grfico de m(K)
dentro da primeira zona de Brillouin.
Calcule a velocidade mxima do item a) e a massa efetiva para K=0, utilizando
c)
os dados do sdio metlico, cuja largura da banda de conduo de 4 eV e a distncia
entre primeiros vizinhos 3,7 .
3) Considere um slido cujas relaes de disperso em torno dos extremos das bandas
de valncia e de conduo podem ser aproximadas respectivamente por (energia dada
em eV e nmero de onda em m-1):
E(K) = -5.56 x 10-20 K2
a)
b)
c)

E(K) - 1.40 = 5.40 x 10-19 K2

Qual o gap deste semicondutor?


Este semicondutor de gap direto ou indireto?
Obtenha a massa efetivas (em relao a me) dos buracos e dos eltrons.

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d)
Transfere-se um eltron com K = 1 x 107 cm-1 da banda de valncia
(inicialmente completa) para a banda de conduo. Qual a energia cintica e
velocidade do buraco resultante?
4) a) Estime a concentrao de portadores no silcio intrnseco (EG = 1.1 eV)
temperatura ambiente. Faa o mesmo para o diamante (EG = 5.3 eV). Conclua porque
um deles um semicondutor e o outro isolante (utilize a massa do eltron livre como
aproximao para a massa efetiva dos portadores, em ambos os casos).
a)
Estime qual a temperatura que o diamante deve atingir para que sua
concentrao de portadores seja da mesma ordem que a do silcio temperatura
ambiente. possvel atingir esta situao?
b)
Estime a concentrao de portadores do silcio intrnseco (suponha que o gap
no varia com a temperatura) T=10 K. Conclua porque a esta temperatura o silcio
considerado um material isolante.
5) Esboce o diagrama de bandas, densidade de estados e ocupao dos estados, para
um semicondutor dopado com impurezas aceitadoras T = 0 K e T > 0 K.
6) Calcule as densidades de portadores e a posio do nvel de Fermi nos dois casos
abaixo, para T=300K e T=500K:
a)
Silcio intrnseco: EG=1.1 eV, me= 0,44 me e mb= 0,37 me
Germnio intrnseco: EG=0.7 eV, me= 0,19 me e mb= 0,29 me
b)
7) Calcule, utilizando o modelo hidrogenide, o raio da rbita do eltron mais externo
em uma impureza doadora no silcio (utilize me= 0,44 me e = 11.7 0).
8) Estime a distncia mdia entre dois tomos de impureza em funo de sua
concentrao ND. Qual o valor de ND para que esta distncia seja da ordem do raio da
rbita do eltron obtido no item anterior? O que acontece neste caso?
9) Considere um semicondutor tipo n dopado com ND impurezas totalmente ionizadas.
a)
Obtenha a posio do nvel de Fermi com funo da temperatura e de ND.
b)
O que acontece se ND > NC ? Discuta seu resultado tendo em vista o exerccio
anterior e a condio de validade das expresses utilizadas.
10) Faa um grfico qualitativo da condutividade em funo da temperatura para um
semicondutor dopado, indicando os diferentes comportamentos nas diferentes regies
de temperatura.
11) Uma amostra de silcio, a temperatura ambiente, est dopada de forma que sua
concentrao de buracos de 5 x 105 cm-3. Responda:
a)
Esta amostra do tipo n ou p?
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b)
c)

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Qual a concentrao de eltrons?


Qual a posio do nvel de Fermi?

12) Considere um semicondutor compensado na condio de impurezas totalmente


ionizadas e obtenha as concentraes de portadores como funo das densidades de
impurezas aceitadoras e doadoras. O que acontece quando ND=NA? Como este caso
particular se compara a um semicondutor intrnseco?
13) Uma amostra de silcio (espessura 0.05 cm; rea da seo reta 1.6 x 10-3 cm2) que
possui dopagem desconhecida submetida a uma medida Hall (corrente 2.5 mA;
campo magntico 30 nT). Admitindo que a corrente circula no sentido do eixo x e que o
campo magntico aponta no sentido do eixo z, a voltagem Hall medida foi positiva e
vale 10 mV. Encontre:
a)
O tipo de portador majoritrio
b)
O coeficiente de Hall
A densidade de portadores
c)
d)
A resistividade desta amostra de silcio
e)
A mobilidade dos portadores majoritrios.
15) O antimoneto de ndio possui gap de 0.17 eV, constante dieltrica /0 = 15.7 e
massa efetiva do eltron mn*/mo = 0,015 e do buraco mp*/mo = 0,18. Calcule
utilizando o modelo hidrogenide:
a)
A energia de ionizao de uma impureza doadora.
b)
O raio da rbita do estado fundamental desta impureza.
Qual a concentrao limite de impurezas para que no ocorra superposio
c)
aprecivel entre as rbitas de impurezas adjacentes? O que acontece acima deste
limite?
d)
O que voc espera do comportamento de um cristal de InSb dopado com 1014
cm-3 impurezas temperatura ambiente? Conclua a respeito da faixa de temperatura
em que o InSb pode ser utilizado para aplicaes tecnolgicas.
16) Considere um cristal de GaAs (arseneto de glio) a temperatura ambiente (EG =
1.47 eV, mC = 0,06 . me e mV = 0,44 . me, n = 8 x 103 cm2/V.s e p = 5 x 102
cm2/V.s) e obtenha:
a)
A concentrao intrnseca de portadores
b)
A sua resistividade
A posio do nvel de Fermi (em eV) em relao ao meio do gap
c)
Abaixa-se agora a temperatura para T = 50C. Despreze qualquer variao do gap
com a temperatura.
d)
Quanto valem as novas concentraes de portadores?
e)
Obtenha o novo valor da resistividade
f)
Obtenha a nova posio do nvel de Fermi (em eV) em relao ao meio do gap
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Considere agora novamente a temperatura ambiente e que este semicondutor foi


dopado de forma que a concentrao de buracos seja p = 3 x 1011 cm-3. Despreze
qualquer variao das mobilidades com a dopagem e responda:
O semicondutor agora tipo n ou tipo p?
g)
h)
Quanto vale a concentrao de eltrons aps a dopagem?
i)
Quanto vale a concentrao de impurezas com a qual o material foi dopado se, a
temperatura ambiente, estas esto totalmente ionizadas?
Qual a nova posio do nvel de Fermi?
j)

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