PROPIEDADES DE LOS ENLANCES METALICOS

La estructura comentada puede explicar las propiedades

claramente.
-Alta conductividad trmica y elctrica, los electrones pueden
moverse con libertad por la nube electrnica.
-Son dctiles (factibles de hilar) y maleables (factibles de hacer
lminas), su deformacin no implica una rotura de enlaces ni
una aproximacin de iones de igual carga, como ocurra en los
compuestos inicos por ejemplo.
-Los puntos de fusin son moderadamente altos, la estabilidad
de la red positiva circundada por la nube de electrones es alta.
-Son difcilmente solubles en cualquier disolvente, por el mismo
motivo que justifica el punto anterior. (Pensar en la forma de
"atacar"el agua a un compuesto inico, en un metal que es "un
todo uniforme" no existe esa posibilidad.

Enlace Metlico
Los metales de un modo general son poco electronegativos, no
ejerciendo por tanto, una atraccin muy fuerte sobre los electrones de
la ltima capa. Debido a esta caracterstica, el enlace metlico se
constituye por la configuracin de retculos cristalinos, perfectamente
definidos, formados por cationes de carga elctrica positiva que son
neutralizados por electrones, los cuales, en este caso, estarn presos
a los tomos ms libres, lo que explica gran parte de las propiedades
de los metales.
Principales propiedades de los compuestos metlicos:

Buenos conductores de calor y electricidad

La mayora se presenta en estado slido
La mayora posee puntos de fusin y ebullicin elevados
Son maleables o dctiles
Poseen brillo caracterstico

3.5. Enlace metlico

Unidad 3: Enlace qumico

Los metales poseen propiedades que los han hecho indispensables para el desarrollo del
hombre. En nuestros das, tenemos un contacto diario con los metales, los cuales utilizamos
en diversas formas, debido a las propiedades que los caracterizan. Por ejemplo, es muy difcil
cortar la carne con un cuchillo de plstico, pero es ms fcil con un cuchillo de metal. Por
otro lado, calentamos el agua en una tetera metlica, pero no podemos hacerlo
eficientemente en una jarra de vidrio.

Ms de 80 elementos de la tabla peridica son metales. Un metal est formado

nicamente por un elemento de la tabla peridica: ejemplos de metales son el hierro
(Fe), cobre (Cu) o sodio (Na). La fuerza que mantiene unidos a los tomos de un metal se
llama enlace metlico.
Figura 3.6. Elementos de la tabla que son metales (destacados en fucsia).

Tomado de: "Chemistryland" (http://www.chemistryland.com/CHM107/Water/WaterTutorial.htm)

Propiedades de los metales

Los metales tienen las siguientes propiedades:

Brillo: reflejan el haz de luz.

Maleabilidad: capacidad de formar lminas.
Ductilidad: capacidad para ser esturados formando hilos.
Conductividad trmica: conducen el calor, por eso son fros al tacto.
Conductividad elctrica: movimiento ordenado de electrones frente a un campo
elctrico.
Estas propiedades se explican mediante dos teoras: la teora del mar de electrones y la
teora de bandas.

Teora del mar de electrones

Los metales tienden, por su baja energa de ionizacin, a perder electrones. Por tanto,
podramos considerar a un tomo metlico como un catin unido al electrn de valencia que
podra perder. En un metal tenemos muchsimos tomos unidos entre s. Entonces, podemos
considerar a un metal como un conjunto de cationes metlicos inmersos en un mar de
electrones de valencia deslocalizados. La atraccin electrosttica entre carga positiva
(del catin) y negativa (del electrn) mantiene fuertemente unidos a todos los tomos del
metal. La siguiente figura muestra un poco la idea del mar de electrones:
Figura 3.7. Modelo del mar de electrones: cationes metlicos inmersos en una gran cantidad
de electrones mviles

Tomado de: Tutorvista.com (http://www.tutorvista.com/content/chemistry/chemistry-iii/chemicalbonding/bonding-metallic-solids.php)

Los electrones de valencia deslocalizados actan como un pegamento electrosttico,

manteniendo unidos a los cationes metlicos. Es algo similar a lo que ocurre en el enlace
inico, donde ocurre atraccin catin-anin. En este caso, ocurre la atraccin catin-electrn.
El modelo del mar de electrones explica de manera sencilla las propiedades de los metales.
La ductilidad y maleabilidad ocurre debido a que la deslocalizacin de electrones ocurre en
todas las direcciones a manera de capas. Por tanto, ante un esfuerzo externo, estas capas se
deslizan unas sobre otras, sin que se rompa la estructura. Por otro lado, dado que los
electrones son mviles, permiten el flujo de corriente elctrica, explicndose la conductividad
elctrica. Asimismo, ese movimiento de electrones puede conducir calor, transportando
energa cintica de una parte a otra del metal.

Teora de bandas
La teora de bandas se basa en el hecho de que los tomos que conforman un metal contiene
orbitales atmicos, los cuales pueden estar llenos o vacos. Si tenemos una gran cantidad de
tomos muy juntos entre ellos, la superposicin de orbitales da lugar a regiones, las cuales
se denominan bandas.
Analicemos el caso de magnesio, un metal con nmero atmico 12. Su configuracin
electrnica es [Ne]3s2, esto quiere decir que cada tomo tiene dos electrones de valencia
ubicados en el orbital 3s, quedando los orbitales del subnivel 3p vacos. Por tanto, al
considerar el metal como muchos tomos de magnesio juntos, podemos imaginar
la aparicin de bandas, que no son ms que muchos orbitales superpuestos. Una
banda, correspondiente a la superposicin de los orbitales 3s, estar llena de electrones y se
llamar BANDA DE VALENCIA (porque contiene a los electrones de valencia). La banda
formada por los orbitales del subnivel 3p est adyacente, pero vaca. Esta banda se
denomina BANDA DE CONDUCCIN.
Figura 3.8. Diagrama de bandas para el magnesio.

En todo metal, las bandas de valencia y de conduccin estn muy prximas entre s, y la
energa necesaria para que un electrn pase de la banda de valencia a la de conduccin es
despreciable. Para que un metal conduzca la corriente, debe ocurrir el salto de electrones de
la banda de valencia a la banda de conduccin.
Sin embargo, hay algunos elementos de la tabla que se comportan como semiconductores.
Estas especies son conductoras de la corriente y el calor slo bajo ciertas condiciones.
Ejemplo de semiconductores son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Y, adems, otros
elementos de la tabla se comportan como aislantes, es decir, no conducen nunca la corriente
elctrica. Un ejemplo es el azufre (S). Por qu ocurre esto?
En estos casos, es de esperar que la separacin entre las bandas de valencia y de conduccin
sea mayor. En el caso de los semiconductores, la separacin (Gap en ingls) es apreciable,
pero es posible que un electrn pase a la banda de conduccin al aplicarle cierta energa. En
el caso de los aislantes, este salto no es posible, dada la gran diferencia energtica que hay
entre ambas bandas.
Figura 3.9. diferencia energtica entre las bandas de valencia y de conduccin en un metal,
semiconductor y aislante.

Dopaje
Los semiconductores han ganado una gran importancia en los ltimos tiempos, ms an con
el desarrollo de la energa solar. Los paneles solares estn basados en silicio, un material
semiconductor. Pero por qu se usa silicio, si sabemos que es un material que conduce poco
la corriente?
Debemos recordar que un semiconductor conduce la corriente por aplicacin de energa, que
bien puede ser la energa que recibimos del sol. Pero tambin, podemos mejorar la
conductividad del semiconductor por un proceso denominado dopaje. El dopaje consiste en
introducir impurezas dentro del semiconductor para modificar su comportamiento. Las
impurezas en mencin son pequeas cantidades de otros elementos qumicos. Estas

cantidades son tan pequeas, que puede existir un tomo de la impureza por cada cien
millones de tomos del semiconductor.
Analicemos al silicio, elemento del grupo 4 de la tabla. Qu pasara si reemplazamos un
tomo de silicio por un tomo de fsforo? Dado que el fsforo es un elemento del siguiente
grupo, tiene un electrn de valencia extra. Esto quiere decir que en la red metlica del silicio
tendremos un electrn extra, que puede moverse por toda la red y, por tanto, conducir la
corriente elctrica. El proceso de aadir al silicio un elemento con un electrn de valencia
extra se denomina DOPAJE NEGATIVO, ya que existe un exceso de electrones dentro de la
red metlica.
Figura 3.10. Silicio dopado con fsforo.

Tomado de: "Esacademic" (http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/388497)

Por otro lado, la insercin de un tomo del grupo 3 dentro de la red del silicio producir un
hueco dentro de la estructura, justo donde estaba el electrn del tomo de silicio extrado.
Este hueco mejorar tambin la conductividad, ya que los electrones adyacentes pueden
desplazarse hacia el hueco, originndose movimiento de electrones, lo cual es imprescindible
para la conductividad. El proceso de aadir al silicio un elemento con un electrn de valencia
menos se denomina DOPAJE POSITIVO, ya que en este caso hay un dficit de electrones
con respecto al semiconductor de partida. Un ejemplo lo constituye el dopaje de silicio con
boro.
Figura 3.11. Silicio dopado con boro.

REFERENCIA
http://platea.pntic.mec.es/~jrodri5/web_enlaces_quimicos/enlace_met
alico.htm

Lee

todo

en: Propiedades

de

los

enlaces

qumicos

La

Gua

de

Qumica http://quimica.laguia2000.com/conceptos-basicos/propiedades-de-losenlaces-quimicos#ixzz4E460lEf
http://clasesdequimica.blogspot.com/2012/04/modelo-de-mar-deelectrones.html

EN ESTE PPT HAY DOS METODOS DE

ENLANCES METALICOS EXISTENTES
http://es.slideshare.net/tango67/tema-6-enlace-quimico