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UMSNH, FIE

ELECTRNICA
ANALGICA I:
Notas de la materia
Ignacio Franco Torres

2012

UMSNH

Ignacio Franco Torres 2012

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

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Capitulo

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

Introduccin a la Fsica de
los Semiconductores

Objetivo del captulo:

Que el alumno comprenda el fundamento fsico de los


materiales semiconductores y entienda como funcionan los semiconductores intrnsecos,
y extrnsecos tipo N y P de Silicio y Germanio.
El objetivo de este captulo es la introduccin del lector al conocimiento de los
semiconductores y de sus propiedades elctricas fundamentales, que le permita
emprender en los captulos siguientes el estudio de los dispositivos electrnicos
realizados con semiconductores, lo cual, en definitiva, es el objetivo de este libro. Se
comienza con una breve descripcin de los materiales elctricos, conductores, aislantes y
semiconductores, haciendo nfasis en estos ltimos se analiza su dopaje, haciendo
especial hincapi en el silicio. Se estudia despus una propiedad de importancia
fundamental, como es la cantidad de cargas mviles que pueden originar corriente en el
semiconductor, denominadas portadores. Se analizan los mecanismos por los cuales esos
portadores inducen una corriente elctrica, Finalmente se presenta las bandas de
energa, que permite emprender en el captulo siguiente el estudio de la unin PN, la
estructura bsica para fabricar dispositivos

1.1

Clasificacin de los materiales desde el punto de vista elctrico (con enfoque a los
enlaces qumicos que se dan: conductores, semiconductores (Si y Ge) y aislantes o
dielctricos).

a) Carga Elctrica (q)- Un electrn es considerado una partcula atmica donde est
contenida la carga elctrica fundamental que se considera es de polaridad negativa y
cuya magnitud se especifica por 1.6 X 10-19 Coulombios (C), esta carga es la
responsable de la interaccin atmica (reaccin qumica) entre diferentes tomos.
La carga Positiva se considera est en el ncleo atmico; en los protones los cuales tienen
la misma magnitud de carga que los electrones pero con signo positivo.
La carga elctrica tiene unas reglas de operacin:
cargas de igual signo se repelen o rechazan.
cargas de signos contrarios se atraen.
Las fuerzas de atraccin y o repulsin de las cargas son funcin de la magnitud de la
carga y de la distancia entre las mismas.
La fuerza resultante (F) entre cargas es directamente proporcional a la magnitud de las
cargas (q1, q2, qn) en cuestin e inversamente proporcional su distancia.
n m 2 q1 q2
Ley de Coulomb: F 9.8 10 9 2
C
r2
Donde:
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F en Newton (N)
si q1 y q2 estn en coulomb (C)
r en metros (m)

Por lo que podemos concluir que la fuerza elctrica de atraccin resultante entre
electrones y protones es muy intensa de la misma manera que la fuerza de rechazo entre
los protones del ncleo es todava mas intensa y la explicacin que se da nos da para que
esas partculas no se junten (electrones con protones) o se separen (protones con
protones electrones con electrones) es que las fuerzas nucleares son las encargadas de
mantener un equilibrio a semejanza de un sistema planetarios.
Distancia promedio entre el electrn y el protn es de 5.3 x10-11 m
Distancia promedio entre protones es de 2 x10-15m
b) Smbolo. e
c) Portador de carga. Al electrn se le considera la partcula atmica por excelencia
capaz de portar carga elctrica (llevar, transportar), esta propiedad es la ms
importante para la electricidad y la electrnica ya que permite el flujo de energa
elctrica entre los sistemas. Al movimiento de electrones de manera ordenada se le
denomina corriente elctrica.
d) Masa del electrn. Como toda partcula atmica el electrn tambin tiene masa, esta
es muy pequea y colabora con la propiedad anterior, su masa es de 9.11 x10-31
kilogramos, unas 1800 veces menor que la de los neutrones y protones
e) Tamao del electrn. Radio clsico del electrn,
con un valor de 2.8179 x 10-15 m.
Existen tres tipos fundamentales de materiales, de
acuerdo con su comportamiento elctrico:
Conductores
Aislantes o Dielctricos
Semiconductores
En los apartados siguientes se analiza la respuesta de
los dos primeros ante la aplicacin de un campo
elctrico. Los materiales semiconductores sern
tratados con profundidad un poco mayor.

1.1.1 Materiales Conductores.

Los conductores son materiales o elementos


cuyos electrones de valencia pueden ser extrados fcilmente del ncleo que les
corresponde. De esta forma, se convierten en fuentes de electrones libres, capaces
de producir una corriente elctrica.

Estructura

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Los conductores por excelencia son los metales.


Estos forman redes de iones en los que cada
tomo cede sus electrones de valencia para
formar una nube de electrones libres, se les
denomina enlace metlico. La nube negativa
hace de aglutinante de los iones positivos,
apantallando la repulsin y mantenindolos
unidos. En la Figura 1 se muestra de manera
simplificada, la red de tomos del aluminio.

Figura 1: Enlace metlico del aluminio

Conductores bajo la accin de un campo elctrico


Puesto que un conductor
dispone de una nube de
electrones libres, la aplicacin de
un campo elctrico (voltaje o
tensin elctrica) provocar un
movimiento de cargas. Este
fenmeno presenta una cierta
analoga con el movimiento de
los cuerpos en el campo
gravitatorio como se muestra en
la Figura 2.

Figura 2 Analoga de los campos gravitatorio y


elctrico

La fuerza de la gravedad es equivalente a la que ejerce el campo elctrico, mientras que


la diferencia de alturas se corresponde con la diferencia de potencial ( V1 V2 ). La
intensidad de la corriente elctrica es el nmero de portadores de carga que atraviesa
una seccin del conductor por unidad de tiempo.
Obsrvese que aunque el movimiento de los electrones es relativamente lento, la
propagacin de este movimiento en el interior del conductor se produce casi
instantneamente (a la velocidad de la luz: 3 x 108 m/s).
Obviamente, la situacin representada en la Figura 2 es una tosca aproximacin al
fenmeno de la conduccin elctrica en los materiales. En realidad los electrones libres
interaccionan tanto entre ellos como con los iones positivos. Como resultado de estos
choques se produce un consumo de energa, que se caracteriza mediante el parmetro
llamado resistencia elctrica del conductor.
La propiedad elctrica ms importante de los materiales es la que expresa que tan
fcilmente permiten el paso de la corriente elctrica: la ms comn se llama resistencia
elctricaR=expresa la oposicin que tiene un material al paso de una corriente
volt
elctrica, sus unidades estn en ohms ( )
el mejor material conductor de
Ampere
electricidad sera aquel cuya R=0 (ohm), dicho material no se conoce.
Una propiedad que seria la opuesta a la Resistencia elctrica sera la Conductividad
Elctrica, la cual tambin expresa que tan buen conductor elctrico es un material. Se
1
volt
(G )
Siemens S
R Ampere
representa con

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Idealmente el mejor conductor Elctrico tendra una resistencia elctrica de 0 ohms ()


una conductividad elctrica de
La resistencia elctrica que presenta un resistor es funcin del material con el que esta
hecho el resistor as como la geometra (forma) del resistor, por ejemplo para un resistor
de forma cilndrica, la resistencia que presenta este resistor ser:
R=(L/S)
L = longitud (m)
S = rea (m2)
= resistividad de material (-m)

La resistividad () es funcin de la temperatura


Resistividad Coeficiente de temperatura
(-m)
(1/K)
Plata
1.5910-8
3.810-3
-8
Cobre
1.6710
3.910-3
Oro
2.3510-8
3.410-3
-8
Aluminio
2.6510
3.910-3
Wolframio
5.6510-8
4.510-3
-8
Nquel
6.8410
6.010-3
Hierro
9.7110-8
510-3
Platino
10.610-8
3.9310-3
-8
Plomo
20.6510
4.310-3
Silicio
4300
-7.510-2
Semiconductores
Germanio
0.46
-4.810-2
Vidrio
1010- 1014
Cuarzo
7.51017
Azufre
1015
Tefln
1013
Caucho
1013- 1016
Madera
108- 1011
Diamante
1011
Resistividad de algunos materiales a 20 C
AISALANTES

CONDUCTORES

Sustancia

En los conductores, aumenta con la temperatura, pudindose considerar que para


pequeos intervalos de temperatura una dependencia lineal:

= 20(1 +(t- 20 C ))

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= resistividad de material (m)


20 = Resistividad del material
a 20 C
= coeficiente de temperatura
t = temperatura en C

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Los resistores son


dispositivos que se
usan para manipular
corrientes y voltajes
en
los
circuitos
elctricos las ms
comunes tienen un
cdigo de colores
que
permite
identificar su valor
de resistencia y de
tolerancia.

Conductores en equilibrio electrosttico


Cuando en el interior de un conductor no se tiene movimiento neto de carga, se dice
que est en equilibrio electrosttico. En esta circunstancia, el conductor presenta las
siguientes propiedades:
El campo elctrico en el interior del conductor es nulo: En caso contrario, sobre los
electrones libres actuara una fuerza capaz de moverlos. En consecuencia, la
diferencia de potencial entre dos puntos del interior del conductor es nula.
En el interior del conductor no existe carga elctrica neta: En efecto, la carga del
conductor slo puede estar distribuida en la superficie del conductor, ya que si
hubiera carga interior tambin existira un campo elctrico interior.
El campo elctrico sobre la superficie del conductor es perpendicular a la misma: De
otro modo existiran fuerzas tangenciales capaces de provocar el movimiento de los
electrones.

1.1.2 Materiales Aislantes Dielctricos.

Los
materiales
aislantes
o
dielctricos ideales son aquellos que no permiten el establecimiento de una
corriente elctrica.

Estructura
Se trata de materiales en los que, para formar el enlace, los tomos completan su ltima
capa atmica alcanzando la estructura electrnica estable: la propia de un gas noble. Los
electrones pueden cederse (enlace inico puro), compartirse (enlace covalente puro) o
combinarse (enlace covalente heteropolar). En la Figura 3 se muestra la estructura
molecular del dixido de silicio (SiO2), material aislante por excelencia empleado en la
industria microelectrnica.
El hecho fundamental es que los
electrones quedan ligados al material, al
contrario de lo que suceda con la nube
electrnica de los conductores.

Figura 3 Estructura molecular del SiO2

Aislantes bajo la accin de un campo elctrico


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Si un aislante (o dielctrico) ideal se somete a un campo elctrico (o a una diferencia de


potencial), no es posible la circulacin de una corriente, ya que no existen cargas libres.
Sin embargo, si las tensiones son muy elevadas pueden llegar a arrancar electrones e
incluso iones de la red. Los electrones arrancados bombardearn otros tomos, liberando
nuevos electrones. As se genera una avalancha que si no se controla puede destruir el
material. Por lo tanto, existe un campo elctrico por encima del cual se produce la
ruptura dielctrica del material aislante. En los buenos aislantes esta tensin es muy
elevada.
Idealmente el mejor Aislante Elctrico tendra una resistencia elctrica de ohms ()

1.1.3 Materiales Semiconductores (Si y Ge). Los materiales semiconductores


ideales son aquellos que tienen propiedades entre los conductores y aislantes es
decir no son buenos conductores no son buenos aislantes.

Estructura
Se trata de materiales en los que, para
formar el enlace, los tomos
completan su ltima capa atmica
alcanzando la estructura electrnica
estable que puede ser manipulada
elctricamente. Los electrones se
Figura 4 Estructura molecular del Si
comparten (enlace covalente puro).
En Figura 4 se muestra la estructura molecular del silicio ( Si ), material semiconductor por
excelencia empleado en la industria microelectrnica.
El hecho fundamental es que los electrones quedan semi-ligados al material, al contrario
de lo que suceda con la nube electrnica de los conductores.

Semiconductores bajo la accin de un campo elctrico


Si un semiconductor ideal se somete a un campo elctrico (o a una diferencia de
potencial), es posible la circulacin de una pequea corriente, ya que no existen cargas
semi-libres. Tcnicamente son malos conductores y malos aislantes.

MODELO DE BANDAS DE ENERGA.


Otra manera de explicar el funcionamiento de los materiales elctricos es a travs del
modelo de bandas de energa como se muestra en la Figura 5 donde se representan los
electrones de conduccin y de valencia representados en bandas.

Figura 5 Bandas de Energa de (a) Conductor (b) Aislante (c) Semiconductor

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95 % de los elementos electrnicos fabricados en la actualidad son de materiales


semiconductores simples, principalmente de silicio, pero los semiconductores
compuestos empiezan a jugar un papel cada vez ms significativo en aplicaciones de alta
velocidad y en la optoelectrnica. Por ese motivo, en este libro se considera al silicio
como semiconductor de referencia, si no se indica otra cosa explcitamente.

1.2 Construccin de los semiconductores para uso electrnico.


(Enfoque de red cristalina pura, caractersticas elctricas del semiconductor
intrnseco).

1.2.1 Los semiconductores naturales deben ser preparados para ser


usados como semiconductores grado electrnico.
Deben de purificarse, solo deben quedar impurezas en partes por milln (ppm)
Deben poseer una Red cristalina pura y ordenada (Figura 6)
Se usan Silicio y Germanio generalmente.

Figura 6 Red cristalina tridimensional, Bidimensional y simplificada

1.2.2 Semiconductores Intrnsecos. Se les denomina a los semiconductores que


tienen una red cristalina ordenada y un alto grado de pureza y debido a ello sus
propiedades elctricas solo dependen de s mismos y de su forma geomtrica
cuando se construyen dispositivos con ellos (figura 6).

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Un termistor es un ejemplo clsico de dispositivo electrnico fabricado con


semiconductores intrnsecos, tiene tpicamente un coeficiente que lo hace dependiente
de la temperatura, es decir su resistencia elctrica depende de la temperatura, si lo hace
de forma negativa, es decir si al aumentar la temperatura disminuye su resistencia se dice
que es NTC (Negative Temperature Coeficient) PTC (Positive Temperature Coeficient) si
lo hace de manera opuesta.

Figura 7 Resistencia Vs Temperatura en termistores NTC y PTC y Smbolo


Su uso es como sensor de temperatura o como compensador dependiente de la
temperatura.

Figura 8.- Aplicaciones del termistor a) Corriente dependiente de Temperatura, b)


Voltaje dependiente de Temperatura c) Termmetro con termistor

1.3 Semiconductores Extrnsecos:

(Efectos de los contaminantes y cules de


ellos se pueden usar. Semiconductor tipo N y Tipo P. Caractersticas elctricas.)

1.3.1 Dopado.

Si a los semiconductores intrnsecos se les combina adecuadamente


con elementos del III y/o con elementos del V grupo se forman los
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.

1.3.2 Semiconductores Tipo N.

Los elementos del V grupo que se usan en la


electrnica junto con el silicio y germanio son: fsforo, arsnico, antimonio y
bismuto que al combinarse con los semiconductores intrnsecos forman los
Semiconductores Extrnseco tipo N.

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Figura 9.- Semiconductor Extrnseco tipo N, (a) Bandas de Energa, (b) Enlace

1.3.3 Semiconductores

Tipo P. Mientras que los III grupo son: Boro, Aluminio, Indio y
Galio que al combinarse con los semiconductores intrnsecos forman los
Semiconductores Extrnseco tipo P.

Figura 10.- Semiconductor Extrnseco tipo P, (a) Bandas de Energa (b) Enlaces
Covalentes

1.3.4 Caractersticas Elctricas.


Semiconductores Intrnsecos
Tabla 1.3 Intervalos prohibidos de energa, conductividades a temperatura ambiente,
movilidad de los electrones y huecos de materiales semiconductores,
Intervalo
Conductividad
Movilidad de los
Movilidad de los
Material
prohibido (eV)
Elctrica (-m)-1
electrones (m2/V-s)
huecos (m2/V-s)
Elemental
Si
1.11
4 x 10-4
0.14
0.05
Ge
0.67
2.2
0.38
0.18
Compuestos III-V
GaP
2.25
0.05
0.002
GaAs
1.42
10-6
0.85
0.45
InSb
0.17
2 x 104
7.7
0.07
Compuestos II-VI
Cd
2.40
0.03
ZnTe
2.26
0.03
0.01

Estas caractersticas elctricas de los materiales semiconductores intrnsecos son alteradas


sustancialmente en los extrnsecos de acuerdo a la cantidad de dopaje de los mismos.

Semiconductores Extrnsecos
Tipo N
Portadores de cargatransportadoreselectrones

Tipo P
Portadores de cargatransportadoreshuecos

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Figura 11.- Variacin de la movilidad de


los electrones contra la concentracin de
impureza donadora (tipo n)

Figura 12.- Variacin de la movilidad de los


electrones contra la concentracin de
impureza aceptora (tipo p)

Figura 13.- Influencia de la temperatura en la conductividad elctrica

Figura 14.- Disminucin de la movilidad


del electrn al aumentar la temperatura

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Figura 15.- Disminucin de la movilidad


de los huecos al aumentar la
temperatura

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Figura 16.- Si T se incrementa Extrnseco Intrnseco

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