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Memórias ROM

1-Introdução

Rom (Read-Only Memories) memória de apenas leitura a semicondutor, que armazena informação em caráter permanente. Durante sua operação normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja, é utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente. Para alguns tipos de ROM os dados são gravados durante o processo de fabricação enquanto que, para outros, os dados são gravados eletricamente. O processo de gravação de dados em uma ROM é denominado programação ou queima. Algumas ROMs não podem ter seus dados alterados, enquanto que outras podem ter seus dados apagados e regravados. As ROMs são não voláteis e por isso são empregadas para guardar dados que não mudarão durante a operação de um sistema, uma vez que, após cessada a alimentação elétrica os dados não se perdem. Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em computadores e outros sistemas digitais (eletrodomésticos, sistema de segurança, caixa eletrônico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na construção de um circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comum):

um circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comum): Figura 1- Símbolo – ROM Uma ROM pode ser

Figura 1- Símbolo ROM

Uma ROM pode ser implementada como um circuito combinacional, conforme ilustra a figura 2, abaixo:

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Figura 2- Circuito Combinacional – ROM Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde

Figura 2- Circuito Combinacional ROM

Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde E 0 a E 2 são as entradas. Essas entradas combinadas equivalem ao endereço e, na saída têm-se a palavra S 0 aS 4 . Por exemplo: para o endereço 100, a palavra na saída seria 10111. É importante notar que no codificador somente uma das entradas pode ser levada a nível lógico 1 de cada vez, o que limita uma ROM feita com codificadores.

Outra alternativa é utilizar um decodificador e um codificador, para implementar

uma ROM, conforme mostra a figura 3. Podemos através das combinações de entrada estabelecer uma saída, onde neste caso, as entradas poderão estar todas submetidas a nível

1.

de entrada estabelecer uma saída, onde neste caso, as entradas poderão estar todas submetidas a nível

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Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional

A vantagem deste circuito é o aumento na capacidade de armazenamento, para um número de linhas de endereçamento mais reduzido. Para n linhas de endereçamento haverá 2 n entradas no codificador e consequentemente 2 n palavras. Com base no decodificador e codificador, podemos projetar uma memória ROM, conforme a tabela 1, mostrada na fig.4:

Tabela 1

podemos projetar uma memória ROM, conforme a tabela 1, mostrada na fig.4: Tabela 1 Figura 4-
podemos projetar uma memória ROM, conforme a tabela 1, mostrada na fig.4: Tabela 1 Figura 4-

Figura 4- ROM combinacional

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ROM (Read Only Memory) é uma memória somente de leitura, ou seja, os dados são armazenados no processo de fabricação, não permitindo nova gravação. Em computadores antigos a ROM continha a programação (BIOS-Basic Input Output System) que permite a inicializaçãode um computador

2-Estrutura Geral e Organização de uma mémória

A Arquitetura básica utilizada para ROM nos processos de fabricação dos circuitos integrados atuais é mostrada na figura 5. Na figura 5a temos um exemplo para o decodificador de endereços, usando portas lógicas ANDs.

o decodificador de endereços, usando portas lógicas ANDs. Figura 5 – Arquitetura Interna das Memórias ROM

Figura 5 Arquitetura Interna das Memórias ROM

Bloco decodificador de endereços é um gerador de produtos canônicos e ativa uma linha por vez, de acordo com o endereçamento (fig .5 a).

Matriz de dados Arranjo de linhas e colunas que através de um elo de ligação possibilita a gravação dos dados pelo fabricante e consequente leiutura pelo usuário. Na prática, esses elos são elementos semicondutores (diodos ou transistores) que se constituem na estrutura de dados propriamente ditos.

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Chaves de saída- conjunto de chaves (buffers) que são habilitadas através do terminal

chaves (buffers) que são habilitadas através do terminal CS. A conexão é feita em nível ‘0’

CS. A conexão é feita em nível ‘0’ (‘1’ fica em alta impedância)

Figura 5a Bloco decodificador de endereços Gerador de produtos canônicos de 2 bits constituído por portas AND e INVERSOR

canônicos de 2 bits constituído por portas AND e INVERSOR Fig.6-ROM Máscara ROM 4X4 PROM (Programmable

Fig.6-ROM Máscara

ROM 4X4

por portas AND e INVERSOR Fig.6-ROM Máscara ROM 4X4 PROM (Programmable Read-only Memory ) é uma

PROM (Programmable Read-only Memory) é uma ROM que é fornecida virgem para o comprador. Para a gravação de dados na ROM deve ser usado um equipamento especial. A gravação é feita de uma só vez, para toda a capacidade da PROM, e uma vez realizada,

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não pode ser desfeita. A gravação é feita através da circulação de uma corrente elétrica que rompe o fusível onde deseja-se armazenar o nível lógico ‘0’.

fusível onde deseja- se armazenar o nível lógico ‘0’. Fig 7-Uma memória PROM com diodo 1-Introdução

Fig 7-Uma memória PROM com diodo

1-Introdução

EPROM

(Erasable Programmable ROM - ROM Apagável e Programável) foi

inventada pelo engenheiro Dov Frohman.

Uma EPROM, ou erasable programmable read-only memory, é um tipo de dispositivo de memória de computador não-volátil, isto é, mantém seus dados quando a energia é desligada. Uma EPROM é programada por um dispositivo eletrônico que fornece tensões maiores do que as usadas normalmente na alimentação do dispositivo. Uma vez programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 microns). EPROMs são facilmente reconhecíveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silício pode ser visto (Fig.6), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento. O processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos.

O processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos. Figura 6. EPROMS e a pequena

Figura 6. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta durante o apagamento.

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Uma EPROM programada mantém seus dados por aproximadamente dez a vinte anos e pode ser lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a revisão da BIOS, e um aviso de copyright (Fig.6a).

BIOS, a revisão da BIOS, e um aviso de copyright (Fig.6a). Figura 6a. Microcontrolador 8749 que

Figura 6a. Microcontrolador 8749 que armazena seu programa em uma EPROM.

Antes da era da memória flash, alguns microcontroladores frequentemente, usavam EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento é útil para desenvolvimentos de projetos, possibilitanto que os dispositivos programáveis sejam programados várias vezes, facilitanto a depuração do projeto.

Para se programar uma EPROM, é necessário utilizar um equipamento conhecido como Programador, que são encontrados em empresas epecializadas ou pode-se fazer um programador do tipo caseiro.

Existem EPROMs em vários tamanhos (físicos) e de capacidade de armazenamento, ver tabela 2:

Tabela 2- Memórias EPROMs comerciais

 

Tamanho -

Tamanho -

Tamanho

Último endereço (hex)

Tipo de EPROM

bits

bytes

(hex)

2716, 27C16

16

kbit

2KBytes

800

007FF

2732, 27C32

32

kbit

4KBytes

1000

00FFF

2764, 27C64

64

kbit

8KBytes

2000

01FFF

27128, 27C128

128

kbit

16KBytes

4000

03FFF

27256, 27C256

256

kbit

32KBytes

8000

07FFF

27512, 27C512

512

kbit

64KBytes

10000

0FFFF

27C010, 27C100

1Mbit

128KBytes

20000

1FFFF

27C020

2

Mbit

256 kbytes

40000

3FFFF

27C040

4

Mbit

512 kbyte

80000

7FFFF

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NOTA: As séries de EPROMs 27x contendo um C no nome são baseadas em CMOS, sem o C são NMOS

2- Células de Armazenamento

Na figura7 mostra-se uma célula de uma EPROM. As células de armazenamento em uma EPROM são transistor MOS com porta de sílicio sem conexão (flutuante). No estado normal, o transistor está desligado e a célula armazena 1 lógico. O transistor pode ser ligado aplicando um pulso de tensão que injeta elétrons de alta energia na região da porta flutuante. Estes elétrons ficam presos, pois não há caminho de fuga.

Estes elétrons ficam presos, pois não há caminho de fuga. Figura7- Seção transversal de uma célula

Figura7- Seção transversal de uma célula de uma EPROM NMOS

Uma EPROM pode ser programada pelo usuário e também pode ser apagada e reprogramada quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste em aplicar tensões especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo (50ms por locação). Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzirá uma corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o transistor, e restaurando o 1 lógico.Este processo deve gastar entre 15 e 20 minutos, dependendo da memória e intensidade de luz, e apagará toda a memória.

3- CMOS EPROM AM27C64

A AM27C64 é uma memória só de leitura apagável por luz ultravioleta e programável. É organizada como 8K palavras de 8-bits. Segue na figura 8, o diagrama de blocos da

AM27C64.

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Figura 8-Organização interna da memória EPROM AM27C64 EEPROM 1-Introdução Uma EEPROM (de E lectrically- E

Figura 8-Organização interna da memória EPROM AM27C64

EEPROM

1-Introdução

Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.

Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes individuais) sem necessidade de reprogramação total. Este fato faz com que as alterações sejam efetuadas pelo próprio sistema no qual a memória esteja inserida. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. A memória flash é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar

o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de

escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um transístor de leitura

e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um.

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Dispositivos da série MAX7000S como o EPM7128SLC84-7 de média densidade, tem internamente elementos de uma EEPROM. Este dispositivo apresenta as seguintes características:

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) -package de 84 pinos;

128 macrocélulas onde cada macrocélula tem um array de AND programável/OR fixa;registrador reconfigurável com clock independente programável, clock enable, clear e funções preset.

Capacidade de 2500 gates;

Arquitetura simples, ideal para projetos introdutórios, funções lógicas combinatórias e sequenciais;

Tensão de alimentação de 5,0 e 3,3V;

Reprogramável no sistema;

Compatível PCI 2 ;

Apresenta alta velocidade (tp=5ns)

2 Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no início de 1990(Intel). Tem como características a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 33 MHz, especificações estas que tornaram o padrão capaz de transmitir dados a uma taxa de até 132 MB por segundo. Os slots PCI são menores que os slots ISA (Industry Standard Architecture) padrão anterior a este, assim como os seus dispositivos.

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Memória Flash

1-Introdução

As memórias Flash foram uma resposta da indústria às memórias EPROM e EEPROM, que oferecem as vantagens destas memórias sem o alto custo, apresentando as seguintes características:

Não-Volátil

Apagável e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS

Apagável eletricamente total ou por setor, no circuito

Grande Densidade

Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs)

Baixo custo

A Memória Flash é uma memória de computador do tipo EEPROM que permite que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Trata-se de um dispositivo reprogramável e ao contrário de uma RAM, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada em cartões de memória drives flash, USB e em iPod. Também vem sendo chamada de disco sólido pelas suas perspectivas de uso, não somente devido a sua maior resistência quando comparada aos discos rígidos atuais, mais por apresentar menor consumo, maiores taxas de transferência, latências e peso muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados na alimentação de discos rígidos. Já é utilizado em notebooks, o que será expandido para a versão desktop nos próximos 5 anos.

2. A Célula

A célula de uma memória Flash é semelhante à célula de uma EPROM, e é constuída por um único transistor. Na memória Flash, uma fina camada de óxido de sílicio forma a porta (gate) do transistor, permitindo apagar eletricamente a memória e uma maior densidade que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 9 compara os dois tipos de células de memória, onde a camada de óxido entre a porta e o substrato na célula Flash é 100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM é maior que 150 Angstroms.

Flash é 100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM é maior que 150 Angstroms. Figura 9- Célula

Figura 9- Célula Flash e Célula EPROM

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2.1 Operações de escrita / leitura/Apagamento

Na operação de escrita, uma alta tensão de programação (V PP =12 Volts) é aplicada na porta de controle (Control Gate), a tensão no dreno (Drain) é aumentada para 6 Volts enquanto a tensão na fonte (Source) permanece em 0 Volts. Isto forma uma região reversa, crescendo a corrente dreno-fonte, provocando um aumento na energia dos elétrons que vencem a barreira de óxido e são capturados pela porta flutuante (floating gate) Fig.10.

são capturados pela porta flutuante (floating gate) Fig.10. Figura 10 - Célula Flash - Operação de

Figura 10 - Célula Flash - Operação de Escrita

Depois da escrita ser concluída, uma carga negativa na porta flutuante aumenta a tensão de limiar (Vt) da célula acima da tensão equivalente a 1 lógico da linha de seleção de palavra (worldline). Quando a linha de seleção de palavra de uma célula escrita é levada ao nível lógico 1 durante uma leitura, a célula não conduzirá. Um amplificador sensor detecta e amplifica a corrente da célula, e fornece uma saída 0 para uma célula escrita.

Para apagar o conteúdo de uma célula Flash, a tensão de fonte (Source) é colocada em V PP =12 Volts, a port (Control Gate) de controle é aterrada e o dreno (Drain) fica flutuando (Fig. 11).Devido à grande tensão aplicada na fonte (em relação à tensão na porta), há uma atração dos elétrons negativamente carregados da porta flutuante para a fonte através da fina camada de óxido.

flutuante para a fonte através da fina camada de óxido. Figura 11- Célula Flash - Operação

Figura 11- Célula Flash - Operação de Apagar

Depois da operação de apagar ser completada, a ausência de cargas na porta flutuante baixa a tensão Vt da célula para um valor abaixo da tensão equivalente a 1 lógico da linha de seleção de palavra (worldline). Quando uma célula apagada tem a linha de seleção de palavra (wordline) colocada no nível lógico 1 durante uma leitura, o transistor conduzirá mais corrente que uma célula escrita, fornecendo saída lógica 1.

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3- Circuito Integrado (CI) - Memória Flash CMOS A28F256A

É mostrado na figura 12, o símbolo lógico para o CI da memória Flash, CMOS A28F256A (DIP-dual-in-line), da Intel, cuja capacidade é 32K X 8-palavrasXbits.

da Intel, cuja capacidade é 32K X 8-palavrasXbits. Figura12- Pinagem do dispositivo 28F256A As funções

Figura12- Pinagem do dispositivo 28F256A

As funções executadas por cada pino do diagrama acima estão indicadas na tabela 3.

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Tabela 3-Pinagem e função dos pinos.

Tabela 3-Pinagem e função dos pinos. Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memória Flash

Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memória Flash A28F256A (Figura 13).

Todas as operações associadas com alterações no conteúdo da memória - identificador inteligente, apagar, verificação de apagar, programar e verificação de programa - são acessadas através do registrador de comando, interno à memória.

através do registrador de comando , interno à memória. Figura13- Diagrama de blocos para a memória

Figura13- Diagrama de blocos para a memória Flash A28F256A.

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As operações de leitura, escrita e 'standby' são controladas pelas entradas de controle WE#, CE# e OE#. A tabela 3 mostras resumidamente o que acontece com os pinos de dados DQ0 a DQ7 para diferentes níveis das entradas de controle. Na tabela 4 tem-se as informações completas da operação, dadas pelo fabricante.

Tabela 3 - Da Operação

   

Input

Output

Modo

CE

OE

WE

Dados

READ

LOW

LOW

HIGH

DATA OUT

WRITE*

LOW

HIGH

LOW

DATA IN

STANDBY

HIGH

X

X

HIGH-Z

*Note: se V PP ≤6,5V a operação de escrita não pode ser executada. Isto assegura à memória Flash um comportamento de ROM. Em outras palavras, se a tensão V PP for menor que 6,5Volts, o registrador de comando vai para 00H e a memória entra no modo de somente leitura

Tabela 4- Memória Flash A28F256A-operação

leitura Tabela 4- Memória Flash A28F256A-operação O Registrador de Comando é usado para gerenciar todas as

O Registrador de Comando é usado para gerenciar todas as funções do dispositivo, como:

Apagar;

Apagar e Verificar;

Programar;

Verificar programa;

Para que a memória realize qualquer uma das operações listadas na tabela 4 é necessário alterar o conteúdo do registrador de comando da memória. As operações da memória são selecionadas aplicando uma tensão maior que 6,5V no pino V PP , em seguida, escreve- se uma palavra de dados específica no registrador de comandos. A tabela 5 mostra as definições para cada comando.Veja que alguns comandos precisam de dois ciclos de clock.

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Tabela 5- Definições dos comandos -memória Flash A28F256A

Tabela 5- Definições dos comandos - memória Flash A28F256A 4-Aplicações In consumer devices, Flash memory is

4-Aplicações

In consumer devices, Flash memory is widely used in:

• Notebook computers • Personal computers

Personal Digital Assistants (PDAs) • Digital cameras

• Global Positioning Systems (GPS) • Cell phones

Solid-state music players such as • Electronic musical instruments MP3 players • Television set-top boxes

Flash memory is also used in many industrial applications where reliability and data retention in power-off situations are key requirements, such as in:

• Security systems • Military systems

• Embedded computers • Solid-state disk drives

• Networking and communication products • Wireless communication devices

Retail management products • Medical products (E.g., handheld scanners)

Flash Card or USB Flash Drive Capacity

Some of a Flash storage device’s listed capacity is used for formatting and other functions and thus is not available for data storage.

When a Flash storage device is manufactured, steps are taken to ensure that the device operates reliably and to permit the host device (computer, digital camera, PDA, cell phone, etc.) to access the memory cells i.e., to store and retrieve data on the Flash storage device. These steps — loosely called “formatting” — utilize some of the memory cells within the device and thus reduce the capacity available for data storage by the end user. Formatting includes the following operations:

1. Testing each memory cell in the Flash storage device.

2. Identifying all defective cells and taking steps to ensure that no data will be written to or read from a defective cell.

2

Cartão de memória

Cartão de memória ou cartão de memória flash é um dispositivo de armazenamento de dados com memória flash utilizado em videogames, câmeras digitais, telefones

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celulares, palms/PDAs, MP3 players, computadores e outros aparelhos eletrônicos. Podem ser regravados várias vezes, não necessitam de eletricidade para manter os dados armazenados, são portáteis e suportam condições de uso e armazenamento mais rigorosos que outros dispositivos baseados em peças móveis.

que outros dispositivos baseados em peças móveis. Figura 14- Modelos de cartões de memória.Em sentido

Figura 14- Modelos de cartões de memória.Em sentido horário a partir do topo, CompactFlash, xD-Picture Card, MultiMediaCard e Secure Digital Card.

Tabela 6- Alguns formatos para cartões de memória

Nome

Acrónimo

 

Dimensões

DRM

PC Card

PCMCIA

85,6 × 54 × 3,3 mm

 
 

CompactFlash I

CF-I

43

× 36 × 3,3mm

 
 

CompactFlash II

CF-II

43

× 36 × 5,5mm

 
 

SmartMedia

SMC

45

× 37 × 0,76mm

 
 

Memory Stick

MS

50

× 21,5 × 2,8mm

MagicGate

Memory Stick Duo

MS Duo

31

× 20 × 1,6mm

MagicGate

Memory Stick Micro

M2

15

× 12,5 × 1,2mm

MagicGate

MultiMediaCard

MMC

32

× 24 × 1,5mm

 
 

Reduced Size MultiMediaCard

RS-MMC

16

× 24 × 1,5mm

 
 

MMCmicro Card

MMCmicro

12

× 14 × 1,1mm

 
 

Secure Digital Card

SD

32

× 24 × 2,1mm

CPRM

miniSD

miniSD

21,5 × 20 × 1,4mm

CPRM

17

 

microSD

µSD

11

× 15 × 1mm

CPRM

xD-Picture Card

xD

20

× 25 × 1,7mm

 
 

Memory cards

 

Com advento dos jogos distribuídos em discos óticos, os consoles de video game adotaram como solução de armazenamento de dados os cartões de memória, conhecidos como memory cards apesar de ter sido adotado também no console NeoGeo em 1990 para troca de dados entre as versões doméstica e arcade.

para troca de dados entre as versões doméstica e arcade . As capacidades listadas entre parênteses

As capacidades listadas entre parênteses se referem aos cartões originais.

Microsoft Xbox:

o

Xbox Memory Unit (8 MB)

o

Xbox 360 Memory Unit (64MB, versão 256MB anunciada)

Nintendo:

o Nintendo 64 Controller Pak (256 KB, dividido em 123 páginas) o Nintendo GameCube Memory Card (versões com 59, 251 e 1019 blocos) Pode utilizar também cartões Secure Digital com um adaptador

o Nintendo Wii compatível com memory cards do GameCube Memory Card e cartões Secure Digital

Sega Dreamcast Visual Memory Unit (VMU) (128 KB divididos em 200 blocos)

o Teve também uma versão sem LCD e capacidade quatro vezes maior (dividido em quatro partes de 200 blocos/128 KB)

Sony PlayStation:

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o

PlayStation Memory Card (1 MB/128 KB dividido em 15 blocos) o O PocketStation pode ser usado como um cartão de memória PlayStation o PlayStation 2 Memory Card (8 MB)

o

PlayStation Portable: cartões Memory Stick Duo e Memory Stick Duo Pro (cartão de 32 MB incluído nas versões mais baratas; cartão de 1GB incluído nos pacotes Giga e Entertainment).

USB Flashdisk

Memória USB Flash Drive, também designado como Pen Drive, é um dispositivo de armazenamento constituído por uma memória flash tendo uma semelhança de um isqueiro ou chaveiro e uma ligação USB tipo A, permitindo a sua conexão a uma porta USB de um computador. Uma vez encaixado na porta USB, o Flash Drive aparece como um disco removível, similar a um disco rígido ou disquete. As capacidades de armazenamento são 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB a 64 GB. A velocidade de transferência de dados pode variar dependendo do tipo de entrada:

USB 1.1: 1,5 a 12 Mbits/s;

USB 2.0: Apesar do USB 2.0 pode transferir dados até 480 Mbit/s, as flash drives estão limitadas pela largura de banda da memória nelas contida, com uma velocidade máxima real de, aproximadamente, 100 Mbits/s. Em condições ideais as memórias flash podem armazenar informação durante 10

anos.

Figura 17- Memória USB Flash Drive Figura 18- Pen Drive da Toshiba, de 1 GB

Figura 17- Memória USB Flash Drive

Figura 17- Memória USB Flash Drive Figura 18- Pen Drive da Toshiba, de 1 GB

Figura 18- Pen Drive da Toshiba, de 1 GB

Figura19- Aparência interna do USB Flash Drive

Figura19- Aparência interna do USB Flash Drive

de 1 GB Figura19- Aparência interna do USB Flash Drive Alguns fabricantes de memórias flash são:

Alguns fabricantes de memórias flash são: Imation, Kingston, Corsair, SanDisk, HP, Sony, Markvision, Extralife , LG e Toshiba.

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Em computadores com sistema operacional Windows XP ou com as versões recentes do Linux ou MacOS, o flash drives são reconhecidos automaticamente como dispositivos de armazenamento removível. Em sistemas operacionais mais antigos (como o Windows 98) é necessário instalar um pacote de software denominado "device driver", específico para o dispositivo utilizado, que permite ao sistema operacional reconhecê-lo. Há alguns "device drivers" anunciados como genéricos ou universais para Windows 98, mas nem sempre funcionam perfeitamente com qualquer dispositivo. Alguns modelos podem reproduzir música MP3 e sintonizar FM. Em contrapartida, são um pouco mais caros, volumosos e pesados (por causa do peso da pilha), e utilizam uma pilha interna (geralmente no tamanho de uma pilha AAA).

Existe normalmente quatro partes de uma drive flash:

Componentes essenciais

Conector USB macho do tipo A Interface com o computador

Controlador USB Mass Storage Acesso à memória flash

NAND flash Armazena a informação

Oscilador de cristal Produz um sinal de relógio com 12 MHz, que é usado para ler ou enviar dados a cada pulso

Componentes opcionais Alguns drivers podem também incluir:

Jumpers e pinos de teste Para testes durante a sua produção

LEDs Que indicam quando se está a ler ou a escrever no drive

Interruptor de modo de escrita Para que não se possa apagar algo do dispositivo

Reconhecedor de inpressão digital - Para que nenhuma pessoa não autorizada utilize o dispositivo.

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Figura 20- Componentes internos de um pen drive típico. (Na foto um da marca Seite

Figura 20- Componentes internos de um pen drive típico. (Na foto um da marca Seite USB1.1)

1

Conector USB

2

Dispositivo de controle de armazenamento USB

3

Pontos de teste

4

Chip de memória flash

5

Cristal oscilador

6

LED

7

Chave de proteção contra gravação

8

Espaço para um chip de memória flash adicional

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TECNOLOGIAS FLASH NAND E NOR NÃO VOLÁTIL Diferente das memórias (DRAM), a memória Flash é não-volátil, ou seja retém dados mesmo se retirada a alimentação. Portanto, quando um computador é desligado, todo o dado é perdido na memória DRAM; no caso da Flash, mesmo se o dispositivo é removido de uma câmera digital, as fotografias permanecem salvas no dispositivo flash. Por esta habilidade a Flash é aplicada em câmeras digitais, telefones celulares, PDAs e outros dispositivos transportáveis.

As duas tecnologias principais de memória Flash são: NOR e NAND. Cada uma delas tem vantagens que as tornam ideais para diversos tipos de aplicações, conforme resumido na tabela 7:

Tabela 7- Tecnologias da Flash

resumido na tabela 7: Tabela 7- Tecnologias da Flash • *para sistema operacional • ** para

*para sistema operacional

** para armazenamento de dados

MEMÓRIA FLASH NOR A NOR, uma abreviação da tecnologia de mapeamento de dados específicos (Not OR),é uma tecnologia Flash de alta velocidade. A memória Flash NOR fornece capacidade de acesso aleatório de alta velocidade, sendo capaz de ler e gravar dados em locais específicos da memória sem ter de acessá-la no modo sequencial. Diferentemente da Flash NAND, a Flash NOR permite a recuperação de dados tão pequenos quanto um único byte. A Flash NOR destaca-se em aplicações nas quais os dados são recuperados ou gravados aleatoriamente. A NOR é normalmente incorporada em telefones celulares (para armazenamento de sistema operacional destes) e PDAs, e também é usada em computadores para armazenar o programa BIOS executado para fornecer a funcionalidade de inicialização.

MEMÓRIA FLASH NAND A Flash NAND foi inventada depois da Flash NOR e recebeu esse nome graças à tecnologia de mapeamento específico usada para dados (Not AND). A memória Flash NAND lê e grava em alta velocidade, no modo sequencial, e trata dos dados em pequenos blocos (“páginas”). A Flash NAND pode recuperar ou gravar dados como páginas simples, mas não pode recuperar bytes individuais como a Flash NOR. A memória Flash NAND é normalmente encontrada em unidades de disco em estado sólido, em dispositivos de mídia Flash de áudio e vídeo, em set-top boxes para televisão, em câmeras digitais, telefones celulares (para armazenamento de dados) e em outros dispositivos nos quais os dados são geralmente gravados ou lidos em ordem sequencial. Por exemplo, a maioria das câmeras digitais usa filme digital baseado em Flash NAND, já que as fotos geralmente

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são tiradas e armazenadas sequencialmente. A Flash NAND também é mais eficiente na releitura das fotos, pois transfere páginas inteiras de dados com muita rapidez. Por ser uma mídia de armazenamento sequencial, a Flash NAND é ideal para armazenar dado. A memória Flash NAND é mais acessível do que a memória Flash NOR e tem mais capacidade de armazenamento em um molde com o mesmo tamanho. A memória Flash que armazena um único bit por célula (por exemplo, o valor de “0” ou “1”) é conhecida como Flash SLC (Single-Level Cell).

As memórias flash acrescentam reprogramabilidade e apagamento elétrico do chip à EPROM não volátil e facilidade de uso. A memória flash é ideal para armazenar códigos de programas e/ou tabelas de dados, em aplicações onde atualizações periódicas são necessárias. As memórias flash também servem como um meio de aquisição e armazenamento não volátil de dados. A necessidade de atualização de códigos aparece em todas as etapas da vida de um sistema - desde o protótipo para fabricação do sistema até o serviço de pós-venda. Na fabricação, durante a obtenção do protótipo, revisões para controlar o código exigem apagamento por ultravioleta e reprogramação de códigos gravados em EPROM do protótipo. Uma memória flash substitui o apagamento por ultravioleta que dura de 15 a 20 minutos, por um apagamento elétrico com 1 segundo de duração. Apagamento elétrico e reprogramação do chip podem ser feitos pela mesma estação de trabalho ou programador de PROM.

Diagnósticos feitos nos estágios de pré-montagem e montagem final, requerem frequentemente o uso de EPROMs. Os códigos de teste são finalmente substituídos por EPROMs contendo o programa final. Com apagamento e reprogramação elétricos, a memória flash pode ser soldada na placa do circuito. Os códigos de teste são carregados na memória flash quando esta é montada na placa do circuito. Então, o código final pode ser carregado no dispositivo. A programação da memória flash no circuito elimina manuseios desnecessários e conexões menos confiáveis em soquetes, enquanto acrescenta maior flexibilidade de teste.

Custos de material e trabalho associados com mudança em códigos aumentam em sistemas com alto nível de integração - o maior custo é a atualização de pós-venda. A necessidade de aumentar a funcionalidade do sistema, exigem atualizações de códigos pós-venda. Revisões em campo de códigos residentes em EPROM exigem a remoção da EPROM ou de placas inteiras.

Projetar com memórias flash alteráveis no circuito elimina memórias em soquetes, reduz o custo total de material e corta drasticamente os custos de trabalho associados com atualizações de códigos. Com memórias flash, atualizações de códigos são feitas localmente através de um conector, ou remotamente por meio de uma comunicação serial. As características da memória flash de apagamento elétrico do chip, reprogramabilidade por byte e completa não volatilidade, atendem as necessidades de acumulação de dados. Os dados (código) podem ser descarregados para análise e atualizados e repetir o ciclo. Ou vários dispositivos podem manter uma 'janela deslizante' sobre os dados acumulados.

Personal digital assistants (PDAs ou Handhelds), ou Assistente Pessoal Digital, é um computador (pocket pc) de dimensões reduzidas, dotado de grande capacidade computacional, cumprindo as funções de agenda e sistema informático de escritório elementar, com possibilidade de interconexão com um computador pessoal e uma rede

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informática sem fios - wi-fi - para acesso a correio electrónico e internet. Os PDAs atuais possuem grande quantidade de memória e diversos softwares para várias áreas de interesse.

Os modelos mais sofisticados possuem modem (para acesso à internet), câmera digital acoplada (para fotos e filmagens), tela colorida, rede sem fio embutida. Os PDAs antigos guardam das agendas eletrônicas somente as dimensões, pois sua utilidade e aplicabilidade estão se aproximando cada vez mais rapidamente dos computadores de mesa.

e aplicabilidade estão se aproximando cada vez mais rapidamente dos computadores de mesa. Figura 21-Um exemplo

Figura 21-Um exemplo de PDA

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RAM

A Memória de acesso aleatório (do inglês Random Access Memory, frequentemente

abreviado para RAM) é um tipo de memória que permite a leitura e a escrita, utilizada como memória primária em sistemas eletrônicos digitais.

A RAM é um componente essencial não apenas nos computadores pessoais, mas em

qualquer tipo de computador, pois é onde basicamente ficam armazenados os programas básicos operacionais. Por mais que exista espaço de armazenamento disponível, na forma de um HDD ou memória flash, é sempre necessária uma certa quantidade de RAM e, naturalmente, quanto mais memória, melhor o desempenho, uma vez que os programas

tendem a se desenvolver com o passar do tempo e da pesquisa científica.

O termo acesso aleatório identifica a capacidade de acesso a qualquer posição e em

qualquer momento, por oposição ao acesso sequencial, imposto por alguns dispositivos de

armazenamento, como fitas magnéticas. O nome não é verdadeiramente apropriado, já que outros tipos de memória (como a ROM) também permitem o acesso aleatório a seu conteúdo. O nome mais apropriado seria: Memória de Leitura e Escrita, que está expressa na programação computacional.

Apesar do conceito de memória operacional de acesso aleatório ser bastante amplo, atualmente o termo é usado apenas para definir um dispositivo eletrônico que o implementa, uma vez que atualmente essa memória se encontra espalhada dentro do próprio sistema dos atuais computadores (sistema por assim dizer "nervoso" do computador, como o humano), basicamente um tipo específico de chip. Nesse caso, também fica implícito que é uma memória volátil, isto é, todo o seu conteúdo é perdido quando a alimentação da memória é desligada. A memória principal de um computador baseado na Arquitetura de Von-Neumann é constituída por RAM. É nesta memória que são carregados os programas em execução e os respectivos dados do utilizador. Uma vez que se trata de memória volátil, os seus dados são perdidos quando o computador é desligado. Para evitar perdas de dados, é necessário salvar a informação para suporte não volátil, como o disco rígido.

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Diferentes tipos de RAM. A partir do alto: DIP, SIPP, SIMM 30 pin, SIMM 72

Diferentes tipos de RAM. A partir do alto: DIP, SIPP, SIMM 30 pin, SIMM 72 pin, DIMM (168-pin), DDR DIMM (184-pin)

Introdução

É usada pelo processador para armazenar os arquivos e programas que estão sendo processados. A quantidade de RAM disponível tem um grande efeito sobre o desempenho, já que sem uma quantidade suficiente dela o sistema passa a usar memória virtual, que é lenta. A principal característica da RAM é que ela é volátil, ou seja, os dados se perdem ao reiniciar o computador. Ao ligar é necessário refazer todo o processo de carregamento, em que o sistema operacional e aplicativos usados são transferidos do HD para a memória, onde podem ser executados pelo processador.

Os chips de memória são vendidos na forma de pentes de memória. Existem pentes de várias capacidades, e normalmente as placas possuem dois ou três encaixes disponíveis. Há como instalar um pente de 1 GB junto com o de 512 MB que veio no micro para ter um total de 1536 MB, por exemplo.

História

Chip de 1 Megabyte - Um dos últimos modelos desenvolvidos pela VEB Carl Zeiss Jena em 1989.

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O primeiro tipo de RAM foi a núcleo magnético, desenvolvida de 1955 a 1975 e,

posteriormente, utilizada na maioria dos computadores até o desenvolvimento e adoção

da estática e dinâmica de circuitos integrados RAM no final dos anos 1960 e início de

1970.

integrados RAM no final dos anos 1960 e início de 1970. Chip de 1 Megabyte -

Chip de 1 Megabyte - Um dos últimos modelos desenvolvidos pela VEB Carl Zeiss Jena em 1989.

Tipos

Exemplo de memória gravável de acesso aleatório volátil: Módulos Synchronous Dynamic RAM, usada principalmente como memória principal em computadores pessoais, workstations e servidores. Existem basicamente dois tipos de memória em uso: SDR e DDR. As SDRs são o tipo

tradicional, onde o controlador de memória realiza apenas uma leitura por ciclo, enquanto

as DDR são mais rápidas, pois fazem duas leituras por ciclo. O desempenho não chega a

dobrar, pois o acesso inicial continua demorando o mesmo tempo, mas melhora bastante. Os pentes de memória SDR são usados em micros antigos: Pentium II e Pentium III e os primeiros Athlons e Durons soquete A. Por não serem mais fabricados, eles são atualmente muito mais raros e caros que os DDR, algo semelhante ao que aconteceu com os antigos pentes de 72 vias, usados na época do Pentium 1.

É fácil diferenciar os pentes SDR e DDR, pois os SDR possuem dois chanfros e os DDR apenas um. Essa diferença faz com que também não seja possível trocar as bolas, encaixando por engano um pente DDR numa placa-mãe que use SDR e vice-versa. Mais recentemente, tem acontecido a uma nova migração, com a introdução dos pentes de memória DDR2. Neles, o barramento de acesso à memória trabalha ao dobro da frequência dos chips de memória propriamente ditos. Isso permite que sejam realizadas duas operações de leitura por ciclo, acessando dois endereços diferentes. Como a capacidade

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de realizar duas transferências por ciclo introduzida nas memórias DDR foi preservada, as memórias DDR2 são capazes de realizar um total de 4 operações de leitura por ciclo, uma marca impressionante. Existem ainda alguns ganhos secundários, como o menor consumo elétrico, útil em notebooks.

Os pentes de memória DDR2 são incompatíveis com as placas-mãe antigas. Eles possuem um número maior de contatos (um total de 240, contra 184 dos pentes DDR), e o chanfro central é posicionado de forma diferente, de forma que não seja possível instalá-los nas placas antigas por engano. Muitos pentes são vendidos com um dissipador metálico, que ajuda na dissipação do calor e permite que os módulos operem a frequências mais altas.

e permite que os módulos operem a frequências mais altas. Exemplo de memória gravável de acesso

Exemplo de memória gravável de acesso aleatório volátil: Módulos Synchronous Dynamic RAM, usada principalmente como memória principal em computadores pessoais, workstations e servidores.

Capacidade e Velocidade

A capacidade de uma memória é medida em Bytes, Kilobyte (1 KB = 1024 ou 210 Bytes),

Megabyte (1 MB = 1024 KB ou 220 Bytes), Gigabyte (1 GB = 1024 MB ou 230 Bytes) e Terabyte (1 TB = 1024GB ou 2 40 Bytes).

A velocidade de funcionamento de uma memória é medida em Hz ou MHz. Este valor

está relacionado com a quantidade de blocos de dados que podem ser transferidos durante um segundo. Existem no entanto algumas RAMs que podem efetuar duas transferências de dados no mesmo ciclo de clock, duplicando a taxa de transferência de informação para

a mesma frequência de trabalho. Além disso, a colocação das memórias em paralelo

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(propriedade da arquitetura de certos sistemas) permite multiplicar a velocidade aparente da memória.

Cache

Top LR, DDR2 com dissipador de calor, DDR2 sem dissipador de calor, Laptop DDR2, DDR, DDR Laptop De qualquer forma, apesar de toda a evolução a RAM continua sendo muito mais lenta que o processador. Para atenuar a diferença, são usados dois níveis de cache, incluídos no próprio processador: o cache L1 e o cache L2. O cache L1 é extremamente rápido, trabalhando próximo à frequência nativa do processador. Na verdade, os dois trabalham na mesma frequência, mas são necessários alguns ciclos de clock para que a informação armazenada no L1 chegue até as unidades de processamento. No caso do Pentium 4, chega-se ao extremo de armazenar instruções já decodificadas no L1: elas ocupam mais espaço, mas eliminam este tempo inicial. De uma forma geral, quanto mais rápido o cache, mais espaço ele ocupa e menos é possível incluir no processador. É por isso que o Pentium 4 inclui apenas um total de 20 KB desse cache L1 ultrarrápido, contra os 128 KB do cache um pouco mais lento usado no Sempron.

Em seguida vem o cache L2, que é um pouco mais lento tanto em termos de tempo de acesso (o tempo necessário para iniciar a transferência) quanto em largura de banda, mas é bem mais econômico em termos de transistores, permitindo que seja usado em maior quantidade. O volume de cache L2 usado varia muito de acordo com o processador. Enquanto a maior parte dos modelos do Sempron utilizam apenas 256 KB, os modelos mais caros do Core 2 Duo possuem 4 MB completos.4 Paridade de memória É um método criado para correção de erros de memória, é antigo, e somente identifica erros, não os corrige. Consiste na adição de um bit de controle no final de cada byte de memória.

de um bit de controle no final de cada byte de memória. Top LR, DDR2 com

Top LR, DDR2 com dissipador de calor, DDR2 sem dissipador de calor, Laptop DDR2, DDR, DDR Laptop

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Paridade de memória

É um método criado para correção de erros de memória. É o método mais antigo, e

somente identifica erros, não os corrige, e consiste na adição de um bit de controle no final de cada byte de memória.

A operação de checagem dos dados na paridade é bem simples: são contados o número de

bits “1” de cada byte. Se o número for par, o bit de paridade assume um valor “0” e caso seja ímpar, 9º bit assume um valor “1”. Quando requisitados pelo processador, os dados são checados pelo circuito de paridade que verifica se o número de bits “1” corresponde ao depositado no 9º bit. Caso seja constatada alteração nos dados, ele envia ao processador uma mensagem de erro.

O método não é totalmente eficaz, pois não é capaz de detectar a alteração de um número

de bits que mantenha a paridade. Se dois bits zero retornassem alterados para bits um, o

circuito de paridade não notaria a alteração nos dados. Felizmente, a possibilidade de alteração de dois ou mais bits ao mesmo tempo é remota. O uso da paridade não torna o computador mais lento, pois os circuitos responsáveis pela checagem dos dados são independentes do restante do sistema. Seu único efeito colateral, é o encarecimento das memórias, que ao invés de 8 bits por byte, passam a ter 9, tornando-se cerca de 12 a 60% mais caras. Dispositivo ECC-(Error Correct Code) - Código de correção de erros. Código de detecção no qual uma combinação de pulsos proibitiva pelo acréscimo ou perda de 1 bit indica qual bit está errado.

Além do custo, a paridade não permite corrigir os erros, apenas identificá-los, o que diminui sua utilidade prática. O aumento do bom nível de confiabilidade dos novos módulos de memórias fez com que as memórias com paridade caíssem em desuso.

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