UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE EXTENSIN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

GUA DE PRCTICA DE LABORATORIO

CARRERA

CDIGO DE LA
ASIGNATURA

NOMBRE DE LA ASIGNATURA

ELEE-15025

ELECTRNICA GENERAL

Electromecnica
Petroqumica
Automotriz
Mecatrnica

PRCTICA
N

LABORATORIO DE:

Circuitos Electrnicos

TEMA:

Circuitos con diodos

DURACIN
(HORAS)
1

OBJETIVO

Comprobar el funcionamiento de redes de diodos en serie, paralelo y en serie-paralelo.

Determinar voltajes y corrientes en los diodos.
INSTRUCCIONES

A.

EQUIPO Y MATERIALES NECESARIOS

Fuentes de alimentacin de 5V a 15V / 1A.
Multmetro.
2 Diodos 1N4007 y un diodo de germanio a elegir.
Resistencias de 2,2 K, 1 K, 5,6 K.

B. TRABAJO PREPARATORIO
1. Calcular los parmetros indicados para cada circuito.

3
ACTIVIDADES A DESARROLLAR
A. CONFIGURACIN DE DIODOS EN SERIE
1. Arme el circuito de la figura 1.

D1

D2

Figura 1: Red de diodos de Si en serie.

2. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 1. E, VD1, VD2, VR1, ID1, IR1.
3. En el circuito de la figura 1 polarizar inversamente un diodo de silicio y repetir el procedimiento. Anotar
todos los valores en la tabla 2 e indicar cual diodo invirti.
B. CONFIGURACIN DE DIODOS EN PARALELO
1. Arme el circuito de la figura 2.

Figura 2: Red de diodos de Si en paralelo.

2. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 3. E, VD1, VD2, VR1, IR1, ID1, ID2
3. Para el circuito de la figura 2 polarizar inversamente los diodos y repetir el procedimiento anterior.
Anotar todos los valores en la tabla 4.
4. Arme el circuito de la figura 3.

Figura 3: Red de diodos de Si y Ge en paralelo.

5. Mida los siguientes parmetros y llene la tabla 5. E, VD1, VD2, VR1, IR1, IDSi, IDGe

4
RESULTADOS OBTENIDOS
Tabla 1.
R1
Resistencia

Magnitud

()

E
Tensin en
la fuente.
(V)

VD1
Tensin en
el diodo 1.
(V)

VD2
Tensin en
el diodo 2.
(V)

VR1
Tensin
en R1.
(V)

IR1
Intensidad
en R1.
(mA)

ID
Intensidad
en el diodo.
(mA)

E
Tensin en
la fuente.
(V)

VD1
Tensin en
el diodo 1.
(V)

VD2
Tensin en
el diodo 2.
(V)

VR
Tensin
en R1
(V)

IR
Intensidad
en R1
(mA)

ID
Intensidad
en el diodo
(mA)

Valor medido
Valor calculado

Tabla 2.
R1
Resistencia

Magnitud

()

Valor medido
Valor calculado

Tabla 3.
Magnitud

R1
Resistencia
()

E
Tensin en
la fuente.
(V)

VD1
Tensin en
el diodo 1
(V)

VD2
Tensin en
el diodo 2
(V)

VR1
Tensin
en R1
(V)

IR1
Intensidad
en R1
(mA)

ID1
Intensidad
en el diodo 1
(mA)

ID2
Intensidad
en el diodo
(mA)

Valor
medido
Valor
calculado

Tabla 4.
Magnitud

R1
Resistencia
()

Valor
medido
Valor
calculado

E
Tensin en
la fuente.
(V)

VD1
Tensin en
el diodo 1
(V)

VD2
Tensin en
el diodo 2
(V)

VR1
Tensin
en R1
(V)

IR1
Intensidad
en R1
(mA)

ID1
Intensidad
en el diodo 1
(mA)

ID2
Intensidad
en el diodo 2
(mA)

Tabla 5.
Magnitud

R
Resistencia
()

E
Tensin en
la fuente.
(V)

VDSi
Tensin en
el diodo Si
(V)

VDGe
Tensin en
el diodo Ge
(V)

VR1
Tensin
en R1
(V)

IR1
Intensidad
en R1
(mA)

IDSi
Intensidad

IDGe
Intensidad

(mA)

(mA)

Valor
medido
Valor
calculado

5
CONCLUSIONES
Son los nuevos conocimientos que los estudiantes obtienen una vez desarrollada la prctica.

RECOMENDACIONES

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB

TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS,BOYLESTAD & NASHELSKY,dcima
edicin, 2009, PEARSON-PRENTICE HALL.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS, FLOYD THOMAS L, octava edicin, 2007,PEARSON EDUCACIN.

Latacunga, 20 de mayo de 2016

Elaborado por:

Aprobado por:

Ing. Luis Enrique Mena Mena.

Docente de la asignatura

Ing. Fabricio Prez.

Jefe de Laboratorio