APLICACIONES EN LAS TICs DE LA NANOTECNOLOGIA

Nuevos avances en nanotecnologa pone a tiro a las supercomputadoras del

maana. Dentro de unos aos, las computadoras sern bastante diferentes de
las actuales. Los avances en el campo de la nanotecnologa harn que las
computadoras dejen de utilizar el silicio como sistema para integrar los
transistores que la componen y empiecen a manejarse con lo que se llama
mecnica cuntica, lo que har que utilicen transistores a escala atmica.
Aproximadamente para el ao 2010, el tamao de los transistores o chips
llegar a lmites de integracin con la tecnologa actual, y ya no se podrn
empaquetar ms transistores en un rea de silicio, entonces se entrar al nivel
atmico o lo que se conoce como mecnica cuntica.
Las computadoras convencionales trabajan simbolizando datos como series de
unos y ceros dgitos binarios conocidos como bits. El cdigo binario resultante
es conducido a travs de transistores, switches que pueden encenderse o
prenderse para simbolizar un uno o un cero.

TRANSISTORES TRI GATE

Normalmente, los transistores son planos y tienen tres "puertas" ogates en
ingls: una base, un colector y un emisor. Controlando el voltaje en la base se
activa un flujo de corriente a travs de un "canal conductor" desde el colector al
emisor. En el diseo de Intel, la "aleta 3D" es el canal conductor para el
transistor, y las puertas de control estn a los tres lados de la aleta - dos a los
lados y una en la punta, en lugar de dos abajo y uno encima de los otros dos,
como ocurre en los transistores planos.
Intel ha estado hablando de los transistores 3D por casi 10 aos, y otras
empresas tambin han experimentado con tecnologas parecidas, pero hasta
ahora nadie haba podido fabricar uno real.
Los transistores son uno de los objetos ms baratos del mundo. Un chip comn
tiene como 1.000 millones de ellos. Su nica funcin es regular el flujo de
corriente dentro de los chips. Segn la llamada Ley de Moore, planteada en
1965, el nmero de transistores en un chip se dobla cada 12 a 18 meses.
Sin embargo, a medida que los transistores se van haciendo ms minsculos,
se van encontrando con problemas como "fugas" de electrones, lo que llev a
plantear que la ley de Moore llegara a su lmite ms o menos en 2015. El
anuncio de Intel, sin embargo, sugiere que esto podra continuar todava
algunos aos ms. El nuevo diseo reduce el voltaje al que deben operar los
transistores, lo que a su vez reduce las fugas en las puertas.

Con esta estructura tridimensional se consigue la creacin de un nuevo estado

de funcionamiento que permitir minimizar el consumo energtico cuando sea
necesario, es decir, cuando la CPU no tenga tareas que realizar. As se logra
optimizar el ratio rendimiento/energa que tan importante se est haciendo en
los ltimos aos.

MEMORIAS MRAM
La MRAM es un tipo de memoria no voltil que ha estado en desarrollo desde
los aos 90. El desarrollo continuado de la tecnologa existente,
principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalizacin de su uso, aunque
sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o despus
se convertir en la tecnologa dominante para todos los tipos de memorias
A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga
elctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de
almacenamiento magntico. Los elementos estn formados por dos
discos ferromagnticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo
magntico, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se
sita en un imn permanente con una polaridad dada; el otro variar para
adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de
memoria.
La lectura se realiza midiendo la resistencia elctrica de la celda. En general,
una celda se selecciona con base en la alimentacin de un transistor asociado
que conduce la corriente desde una lnea de alimentacin a travs de la celda a
tierra. El efecto tnel provoca cambios en la resistencia de la celda segn la
orientacin de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada,
puede calcularse la resistencia y a partir de sta la polaridad del disco
escribible. En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es
la misma (el estado de menor resistencia).
La memoria que usamos actualmente en la mayora de nuestros aparatos para
este proceso se llama DRAM (o las modernas SDRAM) y tecnolgicamente
estn formadas por pequesimos condensadores que pueden estar o no
cargados elctricamente. Imagina que estos condensadores son pequeas
bateras que estn o no cargadas y podemos ver su estado. Si estn
cargadas, significa 1 y, si no lo estn, significa 0; as que ya tenemos un
sistema que nos guarda datos, pero como todas las bateras, se descargan.
Pero estas son tan pequeitas y tienen tan poquita carga, que se descargan en
milisegundos y hay que estar recargndolas constantemente.

https://es.wikipedia.org/wiki/MRAM

http://www.nanotecnologia.cl/

http://www.portalciencia.net/nanotecno/nanoinfor.html