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R.

S.

MINISTRIO DA DEFESA NACIONAL


FORA AREA PORTUGUESA

CENTRO DE FORMAO MILITAR E TCNICA

Curso de Formao de Praas - RC

COMPNDIO
ELECTRNICA ELEMENTAR

EPR: NEL
CCF 335-35
Maro 2009

S.

R.

MINISTRIO DA DEFESA NACIONAL


FORA AREA PORTUGUESA
CENTRO DE FORMAO MILITAR E TCNICA

CARTA DE PROMULGAO
MARO 2009

1. O Compndio de Electrnica Elementar uma Publicao NO CLASSIFICADA.

2. Esta publicao entra em vigor logo que recebida.

3. permitido copiar ou fazer extractos desta publicao sem autorizao da entidade promulgadora.

REGISTO DE ALTERAES

IDENTIFICAO DA ALTERAO,
N DE REGISTO, DATA

DATA DE
INTRODUO

DATA DE ENTRADA
EM VIGOR

ASSINATURA, POSTO E
UNIDADE DE QUEM
INTRODUZIU A ALTERAO

Electrnica Elementar

Cursos:
Nome do Compndio:
Disciplina:
Data:

Curso de Formao de Praas RC


Electrnica Elementar
Fundamentos de Electrnica, Electrnica Elementar
Janeiro 2009

Compilado Por:

TEN/TMMEL Bruno Vale

Verificado Por:

Gabinete da Qualidade da Formao

Comando G. Formao:
TCOR / ENGAER Jos Sade
Director de rea:
MAJ / TMMEL Ablio Carmo
Director de Curso:
TEN / TMMEL Jorge Martins
Formador:

TEN / TMMEL Bruno Vale

ATENO:
Esta publicao destina-se a apoiar os formandos a frequentarem o Curso de Formao de
Praas nas especialidades MARME, MMA, MMT, OPCOM e OPINF nas disciplinas de
Fundamentos de Electrnica e Electrnica Elementar.
No pretendendo ser uma publicao exaustiva do curso em questo, apresenta-se como uma
ferramenta de consulta quer durante a durao do curso, quer aps a sua concluso.

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Electrnica Elementar

NDICE
FSICA DOS SEMICONDUTORES .............................................................................................................................. 7
ESTRUTURA ATMICA ................................................................................................................................................... 7
MOLCULAS................................................................................................................................................................... 7
TOMO ........................................................................................................................................................................... 9
O EQUILBRIO ELCTRICO DO TOMO .......................................................................................................................... 9
O EQUILBRIO MECNICO DO TOMO ......................................................................................................................... 10
CONDUTORES, ISOLADORES E SEMICONDUTORES ..................................................................................................... 10
CONDUTORES ............................................................................................................................................................... 10
ISOLADORES ................................................................................................................................................................. 10
SEMICONDUTORES ....................................................................................................................................................... 10
NVEIS DE ENERGIA ..................................................................................................................................................... 12
ESTRUTURA ATMICA DO SILCIO E DO GERMNIO .................................................................................................. 13
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS E INTRNSECOS ..................................................................................................... 14
IMPUREZAS TRIVALENTES E PENTAVALENTES .......................................................................................................... 15
Impurezas Dadoras ou Pentavalentes...................................................................................................................................... 15
Impurezas Aceitadoras ou Trivalentes..................................................................................................................................... 15

SEMICONDUTORES TIPO N E TIPO P........................................................................................................................... 16


Semicondutores Tipo N ............................................................................................................................................................ 16
Semicondutores do Tipo P ....................................................................................................................................................... 16

DODO DE JUNO .................................................................................................................................................... 17


INTRODUO ............................................................................................................................................................... 17
FORMAO DA JUNO PN ........................................................................................................................................ 17
CONSTITUIO DA JUNO PN .................................................................................................................................. 18
SMBOLO GRFICO ...................................................................................................................................................... 18
CAMPO ELCTRICO DA JUNO PN............................................................................................................................ 19
POLARIZAO DIRECTA E INVERSA DA JUNO PN................................................................................................... 19
Polarizao Directa................................................................................................................................................................. 19
Polarizao Inversa ................................................................................................................................................................. 19

CURVA CARACTERSTICA E APROXIMAES MATEMTICAS..................................................................................... 20


CURVA CARACTERSTICA ........................................................................................................................................... 20
PARMETROS DO DODO .............................................................................................................................................. 20
APLICAES DOS DODOS DE JUNO........................................................................................................................ 22
TESTE DE DODOS USANDO UM MULTMETRO ........................................................................................................... 22
Multmetro Analgico .............................................................................................................................................................. 22
Multmetro Digital ................................................................................................................................................................... 23

DODOS ESPECIAIS .................................................................................................................................................... 25


-3-

Electrnica Elementar

INTRODUO ................................................................................................................................................................25
O DODO ZENER ...........................................................................................................................................................25
FOTODODO ..................................................................................................................................................................27
SMBOLO GRFICO ......................................................................................................................................................28
LED ..............................................................................................................................................................................28
SMBOLO GRFICO ......................................................................................................................................................29
TENSO E CORRENTE DO LED.....................................................................................................................................29
BRILHO DO LED...........................................................................................................................................................29
INDICADOR DE SETE SEGMENTOS ................................................................................................................................30
FONTES DE ALIMENTAO ....................................................................................................................................31
INTRODUO ................................................................................................................................................................31
TRANSFORMADOR ........................................................................................................................................................31
CIRCUITOS RECTIFICADORES ......................................................................................................................................32
RECTIFICAO DE MEIA ONDA ....................................................................................................................................32
RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM PONTO MDIO ..........................................................................................33
CARACTERSTICAS DO RECTIFICADOR .......................................................................................................................34
Frequncia de sada ................................................................................................................................................................ 34

RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM PONTE DE DODOS ....................................................................................34


FILTROS ........................................................................................................................................................................36
FILTROS RC .................................................................................................................................................................36
ESTABILIZADOR ...........................................................................................................................................................37
TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO .....................................................................................................................39
INTRODUO ................................................................................................................................................................39
O TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO ..........................................................................................................................39
CONSTITUIO DO TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO ..............................................................................................39
SMBOLO GRFICO ......................................................................................................................................................40
FUNCIONAMENTO DOS TRANSSTORES ........................................................................................................................41
CORRENTES DO TRANSSTOR .......................................................................................................................................42
CURVA CARACTERSTICA.............................................................................................................................................43
TIPOS DE MONTAGEM ..................................................................................................................................................46
Emissor Comum....................................................................................................................................................................... 46
Colector Comum...................................................................................................................................................................... 46
Base Comum ............................................................................................................................................................................ 47
Zonas de funcionamento .......................................................................................................................................................... 47

O TRANSSTOR COMO COMUTADOR E AMPLIFICADOR ...............................................................................................48


TIRISTORES ..................................................................................................................................................................51
INTRODUO ................................................................................................................................................................51
SCR ..............................................................................................................................................................................52

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SMBOLO GRFICO ...................................................................................................................................................... 54


CIRCUITOS DE DISPARO DO TIRISTOR ........................................................................................................................ 55
PROTECO DO TIRISTOR FRENTE A ALTAS VARIAES DE CORRENTE (I/T) E DE TENSO (V/T) .................... 56
MTODOS E CIRCUITOS DE COMUTAO .................................................................................................................. 56
TRIAC ......................................................................................................................................................................... 57
SMBOLO GRFICO ...................................................................................................................................................... 57
CURVA CARACTERSTICA ........................................................................................................................................... 58
COMUTAO POR ZERO .............................................................................................................................................. 59
DIAC............................................................................................................................................................................ 59
SMBOLO GRFICO ...................................................................................................................................................... 60
CONTROLO DE FASE DE ONDA COMPLETA ................................................................................................................ 61
OSCILADORES............................................................................................................................................................. 63
OSCILADORES RC........................................................................................................................................................ 64
Oscilador em ponte de Wien .................................................................................................................................................... 64
Oscilador de duplo T ............................................................................................................................................................... 65
Filtro de duplo T.................................................................................................................................................................. 65
Oscilador de duplo T ........................................................................................................................................................... 66
Oscilador de desfasamento ...................................................................................................................................................... 66

OSCILADORES LC........................................................................................................................................................ 67
Oscilador de Colpitts ............................................................................................................................................................... 68
Condio de funcionamento..................................................................................................................................................... 69
Oscilador de Armstrong........................................................................................................................................................... 69
Oscilador de Hartley ............................................................................................................................................................... 70

OSCILADOR A CRISTAL ................................................................................................................................................ 70


MULTIVIBRADORES ..................................................................................................................................................... 72
TEMPORIZADOR 555.................................................................................................................................................... 72
Funcionamento monoestvel.................................................................................................................................................... 72
Funcionamento astvel ............................................................................................................................................................ 73
Esquema funcional................................................................................................................................................................... 74

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ..................................................................................................................... 75


INTRODUO ............................................................................................................................................................... 75
AMPLIFICADOR OPERACIONAL................................................................................................................................... 75
AMPLIFICADOR INVERSOR .......................................................................................................................................... 76
AMPLIFICADOR NO INVERSOR ............................................................................................................................... 77
SEGUIDOR DE TENSO ................................................................................................................................................. 77
AMPLIFICADOR DA DIFERENA .................................................................................................................................. 78
INTEGRADOR INVERSOR .............................................................................................................................................. 78
AMPLIFICADOR DIFERENCIADOR ............................................................................................................................... 79
O PAR DIFERENCIAL ................................................................................................................................................... 79

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FILTROS ACTIVOS ........................................................................................................................................................80


BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................................................................83
LISTA DE PGINAS EM VIGOR ........................................................................................................................LPV-1

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FSICA DOS SEMICONDUTORES


ESTRUTURA ATMICA
Toda a matria existente formada por um nmero infinito de substncias, aparentemente diferentes e que
podem ser observadas pelos nossos sentidos, sob a forma de trs estados distintos, nomeadamente o
slido, o lquido e o gasoso.
Durante o perodo do Renascimento, a Qumica veio a provar que existe um nmero de substncias limitado
e que toda a infinidade de substncias que conhecemos fruto das combinaes entre aquelas. So 106 as
substncias que esto catalogadas numa tabela, designada por Tabela Peridica e que pode ser
consultada na figura 1. Os elementos 93 a 103, denominados transuranianos, foram sintetizados.
Como j anteriormente foi referido, as 106 substncias que constituem os elementos, combinando-se entre
si de diversas formas, do, por sua vez, origem a milhares de outras substncias que se chamam
compostos. Como exemplos de compostos temos por exemplo a gua, o cloreto de sdio, o amonaco, etc.

MOLCULAS
Ao ser analisado um composto qualquer, por exemplo uma pedra de sal, ao iniciar um processo de divises
consecutivas, verifica-se que a dada altura, a mesma deixa de apresentar as propriedades que a
caracterizam, como a cor, o paladar, etc. A mais pequena partcula que ainda exibe as propriedades do
cloreto de sdio (sal), designa-se por molcula.

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Figura 1 Tabela Peridica dos Elementos

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TOMO
Por sua vez, na base das molculas, esto ainda partculas de dimenses inferiores que so designadas por

tomos e que conservam as propriedades caractersticas de um dos 106 elementos da Tabela Peridica.
Agora, analisando a composio de cada tomo, podemos constatar que estes so compostos por um

ncleo central, ncleo atmico ou simplesmente ncleo e uma nuvem electrnica, onde iremos
distinguir 3 tipos de partculas elementares designadas por Electres, Protes e Neutres.

Figura 2 Modelo atmico e respectivas camadas electrnicas

A carga do electro igual a do proto, porm de sinal contrrio. Os electres giram em torno do

ncleo distribuindo-se em diversas rbitas, num total mximo de sete. A mais externa de todas recebe a
designao de orbita de valncia, ou camada de valncia, sendo a mesma responsvel pelas ligaes
atmicas entre tomos da mesma espcie ou de elementos diferentes, bem como pelas reaces qumicas
nas quais eles participam.
Nos diferentes meios que contactamos diariamente, encontramos o mais variado tipo de tomos,
diferenciados entre si pelos seus diferentes nmeros de protes, electres e neutres, os quais,
consequentemente, lhes conferem as mais diversas propriedades qumicas.

O EQUILBRIO ELCTRICO DO TOMO


Em qualquer tomo o nmero de electres sempre igual ao nmero de protes, o que significa que a
quantidade de cargas elctricas negativas iguala as positivas, o que se traduz numa neutralidade do tomo.
Para alterar a neutralidade do tomo, h que introduzir ou retirar electres ao tomo em causa. A partir da
altura que o tomo passa a ter mais electres ou protes, recebe o nome de io negativo ou io positivo
respectivamente.

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O EQUILBRIO MECNICO DO TOMO


Na estrutura atmica, os protes encontram-se alojados no ncleo, enquanto os electres se movem em
rbitas circulares em torno do ncleo, verifica-se que resulta desta situao um equilbrio de foras
designadas de centrpeta e centrfuga que tm sentidos opostos e mdulos iguais, o que mantm o equilbrio
do tomo.

CONDUTORES, ISOLADORES E SEMICONDUTORES


O material que serve de base ao fabrico de dispositivos electrnicos semicondutores, no um bom
condutor, nem um bom isolante, mas sim o que vulgarmente designamos de semicondutor.

CONDUTORES
So materiais que no oferecem grande resistncia a passagem da corrente elctrica. Quanto menor for a
oposio passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o material bom condutor
o facto de os electres de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade
para se libertarem e se movimentarem livremente no interior dos materiais. Como exemplos de bons
condutores, temos por exemplo o Ouro (Au), a Prata (Ag) e Cobre (Cu), Alumnio (Al), Bronze, Platina,
Carvo, Constantan. O cobre apresenta apenas um electro na camada de valncia, tem uma enorme
facilidade em ced-lo para ganhar estabilidade. O electro cedido facilmente se torna um electro livre.

ISOLADORES
So materiais que oferecem uma elevada resistncia passagem da corrente elctrica. Neste tipo de
materiais, os electres de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos, sendo muito poucos os que se
conseguem libertar para se transformarem em electres livres. Como exemplos de materiais isoladores,
podemos referir a Borracha, Mica, Baquelite, Amianto, Ebonite, Papel Parafinado, Porcelana e Fibra de Vidro.

SEMICONDUTORES
So materiais que apresentam uma resistividade elctrica que fica localizada entre a dos Condutores e dos
Isoladores. Como exemplos mais conhecidos, temos o Germnio e Silcio. a partir destes materiais que
se conseguem os mais variados tipos de componentes electrnicos, sendo por esta razo sujeitos a um

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breve estudo nos pargrafos seguintes.

Figura 3 Configurao electrnica do silcio

Material

Resistncia Especfica (.cm)

Cobre

10-6

Ferro

10-4

Silcio

entre 1 e 107

Germnio

entre 1 e 108

mbar

maior que 1016


Tabela 1 Resistncia especfica de alguns materiais

De entre os Semicondutores mais utilizados, h que referir o Silcio (Si) e o Germnio (Ge), pertencentes
ao grupo IV da Tabela Peridica. So muito utilizados na construo de dispositivos electrnicos.
Actualmente o Silcio o mais utilizado, uma vez que as suas caractersticas so melhores em comparao
com o Germnio e tambm por ser mais abundante na natureza.

Figura 4 Silcio, na sua forma natural e depois de purificado

Juntamente com o Si e Ge existem outros materiais tambm catalogados na tabela peridica conforme a

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tabela 2.
Grupos

Elementos

III

IV

B - Boro

Si Silcio

P Fsforo

Ga Glio

Ge Germnio

As Arsnio

In ndio

Sn Estanho

Sb Antimnio

Tabela 2 Alguns elementos condutores

Em comparao com os metais e isolantes, as propriedades elctricas dos semicondutores so afectadas


pela variao da temperatura, exposio a luz e acrscimos de impurezas.
Por outras palavras, significa que os electres de valncia podem absorver energia externa suficiente para se
tornarem electres livres. temperatura ambiente h aproximadamente 1,5 10

10

portadores livres

disponveis para a conduo de electricidade por centmetro cbico de silcio intrnseco, sendo que mesma
temperatura o germnio ter aproximadamente 1000 vezes mais portadores livres. Uma mudana na
temperatura de um material semicondutor pode alterar consideravelmente o nmero de portadores
disponveis. Com o aumento da temperatura, os electres de valncia absorvem energia trmica suficiente
para quebra das ligaes covalentes, contribuindo para o aumento da condutividade do material.

NVEIS DE ENERGIA
Na estrutura atmica isolada h nveis de energia discretos, associados a cada electro bem como sua
respectiva rbita. Entre esses nveis discretos, no poder haver nenhum electro a circular. A figura
seguinte mostra os diferentes nveis de energia, para um tomo isolado.

Figura 5 Nveis energticos de um tomo

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Os electres que ocupam a camada de valncia, tm um nvel energtico mais elevado do que qualquer
outro electro do tomo, contudo esse nvel pode tornar-se ainda mais elevado quando o electro se torna
livre. Quando os tomos de Silcio ou Germnio formam o cristal, cada tomo da estrutura sob a influncia
dos seus vizinhos fazem com que seus electres ocupem posies diferentes, dentro de uma mesma rbita,
do tomo vizinho. O resultado final uma expanso dos nveis discretos de energia possveis. A figura
seguinte ilustra essa situao.

Figura 6 Nveis de energia dos diferentes tipos de materiais

ESTRUTURA ATMICA DO SILCIO E DO GERMNIO


Os tomos de Germnio e Silcio so caracterizados por possurem na sua camada de valncia, 4
electres. Quando os tomos de Germnio, ou Silcio se agrupam entre si, formam uma estrutura

cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura
ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes

covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia de um tomo compartilhado com um tomo
vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres, como se pode ver na figura 7.

Figura 7 Ligaes covalentes de um semicondutor

Se nas estruturas com Germnio ou Silcio no fosse possvel romper a ligaes covalentes, elas seriam
materiais isolantes. No entanto, com o aumento da temperatura algumas ligaes covalentes recebem
energia suficiente para se romperem, fazendo com que os electres das ligaes rompidas passem a
movimentar-se livremente no interior do cristal, tornando-se electres livres como se pode observar na
figura 8.

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Figura 8 Electro que se liberta da estrutura cristalina e se torna livre

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um electro de valncia, passa a existir uma
regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um electro o abandonou. Essa regio
positiva recebe o nome de lacuna. As lacunas no tm existncia real, pois so apenas espaos vazios
provocados por electres que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao

covalente rompida, surgem, simultaneamente um electro e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o
inverso, um electro preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente. A este processo,
chama-se recombinao. Como os electres e as lacunas aparecem e desaparecem aos pares, pode-se
afirmar que o nmero de lacunas sempre igual ao de electres livres. Quando os cristais de silcio ou

germnio so submetidos a uma diferena de potencial, os electres livres movem-se no sentido do maior
potencial elctrico e as lacunas por consequncia, no sentido contrrio ao movimento dos electres.

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS E INTRNSECOS


Os cristais de Silcio e Germnio so encontrados na natureza, misturados com outros elementos. Dada a
dificuldade de se controlarem as caractersticas destes cristais, feito um processo de purificao do mesmo
atravs do qual se obtm um material semicondutor Intrnseco, ou puro. Em seguida so injectados
atravs de um processo controlado, propositadamente uma certa quantidade de tomos estranhos
cuidadosamente escolhidos na ordem de 1 para cada 106 tomos do cristal, com a inteno de se alterar
produo de electres livres e lacunas, aumentando assim a condutividade do material. Atravs deste
ltimo processo, obtm-se um material semicondutor Extrnseco. A este processo de insero de
impurezas, d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor
podem ser de dois tipos:
-

Impurezas Dadoras ou Pentavalentes;

Impurezas Aceitadoras ou Trivalentes;

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IMPUREZAS TRIVALENTES E PENTAVALENTES


IMPUREZAS DADORAS OU PENTAVALENTES
Estes tipos de elementos so caracterizados por possurem 5 electres na sua camada de valncia. Como
exemplo pode-se referir o Fsforo, o Arsnio e Antimnio. O tomo pentavalente entra no lugar de um
tomo de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um electro
fracamente ligado ao ncleo do pentavalente. Deste modo, uma pequena quantidade de energia suficiente
para se tornar livre.

Figura 9 Estrutura do silcio dopado com um elemento Pentavalente

IMPUREZAS ACEITADORAS OU TRIVALENTES


Este tipo de elementos caracteriza-se por possuir na sua camada de valncia, 3 electres. Como exemplos
de elementos com esta configurao atmica, temos o Boro, o Alumnio e o Glio. O tomo trivalente entra
no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto
significa que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 10 Estrutura atmica do silcio dopado com um elemento Trivalente

Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de electres livres ou excesso de lacunas. Por isso
existem dois tipos de semicondutores:
-

Semicondutor Tipo N;

Semicondutor Tipo P;

- 15 -

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SEMICONDUTORES TIPO N E TIPO P


SEMICONDUTORES TIPO N
O cristal que foi dopado com impureza dadora chamado semicondutor Tipo N, onde n est relacionado
com negativo. Como os electres livres excedem em nmero as lacunas num semicondutor tipo n, os
electres so chamados portadores maioritrios e as lacunas, portadores minoritrios. O efeito deste
processo de dopagem pode ser observado na figura que segue.

Figura 11 Sobreposio de bandas energticas num


material do tipo N

SEMICONDUTORES DO TIPO P
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor Tipo P, onde p est
relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os electres livres num semicondutor tipo

p, as lacunas so chamadas portadores maioritrios e os electres livres, portadores minoritrios.

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Electrnica Elementar

DODO DE JUNO
INTRODUO

A juno PN um bloco bsico sob o qual se fundamenta toda a operao dos dispositivos semicondutores.
O componente electrnico a que a mesma d origem, designado de Dodo de Juno, que um
componente electrnico passivo, isto que no tem a capacidade de amplificar nem comutar sinais. Outra
caracterstica fundamental desta juno a no linearidade matemtica, entre a tenso medida aos seus
terminais e a intensidade da corrente que a percorre. Como consequncia do referido, o dodo vai
apresentar um valor de resistncia dinmica.

FORMAO DA JUNO PN
Quando sobre um mesmo cristal semicondutor se introduzem impurezas dadoras num lado e aceitadoras
no outro forma-se uma juno PN. O io dador representado por um P, porque aps ter cedido um
electro, torna-se um io positivo. O io aceitador representa-se por N porque, aps aceitar um electro,
torna-se um io negativo. Inicialmente apenas existem portadores maioritrios (da dopagem), ou seja,
lacunas do lado esquerdo e electres do lado direito.
Devido desigualdade de densidade dos portadores de cada um dos lados, as lacunas deslocam-se para a
direita e os electres para a esquerda, produzindo uma corrente de difuso dos portadores maioritrios.
Como resultado desta difuso surge um campo elctrico na juno. O equilbrio restabelecido quando o
campo se torna suficientemente elevado para impedir o processo de difuso.

(a)

(b)

Figura 12 Representao de um Dodo de Juno

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Electrnica Elementar

Aparece uma regio para cada um dos lados da juno onde, por se terem efectuado recombinaes
electro-lacuna, no existem portadores livres que normalmente designada de zona de depleco ou
barreira potencial. Pode-se imaginar um gerador na juno PN que apenas traduz os seus efeitos
internos, mas cuja diferena de potencial no possvel medir (figura 12(b)). Esta diferena tende a
produzir uma corrente de conduo dos portadores maioritrios, em direco oposta a corrente de
difuso. Em condies de equilbrio, a corrente de difuso exactamente compensada pela corrente de
conduo, sendo nula a corrente atravs da juno.
Por outras palavras, quando nenhuma tenso aplicada exteriormente, a diferena de potencial cria uma
barreira, de 0,7V para o Silcio e de 0,3V para o Germnio, que impede a difuso das cargas
maioritrias atravs da juno. Os electres do lado N que tendem a difundir-se so repelidos pela carga
espacial negativa do lado P, sendo as lacunas repelidas pela carga espacial positiva do lado N.

CONSTITUIO DA JUNO PN
O dodo semicondutor constitudo por uma juno entre dois tipos de semicondutores, um do tipo P e
outro do tipo N. O semicondutor do tipo N tem, devido adio de uma impureza conveniente, excesso de
electres, enquanto o do tipo P tem excesso de lacunas. Esta juno tem a propriedade de s conduzir num
dos sentidos, que aquele em que camada P est positiva em relao camada N.
A representao em bloco de um dodo tem o aspecto mostrado na figura 12 (a) e o smbolo utilizado nos
diagramas de circuitos o apresentado na figura 13.

SMBOLO GRFICO
O smbolo grfico usado para representar o dodo de juno, o que se apresenta na figura 13. J foi dito
anteriormente que o fluxo da corrente elctrica no dodo feita do nodo (A) para o ctodo (K), ou seja, da
regio P para a regio N.

Figura 13 Smbolo grfico do dodo

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CAMPO ELCTRICO DA JUNO PN

POLARIZAO DIRECTA E INVERSA DA JUNO PN


Para melhor se poder compreender o funcionamento do dodo, necessrio analisar as suas formas de
polarizao (directa e inversa).

POLARIZAO DIRECTA
Para que um dodo esteja directamente polarizado, necessrio que o valor da tenso de alimentao seja
superior ao valor do potencial de barreira, nesta situao o dodo encontra-se conduo.
A excitao externa provocada pela corrente I em sentido directo faz com que sejam fornecidos electres ao
lado N que vo neutralizar a carga existente na zona de depleco, fazendo com que esta seja reduzida. Se
a zona de depleco reduzida ento a barreira de potencial tambm diminui fazendo aumentar a corrente
de difuso ID. A barreira de potencial (0,3V para Germnio e 0,7V para Silcio) agora mais baixa que
o valor V0. Aparece ento aos terminais do dodo uma diferena de potencial em sentido directo. Uma outra
forma de entender a reduo da barreira de potencial considerar a aplicao de uma tenso V em sentido
directo. A polaridade de tal forma que as cargas positivas do lado P e as cargas negativas do lado N so
repelidas (cargas do mesmo sinal repelem-se) obrigando que a regio de depleco seja reduzida

Figura 14 Polarizao Directa

POLARIZAO INVERSA
Considere-se uma juno PN excitada por uma corrente I em sentido inverso. No circuito externo, esta
corrente transportada por electres que se movimentam do material N para o material P, assim os
electres abandonam o lado N e as lacunas o lado P. Este movimento origina um aumento da largura da
camada de depleco e, consequentemente, um aumento da carga armazenada. Deste modo, a tenso
prpria da juno aumenta provocando uma diminuio da corrente de difuso ID. Aos terminais do dodo
vai aparecer a tenso |VR|, e a corrente no dodo ser muito baixa (da ordem de nA para os dodos de Si),
do ponto de vista prtico ser zero. Esta corrente inversa tambm chamada de corrente de fuga s
depende de aspectos construtivos (dopagem) e da temperatura (duplica de valor para cada 10 graus de
aumento na temperatura). O dodo deve ter a capacidade para suportar a tenso inversa aos seus terminais,

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(50V para os dodos da famlia 1N4001) caso contrrio pode ocorrer um fenmeno chamado de avalanche
que pode provocar a destruio do dodo.

Figura 15 Dodo Inversamente Polarizado

CURVA CARACTERSTICA E APROXIMAES MATEMTICAS

CURVA CARACTERSTICA

Figura 16 Curva caracterstica do dodo

Uma das aplicaes mais comuns dos dodos a rectificao, isto , a obteno de uma tenso contnua a
partir de uma tenso alternada. Se intercalarmos um dodo sada de uma fonte de alimentao sinusoidal,
ele s conduz na metade do ciclo em que est polarizado directamente, bloqueando quase completamente a
outra metade (rectificao de meia-onda). Outra grande aplicao dos dodos a comutao.

PARMETROS DO DODO
Os principais parmetros podem ser obtidos analisando a folha de caractersticas do componente. Na figura
est ilustrada uma pgina de uma folha de caractersticas de um componente.

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APLICAES DOS DODOS DE JUNO

Rectificao de sinais

Sensores de temperatura

Detectores de sinal

Aplicaes em Electrnica de potncia como dodo freewheeling

Dispositivos de tenso de referncia em alguns circuitos

TESTE DE DODOS USANDO UM MULTMETRO


Um multmetro um equipamento de teste e medida extremamente verstil. Como o prprio nome indica,
estes instrumentos permitem medir um grande nmero de grandezas elctricas, apresentando para tal um
considervel nmero de escalas que podero ser de comutao automtica ou manual. Alguns destes
aparelhos, incorporam ainda testes especficos para alguns componentes como seja o caso de dodos,
transstores, condensadores e bobinas. Como opes mais avanadas podero ainda dar indicao de
valores mdios, eficazes, mximos, relativos, medir dBs, funcionar como geradores de sinais e de tons.

(a) Multmetro digital

(b) Multmetro analgico

Figura 17 - Multmetros

Entre as vrias grandezas possveis de medir e testes possveis de efectuar com multmetros, destacam-se:
Intensidades de corrente (alternadas e contnuas), tenses (alternadas e contnuas), resistncias,
temperaturas, frequncias, capacidades, indutncias, teste audvel de continuidade, teste de dodos,
teste de junes e teste de tenses lgicas.

MULTMETRO ANALGICO
Para se testar um dodo fazendo uso deste tipo de multmetro, deve-se seleccionar uma escala que permita
a medida de resistncias.

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importante lembrar que ao seleccionar uma escala de resistncias, na maioria dos multmetros deste tipo,
as pontas ficam invertidas, particularmente nas escalas que permitem medidas mais elevadas.
Para testar o dodo, primeiro necessrio saber concretamente qual a sua polaridade. Aps esta
verificao, polariza-se o componente directamente e observa-se a leitura no visor do aparelho. Com um
dodo em bom estado e mediante este tipo de polarizao, deve aparecer a indicao de um valor de
resistncia finita, que depender do dodo, da escala e do prprio aparelho. Se o dodo estiver em aberto a
indicao de resistncia ser infinita e se estiver em curto-circuito a mesma ser nula.
Polarizando o dodo inversamente, caso ele esteja em bom estado, no dever conduzir, sendo indicada pelo
aparelho uma resistncia infinita. Caso o dodo esteja em aberto a indicao dever continuar a ser a mesma
e se o dodo estiver em curto-circuito a indicao de resistncia dever ser nula.

MULTMETRO DIGITAL
O teste de dodos com um multmetro digital, mais simples que o anteriormente descrito. Com este tipo de
multmetro no h a inverso das polaridades das pontas. Este tipo de multmetro quando seleccionado para
efectuar este tipo de teste passa a disponibilizar aos seus terminais uma tenso de aproximadamente 3 V e
capaz de fornecer uma corrente com cerca de 1 mA. De seguida polariza-se o dispositivo directamente e
inversamente. Quando polarizado directamente, e o dodo em bom estado, o aparelho d a indicao da
tenso de limiar que caracteriza o material semicondutor do componente. Ainda neste tipo de polarizao,
se o dodo estiver em curto-circuito, obtm-se uma indicao de 0 V pois no existe queda de tenso na
juno. Se o dodo estiver em aberto, o multmetro indicar o valor da tenso debitada pelo aparelho aos
seus terminais.
Quando polarizado inversamente e caso o componente esteja em bom estado, a indicao ser de no
conduo ou seja o aparelho indicar no seu visor a tenso que est a debitar para as pontas. Caso o
componente esteja em aberto a indicao ser a mesma que a anterior e para finalizar se ele estiver em
curto-circuito, a indicao ser de 0 V.

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DODOS ESPECIAIS
INTRODUO
Os dodos mais vulgares so os rectificadores, contudo existem outros com caractersticas especiais que lhe
permitem funcionar como reguladores ou limitadores. De entre estes possvel referir o Zener.

O DODO ZENER
O dodo regulador de estado slido, vulgarmente designado por dodo Zener, por ser este o nome do
investigador que primeiramente estudou o fenmeno que predomina no seu interior, comeou a ser
conhecido desde 1950. um semicondutor muito semelhante ao dodo rectificador. A diferena est no seu
comportamento quando inversamente polarizado. muito utilizado na regulao de tenses em alguns
pontos dos mais variados circuitos. O seu smbolo grfico o representado na figura seguinte.

(a) Dodos Zener

(b) Smbolo grfico

Figura 18 Dodo Zener e Smbolo grfico

Um dodo Zener uma Juno PN especialmente projectada e concebida para operar na regio de ruptura,
onde grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenses, apresentando assim, aos
seus terminais, uma tenso bastante estvel.
Para operar num circuito, um dodo Zener polarizado inversamente, pois quando polarizado
directamente comporta-se como um dodo normal. Como mostra a curva caracterstica do dispositivo em
questo, quando a tenso de polarizao inversa excede a tenso de Zener, o dodo entra em conduo,
apresentando aos seus terminais uma tenso relativamente constante que corresponde tenso de Zener.
O Zener construdo com uma rea de dissipao de potncia suficiente para suportar o efeito avalanche.

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Figura 19 Caracterstica do Dodo Zener

Podemos observar que para correntes superiores corrente de joelho (IZK), fornecida pelo fabricante, a
caracterstica i-v, praticamente uma recta. Isto acontece porque a juno fica fortemente dopada,
tornando a zona de depleo muito estreita. Assim, o valor do campo elctrico aumenta significativamente
pelo que vai extrair electres das rbitas de valncia, criando-se assim, electres livres. A esta criao de
electres livres d-se o nome de efeito de Zener. Os valores de tenso de Zener (Vz), so especficos para
uma corrente de teste particular (IZT). Para alm destas duas grandezas, o fabricante tambm especfica a
resistncia dinmica (rz) e a potncia mxima que o dodo pode dissipar, que pode ser calculada pela forma:
Pzm = Vz*Izm
Como a sua principal caracterstica ter aos seus terminais uma tenso estvel, pode ser utilizado como
regulador de tenso aos terminais de uma carga, quando colocado em paralelo com a mesma, como
podemos verificar na figura 20. Para que o zener funcione como regulador, a tenso da fonte (Vs) tem que
ser superior tenso de zener (Vz), sendo esta a tenso para a qual o dodo foi dimensionado.

Figura 20 Ligao de um dodo zener como regulador de tenso

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Devido s adversas condies que um dodo Zener pode ser sujeito, conveniente introduzir uma resistncia
Rs em srie com a carga. Esta resistncia actua como limitadora de corrente o que confere proteco ao
dodo. A intensidade de corrente que percorre o dodo dada pela expresso:

(V VZ )
IZ = S
IL
R

Onde, VS

o valor mximo da tenso da fonte de alimentao, VZ a tenso nominal do dodo Zener e

IL a corrente que circula na carga.


Polarizado inversamente, enquanto a tenso aos seus terminais inferior tenso de zener, o dodo apenas
atravessado uma pequena corrente de fuga designada por IR da ordem dos A. A medida da variao

Vz
designada de Resistncia dinmica do Zener e expressa em , tipicamente entre alguns Ohm at
Iz
dezenas de Ohm. Quanto menor for este valor para a tenso de Zener nominal, mais constante ser a
tenso do Zener face variao da corrente.

FOTODODO
O fotododo um dodo de juno construdo de modo a possibilitar a utilizao de luz como factor
determinante no controlo da corrente elctrica. uma juno PN cuja regio de funcionamento limitada
pela regio de polarizao inversa e caracteriza-se como sendo sensvel luz. A aplicao da luz juno
resulta numa transferncia de energia das ondas luminosas (na forma de fotes) para a estrutura atmica,
resultando num aumento do nmero de portadores minoritrios e um aumento da corrente inversa.
Quando se incide energia luminosa numa juno PN, essa energia pode desalojar electres de valncia.
Quanto maior for esta energia maior ser a corrente inversa na juno. Por outras palavras pode-se afirmar
que a quantidade de luz que incide na juno controla a corrente inversa do dodo.
A corrente inversa e o fluxo luminoso variam de uma forma praticamente linear, ou seja, um aumento da
intensidade luminosa resulta num aumento semelhante na corrente inversa. Quando a luz incidente nula, a
corrente inversa tambm nula.
O fotododo possui uma janela, que permite a passagem da luz atravs do invlucro e chegue juno,
produzindo assim electres livres e lacunas. Este dispositivo colocado no circuito inversamente polarizado.
A corrente tpica situa-se na faixa de algumas dezenas de A e tem o aspecto fsico da figura 21.

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Figura 21 Aspecto fsico do


fotododo

Podemos utilizar este dispositivo de duas maneiras diferentes. Como clula fotovoltica, onde a incidncia de
luz gera uma tenso, ou como clula fotocondutiva, onde a incidncia de luz provoca uma corrente.
Assim, o fotododo pode ser aplicado na fotodeteco, nomeadamente nos sistemas de iluminao pblica,
para que o circuito ligue ou desligue consoante a claridade. Pode ser aplicado tambm na unidade pticas
dos leitores de DVDs e em sistemas de contador de pulso.

SMBOLO GRFICO
A figura 22 representa o smbolo grfico do fotododo. As setas a apontar para o dispositivo indicam a luz
incidente.

Figura 22 Smbolo grfico do


fotododo

LED
Num dodo comum, quando directamente polarizado, os electres livres combinam-se com as lacunas.
medida que esses electres caem de um nvel de energia alto para um nvel mais baixo, eles irradiam
energia que dissipada sob a forma de calor. Nos dodos emissores de luz, LED (Light Emitter Diode), essa
energia dissipada sob a forma de luz. Esses electres ao baixarem de nvel de energia provocam ondas
luminosas que variam a sua fase entre 0 e 360. O LED tm vindo a substituir a lmpada incandescente
devido s suas baixas tenso e corrente, o que na prtica se resume a uma potncia mais baixa.
O Silcio um material opaco que bloqueia a passagem de luz, da serem utilizados materiais como o Glio,
o Arsnio e o Fsforo, para se obterem estes dispositivos. Assim podemos obter LEDs que irradiam luz
vermelha, verde, amarela, azul, laranja ou infravermelha (invisvel). A cor irradiada depende do material
utilizado e do nvel de dopagem. O LED cuja juno de Arsnio ou Glio, emite radiao infravermelha.
Utilizando o Fsforo, obtm-se a cor vermelha ou amarela, dependendo da concentrao. Se se utilizar

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Fosfeto de Glio dopado com Nitrognio, a luz irradiada pode ser verde ou amarela. Hoje em dia, com o uso
de outros materiais, consegue-se fabricar leds que emitem luz azul, violeta e at ultravioleta. Existem
tambm os LEDs brancos, mas esses so geralmente LEDs emissores de cor azul, revestidos com uma
camada de fsforo do mesmo tipo usado nas lmpadas fluorescentes, que absorve a luz azul e emite a luz
branca. Os LEDs da gama visvel podem ser aplicados em diversos aparelhos com as mais variadas funes,
por exemplo como indicador de tenso no circuito. Os da gama invisvel so aplicados em sistemas de
alarme contra intruso e em leitores de CDs.

SMBOLO GRFICO
Podemos observar na figura seguinte, o smbolo grfico do LED. um smbolo semelhante ao do dodo
comum. As setas simbolizam a luz irradiada.

Figura 23 - Smbolo grfico do LED

No mercado podemos encontrar LEDs das mais variadas formas:

Figura 24 LEDs

TENSO E CORRENTE DO LED


Os LEDs tm uma queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5V para correntes de 10 a 50mA, dependendo estes
valores, do LED, da cor irradiada, da tolerncia e da dopagem.
Estes dispositivos tm tenses de disrupo muito baixas, entre 3 e 5V, pelo que so facilmente danificveis
se no existir rigor.

BRILHO DO LED
O brilho de um LED depende da corrente que o percorre. A melhor forma de se controlar o brilho utilizar
um circuito srie composto por uma fonte de tenso, de valor superior ao valor de funcionamento do LED,

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por uma resistncia e pelo LED. A resistncia ir limitar a corrente no LED, fazendo com que a corrente seja
constante e deste modo o brilho tambm ser constante.

INDICADOR DE SETE SEGMENTOS


Os indicadores de sete segmentos so dispositivos amplamente utilizados, nomeadamente em mostradores
digitais. Cada dispositivo destes capaz de mostrar todos os nmeros de 0 a 9 e ainda algumas letras (A, b,
C, d, E, F, H, h I, L, O, P, U).

Figura 25 Indicadores de sete segmentos

Cada indicador composto por sete LEDs. A figura 26 mostra-nos o esquema deste dispositivo. Neste
circuito esto representadas as resistncias limitadoras de corrente. Ligando terra determinadas
resistncias, consegue-se obter os dgitos ou as letras. Por exemplo, ligando terra os segmentos A, B, C,
D, E e F, obtm-se o nmero 0.

Figura 26 Esquema do indicador de sete segmentos

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FONTES DE ALIMENTAO
INTRODUO
A grande maioria dos equipamentos electrnicos alimentada com uma tenso contnua, normalmente de
3V a 30V, mas a tenso disponvel nas tomadas nas nossas casas de 230V. Para transformar a tenso
alternada disponvel na tomada em tenso contnua, necessrio utilizar um circuito, normalmente
conhecido como fonte de alimentao. Uma fonte de alimentao composta por alguns blocos, tal como
mostrado na figura seguinte.

Figura 27 Diagrama de blocos de uma fonte de alimentao

Em que:
1 Transformador reduz o nvel de tenso disponvel nas tomadas, para valores adequados aos
diferentes equipamentos.
2 Rectificador transforma a tenso alternada (ca) em tenso contnua (cc) pulsatria.
3 Filtro transforma a tenso contnua pulsatria vinda do rectificador, em tenso contnua com
ondulao (ripple).
4 Estabilizador tem a funo de transformar a tenso contnua com ondulao em tenso
contnua linear, que utilizada pelos equipamentos electrnicos.

TRANSFORMADOR
Na maior parte das fontes de alimentao, o transformador baixa o nvel da tenso de entrada para valores
eficazes na faixa dos 5 a 24V.

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CIRCUITOS RECTIFICADORES
Este bloco o responsvel pela transformao de uma tenso alternada em tenso contnua. O principal
componente electrnico utilizado nestes circuitos o dodo, que desempenha um papel fundamental nas
fontes de alimentao. possvel ter vrios tipos de circuitos rectificadores, meia-onda e onda-completa.

RECTIFICAO DE MEIA ONDA


Este tipo de rectificao raramente usado e quando tal acontece, apenas se verifica em circuitos onde o
consumo de potncia seja mnimo. A sua rentabilidade inferior a 50%, considerando as perdas no
transformador e nos dodos. A figura apresentada a seguir exibe o sinal de entrada, a configurao tpica
deste tipo de circuito e finalmente o sinal de sada.

D1

T1

K1

2
1

RL

Sinal de Entrada

Circuito Rectificador

Sinal de Sada

Figura 28 Rectificao de meia onda

Onde:
K1 Ficha de ligao rede elctrica;
T1 Transformador abaixador;
D1 Dodo rectificador;
RL Carga a alimentar;
Na entrada do circuito, K1, temos o sinal proveniente da rede elctrica, que alternado e sinusoidal. Ao ser
aplicado ao transformador T1, a sua forma continua inalterada, sendo apenas reduzida a amplitude do
mesmo. O dodo D1, funciona como um interruptor automtico que abre e fecha mediante a polaridade da
tenso que lhe aplicada. Deste modo, o grande responsvel pela transformao que se pretende incutir
ao sinal. Como se pode observar pela anlise da figura anterior e pela explicao do funcionamento do
circuito, o sinal de sada nada tem a ver com o sinal de tenso aplicado carga, j que esse sinal

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semelhante ao disponibilizado por uma bateria. No entanto, neste ponto do circuito o sinal de sada
contnuo (sempre com o mesmo sinal, positivo e negativo) embora varivel, tal como ilustrado na figura 29.

Entrada

Rectificao

Sada

Figura 29 Rectificao de meia onda

RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM PONTO MDIO


Para se efectuar uma rectificao de onda completa pode utilizar-se um transformador com ponto mdio
acessvel tal como ilustrado na figura 30. Este rectificador equivalente a dois rectificadores de meia-onda,
cada um com uma tenso de entrada igual a metade da tenso secundria. O dodo D1 conduz nas
alternncias positivas e o dodo D2 nas alternncias negativas. Como se pode concluir pela anlise do
circuito, a tenso na carga positiva e mantm sempre a mesma polaridade, e a corrente mantm sempre o
mesmo sentido em ambas as alternncias.

Figura 30 Rectificador de onda completa com


transformador de ponto mdio

Caractersticas da tenso de sada:

VPmax = VP V
Nota: V queda de tenso no dodo

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Sinal de Entrada do Rectificador


Sinal de Sada do Rectificador
Figura 31 Rectificao de Onda-Completa

CARACTERSTICAS DO RECTIFICADOR
FREQUNCIA DE SADA
Num rectificador de meia-onda a frequncia de sada igual frequncia de entrada. Mas num rectificador
de onda completa a frequncia de sada o dobro da frequncia de entrada. Neste caso, o rectificador
inverte as alternncias positivas, de forma que resulta no dobro das alternncias positivas.

f out = 2 f in

RECTIFICAO DE ONDA COMPLETA COM PONTE DE DODOS

Figura 32 Rectificao de onda completa com ponte de dodos

Este rectificador semelhante a um rectificador de ponto mdio, porque faz uma rectificao de ondacompleta. Neste caso, conduzem dois dodos simultaneamente, D1 e D2 nas alternncias positivas e D3 e D4
nas alternncias negativas, tal como se ilustra na figura 33.

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a)

Percurso da corrente nas alternncias positivas

b)

Percurso da corrente nas alternncias negativas

Figura 33 Rectificador de onda-completa com ponte de dodos

Quando surge um semi-ciclo positivo, os dodos D1 e D2 ficam ON e os dodos D3 e D4 ficam OFF, a corrente
percorre o sentido indicado na figura 33 (a). No semi-ciclo negativo os dodos D3 e D4 ficam ON e os dodos
D1 e D2 ficam OFF, o que faz com que na carga RL, circule uma corrente com o sentido indicado na figura 33
(b). Pela anlise de ambas as figuras (33 (a e b)), verifica-se que na carga a corrente tem sempre o mesmo
sentido. Esta corrente unidireccional (contnua) e pulsatria, com a forma indicada na figura 34.
V

(V)

Vp
max

t (s)

a)

Sinal de Entrada do Rectificador

b)

Sinal de Sada do Rectificador

Figura 33 Rectificao de Onda-Completa com ponte de dodos

J foi dito anteriormente que uma tenso contnua unidireccional e constante. Pela observao do grfico
anterior podemos verificar que j estamos perante uma tenso unidireccional, mas ainda no constante
pois o seu valor pulsatrio. Para contornar esta questo vo ser inseridos filtros no circuito anterior.

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FILTROS

FILTROS RC
O tipo mais comum de filtro o de condensador de entrada, eficaz na maioria dos casos. Contudo, se este
tipo de filtro no satisfizer os requisitos do circuito pode haver a necessidade de recorrer a componentes
adicionais. A tenso que se obtm na carga de um rectificador de onda-completa tem uma forma j
anteriormente estudada, como se pode verificar na figura 33(b).
Durante um ciclo completo, a tenso cresce desde zero a um valor de pico mximo, caindo de novo at
zero. Este padro de tenso est longe de ser o indicado para a maioria dos equipamentos electrnicos, pois
estes necessitam de uma tenso contnua similar fornecida por uma bateria. Para se obter uma tenso
prxima deste padro, necessrio o uso de um filtro, que neste caso consiste na adio de um
condensador em paralelo com a carga como se mostra na figura.

RL

Figura 35 Filtro

A interpretao do que se passa bastante simples. Inicialmente o condensador carrega tenso mxima
do circuito. Quando a forma de onda sinusoidal evolui no tempo, e depois de atingir o seu mximo, comea
a decair, o condensador passa a fornecer a carga que anteriormente havia armazenado, o que vai contribuir
para uma diminuio da tenso de ripple, fazendo com que a forma de onda se aproxime da tenso
contnua. O valor da tenso de ripple dado por:

U ripple =
Onde:
Uripple tenso de ripple (pico-a-pico)
I Corrente de carga
f Frequncia da tenso rectificada
C Capacidade do condensador

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I
fC

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Quanto maior for a capacidade do condensador, maior ser a sua capacidade para fornecer energia e
consequentemente mais prxima da tenso contnua ficar a forma de onda obtida.
H que salientar tambm que o aumento da capacidade do condensador, produz um pico de corrente muito
elevado, que pode danificar a ponte rectificadora, caso esta no esteja convenientemente dimensionada. O
valor de tenso na carga, a seguir ao condensador dado por:

VL = Vmax VD
A forma de onda obtida a ilustrada na figura seguinte:

Figura 36 Onda de sada com ondulao (Ripple)

ESTABILIZADOR

Figura 37 Fonte de Alimentao com circuito estabilizador

O circuito estabilizador pode aproveitar esta entrada DC para produzir uma tenso DC que no s possui
menos ripple ou variao AC, como ainda mantm constante o nvel de sada, mesmo para variaes na
entrada ou na carga a que est ligada. Esta estabilizao geralmente obtida, utilizando-se um dodo zener.
Para poder funcionar correctamente no circuito e estabilizar ou regular o valor da tenso, o circuito com
dodo zener deve obedecer a algumas condies. O dodo zener deve estar inversamente polarizado, a
tenso da fonte deve ser superior tenso de zener e deve ter uma resistncia em srie para limitar a
corrente.
Com este circuito a tenso aplicada carga ser sempre igual tenso de zener, independentemente de
tenses na carga ou na prpria tenso de alimentao, tal como a tenso de ripple, presente nos
rectificadores com filtragem por condensador.

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TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO


INTRODUO
Em electrnica existe uma infinidade de sinais de fraca intensidade, que para se tornarem teis, necessitam
de ser amplificados. At dcada de 50, essa amplificao era feita atravs de vlvulas electrnicas, razo
pela qual os computadores tinham dimenses enormes.
Em 1951, William Schockley, Jonh Bardeen e Walter Brattain inventaram o primeiro transstor, representado
na figura seguinte, que tinha como funes, amplificar, oscilar, comutar, etc.

Figura 38 Primeiro transstor

Basicamente o seu funcionamento versa na utilizao de uma tenso entre dois terminais para controlar a
corrente no terceiro terminal.

O TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO


A designao de bipolar deve-se ao facto de a corrente ser conduzida tanto por electres como por lacunas.

CONSTITUIO DO TRANSSTOR BIPOLAR DE JUNO


O transstor constitudo por trs regies dopadas, o emissor (E), a base (B) e o colector (C), sendo o
emissor e o colector sempre do mesmo tipo de semicondutor. Assim, possvel obter dois tipos de
transstores, o PNP e o NPN, como se pode verificar na figura seguinte.

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Figura 39 Constituio dos transstores PNP e NPN

A regio de emissor a que tem uma maior concentrao de impurezas enquanto a base a que tem
uma dopagem mais fraca. O transstor constitudo por duas junes PN, a juno emissor-base e a
juno colector-base, da que quando no polarizado, se poder afirmar que estamos perante dois dodos
em montagem reflectida, conforme a figura 40. Polarizando qualquer uma das junes, directa ou
inversamente, verifica-se que estas se comportam exactamente como as junes PN anteriormente
estudadas.

Figura 40 Transstor PNP no polarizado

Cada juno possui uma zona de depleco cuja barreira de potencial de cerca de 0,7V para junes de
silcio e de cerca de 0,3V para junes de germnio. O nosso estudo incidir nos transstores NPN de
silcio, por estes serem mais utilizados.

SMBOLO GRFICO
A figura 41 ilustra os smbolos grficos para os dois tipos de transstores acima referidos. O emissor tem
uma seta que indica o sentido da corrente (convencional).
C

PNP

NPN

Figura 41 Smbolos grficos dos transstores PNP e NPN

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FUNCIONAMENTO DOS TRANSSTORES


O funcionamento dos transstores rege-se pela fsica dos semicondutores e as suas caractersticas variam
com as tenses aplicadas, com as potncias dissipadas e com a temperatura ambiente.
Num transstor polarizado, a funo do emissor injectar os seus electres livres na base. Por sua vez a
base tem como funo fazer passar esses mesmos electres para o colector. Se VBB for superior barreira de
potencial da juno emissor-base, VBE, os electres livres do emissor entram na base. Estes electres podem
fluir para o colector ou saem da base para a fonte VBB, atravs de RB, como se pode verificar na figura 42. Na
realidade a maioria deles segue para o colector porque a base muito fina e fracamente dopada, poucos
so aqueles que recombinam com lacunas na base. Depois de entrarem no colector, os electres so
atrados pelas lacunas da fonte de tenso Vcc.
VCE

IC

IE

Colector

Base

Emissor

VBC

VBE
IB

RC

RB
Vcc

VBB

Figura 42 Transstor NPN polarizado

Nesta figura esto tambm representadas as tenses e as correntes (no sentido convencional)
fundamentais do transstor NPN, onde IB representa a corrente da base, IC a corrente do colector, IE a
corrente do emissor, VBE a tenso entre a base e o emissor, que geralmente 0,7V se o transstor for de
silcio, VCE a tenso entre o colector e o emissor e VBC representa a tenso entre a base e o colector.
Relativamente ao transstor PNP, o funcionamento semelhante mas com sentidos de correntes opostos,
como mostra a figura 43. Enquanto que no NPN, os electres so os portadores maioritrios no emissor,
no PNP os portadores maioritrios no emissor so as lacunas. Assim o emissor injecta lacunas na base,
que seguem posteriormente para o colector. Geralmente um circuito que utilize transstores PNP,
utilizada uma fonte Vcc com um valor negativo.

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C
IC
IB

B
IE

Figura 43 Sentido das correntes no transstor PNP

CORRENTES DO TRANSSTOR
O transstor possui trs correntes causadas pelos portadores maioritrios do emissor. A corrente de
colector que aproximadamente igual corrente de emissor e a corrente de base, que muito pequena
comparativamente com as duas anteriores. Estas correntes podem ser relacionadas. Segundo a lei das
correntes de Kirchhoff, o somatrio das correntes que convergem num determinado ponto, igual ao
somatrio das correntes que divergem desse mesmo ponto. Assim, pode-se obter a expresso
fundamental das correntes dos transstores:

I E = IC + I B
Como a corrente de base muito pequena:

I E IC
Esta comparao leva-nos a duas constantes, o (alfa) e o (beta). O define-se como o ganho de
corrente em base comum, sendo a razo entre a corrente de colector e a corrente de emissor:

IC
IE

Sendo estas duas correntes praticamente iguais, aproximadamente igual a 1. Na realidade varia
entre 0,95 e 0,99.
O , tambm conhecido como ganho de corrente em emissor comum, a razo entre a corrente de
colector e a corrente de base:

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IC
IB

O valor desta constante fortemente influenciado pela largura da regio da base e pela concentrao de
portadores da base e do emissor. Tipicamente, o valor de est compreendido entre 100 e 300.
Relacionando as frmulas anteriores, obtm-se:

I E = I C + I B <=> I E = I B + I B <=> I E = I B ( + 1)

I E = I C + I B <=> I E = I C +

IC

<=> I E = I C (

+1
)

Deste resultado, deduz-se que:

+1

E consequentemente:

CURVA CARACTERSTICA
Por vezes torna-se til descrever graficamente as caractersticas i-v do transstor. Utilizando o circuito da
figura seguinte, possvel fazer esse estudo.

RC

RB
VCC
VBB

Figura 44 Montagem bsica com transstor NPN

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Comeando pela caracterstica

iB vBE:

i B(A)

0,5 0,7

v BE (V)

Figura 45 Caracterstica iB-vBE para um transstor NPN

A curva parecida com a curva caracterstica do dodo, isto porque a base e o emissor formam uma
juno PN, neste caso polarizada directamente.
Falta ento estudar a caracterstica de colector, ou seja, iC em funo de vCE:

IC(mA)

VCE(V)

Figura 46 Caracterstica ic-vce para um transstor NPN

Quando VCE igual a zero, a juno colectora no est polarizada e como tal, a corrente tambm nula.
Ao aumentarmos essa tenso, a corrente aumenta de uma forma quase proporcional. Segue-se a zona
onde por mais que VCE aumente, a corrente mantm-se praticamente constante. Por fim temos a
disrupo, que a zona que ao ser atingida, danificar o transstor pois este atinge uma potncia
elevada. Esse valor corresponde ao VCEmx que consta nas folhas de dados de cada transstor.
A potncia de dissipao pode ser calculada pela frmula:

PD = VCE I C

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Esta a caracterstica para um valor de IB, no entanto, variando RB ou VBB, obtemos vrios valores de IB.
Obtm-se assim uma famlia de curvas, como se pode observar na figura seguinte.

IC(mA)
IB=50A
IB=40A
IB=30A
IB=20A
IB=10A
IB=0

VCE(V)
Figura 47 Caracterstica ic-VCE para um transstor NPN, com diversos valores de ib

Apesar destas correntes no serem constantes, a partir de determinado ponto, so rectas com uma
determinada inclinao. Prolongando essas rectas para valores negativos de vCE, verifica-se que elas se
interceptam todas num s ponto, VA, conhecido como Tenso de Early, em homenagem ao primeiro
cientista a estudar este fenmeno.

IC(mA)

VA

VCE(V)

Figura 48 Tenso de Early (VA)

De referir que todo este estudo incidiu no transstor NPN. De facto as caractersticas do PNP so
semelhantes, no entanto apresentam correntes de colector e de base negativas e VCE negativo.

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TIPOS DE MONTAGEM
Existem trs tipos de montagens que se pode fazer com transstores: Emissor comum (EC), Colector
comum (CC) e Base comum (BC).

EMISSOR COMUM
O emissor o terminal que comum ao circuito de entrada e ao circuito de sada, da ser reconhecido como
emissor comum. A fonte VBB polariza directamente a juno emissora. Variando esta fonte ou RB,
consegue-se variar a corrente de base. Esta corrente, por sua vez, faz variar a corrente de colector. Esta
montagem utilizada quando se pretende amplificar a corrente e a tenso.
RC

RB
VCC
VBB

Figura 49 Montagem em emissor comum

COLECTOR COMUM
O colector o terminal comum aos circuitos de entrada e de sada. Uma pequena corrente de base,
comanda uma grande corrente de emissor, custa de uma tenso de entrada, VBC, praticamente igual a
VCE. Este tipo de montagem utilizada quando se pretende amplificar apenas a corrente.

RB

VBB
RE

VEE

Figura 50 Montagem em colector comum

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BASE COMUM
Analogamente montagem de emissor comum, a montagem da figura 51, chamada de base comum, por
ter a base como terminal comum entrada e sada do circuito. Este tipo de montagem utilizada quando
se pretende amplificar apenas a tenso.
RC

VCC
RE

VEE

Figura 51 Montagem em base comum

ZONAS DE FUNCIONAMENTO
As caractersticas de sada dividem-se em trs zonas de funcionamento do transstor, figura 52.

Figura 52 Zona de funcionamento do transstor

A primeira destas reas a zona activa caracterizada pela polarizao directa da juno de emissor e
pela polarizao inversa da juno de colector. a zona direita, com tenses UCE superiores a algumas
dcimas de volt e acima da curva de IB = 0. Nesta zona a corrente de colector responde com maior
sensibilidade a um sinal de entrada ou variao da corrente de base.
Se o parmetro fosse constante, a corrente lC no dependeria de UCE e as curvas seriam horizontais. Se
a tenso |UCE| aumenta de alguns volts a 10 V, implica um aumento no parmetro , que cresce, por
exemplo, de 0,98 para 0,985, o que faz variar de 49 para 66, ou seja, uma variao de 34 % enquanto

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s varia 0,5%. Torna-se evidente que pequenas variaes de produzem grandes variaes de e
grandes variaes nas curvas de sada.
A segunda das reas a zona de bloqueio ou zona de corte. Por observao da figura 52, conclui-se
que essa zona tem uma corrente de colector igual a ICBO e uma corrente de emissor nula.
No transstor de germnio uma tenso inversa na juno do emissor de 0,1 V ser suficiente para
bloquear o transstor.
Nos transstores de silcio, o parmetro quase zero devido s recombinaes da zona de depleo da
juno de emissor. Assim, com IB =0 temos lC IE , o que corresponde a estar prximo do corte.
A terceira zona, chamada zona de saturao, caracterizada por ter as junes de colector e emissor
polarizadas directamente com uma tenso, pelo menos igual tenso de arranque U. Como

U C E = U B E - U B C e porque as tenses UBE e U BC so do mesmo sinal e da ordem das dcimas de volt,


tambm UCE o ser. a zona prxima do eixo das ordenadas, em que as curvas tendem rapidamente
para zero. Normalmente considera-se que o transstor est saturao quando UCE < 0,3V.
Na tabela 2 pode-se observar um quadro resumo das zonas de funcionamento.

Modo de

Juno EB

Juno CB

Polarizada

Polarizada

directamente

inversamente

Polarizada

Polarizada

inversamente

inversamente

Zona de

Polarizada

Polarizada

Saturao

directamente

directamente

Funcionamento
Zona Activa
Zona de Corte

Aplicaes
Amplificadores
Interruptores,
portas lgicas,
circuitos TTL, etc.

Tabela 2 Zonas de funcionamento do transstor

O TRANSSTOR COMO COMUTADOR E AMPLIFICADOR


Na montagem emissor comum ou colector comum podemos observar que uma variao pequena da
corrente de base produz variaes significativas da corrente de colector. Diremos que houve uma
amplificao de corrente.
Nas montagens emissor ou base comum custa de pequenas tenses ou das suas variaes
comandamos tenses de sada mais elevadas. H uma amplificao de tenso.

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Em qualquer das montagens, a potncia em jogo no circuito de entrada sempre menor do que a do
circuito de sada. Teremos sempre uma amplificao de potncia.
O transstor no circuito da figura 53 (a) usado como interruptor para ligar ou desligar a carga RL, da
fonte de tenso, com a diferena de que o transstor pode ser operado electricamente e com uma
resposta mais rpida do que o interruptor mecnico da figura 53 (b).

Figura 53 Transstor como comutador e amplificador

Quando o transstor est bloqueado, a resistncia RL est desligada da fonte de tenso. Idealmente a
corrente seria nula, mas na prtica perfeitamente desprezvel. Se o transstor estiver saturado, a
carga RL est ligada tenso UCC, embora haja uma queda de tenso tambm desprezvel no
transstor.
Chama-se comutao passagem do estado bloqueado ao estado saturado e vice-versa. A comutao
no um fenmeno instantneo. A passagem rpida de um estado ao outro necessita de transstores
fabricados especialmente para esse fim.

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TIRISTORES

INTRODUO
Tiristores so componentes electrnicos, bastante utilizados na electrnica de potncia, com realimentao
interna para produzir uma aco de comutao. O SCR, o TRIAC e o DIAC so os tiristores mais conhecidos.
Utilizam-se na proteco contra sobretenses, em manobradores de motores, converso AC CA e CA AC,
sistemas de iluminao e outras cargas de correntes intensas.
conhecido por ter uma caracterstica estacionria tenso-corrente, representada na figura 54. A
caracterstica tem duas zonas. Na zona I, as correntes so baixas, podendo as tenses ser elevadas, estando
assim o dispositivo bloqueado. Na zona II, as tenses so baixas e as correntes podem ser elevadas,
colocando o dispositivo em conduo. Assim, o tiristor pode ser considerado como comutador electrnico.
A transio da zona I para a II instvel e na figura est a tracejado pois no possvel ter um ponto de
funcionamento em repouso nesta zona. A tenso UB para a qual se d a transio, chama-se tenso de
bscula. A corrente IL para o qual se inicia o estado de conduo designa-se por corrente de fecho.
Depois de o tiristor estar conduo, para se voltar zona I, necessrio baixar a corrente at ao valor da
corrente de manuteno (IH). As transies de I para II e de II para I fazem-se por percursos diferentes
pelo que o sistema apresenta histerese.

Figura 54 Caracterstica dos tiristores

Tiristor a designao genrica que se d a todos os dispositivos de quatro camadas de material


semicondutor e trs junes PN. um elemento biestvel que trabalha na regio de saturao ou na regio
de corte. A estrutura semicondutora comum PNPN, tal como se pode ver na figura 55. A trava ideal um
circuito que permite compreender o funcionamento do tiristor.

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Figura 55 Estrutura do tiristor e trava ideal

As regies das extremidades tm caractersticas emissoras. A estrutura pode ser interpretada como sendo
dois transstores (um PNP e outro NPN) ligados pelas respectivas bases. O colector de Q1 excita a base de
Q2 e o colector de Q2 activa a base do Q1. Esta ligao funciona como sendo uma realimentao positiva,
pois qualquer variao de corrente na base de Q2 amplificada e realimentada atravs de Q1.
No havendo inicialmente corrente no colector, ambos os transstores esto ao corte. Quando se aplica um
impulso positivo na base de Q2, ou negativo na base de Q1, o transstor ser activado, fornecendo uma
corrente amplificada base do outro, que amplificar esta corrente, fornecendo assim uma corrente ainda
maior base do transstor que recebeu o pulso. Este processo leva a que os transstores entrem
rapidamente saturao.

SCR
Dentro do grupo dos tiristores, o SCR (Silicon Controlled Rectifier), rectificador controlado de silcio o mais
vulgarmente utilizado. Basicamente a estrutura do dodo de quatro camadas com um terminal adicional,
designado por terminal de porta ou de gate, que tem como funo controlar a tenso de bscula.
Com polarizao directa aplicada, apenas a juno J2 fica inversamente polarizada, pela qual circula uma
corrente inversa de saturao. Ao introduzir-se uma corrente de gate, IG, o nmero de portadores de carga
que predominam nessa regio P vai aumentar, facilitando a multiplicao em avalanche. Assim, controlando
a tenso de gate, UG, controla-se a corrente dessa regio, conseguindo-se variar a tenso de disparo do
tiristor, pois esta depende do nmero de electres que percorrem a juno J3 polarizada directamente.

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Figura 56 Estrutura do SCR e modelo dos dois transstores

O SCR entre conduo, a gate deixa de exercer influncia sobre o SCR. Nesta situao a tenso entre o
nodo (A) e o ctodo (K) ronda os 0,8V. Depois do SCR passar conduo, s existe uma forma de cortar a
corrente. A tcnica consiste em fazer diminuir a corrente que o percorre a um valor inferior sua corrente
de manuteno.
Na figura 57, podemos observar a curva caracterstica do SCR, onde se destaca os estados de
funcionamento ON e OFF. Pode tambm observar-se trs zonas distintas, a zona de polarizao inversa, a
zona de polarizao directa sem disparo do SCR e a zona de conduo. A primeira corresponde polarizao
inversa, onde o SCR se encontra ao corte, circulando nele apenas uma pequena corrente de fugas at que a
tenso chegue tenso de ruptura inversa ou tenso de breakdown, VBD. Neste caso a corrente aumenta
rapidamente, levando destruio do tiristor.
Na segunda regio, apesar da polarizao directa, o tiristor continua ao corte, existindo, mais uma vez, uma
pequena corrente de fugas.

Figura 57 Curva caracterstica do SCR

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Quando a polarizao directa progressivamente aumentada, atinge-se um ponto em que a corrente directa
aumenta rapidamente, passando o SCR para a conduo. A tenso qual se d este fenmeno conhecida
por tenso de ruptura directa ou tenso de breakover, VBO. A corrente nesta regio praticamente limitada
pela impedncia da carga do circuito externo.
Em condies de polarizao directa, a tenso de ruptura directa pode ser controlada atravs da corrente de
gate, como se pode constatar na figura 58.

Figura 58 Comportamento do SCR, para vrias correntes de gate

Note-se que medida que a corrente de gate aumenta, a tenso de ruptura directa reduz-se. Aps o SCR
ter sido disparado, a corrente que o atravessa independente da corrente de gate.

SMBOLO GRFICO
O smbolo grfico do SCR, como se pode verificar na figura seguinte, semelhante ao do dodo com a
incluso da porta.

Figura 59 Smbolo grfico


do SCR

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CIRCUITOS DE DISPARO DO TIRISTOR


Nos vrios circuitos possveis de disparo do SCR pode-se fornecer gate uma corrente contnua, entrando o
tiristor conduo logo que o nodo tenha uma tenso superior ao ctodo. Este mtodo tem o
inconveniente de que a energia de controlo consumida muito maior do que a necessria ao disparo.
Utilizando impulsos melhora-se este consumo, pois apesar da energia do impulso ser elevada, a energia total
diminui. Estes impulsos obtm-se mediante a descarga de um condensador na gate. Quando os impulsos
acontecem quando a tenso da rede passa por zero, ento diz-se que os disparos so sncronos. Se for
noutra qualquer altura do ciclo, diz-se que os disparos so assncronos.
Apesar dos circuitos de disparo assncronos serem mais econmicos, originam interferncias de
radiofrequncia, durante o processo de disparo, pelo que no dispensam o uso de filtros.
Os circuitos sncronos no produzem interferncias durante o processo de comutao, uma vez que a
comutao efectuada quando a tenso da rede de alimentao passa por zero ou prximo.
Outro circuito de disparo utilizado o controlo de fase e utilizado quando se pretende o controlo contnuo
da potncia da corrente alternada que se fornece a uma carga. Este tipo de controlo, que usa um
controlador proporcional, consiste em ligar a carga a uma fraco controlada de cada ciclo, por meio do
disparo do tiristor numa determinada fase da onda. O esquema de blocos deste circuito de disparo est
representado na figura seguinte.

Figura 60 Diagrama de blocos do disparo por controlo de fase

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PROTECO DO TIRISTOR FRENTE A ALTAS VARIAES DE CORRENTE


(I/T) E DE TENSO (V/T)
O processo utilizado para proteco do tiristor frente a rpidas variaes de correntes (i/t) utilizar uma
bobine em srie, conforme a figura seguinte, que se comporta como um retardador de corrente, at se
saturar, altura a partir do qual a corrente circula livremente. Como consequncia a potncia dissipada na
zona da gate diminui no intervalo de tempo que o tiristor est ao corte.
A colocao de uma resistncia em srie com um condensador, ambos em paralelo com o SCR, como se
representa na figura seguinte, limita o pico de tenso induzida, produzido no processo de corte do SCR.

Figura 61 Proteco do SCR frente a altas variaes de corrente e tenso

MTODOS E CIRCUITOS DE COMUTAO


Existem dois mtodos para colocar o SCR ao corte. A comutao natural, quando se faz com que a corrente
de conduo seja inferior de manuteno quer seja atravs de um interruptor, quer seja atravs do
aumento da impedncia da carga. A comutao forada, quando se inverte a tenso entre o nodo e o
ctodo atravs de um circuito exterior.
Na figura 62, pode-se observar os circuitos de bloqueio. O da figura a) considerado de comutao natural.
Os restantes so de comutao forada. Nos circuitos e) e f), utiliza-se um tiristor adicional e um transstor,
respectivamente, para que estes quando entrarem conduo provoquem a descarga do condensador sobre
o tiristor.

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Figura 62 Circuitos de bloqueio do tiristor

TRIAC
O TRIAC (Triod Alternating Current Switch) um tiristor bidireccional que resulta da montagem em
antiparalelo de dois SCR com um terminal de gate comum. Trata-se de um tiristor equivalente ao SCR, mas
para aplicao em AC. A estrutura interna do TRIAC est representada na figura seguinte.

Figura 63 Estrutura interna do TRIAC

A tenso aplicada directamente aos elctrodos MT1 e MT2. O TRIAC de pois de disparado, s deixa de
conduzir quando a tenso alternada entre MT1 e MT2 se anula, o que significa que o TRIAC tem de ser
disparado em cada uma das alternncias.

SMBOLO GRFICO
Na figura seguinte est representado o smbolo grfico do TRIAC.

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Figura 64 Smbolo grfico do TRIAC

CURVA CARACTERSTICA
A curva caracterstica do TRIAC encontra-se na figura 65, onde se verifica uma simetria, o que indica um
comportamento idntico na conduo para ambos os sentidos, da se dizer que o TRIAC um dispositivo
bidireccional. A principal vantagem deste dispositivo em relao ao SCR o facto do impulso de disparo na
gate poder ser positivo ou negativo.

Figura 65 Curva caracterstica do TRIAC

Como a polaridade da corrente de disparo pode ser de qualquer tipo, o circuito de comando da gate pode
ser formado por uma simples resistncia de proteco num circuito auxiliar de comando, como representado
na figura 66.

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Carga

RG

Carga

MT!

MT!

RG

c.a.

MT2
MT2

Figura 66 Circuitos de disparo do TRIAC

COMUTAO POR ZERO


Um interruptor ideal aquele que comuta de OFF para ON quando a tenso aos seus terminais nula, e que
o coloca ao corte quando a corrente que o atravessa nula. a comutao por zero tambm conhecida por

zero voltage switching.


Quando um circuito de potncia ligado ou desligado, podem gerar-se componentes de alta frequncia no
instante em que se realiza a comutao, podendo estas produzir interferncias indesejveis. O uso de
tiristores permite eliminar interferncias devido ao corte brusco de correntes, j que as suas caractersticas
s permitem o bloqueio quando a corrente se aproxima de zero.
A figura 67 representa um circuito de disparo por zero coma ajuda de outro TRIAC. Enquanto T conduz, T2
permanece ao corte. Quando T ficar ao corte, T2 entra conduo logo que receba um impulso na gate.

Carga
R1

T2

c.a.
R3

T1

Figura 67 Circuito de disparo por zero

DIAC
O DIAC, Diode Alternating Current Switch, cuja estrutura se mostra na figura 68, um dodo de avalancha
com dois elctrodos, que pode passar do corte conduo para ambos os sentidos da tenso aplicada.

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muito utilizado como dispositivo de disparo de TRIACs em circuitos de controlo de intensidade luminosa,
aquecimento, velocidade de motores e outras aplicaes semelhantes.

Figura 68 Estrutura interna do DIAC

Estruturalmente, o DIAC assemelha-se a um transstor bipolar. A principal diferena consiste em que no


DIAC, a concentrao de impurezas idntica em ambas as junes, resultando assim, numa caracterstica
simtrica bidireccional. Quando se aplica atravs do DIAC uma tenso positiva ou negativa, que se faz
aumentar progressivamente, verifica-se a existncia de uma pequena corrente de fuga que se mantm com
um valor reduzido at se atingir a tenso de breakover. Aqui acontece a avalanche e como o dispositivo tem
uma caracterstica de resistncia negativa, a corrente aumenta mesmo com a diminuio da tenso aplicada.

Figura 68 Curva caracterstica do DIAC

SMBOLO GRFICO
O smbolo grfico deste dispositivo est representado na figura seguinte.

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Figura 69 Smbolo grfico do DIAC

CONTROLO DE FASE DE ONDA COMPLETA


Uma das aplicaes do DIAC no controlo de fase de onda completa, atravs do disparo de um TRIAC com
um DIAC, como se pode verificar na figura 70.

Carga
R1
T1

c.a.

DIAC

Figura 70 Controlo de fase de onda completa

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OSCILADORES
O oscilador um dispositivo que converte energia de corrente contnua, em energia de corrente alternada.
Pode dizer-se que um oscilador um amplificador realimentado positivamente. So circuitos astveis apenas
numa determinada frequncia, e essa ser a sua frequncia de oscilao.

Figura 71 - Osciladores

Os osciladores podem ser classificados quanto forma de onda gerada:

Figura 72 - Oscilador

Os osciladores, tm associado um factor de oscilao que definido como sendo o inverso do ganho do
amplificador. O factor de oscilao representa-se por ; O ganho representa-se por A.

Isto leva-nos ao critrio de Barkhausen, que ter que ser respeitado para se conseguir uma onda sem rudo.
O critrio A * = 1. S assim se consegue uma onda perfeita. No se respeitando, a amplitude da onda
diminui (caso A * < 1) ou aumenta (caso A * > 1), conforme se pode verificar na figura seguinte.
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Figura 73 Forma de onda de sada de um oscilador

a) para A * = 1

b) para A * < 1

c) para A * > 1

Quanto aos componentes da malha de realimentao, podemos classificar os osciladores, como:

OSCILADORES RC

Os osciladores RC podem ser de diferentes tipos, tais como:


9 Oscilador em Ponte de Wien;
9 Oscilador de duplo T;
9 Osciladores de desfasamento.

OSCILADOR EM PONTE DE WIEN

Figura 74 Oscilador em Ponte de Wien

Um oscilador em ponte de Wien um circuito oscilador normalizado para frequncias baixas a moderadas,
na gama de 5Hz at 1MHz. Utiliza-se sempre nos geradores de udio comerciais. Utiliza um circuito de
realimentao em ressonncia chamado de circuito avano-atraso. Nas frequncias muito baixas o

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condensador em srie comporta-se com um circuito aberto ao sinal de entrada, no havendo sinal de sada.
Nas frequncias muito altas o condensador em paralelo aparece curtocircuitado, no havendo sada. Entre
estes extremos a tenso atinge um valor mximo. A frequncia em que a sada mxima chamada de
frequncia de ressonncia fo. Nesta frequncia, a fraco retroactiva B atinge um valor mximo de 1/3.
frequncia de ressonncia o desfasamento entre a tenso de entrada e a tenso de sada nulo. Ento, a
fase pode variar entre -90 e +90.

Figura 75 Circuito avano-atraso

Para o clculo da frequncia de ressonncia, utilizamos a frmula:

1
= fo
2RC

OSCILADOR DE DUPLO T

FILTRO DE DUPLO T
Apesar do oscilador em ponte de Wien ser muito utilizado para frequncias at 1MHz, usam-se outros
osciladores RC em diferentes aplicaes.
A figura 76 ilustra um filtro de duplo T. A anlise matemtica deste circuito mostra que o seu
comportamento tem uma fase varivel, figura 77 (b), a frequncia fo ocorre quando o valor do desfasamento
0. Na figura 77 (c), verifica-se que o ganho vale 1, para as altas e para as baixas-frequncias. A equao
que traduz a frequncia de ressonncia deste tipo de filtro a seguinte:

fo =

U in

1
2RC

R
2

Figura 76 Filtro de duplo T

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U out

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UOUT/UIN

f0

a)

Resposta de fase

b)

Resposta de amplitude

Figura 77 Formas de onda

OSCILADOR DE DUPLO T
A figura 78 esquematiza um oscilador de duplo T. A realimentao positiva para a entrada no-inversora fazse por meio de um divisor de tenso. A realimentao negativa faz-se atravs do filtro de duplo T. Quando
se comea a fornecer energia, a resistncia da lmpada R2 baixa e a realimentao positiva mxima.
Assim que aparecem as oscilaes, a resistncia da lmpada aumenta e a realimentao positiva diminui.

Figura 78 Oscilador de duplo T

No filtro de duplo T ajusta-se a resistncia R/2. Isto necessrio, visto que o circuito oscila para uma
frequncia ligeiramente diferente da frequncia de ressonncia ideal. Para garantir que o circuito funcione
correctamente, o divisor de tenso deve ter R2 muito maior que R1. Como orientao, R2/R1 encontra-se
entre 10 e 1000.

OSCILADOR DE DESFASAMENTO
A figura 79 mostra um oscilador de desfasamento, com trs circuitos de avano no percurso de
realimentao. Note-se que um circuito de avano produz um desfasamento entre 0 e 90, conforme a
frequncia. Para uma dada frequncia, o desfasamento total dos trs circuitos de avano de 180 (60
para cada circuito). O amplificador provoca um desfasamento adicional de 180, porque o sinal excita a
entrada inversora. O que faz com que o desfasamento total seja de 360, ou seja 0. Se AB for maior que 1
nesta frequncia, ento comeam as oscilaes. A figura 80 esquematiza um projecto alternativo, utiliza trs

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circuitos de atraso. O funcionamento anlogo. O amplificador produz um desfasamento de 180 e os trs


circuitos impem um desfasamento de -180, para uma frequncia mais alta, ento o desfasamento total
ser 0. Novamente se AB for maior que 1 comeam as oscilaes. Este tipo de oscilador no muito
utilizado, j que no fcil conseguir o seu ajuste numa vasta gama de frequncias.

Figura 79 Oscilador de desfasamento com trs circuitos de avano

Figura 80 Oscilador de desfasamento com trs circuitos de atraso

OSCILADORES LC
Uma forma de conseguir oscilaes de alta frequncia utilizando um oscilador LC, circuito usado para
frequncias entre 1MHz e 500MHz. Com um amplificador e um circuito em malha fechada LC faz-se a
realimentao do sinal com amplitude e fase correctas para manter as oscilaes.
A anlise e o projecto de osciladores de alta frequncia so difceis porque nas frequncias mais elevadas as
capacidades de disperso e as indutncias das pontas terminais tornam-se importantes na determinao da
frequncia de oscilao, ganho de realimentao, potncia de sada e outras grandezas alternadas.
O acoplamento carga deste tipo de osciladores pode ser feito de duas formas:
9 Por condensador;
9 Por transformador;
Os osciladores LC podem ser de diferentes tipos, tais como:
9 Oscilador de Colpitts;
9 Oscilador de Armstrong;
9 Osciladores de Hartley.

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+UCC

+UCC

Bobina
de RF

Bobina
de RF

R1

R1

C3

C3

C4
C1

C1

R2
RE

a)

CE

RC

R2

RC
RE

C2

Acoplamento por condensador

b)

CE

C2

Acoplamento por transformador

Figura 81 Tipos de acoplamento

OSCILADOR DE COLPITTS
Apesar de ser bom para baixas frequncias, o oscilador em ponte de Wien, no se adapta s altas
frequncias (muito acima de 1MHz). O principal problema reside na limitao de largura de banda (funi) do
amplificador operacional.

Figura 82 Oscilador de Colpitts

A figura 82 um esquema de um oscilador de Colpitts, na configurao emissor comum. A polaridade por


divisor de tenso impe um determinado ponto de operao em repouso. A bobina de radiofrequncia
possui uma elevada indutncia XL, pelo que aparece como um circuito aberto ao sinal alternado. O circuito
'

tem ganho de tenso em baixa frequncia igual a rc / re , onde rc a resistncia de colector em corrente
alternada. Como a bobina de RF se comporta como circuito aberto ao sinal alternado, a resistncia do
colector em corrente alternada fundamentalmente a resistncia em corrente alternada da malha
ressonante.

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A frequncia de ressonncia e a capacidade equivalente so dadas por:


9

fo =

1
2 LC

C=

C1C2
C1 + C2

CONDIO DE FUNCIONAMENTO
A condio de arranque de um oscilador que se verifique AB>1 frequncia de ressonncia da malha
ressonante. Esta condio equivale a A>1/B. O ganho de realimentao neste tipo de oscilador dado por:
9 B=

C1
C2

O ganho de tenso mnimo para o incio do funcionamento do oscilador :


9 Amin =

C2
C1

OSCILADOR DE ARMSTRONG
A figura 83 ilustra um oscilador de Armstrong. Neste circuito o colector excita um circuito LC em
ressonncia./8 Utiliza-se o sinal de realimentao num pequeno enrolamento secundrio, que se aplica na
base. No transformador verifica-se um desfasamento de 180, o que significa que o desfasamento total de
0. Ento o ganho de realimentao ser:
9

B=

M
L

Figura 83 Oscilador de Armstrong

Onde M a indutividade mtua e L a indutividade prpria do primrio. Para que o oscilador de Armstrong
arranque, o ganho de tenso deve ser maior que 1/B. Um oscilador de Armstrong utiliza um acoplamento
por transformador para o sinal de realimentao.

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fo =

1
2 LC

B=

M
;
L

Amin =

L
M

OSCILADOR DE HARTLEY

Figura 84 Oscilador de Hartley

Num oscilador de Hartley a tenso de realimentao desenvolve-se atravs do divisor de tenso indutivo.

fo =

1
2 LC

L = L1 + L2

B=

L2
L1

Amin =

L1
L2

OSCILADOR A CRISTAL
Quando a exactido e a estabilidade da frequncia de oscilao forem importantes, usa-se um oscilador de
quartzo. Na figura 84, o sinal de realimentao vem de uma sada capacitiva. O cristal (abreviado por XTAL)
actua como um indutor de elevada indutividade em srie com um condensador de pequena capacidade.

+UCC
Bobina
de RF
R1
C3
C1
XTAL
R2
R3

CE

C2

Figura 84 Oscilador de Cristal

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Alguns cristais encontrados na natureza exibem o efeito piezoelctrico. Quando se aplica uma tenso
alternada aos seus terminais verifica-se que os cristais vibram frequncia da tenso aplicada.
Inversamente, se se forar mecanicamente que estes cristais vibrem, v-se que geram uma tenso
alternada da mesma frequncia. As principais substncias que produzem este efeito piezoelctrico, so o
quartzo, os sais de Rochelle e a turmalina.
Os sais de Rochelle possuem a maior actividade piezoelctrica. Para uma dada tenso alternada vibram mais
que o quartzo ou a turmalina. Porm, so os mais fracos mecanicamente, porque se quebram com
facilidade. Os sais de Rochelle tm sido utilizados para fazer microfones, gria-discos, auscultadores e
altifalantes. A turmalina apresenta a menor actividade piezoelctrica, mas a mais robusta das trs
substncias. Tambm a mais cara, s vezes usa-se para as altas frequncias. O quartzo o compromisso
entre a actividade piezoelctrica dos sais de Rochelle e a robustez da turmalina. Como barato e abundante
na natureza, o quartzo utiliza-se muito nos osciladores e filtros de radiofrequncia.
Quando o cristal no est a vibrar, o seu comportamento equivale a uma capacidade Cm, porque tem duas
placas metlicas separadas por um dielctrico, a esta capacidade d-se o nome de capacidade de
montagem. Quando o cristal est a vibrar comporta-se como um circuito sintonizado. Os cristais tm um
factor de qualidade Q elevado. O factor de qualidade de um cristal pode ser facilmente superior a 10000.
Um valor de Q alto significa que os osciladores de cristal tm uma frequncia muito estvel.

9 Frequncia de ressonncia

fo =

1
2 LC

Q2
Q2 +1

9 Frequncia de ressonncia em srie

fs =

1
2 LC s

9 Frequncia de ressonncia em paralelo

Cp =

Cm C s
Cm + C s

fp =

1
2 LC p

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MULTIVIBRADORES
Os multivibradores podem ser astveis e monoestveis. Existem inmeros circuitos integrados que, quando
inseridos em determinados circuito funcionam como multivibradores, tais como NE555, LM555, CA555 e
MC1455, so temporizadores que trabalham num de dois modos j referidos (astvel ou monoestvel). No
modo monoestvel produzem atrasos temporais exactos, desde micro-segundos a horas. No modo astvel
originam ondas rectangulares com um ciclo de servio varivel. Neste ponto vamos tratar mais
aprofundadamente os temporizadores 555.

TEMPORIZADOR 555
FUNCIONAMENTO MONOESTVEL
A figura 85 ilustra o funcionamento monoestvel. O temporizador 555, tem uma tenso de sada baixa, na
qual permanece indefinidamente. Quando o temporizador 555 recebe um impulso no ponto A, num dado
instante, a tenso de sada comuta de estado baixo para alto. A sada permanece alta num dado intervalo de
tempo e depois retorna ao estado baixo, aps um atraso no tempo igual a Ti . A sada permanecer no
estado baixo at receber um novo impulso.
Um multivibrador um circuito de dois estados que tem zero, um ou dois estados de sada estveis. Quando
o temporizador 555 usado no modo monoestvel chama-se multivibrador monoestvel, porque tem um s
estado. Este multivibrador estvel no estado baixo at receber um impulso, o que faz variar
temporariamente a sada para o estado alto. Porm, o estado alto no estvel, visto que a sada retorna
ao estado baixo logo que o impulso termine.

Figura 85 Temporizador 555 usado no modo monoestvel (1 impulso)

Quando o temporizador 555 est a funcionar no modo monoestvel refere-se frequentemente por
multivibrador de um impulso, visto que, somente um impulso de sada por cada disparo de entrada. A
durao deste impulso pode ser perfeitamente controlada atravs de uma resistncia e de um condensador

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externos. O temporizador 555 um circuito integrado de 8 pinos, este temporizador trabalha com qualquer
tenso de alimentao entre +4,5V e +18V.

FUNCIONAMENTO ASTVEL
O temporizador 555 tambm pode ser utilizado para funcionar como multivibrador astvel, quando usado
desta forma no tem estados estveis, o que significa que no pode permanecer indefinidamente em
nenhum estado. A figura 86 mostra um esquema funcional deste temporizador. A sua sada uma
sequncia de impulsos rectangulares. Este temporizador a funcionar no modo astvel pode tambm ser
chamado de multivibrador de livre funcionamento.

Figura 86 Temporizador 555 usado no modo astvel

Figura 87 Esquema funcional simplificado de um temporizador 555

Nota: Todas as resistncias valem 5K.

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ESQUEMA FUNCIONAL
A figura 87 representa o esquema funcional do temporizador 555, que contm dois comparadores, um
divisor de tenso e um transstor NPN. Dado que o divisor de tenso possui duas resistncias iguais, o
comparador superior tem o ponto de inverso em:

U VS =

2U CC
3

O comparador inferior tem o ponto de inverso em:

U VI =

U CC
3

O pino 6 liga ao comparador superior, a tenso que esse pino tem presente chama-se tenso de threshold.
Esta tenso vem dos componentes externos, no includos no esquema. Quando essa tenso maior que

UVS o comparador tem uma sada alta. O pino 2 liga ao comparador inferior, e a tenso presente neste pino
chama-se tenso de trigger, ou tenso de disparo. Quando o temporizador est activo a tenso de disparo
alta. Quando a tenso de disparo desce para um valor menor que UVI o comparador inferior produz uma
sada alta. O pino 4 pode ser usado para repor a tenso de sada a zero. O pino 5 pode ser utilizado para
controlar a frequncia de sada com o temporizador 555 no modo astvel.

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AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
INTRODUO
Os Amplificadores Operacionais, tambm conhecidos por AMPOPs so dispositivos extremamente versteis
com imensas aplicaes na electrnica. Como o prprio nome indica, so amplificadores que efectuam
operaes matemticas tais como a soma, a subtraco, a multiplicao e a integrao. So apresentados
como circuitos integrados.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Um AMPOP ideal tem uma impedncia de entrada infinita, uma corrente de entrada nula, um ganho de
tenso infinito, uma impedncia de sada nula, uma largura de banda infinita e uma tenso de desvio de
entrada nula. Assim pode-se representar o AMPOP utilizando o esquema equivalente da figura 88. Apesar do
estudo ser feito com base nas caractersticas ideais do AMPOP, na realidade essas caractersticas so um
pouco diferentes. Tendo como referncia o LM741, o ganho aproximadamente 100000, a corrente de
entrada de 80A, a largura de banda cerca de 1MHz e a tenso de desvio de entrada 2mV.

Figura 88 Esquema equivalente de um AMPOP

O smbolo grfico AMPOP :


+vCC

v+
+

vout

v-vCC

Figura 89 Smbolo grfico do Amplificador


Operacional

O sinal + corresponde entrada no inversora, enquanto que o sinal representa a entrada inversora.
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O AMPOP vulgarmente utilizado em duas configuraes bsicas, a montagem inversora e a no inversora.


A partir destas duas configuraes pode-se obter outras.

AMPLIFICADOR INVERSOR

Figura 90 Amplificador inversor

O amplificador inversor o circuito mais bsico. um circuito que usa realimentao negativa para
estabilizar o ganho de tenso. Este tipo de realimentao utilizada porque o ganho em malha aberta to
elevado e por isso muito instvel que se torna imprescindvel estabilizar o ganho.
A entrada ve, excita a entrada inversora atravs de R1, resultando uma tenso na entrada no inversora. A
tenso de entrada amplificada, produzindo uma tenso de sada desfasada de 180. Essa tenso enviada
para a entrada atravs da malha de realimentao.
Tendo como referncia as caractersticas ideais e tendo em conta o facto de se ter uma massa virtual entre
as duas entradas do AMPOP, a tenso nos dois terminais igual, logo v+=v-=0. Como a impedncia de
entrada infinita, as correntes desses dois terminais so nulas (i+=i-=0). A tenso de sada desta montagem
:

vs = A ( v+ v )
Como

I1 =

ve
R1

I2 =

vs
R2

, o ganho ser:

I1 = I 2

ve vs
v
R
R
=
s = 2 = Af = 2
R1 R2
ve
R1
R1

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AMPLIFICADOR NO INVERSOR

Figura 91 Amplificador no-inversor

A tenso de entrada excita a entrada no-inversora, sendo esta tenso amplificada e colocada na sada.
Posteriormente, enviada para a entrada atravs da malha de realimentao.
Olhando para a demonstrao anterior, a tenso nos dois terminais de entrada igual, logo v+=v-=ve.
Utilizando a lei dos ns temos:

v vs v
=
R1
R2
O ganho ser:

1
v
R
1
1
ve + = vs
s = Af = 1 + 2
R2
ve
R1
R1 R2

SEGUIDOR DE TENSO

Figura 92 Seguidor de tenso

O seguidor de tenso, tambm conhecido como buffer ou circuito tampo, implementa um ganho unitrio,
originando uma tenso de sada exactamente igual tenso de entrada sem que haja uma queda de tenso
acentuada.

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AMPLIFICADOR DA DIFERENA

Figura 93 Amplificador da diferena

A utilizao conjunta das montagens inversora e no inversora permite construir um circuito que amplifica a
diferena entre os dois sinais. Aplicando o teorema da sobreposio, a tenso de sada

R R4
R
vo = 1 + 2
v1 2 v2 .
R1
R1 R3 + R4
Se

R1 R4
=
R2 R3

, ento

vo =

R4
v1 v2 .
R3

INTEGRADOR INVERSOR

Figura 94 Integrador inversor

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Analisando o circuito no domnio do tempo e sabendo que vR = R iR

e iC = C

vC
, temos:
t

1
v
v
iR = iC e = C s . A tenso de sada vs = iC t + vs ( t0 ) t . Como as correntes do
C t0
R
t
t

condensador e da resistncia so iguais,

1 v
vs = e t + vs ( t0 ) t .
C t0 R

AMPLIFICADOR DIFERENCIADOR

Figura 95 Amplificador diferenciador

Analisando o circuito, mais uma vez no domnio do tempo, sabendo que iR =

iR = iC

vs
v
e iC = C C , temos:
R
t

v
vs
v
= C e . A tenso de sada vs = RC i .
t
R
t

O PAR DIFERENCIAL
Os Circuitos Integrados so constitudos por resistncias, dodos, transstores e alguns condensadores, de
baixa capacidade. Por este motivo, o acoplamento entre andares no pode ser feito com condensadores.
Assim, na maior parte dos Integrados, utilizado o acoplamento directo entre andares. O par diferencial o
circuito que preenche a lacuna de no se poder utilizar condensadores com grandes capacidades.
Geralmente utilizado como andar de entrada da generalidade dos amplificadores operacionais por permitir
uma entrada diferencial, elevada impedncia de entrada e rejeio de rudo. Para alm de ser utilizado nos
amplificadores operacionais, tambm muito utilizado em multiplicadores analgicos, moduladores e
detectores de fase. A famlia lgica ECL (Emitter Coupled Logic) baseada nestes circuitos.
Obtm-se um par diferencial ligando-se em paralelo dois andares em emissor comum, conforme a figura
seguinte.

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Figura 96 Par diferencial

Embora existam duas tenses de entrada, vB1 e vB2, e duas tenses de sada, vC1 e vC2, tudo pode ser visto
como um nico andar, onde a tenso de sada vout do andar dada por:

vout = vC 2 - vC1
Esta tenso conhecida como sada diferencial por ser a diferena das duas tenses de sada. O circuito
ideal constitudo por transstores e resistncias iguais. Nesta situao e com tenses de entrada iguais, vout
igual a zero. Quando vB1 for superior a vB2, vout tem a polaridade que a figura 96 mostra. Caso vB1 seja
inferior a vB2, ento a polaridade invertida. A entrada vB1 denominada entrada no inversora, por vout
estar em fase com vB1, enquanto que a entrada vB2 denominada entrada inversora, por vout estar
desfasado de 180 com vB2.
Geralmente apenas uma destas entradas se encontra activa, estando a outra ligada terra.

FILTROS ACTIVOS
Praticamente todos os sistemas de comunicaes utilizam filtros. So circuitos que deixam passar
determinadas frequncias e que rejeitam outras, com o objectivo de separar sinais desejados dos
indesejados, bloquear sinais de interferncia ou fortalecer sinais de voz ou udio. Os filtros podem ser
passivos, quando construdos com resistncias, bobines e condensadores, ou activos. Os filtros activos so
construdos com resistncias, condensadores e AMPOPs. Os amplificadores integrador e o diferenciador so
a base de construo destes filtros. Assim consegue-se obter quatro filtros diferentes. O filtro passa-baixo, o
passa-alto, o passa-banda e o corta-banda.

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O filtro passa-baixo um filtro que deixa passar todas as frequncias abaixo da sua frequncia de corte,
bloqueando todas aquelas que se encontram acima dessa mesma frequncia. Um dos esquemas elctricos
possveis e o seu grfico de resposta em frequncia esto representados na figura 97.
A

BANDA
PASSANTE

BANDA
CORTANTE

Figura 97 Filtro passa-baixo

Por outro lado, o filtro passa-alto, bloqueia todas as frequncias abaixo da sua frequncia de corte, como
se pode verificar na figura 98, aceitando todas aquelas que se encontram acima da frequncia de corte.
A

BANDA
CORTANTE

BANDA
PASSANTE

Figura 98 Filtro passa-alto

O filtro passa-banda utilizado principalmente na sintonizao de sinais de radiodifuso e nas


telecomunicaes. um circuito com duas frequncias de corte (inferior e superior), que deixa passar todas
as frequncias compreendidas entre as duas frequncias de corte, rejeitando todas as outras. A sua resposta
em frequncia est representada na figura 99.
A

BANDA
CORTANTE

BANDA
PASSANTE

Figura 99 Filtro passa-banda

O filtro corta-banda exactamente o oposto do filtro anterior como se pode verificar na figura 100. Rejeita
todas as frequncias que se encontram entre as frequncias de corte, deixando passar todas as outras.

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BANDA
PASSANTE

BANDA
CORTANTE

Figura 100 Filtro corta-banda

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BIBLIOGRAFIA

Princpios de Electrnica Volume 1, Albert Paul Malvino, MacGraw-Hill, 6 edio

Princpios de Electrnica Volume 2, Albert Paul Malvino, MacGraw-Hill, 6 edio

Microelectrnica, Sedra Smith, Makron Books

Microelectronics, Millman, MacGrawHill, international editions

Apontamentos Pessoais

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LISTA DE PGINAS EM VIGOR


PGINAS

EM VIGOR

CAPA (Verso em branco)

ORIGINAL

CARTA DE PROMULGAO (Verso em branco)

ORIGINAL

REGISTO DE ALTERAES (Verso em branco)

ORIGINAL

1 (Verso em branco)

ORIGINAL

3 a 22

ORIGINAL

23 (Verso em branco)

ORIGINAL

25 a 36

ORIGINAL

37 (Verso em branco)

ORIGINAL

39 a 48

ORIGINAL

49 (Verso em branco)

ORIGINAL

51 a 60

ORIGINAL

61 (Verso em branco)

ORIGINAL

63 a 82

ORIGINAL

83 (Verso em branco)

ORIGINAL

LPV-1 (Verso em branco)

ORIGINAL

- LPV-1 -