Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales
son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de
vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las
vlvulas se quemaban con mucha facilidad.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el
paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo
del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente
a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y
llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia
de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A
medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con
lo que se convierten en iones positivos.
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrnhueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los
electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de
valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez,
se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su
vez. El resultado es unaavalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener
Diodo Gunn:
Diodo lser:
Diodo trmico:
Fotodiodos:
Diodo PIN:
Diodo Schottky:
Stabistor:
Diodo Varicap:
Diodo de Potencia
Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una
sola unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a
la de un diodo de seal, puesto que en este caso existe una regin N
intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta regin es permitir al
componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta regin de
pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica
resistiva en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto
mayor sea la tensin que ha de soportar el componente. Las capas que hacen
los contactos externos son altamente dopadas, para obtener un contacto con
caractersticas hmicas y no del tipo semiconductor.