Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Smbolos do MOSFET
MOSFET canal n
intensificao

deplexo

intensificao

SS

MOSFET canal p

SS

S
D

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

SS

S
D

SS

deplexo

S
D

Lus Verssimo, Abril de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

MOSFET canal n zonas de funcionamento e modelos dc

Zona de Corte

Zona Trodo

VGS < Vt
Circuito aberto

ID=0

VGS

VGS > Vt

VGS > Vt

VDS < VGS Vt

VDS VGS Vt

Resistncia controlada
por tenso
D

VDS

ID

VGS
RDS

ID = 0

Zona de Saturao

VGS

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

ID

VDS

I D = k 2(VGS Vt )VDS VDS

Fonte de corrente
controlada por tenso

VDS

I D = k (VGS Vt ) (1 + VDS )
2

Lus Verssimo, Abril de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

MOSFET canal p zonas de funcionamento e modelos dc

Zona de Corte
VGS > Vt
ou

VGS < Vt
ou
VSG > Vt

VSG < Vt

ID=0

V GS

VGS < Vt

VDS >V GS Vt

VSD <VSG +Vt

ID

VDS

VGS

ID = 0

Zona de Saturao

ou

Resistncia controlada
por tenso

Circuito aberto

Zona Trodo

RDS

V GS

ou

I D = k 2(VSG + Vt )VSD VSD

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

ID

VDS

VSD VSG +Vt

Fonte de corrente
controlada por tenso

I D = k 2(VGS Vt )VDS VDS

VSG > Vt

VDS VGS Vt

VDS

]
]

I D = k (VGS Vt ) (1 + VDS )
2

ou

I D = k (VSG + Vt ) (1 + VSD )
2

Lus Verssimo, Abril de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Curvas caractersticas do
MOSFET canal n

ID

ID

(mA)

(mA)

VDS=VGS-V t

Intensificao (Vt>0)
Vt

VDS

VGS

ID

ID

(mA)

(mA)

V DS=VGS-V t

IDSS

Deplexo (Vt<0)
Vt <0

VGS

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

VDS

Lus Verssimo, Abril de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Curvas caractersticas do
MOSFET canal p

ID

ID

(mA)

(mA)

V DS=VGS-V t

Intensificao (Vt<0)
Vt

VDS

V GS

ID

ID

(mA)

(mA)

V DS=VGS-V t

IDSS

Deplexo (Vt>0)
Vt

V GS

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

VDS

Lus Verssimo, Abril de 2002

Departamento de Engenharia Electrotcnica (DEE)

Curvas caractersticas do
MOSFET canal p

ID

ID

(mA)

(mA)

VSD=V SG+Vt

Intensificao (Vt<0)
-V t

V SD

V SG

ID

ID

(mA)

(mA)

VSD=V SG+Vt

IDSS

Deplexo (Vt>0)
-V t

V SG

Electrnica I - Cursos de Eng Electrotcnica e Eng de Electrnica e Computadores

V SD

Lus Verssimo, Abril de 2002