2016

DIODOS ESPECIALES

CIRCUITOS ELECTRONICOS
CEDEO GUERRERO MARIA FERNANDA

UNIVERSIDAD DE GUANAJUATO | DICIS

DIODO ZENER
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado, que se ha construido para que
funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin
Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia
de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a
estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Adems si el voltaje de la fuente es
inferior a la del diodo ste no puede hacer su regulacin caracterstica.
SIMBOLO
El smbolo circuital se muestra en la figura y su caracterstica tensin-corriente en la figura
1.

Figura 1.Simbolo

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada
corriente de saturacin IS, esta corriente permanece relativamente constante mientras
aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza VZ, llamada tensin Zener
(que no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La
corriente empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo
zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango
de corriente inversa.
Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

CURVA CARACTERISTICA Y FUNCIONAMIENTO

Como ha quedado expuesto, el diodo zener est ideado para trabajar con polarizacin inversa,
careciendo de inters su funcionamiento en polarizacin directa, que es igual al de cualquier
diodo semiconductor.
La siguiente figura corresponde a su caracterstica tensin-corriente, y en ella nos
apoyaremos para estudiar su funcionamiento.

Figura 3. Curva Caracterstica

Cuando el zener est polarizado inversamente con pequeos valores de tensin se alcanza la
corriente inversa de saturacin prcticamente estable y de magnitudes despreciables a efectos
prcticos.
Si sigue aumentando la tensin de codo o de giro, donde los aumentos de corriente son
considerables frente a los aumentos de tensin (aprciese en torno a esta tensin la curvatura
de la grfica). Sobrepasada esta zona a pequeos incrementos de tensin corresponden
aumentos elevados de la corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la regin de trabajo efectivo del
zener. Debemos hacer ciertas consideraciones en este momento.

1. Se ha de asegurar que en rgimen de trabajo, el diodo sea atravesado como mnimo

por una corriente inversa Iz expresada por el fabricante para excluir la regin de giro
del funcionamiento normal.
2. No se debe sobrepasar en ningn caso Iz max para asegurar la supervivencia del
componente.
3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensin, Vz ;
aproximadamente el valor medio de ellos representa la tensin nominal del zener Vz
nom

Se suele expresar en las caractersticas un porcentaje de tolerancia sobre la tensin nominal.

4. La potencia disipada en cada momento, Pz vendr expresada por el producto de

los valores instantneos de Vz e Iz

5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados representan la

regin de trabajo

En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que en la regin de trabajo, el zener

es capaz de mantener en sus extremos una tensin considerablemente estable.
El zener como regulador de tensin:
En muchas circunstancias la tensin aplicada a una carga puede sufrir variaciones indeseables
que alteren el funcionamiento normal de la misma. Estas variaciones generalmente vienen
provocadas por:

1. Una variacin de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variacin de la

intensidad de carga.
2. Variaciones de la propia fuente de alimentacin.
3. Por ambas causas.

Si elegimos un diodo tener de tensin nominal igual a la que es necesaria aplicar a la carga y
somos capaces de hacerlo funcionar en su regin de trabajo, conseguiremos una tensin sin
apenas variaciones.
El diodo zener viene caracterizado por:
1. Tensin Zener Vz.
2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%)
3. Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz.
4. Mxima potencia disipada. 5. Mxima temperatura de operacin del zener.
CIRCUITO EQUIVALENTE
Una de las aplicaciones ms usuales de los diodos zener es su utilizacin como reguladores
de tensin. La figura 4 muestra el circuito de un diodo usado como regulador

Este circuito se disea de tal forma que el diodo zener opere en la regin de ruptura,
aproximndose as a una fuente ideal de tensin. El diodo zener est en paralelo con una
resistencia de carga RL y se encarga de mantener constante la tensin entre los extremos de
la resistencia de carga (Vout=VZ), dentro de unos lmites requeridos en el diseo, a pesar de
los cambios que se puedan producir en la fuente de tensin VAA, y en la corriente de carga
IL.
APLICACIONES
Como elemento de proteccin:
Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a proteger, si el voltaje de fuente crece
por encima de VZ el diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito sea mayor
a VZ. No se debe usar cuando VF > VZ por largos periodos de tiempo pues en ese caso se
daa el diodo. Se aplica acompaado de lmparas de nen o de descargadores de gas para
proteger circuitos de descargas elctricas por rayos.

Figura 5. Diodo como proteccin

Como circuito recortador:

Se usa con fuentes AC o para recortar seales variables que vienen de elementos de medicin
(sensores). Cuando VX tiende a hacerse mayor que VZ el diodo entra en conduccin y
mantiene el circuito con un voltaje igual a VZ.

Figura 6. Diodo como Recortador

DIODO TUNEL
DESCRIPCION GENERAL
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el
efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de
la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tunel son generalmente fabricados en
Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente
activo (amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tunel es su
resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando
la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el
diodo tunel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede
lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta
manera, se conocen como diodos tunel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de
resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo,
se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en
circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal sinodal
a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido
que los diodos Schottky.
SIMBOLO

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO TUNEL

Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunel empieza a conducir (la corriente
empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un
punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta
llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. Esta ocasin la
corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.

Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido
que los diodos Schottky.

Figura 7. Curva caracterstica del diodo tnel.

Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar
su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido
de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas
variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez
al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir
mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando
se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.
APLICACIONES
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente
de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.

DIODO VARICAP
El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que
aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la
tensin aplicada, como un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo
electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C),
donde son necesarios los cambios de capacidad.
FUNCIONAMIENTO
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una
unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar
dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensado variable controlado por tensin. Los valores de
capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma utilidad cuando,
al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha
capacidad en provecho del circuito en el cual est situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de
la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico,
lo que conforma un condensador de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo
en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace
que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si
aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo
suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico
condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al diodo
aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta.
CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLO DEL DIODO VARICAP

Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el

elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci
que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman
la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT)
establecida por la regin sin carga se determina mediante:

CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea

de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin
de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina
en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s
varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la
capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT +
VR)n
Dnde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de

construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

Figura 8. Curva Caracterstica

La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos
sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de
emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est variando
(mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste en su etapa de sintona;
pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla o, ms comnmente, sobre el botn
(pulsador) de sintona del receptor de TV a color lo que se est haciendo es variar la tensin
de polarizacin inversa de un diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo.

DIODO SCHOTTY
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter
H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas
entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de
5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de
codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensin de codo
es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en
lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una
diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en
inversa ste opere de forma similar a como lo hara regularmente.

Figura 9. Diodo Schotty

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje
cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky
est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn pero tiene algunas
caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia.
Estas son:

El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en

sentido de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo
rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en
que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante
grande y supera la capacidad del diodo Schottky.
El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
FUNCIONAMIENTO

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin

cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera Schottky), en
lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos
normales.

As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario".

Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente
los portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la
operacin del diodo y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N
y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del
dispositivo ser mucho ms rpida.
CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLO
Smbolo electrnico

Figura 10. Smbolo diodo

La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy alta frecuencia y eliminar
excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral valor
de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los diodos Schottky
tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V emplendose, por ejemplo,
como proteccin de descarga de clulas solares con bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias
inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo
Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para
computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca
cada de voltaje en directo permite su operacin con un reducido gasto de energa. Otra
aplicacin del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) y circuitos
controladores de motores paso a paso, cuando el circuito controlador efecta la desconexin
de los bobinados del motor estos diodos se encargan de drenar los picos de corriente inductiva
que regresan de los bobinados de un motor y devolverlos al bus de continua para que estos
no quemen los transistores IGBT del chopper, destruyendo el dispositivo. Cuando el motor
se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua a travs de los
diodos y no es absorbida por los IGBTs.

Figura 11. Curva Caracterstica del Diodo Schottky

APLICACIONES DEL DIODO SCHOTTKY

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los
tipos ALS yAS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho
menores puesto que sonms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en
la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que
la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la
misma potencia.

FOTODIODO

Fotodiodos.
Tipo

Semiconductor

Principio de funcionamiento

Efecto fotoelctrico

SIMBOLO ELECTRONICO

Figura 12. Smbolo del diodo

DESCRIPCION GENERAL Y FUNCIONAMIENTO

Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa
incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva.
Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de
l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin
directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite
en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que
circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su
funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la
circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. En ausencia de luz la corriente
presente es muy pequea y recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Figura 13. Circuito equivalente del Fotodiodo

Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de
fuga. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unin, se crean pares
hueco-electrn que se desplazan a travs de la unin debido al campo generado en la regin
deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito
externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se
comporta bsicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la
tensin
de
avalancha.

El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para
esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares huecos-electrn en la
proximidad
de
la
unin.
El mximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor tpico se halla en 850 mm
aproximadamente. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est
fabricado en silicio, la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente de 0,7V.

El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa

de portadores. Esto es debido a que los portadores, provenientes del dopado (portadores
mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. La
totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un
amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla
en el margen comprendido entre el microamperio y las decenas de microamperios, pudiendo
aadirse
a
la
pastilla
un
amplificador
por
un
costo
mnimo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de

la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se
comportara
como
un
diodo
semiconductor
normal.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en
electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un
cambio
en
el
nivel
de
iluminacin
sobre
el
fotodiodo.
Si se combina un fotodiodo con un transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector
y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene
el circuito equivalente de un fototransistor.

El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus

propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda
de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de
cualquier otro material semiconductor.
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos
medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno
lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.
CURVA CARACTERISTICA

Figura 14. Curva Caracterstica del fotodiodo

APLICACIONES

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con
tiempo de respuesta ms pequeo.

Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd

transformando la luz del haz lser reflejado en el mismo en impulsos elctricos para
ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica.

DIODO EMISOR DE LUZ

Tipo

pasivo optoelectrnico

Principio de funcionamiento electroluminiscencia

Invencin

Nick Holonyak (1962).

El LED (Light-Emitting Diodo: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que

emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN
en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo comn,
pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Este dispositivo semiconductor
est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de
vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede
estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz
emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por
la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el
LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por l vara segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de
polarizacin de un LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos
LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo
consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000
horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos inesperados que puedan daarlo. Se
coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula
por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso
entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que
circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).

Figura 15. Smbolo del LED

Figura 16. Diodo Emisor de Luz

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de crecimiento
epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO,
cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas
densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de corriente
ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en
equipos porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin de
Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por
el mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al
pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se
puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una
fase aleatoria. El que esa energa se manifieste en (calor por ejemplo) va a depender
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando Al polarizar directamente un
diodo LED conseguimos que por la unin PN sean inyectados huecos en el material tipo N y
electrones en el material tipo P; O sea los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y

los electrones de la zona n hacia la zona p, producindose por consiguiente, una inyeccin de
portadores minoritarios.
Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones
pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro
inferior ms estable

Figura 17. Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directo

Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad de energa

proporcional al salto de banda de energa del material semiconductor. Una parte de esta
energa se libera en forma de luz, mientras que la parte restante lo hace en forma de calor,
estando determinadas las proporciones por la mezcla de los procesos de recombinacin que
se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir, su color.
Cuanto mayor sea el salto de banda de energa del material semiconductor que forma el LED,
ms elevada ser la frecuencia de la luz emitida.

Figura 18. Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directa

CURVA CARACTERISTICA

Figura 18. Curva Caracterstica

APLICACIONES
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a
distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como
equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de
control remoto, as como en dispositivos detectores. Los LED se emplean con profusin en
todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de
trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos. Tambin se emplean en el alumbrado
de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc.,
as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED.
Tambin se usan los LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de
trfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que sus prestaciones
son superiores a las de la lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, desde diversos
puntos de vista. La iluminacin con LED presenta indudables
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin
especfica de funcionamiento y desplegar contadores
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente contina.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma.