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Sensores de Imagem Digitais CCD E CMOS

Jhonata Serra de Souza, Jorge Alexander Sosa Cardoza


1 Graduando do curso de Tecnologia em sistemas eletrnicos. IFAM. 2009 (jhom_bil_serra@hotmail.com).
2 Professor Orientador. Doutorado em Engenharia Mecnica. Universidade de So Paulo. - Especializao em Engenharia de Processos
Industriais Mecnicos. UFSC. - Graduao em Engenharia Eltrica. UFAM. - Graduao em Tecnlogo Mecnico. Instituto Tecnolgico
Centro Americano. (jcardoza@ifam.edu.br).

Resumo: As imagens so importantes em todas as reas, principalmente no imageamento mdico, na


geografia, no macro e no micro cosmos. H tempos atrs nossos bisavs registravam os momentos de
suas vidas com as mquinas um pouco antiga, com tecnologia bsica, onde era caracterizada por uma
cmara, uma chapa de Cobre prateada e polida, onde recebia uma exploso de vapores de Iodo,
gravando assim atravs de reao qumica do Iodo com o cobre juntamente o feixe de luz, dando assim
origem a uma camada de iodeto de prata, que atravs dos seus contornos davam origem a fotografia.
Hoje em dia tanto na dcada presente quanto dcada passada onde tnhamos a tecnologia do filme
fotogrfico que tambm no era uma excepcional tecnologia mais j era um grande avano, e isso com
o tempo passamos a ter o privilgio da microeletrnica em nossas mos. No se passara muito tempo e
hoje temos em nosso poder um tipo de equipamento que faz clculos de uma matriz, de um
processamento de em mdia 2.368.000 de unidades, em um segundo, sofrendo tambm com o seu
fator de aproveitamento, mostrando a leitura interpolada da imagem de bit a bit, nos sensores
apresentados o CCD(Charged Coupled Device)
e CMOS(Complementary Metal Oxide
Semicondutor). O objetivo deste trabalho apresentar a descrio do funcionamento bsico destes
sensores de imagens, a sua inveno e transformao no tempo at hoje, o desempenho de cada um
deles e a comparao dos mesmos. Para isto, foi realizada uma reviso bibliogrfica dos ltimos cinco
anos de artigos cientficos, teses, dissertaes, monografias, livros e sites na internet.
Palavras-chave: fotografia, microeletrnica, sensores CCD, sensores CMOS, sensores de imagens
1. INTRODUO
No passado e assim como hoje, e com certeza para toda a eternidade, no perderemos a bela
ao de fotografar os nossos momentos, sejam eles belos ou ruins, documentar as nossas pesquisas.
Esse tipo de ao j est acontecendo h muito tempo, desde o final do sculo passado j eram
marcadas com dispositivos nada convencionais e a sua caracterizao de funcionamento baseado na
qumica. Em seguida vieram s cmeras com dispositivos de captura dos filmes fotogrficos.
O tempo se passou e a tecnologia evoluiu, destacando-se a revoluo digital, onde as economias
do custo e do tempo ficam evidentes, e facilmente escolher as fotografias que sero reveladas.
Em 1975 foi inventada a primeira mquina fotogrfica digital pelo o engenheiro da empresa
Kodak, em seguida foram inventados os dispositivos que mudariam drasticamente a fotografia, na
praticidade e na qualidade da imagem, estes dispositivos eletrnicos so os sensores de imagem
digital.
Estes dispositivos semicondutores so chamados de CCD e CMOS, a funo capturar a
imagem atravs de seu feixe de luz e transformado em carga de eltrica, onde essa carga processada
em imagem digital pelo circuito eletrnico [5].
Os objetivos deste trabalho fazer a descrio cronolgica da evoluo dos sensores de imagem
CCD e CMOS, e a comparao do desempenho dos mesmos. Abordando a histria significativa, suas
caractersticas e aplicaes, o esquema de funcionamento e os fatores que afetam a qualidade de
imagem.
2. SENSORES DE IMAGEM
Os sensores de imagem so dispositivos semicondutores e fabricados atravs de processos de
microeletrnica, conhecido como tecnologia planar, as propriedades de corrente e tenso, so muito

ISBN 978-85-62830-10-5
VII CONNEPI2012

baixas, geram essas cargas quando o feixe de luz que passa pela lente, incide sobre a superfcie do
sensor, sendo processado por um circuito eletrnico especifico e formando assim a imagem digital.
2.1 Histria dos sensores de imagem
Em meados da dcada de 70 nos laboratrios de Bells Labs, durante varias e vrias pesquisas
relacionadas a circuitos integrados, novos lasers e semicondutores envolvendo sistema de micro e
nano eletrnica, projeto vai e vem e nasce ocasionalmente um sensor de imagem que hoje conhecemos
como sensor CCD, nasce de um projeto feito pela mo dos fsicos Willard Boyle e George Smith, que
mais adiante em 1973 ganham a medalha de Franklin Instituts Stuart Ballantine, justo pela inveno
do mesmo. Em 2009 ganharam o prmio Nobel de fsica pelo invento do CCD. [5]
Em 1975, por conta da tecnologia do sensor ser uma novidade, foram criadas as primeiras
cmeras de TV mais com uso restrito apenas para uso comercial de emissoras de televiso e etc. Em
1979 conseguiram fazer um grande avano em relao ao sensor CCD, pois de um simples sensor de
resoluo 100x100px passou a ter 320x512px.
Cmeras Digitais
Em 1975, o engenheiro eltrico Steve Sasson, em um de seus laboratrios de pesquisa da Kodak,
inventou uma revoluo em termos de mquinas fotogrficas, no sendo bastante discreta mais tendo
um carter digital, a primeira mquina fotogrfica digital gravava as imagens em uma fita cassete,
tinha como o seu sensor j o revolucionrio CCD. O seu nico problema era a velocidade de
processamento da imagem, era de aproximadamente de 23 segundos para a formao da imagem em
preto e branco, com uma escala quadrada de 100x100px, neste equipamento era acoplado a ele um
reprodutor de fita cassete e tambm a fita onde eram gravadas as imagens interligado uma televiso
que visualizava a fotografia [ 10].
Em 1976 a Kodak a est com a mquina desenvolvida, mais somente no ano de 2001 assumiu
publicamente, que teve em suas mos a primeira cmera fotogrfica digital do mundo.
Hoje em dia dispomos em nossas mos cmeras digitais com quase o mesmo mecanismo e
princpios bsicos de funcionamento de uma mquina de filme fotogrfico. Ambas tm como
caracterstica o feixe de luz que incide na superfcie do coletor, que vem atravs de uma lente ou
tambm dependente da especificao do equipamento (um conjunto de lentes), estes so os sensores
CCD e CMOS, que esto presentes em cmeras fotogrficas digitais [10].
A carga eltrica muito baixa que sai de cada terminal do dispositivo representa o feixe de luz
que se reduziu a cada pxel, ou seja, a cada pequeno ponto de luz que incide na superfcie do sensor e
gerando uma pequenssima carga eltrica, que discretamente chamam de bits [7].
As quantidades de pxeis presentes no sensor formam uma matriz de linhas e colunas de pxeis,
o que determina a resoluo da mquina, sendo elas hoje em dia as mais dispersas possveis, tais so
elas: Vdeo Graphics Array (VGA)640x480; Extend Graphics Array (XGA) 1024x768; Quad-

Extended Graphics Array (QXGA) 2048x1536; Hyper-Extended Graphics Array (HXGA)


4096x3072.
Vale lembrar tambm que quanto maior a resoluo do sensor, menor e frao de erro e rudo
ou perca de nitidez em uma fotografia.
3. SENSOR CCD (Charged Coupled Device) E CMOS (Complementary Metal Oxide
Semicondutor)
H no mercado nos dias de hoje dois tipos de sensores digitais de grande potncia so eles: os
CCD (Charged Coupled Device) e o CMOS (Complementary Metal Oxide Semicondutor), que so
tipos de dispositivos de estado slido, so circuitos integrados feitos de silcio, que so compostos por
vrios transistores e diodos amontoados e um mesmo circuito e interligados at mesmo e um mesmo
pxeis do chip, que geram pequenas cargas eltricas quando a luz incide sobre a superfcie do
componente. Existe tambm uma forma diferente de funcionamento de cada um dos dois em relao
transformao da energia luminosa em energia eltrica quando a luz incide sobre o dispositivo.
Para simplificar o funcionamento de um sensor podemos representar como sendo uma
matriz que pode ser quadrada ou retangular, que se faz a amostragem de uma imagem bidimensional
2

em duas direes ortogonais x e y, que geram uma matriz matemtica de M e N, podemos falar que M
o numero de colunas e N o numero de linhas.
Onde a interseo das duas variveis M e N gera uma determinada equao matemtica,
ou at um numero que pode ser um numero inteiro ou at mesmo fracionrio, que interpretado e
processado pelo sistema lgico da maquina e transmitido para a tela de LCD, onde vemos uma
imagem colorida cheia de seus detalhes e caractersticas, mais por dentro do aparelho uma matriz
matemtica com apenas milhes de nmeros e clculos dispersos. Ou seja, uma mquina com uma
resoluo VGA tem em sua composio de uma matriz matemtica de 307200 unidades de nmeros
calculados, e ir at 12582912 da resoluo HXGA.
Em 1990 o CMOS teve um grande avano em torno de seu concorrente que o CCD, que
estavam presente em todas as mquinas fotogrficas, j tava perdendo o seu lugar no pdio para o
CMOS que apresentava muito mais vantagens que ele, uma de suas vantagens o baixo consumo de
energia, reduo do tamanho do sistema de imageamento [6].
O sensor CCD recebeu justo esse nome pela forma que a carga transferida ao amplificador
integrado na sada do dispositivo, depois da luz exposta a sua superfcie, ou seja, o sensor CCD faz o
trabalho de deslocar os eltrons para o amplificador, que logo aps passa para o conversor analgico
para o digital. [10]

Figura 3.1 - Esquema de Transferncia dos ftons para serem convertidas no sensor CCD.

Um sensor CMOS constitudo de uma matriz de micros diodos fotossensvel, ou seja, um n


(nano) diodo em cada clula que chamamos eletronicamente de pxel, o sensor CMOS e um tipo de
dispositivo que tem uma capacidade muito grande, pois em cada clula da matriz contido dentro a
ela um circuito integrado individual interligado aos outros circuitos, que uma formao totalmente
diferente do CCD [1].
3.1 Sensor CCD(Charged Coupled Device)
O sensor tem caractersticas de funcionamento semelhante aos painis de captao da energia
solar para transformao em energia eltrica, onde a luz solar incide na superfcie da placa de
captao, a energia do sol e absorvida pelas clulas da placa e depois passada por um meio de coleta,
que transforma toda a energia trmica em energia eltrica.
O funcionamento do sensor CCD tambm tem suas possveis semelhanas, tendo como o seu
principio fundamental de funcionamento as clulas que so sensveis luz, que tambm podemos
chamar de pxel, que tambm capaz de gerar energia eltrica atravs da captao incidente na
superfcie do sensor do pxel, o dado dependente dos milhares de sensores a milhes de clulas
fotossensveis [5].
Os pixels tm como caracterstica padro de organizao uma matriz composta por linhas e
colunas, o pxel e formado pela interseo da linha pela coluna. Os sensores CCD so fabricados com
a tecnologia MOS (Metal-Oxide Semicondutor), isso se caracteriza por cada pxel ser um circuito
eletrnico nele, e esse circuito contido em cada pxel pode ser considerado um capacitor MOS que
converte os ftons em cargas eltricas que logo aps lida e processada posteriormente, Como pode
ser apreciado na figura 3.2.

Figura 3.2 - Capacitor MOS (fonte: http://micro.magnet.fsu.edu) [2].

Para que possamos obter equaes em meio ao capacitor MOS, pode-se utilizar a equao 3.1
que representa a Energia potencial do capacitor.
EP = -|q| *
Equao 3.1 [5]
Onde: q e a densidade de carga e o e o potencial eletrosttico.
Matriz de Pxeis do Sensor CCD
Os dispositivos CCD so caracterizados com relao funo de seu mecanismo de
transferncia de dados, o mecanismo trabalha com quadros (frames), estes so divididos em quatro
categorias [5]: Full Frame: Transferncia do quadro completa; Frame Transfer: Transferncia de
quadro; Split Frame Transfer: Transferncia parcial de quadro; Interline Transfer: Transferncia entre
linhas.
O sensor CCD um tipo de dispositivo que pode-se acoplar e fazer uma integrao de circuitos
junto a ele para processar cargas de uma matriz de pxels em nico substrato, e pode ser apreciado na
figura 3.3.

Figura 3.3 - Diagrama de blocos de circuitos acoplados ao CCD. [5]

3.2 Sensores CMOS (Complementary Metal Oxide Semicondutor)


O Sensor CMOS foi criado por Erick R. Fossum, que teve como base o sensor CCD para a sua
inveno em meados do final da dcada de 80 para o incio da dcada de 90.
O CMOS apresenta a mesma propriedade de captura de imagem, as nicas diferenas que se
apresenta perante os dois a forma no qual ele transforma a energia da luz para cargas eltricas e
tambm em relao como e composto cada circuito de um pxel. Os sensores CMOS tm a mesma
capacidade de gerar uma carga eltrica proporcional intensidade luz que incide na superfcie do
sensor.
Os sensores CMOS tm em cada pxel um circuito constitudo de fotodiodos, capacitores e
transistores interligados e formando assim o pxel individual, nesse sensor tambm h a possibilidade
de selecionar as linhas e colunas na matriz sensorial, ou tambm fazer a interseo entre eles, ou seja,
selecionar apenas um pxel designado fazendo a interseo da linha com a coluna ou tambm acessar
apenas uma rea dentro de uma imagem. [5]
O CMOS dividido em duas categorias de sensores de imagem que so eles: Sensores de Pxel
Passivos; Sensores de Pxel Ativos.
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Sensor de Pxel Passivo (PPS)


Em 1967, um dos estudos de Mr. Gene P. Weckler foi relao ao pxel passivo da matriz PPS,
onde cada pxel consiste em um elemento fotossensvel, que consiste em um fotodiodo e um transistor,
como pode ser apreciado na Figura 3.3.
O funcionamento do PPS pode ser simplificado d seguinte forma: o transistor tem como
principal caracterstica de chaveamento, que faz a transferncia do sinal do pxel para o amplificador
de integrao de carga. Os sensores PPS tambm tm a caracterstica de memria dinmica chamado
de DRAMs, que um tipo de memria RAM de acesso direto e ele armazena cada sinal recebido em
um capacitor. O sinal que recebido pelo amplificador de sada em cada coluna um por um em sua
sequncia onde transmitido apenas para um nico amplificador. [3]

Figura 3.3 - Diagrama de blocos de circuitos acoplados ao CCD.

Sensor de Pxel Ativo (APS)


O Sensor de pxel ativo tem como principal caracterstica possuir um amplificador. O sensor
APS composto de uma matriz de circuitos lgicos que fazem a seleo das linhas e das colunas da
matriz sensorial, circuitos amplificadores de sada, conversores A/D e um circuito de sincronizao e
controle, fora esses citados posteriormente podem se acoplar mais circuitos ao sensor, isso depende da
aplicao no qual se deseja utilizar.
O pxel de APS composto de fotodiodo e de um circuito isolante, onde se faz a conexo
eltrica entre o sinal do pxel e o circuito de sada, entre vrias estruturas presente dentre as clulas do
APS, os tipos de dispositivos mais empregados em seus pxeis so os fotodiodos e pxel ativo com o
fotogate.
Os pxeis onde so presentes os fotodiodos alm tambm dos transistores so seguidos das
fontes que so ligados ao mesmo fotodiodo, nesse conjunto de dispositivos interligados entre si, ainda
se faz presente dois tipos de transistores onde um tem como funo o reset que inicializa o pxel no
qual se faz presente e outra que faz a seleo de clula que conecta ao barramento [9].
Em 1987 comearam a serem desenvolvidos os primeiros sensores CMOS com APS.
3.3 Comparaes dos Sensores.
A seguir feita a comparao do sensor CCD e do CMOS, referente s seguintes
variveis: consumo de potncia; velocidade; fornecimento de tenso; fill factor; custo de fabricao;
sensibilidade e radiao [5]:
Consumo de potncia: Tanto os sensores CCD e quanto CMOS, em relao a consumo de potncia
dado de acordo com suas caractersticas especificam de cada dispositivo. Hoje o sensor que consome
menos energia e o CMOS por ser um dispositivo de substrato nico, ou seja, no se precisa acoplar
nenhum tipo de circuito adicional, quanto que o CCD necessita de vrios circuitos que o auxiliem para
o seu suporte de funcionamento;
Velocidade: O CMOS processa cerca de 1 Gigapxel por segundo isso tudo graas a arquiteturas
paralelas e a integrao de vrias funes em um nico circuito, reduzindo a capacitncia indutncias e
atrasos de propagao, tornando-o mais rpido;
Fornecimento de Tenso: O CCD tambm sai frente, onde preciso diversos fornecedores de
tenso para a transferncia da carga de pxel a pxel. E o CMOS necessita apenas de um fornecimento
total;

Fill Factor: O CMOS tem seu fator de aproveitamento de preenchimento em cerca de 50 a 70%,
dando assim uma boa qualidade foto mais no sendo superado pelo CCD que j ultrapassa dando
assim em 80%;
Custo de Fabricao: Enquanto os CCD tm um custo caro em torno de sua fabricao, devido o seu
processo de fabricao ser um pouco delicado, j os CMOS eles tm um padro de produo de
mesma linha dos Circuitos integrados existentes barateando seu custo;
Sensibilidade: O tempo de integrao um fator onde necessrio um pouco para os sensores CCD,
pois tem grande sensibilidade. Ao contrrio dos sensores CMOS que por causa da luz incidente em
reas de menores dimenses, tem a sua sensibilidade reduzida;
Tolerncia a Radiao: Os sensores CMOS existem tipos de tecnologias aonde podem ser
implementados ao sensor para combater a resistncia a radiao. Sendo ao contrario dos CCD que so
necessrios tipos de blindagem do sensor para que no ocorra o efeito de radiao sobre ele.

4. EVOLUO E COMPARAO DOS SENSORES.

4.1 Evoluo Cronolgica dos Sensores de Imagem.


A evoluo dos sensores de imagens apresentado na tabela 1 referenciada desde 1967 at
2012, mostra a evoluo das tecnologias, iniciando pixel passivo, capacitivo, fotodiodo, capacitor
MOS, lentes, CCD, APS e CMOS. Tambm apresentado a descrio do evento, o ano, lugar, autor,
tecnologia e principal caracterstica. Constata-se a fabricao da primeira cmera digital em 1975, pela
empresa Kodak. Neste ano 2012, a empresa Sony lanou o sensor CEMOS que atinge uma velocidade
de 34,8GB/s.

Tabela 1 Eventos significativos dos sensores de imagem de 1967 at 2012.


Discrio

Ano

Lugar

Autor

(1) Estudo sobre o PPS

1967

Fairchild
Semiconductor

Mr. Gene P.
Weckler

(2) Criado primeiro CCD

1969

Bells Labs

(3) Produzidos os CMOS

1974

U.S.A

(4) Produo dos CCD

1974

U.S.A

Willard Boyle e
George Smith
Fairchild
Electronics
Fairchild
Electronics

(5) Primeira cmera digital 1975

Eastman Kodak
Company

Steve Sasson

(6) Uso astronmico

1975

Planeta Urano

NASA

(7) Primeira mquina com


CCD

1976

U.S.A

Sony

(8) Retina de silicone

1989

U.S.A

C. Mead

(9) Comercializao APS

1995

U.S.A

Photobit Corp

(10) nova gerao de


sensor CMOS

2012

U.S.A

Sony

Tecnologia

Caracterstica
Cada pixel um
Pxel Passivo fotodiodo e um
transistor.
Soldado
Capacitiva
manualmente.
Produo apenas
Fotodiodos
comercial
Capacitor
Resoluo
MOS
100x100px.
Lente de
cmera
Baixa velocidade.
super8
Primeira fotografia
CCD
da astronomia.
Primeira mquina
CCD
com o CCD.
Amplificadores
CMOS
dentro do pxel e
retina de silicone.
Tecnologia APS
para uma srie de
APS
aplicaes.
CMOS

Atinge velocidade
de 34,8 GB/S

4.2 Tabela comparativa entre os sensores CCD e CMOS.


Variveis

CCD (Charged Coupled Device)

(1) Ano de Inveno.

1969

CMOS (Complementary Metal Oxide


Semicondutor)
1990

(2) Criadores.

Willard Boyle e George Smith

Eric R. Fossum

(3) Tamanho Pxel.

2.3 m

1,3m

(4) Resoluo.
(5) Componente do
Circuito.

25 Mpx

25 Mpx

Capacitor MOS

Foto-Diodo, capacitor, transistor

(9) Velocidade

Cmeras estticas de alta


resoluo e filmadoras de alta
qualidade
80%
Consomem cerca de 100x mais
que o CMOS por no ter um
sistema dinmico de transferncia
de carga.
6,7 GB/S

(10) Custo de
Fabricao.

O CCD custa em mdia 2x mais


que o CMOS

(11) Qualidade e
Rudo

Criam imagens de alta qualidade


e baixo nvel de rudo.

(6) Aplicaes
(7) Fill Factor
(8) Consumo de
energia

Cmeras de modos mltiplos, 3-D e


imageamento com alta faixa dinmica
50 a 70%
um tipo de sensor onde no qual tem um
sistema de transferncia de carga mais
simples e dinmico acarretando um baixo
consumo.
34,8 GB/S novo Modelo da Sony, 2012
Os sensores CMOS hoje tm sua
produo mais do que barateado em
questo que so produzidos quase 90% a
mesmo padro que os CIs Existentes.
Geralmente so mais suscetveis a rudos
(interferncia eletromagntica).

5. CONCLUSO
O funcionamento do CCD caracterizado por um circuito eletrnico que usa capacitores como
sensores, a matriz da imagem amplificada, processada e transmitida parcial ou completamente.
Apresenta melhor desempenho no fill factor, nas imagens de alta qualidade e no baixo nvel de rudo.
J no CMOS o sensor eletrnico baseado em fotodiodo e transistores, mais eficiente e rpido,
a matriz da imagem esta em forma digital e transmitida de forma completa. O melhor desempenho
nas seguintes variveis: sensor mais eficiente e rpido; rea do pixel menor; baixo consumo; custo
menor. Tem a desvantagem da sensibilidade ao rudo e a interferncia magntica. Bastante aplicado no
imageamento mdico e sua velocidade est em torno de 34,8 GB/s no novo modelo da Sony.
REFERNCIAS
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de Imagens Volume XVI. 2009. 27pgs. Universidade Federal de Minas Gerais, Minas gerais, 2009.
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Acessado em 21 de junho de 2012.
[3] Capacitor Mos Molecular Expressions: Images from the microscope disponvel em:
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[4] Ferreira, M. Projeto E Caracterizao De Imageadores Aps Resistentes Radiao 2007.


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Dissertao (Mestrado em Cincias Em Engenharia Eltrica) - Corpo Docente Da Coordenao Dos
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Engenharia Eltrica. Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 2012.
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