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CONSTRUCCIN
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Ing. Jos Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrnica II
FUNCIONAMIENTO
1.- VGS = 0
VDS variable
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
D y S. Cuando VDS llega a ser lo suficientemente grande la corriente iDS comienza a ser
constante, VDS puede incrementarse hasta BVDS0 (punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa voltaje de ruptura entre D y S con VGS = 0.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate y Source,
mientras varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
Denotaremos por VPX a un voltaje cualquiera producido bajo la condicin de un voltaje VGS
de valor x y en el cual la corriente comienza a hacerse constante (saturarse). La relacin
existente entre el nuevo VPX y cualquier VGS es:
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Notas de la Clase de Electrnica II
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
Es una grafica de la corriente de salida en funcin del voltaje de entrada.
iDS
v
= I D SS 1 GS
V
GSoff
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EJERCICIO:
v
= 5mA 1 + GS
6
iDS
2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuertafuente.
VGS
iDS
0V
5mA
-2
2.22mA
-4
.555mA
-6
0
-8
.555mA
El resultado iDS = .555mA para VGS = -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET
es solo media parbola.
3.- Calcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando VGS = -15V a temperatura
ambiente y a 100 C.
Z i 25D C =
15V
VGS
=
I GSS
1nA
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Zi = 15G
T2-T1
10
15V
181nA
Zi (100D C ) = 83M
TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuacin de la curva de transconductancia se obtendr el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado gm:
V
I DSS 1 GS
V
GSoff
=
VGS
gm =
iDS
VGS
gm =
2 I DSS
VGSoff
V
1 GS
VGSoff
gm indica que tanto control tiene el voltaje de entrada VGS sobre la corriente de salida:
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POLARIZACIN FIJA
Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este caso la malla
de compuerta. Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta.
ANALISIS
El voltaje en la compuerta siempre ser negativo respcto al Terminal de Source en jun
JFET de canal N:
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VGS = -VGG
Esta ecuacin representa la recta de polarizacin
Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.
iDS =
VDD VDS
RD
VDD = 12V
VGG = -1V
RD = 470
RG = 1M
FET 2N5486
I DSSMAX = 20mA
I
DSSMIN = 8mA
V
= 6V
GSoff max
VGSoff min = 2V
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SOLUCIN
IDSQmax = 20mA 1
= 13.89mA
6
2
IDSQmin = 8mA 1
= 2mA
2
2
IDSQ = 11.9mA
AUTOPOLARIZACIN
VGS
RS
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A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:
La recta
representa una RS pequea y proporciona un elevado valor de g m , ideal para
una buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en
los parmetros del JFEt, como puede observarse.
ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
La recta
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta
produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo produce
valores de g m bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin dado por la recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la polarizacin fija ya que el punto de operacin es
ms estable.
En la recta
la RS puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia.
RS ptima puede calcularse:
RS =
V G S o ff
I D SS
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iDS
V
= I DSS 1 GS
V
GSoff
Normalizando:
iDS
V
= 1 GS
I DSS VGSoff
2
K = (1 K )
K = 1 2K + K 2
K 2 3K + 1 = 0
Resolviendo la ecuacin cuadrtica:
K1 = 0.382
Como:
K 2 = 2.48
i
K = DS
I DSS
iDS = K1 I DSS
VGSQ = 0.382VGSoff
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iDS =
VDD vDS
RD + RS
EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operacin se ubique
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarizacin.
Calcular adems el valor de g m en el punto de operacin.
Solucin:
VGSoff
RS =
I DSS
RS = 214 220
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RD =
VRD
I DSQ
12 6 220(5.35mA)
5.35mA
RD = 900
RG se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del JFET.
En este caso se propone de:
RG = 1M
1 VGS
V
GSoff
2(14mA)
1.5
gm =
1
( 3)
3
gm =
2 I DSS
VGSoff
g m = 5768S
VGG vGS
RS
VGG
como se observa
RS
en la figura:
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De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores
debido a que I DSQ es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar valores
elevados de VDD para que VGG sea lo ms grande posible y asi el punto de operacin sea
ms estable.
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
VDD = VRD + VDS + VRS
VDD VDS
RS + R D
EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensin y de tal modo que se cumplan los
siguientes datos:
Punto de operacin a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentacin VDD = 12V y calcular el valor de g m en el
punto de operacin.
Solucin:
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VGG VGSQ
VGG
Rs
VGSQ
I DSQ
3.91V
3.06mA
Rs = 1278
RD =
12 6 3.91V
3.06mA
RD = 683
R1 =
RG
Eligiendo RG = 1M
VGG
1
VDD
R1 = 1.2 M
R2 =
VDD
RG
VGG
R2 = 6 M
EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarizacin con FET, determinar el punto
de operacin.
a)
Solucin:
El punto de operacin se obtiene analticamente a partir de la interseccin de la curva de
transconductancia con la recta de polarizacin.
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iDS
iDS
V
= I DSS 1 GS
V
GSoff
V VGS
= GG
Rs
V
= I DSS 1 GSQ
V
GSoff
VGG VGSQ
Rs
VGG VGSQ
RsI DSS
1
VGSoff
= 1
2VGSQ
VGSoff
VGSQ
VGSoff
1
2
2
VGSQ +
RsI
VGSoff
DSS
VGSQ + 1 = 0
1
VGSoff
1
= 0.0625
16
1
2
= 0.604
RsI DSS VGSoff
c =1
x = VGSQ
Resolviendo la ecuacin cuadratica:
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VGSQ =
0.604
( 0.604)2 4(0.0625)
2(0.0625)
VGSQ1 = 7.546V
VGSQ 2 = 2.12V
Este ltimo valor de VGSQ es el correcto ya que para el otro, el canal estara cerrado por
completo e I DSQ = 0 .
I DSQ =
VRS VGSQ
=
Rs
Rs
I DSQ = 1.767mA
o de otra manera
212
= 8mA1
I DSQ
I DSQ = 1.767mA
gm =
2 I DSS
VGSoff
V
1 GSQ
V
GSoff
g m = 1880S
VDSQ = VDD I DSQ (RD + Rs )
VDSQ = 4.05V
b)
DATOS
VDD = 12V
I DSS = 6mA
VGS OFF = 3V
rds = 25K
R1 = 100 K
R2 = 1M
RS = 1K
RD = 1.6 K
rs = 50
RL = 1.2 K
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V
= I DSS 1 GS
V
GSoff
Rs
VGSQ
= I DSS 1
V
GSoff
VGG VGSQ
2VGSQ
VGG VGSQ
I DSS Rs
=1
VGSoff
VGSQ
VGSoff
Reacomodando:
1
VGG
2
2
1
+
=0
V
V
+
GSQ
GSQ
2
RsI
I DSS RS
VGSoff
DSS VGSoff
1
ax2 + bx + c
a=
1
VGSoff
b=
1
9
1
2
= 0.833
RsI DSS VGSoff
c =1
VGG =
VGG
I DSS Rs
R1
VDD
R1 + R2
VGG = 1.091
c = 0.818
0.833
VGSQ =
( 0.833)2 4 1 (0.818)
9
1
2
9
VGSQ1 = 6.338V
VGSQ 2 = 1.16V
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I DSQ =
I DSQ
VGG VGSQ
Rs
1.091 ( 1.16)
=
1000
I DSQ = 2.25mA
VDSQ = VDD I DSQ (RD + Rs )
VDSQ = 6.15V
gm =
2 I DSS
VGSoff
V
1 GSQ
V
GSoff
g m = 2451S
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