Introduccin a la Electrnica - Apuntes Tericos

Dr. Ing. David M. Petruzzi

UNIVERSIDAD NACIONAL DE MAR DEL PLATA

FACULTAD DE INGENIERA
INGENIERA ELCTRICA

INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA
UNIDAD N 1: DIODOS SEMICONDUCTORES :
1.1- Unin PN:
Las propiedades caractersticas de la unin de materiales semiconductores PN hacen posibles
las acciones de rectificacin y de transistor.
Una unin PN puede ser considerada como la frontera entre una capa de material
semiconductor tipo P (contaminado con impurezas aceptoras de electrones (boro, galio e
indio) y otra del tipo N contaminado con impurezas donoras de electrones (antimonio, fsforo
y arsnico).

Smbolo de la Unin PN

Portadores libres e iones asociados

+ huecos libres
electrones libres

Cargas descubiertas
Campo Elctrico
Potencial de barrera

Iones negativos: Impurezas con huecos libres luego de capturar electrones.

Iones positivos: Impurezas luego de perder los electrones que se hallaban libres.
Tanto la regin N como la regin P son elctricamente neutras.
Una vez unidos los materiales, los electrones libres de N se difunden hacia la regin P para
recombinarse con los huecos libres que all se encuentran y viceversa, dejando en ambos casos
cargas descubiertas (iones) en la vecindad de la unin lo que provoca la existencia de un
campo elctrico . El mismo se opone a la circulacin de corriente de recombinacin .
En equilibrio, el potencial de barrera originado por la existencia de cargas descubiertas se
iguala al potencial difusivo del gradiente de concentracin.
Por otra parte, en ambos materiales, la agitacin trmica logra con su energa romper enlaces
covalentes con lo que produce pares electrn-hueco. Del lado P los electrones son portadores
minoritarios, contando con un tiempo de vida medio, tras el cual vuelven a recombinarse con
los huecos disponibles. Si uno de stos electrones tiene la energa suficiente para alcanzar la
unin, ser arrastrado impulsado por la fuerza que ejerce el campo elctrico y atrado
por las cargas descubiertas del lado N (iones positivos + ).
Resumiendo, el flujo de portadores est compuesto de dos corrientes:
Ir I de recombinacin ( Energa suficiente para saltar la barrera en contra del )
Ig I de generacin trmica (portadores minoritarios favorecidos por el )

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Irp
Irn
N
Ign

Ir
Direccin convenc.
Ig

Igp

Ir = Irp + Irn

Ig = Igp + Ign

I
V

Sin corriente aplicada al diodo, y en equilibrio :

Irp = Igp
IT = Ir Ig = 0 Ir = Ig
Irn = Ign

Si se aplica externamente una corriente que se opone al campo elctrico :

IT = Ir Ig > 0 Ir > Ig
1.2 - Ecuacin del diodo:
Si se establece externamente un campo elctrico (a travs de una tensin aplicada), tal que se
oponga al existente en la unin, se habr polarizado al diodo en directa. Con ello disminuye el
campo y por ende el potencial de barrera VB .
La corriente generada trmicamente prcticamente no vara, sin embargo, la de
recombinacin lo hace significativamente para pequeos aumentos de la tensin
externamente aplicada V .
Si la tensin aplicada es nula (diodo en corto) , se verifica que: IT = 0 .
Por otra parte, se estn generando pares electrn-hueco de modo que: Ir 0 .
Ir = Ig

(1.1)

Si V = 0 ; se verifica que:
(VB/VT)
Ig = Ir = Ir0 . e

siendo : VT = k.T/q
con :

(1.2)

VB Tensin de barrera en equilibrio.

k

constante de Boltzmann = 1,38 x 1023 Watts.seg/K

Temperatura absoluta = [273 + T(C)] K

q carga del electrn = 1,6 x 1019 Cb.

Por ejemplo para

T = 25C VT 26 mV

Generalizando para todo valor de V :

(V VB )/VT
Ir = Ir0 . e

(1.3)

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(V VB )/VT
Ir = Ir0 . e

VB /VT
V/VT
Iro . e
. e

I = IT = Ir Ig = Ig . e

V/VT
= Ig . e

V/VT
V/VT
Ig = Ig ( e
1)

(1.4)

* Si V toma polaridad inversa y se hace tender su valor a infinito :

lm IT = Ig
V -

; por ello Ig tambin es llamada : corriente inversa de saturacin.

* Si V = 0 (diodo en corto) se verifica lo expuesto ms arriba : IT = 0

asntota

1.2 - Representacin grfica de la ecuacin del diodo:

La representacin de I vs. V (ecuacin 1.4)
es mostrada en la siguiente figura:
R
1.3 - Polarizacin directa: (Primer cuadrante) :
Se puede utilizar una aproximacin lineal por
tramos, utilizando las asntotas a la curva real
(en el primer cuadrante se presentan dos, lo
cual, justifica el modelo circuital equivalente
que dibujamos a continuacin :

I
Vi

Vi/R Recta de
carga

rf
IQ

VQ
-Is

Si conectamos una batera con una polaridad

que asegure que el diodo conduzca en directa y una resistencia en serie que limite la corriente por el mismo, podemos plantear:
I = (Vi V) / R

Polarizacin
Directa

-V
V

Nota : Los valores tpicos de V son:

para el Ge (Germanio) 0,2 V
Si (Silicio)
0,6 V

Vi = V + I . R V = Vi I . R

Polarizacin
Inversa

V
(umbral)

Vi

(1.5)

Esta funcin es una recta y es denominada recta de carga y al superponerla con la curva
caracterstica del diodo produce un punto de interseccin de las mismas denominado : punto
de trabajo Q , mediante el cual conocemos la tensin y la corriente a la que estar sometido
el diodo.
La curva exponencial presenta una asntota que corta al eje V en un valor denominado
tensin de umbral V ; su pendiente (dI/dV) es de valor elevado:
V/VT
dI

Is . e

=
dV

= gf =
VT

para T = 25C

rf

I
=
VT

I = 1 mA : rf = 26

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1.4 - Polarizacin inversa: (Tercer cuadrante)

Cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada,
mayor ser la zona de desercin en la unin. La
pendiente del primer tramo de la curva da un
valor altamente resistivo, esto puede ser
modelizado por una fuente de corriente
constante Ig ; en paralelo con una resistencia
muy elevada.

Vi

ID
-VD

Tensin de ruptura:
A medida que se incrementa la tensin inversa
aplicada al diodo ,hace lo propio la magnitud
del campo elctrico en la vecindad de la unin.
Para un valor lo suficientemente grande de ste
se produce una ruptura prdida de aislacin.
En otras palabras, el campo es tan intenso que
rompe directamente los enlaces liberando
portadores. Este mecanismo de ruptura es
denominado efecto
zener. Existe otro
mecanismo con el mismo resultado:
la tensin inversa en combinacin con los
portadores liberados por energa trmica,
adquieren tal energa que liberan an ms
portadores,
producindose
un
efecto
multiplicativo denominado: efecto avalancha.
La corriente inversa del diodo en la regin de
ruptura debe estar limitada, nuevamente, por
una resistencia externa, con lo cual :
Vi = I.R V V = Vi I.R

ID

-Vi

-VQ

Q
-IR

-Vi/R

-ID
R
V

IZ

-V

I = (V + Vi) / R

-VZ

0
IZ min
Recta de Carga

Que es la ecuacin de la recta de carga en el

tercer cuadrante. Nuevamente, el punto de
trabajo Q surge de superponer dicha recta con
la curva del diodo .

I
V

1.5 - Diodos de ruptura:

Hemos visto los fenmenos fsicos que originan los
distintos mecanismos de ruptura:avalancha y
zener.
Veremos, a continuacin, que stos permiten ser
empleados como dispositivos de referencia de
tensin.
Presentaremos aqu el modelo elctrico que
surge de trabajar con la asntota (aproximacin
lineal por tramos) correspondiente al tercer
cuadrante de la caracterstica I vs. V que corta
con : V = VZ .

rZ
V

VD

IZ = 1 mA

rZ []

donde : rz = dV / dI y es una resistencia dinmica

y VZ Tensin de ruptura en inversa

10

Nota: El valor de la resistencia dinmica rZ

depende del parde valores: VZ e IZ (punto
sobre la curva).

20

VZ[V]

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De la familia de curvas se puede notar que presentan un mnimo dentro de un rango de valores
de VZ comprendido aproximadamente entre 6 y 8 Volts.
Vemos que : V + V = I .R + VZ + I.( rZ + R) = R ( I + I) + VZ + I.( rZ )
donde :

VZ = I.( rZ ) ;

I = V / (rZ + R )

y dado que :

VZ = V . rZ / (rZ + R )

(1.7)

En el caso ideal que rZ sea nula , las variaciones de tensin que presente la entrada no se
vern reflejadas en la salida sobre el diodo zener. Es el caso del regulador de tensin ideal.
Pregunta para el alumno: qu ocurre con VZ al colocar una R (carga)en paralelo con el
zener?
Para poder trabajar en la zona de regulacin de tensin el mdulo de la corriente inversa debe
superar el valor de IZmn llamada corriente de codo :
I = (Vi VZ) / Rmx IZmn

Rmx = (Vi VZ) / IZmn

(1.8)

El valor mnimo de R estar definido por la mxima disipacin de potencia permitida por el
dispositivo semiconductor (valor que fija el fabricante del mismo) .

1.6 - Capacidad de barrera de unin: (Diodo en inversa)

La regin vaca es un aislador excelente ya que est casi libre de portadores, anlogamente al
dielctrico de un capacitor. Las regiones que limitan con las desiertas tienen muy buena
conductividad y por lo tanto son anlogas a los electrodos de dicho condensador. La anchura
de la zona vaca (longitud del dielctrico) aumenta con el incremento de la tensin inversa
aplicada, mantenindose constante la seccin y la permitividad del dielctrico. Por lo dicho
hasta aqu, el diodo polarizado en inversa se comporta variable con la tensin (inversa).
(Valores tpicos: 3 100 pF).
La corriente de fuga (inversa de saturacin) del mismo es 1 A (Se prefiere el Si al Ge).

1.7 - Diodos varactores: ( Varicaps)

Como consecuencia directa del ajuste de la capacidad de transicin con la tensin inversa
aplicada a un diodo, se fabrican especialmente aprovechando ese fenmeno los diodos
varactores varicaps.

Smbolo:

Modelo elctrico :

Curva caracterstica:
CV [pF]

RP
rs

CVO

CV
0

Vinv [V]

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1.8 Dependencia de las caractersticas PN con la temperatura :

a) Diodo en directa :
Hemos visto que en la ecuacin del diodo se evidencia la dependencia de sta con la
temperatura a travs de VT y resulta que :
Para el Ge = 2,1 mV / C
dV / dT
=

ID
Si = 2,3 mV / C
T = 300K
T

b) Diodo zener :
Es importante predecir qu deriva
tendr VZ con la temperatura, ya que es
utilizado para obtener una tensin de
referencia.
En la figura se puede observar que, por
ejemplo, Para una corriente inversa de 5
mA es conveniente Trabajar con Vz lo
ms cercano posible a 5,5 V ; Ya que el
coeficiente
trmico
ser
aproximadamente nulo .

VD

CT [%/C]
IZ = 5 mA
+0.10
+0.05

-0.05
-0.10

10

15 VD [V]