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1 - Transistores II - v1.0 PDF
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CAMPUS DE GUARATINGUET
Colgio Tcnico Industrial de Guaratinguet Prof. Carlos Augusto Patrcio Amorim
Transistores II
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ndice
1 Transistor como Chave...............................................................3
1.1 Definio de Corte e Saturao ..............................................3
1.2 Corrente de Base .................................................................4
1.3 Exerccios de Fixao ............................................................6
2 Reguladores Transistorizados ......................................................9
2.1 Regulador Srie ...................................................................9
2.2 Regulador Paralelo ............................................................. 10
2.3 Regulador com Amplificador de Erro ..................................... 11
3 Conexo Darlington ................................................................. 13
4 Transistores por Efeito de Campo (FET)...................................... 14
4.1 JFET (Junction Field Effect transistor) ................................... 14
4.1.1 Polarizao do JFET ....................................................... 15
4.1.1.1 Curvas de Dreno ..................................................... 16
4.1.1.2 Curva de Transcondutncia....................................... 17
4.1.1.3 Polarizao com VGS constante .................................. 18
4.1.1.4 Autopolarizao....................................................... 20
4.1.2 Aplicaes do JFET ........................................................ 22
4.1.2.1 Chave Analgica ...................................................... 22
4.1.2.2 Multiplex Analgico .................................................. 23
4.1.3 Exerccios de Fixao..................................................... 24
4.2 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ............................ 25
4.2.1 MOSFET de Depleo..................................................... 25
4.2.2 MOSFET de Acumulao................................................. 26
4.2.3 Proteo da Porta ......................................................... 28
4.2.4 Aplicaes do MOSFET ................................................... 29
ANEXO A Teste de Diodos e Transistores ....................................... 31
Referncias Bibliogrficas............................................................... 32
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EXEMPLO 1:
A abaixo mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado
por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?
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SOLUO:
Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste
caso, ele se comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de
coletor, a tenso de sada iguala-se a +5V.
Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:
IB =
5 0,7
= 1,43mA
3.10 3
IC =
5
= 15,2mA
330
EXEMPLO 2:
Recalcule os resistores RB e RC no circuito anterior para um IC=10mA.
SOLUO:
Clculo de IB:
I B ( SAT )
10.10 3
=
=
= 1,0mA
10
IC
Clculo de RC:
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RC =
VCC
5
=
= 500
I C 10.10 3
Clculo de RB:
RB =
VE VBE 5 0,7
=
= 4,3k
IB
1.10 3
Parmetros do Transistor:
VBEsat = 0,7V
VCEsat = 0,3V
sat = 20
ICmax = 200mA
VCEmax=80V
Parmetros do LED:
VD = 1,5V
ID = 25mA
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Parmetros do Transistor:
Parmetros do Rel:
VBEsat = 0,7V
RR = 80
VCEsat = 0,3V
IR = 50mA
sat = 10
ICmax = 500mA
VCEmax=100V
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Parmetros do Transistor:
VBEsat = 0,7V
VCEsat = 0,3V
sat = 40
ICmax = 1,5A
VCEmax=60V
Parmetros do Transistor:
Parmetros do Rel:
VBEsat = 0,6V
RR = 60
VCEsat = 0,2V
IR = 80mA
sat = 10
ICmax = 500mA
VCEmax=100V
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2 Reguladores Transistorizados
Apresentaremos
agora
reguladores
de
tenso
que
utilizam
de
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FUNCIONAMENTO:
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FUNCIONAMENTO:
R
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1 e V L = 1 + 2 .(VZ + V BE 2 ) .
R3
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3 Conexo Darlington
A conexo Darlington uma forma de acoplamento direto entre dois
transistores, muito utilizada, como mostra da figura abaixo:
iC
iB
T = 1 . 2 =
iE 2 = T .iB1
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condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o
canal.
Para um dado VGG, as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor
(D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG
que produz o corte simbolizada por VGS(Off).
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Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0V e
4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual
intensidade da tenso de corte da porta-fonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma
propriedade inerente a todos os JFET.
Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio,
isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado
por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na
figura, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS
de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho
entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.
4.1.1.2 Curva de Transcondutncia
A curva de transcondutncia ou transferncia de um JFET um grfico
da corrente de sada versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua
equao :
V
i D = i DSS 1 GS
V
GS ( off )
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A impedncia vista pelo terminal da porta muito alta, pois juno est
polarizada reversamente. Por isso, VGSQ = - VGG. Assim o resistor RG utilizado
apenas para definir a impedncia de entrada do circuito, no influenciando na
polarizao do JFET.
Logo, basta calcular o valor de RD para polarizar o transistor.
Da malha de sada obtemos: R D =
V DD V DSQ
I DQ
EXEMPLO:
Polarizar o JFET do circuito abaixo no seguinte ponto quiescente:
IDQ = 1mA; VDSQ = 15V; VGSQ = -1V
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RD =
VDD VDSQ
I DQ
25 15
= 4k
2,5.10 3
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4.1.1.4 Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte de alimentao, eliminando-se
VGG. Isto feito utilizando-se um resistor RS em srie com a fonte do JFET,
para gerar uma tenso reversa na juno porta-fonte.
VGS = RS .iD RG .I G
Como iG praticamente nula devido alta impedncia de entrada,
temos:
VGS = RS .iD
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Pela curva de transferncia com valores tpicos, atravs dos pontos IDQ
e VGSQ previamente escolhidos, determina-se o resistor RS, pela malha de
entrada:
RS =
VGSQ
iDQ
RD =
EXEMPLO:
Dado
circuito
abaixo,
calcule
os
resistores
RD
RS
para
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RS =
VGSQ
iDQ
( 2)
= 2 k
1.10 3
RD =
25 15 2
= 8k
1.10 3
RDS ( on ) =
VDS ( sat )
iD ( sat )
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vrias
chaves
analgicas
em
paralelo,
tem-se
um
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VG = 0V VS 0V
VG < VG ( off ) VS VE
Transistores II Prof. Marcelo Wendling
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I D = k .I D ( on )
Onde:
VGS VGS ( th )
k =
V
GS ( th )
GS ( on )
isolante
devido
transientes
de
tenso
causados
por
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EXERCCIO:
Prove que o circuito abaixo atua como uma porta NOR.
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Referncias Bibliogrficas