Dispositivos

Circuito Aplicacin: Memoria PROM usando

diodos de respuesta rpida alimentado por
una fuente de voltaje fija de 5 volts.
Alumno: Espinosa Acevedo Hctor
Guillermo
5CV4

Objetivo:
Poner en prctica los conocimientos adquiridos durante este primer parcial y
elaborar un circuito en el cual se pueda hace un anlisis amplio acerca del uso
de los diodos, realizando simulaciones, clculos y finalmente un circuito
funcionando.
Introduccin:
Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente
elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un cortocircuito con
muy pequea resistencia elctrica.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial, permitiendo el paso

de la corriente de
electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del material n, con
lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del material

p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la barrera de potencial, los electrones libres
del material n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del
cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p

convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es

atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la barra de potencial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems,
existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. No obstante, al igual que la corriente inversa
de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Memoria PROM
PROM es el acrnimo en ingls de programmable read-only memory, que
significa memoria de solo lectura programable. Es una memoria digital
donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti fusible),
que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser
programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas
para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando
los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Diagrama de Circuito

Explicacin del Circuito

El diagrama del circuito hace la funcin de una memoria PROM memoria de
solo lectura programable, la memoria est programada de tal forma que el los
leds solo se muestren en forma binaria los nmeros impares, para el caso de
cualquier nmero par los leds no mostraran nada, es posible que se muestren
los nmeros pares pero debe cambiarse el arreglo de diodos en el
decodificador.

El decodificador 74LS138 tiene todas sus salidas negadas, para cada entrada
en el decodificador solo habr una salida activada en bajo y las dems estarn
en estado alto, en el ejemplo anterior la salida Y5 del decodificador est en
estado bajo y hay dos diodos conectados en esta salida del decodificador lo
que har que los diodos entren en conduccin y la corriente se dirigir hacia la
terminal Y5 y no haca las terminales S3 y S1, en este caso las terminales
mencionadas anteriormente tendrn un nivel bajo, estos datos sern entradas
en un Octal Bus Trasceiver 74LS245, lo que har este integrado ser pasar las
entradas como salidas, este integrado se activa por el mismo dip switch de
entradas del decodificador, aparte de ser un pasadatos es el integrado que
hace que solo enciendan los leds en nmeros impares ya que si en el dip
switch se tiene como un entrada un nmero par, por la conexin que tiene el
integrado este se desactivar impidiendo mostrar algn dato en los leds.

Simulacin

Tabla de Verdad
Entrada Salida
0000
0000
0001
0001
0010
0000
0011
0011
0100
0000
0101
0101
0110
0000
0111
0111
1000
0000
1001
1001
1010
0000
1011
1011
1100
0000
1101
1101
1110
0000
1111
1111

Lista de Material
Componente
Dip Switch 4
posiciones
Resistencias
4.7k
Resistencias 330

Diodos 1N4148
74LS138
74LS245
LED

Cantida
d
1
4
8
12
1
1
4

Fotos del Circuito

Entrada: 0001

Salida: 0001

Entrada: 0010

Salida: 0000

Entrada: 0011

Salida: 0011

Fuente de Voltaje Regulada 5v

Circuito de rectificacin

Seal de salida en la resistencia de carga

Voltaje CD y CA en la carga

Circuito de rectificacin con filtro capacitivo

Voltaje CD en resistencia de carga y el filtro capacitivo

Seal de salida en la resistencia de carga y el filtro capacitivo

Voltaje de rizo producido por el filtro capacitivo

Circuito con Regulador Zener 5v

Clculos para circuito de Rectificacin

V out =V R

V P =V R P+ V D 1 P +V D 2 P V DP 0.7 V P
L

Rectificador Onda
Completa

V inPico

47.37 Vp

Ti

16.66 ms

V OutPico

45.97 Vp

V OutCD

29.26 V CD

V OutCA

32.5 V CA

POutCD

856.1476 mW

POutCA

1.056 VA

T Out

8.33 ms

f Out

120 Hz

V rizopp

174.128 mV r ( pp)

Factor rizo 0.0038

V R P=V PV D 1 P V D 2 P
L

V R P=47.37V P0.7 V P 0.7 V P =45.97 V P

L

V OutCD=V prom =
I OutCD =

2 V p 2 ( 45.97 ) V P
=
=29.26 V

V CD 29.26
=
=29.26 mA
RL 1000

PCD =( V CD ) ( I CD )= ( 29.26 V CD ) ( 29.26 mA ) =856.147 mW

f out =2 f =120 Hz
T out =

1
f out

V OutC A =

VR

1
=8.333 ms
120
P

2
2

PCA =

45.97 V P
=32.5 V C A
2
2

V OutCA 32.5 V CA
=
=1.056 VA
RL
1000

V r (pp )=

V p(rect)
45.97 V P
=
=174.128 mV r ( pp)
f R L C ( 120 Hz ) (1000 ) ( 2200 F )

V CD =( V rectificadoPico V rizo )=( 45.97 V 174.128 mV )=45.79 V

r=

V r ( pp) 174.128 mV r( pp)

=
=0.0038
V CD
45.79V

Fotos fuente de Voltaje

Voltaje en el embobinado
secundario

Voltaje CA a la salida del rectificador

Voltaje CD a la salida del rectificador

Voltaje CD a la salida del capacitor

Voltaje en diodo zener regulando

Observaciones
No fue difcil hacer el clculo matemtico del circuito, esa algo que ya
habamos hecho para el anlisis de la prctica 3 y en el saln tambin vimos el
anlisis a detalle.

Algo que pude notar es que en multisim no sala la simulacin correcta de la

memoria por eso decid simularlo en Proteus y la simulacin de la fuente de
voltaje lo realic en multisim, me parece ms fcil el anlisis de seales en
multisim.

Conclusiones
Concluyo el buen trabajo que realic para este circuito a base de clculos y
simulaciones, todo lo analizado en el saln sirve de mucho para este tipo de
circuitos donde se nos pide realizar cualquier aplicacin con diodos con base en
la teora.
Realizar esto provoc que repasara la teora no solo para este anlisis sino
tambin para el examen.

Fuente de Voltaje regulada 5V sin Carga

La carga para el circuito de regulacin est dado por:

V r (pp )=

V p(rect)
V p (rect )
45.97 V P
RL =
=
=662.335
f RL C
f V r ( pp) C ( 120 Hz ) ( 262.901 V r ( pp) ) ( 2200 F )

Seales de salida en osciloscopio.

En el osciloscopio se mostr una seal de rectificacin

El rizo del circuito de regulacin muestra

cercano al que result de la simulacin.

1
1
f =120 Hz T =
=8.333 ms
f 120

V p(rect )=48.6V P

V r (pp )=280 V PP un voltaje muy

Mediciones sin carga

Voltaje

V Z =5.125 V

sin carga

carga

Corriente

I R =75 mA
s

sin carga

Mediciones con carga (alimentando circuito)

Voltaje

V R =40.32V
s

sin

Voltaje
carga

V R =40.93 V
s

con carga

Voltaje

V Z =4.522V

con

Corriente

I R =76 mA
s

con carga

Voltaje rizo circuito de regulacin con carga (circuito alimentado)

El rizo del circuito de regulacin con carga es de

1
1
f =117.1 Hz T =
=8.539 ms
f 117.1

V r (pp )=292V PP

Resistencia de Carga mnima para mantener el Diodo Zener en

regulacin

R Lmn=

Rs V Z
( 560 )( 5 V )
=
=70.281
V i V Z 44.84 V 5V

V R =V i V Z =44.84 V 5 V =39.84 V
S

IR =
S

V R 39.84 V
=
=71.14 mA
RS
560
S

I R =I R I ZM =71.14 mA 32 mA=39.142 mA
Lmn

R Lmx =

Vz
5V
=
=127.73
IR
39.142 mA
Lmn

Resultados Obtenidos en laboratorio