Magnetizacin local inducida por luz utilizando nanoestructuras y molculas quirales

Introduccin
Con la creciente demanda de reduccin de escala de los circuitos

allanar el camino para dispositivos basados en molculas quirales

magneto-resistentes gigantes.

integrados, las nano-estructuras estn llamadas a convertirse en los

principales componentes de futuros dispositivos electrnicos.
Adems de la miniaturizacin y una disminucin en el consumo de
energa tienen la mxima prioridad en el desarrollo de la tecnologa
de la informacin y la comunicacin [1]. Se estn adoptando
enfoques diferentes para lograr tcnicas ms eficiente y a ms
pequea escala, entre los que se encuentra el campo de la
espintrnica (electrnica de transporte del espn). En contraste con
los aparatos electrnicos convencionales, donde la carga del
electrn es utilizado para operaciones lgicas, as como para la
transmisin de datos y almacenamiento, en la espintrnica el espn
(momento angular intrnseco del electrn) se convierte en el
importante grado de libertad. En principio, la aplicacin de la
espintrnica debe resultar en dispositivos ms eficientes,
reduciendo el consumo de energa en la informtica y en el
almacenamiento de informacin. Y puede servir de base fsica para
el nuevo paradigma de computacin cuntica.
Usualmente el transporte de electrones espn selectivo est
asociado con materiales magnetizados, o que tienen grandes
acoplamientos de orbita espn.
La inyeccin de espn, especialmente la inyeccin de un metal

Figura 1. Diagrama esquemtico de un arreglo de transferencia de espn a

travs de una molcula quiral

En este trabajo, utilizando molculas quirales y nanocristales

(NCs), se ha conseguido magnetizacin local basada en el espn,
generada pticamente a temperatura ambiente. La localidad fue
obtenida tanto por incorporar el recientemente desarrollado
procedimiento de absorcin selectiva de los NCs (vase Fig. 2e) y
tambin por la iluminacin selectiva mediante una mscara.
Mediante la excitacin ptica de los NCs, se tuvo la capacidad de
transferir el par de giro slo a una capa ferromagntica (Fig. 2f). A
temperaturas inferiores, el efecto Hall anmalo (AHE) fue medido.
Son discutidas en este trabajo, las aplicaciones para el uso de un
simple dispositivo lgico basado en el espn, as como un chip
local de resonancia magntica nuclear.

magnetizado a un semiconductor, sufre un desequilibrio de

impedancia, lo que resulta en bajas eficiencias de inyeccin de
espn o mayor necesidad de energa. Las diversas estrategias que se
han utilizado para abordar este problema slo han tenido un xito
parcial. Sin embargo, un enfoque totalmente nuevo para este
problema ha surgido en los ltimos trabajos sobre selectividad de
espn en el transporte de electrones a travs de molculas quirales,
especficamente, las molculas con una estructura secundaria
helicoidal (el efecto de selectividad quiral inducido por el espn,
CISS). Dichas molculas funcionan como filtros de espn con una
sorprendente alta eficiencia, incluso a temperatura ambiente (RT).
Tericamente, los principales enfoques del problema pueden ser
categorizados como dispersin teora cuntica y transporte. En
ambos casos, las molculas actan como un filtro de espn o
polarizadoras de espn. Dicha capa quiral para aplicaciones de
memoria magntica se utiliza para lograr la memoria magntica sin
un imn permanente.
El dispositivo de memoria basada en molculas quirales utiliza una
configuracin vertical, que limita el funcionamiento de dichos
dispositivos. Utilizando tanto la configuracin vertical como las
configuraciones en el plano se pueden abrir posibilidades para
esquemas lgicos de espn en tres dimensiones (3D) as como

Figura 2. a. Diagrama esquemtico del sensor basado en Si. b. Microscopa

ptica de la vista superior del sensor de Hall basado en Si. c. Imagen por
microscopia de barrido electrnico de los NCs absorbidos en las molculas
quirales unidas a la superficie de Ni. d. Diagrama esquemtico del sensor
basado en Ni. e. Espectro de absorcin normalizado de los NCs de InAs y
CdSe f. Ilustracin del mecanismo de transferencia de torque de espn

Mtodos y detalles experimentales

Una prueba local del campo magntico se logr usando diferentes
configuraciones del sensor de efecto Hall, as como la prueba
magntica local MFM (microscopia de fuerza magntica).
El efecto Hall consiste en una acumulacin de carga en la
superficie lateral de un material cuando se le aplica una corriente
elctrica en presencia de un campo magntico que no es paralelo a
la direccin de la corriente. En los materiales ferromagnticos, el
efecto Hall presenta dos tipos de contribuciones independientes
que pueden ser tenidas en cuenta usando la ecuacin:

(1)
Donde H (xy) es la resistividad Hall, y 0 es la permeabilidad del
vaco. El primer trmino, representa el efecto Hall ordinario (R0
coeficiente Hall ordinario); y el segundo trmino, proporcional a la
magnetizacin M de la muestra, representa el efecto Hall
espontneo o anmalo (RA coeficiente Hall espontneo) [2].
Por analoga, se habla de efecto Hall de espines (SHE) cuando la
acumulacin, tambin en la superficie lateral del material, es de
espn al aplicarle una corriente elctrica en presencia de
interaccin espn-rbita. Por otra parte, as como una corriente de
carga induce en el SHE una corriente lateral de espines, existe el
efecto inverso (ISHE) en el que una corriente de espines genera
una corriente de carga. Ambos efectos son matemticamente
equivalentes, y estn relacionados con el efecto Hall anmalo
(AHE), que se observa en materiales ferromagnticos [3].
La microscopa de fuerza magntica (MFM) permite obtener
imgenes asociadas a la variacin espacial de fuerzas magnticas
sobre la superficie de una muestra. En MFM, la punta est
recubierta con film muy fino de un material ferromagntico. El
sistema opera en el modo no-contacto y detecta cambios en la
frecuencia de resonancia del cantilver inducidos por la
dependencia de los campos magnticos con la distancia puntamuestra. La MFM se puede utilizar para diferenciar entre distintos
dominios magnticos dentro de un material a escala nanoscpica.
Estos dominios pueden haber sido introducidos de una manera
artificial o natural [4].
Por otro lado, un concepto sumamente importante para abordar el
tema de la magnetizacin local inducida es la polarizacin de una
onda electromagntica (en este caso la luz). La polarizacin de una
onda plana uniforme describe la forma y el lugar geomtrico de la
punta del vector de campo elctrico E (en un plano perpendicular a
la direccin de propagacin) en un punto dado del espacio en
funcin del tiempo. En el caso ms general este lugar geomtrico
es una elipse y decimos que la onda est elpticamente polarizada;
y en ciertas condiciones la elipse puede degenerar en una

circunferencia o en un segmento de lnea recta, en cuyo caso la

polarizacin se llama polarizacin circular o lineal respectivamente
[5].
La configuracin de efecto Hall hace posible disear un dispositivo
con una tensin de salida proporcional al campo magntico local.
Tres tipos diferentes de sensores de efecto Hall con diferentes
capas ferromagnticas fueron utilizados a fin de reducir posibles
artefactos. En el primer sensor, nosotros magnetizamos una capa
de Ni de 5 nm de grosor situado encima de una capa de silicio
(Si) dopada superficialmente por portadores tipo p que acta como
un sensor de efecto Hall (Fig. 1a). El segundo tipo de sensor de
efecto Hall (especficamente, el sensor estndar basado en Si),
utiliza la difusin de fsforo en la capa de Silicio dopado por
portadores tipo n. La resistencia de este sensor es menor y el
sensor es inmune a derivas de capacidad y calentamiento. Por
ltimo, se ha utilizado una fina capa de Ni de 7 nm como capa
conductiva de Hall (Fig. 1d). Por consiguiente, el transporte
resultante en el canal de Ni es sensible al espn inyectado en los
estados de la superficie superior de la capa oxidada, que induce la
transferencia de torque de espn (giro) en el canal de Ni. Este
sensor se denomina en adelante el sensor Hall basado en Ni. En
todos los tipos de sensores Hall, sensores basados en Si y Ni, se
han utilizado diversas reas activas en las que las molculas y los
nano cristales (NCs) fueron absorbidos.
A fin de obtener magnetizacin localizada muy estable, una
delgada muestra de cobalto (Co) depositada epitaxialmente fue
utilizada, es decir, una muestra basada en Co. Como ya se ha
demostrado en estudios recientes para la configuracin Au/Co/Au,
una capa de Co de 15 de espesor muestra una magnetizacin
perpendicular anisotrpica con un estable y alto estado de
remanencia. Esta magnetizacin remanente estable habilita el uso
de una mascarilla ligera y por lo tanto localmente la muestra
excitada puede ser rastreada por mapeo de la magnetizacin con
MFM (microscopa de fuerza magntica). Se ha demostrado
recientemente que las molculas AHPA-L sostienen su estructura
quiral con Al2O3 en la parte superior.
El espesor de 5 nm de Ni fue seleccionado con el fin de lograr la
mxima

magnetizacin

perpendicular.

Fue

demostrado

previamente que en una fina capa de Ni, la pelcula de Ni se divide

en dominios, permitiendo magnetizacin perpendicular. La
magnetizacin de la muestra de 7 nm de Ni fue menos estable a
RT, a diferencia de la muestra de 5 nm de Ni. El espesor reducido
ayud a la muestra de 5 nm lograr una estructura ms estable de
dominio magntico a RT. En la parte superior de la delgada capa de
Ni, en todos los dispositivos, una hlice orgnica de (AHPA
polyalanine L-L) y NCs de InAs (CdSe) fueron absorbidos despus
de varios pasos. En primer lugar, los dispositivos se quedaron en

etanol absoluto durante 20 minutos; despus se encontraban

ptica fue simple y las muestras fueron iluminadas a travs de la

inmersos en un 1mMol de solucin de etanol de la molcula

ventana de cuarzo cristalino del sistema spectromagPT.

orgnica durante 3 h. Este procedimiento permite a la monocapa

Por otro lado, un requisito general para la sntesis de NCs con

auto-ensamblada (SAM) formar un homogneo y estrechamente

propiedades pticas satisfactorias es el tipo de crecimiento

empaquetado de molculas de una sola capa. El exceso de las

epitaxial de la cpsula (vase Fig. 3). Por lo tanto, un apropiado

molculas orgnicas son retiradas de la superficie de la muestra

alineamiento de las bandas no es el nico criterio para la eleccin

mediante el lavado con etanol varias veces antes de que las

de los materiales de fabricacin, sino adems los materiales del

muestras se secaran con nitrgeno. Por ltimo, los NCs se adjuntan

ncleo y la cpsula se deben cristalizar en la misma estructura y

a la capa orgnica. Para ambos tipos de sensores Hall basada en Si,

exhibir una pequea discrepancia en la retcula [6].

la configuracin del experimento, se utilizaron NCs de InAs con

un tamao promedio de 5 nm de dimetro con un pico de emisin a
1200 nm. Para los dispositivos Hall basados en Ni, se utilizaron
NCs con ncleo de CdSe con un pico de emisin a 610 nm. La
Fig.1c muestra una imagen por microscopa de barrido electrnico
(SEM) de los NCs de CdSe absorbidos en la parte superior de las
molculas quirales AHPA-L.
La Fig. 2e muestra el espectro de absorcin para los NCs de InAs y
CdSe respectivamente. La Fig. 2a muestra una seccin transversal
de los contactos y el rea activa de los detectores basados en Si
superficial. La Fig. 2b muestra una vista superior de la imagen del
sensor basado en Si superficial, donde el canal conductor est a lo
largo del eje X y la tensin de efecto Hall se mide a lo largo del eje
Y. Aqu la delgada capa de Si p-dopado conduce entre dos

Figura 3. Imagen por microscopa de barrido electrnico de nanocristales

(NCs) de varias capas con su respectiva curva de respuesta en funcin de la
longitud de onda.

electrodos de oro. A diferencia de los sensores basados en Ni, en

La Fig. 4 ilustra el equipo o arreglo ptico. Para excitar el NC

ambos sensores basados en Si la capa de Ni no conduce. La brecha

pticamente, dos tipos de lseres fueron utilizados: uno bombeado

de energa del NC de InAs (Fig. 1e) fue elegida para que fuera 1

por diodos lser de estado slido de onda continua (CW) DPSS

eV, la cual es menor que la brecha mnima de la estructura de

1064 nm con potencia mxima de 150 mW en el rea de muestra

canal de Si (1,16 eV para el Si a granel a RT). Por lo tanto, se

(para sensores basados en Si) y un lser DPSS (CW) 532 nm con

puede excitar el NCs con una influencia mnima en el canal de Si.

potencia mxima de 10 mW en el rea de muestreo (sensor basado

Trabajos previos muestran que los espectros de los NCs cambian

en Ni y muestra basada en Co). La polarizacin circular

significativamente cuando se auto-ensamblan en un dispositivo. La

derecha/izquierda

Fig. 1d muestra un esquema del dispositivo basado en Ni donde

configuraciones Hall fue lograda utilizando un polarizador lineal

reas de absorcin no efectivas fueron utilizadas. Ambos

en el recorrido ptico (45 o 315, respectivamente) seguida por

dispositivos basados en Si estaban cubiertos con una capa de

una placa de cuarto de onda. La intensidad del lser resultante fue

pasivacin de Al2O3. Se ha demostrado recientemente que las

supervisada dividiendo la seal entre un detector de intensidad y la

molculas AHPA-L sostienen su estructura quiral con Al 2O3 en la

muestra del sensor Hall. Un simple obturador mecnico fue

parte superior. Este procedimiento se realiz para evitar la

colocado a lo largo del recorrido ptico para comparar las

oxidacin del Ni. Adems, la magnetizacin estable a RT se logr

mediciones de luz y oscuridad.

en estos dispositivos; por lo tanto la capa de nivelacin adicional

habilit que todas las mediciones de estos dispositivos pudieran
llevarse a cabo bajo condiciones de temperatura ambiente. La
resistencia de estos dispositivos no cambi ni antes ni despus de
la evaporacin del Ni.
El dispositivo basado en Ni a temperaturas bajas se midi
utilizando un sistema de bucle cerrado Oxford spectromagPT. El
sistema Oxford spectromagPT tambin fue utilizado para inducir
campos magnticos que van desde 0 a 0.7T. La configuracin

RCP/iluminacin

(LCP)

para

ambas

Figura 4. Diagrama esquemtico del arreglo o equipo ptico

La respuesta absoluta se calcula restando el desplazamiento desde

la RCP (LCP) Hall normalizados con respecto a la respuesta de la
resistencia total. A fin de excluir los efectos de calentamiento, la
mayora de las mediciones se hicieron con diferentes potencias de
lser en un modo diferencial, comparando entre las respuestas de
diferentes polarizaciones con la misma potencia total. El modo
diferencial tambin ayuda a reducir la respuesta dirigida
relacionada con los sensores de Si. La muestra basada en Co estaba
encendida durante 5 minutos a travs de una mscara de
transmitancia ptica que fue conectada mecnicamente a la
muestra. En este ejemplo, se esperaba que la magnetizacin fuera
estable el tiempo suficiente para ser medida y fuera mapeada
usando MFM. Esta medicin mostr una respuesta magntica muy
localizada (vase Resultados y Discusin).
Estudios previos han demostrado, que cuando una monocapa de
molculas orgnicas y los NCs estn acoplados a un transistor de
efecto de campo superficial, es posible medir las cargas que se
acumulan en la superficie de los estados del transistor como
resultado de la transferencia de carga desde los NCs excitados
pticamente. Las cargas acumuladas cambian el potencial
electroqumico y por lo tanto, pueden medirse como un cambio en
la corriente del transistor. Esto produce una variacin del potencial
electrosttico entre la capa de NCs y el bajo canal del transistor
semiconductor, lo que acta como una puerta de luz controlada. El
cambio en la corriente del transistor est correlacionada con la
cobertura del NC y la eficiencia de la transferencia de carga (vase
Fig. 5).

filtros de espn. Los electrones excitados oscilan entre los NCs y la

capa de Ni. Debido al efecto CISS, un tipo de espn es
primordialmente transferido al Ni, mientras que el espn opuesto se
refleja de nuevo en los NCs, induciendo una transferencia de
torque de espn. Por consiguiente, mayormente un tipo de espn es
acumulado en la superficie del sensor en la zona de absorcin
activa eficaz, creando un campo magntico que puede medirse por
la tensin de Hall.
La mayora de sensores Hall tienen una pequea desviacin
mostrando un voltaje de Hall diferente de cero bajo condiciones de
oscuridad. Se atribuye esta pequea desviacin a la pequea
asimetra en los contactos actuales. En algunos casos, debido a los
efectos de sincronismo asimtrico y el efecto Schottky descrito
anteriormente, la desviacin cambi en virtud de la iluminacin.
Para corregir la diferencia de desplazamiento para cada sensor de
intensidad de iluminacin se tomaron tres mediciones. Se ha
medido la resistencia tensor usando dos polarizaciones circulares y
una polarizacin lineal.
Cuando slo se utiliz la polarizacin lineal, se estaban excitando
ambos tipos de espn en la misma proporcin y por lo tanto, los
efectos relacionados con el espn son ms pequeos. Si las
molculas de enlace no tienen propiedades de selectividad de
espn, entonces la excitacin con la polarizacin lineal debera
provocar cero magnetizacin. La magnetizacin RCP y LCP debe
ser pequea y de signo opuesto debido a la excitacin de un nico
tipo de espn en los NCs. Sin embargo, las cosas son ms
complicadas en el caso del filtrado de espn por las molculas
quirales. Aqu una verdadera transferencia de par de espn no
simtrico a la capa de Ni se crea. A fin de evaluar la respuesta
absoluta manifestada como transferencia de carga polarizada en la
capa quiral, utilizamos el concepto siguiente. En nuestro sistema,
la RCP es favorecida por la quiralidad molecular. Por lo tanto, se
denota el LCP desfavorable como -1, que es proporcional a la
medida de la tensin de Hall con un factor de desplazamiento,
mientras que la respuesta de voltaje Hall de la RCP es proporcional
a: +a (a es un nmero mayor o igual a1) con el mismo factor de
desplazamiento. Esto produce una relacin absoluta de 1:a entre las
respuestas LCP y RCP. El voltaje Hall asociado a la polarizacin

Figura 5. a. Diagrama esquemtico de un fototransistor de pocas capas de

MoS2. b. Imagen por microscopa de barrido electrnico de nano partculas
de oro (Au) con diferentes grosores (de 1 a 4 nm).

En este trabajo, se han utilizado dispositivos y mecanismos

similares para medir la transferencia de espn. La principal
diferencia es la medicin simultnea de la resistencia de Hall, xy,
y la resistencia longitudinal, xx, puesto que la transferencia de
carga se produce a travs de los enlaces quirales que actan como

lineal es por lo tanto proporcional a: 0,5(a - 1) con el mismo

desplazamiento. El desplazamiento aleatorio es el desplazamiento
del dispositivo bajo la medida de la intensidad de iluminacin sin
el factor de transporte de espn. Como se mencion anteriormente,
una desviacin pequea generalmente se introduce en el sistema
debido a una cierta asimetra en la densidad de corriente. En este
caso, mediante el uso de tres mediciones de magnetizacin con un
ajuste lineal se puede calcular el valor de la constante de
desplazamiento y la razn de magnetizacin.

mide. La escasa respuesta obtenida de muestras sin los NCs puede

atribuirse a los efectos de interface de espn recientemente

Resultados
La Fig. 6 presenta la respuesta del efecto Hall absoluto para la luz
de dos direcciones de polarizacin circular en el sensor basado en
el Si superficial. Todas las mediciones fueron realizadas bajo las
mismas condiciones y temperatura

ambiente. En tanto la

polarizacin circular derecha (lnea negra) y la polarizacin

circular izquierda (lnea roja), la seal bajo iluminacin es
comparada con la seal oscura (alternando cada 60 s entre la
oscuridad y la luz). Es evidente que la magnetizacin localizada
fue lograda en ambos casos. Sin embargo, mientras que la
respuesta absoluta de la polarizacin circular derecha es alrededor
de A= 12 (en algunas unidades arbitrarias), la respuesta absoluta de
polarizacin circular izquierda es alrededor de A= 3. Este cambio
en la resistencia Hall es 3 rdenes de magnitud ms pequeas que
la muestra de resistencia longitudinal, xx. La gran relacin de
asimetra de 1:4, medida entre las dos polarizaciones, garantiza la
magnetizacin local incluso cuando el sistema est excitado con la
luz no-polarizada. Tambin es interesante observar que el
coeficiente de asimetra logrado est de acuerdo con la
polarizacin medida en experimentos previos de transportes a
travs molculas quirales.

descubierto. A fin de mostrar la localidad de este mtodo, se han

fabricado dispositivos con dos tamaos de ventana: 700 m 80
m y 800 m 130 m y se ilumina la muestra con una mancha
mayor que el tamao del rea de absorcin activa. La
magnetizacin total es similar en ambos casos. En este sentido,
utilizando la absorcin selectiva para conseguir menores tamaos
de rea activa significa que la localidad de la magnetizacin
inducida bajo iluminacin y bajo condiciones ambientales podra
ser mejorada. En principio, con absorcin selectiva para diferentes
ventanas diferentes molculas quirales izquierda o derecha pueden
ser absorbidas, creando as la magnetizacin opuesta bajo la misma
iluminacin de luz no-polarizada.
La Fig. 7 muestra la respuesta de tensin Hall usando dos tipos de
molculas de enlace unidas covalentemente a la capa de Ni en el
sensor estndar basados en Si. En este caso, hemos utilizado los
mismos sensores y NCs, pero se reemplazaron las molculas
quirales AHPA-L por la molculas aquirales (2-metileno-1,3propanediyl)bis(triclorosilano) (di-silano). La relacin absoluta
entre las respuesta de tensin Hall de la RCP y la LCP para las dos
molculas se presenta en la Fig. 7a. Como es de esperar en las
molculas aquirales, se logra una pequea respuesta que es
simtrica para las dos polarizaciones. Esto es debido a la pequea
magnetizacin inducida por la excitacin de un tipo de espn en los
NCs. La parte superior del recuadro en la Fig. 4a muestra las dos
seales opuestas medidas para las molculas de di-Silano.
La respuesta total de la molcula di-Silano es mucho menor que la
molcula quiral AHPA-L (Fig. 7a parte inferior) debido a que las
molculas di-Silano no tienen el mecanismo de torque de espn
(giro) que existe en las molculas quirales. La Fig. 7b presenta una
medicin de calibracin de la tensin de Hall para diferentes
direcciones del campo magntico perpendicular externo. Esta
medicin muestra que la magnetizacin local inducida por luz es
de alrededor 200G. El recuadro muestra la respuesta absoluta de la

Figura 6. Respuesta de efecto Hall absoluto para dos polarizaciones

circulares como una funcin del tiempo.

RCP menos la LCP que decae como una funcin del campo
magntico externo. La diferencia entre la respuesta de RCP y LCP
disminuye con el aumento del campo externo. El campo magntico

El coeficiente de Hall en este caso puede ser evaluado a partir de la

de saturacin inducido por luz de 280G es sealado.

densidad de los agujeros en el canal y la magnetizacin lograda en

El sensor basado en Ni es una estructura ms sencilla y flexible

el estado estacionario se estima en 120G (vase la seccin de

que puede utilizarse con una eleccin ms adaptable de NCs. Aqu

discusin). La diferencia entre luz y oscuridad es repetible y, por lo

slo la evaporacin y el raspado son necesarios y no hay necesidad

tanto, el ruido podra ser promediado mediante las mediciones de

de elegir NCs con una separacin menor que la separacin de la

CA. El recuadro en la Fig. 3 compara la respuesta para muestras

banda en la estructura del Si. Otra importante ventaja de esta

con y sin los NCs (InAs). La magnetizacin grande bajo la

configuracin es que abre el camino a la conexin lgica de

iluminacin slo se logra con los NCs. Sin la creacin de los

estructuras en serie. La Fig. 8a muestra el componente xy relativo

excitones en los NCs, slo un pequeo efecto de magnetizacin se

a diferentes temperaturas. Como puede verse claramente la

respuesta de la tensin Hall aumenta con la temperatura. La seal

la magnetizacin es estable durante largos perodos de tiempo,

pequea medida a 1.5K podra resultar del pequeo AHE esperado

fueron crecidas utilizando un mtodo de MBE (crecimiento

en materiales ferromagnticos a bajas temperaturas. A estas

epitaxial por haces moleculares). El crecimiento epitaxial de la

temperaturas, para pelculas ferromagnticas la dispersin del

rugosidad de la muestra es muy pequeo (Fig. 6e). Por excitacin

espn es pequeo y, por lo tanto, el coeficiente Hall eficaz es

de luz RCP a travs de una simple mscara, una fase magntica

pequeo. Este resultado se espera de comportamiento previsto de

inducida a temperatura ambiente fue observada. Utilizando un

AHE. Aumentando las temperaturas, mientras se miden la luz

microscopio de sonda de exploracin (Dimension 3100 Nanoscope

versus la tensin de Hall oscura, resulta en un mejoramiento del

V) montado con punta magntica AFM; se podra mapear el campo

valor xy (RCP-LCP). Esto es cierto hasta que el efecto de

magntico a lo largo de la muestra de Co.

desmagnetizacin del Ni se vuelve fuerte. Note el gran aumento en

La Fig. 6a, c muestra la topografa de una rugosidad promedio de

el factor de asimetra cuando la temperatura cambia de 1,5 K a 50

1,5 nm, aunque se utilizaron NCs de 5 nm. Esto se atribuye a la

K, en comparacin con el menor incremento de 50 K a 225 K en la

punta magntica de 40 nm que no puede proporcionar la resolucin

temperatura. En la ilustracin de la Fig. 8a, la conexin entre xy

topogrfica en una escala de NC para alta densidad de NCs. La

xx se mide a diferentes temperaturas. La escala logartmica coloca

tcnica MFM utilizada a modo de levantamiento topogrfico que

los rendimientos 1 < < 2, como se ha observado anteriormente.

combina una imagen con una imagen de la fase magntica

La Fig. 8b se presenta una medida de referencia que reemplaza la

simultneamente. La Fig. 6 muestra las mediciones magnticas y

capas quirales por

molculas aquirales 3-mercapto-propil-

topogrficas del area iluminada en una muestra con molculas y

trimethoxysilan (MPS). En este caso, no se observa diferencia

NCs (Fig. 6a, b), el rea oscura en una muestra iluminada con

medible en el xy (RCP - LCP), en comparacin con la gran

molculas y NCs (Fig. 6c, d), y una muestra iluminada sin los NCs

diferencia medida a 50 K para la capa quiral.

(Fig. 6e, f).

Figura 7. Mediciones del sensor de efecto Hall basado en Si estndar. a.

Comparacin entre las mediciones con NCs enlazados con molculas
quirales y molculas aquirales bajo iluminacin RCP y LCP. b. Diagrama de
las mediciones de calibracin de la tensin Hall tanto para el campo
magntico externo perpendicular (+H) como para el anti perpendicular (-H).

Figura 8. a. Las componentes de xy relativa a diferentes temperaturas. c.

Una medida de referencia reemplazando la capa de molculas quirales por
molculas aquirales.

Las reas de absorcin activa local, evidentemente, pueden crear

una pequea tensin Hall de lectura que se ajusta hacia abajo
conforme decrece el tamao. Por lo tanto, para demostrar gran
localidad, se utiliza la tcnica de MFM. Los NCs de CdSe fueron
enlazados con molculas AHPA-L que fueron absorbidos en una
delgada capa de Au de 5 nm situada en la parte superior de una
delgada capa de Co de 1,5 nm. Las muestras basadas en Co, donde

Figura 9. MFM de una muestra basada en Co despus de una iluminacin

RCP a travs de una mscara de luz. a. Imagen topogrfica de una rea
iluminada localmente revela la absorcin del NC CdSe b. Imagen de fase
magntica de la misma area iluminada despliega una respuesta magntica
altamente localizada c. Imagen topogrfica de una area oscura durante la
iluminacin donde los NCs de CdSe pueden ser vistos. d. Imagen de fase
magntica de la misma area oscura sugiere que no ocurre magnetizacin. e.
Imagen topogrfica de una muestra de referencia iluminada sin NCs. f.
Imagen de fase magntica de la misma area iluminada sugiere que no ocurre
magnetizacin cuando no hay NCs.

espn a la capa de Ni (Fig. 1f). Una orientacin de espn es

inyectado en el Ni, mientras que el opuesto se transfiere en la

Discusin

direccin opuesta, generando una transferencia de torque de espn.

Los dispositivos presentados aqu se basan en el efecto de

Para pelculas delgadas ferromagnticas (5 nm Ni y 1,5 nm Co) la

selectividad quiral inducido por el espn (CISS). Est claro que el

densidad de corriente crtica lateral para la conmutacin es de

filtrado de espn que hace la capa orgnica es la fuente del efecto

alrededor de 106 A/cm2. Cambiar gradualmente el campo

de magnetizacin local y que los NCs son esenciales para lograr

magntico mediante el control de las paredes de los dominios

una sustancial magnetizacin. El tiempo de coherencia relevante

magnticos necesita corrientes crticas bajas, sin embargo, las

del espn de los NCs, T1, a temperatura ambiente es mayor que

clsicas geometras donde las corrientes son inyectadas en el plano

100 ps, ms que un orden de magnitud mayor que los tiempos de

de las capas magnticas sufren de una baja eficiencia en este

transporte a travs de las molculas quirales orgnicas. La vida

proceso. El mecanismo de transferencia de espn vertical es una de

radiativa es del orden de nanosegundos en estos sistemas.

las formas previstas para manejar eficientemente las paredes de

Por lo tanto, es razonable asumir que el estado excitado del espn

dominio magntico, por lo tanto, se considera para la conmutacin

no cambia drsticamente antes de que ocurra la transferencia de

de futuras memorias o registros espintrnicos. Las densidades de

carga. En este caso, cambios en la tensin de Hall entre las

corriente involucradas son unas 100 veces menor que la observada

excitaciones de polarizacin difractada

comnmente con corrientes en el plano, es decir, 103-104 A/cm2.

predominantemente se

originan a partir de la superposicin entre el estado excitado y la

El dispositivo sugerido de torque de espn gobernado pticamente

direccin de filtrado del espn. Por lo tanto, una magnetizacin

de acuerdo con el efecto CISS es inherentemente un dispositivo de

esperada tambin es probable para la luz no-polarizada donde el

transferencia de espn vertical. Los electrones excitados pueden

espn excitado es aleatorio, similar al efecto de polarizacin lineal.

oscilar a una tasa de 1010 Hz entre el estado de la superficie

En el sensor basado en Si superficial, una diferencia de repuesta de

ferromagntica y los NCs transfiriendo un torque de espn en cada

4 veces se mide entre las polarizaciones RCP y LCP estimuladas

perodo de oscilacin con una densidad de corriente en una

por la luz (Fig. 3). Esta relacin fue medida en obras anteriores y

direccin de alrededor de 10-9 A/NC para cada NC. La densidad de

sugiere que existe un fuerte efecto del filtrado de espn por las

NCs en las monocapas auto-ensambladas es de alrededor de 10 12

molculas quirales AHPA-L. En el sensor basado en Si estndar

NCs/cm2. Por lo tanto, la densidad del torque de espn vertical

una diferencia de 2 veces fue medida. No se puede entender

actual es de alrededor de 10 3A/cm2 que se encuentra dentro del

plenamente el origen de la menor selectividad; sin embargo, en

margen de trabajo de los dispositivos existentes.

ambos casos las molculas AHPA-L unidas covalentemente sirven

Debido a que el tiempo de desmagnetizacin del Ni es de ms de

como inyectoras de torque de espn. La Fig. 4b expone resultados

10 rdenes de magnitud mayor que el de los NCs, slo el tiempo

que ofrecen evidencia de que el efecto luminoso induce la

de desmagnetizacin de los NCs desempea un papel importante

magnetizacin en la capa de Ni. La diferencia entre la respuesta de

en el proceso de magnetizacin. Con un tiempo radiativo de

RCP y LCP decae cuando magnetizamos la capa de Ni mediante

nanosegundos y la elevada eficiencia cuntica de la absorcin de

un campo magntico externo. Cuando se satura la magnetizacin

luz, ms de 109 transferencias de espn tienen lugar cada segundo.

del Ni alrededor de 300G, la magnetizacin por CISS no puede

Una mejora en el rendimiento puede ser fcilmente alcanzado por

distinguirse.

los NCs y la optimizacin de la longitud molecular. Para los NCs,

Los NCs son excitados por la iluminacin y las cargas que pasan a

es preferible tener un T1que sea lo suficientemente corto (mucho

travs de la capa quiral hacia la superficie y regresan a los NCs. El

ms corto que el tiempo de desmagnetizacin del Ni) pero ms

momento magntico de las cargas est alineado en paralelo o anti

largo que el tiempo de transporte a travs de las molculas

paralelo al eje principal molecular (perpendicular a la superficie

quirales. Se obtendran beneficios si las molculas quirales fueran

del canal vinculado), de acuerdo con las propiedades asimtricas

ms largas, pues eso aumentara el efecto de filtracin de espn. No

quirales de las molculas. Cuando los electrones pasan entre los

obstante, largas molculas quirales requeriran ms tiempo de

NCs y el Ni, debido a la presencia de potenciales quirales, un tipo

transporte.

de giro es primordialmente transferido al Ni, mientras que el giro

Por consiguiente, la magnetizacin llegar a saturacin en un

opuesto es transferida a los NCs. Por lo tanto, cada carga que

determinado nivel de potencia de luz para cada sistema,

oscila entre la superficie y los NCs mejora la magnetizacin del Ni

dependiendo de las diferentes escalas de tiempo. Adems, la

en ambas direcciones de la corriente. En otras palabras, incluso sin

magnetizacin de la delgada capa de Ni se podra saturar entre

la carga de la superficie, las cargas oscilantes pasan un torque de

varias decenas a unos cientos de Gauss a temperatura ambiente. De

hecho, cuando se aadi un 20% a la potencia del lser de

la

carga

de

electrones;

la

densidad

de

electrones

es

27

excitacin no se produjo ningn cambio en la medida de tensin de

aproximadamente n 10 e/m3, que se encuentra en buen acuerdo

Hall debido al espn. La capa ferromagntica de Ni de 5 nm fue

con el valor esperado para el dopaje y los procesos de difusin de

elegida para lograr magnetizacin a temperatura ambiente (RT) en

una fuente slida con una concentracin de solubilidad saturada de

capas delgadas.

n 5 1026 e/m3. Aplicando un valor de coeficiente Hall de

La capa conductora de Ni (7 nm) podra permitir el uso de la

calibracin al Vxy (RCP: Lineal) 7 10 -6 V medido produce un

magnetizacin del Ni para una serie de dispositivos lgicos. Una

Bz 280G; esto corresponde muy bien a los resultados de los

capa de Ni magnetizado, podra estar conectada a otra capa

sensores de Si superficial y el valor estimado para el posible

ferromagntica mediante un filtro quiral. La resistencia total ser

campo magntico inducido por finas capas de Ni.

modificada de acuerdo con la magnetizacin del primero y

La Fig. 9 muestra una magnetizacin muy localizada. Iluminando

segundo canal de Ni, logrando la lgica de espn planar. Este

localmente a la mnima escala de resolucin ptica, se puede

dispositivo basado en Ni ferromagntico exhibe tambin

magnetizar una memoria ptica local. Por ltimo, el control sobre

caractersticas AHE, como es de esperar en delgadas capas

el tiempo de desmagnetizacin podra ser utilizado como una

ferromagnticas.

herramienta para producir pulsos de magnetizacin local fuerte que

Segn los estudios de AHE, la dispersin de las impurezas son

pueden ser relevantes para la resonancia magntica nuclear o para

mayoritariamente dominantes en el rgimen sub-4 K, lo cual

el

podra resultar en la lenta acumulacin de espn. En esta regin los

Paramagntica). En este caso, el canal de Ni podra ser

cambios pequeos en xy estn pronosticados tambin. A altas

magnetizado en una direccin paralela y un pulso de luz debera

temperaturas, los mecanismos de asimetra de espn de AHE son

crear el torque de espn perpendicular.

ms fuertes (Fig. 8) e incluyen contribuciones

diseo

de

chips

de

EPR

(Resonancia

Electrnica

intrnsecas,

sesgadas, dispersas y de salto lateral. La influencia de cada uno de

estos mecanismos a diferentes temperaturas sobre el AHE es
todava controvertida y es especfico de una muestra. El recuadro
en la Fig. 8a muestra el carcter emprico de la ley de potencia xy
xx medida para finas capas ferromagnticas en el rgimen de
AHE. La colocacin lineal de una escala logartmica produjeron 1
< < 2, la cual est en buen acuerdo con estudios tericos y
experimentales. Estos resultados son el sello distintivo de la AHE y
por lo tanto, proporcionan una indicacin de la magnetizacin
causado por la capa ferromagntica. Ellos sugieren que un campo
magntico local fue inducido con sincronismo ptico sin el uso
tradicional de un campo magntico externo.
Utilizando el modelo de Drude, la magnetizacin del Ni de 5nm a
RT del sensor basado en Si superficial puede ser evaluado. Para el
dispositivo de Si el campo magntico est relacionado con el
clsico coeficiente de Hall por la siguiente aproximacin:
|Bz| =((neEy)/Jx)|,
donde n es la densidad de portadores de carga, e es la carga de
electrones, Ey es el campo elctrico, Bz es el campo magntico, y Jx
es la densidad de corriente. Para este dispositivo n 1.024 e/m3,
Ey 125 V/m y J x 1,6 109A/m2, correspondiente a un campo

Conclusiones
Los resultados anteriores muestran que la configuracin del sensor
de efecto Hall de superficie es el ptimo para medir la
transferencia de espn. La delgada capa ferromagnticos en la parte
superior del rea activa del sensor de efecto Hall puede ser
magnetizada por la transferencia de torque de espn (par de giro)
de los NCs a travs de las capas orgnicas, creando as
magnetizacin perpendicular. Utilizando una capa quiral y
absorcin selectiva, la magnetizacin local inducida pticamente
podra lograrse en un patrn diseado a temperatura ambiente. Por
lo tanto se logr la magnetizacin local inducida pticamente sin el
uso tradicional de un imn externo y dispositivos de alto volumen
y alto costo. Futuras aplicaciones podran considerar la evaluacin
de dispositivos lgicos, en 3D,
altamente

localizados

fue calibrada. Utilizando la relacin lineal:

|(Vxy/Bz) || =(Ixx/NTE)| 2 10-5 V/T
Como se ve en la Fig. 7b, donde I xx = 10 mA es la corriente en la
direccin x, t 250 nm es el espesor de la capa conductora, y e es

bajo

nanomtricos y espintrnicos,
consumo

de

energa,

el

almacenamiento de datos de alta densidad de fabricacin barata, y

unidades lgicas controladas pticamente. Finalmente, el uso del
espn como el grado de libertad esperado para la puesta en marcha
del proyecto de la computacin cuntica es un reto para futuras
investigaciones en esta rama de la ingeniera.

magntico de 120G.
En el dispositivo basado en Si estndar, la respuesta Hall tambin

de

Referencias

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