5 Conductores y Dieléctricos PDF

ING.
HAROLD DAZ PHD

TEORA ELECTROMAGNTICA
UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
La corriente elctrica o intensidad elctrica es el flujo de carga elctrica por unidad de tiempo
que recorre un material. Y se debe al movimiento de las cargas (normalmente electrones) en el
interior del material conductor. En el Sistema Internacional de Unidades se expresa en /
(culombios sobre segundo), unidad que se denomina Amper .
=
Como tal la corriente se define en termino de cargas positivas, aunque en los metales la realizan
los electrones.
En trminos generales es preferible evaluar la corriente por unidad de rea, por esto se crea el
concepto de . Esta forma en ingeniera es un concepto
comparativamente ms til.
electrones libres por

centmetro cbico
cobre
8.45 1022
aluminio
6,00 1022
volframio
HAROLD DAZ PHD

6.30 ING.
1022
La carga en movimiento en un gas o el vaco representa una corriente elctrica, A esta corriente
tambin se le denomina corriente de conveccin.

=
=
=
= =
= es la densidad de corriente de conveccin (no es la corriente en un conductor).

De aqu que la corriente se puede elevar aumentando la densidad de carga o la velocidad de
esta.
Si la carga del electrn es de 1.602 1019 y se tiene 8.45 1022 electrones/3 =8.45
1028 electrones/3 , suponiendo que los electrones se mueven a la velocidad de la luz 3 108 ,
entonces se tiene:
= = 1.602 1019 8.45 1028 3 108

( electrones/3 )
= 4 1018
12
=
4
10
2
2
Velocidad del electrn conductor 7 104
6
= 9,47 10
= 9,47
2
2
ING. HAROLD DAZ PHD
Por lo tanto al densidad de corriente se define como la corriente () que atraviesan un rea
transversal (2 ), el cual es representado como un vector , donde:
=
Cuando la corriente no es perpendicular al rea transversal entonces:
=
Por lo tanto la corriente es:
=
La densidad de corriente se puede relacionar con la velocidad de una carga volumtrica en un

punto. Si:
= =
ING. HAROLD DAZ PHD

ING. HAROLD DAZ PHD

El principio de conservacin de la carga se fundamenta en el principio de que las cargas no se

crean ni se destruyen, aunque cantidades de carga positivas y negativas pueden aparecer
simultneamente.
La ecuacin de continuidad aparece cuando se considera una superficie cerrada:
=
Lo que implica que un flujo de corriente hacia afuera debe equilibrarlo un flujo hacia adentro
o un flujo de cargas negativas.
Si la carga dentro de la superficie cerrada se denota con , entonces la razn de cambio es
/ entonces el principio de conservacin de la carga exige que:
= =
La ecuacin de continuidad mediante la integral se superficie se puede cambiar por la forma

puntual de una integral de volumen mediante el teorema de la divergencia:
= =
ING. HAROLD DAZ PHD

Ya que:
=
Entonces:
= =
Si se mantiene el rea superficial (o volumen) entonces la derivada puede entrar dentro de la

integral:
De la cual se obtiene la forma punto de la ecuacin de continuidad.
Lo que implica que la razn de variacin de la densidad de corriente en un volumen cerrado

es igual a la razn de cambio con que la densidad de carga decrece en ese volumen.
ING. HAROLD DAZ PHD
Considrese una densidad de corriente radial

1
= a /2
Calcular en = 1 se puede calcular la corriente total que sale en = 5

1 1
= =
4 52 = 23,1
En el mismo tiempo pero en = 6

1 1
4 62 = 27,7
6
Por lo tanto la corriente es mayor en = 6 que en = 5
= =
Para entender esto se considera la variacin de la densidad de carga volumtrica

1 2
1

1
= 2
+

DAZ PHD

ING. HAROLD
1
1
1
1
= =
a = 2
2 = 2
Entonces la densidad de carga ser:

=
1
1
=
+
2
2
Donde la constante en funcin de r.

Si 0 cuando , entonces 0, entonces
1
= 2
/3
Con lo que se puede hallar la velocidad

1
a
/2
/
=
=
= a
=
=
= /
3
1
2
Por lo tanto la velocidad ser mayor en = 6 que en = 5, lo que ocasiona que la corriente
sea mayor en = 6. esto lo puede ocasionar una fuerza externa.
ING. HAROLD DAZ PHD
1
1
= =
+
+
ING. HAROLD DAZ PHD

10
Cada tomo posee un nmero determinado de electrones

girando a su alrededor en diferentes rbitas formando una nube
electrnica; entre ms cerca este el electrn del ncleo, mayor
ser la energa potencial y cintica que posee; por lo tanto se
necesita aplicar ms energa para removerlo del tomo.
Cada nivel posee de posee un nivel de energa, por lo tanto, un
electrn necesita un nivel discreto de energa.
Por lo tanto en la ltima rbita determina el nmero de valencia o propiedades de conduccin
que posee cada elemento qumico. En cualquier tomo esa ltima rbita admite solamente un
mximo de ocho electrones para completar su estructura atmica y la tendencia de todos es
llegar a completarla.
Un tomo con siete electrones en su ltima rbita (valencia -1) tiende a atraer el electrn que le
falta captndolo de otro tomo que posea uno slo en su ltima rbita (valencia +1). A su vez el
tomo que posee entre uno y tres electrones en la ltima rbita tiende a cederlos a otros
tomos que lo requieran para que pueda completar los ocho.
Ese mecanismo denominado "regla del octeto" da lugar a la creacin de diferentes

ING. HAROLD DAZ PHD
combinaciones qumicas, a la conduccin
del calor y a la conduccin de la corriente elctrica,
de
11
UNIVERSIDAD
VALLE - 2014A
acuerdo con la forma en que sean excitados
los DEL
tomos.
ING. HAROLD DAZ PHD

http://www.periodni.com/es/index.html
12
Metal
Sigla
Plata
Cobre
Cobre Recocido
Oro
Aluminio
Wolframio
Hierro
Au
Al
W
Fe
Carbono
Germanio
Silicio
C
Ge
Si
Vidrio
Lucita
Mica
Tefln
Cuarzo
Parafina
Lquidos
Agua de mar
Agua potable
Agua desionizada
Ag
Cu
Nmero Conductividad
Conductividad
Estados de Configuracin
-1
atmico Elctrica(Sm ) trmica/W m-1K-1 oxidacin:
electrnica
7
47
6,30 10
429
+1
[Kr] 4d10 5s1
29
5,96 107
401
+1 +2
[Ar] 3d10 4s1
7
5,80 10
79
4,55 107
317
+1 +3 [Xe]4f14 5d10 6s1
7
13
3,78 10
237
+3
[Ne] 3s2 3p1
74
1,82 107
174
+6
[Xe]4f14 5d4 6s2
26
1,53 107
80,2
+2 +3
[Ar] 3d6 4s2
Semiconductores
6
2,80 104
5,7
-4 +2 +4
[He] 2s2 2p2
-2
32
2,20 10
59.9
+2 +4
[Ar] 3d10 4s2 4p2
14
1,60 10-5
148
-4 +2 +4
[Ne] 3s2 3p2
Aislantes
-10
-14
10 a 10
0,6
< 10-13
10-11 a 10-15
0,35
< 10-13
1,33 10-18
3,37 10-17
0,21
5
0,0005 a 0,05
5,5 10-6
Energa de ionizacin
kJ mol-1
731.01-2073.48
745.5-1957.9-3554.7
890.13 - 1977.96
577.5-1816.7-2744.8
758.77
762.5-1561.9-2957.5
1086.5-2352.6-4620
762.18-1537.4
786.52-1577.15
13
Teora de Bandas en Slidos: Una forma til de visualizar la diferencia entre conductores,
aislantes y semiconductores, es dibujar las energas disponibles de los electrones en el material.
En lugar de tener energas discretas como en el caso de tomos libres, los estados de energa
disponibles forman bandas.
La existencia de electrones en la banda de conduccin, es crucial para el proceso de conduccin.

En los aislantes, los electrones de la banda de valencia estn separados de la banda de
conduccin, por una banda prohibida grande.
ING. HAROLD DAZ PHD
14
Teora de Bandas en Slidos:

En los conductores como los metales la banda de valencia se superpone con la banda de
conduccin, y en los semiconductores existe una banda prohibida suficientemente pequea
entre las bandas de valencia y conduccin, que los electrones pueden saltarla por calor u otra
clase de excitacin. Con tales bandas prohibidas pequeas, la presencia de un pequeo
porcentaje de material dopante, aumenta la conductividad de forma espectacular.
Cuando un tomo es excitado empleando campo elctrico o luz (fotn) etc., alguno de sus
ING. HAROLD DAZ PHD
electrones pueden absorber energa, TEORA
saltarELECTROMAGNTICA
a la banda de conduccin y desplazarse de15una
molcula a otra dentro de un cuerpo.UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
En el caso de un conductor los electrones de valencia se mueven fcilmente bajo la influencia de

un campo elctrico.
=
La fuerza que experimenta el electrn bajo en campo elctrico E es:
=
En espacio libre el electrn se acelera continuamente aumentando velocidad y energa cintica.
En material cristalino la velocidad del electrn se limita por mltiples colisiones contra estructura
cristalina de la red trmicamente excitada y rpidamente llega a una velocidad promedio.
Esta velocidad se denomina velocidad de arrastre y se relaciona linealmente con la intensidad

de campo elctrico debido al coeficiente de movilidad del electrn en dicho material. La
movilidad del electrn se designa con , para que:
2
=
(

Donde es positiva, y la velocidad es en sentido contrario al campo elctrico

2
(
Aluminio :
Cobre: :
Plata
:
0,0012
0,0032
0,0056
Conductividad trmica
209,3
ING. HAROLD DAZ PHD
385
UNIVERSIDAD DEL418
VALLE - 2014A
Conductividad (S/m)
3,82 107
5,80 107
6,17 107
16
Para estos metales, una pequea velocidad har que se incremente mucho la temperatura, lo
que puede hacer que se funda si el calor no se disipa por conduccin, conveccin o radiacin
trmica.
=
Reemplazando se tiene:
=
Donde es la densidad de carga de los electrones libres con un valor negativo.
La densidad de carga total ser cero ya que un numero igual de cargas negativas esta presentes
en el material neutro, y estas se desplazarn en el mismo sentido del campo elctrico.
Para un conductor metlico se tiene la formula puntual de la ley de ohm:
=

S
Donde es la conductividad del material y esta dada en / (m V), donde el siemens

es la unidad de la conductancia G 1/ (anteriormente 1 siemens = Mho ).
1
ING. HAROLD DAZ =

PHD
El inverso de la conductividad es la resistividad
(normalmente /)
17
La ley de ohm en los conductores metlicos poseen un comportamiento casi lineal con el
potencial elctrico y la densidad de corriente, y se incrementa casi linealmente con la
temperatura.
20 = 1 + 20
Cobre:0,00393
aluminio= 0,00403
Los conductores metlicos son materiales isotrpicos, o sea que sus propiedades son las mismas
en cualquier direccin; cuando no obedece a este comportamiento se llaman materiales
anisotrpicos.
Algunos materiales al bajar la temperatura la resistividad cae

abruptamente a cero, tal como lo hace el aluminio a 1 K. A estos
se les llama superconductores. La conductividad puede verse
como:
=
De aqu que a mayor temperatura, habr mayor vibracin de la
red cristalina, como consecuencia los electrones chocarn ms
continuamente, para un mismo potencial, esto hace que se
reduzca la velocidad de arrastre y disminuya la conductividad (o
ING. HAROLD DAZ PHD
mayor resistividad).
18
El Gran Colisionador de Hadrones (LHC, por sus siglas en ingls) es el mayor y ms potente
acelerador de partculas del mundo. Est situado cerca de Ginebra, en la frontera franco-suiza.
Es una mquina de 27 kilmetros de circunferencia basada en tecnologa superconductora: los
imanes estn enfriados a -271.3 C, y por ellos circulan corrientes de hasta 11.850 amperios.
hay 1.232 grandes imanes, y tiene que ser capaz de alcanzar exactamente la misma corriente
para que los haces puedan circular con xito.
Si y son uniformes:
=
= =
= = = =
o
=
Entonces:
= = =
Donde:
= =
ING. HAROLD DAZ PHD

20
Sin embargo en circuitos se conoce como resistencia del cilindro a la relacin de la diferencia de
potencial entre terminales y la corriente que entra por el terminal positivo.
=
Donde:
1
=
= =
Donde R esta dado en Ohm, el inverso de la resistencia es la conductancia G dada en Siemens.

Si el campo no es uniforme, entonces la resistencia puede estar dada por:

=
=

La cual esta dada por la integral de lnea dada por la diferencia de potencial entre dos
superficies equipotenciales del material y la integral de superficie evaluada en la superficie
positiva.
1
Conductividad
= +
= = +
= 1/: resistividad
: Reactancia
: Admitancia
Resistencia
Z: Impedancia
: Susceptancia
1/: Conductancia
ING. HAROLD
DAZ PHD
ojo: si existen ambas (R y X), no se puede
hallar
el inverso de cada uno individualmente
21
ING. HAROLD DAZ PHD

22
Conductividad trmica Conductividad (S/mm)

3
Aluminio :
0,0027
209,3
3,82 104
Cobre: :
0,00895
385
5,80 104
Plata
:
0,0105
418
6,17 104
ING. HAROLD DAZ PHD

valor USD/g
0,022
0,094
0,567
23
1 = 2,54
1 = 30,48
ING. HAROLD DAZ PHD

24
Si se supone todas las condiciones de los campos estticos son validos y se deja que estos
varen unos pocos milisegundos cuando la distribucin de carga es desbalanceada dentro de
un conductor.
Si aparece sbitamente una carga de electrones
dentro de un conductor, el campo elctrico de estos
no ser neutralizado por ninguna carga positiva, as
que los electrones se acelerarn alejndose unos de
otros.
Esto sucede hasta que los electrones llegan a la
superficie del conductor o hasta que un nmero igual
de electrones llegue a la superficie.
Estos electrones sern detenidos por el aislante del

conductor en la superficie de este, mantenindose as
por su propio campo elctrico, y no existir una
densidad de carga dentro del conductor. Estas son las
dos caractersticas de un buen conductor.
ING. HAROLD DAZ PHD
25
Por lo tanto la densidad de carga se hallar en la superficie exterior del conductor. Y la densidad
de campo elctrico del conductor se hace cero, porque si existiera, habra una circulacin de
corriente, donde los campos no sern estticos.
En resumen para una situacin electrosttica no existen cargas ni campos elctricos dentro de
un conductor, sin embargo la carga puede estar en la superficie como una densidad de carga
superficial.
ING. HAROLD DAZ PHD

26
En resumen para una situacin electrosttica no existen cargas ni campos elctricos dentro de
un conductor, sin embargo la carga puede estar en la superficie como una densidad de carga
superficial.
Si se supone que existen dos componentes de campo elctrico: una radial y otra tangencial,
rpidamente se sabe que solo existe la radial ya que la tangencial es cero. Si existiera, aparece
una componente que har que los electrones se muevan, donde ya no habr condiciones
estticas.
La ley de Gauss no dice que el flujo elctrico debe ser
igual a la carga que encierra, por tanto no habr flujo
en el interior del conductor, ya que no hay campo
elctrico, por lo tanto, el campo elctrico debe de
abandonar la superficie de forma normal a la superficie.
Cuantitativamente se puede decir que
debe
ser igual a la densidad de carga (2 )

ING. HAROLD DAZ PHD
27
Si se analiza la regin de frontera en el espacio libre de la figura donde se muestran las

componentes normal y tangencial de y , el campo tangencial puede aplicarse:
= 0
A lo largo de
+ + + =0
Teniendo que = 0
dentro conductor.
Tomando como = =
Y tomando
= =
Se tiene:
, , , + , = 0
Si no existe campo dentro del conductor , = 0 y solo existir la mitad del campo normal
1
1
ING. HAROLD DAZ PHD
28
, , + , = 0TEORA ELECTROMAGNTICA
2
2
1
1
, , + , = 0
2
2
1
Si se hace tienda a cero, manteniendo pequeo, el potencial de , 2 ser

1
igual a , 2 , por lo tanto:

, = 0
Ya que es pequeo pero existe, entonces el campo:
, = 0
ING. HAROLD DAZ PHD

29
Si se hace con respecto a , y se escoge un pequeo cilindro como superficie gaussiana, el cual
posee una altura y un rea transversal , haciendo que tienda a cero se tiene:
=
Integrando sobre las 3 superficies:
no existe el flujo. si existiera la densidad de flujo que entra por los es la misma
que sale, por lo tanto la integral es igual a cero, y entonces:
= =
Donde:
=
Las condiciones de frontera dentro

conductor sern:
= = 0
= 0 =
ING. HAROLD DAZ PHD

30
Las ecuaciones anteriores se pueden expresar de manera formal si se usan campos

vectoriales:
a = 0
a =
Una consecuencia que el campo sea cero es que la superficie de un conductor es una
superficie equipotencial. E = 0.
En resumen:
1. La intensidad de campo elctrico dentro de un conductor es cero
2. La intensidad de campo elctrico esttico es normal a la superficie del conductor.
3. La superficie del conductor es una superficie equipotencial.
4. La magnitud de la densidad de flujo en la superficie del conductor
es igual a la magnitud de la densidad de carga.
ING. HAROLD DAZ PHD
31
Dado el potencial
= 100 2 2
Y un punto 2, 1, 3 que esta en la frontera entre el
conductor solido y el espacio libre, hallar: V, E, D y en P,
la ecuacin de superficie del conductor y la ecuacin de las
lneas de campo elctrico
2, 1, 3 = 100 22 1 2 = 300
Ya que la superficie del conductor es equipotencial,
entonces el potencial en esta es de 300 V
Como el campo E es cero en el interior del conductor solido
entonces el potencial en todo punto interior es 300 V
La ecuacin que representa el lugar geomtrico de todos
los puntos que tienen 300 V dentro del conductor solido
son:
300 = 100 2 2
O
ING. HAROLD DAZ PHD
3 = 2 2 TEORA
ELECTROMAGNTICA
La cual corresponde a un cilindro hiperblico
32
Si el conductor esta en la parte superior izquierda (superficie rallada) mientras que es resto es
el espacio libre.
El campo elctrico normal a la superficie ser:
= = 200 a + 200 a
2, 1, 3 = 200 2 a + 200 1 a = 400 a 200 a
La densidad de flujo elctrico normal a la superficie ser:
= 0 = 200 0 a + 200 0 a
= 8,854 1012 2, 1, 3 = 3,54 a 1,771 a /2
Donde el campo es normal a la superficie en P y tiene una magnitud

= = 3,96 /2
Y la densidad en P es:
= = 3,96 /2
Es de observar que si el conductor es laING.
otra
parte de la figura entonces el campo apuntar al
HAROLD DAZ PHD
conductor, por lo tanto la densidad deTEORA
cargaELECTROMAGNTICA
superficial ser: = = 3,96 /2 33
Hallar la ecuacin de las lneas de campo elctrico que pasan por P

= = 200 a + 200 a = a + a
200

=
= =
200

O

+
=0
+ = 2
Donde:
= 2
Como la lnea pasa por P entonces:
2 1 = 2 = 2
Por lo tanto:
= 2
ING. HAROLD DAZ PHD
34
Si
ING. HAROLD DAZ PHD

35
=0
ING. HAROLD DAZ PHD

36
Una caracterstica importante del dipolo es que existe un plano infinito de potencial cero entre
las dos cargas. Este plano puede representarse con un conductor muy delgado que va hasta el
infinito, este conductor ser una superficie equipotencial con = 0, en la cual el campo
elctrico es normal a la superficie. Condicin que satisface que la superficie es equipotencial.
Con esto se logra reemplazar el sistema de dos cargas por una sola y el plano. Debajo del plano
el campo ser cero y no habr carga, o tambin se puede hacer a la inversa con una carga
negativa.
Si se observa bien, el campo ser el mismo

con el sistema de dos cargas o una carga y el plano
ING. HAROLD DAZ PHD
conductor. Donde a la carga simtrica se
le denomina
imagen de la carga original.
TEORA
ELECTROMAGNTICA
37
Entonces esto es valido para cualquier sistema de cargas sobre un plano conductor con
potencial = 0, por un arreglo similar de cargas a su imagen, quitando el plano conductor. Lo
cual es mucho ms fcil cuando ya no se tiene ese plano de potencial cero. Por lo tanto es
ms fcil realizar el calculo con cargas imagen que con el plano conductor.
Esto es muy til dentro de la ingeniera donde esta configuracin se repite es muchos anlisis;
por ejemplo una lnea area y el plano de referencia de la tierra.
ING. HAROLD DAZ PHD

38
Como ejemplo con el mtodo de las imgenes hallar la densidad de carga superficial en
2, 5, 0 en un plano conductor = 0 si existe una carga lineal de 30 / en = 0, =
3, como se ve en la figura.
Si se quita el plano y se introduce una carga lineal de 30 / que sea imagen de la

anterior en = 0, = 3, se puede hallar el campo en P por superposicin de los campos
conocidos de las cargas lineales, donde la distancia R ser:
+ = = 2 0 a + a + 0 3 a = 2 a 3 a
ING. HAROLD DAZ PHD
UNIVERSIDAD
= 2 DEL
a VALLE
+ 3 -2014A
a
39
Donde los campos individuales sern:
30 109
2 a 3 a
+ =
a =
2 0 + 2 0 13
13
Y
30 109 2 a + 3 a
=
a =
2 0 + 2 0 13
13
Sumando ambas, se tiene:
30 109
2 a 3 a
30 109
2 a + 3 a
= + + =
2 0 13
13
2 0 13
13
30 109
= + + =
2 a 3 a 2 a 3 a
2 0 13
30 109
180 109
= + + =
6 a =
a = 249 a /
2 0 13
2 0 13
Observe que el campo es normal, de aqu:
ING. HAROLD DAZ PHD
= 0 = 249
0 a = 2,2 a /2
40
Y como el campo elctrico punta hacia el plano conductor, entonces es negativa y

= 2,2 /2
En el punto P
ING. HAROLD DAZ PHD

41
ING. HAROLD DAZ PHD

42
Intensidad de
corriente (mA)
1 mA
5 mA
6-30 mA
50-150 mA
1000-4300 mA
10,000 mA
Posible efecto en el cuerpo humano

Nivel de percepcin. Una leve sensacin de hormigueo. An
as, puede ser peligroso bajo ciertas condiciones.
Leve sensacin de choque; no doloroso, aunque incmodo. La
persona promedio puede soltar la fuente de la corriente elctrica.
Sin embargo, lasreacciones involuntarias fuertes a los choques en
esta escala pueden resultar en lesiones.
Choque doloroso donde se pierde el control muscular. Esto se
conoce como "la corriente paralizante" o "la escala bajo la cual hay
que soltar la fuente".
Dolor
agudo,
paro
respiratorio,
contracciones
musculares severas. La persona no puede soltar la fuente de
electricidad. La muerte es posible.
Fibrilacin ventricular (el ritmo cardaco cesa.) Ocurren
contracciones musculares y dao a los nervios. La muerte es
sumamente probable.
Paro cardaco, quemaduras severas y con toda probabilidad puede
ING. HAROLD DAZ PHD
causar la muerte.
43
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante

dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Elemento
Grupos
Cd
Al, Ga, B, In
Si, C, Ge
P, As, Sb
Se, Te, (S)
12
13
14
15
16
Electrones en la ltima
capa
2 e3 e4 e5 e6 e-
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico

comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente
se ha comenzado a emplear tambin el azufre.
ING. HAROLD DAZ PHD

44
En estos los electrones necesitan una mayor energa para pasar a la banda de conduccin, y al
dejar el lugar queda un hueco el cual es parte fundamental de la corriente elctrica.
A este hueco se trata como si tuviera una carga

positiva con su correspondiente coeficiente
de movilidad y una masa efectiva
comparable a la del electrn.
Por lo tanto ambos se mueven en direcciones
ING. HAROLD DAZ PHD
opuestas.
45
Por lo tanto la conductividad es funcin de las concentraciones de electrones y huecos

= +
Conductividad
2
(
)
2
(
)
Silicio
0,025
0,12
0,0024
0,00035
148
Germanio
0,36
0,17
1,6
59,9
. . .
( 3)
( )
Trmica ()
Los coeficientes de movilidad son ms o menos de 10 a 100 veces la movilidad aluminio, cobre,
plata.
Con forme la temperatura aumenta, la movilidad disminuye pero la densidad aumenta
rpidamente, por lo tanto, la conductividad aumenta en un factor de 10 cuando pasa de 300 a
330 K (26,5 a 56,85 C) y decrece de forma inversa.
ING. HAROLD DAZ PHD
46
Los semiconductores se comportan de forma inversa a los

conductores con la temperatura.
La conductividad en un semiconductor al igual que en los
conductores es ms o menos constante con la densidad de
corriente y su direccin.
Se utilizan ms los de silicio que los de germanio debido a que el
germanio es muy escaso y por lo tanto ms caro.
Se prefieren el uso del germanio cuando los circuitos son de baja

potencia, ya que esto hace el circuito mas eficiente, ya que por
ejemplo en un diodo el voltaje de polarizacin es de 0,3 V
comparado con los 0,6 V en el silicio.
En caso de precisin son mejor los de germanio en donde las fluctuaciones de tensin debe
mantenerse a un mnimo. Sin embargo, los diodos de germanio se daan ms fcilmente que los
diodos de silicio.
Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito general y se pueden utilizar en casi
ING. son
HAROLD
DAZduraderos
PHD
todos los circuitos elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio
ms
47
que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener.
El nmero de portadores de carga se aumenta agregando pequeas impurezas, materiales

donadores agregan electrones y forman el material tipo n y materiales receptores proveen
huecos extras y forma materiales tipo p, esto es llamado dopado
Un dopado de una parte en 107 , aumenta la conductividad en un factor de 105
ING. HAROLD DAZ PHD

48
Un dielctrico bsicamente se basa en mltiples dipolos elctricos de una carga positiva y otra
negativa. No hay cargas libres, y los dipolos pueden responder al campo elctrico alinendose
con l. A estas se les denomina cargas latentes las cuales de pueden tratar como cualquier
otra fuente de campo electrosttico.
Todos los materiales dielctricos tienen la capacidad de almacenar energa (solidos, lquidos,
gases que no sean cristalinos). Este almacenamiento se lleva mediante el cambio de posicin
de los dipolos contra las fuerzas atmicas y moleculares normales. Esto es similar a la energa
ING. HAROLD DAZ PHD
almacenada en un resorte.
49
El mecanismo de la carga difiere de la naturaleza del dielctrico; en algunos las molculas se

mueven del centro de gravedad de las cargas positivas y negativas (dipolos), dependiendo de la
intensidad del campo elctrico.
En estado normal los dipolos estn ubicados de forma aleatoria, y se alinean con el campo
cuando es aplicado, se puede incluso presentar un desplazamiento del centro de gravedad del
dipolo.
Cualquier dipolo puede ser expresado como se
desarrollo anteriormente como el momento

dipolar:
= ( )
Donde Q es la carga positiva que integra el
dipolo y es el vector distancia.
Si hay dipolos y se trabaja en un volumen
entonces hay y el momento dipolar ser:
= ( )
=1
ING. HAROLD DAZ PHD

Si los dipolos estn en la misma direccin

posee un valor significativo; sin embargo si estn
de forma aleatoria = 0.
50
Se define como la polarizacin Al momento dipolar por unidad de volumen:
C
( 3 2 )
= lim
0
=1
Y se toma como un campo continuo tpico, aun cuando es evidente que esta definido como
puntos dentro de un tomo o molcula. Se considera mejor como un valor medio en un
volumen que posee dipolos.
Si se supone que no hay un campo
elctrico, entonces el momento dipolar
= 0 en todo el material. Si se aplica un
campo elctrico , este produce un
momento = en cada molcula, de
modo que y forman un ngulo con
.
Y con el campo las cargas latentes se
mueven a travs de con una distancia
1
en direccin perpendicular a
2
. Si son positivas se movern hacia
ING. HAROLD DAZ PHD
arriba y si son negativas hacia abajo. TEORA ELECTROMAGNTICA
51
La carga neta de n molculas que cruza la superficie en direccin ascendente ser:

=
Donde es debido a que es una carga latente y no una carga libre, en trminos del momento
de polarizacin se tiene:
=
Si es una superficie cerrada dentro de un dielctrico, entonces la carga latente se obtiene
como:
=
Esta es muy parecido a la ley de Gauss y se

puede generalizar la definicin de densidad de
flujo elctrico de tal forma que sea valida para
otros medios.
= 0
Donde:
= +
: carga total encerrada
DAZ PHD
: es la carga total libre encerrada por TEORA
S ING. HAROLD
ELECTROMAGNTICA
52
Al combinar las tres expresiones:

= =
0 +
Donde Ser.
= 0 +
Entonces:
=
Utilizando las densidades de carga volumtrica se tiene:

=
Con el teorema de la divergencia se tiene:

ING. HAROLD DAZ PHD
53
Con el teorema de la divergencia se tiene:

=
0 =
=
En lo real es necesario conocer la relacin entre el campo y
resultante, la cual es funcin del tipo de material. En adelante
solo se tratan materiales isotrpicos, los cuales guardan una
relacin lineal, en los cuales los campos y son paralelos sin
importar la orientacin del campo.
En los materiales ferroelctricos la relacin entre y es no lineal y presenta histresis. La
relacin entre y es:
= 0
Donde (chi) es una cantidad adimensional llamada susceptibilidad elctrica del material,
ahora se tiene:
= 0 + = 0 + 0 = + 1 0
ING. HAROLD DAZ PHD
54
Donde:
+ 1 =
Cantidad adimensional definida como permitividad relativa o
constante dielctrica:
= 0 =
Y = 0 es la permitividad, los materiales anisotrpicos se
describen como una funcin de las componentes o forma
matricial:
= + +
= + +
= + +
Aqu y ya no son paralelos pero la relacin = 0 + es
valida. En resumen:
=
0 =
=

ING. HAROLD DAZ PHD

=
UNIVERSIDAD
DEL VALLE - 2014A
Material
Aire
1.0005
Papel
3.7
Pyrex
5.6
Tefln
2.1
Nylon
3.5
Silicio
12
Germanio
16
Baquelita
4,74
Vidrio
4-7
Mica
5,4
Nailon
3,5
Madera seca
1,5 - 4
Titanato de
Bario
1200
55
En la regin 0 hay una placa de tefln y el resto es espacio libre, si hay un campo
uniforme afuera de = a / hallar D, E y P
La constante dielctrica del tefln es 2,1 de modo que la susceptibilidad elctrica es:
+ 1 =
= 1 = 1,1
Entonces la densidad de flujo fuera es:
= 0 a
Donde =
Entonces la densidad es:
= 2,1 0 a
= 1,1 0 a
ING. HAROLD DAZ PHD

56
Existen dos formas de fronteras: dos dielctricos diferentes o un dielctrico y un conductor.

Como se sabe la campo tangencial en un conductor es igual a cero y la densidad de flujo
elctrico normal es igual a densidad de carga superficial sobre el conductor.
Para dos dielctricos con 1 2 respectivamente:
= 0
La densidad de flujo existir en ambos
materiales. En la trayectoria cerrada
izquierda se tiene:
1 2 = 0
Si decrece la contribucin de la
componente normal se hace cero.
1 = 2
Por lo tanto, el potencial de dos
puntos arbitrarios sobre la frontera
separados por es la misma arriba
ING. HAROLD DAZ PHD
o abajo.
57
Si la intensidad es continua en toda la

frontera entonces la densidad de flujo no
lo es:
1
2
= 1 = 2 =
1
2
1 1
=
2 2
Aplicando ley de Gauss para hallar las
componentes normales. Si la altura es
muy pequea entonces el flujo:
=
1 = 2
1 2 = =
1 1 = 2 2
Donde:
1 2 =
Donde = 0 en la interface, y
ING. HAROLD DAZ PHD

Donde
es normal
UNIVERSIDAD DEL
VALLE -E2014A
1 2
=
2 1
y discontinuo.
58
Expresndolo en trminos vectoriales las condiciones de

frontera para la superficie de un dielctrico son:
a =
Y
a = 0
Esto tambin se puede ver en la frontera para las
condiciones normales:
1 = 1 1 = 2 2 = 2
para las condiciones tangenciales:
1 1 1 1
= =
2 2 2 2
O bien:
2 1 1 = 1 2 2
En esta figura se supone 1 > 2 en

consecuencia 1 > 2
Al dividir las dos ecuaciones:

2 1 1
1 2 2
ING. HAROLD DAZ PHD
=
1 1
2
TEORAELECTROMAGNTICA
2
1
1
=
2
2
59
La direccin de es idntica a la direccin de porque

= .
La magnitud de en la regin 2 puede hallarse a partir
de las ecuaciones:
2 = 1
1 +
1 2
2
2 1
Y la magnitud de en la regin 2 es:
2 = 1 2 1
1
+
2
2 1
La observar las ecuaciones se ve que es ms grande en 1 donde la permitividad es mayor (a

menos que 1 = 2 = 0 donde la magnitud permanece sin cambio).
ING.
HAROLD DAZ PHD(a menos que = = 90 donde la
Y es ms grande en la regin de menor
permitividad
1
2
60
magnitud permanece sin cambio. UNIVERSIDAD DEL VALLE - 2014A
Encontrar los campos dentro de la placa de tefln que va desde 0 del ejemplo anterior
dado que: = a /
Ya se tenia que:
Entonces la densidad de flujo fuera es: = 0 a y Donde =
Dada la continuidad de se puede hallar:
. = . = 0 a
Con esto se halla:
. 0 a
. =
=
0
= 0,476 a
El campo de polarizacin se halla:
= 0 +
Donde:
= 0
= 0 a 0,476 a
ING. HAROLD DAZ
PHD
0
= 0,524 a TEORA
ELECTROMAGNTICA
61
La
ING. HAROLD DAZ PHD

62

5 Conductores y Dieléctricos PDF

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

5 Conductores y Dieléctricos PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

ING.

HAROLD DAZ PHD

electrones libres por

HAROLD DAZ PHD

= es la densidad de corriente de conveccin (no es la corriente en un conductor).

= = 1.602 1019 8.45 1028 3 108

Velocidad del electrn conductor 7 104

La densidad de corriente se puede relacionar con la velocidad de una carga volumtrica en un

ING. HAROLD DAZ PHD

ING. HAROLD DAZ PHD

El principio de conservacin de la carga se fundamenta en el principio de que las cargas no se

La ecuacin de continuidad mediante la integral se superficie se puede cambiar por la forma

ING. HAROLD DAZ PHD

Si se mantiene el rea superficial (o volumen) entonces la derivada puede entrar dentro de la

De la cual se obtiene la forma punto de la ecuacin de continuidad.

Lo que implica que la razn de variacin de la densidad de corriente en un volumen cerrado

Considrese una densidad de corriente radial

Calcular en = 1 se puede calcular la corriente total que sale en = 5

En el mismo tiempo pero en = 6

Para entender esto se considera la variacin de la densidad de carga volumtrica

Entonces la densidad de carga ser:

Donde la constante en funcin de r.

Con lo que se puede hallar la velocidad

ING. HAROLD DAZ PHD

Cada tomo posee un nmero determinado de electrones

Ese mecanismo denominado "regla del octeto" da lugar a la creacin de diferentes

ING. HAROLD DAZ PHD

La existencia de electrones en la banda de conduccin, es crucial para el proceso de conduccin.

Teora de Bandas en Slidos:

En el caso de un conductor los electrones de valencia se mueven fcilmente bajo la influencia de

Esta velocidad se denomina velocidad de arrastre y se relaciona linealmente con la intensidad

Donde es positiva, y la velocidad es en sentido contrario al campo elctrico

Para un conductor metlico se tiene la formula puntual de la ley de ohm:

Donde es la conductividad del material y esta dada en / (m V), donde el siemens

ING. HAROLD DAZ =

Algunos materiales al bajar la temperatura la resistividad cae

ING. HAROLD DAZ PHD

Donde R esta dado en Ohm, el inverso de la resistencia es la conductancia G dada en Siemens.

ING. HAROLD DAZ PHD

Conductividad trmica Conductividad (S/mm)

ING. HAROLD DAZ PHD

ING. HAROLD DAZ PHD

Estos electrones sern detenidos por el aislante del

ING. HAROLD DAZ PHD

ser igual a la densidad de carga (2 )

Si se analiza la regin de frontera en el espacio libre de la figura donde se muestran las

Si se hace tienda a cero, manteniendo pequeo, el potencial de , 2 ser

igual a , 2 , por lo tanto:

ING. HAROLD DAZ PHD

Integrando sobre las 3 superficies:

Las condiciones de frontera dentro

ING. HAROLD DAZ PHD

Las ecuaciones anteriores se pueden expresar de manera formal si se usan campos

Donde el campo es normal a la superficie en P y tiene una magnitud

Hallar la ecuacin de las lneas de campo elctrico que pasan por P

ING. HAROLD DAZ PHD

ING. HAROLD DAZ PHD

Si se observa bien, el campo ser el mismo

ING. HAROLD DAZ PHD

Si se quita el plano y se introduce una carga lineal de 30 / que sea imagen de la

Donde los campos individuales sern:

Y como el campo elctrico punta hacia el plano conductor, entonces es negativa y